WO2007094294A1

WO2007094294A1 - プラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置

Info

Publication number: WO2007094294A1
Application number: PCT/JP2007/052473
Authority: WO
Inventors: Minoru Takeda; Shigeo Kigo; Yasuaki Mutou
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2006-02-14
Filing date: 2007-02-13
Publication date: 2007-08-23
Also published as: CN101322176A; KR20070117591A; KR100885593B1; CN101322176B; US20080284681A1; EP1903550A4; JP5168896B2; JP2007249176A; EP1903550A1; US7995006B2

Description

明細書

プラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置技術分野

[0001] 本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置に関する。

背景技術

[0002] プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。

[0003] 前面板は、 1対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。

[0004] そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で 5%のキセノンを含む放電ガスが封入されてヽる。ここで表示電極対とデータ電極との対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色 (R)、緑色 (G)および青色 (B)の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行って!/ヽる。

[0005] パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法、すなわち、 1フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによつて階調表示を行う方法が一般的である。

[0006] 各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有し、初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成する。初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作 (以下、「全セル初期化動作」と略記する）と、維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作 (以下、「選択初期化動作」と略記する）とがある。

[0007] 書込み期間では、表示を行うべき放電セルにおいて選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。

[0008] また、サブフィールド法の中でも、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行い、さらに維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させた駆動方法が開示されている。

[0009] 具体的には、例えば複数のサブフィールドのうち、 1つのサブフィールドの初期化期間にお、て全ての放電セルを放電させる全セル初期化動作を行!ヽ、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルのみ初期化する選択初期化動作を行う。その結果、表示に関係のない発光は全セル初期化動作の放電に伴う発光のみとなりコントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献 1参照)。

[0010] このように駆動することによって、画像の表示に関係のない発光、すなわち映像を表示しな!ヽときの黒表示領域の輝度 (以下、「黒輝度」と略記する）は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、コントラストの高い画像表示が可能となる。

[0011] 一方、パネルの高精細度化ゃ大画面化に伴って放電セル数が増加し、また、動画擬似輪郭の改善等、画像表示品質を向上させるためにサブフィールド数を増加させる等、今後ますます書込み動作の高速ィ匕が要求されている。

[0012] ところで、全ての放電セルを初期化させる全セル初期化動作は、上述したように書込み動作に必要な壁電荷を形成するとともに、放電遅れを小さくし、書込み放電を安定して発生させるためのプライミングを発生させると!、う働きをも併せ持って、る。従つて、高速書込み動作のためにはプライミングを増やすという方法が有効である。しかし、単純に全セル初期化動作の回数を増やすと、黒輝度が上がってコントラストが低下し、画像表示品質が低下する。

[0013] そこで、表示すべき画像信号の平均画像レベル（APL : Average Picture Leve 1)にもとづいて、各サブフィールドの初期化期間における初期化動作を、全セル初期化動作または選択初期化動作のいずれかに決定して全セル初期化回数を増減させ、黒輝度の上昇を抑えながら安定した高速書込みが可能なパネルの駆動方法が提案されている（例えば、特許文献 2参照)。

[0014] し力しながら、初期化期間における初期化動作を、全セル初期化動作または選択初期化動作のいずれかに決定して全セル初期化回数を増減させると、本来一定であるべき黒輝度が不連続的に変動して画像表示品質を低下させてしまうことがある。ここで、 1フィールド期間内の全セル初期化動作を行うサブフィールドの数を、「全セル初期化回数」と記す。

特許文献 1：特開 2000— 242224号公報

特許文献 2：特開 2005— 215132号公報

発明の開示

[0015] 本発明は、パネルにおける全セル初期化回数を増減させることによって書込み放電を安定させると同時に、黒輝度の変動を目立ち難くすることにより、画像表示品質を向上させることが可能なパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供する。

[0016] 本発明は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルの駆動方法であって、 1フィールドを、放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成する。そして、サブフィールドを、初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、初期化期間にお、て直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとのいずれかに設定するステップと、全セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドとを切換える際に全セル初期化サブフィールドで初期化放電を発生させるための初期化電圧を制御するステップと、を備える。この方法により、パネルにおける全セル初期化回数を増減させることによって書込み放電を安定させると同時に、黒輝度の変動を目立ち難くすることにより、画像表示品質を向上させることが可能なパネルの駆動方法を提供することが可能となる。

[0017] また本発明のパネルの駆動方法において、全セル初期化サブフィールドの数を増カロさせる直前のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1 つのサブフィールドの初期化電圧は、全セル初期化サブフィールドの数を増加させた直後のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 2つのサブフィールドの初期化電圧よりも高く設定する。そして、全セル初期化サブフィールドの数を減少させる直前のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 2つのサブフィールドの初期化電圧は、全セル初期化サブフィールドの数を減少させた直後のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドの初期化電圧よりも低く設定することが望ましい。

[0018] また本発明のパネルの駆動方法は、 1フィールドに含まれる全セル初期化サブフィ一ルドの初期化電圧を連続した複数のフィールド期間において段階的に上昇させた後に選択初期化サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えてもょ、。

[0019] また本発明のパネルの駆動方法は、 1フィールドに含まれる複数の全セル初期化サブフィールドのうちの 1つの全セル初期化サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えた後に、のこりの全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドにおける初期化電圧を連続した複数のフィールドにおいて段階的に下降させてもよい。

[0020] また本発明のパネルの駆動方法は、 1フィールドに含まれる全セル初期化サブフィ一ルドの初期化電圧を 0. 2秒〜 1. 6秒にわたり段階的に上昇させた後に選択初期化サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えることが望ましい。

[0021] また、本発明のパネルの駆動方法は、 1フィールドに含まれる複数の全セル初期化サブフィールドのうちの 1つの全セル初期化サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えた後に、のこりの全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドにおける初期化電圧を 0. 2秒〜 1. 6秒にわたり段階的に下降させてちょい。

[0022] これらの方法により、パネルにおける全セル初期化回数を増減させることによって書込み放電を安定させると同時に、黒輝度の変動を目立ち難くすることにより、画像表示品質を向上させることが可能なパネルの駆動方法を提供することが可能となる。

[0023] また本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルと、走査電極に緩やかに上昇または下降する傾斜波形電圧を印加する走査電極駆動回路とを備え、 1フィールドを、放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成する。そして、サブフィールドは、初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとのいずれかである。また、走査電極駆動回路は、全セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドとを切換えるとともに、全セル初期化サブフィールドで初期化放電を発生させるための傾斜波形電圧の最大値である初期化電圧を制御するように構成したことを特徴とする。

[0024] この構成により、パネルにおける全セル初期化回数を増減させることによって書込み放電を安定させると同時に、黒輝度の変動を目立ち難くすることにより、画像表示品質を向上させることが可能なプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる

[0025] また、本発明のプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路は、 1フィールドに含まれる全セル初期化サブフィールドの初期化電圧を 0. 2秒〜 1. 6秒にわたり段階的に上昇させた後に選択初期化サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えることが望ましい。

[0026] また本発明のプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路は、 1フィールドに含まれる複数の全セル初期化サブフィールドのうちの 1つの全セル初期化サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えた後に、のこりの全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドにおける初期化電圧を 0. 2秒〜 1. 6秒にわたり段階的に下降させることが望ましい。

[0027] また本発明のプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路は、選択初期化サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えた直後のフィールドにお、て、全セル初期化サブフィールドの初期化電圧を他の全セル初期化サブフィールドの初期化電圧よりも低くすることが望ましい。

[0028] また本発明のプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路は、 1フィールドに含まれる複数の全セル初期化サブフィールドのうちの 1つの全セル初期化サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換える直前のフィールドにお、て、全セル初期化サブフィールドの初期化電圧をのこりの全セル初期化サブフィールドの初期化電圧よりも低くすることが望まし、。

図面の簡単な説明

[0029] [図 1]図 1は本発明の実施の形態 1におけるパネルの構造を示す分解斜視図である。

[図 2]図 2は本発明の実施の形態 1におけるパネルの電極配列を示す図である。

[図 3]図 3は本発明の実施の形態 1におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。

[図 4]図 4は本発明の実施の形態 1におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。

[図 5A]図 5Aは本発明の実施の形態 1におけるサブフィールド構成を示す模式図である。

[図 5B]図 5Bは本発明の実施の形態 1におけるサブフィールド構成を示す模式図である。

[図 6A]図 6Aは本発明の実施の形態 1におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 6B]図 6Bは本発明の実施の形態 1におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 6C]図 6Cは本発明の実施の形態 1におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 6D]図 6Dは本発明の実施の形態 1におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 6E]図 6Eは本発明の実施の形態 1におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

