AT11920U3 - Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung mit hohem aspektverhältnis, sowie wandler und kondensator - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung mit hohem aspektverhältnis, sowie wandler und kondensator Download PDF

Info

Publication number
AT11920U3
AT11920U3 AT0050710U AT5072010U AT11920U3 AT 11920 U3 AT11920 U3 AT 11920U3 AT 0050710 U AT0050710 U AT 0050710U AT 5072010 U AT5072010 U AT 5072010U AT 11920 U3 AT11920 U3 AT 11920U3
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
condenser
converter
producing
aspect ratio
high aspect
Prior art date
Application number
AT0050710U
Other languages
English (en)
Other versions
AT11920U2 (de
Original Assignee
Oesterreichische Akademie Der Wissenschaften
Tecnet Equity Noe Technologiebeteiligungs Invest Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oesterreichische Akademie Der Wissenschaften, Tecnet Equity Noe Technologiebeteiligungs Invest Gmbh filed Critical Oesterreichische Akademie Der Wissenschaften
Priority to AT0050710U priority Critical patent/AT11920U3/de
Publication of AT11920U2 publication Critical patent/AT11920U2/de
Priority to PCT/EP2011/063974 priority patent/WO2012020132A1/de
Priority to EP11757194.3A priority patent/EP2603449A1/de
Priority to US13/816,556 priority patent/US20130147313A1/en
Priority to CA2812365A priority patent/CA2812365A1/en
Publication of AT11920U3 publication Critical patent/AT11920U3/de

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00555Achieving a desired geometry, i.e. controlling etch rates, anisotropy or selectivity
    • B81C1/00619Forming high aspect ratio structures having deep steep walls
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5719Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
    • G01C19/5733Structural details or topology
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H01G5/16Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/002Electrostatic motors
    • H02N1/006Electrostatic motors of the gap-closing type
    • H02N1/008Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0221Variable capacitors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03Microengines and actuators
    • B81B2201/033Comb drives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/05Type of movement
    • B81B2203/051Translation according to an axis parallel to the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
AT0050710U 2010-08-12 2010-08-12 Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung mit hohem aspektverhältnis, sowie wandler und kondensator AT11920U3 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0050710U AT11920U3 (de) 2010-08-12 2010-08-12 Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung mit hohem aspektverhältnis, sowie wandler und kondensator
PCT/EP2011/063974 WO2012020132A1 (de) 2010-08-12 2011-08-12 Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung mit hohem aspektverhältnis, sowie wandler und kondensator
EP11757194.3A EP2603449A1 (de) 2010-08-12 2011-08-12 Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung mit hohem aspektverhältnis, sowie wandler und kondensator
US13/816,556 US20130147313A1 (en) 2010-08-12 2011-08-12 Method for producing a MEMS apparatus with a high aspect ratio, and converter and capacitor
CA2812365A CA2812365A1 (en) 2010-08-12 2011-08-12 Method for producing a mems apparatus with a high aspect ratio, and converter and capacitor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0050710U AT11920U3 (de) 2010-08-12 2010-08-12 Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung mit hohem aspektverhältnis, sowie wandler und kondensator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
AT11920U2 AT11920U2 (de) 2011-07-15
AT11920U3 true AT11920U3 (de) 2012-03-15

Family

ID=43969266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT0050710U AT11920U3 (de) 2010-08-12 2010-08-12 Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung mit hohem aspektverhältnis, sowie wandler und kondensator

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130147313A1 (de)
EP (1) EP2603449A1 (de)
AT (1) AT11920U3 (de)
CA (1) CA2812365A1 (de)
WO (1) WO2012020132A1 (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5493166B2 (ja) * 2009-12-03 2014-05-14 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE102011086406A1 (de) * 2011-11-15 2013-05-16 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln einer Umdrehungszahl einer rotierbaren Welle
TW201328961A (zh) * 2012-01-03 2013-07-16 Touch Micro System Tech 梳狀電極結構
US9886321B2 (en) * 2012-04-03 2018-02-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Managing distributed analytics on device groups
DE102012010549A1 (de) 2012-05-29 2013-12-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Fixierung einer beweglichen Komponente eines mikromechanischenBauelementes
US9096419B2 (en) * 2012-10-01 2015-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical systems device with protrusions to provide additional stable states
CN103063876B (zh) * 2013-01-05 2014-08-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 变面积型电容式横向加速度传感器及制备方法
US9255852B2 (en) * 2013-08-26 2016-02-09 Texas Instruments Incorporated Vibration and dynamic acceleration sensing using capacitors
US9299275B2 (en) 2014-01-02 2016-03-29 Pixtronix, Inc. Display apparatus incorporating corrugated beam actuators
FI127229B (en) 2015-03-09 2018-02-15 Murata Manufacturing Co Microelectromechanical structure and device
US20170138734A1 (en) * 2015-11-16 2017-05-18 Freescale Semiconductor, Inc. Mems device with capacitance enhancement on quadrature compensation electrode
CN109960359B (zh) * 2017-12-26 2024-02-02 联想企业解决方案(新加坡)有限公司 紧固设备
DE102018210810B3 (de) * 2018-06-29 2019-08-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikromechanisches bauteil und verfahren zur herstellung
CN109737943B (zh) * 2019-03-12 2024-05-10 苏州感测通信息科技有限公司 高精度mems陀螺仪
DE102019203914B3 (de) * 2019-03-21 2020-07-30 BTU Cottbus-Senftenberg MEMS mit großer fluidisch wirksamer Oberfläche
WO2022115932A1 (en) * 2020-12-01 2022-06-09 Sheba Microsystems Inc Mems electrostatic actuator for super resolution and autofocus in cameras
CN113970392B (zh) * 2021-10-25 2023-09-22 安徽大学 柔性接近觉与压力触觉传感器、传感系统及柔性电子皮肤
CN114362583B (zh) * 2022-03-11 2022-11-11 东莞市兵力电子科技有限公司 一种基于电场力的继电器驱动用电机及其使用方法
CN114814293B (zh) * 2022-06-29 2022-09-09 成都华托微纳智能传感科技有限公司 一种锯齿形梳齿结构的mems加速度计

