WO2006045287A2 - Elektromagnetische strahlung emittierendes halbleiterbauelement und bauelementgehäuse - Google Patents

Elektromagnetische strahlung emittierendes halbleiterbauelement und bauelementgehäuse Download PDF

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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the invention relates to an electromagnetic radiation emitting semiconductor device according to the preamble of claim 1 and a component housing according to the preamble of claim 14.
  • a so-called thin-film light-emitting diode chip (for a more detailed explanation, see below) emits approximately 85% of its radiation from the chip surface, that is to say from a front side of a radiation-generating semiconductor layer sequence facing away from a carrier substrate. The remaining 15% are emitted to the side by the flanks of the semiconductor layer sequence.
  • a thin-film light-emitting diode chip is characterized in particular by the following characteristic features: on a first element facing towards a carrier element
  • a reflective layer is applied or formed, which reflects back at least part of the electromagnetic radiation generated in the Epitaxie ⁇ layer sequence; and the epitaxial layer sequence has a thickness in the range of 20 ⁇ m or less, in particular in the range of 10 ⁇ m.
  • the epitaxial layer sequence furthermore preferably contains at least one semiconductor layer with at least one surface which has a mixing structure which, in the ideal case, results in an approximately ergodic distribution of the radiation in the epitaxial epitaxial layer sequence, ie it has a possible ergodisch stochastic scattering behavior.
  • a basic principle of a thin-film light-emitting diode chip is, for example, in I. Schnitzer et al. , Appl. Phys. Lett. 63
  • a thin-film light-emitting diode chip is, to a good approximation, a Lamertian surface radiator and is therefore particularly well suited for use in a headlight.
  • a radiation emitted laterally from the front side and the radiation laterally emitted by the sidewalls of the semiconductor layer sequence must be as completely as possible to the desired optical axis of the
  • a component housing for an optoelectronic component having a radiation-emitting body comprises, in particular, a reflector trough comprising: a reflector region (51) having an inner surface whose cross-section, viewed from the radiation-emitting body (1), reaches a front side of the component housing (2) in such a way that radiation impinging on the inner surface (53) of the layer sequence is deliberately deflected towards a desired optical axis (3) of the component, and a substrate depression (52) arranged in front of the reflector region (51) on the bottom side. in the body emitting radiation
  • (1) is arranged, wherein the depth of the substrate well is selected so that the carrier substrate is at least partially recessed with respect to the reflector region and the length and the width of the Substratmulde are adapted to the length and width of the body that between the Flan ⁇ ken of the body and the substrate well consist only minor gaps.
  • Component, or the component housing designated by the operating part of the majority of the radiation generated is emitted.
  • the "bottom" of the component, or of the component housing, the side of the component, or the component housing is referred to, which is opposite to the front.
  • the side of the radiation-emitting body, of which in operation a majority of the Radiation is emitted be ⁇ distinguished as the front or front.
  • the back of the body is the side opposite the front.
  • the fact that "only slight gaps exist between the flanks of the body and the substrate well" means that the clear widths of the substrate well are expediently only slightly larger than the lateral dimensions of the chip, so that the chip, for example, still with conventional Tools, such as pick-and-place devices can be inserted and mounted in the substrate well, but no more space.
  • the distance of the side walls of the substrate well from the flanks of the radiation-emitting body is between approximately 0.05 and 0.3 mm, preferably between 0.1 and 0.15 mm, the limits being included in each case.
  • the size of the column is about 100 microns.
  • the inner surfaces of the reflector region very close to the radiation-emitting region of the body, ie
  • the side walls of the substrate well only need to be arranged sufficiently close to the chip edges, just so that there is only slight gaps between the edges of the chip and the substrate well. This makes it possible, by means of the reflector trough, to divert the radiation leaving the surface of the emitter very close to the chip forwards to the emission direction.
  • the inner surfaces of the reflector region on a reflective layer containing, for example, silver advantageously increases the reflectivity of the inner surfaces.
  • a reflective layer containing, for example, silver.
  • other materials may also be suitable for increasing the reflectivity of the inner surface of the reflector region.
  • a thin-film light-emitting diode chip is mounted as a radiation source in the component housing.
  • the thin-film light-emitting diode chip is arranged in the substrate well such that its carrier substrate faces the bottom of the component housing.
  • the inner surface of the reflector region can be advantageously designed as a paraboloid. As a result, the effectiveness of the reflector pan can be improved.
  • a reflector region with a parabolic inner surface in particular deflects a particularly large part of the radiation, which emerges flatly from the surface of the radiation-emitting body, in the direction of the optical axis and is therefore particularly suitable for bundling the radiation.
  • "flat" means that the radiation includes a small angle ⁇ with the front of the radiation-emitting body.
  • the inner surface of the reflector region may also be formed frusto-conical. Compared to a parabolic inner surface, a frusto-conical inner surface of the reflector region is easier to realize.
  • a reflector region with a frusto-conical inner surface is particularly suitable for producing an illumination field with a homogeneous radiance.
  • the reflector region has a spherical inner surface.
  • a reflector area with a spherically shaped inner surface is particularly suitable to achieve radiation angles in the range between 15 ° and 30 °.
  • the component housing has a lens, which is seen from the bottom of the component housing ago, downstream of the reflector region.
  • the lens effects a bundling of the direct front radiation and the flat surface radiation reflected by the reflector region.
  • the emission characteristic of an optoelectronic component can be specifically adapted to the component housing.
  • the lens can be designed such that a desired opening angle of the emission cone of the optoelectronic component is realized in a targeted manner.
  • the lens is an aspherical lens, preferably with the shape of an ellipsoidal segment, because with the aid of such a lens as a rule also off-axis radiation can be well bundled.
  • off-axis radiation is understood as meaning radiation which does not run in the immediate vicinity of the optical axis of the optoelectronic component. This allows a further reduction in lens dimensions compared to spherical lenses.
  • lens shape and the shape of the reflector region are adapted to one another such that the radiation emitted by the component is radiated homogeneously in the desired angular range, so that a homogeneously illuminated illumination field with defined dimensions is produced.
  • the combination of the reflector pan according to the invention and an aspherical lens allows a very homogeneous illumination of a very small area in the near field with high irradiance. Compare this with the lateral one
  • relative radiant intensity is meant the radiant intensity normalized to the maximum value of the radiant intensity.
  • the half-opening angle of the emission cone is also plotted on the x-axis in degrees and on the y-axis the relative intensity of the radiation is plotted in accordance with FIG.
  • Half angle is understood to mean the opening angle of the emission cone, at which the radiant intensity is 50% of the value at the
  • the lens is a Fresnel lens.
  • a Fresnel lens advantageously allows a very flat design of the building housing or the component.
  • the lens may also have the shape of a non-rotationally symmetric ellipsoidal segment.
  • a non-rotationally symmetrical ellipsoid segment is understood to mean a segment of an ellipsoid whose three axes have different lengths and therefore not by rotation of a curve about the optical axis can be generated.
  • an illumination field with an asymmetric shape, in particular with an elliptical shape can be achieved.
  • Components with a lens of the shape of a non-rotationally symmetric ellipsoidal segment are preferably used in large displays for stadiums or railway stations.
  • a lens and a reflector trough Through the interaction of a lens and a reflector trough, it is possible to direct nearly all of the front radiation of a surface emitting radiation source body, such as a thin film light emitting diode chip, into a very narrow, homogeneously illuminated irradiation field.
  • a surface emitting radiation source body such as a thin film light emitting diode chip
  • the present reflector trough is in this case suitable for bundling the largest possible part of the radiation emitted by the surface of the body in such a way that it is emitted by the downstream lens in a radiation cone with a defined opening angle.
  • the opening angle of the Abstrahlkegels is as low as possible, so that the radiation is emitted substantially parallel to the optical axis of the device.
  • the component housing further comprises a truncated cone-like base region, to which the lens adjoins.
  • the transition between the lens and the base region can be tangential or the lens can spring back relative to the base, so that a shoulder is formed.
  • the transition of the lens into the remaining housing body for example into the base region, can be formed as a step.
  • radial design is understood a design of the device, which is substantially rotationally symmetrical to the optical axis of the device. As a result, can be compared to the diameter of the remaining housing body smaller in a simple manner
  • a lens whose diameter is smaller than the dimensions of the remaining Gesimousek ⁇ rpers, can also be used in non-radial designs.
