WO2005122229A1 - キャパシタ膜の形成材料 - Google Patents

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Atsushi Itsuki
Akio Yanagisawa
Nobuyuki Soyama
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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    • C23C16/40—Oxides
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    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
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    • H10P14/6938—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides
    • H10P14/6939—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal
    • H10P14/69392—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2

Definitions

  • the present invention is suitable as a material for forming HfO or HfON, which is promising as a novel capacitor film.
  • the present invention relates to a suitable material for forming a capacitor film and a method for manufacturing a capacitor film using the material.
  • An oxide tantalum thin film is used as a capacitor film provided in a semiconductor memory device of this type, and Ta (OCH) or Ta (OCH) is used as a material for forming the oxide tantalum thin film.
  • Ta (OC H) or the like is used. However, these materials are partially crystallized at room temperature.
  • Ta sec-OCH
  • Patent Document 1 A method for forming a film is disclosed (for example, refer to Patent Document 1).
  • the forming material disclosed in Patent Document 1 has a high vapor pressure and low reactivity with water, so that it is excellent in workability and can form a uniform and good tantalum thin film.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-260151 (Claim 1, paragraphs [0002] to [0006])
  • Ta compound as disclosed in Patent Document 1 is not included in the composition of this compound, the Nb element is inevitable in the reaction for synthesizing this compound. There was a problem that would always be included.
  • Ta (OC H and Nb are 5ppm
  • Nb is contained in the Ta-danied product in this way.
  • the Nb element has a very similar chemical structure and behavior to the Ta element and cannot be easily removed. caused by. Nb as an inevitable dagger
  • Nb reacts with oxygen at a low temperature of less than 200 ° C to form NbO, and this NbO is formed at a temperature of about 300 ° C.
  • Ta reacts with oxygen to form Ta O
  • the film Since the film is formed mainly on the nuclei formed on the plate, a complex oxide film of Nb and Ta is formed, resulting in poor adhesion to the underlying metal such as Pt, Ru, Ir, and TiN. There was a problem.
  • Nb element is contained as an unavoidable compound, the vaporization becomes unstable and the volatility is poor, the film formation rate is reduced, and the step coverage of the formed tantalum thin film is reduced. Was the cause.
  • the crystallization temperature of the Tadani tantalum thin film is as low as 600 ° C in the first place, and is higher than 700 ° C. It must have stability with Si having a crystallization temperature of C or higher, and Ta has sufficient characteristics as a capacitor film because Ta reacts with Si to form TaSi (tantalum silicide).
  • new materials have been sought in place of tantalum thin films.
  • the invention according to claim 1 is a material for forming a capacitor film made of a hafnium oxide film provided in a semiconductor memory element, wherein the material is made of an organic hafnium compound and is an unavoidable product.
  • HfO having a high growth rate and excellent step coverage
  • HfON can be formed. HfO and HfON are highly attracted
  • the invention according to claim 2 is the invention according to claim 1, and is a forming material having a general formula of an organic hafnium compound represented by the following formula (1).
  • R 2 is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 1 and R 2 may be the same as or different from each other.
  • the invention according to claim 3 is the invention according to claim 1, wherein the organic hafnium compound has a general formula represented by the following formula (2).
  • R 3 is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 4 is a chelate coordination compound
  • n is an integer of 0 to 4.
  • the invention according to claim 4 provides a capacitor film made of a hafnium oxide film by a metal organic chemical vapor deposition method using the forming material according to claim 1 or 3. This is a method for manufacturing a capacitor film characterized by being manufactured.
  • HfO or HfON having a high growth rate and excellent step coverage is provided.
  • a hafnium oxide film such as 2 can be formed. Since this hafnium oxide film has a high dielectric constant and low reactivity with Si, it is promising as a capacitor film having excellent characteristics.
  • the present invention uses an organic hafnium compound having an Nb content of lppm or less, which is an unavoidable compound, as a material for forming a capacitor film.
  • HfON or the like can be formed.
  • HfO and HfON have a high dielectric constant and
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a MOCVD apparatus.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate for explaining how to obtain a step coverage when a film is formed by MOCVD.
  • the material for forming a capacitor film of the present invention is a material for forming a capacitor film made of a hafnium oxide film provided in a semiconductor memory element.
  • the characteristic configuration is characterized in that the forming material is an organic hafnium compound, and the content of Nb, which is an inevitable conjugate, is lppm or less.
  • an organic hafnium compound having an Nb content of lppm or less which is an unavoidable conjugation product, as a material for forming a capacitor film, HfO, HfON, or the like having excellent step coverage can be formed at a high growth rate.
  • HfO and HfON have high dielectric constants.
  • Nb which is an unavoidable conjugate
  • Si silicon
  • the preferred Nb content is 0.15 to 0.2 ppm.
  • organic hafnium compound serving as the forming material of the present invention a compound represented by the following formula (1) is preferable.
  • R 2 is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 1 and R 2 may be the same as or different from each other.
  • organic hafnium compound a compound represented by the following formula (2) is preferable.
  • R 3 is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 4 is a chelate coordination compound
  • n is an integer of 0 to 4.
  • the forming material of the present invention is obtained as follows.
  • hafnium tetrachloride is prepared. It is usually commercially available In this case, about 500 to 100 ppm of Nb is contained as an inevitable compound.
  • hafnium tetrachloride is dissolved in concentrated hydrochloric acid to prepare a solution, and the solution is maintained at a temperature of 60 ° C and stirred for 24 hours. After the stirring, the dissolving liquid is removed from hydrochloric acid to obtain a crystalline white solid.
