WO2007069291A1 - 真空蒸着装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents

真空蒸着装置及びそのクリーニング方法 Download PDF

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WO2007069291A1
WO2007069291A1 PCT/JP2005/022784 JP2005022784W WO2007069291A1 WO 2007069291 A1 WO2007069291 A1 WO 2007069291A1 JP 2005022784 W JP2005022784 W JP 2005022784W WO 2007069291 A1 WO2007069291 A1 WO 2007069291A1
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evaporation source
vapor deposition
substrate
deposition material
deposition
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PCT/JP2005/022784
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English (en)
French (fr)
Inventor
Kenji Sato
Junichi Suzuki
Original Assignee
Shimadzu Corporation
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Definitions

  • the present invention relates to a vacuum vapor deposition apparatus that deposits a vapor deposition material on a substrate using a vacuum vapor deposition method and a cleaning method thereof, and in particular, removes the vapor deposition material adhering to a deposition plate and forms a film.
  • the present invention relates to a technique for preventing an impure film from being formed on a substrate in a state.
  • a vacuum vapor deposition apparatus converts a material (deposition material) to be deposited into vapor by an evaporation source and directs the vapor onto a substrate (object to be deposited) to cool and solidify the substrate.
  • a vapor deposition material is deposited.
  • one of the vapor deposition materials evaporated from the evaporation source is formed on the substrate, but on the other side, it adheres to the inner wall surrounding the evaporation source and the substrate in the vacuum vessel.
  • a part of the vapor deposition material adhering to the inner wall of the vacuum vessel is reheated and re-evaporated by radiant heat from the evaporation source in a state where the vapor deposition material is formed on the substrate.
  • an adhesion preventing plate to which the vapor deposition material evaporated from the evaporation source adheres is provided.
  • Patent Document 1 a new protection plate that always appears
  • Patent Document 2 a roll-up protection tape that faces the protection plate and collects the deposited material.
  • Patent Document 1 JP-A-6-228751 (Page 2, Figure 1)
  • Patent Document 2 JP-A-10-287967 (Page 3, Fig. 1)
  • Patent Document 3 JP-A-5-70932 (Page 2, Figure 1)
  • the conventional vacuum deposition apparatus and its cleaning method have the following problems.
  • it is difficult to remove the vapor deposition material adhering to the inner wall that surrounds the evaporation source in the vacuum vessel and the substrate and if the vapor deposition material is deposited on the substrate without removing it, it adheres to the inner wall of the vacuum vessel.
  • the deposited material is heated again by the radiant heat from the evaporation source and re-evaporates.
  • the vapor deposition material adhering to the inner wall of the vacuum vessel has a different temperature and a different structure from the vapor deposition material directly evaporated from the evaporation source.
  • an object of the present invention is to provide a vacuum evaporation apparatus and a cleaning method thereof for preventing an impure film from being formed on a substrate in a film formation state.
  • the present invention has the following configuration.
  • the vacuum vapor deposition apparatus arranges an evaporation source for heating and evaporating the vapor deposition material and a substrate formed by the vapor deposition material evaporated from the evaporation source so as to face the evaporation source.
  • the deposition plate is disposed, and can be attached to the evaporation material evaporated from the evaporation source, and the deposition material is formed on the substrate, and the deposition plate is heated under the condition. And heating means.
  • the operation of the invention of claim 1 is as follows. First, an evaporation source and a substrate holding member that arranges and holds the substrate facing the evaporation source are accommodated in the vacuum vessel. evaporation The source heats and evaporates the vapor deposition material. In addition, a deposition plate capable of adhering evaporation material evaporated from the evaporation source is disposed in a space surrounding the evaporation source and the substrate holding member in the vacuum vessel. Next, the inside of the vacuum vessel is evacuated and the evaporation source is heated to evaporate the vapor deposition material. This evaporated vapor deposition material is deposited on the substrate. The evaporated material is also attached to the deposition plate.
  • the evaporation material is stopped from being heated and evaporated from the evaporation source, and the evaporation material is deposited on the substrate to be in a state of! / ⁇ .
  • the deposition preventing plate is heated by the heating means.
  • the vapor deposition material of the deposition preventing plate heated by this heating means can be easily peeled off. That is, it is possible to easily remove the vapor deposition material that causes an impure film to be formed on the substrate from the inside of the vacuum vessel. As a result, it is possible to prevent an impure film from being formed on the substrate.
  • the vacuum vapor deposition apparatus of the invention of claim 2 is characterized by further comprising a cooling means for cooling the deposition preventing plate.
  • the inside of the vacuum vessel is evacuated and the evaporation source is heated to evaporate the vapor deposition material.
  • This evaporated vapor deposition material is deposited on the substrate.
  • the evaporated deposition material also adheres to the deposition plate.
  • the deposition preventing plate is cooled by the cooling means. Therefore, in a state where the vapor deposition material is formed on the substrate, the vapor deposition material adhering to the deposition preventing plate is cooled by the cooling means, and thus is heated by the radiant heat from the evaporation source and does not re-evaporate.
  • the deposition plate can be cooled by the cooling means after being heated by the heating means in a state where no vapor deposition material is formed on the substrate. Therefore, it is possible to peel off the vapor deposition material having a film thickness of about the degree of its own weight adhering to the deposition preventing plate by utilizing the thermal expansion difference. As a result, it is possible to prevent an impure film from being formed on the substrate.
  • the thermal expansion coefficient of the deposition preventing plate is larger than the thermal expansion coefficient of the vapor deposition material.
  • the deposition preventive plate to which the vapor deposition material is adhered is heated by gradually increasing the temperature by the heating means.
  • the thermal expansion coefficient of the deposition preventive plate is larger than the thermal expansion coefficient of the vapor deposition material. Due to the force, the vapor deposition material adhering to the deposition preventing plate begins to peel off. Therefore, in the state where it begins to peel off from the deposition preventing plate, the deposition preventing plate force can be easily peeled off. In other words, it is possible to easily remove the vapor deposition material that causes an impure film to be formed on the substrate from inside the vacuum vessel.
  • the vacuum vapor deposition apparatus of the invention of claim 4 is characterized in that the thermal expansion coefficient of the deposition preventing plate is smaller than the thermal expansion coefficient of the vapor deposition material.
  • the deposition preventive plate to which the vapor deposition material is adhered is heated by gradually increasing the temperature by the heating means.
  • the thermal expansion coefficient of the deposition preventive plate is smaller than the thermal expansion coefficient of the vapor deposition material
  • the material begins to peel. Therefore, in the state where it begins to peel off from the deposition preventing plate, the deposition preventing plate force can be easily peeled off. In other words, it is possible to easily remove the vapor deposition material that causes an impure film to be formed on the substrate from inside the vacuum vessel.
  • the vacuum evaporation apparatus according to the invention of claim 5 is characterized in that the substrate holding member can be attached to and detached from a vacuum vessel.
  • the substrate holding member can be attached to and detached from the vacuum vessel. Therefore, when performing the operation of removing the vapor deposition material adhering to the deposition plate in the vacuum vessel, it is easy to perform the operation without removing the substrate holding member by removing the substrate holding member.
  • the vacuum evaporation apparatus according to the invention of claim 6 is characterized in that the evaporation source is detachable in the vacuum vessel.
  • the evaporation source is detachable from the vacuum vessel. Therefore, when removing the vapor deposition material adhering to the adhesion-preventing plate in the vacuum vessel, removing the evaporation source makes it easy for the evaporation source to become unobstructed.
  • the evaporation source for heating and evaporating the vapor deposition material and the substrate formed by the vapor deposition material evaporated from the evaporation source are disposed and held so as to face the evaporation source.
  • a vacuum deposition apparatus cleaning method comprising a deposition plate disposed in a surrounding space and capable of adhering deposition material evaporated from the evaporation source, wherein the deposition material is not deposited on the substrate
  • the vapor deposition material adhering to the deposition preventing plate is heated to remove the vapor deposition material.
  • the evaporation material is heated and evaporated by the evaporation source, and the substrate disposed opposite to the evaporation source is formed by the evaporation material evaporated from the evaporation source.
  • the vapor deposition material evaporated from the evaporation source adheres to the deposition plate disposed in the space surrounding the evaporation source and the substrate, and the deposition deposited on the deposition plate while the deposition material is not deposited on the substrate. Since the material is heated to remove the vapor deposition material adhering to the adhesion preventing plate, the vapor deposition material on the adhesion preventing plate after being heated can be easily peeled off. That is, it is possible to easily remove the vapor deposition material that causes an impure film to be formed on the substrate from the inside of the vacuum vessel. As a result, it is possible to prevent an impure film from being formed on the substrate.
  • the evaporation source for heating and evaporating the vapor deposition material and the substrate formed by the vapor deposition material evaporated from the evaporation source are disposed and held so as to face the evaporation source.
  • the substrate holding member, the vacuum source that houses the evaporation source and the substrate holding member, and that is evacuated inside, and the space inside the vacuum vessel that surrounds the evaporation source and the substrate holding member A vacuum deposition apparatus cleaning method comprising a deposition plate capable of adhering a deposition material evaporated from the evaporation source, wherein the deposition is performed while the deposition material is not deposited on the substrate.
  • the vapor deposition material adhering to the plate is heated and then cooled to remove the vapor deposition material.
