WO2007046416A1 - 電子部品実装方法 - Google Patents

電子部品実装方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007046416A1
WO2007046416A1 PCT/JP2006/320742 JP2006320742W WO2007046416A1 WO 2007046416 A1 WO2007046416 A1 WO 2007046416A1 JP 2006320742 W JP2006320742 W JP 2006320742W WO 2007046416 A1 WO2007046416 A1 WO 2007046416A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electronic component
component mounting
thermosetting resin
substrate
bump
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/320742
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tadahiko Sakai
Hideki Eifuku
Osamu Suzuki
Satomi Kawamoto
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Namics Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Namics Corporation filed Critical Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority to KR1020087008483A priority Critical patent/KR101242945B1/ko
Priority to US12/090,528 priority patent/US8025205B2/en
Priority to JP2007541003A priority patent/JP4242442B2/ja
Priority to EP06821936A priority patent/EP1950801B1/en
Publication of WO2007046416A1 publication Critical patent/WO2007046416A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83102—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus using surface energy, e.g. capillary forces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component mounting method in which bumps formed on an electronic component are metal-bonded to an electrode of a substrate.
  • thermosetting resin As a method of sealing the resin, a so-called “post-coating” in which a thermosetting resin is injected into the gap between the electronic component and the substrate after metal bonding between the bump and the electrode has been conventionally performed.
  • post-coating in which a thermosetting resin is injected into the gap between the electronic component and the substrate after metal bonding between the bump and the electrode has been conventionally performed.
  • first coating in which a thermosetting resin is applied to a substrate in advance before mounting the electronic component on the substrate
  • the solvent component and moisture in the resin are gasifying forces. If the resin is confined in the gap between the substrate and the electronic component, The gasified gas remains in the resin as it is, and voids are generated as well. Such a void not only impairs the strength of the sealing resin as the resin reinforcing part, but also causes damage due to explosion due to expansion of the internal gas when heated after mounting. Yes, it is desirable to prevent the generation of voids as much as possible.
  • a resin containing a filler is frequently used in order to adjust physical properties (such as a linear expansion coefficient) after bonding (curing).
  • physical properties such as a linear expansion coefficient
  • an object of the present invention is to solve the above-described problem, and to reinforce by sealing with grease.
  • the object is to provide an electronic component mounting method that can sufficiently secure the effect and has excellent bonding reliability after mounting.
  • the present invention is configured as follows.
  • the bump formed on the electronic component is electrically connected to the electrode formed on the electronic component mounting region of the substrate by metal bonding.
  • the liquid thermosetting resin is in a liquid mass state so that a part thereof is disposed in the electronic component mounting region and the remainder of the liquid amount larger than the part is disposed outside the electronic component mounting region. Placed on the surface of the substrate at
  • thermocompression bonding head holding the electronic component is lowered toward the substrate to bring the bump forming surface of the electronic component into contact with the part of the liquid-cured thermosetting resin, and the bump.
  • the electronic component With the bump pressed against the electrode, the electronic component is heated by the thermocompression bonding head to perform metal bonding between the bump and the electrode, and with the electronic component in the electronic component mounting region of the substrate.
  • the cured thermoset resin is heated by heating the thermosetting resin so as to promote the penetration of the thermosetting resin in the liquid mass state into the gap between them and the thermosetting reaction of the entered thermosetting resin. Bonding the above electronic components to the substrate via a curable resin,
  • thermocompression bonding head is detached from the electronic component and the electronic component is mounted on the substrate.
  • the part of the liquid thermosetting resin is disposed so as not to cover the electrode of the substrate in the electronic component mounting region.
  • the liquid thermosetting resin is disposed by being applied to the surface of the substrate, and a part of the liquid mass is mounted on the electronic component mounting by the application.
  • the electronic component mounting method according to the first aspect in which the liquid mass shape is formed such that the liquid mass is disposed so as to be disposed in a region and the remaining part of the large liquid amount is disposed outside the electronic component mounting region.
  • the liquid mass of the thermosetting resin includes a liquid mass main body portion arranged outside the electronic component mounting region, and a tip protruding from the liquid mass main body portion.
  • the electronic component mounting method according to the third aspect is provided by forming the part into an integral shape having a tongue-shaped portion that reaches the electronic component mounting region by the application.
  • thermosetting resin by the thermocompression bonding head is continuously performed until the thermosetting resin is cured.
  • thermosetting resin is cured.
  • the bump formed on the electronic component is electrically connected to the electrode formed on the electronic component mounting region of the substrate by metal bonding.
  • thermosetting resin is disposed in a liquid mass on the outer surface of the electronic component mounting area of the substrate,
  • thermocompression bonding head holding the electronic component is lowered toward the substrate to press the bump against the electrode of the substrate, and the thermosetting plate disposed outside the electronic component mounting region.
  • a part of the liquid mass of the oil flows so as to reach the electronic component mounting area, the part of the thermosetting resin contacts the bump forming surface of the electronic component, and the bump is attached to the electrode.
  • the electronic component is heated by the thermocompression bonding head in a pressed state, and the bump is metal-bonded to the electrode, and the gap to the electronic component in the electronic component mounting region of the substrate is
  • the thermosetting resin is heated so as to promote the intrusion of the liquid thermosetting resin and the thermosetting reaction of the entering thermosetting resin, and the cured thermosetting resin is passed through the cured thermosetting resin.
  • thermocompression bonding head is detached from the electronic component and the electronic component is mounted on the substrate.
  • the contact of the thermosetting resin with the electronic component flows into the electronic component mounting region after the bump is pressed against the electrode.
  • the electronic component mounting method according to the sixth aspect is performed, wherein a part of the thermosetting resin is brought into contact with the electronic component.
  • the bump formed on the electronic component is electrically connected to the electrode formed on the electronic component mounting region of the substrate by metal bonding.
  • thermocompression bonding step in which the thermocompression bonding head holding the electronic component is lowered toward the substrate and heated while pressing the bump against the electrode of the substrate;
  • thermocompression bonding step is continued until at least the gap is filled with the thermosetting resin and the bump is metal-bonded to the electrode.
  • thermocompression bonding step is continued until the thermosetting resin filled in the gap is cured.
  • thermosetting resin in the thermocompression bonding in which the electronic component is heated by the thermocompression bonding head and the bump and the electrode are metal-bonded, the thermosetting resin is “capillary phenomenon” into the gap between the electronic component and the substrate. , Or by injecting liquid thermosetting resin into the gap between the electronic component and the substrate during thermocompression to prevent voids generated by air bubbles being trapped in the sealing resin
  • the joint between the bump and electrode can be reinforced with a thermosetting resin that has already been heat-cured to prevent breakage of the joint due to thermal stress generated during the cooling process after metal bonding. As a result, an electronic component mounting method having excellent bonding reliability after mounting is realized.
  • FIG. 1A is a process explanatory diagram of an electronic component mounting method that works on the first embodiment of the present invention, and shows a state in which a thermosetting resin is disposed;
  • FIG. 1B is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the first embodiment, following FIG. 1A, and shows a state in which bumps are thermocompression bonded to electrodes;
  • FIG. 1C is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the first embodiment, following FIG. 1B. It is a diagram showing a state in which the thermosetting resin has entered the gap between the electronic component and the substrate,
  • FIG. 1D is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method of the first embodiment, following FIG. 1C, and shows a state in which the resin is thermally cured;
  • FIG. 1E is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the first embodiment, following FIG. 1D, and shows a state where the electronic component is mounted on a substrate;
  • FIG. 2A is a schematic explanatory view of a resin arrangement form in the electronic component mounting method of the first embodiment, and shows a state in which a liquid mass is arranged,
  • FIG. 2B is a schematic explanatory view of the state of entering the resin in the electronic component mounting method according to the first embodiment, wherein the resin enters the gap between the electronic component and the substrate.
  • FIG. 2B is a schematic explanatory view of the state of entering the resin in the electronic component mounting method according to the first embodiment, wherein the resin enters the gap between the electronic component and the substrate.
  • FIG. 3A is a schematic explanatory view of a resin arrangement mode which is useful for a modification in the electronic component mounting method of the first embodiment.
  • FIG. 3B is a schematic explanatory view of a resin arrangement mode that is useful for a modification of the electronic component mounting method of the first embodiment.
  • FIG. 4A is a schematic explanatory view of a resin arrangement mode that is effective in a modification of the electronic component mounting method of the first embodiment.
  • FIG. 4B is a schematic explanatory view of a resin arrangement mode that is useful for a modification of the electronic component mounting method of the first embodiment.
  • FIG. 5A is a process explanatory diagram of an electronic component mounting method that works on the second embodiment of the present invention, and shows a state in which a thermosetting resin is disposed,
  • FIG. 5B is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the second embodiment, following FIG. 5A, and shows a state in which the bumps are thermocompression bonded to the electrodes.
  • FIG. 5C is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the second embodiment, following FIG. 5B, in which the thermosetting resin has entered the gap between the electronic component and the substrate.
  • FIG. 5C is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the second embodiment, following FIG. 5B, in which the thermosetting resin has entered the gap between the electronic component and the substrate.
  • FIG. 5D is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the second embodiment, following FIG. 5C, and shows a state in which the resin is thermally cured
  • FIG. 5E is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the second embodiment, following FIG. 5D, and shows a state in which the electronic component is mounted on the substrate;
  • FIG. 6A is a schematic explanatory view of a resin arrangement form in the electronic component mounting method of the second embodiment, showing a state in which a thermosetting resin is arranged outside the electronic component mounting area.
  • FIG. 6B is a schematic explanatory view of a resin arrangement form in the electronic component mounting method of the second embodiment, showing a state in which a part of the resin flows in the electronic component mounting region. Yes,
  • FIG. 7A is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the third embodiment of the present invention, and shows a state in which the electronic component and the substrate are positioned;
  • FIG. 7B is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the third embodiment, following FIG. 7A, and shows a state in which bumps are thermocompression bonded to the electrodes;
  • FIG. 7C is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method of the third embodiment, following FIG. 7B, in which thermosetting resin is injected into the gap between the electronic component and the substrate. It is a diagram showing the state,
  • FIG. 7D is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the third embodiment, following FIG. 7C, and shows a state in which the resin is thermally cured;
  • FIG. 7E is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method according to the third embodiment, following FIG. 7D, and shows a state in which the electronic component is mounted on the substrate.