  • an ocher solid precipitates. Since the precipitate is a hydroxide containing Nb, the ocher solid is filtered. The filtrate obtained by filtration is neutralized with ammonia gas, and the solution is concentrated to obtain a crystalline solid. Further, by maintaining the crystalline solid at 1000 ° C. and introducing chlorine gas at a predetermined rate, specifically, at a rate of 100 ccm for about 2 hours, a purified product of hafnium tetrachloride can be obtained. Through the above purification, the Nb content of hafnium of Shishidani becomes about lppm.
  • the Nb content of the hafnium tetrachloride can be extremely reduced.
  • a desired organic compound or a compound of the organic compound is synthesized to obtain the material of the present invention.
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • the forming material of the present invention may be dissolved in an organic solvent at a predetermined ratio and used as a solution raw material.
  • the solvent used in this case include N-containing compounds such as diamine, hydrocarbons having 1 to 20 carbon atoms, alcohols such as butanol, and ethers such as THF.
  • the proportion of the forming material and the organic solvent can be appropriately adjusted in accordance with the film forming apparatus, the characteristics of the substrate on which the film is formed, the type of the film to be formed, and the like.
  • a method for forming a capacitor film made of a hafnium oxide thin film by MOCVD using the material for forming a capacitor film of the present invention will be described.
  • the MOCVD apparatus includes a film forming chamber 10 and a steam generator 11.
  • a heater 12 is provided inside the film forming chamber 10, and a substrate 13 is held on the heater 12.
  • the interior of the film forming chamber 10 is equipped with a pressure sensor 14, a cold trap 15, and a dollar valve 16. Vacuum is drawn by the piping 17 that can be used.
  • An oxygen source introducing pipe 37 is connected to the film forming chamber 10 via a dollar valve 36 and a gas flow controller 34.
  • the steam generator 11 includes a raw material container 18 for storing the material for forming the capacitor film of the present invention as a raw material.
  • the material for forming the capacitor film a material formed of an organic hanium compound having a Nb content of 1 ppm or less is used. O gas is used as an oxygen source.
  • O gas is used as an oxygen source.
  • O gas and N 2 gas can be used as the oxygen source.
  • An inert gas introduction pipe 21 for pressurization is connected via a node device 19, and a supply pipe 22 is connected to the raw material container 18.
  • the supply pipe 22 is provided with a dollar valve 23 and a flow control device 24, and the supply pipe 22 is connected to a vaporization chamber 26.
  • a carrier gas introduction pipe 29 is connected to the vaporization chamber 26 via a dollar valve 31 and a gas flow control device 28.
  • the vaporization chamber 26 is further connected to the film formation chamber 10 by a pipe 27.
  • a gas drain 32 and a drain 33 are connected to the vaporization chamber 26, respectively.
  • an inert gas for pressurization is introduced into the raw material container 18 from the introduction pipe 21, and the raw material liquid stored in the raw material container 18 is transported to the vaporization chamber 26 by the supply pipe 22.
  • the organic hafnium compound which is a forming material that has been vaporized into a vapor in the vaporization chamber 26, is further supplied into the film formation chamber 10 via a pipe 27 by a carrier gas introduced into the vaporization chamber 26 from a carrier gas introduction pipe 29. You. In the film forming chamber 10, the vapor of the organic hafnium compound is thermally decomposed and reacted with the O gas introduced from the oxygen source introduction pipe 37, thereby forming the oxidized oxide.
  • the film is deposited on the heated substrate 13 to form a hafnium oxide thin film.
  • the inert gas for pressurization and the carrier gas include anoregone, helium, nitrogen and the like.
  • the formation material with extremely reduced Nb content does not form Nb film nuclei, has excellent adhesion to the substrate, and uses an organic hafnium compound.
  • a hafnium oxide thin film having excellent step coverage can be formed at a high speed. Since the obtained hafnium oxide thin film has a high dielectric constant and low reactivity with Si, it functions as a capacitor film having excellent characteristics.
  • a nitrogen source such as N gas, NH gas, NH
  • an HfON thin film By supplying HfON, an HfON thin film can be formed. This HfON thin film also functions as a capacitor film having excellent characteristics.
  • hafnium tetrachloride was prepared. When this commercially available hafnium tetrachloride was analyzed, it was found that Nb was contained as 100 ppm as an inevitable conjugate.
  • 50 g of Hafnium tetrachloride was dissolved in 100 ml of concentrated hydrochloric acid to prepare a solution, and the solution was maintained at a temperature of 60 ° C. and stirred for 24 hours. After stirring, hydrochloric acid was also removed from the solution to obtain a crystalline white solid.
  • Hafnium tetrachloride was obtained in the same manner as in Example 1 except that the dissolution in a mixed solution of hydrochloric acid and citric acid and the filtration of the precipitate were repeated three times.
  • the Nb content of the resulting tetrachloride hafnium was 0.5 ppm.
  • Example 4 Hafnium tetrachloride was obtained in the same manner as in Example 1 except that the dissolution in a mixed solution of hydrochloric acid and citric acid and the filtration of the precipitate were repeated five times.
  • the Nb content of the resulting tetrachloride hafnium was 0.1 ppm.
  • Tetrachloride hafnium was obtained in the same manner as in Example 1 except that the dissolution in a mixed solution of hydrochloric acid and citric acid and the filtration of the precipitate were repeated 10 times.
  • the Nb content of the obtained tetrachloride hafnium was 0.05 ppm.
  • a commercially available tetrachloride hafnium was prepared, and the desired tetrachloride hafnium was obtained by repeating recrystallization with hydrochloric acid on the tetrachloride hafnium 50 times.
  • the Nb content of the resulting tetrachloride hafnium was 5 ppm.
  • a commercially available tetrachloride hafnium was prepared, and recrystallization from hydrochloric acid was repeated 30 times to obtain the desired tetrachloride hafnium.
