WO2006075470A1 - 認証識別カード及び認証識別カード作成方法 - Google Patents

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WO2006075470A1
WO2006075470A1 PCT/JP2005/022811 JP2005022811W WO2006075470A1 WO 2006075470 A1 WO2006075470 A1 WO 2006075470A1 JP 2005022811 W JP2005022811 W JP 2005022811W WO 2006075470 A1 WO2006075470 A1 WO 2006075470A1
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WO
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card
transfer foil
layer
antistatic layer
transfer
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PCT/JP2005/022811
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Inventor
Mineko Ito
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Konica Minolta Photo Imaging, Inc.
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M3/00—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns
    • B41M3/14—Security printing

Definitions

  • the present invention relates to a contact type or non-contact type electronic or magnetic card for storing personal information or the like that requires safety (security) such as forgery or alteration prevention, or a face image with an image protection layer.
  • the present invention relates to a method for preparing an authentication identification card and an authentication identification power card suitable for application to an incoming card.
  • identification cards such as government offices, banks, companies, medical institutions, and schools, such as identification cards, passports, alien registration forms, library usage cards, cash cards, and credit cards are used. License cards such as automobile licenses, ID cards such as employee cards, employee cards, membership cards, medical cards and student cards are widespread.
  • ID card has many face cards with character information such as face images for identity verification and characters and symbols related to the owner recorded on the surface.
  • Patent Document 1 JP-A-10-863 (Pages 2-4)
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 11-268457 (Pages 1 to 4 and FIG. 1)
  • the transfer was performed twice in order to improve the mechanical strength.
  • the transfer foil for protecting the card surface is easily charged during transfer to the card, and therefore easily adheres to dust.
  • the present invention has been made in view of the strong point, and enhances safety (security) such as forgery and alteration prevention, reduces card dust adhesion compared to the conventional method, and has scratch resistance.
  • the purpose is to provide a good authentication identification card preparation method and authentication identification card.
  • the present invention is configured as follows.
  • the invention according to claim 1 is an authentication identification in which a surface protective layer is formed on the card base material by transferring at least once on the card base material using a transfer foil for card surface protection.
  • the card base material includes an antistatic layer, and electric charge leaks from the thickness direction from the surface of the card base material toward the antistatic layer to the direction toward the cross section of the card base material in the antistatic layer. It is an authentication identification card characterized by high speed.
  • the invention according to claim 2 is an authentication identification in which a surface protective layer is formed on the card base material by transferring at least once on the card base material using a transfer foil for card surface protection.
  • the card substrate includes an antistatic layer, 23 ° C., 20. / surface resistivity is 1 X 10 12 ⁇ or more at oRH and internal resistance Ru Oh authentication identification card, characterized in that is less than 1 X 10 1 ⁇ ⁇ .
  • the invention according to claim 3 is an authentication identification in which a surface protection layer is formed on the card base material by transferring at least once on the card base material using a card surface protection transfer foil.
  • the card substrate includes an antistatic layer, the thickness from the surface of the card substrate to the antistatic layer is 7 ⁇ m or more, and the thickness of the antistatic layer is 1 ⁇ m or less.
  • the invention according to claim 4 is characterized in that the card surface protection transfer foil is an antistatic layer.
  • the rate at which electric charges leak in the direction toward the cross section of the transfer foil in the antistatic layer is faster than the thickness direction from the transfer foil transfer surface toward the antistatic layer.
  • the card surface protection transfer foil includes an antistatic layer, and 23 ° C and 20 °. /. 3.
  • the invention according to claim 6 is characterized in that the card surface protection transfer foil includes an antistatic layer, and the thickness from the transfer foil transfer surface to the antistatic layer is 7 zm or more. 4.
  • the invention according to claim 7 is characterized in that the antistatic layer contains an electron conductive antistatic agent. It is the authentication identification card described in.
  • the invention according to claim 8 is characterized in that the card surface protection transfer foil has at least a release layer, a photocurable resin and an adhesive on a support. It is the authentication identification card according to any one of items 1 to 6.
  • the invention according to claim 9 is an authentication identification card in which a surface protective layer is formed on a card base material by transfer using the card surface protective transfer foil at least once on the card base material.
  • the card base includes an antistatic layer, and the card base has a higher rate of charge leakage from the surface of the card base to the antistatic layer in the direction toward the cross section of the card base than in the thickness direction.
  • a card surface protection transfer foil in contact with the card base material for transfer while applying heat to form a surface protection layer on the card base material. It is a creation method.
  • the invention described in claim 10 is an authentication in which a surface protective layer is formed on the card base material by transfer using the card surface protective transfer foil at least once on the card base material. How to make an identification card
  • the card substrate contains an antistatic layer, 23 ° C, 20. /.
  • Surface resistivity at RH is 1 ⁇ 10 12 ⁇ or more
  • the internal resistance is IX 10 1Q Q or less
  • the card base material is transferred to the card base material while making contact with the card surface protection transfer foil, and the surface protection layer is formed on the card base material.
  • An authentication identification card creating method characterized in that it is formed.
  • the invention according to claim 11 is an authentication in which a surface protective layer is formed on the card base material by transfer using the card surface protective transfer foil at least once on the card base material. How to make an identification card
  • the card substrate includes an antistatic layer, the thickness from the surface of the card substrate to the antistatic layer is 7 zm or more, and the thickness of the antistatic layer is lxm or less.
  • a method for producing an authentication identification card comprising: transferring a card surface protection transfer foil while applying heat to the card surface protection transfer foil to form a surface protective layer on the force base material.
  • the invention according to claim 12 is characterized in that the card surface protection transfer foil includes an antistatic layer, and the antistatic layer has a thickness direction from the transfer foil transfer surface toward the antistatic layer. 10.
  • the invention according to claim 13 is characterized in that the card surface protection transfer foil includes an antistatic layer, the surface specific resistance at 23 ° C and 20% RH is 1 ⁇ 10 12 ⁇ or more, and The method for producing an authentication identification card according to claim 10, wherein the resistance is 1 X 10 1 ° ⁇ or less.
  • the invention according to claim 14 is characterized in that the card surface protection transfer foil includes an antistatic layer, and the thickness from the transfer foil transfer surface to the antistatic layer is 7 / m or more, 12.
  • the card surface protection transfer foil has an antistatic layer, and after the transfer using the card surface protection transfer foil, the card surface protection transfer foil 15.
  • the authentication identification card creation method according to any one of claims 9 to 14, wherein the antistatic layer is not transferred.
  • the invention according to claim 16 is characterized in that the antistatic layer comprises an electron conductive antistatic. 16.
  • the invention according to claim 17 is characterized in that the card surface protection transfer foil has at least a release layer, a photocurable resin and adhesiveness on a support.
  • the present invention has the following effects.
  • the card base material it is transferred onto the card base material at least once by using the transfer foil for protecting the card surface.
  • a protective surface layer is formed to enhance security (security) such as forgery and alteration prevention, and the card surface has good scratch resistance.
  • the card base includes an antistatic layer, and the rate of charge leakage in the direction toward the card base cross section in the antistatic layer is faster than the thickness direction from the card base to the antistatic layer. Even if static electricity is generated when the card surface protection transfer foil is contacted or transferred to the card base material, the charge can escape along the inner layer of the card base material and Adhesion prevention effect is obtained.
  • the card surface protection transfer foil is transferred onto the card base material at least once.
  • a surface protective layer is formed to enhance the security (security) such as counterfeiting and alteration prevention, and the flaw surface has good scratch resistance.
  • the card base material includes an antistatic layer, and the surface specific resistance at 23 ° C and 20% RH is 1 X 10 12 ⁇ or more and the internal resistance is 1 X ⁇ ⁇ ⁇ or less. Even when static electricity is generated when the transfer foil is transferred to the card substrate or peeled off, an authentication identification card with a higher dust prevention effect can be obtained by reducing the internal resistance and releasing the charge. Can do.
  • the card surface protection transfer foil is used at least once on the card base material.
  • a surface protective layer is formed to enhance the security (security) such as counterfeiting and alteration prevention, and the flaw surface has good scratch resistance.
  • the card substrate includes an antistatic layer, the thickness from the surface of the card substrate to the antistatic layer is 7 ⁇ m or more, and the thickness of the antistatic layer is 1 ⁇ m or less. Even if static electricity is generated when the transfer foil for protecting the card surface is transferred to the card substrate or when it is peeled off, it is more effective in preventing dust adhesion by releasing the charge. An identification card can be obtained.
  • the card surface protection transfer foil includes an antistatic layer, and the thickness from the transfer foil transfer surface toward the antistatic layer
  • the direction in which the charge leaks in the antistatic layer in the direction toward the transfer foil cross section is faster than the direction, so that when the card surface protection transfer foil is contacted to be transferred onto the card substrate, it is peeled off. Even when static electricity is generated, dust can be prevented from adhering by releasing the charge along the inner layer of the card surface protection transfer foil.
  • the layer for releasing electric charge does not need to be close to the surface, a layer far from the surface is preferable from scratch resistance. Further, when the surface protective layer is formed on the card base material by transfer using the card surface protection transfer foil, the antistatic layer is not required for the authentication identification card after transfer by releasing the charge.
  • the card surface protection transfer foil includes an antistatic layer, and has a surface resistivity at 23 ° C and 20% RH. Is 1 ⁇ 10 12 ⁇ or more and the internal resistance is IX 10 ⁇ ⁇ or less, and even if static electricity is generated when contacting or peeling off the card surface protection transfer foil onto the card substrate It is also possible to obtain an authentication identification card with a higher dust prevention effect by lowering the internal resistance and releasing the charge.
  • the card surface protective transfer foil includes an antistatic layer, and the thickness from the transfer foil transfer surface to the antistatic layer is Is 7 ⁇ m or more, the thickness of the antistatic layer is 1xm or less, and static electricity is generated when the card surface protection transfer foil is contacted or transferred to the card substrate. Even so, it is possible to obtain an authentication identification card with a higher dust prevention effect by releasing the charge.
  • the antistatic layer contains an electron-conductive antistatic agent, thereby obtaining an antistatic layer that releases more charges. be able to.
  • the card surface protecting transfer foil comprises at least a release layer, a photocurable resin layer and an adhesive on the support. The surface protective layer can be formed by transferring the photocurable resin layer and adhesiveness to the card substrate.
  • the card surface protection transfer foil has an antistatic layer, and after the transfer using the card surface protection transfer foil, the antistatic charge is applied on the card substrate.
  • the antistatic charge is applied on the card substrate.
  • FIG. 1 is a diagram showing a first transfer.
  • FIG. 2 is a diagram showing a second transfer.
  • FIG. 3 is a diagram showing a layer structure of a card surface protecting transfer foil.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a card substrate.
  • FIG. 5 is a layer configuration diagram of a first card material.
  • FIG. 6 is a layer configuration diagram of a second card material.
  • FIG. 7 is a layer configuration diagram of an IC card.
  • FIG. 8 is a surface view of a card substrate.
  • FIG. 9 is a rear view of the card substrate.
  • FIG. 10 is a front view of the authentication identification card.
  • FIG. 11 is a rear view of the authentication identification card.
  • FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a card making device.
  • FIG. 13 is a diagram showing a configuration of a card making device.
  • FIG. 14 is a perspective view of a hot stamp device.
  • FIG. 15 is a configuration diagram of a hot stamp device.
  • FIG. 16 is a view showing peeling of the hot stamp device.
  • the embodiment of the present invention shows the most preferable mode of the present invention, and the present invention is not limited to this.
  • a surface protective layer is formed on a card base material by transferring at least once on the card base material using a card surface protection transfer foil.
  • FIG. 1 shows the first transfer.
  • This card surface protecting transfer foil 501 has a release layer 503, a photocurable resin layer 504, and an adhesive layer 507 on a support 502.
  • the card substrate 511 includes an antistatic layer 512.
  • the card surface 511 is contacted with the adhesive layer 50 7 of the card surface protection transfer foil 501 and heat is applied by the heating roll 561, and the card surface is protected. It is formed by peeling off the release layer 503 of the transfer foil 501 and transferring the surface protective layer of the photocurable resin layer 504 onto the card substrate 511.
  • FIG. 2 is a diagram showing the second transfer. In the second time, the card surface protecting transfer foil 501 is used as in the first time. In the second transfer, the adhesive layer 507 of the card surface protection transfer foil 501 is brought into contact with the photocurable resin layer 504 on the card substrate 511, and the transfer is performed while applying heat by the heating roll 561. The card surface protection transfer foil 501 is formed by peeling from the release layer 503 and transferring the surface protection layer of the photocurable resin layer 504 onto the card substrate 511.
  • the card surface protecting transfer foil 501 of this embodiment has a release layer 503, a photocurable resin layer 504, and an adhesive layer 507 on a support 502, as shown in FIGS.
  • a card surface protecting transfer foil 501 shown in FIG. 3 can be used.
  • the card surface protecting transfer foil 501 shown in FIG. 3 (a) has a structure in which an antistatic layer 505, a release layer 503, a photocurable resin layer 504, and an adhesive layer 507 are provided on a support 502.
  • the card surface protecting transfer foil 501 shown in FIG. 3 (b) has a structure in which an antistatic agent-containing release layer 508, a photocurable resin layer 504, and an adhesive layer 507 are provided on a support 502.
  • the antistatic layer 505 is provided on the opposite side.
  • the antistatic layer 505 contains an electron conductive antistatic agent and can release more charge.
  • This card surface protection transfer foil 501 has an antistatic layer 505 or an antistatic agent-containing release layer 508, which is peeled off after the card surface protection transfer foil 501 is transferred onto the card substrate 511.
  • the card surface can be maintained with better scratch resistance after transfer, and the thickness of the authentication identification card can be reduced. It can be made thin.
  • the card surface protecting transfer foil 501 has at least a release layer 503, a photocurable resin layer 504, and an adhesive 507 on a support 502, and the photocurable resin layer 504 and the adhesive 507 are provided on the support 502. It can be transferred to the card substrate 511 to form a surface protective layer.
  • Figure 4 shows the layer structure of the card substrate.
  • An IC module 3 is interposed between the first sheet material 1 and the second sheet material 2 and bonded together with adhesives 4 and 5.
  • IC module 3 is an IC chip and It has a tenor and enables communication with the outside in a non-contact state.
  • the first sheet material 1 has an image receiving layer and is provided with personal identification information 6 including a name and a face image by a sublimation thermal transfer and / or melt thermal transfer method, an ink jet method or a retransfer method.
