WO2005122162A1 - 記録媒体および記録媒体駆動装置向け信号処理装置 - Google Patents

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WO2005122162A1
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phase
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recording
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Tetsuo Hosokawa
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Fujitsu Ltd
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    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
    • G11B11/10515—Reproducing

Definitions

  • the present invention relates to a recording medium including a substrate that partitions a phase pit array on a surface, and a magnetic film that defines a recording mark on the surface of the substrate according to a direction of magnetization.
  • a so-called concurrent ROM-RAM magneto-optical disk is widely known.
  • this magneto-optical disk like a general magneto-optical disk, a random access memory (RAM) is formed on the recording magnetic film formed on the surface of the substrate as needed.
  • RAM random access memory
  • phase pits are preliminarily defined on the substrate surface.
  • ROM Read Only Memory
  • the magneto-optical disk is irradiated with a laser beam.
  • the intensity of light reflected from the magneto-optical disk changes depending on the presence or absence of a phase pit.
  • the ROM information is read based on the light intensity.
  • the magneto-optical disk is irradiated with a laser beam.
  • the polarization plane of the laser beam rotates based on the recording magnetic film as much as possible. Based on this rotation, the binary information included in the RAM information, that is, bit data, is determined.
  • reading of ROM information and reading of RAM information are not compatible as expected at present.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-202820
  • Patent Document 2 International Publication W095Z15557 pamphlet
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-91841
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and provides a recording medium capable of sufficiently discriminating recording mark information with a magnetic film even if the shortest pit length of a phase pit row is reduced as much as possible.
  • the purpose is to:
  • the shortest pit length of the first length is formed on the surface.
  • a recording medium comprising: a substrate that partitions a defined phase pit row; and a magnetic film that defines a recording mark row according to a shortest mark length of a second length greater than a first length on the surface of the substrate.
  • the influence of the phase pit sequence when information is read based on the recording mark is suppressed as much as possible, as compared with the case where the shortest pit length and the shortest mark length are matched. it can. Jitter can be reduced in discriminating the information of the recording mark. As a result, even if the shortest pit length of the phase pit row is narrowed, information can be read out with sufficient accuracy based on the recording marks.
  • the optical pit depth of the phase pit is set to be large. As the optical depth of the phase pits increases, the jitter in reading the recording marks increases. In other words, the accuracy of the interpretation deteriorates. If the shortest mark length is set to be longer than the shortest pit length as in the first invention, such deterioration in accuracy can be avoided as much as possible.
  • a clock signal can be generated based on information read from the phase pit sequence.
  • Such a clock signal can be used for writing and reading information based on a recording mark. Since the clock signal generated from the phase pit train reflects the uneven moving speed of the phase pit train, the influence of the uneven moving speed can be eliminated when writing or reading the recording mark. Thus, writing and reading of the recording mark can be realized with high accuracy.
  • the substrate at least in a region including the row of phase pits, a posture inclined at a rotation angle of 20 degrees around a tangent passing through the projection position of the measurement light beam with respect to a reference plane orthogonal to the measurement light beam.
  • the single-pass first birefringence value measured at the angle of rotation around the radius line passing through the projection position of the measurement light beam at a rotation angle of 20 degrees with respect to the reference plane. It is desired that the difference from the second birefringence value is set to less than 25 nm.
  • the jitter is suppressed to 8% or less when reading the recording mark.
  • ⁇ indicates the wavelength of the reading light beam used for reading information.
  • the interval between adjacent phase pit rows may be set within a range of 1.0 ⁇ m—1.2 ⁇ m.
  • the shortest pit length may be set in the range of 0.55 ⁇ —0.65 / im.
  • the recording medium described above may further include a reflection film that faces a mirror surface to the phase pit row and the recording mark row.
  • a reflection film that faces a mirror surface to the phase pit row and the recording mark row.
  • At least one of audio information and image information can be recorded based on the phase pit sequence.
  • audio information can be recorded based on the recording mark sequence.
  • a high compression rate data compression method such as MP3 can be applied to audio information. Therefore, even if the audio information is recorded based on the recording mark sequence, the audio information can be recorded on the recording medium with a sufficient capacity. Since the density of phase pits is higher than the density of recording marks, image information can be recorded on a recording medium with a sufficient capacity.
  • the substrate includes a substrate that divides the phase pit array on the surface, and the magnetic film that defines the recording mark according to the direction of magnetization on the surface of the substrate, and is orthogonal to the measurement light beam.
  • the first birefringence value of a single path measured on a substrate inclined at a rotation angle of 20 degrees around a tangent passing through the projection position of the measurement light beam, and the reference plane the single-pass second birefringence value measured on a substrate tilted at a rotation angle of 20 degrees around the radius line passing through the measurement light beam projection position is specified and used to read information.
  • a recording medium is provided. According to such a recording medium, when reading information based on the recording mark, the jitter can be reliably suppressed to 8% or less. It is possible to write and read information with high precision based on the recording marks.
  • N is desirably a natural number. If the shortest mark length is set to an integral multiple of the shortest pit length in this way, as described above, the clock signal generated from the phase pit train can be used for writing and reading information based on the recording mark. Writing and reading of information based on the recording mark can be realized with high accuracy.
  • Equation 4 It is desired that V> 0.12 ' ⁇ ' (4) holds. In such a recording medium, even when a phase pit sequence is formed with the shortest pit length smaller than the standard for compact discs, the jitter is sufficiently suppressed to 8% or less when reading information based on the phase pit sequence. it can.
  • the optical depth of the phase pit be set to 0.225 ⁇ or more.
  • the degree of modulation can be set to 60% or more. The standards for compact discs can be satisfied.
  • the substrate may be made of a resin material.
  • the substrate is composed of an amorphous polyolefin-based material.
  • the birefringence difference can be reliably set to less than 25 nm.
  • the interval between the phase pit rows adjacent to each other should be set within a range of 1.0 am to 1.2 ⁇ m.
  • the shortest pit length of the phase pit row may be set in the range of 0.55 ⁇ —0.65 / im. According to these settings, the density of phase pits can be increased more than ever. According to the verification of the inventor, even if the density of the phase pits is increased in this way, it is possible to read information sufficiently accurately based on the phase pit train and the recording marks.
  • the recording medium described above may further include a reflection film that faces a mirror surface to the phase pit row and the recording mark.
  • a reflection film that faces a mirror surface to the phase pit row and the recording mark.
  • At least one of audio information and image information can be recorded based on the phase pit sequence.
  • audio information can be recorded based on the recording marks.
  • a high compression rate data compression method such as MP3 can be applied to audio information. Therefore, the audio information is Audio information can be recorded on the recording medium with a sufficient capacity. Since the density of phase pits is higher than the density of recording marks, image information can be recorded on a recording medium with a sufficient capacity.
  • the first signal processing circuit that processes the signal generated based on the phase pit sequence on the recording medium at the clock interval at the predetermined interval, and the clock timing that is an integral multiple of the predetermined interval, And a second signal processing circuit that processes a signal generated based on the magnetic film on the phase pit row.
  • the processing operation of the first signal processing circuit and the processing operation of the second signal processing circuit can be synchronized. Therefore, it can be processed by a common clock signal.
  • the second signal processing circuit can realize a processing operation based on such a clock signal.
  • Such a signal processing circuit is very useful when writing and reading recording marks on the recording medium described above.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing an appearance of a recording medium, ie, a magneto-optical disk according to the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged partial vertical sectional view taken along line 2-2 in FIG. 1.
  • FIG. 3 is an enlarged perspective view schematically showing a structure of a substrate of the magneto-optical disk.
  • FIG. 4 is a schematic view showing an outline of a method for measuring birefringence.
  • FIG. 5 is a schematic diagram conceptually showing a configuration of a magneto-optical disk drive.
  • FIG. 6 is an enlarged partial perspective view illustrating a relationship between a phase pit array and a polarization plane of a laser beam.
  • FIG. 7 is a block diagram schematically showing a configuration of a signal processing circuit.
  • FIG. 8 is a graph showing the relationship between the actual depth and optical depth of phase pits and jitter.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the optical depth of a phase pit and the degree of modulation.
  • FIG. 10 is a graph showing the relationship between birefringence difference and jitter.
  • FIG. 11 is a graph showing the relationship between reflectance and jitter.
  • FIG. 12 is a graph showing a relationship between an optical depth of a phase pit and a birefringence difference.
  • FIG. 13 is a graph showing the relationship between the actual depth and optical depth of phase pits and jitter.
  • FIG. 14 is a graph showing the relationship between reflectance and jitter.
  • FIG. 15 is a graph showing a relationship between an optical depth of a phase pit and a birefringence difference.
  • FIG. 1 shows a recording medium, that is, a magneto-optical disk 11 according to the present invention.
  • the magneto-optical disk 11 is configured as a so-called concurrent ROM-RAM magneto-optical disk.
  • the diameter of the magneto-optical disk 11 is set to, for example, 120 mm. However, instead of such a disk shape, a card shape or other shapes may be used.
  • FIG. 2 schematically shows a cross-sectional structure of the magneto-optical disk 11.
  • the magneto-optical disk 11 includes a disk-shaped substrate 12.
  • the substrate 12 is made of a light-transmitting material.
  • a resin material such as polycarbonate or amorphous polyolefin may be used.
  • the substrate 12 is molded by an injection molding method.
  • an undercoat film 14 On the surface of the substrate 12, an undercoat film 14, a recording magnetic film 15, an auxiliary magnetic film 16, an overcoat film 17, a reflective film 18, and a protective film 19 are sequentially laminated.
  • the undercoat film 14 may be made of a light-transmitting material such as SiN.
  • the recording magnetic film 15 may be made of a light-transmitting magnetic material such as TbFeCo.