  • FIGS. 1A to 1E are process explanatory diagrams of the electronic component mounting method according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2A is a schematic explanatory diagram of a resin arrangement configuration in the electronic component mounting method according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2B is an explanatory diagram of the state of entering the grease in the electronic component mounting method according to the first embodiment of the present invention
  • FIGS. 3A and 3B, and FIGS. 4A and 4B are the first embodiment of the present invention. It is a schematic explanatory drawing of the modification of the resin arrangement
  • an electronic component mounting method will be described with reference to FIGS. 1A to 1E, FIG. 2A, and FIG. 2B.
  • an electronic component mounting area la (or an electronic component mounting area) la on which the electronic component 5 is mounted is set on the surface of the substrate 1, and a plurality of electrodes 2 are formed in the electronic component mounting area la. (See also Figure 2A).
  • bumps 6 as connection electrodes are formed of a conductive metal such as gold or solder.
  • the electronic component 5 is sucked and held by the thermocompression bonding head 7 provided with the suction hole 7a for holding the component suction and the heating means for heating the component, and the electronic component By pressing 5 against the substrate 1 while heating, each bump 6 and the electrode 2 are individually metal-bonded and electrically connected.
  • various joining methods can be applied as the metal joining.
  • the bump 6 is soldered to the electrode 2 using a solder bonding material supplied in advance, or the bump 6 is heated while pressing the bump 6 against the gold-plated electrode 2.
  • a method in which the lower end portion of the amplifier 6 is metal-bonded to the surface of the electrode 2 can be used.
  • solder bumps are used as the bumps 6, the electronic components 5 are heated by the thermocompression bonding head 7 to melt the bumps 6 and solder them to the electrodes 2.
  • thermosetting resin 3 is arranged on the surface of the substrate 1 in the state of a liquid mass 3A (resin arrangement process). That is, as shown in FIG. 1A, the dispensing nozzle 4 that discharges the liquid thermosetting resin 3 is two-dimensionally moved outside the electronic component mounting area la, thereby moving the liquid outside the electronic component mounting area la.
  • a liquid mass 3A is formed by applying the thermosetting resin 3 in a predetermined shape.
  • the resin coating shape of the thermosetting resin 3 is the liquid body 3a of the liquid body 3A applied outside the electronic component mounting area la, and the tip protruding from the liquid body 3b.
  • the application operation of the dispensing nozzle 4 is controlled so that the part has a shape (see FIG. 2A) having a tongue-like part 3a that reaches the electronic component mounting area la.
  • a part of the liquid mass 3A is removed from the liquid mass 3A rather than a part that has entered the electronic component mounting area 1a in the form of the tongue 3a of the liquid mass 3A.
  • the resin coating shape is controlled so that the liquid body 3b has a larger liquid volume.
  • liquid mass 3A is arranged in the electronic component mounting area la, and the remaining liquid larger than this part is placed outside the electronic component mounting area la.
  • this liquid mass distribution state is implement
  • a “liquid mass” is an aggregate of liquid thermosetting resin, and it can be easily flowed by applying an external force or the like while maintaining a liquid state. I have a state that I do.
  • the grease application shape is controlled so that the tongue-like portion 3a that has entered the electronic component mounting region la does not cover the electrode 2 in the electronic component mounting region la. This is desirable.
  • the filler particles contained in the thermosetting resin 3 are not squeezed into the bonding interface between the bump 6 and the electrode 2, and a good metal is obtained. Joining is realized.
  • the bump 6 is aligned with the electrode 2, and as shown in FIG. 1B, the thermocompression bonding head 7 holding the electronic component 5 is lowered toward the substrate 1 to bring the bump 6 into contact with the electrode 2. .
  • the heating of the bump 6 by the thermocompression bonding head 7 has already started, and when the bump 6 contacts the thermosetting resin 3, the bump 6 is in a heated state.
  • the lower surface of the electronic component 5 is brought into contact with the tongue-shaped portion 3a of the thermosetting resin 3 reaching the electronic component mounting area la, and the bump 6 is pressed against the electrode 2 (contact process).
  • the timing at which the bump 6 contacts the electrode 2 and the timing at which the lower surface of the electronic component 5 contacts the thermosetting resin 3 are preceded by almost the same timing. It may be completely simultaneous.
  • thermocompression bonding head 7 a heating process is started in which the bump 6 is pressed against the substrate 1 while being heated by the thermocompression bonding head 7.
  • the bump 6 and the electrode 2 are metal-bonded by heating the electronic component 5 with the thermocompression bonding head 7 in a state where the bump 6 is in contact with the electrode 2.
  • the penetration of the thermosetting resin 3 into the gap between the electronic component 5 and the substrate 1 is promoted (the first heating process described later), and thereafter
  • thermosetting reaction of the thermosetting resin 3 entering and filling the gap is promoted (second heating step described later).
  • thermosetting resin 3 increases in temperature, decreases in viscosity, and increases in fluidity.
  • the thermosetting resin 3 starts to enter the gap between the substrate 1 and the electronic component 5 by capillary action.
  • FIG. 2B as the thermosetting resin 3 spreads in the gap by the capillary phenomenon, the thermosetting resin 3 of the liquid mass 3A outside the electronic component mounting area la 3 Is heated and sucked into the gap while the viscosity decreases, and the liquid mass 3A gradually shrinks. From this, most of the thermosetting resin 3 initially supplied in the form of the liquid mass 3A enters the gap between the substrate 1 and the electronic component 5 and seals the gap.
  • thermosetting resin 3 used here is used in the above-described heating step during the joining process of metal joining the electrode 2 and the bump 6 and at least the lower surface of the electronic component 5 and the substrate 1 It is in a liquid state until it has entered the gap between the two, and after that, the component is adjusted so as to be cured by continuing the heating process.
  • the heating process is performed in two stages. Specifically, in the first heating step, V, a temperature that is lower than the curing temperature of the thermosetting resin 3 and that can sufficiently reduce the viscosity of the resin, in other words, utilizing capillary action.
  • thermosetting resin 3 is heated at a temperature that promotes the penetration of the resin 3 into the gap between the substrate 1 and the electronic component 5, and the resin 3 is filled into the gap. After that, in the second heating step, heating is performed at a temperature higher than the curing temperature of the thermosetting resin 3, so that the resin 3 filled in the gap is surely heat-cured.
  • thermosetting resin 3 by blending a thermosetting resin 3 with one filler component such as silica or alumina having a coefficient of thermal expansion smaller than that of the resin component, thermal stress in the heat cycle is relieved and reliability is reduced. Can be prevented.
  • thermosetting resins include those having physical properties such as a gel time at 150 ° C of 30 seconds to 180 seconds, a viscosity at 25 ° C of 100 mPa's to 100, and OOOmPa's. It is preferable to use it. Specific examples include Chip Coat (registered trademark) U8433L (gel time 110 seconds at 150 ° C., viscosity 8 Pa's at 25 ° C.) manufactured by NAMICS CORPORATION.
  • the heating temperature is increased while continuing the heating and pressing by the thermocompression bonding head 7.
  • the second heating step is performed by setting the temperature higher than the curing temperature of the resin, and this second heating step is performed.
  • the thermosetting reaction of the thermosetting resin 3 proceeds.
  • a resin reinforcing portion 3R is formed that reinforces the periphery of the joint where the bump 6 is metal-bonded to the electrode 2 with the thermosetting resin 3 cured. .
  • thermocompression bonding head 7 is raised and separated from the electronic component 5 (thermocompression bonding head separation step). After that, the electronic component 5 is cooled to room temperature, whereby the entire electronic component mounting process for electrically connecting the bump 6 formed on the electronic component 5 to the electrode 2 by metal bonding is completed.
  • thermosetting resin 3 In this cooling process, thermal stress resulting from the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 1 and the electronic component 5 acts on the joint between the bump 6 and the electrode 2. Since the periphery is reinforced by the grease reinforcement part 3R, there is no problem such as fracture of the joint due to thermal stress. Then, in the process of causing the thermosetting resin 3 to enter the gap between the substrate 1 and the electronic component 5, the end force of the electronic component mounting region la is also directed toward the inside, causing the thermosetting resin 3 to enter by capillary action. As a result, the air in the gap is excluded to the outside by the entering thermosetting resin 3. Therefore, no voids are generated due to bubbles remaining in the gap between the substrate 1 and the electronic component 5.
  • thermosetting resin 3 enters the gap between the electronic component 5 and the substrate 1
  • the electronic component 5 is held by the thermocompression bonding head 7 so that the holding force by vacuum suction and the friction with the electronic component 5 are reduced. Is held by force. Therefore, the electronic component 5 is prevented from being lifted or displaced due to the flow of the thermosetting resin 3, and even when a thin electronic component that is likely to be warped and deformed by heat is targeted, the positional displacement is prevented. It is possible to effectively prevent defects such as poor bonding caused by the above.
  • thermosetting resin 3 since the electronic component 5 is lowered with respect to the substrate 1 and the electronic component 5 comes into contact with the thermosetting resin 3, the mounting timing of the electronic component 5 and the thermosetting resin 3 are determined by the substrate. The timing difference between the timing of starting entry into the gap between 1 and the electronic component 5 is small, and the timing variation is small. Therefore, the state of the thermosetting resin 3 entering the gap can be kept uniform, and the electronic component mounting quality is stabilized and mass quality control is facilitated in mass production.
  • the heating process is continued until the thermosetting resin 3 is cured. However, if the thermosetting resin 3 is cured to the extent that the effect of reinforcing the joint between the bump 6 and the electrode 2 is obtained, the thermosetting reaction is completed and the thermosetting is completed.
  • the heating step may be completed without waiting for the natural resin 3 to fully cure. That is, the thermosetting reaction of the thermosetting resin 3 progressed to some extent, and the reinforcing effect of the joint by the resin reinforcing part 3R reached a level sufficient for the load on the joint due to thermal stress during the cooling process. If it is in a state.
  • the shape of the liquid mass formed by coating the thermosetting resin 3 on the substrate 1 one substantially circular hill-shaped liquid mass 3A is formed.
  • the shape of the liquid mass is not limited to this, for example, as shown in FIGS. 3A, 3B, 4A, and 4B.
  • Various forms can be adopted.
  • FIG. 3A shows an example in which a liquid volume 3B having a liquid volume obtained by dividing one liquid volume 3A into two is formed at two corner portions of the electronic component mounting area la.
  • the liquid mass 3B is provided with a tongue-like portion 3a whose tip reaches the electronic component mounting area la.