  • the second sheet material 2 has a writable writing layer.
  • FIG. 5 is a diagram showing the layer structure of the first sheet material.
  • the photocurable cushioning layer lb, the first image receiving layer lc, the antistatic layer ld, and the second image receiving layer le are laminated in this order on the support la.
  • an antistatic layer ld, a light-curing cushion layer lb, a first image receiving layer lc, and a second image receiving layer le are sequentially laminated on a support la. ing.
  • a photocurable cushioning layer lb, an antistatic layer ld, a first image receiving layer lc, and a second image receiving layer le are sequentially laminated on a support la. ing.
  • the card base 511 preferably includes an antistatic layer Id. After the card surface protection transfer foil 501 is transferred, the card base 511 includes the antistatic layer Id on the card base 511. It is possible to obtain an antistatic layer that contains a child-conductive antistatic agent and further releases electric charges.
  • Personal identification information 6 including a name and a face image is recorded on the second image receiving layer le of the first sheet material 1 by the sublimation thermal transfer and / or the melt thermal transfer method, the ink jet method or the retransfer method. Is done.
  • FIG. 6 is a layer configuration diagram of the second sheet material.
  • a writing layer 2b is laminated on a support 2a.
  • a cushion layer may be provided between the support 2a and the writing layer 2b.
  • an IC card is shown in FIG. 7 as an authentication identification card, the card surface protection transfer foil 501 is transferred at least once onto the card substrate 511, and the surface protection layer 9 is formed on the card substrate 511. It is formed.
  • the IC card of this embodiment includes an IC module 3 comprising an IC chip 3a and an antenna 3b at a predetermined position between the first sheet material 1 and the second sheet material 2. Is placed and filled with adhesives 4 and 5.
  • Personal identification information 6 is personal information such as a face image, address, name, date of birth, etc., and is applied to a card with a face image with an image protection layer that is required to prevent falsification and the like.
  • Card base 5 is personal information such as a face image, address, name, date of birth, etc., and is applied to a card with a face image with an image protection layer that is required to prevent falsification and the like.
  • card surface protection transfer foil 501 are used to transfer the surface protective layer 9 to the card substrate 511, thereby improving the scratch strength and scratch resistance, and reducing the amount of charge peeled off during transfer. As a result, it is possible to obtain an authentication identification card that does not have a poor appearance due to dust on the card surface.
  • FIG. 8 is a front view of the card substrate
  • FIG. 9 is a back view of the card substrate.
  • Personal identification information such as name and face image is recorded on the surface of the card substrate of the ID card or IC card that is the authentication identification card.
  • a line will be provided on the back of the card base so that personal identification information such as issuer name and issuer telephone number can be added.
  • FIG. 10 is a front view of the authentication identification card
  • FIG. 11 is a rear view of the authentication identification card.
  • Personal identification information such as name, ID number and face image is recorded on the surface of the ID card or IC card that is the authentication identification card.
  • the back of the ID card or IC card is provided with a shoreline, and personal identification information such as issuer name and issuer telephone number is added.
  • the card making device is configured as shown in FIGS.
  • the card base material supply unit 10 and the information recording unit 20 are arranged at the upper position, and the transfer foil applying unit 60 is arranged at the lower position, thereby creating a card as an image recording body.
  • the card base material supply unit 10 a plurality of card base materials 511, which have been cut into a single sheet in advance to write personal identification information of the card user, face up to record a face photograph. It has been stocked.
  • the card base 511 is composed of a support and an image receiving layer, and the force base 511 is automatically supplied from the card base supply unit 10 at a predetermined timing:!
  • a yellow ribbon cassette 21, a magenta ribbon cassette 22, a cyan ribbon cassette 23, and a black ribbon cassette 24 are arranged, and recording heads 25 to 28 are arranged corresponding to each of them.
  • a thermal transfer sheet such as a yellow ribbon, magenta ribbon, cyan ribbon, etc.
  • An image area having gradation such as a card user's face photograph is recorded in the area.
  • a character ribbon cassette 31 and a recording head 32 are arranged, and authentication identification information such as the name and card issuance date is recorded by thermal transfer using a thermal transfer sheet such as a character ribbon, and an image recording layer is formed.
  • a transfer foil cassette 61 is disposed in the transfer foil applying unit 60, and a thermal transfer head 62 is disposed corresponding to the transfer foil cassette 61.
  • a transfer foil 66 for protecting the card surface is set in the transfer foil cassette 61, and the transfer foil 66 for protecting the card surface is transferred and discharged to the card stacking unit 99.
  • the card base material supply unit 10 and the information recording unit 20 are configured in the same manner, but two transfer foil applying units 60 are arranged.
  • the transfer foil applying unit 60 in FIGS. 12 and 13 is configured as shown in FIGS.
  • a transfer cartridge 400 is set inside the hot stamp apparatus 500, and the transfer force cartridge 400 is provided with a transfer foil driven core 451a and a transfer foil drive core 451b in a transfer foil accommodating portion 421.
  • the transfer foil drive core 451b rotates, the transfer foil 501a card surface protection transfer foil 501 of the transfer foil driven core 451a is scraped off through the metal drive rolls 422a and 422b, and light is applied to the card substrate 511 by the thermal roller device 430.
  • a surface protective layer having a curable resin layer 504 is formed by transfer.
  • the surface of the card base 511 is transferred onto the card base 511 at least once by transfer using the card surface protection transfer foil 501.
  • a protective layer is formed to improve security (security) such as forgery and alteration prevention, and the card surface has good scratch resistance.
  • This card base 511 includes an antistatic layer 512, and the direction from the surface of the card base to the antistatic layer 512. From the thickness direction, the direction from the thickness direction to the cross section of the card base 512 In this configuration, the rate at which electric charge leaks is high. Therefore, static electricity is generated when the card surface protection transfer foil 501 is brought into contact with the card substrate 511 for transfer or when it is peeled off. However, the charge can be released along the inner layer of the card substrate 511, and the effect of preventing dust adhesion can be obtained.
  • the card surface protecting transfer foil 501 includes an antistatic layer 505, and the antistatic layer is formed in the thickness direction from the transfer foil transfer surface toward the antistatic layer 505.
  • This structure has a high rate of electric charge leakage in the direction of the directional force on the transfer foil cross section.
  • the card surface protecting transfer foil 501 shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c) Therefore, even if static electricity is generated when the card surface protection transfer foil 501 is brought into contact with the card substrate 511 for transfer or peeling, the card surface protection transfer foil 501 is moved along the inner layer of the card surface protection transfer foil 501. By releasing the charge, the effect of preventing dust adhesion can be obtained.
  • the layer for releasing electric charge does not need to be close to the surface, a layer far from the surface is preferable from scratch resistance. Further, when the surface protective layer is formed on the card substrate 511 by transfer using the card surface protection transfer foil 501, the anti-static layer is not formed on the authentication identification card after transfer by releasing the charge. It becomes important.
  • the card surface protection transfer foil 501 is transferred at least once onto the force base material 511 as in the first embodiment.
  • a surface protective layer is formed on the card substrate 511.
  • This card substrate 511 includes an antistatic layer 512, has a surface specific resistance of 1 to 10 12 ⁇ or more at 23 ° C. and 20% RH, and an internal resistance of 1 to 10 ⁇ ⁇ or less. Therefore, even if static electricity is generated when the card surface protection transfer foil 501 is contacted or transferred to the card substrate 511, the internal resistance of the card surface protection transfer foil 501 is reduced to reduce the charge. By escaping, it is possible to obtain an authentication identification card that is more effective in preventing dust adhesion.
  • the card surface protection transfer foil 501 includes an antistatic layer 505, and the surface specific resistance at 23 ° C. and 20% RH is 1 to 10 12 ⁇ or more.
  • the internal resistance is 1 ⁇ 10 1 ⁇ or less.
  • the card surface protection transfer foil 501 is transferred at least once onto the force base material 511 as in the first embodiment.
  • a surface protective layer is formed on the card substrate 511.
  • the card substrate 511 includes an antistatic layer 512, the thickness from the card substrate surface to the antistatic layer 512 is 7 xm or more, and the thickness of the antistatic layer 512 is lxm or less. Therefore, even if static electricity is generated when the card surface protection transfer foil 501 is brought into contact with the card substrate 511 for transfer or peeled off, the antistatic layer 512 allows the charge to escape to prevent adhesion of dust. An authentication identification card with higher effect can be obtained.
  • the card surface protection transfer foil 501 includes an antistatic layer 505, and the thickness from the transfer foil transfer surface to the antistatic layer 505 is 7 xm or more.
  • the thickness of the antistatic layer 500 is lxm or less.
  • the card form of the authentication identification card is not particularly limited as long as the configuration of the present invention is satisfied, and may be an IC card incorporating an IC module or a card not incorporating an IC module.
  • an IC card having an antenna and an IC chip is sealed between the first and second sheet materials facing each other via an adhesive.
  • the first sheet material is provided with an image receiving layer.
  • An example of the image receiving layer is one in which an image containing gradation information is formed by a sublimation thermal transfer method and a character information containing image is formed by a sublimation thermal transfer method or a melt thermal transfer method.
  • Individual identification information is provided in the layer. For example, in the case of an employee ID card, the personal identification information is “name”, “issue date”, “face photo” image information, and the like.
  • a card surface protective layer is provided so as to cover the surface of the card substrate.
  • the image receiving layer in the present invention forms a gradation information-containing image by a sublimation type thermal transfer method and also forms a character information-containing image by a sublimation type thermal transfer method or a melt type thermal transfer method. Adhesiveness, or dyeing property of sublimable dyes as well as heat-meltable ink must have good adhesion. In order to impart strength and special properties to the image receiving layer, it is necessary to appropriately adjust the types of binders and various additives and their blending amounts as described later.
  • the transfer foil for card surface protection according to the present invention preferably has at least a release layer on the support.
  • the card substrate and the card surface protection transfer foil are bonded together with heat through an adhesive layer.
  • the adhesive layer it is preferable to use a hot melt resin or a resin containing a hot melt resin having a resin softening point of about 130 ° C or slightly lower.
  • the card surface protection transfer foil includes an intermediate layer, a primer layer, a hologram layer, and an optical change element layer between the photocurable resin layer and the adhesive layer. Etc. can be provided.
  • the card surface protection transfer foil may be transferred once or transferred and laminated two or more times. In this case, the card surface protection transfer foil may be the same or different.
  • the photo-curing resin layer is transferred at least once onto the card base, thereby improving safety (security) such as forgery and alteration prevention, and scratch resistance. Can be improved.
  • the hardness of the card surface protecting transfer foil is preferably HB or higher in terms of pencil hardness.
  • pencil hardness means the hardness of the carbon core of a pencil (6B to B, HB, H, 2H to 6H) according to JIS K5400.
  • the hardest layer of the card surface protecting transfer foil preferably has an elastic modulus of 350 kg / mm 2 or more and a breaking elongation of 20% or less, more preferably an elastic modulus of 400 kgZmm 2 or more and a breaking elongation of 15% or less.
  • polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate Z isophthalate copolymer
  • polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, polyfluoride, polyvinylidene fluoride, poly-4 Fluorinated styrene, ethylene monotetrafluoroethylene copolymer, Polyfluorinated styrene resin such as Nylon 6, Nylon 6.6, Polyamide, Polyvinyl chloride, Bulle chloride / Butyl acetate copolymer, Ethylene / Vinyl acetate copolymer, Ethylene / Bull alcohol copolymer, Poly Bull polymers such as butyl alcohol and vinylon, cellulose resins such as cellulose triacetate and cellophane, acrylic resins such as polymethyl methacrylate, polyethyl acrylate, polyethyl ethyl and polybutyl
  • the antistatic layer of the present invention preferably contains an electron conductive antistatic agent.
  • the electron conductive antistatic agents it is preferable to contain at least one of colloidal metal oxide sol, crystalline metal oxide particles, and conjugated conductive polymer.
  • Colloidal metal oxide sols include, for example, amorphous stannic oxide sols as disclosed in JP-B-35-6616, and amorphous pentoxides described in JP-A-55-5982. Examples thereof include alumina zonole having an electrolyte as disclosed in Vanadium, JP-B-57-12979.
  • ZnO, TiO, SnO, AlO, InO, SiO, MgO, BaO, MoO, etc. as disclosed in JP-A-56-143431, or Of these composite oxides, ZnO, TiO, and SnO are particularly preferable.
  • a substance containing a small amount of hetero atoms that form a donor with respect to a metal oxide is generally preferable because of high conductivity. Examples that include foreign atoms include Al, In, etc. for ZnO, Nb for TiO,
  • Addition of Ta, etc., and SnO, Sb, Nb, halogen elements, etc. are effective.
  • the amount of these different atoms added is preferably in the range of 0.01 mol% to 30 mol%, more preferably 0.1 mol% to 10 mol Q / o .
  • a method of coating the surface of an inorganic or organic filler with these crystalline oxides can also be preferably used.
  • a conjugated conductive polymer is a conjugated polymer whose molecular skeleton is a conjugated system in which double bonds or triple bonds that connect carbon atoms and carbon atoms or heteroatoms are alternately connected to single bonds.
  • conjugated polymers include: 1) Aliphatic conjugated system: polyacetylene 2) Aromatic conjugated systems: Polymers with long conjugation of aromatic hydrocarbons such as poly (paraphenylene), 3) Bicyclic conjugation Systems: Polymers in which conjugated systems have been developed by combining heterocyclic compounds such as polypyrrole, polythiophene, and polyisothianaphthene. 4) Containing heteroatom conjugated systems: Aliphatic or aromatic conjugated systems such as polyarine. Polymers bonded by heteroatoms, 5) Mixed synergistic systems: conjugated polymers having a structure in which the above conjugated structural units are alternately bonded, such as poly (phenylene vinylene).
  • heteroatom conjugated systems can be particularly preferably used.
  • Specific examples thereof include polyacetylene and its derivatives, polypyrrole. And its derivatives, polythiophene and its derivatives, polyisothianaphthene and its derivatives, polyaniline and its derivatives, but the present invention is not limited thereto.
  • a conjugated conductive polymer exhibits excellent conductivity by doping with a dopant.
  • the dopant used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include the following.
  • Halogen molecules eg, CI, Br, I, IC1, IC1, IBr, IF, etc.
  • Lewis acids eg, P
  • electrolyte anions eg Cl-, Br-, ⁇ , CIO-, PF-, AsF-, SbF-
  • polymer electrolyte anions eg polybulusulfuric acid, polystyrene sulfonic acid, poly (p_bulbene sulfonic acid), polyacrylic acid, Polyethylene sulfonic acid, polybulu sulfonic acid, polyphosphoric acid, polyaspartic acid, etc.