  • the auxiliary magnetic film 16 may be made of a light-transmitting magnetic material such as GbFeCo.
  • the overcoat film 17 may be made of a light transmissive material such as SiN.
  • the reflection film 18 may be made of a mirror-like material such as aluminum.
  • the protective film 19 is made of, for example, an ultraviolet curable resin.
  • a phase pit row 21 is formed on the surface of the substrate 12.
  • each phase pit 22 is formed by a depression having an optical depth Pd.
  • a so-called recording track is established based on the phase pit row 21.
  • the phase pit rows 21 are arranged in the radial direction of the substrate 12 at intervals of a so-called track pitch Tp.
  • the track pitch ⁇ may be set in a range of, for example, 1.0 / im—1.2 / im.
  • the shortest pit length PL may be set, for example, in the range of 0.55 ⁇ m—0.65 / im. According to such a setting, the density of the phase pits 22 can be increased in the magneto-optical disk 11 more than ever.
  • the tiger The pitch Tp and the shortest pit length PL are not limited to these values, and may be changed as appropriate according to changes in other conditions.
  • the undercoat film 14, the recording magnetic film 15, the auxiliary magnetic film 16, the overcoat film 17, the reflective film 18 and the protective film 19 are formed on the surface of the substrate 12. Therefore, the phase pit row 21 is covered with the undercoat film 14, the recording magnetic film 15, the auxiliary magnetic film 16, the overcoat film 17, the reflective film 18, and the protective film 19.
  • a recording mark 23 is established on the recording magnetic film 15.
  • the reflection film 18 faces the mirror surface to the phase pit row 21 and the recording mark 23.
  • the recording mark 23 is formed based on the reversal of the magnetization.
  • the shortest mark length ML of the recording mark 23 is set to be longer than the shortest pit length PL.
  • the shortest mark length ML of the recording mark 23 is set to an integral multiple of the shortest pit length PL.
  • the first birefringence value of the sinusoidal path measured on the substrate 12 by the first obliquely incident light beam and the single-noise path measured on the substrate 12 by the second obliquely incident light beam are similarly measured.
  • the difference from the second birefringence value that is, the birefringence difference, is set to less than 25 nm.
  • the substrate 12 moves, for example, as shown in FIG. 4, a phase passing through the irradiation position of the measurement light beam 24 with respect to a reference plane 25 orthogonal to the measurement light beam 24. It is held in a posture inclined at an angle ⁇ of 20 degrees around the tangent line 26 of the pit row 21.
  • the substrate 12 is moved by 20 degrees around a radial line 27 passing through the irradiation position of the measurement light beam 24 with respect to a reference plane 25 orthogonal to the measurement light beam 24. It is held in a position inclined at an angle of 13.
  • a general birefringence measuring device may be used.
  • Such a birefringence measuring instrument may include, for example, a seed: tADR-200 ⁇ .
  • ROM Read Only Memory
  • a laser beam is irradiated along the phase pit row 21.
  • the intensity of light reflected from the magneto-optical disk 11 changes according to the presence or absence of the phase pits 22.
  • Binary information is determined based on such a change in intensity.
  • the image information is stored on the magneto-optical disk 11 based on the ROM information. Be recorded.
  • the capacity of the image information may be reduced based on a data compression method such as MPEG.
  • RAM Random Access Memory
  • a laser beam is irradiated along the phase pit row 21.
  • the polarization plane of the laser beam rotates based on the effect of the recording magnetic film 15 as much as possible. Binary information is determined based on the direction of this rotation.
  • the recording magnetic film 15 is irradiated with a laser beam along the phase pit row 21.
  • a magnetic field is applied to the recording magnetic film 15 at a predetermined intensity.
  • the magnetization is established in a predetermined direction based on the temperature rise of the recording magnetic film 15 and the reversal of the magnetic field.
  • audio information is recorded on the magneto-optical disk 11 based on the RAM information.
  • the volume of audio information may be reduced based on a data compression method such as MP3.
  • the substrate 12 is molded.
  • an injection molding machine is used.
  • a fluid such as polycarbonate or polyolefin is poured into the mold or stamper.
  • Phase pits 22 are formed on the surface of the substrate 12 in the stamper.
  • the thickness of the substrate 12 is set to, for example, 1.2 mm.
  • the substrate 12 may be subjected to an annealing treatment after injection molding. Such annealing treatment contributes to reducing the birefringence difference of the substrate 12.
  • the annealing temperature should be set to 120 degrees Celsius or less. If the annealing process exceeds 120 degrees Celsius, the properties of the substrate 12 will change significantly. Note that other manufacturing methods may be used for molding the substrate 12.
  • an undercoat film 14, a recording magnetic film 15, an auxiliary magnetic film 16, an overcoat film 17, a reflective film 18, and a protective film 19 are laminated on the surface of the substrate 12.
  • a sputtering method is used for lamination. A vacuum degree of 5 X e- 5 [Pa] or less is established in each chamber of the sputtering apparatus.
  • the substrate 12 is transferred to the first chamber.
  • a Si target is mounted in the first chamber.
  • Ar gas and N gas are introduced into the first chamber during sputtering.
  • the SiN film that is, the undercoat film 14 is formed based on the reactive sputtering.
  • the thickness of the SiN film is set, for example, to about 80. Onm.
  • the substrate 12 is transferred to the second chamber.
  • the recording magnetic film 15 and the auxiliary magnetic film 16 are successively formed on the surface of the substrate 12.
  • the recording magnetic film 15 for example, a Tb (FeCo) alloy film having a thickness of about 30. Onm is used.
  • a Gd (Fe Co) alloy film having a thickness of about 4. Onm is used for 16.
  • the substrate 12 is transported again to the first chamber.
  • an overcoat film 17 and a reflective film 18 are sequentially laminated.
  • the overcoat film 17 for example, a SiN film having a thickness of about 5. Onm is used.
  • the reflective film 18 for example, an aluminum film having a thickness of about 50. Onm is used.
  • a protective film 19 is formed.
  • an ultraviolet curable resin coat may be used.
  • the magneto-optical disk 11 can be created.
  • materials generally used for recording media for magneto-optical recording may be used.
  • the magneto-optical disk drive 31 is used for recording and reproducing on the magneto-optical disk 11 as described above.
  • the magneto-optical disk drive 31 includes a spindle 32 for supporting the magneto-optical disk 11 as shown in FIG. 5, for example.
  • the spindle 32 can rotationally drive the magneto-optical disk 11 around the central axis.
  • the magneto-optical disk drive 31 includes a light source, that is, a semiconductor laser diode 33.
  • the semiconductor laser diode 33 outputs a linearly polarized light beam, that is, a laser beam.
  • the laser beam 34 is guided to the magneto-optical disk 11 by the action of a so-called optical system 35.
  • the optical system 35 includes, for example, an objective lens 36 facing the surface of the magneto-optical disk 11.
  • a beam splitter 37 is disposed between the semiconductor laser diode 33 and the objective lens 36, for example.
  • the laser beam 34 of the semiconductor laser diode 33 passes through the beam splitter 37. After that, the laser beam 34 is emitted from the objective lens 36 to the magneto-optical disk 11.
  • the objective lens 36 forms a minute beam spot on the surface of the magneto-optical disk 11.
  • the laser beam 34 reaches the reflection film 18 after passing through the substrate 12, the undercoat film 14, the recording magnetic film 15, the auxiliary magnetic film 16, and the overcoat film 17.
  • the laser beam 34 is reflected by the reflection film 18.
  • the laser beam 34 is again guided from the objective lens 36 to the beam splitter 37.
  • Two-beam Wollaston 38 faces beam splitter 37.
  • the laser beam 34 returning from the magneto-optical disk 11 is reflected by the beam splitter 37.
  • Laser beam 34 is directed from beam splitter 37 to two-beam Wollaston 38.
  • the two-beam Wollaston 38 resolves the laser beam 34 with mutually orthogonal planes of polarization.
  • a two-segment photodetector 41 is arranged.
  • the laser beam 34 separated by the two-beam Wollaston 38 is detected by a two-segment photodetector 41 for each polarization plane.
  • the laser beam 34 is converted into an electric signal for each polarization plane.
  • the two electric signals are added by a summing amplifier 42.
  • the intensity of the entire laser beam 34 is detected.
  • the ROM information is decoded based on the output of the summing amplifier 42.
  • the two electric signals are subtracted by the subtraction amplifier 43.
  • the rotation of the plane of polarization between the laser beam 34 reflected from the magneto-optical disk 11 and the laser beam 34 before reflection is detected.
  • the RAM information is decoded based on the output of the subtraction amplifier 43.
  • a magnetic head slider 44 is opposed to the objective lens 36.
  • An electromagnetic transducer is mounted on the magnetic head slider 44.
  • Such an electromagnetic conversion element may be disposed on an extension of the path of the laser beam 34 that is directed from the objective lens 36 to the magneto-optical disk 11.
  • the temperature of the recording magnetic film 15 rises.
  • a write magnetic field acts on the recording magnetic film 15 from the electromagnetic transducer.
  • the magnetization of the recording magnetic film 15 can be relatively easily aligned in accordance with the direction of the write magnetic field.
  • the RAM information is written on the recording magnetic film 15.
  • light modulation recording may be used instead of such magnetic modulation recording.
  • the laser beam is applied to the magneto-optical disk 11 by the polarization plane 46 orthogonal to the phase pit row 21 on the magneto-optical disk 11. 34 are irradiated.
  • the laser beam 34 irradiates the phase pit 22 and the recording magnetic film 15 with so-called vertical polarization.
  • the vertically polarized laser beam 34 can greatly contribute to the reduction of jitter when reading the above-described R ⁇ M information and RAM information.
