WO2006132241A1

WO2006132241A1 - 金属膜および金属配線パターンの形成方法、金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物および金属膜

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Publication number: WO2006132241A1
Application number: PCT/JP2006/311322
Authority: WO
Inventors: Hidemi Nawafune; Seiji Nakajima; Tetsuya Mori
Original assignee: Omron Corporation
Priority date: 2005-06-09
Filing date: 2006-06-06
Publication date: 2006-12-14
Also published as: JP4593619B2; JPWO2006132241A1; CN101194042A; US20100215979A1; US8071178B2

Abstract

　酸性基またはそのエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、有機膜が有する酸性基またはそのエステル基を、酸性基の金属（Ｍ１）塩にする工程、有機膜を、金属（Ｍ１）イオンよりイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基の金属（Ｍ１）塩を金属（Ｍ２）塩にする工程、および金属（Ｍ２）イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする金属膜の形成方法、該方法において使用される金属膜形成用下地組成物、および該方法によって形成された金属膜。

Description

明細書

金属膜および金属配線パターンの形成方法、金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物および金属膜

技術分野

[0001] 本発明は任意の基板またはフィルムに対して、金属膜および金属パターンを形成できる金属膜の形成方法、該方法に使用される金属膜形成用下地組成物および該方法によって形成された金属膜に関するものである。

背景技術

[0002] 金属膜の形成方法としては、例えば、ドライプロセスと呼ばれる蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ウエットプロセスと呼ばれる電解めつき、無電解めつき等が知られている力ドライプロセス法では高額の設備コストが必要で、ウエットプロセス法では厚み数十 _nm程度の金属膜を形成するのは困難であった。

[0003] そこで、ポリイミド榭脂を改質させることでカチオン交換基を生成させた後、金属ィォンをカチオン交換基に固定し、それを還元することで金属膜を形成する技術が報告されている（特許文献 1)。し力しながら、そのような技術では、ポリイミドを改質させて成膜するため、他の基板を使用することができない。任意の基板にポリイミドワニスを塗布し硬化させた膜を改質する方法も考えられるが、硬化の際に、高温ベータ (例えば 200°C以上）が必要で、耐熱性の低!、基板は変形して使用できなヽ (汎用性がない)。またポリイミドは高価である。さらに一般のポリイミド (例えばカプトン、ユーピレツタスなど）は紫外光領域での透過率が低ぐまた透明ポリイミドは改質が困難である。紫外光に対する透過率が低、と、上記技術およびマスクを用いて金属パターンを形成して電気回路等を作成する場合、解像性が低くなるため、微細配線には適さない。また高濃度のアルカリ溶液を数十度程度に加熱して使用するため、安全性に問題がある。

特許文献 1 :特開 2001— 73159号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題 [0004] 本発明は、比較的薄い金属膜または金属パターンであっても、任意の基板またはフィルム上に低コストで形成可能な金属膜および金属配線パターンの形成方法および金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物を提供することを目的とする。

[0005] 本発明はまた、比較的薄ぐかつ複雑な金属パターンであっても、任意の基板またはフィルム上に低コストで形成可能な金属膜の形成方法および金属膜形成用下地組成物を提供することを目的とする。

[0006] 本発明はまた、任意の基板またはフィルム上に低コストで形成可能な金属膜および金属配線パターンを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0007] 本発明は、酸性基またはそのエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、

有機膜が有する酸性基またはそのエステル基を、特定の処理によって、酸性基の金属（Ml)塩にする工程、

有機膜を、金属 (Ml)イオンよりイオン化傾向の低い金属 (M2)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基の金属（Ml)塩を金属（M2)塩にする工程、および金属 (M2)イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程

を含むことを特徴とする金属膜の形成方法に関する。

[0008] すなわち、本発明は、酸性基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程 (工程 (A) )、

有機膜を、金属 (Ml)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基を金属 (Ml)塩にする工程（工程 (B)、特に工程 (bl) )、

有機膜を、金属 (Ml)イオンよりイオン化傾向の低い金属 (M2)イオンを含有する水溶液で処理して、金属（Ml)塩を金属（M2)塩にする工程（工程 (C) )、および金属 (M2)イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程 (工程 (D) ) を含むことを特徴とする金属膜の形成方法に関する。

[0009] 本発明はまた、酸性基のエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して

、有機膜を形成する工程 (工程 (A) )、

有機膜を、金属 (Ml)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基のエステル基を酸性基のアルカリ金属塩にする工程（工程 (B)、特に処理 (b2— 1) )、

有機膜を、アルカリ金属イオンよりイオン化傾向の低い金属 (M2)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基のアルカリ金属塩を金属（M2)塩にする工程（工程 (C) ) 、および

金属 (M2)イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程 (工程 (D) ) を含むことを特徴とする金属膜および金属配線パターンの形成方法に関する。

[0010] 本発明はまた、酸性基のエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程 (工程 (A) )、

有機膜を、酸水溶液で処理した後、金属（Ml)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基のエステル基を酸性基の金属（Ml)塩にする工程（工程 (B)、特に処理 (b2 2) )、

[0011] 本発明はまた、上記いずれかの金属膜の形成方法において使用される金属膜形成用下地組成物に関する。

[0012] 本発明はまた、上記いずれかの金属膜の形成方法によって形成されたことを特徴とする金属膜および金属配線パターンに関する。

発明の効果

[0013] 本発明によれば、特定の付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合させて有機膜を形成し、高温ベータを必要としないので、比較的薄い金属膜または金属パターンであっても任意の基板またはフィルム上に形成可能である。例えば、耐熱性の低い安価な榭脂 (例えば、アクリル榭脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ榭脂 )からなる基板またはフィルムを使用できる。また設備コストを低減できる。よって製造コストを低減できる。

[0014] 特に本発明において使用される金属膜形成用下地組成物は透明性に優れ、重合によっても優れた透明性を確保できたため、解像度が従来技術よりも向上したので、金属膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、微細な金属パターンであっても、簡便に形成可能である。