  • the Nb content of the resulting tetrachloride hafnium was 1 Oppm.
  • a commercially available tetrachloride hafnium was prepared, and recrystallization from hydrochloric acid was repeated 20 times to obtain the desired tetrachloride hafnium.
  • the Nb content of the resulting tetrachloride hafnium was 20 ppm.
  • a commercially available tetrachloride hafnium was prepared, and recrystallization from hydrochloric acid was repeated 10 times with respect to the tetrachloride hafnium to obtain a desired tetrachloride hafnium.
  • the Nb content of the resulting tetrachloride hafnium was 50 ppm.
  • hafnium tetrachloride was used as it was as an organic hafnium compound raw material.
  • the Nb content of this hafnium tetrachloride was 100 ppm.
  • Hf (EtN) was synthesized using the hafnium tetrachloride obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 as a raw material of an organic polyamide compound. This Hf (Et N) is used as a capacitor film forming material.
  • a hafnium oxide thin film was formed by using Ar gas as a carrier gas and supplying a forming material at a rate of 0.5 ccZ, respectively, to form a hafnium oxide thin film for 1 minute, 5 minutes, 10 minutes, 20 minutes and At 30 minutes, one sheet each was removed from the film formation chamber.
  • the thickness of the hafnium oxide thin film on the substrate after film formation was measured from a cross-sectional SEM (scanning electron microscope) image.
  • the step coverage of the hafnium oxide thin film on the substrate after film formation was measured from a cross-sectional SEM (scanning electron microscope) image.
  • the step coverage is expressed by the numerical value of aZb when the thin film 42 is formed on the substrate 41 having a step such as a groove shown in FIG. If aZb is 1.0, it can be said that the step coverage is good because the film is uniformly formed to the depth of the groove like the flat portion of the substrate. Conversely, if aZb is less than 1.0, it is difficult to form a film to the depth of the groove. If aZb is more than 1.0, the degree of film formation is deeper in the groove than in the flat part of the substrate. The step coverage is poor for each.
  • Table 1 below shows the Nb content contained in the capacitor film forming material, the obtained film thickness per film formation time, and the step coverage.
  • Hf (EtMeN) was synthesized using the hafnium tetrachloride obtained in Example 15 and Comparative Example 15 except that this Hf (EtMeN) was used as a material for forming a capacitor film.
  • Hf (EtMeN) 0.005 0.8 3.8 9 19 18 0.9 1 0.9 0.8 1 note Hf (EtMeN) 5 0.3 1 1.1 0.1 0.01 0.1 0.1 0.02 0.002 0.002 a 2 Hf (EtMeN) 10 0.5 2 1.2 0.02 0.01 0.2 0.1 0.01 0.001 0.001 a 3 Hf (EtMeN) 20 0.6 3 0.6 0.2 0.01 0.2 0.08 0.02 0.01 0.001 a 4 Hf (EtMeN) 50 0.2 0.1 0.03 0.02 0.02 0.1 0.2 0.01 0.002 0.002
  • Hf (MeN) was synthesized using the hafnium tetrachloride obtained in Example 15 and Comparative Example 15, and the above was used except that this Hf (MeN) was used as a material for forming a capacitor film.