  • the output of the addition amplifier 42 is supplied to a signal processing circuit 47, for example, as shown in FIG.
  • the output of summing amplifier 42 goes to PLL circuit 48.
  • the PLL circuit 48 generates a clock signal based on the data string of the ROM information supplied from the addition amplifier 42.
  • the generated clock signal is supplied to the signal processing circuit 49.
  • the output of the subtraction amplifier 43 is supplied to the signal processing circuit 49.
  • the signal processing circuit 49 determines binary information from the output of the subtraction amplifier 43 while synchronizing with the clock signal supplied from the PLL circuit 48.
  • the shortest mark length ML of the recording mark 23 is set to an integral multiple of the shortest pit length PL of the phase pit 22, as long as the recording mark 23 is written in synchronism with such a clock signal, the shortest mark length ML can be ensured from the recording mark 23
  • the binary information can be read out. Since the clock signal output from the PLL circuit 48 follows the rotation unevenness of the magneto-optical disk 11, the influence of the uneven rotation upon writing and reading the recording mark 23 can be minimized.
  • the inventors have verified the characteristics of the magneto-optical disk 11.
  • multiple types of substrates 12 were manufactured.
  • a phase pit row 21 was formed based on EFM modulation.
  • the track pitch Tp was set to 1 ⁇ 1 / im.
  • the pit width of phase pit 22 was set to 0.55 ⁇ 55 ⁇ .
  • the shortest pit length PL was set to 0.60 / m.
  • the actual depth of the phase pit 22 for each substrate 12 was appropriately set within the range of 38. Onm-121. Onm.
  • the actual depth of the phase pits 22 was adjusted based on, for example, the thickness of the resist resin applied during the molding of the stamper and the irradiation time of the deep UV (ultraviolet) applied to the molded substrate 12.
  • the ROM information was established by the operation of the phase pit train 21.
  • the first substrate 12 was made of polycarbonate (Teijin Chemical Co., Ltd., Panlite ST3000).
  • the annealing treatment was omitted after injection molding. As a result, a birefringence difference of 43 nm was established for the substrate 12.
  • the second and third substrates 12 were similarly made of polycarbonate. However, annealing treatment was performed on the substrate 12 for one hour after the injection molding.
  • the annealing temperature was set to 100 degrees Celsius.
  • a birefringence difference of 34 nm was established for the substrate 12.
  • the annealing temperature was set to 120 degrees Celsius.
  • a birefringence difference of 25 nm was established for the substrate 12.
  • the fourth substrate 12 was made of amorphous polyolefin (JSR Corporation: tArton D4810). In this case, annealing treatment was omitted after injection molding. Despite omitting the heat treatment, a birefringence difference of 17 nm was established for the substrate 12. The inventor Further, a substrate 12 was formed using amorphous polyolefin (registered trademark ZEONEX E28 R of Nippon Zeon Co., Ltd.). The annealing treatment was omitted after injection molding. Regardless of the omission of the heat treatment, a birefringence difference of about 10 nm was established in the substrate 12. In each case, Oak ADR-200B was used to measure the birefringence. The wavelength of the laser beam was set at 635nm.
  • the inventor made a magneto-optical disk 11 using the first to fourth substrates 12.
  • a recording mark 23 was written on the recording magnetic film 15 of the created magneto-optical disk 11 based on the EFM modulation. Magnetic field modulation recording was used for writing.
  • the wavelength ⁇ of the laser beam was set to 650 nm.
  • the numerical aperture NA of the objective lens was set to 0.55. According to the setting of the wavelength ⁇ and the numerical aperture NA, the spot of the laser beam is formed on the surface of the recording magnetic film 15 with a spot diameter of about 1.1 zm based on the intensity of 1 / e 2. Is done.
  • the linear velocity was set to 4.8 [m / s].
  • the shortest mark length ML was set to 1 ⁇ ⁇ ⁇ 2 / im, 1.8 ⁇ , or 2.4 ⁇ m for each magneto-optical disk 11.
  • the clock timing control and laser beam control methods were adjusted.
  • the reflectivity of each of the magneto-optical disks 11 was adjusted to about 19%.
  • the reflectance was measured based on a laser beam reflected from the mirror surface of the reflection film 18 outside the phase pit 22.
  • the RAM information was established by the function of the recording mark 23.
  • ROM information was read from the magneto-optical disk 11 based on the phase pit row 21.
  • ROM jitter was measured based on the read ROM information.
  • the RAM information was read based on the recording mark 23.
  • RAM jitter was measured based on the read RAM information.
  • the wavelength of the laser beam was set at 650 nm.
  • the number of openings NA was set to 0.55.
  • the linear velocity was set to 4.8 [m / s].
  • the plane of polarization of the laser beam was directed in a direction perpendicular to the phase pit row 21, ie, the track direction.
  • the ROM jitter decreases as the optical depth Pd of the phase pit 22 increases.
  • the RAM jitter increases.
  • the minimum mark length ML of the recording mark 23 is increased, the effect of the increase in the optical depth Pd on the RAM jitter decreases.
  • the magneto-optical disk 11 is required to have a jitter of 10% or less.
  • the magneto-optical disk 11 is desired to have a jitter of 8% or less.
  • ROM jitter and RAM jitter were measured based on the fourth magneto-optical disk 11.
  • the optical depth Pd of the phase pit 22 be set in the range of 0.14 ⁇ 0.25 ⁇ .
  • a modulation degree of 35% to 65% can be obtained. If the modulation factor is set at 35% or more, the ROM information can be read without errors.
  • the shortest pit length PL of the phase pit 22 can be reduced. Such a reduction in the shortest pit length PL can greatly contribute to increasing the density of ROM information.
  • ROM jitter and RAM jitter were measured based on the fourth magneto-optical disk 11 as described above.
  • FIG. 10 shows the relationship between the ROM jitter and the RAM jitter and the birefringence difference.
  • the optical depth Pd of the phase pit 22 was set to 0.141 ⁇ .
  • the birefringence difference is set to less than 25 nm, the jitter can be reliably suppressed to 8% or less.
  • the birefringence difference is set to less than 25 nm, even if the optical depth Pd of the phase pit 22 is set to 0.14 ⁇ or more, the ROM jitter and the RAM jitter are reliably suppressed to 8% or less. be able to.
  • FIG. 11 shows the relationship between the ROM jitter and the RAM jitter and the reflectance.
  • the shortest mark 1.2 x m recording mark 23 was used.
  • the optical depth Pd of the phase pit 22 was set to 0.182 ⁇ .
  • the ROM jitter decreases as the reflectance increases.
  • the RAM jitter increases. In this case, it is confirmed that the ROM jitter and the RAM jitter are most improved when the reflectance is set to about 19%.
  • the reflectivity was adjusted based on the thickness of the undercoat film 14 and the amount of N introduced during film formation. Here, the reflectivity is reflected outside the phase pit 22.
  • FIG. 12 shows the relationship between the optical depth Pd of the phase pit 22 and the birefringence difference.
  • the dotted line represents the minimum value [ ⁇ ] of the optical depth Pd of the phase pit 22 required for securing the ROM jitter of 8% or less. If the optical depth Pd falls below the dotted line, the ROM jitter will exceed 8%. Regardless of the birefringence difference and the minimum mark length ML, if an optical depth Pd of 0.12 ⁇ or more is set, a ROM jitter of 8% or less can be secured.
  • the solid line represents the maximum value [ ⁇ ] of the optical depth Pd of the phase pit 22 required for securing the RAM jitter of 8% or less. If the optical depth Pd exceeds the value indicated by the solid line, the RAM jitter will exceed 8%. In the verification of the RAM jitter, the following equation is established between the optical depth Pd [] and the birefringence difference d [nm].
  • L indicates the shortest pit length PL of the phase pit row 21.
  • S indicates the shortest mark length ML of the recording mark 23.
  • a phase pit row 21 was formed based on EFM modulation.
  • the track pitch Tp was set to 1.6 / m.
  • the shortest pit length PL was set to 0 ⁇ 833 ⁇ . That is, the phase pit row 21 was created in accordance with the compact disk (CD) standard.
  • predetermined contents were written on the magneto-optical disk 11 based on the phase pit row 21.
  • the actual depth of the phase pits 22 was set appropriately in the range of 38.
  • the birefringence difference of the substrate 12 was set at 17 nm.
  • the inventor made a magneto-optical disk 11 based on the above-described substrate 12.
  • a recording mark 23 was written on the recording magnetic film 15 of the created magneto-optical disk 11 based on the EFM modulation. Writing was performed as described above.
  • the shortest mark for each magneto-optical disk 11 The length ML was set to either 1 ⁇ 666 ⁇ ⁇ and 2.499 / im.
  • the reflectivity was set appropriately in the range of 10.2% -27.3%.
  • ROM jitter and RAM jitter of the above-described magneto-optical disk 11 were measured in the same manner as described above. However, the wavelength of the laser beam; I was set to 780 nm. As is clear from FIG. 13, as described above, if the shortest mark length ML of the recording mark 23 is increased, a sufficient jitter% is secured even if the optical depth Pd of the phase pit 22 is set large. Was confirmed.
  • FIG. 14 shows the relationship between the ROM jitter and the RAM jitter and the reflectance.
  • the shortest mark 2.499 x m recording mark 23 was used for RAM jitter measurement.
  • the optical depth Pd of the phase pit 22 was set to 0.217 ⁇ .
  • ROM jitter decreases as reflectance increases.
  • RAM jitter increases. It is confirmed that when the reflectance is set to less than 24%, the ROM jitter and the RAM jitter are sufficiently suppressed.
  • the reflectance was measured based on the laser beam reflected from the mirror surface of the reflection film 18 outside the phase pit 22.
