CN101048879A - 发射电磁辐射的半导体器件和器件壳体 - Google Patents

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Abstract

公开了一种光电器件，它包括器件壳体(2)和具有支承衬底(11)和发射辐射的层序列(12)的本体(1)。本体(1)被设置在器件壳体(2)的反射槽(5)中，并且与器件壳体(2)的外部的电连接导体(41，42)导电连接。在此，反射槽(5)包括：具有内表面(53)的反射区(51)，其横截面从发射辐射的本体(1)来看这样地向器件壳体(2)的正面扩大，使得层序列的、射在内表面(53)上的辐射被有目的地向器件的一个希望的光轴(3)偏转，以及在底部设置在反射区(51)之前的衬底凹穴(52)，在衬底凹穴中设置有发出辐射的本体(1)，其中，衬底凹穴(52)的深度被这样选择，使得支承衬底(11)相对于反射区(51)至少部分地下沉，并且衬底凹穴(52)的长度和宽度这样适配本体(1)的长度和宽度，使得在本体(1)的边缘和衬底凹穴(52)的边缘之间仅仅存在微小的空隙。在一种优选的实施形式中，器件壳体(2)此外还具有透镜(7)，该透镜产生辐射锥的所希望的张角。此外还描述了该器件的应用。

Description

发射电磁辐射的半导体器件和器件壳体
本发明涉及按照权利要求1前序部分的发射电磁辐射的半导体器件和按照权利要求14前序部分的器件壳体。
尤其是在发光二极管领域中的新芯片工艺的越来越进步的发展要求将新的光学元件使用在壳体工艺中。
所谓的薄膜-发光二极管芯片(更详细的描述见下面)由芯片表面、即由产生辐射的半导体层序列的背离支承体衬底的正面发射其辐射的大约85％。其余的15％通过半导体层序列的边缘向侧面发射。
薄膜-发光二极管芯片的特色尤其在于下面的表现特点的特征：
-在产生辐射的外延层序列的向着支承体元件的第一主面上施加或者构造反射层，该反射层将在外延层序列中产生的电磁辐射的至少一部分回反射到其中；及
-外延层序列具有在20μm或者更小的范围中、尤其是在10μm的范围中的厚度。
外延层序列优选还包含至少一个具有至少一个面的半导体层，该面具有一种混匀结构(Durchmischungsstruktur)，它在理想情况下导致辐射在该外延的外延层序列中近似各态历经的分布，也就是说它具有尽可能各态历经地随机的散射特性。
薄膜-发光二极管芯片的基本原理例如在1993年10月18日I.Schnitzer等人所著的Appl.Phys.Lett.63(16)，2174-2176中被描述，其中公开的内容通过参考结合于此。
薄膜-发光二极管芯片良好近似于朗伯表面辐射体并且由此特别好地适于应用在聚光灯中。
为了利用这种薄膜-发光二极管芯片实现具有限定地窄的辐射角和尽可能高的辐射功率的光电器件，从正面平地向侧面发出的辐射和通过半导体层序列的边缘侧面发射的辐射必须尽可能完全地向该器件的所希望的光轴偏转，并且进入该器件的所希望的辐射锥中，使得该辐射也以所希望的限定地窄的角从该器件发射。
本发明的任务相应地是，提供一种器件壳体，其中可借助薄膜-发光二极管芯片或者具有类似发射特性的、发射电磁辐射的本体实现所希望的光电器件的限定的发射角。
该任务借助具有权利要求1的特征的光电器件和借助具有权利要求14的特征的器件壳体被解决。
该器件以及该器件壳体的有利的实施形式、改进方案和应用在从属权利要求中给出。
对此，权利要求的公开内容明确地被包含在说明书中。
按照本发明的、用于具有辐射发射体的光电器件的器件壳体特别是包括反射槽，它具有：
-带有内表面的反射区(51)，其横截面从发射辐射的本体(1)来看这样地向器件壳体(2)的正面扩大，使得层序列的射在内表面(53)上的辐射被有目的地向该器件的所希望的光轴偏转，以及
-在底部设置在反射区(51)之前的衬底凹穴(52)，在该衬底凹穴中设置有发出辐射的本体(1)，其中，衬底凹穴的深度被这样选择，使得支承体衬底相对于反射区至少部分地下沉，并且衬底凹穴的长度和宽度这样适配于本体的长度和宽度，使得在该本体的边缘和该衬底凹穴的边缘之间仅仅存在微小的空隙。