  • the liquid mass 3C shown in FIG. 3B is a substantially circular hill-shaped liquid mass similar to the liquid mass 3A, and a part 3c of the liquid mass 3C is located in the electronic component mounting area la without providing the tongue-shaped portion 3a. In this way, the resin coating shape is set.
  • FIG. 4A shows an elliptical hill-shaped liquid mass 3D elongated in one direction instead of the substantially circular hill-shaped liquid mass 3A, along with one side of the electronic component mounting area la.
  • the liquid mass 3D is provided with a plurality of tongue-shaped portions 3a whose leading ends reach the electronic component mounting region la.
  • the example shown in FIG. 4B is a part 3e of the liquid mass 3E in which the tongue-shaped portion 3a is not provided in the example in which the ellipsoidal liquid mass 3E is arranged along one side of the electronic component mounting region la.
  • the resin coating shape is set so that is partially located in the electronic component mounting region la.
  • a part of the liquid mass is disposed in the electronic component mounting area la, and the remainder of the liquid volume larger than this part is disposed in the electronic component.
  • the liquid mass is distributed outside the mounting area la.
  • FIGS. 5A to 5E is a process explanatory diagram of the electronic component mounting method of the second embodiment
  • FIGS. 6A and 6B are the resin arrangement modes in the electronic component mounting method of the second embodiment. It is a schematic explanatory drawing.
  • the resin placement step is performed prior to mounting the electronic component 5 on the substrate 1 as in the first embodiment.
  • the thermosetting resin 3 is applied in a different liquid mass distribution state.
  • an electronic component mounting area la on which the electronic component 5 is mounted is set on the surface of the substrate 1, and a plurality of electrodes 2 are formed in the electronic component mounting area la.
  • Bumps 6 that are connection electrodes are formed on the bump forming surface that is the lower surface of the electronic component 5.
  • thermosetting resin 3 is disposed in a liquid mass 3F state on the outer surface of the electronic component mounting region la of the substrate 1 (resin disposing process). That is, as shown in FIG. 5A, the dispensing nozzle 4 that discharges the liquid thermosetting resin 3 is moved in a two-dimensional plane outside the electronic component mounting region la, so that the liquid is placed outside the electronic component mounting region la.
  • a liquid mass 3F is formed by applying the thermosetting resin 3 in a predetermined shape.
  • thermosetting resin 3 the resin coating shape of the thermosetting resin 3 is such that the entire liquid mass 3F is located outside the electronic component mounting area la. Control dispensing operation. At this time, the thermosetting resin 3 starts to flow immediately after the formation of the liquid mass, and the liquid mass 3F begins to spread around. Then, as time passes, a part 3f of the liquid mass 3F that has spread due to the flow flows as shown in FIG. 6B so as to reach the edge of the electronic component mounting region la (resin flow step).
  • the contact process includes a resin flow process, a pressing process, and a resin contact process.
  • the timing at which the bump 6 contacts the electrode 2 and the timing at which the lower surface of the electronic component 5 contacts the thermosetting resin 3 flowing into the electronic component mounting area la are almost the same timing.
  • thermosetting resin 3 flowing in the electronic component mounting region la contacts the electronic component 5 after the bump 6 is brought into contact with the electrode 2 and pressed. That is, in the contact process, the resin flow process, the pressing process, and the resin contact process may be performed at substantially the same time. More preferably, the fat contact step is performed.
  • thermosetting resin 3 and the electronic component 5 depends on the condition of the resin arrangement, that is, the shape of the liquid mass 3F and the liquid mass arrangement position according to the properties of the thermosetting resin 3 used. It can be controlled by adjusting.
  • thermosetting resin 3 enters the gap between the component 5 and the substrate 1 and accelerates the thermosetting reaction of the entered thermosetting resin 3.
  • thermosetting resin 3 that has flowed into the electronic component mounting region la comes into contact with the heated electronic component 5, the temperature of the thermosetting resin 3 in this part increases and the viscosity of the thermosetting resin 3 increases. Lowers and increases fluidity.
  • the thermosetting resin 3 starts to enter into the gap between the substrate 1 and the electronic component 5 by capillary action, as in the first embodiment.
  • the thermosetting resin 3 spreads in the gap the liquid curable resin 3 in the liquid block 3F outside the electronic component mounting area la is heated and sucked into the gap while the viscosity decreases, and the liquid block 3F gradually shrinks.
  • most of the thermosetting resin 3 initially placed outside the electronic component mounting area la in the form of a liquid mass 3F enters the gap between the substrate 1 and the electrode 2 to seal the gap. To do.
  • thermosetting reaction of the thermosetting resin 3 proceeds by continuing the heating and pressing by the thermocompression bonding head 7.
  • thermocompression bonding head 7 is raised and separated from the electronic component 5 (thermocompression bonding head separation step). Then, after the electronic component 5 is cooled to room temperature, the entire electronic component mounting process for electrically connecting the bump 6 formed on the electronic component 5 to the electrode 2 by metal bonding is completed.
  • thermosetting resin having a property that is relatively easy to flow is used.
  • the resin arrangement process force is useful when the time internal cannot be avoided until the bump contacts the electrode, and the thermosetting resin may flow beyond the limit.
  • the thermosetting resin 3 with strong fluidity is applied to the electronic component mounting area la, problems such as filler entrapment due to the excessively flowing thermosetting resin 3 covering the electrode 2 may occur.
  • the occurrence of such a problem can be prevented by disposing the liquid mass 3A outside the electronic component mounting area la as in the second embodiment.
  • the heating process is continued until the thermosetting resin 3 is cured, but as in the first embodiment, the bumps 6 and If the thermosetting resin 3 is cured to the extent that the effect of reinforcing the joint with the electrode 2 is obtained, wait until the thermosetting reaction is completed and the thermosetting resin 3 is completely cured.
  • the heating process may be finished without
  • FIGS. 7A to 7E are schematic process diagrams of the electronic component mounting method according to the third embodiment.
  • the thermosetting resin 3 previously supplied prior to mounting of the electronic component in the first embodiment and the second embodiment is used. It is to be supplied.
  • the substrate 1 has a plurality of electrodes 2 formed thereon.
  • the electronic component 5 is the same as that shown in the first embodiment, and bumps 6 as connection electrodes are formed on the lower surface thereof.
  • the electronic component 5 is sucked and held by the thermocompression bonding head 7 similar to the first and second embodiments, and pressed against the substrate 1 while being heated.
  • the bump 6 is electrically connected to the electrode 2 by metal bonding.
  • the bump 6 is first aligned with the electrode 2 and the thermocompression bonding head 7 holding the electronic component 5 is lowered toward the substrate 1 as shown in FIG. 7B.
  • the bump 6 is pressed against the electrode 2 and heated (thermocompression process).
  • heating of the electronic component 5 by the thermocompression bonding head 7 mm has already started, and the electronic component 5 is in a heated state.
  • the dispensing nozzle 4 for injecting the resin moves so that the resin can be discharged.
  • thermosetting resin 3 is discharged, and the resin is thermally cured in the gap between the electronic component 5 and the substrate 1. Introduce natural rosin 3 (resin injection process). At this time, the thermosetting resin 3 comes into contact with the heated electronic component 5 and fluidizes, and enters the gap by capillary action as in the first embodiment.
  • thermosetting reaction of the thermosetting resin 3 proceeds.
  • a resin reinforcing portion 3R is formed, which is reinforced with a thermosetting resin 3 that hardens the periphery of the joint where the bump 6 is metal-bonded to the electrode 2.
  • the thermocompression bonding head 7 is raised to stop the heating and pressing of the electronic component 5.
  • the entire process of mounting the electronic component in which the bump 6 formed on the electronic component 5 is electrically connected to the electrode 2 by metal bonding is performed. Is completed.
  • thermosetting resin 3 is cured to the extent that the effect of reinforcing the joint between the bump 6 and the electrode 2 is obtained. If so, the thermocompression bonding process may be completed without waiting for the thermosetting reaction to be completed and the thermosetting resin 3 to be completely cured. That is, in the third embodiment, at least the gap between the electronic component 5 and the substrate 1 is filled with the thermosetting resin 3 and the bump 6 and the electrode 2 are metal-bonded. Continue the thermocompression bonding process.
  • the electronic component 5 and the substrate 1 are bonded in thermocompression bonding in which the bump 6 and the electrode 2 are metal-bonded.
  • the thermosetting resin 3 is allowed to enter the gap by capillary action, or the thermosetting resin 3 is injected into the gap between the electronic component 5 and the substrate 1 during thermocompression bonding.
  • this occurs in electronic component mounting where the bumps are bonded to the electrodes and the gap between the electronic component and the substrate is sealed with the resin placement method of either “post-coating” or “pre-coating”.
  • the following problems can be prevented.
  • the joint between the bump and the electrode is reinforced by the sealing resin that has already been heat-cured in the cooling process after metal bonding. There is no breakage or crack in the joint. This effect is particularly remarkable when lead-free solder is used when bumps are soldered together as the bumps become smaller and the pitch becomes smaller as electronic components become smaller.
  • thermosetting resin enters the gap between the substrate and the electronic component in a state where the bump and the electrode are in contact with each other. Even if a resin containing a filler for adjusting physical properties later is used, the problem that the filler squeezes between the bump and the electrode can be prevented.