  • the substrate recess is shaped like a truncated cone so that its cross-section increases from its bottom to the reflector region.
  • Such a shape enables the manufacture of the reflector trough by means of embossing from the leadframe, since the embossing tool can be better removed from the mold.
  • the side walls of the substrate well with the surface normal of the bottom of the substrate well an angle ß of about 1 °.
  • FIG. 1A simulated values of the relative radiant intensity in% of a component
  • FIG. 1B angle distribution of the simulated values of the relative beam strength from FIG. 1B;
  • FIG. 2 is a schematic sectional view of a thin-film semiconductor chip
  • FIG. 3A a schematic sectional view of a component according to a first exemplary embodiment
  • FIG. 3B a schematic sectional view, enlarged in comparison with FIG. 3A, of the reflector trough of the first exemplary embodiment
  • FIG. 3C is a schematic sectional view of a partial enlargement of a reflector trough illustrating the influence of the reflector region according to the first exemplary embodiment on the course of radiation which encloses a small angle ⁇ with the radiation-emitting surface of the thin-film semiconductor chip;
  • FIG. 4A a schematic sectional view of a component according to a second exemplary embodiment
  • FIG. 4B shows a schematic sectional illustration of a partial enlargement of a reflector trough which illustrates the influence of the reflector region according to the second exemplary embodiment on the course of radiation which encloses a small angle ⁇ with the radiation-emitting surface of the thin-film semiconductor chip;
  • FIG. 5A a schematic sectional view of the component according to the first exemplary embodiment, showing the beam path of a "steeply emitted" front O-ring. surface radiation of the thin-film LED chip, which is not deflected by the reflector area;
  • 5B is a schematic sectional view of the component according to the first exemplary embodiment, showing the beam path of a "flat" emitted front surface radiation of the thin-film LED chip, which is deflected from the reflector region to the optical axis of the component;
  • 5C shows a schematic sectional view of the component according to the first exemplary embodiment, showing the beam path of a radiation emitted laterally by the chip flanks of the thin-film LED chip, which is deflected by the reflector region toward the optical axis of the component;
  • Figure 5D a schematic sectional view of the lens and the reflector region according to the first embodiment with the beam path for all emission directions of the chip;
  • FIG. 6A a schematic sectional view of the lens and the reflector region according to a third exemplary embodiment with the beam path in the xz plane;
  • the thin-film light-emitting diode chip 1 has, for example, an active thin-film layer stack 12, in particular based on Ini_ x . y Al x Ga y P (where O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ l) on which a photon emitting zone is formed and a carrier substrate 11 for the thin film stack 12, the a side facing away from the emission direction of the chip 1 side of the thin-film layer stack 12th arranged and connected to this.
  • Such Leuchtdioden ⁇ chips 1 are known to those skilled in the field of Leuchtdioden ⁇ technology and are therefore not explained in detail at this point.
  • Thin film layers stack 12 on the basis of In 1 - X - Y Al x Ga 7 P (wherein O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l x + y ⁇ l and) means that the thin-film-layer stack 12 has a plurality of layers made of doped or undoped material from the system Ini- ⁇ - y Al x Ga y P (where O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ l).
  • the thin-film layer stack 12 can furthermore also be referred to In 1-X .
  • y Al x Ga y N (with O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ l) or Ini- x .
  • y Al x Ga y As (with O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ l).
  • x Ini_ - y Al x Ga y N with O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ l
  • In 1 - X ⁇ Al x Ga As 7 (with O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ l) means equivalent to "based on In 1-X .
  • the thin film layer stack 12 comprises a plurality of layers of doped or undoped material from the system in 1 - X - Y Al x Ga 7 N (with O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ l), or In 1 -X- Y- Al x Ga 7 -As (where O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ l) are produced ,
  • the thin-film layer stack 12 furthermore comprises a region which is suitable for producing photons, such as, for example, a pn junction, single or multiple quantum wells.
  • a suitable InGaN-based thin-film layer stack 12 is described, for example, in WO 01/39282 A2, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.
  • the carrier substrate 11 is part of the semiconductor chip 1 per se and mechanical support for the thin-film layer stack 12, ie the essential supporting element for the thin-film layer stack 12, which no longer has a self-supporting layer even on the side opposite the carrier substrate 11.
  • a reflective element 13 is attached between carrier substrate 11 and thin-film layer stack 12. assigns, for example, a reflective layer or layer sequence that reflects radiation from the thin-film layer stack 12 to the radiation-emitting front side of the semiconductor chip 1.
  • the carrier substrate 11 and the reflective element 13 are electrically conductive, so that the thin-film semiconductor chip 1 can be electrically contacted on the back side via the carrier substrate 11.
  • an electrically conductive contact layer 14 is formed on the thin-film layer stack 12.
  • the carrier substrate 11 is electrically insulating, that there are two separate electrical contacts on the thin-film layer stack 12, via which the thin-film semiconductor chip 1 is in each case provided with a bonding wire to the connection parts 41, 42 of the leadframe 4 is electrically connected (not shown).
  • the thin-film semiconductor chips 1 with two front-side contacts are known to the person skilled in the art and are therefore not explained in any more detail here.
  • the two exemplary embodiments according to FIGS. 3A to 3C and 4A and 4B are a so-called 5 mm radial design with advantage for use in an optical computer mouse for illuminating the mouse pad to be detected.
  • a 5 mm radial design is a component with a component housing 2, which has a shape that is substantially rotationally symmetrical with respect to an optical axis 3 of the component and whose outermost diameter a is 5 mm.
  • Radial designs are also possible in which the diameter a is smaller or larger and, for example, is 3 mm or 11 mm.
  • the component housing 2 comprises a leadframe 4 with electrical connection parts 41, 42 and a reflector trough 5.
  • the reflector trough 5 has a funnel-shaped recess. 2, and a substrate recess 52, which is located in front of the reflector region 51 on the bottom side.
  • the inner surface 53 of the reflector portion 51 may be frusto-conical or may be parabolically shaped as shown in FIGS. 4A and 4B.
  • the leadframe 4 is punched out of a sheet except for the reflector trough 5.
  • the reflector trough 5 is embossed into the leadframe 4 with a stamping tool having the inverse desired shape, for example with a parabolic or truncated cone-shaped inner surface of the reflector region 51 with a substrate recess 52 located on the bottom side.
  • the substrate recess 52 is in this case preferably formed frusto-conical, since the oblique side walls facilitate demolding of the embossing tool.
  • an alloy comprising CuFe can be used as the material for the leadframe 4.
  • a silver layer 54 In order to increase the reflectivity of the reflector region 51, at least this is provided with a silver layer 54.
  • the silver layer 54 can be applied, for example, by electroplating.
  • the radiation-emitting thin-film chip 1 as shown for example in FIG. 2, is mounted in the substrate recess 52, for example glued.
  • the electrical contacting of the thin-film chip 1 depends on the geometric arrangement of its contacts. If, for example, one of the electrical contacts on the rear side of the thin-film semiconductor chips 1 and a contact on the front side of the thin-film semiconductor chip 1 are located, then the rear-side contact is formed, for example, by using an electrically conductive
  • the bonding wire 6 comprises gold and forms a spherical connection (ball) in connection with the chip 1 and an edge (wedge) in connection to the leadframe.
  • Ball- Wedge-bond connections are known to the person skilled in the art and are therefore not explained in detail at this point.
  • the thin-film semiconductor chip 1 has both electrical contacts on the front side (not shown), then the
  • Thin-film semiconductor chip 1 are also secured in the substrate recess 52 with an electrically insulating adhesive and the two contacts are in each case electrically conductively connected to the connecting parts 41, 42 of the leadframe by means of a bonding wire 6.
  • the reflector region 51 acts mainly on the radiation-generating thin-film layer stack 12.
  • the actual radiation-emitting region of the thin-film chip 1 is only a few ⁇ m thick and on a comparatively thick carrier substrate
  • the re-inflecting layer 13 is arranged such that almost no radiation can penetrate into the carrier substrate 11, but is largely reflected by the reflective layer 13 forward or to the side.
  • the reflector pan 5 is very close to the thin film substrate.