  • a film thickness test per film formation time and a step coverage test were performed in the same manner as Comparative Test 1.
  • Table 3 shows the Nb content in the capacitor film forming material, the obtained film thickness per film formation time, and the step coverage.
  • a film thickness test per film formation time and a step coverage test were performed in the same manner as in Comparative Test 1.
  • Table 4 shows the Nb content in the capacitor film forming material, the obtained film thickness per film forming time, and the step coverage.
  • the film formation rate was much higher and the film thickness per film formation time was uniform as compared with the case where the material for forming was used, resulting in high film formation stability. Is close to 1.0, and it is uniform to the depth of the groove as well as the flat part of the substrate. It turned out that a film was formed at once.

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Abstract

【課題】高い成長速度で、かつ段差被覆性に優れた新規なキャパシタ膜の形成材料を提供する。高い誘電率を有し、かつＳｉとの反応性が低いキャパシタ膜として優れた特性を有するハフニウム含有膜が得られる。 【解決手段】 半導体メモリ素子に設けられるハフニウム酸化膜からなるキャパシタ膜の形成材料であって、形成材料がＨｆ(Ｒ1Ｒ2Ｎ)4やＨｆ(ＯＲ3)4-n(Ｒ4)nの有機ハフニウム化合物からな り、不可避化合物であるＮｂの含有量が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするキャパシタ膜形成材料である。

Description

キャパシタ膜の形成材料
技術分野
[0001] 本発明は、新規なキャパシタ膜として有望な HfOや HfON等の形成材料として好
2
適なキャパシタ膜の形成材料及び該材料を用いたキャパシタ膜の製造方法に関する ものである。
背景技術
[0002] この種の半導体メモリ素子に設けられるキャパシタ膜として酸ィ匕タンタル薄膜が使 用されており、この酸ィ匕タンタル薄膜を成膜するための形成材料として Ta(OCH )や
3 5
Ta(OC H )等が用いられている。しかし、これらの形成材料では室温で一部結晶化
2 5 5
してしまうなど作業性に難があり、また、空気中の水分による加水分解性が高ぐ形成 した膜を均一な膜として得るためには、成膜時に水分量を厳密に管理しなければな らない困難さを有していた。
上記諸問題を解決する方策として、 MOCVD法による酸ィ匕タンタル薄膜の成膜方 法において、原料として Ta(sec-OC H )を使用することを特徴とする酸ィ匕タンタル薄
4 9 5
膜の成膜方法が開示されている (例えば、特許文献 1参照。 )。この特許文献 1に示さ れる形成材料は、蒸気圧が高ぐまた水との反応性が低いため、作業性に優れ、均 一で良好な酸ィ匕タンタル薄膜を形成することができる。
特許文献 1 :特開平 8— 260151号公報 (請求項 1、段落 [0002]〜[0006]) 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] しかし、上記特許文献 1に示されるような Ta化合物には、この化合物の組成には含 まれていないが、この化合物を合成する反応の際には、 Nb元素が不可避ィ匕合物とし て必ず含まれてしまう問題があった。例えば、 Ta(OC H と Nbが 5ppm
2 5 )を分析する
5
以上含有して 、ることが明ら力となって 、る。このように Taィ匕合物中に Nbが含有して しまう原因としては、 Nb元素が Ta元素とその化学構造や挙動が極めて類似して 、る ためであり、容易に除去することができないことに起因する。不可避ィ匕合物として Nb 元素が Taィ匕合物中に含まれると、酸化タンタル薄膜形成時には、先ず、 Nbが 200 °C未満の低温で酸素と反応して Nb Oを形成し、 300°C程度の温度でこの Nb Oが
2 5 2 5 基板に形成され成膜時の核となる。続いて、 Taが酸素と反応して Ta Oを形成し、基
2 5
板上に形成された核を中心に成膜するため、 Nbと Taの複合酸ィ匕膜が形成されてし まい、下地となる Pt、 Ru、 Ir、 TiN等の金属との密着性に劣る問題があった。また、不 可避化合物として Nb元素が含まれていると、気化性が不安定となり、揮発性が悪ぐ 成膜速度が低下したり、形成した酸ィ匕タンタル薄膜の段差被覆性を低下させる原因 となっていた。
また仮に Taィ匕合物中の Nb元素の含有量を低減して、上記課題を解決したとしても 、そもそも酸ィ匕タンタル薄膜の結晶化温度は 600°Cと低温であり、より高い 700°C以 上の結晶化温度を有する Siとの安定性が必要であり、 Taは Siと反応して TaSi (タン タルシリサイド)を形成してしまうため、キャパシタ膜として十分な特性を有していると は言えず、酸ィ匕タンタル薄膜に代わる新たな材料が模索されて 、た。
[0004] 本発明の目的は、高 、成長速度で、かつ段差被覆性に優れた新規なキャパシタ膜 の形成材料及び該材料を用いたキャパシタ膜の製造方法を提供することにある。 本発明の別の目的は、高い誘電率を有し、かつ Siとの反応性が低いキャパシタ膜 として優れた特性を有するハフニウム含有膜が得られる、キャパシタ膜の形成材料及 び該材料を用いたキャパシタ膜の製造方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0005] 請求項 1に係る発明は、半導体メモリ素子に設けられるハフニウム酸ィ匕膜からなる キャパシタ膜の形成材料であって、形成材料が有機ハフニウム化合物からなり、不可 避ィ匕合物である Nbの含有量が lppm以下であることを特徴とするキャパシタ膜形成 材料である。