  • the electronic component mounting method of the present invention has an effect that the bonding reliability after mounting can be ensured, and the bump formed on the electronic component is electrically connected to the electrode formed on the substrate by metal bonding. This is useful in the field of mounting by connecting to the target.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

　バンプを基板の電極と金属接合により電気的接続する電子部品実装方法において、基板の表面に熱硬化性樹脂を液塊の状態で配置し、電子部品の下面を熱硬化性樹脂に接触させる接触工程において、液塊のうち一部を電子部品搭載領域内に配置しこの一部よりも大液量の残部を電子部品搭載領域外に配置した液塊配分状態で、バンプを電極に位置合わせして押し付け、熱圧着工程において電子部品と基板との間の隙間へ熱硬化性樹脂を毛管現象によって進入させる。これにより、封止樹脂中のボイド発生を防止するとともに、バンプと電極との接合部を熱硬化した熱硬化性樹脂によって補強して、冷却過程に発生する熱応力による接合部の破断を防止する。

Description

明 細 書
電子部品実装方法
技術分野
[0001] 本発明は、電子部品に形成されたバンプを基板の電極に金属接合する電子部品 実装方法に関する。
背景技術
[0002] フリップチップや CSP (Chip Size Package)など、下面に接続用のバンプが設 けられた電子部品の実装は、バンプを基板の電極に金属接合することによって行わ れる。そして実装に際しては、電子部品と基板との間の隙間をエポキシ榭脂などの熱 硬化性榭脂によって榭脂封止することが一般に行われている (例えば特開平 6— 33 3985号公報参照)。これにより、電子部品実装済み基板において使用状態でのヒー トサイクルによってバンプと電極との接合部に生じる熱応力を低減して、実装後の接 合信頼性を確保することができるという効果がある。
[0003] この榭脂封止の方法として、従来より、バンプと電極との金属接合の後に、電子部 品と基板との間の隙間に熱硬化性榭脂を注入する、いわゆる「後塗り」による方法 (例 えば特開平 7— 273147号公報参照）と、電子部品の基板への搭載に先立って予め 基板上に熱硬化性榭脂を塗布しておぐいわゆる「先塗り」による方法 (例えば特開 2 000— 58597号公報参照）力知られて!/、る。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] しかしながら、上述の「後塗り」、「先塗り」のいずれの方法によって榭脂封止を行う 場合にあっても、それぞれの方法に固有の特性によって以下に説明するような不都 合が生じる。まず「後塗り」による榭脂封止においては、バンプと電極とを金属接合し た後に、電子部品と基板との間の隙間に榭脂を注入するようにしていることから、金 属接合過程にぉ 、ては榭脂封止による補強効果が得られな 、と 、う欠点がある。
[0005] すなわち、金属接合時の高温加熱状態から常温に冷却される過程において基板と 電子部品との膨張係数差によって生じる熱応力がバンプと電極との接合部に作用し 、榭脂封止を行う前に既に接合部に微小なクラックや破断を生じる場合がある。この ような不具合は、電子部品の小型化によってバンプが微小化'挟ピッチ化するに伴い 、さらにはバンプを半田接合する場合において鉛フリー半田の採用が進展するにつ れて、より発生しやすくなる傾向にあり、接合信頼性を確保する上で大きな問題とな つてきている。
[0006] また、「先塗り」による榭脂封止においては、榭脂が基板上に塗布された状態で電 子部品を基板に対して押し付けることに起因して、封止榭脂中に気泡が混在するボ イドが発生しやすいという欠点がある。すなわち部品搭載前に予め供給された榭脂 が電子部品の下面によって押し広げられる過程において、電子部品と基板との隙間 内に空気が閉じこめられた状態のまま樹脂が拡がることにより、隙間内の気泡がボイ ドとして残留する場合がある。
[0007] また、金属接合時の加熱過程においては榭脂中の溶剤成分や水分がガス化する 力 このとき榭脂が基板と電子部品との隙間に閉じこめられた状態となっている場合 には、ガス化した気体がそのまま榭脂内に残留し同様にボイドを生じる。このようなボ イドは、榭脂補強部としての封止榭脂の強度を損なうのみならず、実装後に加熱され た場合に内部のガスの膨張によって破裂して部品破損を引き起こす原因ともなるもの であり、ボイドの発生は極力防止することが望まれる。
[0008] さらに、榭脂材料としては、接合 (硬化)後の物性 (線膨張係数等)を調整するため にフイラ一を含む樹脂が多用されている。しかしながら、このような榭脂を「先塗り」に よる榭脂封止にて使用すると、電極とバンプとの間にフィラーを挟み込む、いわゆる「 嚙み込み」を生じ、接合後の信頼性を損なうという課題がある。このため、従来におけ る「先塗り」の場合は、フィラーを含む榭脂を使用できないという制約がある。
[0009] このように、バンプを電極に金属接合し電子部品と基板との実装隙間を榭脂封止す る電子部品実装方法においては、「後塗り」、「先塗り」のいずれの方法によって榭脂 封止を行う場合にあっても、榭脂封止による補強効果を十分に確保することが困難で ある。このため、これらの課題を解決して実装後の接合信頼性に優れた電子部品実 装方法が望まれている。
[0010] 従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、榭脂封止による補強 効果を十分に確保することができ、実装後の接合信頼性に優れた電子部品実装方 法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0011] 上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
[0012] 本発明の第 1態様によれば、電子部品に形成されたバンプを基板の電子部品実装 領域に形成された電極と金属接合により電気的に接続する電子部品実装方法にお いて、
その一部が上記電子部品実装領域内に配置され、上記一部よりも大液量の残部が 上記電子部品実装領域外に配置されるように、液状の熱硬化性榭脂を液塊の状態 にて上記基板の表面に配置し、
上記電子部品を保持した熱圧着ヘッドを上記基板へ向かって下降させて、上記電 子部品のバンプ形成面を上記液塊状態の熱硬化性榭脂の上記一部に接触させると ともに、上記バンプを上記基板の上記電極へ押圧し、
上記バンプを上記電極に押圧した状態で上記熱圧着ヘッドにより上記電子部品を 加熱して、上記バンプと上記電極との金属接合を行うとともに、上記基板の上記電子 部品実装領域における上記電子部品との間の隙間への上記液塊状態の熱硬化性 榭脂の進入ならびに進入した熱硬化性榭脂の熱硬化反応を促進させるように上記熱 硬化性榭脂を加熱して、硬化された上記熱硬化性榭脂を介して上記電子部品を上 記基板に接合し、
その後、上記熱圧着ヘッドを上記電子部品から離脱させて、上記電子部品を上記 基板に実装する、電子部品実装方法を提供する。
[0013] 本発明の第 2態様によれば、上記液塊状態の熱硬化性榭脂の上記一部が、上記 電子部品実装領域内における上記基板の上記電極を覆わないように配置される、第 1態様に記載の電子部品実装方法を提供する。
[0014] 本発明の第 3態様によれば、上記液状の熱硬化性榭脂が上記基板の表面に塗布 されることにより配置され、上記塗布により、上記液塊の一部が上記電子部品実装領 域に配置されかつ大液量の上記残部が上記電子部品実装領域外に配置されるよう な上記液塊の形状が形成される、第 1態様に記載の電子部品実装方法を提供する。 [0015] 本発明の第 4態様によれば、上記熱硬化性榭脂の液塊は、上記電子部品実装領 域外に配置された液塊本体部と、上記液塊本体部から突出してその先端部が上記 電子部品実装領域内に到達する舌状部とを有する一体的な形状に、上記塗布によ り形成される、第 3態様に記載の電子部品実装方法を提供する。
[0016] 本発明の第 5態様によれば、上記熱圧着ヘッドによる上記熱硬化性榭脂に対する 加熱は、上記熱硬化性榭脂が硬化するまで継続して行われる、第 1態様に記載の電 子部品実装方法を提供する。
[0017] 本発明の第 6態様によれば、電子部品に形成されたバンプを基板の電子部品実装 領域に形成された電極と金属接合により電気的に接続する電子部品実装方法にお いて、
上記基板の上記電子部品実装領域の外側の表面に液状の熱硬化性榭脂を液塊 の状態にて配置し、
上記電子部品を保持した熱圧着ヘッドを上記基板に向力つて下降させて、上記バ ンプを上記基板の上記電極へ押圧するとともに、上記電子部品実装領域外に配置さ れた上記熱硬化性榭脂の液塊の一部が上記電子部品実装領域内に到達するように 流動して、上記電子部品のバンプ形成面に上記一部の熱硬化性榭脂を接触させ、 上記バンプを上記電極に押圧した状態で上記熱圧着ヘッドにより上記電子部品を 加熱して、上記バンプを上記電極との金属接合を行うとともに、上記基板の上記電子 部品実装領域における上記電子部品との間の隙間への上記液塊状態の熱硬化性 榭脂の進入ならびに進入した熱硬化性榭脂の熱硬化反応を促進させるように上記熱 硬化性榭脂を加熱して、硬化された上記熱硬化性榭脂を介して上記電子部品を上 記基板に接合し、
その後、上記熱圧着ヘッドを上記電子部品から離脱させて、上記電子部品を上記 基板に実装する、電子部品実装方法を提供する。
[0018] 本発明の第 7態様によれば、上記熱硬化性榭脂の上記電子部品への接触は、上 記バンプが上記電極に押圧された後に、上記電子部品実装領域内へ流動した上記 熱硬化性榭脂の一部が、上記電子部品に接触することにより行われる、第 6態様に 記載の電子部品実装方法を提供する。 [0019] 本発明の第 8態様によれば、電子部品に形成されたバンプを基板の電子部品実装 領域に形成された電極と金属接合により電気的に接続する電子部品実装方法にお いて、
上記電子部品を保持した熱圧着ヘッドを上記基板に向力つて下降させて、上記バ ンプを上記基板の上記電極へ押圧しながら加熱する熱圧着工程と、
上記熱圧着工程中に上記基板の上記電子部品実装領域と上記電子部品との間の 隙間へ液状の熱硬化性榭脂を注入する榭脂注入工程とを含み、
少なくとも上記隙間が上記熱硬化性榭脂で充填され、かつ上記バンプが上記電極 に金属接合されるまで上記熱圧着工程を継続する、電子部品実装方法を提供する。
[0020] 本発明の第 9態様によれば、上記隙間に充填された上記熱硬化性榭脂が硬化する まで上記熱圧着工程を継続する、第 8態様に記載の電子部品実装方法を提供する。 発明の効果
[0021] 本発明によれば、熱圧着ヘッドによって電子部品を加熱してバンプと電極とを金属 接合する熱圧着において電子部品と基板との間の隙間へ熱硬化性榭脂を「毛管現 象」によって進入させ、もしくは熱圧着中に電子部品と基板との間の隙間へ液状の熱 硬化性榭脂を注入することにより、封止榭脂中に気泡が閉じこめられることによって 発生するボイドを防止することができるとともに、バンプと電極との接合部を既に熱硬 化した熱硬化性榭脂によって補強することができ、金属接合後の冷却過程に発生す る熱応力による接合部の破断を防止して、実装後の接合信頼性に優れた電子部品 実装方法が実現される。
図面の簡単な説明
[0022] 本発明のこれらと他の目的と特徴は、添付された図面についての好ましい実施形 態に関連した次の記述から明らかになる。この図面においては、