  • the evaporation material is heated and evaporated by the evaporation source, and the substrate disposed opposite to the evaporation source is formed by the evaporation material evaporated from the evaporation source.
  • the vapor deposition material evaporated from the evaporation source adheres to the deposition plate arranged in the space surrounding the evaporation source and the substrate, and the deposition deposited on the deposition plate while the deposition material is not deposited on the substrate. Since the material is heated and then cooled, the vapor deposition material with a thickness that does not fall off due to its own weight attached to the adhesion-preventing plate can be peeled using the thermal expansion difference.
  • an evaporation source for heating and evaporating the vapor deposition material and a substrate formed by the vapor deposition material evaporated from the evaporation source are disposed and held so as to face the evaporation source.
  • a vacuum deposition apparatus cleaning method comprising a deposition plate capable of adhering a deposition material evaporated from the evaporation source, wherein the deposition is performed while the deposition material is formed on the substrate.
  • the vapor deposition material adhering to the plate is cooled, and while the vapor deposition material is not formed on the substrate, the vapor deposition material adhering to the adhesion-preventing plate is heated, and then cooled to remove the vapor deposition material. It is a feature.
  • the evaporation material is heated and evaporated by the evaporation source, and the substrate disposed opposite to the evaporation source is formed by the evaporation material evaporated from the evaporation source.
  • the vapor deposition material evaporated from the evaporation source adheres to the deposition plate disposed in the space surrounding the evaporation source and the substrate, and while the deposition material is deposited on the substrate, the deposition deposited on the deposition plate. While the material is cooled and the vapor deposition material is not deposited on the substrate, the vapor deposition material adhering to the deposition plate is heated and then cooled, so that the substrate is formed by the vaporized vapor deposition material.
  • the vapor deposition material adhering to the deposition plate is cooled, heated by radiant heat from the evaporation source and not re-evaporated, and the cooled vapor deposition material is deposited on the substrate. Since it is heated and then cooled, it is dropped by its own weight attached to the protective plate. Not the extent of film thickness deposition material can be peeled off by using a thermal expansion difference. That is, it is possible to easily remove the vapor deposition material that causes an impure film to be formed on the substrate from the vacuum container. As a result, it is possible to prevent an impure film from being formed on the substrate.
  • the vapor deposition material adhering to the deposition preventive plate is heated by the heating means in a state where the vapor deposition material is not formed on the substrate.
  • the deposited material is in a state where it can be easily peeled off. That is, it is possible to easily remove the vapor deposition material that causes an impure film to be formed on the substrate from the inside of the vacuum vessel. As a result, it is possible to prevent an impure film from being formed on the substrate.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a vacuum deposition apparatus.
  • ⁇ 3 It is a block diagram showing the configuration of the heating control device and the cooling control device.
  • Cooling control device (cooling means)
  • Coolant supply pipe (cooling means)
  • Coolant discharge pipe (cooling means)
  • the deposition material adhering to the deposition plate disposed on the inner wall (space) surrounding the evaporation source in the vacuum vessel and the substrate holding member for arranging and holding the substrate is easily removed to form a deposition plate.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a vacuum deposition apparatus.
  • FIG. 2 is a front view showing the configuration of the deposition preventing plate.
  • FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the heating control device and the cooling control device.
  • the vacuum deposition apparatus evacuates a vacuum container (Perja) 2 with a vacuum pump 1 and puts it in the vacuum container 2. Then, the vapor deposition material 4 which is a material to be formed into a film by the evaporation source 3 is heated to be vaporized, and this vapor is guided onto the substrate 5 (an object to be formed into a film) to be cooled and solidified. 4 is an apparatus for forming a film. Also, in the vacuum vessel 2, a film thickness meter (not shown) for controlling the film thickness formed on the substrate 5, a shutter mechanism (not shown) between the evaporation source 3 and the substrate 5, etc. Is provided.
  • the evaporation source 3 that heats and evaporates the vapor deposition material 4, the substrate holding member 6 that arranges and holds the substrate 5, and the deposition plate on which the vapor deposition material 4 can adhere to the vacuum vessel 2. 7 and are housed.
  • the vacuum vessel 2 has, for example, a rectangular parallelepiped shape, and has a side of several tens of centimeters and several tens of meters. Further, the inside of the vacuum vessel 2 is configured to be in a predetermined vacuum pressure state by the vacuum pump 1. In addition, an air opening 2a is provided for bringing the inside of the vacuum vessel 2 into an atmospheric pressure state. Further, a valve B is provided between the vacuum pump 1 and the vacuum vessel 2 for controlling the amount of gas flowing to the atmosphere opening 2a.
  • the evaporation source 3 is disposed below the vacuum vessel 2 and heats the vapor deposition material 4 to evaporate.
  • a heater heating evaporation source is used.
  • This heater heating evaporation source is placed around the crucible 8 by depositing a vapor deposition material 4 (for example, amorphous selenium (a-Se)) in a crucible 8 which is a cup-shaped container made of alumina graphite or the like.
  • the heating element 9 such as a heated wire is energized and heated to heat the crucible 8 indirectly, and the vapor deposition material 4 placed in the crucible 8 is heated and evaporated.
  • the evaporation source 3 is detachable from the vacuum vessel 2.
  • the substrate holding member 6 is attached to, for example, the left side surface of the vacuum container 2 shown in FIG. 1, and further, the substrate 5 formed by the vapor deposition material 4 evaporated from the evaporation source 3 is used as the evaporation source 3. It is arranged and held so as to face. Further, the substrate holding member 6 is attached to an attachment portion 10 which is a location indicated by a hatched portion of the deposition preventing plate 7 in FIG. FIG. 2 shows the protective plate 7 attached to the left side surface of the vacuum vessel 2 shown in FIG. 1. For the protective plate attached to the other surface of the vacuum container 2, Mounting part 10 is not provided. The substrate holding member 6 is detachable from the vacuum container 2.
  • the deposition plate 4 can be attached to the vapor deposition material 4 and is made of a material that does not react with the vapor deposition material 4, for example, a metal such as stainless steel or aluminum. Also this protection As shown in FIG. 1, the plate 7 is disposed in a space surrounding the evaporation source 3 and the substrate 5. Specifically, the deposition plate 7 is a bottom surface of the vacuum vessel 2 that is a rectangular parallelepiped. It is arranged along the other inner wall. In other words, the deposition preventing plate 7 is independently attached to each of the five surfaces of the side surface and the top surface, which are surfaces other than the bottom surface inside the vacuum vessel 2. In addition, the illustration of FIG. 1 is omitted for the adhesion prevention plates 7 disposed on the front and back surfaces in FIG.
  • the deposition preventing plate 7 is a metal provided with a liquid cooling pipe 11 for cooling the deposition preventing plate 7 and a heater 12 for heating the deposition preventing plate 7.
  • a body 13 and a plate member 14 having a metal force separate from the metal body 13 are attached.
  • the vapor deposition material 4 evaporated from the evaporation source 3 may adhere to the surface of the deposition plate 7 of the deposition plate 7 shown in FIG. It can be configured.
  • a temperature sensor 15 for detecting the temperature of the plate material 14 of the deposition preventing plate 7 is attached. As shown in FIG. 3, the temperature detected by the temperature sensor 15 is a cooling signal as a temperature signal. It is configured to be output to the device 16 and the heating control device 17.
  • the plate member 14 is attached to the metal body 13 and the metal body 13 is attached to the vacuum vessel 2 by screws or the like (not shown), and is detachable.
  • the liquid cooling pipe 11 is, for example, a single pipe meanderingly disposed inside the metal body 13 as shown in FIG.
  • the cooling liquid L is circulated through the pipe 11 and the heat of the adhesion preventing plate 7 itself is absorbed to cool the adhesion preventing plate 7.
  • a coolant supply pipe 18 is connected to the inlet 11 a (see FIG. 2) which is one of the liquid cooling pipes 11 of each of the adhesion prevention plates 7.
  • a cooling liquid discharge pipe 19 is connected to the outflow port l ib (see FIG. 2) which is the other side of the liquid cooling pipe 11. Further, the coolant supply pipe 18 and the coolant discharge pipe 19 are connected to the heat exchange of the cooling control device 16.
  • the coolant L from the coolant discharge pipe 19 is stored, and the coolant 22 is used to cool the coolant L to a predetermined cooling temperature, and the tank 22 stores the coolant L.
  • FIG. Although there are three attachment plates 7 and three electromagnetic on-off valves 24, in this embodiment, there are five attachment prevention plates 7, and the number of electromagnetic on-off valves 24 corresponding to the attachment prevention plate 7 ( (5 pieces)
  • the cooling control device 16 is provided with a cooling temperature setting unit 25 that can set the temperature below the temperature at which the vapor deposition material 4 softens in a state where the vapor deposition material 4 is formed on the substrate 5.
  • a cooling temperature comparison unit 26 is provided for comparing the temperature set by the cooling temperature setting unit 25 with the temperature detected by the temperature sensor 15 provided on the deposition preventing plate 7. If the temperature detected by the temperature sensor 15 is equal to or higher than the temperature set by the cooling temperature setting unit 25 as a result of the comparison by the cooling temperature comparison unit 26, the cooling control device 16 is placed in the refrigerant pipe 21. By controlling the flowing refrigerant, the coolant L stored in the tank 22 is cooled below the temperature set by the cooling temperature setting unit 25.