請求項 1に係る発明では、不可避ィ匕合物である Nbの含有量が lppm以下の有機 ノ、フニゥム化合物をキャパシタ膜形成材料とすることで、高い成長速度で、段差被覆 性に優れた HfOや HfON等を形成することができる。この HfOや HfON等は高誘
2 2
電率を有しかつ Siとの反応性が低 ヽため、優れた特性を有するキャパシタ膜として有 望である。 [0006] 請求項 2に係る発明は、請求項 1に係る発明であって、有機ハフニウム化合物の一 般式が次の式（1)で示される形成材料である。
Hf(RiR2N) ……（1)
4
但し、
Figure imgf000005_0001
R2は炭素数 1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基であり、 R1と R2は互いに 同一でも異なって 、てもよ 、。
[0007] 請求項 3に係る発明は、請求項 1に係る発明であって、有機ハフニウム化合物の一 般式が次の式（2)で示される形成材料である。
Hf(OR3) (R4) …… (2)
4-n n
但し、 R3は炭素数 1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基であり、 R4はキレート配位ィ匕 合物であり、 nは 0〜4の整数である。
[0008] 請求項 4に係る発明は、請求項 1な!ヽし 3 ヽずれか 1項に記載の形成材料を用いて 有機金属化学気相成長法によりハフニウム酸ィ匕膜からなるキャパシタ膜を製造するこ とを特徴とするキャパシタ膜の製造方法である。
請求項 4に係る発明では、高い成長速度で、段差被覆性に優れた HfOや HfON
2 等のハフニウム酸ィ匕膜を形成することができる。このハフニウム酸化膜は高誘電率を 有しかつ Siとの反応性が低 、ため、優れた特性を有するキャパシタ膜として有望であ る。
発明の効果
[0009] 本発明は、不可避ィ匕合物である Nbの含有量が lppm以下の有機ハフニウム化合 物をキャパシタ膜形成材料とすることで、高い成長速度で、段差被覆性に優れた Hf Oや HfON等を形成することができる。この HfOや HfON等は高誘電率を有しかつ
2 2
Siとの反応性が低 、ため、優れた特性を有するキャパシタ膜として有望である。 図面の簡単な説明
[0010] [図 l]MOCVD装置の概略図。
[図 2]MOCVD法により成膜したときの段差被覆率の求め方を説明するための基板 断面図。
発明を実施するための最良の形態
[0011] 次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。 本発明のキャパシタ膜の形成材料は、半導体メモリ素子に設けられるハフニウム酸 化膜からなるキャパシタ膜の形成材料である。その特徴ある構成は、形成材料が有 機ハフニウム化合物力 なり、不可避ィ匕合物である Nbの含有量が lppm以下である ことを特徴とする。不可避ィ匕合物である Nbの含有量が lppm以下の有機ハフニウム 化合物をキャパシタ膜形成材料とすることで、高い成長速度で、段差被覆性に優れ た HfOや HfON等を形成することができる。この HfOや HfON等は高誘電率を有
2 2
しかつ Siとの反応性が低いため、キャパシタ膜として優れた特性を有する。不可避ィ匕 合物である Nbの含有量が lppm以下に規定したのは、 lppmを越えると膜形成の際 に Nb Oが成膜の核として形成してしまうため、形成された膜の密着性に劣り、均一
2 5
な膜が形成されず、また段差被覆性が悪くなるためである。好ましい Nbの含有量は 0 . 15〜0. 2ppmである。
[0012] 本発明の形成材料となる有機ハフニウム化合物は次の式（1)で示される化合物が 好適である。
Hf(RiR2N) ……（1)
4
但し、
Figure imgf000006_0001
R2は炭素数 1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基であり、 R1と R2は互いに 同一でも異なって 、てもよ 、。
[0013] 上記一般式（1)で示される化合物の具体例としては、 Hf[(CH ) N]や Hf[(C H )
3 2 4 2 5 2
N]、 Hf[(CH )(C H )N]等が挙げられる。
4 3 2 5 4
[0014] また、有機ハフニウム化合物は次の式（2)で示される化合物が好適である。
Hf(OR3) (R4) …… (2)
4-n n
但し、 R3は炭素数 1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基であり、 R4はキレート配位ィ匕 合物であり、 nは 0〜4の整数である。
[0015] 上記一般式（2)で示される化合物の具体例としては、 Hf[0(CH )]や Hf[0(C H )]
3 4 2 5
、 Hf[0(C H )]、 Hf[0(n-C H )]、 Hf[0(t- C H )]、 Hf[0(s- C H )]、 Hf[0(t- C
4 3 7 4 4 9 4 4 9 4 4 9 4 4
H )] (dpm)、 Hf[0(t-C H )] (Cp)等が挙げられる。なお、 dpmはジピバロィルメタン
9 2 2 4 9 2 2
を Cpはシクロペンタジェ -ル基をそれぞれ示す。
[0016] 本発明の形成材料は、以下のようにして得られる。
先ず、市販されている四塩化ハフニウムを用意する。通常市販されているものであ れば不可避化合物として Nbが 500〜100ppm前後含まれている。次いで、巿販四 塩化ハフニウムを濃塩酸に溶解して溶解液を調製し、この溶解液を 60°Cの温度に維 持し、 24時間攪拌する。攪拌後、溶解液力も塩酸を除去することで結晶状白色固体 が得られる。次に、 1Nの塩酸とクェン酸が重量比で塩酸：クェン酸 = 1 : 1000の割合 で混合した混合液を用意し、得られた結晶状白色固体をこの混合液に溶解する。結 晶状白色固体を混合液に溶解すると、黄土色の固体が沈殿する。この沈殿物は Nb が含まれる水酸ィ匕物であるため、この黄土色の固体をろ過する。ろ過により得られた ろ液をアンモニアガスで中和し、溶解液を濃縮して結晶性固体を得る。更にこの結晶 性固体を 1000°Cに維持し、塩素ガスを所定の割合、具体的には lOOccmの割合で 2時間程度導入することにより四塩化ハフニウムの精製物が得られる。上記精製を経 ることにより四塩ィ匕ハフニウムの Nb含有量は lppm程度になる。結晶状白色固体を 塩酸とクェン酸の混合液に溶解する工程と、この溶解により生成する黄土色の固体 のろ過を繰返すことで四塩ィ匕ハフニウムの Nb含有量を極めて低減にすることができ る。精製した四塩化ハフニウムを有機ハフニウム化合物原料として用い、所望の有機 ノ、フニゥム化合物を合成することで本発明の形成材料が得られる。