圆 7A]図 7Aは本発明の実施の形態 2におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

圆 7B]図 7Bは本発明の実施の形態 2におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

圆 7C]図 7Cは本発明の実施の形態 2におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

圆 7D]図 7Dは本発明の実施の形態 2におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

圆 7E]図 7Eは本発明の実施の形態 2におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 8A]図 8Aは本発明の実施の形態 3におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 8B]図 8Bは本発明の実施の形態 3におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 8C]図 8Cは本発明の実施の形態 3におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 8D]図 8Dは本発明の実施の形態 3におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 8E]図 8Eは本発明の実施の形態 3におけるプラズマディスプレイ装置の初期化電圧の変化の一例を示す模式図である。

[図 9]図 9は本発明の実施の形態 4におけるプラズマディスプレイ装置の全セル初期化回数 1回あたりの初期化電圧の値とそのときの黒輝度との関係を測定した一例を示す図である。

圆 10]図 10は本発明の実施の形態 5におけるプラズマディスプレイ装置の初期化回数の変更が視覚に違和感を与える理由を説明するための図である。

[図 11]図 11は本発明の実施の形態 5におけるプラズマディスプレイ装置の変更時間に対するフリツ力および黒輝度の変化の許容度の評価結果を示す図である。 [図 12]図 12は本発明の実施の形態 6におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の回路図である。

[図 13]図 13は本発明の実施の形態 6における走査電極駆動回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。

[図 14A]図 14Aは本発明の実施の形態 7における初期化電圧の変化を示す模式図である。

[図 14B]図 14Bは本発明の実施の形態 7における初期化電圧の変化を示す模式図である。

[図 14C]図 14Cは本発明の実施の形態 7における初期化電圧の変化を示す模式図である。

[図 14D]図 14Dは本発明の実施の形態 7における初期化電圧の変化を示す模式図である。

[図 14E]図 14Eは本発明の実施の形態 7における初期化電圧の変化を示す模式図である。

[図 14F]図 14Fは本発明の実施の形態 7における初期化電圧の変化を示す模式図である。

[図 15A]図 15Aは本発明の実施の形態 8における初期化電圧の変化を示す模式図である。

[図 15B]図 15Bは本発明の実施の形態 8における初期化電圧の変化を示す模式図である。

[図 15C]図 15Cは本発明の実施の形態 8における初期化電圧の変化を示す模式図である。

[図 15D]図 15Dは本発明の実施の形態 8における初期化電圧の変化を示す模式図である。

符号の説明

1 プラズマディスプレイ装置

10 パネル

21 言 ij ffl板 22 走査電極

23 維持電極

24, 33 誘電体層

25 保護層

28 表示電極対

31 背面板

32 データ電極

34 隔壁

35 蛍光体層

51 画像信号処理回路

52 データ電極駆動回路

53 走査電極駆動回路

54 維持電極駆動回路

55 タイミング発生回路

57 APL検出回路

100 維持パルス発生回路

110 電力回収回路

300 初期化波形発生回路

310, 320 ミラー積分回路

400 走査パルス発生回路

発明を実施するための最良の形態

[0031] 以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。

[0032] (実施の形態 1)

図 1は、本発明の実施の形態 1におけるパネル 10の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板 21上には、走査電極 22と維持電極 23とからなる表示電極対 28 が複数形成されている。そして走査電極 22と維持電極 23とを覆うように誘電体層 24 が形成され、その誘電体層 24上に保護層 25が形成されている。背面板 31上にはデータ電極 32が複数形成され、データ電極 32を覆うように誘電体層 33が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁 34が形成されている。そして、隔壁 34の側面および誘電体層 33上には赤色 (R)、緑色 (G)および青色 (B)の各色に発光する蛍光体層 35 が設けられている。

[0033] これら前面板 21と背面板 31とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対 28とデータ電極 32とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。本実施の形態 1においては、輝度向上のためにキセノン分圧を 10%とした放電ガスが用いられている。放電空間は隔壁 34によって複数の区画に仕切られており、表示電極対 28とデータ電極 32とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。

[0034] なお、パネルの構造は上述したものに限られるわけではなぐ例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよ、。

[0035] 図 2は、本発明の実施の形態 1におけるパネル 10の電極配列を示す図である。パネル 10には、行方向に長い n本の走査電極 SCl〜SCn (図 1の走査電極 22)および n本の維持電極 SUl〜SUn (図 1の維持電極 23)が配列され、列方向に長い m本のデータ電極 Dl〜Dm (図 1のデータ電極 32)が配列されている。そして、 1対の走査電極 SCi (i= l〜n)および維持電極 SUiと 1つのデータ電極 Dj (j = l〜m)とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内に m X n個形成されてヽる

[0036] 図 3は、本発明の実施の形態 1におけるプラズマディスプレイ装置 1の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置 1は、パネル 10、画像信号処理回路 51、データ電極駆動回路 52、走査電極駆動回路 53、維持電極駆動回路 54、タイミング発生回路 55、 APL検出回路 57および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず)を備えている。

[0037] 画像信号処理回路 51は、入力された画像信号 Sigをサブフィールド毎の発光 '非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路 52はサブフィールド毎の画像データを各データ電極 Dl〜Dmに対応する信号に変換し、各データ電極 Dl〜 Dmを駆動する。 APL検出回路 57は画像信号 sigの平均輝度レベル (以下、「APL」と略記する）を検出する。具体的には、例えば画像信号の輝度値を 1フィールド期間または 1フレーム期間にわたって累積する等の一般に知られた手法を用いることによつて APLを検出する。

[0038] タイミング発生回路 55は水平同期信号 H、垂直同期信号 Vおよび APL検出回路 5 7が検出した APLをもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。走査電極駆動回路 53は、初期化期間において走査電極 SCl〜SCnに印加する初期化電圧波形を発生するための初期化波形発生回路 300を有し、タイミング信号にもとづいて各走査電極 SC1〜SC nをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路 54は、タイミング信号にもとづいて維持電極 SU 1〜SUnを駆動する。

[0039] 次に、パネル 10を駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。プラズマディスプレイ装置 1は、サブフィールド法、すなわち 1フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光 ·非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。

[0040] 初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。このときの初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作 (全セル初期化動作)と、維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作 (選択初期化動作)とがある。

[0041] 書込み期間では、発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、輝度重みに比例した数の維持パルスを表示電極対に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。このときの比例定数を輝度倍率と呼ぶ。なお、サブフィールド構成の詳細については後述することとし、ここではサブフィールドにおける駆動電圧波形とその動作について説明する。

[0042] 図 4は、本発明の実施の形態 1におけるパネル 10の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図 4には、全セル初期化動作を行うサブフィールドと選択初期化動作を行うサブフィールドとを示して、る。

[0043] まず、全セル初期化動作を行うサブフィールドについて説明する。

[0044] 初期化期間の前半部では、データ電極 Dl〜Dm、維持電極 SUl〜SUnにそれぞれ電圧 OVを印加し、走査電極 SCl〜SCnには、維持電極 SUl〜SUnに対して放電開始電圧以下の電圧 Vilから、放電開始電圧を超える電圧に向カゝつて緩やかに上昇する傾斜波形電圧を印加する（以下、初期化期間の前半部において走査電極 SCl〜SCnに印加する、緩やかに上昇する電圧の最大値を「初期化電圧 Vr」として引用する)。

[0045] この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極 SCl〜SCnと維持電極 SUl〜SUn 、データ電極 Dl〜Dmとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極 SCl〜SCn上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極 Dl〜Dm上部および維持電極 SUl〜SUn上部には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上部の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。

[0046] このときの初期化放電では、続く初期化期間の後半部において壁電圧の最適化を図ることを見越して、過剰に壁電圧を蓄えておく。こうして蓄えられる過剰な壁電圧は初期化電圧 Vrによって制御することができる。そして詳細は後述するが、初期化電圧 Vrの値は常に一定の電圧ではなぐ必要に応じて変化させる。