  • the cooling control device 16 sends out the cooling liquid L stored in the tank 22 by the pump 23 and controls the electromagnetic on-off valve 24 to be in an open state, thereby cooling the liquid cooling pipe 11 in the deposition preventing plate 7.
  • the liquid L is circulated to cool the deposition preventing plate 7 below the temperature set by the cooling temperature setting unit 25.
  • the temperature set by the cooling temperature setting unit 25 starts to soften before reaching the melting point in this amorphous selenium, and the power of 90 ° C.
  • the temperature is set to C or lower, and based on this setting, the coolant L stored in the tank 22 has a temperature of 90 ° C or lower.
  • the liquid cooling pipe 11, the cooling liquid supply pipe 18, the cooling liquid discharge pipe 19, and the cooling control device 16 described above correspond to the cooling means in the present invention.
  • the heater 12 will be described. As shown in FIG. 2, the heater 12 in the metal body 13 has a shape that matches the outer shape of the metal body 13, and is close to the inlet 11a, the outlet l ib of the liquid cooling pipe 11, and the mounting portion 10, In the vicinity of the temperature sensor 15, the heater 12 is not provided.
  • a sheath heater or a rubber heater is used as the heater 12 and heat is generated based on energization (current control) from the heating control device 17 provided outside the vacuum vessel 2.
  • the heating control device 17 is configured to be able to set the temperature at which the heater 12 is heated.
  • the heating control device 17 includes a substance that softens before the vapor deposition material 4 reaches the melting point when the vapor deposition material 4 is not deposited on the substrate 5.
  • the heating plate 7 it is possible to set the heating plate 7 to be heated to a temperature not less than the temperature at which it begins to soften and less than the melting point of the vapor deposition material 4, and a heating temperature setting unit 27 is provided.
  • a heating temperature comparison unit 28 is provided for comparing the temperature set by the unit 27 with the temperature detected by the temperature sensor 15 disposed on the deposition preventing plate 7.
  • the temperature set by the heating temperature setting unit 27 is set.
  • a current based on the temperature flows to the heater 12, and the heater 12 is configured to generate heat at a temperature corresponding to the current.
  • this amorphous selenium begins to soften at a temperature of about 90 ° C, begins to peel off by its own weight at a temperature of about 120 ° C, and the melting point temperature is 240 ° C. Therefore, heating control is performed by the heating control device 17 so that the temperature is 90 ° C. or more and less than 240 ° C. Therefore, when the vapor deposition material 4 attached to the deposition prevention plate 7 becomes soft and deforms, and the deposition material 4 adhered to the deposition prevention plate 7 has a predetermined film thickness, It begins to peel off.
  • the vapor deposition material 4 attached to the deposition preventing plate 7 does not fall off due to its own weight! /, And in such a case, the vapor deposition material is deposited on the substrate as described above.
  • the cooling plate 7 is heated for a predetermined time by the heating control device 17 for controlling the heating of the deposition plate 7 to the heater 12 and the heater 12, and then the liquid cooling pipe for cooling the deposition plate 7 11
  • the cooling controller 16 that controls the coolant L flowing in the liquid cooling pipe 11 causes a difference in thermal expansion between the deposition material 4 and the deposition plate 7, and the deposition deposited on the deposition plate 7.
  • the material 4 is peeled off.
  • the heater 12 and the heating control device 17 described above correspond to the heating means in the present invention.
  • FIG. Fig. 4 is a flowchart showing the flow of processing by the vacuum evaporation system.
  • the vapor deposition material 4 uses amorphous selenium, which softens before reaching the melting point.
  • the substrate 5 is attached to the substrate holding member 6 in the vacuum vessel 2 and set to a predetermined temperature by the cooling temperature setting unit 25 of the cooling control device 16.
  • the predetermined temperature must be 90 ° C or less, which is the temperature at which amorphous selenium does not begin to soften. Set to 50 ° C.
  • the vacuum vessel 2 is evacuated by the vacuum pump 1, and the vapor deposition material 4 is heated by the evaporation source 3 to be vaporized, and the vapor deposition material 4 is formed on the substrate 5. Further, the vapor deposition material 4 from the evaporation source 3 adheres to the plate material 14 of the deposition preventing plate 7 disposed in the space surrounding the evaporation source 3 and the substrate 5.
  • the cooling control device 16 includes a temperature detected by the temperature sensor 15 provided in each of the adhesion preventing plates 7 by the cooling temperature comparison unit 26, and a temperature set by the cooling temperature setting unit 25. (In this case, 50 ° C), whether the temperature detected by all the temperature sensors 15 arranged on the adhesion prevention plate 7 is equal to or higher than the temperature set by the cooling temperature setting unit 25 Is determined. If the temperature detected by the temperature sensor 15 is equal to or higher than the temperature set by the cooling temperature setting unit 25, the process proceeds to step S3, and the temperature detected by the temperature sensor 15 is set by the cooling temperature setting unit 25. If the temperature is below the specified temperature, go to step S4.
  • Step S3 The refrigerant flowing in the refrigerant pipe 21 of the cooling control device 16 is controlled to cool the coolant L stored in the tank 22 to a temperature set by the cooling temperature setting unit 25 or less. Further, the cooling control device 16 sends out the coolant L stored in the tank 22 by the pump 23 and controls the electromagnetic on-off valve 24 to be in an open state, so that the liquid cooling pipe in the deposition preventing plate 7 is opened. Cooling liquid L is circulated through 11 and cooling plate 7 is cooled below the temperature set by cooling temperature setting section 25.
  • Step S4 It is determined whether or not the film forming operation of the substrate 5 is completed.
  • the substrate film forming operation is completed means that the vapor deposition material 4 is not heated and evaporated by the evaporation source 3 and that the deposition preventing plate 7 is cooled to room temperature. Indicates.
  • the process proceeds to step S5, and when the film formation on the substrate 5 is not completed, the process returns to step S2. That is, if the film formation on the substrate 5 is not completed, Steps S2 to S3 are repeated.
  • the heating temperature setting unit 27 of the heating control device 17 sets a predetermined temperature for heating the deposition preventing plate 7.
  • amorphous selenium begins to peel off by its own weight at a temperature of about 120 ° C.
  • the melting point temperature is 240 ° C.
  • the predetermined temperature is in the range of 120 ° C. to 240 ° C. Set to 160 ° C.
  • the vacuum container 2 is again evacuated by the vacuum pump 1.
  • the vapor deposition material 4 is used from inside the vacuum vessel 2.
  • the deposited substrate 5 may be removed, and the process may proceed to step 6 without removing the substrate 5.
  • the heating control device 17 includes the temperature detected by the temperature sensor 15 provided in each of the adhesion preventing plates 7 by the heating temperature comparison unit 28, and the temperature set by the heating temperature setting unit 27. (In this case, 160 ° C), whether the temperature detected by all the temperature sensors 15 arranged on the adhesion prevention plate 7 is equal to or higher than the temperature set by the heating temperature setting unit 27 Is determined. If the temperature detected by the temperature sensor 15 is equal to or lower than the temperature set by the heating temperature setting unit 27, the process proceeds to step S7, and the temperature detected by the temperature sensor 15 is set by the heating temperature setting unit 27. If it is above the specified temperature, go to step S8.
  • Step S7 The heating control device 17 energizes and heats the heaters 12 arranged in the respective adhesion preventing plates 7, and returns to Step S6. That is, the heating control device 17 heats the deposition preventing plate 7 until the temperature detected by the temperature sensor 15 becomes equal to or higher than the temperature set by the heating temperature setting unit 27.
  • Step S8 The heating control device 17 stops heating the deposition preventing plate 7, and after the predetermined time has passed, the portion of the deposition preventing plate 7 that has come to room temperature is attached to the deposition preventing plate 7. Scrape off the vapor deposition material 4 in a state where is peeled off (floating from the protective plate 7). In this case, the deposition plate 7 is cooled to near room temperature by using the liquid cooling pipe 11 that cools the deposition plate 7 and the cooling control device 16 that controls the coolant L flowing in the liquid cooling pipeline 11. It is possible to shorten the time required for the operation.
  • the evaporation source 3 and the substrate holding member 6 are disposed in the space surrounding the evaporation source 3 and the evaporation source 3 so as to face the evaporation source 3 in the vacuum vessel 2.
  • the deposition plate 7 to which the vapor deposition material 4 evaporated from the evaporation source 3 can adhere, and the heater 12 and the heater for heating the deposition plate 7 when the deposition material 4 is not deposited on the substrate 5 Therefore, the vapor deposition material 4 of the deposition preventing plate 7 heated by the heater 12 is partially peeled off. (A state where it floats from the protective plate 7) and can be easily peeled off.
  • the vapor deposition material 4 that causes an impure film to be formed on the substrate 5 from the vacuum container 2 can be easily removed. As a result, it is possible to prevent an impure film from being formed on the substrate 5.
  • the liquid cooling pipe 11 for cooling the deposition preventing plate 7 and the cooling control device 16 for controlling the cooling liquid L flowing through the liquid cooling pipe 11 are provided, the vapor deposition material 4 is formed on the substrate 5. In this state, the vapor deposition material 4 adhering to the deposition preventing plate 7 is heated by the radiant heat from the evaporation source 3 and does not re-evaporate. That is, it is possible to prevent the vapor deposition material 4 adhering to the deposition preventing plate 7 from re-evaporating and adhering to the substrate 5.