  • Layer stack 12 is arranged. This is made possible by the substrate trough 52 of the reflector trough 5, in which the thin-film chip 1 is partially sunk.
  • the depth of the substrate recess 52 with 160 ⁇ m was chosen to be slightly smaller than the thickness of the carrier substrate 11 (180 ⁇ m), so that a radiation emitted laterally slightly obliquely backwards over the flanks of the thin-film layer sequence 12 is likewise flat. if still strikes the reflector area 51. Consequently, the carrier substrate 11 which is not functional with regard to radiation emission is effectively not in the effective range of the actual reflector region 51.
  • the reflector region 51 now acts directly at a small distance on the radiation-generating layer of the chip 1 and can ef ⁇ efficient the emerging flat from the surface of the chip 1 radiation, that is, radiation ⁇ ein ⁇ a small angle ⁇ with the radiation-emitting surface of the chip closes, and also deflect the side radiation (through the chip flanges) in the direction of the optical axis 3 (compare FIGS. 3C and 5B). Radiation which is emitted laterally over the flanks of the chip 1 is likewise deflected by the reflector region 51 in the direction of the optical axis 3 (compare FIGS. 3C and 5C).
  • the component of the second exemplary embodiment according to FIGS. 4A and 4B has a reflector region 51 with a parabolic inner surface 531.
  • a parabolic inner surface 531 reflects radiation which encloses a small angle ⁇ with the radiation-emitting surface of the chip 1, if necessary several times, thereby directing it more in the direction of the optical axis 3 (see FIG of the parabolic inner surface 531 reflected beam Sl ⁇ ⁇ with the reflected on the truncated cone-shaped inner surface 532 beam Sl ⁇ of Figure 3C).
  • the side walls 521 of the substrate recess 52 close with the normal of the bottom surface 522 of the substrate recess 52 an angle ⁇ of about 1 °.
  • the distance of the side walls 521 from the flanks of the thin-film chip 1 is about 0.05 to 0.3 mm, preferably 0.1 to 0.15 mm.
  • an aspherical lens 7 is used as the second optical element. This is the reflector pan 5 and the thin-film chip 1 nachgeord ⁇ net in the direction of the front of the device and is on a truncated cone-like Sockelbe- rich 8, which surrounds the chip 1 and the reflector trough 5.
  • the lens 7 is shaped such that near-axis radiation is parallelized and the radiation deflected by the reflector region 52 is refracted more strongly in the direction of the optical axis 3 and thus takes effect in the center of the radiation field of the component (compare FIGS. 5A to 5D).
  • the lens 7 has an elliptical shape, so that even off-axis beams are so gebro ⁇ Chen to the optical axis 3, that a predominant part of the emitted from the semiconductor chip 1 radiation is bundled ge in a limited area.
  • the leadframe 4 is positioned with the mounted and electrically contacted chip 1 in a form which has the negative form of the desired lens 7 and the adjacent base region 8 and with a suitable potting compound 71, such as an epoxy resin, shed.
  • a suitable potting compound 71 such as an epoxy resin
  • the lens 7 can adjoin the base region 8 in such a way that it transitions tangentially into the base region 8 (compare, for example, FIG. 3A) or springs back relative to the base region 8, so that a shoulder is formed (compare, for example, FIG. 4A). , In the latter case, it is also possible to use lenses 7 whose diameter is not matched to the diameter of the base region 8.
  • the lens 7 of the component has the form of a non-rotationally symmetric ellipsoidal segment, which, unlike a rotationally symmetric ellipsoidal segment, has two semiaxes of different lengths in the x and y directions.
  • the optical axis 3 is referred to as the z-axis, while the x-axis and the y-axis each span perpendicular to the z-axis a plane that includes the bottom surface 522 of the substrate recess 52.
  • the intersection of the x-axis, the y-axis and the z-axis is located in the middle point of the bottom surface 522 of the substrate recess 52.
  • the lens 7 has a shorter half-axis in the x-direction than in the y-direction, so that the opening angle of the emission cone in the xz plane (cf. FIG. 6A) is smaller than the opening angle of the emission cone in the yz plane (compare Figure 6B) and so creates an asymmetric illumination field.

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauelement offenbart, das ein Bauelementgehäuse (2) und einen Körper (1) mit einem Trägersubstrat (11) und einer Strahlung aussendenden Schichtenfolge (12) umfasst. Der Körper (1) ist in einer Reflektorwanne (5) des Bauelementgehäuses (2) angeordnet und mit externen elektrischen Anschlussleitern (41,42) des Bauelementgehäuses (2) elektrisch leitend verbunden. Die Reflektorwanne (5) umfasst hierbei: - einen Reflektorbereich (51) mit einer Innenfläche (53), dessen Querschnitt sich gesehen vom Strahlung emittierenden Körper (1) zu einer Vorderseite des Bauelementgehäuses (2) hin vergrößert, derart, dass auf der Innenfläche (53) auftreffende Strahlung der Schichtenfolge zu einer gewünschten optischen Achse (3) des Bauelements hin gezielt umgelenkt wird, und - eine bodenseitig dem Reflektorbereich (51) vorgelagerte Substratmulde(52), in der der Strahlung aussendende Körper (1) angeordnet ist, wobei die Tiefe der Substratmulde (52) so gewählt ist, dass das Trägersubstrat (11) zumindest teilweise gegenüber dem Reflektorbereich (51) versenkt ist und die Länge und die Breite der Substratmulde (52) so an die Länge und die Breite des Körpers (1) angepasst sind, dass zwischen den Flanken des Körpers (1) und der Substratmulde (52) nur geringfügige Spalte bestehen. Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist das Bauelementgehäuse (2) weiterhin eine Linse (7) auf, die einen gewünschten Öffnungswinkel des Strahlungskegels erzeugt. Weiterhin werden Verwendungen für das Bauelement beschrieben.

Description

Beschreibung
Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauele¬ ment und Bauelementgehäuse
Die Erfindung bezieht sich auf ein elektromagnetische Strah¬ lung emittierendes Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 und ein Bauelementgehäuse gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 14.
Insbesondere die immer fortschreitende Entwicklung neuer Chiptechnologien im Bereich der Leuchtdioden bedarf des Einsatzes neuer optischer Elemente in der Gehäusetechnologie.
Ein sogenannter Dünnfilm-Leuchtdiodenchip (nähere Erläuterung siehe weiter unten) emittiert ca 85% seiner Strahlung von der Chipoberfläche, das heißt von einer von einem Trägersubstrat abgewandten Vorderseite einer Strahlungserzeugenden Halbleiterschichtenfolge. Die restlichen 15% werden durch die Flanken der Halbleiterschichtenfolge zur Seite hin abgestrahlt .
Ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip zeichnet sich insbesondere durch folgende charakteristische Merkmale aus: an einer zu einem Trägerelement hin gewandten ersten
Hauptfläche einer Strahlungserzeugenden Epitaxieschichten¬ folge ist eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Epitaxie¬ schichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert; und die Epitaxieschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm auf.
Die Epitaxieschichtenfolge enthält weiterhin bevorzugt min- destens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung der Strahlung in der epitaktischen Epitaxieschichtenfolge führt, d.h. sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
Ein Grundprinzip eines Dünnschicht-Leuchtdiodenchips ist bei- spielsweise in I. Schnitzer et al . , Appl . Phys. Lett . 63
(16) , 18. Oktober 1993, 2174 - 2176 beschrieben, deren Offen¬ barungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist in guter Näherung ein Lam¬ bertscher Oberflächenstrahler und eignet sich von daher be¬ sonders gut für die Anwendung in einem Scheinwerfer.
Um mit einem solchen Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ein optoelektronisches Bauelement mit einem definiert engen Abstrahlwinkel und möglichst hoher Strahlungsleistung zu erzielen, muß eine von der Vorderseite flach zur Seite ausgesandte Strahlung und die durch die Flanken der Halbleiterschichtenfolge seitlich emittierte Strahlung möglichst vollständig zur gewünschten optischen Achse des
Bauelements hin und in den gewünschten Abstrahlkegel des Bauelements hinein umgelenkt werden, so dass auch diese Strahlung in dem gewünschten definiert engen Winkel aus dem Bauelement abgestrahlt wird.