在下面，器件或者器件壳体的在工作中通过其发射所产生的辐射的大部分的面被称为该器件或者器件壳体的“正面”。器件或者器件壳体的与正面相对的面被称为该器件或者器件壳体的“底”。此外，辐射发射体的、由其在工作中发射辐射的大部分的面还被称为正面或者前面。该本体的背面是与正面相对的面。
在这里，“在该本体的边缘和该衬底凹穴的边缘之间仅仅存在微小的空隙”被理解为，衬底凹穴的内部净宽合乎目的地仅仅略微大于该芯片的横向尺寸，使得该芯片例如虽然仍可以借助传统的辅助工具例如Pick-and-Place装置被置入衬底凹穴中并安装，然而不占用更多的位置。在一种有利的实施形式中，衬底凹穴侧壁到发射辐射的本体的边缘的距离在大约0.05和0.3mm，优选在0.1和0.15mm之间，其中边界各被包括在内。特别优选的是，该空隙的大小为大约100μm。
基于反射槽(衬底凹穴的处于深处的底部，其具有适配于芯片的尺寸和在辐射发射体的发射方向上设置在后面的反射区)的形状，可能的是，将反射区的内表面导向到极靠近本体的辐射发射区，即靠近辐射发射的层序列。衬底凹穴的侧壁只必须被设置得足够地靠近芯片边缘，使得在该芯片的边缘和衬底凹穴的边缘之间仅仅存在微小的空隙。由此，能够实现，平地由发射体的表面发出的辐射可借助紧挨在芯片上的反射槽向前朝辐射方向被偏转。
在一种优选的实施形式中，反射区的内表面具有含有例如银的反射层。该反射层有利地提高了内表面的反射性。根据本体发射的辐射的波长范围，也可适用其他的材料来提高反射区的内表面的反射性。
优选地，作为辐射源的薄膜发光二极管芯片被安装入器件壳体中。薄膜发光二极管芯片在此被这样地设置在衬底凹穴中，使得其支承体衬底朝着器件壳体的底部。
反射区的内表面可有利地被构造为抛物面。由此可改善反射槽的有效性。
具有抛物线状的内表面的反射区当前尤其是将由辐射发射体表面平地发出的辐射的特别大的部分向光轴的方向偏转，并且由此特别适于使辐射成束。在本上下文中，“平”意味着，辐射与辐射发射体的正面一起包围一个小的角α。
此外，反射区的内表面也可以截锥状地被构造。相对于抛物线状的内表面，截锥状的反射区内表面可更简单地实现。此外，具有截锥状内表面的反射区尤其适于产生具有均匀的辐射密度的照射场。
在另一种实施形式中，反射区具有球形的内表面。具有被球形地成型的内表面的反射区特别适于，实现在15°至30°之间的辐射角。
在一种特别优选的实施形式中，器件壳体具有透镜，该透镜从器件壳体的底部来观察被设置在反射区之后。透镜引起直接的前面辐射和通过反射区发射的平的表面辐射的聚束。借助透镜，具有器件壳体的光电器件的辐射特性可被有目的地适配。
透镜例如可以这样设计，即有目的地实现光电器件的辐射锥的所希望的张角。
在一种实施形式中，透镜是非球透镜，优选具有椭球片段(Ellipsoid-Segment)的形状，因为借助这种透镜通常也可将远离轴的辐射很好地聚束。远离轴的辐射当前被理解为不在光电器件光轴的直接附近的辐射。与球形透镜相比，这能够实现透镜尺寸的进一步减小。
然而，也可想到，透镜具有另外的形状，例如通过将任意的曲线围绕光轴旋转而产生的形状。有利的是，透镜形状和反射区的形状彼此这样地适配，使得由器件发射的辐射在所希望的角区中均匀地被发射，使得形成具有限定的尺寸的、均匀地被照亮的照射区。
按照本发明的反射槽和非球透镜的组合允许在具有高辐射强度的近场中一个非常小的面积的非常均匀的照亮。为此，在图1A中，以距透镜2mm的距离将具有非球透镜和带截锥状内表面的反射区的器件的相对辐射强度(以％)的模拟值的横向分布进行比较。“相对辐射强度”被理解为被标准化到辐射强度的最大值上的辐射强度。在图1B中，还在X轴上以度数绘出辐射锥的半张角并且在Y轴上相应于图1A地绘出相对辐射强度。