[0047] 初期化期間の後半部では、維持電極 SUl〜SUnに正の電圧 Velを印加し、走査電極 SCl〜SCnには、維持電極 SUl〜SUnに対して放電開始電圧以下となる電圧 Vi3から放電開始電圧を超える電圧 Vi4に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧（以下、「ランプ電圧」と記す)を印加する。この間に、走査電極 SCl〜SCnと維持電極 SU 1〜SUn、データ電極 D 1〜Dmとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極 SCl〜SCn上部の負の壁電圧および維持電極 SUl〜SUn上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極 Dl〜Dm上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。 [0048] そしてこのときの放電は、初期化期間の前半部において蓄えられた過剰な壁電圧に依存するので、初期化電圧 Vrが低く初期化期間の前半部の初期化放電が弱いと、初期化期間の後半部の初期化放電も弱くなる。逆に初期化電圧 Vrが高いと、両方の初期化放電が強くなる。

[0049] 続く書込み期間では、維持電極 SUl〜SUnに電圧 Ve2を、走査電極 SCl〜SCn に電圧 Vcを印加する。

[0050] 次に、 1行目の走査電極 SC1に負の走査パルス電圧 Vaを印加するとともに、データ電極 Dl〜Dmのうち 1行目に発光させるべき放電セルのデータ電極 Dk (k = 1〜m )に正の書込みパルス電圧 Vdを印加する。このときデータ電極 Dk上と走査電極 SC 1上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差 (Vd— Va)にデータ電極 Dk上の壁電圧と走査電極 SC1上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極 Dkと走査電極 SC1との間および維持電極 SU1と走査電極 S C1との間に書込み放電が起こり、走査電極 SC1上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極 SU 1上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極 Dk上にも負の壁電圧が蓄積される。

[0051] このようにして、 1行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧 Vdを印加しなかったデータ電極 Dl〜Dmと走査電極 SC1との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作を n行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。

[0052] 続く維持期間では、消費電力を削減するために電力回収回路を用いて駆動を行つているが、駆動電圧波形の詳細については後述することとして、ここでは維持期間における維持動作の概要について説明する。

[0053] まず走査電極 SCl〜SCnに正の維持パルス電圧 Vsを印加するとともに維持電極 31；1〜31；11に電圧0¥を印加する。すると前の書込み期間で書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極 SCi上と維持電極 SUi上との電圧差が維持パルス電圧 Vs に走査電極 SCi上の壁電圧と維持電極 SUi上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。 [0054] そして、走査電極 SCiと維持電極 SUiとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層 35が発光する。そして走査電極 SCi上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極 SUi上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極 Dk上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きな力つた放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。

[0055] 続いて、走査電極 SCl〜SCnには電圧 OVを、維持電極 SUl〜SUnには維持パルス電圧 Vsをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極 SUi上と走査電極 SCi上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極 SUiと走査電極 SCiとの間に維持放電が起こり、維持電極 SUi上に負の壁電圧が蓄積され走査電極 SCi上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極 SC1 〜SCnと維持電極 SU 1〜SUnとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。

[0056] そして、維持期間の最後には走査電極 SCl〜SCnと維持電極 SUl〜SUnとの間に!、わゆる細幅パルス状の電圧差を与えて、データ電極 Dk上の正の壁電圧を残したまま、走査電極 SCiおよび維持電極 SUi上の壁電圧を調整してヽる。

[0057] 次に、選択初期化動作を行うサブフィールドの動作について説明する。

[0058] 選択初期化動作を行う初期化期間では、維持電極 SUl〜SUnに電圧 Velを、データ電極 Dl〜Dmに電圧 OVをそれぞれ印加し、走査電極 SCl〜SCnに電圧 Vi3' 力電圧 Vi4に向力つて緩やかに下降するランプ電圧を印加する。

[0059] すると前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極 SCi上および維持電極 SUi上の壁電圧が弱められる。またデータ電極 Dkに対しては、直前の維持放電によってデータ電極 Dk上に十分な正の壁電圧が蓄積されているので、この壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。

[0060] 一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなぐ前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように選択初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う動作である。

[0061] 続く書込み期間の動作は全セル初期化動作を行うサブフィールドの書込み期間の動作と同様であるため説明を省略する。続く維持期間の動作も維持パルスの数を除いて同様である。

[0062] 次に、本実施の形態 1におけるパネルの駆動方法のサブフィールド構成につ！、て説明をする。本実施の形態 1においては、 1フィールドを 10のサブフィールド (第 1サブフィールド (第 1SF)、第 2サブフィールド (第 2SF)、 · · ·、第 10サブフィールド (第 1 OSF) )に分割し、各サブフィールドはそれぞれ輝度重み（1、 2、 3、 6、 11、 18、 30、 44、 60、 80)を持つと仮定して説明する力サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。

[0063] 図 5A、図 5Bは。本発明の実施の形態 1におけるサブフィールド構成を示す模式図である。サブフィールドのそれぞれは、初期化期間に全セル初期化動作を行うサブフィールド (以下、「全セル初期化サブフィールド」と略記)か、初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールド (以下、「選択初期化サブフィールド」と略記)かのどちらかである。なお、図 5A、図 5B、図 6A〜図 6E、図 7A〜図 7E、図 14A〜図 14Fおよび図 15A〜図 15Dは、パネルの駆動波形の 1フィールドの概略を示すもので、詳細については、各サブフィールドの各々の期間における波形は図 4に示すとおりである

[0064] 本実施の形態 1にお、ては表示すべき画像信号の APLにもとづ、てサブフィールド構成を切換えている。図 5Aは、 APLが 6%未満の画像信号時に使用する構成であり、第 1サブフィールドのみ全セル初期化サブフィールドであり、第 2サブフィールド〜第 10サブフィールドは選択初期化サブフィールドである。図 5Bは、 APLが 6%以上の画像信号時に使用する構成であり、第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドは全セル初期化サブフィールド、第 2サブフィールド、第 3サブフィールドと第 5サブフィールド〜第 10サブフィールドは選択初期化サブフィールドとなって、る。すなわち、 APLがしきい値 6%未満の場合は全セル初期化回数は 1回、しきい値 6%以上の場合には全セル初期化回数が 2回のサブフィールド構成となっている。以下の（表 1)に上述のサブフィールド構成と APLとの関係を示した。 [0065] [表 1]

[0066] し力しながら、全セル初期化回数だけを単純に増減させると、本来一定であるべき黒表示領域の輝度、すなわち黒輝度が不連続的に変化し画像表示品質を低下させてしまう。そこで本実施の形態 1では、全セル初期化回数を APLに依存して増減させるときに全セル初期化回数だけを単純に増減させるのではなぐ走査電極 22に印加する初期化電圧 Vrの値を段階的に増加あるいは減少させ、黒輝度の急激な変化を緩和しながら全セル初期化回数を増減させて、る。このように初期化電圧 Vrを制御することによって、全セル初期化回数を増減させるときに黒輝度の変化を緩和することが可能になる。

[0067] 図 6A〜図 6Eは本発明の実施の形態 1におけるプラズマディスプレイ装置の初期化期間に走査電極 22へ印加する初期化電圧 Vrの変化の一例を示す模式図であり、 1フィールド期間に含まれる 10個のサブフィールドのうち、全セル初期化回数を含むサブフィールドを 1回力 2回に増加させる場合の時間的な駆動波形の変化を示すものである。図 6A〜図 6Eの例では、第 1サブフィールドと第 4サブフィールドとにおける初期化電圧 Vrの変化を模式的に示す図である。ここで、電圧値 VrCは全セル初期化回数を変更しな!、ときの初期化電圧 Vrの設定値を示し、電圧値 VrLおよび電圧値 VrHは全セル初期化回数を変更するときの初期化電圧 Vrの最小値、および最大値をそれぞれ示してヽる。

[0068] 1フィールド期間の全セル初期化動作を実施する初期化期間を有するサブフィールドの数を、 1回から 2回に増加させるときには、図 6Aと図 6Bに示すように、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を増加前の電圧値 VrC力段階的に上昇させ、ある一定の時間の後、図 6Cに示すように、電圧値 VrHに至らせる。

[0069] 次に、図 6Dに示すように、第 1サブフィールドとともに第 4サブフィールドでも全セル初期化動作を行い、第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrCよりも低!、電圧である電圧値 VrLに設定する。ここで電圧値 VrHおよび電圧値 VrLは、全セル初期化回数が 1回であり、かつ初期化電圧 Vrが電圧値 VrHであるときの 1フィールド期間の黒輝度と、全セル初期化回数が 2回であり、かつ初期化電圧 Vrが電圧値 VrLであるときの 1フィールド期間の黒輝度がほぼ等しくなるように設定されて、ることが望まし、。このように電圧値 VrHおよび電圧値 Vr Lが設定されていると、図 6Cの 1フィールドの黒輝度と図 6Dの 1フィールドの黒輝度がほぼ等しい状態となる。