[0015] さらに有機膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により重合を行い未反応モノマーを除去することによつても、 3次元的なパターニングが容易に実現可能となる。この場合、金属膜形成工程における還元は紫外線照射にて行う必要がないので、従来の技術と比較して微細配線めつきに関わる総処理時間を 1Z3に短縮可能である。

発明を実施するための最良の形態

[0016] 本発明に係る金属膜の形成方法は、以下に示す少なくとも工程 (A)〜工程 (D)を含むことを特徴とする。

[0017] 工程 (A) ;

工程 (A)では、金属膜形成用下地組成物を調製し、当該組成物を基板またはフィルム上に塗布した後、重合して有機膜を形成する。

金属膜形成用下地組成物は、後述の工程 (C)で導入される金属 (M2)イオンを表面に析出させて所定の金属膜を形成するための下地 (榭脂膜)を形成するものであり、詳しくは酸性基またはそのエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有するものである。以下、酸性基またはそのエステル基を有する付加重合性モノマーを単に「モノマー 1」と、うものとする。

[0018] モノマー 1が有する酸性基は金属膜形成用の金属イオンを塩の形態で保持できる限り特に制限されず、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基等が挙げられる。そのような酸性基はエステルの形態を有していてもよぐすなわちモノマー 1は上記酸性基のエステル基を有してヽても良ヽ。そのようなエステル基を構成する基は、後述の工程 (b2)においてエステル結合が加水分解される限り特に制限されず、例えば、メチル基、ェチル基、 n プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、イソブチル基、 sec ブチル基および t ブチル等のような直鎖または分岐状のアルキル基、フェニル基のような 1価芳香族炭化水素基、イソボニル基、ァダマンチル基のような 1価脂環族炭化水素基、パーフルォロメチル基、パーフルォロェチル基、パーフルォロ n プロピル基、パーフルォロイソプロピル基、パーフルォロ n ブチル基、パーフルォ口イソブチル基、パーフルォロ sec ブチル基およびパーフルォロ t ブチル等のような直鎖または分岐状のパーフルォロアルキル基、エチレンオキサイド、プロピレンォキサイド基等のようなエーテル基等が挙げられる。

[0019] モノマー 1が有する酸性基またはそのエステル基の数は特に制限されな!、。

[0020] モノマー 1は重合性不飽和結合、特に重合性二重結合を 1分子あたり 1個以上有するものであり、その数は特に限定されるものではない。

[0021] そのようなモノマー 1として、例えば、下記一般式（la)〜（8a)で表される化合物が挙げられる。

[0022] [化 1]

[0023] 式（la)〜（8a)中、 R¹および R²はそれぞれ独立して水素原子または炭素数 1〜3 のアルキル基であり、好ましくは同時に水素原子である。アルキル基の具体例として、例えば、メチル基、ェチル基、 n—プロピル基、イソプロピル基が挙げられる。

R³は水素原子またはメチル基である。

R⁴は 2価の飽和脂肪族炭化水素基または 2価の芳香族炭化水素基である。 2価の飽和脂肪族炭化水素基は炭素数 1〜3のものが好ましぐ具体例として、例えば、メチレン基、エチレン基、ジメチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等が挙げられる。 2 価の芳香族炭化水素基は好ましくはフエ-レン基である。好まヽ R⁴はメチレン基またはフエ-レン基である。

R⁵は、前記酸性基のエステル基を構成する基と同様の基であり、すなわち、前記したような直鎖または分岐状のアルキル基、 1価芳香族炭化水素基、 1価脂環族炭化水素基、および直鎖または分岐状のパーフルォロアルキル基、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド基等のようなエーテル基が挙げられる。好ましい R⁵は、直鎖または分岐状のアルキル基、特にメチル基、ェチル基、 n—プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチノレ基、イソブチノレ基、 sec—ブチノレ基または t—ブチノレである。

[0024] 一般式（la)で表される化合物の具体例として、例えば、（メタ)アクリル酸等が挙げられる。本明細書中、（メタ)アクリル酸はアクリル酸およびメタクリル酸を包含して意味するものとし、例えば、（メタ）アクリル酸 t—ブチルはアクリル酸 t—ブチルおよびメタクリル酸 t—ブチルを包含して意味するものとする。

一般式（2a)で表される化合物の具体例として、例えば、（メタ)アクリル酸メチル基、 (メタ)アクリル酸ェチル基、（メタ)アクリル酸 n—プロピル基、（メタ)アクリル酸イソプロピル基、（メタ）アクリル酸 n—ブチル基、（メタ）アクリル酸イソブチル基、（メタ）アクリル酸 sec—ブチル基、（メタ）アクリル酸 t—ブチル等が挙げられる。

[0025] 一般式（3a)で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルベンゼンカルボン酸、ビニル酢酸等が挙げられる。

一般式 (4a)で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルベンゼンカルボン酸メチル、ビュルベンゼンカルボン酸 tーブチル、ビュル酢酸メチル、ビュル酢酸 tーブチル等が挙げられる。

[0026] 一般式（5a)で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルスルホン酸等が挙げられる。一般式（6a)で表される化合物の具体例として、例えば、ビュルスルホン酸メチル、ビニルスルホン酸 t ブチル等が挙げられる。

[0027] 一般式（7a)で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。

一般式 (8a)で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルベンゼンスルホン酸メチル、ビュルベンゼンスルホン酸 t ブチル等が挙げられる。

[0028] また上記具体例以外のモノマー 1の具体例として、例えば、マレイン酸、フマル酸等が挙げられる。

[0029] 本発明は 2種類以上のモノマー 1を使用することを妨げるものではなぐ特に限定されない。

[0030] モノマー 1の含有量は本発明の目的が達成される限り特に制限されず、例えば、金属膜形成用下地組成物全量に対して 30〜99. 9重量％であり、好ましくは 40〜99.