[0017] 本発明の形成材料を用いたキャパシタ膜の成膜方法は、有機金属化学気相成長 法（Metal Organic Chemical Vapor Depositionゝ以下、 MOCVD法という。）が好適で あるが、原子層堆積法 (Atomic Layer Deposition ;ALD法）によって形成してもよい。
[0018] また、本発明の形成材料は有機溶媒に所定の割合で溶解して溶液原料として用い てもよい。この場合に使用する溶媒としては、ジァミン等の N含有ィ匕合物、炭素数 1〜 20の炭化水素、ブタノール等のアルコール類、 THF等のエーテル類が挙げられる。 形成材料と有機溶媒との割合は、成膜装置、成膜対象となる基板の特性、成膜する 膜の種類等にあわせて適宜調整することができる。
[0019] 本発明のキャパシタ膜の形成材料を用い、 MOCVD法により酸ィ匕ハフニウム薄膜 からなるキャパシタ膜を形成する方法を説明する。
図 1に示すように、 MOCVD装置は、成膜室 10と蒸気発生装置 11を備える。成膜 室 10の内部にはヒータ 12が設けられ、ヒータ 12上には基板 13が保持される。この成 膜室 10の内部は圧力センサー 14、コールドトラップ 15及び-一ドルバルブ 16を備 える配管 17により真空引きされる。成膜室 10には-一ドルバルブ 36、ガス流量調節 装置 34を介して酸素源導入管 37が接続される。蒸気発生装置 11には、本発明のキ ャパシタ膜の形成材料を原料として貯留する原料容器 18が備えられる。本実施の形 態では、キャパシタ膜の形成材料として、 Nb含有量を lppm以下に規定した有機ハ フニゥム化合物からなる形成材料を用いる。また酸素源として Oガスを用いる。なお
2
酸素源には Oガスや N Oガスを使用することもできる。原料容器 18にはガス流量調
3 2
節装置 19を介して加圧用不活性ガス導入管 21が接続され、また原料容器 18には 供給管 22が接続される。供給管 22には-一ドルバルブ 23及び流量調節装置 24が 設けられ、供給管 22は気化室 26に接続される。気化室 26には-一ドルバルブ 31、 ガス流量調節装置 28を介してキャリアガス導入管 29が接続される。気化室 26は更 に配管 27により成膜室 10に接続される。また気化室 26には、ガスドレイン 32及びド レイン 33がそれぞれ接続される。
この装置では、加圧用不活性ガスが導入管 21から原料容器 18内に導入され、原 料容器 18に貯蔵されている原料液を供給管 22により気化室 26に搬送する。気化室 26で気化されて蒸気となった形成材料である有機ハフニウム化合物は、更にキャリア ガス導入管 29から気化室 26へ導入されたキャリアガスにより配管 27を経て成膜室 1 0内に供給される。成膜室 10内において、有機ハフニウム化合物の蒸気を熱分解さ せ、酸素源導入管 37より導入された Oガスと反応させることにより、生成した酸化ハ
2
フニゥムを加熱された基板 13上に堆積させて酸化ハフニウム薄膜を形成する。加圧 用不活性ガス、キャリアガスには、ァノレゴン、ヘリウム、窒素等が挙げられる。
このように Nb含有量を極めて低減した形成材料は、 Nbによる成膜核を形成するこ とがないため、基板との密着性に優れ、有機ハフニウム化合物を用いているため、高 V、成膜速度で、段差被覆性に優れた酸化ハフニウム薄膜を形成することができる。 得られた酸化ハフニウム薄膜は高誘電率を有しかつ Siとの反応性が低いため、優れ た特性を有するキャパシタ膜として機能する。なお、成膜室 10に導入するガスとして Oガス等の酸素源だけでなぐ Nガスや NHガス、 NH=NH等の窒素源も併せて供
2 2 3
給することで HfON薄膜を形成することもできる。この HfON薄膜も優れた特性を有 するキャパシタ膜として機能する。 実施例
[0020] 次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
<実施例 1 >
先ず、市販されている四塩化ハフニウムを用意した。この市販四塩化ハフニウムを 分析したところ、不可避ィ匕合物として Nbが lOOppm含有していた。次いで、巿販四 塩化ハフニウム 50gを濃塩酸 100mlに溶解して溶解液を調製し、この溶解液を 60°C の温度に維持し、 24時間攪拌した。攪拌後、溶解液力も塩酸を除去して結晶状白色 固体を得た。次に、 1Nの塩酸とクェン酸が重量比で塩酸：クェン酸 = 1 : 1000の割 合で混合した混合液を用意し、得られた結晶状白色固体をこの混合液に溶解した。 続、て溶解液で沈殿して 、る黄土色の固体をろ過した。ろ過により得られたろ液をァ ンモユアガスで中和した。中和後、溶解液を濃縮して結晶性固体を得た。更にこの結 晶性固体を 1000°Cに維持し、塩素ガスを lOOccmの割合で 2時間導入して四塩ィ匕 ハフニウムの精製物を得た。上記精製により得られた四塩ィ匕ハフニウムの Nb含有量 は lppmでめった。
[0021] <実施例 2>
塩酸及びクェン酸の混合液への溶解及び沈殿物のろ過を 3回繰返した以外は実 施例 1と同様にして四塩ィ匕ハフニウムを得た。得られた四塩ィ匕ハフニウムの Nb含有 量は 0. 5ppmであった。
<実施例 3 >
塩酸及びクェン酸の混合液への溶解及び沈殿物のろ過を 5回繰り返した以外は実 施例 1と同様にして四塩ィ匕ハフニウムを得た。得られた四塩ィ匕ハフニウムの Nb含有 量は 0. lppmであった。
<実施例 4>
塩酸及びクェン酸の混合液への溶解及び沈殿物のろ過を 10回繰り返した以外は 実施例 1と同様にして四塩ィ匕ハフニウムを得た。得られた四塩ィ匕ハフニウムの Nb含 有量は 0. 05ppmであった。
<実施例 5 >
塩酸及びクェン酸の混合液への溶解及び沈殿物のろ過を 20回繰り返した以外は 実施例 1と同様にして四塩ィ匕ハフニウムを得た。得られた四塩ィ匕ハフニウムの Nb含 有量は 0. 005ppmであった。
[0022] <比較例 1 >
市販の四塩ィ匕ハフニウムを用意し、この四塩ィ匕ハフニウムに対して塩酸による再結 晶を 50回繰返して所望の四塩ィ匕ハフニウムを得た。得られた四塩ィ匕ハフニウムの Nb 含有量は 5ppmであつた。
[0023] <比較例 2>
市販の四塩ィ匕ハフニウムを用意し、この四塩ィ匕ハフニウムに対して塩酸による再結 晶を 30回繰返して所望の四塩ィ匕ハフニウムを得た。得られた四塩ィ匕ハフニウムの Nb 含有量は 1 Oppmであつた。
<比較例 3 >
市販の四塩ィ匕ハフニウムを用意し、この四塩ィ匕ハフニウムに対して塩酸による再結 晶を 20回繰返して所望の四塩ィ匕ハフニウムを得た。得られた四塩ィ匕ハフニウムの Nb 含有量は 20ppmであつた。
<比較例 4>