[0070] そしてその後、図 6Eに示すように、第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrL力段階的に上昇させ、ある一定の時間をかけて定常状態の電圧値 VrCに至らせる。

[0071] 逆に、全セル初期化回数を 2回から 1回に減少させる時は、第 1サブフィールドと第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrC力段階的に下降させ、ある一定の時間をかけて電圧値 VrLに至らせる。

[0072] 次に、第 4サブフィールドの初期化動作を選択初期化動作に切換えるとともに、第 1 サブフィールドの初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrCよりも高い電圧である電圧値 VrH に設定する。そしてその後、第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrH から段階的に下降させ、ある一定の時間をかけて電圧値 VrCに至らせる。

[0073] このように、表示する画像信号の APLに応じて 1フィールドの全セル初期化を実行する初期化期間を有するサブフィールドの数を変える場合に、全セル初期化期間の走査電極 22に印加される初期化電圧 Vrを制御することによって、全セル初期化回数を増減させる直前のフィールドにおける黒輝度と、全セル初期化回数を増減させた直後のフィールドにおける黒輝度とをほぼ等しくすることが可能になり、全セル初期化動作による発光輝度の変化を緩和し、黒輝度の変動を目立ち難くして画像表示品質を向上させている。

[0074] なお、本実施の形態 1では、 APLに対してしきい値 6%を設定し、 APLにもとづいて 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 1回または 2回の間で変更するものとして説明したが、本発明は上述したしきい値や全セル初期化回数に限定されるものではなぐパネルの特性や表示画像等に応じて設定すればょヽ。

[0075] (実施の形態 2)

図 7A〜図 7Eは、本発明の実施の形態 2におけるプラズマディスプレイ装置の表示する画像信号の APLに応じて 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 2回から 3回に増加させるときの初期化電圧 Vrの変化の一例を示す模式図である。

[0076] 図 7A〜図 7Eでは、第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドの全セル初期化サブフィールドに加えて第 6サブフィールドも全セル初期化サブフィールドに切換えるものとして説明する。

[0077] 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 2回から 3回に増加させる時は、図 7 A、図 7Bに示すように、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrは電圧値 VrCに保ったまま、第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を増加前の電圧値 VrC 力段階的に上昇させ、ある一定の時間の後、図 7Cに示すように、電圧値 VrHに至らせる。

[0078] 次に、図 7Dに示すように、第 1サブフィールド、第 4サブフィールドとともに第 6サブフィールドでも全セル初期化動作を行!、、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vr は電圧値 VrCに保ったまま、第 4サブフィールドおよび第 6サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrCよりも低い電圧である電圧値 VrLに設定する。

[0079] なお本実施の形態 2においては、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを電圧値 VrCに保つものとして説明したが、黒輝度の変動が目立たない範囲で第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを変動させてもよい。

[0080] ここで、電圧値 VrHおよび電圧値 VrLは、全セル初期化回数が 2回であり、かつ第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrが電圧値 VrC、第 4サブフィールドの初期化電圧 V rが電圧値 VrHであるときの黒輝度力全セル初期化回数が 3回であり、かつ第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrが電圧値 VrCでありかつ第 4サブフィールドおよび第 6 サブフィールドにおける初期化電圧 Vrが電圧値 VrLであるときの黒輝度と等しくなるように設定されている。

[0081] そしてその後、図 7Eに示すように、第 4サブフィールドおよび第 6サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrL力段階的に上昇させ、ある一定の時間をかけて電圧値 VrCに至らせる。

[0082] 逆に、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 3回から 2回に減少させる時は、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrは電圧値 VrCに保ったまま、第 4サブフィールドおよび第 6サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrC力段階的に下降させ、ある一定の時間をかけて電圧値 VrLに至らせる。

[0083] 次に、第 6サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrは電圧値 VrCに保ったまま、第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を、電圧値 VrCよりも高、電圧である電圧値 VrHに設定する。その後、第 4サブフィールドの初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrH力も段階的に下降させ、ある一定の時間をかけて電圧値 VrCに至らせる。

[0084] このように、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数が 3回以上であっても同様に制御することができる。

[0085] なお、上述の説明では、第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrは一定値であるものとしたが、全セル初期化回数を増減させる直前と増減させた直後との黒輝度が大きく変化しな、ように各全セル初期化サブフィールドの初期化電圧 Vrが設定されてヽればよい。

[0086] 実施の形態 2では、画像信号の APLに応じて全セル初期化回数が 2回のフィールド力全セル初期化回数が 3回のフィールドに変わる時の全セル初期化電圧の移り変わる過程を示したもので、全セル初期化回数が 2回であるときの全セル初期化電圧 Vrの設定値と、全セル初期化回数が 3回であるときの全セル初期化電圧 Vrの設定値とが、ともに電圧値 VrCであるものとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではなぐパネルの特性や表示画像等に応じて設定してもよい。

[0087] (実施の形態 3)

本実施の形態 3では全セル初期化電圧 Vrが、最も高ヽ全セル初期化電圧 VrHと最も低い全セル初期化電圧 VrLの間に VrC2と VrC3がある例について説明する。

[0088] 図 8A〜図 8Eは、本発明の実施の形態 3におけるプラズマディスプレイ装置の全セル初期化回数が 3回であるときの全セル初期化電圧 Vrの電圧値 VrC3が、全セル初期化回数が 2回であるときの全セル初期化電圧 Vrの電圧値 VrC2よりも低いときの初期化電圧 Vrの変化の一例を示す模式図である。

[0089] 図 8A〜図 8Eでも、第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドの全セル初期化サブフィールドに加えて第 6サブフィールドも全セル初期化サブフィールドに切換えるものとして説明する。

[0090] 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 2回から 3回に増加させる時は、図 8 A、図 8Bに示すように、まず第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを、全セル初期化を実行する回数を増加前の電圧値 VrC2から段階的に下降させるとともに、第 4 サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を全セル初期化を実行する回数を増加前の電圧値 VrC2から段階的に上昇させる。そして、ある一定の時間の後、図 8Cに示すように、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを電圧値 VrC3に、第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを電圧値 VrHに至らせる。

[0091] 次に、図 8Dに示すように、第 1サブフィールド、第 4サブフィールドとともに第 6サブフィールドでも全セル初期化動作を行!、、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vr は電圧値 VrC3に保ったまま、第 4サブフィールドおよび第 6サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrC3よりも低い電圧である電圧値 VrLに設定する。

[0092] なお本実施の形態 3においては、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを電圧値 VrCに保つものとして説明したが、黒輝度の変動が目立たない範囲で第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを変動させてもよい。

[0093] ここで、電圧値 VrHおよび電圧値 VrLは、全セル初期化回数が 2回であり、かつ第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrが電圧値 VrC3、第 4サブフィールドの初期化電圧 Vrが電圧値 VrHであるときの黒輝度力全セル初期化回数が 3回であり、かつ第 1 サブフィールドの初期化電圧 Vrが電圧値 VrC3でありかつ第 4サブフィールドおよび第 6サブフィールドにおける初期化電圧 Vrが電圧値 VrLであるときの黒輝度と等しくなるように設定されている。従って図 8Cのフィールドの黒輝度と、図 8Dのフィールドの黒輝度は、ほぼ等しくなつている。

[0094] そしてその後、図 8Eに示すように、第 4サブフィールドおよび第 6サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrL力段階的に上昇させ、ある一定の時間をかけて電圧値 VrC3に至らせる。 [0095] 逆に、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 3回から 2回に減少させる時は、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrは電圧値 VrC3に保ったまま、第 4サブフィールドおよび第 6サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrC3から段階的に下降させ、ある一定の時間をかけて電圧値 VrLに至らせる。

[0096] 次に、第 6サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrは電圧値 VrC3に保ったまま、第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を、電圧値 VrC3よりも高、電圧である電圧値 VrHに設定する。その後、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を段階的に上昇させるとともに、第 4サブフィールドの初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrH力段階的に下降させる。そして、ある一定の時間をかけて第 1サブフィールドにおける初期化電圧 V rの値、および第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrC2に至らせる。

[0097] このように、初期化回数を変更しな、ときの初期化電圧 Vrの設定値が、初期化回数に依存して変化する場合であっても、全セル初期化回数を増減させる直前と増減させた直後との黒輝度が大きく変化しないように各全セル初期化サブフィールドの初期化電圧 Vrが設定されてヽればよヽ。