如图1B可看出的那样，借助透镜和带有截锥状内表面的反射区的组合可以实现8.4°的半角。半角被理解为辐射锥的这样的张角，在该张角中辐射强度为在发射辐射的本体的正面上的值的50％。构造和随后的测量表明，可实现7°的半角和46mW/sr(20mA)的辐射强度Ie，以及7.6mW(20mA)的辐射功率PhiE。
在另一种实施形式中，所述透镜是菲涅耳透镜(Fresnellinse)。菲涅耳透镜能够有利地实现器件或者器件壳体的极其平的构型。
此外，透镜还可具有非旋转对称的椭球片段的形状。非旋转对称的椭球片段在此理解为这样的椭球的片断，即其三个轴具有不同长度并且由此椭球不能通过曲线绕光轴的旋转来产生。借助这样的透镜可实现具有不对称形状的、尤其是具有椭圆形状的照射场。具有非旋转对称的椭球片段形状的透镜的器件有利地应用在用于体育场或火车站的大显示器中。
通过透镜和反射槽的共同作用，可实现将表面发射的辐射源本体的、例如薄膜-发光二极管芯片的几乎整个前辐射导入到一个极窄的、均匀地被照亮的辐射场中。
在此，当前的反射槽适于将由本体的表面所发出的辐射的尽可能大的部分这样地聚束，使得辐射由设置在后面的透镜在具有被限定的张角的辐射锥中被发射。在一种优选的实施形式中，辐射锥的张角尽可能小，使得辐射基本与器件的光轴平行地被发出。
这种窄发射的并且亮的发光二极管器件经常并且优选地用于较小面积的均匀照射，例如在光学的计算机鼠标中。此外，以具有小的张角和大致均匀的、高强度的的辐射锥形式发射来自红外波长范围的辐射的发光二极管器件尤其适于使用在光栅以及在打印机中的反馈传感器中，用于校准打印头以及确定纸张特性。本发光二极管器件的另一种优选的应用是在机动车中的多媒体应用中的数据传输。
在本发明的一种实施形式中，器件壳体此外还包括截锥状的基座区，在其后紧跟着透镜。透镜和基座区之间的过渡在此可以是相切的，或者透镜可相对于基座向后缩进，使得形成肩部。
尤其是在所谓的辐射状构型的发光二极管器件中，透镜至其余的壳体的过渡例如可以在基座区中被构造为台阶。辐射状构型被理解为器件的一种构型，它相对于器件的光轴基本上旋转对称。由此，可以以简单方式实现比其余的壳体的直径更小的透镜直径。其直径小于其余的壳体的尺寸的透镜也可被使用在非辐射状的构型中。
优选的是，衬底凹穴截锥状地成形，使得其截面从其底部向反射区变大。这样的形状使得可以借助引线框架的压印来实现制造反射槽，因为压印工具可以更好地被脱模。特别优选的是，衬底凹穴的侧壁与衬底凹穴的底部的面的法线一起包围大约1°的角β。
本发明的另外的实施、改进方案和优点在下面借助三个实施例结合图2，3A至3C，4A和4B，5A至5D和6A及6B详细阐述。
其中：
图1A示出了器件的、以％形式的相对辐射强度的模拟值；
图1B示出了图1B中的相对辐射强度的模拟值的角度分布；
图2示出了薄膜-半导体芯片的示意性剖面图；
图3A示出了根据第一实施例的器件的示意性剖面图；
图3B示出了第一实施例的反射槽的、相对于图3A放大了的示意性剖面图；
图3C示出了反射槽的局部放大的示意性剖面图，它表示了根据第一实施例的反射区对这样的辐射走向的影响，其中这些辐射与薄膜-半导体芯片的发射辐射的表面一同包围了一个小的角α；
图4A示出了按照第二实施例的器件的示意性剖面图；
图4B示出了反射槽的局部放大的示意性剖面图，它表示了根据第二实施例的反射区对这样的辐射走向的影响，其中这些辐射与薄膜-半导体芯片的发射辐射的表面一同包围了一个小的角α；
图5A示出了按照第一实施例的器件的示意性剖面图，具有薄膜-发光二极管芯片的“陡峭”地发射的前侧的表面辐射的辐射走向的视图，该表面辐射没有由反射区偏转；
图5B示出了按照第一实施例的器件的示意性剖面图，具有薄膜-发光二极管芯片的“平”地发射的前侧的表面辐射的辐射走向的视图，该表面辐射由反射区向器件的光轴偏转；
图5C示出了按照第一实施例的器件的示意性剖面图，具有薄膜-发光二极管芯片的在侧面地通过芯片边缘发射的辐射的辐射走向的视图，该辐射由反射区向器件的光轴偏转；
图5D示出了按照第一实施例的反射区和透镜的示意性剖面图，具有对于芯片的所有辐射方向的辐射走向；