  • the deposition preventing plate 7 After depositing the vapor deposition material 4 on the substrate 5, the deposition preventing plate 7 is heated by the heater 12 and the heating control device 17 that controls the heating of the heater 12, and then the deposition preventing plate 7 is cooled. Cooling is performed using the cooling control device 16 that controls the cooling liquid L flowing in the liquid cooling pipe 11 and the liquid cooling pipe 11, and a difference in thermal expansion can be generated between the vapor deposition material 4 and the deposition preventing plate 7. Therefore, the vapor deposition material 4 having a film thickness of about! / ⁇ attached to the deposition plate 7 can be peeled off using the thermal expansion difference. As a result, it is possible to prevent an impure film from being formed on the substrate 5.
  • a substrate holding member 6 for holding the substrate 5 in the vacuum vessel 2 is provided, and the substrate holding member 6 is detachable in the vacuum vessel 2, so that it adheres to the deposition plate 7 in the vacuum vessel 2.
  • removing the substrate holding member 6 makes it easier for the substrate holding member 6 not to get in the way.
  • the evaporation source 3 is detachable in the vacuum vessel 2, the evaporation source 3 is removed when the vapor deposition material 4 adhering to the deposition preventing plate 7 in the vacuum vessel 2 is removed. As a result, the evaporation source 3 does not get in the way and the operation is facilitated.
  • the evaporation source 3 has been described using an indirect heating type heater heating evaporation source.
  • the evaporation source 4 is heated and evaporated by the same indirect heating type high frequency induction.
  • a thermal evaporation source may be used. It is also possible to use a direct heating type resistance heating evaporation source or other electron beam heating evaporation source.
  • the adhesion prevention plate 7 may be made of, for example, a force ceramic, a heat-resistant grease, or the like, which is made of the metal 13 such as stainless steel or aluminum.
  • the plate member 14 may be made of metal! /, But may be made of heat-resistant resin or the like.
  • the heating temperature setting unit 27 of the heating control device 17 sets the predetermined temperature at which the deposition plate 7 is heated to 160 ° C. so that the deposition plate 7 is at room temperature. After that, the force that was attached to the protective plate 7 and peeled off a part of the vapor deposition material 4 in a state of being peeled off (floating from the protective plate 7)
  • the temperature at which it begins to soften is around 90 ° C
  • the temperature at which it begins to peel off due to its own weight is around 120 ° C.
  • the specified temperature is 90 ° C to 120 ° C.
  • the vapor deposition material 4 is a material that softens before reaching the melting point.
  • the material is not a material that softens before reaching the melting point, for example, a dielectric (a material with a low coefficient of thermal expansion!)
  • a material with a large coefficient of thermal expansion such as a metal
  • the heat-adhering plate 7 is controlled to be heated by the heating control device 17, and this heating utilizes the stress due to the difference in thermal expansion between the vapor-depositing material 4 and the anti-adhering plate 7, so that the vapor-depositing material 4 attached to the anti-adhering plate 7 You may stir to begin peeling off.
  • the heating control device 17 stops heating the deposition preventive plate 7, and after the deposition preventive plate 7 reaches room temperature, the deposition is prevented. Scatter the vapor deposition material 4 in a state where it adheres to the plate 7 and is partially peeled off (floating from the adhesion-preventing plate 7). Therefore, in the state where it begins to peel off from the deposition preventing plate 7, it can be easily peeled off from the deposition preventing plate 7. That is, the vapor deposition material 4 that causes an impure film to be formed on the substrate 5 from the vacuum vessel 2 can be easily removed.
  • the vapor deposition material 4 is described as a material that softens before reaching the melting point. However, in a state where the vapor deposition material 4 is not formed on the substrate 5, the vapor deposition material 4 is If it is not a material that softens before reaching the melting point, such as a metal (a material with a large thermal expansion coefficient), the protective plate 7 has a low thermal expansion coefficient such as a dielectric (ceramic, etc.)! The material is used to control the deposition plate 7 to be heated by the heating controller 17, and this heating utilizes the stress due to the difference in thermal expansion between the vapor deposition material 4 and the deposition plate 7, thereby preventing the deposition plate 7.