Es ist demnach eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Bauelementgehäuse bereitzustellen, bei dem mittels eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchips oder eines eine ähnliche Abstrahlcharakteristik aufweisenden, elektromagnetische Strahlung aussendenden Körpers ein definiert Abstrahlwinkel des gewünschten optoelektronischen Bauelements erzielt werden kann.
Diese Aufgabe wird mit einem optoelektronischen Bauelement und mit einem Bauelementgehäuse mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 bzw. mit den Merkmalen des Patentanspruches 14 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen, Weiterbildungen und Verwendungen des Bauelements bzw. des Bauelementgehäuses sind in den Unteransprüchen angegeben.
Der Offenbarungsgehalt der Patentansprüche wird hiermit aus¬ drücklich in die Beschreibung aufgenommen.
Ein Bauelementgehäuse für ein optoelektronisches Bauelement mit einem Strahlung emittierenden Körper gemäß der Erfindung umfasst insbesondere eine Reflektorwanne mit : einem Reflektorbereich (51) mit einer Innenfläche, dessen Querschnitt sich gesehen vom Strahlung emittierenden Kör¬ per (1) zu einer Vorderseite des Bauelementgehäuses (2) hin vergrößert, derart, dass auf der Innenfläche (53) auf- treffende Strahlung der Schichtenfolge zu einer gewünsch¬ ten optischen Achse (3) des Bauelements hin gezielt umge¬ lenkt wird, und einer bodenseitig dem Reflektorbereich (51) vorgelagerten Substratmulde (52) , in der der Strahlung aussendende Körper
(1) angeordnet ist, wobei die Tiefe der Substratmulde so gewählt ist, dass das Trägersubstrat zumindest teilweise gegenüber dem Reflektorbereich versenkt ist und die Länge und die Breite der Substratmulde so an die Länge und die Breite des Körpers angepasst sind, dass zwischen den Flan¬ ken des Körpers und der Substratmulde nur geringfügige Spalte bestehen.
Als "Vorderseite" des Bauelementes, bzw. des Bauelementegehäuses wird im Folgenden die Seite des
Bauelements, bzw. des Bauelementgehäuses bezeichnet, durch die im Betrieb der Hauptanteil der erzeugten Strahlung emittiert wird. Als "Boden" des Bauelementes, bzw. des Bauelementgehäuses wird die Seite des Bauelementes, bzw. des Bauelementgehäuses bezeichnet, die der Vorderseite gegenüberliegt. Weiterhin wird die Seite des Strahlungsemit- tierenden Körpers, von der im Betrieb ein Hauptteil der Strahlung emittiert wird, als Vorderseite oder Frontseite be¬ zeichnet. Die Rückseite des Körpers ist die Seite, die der Vorderseite gegenüberliegt.
Vorliegend wird unter dem Sachverhalt, dass "nur geringfügige Spalte zwischen den Flanken des Körpers und der Substratmulde bestehen" verstanden, dass die lichten Weiten der Substratmulde zweckmäßig nur geringfügig größer als die lateralen Abmessungen des Chips sind, so dass der Chip zwar beispielsweise noch mit herkömmlichen Hilfsmitteln, wie beispielsweise Pick-and-Place-Geräten in die Substratmulde eingesetzt und montiert werden kann, aber nicht mehr Platz besteht. Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der Ab¬ stand der Seitenwände der Substratmulde von den Flanken des Strahlung aussendenden Körpers zwischen etwa 0,05 und 0,3 mm vorzugsweise zwischen 0,1 und 0,15 mm, wobei die Grenzen je¬ weils eingeschlossen sind. Besonders bevorzugt beträgt die Größe der Spalte ca. 100 μm.
Auf Grund der Form der Reflektorwanne (tiefliegender Boden einer Substratmulde mit an den Chip angepassten Abmessungen und einem in Abstrahlrichtung des Strahlungsemittierenden Körpers nachgeordnetem Reflektorbereich) ist es möglich, die Innenflächen des Reflektorbereiches sehr nah an den Strahlungsemittierenden Bereich des Körpers, sprich an die
Strahlungsemittierende Schichtenfolge heranzuführen. Die Seitenwände der Substratmulde müssen lediglich hinreichend nah an den Chipflanken angeordnet sein, eben so, dass nur geringfügige Spalte zwischen den Flanken des Chips und der Substratmulde besteht. Dadurch ist es möglich, die flach aus der Oberfläche des Emitters austretende Strahlung mittels der Reflektorwanne sehr eng am Chip nach vorne zur Abstrahlrichtung hin umzulenken.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform weisen die Innenflächen des Reflektorbereiches eine reflektierende Schicht auf, die beispielsweise Silber enthält. Dies erhöht vorteilhafterweise die Reflektivität der Innenflächen. Abhängig vom Wellenlängenbereich der Strahlung, die der Körper aussendet, können auch andere Materialien geeignet sein, die Reflektivität der Innenfläche des Reflektorbereiches zu erhöhen.
Bevorzugt wird ein Dünnfilmleuchtdiodenchip als Strahlungsquelle in das Bauelementgehäuse montiert. Der Dünnfilmleuchtdiodenchip wird hierbei so in der Substratmulde angeordnet, dass sein Trägersubstrat dem Boden des Bauelementgehäuses zugewandt ist.
Die Innenfläche des Reflektorbereiches kann mit Vorteil als Paraboloid ausgebildet sein. Dadurch kann die Wirksamkeit der Reflektorwanne verbessert werden.
Ein Reflektorbereich mit parabolischer Innenfläche lenkt vorliegend insbesondere einen besonders großen Teil der Strahlung, die flach von der Oberfläche des strahlunsemittierenden Körpers austritt, in Richtung der optischen Achse um und ist daher insbesondere geeignet die Strahlung zu bündeln. In dem vorliegenden Zusammenhang bedeutet "flach" , dass die Strahlung einen kleinen Winkel α mit der Vorderseite des Strahlungsemittierenden Körpers einschließt.
Weiterhin kann die Innenfläche des Reflektorbereiches auch kegelstumpfförmig ausgebildet sein. Gegenüber einer parabolischen Innenfläche ist eine kegelstumpfförmige Innenfläche des Reflektorbereiches einfacher zu realisieren.
Weiterhin ist ein Reflektorbereich mit einer kegelstumpfförmigen Innenfläche insbesondere geeignet ein Beleuchtungsfeld mit einer homogenen Strahldichte zu erzeugen.
Bei einer weiteren Ausführungsform weist der Reflektorbereich eine spärische Innenfläche auf. Ein Reflektorbereich mit einer sphärisch geformten Innenfläche ist insbesondere geeignet, Abstrahlwinkel im Bereich zwischen 15° und 30° zu erzielen.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform weist das Bauelementgehäuse eine Linse auf, die vom Boden des Bauelementgehäuses her gesehen, dem Reflektorbereich nachgeordnet ist. Die Linse bewirkt eine Bündelung der direkten Frontstrahlung und der durch den Reflektorbereich reflektierten flachen Oberflächenstrahlung. Mit Hilfe der Linse kann die Abstrahlcharakteristik eines optoelektronischen Bauelementes mit dem Bauelementgehäuse gezielt angepasst werden.
Die Linse kann beispielsweise derart ausgelegt sein, dass gezielt ein gewünschter Öffnungswinkel des Abstrahlkegels des optoelektronischen Bauelementes realisiert wird.
Bei einer Ausführungsform ist die Linse eine asphärische Linse, bevorzugt mit der Form eines Ellipsoid-Segments, da mit Hilfe einer solchen Linse in der Regel auch achsferne Strahlung gut gebündelt werden kann. Unter achsferner Strahlung wird vorliegend Strahlung verstanden, die nicht in direkter Nähe der optischen Achse des optoelektronischen Bauelementes verläuft. Dies ermöglicht im Vergleich zu sphärischen Linsen eine weitere Verringerung der Linsenabmessungen.