  • the inventor tried to reproduce the magneto-optical disk 11 using a commercially available CD-ROM reproducing device. As a result, if the reflectance fell below 13%, the above-mentioned content could not be played. On the other hand, it was confirmed that when the reflectance was set between 14% and 24%, the content on the magneto-optical disk 11 was reliably reproduced. At this time, the optical depth Pd of the second order pit 22 on the magneto-optical disk 11 was set to 0.217.
  • the present inventor tried to reproduce the above-described magneto-optical disk 11 using a commercially available CD-ROM reproducing device.
  • the reflectivity was set to 19.3%.
  • the inventor changed the optical depth Pd of the phase pit 22 for each magneto-optical disk 11.
  • the optical depth Pd of the phase pit 22 is set in the range of 0.279 ⁇ to 0.170 ⁇ .
  • the optical depth Pd of the phase pit 22 is set to 0.225 ⁇ or more. As is clear from Fig. 9, if the optical depth Pd is set to 0.225 nm or more, Modulation degree of 60% or more can be ensured in accordance with the standard of compact disc
  • FIG. 15 shows the relationship between the optical depth Pd of the phase pit 22 and the birefringence difference.
  • the dotted line represents the minimum value [ ⁇ ] of the optical depth Pd of the phase pit 22 required for reading the content. If an optical depth Pd of 0.17 ⁇ or more is set regardless of the birefringence difference and the size of the shortest mark length ML, the content can be reliably read by the existing CD player.
  • the solid line represents the maximum value [ ⁇ ] of the optical depth Pd of the phase pit 22 required to secure the RAM jitter of 8% or less. In the verification of the RAM jitter, the following equation is established between the optical depth Pd [] and the birefringence difference d [nm].
  • L indicates the shortest pit length PL of the phase pit row 21.
  • S indicates the shortest mark length ML of the recording mark 23.
  • the spot diameter of a laser beam is proportional to the wavelength of the laser beam; I, and is also inversely proportional to the numerical aperture ⁇ . Therefore, for example, even if the numerical aperture ⁇ is changed from 0.55 to 0.60, the track pitch Tp force .0x0.55 / 0.60 [xm]-1.2x0.55 / 0.60 [zm] If the range is set, the relationship shown in any of the graphs is established.
  • the shortest pit length PU may be set in the range of 0.55x0.55 / 0.60 [ ⁇ ] -1.65x0.55 / 0.60 [xm].

Abstract

　記録媒体では、位相ピット列（２１）上に磁性膜が形成される。磁性膜には磁化の向きに応じて記録マーク（２３）が確立される。レーザビームの働きで位相ピット列（２１）から情報は読み出される。同時に、レーザビームの働きで記録マーク（２３）に基づき情報は読み出される。位相ピット列（２１）の最短ピット長（ＰＬ）に比べて記録マーク（２３）の最短マーク長（ＭＬ）は大きく設定される。最短ピット長と最短マーク長とが一致する場合に比べて、記録マークに基づき情報が読み出される際に位相ピット列の影響はできる限り抑制されることができる。記録マークの情報の判別にあたってジッタは低減されることができる。その結果、位相ピット列の最短ピット長が狭められても、記録マークに基づき十分な精度で情報は読み出されることができる。

Description

明 細 書
記録媒体および記録媒体駆動装置向け信号処理装置
技術分野
[0001] 本発明は、表面に位相ピット列を区画する基板と、基板の表面で磁化の向きに応じ て記録マークを規定する磁性膜とを備える記録媒体に関する。
背景技術
[0002] 例えば日本国特開平 6-202820号公報に開示されるように、いわゆるコンカレント ROM— RAM光磁気ディスクは広く知られる。この光磁気ディスクでは、一般の光磁 気ディスクと同様に、基板の表面に形成される記録磁性膜に随時に RAM (Random
Access Memory)情報が書き込まれることができる。し力も、基板の表面には予 め位相ピットが区画される。位相ピットに基づき ROM (Read Only Memory)情報 は書き込まれる。
[0003] ROM情報の読み出しにあたって光磁気ディスクにはレーザビームが照射される。
光磁気ディスクから反射する光の強度は位相ピットの有無に応じて変化する。こうして 光の強度に基づき ROM情報は読み出される。同様に、 RAM情報の読み出しにあ たって光磁気ディスクにはレーザビームが照射される。レーザビームの偏光面は記録 磁性膜の極力一効果に基づき回転する。この回転に基づき、 RAM情報に含まれる 2 値情報すなわちビットデータは判別される。し力 ながら、いまのところ期待されるとお りに ROM情報の読み出しおよび RAM情報の読み出しは両立されていない。
特許文献 1 :日本国特開平 6 - 202820号公報
特許文献 2 :国際公開 W095Z15557号パンフレット
特許文献 3 :日本国特開平 2 - 91841号公報
発明の開示
[0004] 本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、できる限り位相ピット列の最短ピット 長を狭めても十分に磁性膜で記録マークの情報を判別することができる記録媒体を 提供することを目的とする。
[0005] 上記目的を達成するために、第 1発明によれば、表面に、第 1長さの最短ピット長で 規定される位相ピット列を区画する基板と、基板の表面で第 1長さよりも大きい第 2長 さの最短マーク長に従って記録マーク列を規定する磁性膜とを備えることを特徴とす る記録媒体が提供される。
[0006] こういった記録媒体では、最短ピット長と最短マーク長とがー致する場合に比べて、 記録マークに基づき情報が読み出される際に位相ピット列の影響はできる限り抑制さ れることができる。記録マークの情報の判別にあたってジッタは低減されることができ る。その結果、位相ピット列の最短ピット長が狭められても、記録マークに基づき十分 な精度で情報は読み出されることができる。一般に、位相ピット列の最短ピット長が狭 められる場合には、位相ピットの光学ピット深さは大きく設定される。位相ピットの光学 深さが大きくなると、記録マークの判読にあたってジッタは拡大する。言い換えれば、 判読の精度は悪化する。第 1発明のように最短ピット長に比べて最短マーク長が大き く設定されれば、そういった精度の悪化は極力回避されることができる。
[0007] こういった記録媒体では最短マーク長は最短ピット長の整数倍に設定されることが 望まれる。この記録媒体では、位相ピット列から読み出される情報に基づきクロック信 号は生成されることができる。こういったクロック信号は記録マークに基づく情報の書 き込みや読み出しに利用されることができる。位相ピット列から生成されるクロック信 号は位相ピット列の移動速度のむらを反映することから、記録マークの書き込みや読 み出しにあたって移動速度のむらの影響は排除されることができる。こうして記録マ ークの書き込みや読み出しは高い精度で実現されることができる。