  • polymer electrolyte anions eg polybulusulfuric acid, polystyrene sulfonic acid, poly (p_bulbene sulfonic acid), polyacrylic acid, Polyethylene sulfonic acid, polybulu sulfonic acid, polyphosphoric acid, polyaspartic acid, etc.
  • the method for doping the dopant is not particularly limited, but the dopant is not limited.
  • a method of polymerizing a conjugated conductive polymer in the presence of a pant is common.
  • the thickness from the transfer surface to the antistatic layer is 7 ⁇ m or more and the thickness of the antistatic layer is lm or less. If the thickness to the layer is 10 ⁇ m or more and the thickness of the antistatic layer is 1 ⁇ m or less, it is possible to obtain a card with more scratch resistance while maintaining the dust prevention effect.
  • an actinic ray curable resin can be used as the photocurable resin layer.
  • the actinic ray curable resin has addition polymerization property or ring-opening polymerization property, and the addition polymerization compound is a radically polymerizable compound such as JP-A-7-159983, JP-B-7-31399, Photocurable materials using the photopolymerizable composition described in JP-A-8-224982, JP-A-10-863, etc. and Japanese Patent Application No. 7-231444.
  • the addition-polymerizable compound a cationic polymerization-based photocurable resin is known.
  • the radical polymerizable compound includes ordinary photopolymerizable compounds and thermopolymerizable compounds.
  • the radical polymerizable compound is a compound having an ethylenically unsaturated bond capable of radical polymerization, and any compound having at least one ethylenically unsaturated bond capable of radical polymerization in the molecule may be used. Those having chemical forms such as monomers, oligomers and polymers are included. Only one type of radical polymerizable compound may be used, or two or more types may be used in combination at any ratio to improve the desired properties.
  • an aromatic onium salt As an initiator of the cationic polymerization photocurable resin, an aromatic onium salt can be exemplified.
  • the aromatic onium salts include salts of group Va elements of the periodic table, such as phosphonium salts (for example, hexafluorophenacylphosphonium hexafluorophosphate), group salts of elements of group Via, such as sulfonium salts (for example tetra Triphenylsulfurofluoroborate, triphenylsulphonyl hexafluorophosphate, tris (4-thiomethoxyphenyl) hexafluorophosphate, trisulphonyl hexahexafluoroantimonate, and the like Salts of Vila group elements, such as ododonium salt (eg salt And the like.
  • ododonium salt eg salt And the like.
  • Preferable cationic polymerization initiators include sulfonium salts of Group Via elements. Among them, hexafluoroantimonate triarylsphonium is preferred from the viewpoint of ultraviolet ray curable and storage stability of ultraviolet curable compositions.
  • the photopolymerization initiators described in pages 39 to 56 of the photopolymer handbook described in JP-A-64-13142 and JP-A-2-4804 Any compound can be used.
  • the actinic ray curable resin layer may contain an ultraviolet absorber, a sensitizer, a polymerization accelerator, a chain transfer agent, a polymerization inhibitor, and the like.
  • the photocurable resin layer 3. 0 is preferably 15 g / m 2. Particularly preferably, it is 3.0 to 13 g / m 2 , more preferably 5.0 to 13 g / m 2 . 3. If it is less than Og / m 2, the scratch strength will decrease, which will be a problem. When the film thickness of the photocurable resin layer is 15 g / m 2 or more, the scratch strength is good, but burrs are more likely to occur due to changes in the peel force after card transfer, resulting in an increase in the amount of dust generated in the device and the adhesion of dust. The amount increases and becomes a problem.
  • any method such as a method of curing at the time of manufacture may be adopted.
  • the actinic ray any substance that generates an electromagnetic wave active against the polymerization initiator can be used.
  • a laser, a light emitting diode, a xenon flash lamp, a halogen lamp, a carbon arc lamp, a metal halide lamp, a tungsten lamp, a mercury lamp, an electrodeless light source, and the like can be given.
  • xenon lamp, halogen lamp, carbon arc lamp, metal halide lamp, tungsten lamp, mercury lamp The energy that can be obtained at this time can be selected and used in a timely manner by adjusting the exposure distance, time, and intensity according to the type of the polymerization initiator.
  • the actinic ray may block the air by a method such as nitrogen substitution or reduced pressure to increase the polymerization rate.
  • a laser is used as a light source, it is easy to reduce the exposure area to a very small size, and high-resolution image formation is possible.
  • the laser light source any of Argon laser, He_Ne gas laser, YAG laser, semiconductor laser, etc. can be suitably used.
  • Transfer of the transfer foil to the transfer material can usually be performed using a means capable of applying pressure while heating, such as a thermal head, a heat roller, or a hot stamp machine.
  • a means capable of applying pressure while heating such as a thermal head, a heat roller, or a hot stamp machine.
  • heat the surface temperature to 150_300 ° C
  • a surface protective layer is formed on a card base material by transferring at least once on the card base material by using a transfer foil for protecting the card surface.
  • the card surface protective transfer foil refers to the resistance value of the layer having the highest conductivity among the layers constituting the card substrate.
  • the surface specific resistance of the card substrate and / or the card surface protection transfer foil has been reduced.
  • the dust adhesion preventing effect can be obtained by releasing the charges along the inner layer of the card surface protection transfer foil without lowering the surface specific resistance.
  • the surface specific resistance at 20% RH of the transfer surface of the card surface protection transfer foil is preferably 1 10 1 ⁇ or more, and the internal resistance is preferably 1 10 1 ° 0 or less, and at 20% RH of the transfer surface. If the surface specific resistance is 1 X 10 13 ⁇ or more and the internal resistance is 1 X 10 9 ⁇ or less, It is possible to obtain an authentication identification card having good scratch resistance and higher dust adhesion prevention effect.
  • the measurement surface of each sample was used with the Teraohm Meter Model VE_30 manufactured by Kawaguchi Electric Co., Ltd. The surface specific resistance was measured. The measured value is displayed in logarithmic value Log ⁇ .
  • the card surface protection transfer foil is transferred to continuously create 500 cards, and the incidence of cards with dust deposits between the card substrate and the transfer foil is increased. Calculated. In this evaluation, if it is 2.0% or less, there is no practical problem.
  • the card base before transferring the card surface protection transfer foil was conditioned at 23 ° C and 20% RH for 24 hours, and then the wear resistance tester (HEIDON-18) was used. With a sapphire needle, the load was changed from 0 to:! OOg continuously to measure the load when the card surface began to scratch. The larger the load, the better. In this evaluation, if it is 50g or more, there is no problem in handling.
  • the load was measured when the card surface began to scratch by continuously changing the load from 0 to 300 g with a 0.1 mm ⁇ sapphire needle. . The larger the load, the better. In this evaluation, if it is 150 g or more, there is no practical problem. If it is 200 g or more, it has scratch resistance that can withstand severe use conditions.
  • Polyethylene terephthalate with an intrinsic viscosity of 0.65 is dried at 170 ° C for 3 hours and then melt extruded onto a rotating cooling drum maintained at 20 ° C to form an unstretched film. Stretched 6 times. Then, dodecinoresiphenyl ether disulfonic acid soda and acrylic modified copolymer polyester resin (Takamatsu Yushi Co., Ltd. SH-4 16) were mixed on one side of the film to obtain a total solid content of 4 wt.
  • actinic ray curable compound After application, the actinic ray curable compound is dried at 90 ° C / 30sec. Photocured at (300mj / cm2)
  • the first image-receiving layer forming coating solution and the second image-receiving layer forming coating solution having the following composition are applied and dried in this order on the cushion layer, so that the thicknesses thereof are 2.5 zm and 0.5 zm, respectively. In this way, an image receiving layer was formed. ⁇ First image-receiving layer forming coating solution>
  • Methylcellulose manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: SM15] 0.
  • One side coating before transverse stretching is mixed with Poly 3, 4-ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate BaytronP trademark (Bayer) in polyurethane water dispersion (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. Supperflex 300)
  • BaytronP trademark Bayer
  • Supperflex 300 Single-side coated biaxial stretching under the same conditions as the first sheet material A, except that an aqueous dispersion with a total solid content of 2 wt% and BaytronP / polyurethane weight ratio of 20/80 was prepared and applied with 2 gZm 2 (wet).
  • a polyester film was obtained. After coating, the film is stretched 3.9 times in the lateral direction at 105 ° C and heat-treated at 210 ° C to obtain a 180 zm single-side coated biaxially stretched polyester film.
  • the single-side coating before transverse stretching was mixed with an aqueous dispersion of antimony-doped tin oxide in a polyurethane water dispersion (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Superflex 300) to obtain a total solid content of 10 wt. / o , antimony-doped tin oxide Z
  • aqueous dispersion with a polyurethane weight ratio of 65/35 was prepared and applied at 2 g / m 2 (wet) by the kiss coating method.
  • a coated biaxially stretched polyester film was obtained. After coating, the film was stretched 3.9 times in the transverse direction at 105 ° C and heat-treated at 210 ° C to obtain a 180 ⁇ m thick single-side coated biaxially stretched polyester film.
  • Lumira E20 188 ⁇ ⁇ manufactured by Toray Industries, Inc. was used as the support, and an aqueous dispersion of antimony-doped tin oxide on one side of the polyurethane water dispersion ( Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Superflex 300) was mixed to make an aqueous dispersion with a total solid content of 10 wt% and antimony-doped tin oxide / polyurethane weight ratio of 65/35, and 2 g / m 2 ( wet).
  • a photocurable cushion layer, a first image-receiving layer-forming coating solution, and a second image-receiving layer-forming coating solution were applied.
  • the light-curing cushion layer of the first sheet material D was changed to 7. Force, et al. Others are the same as the first sheet material D.
  • first sheet material F As a support, instead of single-sided coated biaxially stretched polyester film, Toray Co., Ltd. Lumira E20 188 ⁇ m was used, and a light-curing cushion layer 7.5 ⁇ m was coated thereon, and then antimony was coated.
  • a water dispersion of doped tin oxide is mixed with a polyurethane water dispersion (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Supperflex 300), and water with a total solid content of 10 wt% and an antimony-doped tin oxide / polyurethane weight ratio of 65/35 is added.
  • a dispersion was prepared and applied at 2 g / m 2 (wet) by the kiss coat method. On this layer, the first image-receiving layer forming coating solution and the second image-receiving layer forming coating solution were applied.
  • an IC card was manufactured using the first sheet material and the second sheet material.
  • the first sheet material and the second sheet material were heated to 120 ° C.
  • the thickness of the base material for IC card thus prepared was 760 ⁇ . After creation, it was stored for 10 days in an environment of 25 ° C and 55% RH, and punched with a 55mm x 85mm card shape punching die device.
  • Information was recorded on the card substrates 1 and 2 using the following information recording members.
  • a 6 ⁇ m-thick polyethylene terephthalate sheet with anti-fusing processing on the back side was coated with a yellow ink layer forming coating solution, a magenta ink layer forming coating solution, and a cyan ink layer forming coating solution having the following composition. Is set to 1 ⁇ m,
  • a 6 ⁇ m thick polyethylene terephthalate sheet with anti-fusing processing on the back side was coated with an ink layer forming coating solution having the following composition to a thickness of 2 ⁇ m and dried to obtain an ink sheet.
  • Phenolic resin [Ara J11 Chemical Industries, Ltd .: Tamanol 52 1] 5 parts
  • Polyethylene terephthalate with an intrinsic viscosity of 0.65 is dried at 170 ° C for 3 hours and then melt extruded onto a rotating cooling drum maintained at 20 ° C to form an unstretched film. 3. Stretched 6 times. Then, dodecinoresiphenyl ether disulfonic acid soda and acrylic modified copolymer polyester resin (Takamatsu Yushi Co., Ltd. SH 416) were mixed on one side of the film to obtain a total solid content of 4 wt%, sodium dodecyl diphenyl ether disulfonate. / Acrylic-modified copolymer Polyester resin ratio 10/90 aqueous dispersion was prepared, and 2 g / m 2 (wet) was applied by kiss coating method. Subsequently, the film was stretched 3.9 times in the transverse direction at 105 ° C and then heat-treated at 210 ° C to obtain a 180 ⁇ m thick single-sided coated biaxially stretched polyester film.
  • Shin-Nakamura Aigakusha A-9300Z Shin-Nakamura Aigakusha EA_ 1020 35 / 11.75 parts Initiator Ichigaga cure Nippon Ciba Gaigi Co., Ltd. 184 5 parts Tonoren 80 parts
  • the actinic ray curable compound after coating was dried at 90 ° C / 30 sec, and then photocured with a mercury lamp (300 mj / cm 2 ).
  • Curing agent Polyisocyanate Nippon Polyurethane Coronate HX 20 parts
  • the curing agent was cured at 50 ° C. for 24 hours.
  • the phonate BaytronP trademark (Bayer) was added to polyurethane water dispersion (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.). Mixed with one par flex 300), total solids 2 wt%, to create an aqueous dispersion of BaytronP / polyurethane weight ratio 20/80, except coated with 2g / m 2 (W et) is transfer foil for surface protection
  • a single-side coated biaxially stretched polyester film was obtained under the same conditions as H. After coating, the film is stretched 3.9 times in the lateral direction at 105 ° C and heat-treated at 210 ° C to obtain a single-side coated biaxially stretched polyester film.
  • the single-side coating before transverse stretching was mixed with an aqueous dispersion of antimony-doped tin oxide in a polyurethane water dispersion (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Superflex 300) to obtain a total solid content of 10 wt. / O, to create an aqueous dispersion of the anti Mondopu tin oxide Z polyurethane weight ratio 65/35, except coated with 2gZm 2 (W et) by kiss coating method, one side coated with the same conditions as the first sheet material A A biaxially stretched polyester film was obtained. After coating, the film was stretched 3.9 times in the transverse direction at 105 ° C and heat-treated at 210 ° C to obtain a single-side coated biaxially stretched polyester film with a thickness of 25 ⁇ m.
  • Curing agent Polyisocyanate Nippon Polyurethane Coronate HX 20 parts
  • the curing agent was cured at 50 ° C. for 24 hours.
  • a rubber having a diameter of 5 cm heated to a surface temperature of 200 ° C using the surface-protective transfer foil H to L having the above-described configuration on the receiver or information carrier layer on which images and characters are recorded.
  • the transfer was carried out by applying heat for 2 seconds at a pressure of 150 kg / cm 2 using a heat roller with a hardness of 85.