8重量％、より好ましくは 45〜99. 7重量％である。 2種類以上のモノマー 1を使用する場合はそれらの合計含有量が上記範囲内であればょ、。

[0031] 重合開始剤はモノマー 1の重合を開始できる限り特に制限されず、例えば、光重合開始剤および熱重合開始剤等のラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤およびァ-オン重合開始剤等のイオン重合開始剤等が挙げられる。好ましくはラジカル重合開始剤、特に光重合開始剤が使用される。

[0032] 光重合開始剤として、例えば、 2 ヒドロキシ 2—メチルー 1 フエ-ループロペン

1 オン、 2—メチルー 1 [4 （メチルチオ）フエ-ル ] 2 モルフォリノプロペン

— 1—オン、 2, 4, 6 トリメチルベンゾィル一ジフエ-ル一フォスフィンオキサイド、トリフエ-ルスルホ -ゥムトリフレート等が挙げられる。

熱重合開始剤として、例えば、タメンノヽイド口パーオキサイド、 t—ブチルハイドロパ一オキサイド、過酸化べンゾィル、 DBU、エチレンジァミン、 N, N ジメチルベンジルァミン等が挙げられる。

[0033] 重合開始剤の含有量は通常は金属膜形成用下地組成物全量に対して 0. 1〜10 重量％であり、好ましくは 0. 2〜8重量％、より好ましくは 0. 3〜6重量％である。

[0034] 金属膜形成用下地組成物にはノレキー構造を付加することによって膜中のイオンを還元させやすくするため、さらに架橋剤および zまたは界面活性剤を含有させることが好ましい。

架橋剤は、モノマー 1が有するような酸性基またはそのエステル基を有さず、かつ重合性不飽和結合、特に重合性二重結合を 1分子あたり 2個以上、特に 3〜4個有する化合物であれば、、かなる化合物も使用可能である。

[0035] そのような架橋剤として、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アタリレート、ペンタエリスリトールテトラ (メタ）アタリレート、ジエチレングリコールジ (メタ）アタリレート、ジペンタエリスリトールへキサ (メタ)アタリレート等が使用可能である。

[0036] 架橋剤の含有量は通常は金属膜形成用下地組成物全量に対して 0〜69. 9重量 %であり、好ましくは 5〜50重量⁰ /₀、より好ましくは 10〜45重量％である。

[0037] 界面活性剤としては、ポリエーテル変性シリコーン (例えば、 KF351 (信越化学ェ業株式会社製))、フッ素変性シリコーン (例えば、 FL— 5 (信越ィ匕学工業株式会社製 ))、アルコール変性シリコーン (例えば、 KF6001 (信越化学工業株式会社製)）、ァルキル変性シリコーン (例えば、 KF96— 6cs (信越ィ匕学工業株式会社製))等が使用可能である。

界面活性剤の含有量は通常は金属膜形成用下地組成物全量に対して 0〜69. 9 重量％であり、好ましくは 0. 01〜50重量％、より好ましくは 0. 1〜10重量％である。

[0038] 金属膜形成用下地組成物にはさらにモノマー 1および架橋剤以外の付加重合性モノマー（以下、単に「モノマー 2」という）を含有させてもよい。モノマー 2は、モノマー 1 が有するような酸性基またはそのエステル基を有さず、かつ重合性不飽和結合、特に重合性二重結合を 1分子あたり 1個有する化合物である。

[0039] そのようなモノマー 2として、例えば、スチレン、ビュルシクロへキサン等が使用可能である。

[0040] モノマー 2の含有量は金属膜形成用下地組成物全量に対して 50重量％以下、特に 30重量％以下が好まし、。

[0041] 金属膜形成用下地組成物にはさらに有機溶剤を含有させてもよい。有機溶剤を含有させることによって、塗布性が向上する。有機溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロへキサノン、酢酸ブチル等が使用可能である。

[0042] 有機溶剤の含有量は金属膜形成用下地組成物全量に対して 80重量％以下、特に 30重量％以下が好まし、。

[0043] 基板またはフィルムは任意のものが使用可能である。本発明にお！/、ては比較的低温での処理が可能なためである。具体例として、例えば、アクリル榭脂、ポリカーボネート榭脂、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ榭脂からなる基板またはフィルム、例えばガラス基板、石英、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ホウ珪酸ガラス、珪ホゥ酸ガラス、 PZT、 PLZT等が挙げられる。

[0044] 金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布するに際しては、任意の塗布方法が採用可能であり、例えば、スピンコート、スプレーコート、浸漬により塗布を行う。塗布厚は特に制限されず、例えば、重合後において有機膜の厚みが後述の範囲内なるような範囲が適当である。

[0045] 重合は重合開始剤の種類に応じて適宜、公知の方法を採用するとよい。

例えば、光重合開始剤を使用している場合には、当該光重合開始剤が吸収することによってラジカルを生成できる波長の光、例えば、紫外線を、基板またはフィルムの塗布面側から照射するとよい。

また例えば、熱重合開始剤を使用している場合には、当該熱重合開始剤が分解してラジカルを生成できる温度、例えば、 50〜150°Cまで加熱する。

[0046] 重合に際しては、マスクを用いて紫外線照射により重合を行、、その後未反応モノマー領域を除去することよって、マスクに対応するパターン形状を有する有機膜を形成可能である。そのため、得られた有機膜を後述の工程に供することにより、パターン形状を有する金属膜を形成できる。未反応モノマー領域は塩酸、硝酸、硫酸によつて除去できる。

[0047] 重合後において得られる有機膜の膜厚は本発明の目的が達成される限り特に制限されるものではなぐ例えば、 0. 1〜： LOOO μ m、特に 10〜500 μ mが好適である。

[0048] 工程（B) ;