图6A示出了按照第三实施例的反射区和透镜的示意性剖面图，具有在xz平面中的辐射走向；以及
图6B示出了按照第三实施例的反射区和透镜的示意性剖面图，具有在yz平面中的辐射走向；
按照图2的薄膜-发光二极管芯片1例如具有一个有源的、尤其是基于In1-x-yAlxGayP(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)的薄膜层堆12，在其中构造有光子发射区，并且设置有用于薄膜层堆12的支承衬底11、该支承衬底被设置在薄膜层堆12的背离芯片1的辐射方向的一侧上并且与其相连接。这样的发光二极管芯片1对于发光二极管技术领域的技术人员来说是已知的，并且由此对此不再详细阐述。
薄膜层堆12基于In1-x-yAlxGayP(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)意味着，薄膜层堆12具有多个由掺杂的或者未掺杂的、由In1-x-yAlxGayP(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)系的材料构成的层。
薄膜层堆12此外还可基于In1-x-yAlxGayN(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)或者In1-x-yAlxGayAs(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)。基于In1-x-yAlxGayN(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)或者In1-x-yAlxGayAs(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)意味着，与“基于In1-x-yAlxGayP”相同地，薄膜层堆12具有多个由掺杂的或者未掺杂的、由In1-x-yAlxGayN(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)系或者In1-x-yAlxGayAs(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)系的材料构成的层。
薄膜层堆12此外还包括一个适于产生光子的区域，例如pn结、单量子阱或多量子阱。一种适合的、基于InGaN的薄膜层堆12例如被记载在WO 01/39282 A2中，其公开的内容通过引用被包括在此。
支承衬底11是半导体芯片1本身的一部分并且是对于薄膜层堆12的机械支撑，即用于薄膜层堆12的主要承载元件，薄膜层堆12本身在与支承体衬底11相对的侧上不再具有自支承的层。在支承衬底11和薄膜层堆12之间设置有反射元件13、例如反射层或者层序列，其将来自薄膜层堆12的辐射向半导体芯片1的发射辐射的正面反射。当前，支承衬底11和反射元件13具有导电能力，使得薄膜半导体芯片1在背面可以通过支承衬底11被电接触。为了正面的电接触，在薄膜层堆12上构造导电的接触层14。此外，还可以想到的是，例如当支承体衬底11是电绝缘时，在薄膜层堆12上在正面上存在两个分离的电接触部，通过它们，薄膜半导体芯片1分别借助一个接合线被导电地连接至引线框架4的端子部分41、42(未示出)。具有两个正面接触部的薄膜半导体芯片1的实施形式对于技术人员是已知的，并且由此在此不详细阐述。
在按照图3A至3C以及4A和4B的两个实施例中，涉及所谓的5mm放射状构型，具有用于使用在光学计算机鼠标中的优点，用于照亮待检测的鼠标垫。
5mm放射状构型是一种具有器件壳体2的器件，该器件壳体具有关于器件的光轴3基本上旋转对称的形状并且其最外的直径a为5mm。在其中直径a更小或者更大的放射状构型也是可能的，并且例如为3mm或者11mm。
器件壳体2包括具有电端子部分41，42和反射槽5的引线框架4。反射槽5具有一个漏斗状地成型的反射区51和一个在底部侧设置在反射区51之前的衬底凹穴52。如在图3A，3B和3C中所示地，反射区51的内表面53可以被截锥状构造；或者如在图4A和4B中所示地，抛物线状地被成型。