Es ist jedoch auch denkbar, dass die Linse eine andere Form aufweist, beispielsweise eine, die durch Rotation einer beliebigen Kurve um die optische Achse entsteht. Vorteilhafterweise werden Linsenform und die Form des Reflektorbereiches so aneinander angepasst, dass die von dem Bauelement emittierte Strahlung in dem gewünschten Winkelbereich homogen abgestrahlt wird, so dass ein homogen ausgeleuchtetes Beleuchtungsfeld mit definierten Abmessungen entsteht . Die Kombination aus der Reflektorwanne gemäß der Erfindung und einer asphärischen Linse erlaubt eine sehr homogene Ausleuchtung einer sehr kleinen Fläche im Nahfeld mit hoher Bestrahlungsstärke. Man vergleiche hierzu die laterale
Verteilung der simulierten Werte der relativen Strahlstärke (in %) eines Bauelementes mit aspärischer Linse und einem Reflektorbereich mit kegelstumpfförmiger Innenfläche in 2 mm Abstand zur Linse in Figur IA. Unter "relativer Strahlstärke" wird die Strahlstärke verstanden, die auf den maximalen Wert der Strahlstärke normiert ist. In dem Diagramm der Figur IB ist weiterhin auf der x-Achse der halbe Öffnungswinkel des Abstrahlkegels in Grad und an der y-Achse die relative Strahlstärke entsprechend Figur IA aufgetragen.
Wie Figur IB zu entnehmen, kann mit der Kombination aus einer Linse und einem Reflektorbereich mit kegelstumpfförmiger Innenfläche ein Halbwinkel von 8,4° erzielt werden. Unter Halbwinkel wird der Öffnungswinkel des Abstrahlkegels verstanden, bei dem die Strahlstärke 50% des Wertes an der
Vorderseite des Strahlung emittierenden Körpers beträgt . Der Aufbau und die anschließenden Messungen zeigen, daß ein Halbwinkel von 7° und eine Strahlstärke Ie von 46mW/sr (20mA) , sowie eine Strahlungsleistung PhiE von 7, 6mW (2OmA) realisiert werden können.
Bei einer weiteren Ausführungsform handelt es sich bei der Linse um eine Fresnellinse. Eine Fresnellinse ermöglicht vorteilhafterweise eine sehr flache Bauform des Baugehäuses bzw. des Bauelementes.
Weiterhin kann die Linse auch die Form eines nicht- rotationssymmetrischen Ellipsoid-Segmentes aufweisen. Unter einem nicht-rotationssymmetrischen Ellipsoid-Segment wird vorliegend ein Segement eines Ellipsoids verstanden, dessen drei Achsen unterschiedliche Länge aufweisen und das daher nicht durch Rotation einer Kurve um die optische Achse erzeugt werden kann. Mit Hilfe einer solchen Linse kann ein Beleuchtungsfeld mit asymmetrischer Form, insbesondere mit elliptischer Form, erzielt werden. Bauelemente mit einer Linse der Form eines nicht-rotationssymmetrischen Ellipsoid- Segmentes finden bevorzugt Anwendung in Großdisplays für Stadien oder Bahnhöfe.
Durch das Zusammenspiel einer Linse und einer Reflektorwanne ist es möglich, nahezu die gesamte FrontStrahlung eines oberflächenemittierenden Strahlungsquellen-Körpers, wie beispielsweise eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchips, in ein sehr enges, homogen ausgeleuchtetes Bestrahlungsfeld zu leiten.
Die vorliegende Reflektorwanne ist hierbei geeignet, einen möglichst großen Teil der Strahlung, die von der Oberfläche des Körpers ausgesendet wird, derart zu bündeln, dass sie von der nachgeordneten Linse in einem Abstrahlkegel mit einem definierten Öffnungswinkel abgestrahlt wird. Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der Öffnungswinkel des Abstrahlkegels möglichst gering, so dass die Strahlung im Wesentlichen parallel zu optischen Achse des Bauelementes ausgesendet wird.
Solche eng abstrahlenden und hellen Leuchtdiodenbauelemente werden häufig und bevorzugt zur gleichmäßigen Bestrahlung kleinerer Flächen eingesetzt, wie z. B. in einer optischen Computer-Mouse. Weiterhin sind Leuchtdiodenbauelemente, die Strahlung aus dem infraroten Wellenlängenbereich in Form eines Abstrahlkegels mit geringem Öffnungswinkel und im Wesentlichen gleichmäßiger, hoher Intensität emittieren, insbesondere zum Einsatz in Lichtschranken, sowie Feedbacksensoren in Druckern zur Justage der Druckköpfe und Ermittlung der Papierbeschaffenheit geeignet . Eine weitere bevorzugte Anwendung der vorliegenden Leuchtdiodenbauelemente stellt die Datenübertragung bei Multimediaanwendungen in Kraftfahrzeugen dar. Bei einer Ausführungform der Erfindung umfasst das Bauelementgehäuse weiterhin einen kegelstumpfartigen Sockelbereich, an den sich die Linse anschließt. Der Übergang zwischen der Linse und dem Sockelbereich kann hierbei tangential sein oder die Linse kann gegenüber dem Sockel zurückspringen, so dass eine Schulter ausgebildet wird.
Insbesondere bei einem so genannten Leuchtdiodenbauelement in Radial-Bauform kann der Übergang der Linse in den restlichen Gehäusekörper, beispielsweise in den Sockelbereich, als Stufe ausgebildet sein. Unter Radial-Bauform wird eine Bauform des Bauelementes verstanden, die im Wesentlichen rotationssymmetrisch zur optischen Achse des Bauelementes ist. Dadurch läßt sich auf einfache Weise ein gegenüber dem Durchmesser des restlichen Gehäusekörpers kleinerer
Linsendurchmesser realisieren. Eine Linse, deren Durchmesser kleiner ist als die Abmessungen des restlichen Gehäusekδrpers, kann auch bei nicht radialen Bauformen eingesetzt werden.
Bevorzugt ist die Substratmulde kegelstumpfartig geformt, so dass sich ihr Querschnitt von deren Boden zum Reflektorbereich hin vergrößert. Eine solche Form ermöglicht die Herstellung der Reflektorwanne mittels Prägen aus dem Leadframe, da das Prägewerkzeug besser entformt werden kann.
Besonders bevorzugt schließen die Seitenwände der Substratmulde mit der Flächennormalen des Bodens der Substratmulde einen Winkel ß von etwa 1° ein.
Weitere Ausführungen, Weiterbildungen und Vorteile der Erfin¬ dung werden im Folgenden anhand dreier Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren 2, 3A bis 3C, 4A und 4B, 5A bis 5D und 6A und 6B näher erläutert.
Es zeigen: Figur IA, simulierte Werte der relativen Strahlstärke in % eines Bauelementes;
Figur IB, Winkelverteilung der simulierten Werte der relati- ven Strahlstärke aus Figur IB;
Figur 2, eine schematische Schnittdarstellung eines Dünnfilm- Halbleiterchips;
Figur 3A, eine schematische Schnittdarstellung eines Bauele¬ mentes gemäß einem ersten Ausführungsbeispieles;
Figur 3B, eine gegenüber Figur 3A vergrößerte schematische Schnittdarstellung der Reflektorwanne des ersten Ausführungs- beispieles;
Figur 3C, eine schematische Schnittdarstellung einer Teilver¬ größerung einer Reflektorwanne, die den Einfluss des Reflek¬ torbereiches gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel auf den Verlauf von Strahlung darstellt, die einen kleinen Winkel α mit der Strahlungsemittierenden Oberfläche des Dünnfilm- Halbleiterchips einschließt;
Figur 4A, eine schematische Schnittdarstellung eines Bauele- mentes gemäß einem zweiten Ausführungsbeispieles;
Figur 4B, eine schematische Schnittdarstellung einer Teilver¬ größerung einer Reflektorwanne, die den Einfluss des Reflek¬ torbereiches gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel auf den Verlauf von Strahlung darstellt, die einen kleinen Winkel α mit der Strahlungsemittierenden Oberfläche des Dünnfilm- Halbleiterchips einschließt;
Figur 5A, eine schematische Schnittdarstellung des Bauelemen- tes gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel mit Darstellung des Strahlenverlaufs einer „steil" emittierten frontseitigen O- berflächenstrahlung des Dünnfilm-Leuchtdiodenchips, die nicht vom Reflektorbereich umgelenkt wird;
Figur 5B, eine schematische Schnittdarstellung des Bauelemen- tes gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel mit Darstellung des Strahlenverlaufs einer „flach" emittierten frontseitigen O- berflächenstrahlung des Dünnfilm-Leuchtdiodenchips, die vom Reflektorbereich zur optischen Achse des Bauelements hin um¬ gelenkt wird;
Figur 5C, eine schematische Schnittdarstellung des Bauelemen¬ tes gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel mit Darstellung des Strahlenverlaufs einer seitlich durch die Chipflanken emit¬ tierten Strahlung des Dünnfilm-Leuchtdiodenchips, die vom Re- flektorbereich zur optischen Achse des Bauelements hin umge¬ lenkt wird;
Figur 5D, eine schematische Schnittdarstellung der Linse und des Reflektorbereiches gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel mit dem Strahlenverlauf für alle Abstrahlrichtungen des Chips;
Figur 6A, eine schematische Schnittdarstellung der Linse und des Reflektorbereiches gemäß einem dritten Ausführungsbei- spiel mit dem Strahlenverlauf in der xz-Ebene; und
Figur 6B, eine schematische Schnittdarstellung der Linse und des Reflektorbereiches gemäß einem dritten Ausführungsbei¬ spiel mit dem Strahlenverlauf in der yz-Ebene.