市販の四塩ィ匕ハフニウムを用意し、この四塩ィ匕ハフニウムに対して塩酸による再結 晶を 10回繰返して所望の四塩ィ匕ハフニウムを得た。得られた四塩ィ匕ハフニウムの Nb 含有量は 50ppmであつた。
<比較例 5 >
市販の四塩化ハフニウムをそのまま有機ハフニウム化合物原料として使用した。こ の四塩化ハフニウムの Nb含有量は lOOppmであった。
[0024] <比較試験 1 >
実施例 1〜5及び比較例 1〜5でそれぞれ得られた四塩ィ匕ハフニウムを有機ハフ- ゥム化合物原料として Hf(Et N)を合成した。この Hf(Et N)をキャパシタ膜形成材
2 4 2 4
料とした。これらのキャパシタ膜形成材料を用いて以下に示す成膜時間当たりの膜 厚試験及び段差被覆性試験を行った。
先ず、基板として Pt (20nm) ZSiO (500nm) ZSi基板を 5枚ずつ用意し、基板を
2
図 1に示す MOCVD装置の成膜室に設置した。次いで、基板温度を 700°C、気化温 度を 100°C、圧力を約 1. 33kPa (10torr)にそれぞれ設定した。反応ガスとして Oガ
2 スを用い、その分圧を lOOOccmとした。次に、キャリアガスとして Arガスを用い、形成 材料を 0. 5ccZ分の割合でそれぞれ供給して酸化ハフニウム薄膜を成膜し、成膜時 間が 1分、 5分、 10分、 20分及び 30分となったときにそれぞれ 1枚ずつ成膜室より取 出した。
[0025] (1)成膜時間あたりの膜厚試験
成膜を終えた基板上の酸化ハフニウム薄膜を断面 SEM (走査型電子顕微鏡)像か ら膜厚を測定した。
[0026] (2)段差被覆性試験
成膜を終えた基板上の酸化ハフニウム薄膜を断面 SEM (走査型電子顕微鏡)像か ら段差被覆性を測定した。段差被覆性とは図 2に示される溝等の段差のある基板 41 に薄膜 42を成膜したときの aZbの数値で表現される。 aZbが 1. 0であれば、基板の 平坦部分と同様に溝の奥まで均一に成膜されているため、段差被覆性は良好である といえる。逆に aZbが 1. 0未満の数値であれば、溝の奥まで成膜し難ぐ aZbが 1. 0を越える数値であれば、基板の平坦部分よりも溝の奥の方が成膜度合いが大きぐ それぞれ段差被覆性は悪 ヽとされる。
[0027] キャパシタ膜形成材料に含まれる Nb含有量、得られた成膜時間あたりの膜厚及び 段差被覆性の結果を次の表 1にそれぞれ示す。
[0028] [表 1]
Figure imgf000012_0001
[0029] <比較試験 2>
実施例 1 5及び比較例 1 5でそれぞれ得られた四塩ィ匕ハフニウムを用いて Hf( EtMeN)を合成し、この Hf(EtMeN)をキャパシタ膜形成材料として用いた以外
4 4
は、上記比較試験 1と同様にして成膜時間当たりの膜厚試験及び段差被覆性試験を 行った。キャパシタ膜形成材料に含まれる Nb含有量、得られた成膜時間あたりの膜 厚及び段差被覆性の結果を次の表 2にそれぞれ示す。
[0030] [表 2] 成膜時間あたりの膜厚 [nm] 段差被覆性 [一] 有機 H;化合物 Nb含有量
[ppm] 1分 5分 10分 20分 30分 1分 5分 10分 20分 30分 難 llf (EtMeN) 1 0.3 1.3 3 6 10 1 0.9 0.9 1 1
II 2 Hf (EtMeN) 0.5 0.7 3.4 6 13 18 0.9 0.9 0.9 1 0.8 a 3 llf (EtMeN) 0.1 1.2 6 12 24 35 1 0.9 1 0.8 0.9
II 4 Hf (EtMeN) 0.05 0.8 4 8 16 23 0.9 1 1 0.8 0.8
» 5 Hf (EtMeN) 0.005 0.8 3.8 9 19 18 0.9 1 0.9 0.8 1 賺 Hf (EtMeN) 5 0.3 1 1.1 0.1 0.01 0.1 0.1 0.02 0.002 0.002 a 2 Hf (EtMeN) 10 0.5 2 1.2 0.02 0.01 0.2 0.1 0.01 0.001 0.001 a 3 Hf (EtMeN) 20 0.6 3 0.6 0.2 0.01 0.2 0.08 0.02 0.01 0.001 a 4 Hf (EtMeN) 50 0.2 0.1 0.03 0.02 0.02 0.1 0.2 0.01 0.002 0.002
II 5 Hf(ELMeN)4 100 0.1 0.1 0.3 0.03 0.01 0.1 0.1 0.01 0.001 0.001 [0031] <比較試験 3 >
実施例 1 5及び比較例 1 5でそれぞれ得られた四塩ィ匕ハフニウムを用いて Hf( Me N)を合成し、この Hf(Me N)をキャパシタ膜形成材料として用いた以外は、上
2 4 2 4
記比較試験 1と同様にして成膜時間当たりの膜厚試験及び段差被覆性試験を行つ た。キャパシタ膜形成材料に含まれる Nb含有量、得られた成膜時間あたりの膜厚及 び段差被覆性の結果を次の表 3にそれぞれ示す。
[0032] [表 3]
Figure imgf000013_0001
[0033] <比較試験 4>
実施例 1 5及び比較例 1 5でそれぞれ得られた四塩ィ匕ハフニウムを用いて Hf( OC H )を合成し、この Hf(OC H )をキャパシタ膜形成材料として用いた以外は、
4 9 4 4 9 4
上記比較試験 1と同様にして成膜時間当たりの膜厚試験及び段差被覆性試験を行 つた。キャパシタ膜形成材料に含まれる Nb含有量、得られた成膜時間あたりの膜厚 及び段差被覆性の結果を次の表 4にそれぞれ示す。
[0034] [表 4] 成膜時間あたりの膜厚 [nm] 段差被覆性 [一] 棚 H i化合物 N b含有量
[ppm] 1分 5分 10分 20分 30分 1分 5分 10分 20分 30分 実 11 l[f (0 113) 4 1 0. 2 1 2 4 28 1 1 0. 9 1 1
II Hf (0C ）4 0. 5 0. 1 0. 5 1 2 30 0. 9 0. 9 1 0. 9 0. 8
'I 3 Hf (0C ） 4 0. 1 0. 2 1. 2 2 5 35 0. 9 1 0. 8 0. 8 0. 9
I 4 Hf (0C4H9) 4 0. 05 0. 3 1. 3 4 9 36 0. 8 1 1 1 1
' 5 Hf (0C ） 0. 005 0. 2 1. 1 2 4 32 0. 9 1 0. 9 1 0. 9 動 Hf (0C4H9) 4 5 0. 2 0. 8 0. 9 0. 8 0. 1 0. 05 0. 08 0. 02 0. 01 0. 002
I 2 Hf (OC ）4 10 0. 5 0. 7 0. 9 0. 5 0. 02 0. 01 0. 02 0. 01 0. 01 0. 004 a 3 Hf (OCD - 20 0. 7 0. 9 0. 5 0. 1 0. 02 0. 1 0. 02 0. 01 0. 006 0. 004