  • the configuration of the present invention is satisfied, the security and scratch resistance are maintained, and the dust adhesion occurrence rate is excellent.
  • This invention transfers the card surface protection transfer foil at least once onto the card base material, forms a surface protective layer on the card base material, and provides safety (security) such as forgery and alteration prevention. As well as improving the scratch resistance of the card surface.
  • the card base includes an antistatic layer, and at 23 ° C and 20% RH, the thickness direction from the card base surface to the antistatic layer leads to the cross section of the card base in the direction of the force. Due to the high rate of charge leakage, even if static electricity is generated when the card surface protection transfer foil is contacted for transfer onto the card substrate or peeled off, Electric charge can be released along the layer, and dust adhesion prevention effect can be obtained.

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Abstract

本発明は、偽造、変造防止等の安全性（セキュリティ）を高めると共に、従来方式に比べてカードゴミ付着を軽減し、かつ耐傷性が良好である認証識別カード及び認証識別カードの作成方法を提供する。 　前記認証識別カードは、カード基材上に少なくとも１回以上カード表面保護用転写箔を転写し、前記カード基材上に表面保護層を形成し、カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層に向かう厚さ方向より、前記帯電防止層中をカード基材断面に向かう方向に電荷が漏洩する速度が速い。また、前記カード基材が帯電防止層を含み、２３°C、２０％ＲＨでの表面比抵抗が１×１０１２Ω以上かつ内部抵抗が１×１０１０Ω以下である。また、前記カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層までの厚さが７μｍ以上であり、前記帯電防止層の厚さが１μｍ以下であることを特徴とする。

Description

明 細 書
認証識別カード及び認証識別カード作成方法
技術分野
[0001] この発明は、偽造、変造防止等の安全性 (セキュリティ）が要求される個人情報等を 記憶する接触式又は非接触式の電子または磁気等のカード、あるいは画像保護層 付きの顔画像入りカードに適用して好適な認証識別カード作成方法及び認証識別力 ードに関するものである。
背景技術
[0002] 近年、認証識別カードとして、例えば官公庁、銀行、会社、医療機関及び学校など のサービス産業分野では、身分証明書、パスポート、外国人登録書、図書館利用力 ード、キャッシュカード、クレジットカード、 自動車免許証等の免許証類、従業員証、 社員証、会員証、医療カード及び学生証などの IDカードが普及している。この種の I Dカードには、表面に本人確認用の顔画像や所有者に関する文字や記号などの文 字情報が記録されてレ、るものが多レ、。
[0003] このため、 IDカード表面の傷や汚れから個人情報を保護したり、偽造'変造防止の 目的で保護層を付ける方法が提案されている。例えば、従来方式のカード製造方法 によれば、単層の樹脂シートを転写し表面保護性を向上させたものがある（例えば特 許文献 1参照）。また、機械強度を向上させるために転写を 2回行ったものがある（例 えば特許文献 2参照）。
特許文献 1 :特開平 10— 863号公報 (第 2— 4頁）
特許文献 2 :特開平 11— 268457号公報 (第 1—4頁、第 1図）
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 従来方式の例えば特許文献 1参照のカードの製造方法によれば、単層の樹脂シー トを転写し表面保護性を向上させたが、機械的強度（以下スクラッチ強度と称す）が 不足していた。
[0005] また、機械強度を向上させるために転写を 2回行った例えば特許文献 2参照のもの においては、カード表面保護用転写箔はカードへの転写時に帯電しやすぐその為 ゴミ付着しやすい。
[0006] この発明は、力かる点に鑑みてなされたもので、偽造、変造防止等の安全性 (セキ ユリティ）を高めると共に、従来方式に比べてカードゴミ付着を軽減し、かつ耐傷性が 良好である認証識別カード作成方法及び認証識別カードを提供することを目的とし ている。
課題を解決するための手段
[0007] 前記課題を解決し、かつ目的を達成するために、この発明は、以下のように構成し た。
[0008] 請求の範囲第 1項に記載の発明は、カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面 保護用転写箔を用い転写により、前記カード基材上に表面保護層を形成した認証識 別カードにおいて、
前記カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層に向か う厚さ方向より、前記帯電防止層中をカード基材断面に向力う方向に電荷が漏洩す る速度が速いことを特徴とする認証識別カードである。
[0009] 請求の範囲第 2項に記載の発明は、カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面 保護用転写箔を用いて転写により、前記カード基材上に表面保護層を形成した認証 識別カードにおいて、
前記カード基材が帯電防止層を含み、 23°C、 20。/oRHでの表面比抵抗が 1 X 1012 Ω以上かつ内部抵抗が 1 X 101ϋ Ω以下であることを特徴とする認証識別カードであ る。
[0010] 請求の範囲第 3項に記載の発明は、カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面 保護用転写箔を用いて転写により、前記カード基材上に表面保護層を形成した認証 識別カードにおいて、
前記カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層までの 厚さが 7 β m以上であり、前記帯電防止層の厚さが 1 μ m以下であることを特徴とする 認証識別カードである。
[0011] 請求の範囲第 4項に記載の発明は、前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層 を含み、転写箔転写面から前記帯電防止層に向かう厚さ方向より、前記帯電防止層 中を転写箔断面に向力う方向に電荷が漏洩する速度が速いことを特徴とする請求の 範囲第 1項に記載の認証識別カードである。
[0012] 請求の範囲第 5項に記載の発明は、前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層 を含み、 23°C、 20。/。RHでの表面比抵抗が 1 Χ 1012 Ω以上かつ内部抵抗が 1 X 101 ° Ω以下であることを特徴とする請求の範囲第 2項に記載の認証識別カードである。
[0013] 請求の範囲第 6項に記載の発明は、前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層 を含み、転写箔転写面から帯電防止層までの厚さが 7 z m以上であり、前記帯電防 止層の厚さが 1 μ m以下であることを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の認証識 別カードである。
[0014] 請求の範囲第 7項に記載の発明は、前記帯電防止層が、電子伝導性の帯電防止 剤を含むことを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 6項のいずれ力 4項に記載の認 証識別カードである。
[0015] 請求の範囲第 8項に記載の発明は、前記カード表面保護用転写箔は、支持体上に 少なくとも離型層、光硬化性樹脂及び接着性を有することを特徴とする請求の範囲 第 1項乃至第 6項のいずれ力 1項に記載の認証識別カードである。
[0016] 請求の範囲第 9項に記載の発明は、カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面 保護用転写箔を用い転写により、前記カード基材上に表面保護層を形成する認証 識別カード作成方法において、
カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層に向力 厚さ 方向より、前記帯電防止層中をカード基材断面に向かう方向に電荷が漏洩する速度 が速いカード基材であるとともに、前記カード基材上に、カード表面保護用転写箔を 接触させて熱を与えながら転写を行い、前記カード基材上に表面保護層を形成する ことを特徴とする認証識別カード作成方法である。
[0017] 請求の範囲第 10項に記載の発明は、カード基材上に少なくとも 1回以上カード表 面保護用転写箔を用い転写により、前記カード基材上に表面保護層を形成する認 証識別カード作成方法にぉレ、て、
カード基材が帯電防止層を含み、 23°C、 20。/。RHでの表面比抵抗が 1 Χ 1012 Ω以 上かつ内部抵抗が I X 101Q Q以下であるとともに、前記カード基材上に、カード表面 保護用転写箔を接触させて熱を与えながら転写を行い、前記カード基材上に表面保 護層を形成することを特徴とする認証識別カード作成方法である。
[0018] 請求の範囲第 11項に記載の発明は、カード基材上に少なくとも 1回以上カード表 面保護用転写箔を用い転写により、前記カード基材上に表面保護層を形成する認 証識別カード作成方法にぉレ、て、
カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層までの厚さが 7 z m以上であり、前記帯電防止層の厚さが l x m以下であるとともに、前記カード基 材上に、カード表面保護用転写箔を接触させて熱を与えながら転写を行い、前記力 一ド基材上に表面保護層を形成することを特徴とする認証識別カード作成方法であ る。
[0019] 請求の範囲第 12項に記載の発明は、前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層 を含み、転写箔転写面から前記帯電防止層に向かう厚さ方向より、前記帯電防止層 中を転写箔断面に向力う方向に電荷が漏洩する速度が速いことを特徴とする請求の 範囲第 9項に記載の認証識別カード作成方法である。
[0020] 請求の範囲第 13項に記載の発明は、前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層 を含み、 23°C、 20%RHでの表面比抵抗が 1 Χ 1012 Ω以上かつ内部抵抗が 1 X 101 ° Ω以下であることを特徴とする請求の範囲第 10項に記載の認証識別カード作成方 法である。
[0021] 請求の範囲第 14項に記載の発明は、前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層 を含み、転写箔転写面から帯電防止層までの厚さが 7 / m以上であり、前記帯電防 止層の厚さが 1 μ m以下であることを特徴とする請求の範囲第 11項に記載の認証識 別カード作成方法である。
[0022] 請求の範囲第 15項に記載の発明は、前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層 を有し、前記カード表面保護用転写箔を用いて転写後、前記カード基材上に前記帯 電防止層が転写されないことを特徴とする請求の範囲第 9項乃至第 14項のいずれ 力、 1項に記載の認証識別カード作成方法である。
[0023] 請求の範囲第 16項に記載の発明は、前記帯電防止層が、電子伝導性の帯電防止 剤を含むことを特徴とする請求の範囲第 9項乃至第 15項のいずれ力 1項に記載の認 証識別カード作成方法である。
[0024] 請求の範囲第 17項に記載の発明は、前記カード表面保護用転写箔は、支持体上 に少なくとも離型層、光硬化性樹脂及び接着性を有することを特徴とする請求の範 囲第 9項乃至第 15項のいずれ力 4項に記載の認証識別カード作成方法である。 発明の効果
[0025] 前記構成により、この発明は、以下のような効果を有する。
[0026] 請求の範囲第 1項及び請求の範囲第 9項に記載の発明によれば、カード基材上に 少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて転写により、カード基材上に表 面保護層を形成し、偽造、変造防止等の安全性 (セキュリティ）を高めると共に、カー ド表面の耐傷性が良好である。また、カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表 面から帯電防止層に向かう厚さ方向より、帯電防止層中をカード基材断面に向かう 方向に電荷が漏洩する速度が速いことで、カード表面保護用転写箔をカード基材上 に転写するために接触させる時、あるいは剥離するときに静電気が生じても、カード 基材の内部の層に沿って電荷を逃がすことができ、ゴミ付着防止効果が得られる。
[0027] 請求の範囲第 2項及び請求の範囲第 10項に記載の発明によれば、カード基材上 に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて転写により、カード基材上に 表面保護層を形成し、偽造、変造防止等の安全性 (セキュリティ）を高めると共に、力 ード表面の耐傷性が良好である。また、カード基材が帯電防止層を含み、 23°C、 20 %RHでの表面比抵抗が 1 X 1012 Ω以上かつ内部抵抗が 1 X ΙΟ^ Ω以下であり、力 ード表面保護用転写箔をカード基材上に転写するために接触させる時、あるいは剥 離するときに静電気が生じても、内部抵抗を下げ電荷を逃がすことによってゴミ付着 防止効果がより高い認証識別カードを得ることができる。
[0028] 請求の範囲第 3項及び請求の範囲第 11項に記載の発明によれば、カード基材上 に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて転写により、カード基材上に 表面保護層を形成し、偽造、変造防止等の安全性 (セキュリティ）を高めると共に、力 ード表面の耐傷性が良好である。また、カード基材が帯電防止層を含み、カード基材 表面から帯電防止層までの厚さが 7 β m以上であり、帯電防止層の厚さが 1 μ m以下 であり、カード表面保護用転写箔をカード基材上に転写するために接触させる時、あ るいは剥離するときに静電気が生じても、電荷を逃がすことによってゴミ付着防止効 果がより高い認証識別カードを得ることができる。