[図 1A]図 1Aは、本発明の第 1実施形態に力かる電子部品実装方法の工程説明図 であって、熱硬化性榭脂が配置された状態を示す図であり、
[図 1B]図 1Bは、図 1Aに続く上記第 1実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、バンプが電極に熱圧着されている状態を示す図であり、
[図 1C]図 1Cは、図 1Bに続く上記第 1実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、熱硬化性榭脂が電子部品と基板との間の隙間に進入している状態を示す 図であり、
[図 1D]図 1Dは、図 1Cに続く上記第 1実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、榭脂が熱硬化されている状態を示す図であり、
[図 1E]図 1Eは、図 1Dに続く上記第 1実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、電子部品が基板に実装された状態を示す図であり、
[図 2A]図 2Aは、上記第 1実施形態の電子部品実装方法における榭脂配置形態の 模式説明図であって、液塊が配置された状態を示す図であり、
[図 2B]図 2Bは、上記第 1実施形態の電子部品実装方法における榭脂進入状態の模 式説明図であって、電子部品と基板との間の隙間に榭脂が進入している状態を示す 図であり、
[図 3A]図 3Aは、上記第 1実施形態の電子部品実装方法における変形例に力かる榭 脂配置形態の模式説明図であり、
圆 3B]図 3Bは、上記第 1実施形態の電子部品実装方法における変形例に力かる榭 脂配置形態の模式説明図であり、
[図 4A]図 4Aは、上記第 1実施形態の電子部品実装方法における変形例に力かる榭 脂配置形態の模式説明図であり、
圆 4B]図 4Bは、上記第 1実施形態の電子部品実装方法における変形例に力かる榭 脂配置形態の模式説明図であり、
圆 5A]図 5Aは、本発明の第 2実施形態に力かる電子部品実装方法の工程説明図 であって、熱硬化性榭脂が配置された状態を示す図であり、
圆 5B]図 5Bは、図 5Aに続く上記第 2実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、バンプが電極に熱圧着されている状態を示す図であり、
圆 5C]図 5Cは、図 5Bに続く上記第 2実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、熱硬化性榭脂が電子部品と基板との間の隙間に進入している状態を示す 図であり、
[図 5D]図 5Dは、図 5Cに続く上記第 2実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、榭脂が熱硬化されている状態を示す図であり、 [図 5E]図 5Eは、図 5Dに続く上記第 2実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、電子部品が基板に実装された状態を示す図であり、
[図 6A]図 6Aは、上記第 2実施形態の電子部品実装方法における榭脂配置形態の 模式説明図であって、電子部品実装領域外に熱硬化性榭脂が配置された状態を示 す図であり、
[図 6B]図 6Bは、上記第 2実施形態の電子部品実装方法における榭脂配置形態の模 式説明図であって、電子部品実装領域内に樹脂の一部が流動した状態を示す図で あり、
[図 7A]図 7Aは、本発明の第 3実施形態にカゝかる電子部品実装方法の工程説明図 であって、電子部品と基板との位置決めが行われている状態を示す図であり、
[図 7B]図 7Bは、図 7Aに続く上記第 3実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、バンプが電極に熱圧着されている状態を示す図であり、
[図 7C]図 7Cは、図 7Bに続く上記第 3実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、熱硬化性榭脂が電子部品と基板との間の隙間に注入されている状態を示 す図であり、
[図 7D]図 7Dは、図 7Cに続く上記第 3実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、榭脂が熱硬化されている状態を示す図であり、
[図 7E]図 7Eは、図 7Dに続く上記第 3実施形態の電子部品実装方法の工程説明図 であって、電子部品が基板に実装された状態を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0023] 本発明の記述を続ける前に、添付図面において同じ部品については同じ参照符号 を付している。
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
[0024] (第 1実施形態）
図 1A〜図 1Eのそれぞれは本発明の第 1実施形態の電子部品実装方法の工程説 明図、図 2Aは本発明の第 1実施形態の電子部品実装方法における榭脂配置形態 の模式説明図、図 2Bは本発明の第 1実施形態の電子部品実装方法における榭脂 進入状態の説明図、図 3A及び図 3B、並びに図 4A及び図 4Bは本発明の第 1実施 形態の電子部品実装方法における榭脂配置形態の変形例の模式説明図である。
[0025] まず、図 1A〜図 1E、図 2A及び図 2Bを参照して、本第 1実施形態の電子部品実 装方法について説明する。図 1Aにおいて、基板 1の表面には電子部品 5が搭載され る電子部品搭載領域 (あるいは電子部品実装領域） laが設定されており、電子部品 搭載領域 la内には複数の電極 2が形成されている（図 2Aも参照)。電子部品 5の下 面であるバンプ形成面には、接続用電極であるバンプ 6が金や半田などの導電性の 金属で形成されている。本第 1実施形態の電子部品実装方法においては、部品吸 着保持用の吸着孔 7aおよび部品加熱用の加熱手段を備えた熱圧着ヘッド 7によつ て電子部品 5を吸着保持し、電子部品 5を加熱しながら基板 1に対して押圧すること により、各々のバンプ 6を電極 2と個別に金属接合して電気的に接続する。
[0026] ここで金属接合としては種々の接合方法が適用可能である。例えばバンプ 6の材質 として金を用いる場合には、予め供給された半田接合材料によってバンプ 6を電極 2 に半田接合する方法や、金メッキされた電極 2にバンプ 6を押圧しながら加熱して、バ ンプ 6の下端部を電極 2の表面に金属接合する方法を用いることができる。またバン プ 6として半田バンプを用いる場合には、熱圧着ヘッド 7によって電子部品 5を加熱す ることによりバンプ 6を溶融させて電極 2に半田接合する。
[0027] 実装動作の開始に際しては、まず基板 1と電子部品 5との間の隙間を榭脂によって 封止するための榭脂配置が行われる。ここでは基板 1の表面に熱硬化性榭脂 3を液 塊 3Aの状態で配置する (榭脂配置工程)。すなわち図 1Aに示すように、液状の熱硬 化性榭脂 3を吐出するデイスペンスノズル 4を電子部品搭載領域 laの外側で 2次元 平面移動させることにより、電子部品搭載領域 laの外側に液状の熱硬化性榭脂 3を 所定形状の塊状に塗布した液塊 3Aを形成する。
[0028] このとき、熱硬化性榭脂 3の榭脂塗布形状は、電子部品搭載領域 la外に塗布され た液塊 3Aの液塊本体部 3bと、この液塊本体部 3bから突出して先端部が電子部品 搭載領域 la内に到達する舌状部 3aとを有する形状（図 2A参照）となるよう、ディスぺ ンスノズル 4の塗布動作を制御する。そしてこの榭脂塗布形状において、液塊 3Aのう ちの舌状部 3aの形で電子部品搭載領域 1 a内に進入した一部よりも、液塊 3 Aからこ の一部を除 、た残部 (液塊本体部 3b)の方が大液量となるように榭脂塗布形状が制 御され、これにより液塊 3Aのうちの一部を電子部品搭載領域 la内に配置し、この一 部よりも大液量の残部を電子部品搭載領域 la外に配置した液塊配分状態とする。そ してこの液塊配分状態は、前述のように榭脂配置工程におけるデイスペンスノズル 4 の榭脂塗布形状によって実現される。なお、本明細書において、「液塊」とは、液状の 熱硬化性榭脂が 1つに集まった集合体のことであり、液体状態が維持されて、外力等 を加えることで容易に流動するような状態を有して ヽる。
[0029] なお、この液塊配分状態においては、電子部品搭載領域 la内に進入した舌状部 3 aが電子部品搭載領域 la内の電極 2を覆わないように、榭脂塗布形状を制御するこ とが望ましい。これにより、バンプ 6を電極 2に押しつけて金属接合する際に、熱硬化 性榭脂 3に含まれるフィラー粒子がバンプ 6と電極 2との接合界面に嚙み込まれること がなく、良好な金属接合が実現される。
[0030] 次いでバンプ 6を電極 2に位置合わせし、図 1Bに示すように、電子部品 5を保持し た熱圧着ヘッド 7を基板 1へ向力つて下降させ、バンプ 6を電極 2に接触させる。この とき、熱圧着ヘッド 7によるバンプ 6の加熱は既に開始しており、バンプ 6が熱硬化性 榭脂 3に接触した時点では、バンプ 6は加熱された状態にある。これにより、電子部品 搭載領域 la内に到達した熱硬化性榭脂 3の舌状部 3aに電子部品 5の下面を接触さ せるとともに、バンプ 6を電極 2へ押圧する（接触工程)。この接触工程において、バン プ 6が電極 2に接触するタイミングと、電子部品 5の下面が熱硬化性榭脂 3に接触す るタイミングとは、ほぼ同時のタイミングであればいずれが先であってもよいし、完全 に同時であってもよい。
[0031] 次に熱圧着ヘッド 7によってバンプ 6を加熱しながら基板 1に押圧する加熱工程が 開始される。この加熱工程においては、図 1Cに示すように、バンプ 6を電極 2に接触 させた状態で、熱圧着ヘッド 7により電子部品 5を加熱してバンプ 6と電極 2とを金属 接合する。これととも〖こ、この加熱工程を実施することにより、電子部品 5と基板 1との 間の隙間への熱硬化性榭脂 3の進入を促進し (後述する第 1の加熱工程)、その後こ のように隙間内に進入し充填された熱硬化性榭脂 3の熱硬化反応を促進する (後述 する第 2の加熱工程)。
[0032] すなわち、加熱された状態の電子部品 5に舌状部 3aが接触すると、この部分の熱 硬化性榭脂 3は温度が上昇して粘度が低下し流動性が増大する。これにより、熱硬 化性榭脂 3は基板 1と電子部品 5との間の隙間内に毛管現象により進入を開始する。 そして図 2Bに示すように、熱硬化性榭脂 3が舌状部 3aの部分力も隙間内に毛管現 象により拡がるにつれて、電子部品搭載領域 la外にある液塊 3Aの熱硬化性榭脂 3 は加熱されて粘度が低下しながら隙間内に吸い寄せられ、液塊 3Aは次第に縮小す る。これ〖こより、当初液塊 3Aの形で供給された熱硬化性榭脂 3の大部分は、基板 1と 電子部品 5の隙間内に進入して隙間を封止する。
[0033] なお、ここで用いられる熱硬化性榭脂 3は、上述の加熱工程において、電極 2とバ ンプ 6とを金属接合する接合過程の間、および少なくとも電子部品 5の下面と基板 1と の間の隙間内に進入し終えるまでは液状であり、その後も加熱工程を継続することで 硬化するように成分が調整されたものを用いる。このように成分が調整された熱硬化 榭脂 3を用いて、加熱工程は 2段階にて行われる。具体的には、第 1の加熱工程にお V、て、熱硬化性榭脂 3の硬化温度以下でかつ樹脂の粘度を十分に低下させることが できる温度、言い換えると、毛管現象を利用して基板 1と電子部品 5との間の隙間内 への榭脂 3の進入を促進させるような温度にて、熱硬化性榭脂 3に対する加熱を行つ て、隙間内に榭脂 3を充填させた後、第 2の加熱工程において、熱硬化性榭脂 3の硬 化温度よりも高い温度にて加熱を行って、隙間内に充填された榭脂 3が確実に熱硬 化される。
