WO2006038630A1 - 磁気記録媒体 - Google Patents

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magnetic
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Jun Ariake
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    • G—PHYSICS
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    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
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    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a magnetic recording medium, and more particularly to a magnetic recording medium mounted on various recording devices such as a computer and a video recorder.
  • a perpendicular magnetic recording system As a technique for further increasing the magnetic recording density, a perpendicular magnetic recording system has attracted attention.
  • a recording medium used for perpendicular magnetic recording a Co-Pt-Cr crystal grain is surrounded by SiO.
  • a medium using a recording layer having an error structure is disclosed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-178413). If this medium is completely divided by the grain force SiO of each of Co-Pt-Cr, which is a ferromagnetic material, the magnetic interaction between the magnetic particles will be reduced.
  • the high magnetocrystalline anisotropy of Co-Pt-Cr crystals with c-axis oriented in the direction perpendicular to the film surface produces a high perpendicular coercive force by reducing the magnetic interaction between magnetic particles. It is considered to be.
  • An object of the present invention is to provide a magnetic recording medium that can exhibit high perpendicular coercive force by reducing the magnetic coupling between magnetic particles.
  • a magnetic recording medium according to the present invention has the following general formula:
  • m and n are atomic ratios, m is from 0.2 to 0.4, n is from 0 to 0.1, x is from 9 at.% To 13 at.%, YZx is from 1.8 to 2 3 or less)
  • the magnetic recording medium according to the present invention is in a form in which a CoPt-based alloy and TiO are phase separated.
  • the recording layer preferably has perpendicular magnetic anisotropy.
  • the recording layer is preferably formed under an Ar gas pressure atmosphere of 4 Pa or more and 9 Pa or less.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a magnetic recording medium according to the present invention.
  • FIG. 2 is a graph showing the change of the perpendicular coercive force of the film with respect to the amount of Pt in the CoPt alloy film.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a magnetic recording medium manufactured in an example.
  • FIG. 4 is a diagram showing the amounts of elements of Ti and O in the film with respect to the Ar gas pressure when the recording layer is formed for the magnetic recording medium of Example 1.
  • FIG. 5 is a graph showing the change in perpendicular coercive force He with respect to the Ti content in the film for the magnetic recording medium of Example 1.
  • FIG. 6 is a graph showing the change in the atomic ratio of O and Ti in the film to the Ar gas pressure during the recording layer formation for the magnetic recording medium of Example 1.
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the ratio of CrZ (Co + Pt + Cr) and the perpendicular coercive force with respect to the magnetic recording medium of Example 1.
  • FIG. 8 is a diagram collectively showing the evaluation results of Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2.
  • FIG. 9 A medium having a Co Pt — TiO recording film according to the present invention and a conventional CoPtCr—SiO
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a magnetic recording medium according to the present invention.
  • the substrate 1 On the substrate 1, there are an underlayer 2, a Co—Pt alloy crystal grain and a TiO recording layer 3 and a protective layer 4 surrounding it.
  • the substrate 1 glass, metal, plastic, or the like may be used as an example of any material that has mechanical strength that does not easily break and has a smooth surface. Can do.
  • the underlayer 2 may be omitted or may have a multilayer structure.
  • a soft magnetic layer such as Ni—Fe used as an auxiliary during recording, or a nonmagnetic film such as Pt or Ru for ensuring the crystal orientation of the recording layer can be used.
  • the thickness of the underlayer 2 is not particularly limited.
  • the protective layer 4 may be omitted or may have a multilayer structure. Examples include hard films such as carbon and TiN. Further, a liquid or solid lubricant may be used on the surface of the protective film 4. However, it is preferable in terms of recording characteristics to reduce the distance to the recording layer surface as much as possible, so that the thickness of these magnetic heads is thin.
  • the recording layer 3 includes a Daru made up of crystal grains of a Co-Pt alloy and TiO grain boundaries surrounding the crystal grains.
  • Ti content (X) is 9 at.% Or more and 13 at.% Or less.
  • the ratio of 0 to Ti (yZx) is 1.8 to 2.3 in atomic ratio.
  • the total ratio of Co and Pt (1-n) is 0.9 or more in atomic ratio and the ratio (n) of Cr is 0.1 or less.