工程 (B)では、工程 (A)で得られた有機膜が有する酸性基またはそのエステル基を、酸性基の金属 (Ml)塩にする。処理方法は有機膜が有する基によって異なる。以下の工程 (B)の説明にお、ては、有機基が有する基が酸性基の場合 (工程 (b 1) ) と、酸性基のエステルの場合 (工程 (b2) )とに分けて説明する。

[0049] 工程 (bl) ;

工程 (A)において酸性基を有するモノマー 1を用い、有機膜が酸性基を有する場合は、有機膜を、金属 (Ml)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基を金属 (M 1)塩にする。この処理は、例えば、金属（Ml)イオンを含有する水溶液に、有機膜を有する基板またはフィルムを浸漬することによって容易に実施可能である。

[0050] 金属（Ml)イオンは、後述の工程 (C)において金属膜形成用の金属（M2)イオンとカチオン交換可能な金属イオンであり、すなわち、工程 (C)において金属（M2)ィォンとカチオン交換され得るものである。詳しくは金属（Ml)イオンは金属（M2)イオンよりもイオン化傾向が高いものである。よって、金属（Ml)イオンは金属（M2)イオンに応じて適宜選択される。金属（Ml)イオンは通常、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択される。本明細書中、イオン化傾向とは、金属が水と接するとき金属ィオン（陽イオン）になる傾向のことであり、金属イオンのイオン化傾向の高さは、金属から当該金属イオンになる傾向の高さに基づくものである。

[0051] 例えば、後述の工程 (C)で金属（M2)イオンとして銀イオンが使用される場合、金属（Ml)イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択されることが好ましい。

[0052] また例えば、後述の工程 (C)で金属（M2)イオンとして銅イオンが使用される場合、金属（Ml)イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中力も選択されることが好ましい。

[0053] また例えば、後述の工程 (C)で金属（M2)イオンとして金イオンが使用される場合、金属（Ml)イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中力も選択されることが好ましい。

[0054] また例えば、後述の工程 (C)で金属（M2)イオンとしてパラジウムイオンが使用される場合、金属（Ml)イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択されることが好ましい。

[0055] また例えば、後述の工程 (C)で金属（M2)イオンとしてインジウムイオンが使用される場合、金属（Ml)イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択されることが好ましい。

[0056] また例えば、後述の工程 (C)で金属（M2)イオンとして白金イオンが使用される場合、金属（Ml)イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中力も選択されることが好ましい。

[0057] 金属（Ml)イオンを含有する水溶液の具体例として、例えば、水酸ィ匕カリウム、水酸化ナトリウム等の水溶液が挙げられる。そのような水溶液における金属（Ml)イオンの濃度は酸性基の金属塩が生成する限り特に制限されないが、本発明においては 0. 1〜2. 5Mのような比較的低濃度であっても効率よく酸性基の金属塩が生成するので好ましい。本発明は 2種類以上の金属（Ml)イオンを使用することを妨げるものではなぐその場合には金属（Ml)イオンの合計濃度が上記範囲内であればよい。

[0058] 金属 (Ml)イオン含有水溶液での処理によって、有機膜が有する酸性基の水素ィオンが金属 (Ml)イオンに置換される。具体的には、有機膜が有する例えば、 -CO OHまたは— SO Hのような酸性基の水素イオンは直接的に金属（Ml)イオンに置

3

換され、例えば、— COOM¹または— SO M¹等のような酸性基金属塩が生成する。

3

M¹は金属 (Ml)イオンの金属原子を示す (以下、同様とする)。

[0059] 工程 (bl)の処理条件は酸性基の金属塩が生成する限り特に制限されず、処理温度は通常は 0〜80°C、好ましくは 20〜40°Cである。処理時間（浸漬時間）は通常は

1〜30分間、好ましくは 5〜15分間である。

[0060] 工程（b2) ;

工程 (A)において酸性基のエステル基を有するモノマー 1を用い、有機膜が当該エステル基を有する場合は、以下の処理 (b2— 1)または処理 (b2— 2)を行い、酸性基のエステル基を酸性基の金属（Ml)塩にする。

[0061] 処理 (b2— 1)では、有機膜を、アルカリ金属イオンを含有するアルカリ水溶液で処理する。処理 (b2— 1)の方法は、金属（Ml)イオンを含有する水溶液の中でも、カリゥムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンを含有するアルカリ水溶液を用いること以外、前記工程 (bl)における処理方法と同様である。

[0062] 処理 (b2— 1)によって、有機膜が有する酸性基のエステル基におけるエステル結合がけん化される。具体的には、有機膜が有する例えば、—COOR⁵または SO R

3

⁵のようなエステル基はけん化されて、例えば、 -COOK,—COONa、—SO Kまた

3 は― SO Na等のような酸性基のアルカリ金属塩が生成する。

3

[0063] 処理 (b2— 2)では、有機膜を、酸水溶液で処理した後、金属（Ml)イオンを含有する水溶液で処理する。酸水溶液での処理によって、有機膜が有する酸性基のエステル基におけるエステル結合が加水分解されて、酸性基が生成し、その後の金属（Ml )イオンを含有する水溶液での処理によって、当該酸性基の水素イオンが金属（Ml) イオンに置換される。具体的には、有機膜が有する例えば、—COOR⁵または SO

3

R⁵のようなエステル基は酸水溶液処理によって加水分解され、それぞれ— COOHまたは SO H等の酸性基を生成する。その後、金属（Ml)イオンを含有する水溶液

3

での処理によって、酸性基の水素イオンが金属（Ml)イオンに置換され、例えば、 COOM¹または SO M¹等のような酸性基金属塩が生成する。

3

[0064] 酸水溶液での処理は、例えば、酸水溶液に、有機膜を有する基板またはフィルムを浸漬することによって容易に実施可能である。酸水溶液として、例えば、塩酸、硫酸、硝酸または酢酸等の水溶液を使用できる。酸の濃度は例えば、 0. 1〜： L0M、好ましくは 0. 5〜5Mである。処理温度は例えば、 0〜80°C、好ましくは 20〜50°Cである。処理時間（浸漬時間）は例えば、 1〜30分間、好ましくは 5〜15分間である。