Der Dünnfilm-Leuchtdiodenchip 1 gemäß Figur 2 weist bei¬ spielsweise einen aktiven Dünnfilm-Schichtenstapel 12, insbe¬ sondere auf der Basis von Ini_x.yAlxGayP (wobei O≤x≤l, O≤y≤l und x+y≤l ist) auf, in der eine Photonen emittierende Zone ausgebildet ist und ein Trägersubstrat 11 für den Dünnfilm¬ schichtenstapel 12, das an einer von der Abstrahlrichtung des Chips 1 abgewandten Seite des Dünnfilm-Schichtenstapels 12 angeordnet und mit dieser verbunden ist. Solche Leuchtdioden¬ chips 1 sind dem Fachmann auf dem Gebiet der Leuchtdioden¬ technik bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert .
Dünnfilmschichtenstapel 12 auf der Basis von In1-X-YAlxGa7P (wobei O≤x≤l, O≤y≤l und x+y≤l ist) bedeutet, dass der Dünn¬ film-Schichtenstapel 12 eine Mehrzahl von Schichten aufweist, die aus dotiertem oder undotiertem Material aus dem System Ini-χ-yAlxGayP (wobei O≤x≤l, O≤y≤l und x+y≤l ist) hergestellt sind.
Der Dünnfilmschichtenstapel 12 kann weiterhin auch auf In1-X. yAlxGayN ( mit O≤x≤l, O≤y≤l und x+y≤l) oder Ini-x.yAlxGayAs (mit O≤x≤l, O≤y≤l und x+y≤l) basieren. Basierend auf Ini_x-yAlxGayN (mit O≤x≤l, O≤y≤l und x+y≤l) , bzw. In1-X^AlxGa7As (mit O≤x≤l, O≤y≤l und x+y≤l) bedeutet, äquivalent zu „basierend auf In1-X. yAlxGayP", dass der Dünnfilm-Schichtenstapel 12 eine Mehrzahl von Schichten aufweist, die aus dotiertem oder undotiertem Material aus dem System In1-X-YAlxGa7N (mit O≤x≤l, O≤y≤l und x+y≤l) , bzw. In1-X-Y-AlxGa7-As (mit O≤x≤l, O≤y≤l und x+y≤l) her¬ gestellt sind.
Der Dünnfilmschichtenstapel 12 umfasst weiterhin einen Be- reich, der geeignet ist, Photonen zu erzeugen, wie beispiels¬ weise einen pn-Übergang, Einfach- oder Mehrfachquantentöpfe. Eine geeigneter, auf InGaN-basierende Dünnfilmschichtenstapel 12 ist beispielsweise in der WO 01/39282 A2 beschrieben, de¬ ren Offenbarungsgehalt diesbezüglich hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Das Trägersubstrat 11 ist Teil des Halbleiterchips 1 an sich und mechanische Stütze für den Dünnfilm-Schichtenstapel 12, d. h. das wesentliche tragende Element für den Dünnfilm- Schichtenstapel 12, der selbst auf der dem Trägersubstrat 11 gegenüberliegenden Seite keine selbsttragende Schicht mehr aufweist. Zwischen Trägersubstrat 11 und Dünnfilm- Schichtenstapel 12 ist ein reflektierendes Element 13 ange- ordnet, beispielsweise eine reflektierende Schicht oder Schichtenfolge, die Strahlung aus dem Dünnfilm- Schichtenstapel 12 zur Strahlungsemittierenden Vorderseite des Halbleiterchips 1 reflektiert. Vorliegend ist das Träger- Substrat 11 und das reflektierende Element 13 elektrisch leitfähig, so dass der Dünnfilmhalbleiterchip 1 rückseitig über das Trägersubstrat 11 elektrisch kontaktiert werden kann. Zur elektrischen Kontaktierung der Vorderseite ist auf dem Dünnfilmschichtenstapel 12 eine elektrisch leitfähige Kontaktschicht 14 ausgebildet. Weiterhin ist es auch denkbar, beispielsweise wenn das Trägersubstrat 11 elektrisch isolie¬ rend ist, dass sich auf dem Dünnfilmschichtenstapel 12 vor¬ derseitig zwei getrennte elektrische Kontakte befinden, über die der Dünnfilmhalbleiterchip 1 jeweils mit einem Bonddraht zu den Anschlussteilen 41, 42 des Leadframes 4 elektrisch leitend verbunden wird (nicht dargestellt) . Ausführungsformen von Dünnfilmhalbleiterchips 1 mit zwei vorderseitigen Kontak¬ ten sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.
Bei den beiden Ausführungsbeispielen gemäß den Figuren 3A bis 3C, sowie 4A und 4B handelt es sich um eine so genannte 5 mm Radial-Bauform mit Vorteil zum Einsatz in einer optischen Computer-Mouse zur Ausleuchtung der zu detektierenden Mouse- Unterlage.
Bei einer 5 mm Radial-Bauform handelt es sich um ein Bauele¬ ment mit einem Bauelementgehäuse 2, das eine zu einer opti¬ schen Achse 3 des Bauelementes im Wesentlichen rotationssym- metrische Form aufweist und dessen äußerster Durchmesser a 5 mm beträgt. Es sind auch Radial-Bauformen möglich, bei denen der Durchmesser a kleiner oder größer ist und beispielsweise 3 mm oder 11 mm beträgt.
Das Bauelementgehäuse 2 umfasst einen Leadframe 4 mit elekt¬ rischen Anschlussteilen 41, 42 und einer Reflektorwanne 5. Die Reflektorwanne 5 weist einen trichterartig geformten Re- flektorbereich 51 und eine dem Reflektorbereich 51 bodensei- tig vorgelagerte Substratmulde 52 auf. Die Innenfläche 53 des Reflektorbereiches 51 kann, wie in den Figuren 3A, 3B und 3C gezeigt, kegelstumpfartig ausgebildet oder, wie in den Figu- ren 4A und 4B gezeigt, parabolisch geformt sein.
Der Leadframe 4 ist bis auf die Reflektorwanne 5 aus einem Blech herausgestanzt. Die Reflektorwanne 5 ist mit einem Prä¬ gewerkzeug, das die inverse gewünschte Form hat, beispiels- weise mit parabolischer oder kegelstumpfförmiger Innenfläche des Reflektorbereiches 51 mit bodenseitig vorgelagerter Sub¬ stratmulde 52, in den Leadframe 4 geprägt. Die Substratmulde 52 ist hierbei bevorzugt kegelstumpfförmig ausgebildet, da die schrägen Seitenwände die Entformung des Prägewerkzeuges erleichtern. Als Material für den Leadframe 4 kann beispiels¬ weise eine Legierung verwendet werden, die CuFe umfasst . Um die Reflektivität des Reflektorbereiches 51 zu erhöhen, ist zumindest dieser mit einer Silberschicht 54 versehen. Die Silberschicht 54 kann beispielsweise galvanisch aufgebracht werden.