[0008] 基板では、少なくとも位相ピット列を含む領域で、測定用光ビームに直交する基準 平面に対して、測定用光ビームの投射位置を通過する接線回りに 20度の回転角で 傾いた姿勢で測定されるシングルパスの第 1複屈折値と、基準平面に対して、測定 用光ビームの投射位置を通過する半径線回りに 20度の回転角で傾いた姿勢で測定 されるシングルパスの第 2複屈折値との差は 25nm未満に設定されることが望まれる 。こういった記録媒体によれば、位相ピット列中の位相ピットの光学深さが 0. 14 λ— 0. 25 λの範囲で設定されても、記録マークの読み出しにあたってジッタは 8%以下 に抑制されることができる。このとき、 λは、情報の読み出しにあたって用いられる読 み出し用光ビームの波長を示す。 [0009] こうした記録媒体では、隣接する位相ピット列同士の間隔は 1. 0 μ m— 1. 2 μ mの 範囲で設定されればよレ、。同様に、最短ピット長は 0. 55 μ ΐη— 0. 65 /i mの範囲で 設定されればよい。こういった設定によれば、これまで以上に位相ピットの密度は高 められること力 Sできる。本発明者の検証によれば、こうして位相ピットの密度が高めら れても、位相ピット列や記録マーク列に基づき十分に正確に情報は読み出されること ができる。
[0010] 前述の記録媒体は、位相ピット列および記録マーク列に鏡面を向き合わせる反射 膜をさらに備えてもよい。この場合には、位相ピット列中の位相ピット外で鏡面から反 射する光の反射率が 14% 24%の範囲で設定されることが望まれる。こういった設 定によれば、位相ピットの密度が高められても、位相ピット列や記録マーク列に基づ き十分に正確に情報は読み出されることができる。
[0011] 以上のような記録媒体では、位相ピット列に基づき少なくとも音声情報および画像 情報のいずれか一方が記録されることができる。同様に、記録マーク列に基づき音声 情報が記録されることができる。一般に、音声情報には MP3といった高圧縮率のデ ータ圧縮方法が適用されることができる。したがって、音声情報が記録マーク列に基 づき記録されても、記録媒体には十分な容量で音声情報は記録されることができる。 記録マークの密度に比べて位相ピットの密度は高いことから、記録媒体には十分な 容量で画像情報は記録されることができる。
[0012] 第 2発明によれば、表面に位相ピット列を区画する基板と、基板の表面で磁化の向 きに応じて記録マークを規定する磁性膜とを備え、測定用光ビームに直交する基準 平面に対して、測定用光ビームの投射位置を通過する接線回りに 20度の回転角で 傾いた姿勢の基板で測定されるシングルパスの第 1複屈折値と、基準平面に対して、 測定用光ビームの投射位置を通過する半径線回りに 20度の回転角で傾いた姿勢の 基板で測定されるシングルパスの第 2複屈折値とが特定され、情報の読み出しにあ たって用いられる読み出し用光ビームの波長が λで表される際に、位相ピット列中の 位相ピットの光学深さ Pd[ ]と、第 1および第 2複屈折値の差 d[nm]との間には、 [数 1]
7 < -0.0052^ + 0,253 ■· ·(!) が成立することを特徴とする記録媒体が提供される。かかる記録媒体によれば、記録 マークに基づく情報の読み出しにあたってジッタは確実に 8%以下に抑制されること ができる。記録マークに基づき情報の書き込みや読み出しは高い精度で実現される こと力 Sできる。
[0013] 特に、こういった記録媒体では、位相ピット列の最短ピット長 Lと前記記録マークの 最短マーク長 Sとが規定される際に、
[数 2]
/ < - 0.0052^ + 0.253 + 0.03TV ' ..(2) ただし、
[数 3]
/V = 1) · ..(¾ が成立することが望まれる。こういった記録媒体では、位相ピット列の最短ピット長しと 前記記録マークの最短マーク長 sとの比が変化しても、記録マークに基づく情報の読 み出しにあたってジッタは確実に 8%以下に抑制されることができる。
[0014] こういった記録媒体では、 Nは自然数であることが望まれる。こうして最短マーク長 が最短ピット長の整数倍に設定されれば、前述のように、位相ピット列から生成される クロック信号が記録マークに基づく情報の書き込みや読み出しに利用されることがで きる。記録マークに基づき情報の書き込みや読み出しは高い精度で実現されること ができる。
[0015] 同時に、記録媒体では、
[数 4] V > 0.12 ' · '(4) が成立することが望まれる。こういった記録媒体では、コンパクトディスクの規格よりも 小さな最短ピット長で位相ピット列が形成されても、位相ピット列に基づく情報の読み 出しにあたってジッタは十分に 8%以下に抑制されることができる。
[0016] 特に、記録媒体では、 P > M ' · '(5) が成立することが望まれる。こういった記録媒体では、コンパクトディスク（CD)の規格 に従って記録媒体に位相ピット列が形成されると、既存のコンパ外ディスク用再生装 置で確実に情報は読み出されることができる。したがって、一般のコンパクトディスクと の互換性は確保されることができる。
[0017] 位相ピットの光学深さは 0. 225 λ以上に設定されることが望まれる。こういった位相 ピットの光学深さによれば、変調度は 60%以上に設定されることができる。コンパクト ディスクの規格は満足されることができる。
[0018] 以上のような記録媒体では基板は樹脂材料から構成されればよい。特に、基板は アモルファスポリオレフイン系材料力 構成されることが望まれる。こういった基板では 確実に複屈折差は 25nm未満に設定されることができる。
[0019] こうした記録媒体では、 P 接する位相ピット列同士の間隔は 1. 0 a m— 1. 2 μ mの 範囲で設定されればよレ、。同様に、位相ピット列の最短ピット長は 0. 55 μ ΐη— 0. 65 /i mの範囲で設定されればよい。これらの設定によれば、これまで以上に位相ピット の密度は高められることができる。本発明者の検証によれば、こうして位相ピットの密 度が高められても、位相ピット列や記録マークに基づき十分に正確に情報は読み出 されること力 Sできる。
[0020] 前述の記録媒体は、位相ピット列および記録マークに鏡面を向き合わせる反射膜 をさらに備えてもよい。この場合には、位相ピット列中の位相ピット外で鏡面から反射 する光の反射率が 14%— 24%の範囲で設定されることが望まれる。こういった設定 によれば、位相ピットの密度が高められても、位相ピット列や記録マーク列に基づき 十分に正確に情報は読み出されることができる。
[0021] 以上のような記録媒体では、位相ピット列に基づき少なくとも音声情報および画像 情報のいずれか一方が記録されることができる。同様に、記録マークに基づき音声情 報が記録されることができる。一般に、音声情報には MP3といった高圧縮率のデー タ圧縮方法が適用されることができる。したがって、音声情報が記録マーク列に基づ き記録されても、記録媒体には十分な容量で音声情報は記録されることができる。記 録マークの密度に比べて位相ピットの密度は高いことから、記録媒体には十分な容 量で画像情報は記録されることができる。
[0022] 第 3発明によれば、所定間隔のクロックタイミングで、記録媒体上の位相ピット列に 基づき生成される信号を処理する第 1信号処理回路と、所定間隔の整数倍のクロック タイミングで、位相ピット列上の磁性膜に基づき生成される信号を処理する第 2信号 処理回路とを備えることを特徴とする記録媒体駆動装置向け信号処理装置が提供さ れる。
[0023] かかる信号処理装置によれば、第 1信号処理回路の処理動作と第 2信号処理回路 の処理動作とは同期されることができる。したがって、共通のクロック信号で処理され ること力 Sできる。その他、第 1信号処理回路の信号処理に基づきクロック信号が生成さ れる場合でも、そういったクロック信号に基づき第 2信号処理回路は処理動作を実現 すること力 Sできる。こういった信号処理回路は前述の記録媒体で記録マークの書き込 みや読み出しを実現する際に大いに役立つ。
図面の簡単な説明
[0024] [図 1]本発明に係る記録媒体すなわち光磁気ディスクの外観を概略的に示す斜視図 である。
[図 2]図 1の 2— 2線に沿った拡大部分垂直断面図である。
[図 3]光磁気ディスクの基板の構造を概略的に示す拡大斜視図である。
[図 4]複屈折の測定方法の概略を示す模式図である。
[図 5]光磁気ディスク駆動装置の構成を概念的に示す模式図である。
[図 6]位相ピット列とレーザビームの偏光面との関係を示す拡大部分斜視図である。
[図 7]信号処理回路の構成を概略的に示すブロック図である。
[図 8]位相ピットの実深さおよび光学深さとジッタとの関係を示すグラフである。
[図 9]位相ピットの光学深さと変調度との関係を示すグラフである。
[図 10]複屈折差とジッタとの関係を示すグラフである。
[図 11]反射率とジッタとの関係を示すグラフである。
[図 12]位相ピットの光学深さと複屈折差との関係を示すグラフである。 [図 13]位相ピットの実深さおよび光学深さとジッタとの関係を示すグラフである。
[図 14]反射率とジッタとの関係を示すグラフである。
[図 15]位相ピットの光学深さと複屈折差との関係を示すグラフである。
発明を実施するための最良の形態
[0025] 以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。
[0026] 図 1は本発明に係る記録媒体すなわち光磁気ディスク 1 1を示す。この光磁気デイス ク 1 1はいわゆるコンカレント ROM-RAM光磁気ディスクとして構成される。光磁気 ディスク 1 1の直径は例えば 120mmに設定される。ただし、こういったディスク形状に 代えてカード形状その他の形状が用いられてもよい。
[0027] 図 2は光磁気ディスク 1 1の断面構造を概略的に示す。光磁気ディスク 1 1は円盤形 の基板 12を備える。基板 12は光透過性の素材力 構成される。こういった素材には 、例えばポリカーボネートやアモルファスポリオレフインといった樹脂材料が用いられ ればよい。基板 12は射出成形法で成型される。基板 12の表面には、アンダーコート 膜 14、記録磁性膜 15、補助磁性膜 16、オーバーコート膜 17、反射膜 18および保護 膜 19が順番に積層される。アンダーコート膜 14は例えば SiNといった光透過性の素 材カ 構成されればよい。記録磁性膜 15は例えば TbFeCoといった光透過性の磁 性材カ 構成されればよい。同様に、補助磁性膜 16は例えば GbFeCoといった光透 過性の磁性材から構成されればよい。オーバーコート膜 17は例えば SiNといった光 透過性の素材から構成されればよい。反射膜 18は例えばアルミニウムといった鏡面 様の素材から構成されればよい。保護膜 19は例えば紫外線硬化樹脂から構成され れは'よレ、。