除了反射槽5，引线框架4由薄片冲压而成。反射槽5借助具有相反的所希望的形状的冲压模被冲压到引线框架4中，例如该冲压模具有带在底部被设置在前面的衬底凹穴52的、具有反射区51的抛物线状的或截锥状的内表面。衬底凹穴52在此优选截锥状地被构造，因为斜的侧壁使得冲压模的脱模变得容易。作为用于引线框架4的材料，例如可以使用包括CuFe的合金。为了提高反射区51的反射性，至少为它设置了银层54。银层54例如可以电镀地被施加。
如例如在图2中所示地，发射辐射的薄膜芯片1被安装、例如被粘贴在衬底凹穴52中。薄膜芯片1的电接触例如与其接触部的几何设置有关。如果这些电接触部的例如一个位于薄膜半导体芯片1的背面，并且一个接触部位于薄膜半导体芯片1的正面，则背面的接触部例如通过使用导电胶借助芯片接合(Die-Bonden)与引线框架4导电连接，并且正面通过接合线6被导电连接到引线框架4的电端子部分42。在此，接合线6包括金，并且在至芯片1的连接中形成球状的连接(球(ball))并且在至引线框架的连接中形成棱(楔(wedge))。球楔接合连接(Ball-Wedge-Bondverbindungen)是技术人员公知的并且因此在此不详细阐述。
如果薄膜半导体芯片1在正面具有两个电接触部(未示出)，则薄膜半导体芯片1也可以借助电绝缘的胶粘剂被固定在衬底凹穴52中，并且这两个接触部分别借助接合线6与引线框架的端子部分41、42导电连接。
为了使引线框架4的从器件壳体2伸出的电端子部分41、42的区域可被焊接，这些区域在此以电镀的方式被用包含锡的层43包覆。
反射区51主要在产生辐射的薄膜层堆12上起作用。薄膜芯片1的实际上的发射辐射的区域仅仅几微米厚，并且被施加在相比而言厚的支承衬底11上，在此为180μm厚。在支承衬底11和薄膜层堆12之间这样设置反射层13，使得几乎没有辐射可以进入支承衬底11中，而是由反射层13很大程度上向前或者向侧面地反射。
为了将侧面辐射和平地由芯片1的正面发出的辐射有效地向前反射，反射槽5极紧地被设置在薄膜层堆12上。这通过反射槽5的衬底凹穴52来实现，薄膜芯片1部分地沉埋在衬底凹穴52中。在此，衬底凹穴52以160μm的深度被选择得稍微小于支承衬底11的厚度(180μm)，使得经过薄膜层序列12的边缘在侧面略微向后倾斜地发射的辐射也还碰到反射区51。因此，关于辐射发射不起作用的支承衬底11实际不位于真正的反射区51的作用区。
反射区51现在直接以小的距离作用在芯片1的产生辐射的层上，并且可有效地将平地由芯片1的表面发出的辐射、也就是与芯片1的发射辐射的表面一起围成一个小角α的辐射、以及(通过芯片边缘的)侧面辐射向光轴3的方向偏转。在侧面经过芯片1的边缘被发射的辐射同样通过反射区51被向光轴3的方向偏转(参见图3C和5C)。
与按照图3A至3C的第一实施例不同，按照图4A和4B的第二实施例的器件具有带抛物线状的内表面531的反射区51。如借助图4B可看出的那样，抛物线状的内表面531可能多次地将与芯片1的发射辐射的表面一起围成一个小角α的辐射反射，并且由此将它们更强烈地向光轴3的方向引导(参见在抛物线状的内壁531上被反射的射线S1”与图3C的在截锥状的内表面532上反射的射线S1’)。
衬底凹穴52的侧壁521与衬底凹穴52的底面522的法线围成大约1°的角β。侧壁521到薄膜芯片1的边缘的距离为大约0.05至0.3mm，优选为0.1至0.15mm。
作为第二光学元件，使用非球透镜7。它在器件正面的方向上被设置在反射槽5和薄膜芯片1之后，并且位于截锥状的基座区8上，基座区包围芯片1和反射槽5。透镜7被这样地成形，使得近光轴的辐射被平行化并且由反射区52偏转的辐射更强烈地向光轴3的方向折射，并且于是在器件的辐射场的中央起作用(参见图5A至5D)。
在此，透镜7具有椭圆的形状，使得远离轴的辐射也被这样地向光轴3折射，使得由半导体芯片1发出的辐射的大部分被聚集到一个受限制的区域中。