[0065] 処理 (b2— 2)において金属（Ml)イオンを含有する水溶液での処理方法は、処理温度が 0〜80°C、特に 20〜50°Cで、前記工程 (bl)における処理方法と同様である

[0066] 工程（C) ;

工程 (C)では、工程 (B)で得られた有機膜を、金属膜形成用の金属イオン (前記金属（M2)イオン）を含有する水溶液で処理して、酸性基の金属（Ml)塩を金属（M2) 塩にする。特に工程 (B)の処理 (b2—l)によって有機膜が酸性基のアルカリ金属塩を有する場合には、当該処理によってアルカリ金属塩を金属（M2)塩にする。この処理は、例えば、金属 (M2)イオンを含有する水溶液に、有機膜を有する基板またはフイルムを浸漬することによって容易に実施可能である。金属（M2)イオンは前述のように金属（Ml)イオンやアルカリ金属イオンよりイオンィ匕傾向が低いので、そのような処理によって有機膜が有する酸性基の金属（Ml)塩またはアルカリ金属塩は、例えば、— COOM¹または— SO M¹からそれぞれ— COOM²または— SO M²に容易に転

3 3

化し、結果としてカチオン交換が達成され、有機膜に金属 (M2)イオンが導入 '固定される。 M²は金属 (M2)イオンの金属原子を示す (以下、同様とする)。

[0067] 金属（M2)イオンは、形成されるべき所定の金属膜を構成する金属のイオンであつて、前述のように金属（Ml)イオンよりもイオン化傾向の低いものである。特に工程 (B )で処理 (b2— 1)を行った場合にお!、て金属（M2)イオンは、アルカリ金属イオンよりもイオン化傾向の低いものである。

[0068] 金属（M2)イオンは、通常は、銀イオン、銅イオン、金イオン、パラジウムイオン、ィンジゥムイオン、白金イオン、コノルト、ニッケルの中力ら選択される。

[0069] 金属（M2)イオンを含有する水溶液の具体例として、例えば、硝酸銀、酢酸銀、炭酸銀、硫酸銀、塩化銀、硝酸銅、硫酸銅、酢酸銅、炭酸銅、塩化銅、塩ィ匕金 (I)、塩化金（111)、塩化金酸、酢酸金、塩化パラジウム、硫酸インジウム、 trans—ジアミンジクロ口白金等の水溶液が挙げられる。そのような水溶液における金属（M2)イオンの濃度は、カチオン交換が達成される限り特に制限されず、例えば、 l〜500mM、特に 50〜200mM力子ましい。処理温度は例えば、 0〜80°C、好ましくは 20〜40°Cである。処理時間（浸漬時間）は例えば、 1〜30分間、好ましくは 5〜15分間である。本発明は 2種類以上の金属 (M2)イオンを使用することを妨げるものではなぐその場合には金属（M2)イオンの合計濃度が上記範囲内であればよい。

[0070] 工程（D) ;

工程 (D)では、金属膜形成用の金属イオン (前記金属 (M2)イオン)を還元して、有機膜表面に金属膜を形成する。すなわち、工程 (C)で有機膜に導入された金属（ M2)イオンを還元することによって、当該イオンの金属原子を有機膜表面に析出させ、所定の金属膜を形成できる。

[0071] 還元方法は金属イオンを還元できれば特に制限されず、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルァミンボラン、トリメチルァミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、あるいはそれらの誘導体、亜硫酸塩、次亜燐酸塩等の還元剤を用いる方法、紫外線を照射する方法、プラズマを用いる方法、または水素を用いる方法等が挙げられる。 [0072] 例えば、還元剤を用いる方法にぉヽては、有機膜表面を還元剤と接触させればよい。還元剤は通常、水溶液の形態で使用され、還元剤水溶液に、有機膜を有する基板またはフィルムを浸漬することによって還元を容易に達成できる。還元剤水溶液の還元剤の濃度は l〜500mM、特に 5〜50mMが好ましい。処理温度は例えば、 0〜 80°C、好ましくは 20〜40°Cである。処理時間（浸漬時間）は例えば、 1〜30分間、好ましくは 5〜 15分間である。

[0073] また例えば、紫外線を照射する方法においては、有機膜表面に対して紫外線を照射すればよい。例えば、セン特殊光源株式会社製 UV照射装置 PL16— 110を用いる場合は照射時間を 10〜150分間、特に 60〜90分間とすることが好ましい。そのような方法によって還元を行う場合は、マスクを用いて紫外線照射することによって、マスクに対応するパターン形状を有する金属膜を形成できる。マスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、比較的複雑な金属パターンであっても、簡便に形成可能である。パターン部以外の領域は、例えば、 1%程度の硝酸あるいは硫酸水溶液等に浸漬することによって除去できる。

[0074] 還元を完了した後は、通常、洗浄し、乾燥する。

洗浄は水洗であってもよヽが、硫酸水溶液により洗浄することが好ましヽ。乾燥は室温での放置によって達成してもよいが、得られた金属膜の酸ィ匕を防止する観点から、窒素雰囲気下で行うことが好ましい。

[0075] 本発明にお、て上記した各工程または処理間の洗浄処理として水洗を行うことが好ましい。

[0076] 以上のような工程を経て得られる金属膜の厚みは特に制限されるものではなぐ例えば、 10〜500nm、特に 20〜200nmの範囲内で制御可能である。

[0077] 金属膜の厚みは断面観察、例えば TEM (株式会社日立ハイテクノロジーズ社製）によって測定可能である。

実施例

[0078] 以下の材料を用いた。

TMP— A (共栄社ィ匕学株式会社；トリメチロールプロパントリアタリレート） PE—4A (共栄社ィ匕学株式会社;ペンタエリスリトールテトラアタリレート） TBA (大阪有機株式会社;トリブチルアタリレート）