Der Strahlungsemittierende Dünnfilmchip 1, wie er beispiels¬ weise in Figur 2 gezeigt ist, ist in die Substratmulde 52 montiert, beispielsweise geklebt. Die elektrische Kontaktie- rung des Dünnfilmchips 1 hängt von der geometrischen Anord¬ nung seiner Kontakte ab. Befindet sich beispielsweise einer der elektrischen Kontakte an der Rückseite der Dünnfilmhalb¬ leiterchips 1 und ein Kontakt an der Vorderseite des Dünn¬ filmhalbleiterchips 1, so wird der rückseitige Kontakt bei- spielsweise durch Verwendung eines elektrisch leitfähigen
Klebers mittels Die-Bonden mit dem Leadframe 4 und die Vor¬ derseite durch einen Bonddraht 6 zu dem elektrischen An¬ schlussteil 42 des Leadframes 4 elektrisch leitfähig verbun¬ den. Der Bonddraht 6 umfasst vorliegend Gold und formt in An- Schluss an den Chip 1 eine kugelförmige Verbindung (ball) und in Anschluss an den Leadframe eine Kante (wedge) aus. Ball- Wedge-Bondverbindungen sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.
Weist der Dünnfilmhalbleiterchip 1 beide elektrischen Kontak- te an der Vorderseite auf (nicht dargestellt) , so kann der
Dünnfilmhalbleiterchip 1 auch mit einem elektrisch isolieren¬ den Kleber in der Substratmulde 52 befestigt werden und die beiden Kontakte jeweils mit einem Bonddraht 6 mit den An¬ schlussteilen 41, 42 des Leadframes elektrisch leitend ver- bunden werden.
Damit die Bereiche der elektrischen Anschlussteile 41, 42 des Leadframes 4, die aus dem Bauelementgehäuse 2 herausragen, gelötet werden können, sind diese Bereiche vorliegend galva- nisch mit einer Schicht 43 überzogen, die Zinn enthält.
Der Reflektorbereich 51 wirkt hauptsächlich am strahlungser- zeugenden Dünnfilm-Schichtenstapel 12. Der eigentliche strah- lungsemittierende Bereich des Dünnfilmchips 1 ist nur wenige μm dick und auf einem vergleichsweise dicken Trägersubstrat
11, vorliegend 180 μm dick, aufgebracht. Zwischen dem Träger¬ substrat 11 und dem Dünnfilm-Schichtenstapel 12 ist die re¬ flektierende Schicht 13 angeordnet, derart, dass nahezu keine Strahlung in das Trägersubstrat 11 eindringen kann, sondern von der reflektierenden Schicht 13 weitgehend nach vorne oder zur Seite reflektiert wird.
Um die Seitenstrahlung und die flach von der Vorderseite des Chips 1 ausgesandte Strahlung effizient nach vorne zu reflek- tieren, ist die Reflektorwanne 5 sehr eng am Dünnfilm-
Schichtenstapel 12 angeordnet. Dies wird durch die Substrat- mulde 52 der Reflektorwanne 5, in der der Dünnfilm-Chip 1 teilweise versenkt wird, ermöglicht. Vorliegend wurde die Tiefe der Substratmulde 52 mit 160 μm geringfügig geringer gewählt als die Dicke des Trägersubstrats 11 (180 μm) , so dass eine über die Flanken der Dünnfilm-Schichtenfolge 12 seitlich leicht schräg nach hinten emittierte Strahlung eben- falls noch auf den Reflektorbereich 51 trifft. Das hinsicht¬ lich Strahlungsemission nicht funktionale Trägersubstrat 11 befindet sich folglich effektiv nicht im Wirkungsbereich des eigentlichen Reflektorbereiches 51.
Der Reflektorbereich 51 wirkt nun direkt in geringem Abstand an der strahlungserzeugenden Schicht des Chips 1 und kann ef¬ fizient die flach aus der Oberfläche des Chips 1 austretende Strahlung, dass heißt Strahlung, die einen kleinen Winkel α mit der Strahlungsemittierenden Oberfläche des Chips 1 ein¬ schließt, und auch die Seitenstrahlung (durch die Chipflan¬ ken) in Richtung optische Achse 3 umlenken (vergleiche Figu¬ ren 3C und 5B) . Strahlung, die seitliche über die Flanken des Chips 1 emittiert wird, wird ebenfalls durch den Reflektorbe- reich 51 in Richtung der optischen Achse 3 umgelenkt (ver¬ gleiche Figuren 3C und 5C) .
Im Unterschied zu dem ersten Ausführungsbeispiel gemäß den Figuren 3A bis 3C, weist das Bauelement des zweiten Ausfüh- rungsbeispiels gemäß der Figur 4A und 4B einen Reflektorbe¬ reich 51 mit parabolischer Innenfläche 531 auf. Wie anhand der Figur 4B zu sehen ist, reflektiert eine parabolische In¬ nenfläche 531 Strahlung, die einen kleinen Winkel α mit der Strahlungsemittierenden Oberfläche des Chips 1 einschließt, ggf. mehrfach und lenkt diese dadurch stärker in Richtung der optischen Achse 3 (vergleiche den an der parabolischen Innen¬ fläche 531 reflektierten Strahl Slλ λ mit dem an der kegel¬ stumpfförmigen Innenfläche 532 reflektierten Strahl Sl λ der Figur 3C) .
Die Seitenwände 521 der Substratmulde 52 schließen mit der Normalen der Bodenfläche 522 der Substratmulde 52 einen Win¬ kel ß von etwa 1° ein. Der Abstand der Seitenwände 521 von den Flanken des Dünnfilm-Chips 1 beträgt etwa 0,05 bis 0,3 mm, vorzugsweise 0,1 bis 0,15 mm. Als zweites optisches Element kommt eine asphärische Linse 7 zum Einsatz. Diese ist der Reflektorwanne 5 und dem Dünnfilm- Chip 1 in Richtung der Vorderseite des Bauelements nachgeord¬ net und befindet sich auf einem kegelstumpfartigen Sockelbe- reich 8, der den Chip 1 und die Reflektorwanne 5 umhüllt. Die Linse 7 ist derart geformt, dass achsnahe Strahlung paralle- lisiert wird und die vom Reflektorbereich 52 umgelenkte Strahlung stärker in Richtung optische Achse 3 gebrochen .wird und so im Zentrum des Strahlungsfeldes des Bauelements zur Wirkung kommt (vergleiche Figuren 5A bis 5D) .
Vorliegend weist die Linse 7 eine elliptische Form auf, so dass auch achsferne Strahlen so zur optischen Achse 3 gebro¬ chen werden, dass ein überwiegender Teil der vom Halbleiter- chip 1 entsandten Strahlung in einen begrenzten Bereich ge¬ bündelt wird.
Zur Herstellung der Linse 7 wird der Leadframe 4 mit dem mon¬ tierten und elektrisch kontaktierten Chip 1 in einer Form po- sitioniert, die die Negativform der gewünschten Linse 7 und des angrenzenden Sockelbereiches 8 aufweist und mit einer ge¬ eigneten Vergussmasse 71, wie beispielsweise einem Epoxyd¬ harz, vergossen. Um zu vermeiden, dass sich hierbei eine Luftblase in der Reflektorwanne 5 ausbildet, wird die Reflek- torwanne 5 vor dem Vergießen in der Form mit der Vergussmasse
71 benetzt, beispielsweise durch einen gesonderten Schritt, bei dem die Reflektorwanne 5 in die Vergussmasse 71 einge¬ taucht wird. Die Linse 7 kann so an den Sockelbereich 8 an¬ grenzen, dass sie tangential in den Sockelbereich 8 übergeht (vergleiche beispielsweise Figur 3A) oder gegenüber dem So¬ ckelbereich 8 zurückspringt, so dass eine Schulter ausgebil¬ det wird (vergleiche beispielsweise Figur 4A) . Im letzteren Fall können auch Linsen 7 verwendet werden, deren Durchmesser nicht an den Durchmesser des Sockelbereiches 8 angepasst ist.
Weiterhin ist es denkbar, dass die Vergussmasse 71 Pigmente
72 enthält, die den gewünschten Farbeindruck des optoelektro- nischen Bauelementes erzeugen oder zumindest unterstützten (vergleiche Figur 4A) . Anstelle von Pigmenten 72 , die den un¬ erwünschten Anteil der von dem Chip 1 emittierten Strahlung absorbieren, ist es auch denkbar, Lumineszenzkonversionsstof- fe 73 in die Vergussmasse 71 einzubringen, die einen bestimm¬ ten Spektralbereich der vom Chip emittierten Strahlung absor¬ bieren und in Strahlung einer anderen, in der Regel größeren, Wellenlängen umwandeln und wieder emittieren (vergleiche Fi¬ gur 3A) .