  • the ratio (m) of Pt in the total of Co and Pt is 0.2 or more and 0.4 or less in atomic ratio.
  • the ratio of O to Ti (yZx) is 2.0 in atomic ratio.
  • the ratio of O to Ti in the film is less than 1.8, the force portion of Ti atoms penetrates into the CoPt alloy magnetic particles in the metallic state, degrading the magnetic properties of the recording layer.
  • the ratio of O and Ti in the film is 2.3 or more, a considerable partial force of O atoms penetrates into the CoPt alloy magnetic particles, so that Co is oxidized and the magnetic properties of the recording layer are deteriorated. Make it.
  • the coercive force deteriorates both when) is smaller or larger than this range. Therefore, the ratio (m) of Pt in the total of Co and Pt in the film needs to be 0.2 or more and 0.4 or less in terms of atomic ratio.
  • a CoPt alloy film with a thickness of about 30 nm was produced by changing the Pt ratio in the range of Oat.% Force 53.5 at. I examined the power. The result is shown in figure 2.
  • Pt ratio in the range of 0.2 or more and 0.4 or less 2.
  • Force that can provide a high coercive force of 50e or more Pt ratio is smaller or larger than this range. The perpendicular coercive force is deteriorating.
  • the magnetic recording medium shown in FIG. 3 was produced.
  • a Ru film 14 having a thickness of about 15 nm was sequentially formed as an underlayer.
  • a TiO chip was placed on the target surface of Co Pt (at.%).
  • a recording layer 15 having a thickness of about 15 nm was formed at a Ar gas pressure of 1 to 10 Pa by a DC magnetron sputtering method.
  • the substrate is not heated in the formation of all layers.
  • the elemental composition in the recording layer of the medium was measured by X-ray photoelectron spectroscopy after sputter etching on the surface of 5 nm, and the perpendicular coercive force was measured by a sample vibration type magnetometer.
  • Figure 4 shows the amounts of Ti and O elements in the film against the Ar gas pressure during recording layer deposition. By changing the Ar gas pressure when forming the recording layer, the amount of elements in the film changes, and the acid pressure increases as the gas pressure increases. It can be seen that the amount of compound increases.
  • Figure 5 shows the change in the value of the normal coercive force He with respect to the Ti content in the film.
  • Figure 6 shows the atomic ratio of O and Ti in the film to the Ar gas pressure during recording layer deposition.
  • the atomic ratio of O and Ti was in the range of 1.8 to 2.3.
  • the slope parameter a of the MH loop in the vertical direction of the film was a small value of 1.4.
  • a recording layer having a thickness of about 15 nm was formed at a Ar gas pressure of 5 Pa by magnetron sputtering.
  • the elemental composition of this film is Co48.2at.%, Ptl3.lat.%, Cr6.Oat.%, Ti9.8.at.%, 02.9at.%, And Cr in the elements excluding Ti and O The ratio was 8.9 at.
  • the He of this film was 33120e.
  • a recording layer was formed in the same manner as described above except that the number of Cr chips arranged on the target surface was increased.
  • the ratio of Cr in this film was 12 at.%.
  • the He of this film was 2100 Oe.
  • FIG. 7 shows the relationship between the ratio of CrZ (Co + Pt + Cr) and the perpendicular coercive force.
  • a recording layer having a thickness of about 15 nm was formed using Ar gas pressure 3 to: LOPa.
  • the perpendicular coercive force changed with the Ar gas pressure during film formation, and a maximum value was obtained at 7 Pa (a value close to the disclosure of Reference 1).
  • the sample showing the maximum He had an M—H loop slope parameter ⁇ of 2.0, which was larger than Example 1.
  • a recording layer having a thickness of about 15 nm was formed by Ar sputtering at an Ar gas pressure of 3 to: LOPa.
  • the perpendicular coercive force changed with the Ar gas pressure during deposition, and at 5Pa, He became the maximum.
  • the slope parameter ⁇ of the M—H loop was 1.9, which was larger than that in Example 1.
  • FIG. 8 summarizes the evaluation results of Example Comparative Example 1 and Comparative Example 2.
  • a medium using TiO as an oxide constituting the recording layer depends on the film formation conditions.