[0079] (実施例 1)

下記の化合物を混合し、薬液を作成した。

'ダロキュア 1173 0. 30% (チノく'スペシャルティ'ケミカルズ株式会社）

'アクリル酸 99. 7% (和光純薬株式会社）

アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製 UV照射装置 PL16— 110で 6分間 UV照射すると、アクリル板上に透明の下地 (榭脂膜) (厚み約 20 μ m)が形成された。

[0080] その後、下地が形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって Ag膜が得られた。

(1) 25°C2. 5M水酸ィ匕カリウム水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(2)蒸留水中で十分に洗浄する。

(3)室温 50mM硝酸銀水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(4)蒸留水中で十分に洗浄する。

(5)室温 50mM水素化ホウ素ナトリウム水溶液に浸漬し 5分間保持する。

(6)蒸留水中で十分に洗浄する。

(7)室温 1 %硫酸で洗浄する。

(8)蒸留水中で十分に洗浄する

(9)窒素雰囲気下で乾燥する。

[0081] これにより、青暗い金属光沢のある膜厚 20nm程度の Ag膜が得られた。高価な装置は必要とせず、数十 nmの金属膜を、工業界で汎用的な基板 (アクリル板)上に非常に安価で作成できた。また従来技術と比較して金属成膜過程全体にお!/、て最高 4 5°Cし力加温を必要としないので、基板の制限はほとんどなぐ耐熱性の低いアクリル榭脂等の上にも成膜できる。膜厚は特に限定されるものではない。

[0082] (実施例 2)

下記の化合物を混合し、薬液を作成した。

'アクリル酸 89. 7% (和光純薬株式会社） •TMP-A 5. 0% (共栄社化学株式会社）

•PE-4A 5. 0% (共栄社化学株式会社）

[0083] その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって Ag膜が得られた。

(2)蒸留水中で十分に洗浄する。

(3)室温 50mM硝酸銀水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(4)蒸留水中で十分に洗浄する。

(6)蒸留水中で十分に洗浄する。

(7)室温 1 %硫酸で洗浄する。

(8)蒸留水中で十分に洗浄する。

(9)窒素雰囲気下で乾燥する。

[0084] これにより作成される Ag膜は実施例 1と比較して、榭脂の構造が嵩高くなつたことにより、還元される金属イオンの量が多くなり、裏面の黒さがなぐ裏面でも鏡面反射する Ag膜が得られた。また還元されるイオンの量が多くなることにより、金属膜の膜厚も厚くなる効果 (50nm)が相乗的に得られ、金属面も銀色を呈した。基板の選択性は実施例 1と同様である。膜厚は特に限定されるものではない。

[0085] (実施例 3)

下記の化合物を混合し、薬液を作成した。

'ダ口キュア 1173 0. 30% (チノく'スペシャルティ'ケミカルズ株式会社）

'アクリル酸 89. 7% (和光純薬株式会社）

•TMP-A 5. 0% (共栄社化学株式会社）

•PE-4A 5. 0% (共栄社化学株式会社）

[0086] その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって導電性 Ag膜が得られた。

( 1) 25°C2. 5M水酸ィ匕カリウム水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(2)蒸留水中で十分に洗浄する。

(3)室温 50mM硝酸銀水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(4)蒸留水中で十分に洗浄する。

(5) 60分間 UV照射 (セン特殊光源株式会社製 UV照射装置 PL16— 110)を行う。

(6)蒸留水中で十分に洗浄する。

(7)室温 1 %硫酸で洗浄する。

(8)蒸留水中で十分に洗浄する。

(9)窒素雰囲気下で乾燥する。

[0087] これにより、膜厚 50nmの Ag膜が得られた。実施例 1と比較すると樹脂の構造が嵩高くなつたため、 UV還元される Agイオンの量が多くなり、表面が銀色を呈する Ag膜が得られた。基板の選択性は実施例 1と同様である。 UV還元によっても実施例 2と同様の効果が得られる。膜厚は特に限定されるものではない。

[0088] (実施例 4)

下記の化合物を混合し、薬液を作成した。

'アクリル酸 89. 7% (和光純薬株式会社）

•TMP -A 5. 0% (共栄社化学株式会社）

•PE -4A 5. 0% (共栄社化学株式会社）

[0089] その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって最小線幅 2 μ να l : lLine& Space Agパターンが得られた。 (1) 25°C2. 5M水酸ィ匕カリウム水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(2)蒸留水中で十分に洗浄する。

(3)室温 50mM硝酸銀水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(4)蒸留水中で十分に洗浄する。

(5)基板の上に水滴を落とし、その上力も気泡が入らないようにマスクを置き、固定ィ匕する。その後 60分間 UV照射 (セン特殊光源株式会社製 UV照射装置 PL16— 110 )を行う。

(6)蒸留水中で十分に洗浄する。

(7)室温 1 %硫酸で洗浄する。

(8)蒸留水中で十分に洗浄する

(9)窒素雰囲気下で乾燥する。

[0090] マスクを介して UV照射するだけで、 Agパターンを作成することができ、最小線幅 2 m 1 : 1 L&S Agパターンが得られた。透明性はコントラストの観点力解像性に大きく影響しており、本発明では従来技術と比較して透明性が向上したことにより、従来技術よりさらに解像性が向上した。これに用いられる基板の制限はほとんどなぐ透明で安価なアクリル榭脂等でもパターユングできる。基板の選択性につ！ヽては実施例 1と同様である。膜厚は特に限定されるものではなぐ最小線幅は UV照射装置の性能に依存するものである。

[0091] (実施例 5)

下記の化合物を混合し、薬液を作成した。

'アクリル酸 89. 7% (和光純薬株式会社）

•TMP-A 5. 0% (共栄社化学株式会社）

•PE-4A 5. 0% (共栄社化学株式会社）

[0092] その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって導電性 Cu膜が得られた。

(2)蒸留水中で十分に洗浄する。

(3)室温 50mM硫酸銅水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(4)蒸留水中で十分に洗浄する。