[0028] 図 3に示されるように、基板 12の表面には位相ピット列 21が形成される。位相ピット 歹 IJ21では、個々の位相ピット 22は光学深さ Pdの凹みで形成される。こういった位相 ピット列 21に基づきいわゆる記録トラックは確立される。位相ピット列 21はいわゆるト ラックピッチ Tpの間隔で基板 12の半径方向に配列される。トラックピッチ Τρは例えば 1. 0 /i m— 1. 2 /i mの範囲で設定されればよい。最短ピット長 PLは例えば 0. 55 μ m— 0. 65 /i mの範囲で設定されればよい。こういった設定によれば、これまで以上 に光磁気ディスク 1 1では位相ピット 22の密度は高められることができる。ただし、トラ ックピッチ Tpや最短ピット長 PLはこれらの数値に限定されるものではなく他の条件の 変更に応じて適宜に変更されてもよい。
[0029] 前述のアンダーコート膜 14、記録磁性膜 15、補助磁性膜 16、オーバーコート膜 17 、反射膜 18および保護膜 19は基板 12の表面に一面に形成される。したがって、位 相ピット列 21はアンダーコート膜 14、記録磁性膜 15、補助磁性膜 16、オーバーコー ト膜 17、反射膜 18および保護膜 19で覆われる。位相ピット列 21上では記録磁性膜 15に記録マーク 23が確立される。こうして反射膜 18は位相ピット列 21や記録マーク 23に鏡面を向き合わせる。例えば記録磁性膜 15全体に下向きの磁化が確立される 場合には、記録マーク 23では上向きの磁化が確立される。こうした磁化の反転に基 づき記録マーク 23は形成される。記録マーク 23の最短マーク長 MLは最短ピット長 P Lよりも大きく設定される。ここでは、記録マーク 23の最短マーク長 MLは最短ピット長 PLの整数倍に設定される。
[0030] この光磁気ディスク 11では、第 1斜め入射光ビームにより基板 12で測定されるシン ダルパスの第 1複屈折値と、同様に第 2斜め入射光ビームにより基板 12で測定される シングノレパスの第 2複屈折値との差分すなわち複屈折差は 25nm未満に設定される 。第 1複屈折値の測定にあたって、基板 12は、例えば図 4に示されるように、測定用 光ビーム 24に直交する基準平面 25に対して、測定用光ビーム 24の照射位置を通 過する位相ピット列 21の接線 26回りに 20度の角度 αで傾く姿勢に保持される。同様 に、第 2複屈折値の測定にあたって、基板 12は、測定用光ビーム 24に直交する基準 平面 25に対して、測定用光ビーム 24の照射位置を通過する半径線 27回りに 20度 の角度 13で傾く姿勢に保持される。こうした第 1および第 2複屈折値の測定にあたつ て一般の複屈折測定器が用いられればよい。こういった複屈折測定器には例えばォ 一タネ： tADR— 200Βが挙げられることができる。
[0031] こういった光磁気ディスク 11では、位相ピット列 21に基づきレ、わゆる ROM (Read Only Memory)情報は確立されることができる。 ROM情報の読み出しにあたって 位相ピット列 21に沿ってレーザビームは照射される。光磁気ディスク 11から反射する 光の強度は位相ピット 22の有無に応じて変化する。こうした強度の変化に基づき 2値 情報は判別される。ここでは、 ROM情報に基づき光磁気ディスク 11には画像情報が 記録される。画像情報の容量は例えば MPEGといったデータ圧縮方法に基づき縮 小されればよい。同様に、記録マーク 23の働きでいわゆる RAM (Random Access Memory)情報は確立されることができる。 RAM情報の読み出しにあたって位相ピ ット列 21に沿ってレーザビームは照射される。レーザビームの偏光面は記録磁性膜 15の極力一効果に基づき回転する。この回転の向きに基づき 2値情報は判別される 。その一方で、 RAM情報の書き込みにあたって記録磁性膜 15には位相ピット列 21 に沿ってレーザビームが照射される。同時に記録磁性膜 15には所定の強度で磁界 が印加される。記録磁性膜 15の温度上昇と磁界の反転とに基づき所定の向きに磁 化は確立される。ここでは、 RAM情報に基づき光磁気ディスク 11には音声情報が記 録される。音声情報の容量は例えば MP3といったデータ圧縮方法に基づき縮小さ れればよい。
[0032] 次に光磁気ディスク 11の製造方法を簡単に説明する。まず、基板 12は成型される 。成型にあたって例えば射出成型機は用いられる。金型すなわちスタンパ内には例 えばポリカーボネートやポリオレフインの流動体が流し込まれる。スタンパ内で基板 1 2の表面には位相ピット 22が形成される。基板 12の板厚は例えば 1. 2mmに設定さ れる。このとき、基板 12の素材にポリカーボネートが用いられる場合には、射出成型 後に基板 12にァニール処理が施されればよい。こういったァニール処理は基板 12 の複屈折差の縮小に寄与する。ァニール処理の温度は摂氏 120度以下に設定され ること力 S望まれる。ァニール処理が摂氏 120度を超えると、基板 12の性質は大きく変 化してしまう。なお、基板 12の成型にあたってその他の製法が用いられてもよい。
[0033] その後、基板 12の表面にはアンダーコート膜 14や記録磁性膜 15、補助磁性膜 16 、オーバーコート膜 17、反射膜 18および保護膜 19が積層される。積層にあたって例 えばスパッタリング法が用いられる。スパッタ装置の個々のチャンバでは 5 X e— 5[Pa] 以下の真空度が確立される。
[0034] 最初に基板 12は第 1チャンバに搬送される。第 1チャンバでは Siターゲットが装着 される。スパッタリングの実施にあたって第 1チャンバには Arガスおよび Nガスが導
2 入される。反応性スパッタリングに基づき SiN膜すなわちアンダーコート膜 14は成膜 される。 SiN膜の膜厚は例えば膜厚 80. Onm程度に設定される。 [0035] 続いて基板 12は第 2チャンバに搬送される。第 2チャンバでは記録磁性膜 15およ び補助磁性膜 16が相次いで基板 12の表面に形成される。ここでは、記録磁性膜 15 に例えば膜厚 30. Onm程度の Tb (Fe Co ) 合金膜が用いられる。補助磁性膜
22 88 12 78
16には膜厚 4. Onm程度の Gd (Fe Co ) 合金膜が用いられる。
19 80 20 81
[0036] その後、基板 12は再び第 1チャンバに搬送される。補助磁性膜 16の表面にはォー バーコート膜 17および反射膜 18が順番に積層される。オーバーコート膜 17には例 えば膜厚 5. Onm程度の SiN膜が用いられる。反射膜 18には例えば膜厚 50. Onm 程度のアルミニウム膜が用いられる。反射膜 18上には保護膜 19が形成される。保護 膜 18には例えば紫外線硬化樹脂コートが用いられればよい。こうして光磁気ディスク 11は作成されることができる。ただし、以上のような材料に代えて、一般的に光磁気 記録用の記録媒体に用レ、られる材料が用レ、られてもよい。
[0037] 以上のような光磁気ディスク 11の記録再生にあたって光磁気ディスク駆動装置 31 は使用される。この光磁気ディスク駆動装置 31は、例えば図 5に示されるように、光 磁気ディスク 11を支持するスピンドル 32を備える。スピンドル 32は中心軸回りで光磁 気ディスク 11を回転駆動することができる。
[0038] 光磁気ディスク駆動装置 31は光源すなわち半導体レーザダイオード 33を備える。
半導体レーザダイオード 33は直線偏光の光ビームすなわちレーザビーム 34を出力 する。光磁気ディスク 11がスピンドル 32に装着されると、いわゆる光学系 35の働きで レーザビーム 34は光磁気ディスク 11まで導かれる。
[0039] 光学系 35は、例えば、光磁気ディスク 11の表面に向き合わせられる対物レンズ 36 を備える。半導体レーザダイオード 33および対物レンズ 36の間には例えばビームス プリッタ 37が配置される。半導体レーザダイオード 33のレーザビーム 34はビームス プリッタ 37を通過する。その後、レーザビーム 34は対物レンズ 36から光磁気ディスク 11に照射される。対物レンズ 36は光磁気ディスク 11の表面に微小なビームスポット を形成する。レーザビーム 34は、基板 12、アンダーコート膜 14、記録磁性膜 15、補 助磁性膜 16、オーバーコート膜 17を通過した後に反射膜 18に至る。レーザビーム 3 4は反射膜 18で反射する。こうしてレーザビーム 34は再び対物レンズ 36からビーム スプリッタ 37に導かれる。 [0040] ビームスプリッタ 37には 2ビームウォラストン 38が向き合わせられる。光磁気ディスク 11から帰還するレーザビーム 34はビームスプリッタ 37で反射する。レーザビーム 34 はビームスプリッタ 37から 2ビームウォラストン 38に導かれる。 2ビームウォラストン 38 は、相互に直交する偏光面でレーザビーム 34を分解する。
[0041] 2ビームウォラストン 38の背後には 2分割フォトディテクタ 41が配置される。 2ビーム ウォラストン 38で分解されたレーザビーム 34は偏光面ごとに 2分割フォトディテクタ 41 で検出される。こうして偏光面ごとにレーザビーム 34は電気信号に変換される。 2つ の電気信号は加算アンプ 42で加算される。レーザビーム 34全体の強度は検出され る。加算アンプ 42の出力に基づき ROM情報は解読される。同様に 2つの電気信号 は減算アンプ 43で減算される。光磁気ディスク 11から反射するレーザビーム 34およ び反射前のレーザビーム 34の間で偏光面の回転は検出される。減算アンプ 43の出 力に基づき RAM情報は解読される。
[0042] 対物レンズ 36には磁気ヘッドスライダ 44が向き合わせられる。磁気ヘッドスライダ 4 4には電磁変換素子が搭載される。こういった電磁変換素子は、対物レンズ 36から光 磁気ディスク 11に向力うレーザビーム 34の経路の延長線上に配置されればよレ、。レ 一ザビーム 34が照射されると、記録磁性膜 15の温度は上昇する。このとき、記録磁 性膜 15には電磁変換素子から書き込み磁界が作用する。温度の上昇に伴い記録磁 性膜 15では書き込み磁界の向きに応じて比較的に簡単に磁化は揃えられる。こうし て記録磁性膜 15に RAM情報は書き込まれる。ただし、こういった磁気変調記録に 代えてレ、わゆる光変調記録が用いられてもよレ、。