  • Vapor deposition material 4 adhered to You may start it.
  • the heating control device 17 stops heating the deposition preventive plate 7, and after the deposition preventive plate 7 reaches room temperature, the deposition is prevented.
  • the vapor deposition material 4 that adheres to the plate 7 and is partially peeled off and floated (floating from the adhesion-preventing plate 7) is scraped off. Therefore, in a state where the peeling starts from the deposition preventing plate 7, it can be easily peeled off from the deposition preventing plate 7. That is, the vapor deposition material 4 that causes an impure film to be formed on the substrate 5 from the vacuum vessel 2 can be easily removed.
  • the vacuum vessel 2 has a rectangular parallelepiped shape, but may have another shape such as a cylindrical shape.

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Abstract

 この発明の真空蒸着装置は、真空容器内における、蒸発源と、基板を配設保持する基板保持部材とを取り囲む空間に配設され、蒸発源から蒸発した蒸着材が付着することが可能な防着板と、基板に蒸着材を成膜していない状態において、防着板を加熱するヒータおよびヒータを加熱制御する加熱制御装置とを備えているので、このヒータにより加熱された防着板の蒸着材は、この防着板に付着している一部が剥離している状態(防着板から浮いている状態)であり、容易に引き剥がすことができる状態となる。つまり、真空容器内から基板に不純な膜を成膜させる要因となる蒸着材を容易に取り除くことができる。その結果、基板に不純な膜が成膜されることを防止することができる。                                                                                 

Description

真空蒸着装置及びそのクリーニング方法
技術分野
[0001] この発明は、真空蒸着法を用いて、基板に蒸着材を成膜させる真空蒸着装置及び そのクリーニング方法に係り、特に、防着板に付着した蒸着材を取り除き、成膜して いる状態の基板に不純な膜が成膜されることを防止する技術に関する。
背景技術
[0002] 真空蒸着装置は、真空容器内において、成膜したい材料 (蒸着材)を蒸発源により 蒸気にし、この蒸気を基板 (成膜したい物体)上に導き冷却固体化することで、基板 に蒸着材を成膜させる。ここで、蒸発源から蒸発した蒸着材の一方は、基板に成膜さ れるが、他方では、真空容器内の蒸発源と基板とを取り囲む内壁にも付着する。この 真空容器の内壁に付着した蒸着材の一部は、基板に蒸着材を成膜させている状態 において、蒸発源からの輻射熱により再度加熱され再蒸発することになる。また、蒸 発源から蒸着材を蒸発させるための加熱を終了させ、基板上の蒸着材を冷却固体 化した状態にすると、真空容器の内壁に付着した蒸着材も同様に冷却固体化される 。ここで、冷却固体化された蒸着材を除去するには非常に手間が力かる。
[0003] そこで、真空容器内に付着した蒸着材を除去する手間を省くために、蒸発源から蒸 発した蒸着材が付着する防着板を設け、さらに、この防着板を搬送式にして常時新し い防着板が現われるようにしたもの (特許文献 1参照)や防着板に対向した巻き取り 可能な防着テープを設けて蒸着材を回収するもの (特許文献 2参照)がある。しかし、 これら可動装置を用いた防着板を、真空容器内の蒸発源と基板とを取り囲む内壁( 空間)に設置することは、可動装置を大きくする必要があることや可動装置自体に蒸 着材が付着することを防ぐ手段を設けなければならな 、ことなどから、困難である。
[0004] また、防着板に付着した蒸着材を積極的に再蒸発させるものとして、防着板に加熱 手段を設け、蒸着中、常時この加熱手段により蒸着材の融点以上に防着板を加熱し 、防着板に付着した蒸着材を再蒸発させ、この付着物を基板上に付着するようにして 、膜厚分布の均一化、蒸着効率を向上させたものがある (特許文献 3参照)。 特許文献 1 :特開平 6— 228751号公報 (第 2頁、図 1)
特許文献 2 :特開平 10— 287967号公報 (第 3頁、図 1)
特許文献 3 :特開平 5— 70932号公報 (第 2頁、図 1)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] し力しながら、従来の真空蒸着装置及びそのクリーニング方法では、次のような問 題がある。すなわち、真空容器内の蒸発源と基板とを取り囲む内壁に付着した蒸着 材を除去することは難しぐ除去しない状態で基板に蒸着材を成膜させる状態にさせ ると、真空容器の内壁に付着した蒸着材が蒸発源からの輻射熱により再度加熱され 再蒸発することになる。ここで、真空容器の内壁に付着した蒸着材は、蒸発源から直 接蒸発される蒸着材とは温度が異なり、構造が異なる異質なものとなる。したがって、 基板に蒸発源から直接蒸発された蒸着材と、再蒸発した蒸着材との両方が蒸着する と、膜質が不均一である不純な膜が基板に成膜されるという問題がある。
[0006] この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、真空容器内の蒸発源 と基板とを取り囲む内壁 (空間)に配置された防着板に付着した蒸着材を容易に取り 除くことができ、その結果、成膜している状態の基板に不純な膜が成膜されることを 防止する真空蒸着装置及びそのクリーニング方法を提供することを目的とする。 課題を解決するための手段
[0007] この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項 1の発明の真空蒸着装置は、蒸着材を加熱して蒸発させる蒸発 源と、前記蒸発源から蒸発した蒸着材により成膜される基板を前記蒸発源と対向す るように配設保持する基板保持部材と、前記蒸発源および前記基板保持部材を収容 し、内部を真空状態にする真空容器と、前記真空容器内における、前記蒸発源と前 記基板保持部材とを取り囲む空間に配設され、前記蒸発源から蒸発した蒸着材が付 着することが可能な防着板と、前記基板に蒸着材を成膜して 、な 、状態にぉ 、て、 前記防着板を加熱する加熱手段と、を備えて ヽることを特徴とするものである。
[0008] 請求項 1の発明の作用は次のとおりである。まず、真空容器内には、蒸発源および 、この蒸発源と対向して基板を配設保持する基板保持部材が収容されている。蒸発 源は蒸着材を加熱して蒸発させる。また、真空容器内の蒸発源と基板保持部材とを 取り囲む空間には蒸発源力 蒸発した蒸着材が付着することが可能な防着板が配設 されている。次に真空容器内を真空状態にし、蒸発源を加熱させ蒸着材を蒸発させ る。この蒸発した蒸着材は基板に成膜される。また、蒸発した蒸着材は防着板にも付 着する。次に、蒸発源から蒸着材を加熱して蒸発させることを止め、基板に蒸着材を 成膜して!/ヽな ヽ状態にする。この状態で真空容器内から成膜された基板を取り出し た後に、加熱手段により防着板を加熱する。この加熱手段により加熱された防着板の 蒸着材は容易に引き剥がすことができる状態となる。つまり、真空容器内から基板に 不純な膜を成膜させる要因となる蒸着材を容易に取り除くことができる。その結果、基 板に不純な膜が成膜されることを防止することができる。
[0009] また、請求項 2の発明の真空蒸着装置は、前記防着板を冷却する冷却手段を備え て ヽることを特徴とするものである。
[0010] この発明の請求項 2の真空蒸着装置によれば、真空容器内を真空状態にし、蒸発 源を加熱させ蒸着材を蒸発させる。この蒸発した蒸着材は基板に成膜される。また、 蒸発した蒸着材は防着板にも付着する。さらに、冷却手段により防着板が冷却される 。したがって、基板に蒸着材を成膜している状態において、防着板に付着した蒸着 材は、冷却手段により冷却されているので、蒸発源からの輻射熱により加熱され、再 蒸発することがない。つまり、防着板に付着した蒸着材が再蒸発し、基板に付着する ことを防ぐことができる。また、基板に蒸着材を成膜していない状態で、防着板を加熱 手段により加熱した後に、冷却手段により冷却することができる。したがって、防着板 に付着した自重で落ちな!/、程度の膜厚の蒸着材を、熱膨張差を利用して剥離させる ことができる。これらの結果、基板に不純な膜が成膜されることを防止することができ る。
[0011] また、請求項 3の発明の真空蒸着装置において、防着板の熱膨張係数は、蒸着材 の熱膨張係数に対して大きいものであることを特徴とするものである。
[0012] この発明の請求項 3の真空蒸着装置によれば、加熱手段により蒸着材が付着した 防着板を徐々に温度を上げて加熱する。ここで、防着板の熱膨張係数は、蒸着材の 熱膨張係数に対して大きいものであることから防着板と蒸着材との熱膨張差による応 力により、防着板に付着した蒸着材が剥離し始める。したがって、この防着板から剥 離し始めた状態では、防着板力も容易に引き剥がすことができる。つまり、真空容器 内から基板に不純な膜を成膜させる要因となる蒸着材を容易に取り除くことができる
[0013] また、請求項 4の発明の真空蒸着装置は、防着板の熱膨張係数は、蒸着材の熱膨 張係数に対して小さいものであることを特徴とするものである。
[0014] この発明の請求項 4の真空蒸着装置によれば、加熱手段により蒸着材が付着した 防着板を徐々に温度を上げて加熱する。ここで、防着板の熱膨張係数は、蒸着材の 熱膨張係数に対して小さいものであることから防着板と蒸着材との熱膨張差による応 力により、防着板に付着した蒸着材が剥離し始める。したがって、この防着板から剥 離し始めた状態では、防着板力も容易に引き剥がすことができる。つまり、真空容器 内から基板に不純な膜を成膜させる要因となる蒸着材を容易に取り除くことができる