(6)蒸留水中で十分に洗浄する。

(7)室温 1 %硫酸で洗浄する。

(8)蒸留水中で十分に洗浄する。

(9)窒素雰囲気下で乾燥する。

[0093] これにより作成される Cu膜は膜厚 60nm程度の Cu膜であった。高価な装置は必要とせず、数十 nmの金属膜を、工業界で汎用的な基板 (アクリル板)上に非常に安価で作成できた。また従来技術と比較して金属成膜過程全体にお!/ヽて最高 25°Cしか加温を必要としないので、基板の制限はほとんどなぐ耐熱性の低いアクリル榭脂等の上にも成膜できる。膜厚は特に限定されるものではない。

[0094] (実施例 6)

下記の化合物を混合し、薬液を作成した。

'ダ口キュア 1173 5. 0% (チノく'スペシャルティ'ケミカルズ株式会社） •TBA 95. 0% (大阪有機株式会社）

アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製 UV照射装置 PL16— 110で 10分間 UV照射すると、アクリル板上に透明の下地 (榭脂膜) (厚み約 20 μ m)が形成された。

[0095] その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって Ag膜が得られた。

(1) 30°C2. 5M水酸ィ匕カリウム水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(2)蒸留水中で十分に洗浄する。

(3)室温 50mM硝酸銀水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(4)蒸留水中で十分に洗浄する。 (5)室温 lOOmM水素化ホウ素ナトリウム水溶液に浸漬し 5分間保持する。

(6)蒸留水中で十分に洗浄する。

(7)室温 1 %硫酸で洗浄する。

(8)蒸留水中で十分に洗浄する。

(9)窒素雰囲気下で乾燥する。

[0096] これにより、膜厚約 30nmの Ag膜が得られた。バルキーなエステルをアルカリによつて加水分解すること（けん化)で架橋剤を必要とせず、架橋剤を配合した時と同様の効果が得られる。（実施例 2と同じ効果でエステルのけん化を用いた場合）

[0097] (実施例 7)

下記の化合物を混合し、薬液を作成した。

'ダ口キュア 1173 5. 0% (チノく'スペシャルティ'ケミカルズ株式会社）

•TBA 75. 0% (大阪有機株式会社）

•PE-4A 20. 0% (共栄社化学株式会社）

アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製 UV照射装置 PL16— 110で 10分間 UV照射すると、アクリル板上に透明の下地 (榭脂膜) (厚み約 30 μ m)が形成された。

[0098] その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって Ag膜が得られた。

(1) 30°C1MHC1水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(2)蒸留水で十分に洗浄する。

(3)室温 2. 5M水酸化カリウム水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(4)蒸留水中で十分に洗浄する。

(5)室温 50mM硝酸銀水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(6)蒸留水中で十分に洗浄する。

(7)室温 lOOmM水素化ホウ素ナトリウム水溶液に浸漬し 5分間保持する。

(8)蒸留水中で十分に洗浄する。

(9)室温 1 %硫酸で洗浄する。

(10)蒸留水中で十分に洗浄する。 (11)窒素雰囲気下で乾燥する。

[0099] これにより、膜厚約 50nmの Ag膜が得られた。エステルの酸を用いた加水分解でも実施例 6と同様の効果が得られる。

[0100] (実施例 8)

下記の化合物を混合し、薬液を作成した。

•TBA 75. 0% (大阪有機株式会社）

•PE-4A 20. 0% (共栄社化学株式会社）

[0101] その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって最小線幅 2

/z m lL&S Agパターンが得られた。

(2)蒸留水中で十分に洗浄する。

(3)室温 50mM硝酸銀水溶液に浸漬し 10分間保持する。

(4)蒸留水中で十分に洗浄する。

(6)蒸留水中で十分に洗浄する。

(7)室温 1 %硫酸で洗浄する。

(8)蒸留水中で十分に洗浄する。

(9)窒素雰囲気下で乾燥する。

[0102] これにより、膜厚約 40nmの Ag膜が得られた。これによつてエステルタイプ榭脂のけん化を用いた方法でも実施例 4と同様に微細金属配線を作ることができた。

[0103] 実施例 1〜8のダロキュア 1173は、ィルガキュア 651, 907, BASFジャパン製のルシリン TPOに変えても同様の結果が得られた。また硝酸銀は、同濃度の酢酸銀，炭酸銀，硫酸銀 (いずれも和光純薬製)に変えても同様の結果が得られた。

さらに硝酸銀は、同濃度の塩化パラジウム、硫酸インジウム、 trans—ジアミンジクロ口白金に変えても所定の金属膜が得られた。

[0104] (比較例 1)

ポリイミド板 (Kapton200H；東レ ·デュポン社製)を下記の工程に供した。

(1) 50°C5M水酸ィ匕カリウム水溶液に浸漬し 5分間保持する。

(2)蒸留水中で十分に洗浄する。

(3)室温 50mM硝酸銀水溶液に浸漬し 5分間保持する。

(4)蒸留水中で十分に洗浄する。

(5)基板の上に水滴を落とし、その上力気泡が入らな、ように Crで被覆された石英マスクを置き、固定ィ匕する。その後 60分間 UV照射 (セン特殊光源株式会社製 UV照射装置 PL16— 110)を行う。

(6)蒸留水中で十分に洗浄する。

(7)室温 1 %硫酸で洗浄する。

(8)蒸留水中で十分に洗浄する

(9)窒素雰囲気下で乾燥する。

本工程では、実施例 4、 8と同じ UV照射条件で還元処理を行ったにもかかわらず最小線幅 2 m 1 : 1 L&Sのパターンを得ることはできなかった。

産業上の利用可能性

[0105] 本発明は、半導体、液晶表示パネル、高周波用途を始めとする各種電子部品、及びセンサー等の分野で使用される電極、微細配線回路、反応膜、保護膜等としての金属膜の形成に有用である。また本発明によって SPRまたは SAWセンサー用の金属膜の形成が可能である。