[0098] すなわち、 1フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を増加させる直前のフィ一ルドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドの初期化電圧を、全セル初期化サブフィールドの数を増加させた直後のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 2つのサブフィールドの初期化電圧よりも高く設定すればよい。

[0099] また、 1フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を減少させる直前のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 2つのサブフィールドの初期化電圧を、全セル初期化サブフィールドの数を減少させた直後のフィールドにおける全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドの初期化電圧よりも低く設定すればよい。

[0100] また、 1フィールドの全セル初期化回数を変更する動作の途中で画像信号の APL 力^らに変化した場合、その動作を途中で中断させると黒輝度が不連続的に変化する可能性があるので望ましくない。従って、上述した 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を変更する場合は、その動作が完了するまで次の変更動作に入ることを禁止することが望ましい。

[0101] 例えば表示する画像信号の APLによって全セル初期化回数を 1回から 3回に変更する必要が生じた時には、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 1回から 2 回に変更した後に、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 2回から 3回に変更すればよい。

[0102] このように、パネルの特性や表示画像等に応じて、または黒輝度を制御するために、全セル初期化回数が 2回であるときの全セル初期化電圧 Vrの設定値 VrC2と、全セル初期化回数が 3回であるときの全セル初期化電圧 Vrの設定値 VeC3とを異なる値に設定してもよい。

[0103] (実施の形態 4)

次に、このようにして 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を変更する際の電圧値 VrLおよび電圧値 VrHの設定の方法について説明する。

[0104] 図 9は、本発明の実施の形態 4におけるプラズマディスプレイ装置の 1フィールドの全セル初期化を実行する回数が 1回であり、そのときの初期化電圧 Vrの値とそのときの黒輝度との関係を測定した一例を示す図である。このパネルの測定例では、初期化電圧 Vrが 330V以下の場合には放電は発生せず、従って黒輝度は OcdZcm²である。このときの初期化動作は実質的に選択初期化動作と同様になる。

[0105] 初期化電圧 Vrが 330V以上では、初期化電圧 Vrが 20V上昇する毎に黒輝度がほぼ 0. 05cdZcm²の割合で増加し、初期化電圧 Vrが 370Vのときの黒輝度は 0. led /cm²,初期化電圧 Vrが 390Vのときの黒輝度は 0. 15cd/cm²、初期化電圧 Vrが 410¥のときの黒輝度は0. 2cd/cm²、初期化電圧 Vrが 450Vのときの黒輝度は 0. 3cdZ cm ある。

[0106] このように、初期化電圧 Vrが高くなるとともに黒輝度も上昇する力初期化電圧 Vr が 330Vから 370Vの間では、全セル初期化動作の際に異常な放電が発生する可能性のあることが明らかになった。例えば、ある放電セルで異常な放電が発生すると、その放電セル内に異常な壁電荷が蓄積され、その後の書込み放電の有無にかかわらず維持期間において維持放電が発生するという誤放電現象 (以下、「初期化異常」と略記する）が発生し、画像表示品質を著しく低下させてしまう。従って、初期化異常の発生する可能性のある電圧に初期化電圧 Vrを設定することは望ましくない。

[0107] そして、初期化異常の発生する可能性のある電圧を避けながら、かつ黒輝度の不連続的な変動を抑制するように電圧値 VrLおよび電圧値 VrHを設定してヽる。本実施の形態においては、初期化異常が発生しない電圧範囲で、初期化電圧 Vr= 390 Vのときの黒輝度が 0. 15cdZcm²であり、初期化電圧 Vr=450Vのときの黒輝度がその 2倍の 0. 3cd/cm²となることに注目し、電圧値 VrHを 450V、電圧値 VrLを 39 OVに設定した。また、定常状態における全セル初期化動作の電圧値 VrCとしてはその間の 410Vに設定した。

[0108] このように設定することにより、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 1回から 2回に変更する際に、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrが電圧値 VrHのときの黒輝度の値 0. 3cd/cm²と、第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrが電圧値 VrLのときの黒輝度の値 0. 15 + 0. 15 = 0. 3 (cd/cm²) とが等しくなり、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数の変更時の黒輝度を連続的に変化させることができるので、黒輝度の変動が目に付き難ぐ画像表示品質を向上させることができる。

[0109] なお、本実施の形態 4では、定常状態での電圧値 VrCを電圧値 VrLと電圧値 VrH との間の値に設定したため、実施の形態 1の場合のように 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 1回力も 2回に増カロさせる場合、第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrを VrC (410V)から VrH (450V)まで上昇する。その後、第 1サブフィールドと第 4サブフィールドを初期化電圧 Vrを電圧値 VrL (390V)とする全セル初期化を実行するようにして初期化回数を 2回に増やし、その後、第 1サブフィールドおよび第 4 サブフィールドの初期化電圧 Vrを VrL (390V)から VrC (410V)まで上昇させる。

[0110] し力しながら、本発明は上述した駆動方法に限られるものではなぐ 1フィールドの全セル初期化を実行する回数の変更時に黒輝度の急激な変化を緩和するように初期化電圧 Vrを制御すればよい。例えば、定常状態での初期化電圧 Vrを電圧値 VrL = 390Vに設定した場合は、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 1回から 2回に増加させる場合、第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrを電圧値 VrLカゝら電圧値 VrHまで段階的に上昇し、その後、第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドの初期化電圧 Vrを電圧値 VrLとして初期化回数を 2回に増やせばよい。

[0111] また、定常状態での電圧値 VrCを電圧値 VrH =450V設定した場合は、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 1回力 2回に増加させる場合、第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrは電圧値 VrLのまま初期化回数を 2回に増やし、その後、第 1 サブフィールドおよび第 4サブフィールドの初期化電圧 Vrを電圧値 VrL力電圧値 V rHまで段階的に上昇させればょ、。 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を減少させる場合も同様である。

[0112] また、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 2回から 3回に変更する時や、それ以上の回数に変更する時にも、初期化電圧 Vrを同様に制御することで黒輝度を連続的に変化させることができる。

[0113] このように、 1フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を増加させるまでの連続した複数のフィールドにおいて、全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1 つのサブフィールドにおける初期化電圧を段階的に上昇させ、全セル初期化サブフ

、て、全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドにおける初期化電圧を段階的に下降させてもよい。

[0114] あるいは、 1フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を増加させた後の連続した複数のフィールドにおいて、全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 2つのサブフィールドにおける初期化電圧を段階的に上昇させ、全セル初期化サブフィールドの数を減少させるまでの連続した複数のフィールドにお、て、全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 2つのサブフィールドにおける初期化電圧を段階的に下降させてもよい。

[0115] なお、全セル初期化期間において走査電極 22に印加する電圧値 VrL、電圧値 Vr Hおよび電圧値 VrCは上記実施の形態に限定されるものではなぐパネルの特性に応じて最適に設定されることが望まし、。

[0116] (実施の形態 5) 本実施の形態 5においては、全セル初期化サブフィールドの数を 1つ増加または減少させるときに初期化電圧の上昇または下降を開始させて力あら力じめ設定された電圧に至るまでの時間（以下、「変更時間」と略記する）について説明する。本実施の形態 5では初期化電圧 Vrの変化の速度を 2. 5VZフィールド、変更時間はおよそ 0 . 4秒で設定している。

[0117] 具体的には、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 1回から 2回に変更する場合、第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrを電圧値 VrC=410V力も電圧値 VrH =450Vに上昇させるのに 16フィールド、およそ 0. 27秒を要し、第 1サブフィールドと第 4サブフィールドの初期化電圧 Vrを電圧値 VrL = 390Vから電圧値 VrC=410 Vに上昇させるために 8フィールド、およそ 0. 13秒を要し、合計の変更時間は 0. 40 秒となる。

[0118] 変更時間は、短すぎると黒輝度の変化が目立ち、画像表示品質の劣化を招くことは上述したとおりである力逆に長すぎても視覚的に違和感がありあまり好ましくない。この視覚的な違和感は全セル初期化動作に伴う発光の周期が初期化回数の変更時に不連続的に変化するために起こるものと考えられる。