[0015] また、請求項 5の発明の真空蒸着装置は、前記基板保持部材は真空容器内に着 脱自在であることを特徴とするものである。
[0016] この発明の請求項 5の真空蒸着装置によれば、基板保持部材は、真空容器内に着 脱自在である。したがって、真空容器内の防着板に付着している蒸着材を取り除く作 業を行う場合に、基板保持部材を取り外すことで、基板保持部材が邪魔にならず作 業を行い易くなる。
[0017] また、請求項 6の発明の真空蒸着装置は、蒸発源は前記真空容器内に着脱自在 であることを特徴とするものである。
[0018] この発明の請求項 6の真空蒸着装置によれば、蒸発源は真空容器内に着脱自在 である。したがって、真空容器内の防着板に付着している蒸着材を取り除く作業を行 う場合に、蒸発源を取り外すことで、蒸発源が邪魔にならず作業を行い易くなる。
[0019] また、請求項 7の発明は、蒸着材を加熱して蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源から 蒸発した蒸着材により成膜される基板を前記蒸発源と対向するように配設保持する 基板保持部材と、前記蒸発源および前記基板保持部材を収容し、内部を真空状態 にする真空容器と、前記真空容器内における、前記蒸発源と前記基板保持部材とを 取り囲む空間に配設され、前記蒸発源から蒸発した蒸着材が付着することが可能な 防着板とを備えた真空蒸着装置のクリーニング方法であって、前記基板に蒸着材を 成膜していない間に、前記防着板に付着した蒸着材を加熱し、蒸着材を除去するこ とを特徴とするものである。
[0020] この発明の請求項 7のクリーニング方法によれば、蒸発源により蒸着材を加熱して 蒸発させ、蒸発源と対向して配設された基板は蒸発源から蒸発した蒸着材により成 膜され、蒸発源と基板とを取り囲む空間に配設された防着板に蒸発源から蒸発した 蒸着材が付着し、基板に蒸着材を成膜していない間に、防着板に付着した蒸着材を 加熱し、防着板に付着した蒸着材を除去するので、加熱された後の防着板の蒸着材 は、容易に引き剥がすことができる。つまり、真空容器内から基板に不純な膜を成膜 させる要因となる蒸着材を容易に取り除くことができる。その結果、基板に不純な膜が 成膜されることを防止することができる。
[0021] また、請求項 8の発明は、蒸着材を加熱して蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源から 蒸発した蒸着材により成膜される基板を前記蒸発源と対向するように配設保持する 基板保持部材と、前記蒸発源および前記基板保持部材を収容し、内部を真空状態 にする真空容器と、前記真空容器内における、前記蒸発源と前記基板保持部材とを 取り囲む空間に配設され、前記蒸発源から蒸発した蒸着材が付着することが可能な 防着板とを備えた真空蒸着装置のクリーニング方法であって、前記基板に蒸着材を 成膜していない間に、前記防着板に付着した蒸着材を加熱し、その後に冷却を行い 、蒸着材を除去することを特徴とするものである。
[0022] この発明の請求項 8のクリーニング方法によれば、蒸発源により蒸着材を加熱して 蒸発させ、蒸発源と対向して配設された基板は蒸発源から蒸発した蒸着材により成 膜され、蒸発源と基板とを取り囲む空間に配設された防着板に蒸発源から蒸発した 蒸着材が付着し、基板に蒸着材を成膜していない間に、防着板に付着した蒸着材を 加熱し、その後に冷却を行うので、防着板に付着した自重で落ちない程度の膜厚の 蒸着材を、熱膨張差を利用して剥離させることができる。つまり、真空容器内から基 板に不純な膜を成膜させる要因となる蒸着材を容易に取り除くことができる。その結 果、基板に不純な膜が成膜されることを防止することができる。 [0023] また、請求項 9の発明は、蒸着材を加熱して蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源から 蒸発した蒸着材により成膜される基板を前記蒸発源と対向するように配設保持する 基板保持部材と、前記蒸発源および前記基板保持部材を収容し、内部を真空状態 にする真空容器と、前記真空容器内における、前記蒸発源と前記基板保持部材とを 取り囲む空間に配設され、前記蒸発源から蒸発した蒸着材が付着することが可能な 防着板とを備えた真空蒸着装置のクリーニング方法であって、前記基板に蒸着材を 成膜している間は、前記防着板に付着した蒸着材を冷却し、前記基板に蒸着材を成 膜していない間に、前記防着板に付着した蒸着材を加熱し、その後に冷却を行い、 蒸着材を除去することを特徴とするものである。
[0024] この発明の請求項 9のクリーニング方法によれば、蒸発源により蒸着材を加熱して 蒸発させ、蒸発源と対向して配設された基板は蒸発源から蒸発した蒸着材により成 膜され、蒸発源と基板とを取り囲む空間に配設された防着板に蒸発源から蒸発した 蒸着材が付着し、基板に蒸着材を成膜している間は、防着板に付着した蒸着材を冷 却し、基板に蒸着材を成膜していない間に、防着板に付着した蒸着材を加熱し、そ の後に冷却を行うので、基板は蒸発源力 蒸発した蒸着材により成膜されている間 は、防着板に付着している蒸着材は冷却され、蒸発源による輻射熱により加熱され 再蒸発することがなぐさらに、冷却された蒸着材を、基板に蒸着材を成膜していな い状態で、加熱し、その後に冷却を行うので、防着板に付着した自重で落ちない程 度の膜厚の蒸着材を、熱膨張差を利用して剥離させることができる。つまり、真空容 器内から基板に不純な膜を成膜させる要因となる蒸着材を容易に取り除くことができ る。その結果、基板に不純な膜が成膜されることを防止することができる。
発明の効果
[0025] この発明に係る真空蒸着装置によれば、基板に蒸着材を成膜していない状態にお いて、防着板に付着した蒸着材は加熱手段により加熱されるので、防着板に付着し た蒸着材は容易に引き剥がすことができる状態となる。つまり、真空容器内から基板 に不純な膜を成膜させる要因となる蒸着材を容易に取り除くことができる。その結果、 基板に不純な膜が成膜されることを防止することができる。
図面の簡単な説明 [図 1]真空蒸着装置の概略構成を示す断面図である。
圆 2]防着板の構成を示す正面図である。
圆 3]加熱制御装置と冷却制御装置との構成を示すブロック図である。
圆 4]真空蒸着装置による処理の流れを示すフローチャートである。
符号の説明
2 · · - 真空容器
3 · · • 蒸発源
4 · · - 蒸着材
5 · · • 基板
6 · · - 基板保持部材
7 · · • 防着板
11 ' … ヒータ (加熱手段)
12 ' … 液冷用配管 (冷却手段)
16 ' … 冷却制御装置 (冷却手段)
17 ' - 加熱制御装置 (加熱手段)
18 ' … 冷却液供給管 (冷却手段)
19 ' … 冷却液排出管 (冷却手段)
発明を実施するための最良の形態
[0028] 真空容器内の蒸発源と、基板を配設保持する基板保持部材とを取り囲む内壁 (空 間)に配置された防着板に付着した防着材を容易に取り除き、防着板に付着した蒸 着材が再蒸発し、基板に不純な膜が成膜されることを防止するという目的を実現した 実施例
[0029] 真空蒸着装置を図面に基づいて詳細に説明する。図 1は、真空蒸着装置の概略構 成を示す断面図である。図 2は、防着板の構成を示す正面図である。図 3は、加熱制 御装置と冷却制御装置との構成を示すブロック図である。
[0030] 真空蒸着装置の全体の構成について説明する。真空蒸着装置は、図 1に示すよう に、真空ポンプ 1により真空容器 (ペルジャ) 2を真空状態にし、この真空容器 2内に おいて、蒸発源 3により成膜したい材料である蒸着材 4を加熱することにより蒸気にし 、この蒸気を基板 5 (成膜したい物体)上に導き冷却固体化することで、基板 5に蒸着 材 4を成膜させる装置である。また、真空容器 2内には、基板 5に成膜される膜厚を制 御するための、膜厚計 (図示省略),蒸発源 3と基板 5との間にシャッター機構 (図示 省略)などが備えられている。詳細には真空容器 2には蒸着材 4を加熱して蒸発させ る蒸発源 3と、基板 5を配設保持する基板保持部材 6と、蒸着材 4が付着することが可 能な防着板 7と、が収容されている。以下にこれらの構成について詳細に説明する。
[0031] 真空容器 2は、例えば直方体とする形状で、一辺が数十 cm力 数 m程度の大きさ のものである。また、真空容器 2内は真空ポンプ 1により、所定の真空圧力状態となる 構成となっている。また、真空容器 2内を大気圧状態にする大気開放口 2aが設けら れている。さらに、真空ポンプ 1と真空容器 2との間、大気開放口 2aなどに流れる気 体の量を制御するバルブ Bが備えられて 、る。
[0032] 蒸発源 3は、真空容器 2の下部に配置され、蒸着材 4を加熱して蒸発させるもので あり、例えば、ヒータ加熱蒸発源が用いられる。このヒータ加熱蒸発源はアルミナゃグ ラフアイトなどで作られたコップ状の容器である坩堝 8に蒸着材 4 (例えば、ァモルファ スセレン (a— Se)など)を入れ、この坩堝 8の周りに配設した電熱線などの発熱体 9に 通電し、発熱体 9を加熱させることにより間接的に坩堝 8を加熱し、坩堝 8に入れられ た蒸着材 4を加熱蒸発させる構成となっている。なお、この蒸発源 3は真空容器 2内 に着脱自在である。
[0033] 基板保持部材 6は、例えば、図 1に示される真空容器 2の左側面に取り付けられ、さ らに、蒸発源 3から蒸発した蒸着材 4により成膜される基板 5を蒸発源 3と対向するよう に配設保持するものである。また、基板保持部材 6は、図 2における防着板 7の斜線 部で示された場所である取付部 10に取り付けられている。なお、図 2は、図 1で示さ れる真空容器 2の左側面に取り付けられている防着板 7を示したものであり、真空容 器 2のその他の面に取り付けられる防着板については、取付部 10は配設されていな い。なお、この基板保持部材 6は真空容器 2内に着脱自在である。
[0034] 防着板 7は、蒸着材 4が付着することが可能で、蒸着材 4と反応しな 、材質のものが 用いられ、例えばステンレス,アルミニウムなどの金属が用いられる。また、この防着 板 7は、図 1に示されるように、蒸発源 3と基板 5とを取り囲む空間に配設されるもので あり、具体的には、防着板 7は、直方体である真空容器 2の底面以外の内壁に沿うよ うに配設されている。つまり、防着板 7は真空容器 2内側の底面以外の面である、側 面と上面との 5つの面のそれぞれに、独立して防着板 7が取り付けられている。なお、 図 1の正面および奥側の面に配設される防着板 7については、図 1での図示を省略 している。