[0029] 請求の範囲第 4項及び請求の範囲第 12項に記載の発明によれば、カード表面保 護用転写箔が帯電防止層を含み、転写箔転写面から帯電防止層に向かう厚さ方向 より、帯電防止層中を転写箔断面に向かう方向に電荷が漏洩する速度が速いことで 、カード表面保護用転写箔をカード基材上に転写するために接触させる時、あるい は剥離するときに静電気が生じても、カード表面保護用転写箔の内部の層に沿って 電荷を逃がすことによって、ゴミ付着防止効果が得られる。また、電荷を逃がす層は 表面に近い必要がないため、耐傷性からはむしろ表面から遠い層が好ましい。さらに 、カード表面保護用転写箔を用いて転写により、カード基材上に表面保護層を形成 するときに、電荷を逃がすことによって転写後の認証識別カードには帯電防止層が 不要になる。
[0030] 請求の範囲第 5項及び請求の範囲第 13項に記載の発明によれば、カード表面保 護用転写箔が帯電防止層を含み、 23°C、 20%RHでの表面比抵抗が 1 Χ 1012 Ω以 上かつ内部抵抗が I X 10ια Ω以下であり、カード表面保護用転写箔をカード基材上 に転写するために接触させる時、あるいは剥離するときに静電気が生じても、内部抵 抗を下げ電荷を逃がすことによってゴミ付着防止効果がより高い認証識別カードを得 ること力 Sできる。
[0031] 請求の範囲第 6項及び請求の範囲第 14項に記載の発明によれば、カード表面保 護用転写箔が帯電防止層を含み、転写箔転写面から帯電防止層までの厚さが 7 μ m以上であり、帯電防止層の厚さが l x m以下であり、カード表面保護用転写箔をカ 一ド基材上に転写するために接触させる時、あるいは剥離するときに静電気が生じて も、電荷を逃がすことによってゴミ付着防止効果がより高い認証識別カードを得ること ができる。
[0032] 請求の範囲第 7項及び請求の範囲第 16項に記載の発明によれば、帯電防止層が 、電子伝導性の帯電防止剤を含むことで、より電荷を逃がす帯電防止層を得ることが できる。 [0033] 請求の範囲第 8項及び請求の範囲第 17項に記載の発明によれば、カード表面保 護用転写箔は、支持体上に少なくとも離型層、光硬化性樹脂層及び接着性を有し、 光硬化性樹脂層及び接着性をカード基材へ転写して表面保護層を形成することが できる。
[0034] 請求の範囲第 15項に記載の発明によれば、カード表面保護用転写箔が帯電防止 層を有し、カード表面保護用転写箔を用いて転写後、カード基材上に帯電防止層が 転写されないことで、転写後もカード表面の耐傷性をより良好に保つことが出来る上 、認証識別カードの厚さを抑え、より薄型にすること力 Sできる。
図面の簡単な説明
[0035] [図 1] 1回目の転写を示す図である。
[図 2]2回目の転写を示す図である。
[図 3]カード表面保護用転写箔の層構成を示す図である。
[図 4]カード基材の構成を示す図である。
[図 5]第 1のカード材の層構成図である。
[図 6]第 2のカード材の層構成図である。
[図 7]ICカードの層構成図である。
[図 8]カード基材の表面図である。
[図 9]カード基材の裏面図である。
[図 10]認証識別カードの表面図である。
[図 11]認証識別カードの裏面図である。
[図 12]カード作成装置の構成を示す図である。
[図 13]カード作成装置の構成を示す図である。
[図 14]ホットスタンプ装置の斜視図である。
[図 15]ホットスタンプ装置の構成図である。
[図 16]ホットスタンプ装置の剥離を示す図である。
符号の説明
[0036] 1 第 1のシート材
2 第 2のシート材 3 ICモジユーノレ
4, 5 接着剤
6 個人識別情報
501 カード表面保護用転写箔
502 支持体
503 離型層
504 光硬化性樹脂層
505 帯電防止層
507 接着層
508 帯電防止剤含有離型層
511 カード基材
512 帯電防止層
561 加熱ロール
発明を実施するための最良の形態
[0037] 以下、この発明の認証識別カード及び認証識別カード作成方法の実施の形態に ついて説明する。また、この発明の実施の形態は、発明の最も好ましい形態を示すも のであり、この発明はこれに限定されない。
[0038] まず、図 1乃至図 7に基づいて認証識別カード作成の基本構成について説明する
。この実施の形態の認証識別カードは、カード基材上に少なくとも 1回以上カード表 面保護用転写箔を用いて転写により、カード基材上に表面保護層を形成する。
[0039] [転写]
まず、この実施の形態の転写について説明する。図 1は 1回目の転写を示す図であ る。このカード表面保護用転写箔 501は、支持体 502上に離型層 503、光硬化性樹 脂層 504、接着層 507を有する。カード基材 511が帯電防止層 512を含む。
[0040] 1回目の転写は、カード基材 511上に、カード表面保護用転写箔 501の接着層 50 7を接触させて加熱ロール 561により熱を与えながら転写を行なレ、、カード表面保護 用転写箔 501の離型層 503から剥離してカード基材 511上に光硬化性樹脂層 504 による表面保護層を転写して形成する。 [0041] 図 2は 2回目の転写を示す図である。この 2回目も 1回目と同様にカード表面保護用 転写箔 501を用いる。 2回目の転写は、カード基材 511上の光硬化性樹脂層 504に 、カード表面保護用転写箔 501の接着層 507を接触させて加熱ロール 561により熱 を与えながら転写を行なレ、、カード表面保護用転写箔 501の離型層 503から剥離し てカード基材 511上に光硬化性樹脂層 504による表面保護層を転写して形成する。
[0042] [カード表面保護用転写箔]
この実施の形態のカード表面保護用転写箔 501は、図 1及び図 2に示すように、支 持体 502上に離型層 503、光硬化性樹脂層 504、接着層 507を有する。
[0043] また、図 3に示すカード表面保護用転写箔 501を用いることができる。図 3 (a)に示 すカード表面保護用転写箔 501は、支持体 502上に帯電防止層 505、離型層 503、 光硬化性樹脂層 504、接着層 507を設けた構成である。図 3 (b)に示すカード表面 保護用転写箔 501は、支持体 502上に帯電防止剤含有離型層 508、光硬化性樹脂 層 504、接着層 507を設けた構成である。図 3 (c)に示すカード表面保護用転写箔 5 01は、支持体 502上に離型層 503、光硬化性樹脂層 504、接着層 507を設け、支 持体 502の離型層 503と反対側に帯電防止層 505を設けた構成である。帯電防止 層 505が電子伝導性の帯電防止剤を含み、より電荷を逃がすことができる。
[0044] このカード表面保護用転写箔 501は帯電防止層 505または帯電防止剤含有離型 層 508を有し、カード表面保護用転写箔 501を転写後は剥離して、カード基材 511 上に帯電防止層 505または帯電防止剤含有離型層 508を含まないようにすることで 、転写後もカード表面の耐傷性をより良好に保つことが出来る上、認証識別カードの 厚さを抑え、より薄型にすることができる。
[0045] また、カード表面保護用転写箔 501は、支持体 502上に少なくとも離型層 503、光 硬化性樹脂層 504及び接着性 507を有し、光硬化性樹脂層 504及び接着性 507を カード基材 511へ転写して表面保護層を形成することができる。
[0046] [カード基材]
次に、この実施の形態で用いられるカード基材 511について説明する。図 4はカー ド基材の層構成図である。第 1のシート材 1と第 2のシート材 2との間に ICモジュール 3 を介在させて接着剤 4、 5によって貼り合わせる。 ICモジュール 3は、 ICチップとアン テナを有し、非接触状態で外部との通信を可能とする。第 1のシート材 1には、受像 層を有し、昇華熱転写及び/または溶融熱転写方式またはインクジェット方式または 再転写方式による氏名、顔画像を含む個人識別情報 6を設ける。第 2のシート材 2は 、筆記可能な筆記層を有する。
[0047] [シート材]
次に、この実施の形態で用いられる第 1のシート材 1について説明する。図 5は第 1 のシート材の層構成図である。図 5 (a)に示す実施の形態の第 1のシート材 1は、支 持体 laに光硬化型クッション層 lb、第 1受像層 lc、帯電防止層 ld，第 2受像層 leが 順に積層されている。図 5 (b)に示す実施の形態の第 1のシート材 1は、支持体 laに 帯電防止層 ld、光硬化型クッション層 lb、第 1受像層 lc、第 2受像層 leが順に積層 されている。図 5 (c)に示す実施の形態の第 1のシート材 1は、支持体 laに光硬化型 クッション層 lb、帯電防止層 ld、第 1受像層 lc、第 2受像層 leが順に積層されてい る。
[0048] カード基材 511は、帯電防止層 Idを有することが好ましぐカード表面保護用転写 箔 501を転写後、カード基材 511に帯電防止層 Idを含み、この帯電防止層 Idが電 子伝導性の帯電防止剤を含み、より電荷を逃がす帯電防止層を得ることができる。
[0049] これらの第 1のシート材 1の第 2受像層 le上に昇華熱転写及び/または溶融熱転 写方式またはインクジェット方式または再転写方式による氏名、顔画像を含む個人識 別情報 6が記録される。
[0050] また、この実施の形態で用いられる第 2のシート材 2について説明する。図 6は第 2 のシート材の層構成図である。この実施の形態の第 2のシート材 2は、支持体 2aに筆 記層 2bが積層されている。支持体 2aと筆記層 2bとの間にクッション層を設けてもよい
[0051] [ICカード]
この実施の形態では、認証識別カードとして ICカードを図 7に示し、カード基材 511 上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔 501を転写し、カード基材 511上に 表面保護層 9が形成される。この実施の形態の ICカードは、第 1のシート材 1と、第 2 のシート材 2の間の所定の位置に ICチップ 3a、アンテナ 3bからなる ICモジュール 3 が載置され、接着剤 4、 5が充填されてなる。
[0052] 個人識別情報 6は顔画像、住所、名前、生年月日等の個人情報であり、偽変造防 止等が要求される画像保護層付きの顔画像入りカードに適用している。カード基材 5
11とカード表面保護用転写箔 501を用い、カード基材 511に表面保護層 9を転写す ることで、スクラッチ強度が向上して耐傷性に優れ、かつ転写時の剥離帯電量を抑え ることによりカード表面のゴミ付着による外観不良のない認証識別カードを得ることが できる。
[0053] [ICカードの作成]
図 8はカード基材の表面図、図 9はカード基材の裏面図である。認証識別カードで ある IDカードまたは ICカードのカード基材の表面に氏名や顔画像等の個人識別情 報が記録される。カード基材の裏面には、 線が設けられ、発行者名、発行者電話 番号等の個人識別情報を追記できるようになってレ、る。
[0054] 図 10は認証識別カードの表面図、図 11は認証識別カードの裏面図である。認証 識別カードである IDカードまたは ICカードの表面に氏名、 ID番号や顔画像等の個 人識別情報が記録される。 IDカードまたは ICカードの裏面には、鄞線が設けられ、 発行者名、発行者電話番号等の個人識別情報が追記される。
[0055] カード作成装置は、図 12乃至図 16に示すように構成される。
[0056] 図 12には、上方位置にカード基材供給部 10及び情報記録部 20が配置され、下方 位置に、転写箔付与部 60が配置され、画像記録体としてカードを作成する。
[0057] カード基材供給部 10には、カード使用者の個人識別情報を書き込むために予め 枚葉状にカットされた複数枚のカード基材 511が、顔写真を記録する面を上に向け てストックされている。この例では、カード基材 511が支持体と受像層からなり、この力 一ド基材 511は:!枚ずつカード基材供給部 10から所定のタイミングで自動供給され る。
[0058] 情報記録部 20には、イェローリボンカセット 21、マゼンタリボンカセット 22、シアンリ ボンカセット 23、ブラックリボンカセット 24が配置され、それぞれに対応して記録へッ ド 25〜28が配置されている。イェローリボン、マゼンタリボン、シアンリボン等の熱転 写シートによる熱転写で、カード基材 511が移動されている間に、その受像層の所定 領域にカード使用者の顔写真等の階調を有する画像領域が記録される。また、文字 リボンカセット 31及び記録ヘッド 32が配置され、文字リボン等の熱転写シートによる 熱転写で、その氏名やカード発行日等の認証識別情報が記録され、画像記録層が 形成される。
[0059] 転写箔付与部 60には、転写箔カセット 61が配置され、この転写箔カセット 61に対 応して熱転写ヘッド 62が配置位置されている。転写箔カセット 61にカード表面保護 用転写箔 66がセットされ、このカード表面保護用転写箔 66を転写し、カード集積部 9 9に排出される。
[0060] 図 13には、カード基材供給部 10及び情報記録部 20は同様に構成されるが、転写 箔付与部 60が 2箇所配置されてレ、る。
[0061] また、図 12及び図 13の転写箔付与部 60は、図 14乃至図 16に示すように構成され る。
[0062] ホットスタンプ装置 500の内部に転写用カートリッジ 400がセットされ、この転写用力 ートリッジ 400は、転写箔収容部 421に転写箔従動コア 451aと転写箔駆動コア 451 bが設けられている。転写箔駆動コア 451bの回転で、転写箔従動コア 451aのカード 表面保護用転写箔 501が金属駆動ロール 422a, 422bを介して卷き取られ、熱ロー ラ装置 430によりカード基材 511上に光硬化性樹脂層 504を有する表面保護層を転 写して形成する。
[0063] 以下、この発明の構成を詳細に説明する。
[0064] [第 1の実施の形態]
第 1の実施の形態では、図 1及び図 2に示すように、カード基材 51 1上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔 501を用いて転写により、カード基材 511上に表 面保護層を形成し、偽造、変造防止等の安全性 (セキュリティ）を高めると共に、カー ド表面の耐傷性が良好である。
[0065] このカード基材 511が帯電防止層 512を含み、カード基材表面から帯電防止層 51 2に向力 厚さ方向より、帯電防止層 512中をカード基材断面に向力、う方向に電荷が 漏洩する速度が速い構成である。したがって、カード表面保護用転写箔 501をカード 基材 511上に転写するために接触させる時、あるいは剥離するときに静電気が生じ ても、カード基材 511の内部の層に沿って電荷を逃がすことができ、ゴミ付着防止効 果が得られる。
[0066] また、カード表面保護用転写箔 501が図 3 (a)に示すように、帯電防止層 505を含 み、転写箔転写面から帯電防止層 505に向かう厚さ方向より、帯電防止層 505中を 転写箔断面に向力 方向に電荷が漏洩する速度が速い構成である。図 3 (b)、 （c)に 示すカード表面保護用転写箔 501も同様である。したがって、カード表面保護用転 写箔 501をカード基材 511上に転写するために接触させる時、あるいは剥離するとき に静電気が生じても、カード表面保護用転写箔 501の内部の層に沿って電荷を逃が すことによって、ゴミ付着防止効果が得られる。また、電荷を逃がす層は表面に近い 必要がないため、耐傷性からはむしろ表面から遠い層が好ましい。さらに、カード表 面保護用転写箔 501を用いて転写により、カード基材 511上に表面保護層を形成す るときに、電荷を逃がすことによって転写後の認証識別カードには帯電防止層が不 要になる。
[0067] [第 2の実施の形態]