[0119] 図 10は、本発明の実施の形態 5におけるプラズマディスプレイ装置の初期化回数の変更が視覚に違和感を与える理由を説明するための図である。実線は初期化による発光輝度、破線は人間の目に感じる明るさを模式的に示している。また期間 Taは全セル初期化を実行する回数が 1フィールドに 2回の期間、期間 Tbは全セル初期化を実行する回数が 1フィールドに 1回の期間である。例えば図 10に示すように、 1フィ一ルドの全セル初期化を実行する回数を 2回から 1回に変更する場合、変更の前では第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドの初期化電圧 Vrは電圧値 VrL = 39 OVであり、 1フィールド毎に 2回ずつの周期で発光している。しかし人間の目にはこれらの周期的な発光が積分されて認識されるので黒輝度は連続的な一定の明るさ、 0. 15cdZcm²に感じられる。また変更の後では第 1サブフィールド初期化電圧 Vrは電圧値 VrL=450Vであり、 1フィールド毎に 1回ずつの周期で発光する力人間の目にはこれらの周期的な発光が積分されて認識されるので、黒輝度の明るさは同様に 0. 15cdZcm²に感じられる。 [0120] ところが 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 2回から 1回に変更して周期性が崩れた瞬間に、人間の目はこの周期性の変化を認識し、一瞬黒輝度が上昇したように見える。そしてこの一瞬の輝度上昇がフリツ力として認識され画像表示品質を低下させることがわ力つた。

[0121] 本発明者らは、変更時間と視覚的な違和感との関係を調べた。

[0122] 図 11は本発明の実施の形態 5におけるプラズマディスプレイ装置の変更時間に対するフリツ力および黒輝度の変化の許容度の評価結果を示す図である。

[0123] このように、フリツ力と黒輝度の変化はトレードオフの関係にあり、変更時間が長いと黒輝度の変化は緩和されるもののフリツ力が目に付き、逆に変更時間が短いとフリツ力は見え難くなるものの黒輝度の変化が目に付きやすくなる。そして図 11に示したように、フリツ力が目に付き難くかつ黒輝度の変化もある程度抑制するためには変更時間の値を 0. 2秒以上、 1. 6秒以下に設定することが望ましい。

[0124] また、変更時間の値を 0. 2秒以上、 0. 8秒以下に設定するとさらに望ましいこともわかった。本実施の形態においては、この結果にもとづき変更時間を 0. 4秒に設定した。

[0125] (実施の形態 6)

次に、全セル初期化動作における初期化電圧 Vrを制御する方法について説明する。

[0126] 図 12は本発明の実施の形態 6におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路 53の回路図である。図 12において、走査電極駆動回路 53は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路 100、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路 3 00、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路 400を備えて、る。

[0127] 維持パルス発生回路 100は、走査電極 22を駆動するときの電力を回収して再利用するための電力回収回路 110と、走査電極 22を電圧 Vsにクランプするためのスイツチング素子 SW1と、走査電極 22を電圧 0Vにクランプするためのスイッチング素子 S W2とを有する。また、走査パルス発生回路 400は、書込み期間において走査パルスを走査電極 22に順次印加する。なお、走査パルス発生回路 400は、初期化期間および維持期間では維持パルス発生回路 100または初期化波形発生回路 300の電圧波形をそのまま出力する。

[0128] 初期化波形発生回路 300は、ミラー積分回路 310、ミラー積分回路 320を備え、上述した初期化波形を発生させるとともに、全セル初期化動作における初期化電圧 Vr の制御を行う。ミラー積分回路 310は、 FET1とコンデンサ C1と抵抗 R1とを有し、所定の初期化電圧 Vrまでランプ状に緩やかに上昇するランプ電圧を発生し、ミラー積分回路 320は、 FET2とコンデンサ C2と抵抗 R2とを有し、電圧 Vi4までランプ状に緩やかに下降するランプ電圧を発生する。なお、図 12には、ミラー積分回路 310、ミラ一積分回路 320のそれぞれの入力端子を入力端子 IN1、入力端子 IN2として示している。

[0129] なお、本実施の形態 6では、初期化波形発生回路 300として実用的であり比較的構成が簡単な FETを用いたミラー積分回路を採用しているが、何らこの構成に限定するものではなぐ初期化電圧 Vrを制御しつつランプ電圧を発生することができる回路であればどのような回路であってもよ！/、。

[0130] 次に、初期化波形発生回路 300の動作について説明する。

[0131] 図 13は、本発明の実施の形態 6におけるプラズマディスプレイ装置の全セル初期化期間における走査電極駆動回路 53の動作を説明するためのタイミングチャートである。図 4の破線で囲った部分の詳細なタイミングチャートである。なおここでは全セル初期化動作を行う駆動電圧波形を T1〜T4で示した 4つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。また、電圧 Vil、電圧 Vi3は全て電圧 Vsに等しいものとして説明する。なお、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作をオン、遮断させる動作をオフと表記する。

[0132] (期間 T1)

まず、維持パルス発生回路 100のスイッチング素子 SW1をオンにする。するとスイツチング素子 SW1を介して走査電極 22に電圧 Vsが印加される。そして、その後、スィツチング素子 SW1をオフにする。

[0133] (期間 T2)

次に、ミラー積分回路 310の入力端子 IN1を「ハイレベル」にする。具体的には入力端子 IN1に、例えば電圧 15Vを印加する。すると、抵抗 R1からコンデンサ C1に向力つて一定の電流が流れ、 FET1のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路 53の出力電圧もランプ状に上昇し始める。

[0134] そしてこの電圧上昇は、入力端子 IN 1が「ハイレベル」の間継続する。そして、出力電圧が必要な初期化電圧 Vrまで上昇したら、その後、入力端子 IN1を「ローレベル」にする。

[0135] このようにして、放電開始電圧以下となる電圧 Vsから放電開始電圧を超える初期化電圧 Vrに向力つて緩やかに上昇するランプ電圧を走査電極 22に印加する。このとき、入力端子 IN1を「ハイレベル」にする時間 trを長くすると初期化電圧 Vrを高くすることができ、時間 trを短くすると初期化電圧 Vrを低くすることができる。

[0136] (期間 T3)

次に、維持パルス発生回路 100のスイッチング素子 SW1をオンにする。すると走査電極 22の電圧が電圧 Vsまで低下する。そしてその後、スイッチング素子 SW1をオフにする。

[0137] (期間 T4)

次に、ミラー積分回路 320の入力端子 IN2を「ハイレベル」にする。具体的には入力端子 IN2に、例えば電圧 15Vを印加する。すると、抵抗 R2からコンデンサ C2に向力つて一定の電流が流れ、 FET2のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路 53の出力電圧もランプ状に下降し始める。そして、出力電圧が負の電圧 Vi4 に至った後、入力端子 IN2を「ローレベル」とする。このようにして、電圧 Vsから電圧 V i4に向力つて緩やかに下降するランプ電圧を走査電極 22に印加する。

[0138] 以上のようにして、走査電極 22に対して放電開始電圧以下となる電圧 Vsから放電開始電圧を超える初期化電圧 Vrに向かって緩やかに上昇するランプ電圧を印加し、その後、電圧 Vsから電圧 Vi4に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。

[0139] なお、上述したように、初期化回数の変更に伴うフリツ力は、 1フィールド毎に 2回ずつの発光が、 1フィールド毎に 1回かつ 1回あたり 2倍の輝度の発光に変化した瞬間に、その輝度変化を認識するとして発生していると考えられる。そして本実施の形態においては、 2回の全セル初期化動作は第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドで行っており、 1フィールド内で発光するタイミングか時間的に離れているため、 1回の発光との差が目立ちやすいと考えられる。

[0140] そこで、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を 2回から 1回に減少させるときは、まず 2回の全セル初期化サブフィールドを、例えば第 1サブフィールドと第 2サブフィールドとして、 1フィールド内で発光するタイミングを時間的に接近させ、その後、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数を減少してもよ!/、。

[0141] 以下に記す実施の形態 7では、このような考えにもとづき、 1フィールドの全セル初期化を実行する回数の変更を行う方法である。

[0142] (実施の形態 7)

本実施の形態 7におけるサブフィールド構成は、実施の形態 1と同じであるものとして説明する。すなわち、 APLが 6%未満では第 1サブフィールドのみ全セル初期化サブフィールドであり、 APLが 6%以上では第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドが全セル初期化サブフィールドである。

[0143] 図 14A〜図 14Fは、本発明の実施の形態 7における初期化期間に走査電極 22へ印加する初期化電圧 Vrの変化を示す模式図である。全セル初期化回数を 1回カゝら 2 回に増加させるときの、各サブフィールドの初期化波形の変化を模式的に示す図である。本実施の形態 7にお、ても電圧値 VrCは全セル初期化回数を変更しな、ときの初期化電圧 Vrの設定値を示し、電圧値 VrLおよび電圧値 VrHは全セル初期化回数を変更するときの初期化電圧 Vrの最小値および最大値をそれぞれ示している。