  • the slope parameter ⁇ is shown. This means that the medium force using TiO
  • the medium containing Cr6.Oat.% (8.9at.% In the elements excluding Ti and O) in the recording layer also showed high perpendicular coercive force of 3kOe or more.
  • the medium of the present invention having a Co Pt TiO recording film and the CoPtCr-SiO recording
  • FIG. 9 shows the relationship between the linear recording density and the SN ratio. It can be seen that the medium of the present invention exhibits a higher signal-to-noise ratio than the conventional medium. For example, at a linear recording density of 600 kFCI, the media of the present invention exhibits a signal-to-noise ratio that is about 3 dB higher than conventional media. This difference in SN ratio means that the medium of the present invention can be used even at a recording density twice that of the conventional medium.

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Abstract

　一般式［（Ｃｏ1-mＰｔm）1-nＣｒn］100-x-yＴｉxＯy （ここで、ｍ、ｎは原子比で、ｍは０．２以上０．４以下、ｎは０以上０．１以下、ｘは９ａｔ．％以上１３ａｔ．％以下、ｙ／ｘは１．８以上２．３以下である） で表される強磁性体からなる記録層を有する磁気記録媒体。

Description

明 細 書
磁気記録媒体
技術分野
[0001] 本発明は磁気記録媒体に関し、より詳細には、コンピューター、ビデオレコーダー などの各種記録機器に搭載される磁気記録媒体に関する。
背景技術
[0002] 磁気記録密度をより高める技術として、垂直磁気記録方式が注目されている。垂直 磁気記録に用いる記録媒体として、 Co— Pt— Crの結晶粒を SiOが取り巻くダラ-ュ
2
ラー構造を有する記録層を用いる媒体が開示されている（特開 2003— 178413号 公報参照）。この媒体は、強磁性体である Co— Pt—Crのおのおのの結晶粒力 SiO によって完全に分断されるならば、磁性粒子間の磁気的な相互作用が小さくなること
2
から、低ノイズ特性が得られると期待されている。また、 c軸が膜面垂直方向に配向し た Co— Pt—Cr結晶が持つ高い結晶磁気異方性が、磁性粒子間の磁気的相互作 用を小さくすることによって、高い垂直抗磁力を発現すると考えられている。
[0003] 上記の記録層を製造する方法として、 Co— Pt—Cr合金と SiOとを混合させた材料
2
をターゲットとするスパッタリングが報告されて 、る。金属と酸化物の混合材料からな るターゲットを用いて成膜した場合、金属粒子を酸化物が取り巻くダラ-ユラ一構造 の膜が得られる。
[0004] し力し、得られた膜の垂直方向の M— Hループの傾きパラメータ α (ここで、 a =4 π (dMZdH)と定義される）が約 2であることから、粒子間に大きな磁気的結合が残 つていると考えられる。また、金属粒子中に酸ィ匕物の構成元素が多少なりとも混入す る可能性は否定できない。上記のように Co— Pt— Cr合金と SiOとを混合させた材料
2
力もなるターゲットを用いて成膜された膜中の磁性粒子に Siが混入した場合、膜の垂 直抗磁力を大幅に減少させると考えられる。酸ィ匕物元素の磁性粒子への混入が多 少なりとも避けられないことを前提としたとき、成膜される膜の垂直抗磁力の劣化の度 合 、を極力小さくすることが必要となる。