[0034] また、熱硬化性榭脂 3に榭脂成分よりも熱膨張率の小さいシリカやアルミナなどのフ イラ一成分を配合することにより、ヒートサイクルにおける熱応力を緩和して信頼性の 低下を防止することができる。このような熱硬化性榭脂としては、例えば、 150°Cでの ゲルタイムが 30秒〜 180秒、 25°Cでの粘度が 100mPa' s〜100, OOOmPa' sという ような物性を有するものを用いることが好ましい。具体例としては、ナミックス株式会社 製チップコート（登録商標） U8433L (150°Cでのゲルタイム 110秒、 25°Cでの粘度 8 Pa' s)を挙げることができる。
[0035] 熱硬化性榭脂 3を隙間内に充填させるための第 1の加熱工程が行われた後、図 1D に示すように、熱圧着ヘッド 7による加熱と押圧を継続しながら加熱温度を榭脂の硬 化温度よりも高く設定して第 2の加熱工程が行われる、この第 2の加熱工程が実施さ れることにより、熱硬化性榭脂 3の熱硬化反応が進行する。これにより基板 1と電子部 品 5との間には、バンプ 6が電極 2に金属接合された接合部の周囲を硬化した熱硬化 性榭脂 3によって補強する榭脂補強部 3Rが形成される。そして加熱工程の後に、図 1Eに示すように、熱圧着ヘッド 7を上昇させて電子部品 5から離す (熱圧着ヘッド離 脱工程)。そしてこの後、電子部品 5が常温まで冷却されることによって、電子部品 5 に形成されたバンプ 6を電極 2と金属接合により電気的接続する電子部品実装の全 工程が完了する。
[0036] この冷却過程においてバンプ 6と電極 2との接合部には、基板 1と電子部品 5との熱 膨張係数差に起因する熱応力が作用するが、上述のように、接合部は榭脂補強部 3 Rによって周囲を補強されて ヽることから、熱応力による接合部の破断などの不具合 が発生しない。そして熱硬化性榭脂 3を基板 1と電子部品 5との隙間内へ進入させる 過程において、電子部品搭載領域 laの端部力も内部へ向力つて熱硬化性榭脂 3を 毛管現象によって進入させるようにしていることから、隙間内の空気は進入する熱硬 化性榭脂 3によって外へ排除される。したがって基板 1と電子部品 5との隙間内に気 泡が残留することによるボイドの発生がない。
[0037] また、電子部品 5と基板 1との間の隙間に熱硬化性榭脂 3が進入する過程において 、電子部品 5は熱圧着ヘッド 7によって真空吸着による保持力や電子部品 5との摩擦 力によって保持されている。したがって電子部品 5が熱硬化性榭脂 3の流動によって 浮き上がることや位置ずれが生じることが防止され、熱によって反り変形を生じやす い薄型の電子部品を対象とする場合にあっても、位置ずれなどに起因する接合不良 などの不具合を有効に防止することが可能となっている。
[0038] さらに、電子部品 5が基板 1に対して下降することによって電子部品 5が熱硬化性榭 脂 3に接触することから、電子部品 5の搭載のタイミングと熱硬化性榭脂 3が基板 1と 電子部品 5との間の隙間内に進入を開始するタイミングとの間のタイミング差が小さく 、タイミングのばらつきも少ない。したがって熱硬化性榭脂 3の隙間内への進入状態 を均一に保つことができ、大量生産において電子部品実装品質を安定させて品質管 理を容易にしている。
[0039] なお、本第 1実施形態にお!ヽては、熱硬化性榭脂 3が硬化するまで加熱工程を継 続するようにして 、るが、バンプ 6と電極 2との接合部を補強する効果が得られる程度 まで熱硬化性榭脂 3が硬化して ヽれば、熱硬化反応が完了して熱硬化性榭脂 3が完 全硬化するのを待つことなく加熱工程を終了してもよい。すなわち、熱硬化性榭脂 3 の熱硬化反応がある程度進行して榭脂補強部 3Rによる接合部の補強効果が、冷却 過程における熱応力による接合部への負荷に対して十分なレベルに到達した状態 であればよい。
[0040] また、本第 1実施形態の上述の説明においては、熱硬化性榭脂 3を基板 1上に塗 布して形成する液塊の形状として、 1つの略円形丘状の液塊 3Aから舌状部 3aを突 出させた形態を示しているが、液塊の形状はこれに限定されるものではなぐ例えば 図 3A、図 3B、図 4A、及び図 4Bに示すような変形例に力かる各種の形態が採用可 能である。
[0041] 図 3Aは、 1つの液塊 3Aを 2分した液量の液塊 3Bを、電子部品搭載領域 laの 2つ のコーナ部に形成するようにした例を示している。液塊 3Bには液塊 3Aと同様に先端 部が電子部品搭載領域 la内に到達する舌状部 3aが設けられている。また、図 3Bに 示す液塊 3Cは、液塊 3Aと同様の略円形丘状の液塊において、舌状部 3aを設けず に液塊 3Cの一部 3cが電子部品搭載領域 la内に位置するように、榭脂塗布形状を 設定したものである。
[0042] そして図 4Aは、略円形丘状の液塊 3Aに替えて、一方向に細長い長円丘状の液塊 3Dを電子部品搭載領域 laの 1つの辺に沿って電子部品搭載領域 laの外側に配置 した例を示している。液塊 3Dには、先端部が電子部品搭載領域 la内に到達する複 数の舌状部 3aが設けられている。さらに、図 4Bに示す例は、長円丘状の液塊 3Eを 電子部品搭載領域 laの 1つの辺に沿って配置する例において、舌状部 3aを設ける ことなぐ液塊 3Eの一部 3eが電子部品搭載領域 la内に部分的に位置するように、榭 脂塗布形状を設定したものである。図 3A、図 3B、図 4A、及び図 4Bに示すいずれの 例においても、液塊のうち一部を電子部品搭載領域 la内に配置し、この一部よりも 大液量の残部を電子部品搭載領域 la外に配置した液塊配分状態となっている。
[0043] (第 2実施形態）
なお、本発明は上記第 1実施形態に限定されるものではなぐその他種々の態様で 実施できる。例えば、本発明の第 2の実施形態に力かる電子部品実装方法について 図面に基づいて説明する。
[0044] 図 5A〜図 5Eのそれぞれは本第 2実施形態の電子部品実装方法の工程説明図で あり、図 6A及び図 6Bは本第 2実施形態の電子部品実装方法における榭脂配置形 態の模式説明図である。本第 2実施形態の電子部品実装方法においては、上記第 1 実施形態と同様に基板 1上への電子部品 5の搭載に先立って榭脂配置工程を行うも のであるが、上記第 1実施形態とは異なる液塊配分状態で、熱硬化性榭脂 3を塗布 するようにしたものである。
[0045] 図 5Aにおいて、基板 1の表面には電子部品 5が搭載される電子部品搭載領域 la が設定されており、電子部品搭載領域 la内には複数の電極 2が形成されている。電 子部品 5の下面であるバンプ形成面には、接続用電極であるバンプ 6が形成されて いる。
[0046] 電子部品 5の実装動作の開始に際しては、上記第 1実施形態と同様に、まず基板 1 と電子部品 5との間の隙間を榭脂によって封止するために使用される榭脂の配置が 行われる。ここでは基板 1の電子部品搭載領域 laの外側の表面に、熱硬化性榭脂 3 を液塊 3Fの状態で配置する (榭脂配置工程)。すなわち、図 5Aに示すように、液状 の熱硬化性榭脂 3を吐出するデイスペンスノズル 4を電子部品搭載領域 laの外側で 2次元平面移動させることにより、電子部品搭載領域 laの外側に液状の熱硬化性榭 脂 3を所定形状の塊状に塗布した液塊 3Fを形成する。
[0047] このとき、熱硬化性榭脂 3の榭脂塗布形状は、図 6Aに示すように、液塊 3F全体が 、電子部品搭載領域 laの外側に位置するように、デイスペンスノズル 4の塗布動作を 制御する。このとき液塊形成直後から熱硬化性榭脂 3は流動を開始し液塊 3Fは周囲 に拡がりはじめる。そして時間の経過とともに、流動により拡がった液塊 3Fの一部 3f は、図 6Bに示すように、電子部品搭載領域 laの縁部に到達するように流動する（榭 脂流動工程)。
[0048] この榭脂流動工程とともに、図 5Bに示すように、バンプ 6を電極 2に位置合わせし 電子部品 5を保持した熱圧着ヘッド 7を基板 1へ向かって下降させることにより、バン プ 6を電極 2に接触させて押圧する（押圧工程)。これととも〖こ、電子部品 5の下面を 電子部品搭載領域 la内に流動した熱硬化性榭脂 3に接触させる (榭脂接触工程)。 本第 2実施形態では、接触工程は、榭脂流動工程、押圧工程、及び榭脂接触工程 により構成される。この接触工程においては、バンプ 6が電極 2に接触するタイミング と電子部品 5の下面が電子部品搭載領域 la内に流動した熱硬化性榭脂 3に接触す るタイミングは、ほぼ同時のタイミングであってもよいが、好ましくはバンプ 6を電極 2に 接触させて押圧した後に、電子部品搭載領域 la内に流動した熱硬化性榭脂 3が電 子部品 5に接触するのが良い。すなわち、接触工程において、榭脂流動工程、押圧 工程、及び榭脂接触工程は、ほぼ同時のタイミングで実施される場合であっても良い 力 押圧工程が実施され、その後、榭脂流動工程及び榭脂接触工程が実施されるよ うな場合がより好ましい。
[0049] これにより、バンプ 6と電極 2との間にフィラーが嚙み込まれる不具合を確実に防止 することができるとともに、電子部品 5と基板 1との間に気泡が残留するボイドの発生 を抑制することができる。なお、熱硬化性榭脂 3と電子部品 5とが接触するタイミング は、榭脂配置条件、すなわち使用する熱硬化性榭脂 3の性状に応じて液塊 3Fの形 状や液塊配置位置を調整することで制御可能である。
[0050] 次に熱圧着ヘッド 7によってバンプ 6を加熱しながら基板 1に押圧する加熱工程が 開始される。この加熱工程においては、図 5Cに示すように、バンプ 6を電極 2に接触 させた状態で、熱圧着ヘッド 7により電子部品 5を加熱してバンプ 6を電極 2に金属接 合するとともに、電子部品 5と基板 1との間の隙間への熱硬化性榭脂 3の進入ならび に進入した熱硬化性榭脂 3の熱硬化反応を促進する。
[0051] すなわち、加熱された状態の電子部品 5に電子部品搭載領域 la内に流動した熱 硬化性榭脂 3が接触すると、この部分の熱硬化性榭脂 3は温度が上昇して粘度が低 下し流動性が増大する。これにより、熱硬化性榭脂 3は上記第 1実施形態と同様に、 基板 1と電子部品 5との間の隙間内に毛管現象により進入を開始する。そして熱硬化 性榭脂 3が隙間内に拡がるにつれて、電子部品搭載領域 la外にある液塊 3Fの熱硬 化性榭脂 3は加熱されて粘度が低下しながら隙間内に吸い寄せられ、液塊 3Fは次 第に縮小する。これにより、当初液塊 3Fの形で電子部品搭載領域 laの外側に配置 された熱硬化性榭脂 3の大部分は、基板 1と電極 2の隙間内に進入して隙間を封止 する。
[0052] この後、図 5Dに示すように、熱圧着ヘッド 7による加熱と押圧を «続することにより、 熱硬化性榭脂 3の熱硬化反応が進行する。これにより基板 1と電子部品 5との間には 、バンプ 6が電極 2に金属接合された接合部の周囲を硬化した熱硬化性榭脂 3によつ て補強する榭脂補強部 3Rが形成される。そして加熱工程の後に、図 5Eに示すよう に、熱圧着ヘッド 7を上昇させて電子部品 5から離す (熱圧着ヘッド離脱工程)。そし てこの後、電子部品 5が常温まで冷却されることによって、電子部品 5に形成されたバ ンプ 6を電極 2と金属接合により電気的に接続する電子部品実装の全工程が完了す る。