[0035] さらに、図 1および図 2に示されるように防着板 7は、この防着板 7を冷却する液冷用 配管 11と防着板 7を加熱するヒータ 12とを配設した金属体 13と、この金属体 13とは 別体の金属力もなる板材 14と、を取り付けたものである。また、図 1に示す防着板 7の 板材 14の蒸発源 3と対向する面には、蒸着材 4を成膜している状態において、蒸発 源 3から蒸発した蒸着材 4が付着することができる構成となっている。さらに、この防着 板 7の板材 14の温度を検出するための温度センサ 15が取り付けられており、図 3に 示すように、この温度センサ 15により検出された温度は、温度信号として冷却制御装 置 16および加熱制御装置 17に出力される構成となっている。なお、この板材 14は 金属体 13に対して、さらに金属体 13は真空容器 2に対して、ネジ等(図示省略)によ り取り付けられ、着脱可能となっている。
[0036] また、液冷用配管 11は、例えば、図 2に示すように金属体 13内を一本の配管が蛇 行して配設されたものであり、冷却制御装置 16により液冷用配管 11に冷却液 Lを循 環させ、防着板 7自体の熱を吸収することで防着板 7を冷却されるものである。
[0037] 具体的には、図 3に示すように各防着板 7の液冷用配管 11の一方である流入口 11 a (図 2参照)には、冷却液供給管 18が接続され、液冷用配管 11の他方である流出 口 l ib (図 2参照)には、冷却液排出管 19が接続されている。さらに、冷却液供給管 18と冷却液排出管 19とは、冷却制御装置 16の熱交 に接続されている。
[0038] 熱交 は、冷却液排出管 19からの冷却液 Lを貯留し、冷媒管 21によって冷 却液 Lを所定の冷却温度にまで冷却するためのタンク 22と、このタンク 22に貯留され た冷却液 Lを送り出すポンプ 23と、ポンプ 23から送り出された冷却液 Lを冷却液供給 管 18に供給または停止させる電磁開閉弁 24と、タンク 22からポンプ 23,ポンプ 23か ら冷却液 Lを電磁開閉弁 24に導く配管とが備えられている。なお、図 3において、防 着板 7,電磁開閉弁 24を各 3個記載しているが、この実施例の場合、防着板 7は 5個 あり、また、電磁開閉弁 24は、防着板 7に対応した数(5個)備えられているものである
[0039] さらに、冷却制御装置 16は基板 5に蒸着材 4を成膜している状態において、蒸着材 4が軟化する温度以下に設定を行うことができる冷却温度設定部 25が設けられ、この 冷却温度設定部 25で設定された温度と、防着板 7に配設された温度センサ 15で検 出された温度とを比較する冷却温度比較部 26が設けられて 、る。この冷却温度比較 部 26での比較された結果、温度センサ 15で検出された温度が冷却温度設定部 25 で設定された温度以上である場合には、冷却制御装置 16は、冷媒管 21内に流れる 冷媒を制御することで、タンク 22に貯留されて ヽる冷却液 Lを冷却温度設定部 25で 設定された温度以下に冷却する。さらに、冷却制御装置 16は、ポンプ 23によりタンク 22に貯留されている冷却液 Lを送り出し、電磁開閉弁 24を開状態に制御することで 、防着板 7内の液冷用配管 11に冷却液 Lを循環させ、冷却温度設定部 25で設定さ れた温度以下に防着板 7を冷却する構成となっている。例えば、蒸着材 4をァモルフ ァスセレンとして用いる場合、冷却温度設定部 25で設定する温度を、このァモルファ スセレンにおける融点に達する前に軟ィ匕し始める温度が 90° Cであること力ら、 90° C以下に設定し、この設定に基づいて、タンク 22に貯留される冷却液 Lが 90° C以 下の温度になる構成である。なお、上述した液冷用配管 11,冷却液供給管 18,冷却 液排出管 19,冷却制御装置 16は、本発明における冷却手段に相当する。
[0040] 次に、ヒータ 12について説明する。金属体 13内のヒータ 12は、図 2に示すように金 属体 13の外形に合わせた形状であり、液冷用配管 11の流入口 11a,流出口 l ib付 近および、取付部 10,温度センサ 15付近については、ヒータ 12は配設されていない 構成である。このヒータ 12は、例えば、シースヒータ、ラバーヒータなどが用いられ、真 空容器 2外に備えられた加熱制御装置 17からの通電 (電流制御)に基づいて、発熱 されるちのである。
[0041] 具体的には、加熱制御装置 17は、ヒータ 12を加熱させる温度を設定することがで きる構成となっている。例えば、図 3に示すように加熱制御装置 17には、基板 5に蒸 着材 4を成膜していない状態において、蒸着材 4が融点に達する前に軟化する物質 である場合には、軟化し始める温度以上、かつ蒸着材 4の融点未満の温度に防着板 7を加熱する設定を行うことができ加熱温度設定部 27が設けられ、さらに、この加熱 温度設定部 27で設定された温度と、防着板 7に配設された温度センサ 15で検出さ れた温度とを比較する加熱温度比較部 28が設けられて 、る。この加熱温度比較部 2 8での比較された結果、温度センサ 15で検出された温度が加熱温度設定部 27で設 定された温度以下である場合には、加熱温度設定部 27で設定された温度に基づく 電流がヒータ 12に流れ、このヒータ 12は、電流に応じた温度に発熱させることができ る構成となっている。例えば、蒸着材 4をアモルファスセレンとして用いる場合は、この アモルファスセレンは、 90° Cぐらいの温度で軟化し始め、 120° Cぐらいの温度で 自重により剥離し始め、さらに融点の温度は 240° Cであることから、 90° C以上 24 0° C未満の温度になるように加熱制御装置 17により加熱制御される。したがって、 防着板 7に付着した蒸着材 4が軟らかくなり、変形し、さらに、防着板 7に付着した蒸 着材 4が所定の膜厚がある場合には、防着板 7から自重で剥離し始めるようになって いる。
[0042] また、防着板 7に付着した蒸着材 4が自重で落ちな!/、程度の膜厚しか付 、て!、な ヽ 場合には、上述したように基板に蒸着材を成膜していない状態で、防着板 7をヒータ 12およびヒータ 12を加熱制御する加熱制御装置 17により、防着板 7を所定の時間 加熱した後、防着板 7を冷却する液冷用配管 11および液冷用配管 11に流れる冷却 液 Lを制御する冷却制御装置 16を用いて冷却することで、蒸着材 4と防着板 7とに熱 膨張差が生じ、防着板 7に付着した蒸着材 4が剥離される構成となっている。なお、 上述したヒータ 12,加熱制御装置 17は、本発明における加熱手段に相当する。
[0043] 次に、図 4のフローチャートを参照しながら上述した構成の真空蒸着装置による処 理の流れについて説明する。図 4は、真空蒸着装置による処理の流れを示すフロー チャートである。なお、蒸着材 4は融点に達する前に軟ィ匕する物質であるァモルファ スセレンが用いられている。
[0044] 〔ステップ Sl〕まず、真空容器 2内の基板保持部材 6に基板 5を取り付け、冷却制御 装置 16の冷却温度設定部 25で所定の温度に設定する。ここで所定の温度をァモル ファスセレンが軟ィヒし始めない温度である 90° C以下の温度にする必要があり、例え ば 50° Cに設定する。また、真空ポンプ 1により真空容器 2を真空状態にし、さらに蒸 発源 3により蒸着材 4を加熱することにより蒸気にし、基板 5に蒸着材 4を成膜させる。 また、蒸発源 3と基板 5とを取り囲む空間に配設された防着板 7の板材 14に蒸発源 3 からの蒸着材 4が付着する。
[0045] 〔ステップ S2〕冷却制御装置 16は、冷却温度比較部 26で各防着板 7内に配設され た温度センサ 15で検出された温度と、冷却温度設定部 25で設定された温度 (この場 合 50° C)とを比較し、防着板 7に配設された全ての温度センサ 15で検出された温 度が冷却温度設定部 25で設定された温度以上である力否かを判別する。温度セン サ 15で検出された温度が冷却温度設定部 25で設定された温度以上である場合に は、ステップ S3に進み、温度センサ 15で検出された温度が冷却温度設定部 25で設 定された温度以下である場合には、ステップ S4に進む。
[0046] 〔ステップ S3〕冷却制御装置 16の冷媒管 21内に流れる冷媒を制御し、タンク 22に 貯留されて ヽる冷却液 Lを冷却温度設定部 25で設定された温度以下に冷却する。さ らに、冷却制御装置 16は、ポンプ 23によりタンク 22に貯留されている冷却液 Lを送り 出し、電磁開閉弁 24を開状態に制御することで、防着板 7内の液冷用配管 11に冷 却液 Lを循環させ、冷却温度設定部 25で設定された温度以下に防着板 7を冷却す る。
[0047] 〔ステップ S4〕基板 5の成膜作業が終了したか否力判別する。なお、ここでの「基板 の成膜作業が終了」とは、蒸発源 3により蒸着材 4が加熱および蒸発されていない状 態であり、さらに、防着板 7が常温に冷却されている状態を示す。ここで、蒸着材 4に よる基板 5への成膜が終了した場合には、ステップ S5に進み、基板 5の成膜が終了 していない場合は、ステップ S2に戻る。つまり、基板 5の成膜が終了していない場合 には、ステップ S2〜ステップ S3が繰り返される。
[0048] 〔ステップ S5〕加熱制御装置 17の加熱温度設定部 27で防着板 7を加熱する所定 の温度を設定する。ここで、アモルファスセレンは、 120° Cぐらいの温度で自重によ り剥離し始め、融点の温度は 240° Cであることから、例えば、所定の温度を 120° C〜240° Cの範囲内である 160° Cに設定する。さらに、再度真空ポンプ 1により真 空容器 2を真空状態にする。なお、〔ステップ S5〕で、真空容器 2内から蒸着材 4によ り成膜された基板 5を取り出してもょ ヽし、基板 5を取り出さずにステップ 6に進んでも よい。
[0049] 〔ステップ S6〕加熱制御装置 17は、加熱温度比較部 28で各防着板 7内に配設され た温度センサ 15で検出された温度と、加熱温度設定部 27で設定された温度 (この場 合 160° C)とを比較し、防着板 7に配設された全ての温度センサ 15で検出された温 度が加熱温度設定部 27で設定された温度以上である力否かを判別する。温度セン サ 15で検出された温度が加熱温度設定部 27で設定された温度以下である場合に は、ステップ S7に進み、温度センサ 15で検出された温度が加熱温度設定部 27で設 定された温度以上である場合には、ステップ S8に進む。
[0050] 〔ステップ S7〕加熱制御装置 17は、各防着板 7内に配設されたヒータ 12に通電し、 加熱させ、ステップ S6に戻る。つまり、加熱制御装置 17は、温度センサ 15で検出さ れた温度が加熱温度設定部 27で設定された温度以上になるまで、防着板 7は加熱 される。