[0043] 以上のような光磁気ディスク駆動装置 31では、図 6に示されるように、光磁気デイス ク 11上の位相ピット列 21に対して直交する偏光面 46で光磁気ディスク 11にレーザ ビーム 34が照射される。言い換えれば、レーザビーム 34はいわゆる垂直偏光で位相 ピット 22や記録磁性膜 15に照射される。垂直偏光のレーザビーム 34は、前述の R〇 M情報や RAM情報の読み出しにあたってジッタの低減に大いに寄与することができ る。
[0044] ROM情報の解読にあたって、例えば図 7に示されるように、加算アンプ 42の出力 は信号処理回路 47に供給される。同時に、加算アンプ 42の出力は PLL回路 48に 供給される。 PLL回路 48は、加算アンプ 42から供給される ROM情報のデータ列に 基づきクロック信号を生成する。生成されたクロック信号は信号処理回路 49に供給さ れる。信号処理回路 49には減算アンプ 43の出力が供給される。信号処理回路 49は 、 PLL回路 48から供給されるクロック信号に同期しつつ減算アンプ 43の出力から 2 値情報を判別する。記録マーク 23の最短マーク長 MLは位相ピット 22の最短ピット 長 PLの整数倍に設定されることから、こういったクロック信号に同期して記録マーク 2 3が書き込まれる限り、記録マーク 23から確実に 2値情報は読み出されることができる 。 PLL回路 48から出力されるクロック信号は光磁気ディスク 11の回転むらに追従す ることから、記録マーク 23の書き込みや読み出しにあたって回転むらの影響は極力 お除されること力 Sできる。
[0045] 本発明者は光磁気ディスク 11の特性を検証した。検証にあたって複数種類の基板 12は製造された。各基板 12では EFM変調に基づき位相ピット列 21は形成された。 トラックピッチ Tpは 1 · 1 /i mに設定された。位相ピット 22のピット幅は 0· 55 μ ΐηに設 定された。最短ピット長 PLは 0. 60 / mに設定された。個々の基板 12ごとに位相ピッ ト 22の実深さは 38. Onm— 121. Onmの範囲で適宜に設定された。こういった位相 ピット 22の実深さは、例えばスタンパの成形時に塗布されるレジスト樹脂の膜厚や、 成型後の基板 12に照射されるディープ UV (紫外線)の照射時間に基づき調整され た。こうして位相ピット列 21の働きで ROM情報は確立された。
[0046] 1番目の基板 12はポリカーボネート（帝人化成株式会社パンライト ST3000)で作 成された。射出成型後にァニール処理は省略された。その結果、基板 12では 43nm の複屈折差が確立された。 2番目および 3番目の基板 12は同様にポリカーボネート で作成された。ただし、射出成型後に 1時間にわたって基板 12にァニール処理が施 された。 2番目の基板 12ではァニール処理の温度は摂氏 100度に設定された。その 結果、基板 12では 34nmの複屈折差が確立された。 3番目の基板 12ではァニール 処理の温度は摂氏 120度に設定された。その結果、基板 12では 25nmの複屈折差 が確立された。 4番目の基板 12はアモルファスポリオレフイン (JSR株式会ネ： tArton D4810)で作成された。この場合には、射出成型後にァニール処理は省略された。 熱処理の省略にも拘わらず基板 12では 17nmの複屈折差が確立された。本発明者 はさらにアモルファスポリオレフイン（日本ゼオン株式会社登録商標 ZEONEX E28 R)で基板 12を作成した。射出成型後にァニール処理は省略された。熱処理の省略 にも拘わらず基板 12では 10nm程度の複屈折差が確立された。いずれの場合でも 複屈折の測定にあたってオーク社 ADR— 200Bが用いられた。レーザビームの波長 は 635nmに設定された。
[0047] 本発明者は 1番目から 4番目までの基板 12を用いて光磁気ディスク 11を作成した。
作成された光磁気ディスク 11の記録磁性膜 15に EFM変調に基づき記録マーク 23 は書き込まれた。書き込みにあたって磁界変調記録が用いられた。レーザビームの 波長 λは 650nmに設定された。対物レンズの開口数 NAは 0. 55に設定された。こう いった波長 λおよび開口数 NAの設定によれば、記録磁性膜 15の表面上にはいわ ゆる 1/e2の強度に基づき 1. 1 z m程度のスポット径でレーザビームのスポットは形 成される。線速は 4. 8 [m/s]に設定された。個々の光磁気ディスク 11ごとに、最短 マーク長 MLは 1 · 2 /i m、 1. 8 μ ΐηおよび 2· 4 μ mのいずれかに設定された。こうい つた最短マーク長 MLの設定にあたってクロックのタイミング制御やレーザビームの制 御方法は調節された。いずれの光磁気ディスク 11でも反射率は 19%程度に調整さ れた。ここで、反射率は、位相ピット 22外で反射膜 18の鏡面から反射するレーザビ ームに基づき計測された。こうして記録マーク 23の働きで RAM情報は確立された。
[0048] 続いて光磁気ディスク 11から位相ピット列 21に基づき ROM情報は読み出された。
読み出された ROM情報に基づき ROMジッタは計測された。同時に、記録マーク 23 に基づき RAM情報は読み出された。読み出された RAM情報に基づき RAMジッタ は計測された。書き込みと同様に、レーザビームの波長は 650nmに設定された。開 口数 NAは 0. 55に設定された。線速は 4. 8 [m/s]に設定された。レーザビームの 偏光面は位相ピット列 21すなわちトラック方向に対して垂直方向に向けられた。
[0049] 図 8から明らかなように、位相ピット 22の光学深さ Pdが大きくなるにつれて ROMジ ッタは減少する。その一方で、位相ピット 22の光学深さ Pdが大きくなると RAMジッタ は増大する。ただし、記録マーク 23の最短マーク長 MLが拡大されればされるほど、 RAMジッタに対して光学深さ Pdの増大の影響は減少する。言い換えれば、記録マ ーク 23の最短マーク長 MLが拡大されれば、位相ピット 22の光学深さ Pdが大きく設 定されても十分なジッタ[%]は確保されることができる。一般に、音声 (音楽を含む） や画像の記録再生にあたって光磁気ディスク 11には 10%以下のジッタが要求される 。文字データや数値データの記録再生にあたって光磁気ディスク 11には 8%以下の ジッタが望まれる。ここでは、 4番目の光磁気ディスク 11に基づき ROMジッタや RA Mジッタは計測された。
[0050] 光磁気ディスク 11では 0. 14 λ 0. 25 λの範囲で位相ピット 22の光学深さ Pdは 設定されることが望まれる。図 9から明らかなように、こういった位相ピット 22の光学深 さ Pdによれば、 35% 65%度の変調度は得られる。 35%以上で変調度が設定され れば、十分に誤りなく ROM情報が読み出されることができる。ここで、位相ピット 22の 光学深さ Pdが増大すればするほど、位相ピット 22の最短ピット長 PLは縮小されるこ とができる。こうした最短ピット長 PLの縮小は ROM情報の高密度化に大いに貢献す ること力 Sできる。ここでは、前述と同様に、 4番目の光磁気ディスク 11に基づき ROM ジッタや RAMジッタは計測された。
[0051] 図 10は ROMジッタおよび RAMジッタと複屈折差との関係を示す。ここで、 RAM ジッタの計測にあたって最短マーク長 ML= 1. 2 /i mの記録マーク 23が用いられた 。位相ピット 22の光学深さ Pdは 0. 141 λに設定された。図 10から明らかなように、 複屈折差が 25nm未満に設定されれば、確実にジッタは 8%以下に抑制されることが できる。言い換えれば、複屈折差が 25nm未満に設定されれば、位相ピット 22の光 学深さ Pdが 0. 14 λ以上に設定されても ROMジッタおよび RAMジッタは確実に 8 %以下に抑制されることができる。
[0052] 図 11は ROMジッタおよび RAMジッタと反射率との関係を示す。ここで、 RAMジッ タの計測にあたって最短マーク = 1. 2 x mの記録マーク 23が用いられた。位相ピット 22の光学深さ Pdは 0. 182 λに設定された。図 11から明らかなように、反射率が高ま れば ROMジッタは減少する。その一方で、反射率が高まると RAMジッタは増大する 。この場合には、反射率が 19%程度に設定されると、最も ROMジッタおよび RAMジ ッタは改善されることが確認される。なお、反射率はアンダーコート膜 14の膜厚や成 膜時の Nの導入量に基づき調整された。ここで、反射率は、位相ピット 22外で反射
2
膜 18の鏡面から反射するレーザビームに基づき計測された。 [0053] 図 12は位相ピット 22の光学深さ Pdと複屈折差との関係を示す。図中、点線は、 8 %以下の ROMジッタの確保にあたって要求される位相ピット 22の光学深さ Pdの最 小値 [ λ ]を表す。光学深さ Pdが点線の値を下回ると、 ROMジッタは 8%を超えてし まう。複屈折差や最短マーク長 MLの大きさに拘わらず 0. 12 λ以上の光学深さ Pd が設定されれば、 8%以下の ROMジッタは確保されることができる。図中、実線は、 8 %以下の RAMジッタの確保にあたって要求される位相ピット 22の光学深さ Pdの最 大値 [ λ ]を表す。光学深さ Pdが実線の値を超えると、 RAMジッタは 8%を超えてし まう。この RAMジッタの検証では、光学深さ Pd[ ]と複屈折差 d[nm]との間に次式 が成立する。
[数 6]
Pd < -0.0052ί/ + 0.253 + 0.03Λ^ · ' ·(2) ただし、
[数 7]
= 1) - 3) ここで、 Lは位相ピット列 21の最短ピット長 PLを示す。 Sは記録マーク 23の最短マー ク長 MLを示す。
[0054] 次に本発明者は新たに複数種類の基板 12を準備した。各基板 12では EFM変調 に基づき位相ピット列 21は形成された。トラックピッチ Tpは 1. 6 / mに設定された。 最短ピット長 PLは 0· 833 μ ΐηに設定された。すなわち位相ピット列 21はコンパクトデ イスク（CD)の規格に則って作成された。こうして光磁気ディスク 11には位相ピット列 21に基づき所定のコンテンツが書き込まれた。個々の基板 12ごとに位相ピット 22の 実深さは 38. Onm- 121. Onmの範囲で適宜に設定された。基板 12の複屈折差は 17nmに設定された。
