Einrichtung zur Spalteinstellung
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Spalteinstellung zwischen zwei Elementen einer relativ planaren, mirkromechanischen Struktur.
Für verschiedene Anwendungen in der Mikrosystemtechnik ist es erforderlich, in Halbleitersubstraten Gräben bzw. Spalte mit einem hohen Aspektverhäitnis. d. h. einem großen Quotienten von Grabentiefe zu -breite, zu realisieren. Aus mehreren Patenten sind Lösungen bekannt, mit Weiterentwicklungen einzelner Verfahrensschritte der Halbleitertechnologien, das Aspektverhältnis zu erhöhen, z. B. US 6,136,630 oder DE 19852878. Aufwandsmäßig und vor allem technologisch werden dabei immer Grenzen erreicht.
In WO 03/043189 ist ein elektro-mechanischer Resonator mit einer eingangs genannten mikromechanischen Struktur beschrieben. Ein in der Ebene federnd nachgiebiges Element ist mit seiner Stirnseite gegen ein mit der Ebene verbundenes Element bewegbar. Funktionsbedingt soll das Verhältnis zwischen der Höhe der Elemente und ihrem Abstand zueinander möglichst groß sein. Ätztechnisch wird bei vorgegebener Höhe der Elemente bereits ein bestimmter kleiner Abstand der beiden Elemente erreicht. Um diesen Abstand im Interesse einer größeren Empfindlichkeit weiter zu verringern, wird durch Anlegen eines elektrischen Feldes das bewegliche Element gegen das feste vorgespannt. Durch einen Anschlag, der ebenfalls fest mit der Ebene verbunden ist, wird ein Mindestabstand gewahrt. Nachteilig ist, dass die zusätzlich angelegte elektrische Spannung zu Wechselwirkungen mit der eigentlichen Bauelementefunktion führen kann.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Einrichtung zur Spalteinstellung zwischen zwei Elementen einer relativ planaren, mirkromechanischen Struktur zu entwickeln, bei der kein elektrisches Feld notwendig ist, um das bewegliche Element gegen ein anderes Element vorzuspannen.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass das eine Element gegen das andere Element über mindestens einer Feder zugestellt wird, wobei die Feder an mindestens einer Einspannstelle befestigt ist sowie über eine innere Vorspannung verfügt, die aus einer Beschichtung des Grundmaterials der Feder resultiert und in eine Längenänderung zwecks Spalteinstellung freigesetzt wird. Weitere Ausführungsformen der Erfindung zeigen die Unteransprüche 2 bis 14.
Die Erfindung wird nachfolgend an mehreren Ausführungsbeispielen näher erklärt. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen Sensor,
Fig. 2 den Sensor gemäß Figur 1 mit einer Spalteinstellung durch eine Feder
Fig. 3 einen Resonator,
Fig. 4 den Resonator gemäß Fig. 3 mit einer Spalteinstellung durch eine Feder
Fig. 5 eine Schlitzblende und
Fig. 6 die Schlitzblende gemäß Figur 1 mit einer Spalteinstellung durch eine Feder
In den Figuren 1 und 2 ist als eine mikromechanische Struktur ein Sensor mit transversalen Messkapazitäten zwischen den Elementen 1 und 2 dargestellt. Sie hat zwei Ebenen. In der unteren eine Grundplatte (nicht dargestellt) und parallel darüber eine obere Ebene. In dieser befinden sich Elemente 1 und 2, Federn 3, Anschläge 4 und Sensorfedem 5. Die in der oberen Ebene liegenden Teile 1 - 5 und die Grundplatte sind an Einspannstellen 6 miteinander verbunden, die schematisch kreuzweise schraffiert dargestellt sind. Die gesamte Struktur ist aus Silizium geätzt.. Hierzu werden bekanntermaßen, nach dem Herstellen der planaren Strukturen durch Ätzen von Gräben, die Teile der oberen Ebene 1-5 unterätzt.