発明の開示 [0005] 本発明の目的は、磁性粒子間の磁気的結合を小さくして、高い垂直抗磁力を発現 できる磁気記録媒体を提供することにある。
[0006] 本発明に係る磁気記録媒体は、下記一般式
[ (Co Pt ) Cr ] Ti O
1 m m l~n n ΙΟΟ-χ-y x y
(ここで、 m、 nは原子比で、 mは 0. 2以上 0. 4以下、 nは 0以上 0. 1以下、 xは 9at. %以上 13at. %以下、 yZxは 1. 8以上 2. 3以下である）
で表される強磁性体からなる記録層を有することを特徴とする。
[0007] 本発明に係る磁気記録媒体は、 CoPt系合金と TiOとが相分離した形態にある。
2
[0008] 本発明にお ヽて、前記記録層は垂直磁気異方性を持つことが好ま ヽ。また、本 発明の磁気記録媒体において、前記記録層は 4Pa以上 9Pa以下の Arガス圧力雰囲 気下で成膜されることが好まし 、。
図面の簡単な説明
[0009] [図 1]本発明に係る磁気記録媒体の一例を示す断面図。
[図 2]CoPt合金膜中の Pt量に対する膜の垂直抗磁力の変化を示す図。
[図 3]実施例において作製した磁気記録媒体を示す断面図。
[図 4]実施例 1の磁気記録媒体について、記録層成膜時の Arガス圧力に対する膜中 の Tiおよび Oの元素量を示す図。
[図 5]実施例 1の磁気記録媒体について、膜中 Ti量に対する垂直抗磁力 Heの変化 を示す図。
[図 6]実施例 1の磁気記録媒体について、記録層成膜時の Arガス圧力に対する膜中 の Oと Tiの原子比の変化を示す図。
[図 7]実施例 1の磁気記録媒体について、 CrZ(Co + Pt+Cr)の比率と垂直抗磁力 との関係を示す図。
[図 8]実施例 1、比較例 1および比較例 2の評価結果をまとめて示す図。
[図 9]本発明に係る Co Pt — TiO記録膜を有する媒体と、従来の CoPtCr— SiO
80 20 2 2 記録膜を有する媒体について、線記録密度と SN比との関係を示す図。
発明を実施するための最良の形態
[0010] 以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施形態について説明する。 [0011] 図 1は、本発明に係る磁気記録媒体の一例を示す断面図である。基板 1上に、下 地層 2、 Co— Pt系合金の結晶粒とそれを取り巻く TiOからなる記録層 3、保護層 4が
2
順次形成された構造を有する。
[0012] 基板 1としては、容易に破損しない力学的強度を有し、かつ表面が平滑であるなら ばどのような材料を用いてもよぐ例として、ガラス、金属、プラスチックなどを用いるこ とができる。下地層 2はなくてもよぐまた多層構造であってもよい。例として、記録時 の補助として用いられる Ni—Feなどの軟磁性層や、記録層の結晶配向性を確保す るための Pt, Ruなどの非磁性膜などを用いることができる。下地層 2の厚さは特に限 定されない。
[0013] 保護層 4はなくてもよぐまた多層構造であってもよい。例として、カーボンや TiNな どの硬質膜が挙げられる。さらに保護膜 4の表面に液体や固体の潤滑剤を用いても よい。ただし、磁気ヘッド先端力も記録層表面までの距離をできるだけ小さくすること が記録特性上好まし 、ので、これらの厚さは薄 、ほどよ 、。
[0014] 記録層 3は、 Co— Pt系合金の結晶粒とそれを取り巻く TiOの粒界からなるダラ-ュ
2
ラー構造の膜である。結晶粒や粒界の状態や、それぞれの元素組成の詳細を別個 に知ることは困難である力 この層全体の元素の構成として以下の要件を満たすこと が必要である。（l)Tiの含有量 (X)が 9at. %以上 13at. %以下である。（2) 0と Tiの 比率 (yZx)が原子比で 1. 8以上 2. 3以下である。（3)Tiと Oを除く全元素中、 Coと Ptの合計の比率（1— n)が原子比で 0. 9以上、 Crの比率 (n)が 0. 1以下である。（4 ) Coと Ptの合計のうち Ptの比率 (m)が原子比で 0. 2以上 0. 4以下である。
[0015] Tiの含有量 (X)が 9at. %未満の場合には、酸ィ匕物の絶対量が結晶粒の間に非磁 性粒界を構成するのに不十分である。 Tiの含有量 (X)が 13at. %を超える場合には 、結晶粒の結晶酉 S向'性の維持が困難になる。