第 2の実施の形態では、図 1及び図 2に示すように、第 1の実施の形態と同様に力 一ド基材 511上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔 501を用いて転写に より、カード基材 511上に表面保護層を形成する。このカード基材 511が帯電防止層 512を含み、 23°C、 20%RHでの表面比抵抗が 1 Χ 1012 Ω以上かつ内部抵抗が 1 Χ 10ια Ω以下である。したがって、カード表面保護用転写箔 501をカード基材 511 上に転写するために接触させる時、あるいは剥離するときに静電気が生じても、カー ド表面保護用転写箔 501の内部抵抗を下げ電荷を逃がすことによってゴミ付着防止 効果がより高い認証識別カードを得ることができる。
[0068] また、カード表面保護用転写箔 501が図 3 (a)に示すように、帯電防止層 505を含 み、 23°C、 20%RHでの表面比抵抗が 1 Χ 1012 Ω以上かつ内部抵抗が 1 Χ 101ϋ Ω 以下である。図 3 (b)、（c)に示すカード表面保護用転写箔 501も同様である。したが つて、カード表面保護用転写箔 501をカード基材 511上に転写するために接触させ る時、あるいは剥離するときに静電気が生じても、内部抵抗を下げ電荷を逃がすこと によってゴミ付着防止効果がより高い認証識別カードを得ることができる。 [0069] [第 3の実施の形態]
第 3の実施の形態では、図 1及び図 2に示すように、第 1の実施の形態と同様に力 一ド基材 511上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔 501を用いて転写に より、カード基材 511上に表面保護層を形成する。カード基材 511が帯電防止層 51 2を含み、カード基材表面から帯電防止層 512までの厚さが 7 x m以上であり、帯電 防止層 512の厚さが l x m以下である。したがって、カード表面保護用転写箔 501を カード基材 511上に転写するために接触させる時、あるいは剥離するときに静電気 が生じても、帯電防止層 512によって電荷を逃がすことによつてゴミ付着防止効果が より高い認証識別カードを得ることができる。
[0070] また、カード表面保護用転写箔 501が図 3 (a)に示すように、帯電防止層 505を含 み、転写箔転写面から帯電防止層 505までの厚さが 7 x m以上であり、帯電防止層 5 05の厚さが l x m以下である。図 3 (b)、（c)に示すカード表面保護用転写箔 501も 同様である。したがって、カード表面保護用転写箔 501をカード基材 511上に転写 するために接触させる時、あるいは剥離するときに静電気が生じても、電荷を逃がす ことによってゴミ付着防止効果がより高い認証識別カードを得ることができる。
[0071] 以下、この発明の構成要素について説明する。
[0072] [認証識別カード]
認証識別カードのカード形態は、本発明の構成を満たせば特に制限はなぐ ICモ ジュールを内蔵する ICカードであっても良いし、 ICモジュールを内蔵しないカードで あってもよレ、。 ICカードの場合、カード基材は対向する第 1及び第 2のシート材の間 にアンテナ及び ICチップを有する ICモジュールが接着剤を介して封入される。
[0073] 第 1のシート材は支持体のほか受像層が設けられる。受像層の一例としては、昇華 型熱転写方式により階調情報含有画像が形成されるとともに、昇華型熱転写方式ま たは溶融型熱転写方式により文字情報含有画像が形成されるものが挙げられ、この 受像層には個人識別情報が設けられ、個人識別情報は、例えば従業員証の場合に は「氏名」の文字、「発行日」の文字、「顔写真」の画像情報等である。
[0074] このカード基板上には、カード表面保護層がカード基材表面を覆うように設けられる [0075] この発明における受像層は、昇華型熱転写方式により階調情報含有画像を形成す ると共に、昇華型熱転写方式または溶融型熱転写方式により文字情報含有画像を 形成するので、昇華性色素の染着性、または昇華性色素の染着性とともに熱溶融性 インクの接着性も良好でなければならない。力、かる特別な性質を受像層に付与する には、後述するように、バインダ、および各種の添加剤の種類およびそれらの配合量 を適宜に調整することが必要である。
[0076] [カード表面保護用転写箔]
この発明のカード表面保護用転写箔は、好ましくは、支持体上に少なくとも離型層
、光硬化性樹脂層及び接着層を有する。カード基板とカード表面保護用転写箔とは 、接着層を介して熱で貼り合わされる。接着層には、ホットメルト樹脂や樹脂軟ィ匕点が 130°C程度又はそれよりも少し低い温度の熱溶融樹脂を含むものを使用すると良い 。カード表面保護用転写箔は、離型層、光硬化性樹脂層及び接着層の他に、光硬 化性樹脂層と接着層との間に中間層、プライマー層、ホログラム層、光学変更素子層 などを設けることができる。カード表面保護用転写箔は、 1回転写するものでもよぐま た 2回以上転写して積層しても良い。この場合、カード表面保護用転写箔は同じもの でも、異なるものでも構わない。この発明では、カード表面保護用転写箔を用いて光 硬化性樹脂層をカード基材上に少なくとも 1回以上転写することで、偽造、変造防止 等の安全性 (セキュリティ）を高めると共に、耐傷性を向上させることができる。
[0077] また、カード表面保護用転写箔の硬度は鉛筆硬度で示すと HB以上が好ましい。こ こで、鉛筆硬度とは JIS K5400による鉛筆（6B〜B、 HB、 H、 2H〜6H)のカーボン 芯の硬度をいう。カード表面保護用転写箔の最も硬い層は弾性率 350kg/mm2以 上、破断伸度 20%以下が好ましぐ更に好ましくは弾性率 400kgZmm2以上、破断 伸度 15%以下がより好ましい。
[0078] (転写箔用支持体）
支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、 ポリエチレンテレフタレート Zイソフタレート共重合体等のポリエステル樹脂、ポリェチ レン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフイン樹脂、ポリフッ化ビュル、 ポリフッ化ビニリデン、ポリ 4フッ化工チレン、エチレン一 4フッ化工チレン共重合体、 等のポリフッ化工チレン系樹脂、ナイロン 6、ナイロン 6. 6等のポリアミド、ポリ塩化ビニ ノレ、塩化ビュル/酢酸ビュル共重合体、エチレン/酢酸ビニル共重合体、エチレン /ビュルアルコール共重合体、ポリビュルアルコール、ビニロン等のビュル重合体、 三酢酸セルロース、セロファン等のセルロース系樹脂、ポリメタアクリル酸メチル、ポリ メタアクリル酸ェチル、ポリアクリル酸ェチル、ポリアクリル酸ブチル、等のアクリル系 樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリイミド等の合成樹脂シート、 又は上質紙、薄葉紙、ダラシン紙、硫酸紙等の紙、金属箔等の単層体或いはこれら 2層以上の積層体が挙げられる。
[0079] [帯電防止層]
この発明の帯電防止層には、電子伝導性の帯電防止剤を含むことが好ましい。電 子伝導性の帯電防止剤のなかでは、コロイド状金属酸化物ゾル、結晶性金属酸化物 粒子、共役系導電性高分子の少なくとも 1つ以上含むことが好ましい。
[0080] コロイド状金属酸化物ゾルは、例えば特公昭 35— 6616号に開示されているような 無定型の酸化第二錫ゾル、特開昭 55— 5982号に記載された無定型の五酸化バナ ジゥム、特公昭 57— 12979号に開示されているような電解質を有するアルミナゾノレ が挙げられる。
[0081] 結晶性金属酸化物粒子としては、特開昭 56— 143431号に開示されているような Z n〇、 TiO、 SnO、 Al O、 In〇、 SiO、 MgO、 BaO、 MoOなど、あるいはこれらの 複合酸化物が良ぐ特に Zn〇、 TiO、 SnOが好ましい。また、金属酸化物に対して ドナーを形成する異種原子を少量含む物は一般的に導電性が高く好ましい。異種原 子を含む例としては、例えば Zn〇に対しては Al、 In等の添加、 TiOに対しては Nb、
Ta等の添加、 SnOに対しては Sb、 Nb、ハロゲン元素等の添加が効果的である。こ れら異種原子の添加量は 0. 01mol%〜30mol%の範囲が好ましぐ 0. lmol%〜 10molQ/oが更に好ましい。また、無機又は有機フイラ-の表面をこれらの結晶性酸 化物で被覆する方法も好ましく用いることができる。
[0082] 共役系導電性高分子とは、炭素原子と炭素原子もしくはヘテロ原子とを結合する二 重結合または三重結合が単結合と交互に長く連なった共役系を分子骨格とした共役 系ポリマーである。これら共役系ポリマーとしては、 1)脂肪族共役系：ポリアセチレン の如き炭素 炭素の共役系が長く連なっているポリマー、 2)芳香族共役系：ポリ（パ ラフェニレン)の如き芳香族炭化水素が長く結合する共役が発達したポリマー、 3)複 素環式共役系：ポリピロール、ポリチォフェン、ポリイソチアナフテンの如き複素環式 化合物が結合して共役系が発達したポリマー、 4)含へテロ原子共役系：ポリア二リン の如き脂肪族または芳香族の共役系をへテロ原子で結合したポリマー、 5)混合型共 役系：ポリ（フエ二レンビニレン）の如き上記共役系の構成単位が交互に結合した構 造を持つ共役系ポリマー、等があげられる。
[0083] これらの内、 1)脂肪族共役系、 3)複素環式共役系、 4)含へテロ原子共役系を特 に好ましく用いることができ、その具体例としてポリアセチレン及びその誘導体、ポリピ ロール及びその誘導体、ポリチオフヱン及びその誘導体、ポリイソチアナフテン及び その誘導体、ポリア二リン及びその誘導体を上げることができるが、本発明はこれらに 限定されるものではない。
[0084] 共役系導電性高分子は、ドーパントをドーピングすることによって、優れた導電性を 発現させることが一般的である。この発明に用いられるドーパントは特に限定されな レ、が、例えば以下のようなものを挙げることができる。
[0085] ハロゲン分子（例えば、 CI、 Br、 I、 IC1、 IC1、 IBr、 IFなど)、ルイス酸（例えば、 P
F、 AsF、 SbF、 BF、 BC1、 BBr、 SOなど）、プロトン酸（例えば、 HF、 HC1、 HN
O、 H SO、 HCIO、 FSO H、 C1SO H、 CF SO H、各種有機酸、アミノ酸など）、 遷移金属化合物（例えば、 FeCl、 Fe〇Cl、 TiCl、 ZrCl、 HfCl、 NbF、 NbCl、 T aCl、 MoF、 MoC、 WF、 WC1、 LnCl (Ln = La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm等のランタノ イド）など）、電解質ァニオン（例えば Cl—、 Br―、 Γ、 CIO―、 PF ―、 AsF ―、 SbF ―、
BF ―、 CF SO ―、 CF CO ―、 CH SO ―、 CH C H SO —など）、ポリマー電解 質ァニオン（例えばポリビュル硫酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリ（p_ビュルべンジ ルスルホン酸）、ポリアクリル酸、ポリエチレンスルホン酸、ポリビュルスルホン酸、ポリ リン酸、ポリアスパラギン酸など）等、その他に〇、 Xe〇F、（N02+) (SbF )、（N〇2+)
(SbCl
")、 (N02+) (BF ")、 FSO OOSO F、 AgCIO 、 H IrCl、 La (NO ) · 6H〇な どを挙げること力 sできる。ドーパントをドーピングする方法は特に制限されないが、ド 一パントの存在下で共役系導電性高分子を重合する方法が一般的である。
[0086] この発明では、転写面から帯電防止層までの厚さが 7 μ m以上であり、且つ帯電防 止層の厚さが l m以下であることが好ましぐ更に、転写面から帯電防止層までの 厚さが 10 μ m以上であり、且つ帯電防止層の厚さが 1 μ m以下であれば、ゴミ付着 防止効果を保持しつつ、より耐傷性のあるカードを得ることができる。
[0087] (光硬化性樹脂層）
次いで離型層に隣接し光硬化性樹脂層を設けることが好ましく用いられる。光硬化 性樹脂層としては、活性光線硬化性樹脂を用いることができる。活性光線硬化性樹 脂は、付加重合性または開環重合性を有するものであり、付加重合性化合物とは、ラ ジカル重合性化合物、例えば特開平 7— 159983号、特公平 7— 31399号、特開平 8— 224982号、特開平 10— 863号等の各号公報及び特願平 7— 231444号明細 書に記載されている光重合性組成物を用いた光硬化型材料などである。付加重合 性化合物とは、カチオン重合系の光硬化性樹脂が知られており、最近では可視光以 上の長波長域に増感された光力チオン重合系の光硬化性樹脂も例えば、特開平 6 43633号、特開平 8— 324137号公報等に公開されている。ラジカル重合性化合 物には通常の光重合性化合物及び熱重合性化合物が包含される。ラジカル重合性 化合物は、ラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を有する化合物であり、分子 中にラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を少なくとも 1つ有する化合物であ ればどの様なものでもよぐモノマー、オリゴマー、ポリマー等の化学形態をもつもの が含まれる。ラジカル重合性化合物は 1種のみ用いてもよぐまた目的とする特性を 向上するために任意の比率で 2種以上を併用してもょレ、。
[0088] カチオン重合系光硬化樹脂の開始剤としては、芳香族ォニゥム塩を挙げることがで きる。この芳香族ォニゥム塩として、周期表第 Va族元素の塩たとえばホスホニゥム塩 ( たとえばへキサフルォロリン酸トリフエユルフェナシルホスホニゥムなど）、第 Via族元 素の塩たとえばスルホ二ゥム塩（たとえばテトラフルォロホウ酸トリフエニルスルホユウ ム、へキサフルォロリン酸トリフエニルスルホニゥム、へキサフルォロリン酸トリス（4— チオメトキシフエニル）、スルホニゥムおよびへキシサフルォロアンチモン酸トリフエ二 ルスルホニゥムなど）、および第 Vila族元素の塩たとえばョードニゥム塩（たとえば塩 化ジフエ二ルョードニゥムなど）を挙げることができる。
[0089] このような芳香族ォニゥム塩をエポキシ化合物の重合におけるカチオン重合開始剤 として使用することは、米国特許第 4, 058, 401号、同第 4, 069, 055号、同第 4, 1 01 , 513号および同第 4， 161 , 478号公報に詳述されている。好ましいカチオン重 合開始剤としては、第 Via族元素のスルホニゥム塩が挙げられる。その中でも、紫外 線硬化性と紫外線硬化性の組成物の貯蔵安定性の観点からすると、へキサフルォロ アンチモン酸トリアリールスホニゥムが好ましレ、。またフォトポリマーハンドブック（フォト ポリマー懇話会編 工業調查会発行 1989年）の 39〜 56頁に記載の公知の光重合 開始剤、特開昭 64—13142号、特開平 2— 4804号に記載されている化合物を任 意に用いることが可能である。活性光線硬化型樹脂層には必要に応じて、紫外線吸 収剤、増感剤、重合促進剤、連鎖移動剤、重合禁止剤等を添加できる。また、硬化 性を阻害しない範囲で下記記載の紫外線吸収剤、光安定化剤、酸化防止剤を添加 してもよい。
[0090] この発明の場合、紫外線吸収剤、光安定化剤、酸化防止剤などを光硬化性樹脂層 に入れることにより、光硬化性樹脂層の重合度低下に伴い機械強度低下、耐薬品性 低下から光硬化性樹脂層に隣接したポリビニルプチラールの中間層又は/及び接 着層に添加することが好ましレ、。