[0053] 本第 2実施形態においても、上記第 1実施形態と同様の効果を得ることができるが 、本第 2実施形態では、比較的流動しやすい性状の熱硬化性榭脂を使用する場合 や、榭脂配置工程力もバンプを電極に接触させるまでの間に時間インターノ レが避 けられず、熱硬化性榭脂が限度を超えて流動するおそれがあるような場合に有用で ある。すなわち、流動性の強い熱硬化性榭脂 3を電子部品搭載領域 la内に塗布す ると、過度に流動した熱硬化性榭脂 3が電極 2を覆うことによるフイラー嚙込みなどの 不具合発生のおそれがあるが、本第 2実施形態のように電子部品搭載領域 laの外 側に液塊 3Aを配置することにより、そのような不具合の発生を防止することができる。
[0054] なお、本第 2実施形態にぉ 、ても、熱硬化性榭脂 3が硬化するまで加熱工程を継 続するようにしているが、上記第 1実施形態と同様に、バンプ 6と電極 2との接合部を 補強する効果が得られる程度まで熱硬化性榭脂 3が硬化して ヽれば、熱硬化反応が 完了して熱硬化性榭脂 3が完全硬化するのを待つことなく加熱工程を終了してもよい
[0055] (第 3実施形態）
次に、本発明の第 3の実施形態に力かる電子部品実装方法について図面に基づ いて説明する。図 7A〜図 7Eのそれぞれは本第 3実施形態の電子部品実装方法の 模式工程図である。本第 3実施形態の電子部品実装方法においては、上記第 1実施 形態及び上記第 2実施形態にて電子部品の搭載に先立ってあらかじめ供給されて いた熱硬化性榭脂 3を、熱圧着工程において供給するようにしたものである。 [0056] 図 7Aにおいて、基板 1には複数の電極 2が形成されている。電子部品 5は上記第 1 実施形態に示すものと同様であり、その下面には接続用電極であるバンプ 6が形成 されている。本第 3実施形態の電子部品実装方法においても、上記第 1及び第 2実 施形態と同様の熱圧着ヘッド 7によって電子部品 5を吸着保持して加熱しながら、基 板 1に対して押圧することにより、バンプ 6を電極 2と金属接合して電気的接続する。
[0057] 電子部品 5の実装動作の開始に際しては、まずバンプ 6を電極 2に位置合わせし、 図 7Bに示すように、電子部品 5を保持した熱圧着ヘッド 7を基板 1へ向かって下降さ せ、バンプ 6を電極 2へ押圧して加熱する (熱圧着工程)。このとき、熱圧着ヘッド 7〖こ よる電子部品 5の加熱は既に開始しており、電子部品 5は加熱された状態にある。そ して熱圧着ヘッド 7の側方には、榭脂注入用のディスペンスノズル 4が移動して、榭脂 吐出が可能な状態となっている。
[0058] そして熱圧着工程実行中に、図 7Cに示すように、デイスペンスノズル 4力 液状の 熱硬化性榭脂 3を吐出して、電子部品 5と基板 1との間の隙間に熱硬化性榭脂 3を注 入する (榭脂注入工程)。このとき、熱硬化性榭脂 3は加熱された電子部品 5に接触し て流動化し、上記第 1実施形態と同様に毛管現象によって隙間内に進入する。
[0059] そして図 7Dに示すように、熱圧着ヘッド 7による加熱と押圧を継続することにより、 熱硬化性榭脂 3の熱硬化反応が進行する。これにより基板 1とバンプ 6との間には、 バンプ 6が電極 2に金属接合された接合部の周囲を硬化した熱硬化性榭脂 3によつ て補強する榭脂補強部 3Rが形成される。そして熱圧着工程の後、図 7Eに示すよう に、熱圧着ヘッド 7を上昇させて電子部品 5の加熱'押圧を停止する。そして電子部 品 5が常温まで冷却されることによって、上記第 1実施形態と同様に、電子部品 5に 形成されたバンプ 6を電極 2と金属接合により電気的に接続した電子部品実装の全 工程が完了する。
[0060] 本第 3実施形態においても、上記第 1及び第 2実施形態と同様に、バンプ 6と電極 2 との接合部を補強する効果が得られる程度まで熱硬化性榭脂 3が硬化していれば、 熱硬化反応が完了して熱硬化性榭脂 3が完全硬化するのを待つことなく熱圧着工程 を終了してもよい。すなわち本第 3実施形態においては、少なくとも電子部品 5と基板 1との隙間が熱硬化性榭脂 3で充填され、且つバンプ 6と電極 2とが金属接合されるま で熱圧着工程を継続する。
[0061] 上記説明したように、上記第 1実施形態から第 3実施形態に示す電子部品実装方 法では、バンプ 6と電極 2とを金属接合する熱圧着において電子部品 5と基板 1との 間の隙間へ熱硬化性榭脂 3を毛管現象により進入させ、もしくは熱圧着中に電子部 品 5と基板 1との間の隙間へ熱硬化性榭脂 3を注入するようにしている。これにより、 バンプを電極に接合するとともに電子部品と基板との間の隙間を、「後塗り」、「先塗り 」のいずれかの榭脂配置方法によって榭脂封止する電子部品実装において、生じて V、た以下のような不具合を防止することができる。
[0062] すなわち、バンプと電極との金属接合後に封止榭脂を注入する「後塗り」では、金 属接合後の冷却過程において熱応力がバンプと電極との接合部に作用し、榭脂封 止を行う前に既に接合部に微小なクラックや破断を生じる場合がある。これに対し本 発明の電子部品実装方法では、金属接合後の冷却過程においてバンプと電極の接 合部は既に熱硬化した封止榭脂によって周囲を補強されていることから、熱応力によ る接合部の破断やクラックが生じることがない。この効果は、電子部品の小型化によ つてバンプが微小化'挟ピッチ化するに伴い、さらにはバンプを半田接合する場合に 鉛フリー半田を採用する場合において特に顕著となる。
[0063] また、電子部品の搭載に先立って封止榭脂を塗布する「先塗り」では、封止榭脂中 に気泡が混在するボイドが発生しやすぐ榭脂補強部としての封止榭脂の強度を損 なうのみならず、実装後に加熱された場合に内部のガスの膨張によって破裂して部 品破損を引き起こす原因となっている。これに対し本発明の電子部品実装方法では 、電子部品搭載領域の端部力 電子部品と基板との間の隙間内に液状の封止榭脂 を進入させるようにして 、ることから、隙間内に空気が気泡として残留することがなく、 したがってボイドの発生を防止することができる。さらに、本発明の電子部品実装方 法では、バンプと電極とが接触して 、る状態で基板と電子部品との間の隙間に熱硬 化性榭脂が進入するようにしているため、接合後の物性を調整するためのフィラーを 含む榭脂を用いても、バンプと電極との間にフィラーが嚙み込むという問題が発生し ないようにすることができる。
[0064] なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより 、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
[0065] 本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載され ているが、この技術の熟練した人々にとつては種々の変形や修正は明白である。そ のような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限り において、その中に含まれると理解されるべきである。
[0066] 2005年 10月 20曰に出願された曰本国特許出願 No. 2005— 306122号の明細 書、図面、及び特許請求の範囲の開示内容は、全体として参照されて本明細書の中 に取り入れられるものである。
産業上の利用可能性
[0067] 本発明の電子部品実装方法は、実装後の接合信頼性を確保することができるとい うに効果を有し、電子部品に形成されたバンプを基板に形成された電極と金属接合 により電気的接続して実装する分野に有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 電子部品に形成されたバンプを基板の電子部品実装領域に形成された電極と金 属接合により電気的に接続する電子部品実装方法において、
その一部が上記電子部品実装領域内に配置され、上記一部よりも大液量の残部が 上記電子部品実装領域外に配置されるように、液状の熱硬化性榭脂を液塊の状態 にて上記基板の表面に配置し、
上記電子部品を保持した熱圧着ヘッドを上記基板へ向かって下降させて、上記電 子部品のバンプ形成面を上記液塊状態の熱硬化性榭脂の上記一部に接触させると ともに、上記バンプを上記基板の上記電極へ押圧し、
上記バンプを上記電極に押圧した状態で上記熱圧着ヘッドにより上記電子部品を 加熱して、上記バンプと上記電極との金属接合を行うとともに、上記基板の上記電子 部品実装領域における上記電子部品との間の隙間への上記液塊状態の熱硬化性 榭脂の進入ならびに進入した熱硬化性榭脂の熱硬化反応を促進させるように上記熱 硬化性榭脂を加熱して、硬化された上記熱硬化性榭脂を介して上記電子部品を上 記基板に接合し、
その後、上記熱圧着ヘッドを上記電子部品から離脱させて、上記電子部品を上記 基板に実装する、電子部品実装方法。
[2] 上記液塊状態の熱硬化性榭脂の上記一部が、上記電子部品実装領域内における 上記基板の上記電極を覆わな 、ように配置される、請求項 1に記載の電子部品実装 方法。
[3] 上記液状の熱硬化性榭脂が上記基板の表面に塗布されることにより配置され、上 記塗布により、上記液塊の一部が上記電子部品実装領域に配置されかつ大液量の 上記残部が上記電子部品実装領域外に配置されるような上記液塊の形状が形成さ れる、請求項 1に記載の電子部品実装方法。
[4] 上記熱硬化性榭脂の液塊は、上記電子部品実装領域外に配置された液塊本体部 と、上記液塊本体部から突出してその先端部が上記電子部品実装領域内に到達す る舌状部とを有する一体的な形状に、上記塗布により形成される、請求項 3に記載の 電子部品実装方法。
[5] 上記熱圧着ヘッドによる上記熱硬化性榭脂に対する加熱は、上記熱硬化性榭脂が 硬化するまで継続して行われる、請求項 1に記載の電子部品実装方法。
[6] 電子部品に形成されたバンプを基板の電子部品実装領域に形成された電極と金 属接合により電気的に接続する電子部品実装方法において、
上記基板の上記電子部品実装領域の外側の表面に液状の熱硬化性榭脂を液塊 の状態にて配置し、
上記電子部品を保持した熱圧着ヘッドを上記基板に向力つて下降させて、上記バ ンプを上記基板の上記電極へ押圧するとともに、上記電子部品実装領域外に配置さ れた上記熱硬化性榭脂の液塊の一部が上記電子部品実装領域内に到達するように 流動して、上記電子部品のバンプ形成面に上記一部の熱硬化性榭脂を接触させ、 上記バンプを上記電極に押圧した状態で上記熱圧着ヘッドにより上記電子部品を 加熱して、上記バンプを上記電極との金属接合を行うとともに、上記基板の上記電子 部品実装領域における上記電子部品との間の隙間への上記液塊状態の熱硬化性 榭脂の進入ならびに進入した熱硬化性榭脂の熱硬化反応を促進させるように上記熱 硬化性榭脂を加熱して、硬化された上記熱硬化性榭脂を介して上記電子部品を上 記基板に接合し、
その後、上記熱圧着ヘッドを上記電子部品から離脱させて、上記電子部品を上記 基板に実装する、電子部品実装方法。
[7] 上記熱硬化性榭脂の上記電子部品への接触は、上記バンプが上記電極に押圧さ れた後に、上記電子部品実装領域内へ流動した上記熱硬化性榭脂の一部が、上記 電子部品に接触することにより行われる、請求項 6に記載の電子部品実装方法。
[8] 電子部品に形成されたバンプを基板の電子部品実装領域に形成された電極と金 属接合により電気的に接続する電子部品実装方法において、
上記電子部品を保持した熱圧着ヘッドを上記基板に向力つて下降させて、上記バ ンプを上記基板の上記電極へ押圧しながら加熱する熱圧着工程と、
上記熱圧着工程中に上記基板の上記電子部品実装領域と上記電子部品との間の 隙間へ液状の熱硬化性榭脂を注入する榭脂注入工程とを含み、
少なくとも上記隙間が上記熱硬化性榭脂で充填され、かつ上記バンプが上記電極 に金属接合されるまで上記熱圧着工程を継続する、電子部品実装方法。
上記隙間に充填された上記熱硬化性榭脂が硬化するまで上記熱圧着工程を継続 する、請求項 8に記載の電子部品実装方法。
PCT/JP2006/320742 2005-10-20 2006-10-18 電子部品実装方法 WO2007046416A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020087008483A KR101242945B1 (ko) 2005-10-20 2006-10-18 전자부품 실장 방법