[0051] 〔ステップ S8〕加熱制御装置 17により防着板 7を加熱することを止め、所定時間経 過し防着板 7が常温になった後に、防着板 7に付着している一部が剥離している状態 (防着板 7から浮いている状態)の蒸着材 4を搔きとる。なお、この場合、防着板 7を冷 却する液冷用配管 11および液冷用配管 11に流れる冷却液 Lを制御する冷却制御 装置 16を用いることで、防着板 7を常温付近まで冷却する時間を短縮することが可 能である。
[0052] 上述した真空蒸着装置によれば、真空容器 2内における、蒸発源 3と、基板 5を蒸 発源 3と対向するように配設保持する基板保持部材 6と取り囲む空間に配設され、蒸 発源 3から蒸発した蒸着材 4が付着することが可能な防着板 7と、基板 5に蒸着材 4を 成膜していない状態において、防着板 7を加熱するヒータ 12およびヒータ 12を加熱 制御する加熱制御装置 17とを備えて 、るので、このヒータ 12により加熱された防着 板 7の蒸着材 4は、この防着板 7に付着している一部が剥離している状態(防着板 7か ら浮いている状態)となり、容易に引き剥がすことができる状態となる。つまり、真空容 器 2内から基板 5に不純な膜を成膜させる要因となる蒸着材 4を容易に取り除くことが できる。その結果、基板 5に不純な膜が成膜されることを防止することができる。 [0053] また、防着板 7を冷却する液冷用配管 11および液冷用配管 11に流れる冷却液 Lを 制御する冷却制御装置 16を備えているので、基板 5に蒸着材 4を成膜している状態 において、防着板 7に付着している蒸着材 4が蒸発源 3からの輻射熱により加熱され 、再蒸発することがない。つまり、防着板 7に付着した蒸着材 4が再蒸発し、基板 5に 付着することを防ぐことができる。
[0054] 基板 5に蒸着材 4を成膜して 、な 、状態で、防着板 7をヒータ 12およびヒータ 12を 加熱制御する加熱制御装置 17により加熱した後に、防着板 7を冷却する液冷用配 管 11および液冷用配管 11に流れる冷却液 Lを制御する冷却制御装置 16を用いて 冷却させ、蒸着材 4と防着板 7とに熱膨張差が生じさせることができる。したがって、防 着板 7に付着した自重で落ちな!/ヽ程度の膜厚の蒸着材 4を、熱膨張差を利用して剥 離させることができる。これらの結果、基板 5に不純な膜が成膜されることを防止する ことができる。
[0055] また、基板 5を真空容器 2内で保持する基板保持部材 6を備え、基板保持部材 6は 真空容器 2内に着脱自在であるので、真空容器 2内の防着板 7に付着している蒸着 材 4を取り除く作業を行う場合に、基板保持部材 6を取り外すことで、基板保持部材 6 が邪魔にならず作業を行い易くなる。
[0056] また、蒸発源 3は真空容器 2内に着脱自在であるので、真空容器 2内の防着板 7に 付着している蒸着材 4を取り除く作業を行う場合に、蒸発源 3を取り外すことで、蒸発 源 3が邪魔にならず作業を行い易くなる。
[0057] この発明は、上記実施形態に限られることはなぐ下記のように変形実施することが できる。
[0058] (1)上述した実施例では、蒸発源 3は、間接加熱型のヒータ加熱蒸発源を用いて説 明したが、同じ間接加熱型の高周波誘導により蒸着材 4を加熱蒸発させる高周波加 熱蒸発源を用いてもよい。また、直接加熱型の抵抗加熱蒸発源、その他電子ビーム 加熱蒸発源などを用いるようにしてもょ ヽ。
[0059] (2)上述した実施例では、防着板 7は、例えば、ステンレス,アルミニウムなどの金 属体 13を用いるようにしていた力 セラミック,耐熱性榭脂などを用いようにしてもよい [0060] (3)上述した実施例では、板材 14は、金属を用いるようにして!/、たが、耐熱性の榭 脂などなどを用いようにしてもょ 、。
[0061] (4)上述した実施例では、加熱制御装置 17の加熱温度設定部 27で防着板 7をカロ 熱する所定の温度を 160° Cに設定し、防着板 7が常温になった後に、防着板 7に 付着して 、る一部が剥離して 、る状態(防着板 7から浮 、て 、る状態)の蒸着材 4を 搔きとるようにしていた力 ここで、アモルファスセレンは、軟化し始める温度は 90° C ぐらいであり、自重により剥離し始めるのが 120° Cぐらいの温度であることから、例え ば、所定の温度を 90° C〜120° Cの範囲内である 100° Cに設定し、この 100° Cの状態でさらに、防着板 7に付着している一部が剥離している状態(防着板 7から 浮 、て 、る状態)の蒸着材 4を搔きとるようにしてもよ 、。
[0062] (5)上述した実施例では、蒸着材 4が融点に達する前に軟化する物質であるとして 説明したが、基板 5に蒸着材 4を成膜していない状態において、蒸着材 4が融点に達 する前に軟化する物質ではな 、、例えば誘電体 (熱膨張係数の小さ!、物質)である 場合には、防着板 7を金属などの熱膨張係数の大きい物質を用いて、防着板 7を加 熱制御装置 17により加熱する制御を行い、この加熱により蒸着材 4と防着板 7との熱 膨張差による応力を利用して、防着板 7に付着した蒸着材 4を剥離させ始めるよう〖こ してもよい。なお、防着板 7に付着した蒸着材 4を搔きとる方法としては、加熱制御装 置 17により防着板 7を加熱することを止め、防着板 7が常温になった後に、防着板 7 に付着して 、る一部が剥離して 、る状態(防着板 7から浮 、て 、る状態)の蒸着材 4 を搔きとる。したがって、この防着板 7から剥離し始めた状態では、防着板 7から容易 に引き剥がすことができる。つまり、真空容器 2内から基板 5に不純な膜を成膜させる 要因となる蒸着材 4を容易に取り除くことができる。
[0063] (6)上述した実施例では、蒸着材 4が融点に達する前に軟化する物質であるとして 説明したが、基板 5に蒸着材 4を成膜していない状態において、蒸着材 4が融点に達 する前に軟ィ匕する物質ではない、例えば金属 (熱膨張係数の大きい物質)である場 合には、防着板 7を誘電体 (セラミックなど)などの熱膨張係数の小さ!/、物質を用いて 、防着板 7を加熱制御装置 17により加熱する制御を行い、この加熱により蒸着材 4と 防着板 7との熱膨張差による応力を利用して、防着板 7に付着した蒸着材 4を剥離さ せ始めるようにしてもよい。なお、防着板 7に付着した蒸着材 4を搔きとる方法としては 、加熱制御装置 17により防着板 7を加熱することを止め、防着板 7が常温になった後 に、防着板 7に付着して 、る一部が剥離して 、る状態(防着板 7から浮 、て 、る状態) の蒸着材 4を搔きとる。したがって、この防着板 7から剥離し始めた状態では、防着板 7から容易に引き剥がすことができる。つまり、真空容器 2内から基板 5に不純な膜を 成膜させる要因となる蒸着材 4を容易に取り除くことができる。
(7)上述した実施例では、真空容器 2は、直方体とする形状としたが、円筒形など 他の形状にしてもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 蒸着材を加熱して蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源から蒸発した蒸着材により成膜 される基板を前記蒸発源と対向するように配設保持する基板保持部材と、前記蒸発 源および前記基板保持部材を収容し、内部を真空状態にする真空容器と、前記真 空容器内における、前記蒸発源と前記基板保持部材とを取り囲む空間に配設され、 前記蒸発源から蒸発した蒸着材が付着することが可能な防着板と、前記基板に蒸着 材を成膜していない状態において、前記防着板を加熱する加熱手段と、を備えてい ることを特徴とする真空蒸着装置。
[2] 請求項 1に記載の真空蒸着装置にお!、て、前記防着板を冷却する冷却手段を備 えて!/ヽることを特徴とする真空蒸着装置。
[3] 請求項 1に記載の真空蒸着装置にぉ 、て、前記防着板の熱膨張係数は、蒸着材 の熱膨張係数より大きいものであることを特徴とする真空蒸着装置。
[4] 請求項 1に記載の真空蒸着装置にぉ 、て、前記防着板の熱膨張係数は、蒸着材 の熱膨張係数より小さいものであることを特徴とする真空蒸着装置。
[5] 請求項 1に記載の真空蒸着装置にお!、て、前記基板保持部材は前記真空容器内 に着脱自在であることを特徴とする真空蒸着装置。
[6] 請求項 1に記載の真空蒸着装置において、前記蒸発源は前記真空容器内に着脱 自在であることを特徴とする真空蒸着装置。
[7] 蒸着材を加熱して蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源から蒸発した蒸着材により成膜 される基板を前記蒸発源と対向するように配設保持する基板保持部材と、前記蒸発 源および前記基板保持部材を収容し、内部を真空状態にする真空容器と、前記真 空容器内における、前記蒸発源と前記基板保持部材とを取り囲む空間に配設され、 前記蒸発源から蒸発した蒸着材が付着することが可能な防着板とを備えた真空蒸着 装置のクリーニング方法であって、前記基板に蒸着材を成膜していない間に、前記 防着板に付着した蒸着材を加熱し、蒸着材を除去することを特徴とするクリーニング 方法。
[8] 蒸着材を加熱して蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源から蒸発した蒸着材により成膜 される基板を前記蒸発源と対向するように配設保持する基板保持部材と、前記蒸発 源および前記基板保持部材を収容し、内部を真空状態にする真空容器と、前記真 空容器内における、前記蒸発源と前記基板保持部材とを取り囲む空間に配設され、 前記蒸発源から蒸発した蒸着材が付着することが可能な防着板とを備えた真空蒸着 装置のクリーニング方法であって、前記基板に蒸着材を成膜していない間に、前記 防着板に付着した蒸着材を加熱し、その後に冷却を行い、蒸着材を除去することを 特徴とするクリーニング方法。
蒸着材を加熱して蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源から蒸発した蒸着材により成膜 される基板を前記蒸発源と対向するように配設保持する基板保持部材と、前記蒸発 源および前記基板保持部材を収容し、内部を真空状態にする真空容器と、前記真 空容器内における、前記蒸発源と前記基板保持部材とを取り囲む空間に配設され、 前記蒸発源から蒸発した蒸着材が付着することが可能な防着板とを備えた真空蒸着 装置のクリーニング方法であって、前記基板に蒸着材を成膜している間は、前記防 着板に付着した蒸着材を冷却し、前記基板に蒸着材を成膜していない間に、前記防 着板に付着した蒸着材を加熱し、その後に冷却を行い、蒸着材を除去することを特 徴とするクリーニング方法。
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