[0016] 膜中の Oと Tiの全てが Ti酸ィ匕物を形成し、他の形態では存在しないとすると、 Oと T iの比率 (yZx)は原子比で 2. 0となる。膜中の Oと Tiの比率が 1. 8未満の場合、 Ti 原子の力なりの部分が金属状態で CoPt合金磁性粒子中に侵入し、記録層の磁気 特性を劣化させる。逆に膜中の Oと Tiの比率が 2. 3以上の場合は、 O原子のかなり の部分力CoPt合金磁性粒子中に侵入し、 Coを酸ィ匕させ、記録層の磁気特性を劣 化させる。
[0017] また、 Tiと Oを除く全元素、すなわち結晶粒を構成すると考えられる元素中、 Coと P tの合計の比率（1 n)が原子比で 0. 9未満の場合には、垂直磁気異方性が劣化す る。ただし、低ノイズィ匕などの目的で、記録層中の Tiと Oを除く全元素中、原子比で 0 . 1以下の比率 (n)で、 Co、 Pt以外の元素、例えば Crなどを添加することができる。
[0018] さらに、 CoPt系合金では、 Coと Ptの合計中、 Ptの比率 (m)が原子比で 0. 2以上 0 . 4以下の範囲で高い抗磁力が得られる力 Ptの比率 (m)がこの範囲より小さい場合 、または大きい場合のいずれでも抗磁力は劣化する。よって、膜中の Coと Ptの合計 のうち、 Ptの比率 (m)は原子比で 0. 2以上 0. 4以下であることが必要である。
[0019] [予備検討]
CoPt合金について、 Coと Ptの適切な比率を知るため、 Ptの比率を Oat. %力 53 . 5at. %の範囲で変化させた厚さ約 30nmの CoPt合金膜を作製し、その垂直抗磁 力を調べた。結果を図 2に示す。 Ptの比率が 0. 2以上 0. 4以下の範囲で 2. 50e以 上の高 ヽ抗磁力が得られる力 Ptの比率がこの範囲より小さ 、場合または大き!/、場 合の 、ずれでも垂直抗磁力は劣化することがわ力る。
実施例
[0020] 以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明する。
[0021] [実施例 1]
本実施例では図 3に示す磁気記録媒体を作製した。基板 11として 2. 5インチのガ ラスディスクを用い、 Arガス圧力 lPaで厚さ約 2nmのカーボン膜 12、 Arガス圧力 0. 07Paで厚さ約 5nmの Pt膜 13、 Arガス圧力 3Paで厚さ約 15nmの Ru膜 14を順次成 膜して下地層とした。続いて、 Co Pt (at. %)のターゲット表面に TiOのチップを
80 20 2
配置し、 DCマグネトロンスパッタ法により、 Arガス圧力 l〜10Paで厚さ約 15nmの記 録層 15を形成した。全ての層の成膜において、基板の加熱は行っていない。
[0022] 媒体の記録層中の元素組成は、表面 5nmをスパッタエッチングした後、 X線光電子 分光分析で、垂直抗磁力は試料振動型磁力計でそれぞれ測定した。図 4に、記録層 成膜時の Arガス圧力に対する、膜中の Tiおよび Oの元素量を示す。記録層成膜時 の Arガス圧力を変えることにより、膜中の元素量が変わり、ガス圧力の上昇に伴い酸 化物量が増大することがわかる。図 5に膜中 Ti量に対する垂直抗磁力 Heの値の変 化を示す。 Ti量が 9〜13at. %の範囲において 3kOe以上の高い垂直抗磁力が発 現した。図 6に記録層成膜時の Arガス圧力に対する、膜中の Oと Tiの原子比を示す 。本実施例においては、 Oと Tiの原子比は 1. 8から 2. 3の範囲であった。また、最大 の Heを示した試料では、膜の垂直方向の M— Hループの傾きパラメータ aが 1. 4と 小さい値であった。
[0023] [実施例 2]
ガラスディスク基板上に、実施例 1と同様にしてカーボン、 Pt、 Ruの各下地層を成 膜した後、 Co Pt (at. %)のターゲット表面に TiOおよび Crのチップを配置し、 RF
80 20 2
マグネトロンスパッタ法により、 Arガス圧力 5Paで厚さ約 15nmの記録層を形成した。 この膜中の元素組成は Co48. 2at. %、Ptl3. lat. %、 Cr6. Oat. %、 Ti9. 8at. %、022. 9at. %であり、 Tiと Oを除く元素中での Crの比率は 8. 9at. %であった。 また、この膜の Heは 33120eであった。