[0144] 1フィールドの全セル初期化回数を 1回から 2回に増加させるときには、図 14A、図 14Bに示すように、第 1サブフィールドにおける全セル初期化動作の初期化電圧 Vr の値を増加前の電圧値 VrC力段階的に上昇させ、ある一定の時間の後、電圧値 V rHに至らせる。図 13を用いて前述したように、例えば、入力端子 IN 1を「ノ、ィレベル」にする時間 trを 1フィールドごとに長くすることにより、初期化電圧 Vrを 1フィールドごとに順に上昇させることができる。

[0145] 次に、図 14Cに示すように、第 1サブフィールドとともに、まず第 2サブフィールドでも全セル初期化動作を行、、第 1サブフィールドおよび第 2サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrCよりも低、電圧である電圧値 VrLに設定する。電圧値 VrHおよび電圧値 VrLは、実施の形態 1と同様に、全セル初期化回数が 1回でありかつ初期化電圧 Vrが電圧値 VrHであるときの黒輝度力全セル初期化回数が 2回でありかつ初期化電圧 Vrが電圧値 VrLであるときの黒輝度と等しくなるように設定されている。

[0146] その後、図 14Dに示すように、第 2サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第 3サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換え、さらにその後、図 14Eに示すように、第 3サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第 4サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換える。

[0147] そしてその後、図 14Fに示すように、第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrL力段階的に上昇させ、ある一定の時間をかけて定常状態の電圧値 VrCに至らせる。

[0148] 逆に、初期化回数を 2回から 1回に減少させる時は、第 1サブフィールドと第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrC力段階的に下降させ、電圧値 VrLに至らせる。次に、第 4サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第 3サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換え、その後、第 3サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第 2サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換える。そしてその後、第 2サブフィールドの初期化動作を選択初期化動作に切換えるとともに、第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrHに設定する。そしてその後、第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrの値を電圧値 VrHカゝら段階的に下降させ、電圧値 VrCに至らせる。

[0149] このように、まず全セル初期化サブフィールドの前後に配置されたサブフィールドで全セル初期化回数の増減を行い、その後、全セル初期化動作を行うサブフィールドを所定のサブフィールドまで移動するように各サブフィールドの初期化動作を順次に切換えることにより、フリツ力等を発生させることなく全セル初期化回数を変更することができる。

[0150] すなわち、 1フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を増加させるときは、全セル初期化を実行するサブフィールドの直前または直後に配置された選択初期化を実行するサブフィールドを全セル初期化を実行するサブフィールドに切換える。全セル初期化サブフィールドの数を減少させるときは、連続して配置された全セル初期化サブフィールドの 1つを選択初期化サブフィールドに切換える。さらに、全セル初期化サブフィールドの数を増減させずに全セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドとを切換える。全セル初期化動作を行うサブフィールドを所定のサブフィールドまで移動するときは、選択初期化サブフィールドの直前または直後に配置された全セル初期化サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換える。そして、全セル初期化サブフィールドの直前または直後に配置された選択初期化サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えればよい。

[0151] なお、上述の説明では、全セル初期化回数を増加させる際に、第 1サブフィールドの直後に配置された第 2サブフィールドを全セル初期化サブフィールドに切換えた後の動作として、全セル初期化動作を行うサブフィールドを第 2サブフィールドから第 4 サブフィールドへ移動した後、初期化電圧 Vrを所定の値に至らせる方法にっ、て説明した。

[0152] しかし、まず初期化電圧 Vrを所定の値に至らせた後、全セル初期化サブフィールドを所定のサブフィールドまで移動してもよぐまた、全セル初期化サブフィールドを所定のサブフィールドまで移動しながら初期化電圧 Vrを所定の値に至らせても、同様の効果を得ることができる。全セル初期化回数を減少させる際も同様である。

[0153] また、全セル初期化回数が 2回以上であって、全セル初期化回数を増減させる場合であっても、まず全セル初期化サブフィールドの直前または直後に配置されたサブフィールドで全セル初期化回数の増減を行い、その後、全セル初期化動作を行うサブフィールドを所定のサブフィールドまで移動するように各サブフィールドの初期化動作を順次切換えることにより、フリツ力等を発生させることなく全セル初期化回数の変更を行うことができる。

[0154] (実施の形態 8)

本実施の形態 8におけるパネルの駆動方法は、初期化回数の変更に伴うフリツ力を抑制する他の駆動方法であり、増減させる全セル初期化サブフィールドの発光輝度を小さく抑えることによりフリツ力を抑える方法である。

[0155] 本実施の形態 8におけるサブフィールド構成も、実施の形態 1と同じであるものとして説明する。すなわち、 APLが 6%未満では第 1サブフィールドのみ全セル初期化サブフィールドであり、 APLが 6%以上では第 1サブフィールドおよび第 4サブフィールドが全セル初期化サブフィールドである。

[0156] 図 15A〜図 15Dは本発明の実施の形態 8における初期化期間に走査電極 22へ印加する初期化電圧 Vrの変化を示す模式図である。全セル初期化回数を 1回カゝら 2 回に増加させるときの、各サブフィールドの初期化波形の変化を模式的に示す図である。本実施の形態 8においても、パネルの黒輝度と初期化電圧 Vrとの関係が図 9 に示した関係にあるものとして説明する。

[0157] 全セル初期化回数を 1回から 2回に増加させるときには、図 15A、図 15Bに示すように、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrの値を増加前の 410Vから段階的に上昇させ、ある一定の時間の後に 470Vに至らせる。次に、図 15Cに示すように、第 1 サブフィールドとともに、第 4サブフィールドで全セル初期化動作を行う。このときの初期化電圧 Vrは、例えば第 1サブフィールドが 430V、第 4サブフィールドが 370Vである。

[0158] それぞれのサブフィールドの初期化電圧 Vrは、初期化回数の増加の前後の黒輝度が等しぐかつ新たに増加した全セル初期化サブフィールド、本実施の形態 8においては第 4サブフィールドによる黒輝度力元の全セル初期化サブフィールド、本実施の形態 8においては第 1サブフィールドによる黒輝度よりも小さくなるように設定されている。

[0159] 実際、図 9に示すように、初期化電圧 Vrが 470Vであるときの第 1サブフィールドによる黒輝度は 0. 35cdZcm²であり、初期化電圧 Vrが 430Vであるときの第 1サブフィ一ルドによる黒輝度 0. 25cd/cm²と初期化電圧 Vrが 370Vであるときの第 4サブフィールドによる黒輝度 0. 10cd/cm²との和に等しい。さらに、第 4サブフィールドによる黒輝度 0. 10cd/cm²)は第 1サブフィールドによる黒輝度 0. 25cdZcm²の半分以下である。

[0160] その後、図 15Dに示すように、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを 430V 力も段階的に下降させ 410Vに至らせるとともに、第 4サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを 370Vから段階的に上昇させ 410Vに至らせる。

[0161] 逆に、初期化回数を 2回から 1回に減少させる時は、第 1サブフィールドにおける初期化電圧 Vrを 410Vから段階的に上昇させ 430Vに至らせるとともに、第 4サブフィ一ルドにおける初期化電圧 Vrを 410Vから段階的に下降させ 370Vに至らせる。次に、第 4サブフィールドを選択初期化サブフィールドに切換えるとともに第 1サブフィ一ルドの初期化電圧 Vrを 470Vに設定する。

[0162] このときの初期化電圧 Vrも、初期化回数の減少の前後の黒輝度が等しぐかつ新たに選択初期化サブフィールドに切換える直前の全セル初期化サブフィールドによる黒輝度が選択初期化サブフィールドに切換えない全セル初期化サブフィールドによる黒輝度よりも小さくなるように設定されている。そしてその後、第 1サブフィールドの初期化電圧 Vrを 470Vから段階的に下降させ 410Vに至らせる。

[0163] このように、全セル初期化サブフィールドの数を増加させた直後のフィールドにおいて、増加させた全セル初期化サブフィールドの初期化電圧は他の全セル初期化サブフィールドの初期化電圧よりも低くする。また、全セル初期化サブフィールドの数を減少させる直前のフィールドにお、て、減少させる全セル初期化サブフィールドの初期化電圧は他の全セル初期化サブフィールドの初期化電圧よりも低くする。こうすることにより、全セル初期化回数の変更の前後で黒輝度が等しぐかつ、全セル初期化動作と選択初期化動作とを切換えるサブフィールドによる黒輝度が、全セル初期化動作と選択初期化動作とを切換えないサブフィールドによる黒輝度よりも小さくなり、フリッ力が目立ち難くなる。