[0091] この光硬化性樹脂層は、 3. 0〜： 15g/m2であることが好ましい。特に好ましくは、 3 . 0〜： 13g/m2、より好ましくは 5· 0〜： 13g/m2である。 3. Og/m2以下であるとスク ラッチ強度が低下し問題となる。光硬化性樹脂層の膜厚 15g/m2以上であるとスクラ ツチ強度は良好であるもののカード転写後時の剥離力変化によりバリが発生しやすく なり装置内でのゴミ発生量が増しゴミ付着量が増大し問題となる。
[0092] 上記光硬化層を硬化させる方法としては、製造時に硬化させる方法などいずれの 方式を採用してもよい。活性光線としては、重合開始剤に対し活性な電磁波を発生さ せるものは全て用いることができる。例えば、レーザー、発光ダイオード、キセノンフラ ッシュランプ、ハロゲンランプ、カーボンアーク燈、メタルハライドランプ、タングステン ランプ、水銀灯、無電極光源等をあげることができる。好ましくは、キセノンランプ、ハ ロゲンランプ、カーボンアーク燈、メタルハライドランプ、タングステンランプ、水銀灯 等の光源が挙げられ、この際カ卩えられるエネルギーは、重合開始剤の種類により、露 光距離、時間、強度を調整することにより適時選択して用いることができる。また活性 光線は、場合により、窒素置換、減圧下等による方法で空気を遮断し重合速度を向 上させてもよい。レーザーを光源として用いる場合には、露光面積を微小サイズに絞 ることが容易であり、高解像度の画像形成が可能となる。レーザー光源としてはアル ゴンレーザー、 He_Neガスレーザー、 YAGレーザー、半導体レーザー等を何れも 好適に用いることが可能である。
[0093] 「画像記録体上への帯電防止層付き保護層転写箔付与方法」
転写箔の被転写材への転写は通常サーマルヘッド、ヒートローラー、ホットスタンプ マシンなどの加熱しながら加圧を行える手段を用い転写を行うことができる。具体的 にはホットスタンプマシンを使用する場合、表面温度 150_ 300°Cに加熱し、直径 5c mゴム硬度 85のヒートローラーを用いて圧力 50_ 500kgZcm2deO. 5〜10秒間熱 をかけて転写を行うことができる。
[0094] この発明は、カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて 転写により、カード基材上に表面保護層を形成するもので、この転写時の内部抵抗と は、カード表面保護用転写箔ゃカード基板の構成する層のうち、最も導電性が高い 層の抵抗値を言う。
[0095] また、導電性が高い層の上に絶縁層がある場合は、水電極法 (WER法）、塩橋法と 呼ばれる R. A. Elder著「埋込み導電性層の抵抗率測定」 (Resistivity
Measurement on Bunea し onductive Layers)、 EOsZEsDシンポンヮム 議事録、 1990年、 p. 251— 254に記載されている手順で測定される。
[0096] 従来、カード表面保護用転写箔の転写剥離時の帯電による、ゴミ付着防止のため には、カード基板及び/又はカード表面保護用転写箔の表面比抵抗を低下させるこ とが行われてきたが、この発明では、表面比抵抗を下げなくとも、カード表面保護用 転写箔の内部の層に沿って電荷を逃がすことによって、ゴミ付着防止効果が得られ る。この発明では、カード表面保護用転写箔の転写面の 20%RHでの表面比抵抗が 1 101^以上かっ内部抵抗が1 101° 0以下が好ましぐさらに転写面の 20%RH での表面比抵抗が 1 X 1013 Ω以上かつ内部抵抗が 1 X 109 Ω以下であれば、より耐 傷性が良好で、且つゴミ付着防止効果もより高い認証識別カードを得ることができる
[0097] [実施例]
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらによって何 ら制限されるものではない。なお、実施例中の評価は次の方法で測定した。
[0098] ぐ表面比抵抗 >
測定するカード基材、カード表面保護用転写箔を 23°C、 20%RHで 24時間調湿し た後、各試料の測定面を、川口電気 (株)製テラオームメーターモデル VE_ 30を用 いて表面比抵抗を測定した。測定値は対数値 Log Ωで表示する。
[0099] <内部抵抗 >
測定するカード基材、カード表面保護用転写箔を 15. 2 X 2. 5cmの試験片とし、 2 3°C、 20%RHで 24時間調湿した後、両端を飽和塩溶液中に含浸して測定した。詳 細な測定手順は、 R. A. Elder著「埋込み導電性層の抵抗率測定」 (Resistivity Measurement on Buried Conductive Layers EuSZESDシンポシゥム 議事録、 1990年、 p. 251— 254に記載されている方法に従った。測定値は対数値 Log Ωで表示する。
[0100] <カードへのゴミ付着性 >
10°C、 10%RHの環境にて、カード表面保護用転写箔を転写して 500枚カードを 連続作成し、カード基材と転写箔の間にゴミの付着物があるカードの発生率を算出し た。この評価においては、 2. 0%以下で有れば実用上問題はない。
[0101] <転写前カード基材の耐傷性 >
カード表面保護用転写箔を転写する前のカード基材を 23°C、 20%RHで 24時間 調湿した後、耐摩耗性試験機（HEIDON— 18)を用レ、、 0. 1mm φのサファイア針 で荷重を 0〜： !OOg連続的に変化させて、カード表面に傷が付き始める時の荷重の 測定を行った。荷重が大きいほど良好である。この評価では、 50g以上であれば取り 扱い性に問題はない。
[0102] <転写後カード基材の耐傷性 >
カード表面保護用転写箔を転写したカードを 23°C、 20%RHで 24時間調湿した後 、耐摩耗性試験機（HEIDON— 18)を用い、 0. 1mm φのサファイア針で荷重を 0 〜300g連続的に変化させて、カード表面に傷が付き始める時の荷重の測定を行つ た。荷重が大きいほど良好である。この評価では、 150g以上であれば実用上問題は なぐ 200g以上であれば過酷な使用状態にも耐えうる耐傷性を有す。
[0103] < ICカードの作成 > (第 1シート材 Aの作成）
固有粘度が 0. 65のポリエチレンテレフタレートを 170°Cで 3時間乾燥後 20°Cに維 持した回転冷却ドラム上に溶融押し出して未延伸フィルムとし、次に未延伸フィルム を機械軸方向に 3. 6倍延伸した。その後、フィルム片面にドデシノレジフヱニルエーテ ルジスルホン酸ソーダとアクリル変性共重合ポリエステル樹脂（高松油脂 (株） SH— 4 16)を混合して総固形分 4wt。/0、ドデシルジフヱニルエーテルジスルホン酸ソーダ / アクリル変性共重合体ポリエステル樹脂比 10/90の水分散液を作成し、キスコート 法にて 2gZm2 (wet)を塗布した。引き続き 105°Cで横方向に 3. 9倍延伸し、ついで 210°Cで熱処理して厚さ 180 μ mの片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムを得た。
[0104] この片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムを支持体として用い、被覆面に下記組 成の光硬化型クッション層、第 1受像層形成用塗工液及び第 2受像層形成用塗工液 をこの順に塗布乾燥して、それぞれの厚みが 7· 5 /i m、 2. 5 /i m、 0. 5 μ mになるよ うに積層することにより受像層を形成した。
[0105] (光硬化型クッション層） 膜厚 7· 5 /i mウレタンアタリレートオリゴマー
(新中村化学社製： NKオリゴ UA512)
55咅 Bポリエステノレアタリ レート（東亞合成社製：ァロニックス M6200)
15部ウレタンアタリレート オリゴマー（新中村化学社製： NKオリゴ UA4000)
25部ヒドロキシシクロへ キシルフェニルケトン（チバ ·スぺシャリティ^ ~ ·ケミカルズ：イノレガキュア 184)
5部メチルェチルケトン
100咅 B
塗布後の活性光線硬化性化合物は、 90°C/30secで乾燥を行レ、、次レ、で水銀灯 (300mj/cm )で光硬化を行った
[0106] (受像層)
上記クッション層上に下記組成の第 1受像層形成用塗工液、第 2受像層形成用塗 ェ液をこの順に塗布乾燥して、それぞれの厚みが 2. 5 z m、 0. 5 z mになる様に積 層することにより受像層を形成した。 〈第 1受像層形成用塗工液〉
ポリビュルプチラール樹脂 6部
〔積水化学工業 (株)製：エスレック BX_ 1〕
金属イオン含有化合物 (化合物 MS) 4部
80部
酢酸ブチル 10部
〈第 2受像層形成用塗工液〉
ポリエチレンワックス 2部
〔東邦化学工業 (株)製：ハイテック E1000〕
ウレタン変性エチレンアクリル酸共重合体 8部
〔東邦化学工業 (株)製：ハイテック S6254〕
メチルセルロース〔信越化学工業 (株)製： SM15〕 0.
水 90部
[0107] [化 1] 化合物 MS
Figure imgf000025_0001
[0108] (フォーマット印刷層からなる情報坦持体形成）
受像層上にオフセット印刷法により、フォーマット印刷（従業員証、氏名）を行った。 印刷インキは UV墨インキを用いた。さらに、その上の昇華熱転写画像記録領域を除 いた領域に、透明な UV硬化型 OPニス (FD_〇ドライコートニス、成東インキ製）をォ フセット印刷により設けた。印刷時の UV照射条件は、高圧水銀灯で 200mj相当であ つた。 （第 1のシート材 Bの作成）
横延伸前の片面被覆をポリ 3, 4—エチレンジォキシチォフェン/ポリスチレンスル ホネートである BaytronP商標（Bayer)をポリウレタン水分散体 (第 1工業製薬 (株)ス 一パーフレックス 300)に混合し、総固形分 2wt%、 BaytronP/ポリウレタン重量比 20/80の水分散液を作成し、 2gZm2 (wet)で塗布した以外は、第 1のシート材 Aと 同じ条件で片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムを得た。尚、塗布後は引き続き 1 05°Cで横方向に 3. 9倍延伸、 210°Cで熱処理して厚さ 180 z mの片面被覆ニ軸延 伸ポリエステルフィルムを得てレ、る。
[0109] (第 1のシート材 Cの作成）
横延伸前の片面被覆をアンチモンドープ酸化錫の水分散体をポリウレタン水分散 体 (第 1工業製薬 (株)スーパーフレックス 300)に混合し、総固形分 10wt。/o、アンチ モンドープ酸化錫 Zポリウレタン重量比 65/35の水分散液を作成し、キスコート法 にて 2g/m2 (wet)で塗布した以外は、第 1のシート材 Aと同じ条件で片面被覆二軸 延伸ポリエステルフィルムを得た。尚、塗布後は引き続き 105°Cで横方向に 3. 9倍延 伸、 210°Cで熱処理して厚さ 180 μ mの片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムを 得ている。
[0110] (第 1のシート材 Dの作成）
支持体として、片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムの代わりに、東レ (株)製ルミ ラー E20 188 μ ΐηを用レ、、その一方の面にアンチモンドープ酸化錫の水分散体を ポリウレタン水分散体 (第 1工業製薬 (株)スーパーフレックス 300)に混合し、総固形 分 10wt%、アンチモンドープ酸化錫/ポリウレタン重量比 65/35の水分散液を作 成し、キスコート法にて 2g/m2 (wet)で塗布した。この層の上に第 1シート材 Aと同様 に、光硬化型クッション層、第 1受像層形成用塗工液及び第 2受像層形成用塗工液 を塗工した。
[0111] (第 1のシート材 Eの作成）
第 1のシート材 Dの光硬化型クッション層を 7. 力、ら 4. に変えた。その他 は第 1シート材 Dと同一である。
[0112] (第 1のシート材 Fの作成） 支持体として、片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムの代わりに、東レ (株)製ルミ ラー E20 188 μ mを用い、その上に光硬化型クッション層 7. 5 μ mを塗工した上に 、アンチモンドープ酸化錫の水分散体をポリウレタン水分散体 (第 1工業製薬 (株)ス 一パーフレックス 300)に混合し、総固形分 10wt%、アンチモンドープ酸化錫/ポリ ウレタン重量比 65/35の水分散液を作成し、キスコート法にて 2g/m2 (wet)で塗 布した。この層の上に第 1受像層形成用塗工液及び第 2受像層形成用塗工液を塗 ェした。
[0113] (第 1のシート材 Gの作成）
支持体として、片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムの代わりに、東レ (株)製ルミ ラー E20 188 x mを用レ、た。その他の条件は第 1シート材 Aと同一である。
[0114] (第 2のシート材の作成）
支持体として東レ (株)製ルミラー E20 188 z mを用レ、、下記組成の第 1層用塗工 液、第 2層用塗工液及び第 3層用塗工液をこの順に塗布乾燥して、それぞれの厚み 力 ¾ μ ΐη、 15 μ ΐη、 0. 5 μ mになるように積層することにより筆記層を形成した。 •第 1層用塗工液
ポリエステル樹脂 東洋紡製 (株)製バイロン 200 8部
イソシァネート 日本ポリウレタン工業 (株)製コロネート ΗΧ
メチルェチルケトン 80部
酢酸ブチル 10部
•第 2層用塗工液
ポリエステル樹脂 東洋紡製 (株)製バイロナール MD1200 4部
シリカ 5部
水 90¾
•第 3層用塗工液
ポリアミド樹脂 三和化学工業 (株)製サンマイド 55
Figure imgf000027_0001
メタノーノレ 95咅 Β
図 12乃至図 16の ICカード製造装置を使用し、第 1のシート材、第 2のシート材を使 用して ICカードを製造した。第 1のシート材と第 2のシート材には、 120°Cに加熱した 反応型ホットメルト接着剤である積水化学工業 (株)製エスダイン 9611を厚み 162 μ mになるように塗工し、接着剤付き両シート材の間に ICモジュールを入れ、 65°C1分 間ラミネートした。このように作成した ICカード用基材の厚みは 760 μ ΐηであった。作 成後は、 25°C55%RHの環境下で 10日間保存し、 55mm X 85mmサイズのカード 形状打ち抜き金型装置によって打ち抜き加工した。
< ICカードへ認証識別画像、属性情報画像の記載方法 >
カード基材 1、 2上に下記の情報記録部材を用い情報を記録した。
(昇華型感熱転写記録用のインクシートの作成）
裏面に融着防止加工した厚さ 6 μ mのポリエチレンテレフタレートシートに下記組成 のイェローインク層形成用塗工液、マゼンタインク層形成用塗工液、シアンインク層 形成用塗工液を各々の厚みが 1 μ mになる様に設け、イェロー、
3色のインクシートを得た。 〈イェローインク層形成用塗工液〉
イェロー染料 (三井東圧染料 (株)製 MSYellow) 3部 ポリビニルァセタール 5. 5部
〔電気化学工業 (株)製：デンカブチラール KY— 24]
ポリメチルメタアタリレート変性ポリスチレン
〔東亜合成化学工業 (株)製：レデダ GP― 200〕
ウレタン変†生シリコン才ィノレ 0. 5咅
〔大日精化工業 (株)製：ダイァロマー SP— 2105〕
メチルェチルケトン 70部
トルエン 20部
〈マゼンタインク層形成用塗工液〉
マゼンタ染料
(三井東圧染料 (株)製 MS Magenta) 2部
ポリビニノレアセターノレ 5. 5部
〔電気化学工業 (株)製：デンカブチラール KY— 24]
ポリメチルメタアタリレート変性ポリスチレン 2部
〔東亜合成化学工業 (株)製：レデダ GP - 200] ウレタン変性シリコンオイル 0. 5咅
〔大日精化工業 (株)製：ダイァロマー SP— 2105〕
メチルェチルケトン 70部
トルエン 20部
〈シアンインク層形成用塗工液〉
シアン染料
(日本化薬 (株)製 カャセットブルー 136) 3部