[0024] また、ターゲット表面に配置する Crチップの数を増やして以外は上記と同様にして 記録層を形成した。この膜中の Crの比率は 12at. %であった。この膜の Heは 2100 Oeであった。
[0025] 図 7に、 CrZ (Co + Pt+Cr)の比率と垂直抗磁力との関係を示す。記録層に金属 元素として Coと Ptの他に Crをカ卩えることにより Heは減少する力 Crの比率が 10at %以下であれば 3kOe以上の Heを保っている。このように、結晶粒の構成元素として Coと Pt以外の元素を少量添加しても、良好な磁気特性を維持できることがわかる。
[0026] [比較例 1]
ガラスディスク基板上に、実施例 1と同様にしてカーボン、 Pt、 Ruの各下地層を成 膜した後、 Co Pt (at. %)の体積比が 70%、 SiOの体積比が 30%のターゲットを
80 20 2
用いて、 Arガス圧力 3〜： LOPaで厚さ約 15nmの記録層を形成した。垂直抗磁力は 成膜 Arガス圧力により変化し、 7Paにおいて最大値 (参考文献 1の開示に近い値)が 得られた。この最大の Heを示した試料は、 M— Hループの傾きパラメータ αが 2. 0 であり、実施例 1よりも大きい値であった。
[0027] [比較例 2] ガラスディスク基板上に、実施例 1と同様にしてカーボン、 Pt、 Ruの各下地層を成 膜した後、 Co Pt (at. %)のターゲット表面に Cr Oのチップを配置し、 DCマグネト
80 20 2 3
ロンスパッタ法により、 Arガス圧力 3〜： LOPaで厚さ約 15nmの記録層を形成した。垂 直抗磁力は成膜 Arガス圧力により変化し、 5Paにおいて Heが最大となった。この最 大の Heを示した試料は、 M— Hループの傾きパラメータ αが 1. 9であり、実施例 1よ りも大きい値であった。
図 8に、実施例 比較例 1および比較例 2の評価結果をまとめて示す。
[0028] 以上のように、記録層を構成する酸化物として TiOを用いた媒体は、成膜条件によ
2
つて膜中の Tiおよび Oを適当量に調整することにより、記録層を構成する酸ィ匕物とし て SiOや Oを用いた媒体と比較して、高い垂直抗磁力および小さい M— Hルー
2 2 3
プの傾きパラメータ αを示した。このことは、 TiO酸ィ匕物を用いた媒体力 SiOや
2 2 2
O
3を用いた媒体と比較し、磁性粒子間の磁気的相互作用がより小さいことを示唆し ている。また、記録層中に Cr6. Oat. % (Tiと Oを除いた元素中で 8. 9at. %)を含有 する媒体も 3kOe以上の高い垂直抗磁力を示した。
[0029] さらに、 Co Pt TiO記録膜を有する本発明の媒体および CoPtCr— SiO記録
80 20 2 2 膜を有する従来の媒体について、記録再生特性を比較した。様々な線記録密度で 記録を行った後、再生して SN比（dB)を測定した。記録 ·再生には、記録ヘッド幅 Tw w=0. 19 πι、再生ヘッド幅 Twr=0. 12 m、ギャップ長 Gs = 0. ΙΟ πιの長手へ ッド 用いた。
[0030] 図 9に線記録密度と SN比との関係を示す。本発明の媒体は従来の媒体よりも高い SN比を示すことがわかる。たとえば、 600kFCIの線記録密度で、本発明の媒体は 従来の媒体よりも約 3dB高い SN比を示している。この SN比の差は、本発明の媒体 が従来の媒体の 2倍の記録密度でも使用できることを意味する。

Claims

請求の範囲
[1] 下記一般式
[ (Co Pt ) Cr ] Ti O
1 m m l~n n ΙΟΟ-χ-y x y
(ここで、 m、 nは原子比で、 mは 0. 2以上 0. 4以下、 nは 0以上 0. 1以下、 xは 9at. %以上 13at. %以下、 yZxは 1. 8以上 2. 3以下である）
で表される強磁性体からなる記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
[2] 前記記録層は垂直磁気異方性を持つことを特徴とする請求項 1に記載の磁気記録 媒体。
[3] 前記記録層は 4Pa以上 9Pa以下の Arガス圧力雰囲気下で成膜されることを特徴と する請求項 1に記載の磁気記録媒体。
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