Im Unterschied zu den oben beschriebenen Ausführungsbeispie¬ len weist bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figuren 6A und 6B die Linse 7 des Bauelementes die Form eines nicht- rotationssymmetrischen Ellipsoid-Segmentes auf, das im Unter- schied zu einem rotationssymmetrischen Ellipsoid-Segment zwei unterschiedlich lange Halbachsen in x- und y-Richtung auf¬ weist. Vorliegend wird die optische Achse 3 als z-Achse be¬ zeichnet, während die x-Achse und die y-Achse jeweils senk¬ recht zur z-Achse eine Ebene aufspannen, die die Bodenfläche 522 der Substratmulde 52 beinhaltet. Der Schnittpunkt der x- Achse, der y-Achse und der z-Achse befindet sich im Mittel¬ punkt der Bodenfläche 522 der Substratmulde 52.
Die Linse 7 weist gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel eine kürzere Halbachse in x-Richtung als in y-Richtung auf, so dass der Öffnungswinkel des Abstrahlkegels in der xz-Ebene (vergleiche Figur 6A) kleiner ist als der Öffnungswinkel des Abstrahlkegels in der yz-Ebene (vergleiche Figur 6B) und so ein asymmetrisches Beleuchtungsfeld entsteht.
Die Erfindung ist selbstverständlich nicht durch die bei¬ spielhafte Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesonde- re jede Kombination von einzelnen Merkmalen der verschiedenen
Patentansprüche oder der verschiedenen Ausführungsbeispiele untereinander beinhaltet, auch wenn das betreffende Merkmal oder die betreffende Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement mit einem Körper (1) , der geeignet ist, im Betrieb des Bauelements elektromagneti- sehe Strahlung auszusenden, der ein Trägersubstrat (11) und eine auf diesem Trägersubstrat (11) angeordnete Strah¬ lung aussendende Schichtenfolge (12) umfasst und der in einer Reflektorwanne (5) eines Bauelementgehäuses (2) an¬ geordnet ist und mit externen elektrischen Anschlusslei- tern (41,42) des Bauelementgehäuses (2) elektrisch leitend verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflektorwanne (5) umfasst:
- einen Reflektorbereich (51) mit einer Innenfläche (53) , dessen Querschnitt sich gesehen vom Strahlung emittieren¬ den Körper (1) zu einer Vorderseite des Bauelementgehäuses
(2) hin vergrößert, derart, dass auf der Innenfläche (53) auftreffende Strahlung der Schichtenfolge zu einer ge¬ wünschten optischen Achse (3) des Bauelements hin gezielt umgelenkt wird, und
- eine bodenseitig dem Reflektorbereich (51) vorgelagerte Substratmulde (52) , in der der Strahlung aussendende Körper (1) angeordnet ist, wobei die Tiefe der Substratmulde (52) so gewählt ist, dass das Trägersubstrat (11) zumindest teilweise gegenüber dem Reflektorbereich (51) versenkt ist und die Länge und die Breite der Substratmulde (52) so an die Länge und die Breite des Körpers (1) angepasst sind, dass zwischen den Flanken des Körpers (1) und der Sub¬ stratmulde (52) nur geringfügige Spalte bestehen.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelementgehäuse (2) eine Linse (7) aufweist, durch die die optische Achse (3) verläuft und die im Bereich, in dem die optische Achse (3) die Oberfläche der Linse (7) schneidet, den kleinsten und mit zunehmendem Abstand von der optischen Achse (3) immer größer werdenden Krümmungs- radius aufweist.
3. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Linse (7) eine Fresnellinse ist.
4. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Linse eine asphärische Linse mit der Form eines Ellipsoid-Segments ist.
5. Bauelement nach Anspruch 2 , dadurch gekennzeichnet, dass die Linse ein nicht-rotationssymmetrisches Ellipsoid- Segment aufweist.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass
Seitenwände (521) der Substratmulde (52) mit der Normalen einer Bodenfläche (522) der Substratmulde (52) einen Win¬ kel ß von etwa 1° einschließen.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelementgehäuse (2) eine Sockelbereich (8) umfasst, an den sich die Linse (7) anschließt.
8. Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Linse (7) tangential in den Sockelbereich (8) über¬ geht .
9. Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Linse (7) derart gegenüber dem Sockelbereich (8) zu¬ rückspringt, dass eine Schulter ausgebildet wird.
10. Bauelement nach einem der obigen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die Innenfläche (53) des Reflektorbereiches (51) eine Schicht (54) aufweist, die die Reflektivität der Innenflä- che (53) erhöht.
11. Bauelement nach Anspruch 10 dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (54) Silber aufweist.
12. Bauelement nach einem der obigen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die Innenfläche (53) des Reflektorbereiches (51) parabo¬ lisch, kegelstumpfförmig oder sphärisch ausgebildet ist.
13. Verwendung eines Bauelementes nach einem der obigen An¬ sprüche dadurch gekennzeichnet, dass es in einer Computer-Mouse, einer Lichtschranke oder einem Drucker eingesetzt wird.
14. Bauelementgehäuse (2) für einen Strahlungsemittierenden Körper, insbesondere für einen Dünnfilmhalbleiterchip (1) , dadurch gekennzeichnet, dass eine Reflektorwanne (5) vorgesehen ist, mit:
- einem Reflektorbereich (51) mit einer Innenfläche (53) , dessen Querschnitt sich in Richtung zu einer Vorderseite des Bauelementgehäuses (2) hin vergrößert, derart, dass auf der Innenfläche (53) auftreffende Strahlung zu einer gewünschten optischen Achse (3) hin umgelenkt wird, und
- einer bodenseitig dem Reflektorbereich (51) vorgelager¬ ten Substratmulde (52) zur Aufnahme des Strahlung aussen¬ denden Körpers (1) , wobei die Tiefe der Substratmulde (52) so gewählt ist, dass ein Trägersubstrat (11) des strah- lungsemittierenden Körpers (1) zumindest teilweise gegen¬ über dem Reflektorbereich (51) versenkt ist und die Länge und die Breite der Substratmulde (52) so an die Länge und die Breite des Körpers (1) angepasst sind, dass zwischen den Flanken des Körpers (1) und der Substratmulde (52) nur geringfügige Spalte bestehen.
15. Bauelementgehäuse nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass es eine Linse (7) aufweist, durch die die optische Achse (3) verläuft und die im Bereich, in dem die optische Achse (3) die Oberfläche der Linse (7) schneidet, den kleinsten und mit zunehmendem Abstand von der optischen Achse immer größer werdenden Krümmungsradius aufweist .
16. Bauelementgehäuse nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Linse (7) eine Fresnellinse ist.
17. Bauelementgehäuse nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Linse eine asphärische Linse mit der Form eines Ellipsoid-Segments ist.
18. Bauelementgehäuse nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Linse ein nicht-rotationssymmetrisches Ellipsoid- Segment aufweist.
19. Bauelementgehäuse nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass
Seitenwände (521) der Substratmulde (52) mit der Normalen einer Bodenfläche (522) der Substratmulde (52) einen Win¬ kel ß von etwa 1° einschließen.
20. Bauelementgehäuse nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass es einen Sockelbereich (8) umfasst, an den sich die Linse (7) anschließt.
21. Bauelementgehäuse nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Linse (7) tangential in den Sockelbereich (8) über¬ geht .
22. Bauelementgehäuse nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Linse (7) gegenüber dem Sockelbereich (8) zurück¬ springt, so dass eine Schulter ausgebildet wird.
23. Bauelementgehäuse nach einem der Ansprüche 14 bis 22 dadurch gekennzeichnet, dass die Innenfläche (53) des Reflektorbereiches (51) parabo¬ lisch, kegelstumpfförmig oder sphärisch ausgebildet ist.
24. Bauelementgehäuse nach einem der Ansprüche 14 bis 23 dadurch gekennzeichnet, dass die Innenfläche (53) des Reflektorbereiches (51) eine Schicht (54) aufweist, die die Reflektivität der Innenflä- che (53) erhöht.
25. Bauelementgehäuse nach Anspruch 24 dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (54) Silber aufweist.
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