为了制造透镜7，具有被安装并被电接触的芯片1的引线框架4被安置在模型中，模型具有所希望的透镜7和邻接的基座区8的阴模，并且借助合适的浇注材料71、例如环氧树脂被浇注。为了避免在此在反射槽5中形成气泡，在模型中浇注之前，用浇注材料71润湿反射槽5，例如通过一个单独的步骤，在该步骤中反射槽5被浸入到浇注材料71中。透镜7可以这样与基座区8交界，使得它相切地过渡到基座区8中(例如参见图3A)或者相对于基座区8向后缩进，使得形成肩部(例如参见图4A)。在后一种情况中，也可以使用透镜7，其直径与基座区8的直径不相匹配。
此外，还可以想到，浇注材料71包括色素72，它们产生或者至少支持光电器件的所希望的颜色观感(参见图4A)。替代吸收由芯片1发射的辐射的不希望部分的色素72，也可以想到在浇注材料71中引入发光转换材料73，它们吸收由芯片发射的辐射的确定的频谱范围并且将其转换为其他的、通常更大波长的辐射并且又发射出去(参加图3A)。
与上述的实施例不同，在按照图6A和6B的实施例中，器件的透镜7具有非旋转对称的椭球片段的形状，与旋转对称的椭球片段不同，它具有在x-和y方向上不同长度的半轴。在此，光轴3被称为z轴，x轴和y轴各垂直于z轴地张开一个平面，该平面包括衬底凹穴52的底面522。x轴、y轴和z轴的交点位于衬底凹穴52的底面522的中点。
按照当前的实施例，透镜7具有在x方向上比在y方向上的短的半轴，使得在xz平面上的辐射锥的张角(参见图6A)比在yz平面上的辐射锥的张角(参见6B)小，并且这样形成一个不对称的照射场。
本发明自然不被借助实施例的示例性的描述而限制于此。相反，本发明也包括每个新的特征以及这些特征的每个组合，这尤其包含彼此不同的权利要求或者不同的实施例的单个特征的每个组合，即使这些特征或这些组合本身没有详细地在权利要求或实施例中给出。

Claims (25)

1.一种具有本体(1)的光电器件，所述本体适于在所述器件工作中发出电磁辐射，所述本体包括支承衬底(11)和设置在该支承衬底(11)上的发出辐射的层序列(12)，并且所述本体被设置在器件壳体(2)的反射槽(5)中，并且与所述器件壳体(2)的外部的电连接导体(41，42)导电连接，
其特征在于，所述反射槽(5)包括：
具有内表面(53)的反射区(51)，其横截面从发射辐射的本体(1)来看这样地向所述器件壳体(2)的正面扩大，使得所述层序列的、射在所述内表面(53)上的辐射被有目的地向所述器件的所希望的光轴(3)偏转，及
在底部设置在所述反射区(51)之前的衬底凹穴(52)，在所述衬底凹穴中设置有发出辐射的本体(1)，其中，所述衬底凹穴(52)的深度被这样选择，使得所述支承衬底(11)相对于所述反射区(51)至少部分地下沉，并且所述衬底凹穴(52)的长度和宽度这样适配所述本体(1)的长度和宽度，使得在所述本体(1)的边缘和所述衬底凹穴(52)的边缘之间仅仅存在微小的空隙。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，
所述器件壳体(2)具有透镜(7)，所述光轴(3)延伸穿过所述透镜，并且在所述光轴(3)与所述透镜(7)的表面相交的区域中，所述透镜具有最小曲率半径，并且随着离所述光轴(3)的距离的增长而具有逐渐变大的曲率半径。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述透镜(7)是菲涅耳透镜。
4.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述透镜是具有椭球片段的形状的非球透镜。
5.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述透镜具有非旋转对称的椭球片段。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其特征在于，