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10105187A1 (de) * 2001-02-06 2002-08-08 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Erzeugen von Oberflächenmikromechanikstrukturen und Sensor
WO2003025958A2 (de) * 2001-09-17 2003-03-27 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum mechanischen steuern einer elektrischen kapazität und verfahren zur herstellung derselben
GB2387480A (en) * 2002-04-09 2003-10-15 Microsaic Systems Ltd Micro-Electromechanical Switch
WO2009104486A1 (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 三洋電機株式会社 マイクロエレクトロメカニカルデバイス及びその製造方法。

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4241045C1 (de) 1992-12-05 1994-05-26 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium
US5998906A (en) * 1998-01-13 1999-12-07 Seagate Technology, Inc. Electrostatic microactuator and method for use thereof
US6384510B1 (en) * 1998-12-15 2002-05-07 Iolon, Inc. Electrostatic microactuator with offset and/or inclined comb drive fingers
WO2002019509A2 (en) 2000-08-28 2002-03-07 Honeywell International Inc. Comb drive assembly having comb drive fingers with varying cross-sections and methods of making same
US7279761B2 (en) * 2004-09-15 2007-10-09 The Regents Of The University Of California Post-release capacitance enhancement in micromachined devices and a method of performing the same
DE102004058103B4 (de) * 2004-12-01 2011-03-17 Technische Universität Chemnitz Einrichtung zur Spalteinstellung
EP1998345A1 (de) 2007-05-31 2008-12-03 Infineon Technologies SensoNor AS Verfahren zur Herstellung kapazitiver Elemente für eine kapazitive Vorrichtung
US8430580B2 (en) * 2010-11-15 2013-04-30 DigitalOptics Corporation MEMS Rotationally deployed actuators

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10105187A1 (de) * 2001-02-06 2002-08-08 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Erzeugen von Oberflächenmikromechanikstrukturen und Sensor
WO2003025958A2 (de) * 2001-09-17 2003-03-27 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum mechanischen steuern einer elektrischen kapazität und verfahren zur herstellung derselben
GB2387480A (en) * 2002-04-09 2003-10-15 Microsaic Systems Ltd Micro-Electromechanical Switch
WO2009104486A1 (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 三洋電機株式会社 マイクロエレクトロメカニカルデバイス及びその製造方法。

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012020132A1 (de) 2012-02-16
EP2603449A1 (de) 2013-06-19
AT11920U2 (de) 2011-07-15
US20130147313A1 (en) 2013-06-13
CA2812365A1 (en) 2012-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT11920U3 (de) Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung mit hohem aspektverhältnis, sowie wandler und kondensator
DE102013108353A8 (de) Vorrichtung mit einer eingebetteten MEMS-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer eingebetteten MEMS-Vorrichtung
DE112011100254T8 (de) Verfahren zur Herstellung eines Silikongriffs
DE102011050837A8 (de) Sensor und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112013005312A5 (de) Konvertermaterial, Verfahren zur Herstellung eines Konvertermaterials und optoelektronisches Bauelement
DE102011004476A8 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung
DE112010004178T8 (de) Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Bauelements
DE112011105262A5 (de) Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Vorrichtungen
DE112013001861A5 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements
DE102011050839A8 (de) Sensor und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112013001866A5 (de) Optoelektronisches Bauelement umfassend eine Konverterträgerschicht, und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfassend eine Konverterträgerschicht
BRPI0925037A2 (pt) Composição contendo piceatanol e método de produzir a composição contendo piceatanol.
DE112014005897A5 (de) Konversionselement, Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE112012004516T8 (de) Segmentspule, Stator mit der Segmentspule und Verfahren zur Herstellung der Segmentspule
DE102011010118A8 (de) Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
DE102010054199A8 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Membran-Elektroden-Anordnung
DE102010035958B8 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Bauteils sowie Flugzeugstrukturbauteil
DE112013000669A5 (de) Leuchte und Verfahren zur Herstellung einer Leuchte
EP2612959A4 (de) Nanofaser mit hervorragender biologischer abbaubarkeit und biokompatibilität sowie verfahren zur herstellung dieser nanofaser
AT503190A3 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE112013004651A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102009034306A8 (de) Heizelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE112013000239A5 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Seils
DE112009004628A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, optoelektronisches Bauelement und Bauelementanordnung mit mehreren optoelektronischen Bauelementen
DE112012003613A5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode

Legal Events

Date Code Title Description
PC Change of the owner

Owner name: DONAU-UNIVERSITAET KREMS DEPARTMENT FUER GESUN, AT

Effective date: 20131223

Owner name: TECNET EQUITY NOE TECHNOLOGIEBETEILIGUNGS-INVE, AT

Effective date: 20131223

MM01 Lapse because of not paying annual fees

Effective date: 20140831