ポリビュルァセタール 5. 6¾
〔電気化学工業 (株)製：デンカブチラール KY— 24]
ポリメチルメタアタリレート変性ポリスチレン
Figure imgf000029_0001
〔東亜合成化学工業 (株)製：レデダ GP - 200]
ウレタン変性シリコンオイル 0. 5部
〔大日精化工業 (株)製：ダイァロマー SP— 2105〕
メチルェチルケトン 70部
トルエン 20部
(溶融型感熱転写記録用のインクシートの作成）
裏面に融着防止加工した厚さ 6 μ mのポリエチレンテレフタレートシートに下記組成 のインク層形成用塗工液を厚みが 2 μ mになる様に塗布乾燥してインクシートを得た
〈インク層形成用塗工液〉 エチレン酢酸ビュル共直合体
〔三井デュポンケミカル社製： EV40Y]
カーボンブラック 3部
フエノール樹脂〔荒 J 11化学工業 (株)製：タマノル 521〕 5部
メチルェチルケトン 90部
(顔画像の形成）
昇華型感熱転写記録用のインクシートのインク側を重ね合わせインクシート側から サーマルヘッドを用いて出力 0· 23W/ドット、ノ ノレス幅 0· 3〜4· 5m秒、ドット密度 16ドット/ mmの条件で加熱することにより画像に階調性のある人物画像を受像層に 形成した。この画像においては上記色素と受像層のニッケルが錯体を形成している。
[0116] (文字情報の形成）
溶融型感熱転写記録用のインクシートのインク側を重ね合わせインクシート側から サーマルヘッドを用いて出力 0. 5WZドット、パルス幅 1. Om秒、ドット密度 16ドット /mmの条件で加熱することにより文字情報を ICカード用画像記録体上に形成した
[0117] <表面保護用転写箔 Hの形成 >
固有粘度が 0. 65のポリエチレンテレフタレートを 170°Cで 3時間乾燥後 20°Cに維 持した回転冷却ドラム上に溶融押し出して未延伸フィルムとし、次に該未延伸フィル ムを機械軸方向に 3. 6倍延伸した。その後、フィルム片面にドデシノレジフヱニルエー テルジスルホン酸ソーダとアクリル変性共重合ポリエステル樹脂（高松油脂 (株） SH 416)を混合して総固形分 4wt%、ドデシルジフエニルエーテルジスルホン酸ソー ダ /アクリル変性共重合体ポリエステル樹脂比 10/90の水分散液を作成し、キスコ ート法にて 2g/m2 (wet)を塗布した。引き続き 105°Cで横方向に 3. 9倍延伸し、つ いで 210°Cで熱処理して厚さ 180 μ mの片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムを 得た。
[0118] この片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムを支持体として用い、被覆面に下記処 方を離型層 0. 02 / m、光硬化性樹脂層 10 / m、中間層 0. 4 / m、接着層 0. 3 β ηι を順次塗工した。
(離型層）
タフテックス Μ _ 1913 旭化成 (株）製 5部
カルナバワックス 5部
トノレェン 90部
(光硬化性樹脂層）
窒素気流下の三ッロフラスコに、メタアクリル酸メチル 73部、スチレン 15部、メタァ クリノレ酸 12咅 Βとエタノーノレ 500咅 ^ ひ、 ひ , 一ァゾビスイソブチロニトリノレ 3きを入れ、 窒素気流中 80°Cのオイルバスで 6時間反応させた。その後、トリェチルアンモニゥム クロライド 3部、グリシジルメタタリレート 1. 0部をカ卩え、 3時間反応させ、光硬化性樹脂 層添加用アクリル系共重合体の合成バインダー 1を得た。
[0119] 上記合成バインダー 1 48部
新中村ィ匕学社製 A—9300Z新中村ィ匕学社製 EA_ 1020 = 35/11. 75部 反応開始剤 日本チバガイギ一社製ィルガキュア 184 5部 トノレェン 80部
メチルェチルケトン 20部
塗布後の活性光線硬化性化合物は、 90°C/30secで乾燥を行レ、、次レ、で水銀灯 (300mj/cm2)で光硬化を行った。
[0120] (中間層）
ポリビュルプチラール樹脂 積水化学 (株)製 エスレック BX—1 50部
タフテックス M— 1913 旭化成 (株)製 30部
硬化剤 ポリイソシァネート 日本ポリウレタン製 コロネート HX 20部
トルエン 80部
メチルェチルケトン 20部
塗布後硬化剤の硬化は、 50°C、 24時間で行った。
[0121] (接着層）
ウレタン変性エチレンェチルアタリレート共重合体
東邦化学工業 (株)製 ハイテック S6254B 80部
ポリアクリル酸エステル共重合体
日本純薬 (株)製 ジュリマー AT510 20部
水 50部
エタノーノレ 50部
塗布後、 70°C/30secで乾燥を行った。
[0122] <カード表面保護用転写箔 Iの形成 >
横延伸前の片面被覆をポリ 3, 4_エチレンジォキシチォフェン Zポ！
ホネートである BaytronP商標（Bayer)をポリウレタン水分散体 (第 1工業製薬 (株)ス 一パーフレックス 300)に混合し、総固形分 2wt%、 BaytronP/ポリウレタン重量比 20/80の水分散液を作成し、 2g/m2 (Wet)で塗布した以外は、表面保護用転写 箔 Hと同じ条件で片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムを得た。尚、塗布後は引き 続き 105°Cで横方向に 3. 9倍延伸、 210°Cで熱処理して厚さ の片面被覆二 軸延伸ポリエステルフィルムを得てレ、る。
[0123] <表面保護用転写箔 Jの形成 >
横延伸前の片面被覆をアンチモンドープ酸化錫の水分散体をポリウレタン水分散 体 (第 1工業製薬 (株)スーパーフレックス 300)に混合し、総固形分 10wt。/o、アンチ モンドープ酸化錫 Zポリウレタン重量比 65/35の水分散液を作成し、キスコート法 にて 2gZm2 (Wet)で塗布した以外は、第 1のシート材 Aと同じ条件で片面被覆二軸 延伸ポリエステルフィルムを得た。尚、塗布後は引き続き 105°Cで横方向に 3. 9倍延 伸、 210°Cで熱処理して厚さ 25 μ mの片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムを得 ている。
[0124] <表面保護用転写箔 Kの形成 >
支持体として、片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムの代わりに、ダイァホイルへ キスト (株)製ポリエチレンテレフタレート（S— 25)を用いて、その片面に光硬化性樹 脂層 10 / mを塗工し、その上に以下の帯電防止層 0. 4 / mを塗工し、引き続き接着 層 0. 3 / mを塗工した。光硬化性樹脂層と接着層は表面保護用転写箔 Hと同じであ る。
(帯電防止中間層）
ポリビニルプチラール樹脂 積水化学 (株)製 エスレック BX— 1 50部
タフテックス M_ 1913 旭化成 (株）製 30部
硬化剤 ポリイソシァネート 日本ポリウレタン製 コロネート HX 20部
アンチモンドープ酸化錫 石原産業 (株)製 SN—100P 4部
トノレエン 80部
メチルェチルケトン 20部
塗布後硬化剤の硬化は、 50°C、 24時間で行った。
[0125] <表面保護用転写箔 Lの形成 > 支持体として、片面被覆二軸延伸ポリエステルフィルムの代わりに、ダイァホイルへ キスト (株)製ポリエチレンテレフタレート（S— 25)を用いた以外は、表面保護用転写 箔 Hと同じ条件で形成した。
[0126] さらに画像、文字が記録された前記受像体又は情報坦持体層上に前記構成からな る表面保護用転写箔 H〜Lを用いて表面温度 200°Cに加熱した、直径 5cmゴム硬度 85のヒートローラーを用いて圧力 150kg/cm2で 1. 2秒間熱をかけて転写を行なつ た。
[0127] [表 1]
Figure imgf000034_0001
表 1から明ら力、なように、カード基材がこの発明の構成でない場合の No. 2及び 3は 、たとえ表面保護用転写箔に帯電防止効果を付与していてもゴミ付着発生率が高か つたり、また、帯電防止効果を付与しても、この発明の構成でない No. 4及び 5はゴミ 付着発生率は改善するが、転写前のカード基材の耐傷性に劣り、取り扱い時に傷が 発生しやすい。 [0129] 一方、この発明の構成を満たす場合、セキュリティー性及び耐傷性を保持しつつ、 ゴミ付着発生率にも優れている。
産業上の利用可能性
[0130] この発明は、カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を転写し 、カード基材上に表面保護層を形成し、偽造、変造防止等の安全性 (セキュリティ）を 高めると共に、カード表面の耐傷性が良好である。また、カード基材が帯電防止層を 含み、 23°C、 20%RHにおいて、カード基材表面から帯電防止層に向かう厚さ方向 より、帯電防止層中をカード基材断面に向力 方向に電荷が漏洩する速度が速いこ とで、カード表面保護用転写箔をカード基材上に転写するために接触させる時、ある いは剥離するときに静電気が生じても、カード基材の内部の層に沿って電荷を逃が すことができ、ゴミ付着防止効果が得られる。

Claims

請求の範囲
[1] カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて転写により、 前記カード基材上に表面保護層を形成する認証識別カードにおいて、
前記カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層に向か う厚さ方向より、前記帯電防止層中をカード基材断面に向力、う方向に電荷が漏洩す る速度が速いことを特徴とする認証識別カード。
[2] カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて転写により、 前記カード基材上に表面保護層を形成する認証識別カードにおいて、
前記カード基材が帯電防止層を含み、 23°C、 20%RHでの表面比抵抗が 1 X 1012 Ω以上かつ内部抵抗が 1 X 101Q Q以下であることを特徴とする認証識別カード。
[3] カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて転写により、 前記カード基材上に表面保護層を形成する認証識別カードにおいて、
前記カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層までの 厚さが 7 β m以上であり、前記帯電防止層の厚さが 1 μ m以下であることを特徴とする 認証識別カード。
[4] 前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層を含み、転写箔転写面から前記帯電 防止層に向力 厚さ方向より、前記帯電防止層中を転写箔断面に向力 方向に電荷 が漏洩する速度が速いことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の認証識別カード
[5] 前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層を含み、 23°C、 20。/oRHでの表面比 抵抗が 1 X 1012 Ω以上かつ内部抵抗が 1 X 101Q Q以下であることを特徴とする請求 の範囲第 2項に記載の認証識別カード。
[6] 前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層を含み、転写箔転写面から帯電防止 層までの厚さが 7 μ m以上であり、前記帯電防止層の厚さが 1 μ m以下であることを 特徴とする請求の範囲第 3項に記載の認証識別カード。
[7] 前記帯電防止層が、電子伝導性の帯電防止剤を含むことを特徴とする請求の範囲 第 1項乃至第 6項のいずれか 1項に記載の認証識別カード。
[8] 前記カード表面保護用転写箔は、支持体上に少なくとも離型層、光硬化性樹脂及 び接着性を有することを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 6項のいずれか 1項に 記載の認証識別カード。
[9] カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて転写により、 前記カード基材上に表面保護層を形成する認証識別カード作成方法において、 カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層に向力 厚さ 方向より、前記帯電防止層中をカード基材断面に向かう方向に電荷が漏洩する速度 が速いカード基材であるとともに、前記カード基材上に、カード表面保護用転写箔を 接触させて熱を与えながら転写を行い、前記カード基材上に表面保護層を形成する ことを特徴とする認証識別カード作成方法。
[10] カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて転写により、 前記カード基材上に表面保護層を形成する認証識別カード作成方法において、 カード基材が帯電防止層を含み、 23°C、 20。/。RHでの表面比抵抗が 1 Χ 1012 Ω以 上かつ内部抵抗が I X 101Q Q以下であるとともに、前記カード基材上に、カード表面 保護用転写箔を接触させて熱を与えながら転写を行い、前記カード基材上に表面保 護層を形成することを特徴とする認証識別カード作成方法。
[11] カード基材上に少なくとも 1回以上カード表面保護用転写箔を用いて転写により、 前記カード基材上に表面保護層を形成する認証識別カード作成方法において、 カード基材が帯電防止層を含み、カード基材表面から前記帯電防止層までの厚さが 7 β m以上であり、前記帯電防止層の厚さが 1 μ m以下であるとともに、前記カード基 材上に、カード表面保護用転写箔を接触させて熱を与えながら転写を行い、前記力 一ド基材上に表面保護層を形成することを特徴とする認証識別カード作成方法。
[12] 前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層を含み、転写箔転写面から前記帯電 防止層に向力 厚さ方向より、前記帯電防止層中を転写箔断面に向力 方向に電荷 が漏洩する速度が速いことを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の認証識別カード 作成方法。
[13] 前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層を含み、 23°C、 20。/oRHでの表面比 抵抗が 1 X 1012 Ω以上かつ内部抵抗が 1 X 101Q Q以下であることを特徴とする請求 の範囲第 10項に記載の認証識別カード作成方法。
[14] 前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層を含み、転写箔転写面から帯電防止 層までの厚さが 7 μ ΐη以上であり、前記帯電防止層の厚さが 1 μ ΐη以下であることを 特徴とする請求の範囲第 11項に記載の認証識別カード作成方法。
[15] 前記カード表面保護用転写箔が帯電防止層を有し、前記カード表面保護用転写 箔を用いて転写後、前記カード基材上に前記帯電防止層が転写されないことを特徴 とする請求の範囲第 9項乃至第 14項のいずれか 1項に記載の認証識別カード作成 方法。
[16] 前記帯電防止層が、電子伝導性の帯電防止剤を含むことを特徴とする請求の範囲 第 9項乃至第 15項のいずれか 1項に記載の認証識別カード作成方法。
[17] 前記カード表面保護用転写箔は、支持体上に少なくとも離型層、光硬化性樹脂及 び接着性を有することを特徴とする請求の範囲第 9項乃至第 15項のいずれか 1項に 記載の認証識別カード作成方法。
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