所述衬底凹穴(52)的侧壁(521)与所述衬底凹穴(52)的底面(522)的法线一起包围大约1°的角β。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的器件，其特征在于，
所述器件壳体(2)包括基座区(8)，所述透镜(7)连接在其上。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，
所述透镜(7)相切地过渡到所述基座区(8)中。
9.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，
所述透镜(7)这样地相对于所述基座区(8)向后缩进，使得形成肩部。
10.根据上述权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，
所述反射区(51)的内表面(53)具有提高所述内表面(53)的反射性的层(54)。
11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述层(54)具有银。
12.根据上述权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，
所述反射区(51)的内表面(53)被构造为抛物线状、截锥状、或球状。
13.根据上述权利要求中任一项所述的器件的应用，其特征在于，
它被使用在计算机鼠标、光栅或者打印机中。
14.用于发射辐射的本体、尤其是用于薄膜半导体芯片(1)的器件壳体(2)，其特征在于，
设置有反射槽(5)，具有：
带内表面(53)的反射区(51)，其横截面向所述器件壳体(2)的正面的方向上这样扩大，使得射在所述内表面(53)上的辐射被向希望的光轴(3)偏转，及
在底部设置在所述反射区(51)之前的衬底凹穴(52)，用于容纳所述发出辐射的本体(1)，其中所述衬底凹穴(52)的深度被这样选择，使得所述发射辐射的本体(1)的支承衬底(11)至少部分地相对于所述反射区(51)下沉，并且所述衬底凹穴(52)的长度和宽度这样适配所述本体(1)的长度和宽度，使得在所述本体(1)的边缘和所述衬底凹穴(52)的边缘之间仅仅存在微小的空隙。
15.根据权利要求14所述的器件壳体，其特征在于，
它具有透镜(7)，所述光轴(3)延伸穿过所述透镜，并且在所述光轴(3)与所述透镜(7)的表面相交的区域中，所述透镜具有最小的曲率半径，并且随着离所述光轴(3)的距离的增长而具有逐渐变大的曲率半径。
16.根据权利要求15所述的器件壳体，其特征在于，
所述透镜(7)是菲涅耳透镜。
17.根据权利要求15所述的器件壳体，其特征在于，
所述透镜是具有椭球片段的形状的非球透镜。
18.根据权利要求15所述的器件壳体，其特征在于，
所述透镜具有非旋转对称的椭球片段。
19.根据权利要求14至18中任一项所述的器件壳体，其特征在于，
所述衬底凹穴(52)的侧壁(521)与所述衬底凹穴(52)的底面(522)的法线一起包围大约1°的角β。
20.根据权利要求15至20中任一项所述的器件壳体，其特征在于，
它包括基座区(8)，所述透镜(7)连接在其上。
21.根据权利要求20所述的器件壳体，其特征在于，
所述透镜(7)相切地过渡到所述基座区(8)中。
22.根据权利要求20所述的器件壳体，其特征在于，
所述透镜(7)相对于所述基座区(8)向后缩进，使得形成肩部。
23.根据权利要求14至22中任一项所述的器件壳体，其特征在于，
所述反射区(51)的内表面(53)被构造为抛物线状、截锥状或球状。
24.根据权利要求14至23中任一项所述的器件壳体，其特征在于，
所述反射区(51)的内表面(53)具有一个提高所述内表面(53)的反射性的层(54)。
25.根据权利要求24所述的器件壳体，其特征在于，
所述层(54)具有银。
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