[0164] このとき、全セル初期化サブフィールドの数を増加させた直後のフィールドにおいて、増力 tlさせた全セル初期化サブフィールドの初期化放電による発光輝度は他の全セル初期化サブフィールドの初期化放電による発光輝度の 1Z2よりも低ぐ全セル初期化サブフィールドの数を減少させる直前のフィールドにお、て、減少させる全セル初期化サブフィールドの初期化放電による発光輝度は他の全セル初期化サブフィールドの初期化放電による発光輝度の 1Z2よりも低くなるように初期化電圧を制御することがさらに望ましい。

[0165] なお、本発明のプラズマディスプレイ装置にぉヽて、全セル初期化回数を増減させる際にヒステリシス特性を持たせると、黒輝度の頻繁な変動を抑制できるのでさらに画像表示品質を向上させることができる。以下に、全セル初期化回数を増減させる際にヒステリシス特性を持たせる方法について説明する。

[0166] (表 2)は APLと全セル初期化回数との関係を示す表であり、実施の形態 8においても実施の形態 1と同様に APLにもとづヽて全セル初期化回数を増減させる際にヒステリシス特性を持たせた一例である。

[0167] [表 2]

[0168] (表 2)が上述した (表 1)と異なるところは、 APLの値と全セル初期化回数が必ずしも 1対 1に対応して、るのではなく、全セル初期化回数が一意に決まらな、APLの範囲を設けているところであり、 APLが 5%以上 7%未満では全セル初期化回数は 1回力 2回のいずれかである。これにより、 APLにもとづいて全セル初期化回数を増減するときにヒステリシス特性を持たせることができる。

[0169] 具体的には、 APLが減少し、全セル初期化回数を 2回から 1回に減らすときには、 APLが 7%未満になったときに全セル初期化回数を減らすのではなぐ APLが 5% 未満になったときに 2回から 1回に減らす。逆に、 APLが増加し、全セル初期化回数を 1回から 2回に増やすときは、 APLが 5%以上になったときに増やすのではなぐ A PLが 7%以上になったときに 1回から 2回に増やす。

[0170] このように制御することで、例えば、時間とともに APLが、「8、 6、 4、 6、 5、 3、 · · ·」（ %)のように変化した場合、（表 1)に示すようにヒステリシス特性を持たせないならば、 APLの変動に連動して全セル初期化回数力「2、 2、 1、 2、 1、 1、 · · ·」（回）と頻繁に変動し、本来一定であるべき黒輝度が頻繁に変動する結果となり画像表示品質を低下させてしまう。ところが本実施の形態 8においては、（表 2)に示すように全セル初期化サブフィールドの数を変更するときにヒステリシス特性を持たせてヽるので、全セル初期化回数が、「2、 2、 1、 1、 1、 1、 · · ·」（回）となって、黒輝度の変化の頻度を少なくすることができる。 [0171] このように、全セル初期化回数を変更するときにヒステリシス特性を持たせることにより、上記のような画像であったとしても初期化回数が頻繁に変化しなくなり、黒輝度が頻繁に変動することを防ぐことができる。

[0172] なお、本発明の実施の形態 8では APLにもとづいて全セル初期化回数を変更するものとして説明したが、他のパラメータにもとづ、て全セル初期化回数を変更するときにも本発明のパネルの駆動方法を適用することができる。全セル初期化回数を変更するための他のパラメータとしては、例えば、パネルの温度、あるいはパネルの使用時間等でもよい。

[0173] また、本発明の実施の形態 8では、放電ガスのキセノン分圧を 10%とした力他のキセノン分圧であってもそのパネルに応じた駆動電圧に設定すればよい。

[0174] さらに、本発明の実施の形態において用いた具体的な各数値は、単に一例を挙げたに過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ま、。

産業上の利用可能性

[0175] 本発明は、全セル初期化回数を増減させることによって書込み放電を安定させると同時に、黒輝度の変動を目立ち難くすることにより、画像表示品質を向上させることができるので、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置として有用である。

Claims

請求の範囲

[1] 走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、

1フィールドを、前記放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、前記放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成し、前記サブフィールドを、前記初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、前記初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとのいずれかに設定するステップと、前記全セル初期化サブフィールドと前記選択初期化サブフィールドとを切換える際に前記全セル初期化サブフィールドで初期化放電を発生させるための初期化電圧を制御するステップと、を備えた

プラズマディスプレイパネルの駆動方法。

[2] 前記全セル初期化サブフィールドの数を増加させる直前のフィールドにおける前記全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドの初期化電圧は、前記全セル初期化サブフィールドの数を増力 tlさせた直後のフィールドにおける前記全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 2つのサブフィールドの初期化電圧よりも高く設定するステップを、さらに備えた

請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。

[3] 前記全セル初期化サブフィールドの数を減少させる直前のフィールドにおける前記全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 2つのサブフィールドの初期化電圧は、前記全セル初期化サブフィールドの数を減少させた直後のフィールドにおける前記全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドの初期化電圧よりも低く設定するステップを、さらに備えた

[4] 1フィールドに含まれる前記全セル初期化サブフィールドの初期化電圧を連続した複数のフィールド期間において段階的に上昇させるステップと、前記選択初期化サブフィールドを前記全セル初期化サブフィールドに切換えるステップと、をさらに備えた

[5] 1フィールドに含まれる複数の前記全セル初期化サブフィールドのうちの 1つの前記全セル初期化サブフィールドを前記選択初期化サブフィールドに切換えるステップとのこりのうちの少なくとも 1つの前記全セル初期化サブフィールドにおける初期化電圧を連続した複数のフィールドにおいて段階的に下降させるステップと、をさらに備えた

[6] 前記全セル初期化サブフィールドの初期化電圧を 0. 2秒〜 1. 6秒にわたり段階的に上昇させるステップと、

前記選択初期化サブフィールドを前記全セル初期化サブフィールドに切換えるステップと、をさらに備えた

[7] 走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、

前記走査電極に緩やかに上昇または下降する傾斜波形電圧を印加する走査電極駆動回路と

を備え、

1フィールドを、前記放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、前記放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成し、前記サブフィールドは、前記初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、前記初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとの、ずれかであり、

前記走査電極駆動回路は、前記全セル初期化サブフィールドと前記選択初期化サブフィールドとを切換えるとともに、前記全セル初期化サブフィールドで初期化放電を発生させるための傾斜波形電圧の最大値である初期化電圧を制御するように構成したことを特徴とする

プラズマディスプレイ装置。

[8] 前記走査電極駆動回路は、 1フィールドに含まれる前記全セル初期化サブフィールドの初期化電圧を 0. 2秒〜 1. 6秒にわたり段階的に上昇させた後に前記選択初期化サブフィールドを前記全セル初期化サブフィールドに切換えることを特徴とする請求項 7に記載のプラズマディスプレイ装置。

[9] 前記走査電極駆動回路は、 1フィールドに含まれる複数の前記全セル初期化サブフィールドのうちの 1つの前記全セル初期化サブフィールドを前記選択初期化サブフィ一ルドに切換えた後に、のこりの前記全セル初期化サブフィールドのうちの少なくとも 1つのサブフィールドにおける初期化電圧を 0. 2秒〜 1. 6秒にわたり段階的に下降させることを特徴とする

請求項 7に記載のプラズマディスプレイ装置。

[10] 前記走査電極駆動回路は、前記選択初期化サブフィールドを前記全セル初期化サブフィールドに切換えた直後のフィールドにお!/、て、前記全セル初期化サブフィールドの初期化電圧を他の前記全セル初期化サブフィールドの初期化電圧よりも低くすることを特徴とする

請求項 7に記載のプラズマディスプレイ装置。

[11] 前記走査電極駆動回路は、 1フィールドに含まれる複数の前記全セル初期化サブフィールドのうちの 1つの前記全セル初期化サブフィールドを前記選択初期化サブフィ一ルドに切換える直前のフィールドにお、て、前記全セル初期化サブフィールドの初期化電圧をのこりの前記全セル初期化サブフィールドの初期化電圧よりも低くすることを特徴とする

請求項 7に記載のプラズマディスプレイ装置。