[0055] 本発明者は前述の基板 12に基づき光磁気ディスク 11を作成した。作成された光磁 気ディスク 11の記録磁性膜 15に EFM変調に基づき記録マーク 23は書き込まれた。 書き込みは前述と同様に実施された。個々の光磁気ディスク 11ごとに、最短マーク 長 MLは 1 · 666 μ ΐηおよび 2. 499 /i mのいずれかに設定された。反射率は 10· 2 %— 27. 3%の範囲で適宜に設定された。
[0056] 以上のような光磁気ディスク 1 1で前述と同様に ROMジッタおよび RAMジッタは計 測された。ただし、レーザビームの波長; Iは 780nmに設定された。図 13から明らか なように、前述と同様に、記録マーク 23の最短マーク長 MLが拡大されれば、位相ピ ット 22の光学深さ Pdが大きく設定されても十分なジッタ％は確保されることが確認さ れた。
[0057] 図 14は ROMジッタおよび RAMジッタと反射率との関係を示す。ここで、 RAMジッ タの計測にあたって最短マーク = 2. 499 x mの記録マーク 23が用いられた。位相ピ ット 22の光学深さ Pdは 0. 217 λに設定された。図 14から明らかなように、反射率が 高まれば ROMジッタは減少する。その一方で、反射率が高まると RAMジッタは増大 する。反射率が 24%未満に設定されると、 ROMジッタおよび RAMジッタは十分に 抑制されることが確認される。ここで、反射率は、位相ピット 22外で反射膜 18の鏡面 から反射するレーザビームに基づき計測された。
[0058] 本発明者は市販の CD— ROM再生装置で前述の光磁気ディスク 1 1の再生を試み た。その結果、反射率が 13%を下回ると、前述のコンテンツは再生されることができ なかった。その一方で、反射率が 14%— 24%に設定されると、光磁気ディスク 1 1上 のコンテンツは確実に再生されることが確認された。このとき、光磁気ディスク 1 1では 位ネ目ピット 22の光学深さ Pdは 0. 217えに設定された。
[0059] 同様に、本発明者は市販の CD— ROM再生装置で前述の光磁気ディスク 1 1の再 生を試みた。ここでは、反射率は 19. 3 %に設定された。その一方で、本発明者は光 磁気ディスク 1 1ごとに位相ピット 22の光学深さ Pdを変更した。その結果、位相ピット 2 2の実深さが 121. 0— 86. Onmの範囲で設定されると、すなわち、位相ピット 22の 光学深さ Pdが 0. 279 λ— 0. 170 λの範囲で設定されると、位相ピット列 21に基づ き光磁気ディスク 1 1上のコンテンツは確実に再生されることが確認された。位相ピット 22の光学深さ Pdが 0. 170 λを下回ると、前述のコンテンツは再生されることができ なかった。ただし、位相ピット 22の光学深さ Pdは 0. 225 λ以上に設定されることが望 まれる。図 9から明らかなように、光学深さ Pdが 0. 225 nm以上に設定されれば、コ ンパクトディスクの規格に則って 60%以上の変調度は確実に確保されることができる
[0060] 図 15は位相ピット 22の光学深さ Pdと複屈折差との関係を示す。図中、点線は、コ ンテンッの読み出しにあたって要求される位相ピット 22の光学深さ Pdの最小値 [ λ ] を表す。複屈折差や最短マーク長 MLの大きさに拘わらず 0. 17 λ以上の光学深さ P dが設定されれば、既存の CD再生装置で確実にコンテンツは読み出されることがで きる。図中、実線は、 8%以下の RAMジッタの確保にあたって要求される位相ピット 2 2の光学深さ Pdの最大値 [ λ ]を表す。この RAMジッタの検証では、光学深さ Pd[ ]と複屈折差 d[nm]との間に次式が成立する。
[数 8]
Pd < -0.0052ί/ + 0.253 + 0.03Λ^ · ' ·(2) ただし、
[数 9]
W = 1) - -(3) ここで、 Lは位相ピット列 21の最短ピット長 PLを示す。 Sは記録マーク 23の最短マー ク長 MLを示す。
[0061] なお、レーザビームのスポット径と最短ピッチ長 PLとの間や、スポット径とトラックピッ チ Tpとの間で前述の相対関係が成立する限り、いずれのグラフに示される関係も成 立する。例えばレーザビームのスポット径はレーザビームの波長; Iに比例すると同時 に開口数 ΝΑに反比例する。したがって、例えば開口数 ΝΑが 0. 55から 0. 60に変 更されても、トラックピッチ Tp力 . 0x0. 55/0. 60 [ x m]— 1. 2x0. 55/0. 60 [ z m]の範囲で設定されれば、いずれのグラフに示される関係も成立する。同時に、 最短ピット長 PUま 0. 55x0. 55/0. 60 [ μ πι]一 0. 65x0. 55/0. 60 [ x m]の範 囲で設定されればよい。波長 λにも同様な考え方が成立する。こういった関係は基 板 12の複屈折が変化してもいずれも同様に成立する。

Claims

請求の範囲
[1] 表面に、第 1長さの最短ピット長で規定される位相ピット列を区画する基板と、基板 の表面で第 1長さよりも大きい第 2長さの最短マーク長に従って記録マーク列を規定 する磁性膜とを備えることを特徴とする記録媒体。
[2] 請求の範囲 1に記載の記録媒体において、前記最短マーク長は前記最短ピット長 の整数倍に設定されることを特徴とする記録媒体。
[3] 請求の範囲 1に記載の記録媒体において、少なくとも位相ピット列を含む領域で前 記基板では、測定用光ビームに直交する基準平面に対して、測定用光ビームの投 射位置を通過する接線回りに 20度の回転角で傾いた姿勢で測定されるシングルパ スの第 1複屈折値と、基準平面に対して、測定用光ビームの投射位置を通過する半 径線回りに 20度の回転角で傾いた姿勢で測定されるシングルパスの第 2複屈折値と の差は 25nm未満に設定されることを特徴とする記録媒体。
[4] 請求の範囲 1に記載の記録媒体において、前記位相ピット列中の位相ピットの光学 深さは、情報の読み出しにあたって用いられる読み出し用光ビームの波長が λで表 される際に 0. 14 λ一 0. 25 λの範囲で設定されることを特徴とする記録媒体。
[5] 請求の範囲 1に記載の記録媒体において、隣接する前記位相ピット列同士の間隔 は 1. O x m- l . 2 x mの範囲で設定され、前記最短ピット長は 0. 55 z m-O. 65 μ mの範囲で設定されることを特徴とする記録媒体。
[6] 請求の範囲 1に記載の記録媒体において、前記位相ピット列および記録マーク列 に鏡面を向き合わせる反射膜をさらに備え、前記位相ピット列中の位相ピット外で鏡 面から反射する光の反射率が 14%— 24%の範囲で設定されることを特徴とする記 録媒体。
[7] 請求の範囲 1に記載の記録媒体において、前記位相ピット列に基づき少なくとも音 声情報および画像情報のレ、ずれか一方が記録され、前記記録マーク列に基づき音 声情報が記録されることを特徴とする記録媒体。
[8] 表面に位相ピット列を区画する基板と、基板の表面で磁化の向きに応じて記録マ ークを規定する磁性膜とを備え、測定用光ビームに直交する基準平面に対して、測 定用光ビームの投射位置を通過する接線回りに 20度の回転角で傾いた姿勢の基板 で測定されるシングルパスの第 1複屈折値と、基準平面に対して、測定用光ビームの 投射位置を通過する半径線回りに 20度の回転角で傾いた姿勢の基板で測定される シングノレパスの第 2複屈折値とが特定され、情報の読み出しにあたって用いられる読 み出し用光ビームの波長が λで表される際に、位相ピット列中の位相ピットの光学深 さ Pd[ ]と、第 1および第 2複屈折値の差 d[nm]との間には、
[数 10]
Pd < -0.0052 + 0.253 …① が成立することを特徴とする記録媒体。
[9] 請求の範囲 8に記載の記録媒体において、前記位相ピット列の最短ピット長 Lと前 記記録マークの最短マーク長 Sとが規定される際に、
[数 11]
Pd < -0.0052ί/ + 0.253 + 0.03 V · , ·(2) ただし、
[数 12] = 1) . · ·( が成立することを特徴とする記録媒体。
[10] 請求の範囲 9に記載の記録媒体において、前記 Νは自然数であることを特徴とする 記録媒体。
[11] 請求の範囲 9に記載の記録媒体において、
[数 13]
Pd > QM · ' ·(4) が成立することを特徴とする記録媒体。
[12] 請求の範囲 11に記載の記録媒体にぉレ、て、 [数 14]
Pd > Al ' - '(5) が成立することを特徴とする記録媒体。
[13] 請求の範囲 12に記載の記録媒体において、前記位相ピットの光学深さは 0. 225 λ以上に設定されることを特徴とする記録媒体。
[14] 請求の範囲 13に記載の記録媒体において、変調度は 60%以上に設定されること を特徴とする。
[15] 請求の範囲 9に記載の記録媒体において、前記基板は樹脂材料から構成されるこ とを特徴とする記録媒体。
[16] 請求の範囲 15に記載の記録媒体において、前記基板はアモルファスポリオレフィ ン系材料力 構成されることを特徴とする記録媒体。
[17] 請求の範囲 9に記載の記録媒体において、隣接する前記位相ピット列同士の間隔 は 1 · Ο μ ΐη— 1. 2 μ ΐηの範囲で設定され、前記位相ピットの最短ピット長は 0· 55 μ m— 0. 65 /i mの範囲で設定されることを特徴とする記録媒体。
[18] 請求の範囲 9に記載の記録媒体において、前記位相ピット列および記録マークに 鏡面を向き合わせる反射膜をさらに備え、前記位相ピット外で鏡面から反射する光の 反射率が 14% 24%の範囲で設定されることを特徴とする記録媒体。
[19] 請求の範囲 9に記載の記録媒体において、前記位相ピット列に基づき少なくとも音 声情報および画像情報のいずれか一方が記録され、前記記録マークに基づき音声 情報が記録されることを特徴とする記録媒体。
[20] 所定間隔のクロックタイミングで、記録媒体上の位相ピット列に基づき生成される信 号を処理する第 1信号処理回路と、所定間隔の整数倍のクロックタイミングで、位相ピ ット列上の磁性膜に基づき生成される信号を処理する第 2信号処理回路とを備えるこ とを特徴とする記録媒体駆動装置向け信号処理装置。
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