Claims

請求の範囲

[1] 酸性基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、有機膜を、金属 (Ml)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基を金属 (Ml)塩にする工程、

有機膜を、金属 (Ml)イオンよりイオン化傾向の低い金属 (M2)イオンを含有する水溶液で処理して、金属（Ml)塩を金属（M2)塩にする工程、および

金属 (M2)イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程

を含むことを特徴とする金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[2] 金属膜形成用下地組成物がさらに架橋剤かつ、または界面活性剤を含有することを特徴とする請求項 1に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[3] 金属膜形成用下地組成物において酸性基を有する重合性モノマーの含有量が組成物全量に対して 30〜99. 9重量％を有し、架橋剤の含有量が組成物全量に対して 0〜69. 9重量％であり、重合開始剤の含有量が 0. 1〜10重量％であることを特徴とする請求項 2に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[4] 塗布をスピンコートまたはスプレーコートにより行い、重合を紫外線照射により行うことを特徴とする請求項 1に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[5] 金属（Ml)イオンを含有する水溶液として水酸ィ匕カリウムまたは水酸ィ匕ナトリウムの水溶液を用いることを特徴とする請求項 1に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[6] 金属（M2)イオンが銀イオン、銅イオン、金イオン、パラジウムイオン、インジウムィオンまたは白金イオンであることを特徴とする請求項 1に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[7] 還元を、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルァミンボラン、トリメチルァミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、あるいはそれらの誘導体、亜硫酸塩、次亜燐酸塩、紫外線、プラズマ、または水素によって行うことを特徴とする請求項 1に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[8] 有機膜形成工程にぉヽてマスクを用いて紫外線照射により重合を行ヽ未反応モノマーを除去すること、または金属膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、パターン形状を有する金属膜を形成することを特徴とする請求項 1に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[9] 酸性基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する、請求項 1に記載の金属膜の形成方法において使用される金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物。

[10] 請求項 1に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法によって形成されたことを特徴とする金属膜および金属配線パターン。

[11] 酸性基のエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、

有機膜を、金属 (Ml)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基のエステル基を酸性基のアルカリ金属塩にする工程、

有機膜を、アルカリ金属イオンよりイオン化傾向の低い金属 (M2)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基のアルカリ金属塩を金属（M2)塩にする工程、および金属 (M2)イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程

[12] 金属膜形成用下地組成物がさらに架橋剤かつ、または界面活性剤を含有することを特徴とする請求項 11に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[13] 金属膜形成用下地組成物において酸性基のエステル基を有する重合性モノマーの含有量が組成物全量に対して 30〜99. 9重量％であり、架橋剤の含有量が組成物全量に対して 0〜69. 9重量％であり、重合開始剤の含有量が 0. 1〜10重量％であることを特徴とする請求項 12に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[14] 塗布をスピンコートまたはスプレーコートにより行い、重合を紫外線照射により行うことを特徴とする請求項 11に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[15] 金属（Ml)イオンを含有する水溶液として水酸ィ匕カリウムまたは水酸ィ匕ナトリウムの水溶液を用いることを特徴とする請求項 11に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[16] 金属（M2)イオンが銀イオン、銅イオン、金イオン、パラジウムイオン、インジウムィオンまたは白金イオンであることを特徴とする請求項 11に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[17] 還元を、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルァミンボラン、トリメチルァミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、あるいはそれらの誘導体、亜硫酸塩、次亜燐酸塩、紫外線、プラズマ、または水素によって行うことを特徴とする請求項 11に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[18] 有機膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により重合を行い未反応モノマーを除去すること、または金属膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、パターン形状を有する金属膜を形成することを特徴とする請求項 11に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[19] 酸性基のエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する、請求項 11に記載の金属膜の形成方法にぉ、て使用される金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物。

[20] 請求項 11に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法によって形成されたことを特徴とする金属膜および金属配線パターン。

[21] 酸性基のエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、

有機膜を、酸水溶液で処理した後、金属（Ml)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基のエステル基を酸性基の金属（Ml)塩にする工程、

[22] 金属膜形成用下地組成物がさらに架橋剤かつ、または界面活性剤を含有することを特徴とする請求項 21に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[23] 金属膜形成用下地組成物において酸性基を有する重合性モノマーの含有量が組成物全量に対して 30〜99. 9重量％であり、架橋剤の含有量が組成物全量に対して 0〜69. 9重量％であり、重合開始剤の含有量が 0. 1〜10重量％であることを特徴とする請求項 22に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[24] 塗布をスピンコートまたはスプレーコートにより行い、重合を紫外線照射により行うことを特徴とする請求項 21に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[25] 金属（Ml)イオンを含有する水溶液として水酸ィ匕カリウムまたは水酸ィ匕ナトリウムの水溶液を用いることを特徴とする請求項 21に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[26] 金属（M2)イオンが銀イオン、銅イオン、金イオン、パラジウムイオン、インジウムィオンまたは白金イオンであることを特徴とする請求項 21に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[27] 還元を、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルァミンボラン、トリメチルァミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、あるいはそれらの誘導体、亜硫酸塩、次亜燐酸塩、紫外線、プラズマ、または水素によって行うことを特徴とする請求項 21に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[28] 酸水溶液として塩酸、硫酸、硝酸または酢酸の水溶液を用いることを特徴とする請求項 21に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[29] 有機膜形成工程にぉヽてマスクを用いて紫外線照射により重合を行、未反応モノマーを除去すること、または金属膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、パターン形状を有する金属膜を形成することを特徴とする請求項 21に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法。

[30] 酸性基のエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する、請求項 21に記載の金属膜の形成方法にぉ、て使用される金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物。

[31] 請求項 21に記載の金属膜および金属配線パターンの形成方法によって形成されたことを特徴とする金属膜および金属配線パターン。