Die in Fig. 1 dargestellte mikromechanische Struktur kann als Beschleunigungssensor verwendet werden. Bei einer Beschleunigung in Richtung der Federn 5 verändern die Elektroden des Elementes 2 ihren Abstand zu den Elektroden des Elementes 1. Die Abstandsänderung wird wie bei anderen Beschleunigungssensoren mittels einer nicht dargestellten elektronischen Schaltung ausgewertet .
Durch die Erfindung kann die Empfindlichkeit dieser Messanordnung wesentlich erhöht werden. Hierzu wird die gemäß Fig. 1 geätzte Struktur auf ca. 10000C erwärmt. Bei dieser Temperatur werden die Silizium-Federn 3 oxidiert, z. B. auf 100 nm Schichtdicke. Infolge der unterschiedlichen Temperaturausdehnungskoeffizienten (Si = 2,3*10"6 K"1 und SiO2 Ca. 0,49*10"6 K"1) verbleiben nach dem Abkühlen in den Federn 3 Vorspannungen. Sie dehnen die Federn 3 gegenüber ihrer Ausgangslänge nach dem Ätzen. Durch Unterätzen des Elemtehtes 1 wird dieses beweglich. Der Federwinkel vergrößert sich von α (Fig. 1) auf α* (Fig. 2). Das Element 1 wird gegen den Anschlag 4 gespannt. Der ursprüngliche Elektrodenabstand d nach dem Ätzen (Fig. 1) wird auf d* (Fig. 2) verkürzt. Dadurch steigt die Empfindlichkeit der Messanordnung wesentlich.
Alternativ zur Oxidation kann die Vorspannung der Feder 3 auch dadurch erzeugt werden, dass das Grundmaterial der Feder 3 mit einem Material
beschichtet ist, dessen Teilchengefüge in Verbindung mit dem Grundmaterial die Vorspannung ergibt.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel zeigt in den Figuren 3 und 4 die mirkromechanische Struktur eines Resonators. Anordnung und Materialpaarung der Federn 3 sind in diesem Beispiel so gewählt, dass sich die Federn 3 nach dem Abkühlen nicht wie im ersten Beispiel verlängern, sondern verkürzen. Hierzu wird bei ca. 4000C mit einem Plasmaverfahren Siliziumnitrid auf das Silizium abgeschieden. Durch die Verkürzung der Federn 3 verringert sich der Neigungswinkel der Federn von a auf a* und der Abstand der Elektroden 8 und 9 von d auf d*. Die Spaltbreite wird verringert.
In den Figuren 5 und 6 ist als ein weiteres Ausführungsbeispiel eine Blende mit zwei Schlitzen dargestellt. Die Blende wird aus drei Teilen zusammengesetzt. Zwei Außenteile 11 und 12 stoßen über Anschläge 14 und 15 auf einen mittleren Teil 13. Diese Teile befinden sich in einer parallel über einer Grundplatte liegenden Ebene. Das mittlere Teil 13 ist mittels Einspannstellen 6 direkt mit der Grundplatte verbunden. Die Außenteile 11 und 12 sind über Federn 3 mit der Grundplatte verbunden. Die Herstellung erfolgt wie beim ersten Ausführungsbeispiel. Nach dem Ätzen liegen die Teile noch nicht aneinander. Die Schlitze sind technologisch bedingt noch relativ breit. Nach dem Erhitzen auf ca. 10000C1 und Oxidieren des Silizium-Grundmaterials der Federn 3 (wie im ersten Beispiel) und anschließendem Abkühlen spannen die Federn 3 die beiden Außenteile 11 und 14 gegen den mittleren Teil 13.
Bezugszeichen
1 Element, zustellbar
2 Element
3 Feder Anschlag
5 Sensorfeder Einspannstelle Induktivität Elektrode Elektrode
10 Anschlag
11 Blendenteil
12 Blendenteil 3 Blendenteil 4 Anschlag 5 Anschlag