WO2006068175A1

WO2006068175A1 - 導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材

Info

Publication number: WO2006068175A1
Application number: PCT/JP2005/023483
Authority: WO
Inventors: Minoru Tosaka; Kyosuke Suzuki; Hisashige Kanbara; Toshirou Okamura; Yasuhiro Iwasaki; Nobuyuki Yoshida
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2004-12-24
Filing date: 2005-12-21
Publication date: 2006-06-29
Anticipated expiration: 2007-06-24
Also published as: TW200641918A; JPWO2006068175A1

Abstract

　上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状３の凹部を有する導電性基材２上にめっきにより金属を析出させる工程及び導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含む導体層パターン付き基材１の製造方法。導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程において、導電性基材上に析出した金属のうち、導電性基材の凸部の上面に析出した金属のみを選択的に別の基材に転写する。

Description

導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材

技術分野

[0001] 本発明は、導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材に関し、特に導電性に優れかつ光透過性を有するようにパターユングされた導体層パターン付き基材とめつき用導電性基材の製造法、導体層ノターン付き基材とめつき用導電性基材並びにそれを用いた電磁波遮蔽部材に関する。

背景技術

[0002] 公共施設、ホール、病院、学校、企業ビル、住宅等の壁面、ガラス窓、榭脂パネル、電磁波を発生するディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する方法は、従来種々提案されている。例えば、被遮蔽面上に電磁波遮蔽塗料を全面塗布する方法、被遮蔽面上に金属箔を貼り合わせる方法、金属めつきされた繊維メッシュを榭脂板に熱ラミネートしてなる電磁波遮蔽シートを、被遮蔽面に貼り合わせる方法、導電性繊維をメッシュ状に編んだものを被遮蔽面に貼り合わせる方法等が一般的に行われている。

[0003] これらのうち、透明ガラス面、透明榭脂パネル面、 CRTや PDPなどのディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する場合にお！、ては、電磁波遮蔽用部材がなるベく薄、ことが要求されるととも〖こ、光透過性 (透明性)と、これに相反する電磁波遮蔽性とをノランスよく両立させることができる電磁波遮蔽用部材が要求されている。

[0004] このような電磁波遮蔽用部材としては、透明性基材上に金属または金属酸ィ匕物を蒸着して薄膜導電層を形成したもの (特許文献 1、特許文献 2参照)、金属めつきされた良導電性繊維メッシュそのものや導電性が付与された繊維メッシュを透明基材に埋め込んだ電磁波遮蔽材 (特許文献 3、特許文献 4参照）、金属粉末等を含む導電性榭脂を透明基板上に直接印刷した電磁波遮蔽材料 (特許文献 5、特許文献 6参照 )、平面基材上に無電解めつき触媒塗料をパターン印刷した後に無電解めつきで導電層を形成したもの (特許文献 7、特許文献 8参照）、基材上に貼り合わせた金属層をフォトリソグラフ法でメッシュ状にエッチングして電磁波シールド層形成したもの（特許文献 9参照)などが提案されて!、る。

[0005] しかしながら、透明性基材上に金属または金属酸化物を蒸着して導電層を形成する方法は、透明性が達成できる程度の膜厚 (数 100 A〜2、 000 A)にすると導電層の表面抵抗が大きくなりすぎるため、電磁波遮蔽性が不十分であった。

[0006] 金属めつきされた繊維メッシュからなる電磁波遮蔽材ゃ導電性が付与された繊維メッシュを透明基材に埋め込んだ電磁波遮蔽材では、電磁波遮蔽効果は十分大き!/ヽ力電磁波漏れのな!ヽように導電性繊維を規則配置させるために必要な繊維径が太すぎるため、繊維が見えてしまヽ（以後視認性とヽぅ）ディスプレイ用途には適したものではなかった。また、導電性が付与された繊維メッシュを透明基材に埋め込んだ電磁波遮蔽材においては、その製造工程の熱ラミネート時に、繊維メッシュと榭脂板との間で意図しない歪みが生じて透視画像がゆがんだり、熱ラミネートの際にめつき層にクラックが発生して電磁波遮蔽性能が低下したりするなどの問題が生じていた。また、その製法上、導電性を付与した繊維の太さは 50 m程度が限界であり、細径ィ匕が難しぐより透視性を向上させたり、電磁波遮蔽シート全体の厚さを薄くしたりすることが困難であるという問題があった。

[0007] また、金属粉末等を含む導電性榭脂を透明基板上に直接印刷した電磁波遮蔽材料の場合も同様に、印刷精度の限界力もライン幅は、 100 m前後となり視認性が発現するため適したものではな力つた。

[0008] 前記した特許文献 7には、厚さが 2mm程度のポリカーボネート等の透明基板上に透明榭脂層を形成し、その上に無電解めつき法により銅のメッシュパターンを形成して遮蔽部材を作製する方法が記載されるが、無電解めつきの密着力を確保するために、透明基板の表面を粗ィ匕する必要がある。この粗ィ匕手段として、一般にクロム酸や過マンガン酸などの毒性の高い酸化剤を使用しなければならず、この方法は、 ABS 以外の榭脂では、満足できる粗ィ匕を行うことは困難となる。この方法により、電磁波遮蔽性と透明性は達成できたとしても、透明基板の厚さを小さくすることは困難で、薄膜ィ匕 (例えば、フィルム化）の方法としては適していな力つた。さらに透明基板が厚いと、ディスプレイに密着させることができないため、そこ力も電磁波の漏洩が大きくなる。また製造面においては、遮蔽材料を巻物等にすることができないため嵩高くなることや自動化に適して、な、ために製造コストがかさむと!、う欠点もあった。

[0009] また、無電解めつきで導電層を形成する方法が、例えば、前記特許文献 8に記載されているが、形成された導電層の線幅に太りや滲み等があり、特に、透視性が要求される用途に使用される電磁波遮蔽用部材においては、外観が劣るという問題があつた。また、無電解めつきはコストがかさむという問題もあった。さらに、電磁波遮蔽用部材の大きさはめつきラインの大きさに依存するので、幅 2m程度の大きな寸法力なる電磁波遮蔽シートを製造する場合には、めっきラインに供された電磁波遮蔽シート 2 〜3枚を繋ぎ合わせる必要があり、そのため、繋ぎ目力電磁波がもれて遮蔽を十分に行うことができな、おそれもあった。

[0010] さらに、特許文献 9に記載されるようなフォトリソグラフ法を利用して製造された電磁波遮蔽用部材は、優れた電磁波遮蔽性と透明性をも付与することができるが、それを製造する方法として、電磁波遮蔽部材毎に、エッチング工程を含むフォトリソグラフ法を適用する必要があるため、全体として工程が多くなり、コスト面に問題が残る。

[0011] また、メッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、接着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法が記載されている (特許文献 10参照)。上記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュバタ—ンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。電着部は溝上になっている。この絶縁膜として、フォトレジストを用いた場合、絶縁膜の耐久性に劣り数回〜数十回しか反復使用が可能ではなぐ電磁波遮蔽板の量産性に劣る。そこで、耐久性のよい絶縁膜として、二酸ィ匕珪素の膜が示されるが、これの絶縁膜は、具体例としてはスパッタリングで形成されるように、その作製において、やはり、量産性に劣る。特許文献 10には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成して上記の電着基板とする方法が記載されるが、この方法によれば、実際は、導電性メッシュの側面にも金属が電着され、このことがメッシュ状電着金属層の接着転写に対する抵抗となり、剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといつた不良が起こることを、本発明者らは確認した。

[0012] さらに、ディスプレイ力も放射される電磁波を効率よく遮蔽するためには、電磁波遮蔽部材をアース接続する必要がある。このアース接続の方法としては、アースされたディスプレイの筐体に電磁波遮蔽部材の導体層を接触させる方法が一般的であり、筐体部との接続抵抗を低減させるため透光性遮蔽部の外側にベタの導体層を額縁状に形成する方式が記載されてヽる（特許文献 11)。

[0013] また、 PDPなどのディスプレイ表示面等を電磁波遮蔽する目的で使用する電磁波シールド性透明フィルムの製造には、プラズマ発光体及び外光の反射を抑えてディスプレイ画像のコントラストを向上させることを目的に、導体層を黒化処理する工程が含まれる。その方法の一つとして特許文献 12に示されている圧延銅箔または電解銅箔を酸化処理し、その後導体層を形成する方法などが挙げられる。

特許文献 1：特開平 1― 278800号公報

特許文献 2 :特開平 5— 323101号公報

特許文献 3：特開平 5— 327274号公報

特許文献 4:特開平 5— 269912号公報

特許文献 5：特開昭 62— 57297号公報

特許文献 6：特開平 2— 52499号公報

特許文献 7：特開平 5 - 283889号公報

特許文献 8：特開平 11 170420号公報

特許文献 9 :特開平 10—41682号公報

特許文献 10：特開平 11 26980号公報

特許文献 11 :特開平 10— 29370号公報

特許文献 12 :特開 2000— 294981号公報

非特許文献 1：「現場技術者のための実用めつき」、日本プレーティング協会編（198 6年稹書店発行）

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0014] 前記特許文献 10に記載の転写法は、前記のコスト面の問題を解決するものとして期待できる。電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュバタ—ンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製されている。この電着基板を用いた場合、数回〜数十回程度の繰り返し使用は可能である力数百回〜数千回繰り返し使用が出来ず量産レべルにはならないという問題がある。これは、電着基板上のメッシュパターンを形成する絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうためである。

また、特許文献 10には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されている力この方法によれば、実際は、導電性メッシュの側面にも金属が電着され、このことがメッシュ状電着金属層の接着転写に対する抵抗となり、剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといつた不良が起こる。さらに、生産効率を上昇させるために、金属電着する際の電流密度を増大させると、絶縁層支持体上に形成された凸状の導電性メッシュ層の発熱により、絶縁層支持体が熱溶融もしくは発火する等の問題が発生し、特に、大面積で印加する電流値が大きいほど上記課題が顕著になることを本発明者らは確認した。

さらに、特許文献 10に記載されている電磁波遮蔽部材の作製方法で、上記額縁部を有する電磁波遮蔽部材を作製しょうとする場合、電着基板のメッシュパターンの外側周縁部（額縁部に対応）に、電着部を露出させておくことが必要である。このとき、電気めつきの工程において、電着基板のメッシュ部での金属の析出速度が速ぐ逆に、外側周縁部での金属の析出速度が遅くなることから、メッシュ部の導体層の厚みが十分であっても、額縁部の厚みが不十分でピンホールが多発し、結果的に額縁部の抵抗が高くなつたり、逆に、額縁部を十分な厚みとした場合には、メッシュ部のライン幅が太くなるという問題点があることを確認した。

これは、電気めつきの場合、導電体の突出した先端部に電気力線が集中する性質があることから、内側の微細なメッシュに電気力線が集中するために起こる現象である。例えば、めっき浴内に邪魔板などを設置して、メッシュ部と外側周縁部の電流密度を均一になるよう調整して、外側周縁部とメッシュ部の厚みを均一に形成することは可能であるが、導電性基材にカゝかる電流密度が、邪魔板がない場合に比較すると低減するため、生産スピードが著しく低下する。

[0016] さらに、特許文献 10に記載されてヽる電磁波遮蔽板の作製方法で、上記額縁部を形成した場合、接着転写した後の額縁部が割れやすいという問題点があることを確認した。めっきした金属層を接着転写する際に、転写する金属層に曲げ応力がかかるため、特にベタの金属層である額縁部層は、曲げの応力に追随できず、非常にクラックが入りやすい。さらに、転写の効率を上げるために、転写層として粘着層を用いた場合、室温でかつ低い転写圧力で転写することが可能であるが、粘着層の変形量が大きいため、額縁部にクラックが入りやすいという問題があることを、本発明者らが確認した。

[0017] また、前記特許文献 12に示されている黒ィ匕処理方法では導体層を 80°C以上の高温で処理する必要がある。また、銅と銅の上に形成された酸化皮膜の密着性が低いため、黒化処理中もしくは処理後に酸化皮膜が銅から剥離する、いわゆる粉落ち現象が見られる。粉落ち現象の結果、開口部に酸化皮膜が付着し、電磁波遮蔽板の透光性が低下する課題がある。さらに酸化処理の場合、銅を酸化させて形成するため、導体厚が小さくなり、表面抵抗が高くなることでシールド性が低下することを本発明者らは確認した。

[0018] 本発明は、導電性に優れかつ光透過性を有するようにパターユングされた導体層パターンパターン付き基材を生産性よく製造する方法、その方法による製造される導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材を提供する。

[0019] そして、本発明は、上記の問題点を鑑み、転写法において、電着基板が繰り返しの使用に耐え、量産性に優れた方法を提供すること、又、転写法において、電着析出した金属に対し、粉落ちが少なぐ効率的な黒化処理を行う方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は転写法において電着析出した金属が転写に際し電着基板から容易に剥離する方法をも提供するものである。

課題を解決するための手段

[0020] 本発明は、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にめっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0021] そして、本発明は、上面を有する凸部であって凸部の側面の傾斜角が 30° 以上である凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にめっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0022] 更に、本発明は、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の 50%以上 97%以下である領域 A、並びに、その外側に配され、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の 0%又は 97%未満である領域 Bを有し、領域 Aにおける凹部の面積比率が領域 Bにおける凹部の面積比率よりも大き、導電性基材を用いて、前記の導体層パターン付き基材の製造方法である。本発明は、また、この製造方法において、上記の導電性基材のうち領域 Bにおける凹部の面積比率が全体の 0%又は 97%未満であるもの使用する方法である。

[0023] 更に、本発明は、前記の導体層パターン付き基材の製造方法において、前記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程において、導電性基材上に形成した金属層のうち、導電性基材の凸部の上面に形成した金属層のみを選択的に別の基材に転写する方法である。

[0024] 更に、本発明は、前記の導体層パターン付き基材の製造方法において、前記導電性基材が、凸部の表面粗さが十点平均粗さ Rzで 2以下である導電性基材を使用する方法である。

[0025] 更に、本発明は、前記の導体層パターン付き基材の製造方法において、前記導電性基材が、凹部の表面粗さが十点平均粗さ Rzで 3以上である導電性基材を使用する方法である。

[0026] また、本発明 bは、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有し、少なくとも上記凸部の上面端部付近では薄膜になるように凹部を絶縁層で被覆した導電性基材にめつきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0027] さらに、本発明は、前記の導体層パターン付き基材の製造方法において、さらに、導電性基材の凸部上面に析出させた金属の転写前又は転写後に形成した金属層の表面を黒化処理する工程を含む方法である。

[0028] そして、本発明は、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材にめつきにより金属層を形成する工程、上記導電性基材の凸部上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程、及び形成した金属層の転写前又は転写後に形成した金属層の表面に VIII族元素を含む黒色合金金属を表面に析出させて黒化処理する工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0029] 更に、本発明は、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の 50%以上 97%以下である領域 A、並びに、その外側に配され、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の 40%以上 97%未満である領域 Bを有し、領域 Aにおける凹部の面積比率が領域 Bにおける凹部の面積比率よりも大きぐし力も、上記の二つの領域における凹部が少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように絶縁層で被覆されてなる導電性基材である。

[0030] また、本発明は、導電性基材の表面に光硬化性榭脂又は熱硬化性榭脂の硬化榭脂により幾何学図形状のノターンを形成する工程、導電性基材をエッチングすることにより上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を形成する工程、少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように凹部に絶縁層を形成する工程、上記光硬化性榭脂又は熱硬化性榭脂の硬化榭脂を剥離する工程を含むめっき用導電性基材の製造法である。

発明の効果

[0031] 本発明において、導体層パターン付き基材は、パターン状に形成した金属層を基材に転写させて得ることができるため、生産効率がよぐそのパターン状に形成した金属層には、高い光透過性 (特に、金属パターンの線幅が小さく高精細）で、良導電性 (高シールド性)を兼ね備えさせることができので、導体層パターン付き基材の導体層パターンも同様に高い光透過性と良導電性を有するようにできる。特に、導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を選択的に転写することにより、この効果を確実にすることができる。

[0032] また、基材の表面が接着性を有することにより、転写を容易に確実に行うことができる。

また、金属パターンが転写される基材に、あらかじめ、近赤外線遮蔽性を付与することにより導体層パターン付き基材に、近赤外線遮蔽性を付与することも可能である。なお、基材を透明基材とすることができる。

[0033] 本発明において、導電性基材の素材を金属とすることにより、導電性基材の凸状パターンを長寿命にでき、また、繰り返し使用に関しては、数千回〜数万回の量産レべルに十分対応可能である。さらに、導電性基材の接触によってもめっき液を汚染することがない。

これにより、繰り返しの使用において、めっき不良を防ぐことができる。

[0034] また、導電性基材として回転体もしくは、フープ状の導電性基材を用いることにより金属パターンの作製と剥離を連続して行うことができる。これによつてさらに生産効率が良くなる。特に、フープ状の導電性基材を用いた場合には、使用する導電性基材の総延長を長くすることができるため、めっき、黒化処理、転写、残金属のエッチングによる除去等を、 1つの工程で行うことが可能となることから、生産効率が非常に高くなる。

[0035] 本発明において、金属を黒化処理することができる。これにより、金属の色が反映されることなぐ透視性が良くなる。

[0036] また、導電性基材の凸部の金属を転写した後、導電性基材に残存した金属は、ェツチング、粘着フィルムによる除去等を、 1つの連続した工程で行うことが可能となることから、生産効率が非常に高くなり、また、粘着フィルムを利用した転写除去により、残存した金属を容易に除去することができる。これにより、導電性基材の再利用の効率がよくなる。

[0037] 上記導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面に、透明基板を貼り合わせたり、透明榭脂をコーティングすることで、導体層ノターンを保護することができる。別の基材の導体層転写面に予め、接着剤層を形成していた場合は、この接着剤層への異物の付着の防止効果もある。また、このとき、透明基板の貼り合わせは、接着剤層に透明基板を直接又は別の接着剤を介して加圧して貼り合わせることにより行うができる。この場合、適度な圧力により、導体層パターンが接着剤層に埋設されるので、透明性や透明基板との密着性を向上させることが可能である。

[0038] 導体層パターン付き透明基材は、これを利用して、高い光透過性 (特に、導体層パターンの線幅が小さく高精細）と良導電性 (高シールド性)を兼ね備える電磁波遮蔽体を容易に得ることができる。このため PDP等のディスプレイの電磁波遮蔽体として使用した場合、その輝度を高めることなく通常の状態とほぼ同様の条件下で鮮明な画像を快適に鑑賞することができる。また、その電磁波遮蔽体は電磁波遮蔽性に優れているため、ディスプレイその他の電磁波を発生したり、あるいは電磁波から保護されるべき測定装置、測定機器、製造装置等の内部を覼く窓や筐体、特に透明性を要求される窓やディスプレイ表面のような部位に設けて使用すると効果が大きい。さらに、本発明における電磁波遮蔽体の製造法は、上記の導体層パターンの製造に於けると同様、生産効率が優れる。

[0039] 本発明おいて、導電性基材の凸部上面の表面粗さを小さくすることにより、その上面に形成した金属層の平滑性をより良くすることができる。また、凹部の表面粗さを特定の大きさにすることで、選択的な転写を確実に行うことができ、凸部上面の表面粗さを小さくし、凹部の表面粗さを大きくすることにより、選択的な転写がより確実になる

[0040] 本発明において、導電性基材の凹部に絶縁層を形成することにより、凸部の上面に選択的に金属層を形成することが可能となる。さらに、絶縁層の厚さが凸部パターンの高さの 1Z2以下とすることで、形成した金属層を転写する際に、絶縁層が接着剤とほとんど接触することがなくなるため、従来力も課題となっていた凸状パターンの寿命を長くすることができ、また、繰り返し使用に関しては、数百回〜数千回の量産レベルに十分対応可能である。また、電着塗装で絶縁層を形成すると、金属に対する密着性、耐めっき液性が高い絶縁層が得られ、さらに皮膜も均一に形成することができる。

[0041] 本発明では、導電性基材の凸部の側面が特定のテーパ角を有するので、特に、凸部の上面に形成した金属層を選択的に転写し、それ以外の不要部分の金属（凹部に出現した金属）の転写 (金属が銅の場合、簡単に「銅ふり」、う）を効果的に抑制することができる。その時に使用する導体層ノターン付き基材のパターン形状を最適ィ匕させること〖こよって、導体層パターン付き基材のライン幅、ラインピッチ、ライン厚や基材からの転写性、あるいは不要部分の金属の転写の抑制などを最適化させ、かつ容易に作製することが可能である。

[0042] 本発明において、特定の導電性基材を使用することにより、その導電性基材上にパターン状に形成した金属層を別の基材に転写して導体層パターン付き基材を作製することができるので、生産効率がよぐ得られた導体層パターン付き基材は、高い光透過性 (特に、金属パターンの線幅が小さく高精細)で、良導電性 (高シールド性）を兼ね備えさせることができるので、電磁波遮蔽部材として有用である。

本発明では、導体層パターンを囲むように接地部を配置して導体層パターン付き基材を作製することが可能である。

特に、上記の導電性基材において、領域 Aの外側に領域 Bを形成し、凹部の面積比率を領域 Bにおいて領域 Aにおけるより小さくすることにより、得られる導体層パターン付き基材の額縁部には、ピンホールの発生、転写時やその後の使用において割れ等の発生を確実になくすことができ、これによつて、領域 Bに形成した金属層を接地部として使用するときは、筐体との接続抵抗の上昇を抑制することが可能となる前記の領域 Bに形成される幾何学図形は、種々のものが可能である。

[0043] また、導体層パターンが転写される別の基材の表面が接着性を有することにより、転写を容易に確実に行うことができる。また、この別の基材に、あら力じめ、近赤外線遮蔽性を付与することにより導体層パターン付き基材に、近赤外線遮蔽性を付与することち可會である。

[0044] 本発明において、導電性基材の凹部に絶縁層を形成することにより、凸部の上面のみに選択的に金属層を形成することが可能となる。また、繰り返し使用に関しては、数百回〜数千回の量産レベルに十分対応可能である。

[0045] 本発明の導電性支持体の領域 A及び領域 Bにおける凸部の上面が少なくとも 1力所で連続していることにより、導体層パターン付き基材の導体層が導通し、接地の効果を効率よくする。また、本発明において、導体層パターン付き基材の導体層のうち少なくとも領域 Aに相当する部分を黒化処理すると、導体層 (金属)の色が反映されることなぐ透視性が良くなる。

[0046] 本発明によれば、導電性基材上に凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を形成する際に、レジストでパターンを形成した後にエッチングで導電性基材にパターンを形成させる工法を取ることが出来る。さらに、レジストを剥離する前に絶縁層を形成させ、次いでレジストを剥離する。これ〖こより、凸部上を効率的に又精度良く露出させることができる。さらに言うと、レジストを剥離した後に絶縁層を導電性支持体表面全体に形成し、次いで、凸部上面の絶縁層のみの除去使用とすると、力なり高レベルの加工精度が要求される力本発明ではこのよう工程を省略することができるため、めっき用導電性基材を効率よく作製することができる。また、研磨の際に絶縁層を余計に剥離し、結果として導体層パターンのライン太りやライン幅のばらつきと!/、う t 、う問題を起こすことがな!、な!、ので、精度良くめつき用導電性基材を作製できる。

[0047] 本発明において、導電性基材の凹部に絶縁層を形成することにより、凸部の上面のみに選択的に金属層を形成することが可能となる。さらに、絶縁層の厚さが凸部パターンの高さの 1Z2以下とすることで、析出した金属を転写する際に、絶縁層が接着剤とほとんど接触することがなくなるため、従来力も課題となっていた凸状パターンの寿命を長くすることができ、また、繰り返し使用に関しては、数百回〜数千回の量産レベルに十分対応可能である。また、電着塗装で絶縁層を形成すると、金属に対する密着性、耐めっき液性が高い絶縁層が得られ、さらに皮膜も均一に形成することができる。

[0048] そして、絶縁層を導電性基材に定着させる際に、不活性ガス雰囲気下で行うこと〖こより絶縁層を構成する榭脂の硬化時における副反応などによる変成を防ぐことができ、より強固な絶縁層を形成することができる。このことによりめっき用導電性基材の耐久性をさらに向上させることが出来る。

[0049] 本発明によれば、生産性よく導体層パターン付き基材を作製することができる。特に、導電性基材が凹部に絶縁層を有する場合は、不要な金属めつきがなぐ又転写に際し、形成した金属層の剥離も円滑に行われ、転写工程が効率よく行われる。また、本発明において導電性基材の凸部上面に選択的に形成した金属層表面を細線部、広幅部を問わず均一に粉落ちなく黒ィ匕処理することができる。これにより、導体層ノターンがプラズマ表示画面からの出射光や外光の反射を抑制し、透視性及び画像のコンストラストが良くなる。黒化処理法には VIII族元素、その中でもニッケルを成分の一つとして含む黒色ニッケルめっきを選択することで、導電性基材の凹部に絶縁層が形成されている場合にはその絶縁層を侵すことなぐまた金属導体の表面のみに、粉落ちが発生しない黒色皮膜を形成することが出来る。

図面の簡単な説明

[0050] [図 1]図 1は凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図である。

[図 2-a]図 2— aは領域 A及び領域 Bを含む導電性基材の一例の斜視図である。

[図 2-b]図 2— bは領域 A及び領域 Bを含む導電性基材の別の一例の斜視図である。

[図 3-a]図 3— aは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。

[図 3-b]図 3—bは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。

[図 3-c]図 3— cは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。

[図 3-d]図 3— dは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。

[図 3-e]図 3— eは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。

[図 4]図 4は領域 A及び領域 Bを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。

[図 5]図 5は領域 A及び領域 Bを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。 [図 6]図 6は領域 A及び領域 Bを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。

[図 7]図 7は領域 A及び領域 Bを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。

[図 8]図 8は領域 A及び領域 Bを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。圆 9-a]図 9 aは本発明に係るめっき用導電性基材の一例を示す断面図の一部である。

圆 9- b]図 9— bは本発明に係るめっき用導電性基材の一例を示す断面図の一部である。

圆 9- c]図 9— cは本発明に係るめっき用導電性基材の一例を示す断面図の一部である。

圆 10]図 10は本発明によりめつき用導電性基材を作製する工程を順に示した断面図である。

圆 11- a]図 11— aは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。

圆 11- b]図 11— bは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。

圆 11- c]図 11— cは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。

圆 1ト d]図 11— dは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。

圆 11- e]図 11— eは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。

[図 12- a]図 12— aは上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。

[図 12-b]図 12— bは上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。

[図 12- c]図 12— cは上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。

圆 13]図 13は本発明に係るめっき用導電性基材の一例を示す断面図である。

[図 14]図 14は上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その凹部を絶縁層で埋め尽くした状態の導電性基材、すなわちめっき転写用版の断面図である。

[図 15]図 15は上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その凹部に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。

[図 16]図 16は上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その凹部に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。

圆 17-a]図 17— aは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。圆 17-b]図 17— bは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。圆 17-c]図 17— cは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。圆 17-d]図 17— dは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。圆 17-e]図 17— eは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。圆 18]図 18は導電性基材の凸部上面に析出させた金属面に、接着剤を塗布した透明基材をラミネートした状態を示す断面図である。

[図 19-a]図 19 aは導体層パターン付基材と金属が残存している導電性基材の断面図である。

[図 19-b]図 19 bは導体層パターン付基材と金属が残存している導電性基材の断面図である。

[図 20]図 20は導体層パターンが黒ィ匕処理された金属パターン力もなる導体層パターン付基材の断面図である。

圆 21]図 21は導体層パターンが黒ィ匕処理された金属パターン力もなる導体層パターン付基材の断面図である。

圆 22]図 22は導体層パターンが黒ィ匕処理された金属パターン力もなる導体層パターン付基材の断面図である。

圆 23]図 23は導体層パターン付き基材の作製方法の一例を示す断面図である。圆 24]図 24は回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図である。

圆 25]図 25はフープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図である。

圆 26]図 26はフープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の別の例の概念断面図である。

[図 27]図 27は実施例 aの特性を示す図表である。

[図 28]図 28は実施例 bの特性を示す図表である。

[図 29]図 29は実施例 cの特性を示す図表である。

[図 30]図 30は実施例 dの特性を示す図表である。

[図 31]図 31は実施例 eの特性を示す図表である。

[図 32]図 32は実施例 fの特性を示す第 1の図表である。

[図 33]図 33は実施例 fの特性を示す第 2の図表である。

符号の説明

1 : ：めっき用導電性基材

2 : ：凹部

3 : ：凸部

4 : ：領域 B

5 : ：凹部

6 : ：凸部

7 : ：凸部の側面

8 : ：凸部の上面

9 : ：凹部の底面

10 :凹部 (平面形状)

11：凸部

12 :絶縁層 :光硬化性榭脂層

：凸部の上面に形成された金属層:凹部の底面に出現した金属

:凸部の側面に出現した金属

:接着剤

:透明基材

:導体層パターン付き基材

:別の基材 (透明基材）

:粘着層

:導体層パターン付き基材

:黒色層

:他の基材

:保護榭脂

:接着剤

:他の基材

:透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤:保護フィルム

:電解浴

1 :電解液

:陽極

:回転体

:配管

:ポンプ

:金属

:フィルム

:圧着ロール

：導体層パターン付き基材 110：フープ状の導電性基材

111〜128：搬送ロール

129 :前処理槽

130 :めっき槽

131 :水洗槽

132 :黒化処理槽

133 :水洗槽

134 :防鲭処理槽

135 :水洗槽

136 :プラスチックフィルム基材

137 :圧着ロール

138：導電層パターン付き基材

140〜143：搬送ロール

150：めっき槽 (電解浴)又は黒化処理槽

151 :黒化処理槽又は防鲭処理槽

発明を実施するための最良の形態

本発明者らは、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を版として、めっきにより金属層を形成して転写することで導電性に優れかつ光透過性を有するようにパターユングされた導体層パターンを生産性よく製造できることを発見した。本発明に係るめっき用導電性基材の製造法は、さらに、繰り返しめっきし、剥離して使用するためのパターユングされためつき用版として、微細なパターンであっても寸法精度に優れ、繰り返し使用可能な耐久性に優れた導電性基材を容易に作製することができる。

本発明において、凸部に対して幾何学図形状の凹部が形成されている導電性基材が用いられる力この基材に用いられる導電性材料は、その表面に電気めつきで金属層を形成する場合には、そのために十分な導電性を有するものであり、また、導電性基材は、絶縁膜を電着塗装する場合に、そのために十分な導電性を有するものである。また、導電性基材は、その表面を陽極酸化する場合に、そのために十分な導電性を有するものである。導電性基材は、金属であることが特に好ましい。また、導電性基材は、その表面にめっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層が剥離しやすいものであることが好ましい。

このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめつきされた铸鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどのめっき剥離性のよ!、材料力もなることが特に好まし!/、。

上記の凸部が形成されている導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、口ール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の 2 箇所力数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高ぐ好ましい。

[0053] 上記導電性基材の凸部は、導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽材を作製したときの電磁波シールド層に対応するものである。この凸部に対する凹部の幾何学図形（凸部によって描かれる平面形状としての凹部の幾何学図形)としては、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正)六角形、（正)八角形、（正)十二角形、（正)二十角形などの (正 ) n角形 (nは 3以上の整数)、円、だ円、星型などを組合せた模様であり、これらの単位は、単独で又は 2種類以上組合せて繰り返されることが可能である。

[0054] 電磁波遮蔽性の観点からは三角形が最も有効であり、可視光透過性の点からは同一のライン幅なら（正) n角形の n数が大き、ほど導体層パターンの開口率が上がる。可視光透過性の点から開口率は 50%以上が必要とされ、導体層パターンの開口率は 60%以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材の有効面積 (例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲の面積等電磁波遮蔽に有効に機能する範囲の面積）に対するその有効面積力導電層で覆われている面積を引、た面積の比の百分率である。 [0055] 上記の導体層パターンの周縁部を接地部とし、また、上記の導体層パターンの外側周囲に接地部を設けてもよい。上記の導電性基材において、接地部に対応する部分を領域 Bとし、その内側を領域 Aとする。導電性基材の領域 Aは、前記の導体層パターンに対応した部分に相当し、領域 Aにおける凹部の面積比率（％)は、前記の開口率に相当する。領域 Bは、領域 Aに対応した導体層パターンと同一の又は異なる導体層パターンに対応する部分であり、また、前記凸部 3の上面と同じ高さの平面部であってもよい。

[0056] 接地部とは、導体層パターン付き基材を最終的に電磁波遮蔽材としたときに前記電磁波シールド層により集電された電気を接地するための層に対応するものである。領域 Bにおける凸部に対する凹部の幾何学図形 (凸部によって描かれる平面形状としての凹部の幾何学図形）としては、領域 Aにおけるのと同様のものを採用することができる。特に例示すれば、

(1)全体としてメッシュ状幾何学的模様

(2)所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様

(3)所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様

(4)円模様又は楕円模様

(5)三角形模様

(6)五角形以上の多角形模様

(7)星形模様

などがある。

[0057] 導電性基材上に凸部に対する凹部の幾何学図形を形成する方法としては、表面が滑らかな導電性基材に対して、上記の幾何学図形カゝらなる凹部を形成するようにカロェする方法が最も簡便である。

図 1は、凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図である。図 1で例示しているのは凹部 2の幾何学図形としては正方形であり、導電性基材 1に凹部 2の幾何学図形が正方形になるように凸部 3が格子状に形成されている。

[0058] 図 2は、凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図である。図 2— aは、領域 B (符号 4)を具体的に示さず領域 Bの全体の領域を示す。図 2— bでは、領域 Bが具体的な格子模様となっている様子を概念的に示す。図 2で例示しているのは凹部 2の幾何学図形としては正方形であり、導電性基材 1 に凹部 2の幾何学図形が正方形になるように凸部 3が格子状に形成されている。さら〖こ、凹部 2及び凸部 3で形成される幾何学図形の外側に、領域 B (符号 4)が存在し、図 2— bでは、凸部 3で形成され凹部 2に体現されている幾何学図形とは異なる形状の幾何学図形を有する凹部 5が凸部 6によって形成されている。

図 3は、図 1又は図 2— aの A— A断面の一部を示し、図 3— a〜図 3— eの 5種を示す。図 1に対応する断面図は図 3— aであり、図 3— b〜図 3— eは図 3— aの変形である。凹部 2及び凸部 3の断面形状は適宜決定され、凸部 3の側面 7が、垂直面（図 3— aの場合)、斜面 (図 3— b、図 3— cの場合)、曲面 (図 3— dの場合)、段階的斜面 (図 3— eの場合)等任意である。凸部 3は上面 8を有し、凹部 2の底面 9も種々の形状がある。

導電性基材に形成した凸部 3の高さを、凹部 2の最も窪んだ部分力ゝら凸部 3の上面 4までの高さと規定する。凸部 3の高さは l /z m〜： LOO /z mが好ましい。凸部 3の高さが低いと、透明基材に凸部 3の上面 8に形成された金属層を転写するときに、粘着剤が導電性基材の凹部 2に出現した金属又は凹部 2に形成した絶縁層に接触しやすくなるため、凹部 2に出現した金属又は凹部 2に形成した絶縁層も同時に、透明基材に付着する恐れがあることから、凸部 3の高さは 5 μ m以上であることが更に好ましい。また、凸部の高さを高くすると、アスペクト比が大きくなるため、加工が難しくなり、加工費も高くなることから、凸部の高さは 50 m以下であることがさらに好ましい。また、凸部 3の上面 8の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を 50%以上とするために、凸部3の上面8の幅（ラィン幅）が1 111〜40 111、凸部上面の中心間隔（ラインピッチ）力 μ m〜1000 μ mであることが好ましい。転写後に得られるム (導電層パターン付き基材の非視認性、透明性，電磁波シールド性を良好なものとするためには、凸部3の上面8の幅（ラィン幅）が1 111〜20 111、凸部の中心間隔（ラインピッチ）力 S250 μ m〜500 μ mであることがさらに好ましい。

本発明において、凸部上面の中心間隔 (ラインピッチ）は、パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。

[0060] 図 3と同様の断面図が、領域 Bのものであってもよい。

領域 Bにおいて、導電性基材に形成した凸部 6の高さを、凹部 5の最も窪んだ部分力も凸部 6の上面までの高さと規定する。凸部 6の高さは〜： LOO /z mが好ましい。凸部 6の高さが低いと、別の基材に凸部 6の上面に形成された金属層を転写するときに、粘着剤が導電性基材の凹部 5に出現した金属又は凹部 5に形成した絶縁層に接触しやすくなるため、凹部 5に形成した絶縁層も同時に、透明基材に付着する恐れがあることから、凸部 6の高さは 5 m以上であることが更に好ましい。また、凸部の高さを高くすると、アスペクト比が大きくなるため、加工が難しくなり、加工費も高くなること力、凸部の高さは 50 m以下であることがさらに好ましい。

[0061] 図 3において、 aは、凸部の側面の傾斜角（テーパ角）を示す。このテーパ角は、上面を基準にして測定する。凸部のテーパ角が 30度以上である側面は、上面からの深さにして、 5 μ m以上であることが好ましぐ特に 7 μ m以上であることが好ましい。テーパ角は、 45度以上であることが、銅ふりを確実に減らす上で好ましい。

さらに、本方式では凸部の上面に形成された金属層のみを、選択的に透明基材に転写する必要があることから、めっきにより形成された金属層の形状が、凸部の上面では連続膜で形成され、凹部内では、非連続膜で形成されることが好ましい。凸部の上面及び凹部内に析出する金属が全て連続膜で形成されると、別の基材 (粘着フィルム等）に転写する際に、粘着剤が凸部の上面に形成された金属層にのみ接触した場合であっても、凸部の上面に形成された金属層だけではなぐ凹部内に出現した金属も、追随して導電性基材から剥離するため、凸部の上面に形成された金属層のみを選択的に転写することは困難である。これに対し、凹部内に出現する金属が非連続膜である場合には、別の基材に転写する際に、凹部や側部に出現した金属が凸部の上面に形成された金属層に追随して剥離することがないため、凸部の上面に形成された金属層を選択的に別の基材に転写することが可能である。

さらに、導電性基材における凸部の上面の表面粗さが低ぐ逆に凹部内の表面粗さが粗いことは、凹部内に出現する金属が粒状となり、非連続的に析出する傾向があるため、別の基材により凸部の上面に形成された金属層のみを選択的に転写する上で好ましい。

具体的には、凸部の上面の表面粗さは、十点平均粗さ Rz CFIS B 0601— 1994に準拠して測定する）で 2. 0 μ m以下であることが好ましぐ Rzが 1. 0 μ m以下であることがさらに好ましい。また、凹部内の表面粗さは、 Rzが 2. 0 mを超えることが好ましぐ Rzが 3. 0 m以上であることがさらに好ましい。また、凸部の上面の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を 60%以上とするために、凸部上面の幅が l /z m 〜40 μ m、凸部の中心間隔が 100 μ m〜1000 μ mであることが好ましい。導体層ノターン付き基材のパターン形状を最適化させることによって、導体層パターン付き基材のライン幅、ラインピッチ、ライン厚ゃ基材からの転写性、あるいは不要部分の金属の転写の抑制などを最適化させ、かつ容易に作製するためには、凸部上面の幅は、 1〜20 mの範囲にすることが特に好ましい。

導電性基材上に凸部を形成させる方法としては、次のような方法をあげることができる。

(1)導電性基材の凹部を形成すべき部分 (導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分）に、直接レーザ光を照射し、凹部を形成し、導電層バターンに対応した凸部を形成する方法、

(2)フォトリソグラフ法又は印刷法によって、導電性基材に光硬化性榭脂あるいは熱硬化性榭脂により幾何学図形状のノターン (レジストパターン)を形成する工程を行なった後、導電性基材をエッチングする方法、

(3)彫刻により導電性基材の凹部を形成すべき部分 (導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分)を掘削する方法などがある。

導電性基材の材質が硬!ヽ場合、直接加工するには上記（ 1)方法 (レーザ加工法）又は（2)の方法 (エッチング法)などを用いることが好ましいが、銅などの柔ら力べ加工性に優れた材料を用いる場合は、上記（3)の方法 (彫刻法）により加工することができ、このとき、さらに、クロム等の硬質のめっきを表面に施して、強度を上げることができる。 [0063] 図 4〜8を用いて主に領域 Bについて説明する。図 4〜8は領域 A及び領域 Bを含む導電性基材の平面図の一部を示す。図 2—bにおけるように凹部 5と凸部 6によつて形成される領域 Bの幾何学図形は、図 4〜8の 5種を示す。但し、凹部の平面形状 10を黒色で、凸部上面 11を白色で示し、領域 Aはバイアス角度 45° の格子模様のみを示す。領域 Bに形成される幾何学図形は適宜選択され、領域 Aの端にある上面が領域 Bの上面と連続している場合（図 4)、領域 Aの端にあるラインの一部が領域 B のラインと連続している場合（図 5)、領域 Bに形成された幾何学図形の角が丸い場合 (図 6)、領域 Bに形成された幾何学図形力 Sストライプ状である場合（図 7)、領域 Bに形成された幾何学図形が大きな矩形状である場合 (図 8)等任意である。

[0064] 領域 Bに形成される凸部の幅が細すぎると、形成される導体層の幅が小さくなり、接地面積が小さくなり、接続抵抗が上昇し、電磁波シールド性の低下をもたらす傾向がある。また、逆に、領域 Bに形成される凸部の幅が太すぎると形成された導体層の幅が大きくなり、別の基材に転写された接地面積が大きくなるため、接続抵抗は安定するが、転写された導体層に割れや、ピンホールが発生しやすくなる。

[0065] さらに、導電性基材の上面に形成された金属層を別の基材に転写するに際し、金属層に割れが生じる場合は、転写時 (導電性基材カもの剥離時）における別の基材の変形 (又は場合により、別の基材に積層されている接着層の変形）に金属層が追随できずに発生するものと考えられるが、領域 Bにおいて、凹部の表面粗さを大きくしたり、凹部に絶縁層を配して凹部に金属がめっきされないようにしたりして、凹部の上面に形成された金属層を選択的に転写するようにすると、導体層パターンにおいて上記の凹部の幾何学図形に対応する幾何学図形の開口部が転写の際に発生する応力を緩和するために、割れを防止することができるものと考えられる。

また、電気めつきの場合、導電体の突出した先端部に電気力線が集中する性質がある。従って、導電性基材の内側 (領域 A)の凹部面積の比率の大きいパターンに対し、接地部に対応する外側 (領域 B)に凹部面積の比率の小さいパターンが存在すると、電気力線が内側の凸部に集中するために、内側の凸部上面での金属めつきの析出速度に比べて、外側の凸部上面での金属めつきの析出速度が遅くなり、ピンホールが多数発生しやすくなると考えられる。しかし、外側の幾何学図形状の凹部に絶縁層を配すると、内側の凸部への電気力線の集中が緩和されるため、外側でのピンホールの発生を防止することができるものと考えられる。めっき浴内に邪魔板などを設置して、導電性基材の内側と外側の電流密度を均一になるよう調整して、金属めつきの厚さを内側と外側で均一に形成することは可能であるが、導電性基材に力かる電流密度が、邪魔板がない場合に比較すると低減するため、めっきスピードが低下する

[0066] また、領域 Bにおける凸部上面の幅 (ライン幅）を p、凸部の上面の中心間隔 (ラインピッチ）を qとすると、 pが小さぐ qが大きいほど、転写時等における金属層の割れは低減される。 pが小さいと、接地のための外周縁部のピンホールは低減する力 qも小さいと開口部による粘着剤の剥離応力の緩和が十分でないため、凸部の上面の中心間隔 (ラインピッチ) qが領域 Bにおける凸部上面の幅 (ライン幅) pの 3倍以上である (q≥3p)こと、換言すれば、凹部の幅は凸部正面の幅の 2倍以上であることが好ましい。また、 pに対して qが大きすぎると、開口部が大きくなりすぎ、筐体アースとの接続抵抗が上昇するため、凸部の上面の間隔 qはライン幅の 10倍以下である（q≤ ΙΟρ) こと、すなわち、凹部の幅は凸部正面の幅の 9倍以下であることが好ましい。以上のことから、領域 Aの凹部の面積比率は、 50%〜97%以下であることが好ましぐ領域 B の面積比率は 40%〜97%未満が好ましい。さらに、金属めつき層を転写した別の基材 (導体層パターン付き基材)のメッシュの視認性、透明性を良好なものとするために、領域 Aの凹部の面積比率は、 70%〜95%であることがさらに好ましい。また、領域 Bでは、耐割れ性と耐ピンホールの両立を確実なものとするために，領域 Bの凹部の面積比率は、 45%〜70%であることがさらに好ましい。また、特に、凸部を形成させる方法として、フォトリソグラフ法を用いた場合には、凸部の交点部が直角ではなぐ丸みを帯びる傾向にある。角が直角の場合には、金属めつきの割れの起点となりやすいが、角に丸みを持たせる、あるいは、開口部を円形又は曲線とすることで、転写の際に金属めつきのラインにかかる応力をより均一化できるため、割れに《なる。

[0067] 前記エッチング法のうち、印刷法を用いる場合には、レジストパターン形成するための印刷方法としては様々な方法を用いることが出来る。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることが出来る。また、フォトリソグラフ法を用いる場合には例えば、ドライフィルムレジストなどをラミネートし、マスクを装着して露光、現像した後にエッチング工程を経ることも出来るし、液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥あるいは仮硬化させた後に、同様の工程を経ることも出来る。光硬化性の榭脂にマスクを介して活性エネルギー線を照射することでパターユングできればその態様は問わない。枚葉で版のサイズが大きい場合、あるいはロール 'トウ'ロールで作製する場合などはドライフィルムレジストをラミネートしてマスクを介して露光する方法が生産性の観点からは好ましぐめっきドラムなどに直接加工する場合にはドライフイルムレジストを貼り合わせるあるいは液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザなどでダイレクトに露光する方法が好ましい。

上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凹部への絶縁層の形成は、導電性基材の全表面に絶縁層を形成した後、研磨により凸部の上面に積層された絶縁層を除去し、凸部上面の金属面を露出させる方法により行うことができる。研磨の方法は公知の!/、かなる方法で行つてもよいが、パフによる研磨、パフロールや研磨紙、ベルトサンダ等を使用した一般的な機械研磨等により行うことができる。研磨用のパフが荒いと，研磨後の凸部のライン幅が著しく太くなることがあるので， # 1500以上の極めの細かい研磨用のパフを用いることが好ましい。

上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凹部への絶縁層の形成は、導電性基材の全表面に絶縁層を形成した後、により凸部の上面に積層された絶縁層を除去し、凸部上面の金属面を露出させる方法により行うことができる。

凸部の上面に積層された絶縁層の除去は、研磨以外にスキージゃブレード等により搔き取る方法により行ってもよい。図 9は、領域 Aについて、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凹部に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図の一部を示す。図 9では、図 3— d で示す断面形状を有する導電性基材を使用している。図 9 aでは、絶縁層 12は、上面 8を有する凸部 3のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部 2 を有する導電性基材 1の凹部 2に均一に形成されている。但し、絶縁層 12は凸部 3 の上面 8の端から上面 8と面一になるように形成されている。このように、導電性基材を水平にしたとき絶縁層 12が上面 8より上に出てヽな、ことが特に好ま U、。図 9— b に示すように、絶縁層 12が、凹部 2の底部の部分が側面 7の部分より厚く形成されてもよぐさらに、図 9— cに示すように、凸部 3の上面 8の端近くにおいて徐々に絶縁層 12の厚さが小さくなり、上面 8と同一平面の方向で絶縁層 12の厚みが 0となっていてもよい。このようにするには、図 9 aや図 9—bの絶縁層を形成後に、上記に示したような研磨方法により加工することによって得ることができる。

[0069] 上記のように凹部に絶縁層を形成した場合、絶縁層の寿命を長くするためには、凸部 3の上面 8に形成された金属層を別の基材に転写する際に、別の基材 (又はその表面に積層されている粘着剤若しくは接着剤)と絶縁層 12の接触を低減することが好ましい。その接触を低減するために、凸部の側面 7における絶縁層の厚さは、 10 m以下とすることが好ましぐ上面 8の端において、上面 8と同一平面方向で厚みが 0 μ mであることが特に好まし!/、。

[0070] 凸部 3の絶縁高さを、凹部 2を絶縁層 12で被覆した時の最も窪んだ部分から凸部 3 の上面 8までの高さと定義する（これは領域 Aにおける定義である力領域 Bについても同様に定義する)。このとき、凸部 3の絶縁高さが、前記した導電性基材の凸部 3の高さの 1Z2以上になるように絶縁層 12を形成することが好ま U、。絶縁層 12の厚さが薄、ほど、絶縁層 12と別の基材 (又はその表面に積層されて、る粘着剤若しくは接着剤）が接触する可能性が低くなるため、凸部の絶縁高さは、凸部の高さの 3Z4 以上になるように絶縁層 12を形成することがさらに好ま、。凸部の絶縁高さが凸部の高さの 1Z2より小さくなると、転写時における粘着剤の変形により絶縁層と別の基材 (又はその表面に積層されてヽる粘着剤若しくは接着剤）が接触しやすくなるため、凸部パターンの寿命が短くなる。特に、図 10に示すように凸部 3の上面 8と絶縁層 1 2が同一面又はほぼ同一面に配置されると、導電性基材 1との密着性が良好な絶縁材料を用いても、繰り返しの剥離応力により、容易に絶縁層 12が導電性基材 1から剥離してしまう。凸部 3の絶縁高さは凸部 3の高さよりも 10 m以上低いことが好ましい。また、絶縁層 12の厚みは、薄いとピンホール等が発生しやすくなり、めっきに際し、この部分にも金属が出現するため、 1 μ m以上であることが好ましい。

絶縁層 12の形成は、均一である方が形成しやすいため、全体として薄膜絶縁層であることが好ましぐ 1〜10 μ mであることが好ましい。

以上の説明は、領域 Bにおいても同様に成り立つ。

[0071] 図 11は、めっき用導電性基材の作製方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。図 11では図 3 dで示す断面形状を有する導電性基材を用いて例示する。導電性基材 1の表面に光硬化性榭脂層 7を形成する（図 11 a)。フォトリソグラフ法を用、て光硬化性榭脂層 13をパターン化する（図 11— b)。パターン化された光硬化性榭脂層 13をエッチングレジストとして導電性基材をエッチングすることにより、に示すエッチングされた導電性基材が得られる（図 11— _c)。その際、エッチングレジストとしての光硬化性榭脂層 13は剥離しないで残したままにしておく。次いで、この導電性基材 1の凹部 2に絶縁層 8を形成させる（図 11 d)。このとき、導電性基材の凸部上面 8にはエッチングレジストとしての光硬化性榭脂層 13が残っているので絶縁層は形成されない。し力る後にエッチングレジストのみを選択的に剥離し、導電性基材の凸部上面 8以外の部分、すなわち凹部に選択的に絶縁層 12を形成させることができる（図 11 e)。場合によってはレジストとしての光硬化性榭脂層 13の残渣ゃ表面の汚れを除去するために表面を軽く研磨することも可能である。この場合凸部の上面を研削してしまわな、ように、導電性基材の種類によってその力は異なるので一概には言えないが、弱い力で研磨することが好ましい。また、研磨のかわりに脱脂処理剤などで薬液による処理を施すことも可能である。この場合、絶縁層がおかされな V、ような薬液を適宜選択することができる。

[0072] 本発明において絶縁層を形成するにあたり、エッチングレジストをより有効に活用するためにはエッチングレジストパターンの幅よりもエッチング後の凸部パターン上面の幅が狭くなる、 V、わゆるオーバーエッチング法を行うことが好ま、（図 11— c参照)。このとき、エッチングレジストパターンの幅は、良好なパターン形成又は良好なパターンの形成を容易にするという観点からは、 20 m以上であることが好ましい。これよりも狭い幅のパターンを形成しょうとすると、エッチングレジストパターンのにじみやかすれ、断線等が発生しやすくなる力もである。このような点で安全のためには、エツチングレジストパターンの幅は、 30 m以上にしてもよい。そこで、オーバーエッチングすることにより断線がなぐし力も、良好なより微細な導電性基材の凸部パターンを形成することができる。エッチングレジストパターンの幅は、大きすぎるとオーバーエツチングの度合いが大きくなりすぎるため、 100 μ m以下、特に 50 μ m以下であることが好ましい。エッチングレジストパターンの幅が 100 μ mを超えるとオーバーエッチング後の導電性基材の凸部上面の幅を 40 m以下にするのは困難となる傾向がある。

[0073] エッチングによるライン幅は元のレジストの幅とエッチング時間により調整可能である。エッチング液としては導電性金属の材質によって様々な種類があり、それぞれの金属に対してエッチング液が市販されているのでそれらを使用することができる。例えば、導電性金属力 Sステンレスであれば、塩ィ匕第二鉄を用いることが一般的であり、チタンであればふつ酸系のエッチング液がよく用いられる。

[0074] 図 12— a〜図 12— cは、絶縁層 8を形成させた後、エッチングレジストパターン 13を剥離する前の凸部 3上面部分を拡大した断面図である。図 12— aは、オーバーエツチング法を適用しな!、場合の例であり、導電性基材の凸部 3の上面よりも上方でレジストパターン 13の側面にまでに絶縁層 12が析出してしまう。この場合、エッチングレジスト 13を剥離しに《なる可能性がある。また、絶縁層 12と転写用基材の粘着剤との接触が起こりやすくなり、絶縁層 12の部分的な破壊が起こりやすくなる傾向があるさらに、オーバーエッチング法を適用したとしても、オーバーエッチングの程度が小さすぎたり、絶縁層 12を厚く形成しすぎると、図 12— bに示すように、上記と同様の現象; 0ゝ起こる。

エッチングレジストパターン 13の幅を x、エッチングで得られた凸部 3上面の幅を yとした場合、オーバーエッチングされた幅 zは次式（1)で求められる。

[0075] [数 1]

絶縁層の凸部上面の端における水平方向の厚さ（凸部の上面の端力水平方向に測定した値）を Wとした場合、オーバーエッチングの幅 Zと上記 Wの間には、次の関係式（2)が成り立って、ることが好まし、。

[0076] [数 2] w ^ z · · · · 、 2 ) wは、 zと同じ大きさである力、図 12— cに示すように、それよりも小さいことが好ましい。

[0077] 図 11 eに断面で示す導電性基材を作製しょうとして、図 11— bに示す状態の後、エッチングレジストとしての光硬化性榭脂層 13を剥離してから、絶縁層 12を形成すると、図 13に示すように、凹部 2だけでなく凸部上面 8にも絶縁層 12が形成されることになり、凸部上面 8を露出させるには、前記したように研磨等の加工で凸部上面 8に形成させた絶縁層 12のみを除去すればよい。この絶縁層 12の除去に際し、凹部 2 ( 特に凸部側面 7)に形成された絶縁層 12を除去しないように注意する。その加工をするには、それなりにカ卩ェ精度が要る力上記の方法によれば、この絶縁層 12の選択的な除去の工程が不要であるため、めっき用導電性基材の作製工程数がへり、また、その作製が容易になる。

今まで、エッチングレジストとして、フォトリソグラフ法を利用した光硬化性榭脂層 13 で説明したが、これを印刷法で形成した熱硬化性榭脂層又は光硬化性榭脂層でも同様であることは、言うまでもない。

導電性基材の材質として、銅のような比較的柔らかい金属を使用した場合、上記ェ程において、最後に凸部上面をニッケル、クロム等の硬い金属でめっきすることが好ましい。

上記の図 11による説明では、図 9 aの絶縁層を有する導電性支持体が得られる力図 9—bのような絶縁層が得られるように調整しても良ぐ図 9— cのような絶縁層が得られるように後でカ卩ェしてもょ、。

[0078] 本発明で用いられる絶縁層のための絶縁材料は、金属との密着性が高ぐ耐薬品性が強い材料が好んで用いられる。電気めつきもしくは無電解めつきの工程では、前処理液やめつき液に浸漬されるため、耐酸性と耐アルカリ性双方に強ヽ材料がさらに好ましい。このような榭脂の中では、たとえば、熱硬化性榭脂が好ましぐこのような榭脂としては、リグ-ン榭脂、エポキシ榭脂、尿素樹脂、ァ-リン榭脂、メラミン榭脂、フエノール榭脂（アルキルフエノール榭脂を含む）、ホルマリン榭脂、金属酸化物、金属塩化物、ォキシム等が用いられ、これらは自己硬化性のものである (硬化触媒を使用してもよい)。

熱硬化性榭脂として、硬化剤を利用するものが使用できる。このようなものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシァネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤であって上記樹脂の官能基と反応性の官能基を有するものとの組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル榭脂組成物、不飽和ポリエステル榭脂組成物、ジァリルフタレート榭脂、エポキシ榭脂組成物、ポリウレタン榭脂組成物等が例示される。絶縁層の形成方法としては、例えば、刷毛塗りや、スプレー塗装、さらには、デイツビングした後にスキージゃブレード等で榭脂を搔き取った後に乾燥させるなどの方法が挙げられる。

[0079] さらに、絶縁材料としては、皮膜の均一性や、形成の簡便さ、さらに環境に対する負荷が少な、ことから、電着塗料が好ま、。

電着塗料は、それ自体既知のカチオン型及びァ-オン型のヽずれでも使用できる oここでは、使用できる電着塗料の一例を示す。

[0080] カチオン型電着塗料には、塩基性アミノ基をもつ樹脂のペーストを作製し、これを酸で中和、水溶化 (水分散化)してなる陰極析出型の熱硬化性電着塗料が包含される。カチオン型電着塗料は前記導電性基材 (被塗物)を陰極にして塗装される。

塩基性アミノ基をもつ榭脂は、例えば、ビスフエノール型エポキシ榭脂、エポキシ基 (またはグリシジル基)含有アクリル榭脂、アルキレングリコールのグリシジルエーテル、エポキシ化ポリブタジエンならびにノボラックフエノール榭脂のエポキシ化物などのエポキシ基含有樹脂のエポキシ基 (ォキシラン環）にアミンィ匕合物を付加したもの、塩基性アミノ基をもつ不飽和化合物（例えば、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、 N—ビ -ルピラゾール、 N—ジェチルアミノエチルアタリレートなど）を重合させたもの、第 3 級ァミノ基含有グリコール（例えば、 N—メチルジェタノールァミン）をグリコールの一成分とするダリコール成分とポリイソシァネート化合物との反応物、さらに、酸無水物とジァミンィ匕合物との反応でイミノアミンが生成することによって、榭脂ヘアミノ基を導入したものなどがある。ここで、上記したアミンィ匕合物としては、塩基性アミンィ匕合物であって、脂肪族、脂環式もしくは芳香脂肪族系の第 1級もしくは第 2級ァミン、アルカノールァミン、第 3級ァミン、第 4級アンモ-ゥム塩等のアミンィ匕合物が挙げられる。これらの塩基性アミノ基を有するアミンィ匕合物の代表例としては次のものを挙げることができる。 (1)

メチルァミン、ェチルァミン、 n-または iso-プロピルァミン、モノエタノールァミン、 n-または iso-プロパノールァミンなどの第 1級ァミン；（2)ジェチルァミン、ジエタノールァミン、ジ n-または iso-プロパノールァミン、 N-メチルエタノールァミン、 N-ェチルェタノールァミンなどの第 2級ァミン；（3)エチレンジァミン、ジエチレントリァミン、ヒドロキシェチルアミノエチルァミン、ェチルアミノエチルァミン、メチルァミノプロピルァミン、ジメチルアミノエチルァミン、ジメチルァミノプロピルァミンなどのポリアミン。これらの中で水酸基を有するアルカノールァミン類が好ましぐまた第 1級アミノ基は予めケトンと反応させてブロックした後、残りの活性水素でエポキシ基と反応させてもよい。さらに、上記アミン化合物以外に、アンモニア、グァ-ジン、ヒドロキシルァミン、ヒドラジン、ヒドロキシェチルヒドラジンなどの塩基性ィ匕合物も同様に使用できる。これらの化合物を用いて形成される塩基性基は酸、特に好ましくはギ酸、酢酸、乳酸などの水溶性有機カルボン酸でプロトンィ匕してカチオン性基とすることができる。さらに、トリェチルアミン、トリエタノールァミン、 Ν,Ν-ジメチルエタノールァミン、 Ν-メチルジェタノールァミン、 Ν,Ν-ジェチルエタノールァミン、 Ν-ェチルジェタノールァミンなどの第 3級ァミンも使用でき、これらは酸で予めプロトンィ匕し、エポキシ基と共に 4級塩ィ匕することができる。また、ァミン化合物以外に、エポキシ基と反応してカチオン性基を生成する、ジェチルスルフイド、ジフエ-ルスルフイド、テトラメチレンスルフイド、チォジエタノールなどのスルフイド類とホウ酸、炭酸、有機モノカルボン酸との塩をエポキシ基と反応させて第 3級スルホ -ゥム塩としてもよい。さらに、トリェチルホスフィン、フエ-ルジメチルホスフィン、ジフエ-ルメチルホスフィン、トリフエ-ルホスフィンなどのホスフィン類と上記の如き酸との塩をエポキシ基と反応させて、第 4級ホスホニゥム塩としてもまた、第 2級スルフイド塩、第 3級ホスフィン塩も使用できる。

上記塩基性アミノ基を有する榭脂を中和し、水溶ィ匕 (水分散)するための中和剤である酸としては、例えば、酢酸、ヒドロキシル酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、グリシンなどの有機酸、硫酸、塩酸、リン酸等の無機酸が使用できる。中和剤の使用量は、上記樹脂の塩基価 (約 20〜200)に対し中和当量約 0. 1〜0. 4の範囲が適当である。

また、カチオン電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ブロック化したポリイソシァネートイ匕合物がよく知られているが、塗膜を加熱 (約 140°C 以上）するとブロック剤が解離して、イソシァネート基が再生し、上記の如きカチオン性榭脂中の水酸基などのイソシァネート基と反応性の基に対し架橋反応し硬化するさらに、カチオン型電着塗料には、顔料 (着色顔料、体質顔料、防鲭顔料など。顔料の配合量は榭脂固形分 100重量部あたり 40重量部以下が好ましい）、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。

カチオン型電着塗料は、その固形分濃度を約 5〜40重量％となるように脱イオン水などで希釈し、 pHを 5. 5〜8. 0の範囲内に調整することが好ましい。このようにして調製されたカチオン型電着塗料を用いてのカチオン電着塗料は、通常、浴温 15〜3 5°C、負荷電圧 100〜400Vの条件で被塗物を陰極として行なうことができる。塗膜の焼付硬化温度は一般に 100〜200°Cの範囲が適している。

ァ-オン型電着塗料は、カルボキシル基を持つ榭脂をベースとし、これを塩基性ィ匕合物で中和、水溶化 (水分散化)してなる陽極析出型の電着塗料が好ましぐ前記導電性基材 (被塗物)を陽極として塗装される。

カルボキシル基を持つ榭脂としては、乾性油（あまに油、脱水ひまし油、桐油など）に無水マレイン酸を付加したマレインィ匕油榭脂、ポリブタジエン（1, 2—型、 1, 4—型など）に無水マレイン酸を付カ卩したマレイン化ポリブタジエン、エポキシ榭脂の不飽和脂肪酸エステルに無水マレイン酸を付加した榭脂、高分子量多価アルコール (分子量約 1000以上で、エポキシ榭脂の部分エステルおよびスチレンァリルアルコール共重合体なども含まれる）に多塩基酸 (無水トリメリット酸、マレイン化脂肪酸、マレイン化油など)を付加して得られる榭脂、カルボキシル基含有ポリエステル榭脂 (脂肪酸変性したものも含む）、カルボキシル基含有アクリル榭脂、グリシジル基もしくは水酸基を含有する重合性不飽和モノマーと不飽和脂肪酸との反応生成物を用いて形成された重合体もしくは共重合体に無水マレイン酸などを付加せしめた榭脂などがあげられ、カルボキシル基の含有量力一般に、酸価で約 30〜200の範囲のものが適している。

これらカルボキシル基含有榭脂を、中和し、水溶 (分散)化するための中和剤である塩基性化合物としては、例えば、モノエタノールァミン、ジエタノールァミン、ジメチルアミノエタノールなどのアルカノールァミン、ジェチルァミン、トリェチルァミンなどのァルキルァミン、水酸ィ匕カリウム、水酸ィ匕ナトリウムなどの無機アルカリなどが使用できる。これら中和剤の使用量は、上記樹脂の酸価に対する理論中和当量の約 0. 1〜1. 0倍当量 (好ましくは 0. 4〜0. 8倍当量）の範囲が適当である。

また、ァ-オン型電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、へキサキスメトキシメチルメラミン、ブトキシ化メチルメラミン、エトキシ化メチルメラミンなどの低分子量メラミン榭脂を必要に応じて使用することができる。さらに、ァ-オン型電着塗料には顔料 (着色顔料、体質顔料、防鲭顔料など。顔料の配合量は榭脂固形分 100重量部あたり 40重量部以下とすることが好ましい）、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。

ァ-オン型電着塗料には、固形分濃度を約 5〜40重量％に脱イオン水などで調整し、 pH7〜9の範囲に保ってァ-オン電着塗装に供することが好ましい。ァ-オン電着塗装は常法に従って行うことができ、例えば、浴温 15〜35°C、負荷電圧 100〜35 0Vの条件で、被塗物を陽極として実施することができる。ァ-オン電着塗膜は原則として 100〜200°C、好ましくは 140〜200°Cの範囲に加熱して硬化せしめられるが、空気乾燥性の不飽和脂肪酸で変性した榭脂を用いた場合には室温で乾燥させることちでさる。

本発明で用いられる絶縁層の材料としては、耐久性の観点力もセラミックなどの無機材料を用いることもできる。

無機材料としては、ウエットコーティング法を用いる場合にはアルカリ金属、オルガノポリ金属、オルガノアルコキシ金属、アルコキシ金属、変性ァセチルァセトネート金属等力もなる金属酸ィ匕物系ポリマーや、無機フィラーを含有した塗料を、アルコールや水などの溶剤をカ卩えた状態でスプレー、ディスペンサー、デイツビング、ロール、スピンコート等により塗布できる。また、金属のフッ化物錯体を用いて液層析出法 (LPD 法)などにより絶縁層を形成させることもできる。

また、無機材料としてドライコーティング法で各種金属の酸ィ匕物、窒化物、炭化物を形成させることも可能である。コーティングする方法としては、蒸着、スパッタリング、ィオンプレーティングといった PVD法や、プラズマ CVD,熱 CVDといった CVD法の他、溶射などの方法を用いて作製することができる。

絶縁材料は単体で用いても良、が、上記方法を組み合わせて二層以上の膜を形成させて用いることが好まし、。ゾルゲルなどのウエットコーティング法単体で形成させた絶縁膜などは、下地の金属との膨張係数差が大きいため、クラック等が入りやすい。そこで中間層としてドライコーティング法により膨張係数差を緩和するように金属、酸化物、窒化物、炭化物などを一層あるいは二層以上形成させることが好ましい。最表面にコ一ティングする層が絶縁性を有してヽればその下層は必ずしも絶縁性を有している必要はない。ドライコーティングで形成する膜種としては、例えば、 Al、 Au 、 Co、 Cr、 Cu、 Ge、 In、 Mo、 Nb、 Ni、 Pb、 Pd、 Pt、 Ru、 Si、 Sn、 Ta、 Ti、 W、 Y、 Z n、 Zrなどの純金属やそれらの合金の他、 Al O、 BaTiO、 Cr O、 Fe O、 InO、

2 3 3 2 3 2 3 3

MgO、 SiO、 SiO、 SnO、 SrTiO、 TaO、 TiO、 WO、 Y O、 ZnO、 ZnO、 Zr

2 2 3 5 2 3 2 3 2

O、インジウムチンオキサイド (ITO)、アンチモンチンオキサイド (ATO)などの金属

2

酸化物、 A1N、 BN、 CrN、 Si N、 TiN、 TiAlN、 TiCNなどの窒化物、 B C、 SiC、

2 3 4

TiCなどの炭化物を用いることが出来る。また、これらの金属、金属化合物を組み合わせて用いることもできる。導電性基材が鉄系の材料の場合、窒化物や炭化物が特に導電性基材との密着性がよく好まし、。

二層以上の膜を形成させてコーティングする場合にはドライコーティングの層を積層させて絶縁膜を形成させても良いし、ドライコ一ティングの上にウエットコーティングで膜を形成させても良い。

特に、絶縁層として高強度で高硬度の膜を形成させたい場合には少なくともその表面をダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、、わゆるダイヤモンドライクカーボン (以下、 DLC薄膜とする）のうち、絶縁性を有するものにて形成させることが好ましい。絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性の DLC薄膜によって形成してもよいが、当該 DLC薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上して、絶縁層の耐久性をさらに向上するためには、この両者の間に、 Sほたは SiCの薄膜からなる中間層を介揷するのが好ましい。

上記 Sほたは SiCの薄膜は、例えばステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性の DLC薄膜との界面において SiCを形成して、当該 DL C薄膜の密着性を向上する効果を有している。

Sほたは SiC及び DLC薄膜は、上記に記載したドライコーティング法により形成させることができる。

本発明におけるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電気めつき法、無電解めつき法その他のめっき法を適用することができる。

電気めつきについてさらに説明する。例えば、電気銅めつきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふつ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電気ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さら〖こ、電気金めつきの場合は、シアンィ匕金カリウムを用いた合金めつきや、クェン酸アンモ-ゥム浴ゃクェン酸カリウム浴を用いた純金めつきなどが用いられる。合金めつきの場合は、金銅、金銀、金コバルトの 2元合金や、金銅銀の 3元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電気めつき法としては、例えば、非特許文献 1第 87〜504頁を参照することができる。

次に、無電解めつきについてさらに説明する。無電解めつき法としては、銅めつき、二ッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめつき、金めつき、銀めつき、コバルトめつき、鉄めつき、クロムめつき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めつきのプロセスでは、還元剤をめつき液に添カ卩し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、 pH調整剤、 pH緩衝材、安定剤等から成り立つている。無電解銅めつきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩ゃエチレンジァミン四酢酸 (EDTA)が好んで用いられる。また、 pHは主として水酸ィ匕ナトリウムによって調整されるが、水酸ィ匕カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、 1価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チォ尿素、ビビリジル、 0—フエナント口リン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性ゃ耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クェン酸、グリシン、ァラニン、 E DTA等が用いられ、安定化剤としては、硫黄ィ匕合物や鉛イオンが添加される。無電解めつき法については上記非特許文献 1の第 505〜545頁を参照することができる。さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になること力 Sある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持っため、無電解めつき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジゥムの塩酸酸性溶液中に被めつき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジゥムを析出させる方法が用いられる。

本発明で利用できる無電解めつきは、例えば、前記した上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凸部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度 60〜90°C程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めつきを施す方法がある。

無電解めつきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、前記したように基材の凹部に絶縁層を電着により形成する場合には、基材は導電性である必要があり、また、無電解めつきの準備として、基材上にに析出した金属を容易に剥離するための処理として、基材の無電解めつきされるべき箇所を、陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。

特に、導電性基材の材質が Niである場合、無電解めつきするには、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を陽極酸化した後、無電解銅めつき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タンダステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用される力 20°Cでの体積抵抗率 (比抵抗）が Q Zcm以下の金属を少なくとも 1種類以上含むことが望ま L ヽ。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（1. 62 μ Q Zcm)、銅（1. 72 μ Q Zcm)、金（2. 4 μ Q Zcm)、アルミニウム（2. 75 μ Q Zcm)、タングステン（5. 5 μ Q Zcm)、ニッケル（7. 24 μ Ω

、鉄（9. Ο μ 0 《11)、クロム（17 Ω /c m、全て 20°Cでの値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が 10 Q Zcmであることがより好ましぐ 5 Q Zcmであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよぐさらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸ィ匕物であってもよい。ただし、体積抵抗率が 20 Q Zcmである金属が成分として最も多く含まれてヽることが導電性の観点カゝら好ま、。

前記した凹部に絶縁層を有する導電性基材の凸部上面にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、十分な導電性を示す (このとき電磁波シールド性が十分に発現する）ためには、 0. 5 m以上であることが好ましぐ導体層にピンホールが形成される（このとき、電磁波シールド性が低下する）可能性を小さくするためには、 3 /z m以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成された金属層は幅方向にも広がるため、転写したラインの幅が広くなり、導体層付きパターン基材の開口率が低下し、透明性、非視認性が低下する。したがって、透明性、非視認性を確保するためには、形成された金属の厚みを 20 m以下とすることが好ましぐさらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは 10 μ m以下であることがさらに好ましい。

導電層パターン付きプラスチック基材の形成方法を、導電性基材に、断面形状が台形である凸部 3を形成した場合を例に、図 14〜16を用いて説明する。

先ず、凸部 3が形成された導電性基材 1上にめっきを施して金属層を形成する。図 14は、導電性基材 1上に金属層を形成した状態の断面図である。導電性基材 1上に形成された金属層は、金属層が形成された箇所により、凸部の上面に形成された金属層 14、凹部 2の底面に出現した金属 15、凸部の側面に出現した金属 16に分類される。導電性基材 1に出現する金属において、めっき浴の組成、添加剤の種類、導電性基材の表面形状、凸部の高さ、電流密度等の条件により、金属 14、 15、 16、それぞれの厚みや形状を変えることが可能である。例えば、電流密度が高い方が、表面粗さの大きい面の埋め込み性が悪く粒状に析出しやすぐまた、凸部の高さが高い方が、凹部に出現する金属の膜厚は薄くなる。いづれにしても、前述のような条件で金属 14のみを選択的に透明基材に転写できる限り上記めつきの条件に制限はない。めっき厚みは、十分な電磁波シールド性を発現させるために、 0. 5 m以上であることが好ましい。さらに、めっき厚みが厚すぎると、凹部 2の底面に出現した金属 15 、側面に出現した金属 16も生長するため、転写の際に金属 15、 16も同時に転写され、凸部の上面に形成された金属層 14のみを選択的に転写すること (選択転写性）が困難となる恐れがあることから、凸部の上面に形成された金属層 14の厚さが 20 m以下となるようにすることが好ましい。さらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは 10 m以下であることがさらに好ましい。凸部の側面及び底面の表面粗さがあることは、金属 15、金属 16がそれらの面に一面に粒状に金属が出現し、し力も、粒状の金属は不連続体とすることができるので、この場合は、金属 14のみを選択的に別の基材に容易に転写することができる。 [0086] 図 15は、図 14に示すように導電性基材 1の凸部上面に形成された金属層 14の面に、接着剤 17を塗布した透明基材 18をラミネートした状態を示す断面図である。図 16は、接着剤 17を塗布した透明基材 18を剥離して、導電性基材 1の凸部の上面 8に形成された金属層 14のみを、透明基材 18に接着剤 17を介して転写して作製した導体層パターン付き基材 19と、凹部 2の底面及び側面に金属 15、 16が残存してヽる導電性基材 1を示す断面図である。導電性基材 1に形成された金属層を透明基材に転写する際には、透明基材に接着剤 (粘着剤を含む)を塗布することが好ましぐ転写が容易であることから、粘着剤を塗布することがさらに好ましい。また、接着剤 17を塗布した透明基材 18を、めっきを施した導電性基材 1にラミネートする場合、金属 14のみを転写する限り、接着剤 17は導電性基材 1のどの部分に接触していてもよいが、金属 15及び金属 16に接触すると、金属 15及び 16も金属 14と同時に透明基材に転写されることがあるため、接着剤 17は、凸部の上面 8に形成された金属層 14 のみに接触することが好ましい。また、接着剤の厚さが薄すぎると、金属 14との密着性が低下し転写不良を起こすことがあり、また接着剤の厚さが厚すぎると、接着剤の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、接着剤の変形量が多くなるため、金属 15、 16に接触しやすくなることから、接着剤の厚みは、凸部の高さよりも小さいことが好ましぐ接着剤が底部の金属 15に接する機会が少なくなるため、凸部の高さの半分以下であることが更に好ましい。接着剤の厚さは、 1〜50 mが好ましぐ 5〜 30 /z mが好ましい。

[0087] 形成された金属層 14を接着剤 17を有する透明基材 18に転写後、導電性基材 1〖こ金属 15, 16及び場合により金属 14の一部を残存させたまま繰り返しめっきする場合、導電性基材 1に残存するそれらの金属が生長するため、それ以後の転写の際に良好な状態で凸部 3の上面 8に形成された金属層 14を転写することが困難となる。必要に応じて、転写後に導電性基材 1に残存する金属を除去することが好ましい。導電性基材 1に残存する金属を除去するには、残存金属をエッチングする方法が好ましい。エッチング液は、残存金属を溶解しかつ導電性基材 1を腐食しない液が好ましい。例えば、めっきで出現させた金属が銅の場合には、エッチング液は、塩化第二鉄溶液、塩化銅溶液、硫酸過水、過硫酸アンモ-ゥム溶液等が好んで用いられる。上記エッチング液は、導電性基材 1がチタンの場合には使用可能である力ステンレスの場合には、塩化第二鉄溶液、塩化銅溶液を用いると、ステンレスが腐食されるため、使用できず、過硫酸アンモ-ゥム等のステンレスを腐食しな、エッチング液が用いられる。このように、エッチング液は、残存金属と導電性基材 1の材質により適宜選択される。

他に導電性基材に残存する金属を除去する方法としては、粘着フィルムに残存金属を転写させて除去する方法が挙げられる。この場合、残存金属を除去する粘着フィルムの粘着剤の厚みは、容易に凹部内に残存する金属に接触しやすくするために、粘着層の厚さが、凸部の高さ以上であることが好ましぐ凸部の高さの 2倍以上の厚みを有して、ることがさらに好ま、。転写後に導電性基材 1に金属を除去した後、再度めつきを行うことができる。

導電層パターン付きプラスチック基材の作製方法の一例を、導電性基材に、断面形状が台形である凸部 3 (図 3—b参照）を形成した場合を例に、図 17を用いて説明する。

まず、図 17— aは、上面 8を有する凸部 3のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材 1の凸部を有する面の全面に薄膜絶縁層 12 を形成した状態を示す断面図である。薄膜絶縁層 12は、前記したように電着塗装などにより形成できる。上記の薄膜絶縁層 12のうち、凸部 3の上面 8のものを凸部 3の上面 8が露出するまで研磨する。図 17— bは、この状態の断面図を示す。

次に、このように凹部 2に薄膜絶縁層 12を有し、凸部 3の上面 8が露出している導電性基材 1にめつきを施して、凸部 3の上面 8に金属層 14を形成する。図 17— cは、この状態の断面図を示す。

次いで、別の基材 (透明基材） 20に粘着層 21を塗布したフィルムを、導電性基材 1 の金属層 14が形成されている面に貼り合わせる。図 17— Idはこの状態の断面図を示す。透明基材 20に粘着剤を塗布して形成した粘着層 21を有するフィルムを、金属 14が析出している面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要なら加熱される。

そして、上記の別の基材 20に粘着層 21を塗布したフィルムを剥離することにより、金属 14が粘着層 21に貼り付いて導電性基材 1から剥離し、すなわち、別の基材 20 に転写され、導体層パターン付き基材 22を得ることとなる。この状態の断面図を図 17

—eに示す。

[0089] 前記した凹部に絶縁層を有する導電性基材の凸部上面にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、十分な導電性を示すようにする (このとき、導体層バターン付き基材は、電磁波シールド性が十分に発現するようなる）ためには、領域 Bにおいて 0. 5 m以上であることが好ましぐ導体層にピンホールが形成される（このとき、電磁波シールド性が低下する）可能性を小さくするためには、 3 m以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成される金属層は幅方向にも広がるため、転写する金属の幅が広くなり、領域 Aに形成される導体層パターン付き基材の開口率が低下し、透明性、非視認性が低下する。したがって、透明性、非視認性を確保するためには、形成される金属層の厚みを 20 m以下とすることが好ましぐさらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは 10 m以下であることがさらに好ましい。

[0090] 前記した別の基材 (導体層パターンが転写される基材）としては、ガラス、プラスチック等カもなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。

プラスチックとしては、ポリスチレン榭脂、アクリル榭脂、ポリメチルメタタリレート榭脂、ポリカーボネート榭脂、ポリ塩化ビニル榭脂、ポリ塩ィ匕ビユリデン榭脂、ポリエチレン榭脂、ポリプロピレン榭脂、ポリアミド榭脂、ポリアミドイミド榭脂、ポリエーテルイミド榭脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート榭脂、ポリアセタール榭脂、ポリブチレンテレフタレート榭脂、ポリエチレンテレフタレート榭脂などの熱可塑性ポリエステル榭脂、酢酸セルロース榭脂、フッ素榭脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン榭脂、ポリメチルペンテン榭脂、ポリウレタン榭脂、フタル酸ジァリル榭脂などの熱可塑性榭脂ゃ熱硬化性榭脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン榭脂、アクリル榭脂、ポリメチルメタタリレート榭脂、ポリカーボネート榭脂、ポリ塩化ビニル榭脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、 0. 5mn！〜 5mmがディスプレイの保護や強度、取扱、性力も好ま、。 [0091] 本発明における別の基材は、プラスチックフィルムが好まし、。このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、 EVAなどのポリオレフイン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩ィ匕ビユリデンなどのビュル系榭脂、ポリサルホン、ポリエーテノレサノレホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル榭脂などのプラスチック力なるフィルムで全可視光透過率が 70%以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、 2層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記ブラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。

上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、 1mm以下のものが好ましぐ厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは 5〜500 μ mがより好ましぐ 50〜200 /ζ πιとすることがさらに好ましい。

これらのプラスチックフィルム等の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルムとして使用するためには、透明であるもの（すなわち、透明基材)が好ましい。

[0092] 上記の別の基材の導体層パターンが転写される面は、転写する際に粘着性を有していることが必要である。そのためには、基材自体が必要な粘着性を有していてもよいが、転写面に粘着層を積層しておくことが好ましい。

上記の粘着層は、転写時に粘着性を有しているもの又は加熱若しくは加圧下に粘着性を示すものが好ましい。粘着性を有しているものとしては、ガラス転移温度が 20 °C以下の榭脂が好ましぐガラス転移温度が 0°C以下である榭脂を用いることが最も好ましい。粘着層に用いる材料としては、熱可塑性榭脂、熱硬化性榭脂、活性エネルギ一線の照射で硬化する榭脂等を使用することができる。加熱時に粘着性を示す場合、そのときの温度が高すぎると、透明基材にうねりやたるみ、カール等の変形が起こることがあるので、熱可塑性榭脂、熱硬化性榭脂、活性エネルギー線の照射で硬化する榭脂のガラス転移点は 80°C以下であることが好ま、。上記熱可塑性榭脂、熱硬化性榭脂、活性エネルギー線の照射で硬化する榭脂の重量平均分子量は、 5 00以上のものを使用することが好ましい。分子量が 500未満では榭脂の凝集力が低すぎるために金属との密着性が低下するおそれがある。

[0093] 上記の熱可塑性榭脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ 1, 2—ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ 2 へプチルー 1, 3 ブタジエン、ポリ 2 tーブチルー 1, 3 ブタジエン、ポリ - 1, 3—ブタジエン）などの（ジ）ェン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニノレエチノレエーテノレ、ポリビニノレへキシノレエーテノレ、ポリビニノレブチノレエーテルなどのポリエーテル類、ポリビュルアセテート、ポリビュルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、ェチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタタリ口-トリル、ポリスルホン、ポリスルフイド、フヱノキシ榭脂、ポリェチルアタリレート、ポリブチルアタリレート、ポリ 2—ェチルへキシルアタリレート、ポリ tーブチルアタリレート、ポリー3—エトキシプロピルアタリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタタリレート、ポリメチルアタリレート、ポリイソプロピルメタタリレート、ポリドデシルメタタリレート、ポリテトラデシルメタタリレート、ポリ n—プロピルメタタリレート、ポリ 3, 3, 5 トリメチルシクロへキシルメタタリレート、ポリェチルメタタリレート、ポリ一 2 -トロー 2—メチルプロピルメタタリレート、ポリ 1, 1ージェチルプロピルメタタリレート、ポリメチルメタタリレートなどのポリ (メタ)アクリル酸エステルが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、 2種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを 2種類以上ブレンドして使用することち可會である。

[0094] 活性エネルギー線で硬化する榭脂としては、アクリル榭脂、エポキシ榭脂、ポリエステル榭脂、ウレタン榭脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチォン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、ァクリル基 (アタリロイル基），メタクリル基 (メタクリロイル基），ビュル基，ァリル基などの炭素—炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基 (アタリロイル基)が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基 (グリシジルエーテル基、グリシジルァミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ (メタ）アタリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン (メタ）アタリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。

活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるヽは光開始剤としては、ベンゾフエノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スノレホニゥム塩、ジァゾ -ゥム塩、ォ -ゥム塩、ハ口-ゥム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性榭脂をブレンドしても良い。

[0095] 熱硬化性榭脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレンーブタジェンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の榭脂と架橋剤としての硫黄、ァ-リンホルムアルデヒド榭脂、尿素ホルムアルデヒド榭脂、フエノールホルムアルデヒド榭脂、リグリン榭脂、キシレンホルムアルデヒド榭脂、キシレンホルムアルデヒド榭脂、メラミンホルムアルデヒド榭脂、エポキシ榭脂、尿素樹脂、ァニリン榭脂、メラミン榭脂、フエノール榭脂、ホルマリン榭脂、金属酸化物、金属塩化物、ォキシム、アルキルフノール榭脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することちできる。

[0096] 熱硬化性榭脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、ェポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する榭脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシァネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル榭脂組成物、不飽和ポリエステル榭脂組成物、ジァリルフタレート榭脂、エポキシ榭脂組成物、ポリウレタン榭脂組成物等が例示される。

[0097] さらに、熱硬化性榭脂又は活性エネルギー線で硬化する榭脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。

アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアタリレート（n= l. 48〜： L 60)、ウレタンアタリレート（n= l. 5〜1. 6)、ポリエーテルアタリレート（n= l. 48〜1 . 49)、ポリエステルアタリレート（n= l. 48-1. 54)なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアタリレート、エポキシアタリレート、ポリエーテルアタリレートが優れており、エポキシアタリレートとしては、 1、 6—へキサンジオールジグリシジルェ一テル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ァリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアタリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合榭脂は必要に応じて、 2 種以上併用することができる。

[0098] 本発明で粘着性を有して!/ヽるもの又は粘着性を示すもの（以下、これらを、「粘着剤」という）には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合してもよい。

[0099] 粘着層の厚さは、薄すぎると十分な強度を得られないため、めっきで形成された金属層を転写する際に、金属が粘着層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着層の厚みは、 1 μ m以上であることが好ましぐ量産時の転写信頼性を確保するためには 3 /z m以上であることが更に好ましい。また、粘着層の厚さが厚いと、粘着層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着層の変形量が多くなるため、薄膜絶縁層に接触する機会が増えるため、粘着層の厚みは以下が好ましぐ薄膜絶縁層と粘着層が接触する機会を低減させることから 10 m 以下がさらに好ましい。

別の基材に粘着剤を塗布して形成した粘着層を有するフィルムを、金属層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要ならば加熱される

[0100] 最終的に得られる導体層パターン付き基材の導体層ノターン (金属パターンを黒化処理したときは黒化処理された導体層パターンを意味する）のライン幅は、 40 m 以下、ライン間隔は 100 m以上の範囲とすることが好ましい。また、導体層パターン (幾何学図形)の非視認性の観点からライン幅は 25 μ m以下、可視光透過率の点からライン間隔は 120 m以上がさらに好ましい。ライン幅は、あまりに小さく細くなると表面抵抗が大きくなりすぎて遮蔽効果に劣るので 1 μ m以上が好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明によって得られる導体層パターンをディスプレイ前面に使用する場合、開口率は 50%以上が必要であるが、 60%以上がさらに好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下するため、ライン間隔は 1000 m(lmm)以下とするのが好ましい。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。

[0101] また、本発明によって得られる導体層パターン付き基材をディスプレイ前面用途に使用する場合、可視光透過率の点から、電磁波シールド機能を担わせる部分の開口率は 50%以上が必要である力 60%以上がさらに好ましい。開口率が大きすぎるとライン幅が小さくなりすぎるため、開口率は 97%以下であることが好ましい。ライン間隔という観点からは、ライン間隔は 1000 m (lmm)以下とするのが好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下する傾向がある。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。可視光透過率の点からライン間隔は、 100 m以上が好ましぐ 120 /z m以上がさらに好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。

[0102] また、導体層パターンのラインの厚みは 100 μ m以下が好ましぐディスプレイ前面の電磁波遮蔽シートとして適用した場合、厚みが薄いほどディスプレイの視野角が広力 Sり電磁波遮蔽材料として好ましぐまた、金属層をめつきにより形成させるのにかかる時間を短縮することにもなるので 40 μ m以下とすることがより好ましぐ 18 μ m以下であることがさらに好ま、。あまりに厚みが薄、と表面抵抗が大きくなりすぎて電磁波遮蔽効果に劣るようになり、また、導体層パターンの強度が劣り、転写時の導電性基材からの剥離が困難になるため 0. 5 μ m以上が好ましぐさらに 1 μ m以上がさらに好ましい。 [0103] また、接地機能を担わせる部分の導体層パターンのラインの厚みは、十分な電気抵抗を確保するために、同様に 0. 5 m以上が好ましぐさらに 1 m以上力さらに好ましい。さらに、電磁波シールド機能を担わせる部分の導体層パターンのラインの厚みとの差が大きいと，転写する際に段差となるために、境目の部分が転写されなかつたり、折れが発生しやすくなるため、電磁波シールド機能を担わせる部分の導体層パターンのラインの厚みとの差は 10 μ m以下が好ましぐ 5 μ m以下がさらに好ましい。

[0104] 本発明における導体層パターン付き基材において、導体層パターンの開口率を高くすることができ、これにより透光性を優良にできる。導体層として、銅、銀、ニッケル等の金属を使用すると導電性が特に優れている。本発明における導体層パターン付き基材は、透光性電磁波遮蔽部材として使用することができる。

[0105] 本発明における導体層パターン付き基材を遮蔽体として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材 1に形成された金属層を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターン層に榭脂をコーティングする際に用いられるカバーフィルムに、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。

[0106] また、本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として、ディスプレイ等の前面に用いる場合には、反射防止等を含む視認性確保を図るために導電層パターンは、黒ィ匕処理したものであることが好ましい。電磁波遮蔽部材はその前面が黒色であることがハイコントラストの実現及びディスプレイの電源切断時に画面が黒、こと等の要求を満たすことから好ま、とされて！/、る。

上記黒化処理としては金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な方法を用いることができる。しかし、金属層表面を化成処理で酸化し、黒化すると導体層パターンライン部に微小な黒色粉末が発生し、電磁波遮蔽部材の透過光強度が低下し、かつ色むらが生ずる。また、例えばカーボンブラック等の黒色材料を混入させた塗料をスクリーン等で印刷する印刷法では金属層のみを黒ィヒすることが困難であり、やはり電磁波遮蔽部材の透光性を損じる。よって、導電性基材の凹部に形成した絶縁性皮膜を侵すことが無ぐまた、めっきプロセスにより金属層及びそれ以外の部分に黒色粉末を発生させること無く、金属層表面のみを黒ィヒ処理することができる黒色ニッケルめっきが最も有効である。黒色ニッケルめっきは硫ィ匕ニッケルを主成分とする黒色合金皮膜を電着で形成するめつき法である力 VIII族元素の鉄、コバルトもいずれも硫化物としたとき黒色を呈すので用いることができる。同じ VIII族元素の中でも硫ィ匕-ッケルは目的にかなった黒色を呈し、さらに下地金属とも良好な密着性を有する。 VIII 族元素以外の硫化物では銀、水銀、銅、鉛などを、用いることが可能である。またスズとニッケル、スズとコバルトなどの合金めつきや黒色クロムめつきを用いても粉落ちが無ぐ金属層のみに良好な密着性を有する黒化処理層（黒色層）を形成することができる。これら黒化処理層を形成する工程は、導電性基材の凸部上面に金属層を形成する前後で、また別の基材に転写する前に行うこともできるし、別の基材に転写した後に行うこともできる。

[0107] 図 18〜20は、導体層パターンが黒ィ匕処理された金属パターン力もなる導体層パターン付き基材の断面図である。図 18は、導電性基材からその凸部に形成された金属層 14を、接着剤 17を介して基材 18に転写した後、金属の表面を黒化処理して得た導体層パターンを有する導体層パターン付き基材の断面図である。金属 14の側面及び上面に黒色層 23を形成させた導体層パターンが接着剤 17を介して基材である透明基材 18に貼着されている。また、図 19— a及び図 19— bは、導電性支持体の凸部に形成された金属層を、その金属を転写する前に (前述の図 14の状態や図 17— cの状態で)黒化処理し、この後、黒化処理した金属 (導体層パターン)を、接着剤 17 を介して基材 18に転写して得た導体層パターン付き基材の断面図である。金属 14と黒色層 24カゝらなる導体層パターンは、黒色層 24が接着剤 17を介して基材である透明基材 18に貼着されている。図 19— aでは、金属 14の側面も黒ィ匕処理されているが、図 19 bでは金属の側面は黒ィ匕処理されてヽな、。

以上の電磁波遮蔽部材は、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。

[0108] 黒色ニッケルめっき層を形成するに際しては、硫酸ニッケル 60〜： LOOgZL、硫酸ニッケルアンモ-ゥム 30〜50g/L、硫酸亜鉛 20〜40gZL、チォシアン酸ナトリウム 10〜20gZLを含有するめつき液を用いることができる。このめつき浴を用い、 pH:4 〜7、温度： 45〜55° C、電流密度 0. 5〜3. OAZdm²の条件で、ステンレスァノード又はニッケルアノード、攪拌には循環ポンプ並びにエアー攪拌を使用することにより、プラズマディスプレーパネル用として好適な黒色ニッケルめっき層を形成することができる。黒色ニッケルめっきの前処理としては下地となる金属層との密着性を高めるために適切なアルカリ脱脂、酸洗浄を行うことがより好ましい。各成分の濃度範囲を超えたところでめっきを行うとめつき液が分解しやすぐ良好な黒色を得ることが困難になる。また、温度に関しても 55°Cを超える温度でめっきを行うとめつき液が分解しやすくなる。逆に 45°C未満では 1. OAZdm²以上のめっきを行うと、製品にざらつきが生じて粉落ちしやすくなり、やはりめつき液寿命が短くなる。 45°C未満で 1. OA/dm 2以下の電流密度でめっきを行うことは可能である力望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となり、生産性を低下させてしまう。それゆえ、上の濃度組成のめっき液を使用して短時間で黒色ニッケルめっきを行う際の温度範囲は 45〜55°Cが最適である。また、電流密度に関しては温度範囲内で 0. 5AZdm²以下でも可能であるが、望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となる。 3. OAZdm²以上でめっきを行うとめつき液が分解しやすぐ粉落ちしやすい黒色皮膜が形成される。黒色ニッケルめつきではステンレスアノードを使用した場合、めっき液寿命が短くなるので、通常-ッケルアノードを使用するのが望ましい。

[0109] 黒色処理層の厚さに関しては 0. 5 m以下のめっきでは完全な黒色にならず、表面に虹状の色むらが発生する傾向がある。また 3 m以上の黒色処理層を形成すると生産性が低下する上に、ライン幅が大きくなるために透過率が低下し、かつ細線部に粉落ちが発生しやすくなる。よって黒化処理層の厚みは 0. 5 /ζ πι〜3. O /z mであることが望ましい。

[0110] 黒化処理の後、さらに、防鲭処理を行うことができる。防鲭処理としては公知の手段としてクロメート処理、ベンゾトリアゾールなどを使用することができる。また、市販されている防鲭剤を使用することもできる。また、黒化処理層つき導体層パターンを別の基材に転写した後に再度同じ方法で黒化処理層を形成する場合も同様に防鲭処理を行うことが望ましい。

[Oil 1] 黒ィ匕処理層の色合いに関しては市販の測色計を用いて CIE標準表色系に準じて検討を行った。明度 L*が 40. 00未満では、表面の金属光沢により外光及び迷光の反射率が大きくなり、画像のコンストラストが低下する。また、黒化処理層の色度 I a* |、 | b* |が 5. 00以上では導体層パターンの着色が強ぐ色の再現性が低下する。よって黒ィ匕処理層を有する導体層パターン付きプラスチック基材の明度、色度は上の範囲を満たすことが望ましいが、例えば L* < 35. 00、 | a* I < 1. 00、 | b * | < 4. 00であることがより望ましい。

[0112] 本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の接着剤を介して又は介さな、で貼着して使用することができるが、他の基材に貼着して力ディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面力もの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。

図 20に導体層パターン付き基材が他の基材に貼着されて得られた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。図 20において、基材 (別の基材） 20に積層されている粘着層 21 に金属 14からなる導体層パターンが埋設され、粘着層 21及び金属 14が他の基材 2

5により覆われている。これは、基材 (別の基材） 20に粘着剤 21を介して接着されている金属 14からなる導体層パターンを有する導体層パターン付き基材の導体層バターンが存在する面を、適度な圧力で他の基材 25に圧着する方法により作製することができる。この場合、粘着層 21が十分な流動性を有するものであるか十分な流動性を有するうちに、適度な圧力を加えることにより金属 14を粘着層 21に埋設する。この電磁波遮蔽体では、粘着層 21と他の基材 25が直接接触し、良好な密着性が得られる。また、基材 (別の基材) 20ゃ基材 (他の基材) 25は、透明性を有し、し力もその表面の平滑性が優れるものを使用することにより、透明性も高い電磁波遮蔽体を得ることがでさる。

図 21に導体層パターン付き基材が保護樹脂で覆われた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。

基材 (別の基材) 20に積層されている粘着層 21上に金属 14からなる導体層パターンが貼り付いており、この上を透明な保護榭脂 26で被覆している。

[0113] 図 22は、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。この電磁波遮蔽体は、図 21 の電磁波遮蔽部材が、基材 (別の基材) 20の導体層ノターンがある面とは反対の面で、接着剤 27を介して他の基材 28に貼り合わされたものである。

図 23は、さらに、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。図 23において、基材 (別の基材) 20に粘着層 21を介して金属 14からなる導体層パターンが接着されており、その上を透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤 29により被覆され、さらにその上に保護フィルム 30が積層されている。基材 20のもう一方の面には接着層 27を介してガラス板等の他の基材 28が貼着されている。この電磁波遮蔽部材では、基材 (別の基材) 20に粘着剤 21を介して接着されている導体層パターンを有する導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面を、透明榭脂 29によりコーティングし、さらに保護フィルム 30を積層し、ついで、得られた積層物の基材 20のもう一方の面 (何も積層されていない面）に接着剤を塗布して接着層 27を形成し、これを他の基材 28に押しつけて接着することにより作製することができる。上記の透明榭脂 29としては、前記熱可塑性榭脂、熱硬化性榭脂のほかに活性エネルギー線で硬化する榭脂を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する榭脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。

[0114] また、本発明で用いられる導電性基材として、回転体 (ロール)を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体 (ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめつきされた铸鉄、クロムめつきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめつき付着性が比較的低、材料を用いることが好ま、。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。

[0115] 回転体を用いて、電気めつきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図 24を用いて説明する。図 24は、導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電気めつきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置の概念を示す断面図（一部正面図）である。 [0116] すなわち、電解浴 100内の電解液 101が陽極 102とドラム電極などの回転体 103 の間のスペースに配管 104とポンプ 105により供給されるようになっている。陽極 102 と回転体 103の間に電圧をかけ、回転体 103を一定速度で回転させると、回転体 10 3の表面に金属が電解析出し、電解液 101の外で、回転体 103表面の凸部の上面に析出した金属 106に、粘着層を形成したフィルム 107の粘着層を圧着ロール 108 で圧着し、連続的に回転体 103から金属 106を剥離しつつ粘着層を形成したフィルム 107にその金属 106を転写し、導体層パターン付き基材 109とする。これはロール (図示せず）に巻き取ることができる。このようにして導体層パターン付き基材 108を製造することができる。なお、上記の回転体 103の表面には、凸部とそれにより描かれている幾何学図形状の凹部が形成されている。また、回転中の回転体 103から、凸部の上面に析出した金属 106が剥離させられた後で、電解液 101に浸力る前に、回転体 103表面をエッチング洗浄したり（図示せず)してもよい。なお、図示していないが陽極 102の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良ぐ水切りロールによってせき止められた電解液は陽極 102の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様をカ卩えることが好まし、。

[0117] さらに、本発明で用いられる導電性基材として、フープ状の導電性基材を用いることができることは前記した力さらに、この詳細を説明する。

フープ状の導電性基材に関しては、帯状の導電性基材の表面に凸部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめつきされた铸鉄、クロムめつきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめつき付着性が比較的小さヽ材料を用いることが好ましい。

フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防鲭処理、転写等の工程を、 1つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、 100〜1000 mであることが好ましい。

[0118] フープ状の導電性基材を用いて、電気めつきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図 25を用いて説明する。図 2 5は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層バターンを電気めつきにより析出させながら剥離する装置の概念図である。

[0119] フープ状の導電性基材 110を、搬送ロール 111〜128を用い、前処理槽 129、めつき槽 130、水洗槽 131、黒化処理槽 132、水洗槽 133、防鲭処理槽 134、水洗槽 1 35を順次とおり、周回運動するように設置する。前処理槽 129で導電性基材 110の脱脂処理、酸処理、エッチング処理等による導電性基材に残存していた金属を取り除くための処理を行う。その後、めっき槽 (電解浴） 130で、導電性基材 110上に金属を析出させる。この後に、水洗槽 131、黒化処理槽 132、水洗槽 133、防鲭処理槽 134、水洗槽 135を順次通して、それぞれで、導電性基材 110上に析出した金属の表面を黒化し、さらに防鲭処理する。各処理工程後にある水洗槽は、 1槽しか図示していないが、必要に応じて複数の槽を用いたり、各処理工程の前になんらかの前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材 136を導電性基材 110の凸部の上面に析出した金属が転写されるように搬送ロール 128上の導電性基材 110と圧着ロール 137の間を通し、上記金属をプラスチックフィルム基材 136に転写して、導電層パターン付き基材 138を連続的に製造することができる。得られる導電層パターン付き基材 138は、ロール状に巻き取ることができる。必要に応じて、圧着ロール 137を加熱することもできるし、図示はしないが、プラスチックフィルム基材 136を圧着ロールを通過させる前にプレヒート槽を通して予備加熱してもよい。また、転写したフィルムの卷取りには、必要に応じて、離型 PET等を挿入してもよい。さらに、金属が転写された後、フープ状導電性基材は、上記の工程を繰り返すこととなる。このようにして、連続的に、高い生産性で導体層パターン付き基材を製造することがでさる。

[0120] フープ状の導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を製造する別の例を図 2 6を用いて説明する。図 26は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層ノ^ーンを電気めつきにより析出させながら剥離する別の例を示す装置の概念図である。

[0121] フープ状の導電性基材 110を、搬送ロール 111〜116、 140〜143、 127及び 12 8を通して設置する。まず、前処理槽 129 (例えば、転写後に導電性基材 110に残存金属がある場合その残存金属を除去するためのエッチング槽)を通過させ、さらに必要に応じて水洗する（図示省略)。その後、 2個のめっき槽 (電解浴） 130、 150で、導電性基材上に金属を析出させる。この後に、黒化処理槽 151を設置して、析出した金属の表面を黒ィ匕してもよい。さらに、防鲭処理槽等を設けても良い（図示せず)。これらの槽は、 1個のめっき槽 (電解浴） 130、黒化処理槽 150、防鲭処理槽 151としてちよい。

これらの各槽の間には、水洗槽ゃ前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材 136、圧着ロール 137を利用して、導電性基材 110 の凸部の上面に析出した金属をプラスチックフィルム基材 136に転写し、導電層パターン付き基材 138を連続的に製造する点は前記図 25におけると同様である。

[0122] 本発明における導体層パターン付き基材を遮蔽体として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材 1に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さら〖こ、導体層パターン層に榭脂をコーティングする際に用いられるカバーフィルムに、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。

[0123] また、本発明は、上記のようなめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめつき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは 20 m以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため 10cm以下の厚みであることが好まし、。 [0124] 本発明におヽて絶縁層を導電性基材に定着させるとは、絶縁層にあたる榭脂を硬化させることを指す。この工程は一般に硬化あるいは焼き付け工程と呼ばれている。また、本発明にお！ヽて不活性ガスとは薄膜絶縁層を形成する榭脂成分と反応しな V、ガスのことを指す。一般に不活性ガスとはネオンやアルゴンと!/ヽつた反応性のな!ヽ気体を指すことが多いが、本発明においてはそれらに限定することなぐ薄膜絶縁層と反応性のない気体、例えば窒素などを含むものとする。入手のしゃすさ、価格、環境への配慮などの点力も窒素を用いることが好まし、。

電着塗料を例に挙げて説明する。電着塗料を導電性基材に塗布した後に、表面に付着した水分や溶剤等を低温で乾燥させる仮硬化あるいは仮乾燥と呼ばれる工程がある。この時点では水分や溶剤を乾燥させるだけなので榭脂は完全に硬化されず、このときの雰囲気は不活性ガス雰囲気下でなくても良い。次に榭脂を完全に硬化させる目的で高温にて榭脂を反応させる。紫外線硬化型の電着塗料であれば高温で焼き付けるかわりに紫外線を照射する。このとき、電着塗料は榭脂中の反応活性な官能基が反応するため、反応性に富み副反応などが起きやすい。代表的な例が空気中の酸素との反応による酸化反応であり、特に高温で長時間処理して完全に榭脂を硬化させようとしたときに酸ィ匕反応により樹脂が劣化しやすい傾向にある。このような副反応を防ぐため不活性ガス雰囲気下で硬化あるいは焼き付けをすることが重要である。

これら不活性ガスの濃度は、硬化炉の大きさと硬化する絶縁層の面積の比によって多少変わることがある力一般的には全体の雰囲気に対して体積比で 90%以上であることが好ましぐ 95%以上であることがより好ましぐ 98%以上であることがさらに好ましぐ 99%以上であることが最も好ましい。

[0125] 下記の実施例及び比較例にお!、て、ライン幅、ピッチ、開口率は顕微鏡写真を元に実測した。ライン厚み及び銅箔部厚みは得られた導体層パターン付き基材を一部切り取って樹脂で注型し、断面を顕微鏡観察することにより実測した。可視光透過率はダブルビーム分光光度計 (200— 10型、株式会社日立製作所製)を用いて、 400 〜700nmの透過率を測定し、その平均値を求めた。パターン異常の有無は拡大鏡を用いて肉眼にて確認した。電磁波遮蔽性 (シールド性）はアドバンテスト法を用い、周波数 300MHzで測定した。導電性基材の耐久性はめつき及び剥離を繰り返した後の導電性基材を直接拡大鏡で観察して確認した。 850〜1 lOOnm平均透過率は、ダブルビーム分光光度計 (200— 10型、株式会社日立製作所製)を用いて、 850 〜： L lOOnmの透過率を測定し、その平均値を求めた。

実施例 1

[実施例 al]

レジストフイルム（フォテック H— Y920、日立化成工業株式会社製）を 10cm角のステンレス（SUS304)板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード lmZminで行った。次いで、光透過部のライン幅が 3 0 m、ラインピッチが 300 μ m、バイアス角度力 5° で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフイルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、 600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を 1 20miZcm²照射した。さらに。 1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、 SUS板の上にライン幅 30 μ m、ラインピッチ 300 μ m、バイアス角度 45° のレジストフイルムを形成した。さらに、 40°Cに加温した塩ィ匕第二鉄水溶液を用いて、 SUS板をエッチングした。エッチングは、 SUS板のライン幅が 20 mになるまで行った。次いで、 5% 水酸ィ匕ナトリウム溶液を用いて、 SUS板の上に形成されたレジストフイルムを剥離して、格子模様状のパターン（ライン幅 20 μ m、ピッチ 300 μ m、凸部の高さ 15 μ m、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。凸部の上面の表面粗さ (十点平均粗さ、以下同じ) Rz = 0. 3 mであったのに対し、凹部内の表面粗さ Rz=4. 2 μ mであった。

次、で、格子模様状のパターンが形成されたステンレス板 (上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材)を陰極として電解銅めつきを行った。電解銅めつき浴 (硫酸銅（5水塩) 80gZL、硫酸 180g ZL、キューブライト VF1 (荏原ユージライト株式会社製、添加剤） 20mlZLの水溶液、 25°C)中に、格子模様状にエッチングされたステンレス板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 25AZdm²として、ステンレス板の凸部の上面に析出した金属の厚さが 5 mになるまでめつきした。ステンレス板の凸部の上面には連続膜として銅が析出した力凹部内には粒径 3 μ m程度の粒状の銅が非連続的に析出した。

[0127] 厚さ 100 mのポリエチレンテレフタレート（PET)フィルム（A— 4100、東洋紡績株式会社製)の表面にプライマー (HP— 1、日立化成工業株式会社製)を厚さ 1 m) に、粘着層としてアクリルポリマ (HTR— 280、長瀬ケムテック製)を厚さ 10 mに順次塗布して粘着フィルムを作製した。

[0128] この粘着フィルムの粘着剤面と、上記ステンレス板の銅メツキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. IMP a、ラインスピード lmZminとした。この時、 SUS板の凸部上面に形成された銅層が、粘着フィルムの粘着剤層に 0. 5 m程度だけ埋没した。次いで、ステンレス板に貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ステンレス板の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ S US板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、ライン幅 2 0 m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 5 μ mの金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。

[0129] 上記で得られた金属パターンが転写された粘着フィルムをアルカリ脱脂液デグリース A ( (株)オーデック）を 5倍希釈した水溶液に室温で 3分間浸漬した。次、で、水洗後、 10%硝酸水溶液に室温で 2分間浸漬した。さらに、水洗後、黒化処理液コパール（(株)オーデック）の 4倍希釈水溶液に浸漬し、金属パターンを黒ィ匕処理して、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。

[0130] 上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、 UV 硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコーティングし、その上からポリカーボネートフィルム（マクロホール DE、バイエル株式会社製、 75 m)でラミネートして導体層パターンを UV硬化型榭脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させた。

[0131] 粘着フィルムに銅を転写した後、凸部パターンを形成したステンレス板を、 40°Cに加熱した lOOgZリットルの過硫酸アンモ-ゥム溶液中に浸漬し、凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する銅を溶解した。

実施例 2

[0132] [実施例 a2]

SUS板に形成される凸部のライン幅が 10 μ mになるまでエッチングしたこと以外は、実施例 1と同様にして、 SUS板上に格子模様状のパターン (ライン幅 10 /ζ πι、ピッチ 300 /ζ πι、凸部の高さ 30 m、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. であったのに対し、凹部の表面粗さ Rz = 5 . 5 μ mであつ 7こ。

次、で、格子模様状にエッチングされたステンレス板 (上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材)を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 150gZL、硫酸 150gZL、カパラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 50mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を lOAZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 3 μ mになるまでめつきした。ステンレス板の凸部の上面には連続膜として銅が析出した力凹部及び側部には粒径 1 μ m程度の粒状の銅が非連続的に析出した。

[0133] 次、で、銅めつきを析出させた SUS板を、 80°Cに加温した下記組成の黒ィ匕処理液 alに 3分間浸漬して、ステンレス板に析出した銅めつきを黒ィ匕処理した。

(黒化処理液 al)

亜塩素酸ナトリウム 30gZL、水酸ィ匕ナトリウム 10gZL、及び三リン酸ナトリウム 5g ZLが溶解された水溶液。

[0134] 厚さ 100 mのポリエーテルサルフォンフィルム（スミライト FS— 1300、住友ベータライト株式会社製)の表面にプライマ (HP— 1、日立化成工業株式会社製)を乾燥塗布厚が: mになるように塗布し、ついで、接着層としてポリエステル榭脂 (バイロン U R- 1400 (Tg=約 80°C)、東洋紡績株式会社製)を乾燥塗布厚が 10 μ mとなるように順次塗布して接着性フィルムを作製した。

上記接着フィルムの接着剤面と、上記ステンレス板の銅メツキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 150°C、圧力 0. 1M Pa、ラインスピード 0. 5mZminとした。接着剤の Tgを超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。上記のラミネート後、 SUS板の凸部上面に形成された黒化処理された銅層は、接着フィルムの接着剤層に 1 μ m程度だけ埋没した。次いで、ステンレス板に貼り合わせた接着フィルムを剥離すると、上記ステンレス板の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写した。これに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ SUS板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、ライン幅 10 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 3 μ mで、さらに黒ィ匕処理が施された金属パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。

[0135] 上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例 alと同様にして UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコ一ティングした後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡 (株)製、 75 m)の易接着処理を施してヽな、面を、 UV硬化型榭脂を介してでラミネートして導体層パターンを UV 硬化型榭脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させた後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡 (株)製、 7 5 m)を剥離した。凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する銅の溶解は、実施例 alと同様に行った。

実施例 3

[0136] [実施例 a3]

SUS304箔 (竹内金属箔粉 (株)製、厚さ 100 m)と、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡績 (株)製)にバイロン UR- 1350 (接着剤、東洋紡績 (株)製)を乾燥塗布厚が 20 mとなるように塗布して作製した接着フィルムをプレスで貼り合わせた。プレス条件は、 130°Cのホットプレスで、圧力 4MPaとし、 30分間プレスした。なお、圧力をかけたまま 25°Cまで冷却した後、サンプルを取り出した。上記で得られた PETフィルム付き SUS箔を、実施例 alと同様の条件で、凸部の幅が 15 /z mとなるまでエツチングし、 SUS箔に格子模様状のパターン (ライン幅 15 /z m ピッチ 300 /z m 凸部の高さ 20 m、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。 SUS箔に形成された凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. であったのに対し、凹部の表面粗さ Rz = 5. であった。

次、で、格子模様状のパターンが形成された PETフィルム付き SUS箔（上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材)を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 10 OgZL、カパラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 30AZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 1 μ mになるまでめっきした。

PETフィルム付き SUS箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出した力凹部及び側部には粒径 0. 3 m程度の粒状の銅が非連続的に析出した。

[0137] 次、で、銅めつきを析出させた PETフィルム付き SUS箔を、アルカリ脱脂液デグリース A ( (株)オーデック）を 5倍希釈した水溶液に室温で 3分間浸漬した。次、で、水洗後、 10%硝酸水溶液に室温で 10秒間浸漬した。さらに、水洗後、黒化処理液コパール（ (株)オーデック）の 4倍希釈水溶液に 1分間浸漬し、 PET付き SUS箔に析出した銅めつきを黒ィ匕処理した。

[0138] 厚さ 100 μ mの PETフィルム (A— 4100、東洋紡績株式会社製）の易接着面に榭脂組成物 1を乾燥塗布厚がとなるように塗布して、粘着フィルムを作製した。

(榭脂組成物 al)

AS— 406 (—方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ） 100重量部、及びテトラド X(三菱ガス化学株式会社製、硬化剤） 2重量部を含む組成物。

[0139] この粘着フィルムと黒ィ匕処理された銅メツキが積層された上記 PETフィルム付き SU S箔とを前者の粘着剤面と後者の黒ィ匕処理された銅メツキが施された面があわさるように、実施例 1と同様にして貼り合わせた。この時、 SUS箔の凸部上面に形成された黒ィ匕処理された銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に 0. 5 m程度だけ埋没した。次いで、ステンレス箔に貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記 PETフィルム付き SUS箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ SUS板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、ライン幅 15 μ m、ラインピッチ 300 m、厚さ 1 mで、黒化処理の施された金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。凸部バターンを形成した PETフィルム付き SUS箔の凹部と側部に残存する銅の溶解除去は、実施例 alと同様に行った。

[0140] 上記で得られた粘着フィルムの粘着剤面 (銅めつきを転写した面）を厚さ 2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度 25°C、圧力 0. 5M Pa、ラインスピード 0. 5mZminとした。ロールラミネートによって、厚さ 1 mの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。

実施例 4

[0141] [実施例 a4]

SUS304箔の代わりに電解 Ni箔 (福田金属 (株)製、厚さ 35 μ m)を用いたこと以外は実施例 a3と同様に行って、 PETフィルム付き Ni箔を作製し、 Ni箔に格子模様状のパターン（ライン幅 15 /ζ πι、ピッチ 300 /ζ πι、凸部の高さ 20 /ζ πι、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。

Ni箔に形成された凸部の上面の表面粗さ Rz= l. 4 mであったのに対し、凹部の表面粗さ Rz = 3. 9 mであった。まず、転写時における Ni箔と電気銅めつきの剥離性を向上するため、 Niの陽極酸ィ匕によって Ni表面に酸ィ匕皮膜を形成した。陽極酸化は、 10%水酸ィ匕ナトリウム水溶液中で、 Ni箔を陽極に、 SUS板を陰極として、両極に IVの電圧をかけて 30秒間処理した。

次、で、格子模様状にエッチングされた PETフィルム付き Ni箔（上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材)を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 100gZL、力ノラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 30AZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 10 μ mになるまでめつきした。

PETフィルム付き Ni箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径 0. 8 m程度の粒状の銅が非連続的に析出した。

[0142] 厚さ 100 μ mの PETフィルム（マイラー D、帝人デュポンフィルム株式会社製）の表面に下記赤外線吸収剤を含有する榭脂組成物 a2を乾燥後の厚みが 20 μ mになるように塗布して接着性フィルムを作製した。

(榭脂組成物 a2)

BR— 80 (三菱レーヨン株式会社製、 PMMA) 100重量部、及び IRG— 022 (日本化薬株式会社製、ジィモ -ゥム塩系赤外線吸収剤） 3. 3重量部を、トルエン 60重量部とメチルェチルケトン (MEK) 300重量部の混合溶媒に溶解した組成物。

[0143] 次いで、離型 PET (S— 32、帝人デュポン (株)製)の離型処理面に榭脂組成物 a3 を、乾燥塗布厚が 8 mとなるように塗布した。近赤外線吸収剤を含有する接着性フイルムの榭脂組成物 a2を塗布した面に、榭脂組成物 a3を塗布したフィルムを貼り合わせ、近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを作製した。

(榭脂組成物 a3)

HTR—860— P3 (長瀬ケムテック株式会社製、アクリルポリマ） 100重量部、及びコ口ネート L (日本ポリウレタン株式会社製、イソシァネートイ匕合物） 3重量部をトルエン 1 00重量部と酢酸ェチル 300重量部の混合溶媒に溶解した組成物。

[0144] 近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムの粘着剤面と、上記 PETフィルム付き Ni箔の銅メツキを施した面を、実施例 alと同様にして貼り合わせた。この時、 Ni箔の凸部上面に形成された銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に 0. 1 μ m程度だけ埋没した。次ヽで、 Ni箔に貼り合わせた近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを剥離すると、上記 PETフィルム付き Ni箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ Ni箔に残存し、粘着フィルムに転写されることはな力つた。

このようにして、ライン幅 15 m、ラインピッチ 300 m、厚さ 10 mの金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。凸部パターンを形成した PETフィルム付き Ni箔の凹部内に残存する銅の溶解除去は、実施例 alと同様に行った。

[0145] 次、で、得られた導体層パターン付き粘着フィルムを実施例 alと同様にして、黒ィ匕処理した。さらに、黒化処理後、上記の導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、紫外線硬化型榭脂 (ヒタロイド 7851、日立化成工業株式会社製）をコーティングし、さらに、ポリカーボネートフィルム（マクロホール DE、バイエル株式会社製、 75 m)をラミネートした後、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射し、導体層パターンを榭脂で被覆した。次いで、上記で得られたフィルムの導体層パターンが形成されている面とは反対の面に粘着層を形成し、 3mm厚の PMMA板 (コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。

実施例 5

[0146] [実施例 a5]

実施例 a3と同様にして、銅めつき及び黒ィ匕処理を施した PETフィルム付き SUS箔（ライン幅 15 m、ピッチ 300 m、凸部の高さ 20 m、凸部の断面形状は曲面（図 3 dと同様））を形成した。さらに、厚さ 100 mのポリエーテルサルフォンフィルム（スミライト FS— 1300、住友ベークライト株式会社製)の表面に下記の榭脂組成物 a4を乾燥後の厚みが 13 mとなるように塗布して接着フィルムを得た。乾燥条件は、 90 °Cで 5分間とした。

(榭脂組成物 a4)

YD— 8125 (東都化成株式会社製、ビスフエノール A型フエノキシ榭脂） 100重量部、及び IPDI (日立化成工業株式会社製、マスクイソホロンジイソシァネート） 10重量部力メチルェチルケトン 330重量部及びシクロへキサノン 15重量部の混合溶媒に溶解させられた榭脂溶液。

[0147] 得られた接着フィルムと実施例 a3で得た凸部上に黒ィ匕処理した金属パターンを有する PETフィルム付きステンレス箔を、ラミネータで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 120°C、圧力 3MPa、ラインスピード lmZminとした。空冷後剥離すると、接着剤表面に、ステンレス板の凸部の上面に存在する黒ィ匕処理された金属が選択的に転写され、ライン幅 15 m、ラインピッチ 300 m、導体厚 1 μ mの導体層パターンが接着フィルム上に形成された。

転写後のステンレス板は実施例 alと同様にされ、その表面に残存する銅が除去さ [0148] 上記得られた導体層パターンを有する接着フィルムを 150°Cで 60分間処理して接着剤を硬化させ、導体層パターン付き基材を得た。上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例 alと同様にして UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコーティングした後、 PETフィルム (A —4100、東洋紡 (株)製、 75 /z m)の易接着処理を施していない面を、 UV硬化型榭脂とでラミネートして導体層パターンを UV硬化型榭脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させた後、 PE Tフィルム (A— 4100、東洋紡 (株)製、 75 /z m)を剥離した。凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する銅の溶解は、実施例 alと同様に行った。これに、離型 PET(S— 32、帝人デュポン株式会社製)の離型処理面に、榭脂組成物 a3を乾燥塗布厚が 20 mとなるように塗布したフィルムを、上記導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面とは反対の面に貼り合わせた。離型 PET を剥離してから、 3mm厚の PMMA板 (コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。

実施例 6

[0149] [実施例 a6]

レジストフイルム（フォテック LF— 1515、日立化成工業株式会社製） 10cm口の銅板 (厚さ 2mm)に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5 MPa、ラインスピード lmZminで行った。次いで、光透過部のライン幅が 30 m、ラインピッチが 200 μ m、バイアス角度が 30° で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフイルムを貼り合わせた銅板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、 60 OmmHg以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を 120mjZcm²照射した。さらに。 1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、銅板の上にライン幅 30 μ m、ラインピッチ 200 μ m、バイアス角度 30° のレジストフイルムを形成した。さらに、 40°Cに加温した塩ィ匕第二鉄水溶液を用いて、銅板をエッチングした。エッチングは、銅板のライン幅が 25 mになるまで行った。次いで、 5%水酸ィ匕ナトリウム溶液を用いて、銅板の上に形成されたレジストフイルムを剥離して、格子模様状のパターン (ライン幅 25 /ζ πι、ラインピッチ 200 /ζ πι、凸部の高さ 11 /ζ πι、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. 5 /z mであったのに対し、凹部の表面粗さ Rz = 3. であった。

[0150] 次いで、格子模様状のパターンが形成された銅板の表面に 0. 3 μ mの厚さとなるように、クロム層をスパッタリングで形成させた。クロム層を設けることにより、その上に施した銅めつきが剥離しやすくなる。このクロムをスパッタリングした銅板を陰極として電解銅めつきを行った。電解銅めつき浴 (硫酸銅（5水塩） 100g/L,硫酸 180gZL、トップルチナ H— 380 (奥野製薬工業株式会社製、添加剤） 2. 5mlZLの水溶液、 25 °C)中に、上記のクロム層が形成された銅板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 25AZdm²として、クロム層を形成した銅板の凸部の上面に析出した金属の厚さが 3 mになるまでめつきした。クロム層を形成した銅板の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径 1 μ m程度の粒状の銅が非連続的に析出した。さらに、銅がめっきされたクロム層が形成されている銅板を黒ィ匕処理液 1に浸漬し、 80°C1分間処理して、銅を黒化処理した。粘着層の厚みを 5 mとしたこと以外は実施例 a 1と同様の粘着フィルムに黒化処理された銅を転写し、ライン幅 25 μ m、ラインピッチ 200 μ m、導体厚 3 μ mの導体層ノターン付き基材を作製した。さらに、転写後のクロム層が形成されている銅板は実施例 alと同様にされ、その表面に残存する銅が除去された。

[0151] 上記で得られた導体層パターン付き基材と厚さ 2mmのガラス板を、その基材の導体層パターンが形成されてヽる面がそのガラス板に接触するようにして、温度 30°C、圧力 2. OMPaでラミネートし、貼り合わせた。導体層パターンが粘着剤に埋まりこみ、透明性の高!、電磁波遮蔽部材が得られた。

実施例 7

[0152] [実施例 a7]

直径 150mmのステンレスロールに、実施例 alと同様の方法で格子模様状のパターン（ライン幅 20 /ζ πι、ピッチ 300 /ζ πι、凸部の高さ 15 /ζ πι、凸部の断面形状は曲面 (図 3— dと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. 3 /z mであったのに対し、凹部内の表面粗さ Rz=4. 2 mであった。次いで、加工したステンレスロールを陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩) 80gZL、硫酸 180gZL、キュ一ブライト VF1 (荏原ユージライト株式会社製、添加剤） 20mlZLの水溶液、 25°C) 中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。電流密度を 40AZdm²として、両極に電圧をかけて凸部の上面に析出する金属の厚みが 5 μ m厚になるまでめつきした。ステンレスロールの凸部の上面は連続膜として銅が析出した力凹部内には粒径 3 μ m程度の粒状の銅が非連続的に析出した。

[0153] 実施例 alで用いた粘着フィルムをロール状で作製し、上記ステンレスロールの凸部の上面に析出した銅と粘着フィルムの粘着剤面を実施例 alと同様のラミネート条件で貼り合わせた。この時、ステンレスロールの凸部上面に形成された銅層は、粘着フイルムの粘着剤層に 0. 5 m程度だけ埋没した。次いで、ステンレスロールに貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ステンレスロールの凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部内に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ SUS板に残存し、粘着フィルムに転写されることはな力つた。このようにして、ライン幅 20 m 、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 5 μ mの導体層パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。さらに、導体層パターンを転写した粘着フィルム (導体層パターン付き基材）に離型 PET(S— 32、帝人デュポン株式会社製)をラミネートしながら、ロール状に巻き取った。さらに、転写後、同一ラインで実施例 alと同様に、ステンレスロールの凹部内に残存する銅をエッチング除去してから、再びステンレスロールに銅めつきを施した。このようにして、銅めつき、粘着剤への転写、残存銅のエッチングの 3つの工程をロールからロールへ連続的に行った。

[0154] 上記で得られた金属パターンが転写された粘着フィルムを実施例 alと同様に黒ィ匕処理して、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、 UV硬化型榭脂（ァロニックス UV - 3701、東亞合成株式会社製)を 15 m厚でコーティングし、 PETフィルム (マイラ一 D、帝人デュポンフィルム株式会社製、 75 m)でラミネートした後、紫外線ランプを用いて lj/cm²の紫外線を照射した。

実施例 8

[0155] [実施例 a8] ロール状の SUS304箔（厚さ 100 μ m)と、 PETフィルム（A— 4100、東洋紡績株式会社製)にバイロン UR— 1350 (接着剤、東洋紡績 (株)製)を乾燥塗布厚が 20 mとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状の PETフィルム付き SUS箔を作製した。ラミネート条件は、ロール温度 120°C、プレヒート 120°C30秒、圧力 3MPa、ラインスピード 0. 5mZminとした。次いで、実施例 a7と同様にロールからロールへ連続的に行ったこと以外は、実施例 a3と同様にして、上記 PETフィルム付き SUS箔をエッチングし、 SUS箔に格子模様状のパターン（ライン幅 15 /ζ πι、ピッチ 300 /ζ πι、凸部の高さ 20 /ζ πι、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を長尺で形成した。 SUS箔に形成された凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. 4 mであったのに対し、凹部の表面粗さ Rz = 5. であった。さら〖こ、上記で得られたロールに巻き取られている、格子模様状のパターンが形成された SUS箔を用いて、図 26に示すような装置に通紙した。つなぎ目は、マイラーテープで貼り合わせて、フープ状導電性基材とした。

まず初めに、上記で得られた PETフィルム付き SUS箔 (フープ状導電性基材）にェツチング槽（図 26— 129)通過させた後、フープ状導電性基材を陰極として、それを電解銅めつき用の電解浴（(硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 100gZL、カパラシド H L (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30°C)に続けて 2個 (図 26— 130、 150)通し、それぞれ含燐銅を陽極として電流密度を 30AZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが l /z mになるまでめつきした。 PETフィルム付き SUS箔の凸部の上面は連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径 0. 3 m程度の粒状の銅が非連続的に析出した。水洗後、実施例 alと同様の黒ィ匕処理を黒化処理槽 (図 26— 151)で行った後、黒化処理された金属は、接着槽を有する PETフィルム 136に連続的に転写された。転写後、 SUS箔の凹部、側部に残存する銅を、エッチング槽（図 26— 129) (lOOgZl過硫酸アンモ-ゥム水溶液、液温 4 0°C)で除去した。ロール状の状態力も巻きだした実施例 a3で用いた粘着フィルム（図 26— 136)に連続的に導体層が転写され、ライン幅 15 /ζ πι、ラインピッチ 300 m 、厚さ 1 mで、黒化処理の施された導体層パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された導体層パターン付き粘着フィルム（図 26— 138)が得られた。上記 PETフィルム付き sus箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ SUS板に残存し、粘着フィルムに転写されることはな力つた。このようにして、銅めつき、黒化処理、転写、残銅除去の工程を、

1ラインで行うことができた。

[0157] 上記で得られた導体層パターン付き粘着フィルムの粘着剤面 (銅めつきを転写した面)を厚さ 2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度 25°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード 0. 5m/minとした。ロールラミネートによって、厚さ 1 mの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。

[0158] [比較例 al]

ステンレス（SUS304)板にドライフィルムフォトレジスト（HY— 920 (日立化成工業（株）製、厚み 20 /z m)をロール温度 100°C、線圧 0. 3MPa、ラインスピード lmZmin で貼り合わせた。次に、光不透過部のライン幅 30 m、ラインピッチ 300 mのネガノターンを、レジストフイルムを貼り合わせたステンレス板上に静置し、 lOOmj/cm² の条件でネガパターンの上力も UV照射した。 1%炭酸ナトリウム水溶液で現像して、 SUS板の上に幅 30 mの溝を有するレジストフイルムを形成した。次いで、 150°Cで 1時間の条件で加熱硬化させた。

[0159] 次に、上記レジストを形成した SUS板を陰極として電解銅めつき用の電解浴〔硫酸銅（5水塩） 100gZL、硫酸 180gZL、トップルチナ H— 380 (奥野製薬工業株式会社製、添加剤）（これは何ですか？） 2. 5mlZLの水溶液、 30°C]中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を 3A/dm²として、レジストの溝が完全に埋まるように、 20 m厚でめっきした。

次いで、実施例 alと同様にして、めっきされた金属を粘着フィルムに転写した。

[0160] 上記のめっきと転写の操作を 3回行ったところ、粘着フィルムへの転写不良が発生した。顕微鏡で観察したところ、レジストが一部 SUSから剥離しており、剥離したレジストの下に金属が析出しているため、金属が溝力抜けずに転写不良が発生していることを確認した。 [0161] 以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターンの異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性（300MHz)、パターンを有する導電性基材の 30回めつき、剥離を繰り返した後の導電性基材の耐久性を評価した結果を図 27に示す。

[0162] 導電性基材上に榭脂等の絶縁物でパターンを形成して作製した導体層パターンでは、ノ《ターン状にめっきされた金属を、例えば粘着フィルムに転写する際に、粘着層がパターンを形成する絶縁物と接するため、金属パターンを転写した粘着フィルムを剥離する度に、絶縁物に剥離応力がかかる。さらに、パターン状に絶縁物が形成されているため、絶縁物の SUSへの接触面積が非常に微小であるため、パターン状にめっき→転写の工程を、数回〜数百回程度繰り返し使用することは可能であるが、数千回〜数万回の量産レベルでは、絶縁物が導電性基材から剥離してしま!/、転写不良が発生するなど、パターンの寿命が短い。

さらに、導電性基材上に榭脂等の絶縁物でパターンを形成して作製した導体層パターンでは、パターンを形成する榭脂や、導体層を導電性基材から剥離するために用いる粘着フィルムの剥離残渣等の有機物力めっき液を汚染するため、めっき液の寿命が短くなり、めっきの析出不良が発生しやすくなる。

実施例 9

[0163] [実施例 bl]

以下、実施例 9 (以下「実施例 bl」ともいう。実施例 15まで同様。）を説明する。 (上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）

レジストフイルム（フォテック H— Y920、日立化成工業株式会社製）を 10cm角のステンレス（SUS304、仕上げ 3Z4H、厚さ 100 m、日新製鋼 (株)製)板に貼り合わせた。貝占り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード lm Zminで行った。次いで、光透過部のライン幅が 30 μ m、ラインピッチが 300 μ m、バイアス角度力 S45° で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフイルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、 600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を 120mjZcm²照射した。さらに。 1 %炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、 SUS板の上にライン幅 30 m、ラインピッチ 300 μ m、バイアス角度 45° のレジストマスクを形成した。さらに、 40°Cに加温した塩化第二鉄水溶液 (45° Be '、鶴見曹達株式会社製)を用いて、 SUS板をエツチングした。エッチングは、 SUS板のライン幅が 20 /z mになるまで行った。次いで、 5%水酸ィ匕ナトリウム溶液を用いて、 SUS板の上に形成されたレジストフイルムを剥離して、格子模様状のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅 20 m、ピッチ 300 m 、凸部の高さ 15 ;ζ ΐη、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成し、上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。

[0164] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をチタン板として、カチオン型電着塗料 (Insuleed3020、日本ペイント (株)製）中で、 15V10秒、の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 190°C25分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、 2. であった。さらに、電着塗装したステンレス板を、研磨粉 (アルミナ液 B0. 05 ^ m,リファインテック（株）製）と研磨布（CONSUMABLES Buehler GMBH製）を用いて凸部の上面部分を研磨し、 SUS面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凸部の上面の端部における電着塗膜の厚さは 2. 5 m (ただし、上面の平面方向に測る）、凹部にける電着塗膜の厚さは 2. 5 mであった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。

[0165] (銅めつき）

次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めつきを行った。電解銅めつき浴 (硫酸銅（5水塩) 80gZL、硫酸 180gZL、キューブライト VF1 (荏原ユージライト株式会社製、添加剤） 20mlZLの水溶液、 25°C)中に、格子模様状にエッチングされたステンレス板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 25AZdm²として、導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さが 5 μ mになるまでめつきした。

[0166] (粘着フィルムの作製）厚さ 100 mのポリエチレンテレフタレート（PET)フィルム（A— 4100、東洋紡績株式会社製)の表面にプライマー (HP— 1、日立化成工業株式会社製)を厚さ 1 m) に、粘着層としてアクリルポリマ (HTR— 280、長瀬ケムテック製)を厚さ 10 mに順次塗布して粘着フィルムを作製した。

[0167] (転写）

この粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材の銅メツキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. IMPa 、ラインスピード lmZminとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これ〖こより、ライン幅 28 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚さ 5 μ mの金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。転写後の導電性基材を観察した結果、絶縁膜が剥離している箇所はな力つた。

[0168] (黒化処理）

上記で得られた導体層ノ《ターン付き基材をアルカリ脱脂液デグリース A ( (株)ォーデック)を 5倍希釈した水溶液に室温で 3分間浸漬し、次いで、水洗後、 10%硝酸水溶液に室温で 2分間浸漬し、さらに、水洗後、黒ィ匕処理液コパール（(株)オーデック）の 4倍希釈水溶液に浸漬して、導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付さ基材を得た。

[0169] (保護膜の形成）

上記で得られた導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、 UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホール DE、バイエル株式会社製、 75 μ m)でラミネートして導体層パターンを UV硬化型榭脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。

[0170] (繰り返し使用）

次いで、上記の導電性基材を用いて、（銅めつき）の工程、（転写)の工程及び (黒化処理)の工程を上記と同様にして 100回繰り返した結果、銅めつきの転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。

実施例 10

[0171] [実施例 b2]

(上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）

SUS板に形成される凸部のライン幅が 7 μ mになるまでエッチングしたこと以外は、実施例 blと同様にして、 SUS板上に格子模様状のパターン (ライン幅 7 /ζ πι、ピッチ 300 m、凸部の高さ 30 m、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成して、上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。

[0172] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、ァ-オン型電着塗料 (AMG— 5EZ5W、（株)シミズ製）中で、 10V60秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 180°C30分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、 2. 6 mであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉 (TypeO. 1R、： Baikalox者製）と研磨布（CONSUMABLES Buehler G MBH製)を用いて凸部の上面部分を研磨し、 SUS面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凹部にける電着塗膜の厚さは 2. 6 mであった。ただし、凸部の上面の端部における電着塗膜の厚さは 0. (上面の平面方向に測る）であった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであったこの導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。

[0173] (銅めつき黒ィ匕処理）

さらに、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅 (5水塩） 150gZL、硫酸 150gZL、カバラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 50ml/Lの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を lOAZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 3 μ mになるまでめつきした。

次いで、導電性基材の凸部上面に析出させた銅めつきに、実施例 b lと同様の条件で黒化処理を施した。

[0174] (接着フィルムの作製）

次いで、厚さ 125 mの PETフィルム (A— 4100、東洋紡績株式会社製）に下記榭脂組成物 blを乾燥塗布厚が 5 mとなるように塗布して、接着フィルムを作製した榭脂組成物 blの組成

ノィロン UR— 1350 (東洋紡績株式会社製、ポリエステル榭脂） 100重量部コロネート L (日本ポリウレタン株式会社製、イソシァネートイ匕合物） 3重量部 [0175] (転写黒化処理）

次いで、上記で得た接着フィルムの接着剤面と、上記導電性基材の銅めつき及び黒化処理を施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 100°C、圧力 0. lMPa、ラインスピード 0. 3mZminとした。接着剤のガラス転移点 (Tg)を超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。次いで、導電性基材から接着フィルムを剥離すると、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が接着剤表面に転写された。このようにして、ライン幅 11 m、ラインピッチ 300 m、導体厚 3 mで、さらに黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を得た。

[0176] (保護膜の形成）

上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例 blと同様にして UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコ一ティングした後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡 (株)製、 75 m)の易接着処理を施して、な、面を、 UV硬化型榭脂とでラミネートして導体層パターンを UV硬化型榭脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して U V硬化型榭脂を硬化させた後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡 (株)製、 75 m) を剥離して、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。

[0177] (繰り返し使用）

上記の導電性基材を用いて、（銅めつき黒化処理)の工程及び (転写黒ィ匕処理)の工程を上記と同様にして 100回繰り返した結果、銅めつきの転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されなカゝつた。

実施例 11

[0178] [実施例 b3]

ステンレス（SUS304 仕上げ H 竹内金属箔粉 (株)製、厚さ 100 m)を用いて、凸部のライン幅が 15 mとなるまでエッチングした以外は、実施例 blと同様の条件で行い、格子模様状のパターン（ライン幅 15 m、ピッチ 300 m、凸部の高さ 20 m、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成して、上面を有する凸部のバターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。

[0179] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料 (UC— 2000、（株)シミズ製）中で、 30V60秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 3jZcm 2の照射条件で硬化した。電着塗料の塗布厚は、 3. 9 mであった。さらに電着塗装したステンレス板を、 #4000の研磨紙で研磨し、この導電性基材の凹部にける電着塗膜の厚さは 3. 9 mであった。ただし、凸部の上面の端部における電着塗膜の厚さは 0. 5 m (上面の平面方向に測る）であった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。

[0180] (銅めつき黒ィ匕処理）

次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 100gZL、カバラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 30AZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 1 μ mになるまでめつきした。

めっき後、実施例 blと同様の工程で銅めつき上に黒ィ匕処理を行った。

[0181] (粘着フィルムの作製）

次いで、厚さ 100 /z mの PETフィルム (A— 4100、東洋紡績株式会社製）の易接着面に下記の榭脂組成物 2を乾燥塗布厚が 15 mとなるように塗布して粘着フィルムを作製した。

(榭脂組成物 b2の組成）

AS—406 (—方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ） 100重量部テトラド X(三菱ガス化学株式会社製、硬化剤） 2重量部

[0182] (転写黒化処理）

上記で得られた粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材に銅めつき及び黒ィ匕処理した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. lMPa、ラインスピード lmZminとした。次いで、導電性基材から粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅 (黒化処理されたもの）が粘着フィルムの接着剤表面に転写されていた。このようにして、ライン幅 17 m、ラインピッチ 300 m、導体厚 1 μ mで、さらに黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。

[0183] (電磁波遮蔽体の作製）

上記で得られた導体層パターン付き基材の粘着剤面 (導体層パターンを有する面) を厚さ 2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度 25 。C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード 0. 5mZminとした。ロールラミネートによって、厚さ 1 μ mの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。

[0184] (繰り返し使用）

上記の導電性基材を用いて、（銅めつき黒ィ匕処理)の工程、（転写黒化処理）の工程を上記と同様にして 100回繰り返した結果、銅めつきの転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。

実施例 12

[0185] [実施例 b4]

(近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムの作製）

厚さ 100 μ mの PETフィルム（マイラー D、帝人デュポンフィルム株式会社製）の表面に下記赤外線吸収剤を含有する榭脂組成物 3を乾燥後の厚みが 10 μ mになるように塗布して、近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムを作製した。

(榭脂組成物 b3の組成）

BR— 80 (三菱レーョン株式会社製、PMMA) 100重量部

IRG— 022 (日本ィ匕薬株式会社製、ジィモ -ゥム塩系赤外線吸収剤） 3. 3重量部 IR— 12 (日本触媒株式会社製、フタロシアニン系赤外線吸収剤） 1. 5重量部トノレェン 60重量部

メチルェチルケトン（MEK) 300重量部

次いで、離型 PETフィルム（S— 32、帝人デュポン (株)製)の離型処理面に榭脂組成物 4を、乾燥塗布厚が 8 mとなるように塗布した。近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムの榭脂を塗布した面に、榭脂組成物 4を塗布したフィルムを貼り合わせ、近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを作製した。

(榭脂組成物 b4の組成）

HTR— 860— P3 (長瀬ケムテック株式会社製、アクリルポリマ） 100重量部コロネート L (日本ポリウレタン株式会社製、イソシァネートイ匕合物） 3重量部トルエン 100重量部

酢酸ェチル 300重量咅

[0186] (導体層パターン付き基材等の作製）

粘着フィルムとして、上記で得た近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルム (ただし、離型 PETフィルムを剥がして使用）を用いたこと以外は、全て実施例 blと同様にして、導体層パターン付き基材及び導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材を製造した。

[0187] (電磁波遮蔽体の作製）

上記で得られた導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に紫外線硬化型榭脂 (ヒタロイド 7851、日立化成工業株式会社製）をコーティングし、さらに、ポリカーボネートフィルム（マクロホール DE、バイエル株式会社製、 75 m)をラミネートした後、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射し、導体層パターンを榭脂で被覆した。次いで、上記で得られたフィルムの導体層パターンが形成されている面とは反対の面に粘着層を形成し、 3mm厚の PM MA板 (コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。

[0188] (繰り返し使用）

上記の導体層パターン付き基材を作製するときに使用した絶縁膜を有する導電性基材を用いて、（銅めつき黒ィ匕処理)の工程、（転写黒ィ匕処理)の工程を実施例 b2と同様にして 100回繰り返した結果、銅めつきの転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。

実施例 13

[0189] [実施例 b5]

前記実施例 b2の（接着フィルムの作製）において、榭脂組成物 blの乾燥塗布厚を 10 /z mとしたこと以外は、実施例 b2と同様に行い、導体層パターン付き基材を製造した。

さらに、この導体層パターン付き基材を、 80°Cに加温した下記の黒ィ匕処理液に 3分間浸漬して、導体層を黒化処理して表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を製造した。

(黒化処理液の組成）

上記で得られた表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を用いて、実施例 b4の (電磁波遮蔽体の作製)と同様にして電磁波遮蔽部材を得た。

さらに、前記の導体層パターン付き基材を作製するときに使用した絶縁膜を有する導電性基材を用いて、（銅めつき）の工程、（転写）の工程及び (黒ィ匕処理)の工程を実施例 b2と同様にして 100回繰り返した結果、銅めつきの転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。

実施例 14

[0190] [実施例 b6]

ロール.トウ.ロールでの連続生産を目的として、直径 150mm、幅 200mmのステンレス製ロールの表面に、実施例 b 1と同様の方法を適用して格子模様状のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅 20 μ m、ピッチ 300 μ m、凸部の高さ 15 m、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。次いで、上記のステンレス製のロールを陰極にして、陽極をチタン板として、カチオン型電着塗料 (Insuleed3020、日本ペイント (株)製）中で、 15V10秒、の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス製のロールに電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 190°C25 分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、 2. であった。

さらに、上記で電着塗装を施したステンレス製のロールの表面を、やはり実施例 bl と同様の方法を適用して表面研磨して、凸部の上面を露出させた。このようにして作製された凹部が絶縁層で覆われたステンレス製のロールを用いて、図 24に示した装置構成で電気銅めつきした。陽極 102には酸化イリジウムでコーティングしたチタン製の不溶性電極を用い、陰極には上記ステンレス製のロール 103をドラム電極とした。電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩) 80gZL、硫酸 180gZL、キューブライト VF1 (荏原ユージライト株式会社製、添加剤） 20mlZLの水溶液、 25°C)中に、図 24に示すように、ステンレス製ロール 103の半分を浸した。電流密度を 40AZdm²として、両極に電圧をかけて凸部の上面に析出する銅の厚みが 5 m厚になるまでめつきした。このとき。上記のステンレスロールを lmZ分の速度で回転させるようにした実施例 blで用いた粘着フィルムをロール状に巻き取り使用した。上記ステンレス口ールの凸部の上面に析出した銅と粘着フィルム（107)の粘着剤面を実施例 b 1と同様のラミネート条件で、図 24に示すように粘着フィルムを上記のステンレスロール 10 3と圧着ロール 108の間を通して連続的に貼り合わせた。次いで、ステンレスロール 1 03から粘着フィルム（107)を剥離しながら、導体層パターン (銅層）が転写された粘着フィルム、すなわち、導体層パターン付き基材（109)をロールに巻き取った。ステンレスロールから粘着フィルムを剥離すると、ライン幅 28 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 5 mの導体層パターンが粘着フィルム上に転写されていた。導体層パターン付き基材（109)の導体層パターンが転写された面に離型 PET (S 32、帝人デュボン株式会社製)をラミネートしながら巻き取ることにより、卷取り時のブロッキングを防止した。このようにして、粘着フィルムについては、ロール力も押し出し、導体層パターンを転写後はロールに巻き取る、いわゆる、ロール 'トウ'ロールで連続的に行つた。銅めつきが転写された粘着フィルムを 50m巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めつきとその転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。

[0192] 上記で得られた導体層パターンが転写されたロール状の粘着フィルムの離型 PET を剥離しながら、実施例 blで用いた前処理液及び黒ィ匕処理液にロール'トウ ·ロールで浸漬し黒化処理して、導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材を製造した。なお、卷取り時には、再度離型 PETを粘着剤面にラミネートした。得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、 UV硬化型榭脂（ァロニックス UV— 3701、東亞合成株式会社製)を 15 m厚でコーティングし、 P ETフィルム（マイラー D、帝人デュポンフィルム株式会社製、 75 m)でラミネートした後、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して、保護膜を形成した。

実施例 15

[0193] [実施例 b7]

ロール状に巻いた SUS304箔（日新製鋼 (株)製、仕上げ 3Z4H、幅 200mm、厚さ 100 /z m)と、 PETフィルム（A— 4100、東洋紡製）にバイロン UR— 1350 (接着剤、東洋紡績 (株)製)を乾燥塗布厚が 20 μ mとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状の PETフィルム付き SUS 箔を作製した。ラミネート条件は、ロール温度 120°C、プレヒート 120°C30秒、圧力 3 MPa、ラインスピード 0. 5mZminとした。次いで、ロール toロールで行うこと以外は、実施例 b3と同様の条件にして、上記 PETフィルム付き SUS箔をエッチングし、 SU S箔に格子模様状のパターン (ライン幅、すなわち、凸部上面の幅 15 /ζ πι、ピッチ 30 O ^ m,凸部の高さ 20 m、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。次いで、エッチングした PETフィルム付き SUS箔を長さ lmで切断した後、上記の PE Tフィルム付き SUS箔を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料 (U C— 2000、（株)シミズ製）中で、 30V60秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 3jZcm²の照射条件で硬化した。電着塗料の塗布厚は、 3. 9 mであった。さらに電着塗装したステンレス板を、 # 4000の研磨紙で研磨し凸部の上面のみ、導電性基材を露出させた。同様の作業で PETフィルム付き SUS箔を 10枚電着塗装し、研磨した。次いで、幅 2 00mm,長さ 10mの粘着フィルム（SGA、日立化成工業 (株)製)の粘着剤面に、上記で作製した 10枚の PETフィルム付き SUS箔の PETフィルム面を、隙間無く貼り合わせて、長さ 10mの格子模様パターンを有する PETフィルム付き SUS箔を得た。次いで、図 26に示すような装置に、表面研磨した上記格子模様パターンを有する PET フィルム付き SUS箔を通紙した。つなぎ目は、市販のガムテープを用いて貼り合わせて、フープ状の導電性支持体とした。

[0194] まず初めに、上記で得られたロール状の格子模様パターンを陰極として電解銅めつき用の 1個の電解浴（(硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 100gZL、カパラシド HL ( アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30°C) (図 26— 130) で、含燐銅を陽極として電流密度を 30AZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが: L mになるまでめつきした。水洗後、実施例 blと同様の黒化処理を黒化処理層（図 26— 150 ;この例では黒ィ匕処理槽とした)で行い、さら〖こ、防鲭処理槽（図 2 6— 151；この例では防鲭処理槽とした）を通した後、ロール状の状態力も巻きだした実施例 b3で用いた粘着フィルム（プラスチック基材、図 26— 136)にロール 137を用いて、ライン幅 17 μ m、ラインピッチ 300 m、厚さ 1 mで、黒化処理の施された導体層パターンが粘着フィルム上に連続的に転写され、導体層パターン付き基材 138 が得られた。なお、導体層パターン付き基材 138をロール状に巻き取る際には、導体層パターンの面に離型 PET(S— 32、帝人デュポン株式会社製）が接触するようにラミネートした。このようにして、銅めつき、黒ィ匕処理及び転写の工程を、 1ラインで行うことができた。上記導体層パターン付き基材 33を 50m巻き取った後も、銅めつきの転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。

上記において、本例では、エッチング槽 129は省略した。

[0195] 上記で得られた導体層パターン付き粘着フィルムの粘着剤面 (銅めつきを転写した面)を厚さ 2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度 25°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード 0. 5m/minとした。ロールラミネートによって、厚さ 1 mの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。

[0196] [比較例 bl]

[0197] 次に、上記レジストを形成した SUS板を陰極として電解銅めつき用の電解浴〔硫酸銅（5水塩） 100gZL、硫酸 180gZL、トップルチナ H— 380 (奥野製薬工業株式会社製、添加剤） 2. 5mlZLの水溶液、 30°C]中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を 3AZdm²として、レジストの溝が完全に埋まるようにめつきした。

一方、粘着フィルムとしては、実施例 blで作製したものを使用した。

この粘着フィルムの粘着剤面と、上記 SUS板の銅メツキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. lMPa、ラインスピード lmZminとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記 SUS板のレジストの溝に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。

上記のメツキと転写の操作を 3回繰り返したところで、粘着フィルムへの転写不良が発生した。転写不良の部分に対応する SUS板の部分を顕微鏡で観察したところ、レジストが一部 SUS力剥離しており、剥離したレジストの下に金属が析出しているため、金属が溝力抜けずに転写不良が発生していることを確認した。

[0198] [比較例 b2]

実施例 blで、電着塗装の条件を 150V10秒としたこと以外は、実施例 blと同様に行った。電着塗料の厚みは、 25 /z mであった。凸部の上面の導電性金属を露出させるまで電着塗装の表面を研磨した結果、図 10に示すように、凸部パターンの凹部が絶縁層で完全に埋まった形状をしていた。次いで実施例 blと同様にして銅めつきを行い、粘着フィルム上に銅めつきを転写した。（銅めつき一黒ィ匕処理)の工程と (転写黒化処理)の工程を 7回繰り返すと、絶縁膜の一部が剥離しており、 8回目のめつきを行うと、絶縁膜が剥離した箇所に銅が析出した。粘着フィルムに銅めつきを転写した結果、絶縁膜が剥離した箇所の銅めつきが転写しな力つた。

[0199] 以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターンの異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性（300MHz)、パターンを有する導電性基材の 30回めつき、剥離を繰り返した後の導電性基材の耐久性を評価した結果を図 28に示す。

実施例 16

[0200] [実施例 cl]

以下、実施例 16 (以下「実施例 cl」ともいう。実施例 23まで同様。）を説明する。レジストフイルム（フォテック H— Y920、日立化成工業株式会社製）を 10cm口のステンレス（SUS304)板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード lmZminで行った。次いで、光透過部のライン幅が 3 0 m、ラインピッチが 300 μ m、バイアス角度力 5° で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフイルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、 600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を 1 20miZcm²照射した。さらに。 1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、 SUS板の上にライン幅 30 μ m、ラインピッチ 300 μ m、バイアス角度 45° のレジストフイルムを形成した。さらに、 40°Cに加温した塩ィ匕第二鉄水溶液を用いて、 SUS板をエッチングした。エッチングは、 SUS板のライン幅が 20 mになるまで行った。次いで、 5% 水酸ィ匕ナトリウム溶液を用いて、 SUS板の上に形成されたレジストフイルムを剥離して、格子模様状のパターン（ライン幅 20 μ m、ピッチ 300 μ m、凸部の高さ 15 μ m、テーパ角 60° 凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. 3 mであったのに対し、凹部の表面粗さ Rz=4. 2 mであった。次、で、格子模様状のパターンが形成されたステンレス板 (上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材)を陰極として電解銅めつきを行った。電解銅めつき浴 (硫酸銅（5水塩) 80gZL、硫酸 180g ZL、キューブライト VF1 (荏原ユージライト株式会社製、添加剤） 20mlZLの水溶液、 25°C)中に、格子模様状にエッチングされたステンレス板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 25AZdm²として、ステンレス板の凸部の上面に析出した金属の厚さが 5 mになるまでめつきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は 30 /z mとなった。ステンレス板の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。

[0201] 厚さ 100 mのポリエチレンテレフタレート（PET)フィルム（A— 4100、東洋紡績株式会社製)の表面にプライマー (HP— 1、日立化成工業株式会社製)を厚さ 1 m) に、粘着層としてアクリルポリマ (HTR— 280、長瀬ケムテック製)を厚さ 10 mに順次塗布して粘着フィルムを作製した。

[0202] この粘着フィルムの粘着剤面と、上記ステンレス板の銅メツキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. IMP a、ラインスピード lmZminとした。この時、 SUS板の凸部上面の銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に一部分埋没した。次いで、ステンレス板に貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ステンレス板の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写した。このようにして、ライン幅 20 μ m、ラインピッチ 300 m、導体厚 5 μ mの金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。

[0203] 上記で得られた金属パターンが転写された粘着フィルムをアルカリ脱脂液デグリース A ( (株)オーデック）を 5倍希釈した水溶液に室温で 3分間浸漬した。次、で、水洗後、 10%硝酸水溶液に室温で 2分間浸漬した。さらに、水洗後、黒化処理液コパール（(株)オーデック）の 4倍希釈水溶液に浸漬し、金属パターンを黒ィ匕処理して、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。

[0204] 上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、 UV 硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコーティングし、その上からポリカーボネートフィルム（マクロホール DE、バイエル株式会社製、 75 m)でラミネートして導体層パターンを UV硬化型榭脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させた。

[0205] 一方、凸部パターンを形成したステンレス板は、粘着フィルムに銅を転写した後、 4 0°Cに加熱した lOOgZリットルの過硫酸アンモ-ゥム溶液中に浸漬し、凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に少量残存した銅を溶解した。

実施例 17

[0206] [実施例 c2]

SUS板に形成される凸部のライン幅 10 μ m、ピッチ 300 μ m、凸部の高さ 30 μ m、テーパ角が 35° になるまでエッチングしたこと以外は、実施例 clと同様にして、 SU S板上に格子模様状のパターン (凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。

凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. であったのに対し、凹部の表面粗さ Rz = 5. 5 μ mであった。

次、で、格子模様状にエッチングされたステンレス板 (上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材)を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 150gZL、硫酸 150gZL、カパラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 50mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を lOAZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 3 μ mになるまでめつきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は 16 /z mとなった。ステンレス板の凸部の上面には連続膜として銅が析出した力凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。

[0207] 次、で、銅めつきを析出させた SUS板を、 80°Cに加温した下記組成の黒ィ匕処理液に 3分間浸漬して、ステンレス板に析出した銅めつきを黒ィ匕処理した。

(黒化処理液 cl)

[0208] 厚さ 100 /z mのポリエーテルサルフォンフィルム（スミライト FS— 1300、住友ベータライト株式会社製)の表面にプライマー (HP— 1、日立化成工業株式会社製)を乾燥塗布厚が: mになるように塗布し、ついで、接着層としてポリエステル榭脂 (バイロン UR- 1400 (Tg=約 80°C)、東洋紡績株式会社製)を乾燥塗布厚が 10 μ mとなるように順次塗布して接着性フィルムを作製した。

上記接着フィルムの接着剤面と、上記ステンレス板の銅メツキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 150°C、圧力 0. 1M Pa、ラインスピード 0. 5mZminとした。接着剤の Tgを超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。上記のラミネート後、 SUS板の凸部上面の黒化処理された銅層は、接着フィルムの接着剤層に一部分埋没した。次いで、ステンレス板に貼り合わせた接着フィルムを剥離すると、上記ステンレス板の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写した。これに対し、凹部及び側部に析出した少量の銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ SUS板に残存し、粘着フィルムに転写されることはな力つた。このようにして、ライン幅 16 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 3 μ mで、さらに黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。

[0209] 上記で得られた導体層ノターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例 clと同様にして UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコ一ティングした後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡 (株)製、 75 m)の易接着処理を施してヽな、面を、 UV硬化型榭脂を介してでラミネートして導体層パターンを UV 硬化型榭脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させた後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡 (株)製、 7 5 m)を剥離した。凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する少量の銅は、実施例 clと同様にして溶解した。

実施例 18

[0210] [実施例 c3]

SUS304箔 (竹内金属箔粉 (株)製、厚さ 100 m)と、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡績 (株)製)にバイロン UR- 1350 (接着剤、東洋紡績 (株)製)を乾燥塗布厚が 20 mとなるように塗布して作製した接着フィルムをプレスで貼り合わせた。プレス条件は、 130°Cのホットプレスで、圧力 4MPaとし、 30分間プレスした。なお、圧力をかけたまま 25°Cまで冷却した後、サンプルを取り出した。上記で得られた PETフィルム付き SUS箔を、実施例 clと同様にして、 SUS箔に格子模様状のノターン (ライン幅 15 m、ピッチ 300 m、凸部の高さ 15 m、テーパ角 70° 凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様) )を形成した。

SUS箔に形成された凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. であったのに対し、凹部の表面粗さ Rz = 5. であった。

次、で、格子模様状のパターンが形成された PETフィルム付き SUS箔（上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材)を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 10 OgZL、カパラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 30AZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 1 μ mになるまでめっきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅はとなつた。

PETフィルム付き SUS箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。

[0211] 次いで、銅めつきを析出させた PETフィルム付き SUS箔を、アルカリ脱脂液デグリース A ( (株)オーデック）を 5倍希釈した水溶液に室温で 3分間浸漬した。次、で、水洗後、 10%硝酸水溶液に室温で 10秒間浸漬した。さらに、水洗後、黒化処理液コパール（ (株)オーデック）の 4倍希釈水溶液に 1分間浸漬し、 PET付き SUS箔に析出した銅めつきを黒ィ匕処理した。

[0212] 厚さ 100 μ mの PETフィルム (A— 4100、東洋紡績株式会社製）の易接着面に榭脂組成物 1を乾燥塗布厚が 20 mとなるように塗布して、粘着フィルムを作製した。

(榭脂組成物 cl)

AS—406 (—方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ） 100重量部

テトラド X(三菱ガス化学株式会社製、硬化剤） 2重量部を含む組成物。 [0213] この粘着フィルムと黒ィ匕処理された銅メツキが積層された上記 PETフィルム付き SU S箔とを前者の粘着剤面と後者の黒ィ匕処理された銅メツキが施された面があわさるように、実施例 clと同様にして貼り合わせた。この時、 SUS箔の凸部上面に形成された黒ィ匕処理された銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に一部分だけ埋没した。次いで、ステンレス箔に貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記 PETフィルム付き SU S箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。このようにして、ライン幅 17 m、ラインピッチ 300 m、厚さ 1 μ mで、黒化処理の施された金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。凸部パターンを形成した PETフィルム付き SUS箔の凹部と側部に残存する銅の溶解除去は、実施例 clと同様に行った。

[0214] 上記で得られた粘着フィルムの粘着剤面 (銅めつきを転写した面）を厚さ 2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度 25°C、圧力 0. 5M Pa、ラインスピード 0. 5mZminとした。ロールラミネートによって、厚さ 1 mの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。

実施例 19

[0215] [実施例 c4]

SUS箔 304の代わりに電解 Ni箔 (福田金属 (株)製、厚さ 35 μ m)を用いたこと以外は実施例 c3と同様に行って、 Ni箔に格子模様状のパターン (ライン幅 15 /ζ πι、ピツチ 300 m、凸部の高さ 20 m、テーパ角 60° 凸部の断面形状は曲面（図 3— d と同様)）を形成した。

次、で、格子模様状のパターンが形成された PETフィルム付き Ni箔（上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材)を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 lOOgZ L、カパラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30 °C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 30AZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 10 mになるまでめつきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は 35 /z mとなった。

PETフィルム付き Ni箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。

[0216] 厚さ 100 μ mの PETフィルム（マイラー D、帝人デュポンフィルム株式会社製）の表面に下記赤外線吸収剤を含有する榭脂組成物 2を乾燥後の厚みが 20 μ mになるように塗布して接着性フィルムを作製した。

(榭脂組成物 c2)

BR— 80 (三菱レーヨン株式会社製、 PMMA) 100重量部

IRG-022 (日本化薬株式会社製、ジィモ -ゥム塩系赤外線吸収剤） 3. 3重量部トノレェン 60重量部

メチルェチルケトン（MEK) 300重量部

[0217] 次いで、離型 PET(S— 32、帝人デュポン (株)製)の離型処理面に榭脂組成物 c3 を、乾燥塗布厚が 8 mとなるように塗布した。近赤外線吸収剤を含有する接着性フイルムの榭脂組成物 c2を塗布した面に、榭脂組成物 3を塗布したフィルムを貼り合わせ、近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを作製した。

(榭脂組成物 c3)

酢酸ェチル 300重量咅

[0218] 近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムの粘着剤面と、上記 PETフィルム付き Ni箔の銅メツキを施した面を、実施例 clと同様にして貼り合わせた。この時、 Ni箔の凸部上面の銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に一部分だけ埋没した。次いで、 Ni箔に貼り合わせた近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを剥離すると、上記 PETフィルム付き Ni箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、ごく少量の非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ Ni箔に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。

このようにして、ライン幅 35 μ m、ラインピッチ 300 μ m、厚さ 10 μ m金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。凸部パターンを形成した PETフィルム付き Ni箔の凹部と側部に残存する銅の溶解除去は、実施例 clと同様に行った。

[0219] 次いで、得られた導体層パターン付き粘着フィルムを実施例 clと同様にして、黒ィ匕処理した。さらに、黒化処理後、上記の導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、紫外線硬化型榭脂 (ヒタロイド 7851、日立化成工業株式会社製）をコーティングし、さらに、ポリカーボネートフィルム（マクロホール DE、バイエル株式会社製、 75 m)をラミネートした後、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射し、導体層パターンを榭脂で被覆した。次いで、上記で得られたフィルムの導体層パターンが形成されている面とは反対の面に粘着層を形成し、 3mm厚の PMMA板 (コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。

実施例 20

[0220] [実施例 c5]

実施例 c3と同様にして、銅めつき及び黒ィ匕処理を施した PETフィルム付き SUS箔（ライン幅 15 μ m、ピッチ 300 μ m、凸部の高さ 20 μ m、テーパ角 60° 凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。金属の厚さが l /z mになるまでめつきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は 17 mとなった。さらに、厚さ 100 /z mのポリエーテルサルフォンフィルム（スミライト FS— 1300、住友ベークライト株式会社製)の表面に下記の榭脂組成物 c4を乾燥後の厚みが 13 mとなるように塗布して接着フィルムを得た。乾燥条件は、 90°C5分とした。

(榭脂組成物 c4)

YD— 8125 (東都化成株式会社製、ビスフエノール A型フエノキシ榭脂） 100重量部、及び IPDI (日立化成工業株式会社製、マスクイソホロンジイソシァネート） 10重量部力メチルェチルケトン 330重量部及びシクロへキサノン 15重量部の混合溶媒に溶解させられた榭脂溶液。 [0221] 得られた接着フィルムと実施例 c3で得た凸部上に黒ィ匕処理した金属パターンを有する PETフィルム付きステンレス箔を、ラミネータで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 120°C、圧力 3MPa、ラインスピード lmZminとした。空冷後剥離すると、接着剤表面に、ステンレス板の凸部の上面に存在する黒ィ匕処理された金属が選択的に転写され、ライン幅 17 m、ラインピッチ 300 m、導体厚 1 μ mの導体層パターンが接着フィルム上に形成された。

転写後のステンレス板は実施例 clと同様にされ、その表面に少量残存する銅が除去された。

[0222] 上記得られた導体層パターンを有する接着フィルムを 150°Cで 60分間処理して接着剤を硬化させ、導体層パターン付き基材を得た。上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例 clと同様にして UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコーティングした後、 PETフィルム (A —4100、東洋紡 (株)製、 75 /z m)の易接着処理を施していない面を、 UV硬化型榭脂とでラミネートして導体層パターンを UV硬化型榭脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させた後、 PE Tフィルム (A— 4100、東洋紡 (株)製、 75 /z m)を剥離した。凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する少量の銅の溶解は、実施例 clと同様に行つた。これに、離型 PET(S— 32、帝人デュポン株式会社製)の離型処理面に、榭脂組成物 3を乾燥塗布厚が 20 mとなるように塗布したフィルムを、上記導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面とは反対の面に貼り合わせた。離型 PETを剥離してから、 3mm厚の PMMA板（コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。

実施例 21

[0223] [実施例 c6]

レジストフイルム（フォテック LF— 1515、日立化成工業株式会社製)を 10cm口の銅板 (厚さ 2mm)に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0 . 5MPa、ラインスピード lmZminで行った。次いで、光透過部のライン幅が 30 m 、ラインピッチが 200 μ m、バイアス角度が 30° で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフイルムを貼り合わせた銅板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、 6 OOmmHg以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を 120mjZcm² 照射した。さらに 1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、銅板の上にライン幅 30 μ m、ラインピッチ 200 μ m、バイアス角度 30° のレジストフイルムを形成した。さらに、 40°Cに加温した塩ィ匕第二鉄水溶液を用いて、銅板をエッチングした。エッチングは、銅板のライン幅が 25 mになるまで行った。次いで、 5%水酸ィ匕ナトリウム溶液を用いて、銅板の上に形成されたレジストフイルムを剥離して、格子模様状のパターン (ライン幅 25 /ζ πι、ラインピッチ 200 /ζ πι、凸部の高さ 11 /ζ πι、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. 5 /z mであったのに対し、凹部の表面粗さ Rz = 3. であった。

次いで、格子模様状のパターンが形成された銅板の表面に 0. 3 mの厚さとなるように、クロム層をスパッタリングで形成させた。クロム層を設けることにより、その上に施した銅めつきが剥離しやすくなる。このクロムをスパッタリングした銅板を陰極として電解銅めつきを行った。電解銅めつき浴 (硫酸銅（5水塩） 100g/L,硫酸 180gZL、トップルチナ H— 380 (奥野製薬工業株式会社製、添加剤） 2. 5mlZLの水溶液、 25 °C)中に、上記のクロムをスパッタリングされた銅板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 25AZdm²として、クロムをスパッタリングした銅板の凸部の上面に析出した銅の厚さが 3 μ mになるまでめつきした。クロムをスパッタリングした銅板の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径 1 m程度の粒状の銅が非連続的に析出した。さらに、銅がめっきされたクロムそうが形成されている銅板を黒ィ匕処理液 1に浸漬し、 80°C1 分間処理して、銅めつきを黒化処理した。

粘着層の厚みを 5 μ mとしたこと以外は実施例 clと同様の粘着フィルムに黒ィ匕処理された銅を転写し、ライン幅 31 μ m、ラインピッチ 200 μ m、導体厚 3 μ mの導体層パターン付き基材を作製した。銅の厚さが 3 mになるまでめつきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は 31 mとなった。さらに、転写後のクロムをスパッタリングした銅板は実施例 c 1と同様にされ、その表面に残存する銅が除去さ [0224] 上記得られた導体層パターン付き基材と厚さ 2mmのガラス板を、その基材の導体層パターンが形成されて、る面がそのガラス板に接触するようにしてラミネート（30°C 、 2. OMPa)し貼り合わせた。導体層パターンが粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽部材が得られた。

実施例 22

[0225] [実施例 c7]

ロール toロールでの連続生産を目的として、直径 150mmのステンレスロールに、実施例 clと同様の方法で格子模様状のパターン (ライン幅 20 m、ピッチ 300 m、凸部の高さ 15 m、テーパ角 60° の凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成した。凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. 3 /z mであったのに対し、凹部の表面粗さ Rz =4. 2 μ mであった。次いで、加工したステンレスロールを陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩) 80gZL、硫酸 180gZL、キューブライト VF1 (荏原ュージライト株式会社製、添加剤） 20mlZLの水溶液、 25°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。電流密度を 40AZdm²として、両極に電圧をかけて凸部の上面に析出する金属の厚さが 5 mになるまでめつきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は 30 mとなった。ステンレスロールの凸部の上面は連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径 3 μ m程度の粒状の銅が非連続的に析出した。

[0226] 実施例 clで用いた粘着フィルムをロール状で作製し、上記ステンレスロールの凸部の上面に析出した銅と粘着フィルムの粘着剤面を実施例 clと同様のラミネート条件で貼り合わせた。この時、ステンレスロールの凸部上面に形成された銅層は、粘着フイルムの粘着剤層に一部分だけ埋没した。次いで、ステンレスロールに貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ステンレスロールの凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、微量で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ SUS板に残存した。このようにして、ライン幅 30 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 5 μ mの導体層パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。さらに、導体層パターンを転写した粘着フィルム (導体層パターン付き基材)を離型 PET (S— 32、帝人デュポン株式会社製)をラミネートしながら、ロール状に巻き取った。さらに、転写後、同一ラインで実施例 c4と同様に、ステンレスロールの凹部と側部に少量残存する銅をエッチング除去してから、再びステンレスロールに銅めつきを施した。このようにして、銅めつき、粘着剤への転写、残存銅のエッチングの 3つの工程をロール 'トウ'ロールで連続的に行った。

[0227] 上記で得られた金属パターンが転写された粘着フィルムを実施例 clと同様に黒ィ匕処理して、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、 UV硬化型榭脂（ァロニックス UV - 3701、東亞合成株式会社製)を 15 m厚でコーティングし、 PETフィルム (マイラ一 D、帝人デュポンフィルム株式会社製、 75 m)でラミネートした後、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射した。

実施例 23

[0228] [実施例 c8]

ロール状の SUS304箔（厚さ 100 μ m)と、 PETフィルム（A— 4100、東洋紡製）にノィロン UR— 1350 (接着剤、東洋紡 (株)製)を乾燥塗布厚が 20 μ mとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状の PETフィルム付き SUS箔を作製した。ラミネート条件は、ロール温度 120°C、プレヒート 120°C30秒、、圧力 3MPa、ラインスピード 0. 5m/minとした。次いで、ローノレ to ロールで行うこと以外は、実施例 c7と同様にして、上記 PETフィルム付き SUS箔をェツチングし、 SUS箔に格子模様状のパターン (ライン幅 15 m、ピッチ 300 m、凸部の高さ 20 m、テーパ角 60° 、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を長尺で形成した。 SUS箔に形成された凸部の上面の表面粗さ Rz = 0. 4 mであったのに対し、凹部の表面粗さ Rz = 5. であった。さら〖こ、上記で得られたロール'トウ •ロールの SUS箔を用いて、図 26に示すような装置に通紙した。

つなぎ目は、マイラーテープで貼り合わせて、フープ状導電性基材とした。

[0229] まず初めに、上記で得られた PETフィルム付き SUS箔 (フープ状導電性基材）にェツチング槽（図 26の 129)を通過させ、適当に洗浄した後、そのフープ状導電性基材を陰極として、電解銅めつき用の電解浴（(硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 lOOgZL 、カパラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30°C) (図 26の 130)で、含燐銅を陽極として電流密度を 30AZdm²として、フープ状導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さが 1 mになるまでめつきしたところ、めつき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は 17 mとなった。 PETフィルム付き SUS箔の凸部の上面は連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径 0. 3 m程度の粒状の銅がわずかに析出した。水洗後、実施例 clと同様の黒ィ匕処理を黒ィ匕処理槽（図 26の 150)で行い、防鲭処理槽（図 26の 151)を通過させた後、連続的に転写した。転写後、 SUS箔の凹部、側部に残存する銅を、エッチング槽（図 26 の 129) (lOOgZl過硫酸アンモ-ゥム水溶液、液温 40°C)で除去した。

この後転写ロール 137を利用して、ロール状の実施例 c3で用いた粘着フィルム（図 26の 136)に連続的に導体層が転写され、ライン幅 17 μ m、ラインピッチ 300 μ m、厚さ 1 mで、黒化処理の施された導体層パターン（図 26の 138)が粘着フィルム上に選択的に転写された導体層パターン付き粘着フィルムが得られた。上記 PETフィルム付き SUS箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写されるのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなぐ SUS板に残存し、粘着フィルムに転写されることはな力つた。このようにして、銅めつき、黒化処理、転写、残銅除去の工程を、 1ラインで行うことができた。

[0230] 上記で得られた導体層パターン付き粘着フィルムの粘着剤面 (銅めつきを転写した面)を厚さ 2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度 25°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード 0. 5m/minとした。ロールラミネートによって、厚さ 1 mの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。

[0231] 以上の実施例において、導電性基材において、凸部側面のうち、テーパー角 ) が各実施例にお、て表示した角度を有する部分の上面からの深さは垂直距離にして、凸部の高さの少なくとも半分はあった。

[0232] 以上の実施例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターンの異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性 (300MHz)、パターンを有する導電性基材の 30 回めつき、剥離を繰り返した後の導電性基材の耐久性を評価した結果を図 29に示す

[0233] 導電性基材上に榭脂等の絶縁物でパターンを形成して作製した導体層パターンでは、ノ《ターン状にめっきされた金属を、例えば粘着フィルムに転写する際に、粘着層がパターンを形成する絶縁物と接するため、金属パターンを転写した粘着フィルムを剥離する度に、絶縁物に剥離応力がかかる。さらに、パターン状に絶縁物が形成されているため、絶縁物の SUSへの接触面積が非常に微小であるため、パターン状にめっき→転写の工程を、数回〜数百回程度繰り返し使用することは可能であるが、数千回〜数万回の量産レベルでは、絶縁物が導電性基材から剥離してしま!/、転写不良が発生するなど、パターンの寿命が短い。

実施例 24

[0234] [実施例 dl]

以下、実施例 24 (以下「実施例 dl」ともいう。実施例 30まで同様。）を説明する。 (ネガフィルムの仕様 1)

パターン描画部のサイズ力 300mm角で、パターン描画部の最外周から内側 30 mmの 4辺（領域 Bに対応）に光透過部のライン幅 100 μ m、ラインピッチ 300 μ m、バイアス角度 45° (正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して 45度の角度になるように配されている）の格子状パターンを形成し、さらにその内側全面 (領域 A に対応）に、光透過部のライン幅 30 m、ラインピッチ 300 m、バイアス角度 45° の格子状パターンを形成した。内側のラインはいずれも、内側と外側の境界で、外側のラインと繋がっている。このネガフィルムのパターンは図 3— dに示すパターンに対応するものである。

[0235] (上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）レジストフイルム（フォテック H— Y920、日立化成工業株式会社製）を 300mm角のステンレス（SUS304、仕上げ 3Z4H、厚さ 100 /ζ πι、日新製鋼 (株)製)板の両面に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード lmZminで行った。次いで、上記ネガフィルムの仕様 1を、レジストフイルムを貼り合わせたステンレス板の一方の面上に、重なるように静置した。紫外線照射装置を用いて、 lOOmmHg以下の真空下において、これらの積層体の上下から、紫外線を 120miZcm²照射した。次いで、 1重量％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、 S US板の上に外側に形成されたレジストパターンのライン幅 100 μ m、ラインピッチ 30 0 m、バイアス角度 45° 、内側に形成されたレジストパターンのライン幅 30 m、ラインピッチ 300 μ m、バイアス角度 45° のレジストパターンを形成した。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている。

次いで、 40°Cに加温した塩ィ匕第二鉄水溶液 (45° Be '、鶴見曹達株式会社製)を用いて、 SUS板をエッチングした。エッチングは、領域 Aにおける凸部上面の幅 (ライン幅）が 20 /z mになるまで行った。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されてヽるため、エッチングされなかった。

次いで、 5重量％水酸ィ匕ナトリウム溶液を用いて、 SUS板の上に形成されたレジストフイルム (裏面のレジストフイルムも含む）を剥離して、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。この導電性基材は、領域 Aにおいて凸部上面の幅 (ライン幅）20 m、凸部上面の間隔 (ラインピッチ） 300 /ζ πι、凸部の高さ 15 mであり、領域 Bにおいて凸部上面の幅（ライン幅）90 /ζ πι、凸部上面の間隔（ラインピッチ） 300 m、凸部の高さ 15 mであり、領域 Aのパターンと領域 Bのパターンの平面形状は、図 6と同様であった。また、領域 A及び Bにおける凹部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)であつた。

(絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をチタン板として、カチオン型電着塗料 (Insuleed3020、日本ペイント (株)製）中、 15Vで 10秒間電圧を印加して、格子模様状にエッチングされたステンレス板全面 (エッチングされて、な、裏面も含む）に電着塗装した。水洗後 100°Cで 10分間乾燥した後、 190°Cで 25分間の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、 2. 5 mであった。

さらに、電着塗装したステンレス板の凸部の上面部分を、研磨粉 (アルミナ液 BO. 0 5 m、リファインテック（株）製）と研磨布（CONSUMABLES Buehler GMBH 製)を用いて研磨し、 SUS面カゝらなる上面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凹部にける電着塗膜の厚さは 2. 5 mであった。凸部の上面の端における電着塗膜は上面と面一になつていた。この導電性基材は、領域 A及び領域 B共に凹部が薄膜絶縁膜で覆われたものであった。また、凸部凹部が存在する面と反対の面全体にも薄膜絶縁層が形成されていた。

[0237] (銅めつき）

次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めつきを行った。電解銅めつき浴 (硫酸銅（5水塩) 80gZL、硫酸 180gZL、キューブライト VF1 (荏原ユージライト株式会社製、添加剤） 20mlZLの水溶液、 25°C)中に、絶縁膜を有する導電性基材を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を lOAZdm²として、導電性基材の領域 Aの凸部の上面に析出した金属の厚さが 5 /z mになるまでめつきした。この時、領域 Bの凸部の上面に析出した金属（接地部）の厚さは 4 mであり、ピンホールは、ほとんど存在しなかった。なお、パターンが形成された面の反対面には、その面の全体が薄膜絶縁層で覆われているため、銅めつきは析出しな力つた。

[0238] (粘着フィルムの作製）

厚さ 100 mのポリエチレンテレフタレート（PET)フィルム（A— 4100、東洋紡績株式会社製)の表面にプライマー (HP— 1、日立化成工業株式会社製)を厚さ 1 m) に、粘着層としてアクリルポリマ (HTR— 280、ナガセケムテックス株式会社製)を厚さ 10 μ mに順次塗布して粘着フィルムを作製した。

[0239] (転写）

この粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材の導体層パターンが存在する面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. lMPa、ラインスピードを lmZminとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されており、転写残りもな力つた。

粘着フィルムに転写された銅めつきのパターンは、領域 Aに対応する部分力 Sライン幅 28 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 5 μ mであり、領域 Bに対応する部分 (接地部）がライン幅 97 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 4 μ mであった。転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、領域 A及び領域 Bに対応する部分のすべてで、ラインの割れは無かった。

[0240] (黒化処理）

上記で得られた導体層ノ《ターン付き基材をアルカリ脱脂液デグリース A ( (株)ォーデック）を 5倍希釈した水溶液に室温で 3分間浸漬し、次いで、水洗後、 10重量％硝酸水溶液に室温で 2分間浸漬し、さらに、水洗後、黒化処理液コパール（(株)オーデック）の 4倍希釈水溶液に浸漬して、導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材を得た。

[0241] (保護膜の形成）

上記で得られた導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターン (接地部を除く）が存在する面に、 UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 ( 日立化成工業 (株)製)を導体層パターンを完全に覆うようにコーティングし、その上にポリカーボネートフィルム（マクロホール DE、バイエル株式会社製、 75 μ m)をラミネートして、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させて、厚さ 20 mの保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。

実施例 25

[0242] [実施例 d2]

(ネガフィルムの仕様 2)

パターン描画部のサイズ力 300mm角で、パターン描画部の最外周から内側 30 mmの 4辺に光透過部のライン幅 70 μ m、ラインピッチ 350 μ m、バイアス角度 45° の格子状パターンを形成し、さらにその内側全面に、光透過部のライン幅 30 m、ラインピッチ 300 m、バイアス角度 45° の格子状パターンを形成した。内側のラインと外側のラインは、ラインピッチが異なっているので、一部繋がっていない箇所がある。このネガフィルムのパターンは図 5に示すパターンに対応するものである。

[0243] (上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）

ネガフィルムの仕様 2で作製したネガフィルムを用い、領域 Aにおける凸部上面の幅 (ライン幅）が 7 μ mになるまでエッチングしたこと以外は、実施例 dlと同様にして、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。この導電性基材は、領域 Aにおいて凸部上面の幅 (ライン幅）7 /ζ πι、凸部上面の間隔 300 m、凸部の高さ 19 mであり、領域 Bにおいて凸部上面の幅 (ライン幅）57 m、凸部上面の間隔 (ラインピッチ） 350 m、凸部の高さ 19 mであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、レジスト膜が全面に形成されていたため、エッチングされず、また、エッチング後、このレジストが除去されたことは前記と同様である。パターンの形状は、図 5の様であり、領域 Aの凸部と領域 Bの凸部が連続して、な、部分もある。領域 A及び領域 Bにおける凹部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）であった。

[0244] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、ァ-オン型電着塗料 (AMG— 5EZ5W、（株）シミズ製）中で、 10Vで 60秒間電圧を印加して、上記導電性基材の格子模様状にエッチングされたステンレス板全面 (エッチングされて!/ヽない裏面も含む）に電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 180°C30分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、 2. 6 mであった。

さらに、電着塗装した導電性基材の凸部の上面部分を、研磨粉 (TypeO. 1R、 Bai kalox者製）と研磨布（CONSUMABLES Buehler GMBH製）を用いて研磨し、上面 (SUS面)を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凹部にける電着塗膜の厚さは 2. 6 mである力凸部の上面の端付近における電着塗膜の厚さは 0. 2 mであった。また、凸部の上面の端における電着塗膜は上面と面一になつていた。この導電性基材は、領域 A及び領域 B共に凹部が薄膜絶縁膜で覆われたものであった。

[0245] (銅めつき黒ィヒ処理）さらに、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（

5水塩） 150gZL、硫酸 150gZL、カバラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 50mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を 15AZdm²として、導電性基材の領域 A の凸部の上面に析出した金属の厚さが 3 mになるまでめつきした。この時、領域 B の凸部の上面に析出した金属 (接地部）の厚さは 2. 8 mであり、ピンホールは、ほとんど存在しな力つた。なお、パターンが形成された面の反対面には、その面の全体が薄膜絶縁層で覆われているため、銅めつきは析出しなかった。次いで、導電性基材の凸部上面に析出させた銅めつきに、実施例 dlと同様の条件で黒ィ匕処理を施した。

[0246] (接着フィルムの作製）

次いで、厚さ 125 mの PETフィルム (A— 4100、東洋紡株式会社製）に下記榭脂組成物 Idを乾燥塗布厚がとなるように塗布して、接着フィルムを作製した。榭脂組成物 Idの組成

ノィロン UR— 1350 (東洋紡績株式会社製、ポリエステル榭脂） 100重量部コロネート L (日本ポリウレタン株式会社製、イソシァネートイ匕合物） 3重量部 [0247] (転写）

次いで、上記で得た接着フィルムの接着剤面と、上記導電性基材の黒化処理した銅めつきが存在する面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 100°C、圧力 0. lMPa、ラインスピード 0. 3mZminとした。接着剤のガラス転移点 (Tg)を超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。次いで、導電性基材から接着フィルムを剥離すると、上記導電性基材の凸部の上面の黒ィ匕処理された銅が接着剤表面に転写され、転写残りも無力つた。導電性基材の領域 Aの凸部の上面に析出した銅めつきを、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅 11 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 3 μ mであり、領域 Bの凸部の上面に析出した銅めつき (接地部）を、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅 63 μ m、ラインピッチ 350 μ m、導体厚 2. 8 μ mであった。接着フィルムに転写後、転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、全面において、ラインの割れは無力つた。このようにして、黒化処理が施された金属パターンが接着フイルム上に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を得た。

[0248] (保護膜の形成）

上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例 dlと同様にして UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコ一ティングした後、その上カゝら PETフィルム (A— 4100、東洋紡績 (株)製、 75 m) の易接着処理を施していない面をラミネートした。さらに、紫外線ランプを用いて 1JZ cm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させた後、 PETフィルム (A— 4100 、東洋紡績 (株)製、 75 μ m)を剥離して、厚さ 20 μ mの保護膜を有する導体層バターン付き基材を得た。

実施例 26

[0249] [実施例 d3]

(ネガフィルムの仕様 3)

パターン描画部のサイズ力 300mm角で、パターン描画部の最外周から内側 30 mmの 4辺に光透過部のライン幅 250 μ m、ラインピッチ 750 μ m、のストライプ状のノターンを、内側の描画部に対して垂直に形成した。さらに、内側全面に、光透過部のライン幅 20 μ m、ラインピッチ 250 μ m、バイアス角度 30° の格子状パターンを形成した。外側のラインが、ストライプ状であるため、内側のラインと外側のラインで一部繋がっていない箇所がある。このネガフィルムのパターンは、図 7に対応するものである。

[0250] (上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）

ネガフィルムの仕様 3で作製したネガフィルムを用い、ステンレス（SUS304 仕上げ H 竹内金属箔粉 (株)製、厚さ 100 /z m)を用いて、領域 Aの凸部の幅 (ライン幅）力 S 15 mとなるまでエッチングしたこと以外は、実施例 dlと同様の条件で行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。この導電性基材の領域 Aの凸部上面の幅 (ライン幅） 15 m、凸部上面の間隔 (ラインピッチ） 250 m、凸部の高さ 13 mであり、領域 Bに形成されたストライプ状の凸部パターンの幅 (ライン幅） 245 μ m、凸部上面の間隔 (ラインピッチ） 750 μ m、凸部の高さ 13 μ mであった。領域 Aのパターンと領域 Bのパターンの平面形状は、図 7で示すものと同様であった。領域 A及び領域 Bにおける凹部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)であつた。

[0251] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料 (UC— 2000、（株)シミズ製）中で、 30Vで 60秒間電圧を印加して、格子模様状にエッチングされたステンレス板全面 (エッチングされて、な、裏面も含む）に電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 3jZcm²の照射条件で硬化した。電着塗料の塗布厚は、 3. であった。さらに電着塗装した導電性基材の凸部の上面部分を #4000の研磨紙で研磨し、凸部の上面を露出させた。このとき、この導電性基材の凸部の上面の端における電着塗膜の厚さは 0. 5 μ mであった。

[0252] (銅めつき黒ィ匕処理）

次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 100gZL、カバラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 25AZdm²として、導電性基材の領域 A の凸部の上面に析出した銅の厚さが 6 mになるまでめつきした。この時、領域 Bの凸部の上面に析出した金属 (接地部）の厚さは 3. 5 mであり、ピンホールは、ほとんど存在しなカゝつた。なお、パターンが形成された面の反対面には、その面の全体が薄膜絶縁層で覆われているため、銅めつきは析出しなかった。次いで、導電性基材の凸部上面に析出させた銅めつきに、実施例 dlと同様の条件で黒化処理を施した。

[0253] (粘着フィルムの作製）

榭脂組成物 d2の組成

AS—406 (—方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ） 100重量部テトラド X(三菱ガス化学株式会社製、硬化剤） 2重量部 [0254] (転写黒化処理）

上記で得られた粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材の黒化処理した銅が存在する面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. lMPa、ラインスピード lmZminとした。次いで、導電性基材から粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅 (黒化処理されたもの）が粘着フィルムの接着剤表面に転写され、転写残りもなかった。導電性基材の領域 Aの凸部の上面に析出した銅めつきを、粘着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅 25 μ m、ラインピッチ 250 μ m、導体厚 6 μ mであり、領域 Bの凸部の上面に析出した銅めつきを、接着フィルムに転写して形成されたストライプ状のパターンは、ライン幅 255 μ m、ラインピッチ 750 μ m、導体厚 3. 5 μ mであつた。接着フィルムに転写後、転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、全面において、ラインの割れは無力つた。このようにして、黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を得た。

[0255] (電磁波遮蔽体の作製）

上記で得られた導体層パターン付き基材の粘着剤面 (導体層パターンを有する面）を厚さ 2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。なお、貼り合わせは、領域 Aの全面のみであり、領域 Bの全面は、ガラスからはみ出すようにした。ガラスに貼り合わせた時のラミネート条件は、温度 25°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード 0. 5m/ minとした。ロールラミネートによって、厚さ 6 mの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。

実施例 27

[0256] [実施例 d4]

(近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムの作製）

厚さ 100 μ mの PETフィルム（マイラー D、帝人デュポンフィルム株式会社製）の表面に下記赤外線吸収剤を含有する榭脂組成物 3を乾燥後の厚みが 10 μ mになるように塗布乾燥して、近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムを作製した。

(榭脂組成物 d3の組成）

BR— 80 (三菱レーョン株式会社製、PMMA) 100重量部 IRG— 022 (日本ィ匕薬株式会社製、ジィモ -ゥム塩系赤外線吸収剤） 3. 3重量部 IR— 12 (日本触媒株式会社製、フタロシアニン系赤外線吸収剤） 1. 5重量部トノレェン 60重量部

メチルェチルケトン（MEK) 300重量部

次いで、離型 PETフィルム（S— 32、帝人デュポン (株)製)の離型処理面に榭脂組成物 d4を、乾燥塗布厚が 8 mとなるように塗布 '乾燥した。近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムの榭脂を塗布した面に、榭脂組成物 d4を塗布したフィルムを貼り合わせ、近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを作製した。

(榭脂組成物 d4の組成）

酢酸ェチル 300重量咅

[0257] (導体層パターン付き基材等の作製）

粘着フィルムとして、上記で得た近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルム (ただし、離型 PETフィルムを剥がして使用）を用いたこと以外は、全て実施例 dlと同様にして、導体層パターン付き基材及び導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材を製造した。

[0258] (電磁波遮蔽体の作製）

上記で得られた導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面の領域 Aの存在する面にのみ紫外線硬化型榭脂（ヒタロイド 7851、日立化成工業株式会社製)をコーティングし、さらに、ポリカーボネートフィルム（マクロホール DE、バイエル株式会社製、 75 μ m)をラミネートした後、紫外線ランプを用いて lj/cm²の紫外線を照射し、導体層パターンを榭脂で被覆した。次いで、上記で得られたフィルムの導体層パターンが形成されている面とは反対の面に粘着層を形成し、 3mm厚の PMMA板 (コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。

実施例 28 [0259] [実施例 d5]

前記実施例 d2の（接着フィルムの作製）において、榭脂組成物 dlの乾燥塗布厚を 10 /z mとしたこと以外は、実施例 d2と同様に行い、導体層パターン付き基材を製造した。

(黒化処理液の組成）

上記で得られた表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を用いて、実施例 d4の (電磁波遮蔽体の作製)と同様にして電磁波遮蔽部材を得た。

実施例 29

[0260] [実施例 d6]

(ネガフィルムの仕様 4)

パターン描画部のサイズ力 450mm X 190mmで、パターン描画部の最外周から内側 30mmの 4辺に光透過部のライン幅 100 μ m、ラインピッチ 300 μ m、ノィァス角度 45° の格子状パターンを形成し、さらにその内側全面に、光透過部のライン幅 30 μ m、ラインピッチ 300 μ m、バイアス角度 45° の格子状パターンを形成した。内側のラインと外側のラインは、全て繋がっている。このネガフィルムのパターンは図 6 に示すパターンに対応するものである。

[0261] SUS板のサイズを 470mm X 200mmとしたこと以外は、実施例 dlと同様にして、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の領域 Aでは、凸部上面の幅 (ライン幅 ) 20 /z m 凸部上面の間隔 (ラインピッチ） 300 m、凸部の高さ 15 であり、領域 B では、凸部上面の幅 (ライン幅） 90 μ m、凸部上面の間隔 (ラインピッチ） 300 μ m、凸部の高さ 15 /z mであり、領域 Aと領域 Bの凸部凹部のパターンの平面形状は、図 6 と同様であった。また、領域 A及び領域 Bにおいて凹部の断面形状は曲面（図 3— d と同様)であった。なお、パターンが形成された面の反対面は、レジスト膜が全面に形成されていたため、エッチングされず、また、エッチング後、このレジストが除去されたことは前記と同様である。

さらに、実施例 dlの（絶縁膜を有する導電性基材の作製）において、パターンが形成された面の反対面に、市販の粘着フィルムを貼り合わせてから、電着塗装を行ったこと以外は、実施例 dlと同様にして、電着塗装、焼付け及び凸部上面の研磨を行い、領域 A及び領域 Bともに凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材を得た。

次に、図 24に示すような装置を用いて導電層パターン付き基材を連続生産した。すなわち、回転体 103としては、直径 150mm、幅 200mmの鉄製の回転体（ロール）の表面に、上記で作製した領域 A及び領域 Bともに凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材を卷きつけ、つなぎ目をテープで貼り合わせたドラム電極を用いた。なお、導電性基材を回転体に巻きつける際には、回転体と導電性基材の電気的な接続を確保するために、パターンが形成された面の反対面に貼り合わされた粘着フィルムを剥離して、 SUS表面と回転体表面が接触するように、巻きつけた。このようにして作製された回転体 103を用いて、図 24に示したような装置構成で回転体 103に電気銅めつきした。陽極 102には酸化イリジウムでコーティングしたチタン製の不溶性電極を用いた。陰極は上記ドラム電極である。電解銅めつき用の電解浴 100には、硫酸銅（5 水塩) 80gZL、硫酸 180gZL、キューブライト VF1 (荏原ユージライト株式会社製、添加剤） 20mlZLの水溶液で 25°Cの電荷液 101が収容され配管 104を通じてポンプ 105により、陽極 102と回転体 103の間に送られ、満たされている。回転体 103の約半分がこの電解液に浸漬している。電流密度を 40AZdm²となるように、両極に電圧をかけて上記導電性基材の領域 Aの凸部の上面に析出する金属の厚みが 5 μ m 厚になるまでめつきした。このとき。上記のステンレスロールを lmZ分の速度で回転させるようにした。

実施例 dlで作製した粘着フィルムをー且ロール状で巻き取り、ロール状の粘着フィルムとした。このロール状の粘着フィルムから粘着フィルム 107を巻き出し、その粘着剤層の面を上記回転体の凸部の上面に析出した金属 (銅） 106に圧着ロール 108により実施例 dlと同様のラミネート条件で、連続的に貼り合わせるとともに剥離することにより、金属 106を粘着フィルムの粘着剤層に転写して、導体層パターン付き基材 1 09を連続的に作製した。得られる導体層パターン付き基材 109はロール状に巻き取つた。このとき、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型 PET (S— 32 、帝人デュポン株式会社製)をラミネートしながら巻き取ることにより、卷取り時のプロッキングを防止した。粘着フィルムに転写されたパターンのうち、内側に形成された凸部の上面に析出した銅めつきを、粘着フィルムに転写して形成された導体層パターンは、導電性基材の領域 Aの対応する部分がライン幅 28 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 5 /z mであり、領域 Bに対応する部分 (接地部）がライン幅 97 m、ラインピッチ 300 /ζ πι、導体厚 4 mであった。ロール状に巻き取られた導体層パターン付き基材を切断し，幅方向で等間隔に 3力所サンプリングして導体層パターンを顕微鏡で観察した結果、ラインの割れは無力つた。

[0263] (黒化処理）

上記で得られた導体層パターン付き基材を、離型 PETを剥離しながら巻きだして、連続的に黒化処理を施した。まず、アルカリ脱脂液デグリース A ( (株)オーデック製）を 5倍希釈した水溶液、次いで、水洗槽、 10重量％硝酸水溶液槽、さらに、水洗槽、黒化処理液コパール（ (株)オーデック）の 4倍希釈水溶液の槽を通して、導体層バタ一ンが黒化処理された導体層パターン付き基材をロール状に巻き取った。

黒ィ匕処理後の巻き取り時には、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型 PET (S— 32、帝人デュポン株式会社製)をラミネートしながら巻き取ることにより、卷取り時のブロッキングを防止した。このようにして、粘着フィルムについては、ロールカも巻き出し、導体層パターンを転写後はロールに巻き取る、いわゆる、ロール'トゥ ·ロール (roll— to—roll)で連続的に行った。銅めつきが転写された粘着フィルムを 50m巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めつきとその転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。さらに、外側に形成されたパターンに析出した銅めつきを転写した部分にも、割れはなぐピンホールもほとんど発生しな力つた。

[0264] 上記で得られた導体層パターン付き粘着フィルムの粘着剤面 (銅めつきを転写した面)を厚さ 2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度 25°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード 0. 5m/minとした。ロールラミネートによって、厚さ 1 mの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。

実施例 30

[実施例 d7]

ロール状に巻いた SUS304箔〔日新製鋼 (株)製、仕上げ 3Z4H、幅 350mm、厚さ 100 /ζ πι〕と、 PETフィルム（Α— 4100、東洋紡績 (株）製）にノィロン UR— 1350〔接着剤、東洋紡績 (株)製〕を乾燥塗布厚が 20 μ mとなるように塗布して作製した口ール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状の PETフィルム付き SUS箔を導電性基材 (未加工)として作製した。ラミネート条件は、ロール温度 1 20°C、プレヒート 120°C30秒、圧力 3MPa、ラインスピード 0. 5mZminとした。

次いで、上記未加工のロール状の導電性基材の一方の面に、レジストフイルム（フォテック H—Y920、日立化成工業株式会社製)をロールラミネータで連続的に貼り合わせ、ロール状に巻き取った。貝占り付け条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5MP a、ラインスピード lm/minで行った。さら〖こ、実施例 d2で使用したネガフィルムを用いて、一組の領域 A及び領域 B力もなるパターンの間隔が 10mmとなるように、導電性基材に形成したレジストフイルム上に、一組の領域 A及び領域 Bカゝらなるパターンを断続的に、 30回露光した。露光は、各回、パターン形成部のみにおこなった。紫外線は、 lOOmmHg以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を 120mJ Zcm²照射した。次いで、ロールの巻き出し部と卷取り部を有する現像機に、上記パターンを露光した導電性基材をセットして、ラインスピード 2mZminで流し、現像、水洗、乾燥後、ロール状に巻き取った。現像はシャワーリングで行い、現像槽の長さは 2 m、現像液は 1重量％炭酸ナトリウム水溶液を用いた。

さらに、ロールの巻き出し部と卷取り部を有するエッチング装置に、上記で得たレジストパターンを有する導電性基材をセットし、ラインスピード 1. 5mZminで流し、エツチング、水洗、乾燥後、ロール状に巻き取った。エッチングはシャワーリングで行い、エッチング槽の長さは 4m、エッチング液は、 40°Cに加温した塩ィ匕第二鉄水溶液 (45 ° Be '、鶴見曹達株式会社製)を用いた。このようにして、一組の領域 A及び領域 B 力もなるパターンを一定間隔で配置した導電性基材を作製した。

この結果、 SUS箔に領域 Bとして凸部上面の幅 (ライン幅）57 m、凸部上面の間隔（ラインピッチ）350 /z m 凸部の高さ 19 /z mのパターン力また、領域 Aとして凸部上面の幅 (ライン幅）7 m、凸部上面の間隔 (ラインピッチ） 300 m、凸部の高さ 19 mのパターンが形成された。領域 Bと領域 Aの凸部上面は、図 5の様に一部連続していない部分があり、さらに、開口部の形状は図 6で示すものと同様であった。

一組の領域 A及び領域 Bからなるパターンのサイズは、 300mm角で、パターン描画部の最外周から内側 30mmの 4辺を領域 Bとし、その内側を領域 Aとした。この一組の領域 A及び領域 Bカゝらなるパターンを 10mmの間隔をあけて 30個作製した。

、、で、一組の領域 A及び領域 Bからなるパターンを間欠的に配置した導電性基材を、一組の領域 A及び領域 B力もなるパターンが入るサイズで、切断して、一組の領域 A及び領域 Bからなるパターンを有する導電性基材 30枚を作製した。

[0266] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

上記の一組の領域 A及び領域 Bからなるパターンを有する導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料 (UC— 2000、（株)シミズ製）中で、 30Vで 60秒間電圧を印加して、導電性基材の SUS箔表面を電着塗装した。水洗後 100°Cで 10分間乾燥した後、 3jZcm²の照射条件で紫外線を電着塗料に照射し、硬化させた。電着塗料の塗布厚は、 3. 9 mであった。さらに電着塗装したステンレス板を、 # 4000の研磨紙で研磨し、凸部の上面のみを露出させ、凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材を作製した。以上の操作を他の 29枚の上記の一組の領域 A 及び領域 Bからなるパターンを有する導電性基材に対しても行った。

凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材 30枚にっ、て、おのおのを不要部分を切断してパターンが形成されている 300mm角の大きさとした。

[0267] (フープ状導電性基材の作製）

幅 300mm、長さ 10mの粘着フィルム（SGA、日立化成工業 (株)製)の粘着剤面に、上記で作製した凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材 (300mm角） 10枚を、導電性機基材の凸部を形成した面とは反対の面を、隙間無く貼り合わせて、長さ 10 mの格子模様パターンを有する PETフィルム付き SUS箔を得た。次いで、この格子模様パターンを有する PETフィルム付き SUS箔を図 25に示すような装置のロール 1 11〜128に対し、図 25に示すようにフープ上となるように通した。粘着フィルムで貼り合わされた導電性基材をフープ状に形成する際のつなぎ目は、市販のガムテープを用いて貼り合わせた。

(導体層パターン付き基材の作製）

上記で得られたフープ状導電性基材を用い、図 25に示す装置により導体層パターン付き基材を作製した。この装置については、を用いて説明する。

まず初めに、上記で得られたフープ状導電性基材 110はロール 111〜128により、前処理槽 129、電解浴槽 130、水洗槽 131、黒化処理槽 132、水洗槽 133、防鲭処理槽 134、水洗槽 135を通って周回するように構成されている。

前処理槽 129には、 5%硫酸水溶液が収容されており、電解浴槽 130には、硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 lOOgZL及びカパラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液カゝらなり温度が 30°Cに調整された電解液が収容されている。黒ィ匕処理槽 132には、コパール (株式会社オーデック製)の 4倍希釈液が収容されている。また、防鲭処理槽 134には 0. 5%のべンゾトリアゾール水溶液が収容されている。

電解浴槽 130では、フープ状導電性基材 110を陰極とし、含燐銅を陽極として電流密度を 30AZdm²で電解銅めつきされるように構成されている。本例では、領域 A の凸部の上面に析出する金属の厚さが 3 mになるまでめつきして、導電性基材上に導体層パターン作製した。

水洗槽 131における水洗後、導電性基材上の導体層パターンは、コパール液 (株式会社オーデック製)を用いて実施例 dlと同様に黒ィ匕処理が黒ィ匕処理層 132で行われ、水洗槽 132における水洗後、防鲭処理槽 134で防鲭処理され、さらに、水洗槽 135で水洗した後、ロール状にした実施例 d3で用いた接着フィルム 136を用いて、実施例 d3と同様の条件で、圧着ロール 137を用い、導体層パターンを接着フィルム 136上に連続的に転写して、導体層パターン付き基材 138を連続的に得、これはロール状に巻き取られた。

領域 Aの凸部の上面に析出した銅めつきを、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅 11 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 3 μ mであり、領域 Bの凸部の上面に析出した銅めつきを、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅 63 μ m、ラインピッチ 350 μ m、導体厚 2. 8 μ mであった。

接着フィルムに転写後、転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、全面で、ラインの割れは無力つた。なお、導体層パターン付き基材 138をロール状に巻き取る際には、導体層パターンの面に離型 PET(S— 32、帝人デュポン株式会社製)が接触するようにラミネートした。上記導体層パターン付き基材を 50m巻き取った後も、導電性基材上に析出した銅めつきの転写性に変化が無ぐ導電性基材の凹部に形成された絶縁膜の剥離箇所も観測されなカゝつた。さらに、得られた導体層パターン付き基材の領域 Bに対応する部分 (接地部）のラインに、割れは無ぐピンホールもほとんど存在しなかった。

[0269] 次ヽで、離型 PETを剥離しながら、得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、接地部は除いて UV硬化型榭脂（ァロニックス UV— 3 701、東亞合成株式会社製）を 15 m厚でコーティングし、その上カゝら PETフィルム (マイラー D、帝人デュポンフィルム株式会社製、 75 m)をラミネートした後、紫外線ランプを用いて lj/cm²の紫外線を照射して、、わゆるロール'トウ ·ロール (roll— to -roll)で連続的に保護膜を形成して、保護槽を有する導体層パターン付き基材を得た。

[0270] [比較例 dl]

ステンレス（SUS304)板にドライフィルムフォトレジスト（HY— 920 (日立化成工業（株）製、厚み 20 /z m)をロール温度 100°C、線圧 0. 3MPa、ラインスピード lmZmin で貼り合わせた。次に、光不透過部のライン幅 30 m、ラインピッチ 300 mで、外周に光不透過の額縁部（接地部に対応）を形成したネガパターンを、レジストフイルムを貼り合わせたステンレス板上に静置し、 lOOmjZcm²の条件でネガパターンの上力も UV照射した。 1%炭酸ナトリウム水溶液で現像して、 SUS板の上に幅 30 /z mの溝を有するレジストフイルムを形成した。次いで、 150°Cで 1時間の条件で加熱硬化させた。

[0271] 次に、上記レジストを形成した SUS板を陰極として電解銅めつき用の電解浴〔硫酸銅（5水塩） 100gZL、硫酸 180gZL、トップルチナ H— 380 (奥野製薬工業株式会社製、添加剤） 2. 5mlZLの水溶液、 30°C]中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を 3AZdm²として、レジストで形成したライン部の溝が完全に埋まるようにめつきした。

一方、粘着フィルムとしては、実施例 dlで作製したものを使用した。

この粘着フィルムの粘着剤面と、上記 SUS板の銅メツキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. lMPa、ラインスピード lmZminとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記 SUS板のレジストの溝に析出した銅が粘着フィルムに転写されていたが、額縁部に形成した銅 (接地部）は一部、転写されずに導電性基材に残ってしまう箇所が発生した。さらに、正常に転写した部分の接地部を観察した結果、銅の皮膜に割れが発生していた。

[0272] [比較例 d2]

実施例 dlで、ネガフィルムで領域 Bに対応する部分をパターン化せずに光不透過部とし、導電性基材の上記領域 Bに対応する部分の全面をめつきして得られる導体層パターン付き基材の接地部を形成したこと以外は、全て実施例 dlと同様にして、黒化処理を施した導体層パターン付き基材を作製した結果、接地部の銅にピンホールが多数発生しており、さらに、その接地部には、全面にわたって、割れが発生して、ることを確認した。

[0273] 以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターンの異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性（300MHz)、パターンを有する導電性基材の 30回めつき、剥離を繰り返した後の導電性基材の耐久性を評価した結果を図 30に示す。

実施例 31

[0274] [実施例 el]

以下、実施例 31 (以下「実施例 el」ともいう。実施例 35まで同様。）を説明する。 (上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）

レジストフイルム（フォテック H— Y920、 20 μ m厚、日立化成工業株式会社製)を 1 Ocm角のステンレス（SUS304、仕上げ 3Z4H、厚さ 100 /ζ πι、日新製鋼 (株)製)板の両面に貼り合わせた。貝占り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード lmZminで行った。次いで、光透過部のライン幅が 40 m、ラインピツチが 300 μ m、バイアス角度が 45° (正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して 45度の角度になるように配されている）で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフイルムを貼り合わせたステンレス板の一方の面上に静置した。

紫外線照射装置を用いて、 600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を 120miZcm²照射した。さらに。 1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、 SUS板の上にライン幅 40 m、ラインピッチ 300 m、バイアス角度 45° のレジストマスクを形成した。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている。

次いで、 40°Cに加温した塩ィ匕第二鉄水溶液 (45° Be '、鶴見曹達株式会社製)を用いて、 SUS板をエッチングした。エッチングは、 SUS板のライン幅（凸部上面の幅）が約 7 mになるまで行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめつき用導電性基材（中間品）を作製した。レジストマスクの上カゝら顕微鏡で観察したところ、ラインの幅（凸部上面の幅）は 5〜8 /ζ πιであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった。

(絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材（中間品）を陰極にして、陽極をステンレス（SUS 304) 板として、カチオン型電着塗料 (Insuleed3020、日本ペイント (株)製）中で、 15V10 秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後 1 00°C10分間乾燥した後、 2%水酸ィ匕ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離し、次いで、窒素気流下、 230°Cで 40分間電着塗膜を焼付けした。炉内の酸素濃度は 1% であった。電着塗料の塗膜厚は、 2. であった。このようにして得られた凹部が絶縁膜で覆われためっき用導電性基材は、その断面が図 11— eに示すように凹部に選択的に絶縁膜が形成されたものであった。

[0276] (銅めつき）

次いで、上記で得られためっき用導電性基材の凹凸のパターンが形成されていな V、面 (裏面）に粘着フィルム (ヒタレックス K— 3940B、日立化成工業 (株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として電解銅めつきを行った。電解銅めつき浴 (硫酸銅（5水塩） 230gZL、硫酸 55gZL、キューブライト # 1AHH (荏原ユージライト株式会社、添加剤) 4mlZLの水溶液、 25°C)中に、上記めつき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極としてに浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 5AZdm²として、めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さが 5 μ mになるまでめつきした。

[0277] (転写用粘着フィルムの作製）

厚さ 100 mのポリエチレンテレフタレート（PET)フィルム（A— 4100、東洋紡績株式会社製)の表面にプライマー (HP— 1、日立化成工業株式会社製)を厚さ 1 m) に、粘着層としてアクリルポリマ (HTR— 280、長瀬ケムテック製)を厚さ 10 mに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製した。

[0278] (転写）

上記転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めつき用導電性基材の銅メツキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 2 5°C、圧力 0. lMPa、ラインスピード lmZminとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めつき用導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅 11〜18 /ζ πι、ラインピッチ 300 μ m、導体厚さ 5 μ mの格子状金属パターン力もなる導体層パターン付き基材が得られた。転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁膜が剥離して、る箇所はな力つた。

[0279] (保護膜の形成）

上記で得られた導体層ノターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、 UV 硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホール DE、バイエル株式会社製、 75 μ m)でラミネートして導体層パターンを UV硬化型榭脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて UZc m²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。

[0280] (繰り返し使用）

次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めつき一転写の工程を上記と同様にして 250回繰り返した結果、銅めつきの転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。また、得られた導体層パターン付き基材 (保護膜付き)の可視光透過率は 80%以上であった。

実施例 32

[0281] [実施例 e2]

10cm角のステンレス（SUS304、仕上げ 3Z4H、厚さ 100 m、日新製鋼（株）製 )に 400メッシュのポリエステル製スクリーン版にライン幅が 40 μ m、ラインピッチが 22 5 m、バイアス角度力 5° で、格子状のパターンを形成した版を用い、アルカリ除去型エッチングレジストインク（226Black、 Nazdar Company製）を塗布した後、スキージで余分なレジストインクを 50mmZminの速度でかき取った。また、もう一方の面には、上記レジストインクを全体に塗布した。乾燥炉を用いて 120°Cで 5分乾燥させ、 SUS板の一方の面上にライン幅 40 μ m、ラインピッチ 225 μ m、バイアス角度 4 5° のレジストマスクを形成し、他方の面全体にレジスト膜を形成した。さらに、 40°C に加温した塩化第二鉄水溶液 (45° Be '、鶴見曹達株式会社製)を用いて、 SUS板をエッチングした。エッチングは、 SUS板に形成される凸部の上面の幅 (ライン幅）が 30 mになるまで行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめつき用導電性基材（中間体)を作製した。レジストマスクの上カゝら顕微鏡で観察したところ、ラインの幅は 29〜32 μ mであった。 [0282] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、ァ-オン型電着塗料 (AMG— 5EZ5W、（株)シミズ製）中で、 10V60秒の条件で、上記めつき用導電性基材（中間体)に電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 2%水酸ィ匕ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離し、次いで、 180°C30分の条件で窒素気流下電着塗膜を焼付けた。炉内の酸素濃度は 0. 5%であった。電着塗料の塗布厚は、 3. l /z mであった。このようにして得られた凹部が絶縁膜で覆われためっき用導電性基材は、その断面が図 11— eに示すように凹部に選択的に絶縁膜が形成されたものであった。

[0283] (銅めつき）

さらに、上記で得られためっき用導電性基材の凹凸のパターンが形成されていない面 (裏面）に粘着フィルム (ヒタレックス K— 3940B、日立化成工業 (株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 250gZL、硫酸 70gZL、キュ一ブライト AR (荏原ユージライト株式会社製、添加剤) 4mlZLの水溶液、 25°C)中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を² OAZdm²として、めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さが 3 μ mになるまでめつきした。

[0284] (転写）

次いで、実施例 elで得たのと同一の転写用粘着フィルムをその粘着層力上記めつき用導電性基材の銅めつきを施した面に接するように、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. lMPa、ラインスピード 1 mZminとした。次いで、めっき用導電性基材力粘着フィルムを剥離すると、上記めつき用導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着層表面に転写された。このようにして、ライン幅 34〜38 μ m、ラインピッチ 225 μ m、導体厚 3 μ mの格子状金属パターンが接着フィルム上に転写され、導体層パターン付き基材を得た。

[0285] (保護膜の形成）

上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例 elと同様にして UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコ一ティングした後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡績 (株)製、 75 m)の易接着処理を施してヽな、面を、 UV硬化型榭脂とでラミネートして導体層パターンを UV硬化型榭脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させた後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡績 (株)製、 75 m)を剥離して、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。

[0286] (繰り返し使用）

上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めつき一転写の工程を上記と同様にして 250回繰り返した結果、銅めつきの転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。また、得られた導体層パターン付き基材 (保護膜付き)の可視光透過率は 80%以上であった。

実施例 33

[0287] [実施例 e3]

直径 150mm、幅 200mmのステンレス製ロールの表面に、レジストフイルム（フォテック H— Y920、 20 /z m厚、日立化成工業株式会社製)を巻き付けて、室温でハンドロールを用い圧力をかけて貼り合わせた。次いで、光透過部のライン幅が 35 m、ラインピッチが 275 μ m、バイアス角が 45° で、格子状に形成されたネガフィルムを、レジストフイルムの上力も巻き付け、平行露光機の下で手で回しながら露光した。さらに 1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することによってステンレス製ロールの表面にライン幅 60 μ m、ラインピッチ 275 μ mのレジストマスクを形成した。曲面上にネガフィルムを巻き付けている部分に平行露光機で露光したためネガフィルムのライン幅よりもレジストマスクのライン幅は太くなつた。さらに、 40°Cに加熱した塩ィ匕第二鉄溶液を用いて、ステンレス製のロールをエッチングし、ステンレス製ロールの表面に格子模様状のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅20〜27 111、ピッチ 275 m、凸部の高さ 30 m)を形成した。この段階で凸部上面上にレジストマスクはまだ残存している。

次いで、上記のステンレス製のロールを陰極にして、陽極をステンレス（SUS304) 板として、カチオン型電着塗料 (Insuleed3020、日本ペイント (株)製）中で、 15V10 秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス製のロールに電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 2%水酸ィ匕ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離した。 230°C40分の条件でアルゴン雰囲気下で焼付けした。その時の酸素濃度は 2%であった。電着塗料の塗布厚は、 2. であった。

図 24に示すような装置構成で回転体 103に電気銅めつきした。陽極 102には白金でコーティングしたチタン製の不溶性電極を用いた。陰極には上記ステンレス製の口ールをドラム電極とした。電解銅めつき用の電解浴 100には、硫酸銅（5水塩） 70gZ L、硫酸 180gZL、カバラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 20mlZ Lの水溶液で 25°Cの電解液 101が収容され配管 104を通じてポンプ 105により、陽極 102と回転体 103の間に送られ、満たされている。回転体 103の約半分がこの電解液に浸漬している。電流密度を 7AZdm²となるように、両極に電圧をかけて上記導電性基材の領域 Aの凸部の上面に析出する金属の厚みが 2 m厚になるまでめつきした。このとき。上記のステンレスロールを lmZ分の速度で回転させるようにした実施例 elで作製した粘着フィルムをー且ロール状で巻き取り、ロール状の粘着フィルムとした。このロール状の粘着フィルムから粘着フィルム 107を巻き出し、その粘着剤層の面を上記回転体 (ステンレスロール)の凸部の上面に析出した金属 (銅） 106 に圧着ロール 108により実施例 elと同様のラミネート条件で、連続的に貼り合わせるとともに剥離することにより、金属 106を粘着フィルムの粘着剤層に転写して、導体層ノターン付き基材 109を連続的に作製した。導体層パターン付き基材 109はロール状に巻き取られた（図示せず)。また、このとき、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型 PET(S— 32、帝人デュポン株式会社製)をラミネートしながら巻き取ることにより、卷取り時のブロッキングを防止した。導体層パターンは、ライン幅 22 〜31 m、ラインピッチ 275 μ m、導体厚 2 μ mであった。銅めつきが転写された粘着フィルムを 50m巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めつきとその転写性に変化が無ぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されな力つた。

得られた導体層パターン付き基材の一部を切り取り、導体層パターンが形成されている面に、 UV硬化型榭脂（ァロニックス UV— 3701、東亞合成株式会社製)をアプリケータ (ヨシミツ精機株式会社製、 YBA型）を用いて 15 m厚でコーティングし、 PE Tフィルム（マイラー D、帝人デュポンフィルム株式会社製、 75 m)をハンドロールを用、て気泡が入らな、ように静かにラミネートした後、紫外線ランプを用、て lj/cm² の紫外線を照射して、保護膜を形成した。

得られた導体層パターン付き基材 (保護膜付き)の可視光透過率は 80%以上であつた o

実施例 34

[実施例 e4]

ロール状に巻いた SUS304箔（日新製鋼 (株)製、仕上げ 3Z4H、幅 200mm、厚さ 100 /z m)と、 PETフィルム（A— 4100、東洋紡製）にバイロン UR— 1350 (接着剤、東洋紡 (株)製)を乾燥塗布厚が 20 μ mとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状の PETフィルム付き SUS箔（未加工)を作製した。ラミネート条件は、ロール温度 120°C、プレヒート 120°C30秒、圧力 3MPa、ラインスピード 0. 5mZminとした。

次、で、上記で作製したロール状の PETフィルム付き SUS箔（未加工)及びロール状のレジストフイルム (フォテック H— Y920、 20 μ m厚、日立化成工業株式会社製）をそれぞれ巻きだして、 SUS304箔が露出している方の面にレジストフイルムをロールラミネータで連続的に貼り合わせ、ロール状に巻き取った。貼り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード lmZminで行った。

次いで、光透過部のライン幅が 40 μ m、ラインピッチが 400 μ m、バイアス角度が 4 5° で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフイルムを貼り合わせたステンレスを一部卷出し、その上に静置した。紫外線照射装置を用いてネガフィルムの上から紫外線を 120mjZcm²照射した。露光した部分を卷取り、露光していないレジストフイルムを貼り合わせた部分を巻きだして上と同様の条件でネガフィルムを静置して紫外線を照射した。

この工程を 10回繰り返して SUS304箔上に 10パターンを露光した。これを 1%炭酸ナトリウムを使用して現像機を通して現像することで SUS箔の上にライン幅 40 μ m 、ラインピッチが 400 μ mのレジストマスクが一定間隔で配置された PETフィルム付き SUS304箔を形成した。次いで、この PETフィルム付き SUS箔をエッチングラインに通し、 SUS箔に格子模様状のパターン (ライン幅、すなわち、凸部上面の幅 9〜14 μ m、ピッチ 400 μ m、凸部の高さ 20 μ m)を一定間隔に配置した導電性基材を作製した。

[0290] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、エッチングした PETフィルム付き SUS箔をパターン毎に切断した後、個々の PETフィルム付き SUS箔毎に、それを陰極にして、陽極をステンレス（SUS304) 板として、カチオン型電着塗料 (AMG— 5EZ5W、（株）シミズ製）中で、 20V60秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後 100 °C15分間乾燥した後、 2%水酸ィ匕ナトリウムでレジストマスクを剥離し、電着塗膜を 2 00°Cで 30分の条件で窒素雰囲気下で焼付けし、凹部が絶縁層で覆われた PETフイルム付きめつき用導電性基材を得た。その時の酸素濃度は 0. 5%であった。電着塗料の塗布厚は、であった。同様の作業で凹部が絶縁層で覆われた PETフィルム付きめつき用導電性基材を合計で 10枚製造した。

[0291] (フープ状導電性基材の作製）

次、で、幅 200mm、長さ 10mの粘着フィルム（SGA、日立化成工業 (株）製）の粘着剤面に、上記で作製した 10枚の凹部が絶縁層で覆われた PETフィルム付きめつき用導電性基材の PETフィルム面を、隙間無く貼り合わせて、長さ 10mの凹部が絶縁層で覆われた PETフィルム付きめつき用導電性基材 (以下、長尺のめっき用導電性基材という）を得た。次いで、図 25に示すような装置に、上記長尺のめっき用導電性基材を通紙し、フープ状導電性基材を得た。つなぎ目は、市販のガムテープを用いて繋ぎ目の裏側から貼り合わせ、表側は銅テープ (CHO— FOIL、 50mm幅、太陽金網株式会社製)で貼り合わせた。

[0292] (導体層パターン付き基材の作製）

上記で得られたフープ状導電性基材を用い、図 25に示す装置を用い、実施例 d7 に準じて、導体層パターン付き基材を作製した。

得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンは、ライン幅 11〜16 m、ラインピッチ 400 m、厚さ 1 mであった。

上記導体層ノターンのラインを顕微鏡で観察した結果、全面で、ラインの割れは無かった。なお、導体層パターン付き基材 138をロール状に巻き取る際には、導体層パターンの面に離型 PET (S— 32、帝人デュポン株式会社製）が接触するようにラミネートした。上記導体層パターン付き基材を 50m巻き取った後も、導電性基材上に析出した銅めつきの転写性に変化が無ぐ導電性基材の凹部に形成された絶縁膜の剥離箇所も観測されなカゝつた。

[0293] 次ヽで、離型 PETを剥離しながら、得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、 UV硬化型榭脂（ァロニックス UV— 3701、東亞合成株式会社製）を 15 m厚でコーティングし、 PETフィルム（マイラー D、帝人デュポンフィルム株式会社製、 75 m)でラミネートした後、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して、、わゆるロール'トウ ·ロール (roll— to—roll)で連続的に保護膜を形成して、保護槽を有する導体層パターン付き基材を得た。

この保護槽を有する導体層パターン付き基材 (保護膜付き)の可視光透過率は 80 %以上であった。

実施例 35

[0294] [実施例 e5]

レジストフイルム（フォテック H— Y920、 20 μ mm厚、日立化成工業株式会社製）を 10cm角のステンレス（SUS304、仕上げ 3Z4H、厚さ 100 m、日新製鋼 (株)製）板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード lmZminで行った。次いで、光透過部のライン幅が 40 m、ラインピッチが 300 μ m、バイアス角度力 5° で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、 600mm Hg以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を 120miZcm²照射した。さらに。 1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、 SUS板の上にライン幅 40 m 、ラインピッチ 300 μ m、バイアス角度 45° のレジストマスクを形成した。さらに、 40°C に加温した塩化第二鉄水溶液 (45° Be '、鶴見曹達株式会社製)を用いて、 SUS板をエッチングした。エッチングは、 SUS板のライン幅が 7 mになるまで行った。次いで、 5%水酸ィ匕ナトリウム水溶液を用いて、 SUS版の上に形成されたレジストマスクを剥離して、格子模様上のパターン (ライン幅、すなわち、凸部上面の幅 5〜8 /ζ πι、ピツチ 300 m、凸部の高さ 15 m)を形成し、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。

(絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材陰極にして、陽極をステンレス（SUS304)板として、力チオン系電着塗料 (Insuleed3020、日本ペイント (株)製）中で、 15V10秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後 110°C10分間乾燥した後、 230°C40分の条件で窒素気流下で焼付けした。炉内の酸素濃度は 0. 1%であった。

電着塗料の塗布厚は、 2. 6 mであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉（TypeO. 1R、 Baikalox社製）と研磨布（マイクロクロス、 BUEHLER社製）を用いて凸部の上面を研磨し、 SUS面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。このめつき用導電性基材の凹部における電着塗膜の厚さは 2. 6 mであった。ただし、凸部上面の端部における電着塗膜の厚さは 0. 2 m (上面の平面方向に測る )であった。研磨後のライン幅、すなわち、凸部上面の幅は 5〜15 mであった。このめっき用導電性基材は、凹部は絶縁膜で覆われたものであった。

(銅めつき）

さらに、絶縁膜を有するめっき転写用版を陰極として、電解銅めつき用の電解浴（硫酸銅（5水塩) 250gZL、硫酸 50gZL、キューブライト # 1A (荏原ユージライト株式会社製、添加剤) 4ml/Lの水溶液、 25°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を 7AZdm²として、凸部上面に析出した金属の厚さが 5 μ mになるまでめつきした。

(転写）

実施例 elで作製したのと同様の粘着フィルムの粘着剤面と、上記めつき用導電性基材の銅めつきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. lMPa、ラインスピード lmZminとした。次いで、めつき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めつき転写用版の凸部の上面に析出した銅が粘着剤表面に転写された。このようにしてライン幅（凸部上面の幅） 11〜30 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚 5 μ mの金属パターンが粘着フィルム上に転写された。本発明によって作製しためっき転写用版と比較して、研磨により作製しためっき転写用版はライン幅のばらつきがあり、一部ラインのガタつきがみられた。それによつて得られた導体層パターンもライン幅のばらつきがみられた力得られた導体層パターン付き基材の可視光透過率は 80%以上であった。

(繰り返し使用）

上記のめっき一転写の工程を 250回繰り返した結果、銅めつきの転写性に変化がなぐ絶縁膜の剥離箇所も観測されなカゝつた。

[比較例 e3]

(凹部が絶縁材料で完全に埋まった例）

実施例 elと同様にして上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめつき用導電性基材（中間体)を作製した。得られた導電性基材のライン幅、すなわち、凸部上面の幅は 14〜19 m、ラインピッチは 350 μ m、凸部の高さは 20 μ mであった。次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をステンレス（SUS 304)板として、カチオン型電着塗料 (Insuleed3020、日本ペイント (株)製）中で、 120V10秒の条件で導電性基材に電着塗装した。水洗後 110°Cで 10分間乾燥した後、 2%水酸ィ匕ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離した。次いで、 230°C40分条件で窒素気流下で焼付けした。電着塗料の厚みは 20 μ mであった。レジストマスクの幅が 40 μ m であったため計算上は電着塗料がレジストマスクの幅を超えて電着されたことになる力焼付の際に樹脂が流動して平坦ィ匕したため、榭脂は凸部パターンの上面より上にはほとんどはみ出していなかった。このめつき用導電性基材は、凹部は絶縁膜で覆われたものであった。得られためっき転写用版は図 10に示すように、凸部パターンの凹部が絶縁層で完全に埋まった形状をして、た。

次、で上記めつき転写用版を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩 ) 250gZL、硫酸 50gZL、キューブライト AR (荏原ユージライト株式会社製、添加剤 ) 4mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を 25AZdm²として、凸部上面に析出した金属の厚さが 5 μ mになるまでめつきした。

さら〖こ、実施例 elで得られた粘着フィルム上に銅めつきを転写した。銅めつき一転写の工程を 11回繰り返すと、絶縁膜の一部が剥離しており、 12回目のめっきを行うと、絶縁膜が剥離した箇所に銅が析出した。粘着フィルムに銅めつきを転写した結果、絶縁膜が剥離した箇所の銅めつきが転写しな力つた。

[0296] 以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンのライン厚み、ライン幅、導電性基材からの剥離性、ノターンの異常の有無、パターンを有するめっき転写用から銅めつきの剥離を繰り返した後のめっき転写用版の耐久性を評価した結果を図 31に示す。

なお、ライン幅、ピッチは顕微鏡写真を元に実測した。ライン厚みは得られた導体層パターンを一部切り取って樹脂で注型し、断面を顕微鏡観察することにより実測した。導電性基材カゝらの剥離性は粘着フィルムに転写した銅のパターンを拡大鏡で観察し、転写不良のない場合を良好、転写不良が発生した場合を不良とした。ただし、比較例 e2及び e3に関しては、電着塗料の剥離が発生する前までの転写不良の有無を記載した。パターン異常の有無は拡大鏡を用いて肉眼にて確認した。めっき転写用版の耐久性はめつき及び剥離を繰り返した後のめっき転写用版を直接拡大鏡で観察して確認した。

実施例 36

[0297] [実施例 fl]

以下、実施例 36 (以下「実施例 fl」ともいう。実施例 42まで同様。）を説明する。 (上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）

レジストフイルム（フォテック H— Y920、日立化成工業株式会社製）を 10cm角のステンレス（SUS304、仕上げ 3Z4H、厚さ 100 m、日新製鋼 (株)製)板に貼り合わせた。貝占り合わせの条件は、ロール温度 105°C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード lm Zminで行った。次いで、光透過部のライン幅が 30 μ m、ラインピッチが 300 μ m、バイアス角度力 S45° で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフイルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、 600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を 120mjZcm²照射した。さらに。 1 %炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、 SUS板の上にライン幅 30 m、ラインピッチ 300 μ m、バイアス角度 45° のレジストマスクを形成した。さらに、 40°Cに加温した塩化第二鉄水溶液 (45° Be '、鶴見曹達株式会社製)を用いて、 SUS板をエツチングした。エッチングは、 SUS板のライン幅が 20 /z mになるまで行った。次いで、 5%水酸ィ匕ナトリウム溶液を用いて、 SUS板の上に形成されたレジストフイルムを剥離して、格子模様状のパターン (ライン幅、すなわち、凸部上面の幅 20 m、ラインピッチすなわち、凸部上面の間隔 300 m、凸部の高さ 15 m、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)を形成し、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。

[0298] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をチタン板として、カチオン型電着塗料 (Insuleed3020、日本ペイント (株)製）中で、 15V10秒、の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 190°C25分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、 2. であった。さらに、電着塗装したステンレス板を、研磨粉 (アルミナ液 B0. 05 ^ m,リファインテック（株）製）と研磨布（CONSUMABLES ビューラー社（BUEHLER)製）を用いて凸部の上面部分を研磨し、 SUS面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凸部上面端部における電着塗膜の厚さは 2. 5 111、凹部における電着塗膜の厚さは 2. であった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。

[0299] (銅めつき）

[0300] (黒化処理ー防鲭処理）

上記で得られた導電性基材上の導体層パターンをアルカリ脱脂、水洗、酸洗、水洗の順で処理した後に硫酸ニッケル 75gZL、硫酸ニッケルアンモ-ゥム 45gZL、硫酸亜鉛 38gZL、チォシアン酸ナトリウム 15gZLを含有するめつき液を使い、 50 。C、 2. 5AZdm²の条件で黒化処理層の厚さが 0. 6 mになるように黒色ニッケルめつきを行った。めっき後純水で水洗し、水溶性防鲭剤エバフィン G800 (荏原ユージライト (株)製） 20mLZL水溶液に 40°Cで 30秒間浸漬し、次いで、 50°Cで乾燥させた。黒色処理層の色むら、粉落ちは発生しな力つた。

[0301] (粘着フィルムの作製）

[0302] (転写）

この粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材の銅めつきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度 25°C、圧力 0. IMP a、ラインスピード lmZminとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これ〖こより、ライン幅 28 μ m、ラインピッチ 300 μ m、導体厚さ 5 μ mの金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。転写後の導電性基材を観察した結果、絶縁膜が剥離している箇所はな力つた。

[0303] (保護膜の形成）

実施例 37

[0304] [実施例 f2]

SUS板に形成される凸部のライン幅が 7 μ mになるまでエッチングしたこと以外は、実施例 flと同様にして、 SUS板上に格子模様状のパターン (ライン幅 7 m、ピッチ 300 m、凸部の高さ 30 m、凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成して、上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。

[0305] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、ァ-オン型電着塗料 (AMG— 5EZ5W、（株)シミズ製）中で、 10V60秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後 100°C 10分間乾燥した後、 180°C30分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、 2. 6 mであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉（TypeO. 1R、 Baikalox社製）と研磨布（CONSUMABLES, BUEHLER 社製)を用いて凸部の上面部分を研磨し、 SUS面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凸部上面端部における電着塗膜の厚さは 0. 2 μ τη,凹部にける電着塗膜の厚さは 2. であった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであったこの導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。

[0306] (銅めつき）

さらに、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅 (5水塩） 150gZL、硫酸 150gZL、カバラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 50ml/Lの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として電解銅めつき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を lOAZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 3 μ mになるまでめつきした。 [0307] (黒化処理ー防鲭処理）

上記で得られた導電性基材上の導体層パターンをアルカリ脱脂、水洗、酸洗、水洗の順で処理した後に硫酸ニッケル 62gZL、硫酸ニッケルアンモ-ゥム 40gZL、硫酸亜鉛 23gZL、チォシアン酸ナトリウム 20gZLを含有するめつき液を使い、 50 。C、 2. 5AZdm²の条件で黒化処理層の厚さが 0. 6 mになるように黒色ニッケルめつきを行った。めっき後純水で水洗し、水溶性防鲭剤エバフィン G800 (荏原ユージライト (株)製） 20mLZL水溶液に 40°Cで 30秒間浸漬し、次いで、 50°Cで乾燥させた。黒色処理層の色むら、粉落ちは発生しな力つた。

[0308] (接着フィルムの作製）

次いで、厚さ 125 mの PETフィルム (A— 4100、東洋紡績株式会社製）に下記榭脂組成物 flを乾燥塗布厚が 5 μ mとなるように塗布して、接着フィルムを作製した。榭脂組成物 flの組成

ノィロン UR— 1350 (東洋紡績株式会社製、ポリエステル榭脂） 100重量部コロネート L (日本ポリウレタン株式会社製、イソシァネートイ匕合物） 3重量部

[0309] (転写）

[0310] (保護膜の形成）

上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例 flと同様にして UV硬化型榭脂ヒタロイド 7983AA3 (日立化成工業 (株)製)をコ一ティングした後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡績 (株)製、 75 m)の易接着処理を施してヽな、面を、 UV硬化型榭脂とでラミネートして導体層パターンを UV硬化型榭脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて UZcm²の紫外線を照射して UV硬化型榭脂を硬化させた後、 PETフィルム (A— 4100、東洋紡績 (株)製、 75 m)を剥離して、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。

実施例 38

[0311] [実施例 f3]

ステンレス（SUS304 仕上げ H 竹内金属箔粉 (株)製、厚さ 100 m)を用いて、凸部のライン幅が 15 mとなるまでエッチングした以外は、実施例 flと同様の条件で行い、格子模様状のパターン (ライン幅 15 /z m ラインピッチ 300 /z m 凸部の高さ 2 O ^ m) ,凸部の断面形状は曲面（図 3— dと同様)）を形成して、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。

[0312] (絶縁膜を有する導電性基材の作製）

次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料 (UC— 2000、（株)シミズ製）中で、 30V60秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後 100°C10分間乾燥した後、 3jZcm 2の照射条件で硬化した。電着塗料の塗布厚は、 3. 9 mであった。さらに電着塗装したステンレス板を、 #4000の研磨紙で研磨し、この導電性基材の凸部の上面の端部における電着塗膜の厚さは 0. 5 m、凹部にける電着塗膜の厚さは 3. 9 mであつた o

この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。

[0313] (銅めつき）

次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めつき用の電解浴 (硫酸銅（5水塩） 180gZL、硫酸 100gZL、カバラシド HL (アトテックジャパン株式会社製、添加剤） 70mlZLの水溶液、 30°C)中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を 30AZdm²として、凸部の上面に析出した金属の厚さが 1 μ mになるまでめつきした。 [0314] (黒化処理ー防鲭処理）

上記で得られた導電性基材上の導体層パターンをアルカリ脱脂、水洗、酸洗、水洗の順で処理した後に硫酸ニッケル 100gZL、硫酸ニッケルアンモ-ゥム 30gZL、硫酸亜鉛 15g/L、チォシアン酸ナトリウム 10g/Lを含有するめつき液を使い、 50 。C、 2. 5AZdm²の条件で黒化処理層の厚さが 0. 6 mになるように黒色ニッケルめつきを行った。めっき後純水で水洗し、水溶性防鲭剤エバフィン G800 (荏原ユージライト (株)製） 20mLZL水溶液に 40°Cで 30秒間浸漬し、次いで、 50°Cで乾燥させた。黒色処理層の色むら、粉落ちは発生しな力つた。

[0315] (粘着フィルムの作製）

榭脂組成物 f2の組成

AS—406 (—方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ） 100重量部テトラド X (三菱ガス化学株式会社製、硬化剤） 2重量部

[0316] (転写）

[0317] (電磁波遮蔽体の作製）

上記で得られた導体層パターン付き基材の粘着剤面 (導体層パターンを有する面) を厚さ 2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度 25 °C、圧力 0. 5MPa、ラインスピード 0. 5mZminとした。ロールラミネートによって、厚さ 1 mの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。

実施例 39

[0318] [実施例 f4]

前記実施例 f 2の (接着フィルムの作製）において、榭脂組成物 1の乾燥塗布厚を 1 0 mとしたこと以外は、実施例 f2と同様に行い、導体層パターン付き基材を製造した。

[0319] (黒化処理一電磁波遮蔽体の作製）

さらに、この導体層パターン付き基材の導体層を、実施例 f2における黒化処理と同様の条件で黒化処理して表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を製造した。黒色処理層の色むら、粉落ちは発生しなカゝつた。上記で得られた表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を用いて、実施例 f 3の (電磁波遮蔽体の作製)と同様にして電磁波遮蔽部材を得た。実施例 40

[0320] [実施例 f5]

前記実施例 flの (黒化処理一防鲭）において、導体層パターン付き基材を、 80°C に加温した下記の黒ィ匕処理液に 3分間浸漬して、導体層表面を酸化して黒化処理された導体層パターンを有する基材を製造したこと以外は同様の導体層パターン付き基材を作製した。

(黒化処理液の組成）

上記で得られた表面が黒ィ匕処理された導体層パターンを有する基材を用いて、実施例 flと同様にして保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。その結果、導体層パターン付近に黒色粉末の粉落ちが発生し、その結果として電磁波遮蔽板としての投下光強度が図 33に示すように L*にして約 10%損なわれ、かつ導体層外観に色むらが発生した。し力しながら、電磁波シールド性をアドバンテスト法で評価した結果、 48dBであり、電磁波シールド性の低下はな力つた。実施例 41

[0321] [実施例 f6]

前記実施例 1の (黒化処理一防鲭）において、導体層パターン付き基材を、 80°Cに加温したメルテックス株式会社ェボノール Cスペシャル水溶液に 3分間浸漬して、導体層表面を酸化して黒化処理された導体層パターンを有する基材を製造した以外は同様の導体層パターン付き基材を作製した。表面が黒化処理された導体層パターンを有する基材を用いて、実施例 flと同様にして保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。その結果、導体層パターン付近に黒色粉末の粉落ちが発生し、その結果として電磁波遮蔽板としての投下光強度が図 33に示すようにし *にして約 10%損なわれ、かつ導体層外観に色むらが発生した。しかしながら、電磁波シールド性をァドバンテスト法で評価した結果、 47dBであり、電磁波シールド性の低下はな力つた。実施例 42

[0322] [実施例 f7]

前記実施例 flの (黒化処理一防鲭）において、導体層パターン付き基材を、常温で株式会社アイソレートイ匕学研究所コパーブラック No. 65水溶液に 1分間浸漬して、導体層表面を酸化して黒化処理された導体層パターンを有する基材を製造した以外は同様の導体層パターン付き基材を作製した。表面が黒化処理された導体層バターンを有する基材を用いて、実施例 flと同様にして保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。

その結果、実施例 f6と同様に導体層パターン付近に黒色粉末の粉落ちが発生し、その結果として電磁波遮蔽板としての透過光強度が図 33に示すように L*にして約 1 0%低下し、かつ導体層外観に色むらが発生した。しかしながら、電磁波シールド性をアドバンテスト法で評価した結果、 46dBであり、電磁波シールド性の低下はなかつた。

[0323] 以上の実施例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターン異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性（300MHz)、色むら、粉落ち、及び反射光、透過光強度、色度の結果を図 32及び図 33に示す。

[0324] 上記において、色むらは導体層パターン付き基材の黒色処理面の色むらを目視で確認した。粉落ちは実施例の黒ィ匕処理及び防鲭処理を行った後に次の試験を行つた。導体層パターン付き基材の黒色処理面を上にして平らな台の上に置き、水でぬらした濾紙 (アドバンテスト東洋 (株)製、定性濾紙 No. 2)を乗せ、その上に 100gの重りを置き、濾紙を 10cm移動させた後、濾紙への黒色粉末の付着の有無を観察した。反射光、透過光の色度は導体層パターン付き基材の黒色処理面を測定側にしてミノルタ株式会社製分光測色計 CM— 508dにより測定した。測定には D 光源を

65 用い、 10° 視野で行った。

[0325] 以上実施例で説明したが、本発明の実施形態 1は、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にめっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成された金属層を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0326] 本発明の実施形態 2は、上面を有する凸部の側面の傾斜角が 30° 以上である導電性基材を使用する実施形態 1の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0327] 本発明の実施形態 3は、導電性基材が、凹部の面積比率が全体の 50%以上 97% 以下である領域 A、並びに、その外側に配され、凹部の面積比率が全体の 0%又は 97%未満である領域 Bを有し、領域 Aにおける凹部の面積比率が領域 Bにおける凹部の面積比率よりも大きいものである実施形態 1又は 2の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0328] 本発明の実施形態 4は、領域 Bにおける凹部の面積比率が全体の 40%以上 97% 未満である実施形態 3の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0329] 本発明の実施形態 5は、領域 Aの凸部の上面と領域 Bの凸部の上面が、少なくとも 1力所で連続している実施形態 3又は 4の導電層パターン付き基材の製造方法である。

[0330] 本発明の実施形態 6は、上記導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程において、導電性基材上に析出した金属のうち、導電性基材の凸部の上面に形成された金属層のみを選択的に別の基材に転写する実施形態 1〜 5のいずれか 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。 [0331] 本発明の実施形態 7は、凸部の表面粗さが十点平均粗さ Rzで 2以下である導電性基材を使用する実施形態 1〜6のいずれか 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0332] 本発明の実施形態 8は、凹部の表面粗さが十点平均粗さ Rzで 3以上である導電性基材を使用する実施形態 6又は 7の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0333] 本発明の実施形態 9は、導電性基材が、少なくとも上記凸部の上面端部付近では薄膜になるように凹部を絶縁層で被覆したものである実施形態 1〜8のいずれか 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0334] 本発明の実施形態 10は、絶縁層の厚さが、凸部の高さの 1Z2以下である実施形態 9の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0335] 本発明の実施形態 11は、導電性基材が、その凹部を薄膜絶縁層で被覆されているものである実施形態 9又は 10の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0336] 本発明の実施形態 12は、導電性基材の凸部の上面の端部での薄膜絶縁層の厚さが lO /z m以下である実施形態 11の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0337] 本発明の実施形態 13は、導電性基材の凹部を被覆する薄膜絶縁層が電着塗装により形成されたものである実施形態 11又は 12の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0338] 本発明の実施形態 14は、さらに、形成された金属層の転写前又は転写後に析出した金属の表面を黒化処理する工程を含むことを特徴とする実施形態 1〜13のいずれ力 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0339] 本発明の実施形態 15は、実施形態 1〜13のいずれか 1つの製造方法を行った後

、基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含むことを特徴とする実施形態 14の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0340] 本発明の実施形態 16は、黒化処理を VIII族元素を含む黒色合金金属を形成された金属層の表面に析出させて行う実施形態 14又は 15の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0341] 本発明の実施形態 17は、黒ィ匕処理が黒色ニッケルめつきであって、硫酸ニッケルを 60〜： LOOgZL、硫酸ニッケルアンモ-ゥムを 30〜50gZL、硫酸亜鉛を 20〜40g ZL、チォシアン化ナトリウムを 10〜20gZLを含むめっき液を使った実施形態 16の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0342] 本発明の実施形態 18は、黒化処理した層の厚みが 0. 5 μ m〜3 μ mである実施形態 14〜17のいずれか 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0343] 本発明の実施形態 19は、黒ィ匕処理した層が導電性基材の上に析出した金属と密着が良ぐ導電層パターン以外の部分に粉落ちが無い実施形態 14〜18のいずれか

1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0344] 本発明の実施形態 20は、前記黒化処理後、防鲭処理工程を有する実施形態 14

〜19のいずれか 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0345] 本発明の実施形態 21は、別の基材が接着性を有する実施形態 1〜20のいずれか

1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0346] 本発明の実施形態 22は、別の基材が表面に接着剤層又は粘着剤層を有する実施形態 21の導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0347] 本発明の実施形態 23は、別の基材が、 900nm〜： L lOOnmの近赤外領域における平均透過率が 15%以下のものである実施形態 1〜22のいずれか 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0348] 本発明の実施形態 24は、上記導電性基材の凸部のパターンの高さが: L m〜10

0 m、幅が 1 μ m〜40 μ m、凸部の上面間の間隔が 100 μ m〜1000 μ mである実施形態 1〜23のいずれか 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0349] 本発明の実施形態 25は、上記導電性基材上にめっきにより金属層を形成するェ程において、導電性基材の凸部の上面において金属の厚さが 0. 1〜20 /ζ πιになるように金属を析出させる実施形態 1〜24のいずれ力 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0350] 本発明の実施形態 26は、めっきに用いる金属力 20°Cにおける体積抵抗率で 20 μ Ω /cm以下の金属を少なくとも 1種類以上含むものである実施形態 1〜25のいずれカ 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0351] 本発明の実施形態 27は、導電性基材が回転体 (ロール)である実施形態 1〜26のいずれか 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。 [0352] 本発明の実施形態 28は、導電性基材がフープ状である実施形態 1〜26のいずれ力 1つの導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0353] 本発明の実施形態 29は、上記凸部に形成された金属層を基材に転写する工程の前に、導電性基材の凸部の上面に形成された金属層を黒ィ匕処理する工程を含む実施形態 1〜28のいずれか 1つの導体層パターン付きプラスチック基材の製造方法である。

[0354] 本発明の実施形態 30は、実施形態 1〜29のいずれか 1つの製造方法を行った後

、導電性基材に残存する金属をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0355] 本発明の実施形態 31は、実施形態 1〜29のいずれか 1つの製造方法を行った後、導電性基材に残存する金属を粘着性フィルムを用いて除去する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0356] 本発明の実施形態 32は、実施形態 1〜31のいずれか 1つの導体層パターン付き基材の製造方法により製造された導体層パターン付き基材である。

[0357] 本発明の実施形態 1は、実施形態 32の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材である。

[0358] 本発明の実施形態 34は、実施形態 32の導体層パターン付き基材の導体層パターンを榭脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材である。

[0359] 本発明の実施形態 35は、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の 50%以上 97%以下である領域 A、並びに、その外側に配され、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の 40%以上 97%未満である領域 Bを有し、領域 Aにおける凹部の面積比率が領域 Bにおける凹部の面積比率よりも大きぐし力も、上記の二つの領域における凹部が少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように絶縁層で被覆されてなるめっき用導電性基材である。

[0360] 本発明の実施形態 36は、前記凹部の面積比率が、任意の lcm²毎の数値である実施形態 35のめつき用導電性基材である。 [0361] 本発明の実施形態 37は、前記凹部が薄膜絶縁層で被覆されてなる実施形態 35のめっき用導電性基材である。

[0362] 本発明の実施形態 38は、領域 A及び領域 Bにおいて凸部のパターンが網目模様からなり、また、凹部の深さが 1 μ m〜100 μ mであり、領域 Aにおいて上面の幅（ライン幅）が 1 m〜40 μ m、凸部上面の中心間隔（ライン間隔）力 100 μ m〜1000 μ mであり、領域 Bにおける凸部の上面の幅（ライン幅）が 1 μ m〜500 μ m、上面の中心間隔（ライン間隔）が 3 μ m〜5000 μ mであり、し力も、領域 Bにおいて、凸部の上面の中心間隔 (ライン間隔）が、凸部の上面の幅 (ライン幅)の 3倍以上 10倍以下である幾何学図形を有する実施形態 35のめつき用導電性基材である。

[0363] 本発明の実施形態 39は、領域 Bに形成される幾何学図形が下記（1)乃至（7)のうち少なくとも 1つの模様を含む実施形態 35のめつき用導電性基材である。

(1)メッシュ状幾何学的模様

(2)所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様

(3)所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様

(4)円模様又は楕円模様

(5)三角形模様

(6)五角形以上の多角形模様

(7)星形模様

[0364] 本発明の実施形態 40は、領域 Aの凸部の上面と領域 Bの凸部の上面が、少なくとも 1力所で連続している実施形態 35のめつき用導電性基材である。

[0365] 本発明の実施形態 41は、導電性基材をフォトリソグラフ法でエッチングすることにより凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部が形成されている実施形態 35のめつき用導電性基材である。

[0366] 本発明の実施形態 42は、実施形態 35のめつき用導電性基材上に、めっきにより金属層を形成した後、上記めつき用導電性基材の凸部の上面に形成された金属層を別の基材に転写して得られる導電層パターン付き基材である。

[0367] 本発明の実施形態 43は、めっきにより、上記めつき用導電性基材に形成される金属層が、 20°Cにおける体積抵抗率で 20 Q Zcm以下の金属である実施形態 42の導電層パターン付き基材である。

[0368] 本発明の実施形態 44は、転写された金属の表面又は裏面の少なくとも 1面に黒ィ匕処理が施されている実施形態 42の導電層パターン付き基材である。

[0369] 本発明の実施形態 45は、導電性基材の表面に光硬化性榭脂又は熱硬化性榭脂の硬化榭脂により幾何学図形状のパターンを形成する工程、導電性基材をエツチングすることにより上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を形成する工程、少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように凹部に絶縁層を形成する工程、上記光硬化性榭脂又は熱硬化性榭脂の硬化榭脂を剥離する工程を含むことを特徴とするめつき用導電性基材の製造法である。

[0370] 本発明の実施形態 46は、光硬化性榭脂ある!/、は熱硬化性榭脂がエッチングレジストである実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。

[0371] 本発明の実施形態 47は、導電性基材をエッチングするに際し、オーバーエツチングする実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。

[0372] 本発明の実施形態 48は、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、その前の凸部の高さの 1Z2以上である実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。

[0373] 本発明の実施形態 49は、導電性基材の凸部の上面の端部での絶縁層の厚さが 1

0 μ m以下である実施形態 47のめつき用導電性基材の製造法である。

[0374] 本発明の実施形態 50は、絶縁層が薄膜絶縁層である実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。

[0375] 本発明の実施形態 51は、導電性基材に絶縁層を形成する工程において、絶縁層を電着塗装により形成する実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。

[0376] 本発明の実施形態 52は、上記導電性基材の凸部の高さが 1 πι〜100 /ζ m、凸部上面の幅が 1 μ m〜40 μ m、凸部の上面の間隔が 100 μ m〜1000 μ mである実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。

[0377] 本発明の実施形態 53は、導電性基材が回転体 (ロール)又は回転体 (ロール）に卷き付けられるものである実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。

[0378] 本発明の実施形態 54は、導電性基材がフープ状である実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。 [0379] 本発明の実施形態 55は、光硬化性榭脂あるいは熱硬化性榭脂により幾何学図形状のパターンを形成する工程が、フォトリソグラフ法又は印刷法によって行われる実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。

[0380] 本発明の実施形態 56は、絶縁層を導電性基材に定着させる際に不活性ガス雰囲気下で行う実施形態 45のめつき用導電性基材の製造法である。

[0381] 本発明の実施形態 57は、不活性ガスが窒素である実施形態 56のめつき用導電性基材の製造法である。

[0382] 本発明の実施形態 58は、実施形態 35の導電性基材の凸部の上面に、めっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成された金属層を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法である。

[0383] 本発明の実施形態 59は、実施形態 42の導体層パターン付き基材を含む透光性電磁波遮蔽部材である。

[0384] 本発明の実施形態 60は、導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる実施形態 59の透光性電磁波遮蔽部材である。

[0385] 本発明の実施形態 61は、導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を榭脂で被覆してなる実施形態 59の透光性電磁波遮蔽部材である。

Claims

請求の範囲

[1] 上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にめっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。

[2] 上面を有する凸部の側面の傾斜角が 30° 以上である導電性基材を使用する請求項 1記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[3] 導電性基材が、凹部の面積比率が全体の 50%以上 97%以下である領域 A、並びに、その外側に配され、凹部の面積比率が全体の 0%又は 97%未満である領域 Bを有し、領域 Aにおける凹部の面積比率が領域 Bにおける凹部の面積比率よりも大きいものである請求項 1又は 2記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[4] 領域 Bにおける凹部の面積比率が全体の 40%以上 97%未満である請求項 3記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[5] 領域 Aの凸部の上面と領域 Bの凸部の上面が、少なくとも 1力所で連続している請求項 3に記載の導電層パターン付き基材の製造方法。

[6] 上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程において、導電性基材上に形成した金属層のうち、導電性基材の凸部の上面に形成した金属層のみを選択的に別の基材に転写する請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[7] 凸部の表面粗さが十点平均粗さ Rzで 2以下である導電性基材を使用する請求項 1 に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[8] 凹部の表面粗さが十点平均粗さ Rzで 3以上である導電性基材を使用する請求項 6 又は 7に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[9] 導電性基材が、少なくとも上記凸部の上面端部付近では薄膜になるように凹部を絶縁層で被覆したものである請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法

[10] 絶縁層の厚さが、凸部の高さの 1Z2以下である請求項 9に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[11] 導電性基材が、その凹部を薄膜絶縁層で被覆されているものである請求項 9又は 1

0に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[12] 導電性基材の凸部の上面の端部での薄膜絶縁層の厚さが 10 m以下である請求項 11に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[13] 導電性基材の凹部を被覆する薄膜絶縁層が電着塗装により形成されたものである請求項 11に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[14] さらに、形成した金属層の転写前又は転写後に形成した金属層の表面を黒ィ匕処理する工程を含むことを特徴とする請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[15] 請求項 1に記載の製造方法を行った後、基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含むことを特徴とする請求項 14記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[16] 黒ィ匕処理を VIII族元素を含む黒色合金金属を形成した金属層の表面に析出させて行う請求項 14又は 15に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[17] 黒化処理が黒色ニッケルめつきであって、硫酸ニッケルを 60〜： LOOgZL、硫酸- ッケルアンモ-ゥムを 30〜50g/L、硫酸亜鉛を 20〜40gZL、チォシアン化ナトリウムを 10〜20gZLを含むめっき液を使った請求項 16に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[18] 黒化処理した層の厚みが 0. 5 μ m〜3 μ mである請求項 14に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[19] 黒ィ匕処理した層が導電性基材の上に形成した金属層と密着が良ぐ導電層パターン以外の部分に粉落ちが無い請求項 14に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[20] 前記黒化処理後、防鲭処理工程を有する請求項 14に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[21] 別の基材が接着性を有する請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[22] 別の基材が表面に接着剤層又は粘着剤層を有する請求項 21に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[23] 別の基材が、 900nm〜： L lOOnmの近赤外領域における平均透過率が 15%以下のものである請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[24] 上記導電性基材の凸部のパターンの高さが 1 μ m〜100 μ m、幅が 1 μ m〜40 μ m、凸部の上面間の間隔が 100 μ m〜1000 μ mである請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[25] 上記導電性基材上にめっきにより金属を析出させる工程において、導電性基材の凸部の上面において金属の厚さが 0. 1〜20 mになるように金属を析出させる請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[26] めっきに用いる金属力 20°Cにおける体積抵抗率で 20 Q Zcm以下の金属を少なくとも 1種類以上含むものである請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[27] 導電性基材が回転体 (ロール)である請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[28] 導電性基材がフープ状である請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。

[29] 上記凸部に形成した金属層を基材に転写する工程の前に、導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を黒化処理する工程を含む請求項 1に記載の導体層パターン付きプラスチック基材の製造方法。

[30] 請求項 1に記載の製造方法を行った後、導電性基材に残存する金属をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。

[31] 請求項 1に記載の製造方法を行った後、導電性基材に残存する金属を粘着性フィルムを用いて除去する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。

[32] 請求項 1に記載の導体層パターン付き基材の製造方法により製造された導体層パターン付き基材。

[33] 請求項 32に記載の導体層ノターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。

[34] 請求項 32に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを榭脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。

[35] 上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の 50%以上 97%以下である領域 A、並びに、その外側に配され、上面を有する凸部のパターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の 40%以上 97%未満である領域 Bを有し、領域 Aにおける凹部の面積比率が領域 Bにおける凹部の面積比率よりも大きぐし力も、上記の二つの領域における凹部が少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように絶縁層で被覆されてなるめっき用導電性基材。

[36] 前記凹部の面積比率が、任意の lcm²毎の数値である請求項 35に記載のめっき用導電性基材。

[37] 前記凹部が薄膜絶縁層で被覆されてなる請求項 35に記載のめっき用導電性基材

[38] 領域 A及び領域 Bにおいて凸部のパターンが網目模様力もなり、また、凹部の深さカ^ m〜100 μ mであり、領域 Aにおいて上面の幅（ライン幅）が 1 m〜40 μ m、凸部上面の中心間隔（ライン間隔）が 100 μ m〜1000 μ mであり、領域 Bにおける凸部の上面の幅（ライン幅）が 1 μ m〜500 μ m、上面の中心間隔（ライン間隔）が 3 μ m 〜5000 /ζ πιであり、し力も、領域 Βにおいて、凸部の上面の中心間隔（ライン間隔） 1S 凸部の上面の幅 (ライン幅)の 3倍以上 10倍以下である幾何学図形を有する請求項 35に記載のめっき用導電性基材。

[39] 領域 Βに形成される幾何学図形が下記（1)乃至（7)のうち少なくとも 1つの模様を含む請求項 35に記載のめっき用導電性基材。

(1)メッシュ状幾何学的模様

(2)所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様

(3)所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様

(4)円模様又は楕円模様

(5)三角形模様

(6)五角形以上の多角形模様 (7)星形模様

[40] 領域 Aの凸部の上面と領域 Bの凸部の上面が、少なくとも 1力所で連続している請求項 35に記載のめっき用導電性基材。

[41] 導電性基材をフォトリソグラフ法でエッチングすることにより凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部が形成されている請求項 35に記載のめつき用導電性基材。

[42] 請求項 35に記載のめっき用導電性基材上に、めっきにより金属層を形成した後、上記めつき用導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写して得られる導電層パターン付き基材。

[43] めっきにより、上記めつき用導電性基材に析出する金属が、 20°Cにおける体積抵抗率で 20 μ Ω Zcm以下の金属である請求項 42に記載の導電層パターン付き基材

[44] 転写された金属の表面又は裏面の少なくとも 1面に黒ィ匕処理が施されている請求項 42に記載の導電層パターン付き基材。

[45] 導電性基材の表面に光硬化性榭脂又は熱硬化性榭脂の硬化榭脂により幾何学図形状のパターンを形成する工程、導電性基材をエッチングすることにより上面を有する凸部のノターン及びそれによつて描かれる幾何学図形状の凹部を形成する工程、少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように凹部に絶縁層を形成する工程、上記光硬化性榭脂又は熱硬化性榭脂の硬化榭脂を剥離する工程を含むことを特徴とするめつき用導電性基材の製造法。

[46] 光硬化性榭脂あるいは熱硬化性榭脂がエッチングレジストである請求項 45に記載のめつき用導電性基材の製造法。

[47] 導電性基材をエッチングするに際し、オーバーエッチングする請求項 45に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[48] 凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、その前の凸部の高さの 1Z2以上である請求項 45に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[49] 導電性基材の凸部の上面の端部での絶縁層の厚さが 10 μ m以下である請求項 4

7に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[50] 絶縁層が薄膜絶縁層である請求項 45に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[51] 導電性基材に絶縁層を形成する工程において、絶縁層を電着塗装により形成する請求項 45に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[52] 上記導電性基材の凸部の高さが 1 μ m〜100 μ m、凸部上面の幅が 1 μ m〜40 μ m、凸部の上面の間隔が 100 μ m〜1000 μ mである請求項 45に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[53] 導電性基材が回転体 (ロール)又は回転体 (ロール）に巻き付けられるものである請求項 45に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[54] 導電性基材がフープ状である請求項 45に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[55] 光硬化性榭脂あるいは熱硬化性榭脂により幾何学図形状のパターンを形成するェ程力フォトリソグラフ法又は印刷法によって行われる請求項 45に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[56] 絶縁層を導電性基材に定着させる際に不活性ガス雰囲気下で行う請求項 45に記載のめっき用導電性基材の製造法。

[57] 不活性ガスが窒素である請求項 56に記載のめっき用導電性基材の製造法。