" 4 Hf (0C4H9) 4 50 0. 7 0. 3 0. 6 0. 02 0. 01 0. 05 0. 03 0. 01 0. 001 0. 002 a 5 Hf (OC ）4 100 0. 8 0. 9 0. 5 0. 02 0. 02 0. 08 0. 07 0. 01 0. 001 0. 001 表 1〜表 4より明らかなように、比較例 1〜5の Nb含有量が多い形成材料を用いて 得られた薄膜は、時間が進んでも膜厚が厚くならず、成膜の安定性が悪いことが判る 。また段差被覆性も非常に悪い結果となっており、この比較例 1〜5の形成材料を用 いてキャパシタ膜を形成した場合、ボイドを生じるおそれがある。これに対して実施例 1〜5の形成材料を用いて得られた薄膜は、比較例 1〜5の形成材料を用いた場合 に比べて非常に成膜速度が高ぐまた成膜時間あたりの膜厚が均等になっており、 成膜安定性が高い結果が得られた。更に、段差被覆性も 1. 0に近い数値が得られて おり、基板の平坦部分と同様に溝の奥まで均一に成膜されていることが判った。

Claims

請求の範囲
[1] 半導体メモリ素子に設けられるハフニウム酸ィ匕膜からなるキャパシタ膜の形成材料 であって、前記形成材料が有機ハフニウム化合物力 なり、不可避ィ匕合物である Nb の含有量が lppm以下であることを特徴とするキャパシタ膜形成材料。
[2] 有機ハフニウム化合物の一般式が次の式（1)で示される請求項 1記載の形成材料
Hf(RiR2N) ……
4 （1)
但し、
Figure imgf000015_0001
R2は炭素数 1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基であり、 R1と R2は互いに 同一でも異なって 、てもよ 、。
[3] 有機ハフニウム化合物の一般式が次の式（2)で示される請求項 1記載の形成材料
Hf(OR3) (R4) …… (2)
4-n n
但し、 R3は炭素数 1〜4の直鎖又は分岐状アルキル基であり、 R4はキレート配位ィ匕 合物であり、 nは 0〜4の整数である。
[4] 請求項 1な!ヽし 3 ヽずれか 1項に記載の形成材料を用いて有機金属化学気相成長 法によりハフニウム酸ィ匕膜からなるキャパシタ膜を製造することを特徴とするキャパシ タ膜の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7518199B2 (en) 2005-01-26 2009-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Insulating film containing an additive element and semiconductor device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8158510B2 (en) 2009-11-19 2012-04-17 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming IPD on molded substrate
US8669637B2 (en) * 2005-10-29 2014-03-11 Stats Chippac Ltd. Integrated passive device system
US8791006B2 (en) * 2005-10-29 2014-07-29 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming an inductor on polymer matrix composite substrate
US7851257B2 (en) * 2005-10-29 2010-12-14 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit stacking system with integrated passive components
US8409970B2 (en) 2005-10-29 2013-04-02 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of making integrated passive devices
US8188590B2 (en) 2006-03-30 2012-05-29 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with post-passivation interconnection and integration

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11335310A (ja) * 1998-03-16 1999-12-07 Japan Pionics Co Ltd 精製アルコキシド及びアルコキシドの精製方法
JP2000345328A (ja) * 1999-06-03 2000-12-12 Japan Energy Corp 高誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2002069027A (ja) * 2000-08-25 2002-03-08 Kojundo Chem Lab Co Ltd ハフニウムアルコキシトリス（β−ジケトネート）とその製造方法およびそれを用いた酸化物膜の製法
JP2004079931A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2004158481A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11335310A (ja) * 1998-03-16 1999-12-07 Japan Pionics Co Ltd 精製アルコキシド及びアルコキシドの精製方法
JP2000345328A (ja) * 1999-06-03 2000-12-12 Japan Energy Corp 高誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2002069027A (ja) * 2000-08-25 2002-03-08 Kojundo Chem Lab Co Ltd ハフニウムアルコキシトリス（β−ジケトネート）とその製造方法およびそれを用いた酸化物膜の製法
JP2004079931A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2004158481A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

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