US12/090,528 US8025205B2 (en) 2005-10-20 2006-10-18 Electronic component mounting method
JP2007541003A JP4242442B2 (ja) 2005-10-20 2006-10-18 電子部品実装方法
EP06821936A EP1950801B1 (en) 2005-10-20 2006-10-18 Electronic component mounting method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-306122 2005-10-20
JP2005306122 2005-10-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007046416A1 true WO2007046416A1 (ja) 2007-04-26

Family

ID=37962509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/320742 WO2007046416A1 (ja) 2005-10-20 2006-10-18 電子部品実装方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8025205B2 (ja)
EP (1) EP1950801B1 (ja)
JP (1) JP4242442B2 (ja)
KR (1) KR101242945B1 (ja)
CN (1) CN100592485C (ja)
TW (1) TWI392034B (ja)
WO (1) WO2007046416A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4569605B2 (ja) * 2007-07-09 2010-10-27 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置のアンダーフィルの充填方法
US7868457B2 (en) * 2007-09-14 2011-01-11 International Business Machines Corporation Thermo-compression bonded electrical interconnect structure and method
US8043893B2 (en) * 2007-09-14 2011-10-25 International Business Machines Corporation Thermo-compression bonded electrical interconnect structure and method
JP5631661B2 (ja) * 2010-08-27 2014-11-26 三洋電機株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
US8912045B2 (en) * 2012-06-12 2014-12-16 International Business Machines Corporation Three dimensional flip chip system and method
TWM468013U (zh) * 2013-07-18 2013-12-11 Pram Technology Inc 電子業製程共用式可拆裝替換之打線熱板
CN106158677A (zh) * 2016-08-29 2016-11-23 广东德力光电有限公司 基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统及其使用方法
JP7332147B2 (ja) * 2019-08-26 2023-08-23 株式会社Joled 表示パネル、および、表示パネルの製造方法
TW202119533A (zh) * 2019-11-04 2021-05-16 台灣愛司帝科技股份有限公司 具有晶片吸附功能的晶片承載結構

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112476A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH1187420A (ja) * 1997-09-08 1999-03-30 Fujitsu Ltd 接着剤塗布方法、接着剤塗布装置、及び半導体部品実装方法
JP2000012617A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ベアーｉｃ実装基板
JP2001250845A (ja) * 2000-03-07 2001-09-14 Sony Corp 半導体チップ実装方法及び実装装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333985A (ja) 1993-05-24 1994-12-02 Fujitsu Ltd フリップチップ接合方法
JP3351091B2 (ja) 1994-04-01 2002-11-25 株式会社デンソー 半導体装置の実装方法
JP2828021B2 (ja) * 1996-04-22 1998-11-25 日本電気株式会社 ベアチップ実装構造及び製造方法
JP2000058597A (ja) 1998-08-07 2000-02-25 Toshiba Corp 電子部品実装方法
JP3708755B2 (ja) 1999-06-08 2005-10-19 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US6610559B2 (en) 2001-11-16 2003-08-26 Indium Corporation Of America Integrated void-free process for assembling a solder bumped chip
US20030132528A1 (en) 2001-12-28 2003-07-17 Jimmy Liang Method and apparatus for flip chip device assembly by radiant heating
US7047633B2 (en) 2003-05-23 2006-05-23 National Starch And Chemical Investment Holding, Corporation Method of using pre-applied underfill encapsulant

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112476A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH1187420A (ja) * 1997-09-08 1999-03-30 Fujitsu Ltd 接着剤塗布方法、接着剤塗布装置、及び半導体部品実装方法
JP2000012617A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ベアーｉｃ実装基板
JP2001250845A (ja) * 2000-03-07 2001-09-14 Sony Corp 半導体チップ実装方法及び実装装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1950801A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP1950801A4 (en) 2011-05-25
KR20080058362A (ko) 2008-06-25
EP1950801B1 (en) 2012-07-11
CN100592485C (zh) 2010-02-24
KR101242945B1 (ko) 2013-03-12
US20090288767A1 (en) 2009-11-26
TWI392034B (zh) 2013-04-01
CN101292336A (zh) 2008-10-22
US8025205B2 (en) 2011-09-27
EP1950801A1 (en) 2008-07-30
JP4242442B2 (ja) 2009-03-25
TW200733263A (en) 2007-09-01
JPWO2007046416A1 (ja) 2009-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007046416A1 (ja) 電子部品実装方法
US6981317B1 (en) Method and device for mounting electronic component on circuit board
JP2004260138A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20150371931A1 (en) Semiconductor device and method for producing same
JP6454927B2 (ja) 電子部品および電子部品の製造方法
JP2002270642A (ja) 半導体装置の製造方法
US7687314B2 (en) Electronic apparatus manufacturing method
JP2002373914A (ja) 電子部品接続構造体
JP3376861B2 (ja) バンプ付きワークの実装方法
JP3708478B2 (ja) 電子部品の実装方法
JP4200273B2 (ja) 実装基板の製造方法
JP2003158154A (ja) 電子部品実装方法
JP3912342B2 (ja) 電子部品実装方法
JP2001284399A (ja) 半導体装置の実装方法
JP3376862B2 (ja) バンプ付きワークの実装方法
JP2001185580A (ja) 回路基板への電子部品の実装方法
JP2003100799A (ja) バンプ付きワークの実装方法
JP2000012616A (ja) 半導体装置の実装方法
JP2004179623A (ja) 回路モジュールの製造方法
JPH1074798A (ja) 半導体実装方法およびその実装構造
JP2003258029A (ja) 電子部品実装方法および電子部品実装構造
JP2005032795A (ja) 電子部品実装構造および電子部品実装方法
JP2006032505A (ja) 半導体装置の製造方法及び塗布装置
KR20100008880A (ko) 반도체칩과 와이어로써 연결되는 리드프레임의 와이어접합부 보강방법
JPH1126510A (ja) バンプ付きワークの実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680038869.9

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007541003

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087008483

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12090528

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006821936

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE