WO2005116771A2 - Wellenlängenselektor für den weichen röntgen- und den extremen ultraviolettbereich - Google Patents

Wellenlängenselektor für den weichen röntgen- und den extremen ultraviolettbereich Download PDF

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WO2005116771A2
WO2005116771A2 PCT/DE2005/000973 DE2005000973W WO2005116771A2 WO 2005116771 A2 WO2005116771 A2 WO 2005116771A2 DE 2005000973 W DE2005000973 W DE 2005000973W WO 2005116771 A2 WO2005116771 A2 WO 2005116771A2
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reflectors
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reflector
wavelength selector
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Siegfried Schwarzl
Stefan Wurm
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Infineon Technologies AG
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength

Definitions

  • the invention relates to a wavelength selector for the soft X-ray range and the extreme ultraviolet range according to the preamble of claim 1.
  • EUVL Extreme ultraviolet lithography
  • Inexpensive and tunable soft X-ray light sources are also important outside EUV ithography.
  • the solutions previously used in laboratory operation are static solutions in which the wavelength range cannot be continuously tuned, but only different filters or gratings can be exchanged.
  • the object of the present invention is therefore a
  • Wavelength selector for the soft X-ray range (0.12 nm to 5 nm; 250 eV to 10 keV) or extreme UV range (5 nm up to 41 nm; 30 eV and 250 eV), which enables the provision of tunable radiation simply and inexpensively.
  • At least two reflectors are provided, which are optically connected in series in such a way that an incident beam incident on the first reflector runs in a substantially fixed angular relationship to the beam reflected by the last reflector.
  • at least one of the reflectors has a wavelength-selective region that is dependent on the angle of incidence, and the angle of incidence of at least two of the reflectors can be changed for wavelength selection.
  • the wavelength-selective regions of the at least one reflector make it possible to tune soft X-ray radiation impinging on this reflector within a specific wavelength range. Because the angle of incidence of at least two of the reflectors for wavelength selection can be changed and, at the same time, the incidence beam and the beam reflected by the last reflector are in a fixed angular relationship to one another, it is possible to insert the wavelength selector according to the invention into an existing laboratory setup. Incident beam and the beam reflected by the last reflector do not change during the tuning of the wavelength selector, so that the invention
  • Wavelength selector can easily be inserted into an existing beam path.
  • the wavelength-selective region advantageously has multi-beam interference.
  • a wavelength-selective region can be designed, for example, as a multilayer mirror, as a reflection grating or as a Bragg reflector.
  • Such a wavelength-selective region having such multi-beam interference reflects different wavelengths depending on the respective angle of incidence, the other beam components being destructively superimposed on other wavelengths.
  • Such a wavelength-selective region having such multi-beam interference therefore serves as a wavelength selector.
  • the wavelength-selective ranges are advantageously optimized for the wavelength range of 10-15 nm.
  • angles of incidence of all reflectors can advantageously be changed, so that, on the one hand, it is ensured that the incident beam and the beam reflected by the last reflector always have the same angular relationship to one another and, on the other hand, tuning can be achieved over a large wavelength range, for example 10 nm , It makes sense to change the angles of incidence of the reflectors simultaneously by the same angle.
  • the angles of incidence of the reflectors can be changed such that the incident beam onto the first reflector is always collinear or parallel to the reflected beam of the last reflector. This makes it possible to arrange the wavelength selector at any point in the beam path of the laboratory application, since in the case of a collinear arrangement the entry beam and the reflected beam lie on the same optical axis.
  • the angle of incidence of the reflectors is advantageously adjusted via at least one adjusting means, in particular an adjusting motor, the adjusting means being able to be coordinated with one another via a central control unit, in particular a computer.
  • a central control unit in particular a computer.
  • the reflectors can be arranged such that they form a beam displacement element per se.
  • two optically connected beam offset elements can be formed, which are arranged so that the beam offset cancel each other out. This ensures that the entry beam and that reflected by the last reflector
  • Beam on a common optical axis i.e. collinear.
  • At least two reflectors each having a wavelength-selective region are used, which are optimized for different wavelengths.
  • This deliberate “detuning” of the two wavelength-selective regions from one another results in a reduction in the line width.
  • This loss of intensity can, however, be tolerated within a specific wavelength range, since it can be neglected here.
  • This detuning of the wavelength-selective regions relative to one another can be formed in that at least two multilayer mirrors are provided and at least two of the multilayer mirrors differ from one another Have layer thicknesses.
  • the respective reflected wavelengths of the two different multilayer mirrors for a given angle therefore differ slightly, as a result of which the detuning is achieved.
  • the detuning of the at least two different wavelength-selective regions can also be achieved by at least two different Bragg reflectors or
  • Reflection gratings are achieved, in which case at least two Bragg reflectors or two reflection gratings have different grating constants.
  • Areas are provided which are arranged such that they have different angles of incidence. This also results in a slight detuning of the two reflectors from one another, which results in a reduction in the line width of the beam reflected by the last reflector.
  • two essentially identical wavelength-selective reflectors can also be used, which then only have to have angles of incidence that differ from one another.
  • the angles of incidence advantageously differ by a maximum of three degrees. On the one hand, this results in a sufficient reduction in the line width and, on the other hand, the loss of intensity " due to such a slight detuning is not too great.
  • the reflectors can advantageously be exchanged with the wavelength-selective ranges.
  • Different sets of wavelength-selective reflectors can be used to tune and select different areas of X-rays in the soft X-ray area can .
  • Figure 1 shows a wavelength selector with four reflectors
  • FIG. 2 shows a diagram of the reflectivity of a wavelength-selective reflector when the angle of incidence is varied
  • FIG. 3 shows a diagram of the reflectivity of a wavelength selector with a reflector which has the properties shown in FIG. 2 and a structure according to FIG. 1;
  • FIG. 4 shows a diagram of the reflectivity of a wavelength selector according to FIG. 1, in which the reflector is designed as a multilayer mirror and the individual reflectors are mutually detuned by changing the layer thickness;
  • FIG. 5 shows a diagram of the variation of the line width when the reflectors M2 and M3 shown in FIG. 1 are detuned by an angle + ⁇ and - ⁇ ;
  • FIG. 6 shows a wavelength selector according to FIG. 1, in which the reflectors M2 and M3 are detuned from one another by an angle ⁇ .
  • FIG. 1 shows a wavelength selector with four reflectors M1 to M4, two pairs of wavelength selectors M1 and M2, and M3 and M4 each one Form the beam offset element SV1 or SV2.
  • the two beam displacement elements SV1 and SV2 are optically connected in series and arranged in such a way that the incident beam 1 incident on the first reflector M1 and the beam 2 reflected by the last mirror M4 are on a common optical axis 100.
  • the incident beam 1 and the beam 2 reflected by the last mirror M4 thus have a fixed angular relationship to one another, namely they are collinear.
  • the reflectors Ml to M4 optically arranged in series in the wavelength selector of FIG. 1 are each designed as wavelength-selective mirrors. These are multilayer mirrors for the extreme ultraviolet range.
  • this wavelength selectivity is achieved by multi-beam interference.
  • a Bragg reflector or a instead of a multilayer mirror
  • the reflectors used are optimized for the relevant wavelength range between 10-15 nm.
  • all reflectors M 1 to M 4 each having wavelength-selective regions are arranged so that they can pivot, so that the respective angle of incidence ⁇ is one each reflector Ml to M4 can be changed.
  • adjustment means Ml .1, M2.1, M3.1 and M4.1 are provided for this purpose, each of which is operatively connected to the reflectors Ml to M4. This adjustment Ml .1, M2.1, M3.1 and M4.1 can be coordinated via a common control unit.
  • a first beam path in a first alignment of the reflectors Ml to M4 is shown as a solid line 10.
  • the respective normals on the reflectors M1 to M4 are also shown as solid lines for this beam path.
  • a second beam path 10 ' is shown in dashed lines.
  • An input beam 1 strikes the first reflector M1 at an angle of incidence ⁇ and is correspondingly reflected at the same angle of reflection to the reflector M2, the reflector M3 and then to the reflector M4, from where it leaves the wavelength selector as the beam 2 reflected by the last reflector M4.
  • input beam 1 and beam 2 reflected by the last reflector M4 lie on a common optical axis 100. Since the reflectors M1 and M2 as well as M3 and M4 are each aligned parallel to one another and the reflectors M2 and M3 form an angle of 90 ° include the angle of incidence and angle of incidence of all reflectors Ml to M4 in the size of.
  • the second dashed line optical path 10 ⁇ ⁇ is achieved by pivoting of the reflectors Ml to M4 by an angle.
  • the change in the angle of incidence by the angle ⁇ is carried out simultaneously or simultaneously by all reflectors M1 to M4.
  • the beam reflected by the reflector M2 also strikes the reflector M3 at an angle of incidence ⁇ + ⁇ .
  • the beam path then runs to the reflector M4, where it then runs back into the original beam 2 reflected by the last reflector M4 due to the pivoting of the reflector M4 by the angle ⁇ .
  • the arrangement here is in principle axisymmetric to an axis that is parallel to that through the pivot axes of the
  • FIG. 2 shows the reflectivity of a multilayer mirror, which here is designed, for example, as a Mo / Si multilayer stack with 40 double layers and an optimization for an angle of incidence of 45 ° with a double layer thickness of approximately 9.8 nm. It can be seen that the reflectivity in the respective maxima of the individual reflectivity curves, which were varied here in steps of 1 ° for angles of incidence from 40 ° to 55 °, only in a wavelength range from approximately 12.5 nm to 15.5 nm varies slightly. Within this range of approx. 3 nm, the respective wavelength can therefore be set with the corresponding multilayer mirror without disproportionately large losses in intensity occurring here.
  • FIG. 2 shows the reflection for a mirror at different angles of incidence. If another wavelength range is of interest, a corresponding multilayer mirror can be generated either by changing the double layer thickness or by choosing a different material combination, for example Mo / Be.
  • FIG. 3 again shows the reflectivity over the wavelength, an arrangement according to FIG. 1 with four wavelength-selective reflectors being shown here, each of the reflectors having the properties of the multilayer mirror shown in FIG. 2.
  • a wavelength selection is shown by varying the respective angle of incidence in the range from 40 ° to 55 °.
  • the arrangement shown in FIG. 1 thus allows the wavelength to be tuned in a wavelength range from approximately 12.5 nm to 15.5 nm, that is to say over a range of 3 nm, each with a line width of approximately 1 nm.
  • the mirror can be detuned in a targeted manner, that is, by a specific optimization the mirror for different wavelength ranges, a reduction in line ranges can be achieved.
  • the reflectors M2 and M3 are designed as double-layer mirrors with a double-layer thickness of a slightly different value.
  • the reflectivity of a corresponding arrangement is shown in FIG. Two of the four mirrors are designed with a double layer thickness of 9.8 nm and two of the mirrors with a double layer thickness of 9.4 nm.
  • the resulting line widths in this arrangement are significantly smaller than those shown in FIG. 3.
  • reflectors can also be achieved by changing the grating constants of two of the four reflectors.
  • FIG. 6 A second possibility for reducing the line width is shown in FIG. 6.
  • the arrangement of FIG. 1 is again shown.
  • the reflectors M2 and M3 are detuned from each other by an angle ⁇ . When pivoting the reflectors is therefore one
  • Pivoting of the reflectors Ml and M4 by an angle ⁇ the pivoting of the reflectors M2 and M3 are each provided by an angle ⁇ - ⁇ and ⁇ + ⁇ .
  • a detuning of the reflectors M2 and M3 by + ⁇ and - ⁇ is shown.
  • the reflectors Ml to M4 can be replaced by another set, that for each other
  • Wavelength ranges is optimized. The cost of multiple sets of reflectors to cover a wider range of wavelengths is still low compared to synchrotron beam time costs.
  • the wavelength selectors of the proposed type are suitable for in-situ metrology for EUV lithography, in particular in-situ analysis of the wavelength spectrum of EUV lithography sources in the soft X-ray range.
  • the wavelength selector according to the invention is not limited to use in the wavelength range between 10 nm and 15 nm. By selecting the materials for the multilayer mirrors, all wavelength ranges are soft
  • X-ray range and the extreme ultraviolet range for a wavelength selection accessible by a wavelength selector according to the invention This could e.g. tunable light sources for biological applications in the soft X-ray area can be realized.

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Wellenlängenselektor für den weichen Röntgen und/oder extremen Ultraviolettbereich, wobei der Wellenlängenselektor mindestens zwei Reflektoren aufweist die derart optisch in Reihe geschaltet sind, dass ein auf den ersten Reflektor eintreffender Einfallsstrahl in einer im Wesentlichen festen Winkelbeziehung zu dem vom letzten Reflektor reflektierten Strahl verläuft, wobei mindestens einer der Reflektoren (M1, M2, M3, M4) einen wellenlängenselektiven Bereich aufweist und der Einfallswinkel (α, α+ϕ) von mindestens zwei der Reflektoren (M1, M2, M3, M4) zur Wellenlängenselektion veränderbar ist. Die Erfindung löst das Problem, einen im Laborbetrieb anwendbaren Wellenlängenselektor für den weichen Röntgenbereich anzugeben, der die Bereitstellung von durchstimmbarer weicher Röntgenstrahlung bzw. extremer UV Strahlung, insbesondere im Wellenlängenbereich von 10-15nm, preiswert ermöglicht und der sich in bestehenden Laboranlagen einfach einfügen lässt.

Description

Wellenlangenselektor für den weichen Röntgen- und den extremen Ultraviolettbereich
Beschreibung
Die Erfindung betrifft einen Wellenlangenselektor für den weichen Rontgenbereich und dem extremen Ultraviolettbereich gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Für die lithographische Strukturierung von Dimensionen unterhalb von 50 nm wird die extreme Ultraviolett- Lithographie (EUVL) Technologie mit Wellenlängen von 10 nm - 15 nm entwickelt . Für die Verwendung in Metrologiegeräten für die EUV-Lithographie, die beispielsweise der Überprüfung von EUV-Masken dienen, ist es vorteilhaft, die Wellenlänge der EUV-Strahlung über einen Bereich von einigen nm ändern zu können. Auch außerhalb der EUV- ithographie sind preiswerte und durchstimmbare weiche Röntgenlichtquellen von Bedeutung.
Bislang stehen solche in einem weiteren Bereich durchstimmbaren Röntgenlichtquellen nur im Bereich von hochauflösenden Monochromatoren an Synchrotron- Strahlungsquellen zur Verfügung. Die Strahlzeiten von Synchrotron-Strahlenquellen ist jedoch sehr teuer. Für viele Anwendungen wird außerdem die erreichbare hohe Auflösung nicht benötigt .
Die bislang im Laborbetrieb verwendeten Lösungen sind statische Lösungen, bei denen der Wellenl ngenbereich nicht kontinuierlich durchgestimmt werden kann, sondern lediglich unterschiedliche Filter bzw. Gitter ausgetauscht werden können .
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher, einen
Wellenlangenselektor für den weichen Rontgenbereich (0,12 nm bis 5 nm; 250 eV bis 10 keV) oder extremen UV-Bereich (5 nm bis 41 nm; 30 eV und 250 eV) anzugeben, der die Bereitstellung von durchstimmbarer Strahlung einfach und kostengünstig ermöglicht.
Die Aufgabe wird durch einen Wellenlangenselektor mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Hierbei sind mindestens zwei Reflektoren vorgesehen, die derart optisch in Reihe geschaltet sind, dass ein auf den ersten Reflektor eintreffender Einfallsstrahl in einer im Wesentlichen festen Winkelbeziehung zu dem vom letzten Reflektor reflektierten Strahl verläuft. Erfindungsgemäß weist mindestens einer der Reflektoren einen vom Einfallswinkel abhängigen, wellenlängenselektiven Bereich auf und der Einfallswinkel von mindestens zwei der Reflektoren ist zur Wellenl ngenselektion veränderbar.
Durch die wellenlängenselektiven Bereiche des mindestens einen Reflektors ist das Durchstimmen von auf diesen Reflektor auftreffender weicher Röntgenstrahlung innerhalb eines bestimmten Wellenlängenbereiches möglich. Dadurch, dass der Einfallswinkel von mindestens zwei der Reflektoren zur Wellenlängenselektion veränderbar ist und gleichzeitig erreicht wird, dass der Einfallsstrahl und der vom letzten Reflektor reflektierte Strahl in einer festen Winkelbeziehung zueinander stehen, ist es möglich, den erfindungsgemäßen Wellenlangenselektor in einen bereits vorhandenen Laboraufbau einzufügen. Einfallsstrahl und der vom letzten Reflektor reflektierte Strahl verändern sich während des Durchstimmens des Wellenlängenselektors nicht, so dass der erfindungsgemäße
Wellenl ngenselektor einfach in einen bestehenden Strahlengang eingesetzt werden kann.
Der wellenlängenselektive Bereich weist mit Vorteil Vielstrahlinterferenz auf. Ein. solcher wellenlängenselektiver Bereich kann dabei beispielsweise als Multilagenspiegel, als Reflektionsgitter oder als Bragg-Reflektor ausgebildet sein. Ein solcher Vielstrahlinterferenz aufweisender wellenlängenselektiver Bereich reflektiert abhängig vom jeweiligen Einfallswinkel unterschiedliche Wellenlängen, wobei sich die übrigen Strahlanteile mit anderen Wellenlängen destruktiv überlagern. Ein solcher Vielstrahlinterferenz aufweisender wellenlängenselektiver Bereich dient daher als Wellenlangenselektor.
Die wellenlängenselektiven Bereiche sind hierbei vorteilhaft für den Wellenlängenbereich von 10-15 nm optimiert.
Mit Vorteil lassen sich die Einfallswinkel sämtlicher Reflektoren verändern, so dass zum einen gewährleistet wird, dass der Einfallsstrahl und der vom letzten Reflektor reflektierte Strahl stets die gleiche Winkelbeziehung zueinander aufweisen und zum anderen eine Durchstimmung über einen großen Wellenlängenbereich, beispielsweise 10 nm, erreicht werden kann. Dabei bietet es sich an, die Einfallswinkel der Reflektoren simultan um den gleichen Winkel zu verändern.
In einer besonders vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind die Einfallswinkel der Reflektoren derart veränderbar, dass der Einfallsstrahl auf den ersten Reflektor stets kollinear oder parallel zum reflektierten Strahl des letzten Reflektors verläuft. Hierdurch ist die Anordnung des Wellenlängenselektors an einer beliebigen Stelle des Strahlengangs der Laborapplikation möglich, da bei einer kollinearen Anordnung Eintrittsstrahl und reflektierter Strahl auf der gleichen optischen Achse liegen.
Die Verstellung des Einfallswinkel der Reflektoren wird vorteilhaft über mindestens ein Verstellmittel, insbesondere einen Versteilmotor, vorgenommen, wobei die Verstellmittel über eine zentrale Steuereinheit, insbesondere einen Computer, miteinander koordiniert werden können. Um eine einfache Einbindung des Wellenlängenselektors in einen Strahlengang einer bereits bestehenden Laborapplikation zu ermöglichen, bietet es sich an, die Reflektoren derart anzuordnen, dass die durch die Veränderung des Einfallswinkels eines ersten Reflektors bewirkte Ablenkung des Strahlenganges durch Veränderung des Einfallswinkels mindestens eines zweiten Reflektors aufgehoben wird. Die Reflektoren können dabei so angeordnet sein, dass sie an sich ein Strahlversatzelement ausbilden.
Bei Verwendung von vier Reflektoren können so zwei optisch in Reihe geschaltete Strahlversatzelemente ausgebildet werden, die so angeordnet sind, dass sich der Strahlversatz gegenseitig aufhebt. Hierdurch wird erreicht, dass der Eintrittsstrahl und der vom letzten Reflektor reflektierte
Strahl auf einer gemeinsamen optischen Achse, also kollinear verlaufen.
Um die Linienbreite der Wellenlängenverteilung des selektierten Strahls verändern und insbesondere verringern zu können, werden in einer Weiterbildung der Erfindung mindestens zwei jeweils einen wellenlängenselektiven Bereich aufweisende Reflektoren verwendet, die für unterschiedliche Wellenlängen optimiert sind. Durch diese gezielte „Verstimmung" der beiden wellenlängenselektiven Bereiche gegeneinander wird eine Verringerung der Linienbreite erreicht. Dies geht zwangsläufig zu Lasten der Intensität, da die entsprechenden Außenbereiche des jeweiligen Wellenlängenspektrums destruktiv miteinander interferieren. Dieser Intensitätsverlust kann aber innerhalb eines bestimmten Wellenlängenbereiches toleriert werden, da er hier quasi zu vernachlässigen ist.
Diese Verstimmung der wellenlängenselektiven Bereiche gegeneinander kann dadurch ausgebildet sein, dass mindestens zwei Multilagenspiegel vorgesehen sind, und mindestens zwei der Multilagenspiegel sich voneinander unterscheidende Schichtdicken aufweisen. Die jeweiligen reflektierten Wellenlängen der beiden unterschiedlichen Multilagenspiegel für einen gegebenen Winkel unterscheiden sich daher geringfügig, wodurch die Verstimmung erreicht wird.
Die Verstimmung der mindestens zwei unterschiedlichen wellenlängenselektiven Bereiche kann auch durch mindestens zwei unterschiedliche Bragg-Reflektoren oder
Reflektionsgitter erreicht werden, wobei dann mindestens zwei Bragg-Reflektoren bzw. zwei Reflektionsgitter unterschiedliche Gitterkonstanten aufweisen.
In einer Weiterbildung der Erfindung ist zur Veränderung und insbesondere Verringerung der Linienbreite vorgesehen, dass mindestens zwei Reflektoren mit wellenlängenselektiven
Bereichen vorgesehen sind, die derart angeordnet sind, dass sie sich voneinander unterscheidende Einfallswinkel aufweisen. Auch hierdurch wird eine geringfügige Verstimmung der beiden Reflektoren gegeneinander erreicht, die einer Verringerung der Linienbreite des vom letzten Reflektor reflektierten Strahles resultiert. In dieser Weiterbildung können auch zwei im Wesentlichen identische wellenlängenselektive Reflektoren verwendet werden, die dann jeweils nur sich voneinander unterscheidende Einfallswinkel aufweisen müssen. Die Einfallswinkel unterscheiden sich dabei vorteilhaft maximal um drei Grad. Hierdurch wird zum einen eine hinreichende Verringerung der Linienbreite erreicht und zum anderen ist der Intensitätsverlust " durch eine derartige geringfügige Verstimmung nicht zu groß.
Um eine Wellenlängenselektion für weit auseinander liegende, unterschiedliche Wellenlängenbereiche zu erreichen, sind die Reflektoren mit den wellenlängenselektiven Bereichen vorteilhaft austauschbar. Durch unterschiedliche Sätze von wellenlängenselektiven Reflektoren kann so erreicht werden, dass auch unterschiedliche Bereiche von Röntgenstrahlung im weichen Rontgenbereich durchgestimmt und selektiert werden können .
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnungen der Figuren näher beschrieben. Es zeigen:
Figur 1 einen Wellenlangenselektor mit vier Reflektoren;
Figur 2 ein Diagramm der Reflektivität eines wellenlängenselektiven Reflektors bei Variation des Einfallswinkelns ;
Figur 3 ein Diagramm der Reflektivität eines Wellenlängenselektors mit einem Reflektor, der die in Figur 2 gezeigten Eigenschaften aufweist, sowie einem Aufbau gemäß der Figur 1;
Figur 4 ein Diagramm der Reflektivität eines Wellenlängenselektors gemäß Figur 1, bei dem der Reflektor als Multilagenspiegel ausgebildet ist und die einzelnen Reflektoren durch Veränderung der Schichtdicke gegeneinander verstimmt sind;
Figur 5 ein Diagramm der Variation der Linienbreite bei Verstimmung der in Figur 1 gezeigten Reflektoren M2 und M3 um jeweils einen Winkel +ε und -ε ; und
Figur 6 ein Wellenlangenselektor gemäß der Figur 1, bei dem die Reflektoren M2 und M3 jeweils um einen Winkel ε gegeneinander verstimmt sind.
In Figur 1 ist ein Wellenlangenselektor mit vier Reflektoren Ml bis M4 gezeigt, wobei jeweils zwei Paare von Wellenlängenselektoren Ml und M2 , sowie M3 und M4 jeweils ein Strahlversatzelement SV1 bzw. SV2 ausbilden. Die beiden Strahlversatzelemente SV1 und SV2 sind optisch in Reihe geschaltet und so angeordnet, dass sich der auf den ersten Reflektor Ml einfallender Einfallsstrahl 1 und der vom letzten Spiegel M4 reflektierte Strahl 2 auf einer gemeinsamen optischen Achse 100 befinden. Der Einfallsstrahl 1 und der vom letzten Spiegel M4 reflektierte Strahl 2 weisen damit eine feste Winkelbeziehung zueinander auf, sie sind nämlich kollinear.
Die in dem Wellenlangenselektor der Figur 1 optisch in Reihe angeordneten Reflektoren Ml bis M4 sind jeweils als wellenlängenselektive Spiegel ausgebildet. Es handelt sich hierbei um Multilagenspiegel für den extremen Ultraviolettbereich.
Bei einem Multilagenspiegel wird diese Wellenlängenselektivität durch Vielstrahlinterferenz erreicht. Selbstverständlich ist es auch möglich, anstelle eines Multilagenspiegels einen Bragg-Reflektor oder ein
Reflektionsgitter zu verwenden oder eine andere reflektierende, Vielstrahlinterferenz aufweisende Reflektionsanordnung zu verwenden. Die verwendeten Reflektoren sind dabei für den jeweils interessierenden Wellenlängebereich zwischen 10-15 nm optimiert.
Durch Veränderung des Einfallswinkels α auf einen solchen wellenlängenselektiven Reflektor wird erreicht, dass sich das Intensitätsmaximum des jeweils reflektierten Strahles entlang des Wellenlängenbereiches verschiebt. Mit anderen Worten wird bei Veränderung des Einfallswinkels, also durch Verschwenkung des wellenlängenselektiven Reflektors, eine Auswahl eines bestimmten Wellenlängenbereiches ermöglicht.
In Figur 1 sind sämtliche, jeweils wellenlängenselektive Bereiche aufweisende Reflektoren Ml bis M4 verschwenkbar angeordnet, so dass der jeweilige Einfallswinkel α eines jeden Reflektors Ml bis M4 verändert werden kann. Zur Verschwenkung der Reflektoren Ml bis M4 sind hierfür Verstellmittel Ml .1 , M2.1, M3.1 und M4.1 vorgesehen, die jeweils in Wirkverbindung mit den Reflektoren Ml bis M4 stehen. Diese Verstellmittel Ml .1 , M2.1 , M3.1 und M4.1 können über eine gemeinsame Steuereinheit koordiniert werden.
In Figur 1 sind zwei unterschiedliche Strahlengänge gezeigt. Ein erster Strahlengang in einer ersten Ausrichtung der Reflektoren Ml bis M4 ist als durchgezogene Linie 10 dargestellt. Auch die jeweiligen Normalen auf den Reflektoren Ml bis M4 sind für diesen Strahlengang durchgezogen dargestellt. Ein zweiter Strahlengang 10' ist gestrichelt dargestellt .
Zunächst wird nun der durchgezogene Strahlengang beschrieben. Ein Eingangsstrahl 1 trifft auf den ersten Reflektor Ml unter einem Einfallswinkel α und wird entsprechend unter dem gleichen Ausfallswinkel zum Reflektor M2 , zum Reflektor M3 und dann zum Reflektor M4 reflektiert, von wo er als vom letzten Reflektor M4 reflektierter Strahl 2 den Wellenlangenselektor verlässt . Eingangsstrahl 1 und vom letzten Reflektor M4 reflektierter Strahl 2 liegt, wie oben bereits beschrieben, auf einer gemeinsamen optischen Achse 100. Da die Reflektoren Ml und M2 sowie M3 und M4 jeweils parallel zueinander ausgerichtet sind und die Reflektoren M2 und M3 einen Winkel von 90° einschließen, sind jeweils die Einfalls- und Ausfallswinkel aller Reflektoren Ml bis M4 in der Größe von .
Der zweite gestrichelt eingezeichnete Strahlengang 10 ■ wird durch Verschwenken der Reflektoren Ml bis M4 um einen Winkel θ erreicht . Die Veränderung des Einfallswinkel um den Winkel θ wird dabei von allen Reflektoren Ml bis M4 simultan bzw. gleichzeitig vorgenommen. Die Verschwenkung der Reflektoren
Ml und M2 erfolgt dabei in der gleichen Richtung, genauso wie die Verschwenkung der Reflektoren M3 und M4 , wobei die Reflektoren Ml und M2 und die Reflektoren M3 und M4 jeweils entgegengesetzt verschwenkt werden. Die Situation der verschwenkten Reflektoren ist in der Figur 1 gestrichelt eingezeichnet. Als Strahlengang ergibt sich dann, dass der Einfallsstrahl 1 nun unter einem Winkel α + θ auf den ersten Reflektor Ml auftrifft, dementsprechend um einen um 2Θ veränderten Winkel gegenüber dem ursprünglichen Strahl 10 zum zweiten Reflektor M2 reflektiert wird, auch bei diesem unter einem Einfallswinkel von α + θ auftrifft, da ja auch der Reflektor M2 um einen Winkel θ verschwenkt wurde. Aufgrund der Verschwenkung des Reflektors M3 ebenfalls um einen Winkel θ trifft auch der vom Reflektor M2 reflektierte Strahl unter einem Einfallswinkel α + θ beim Reflektor M3 auf. Entsprechend läuft der Strahlengang dann zum Reflektor M4 , wo er aufgrund der Verschwenkung des Reflektors M4 um den Winkel θ dann wieder in den ursprünglichen vom letzten Reflektor M4 reflektierten Strahl 2 zurückläuft.
Die Anordnung ist hier im Prinzip achsensymmetrisch zu einer Achse, die parallel zu der durch die Schwenkachsen der
Reflektoren Ml und M2 bzw. M3 und M4 liegenden Achse liegt.
Durch die Anordnung der Reflektoren als zwei
Strahlversatzelemente SV1 , SV2 , bei denen der durch das erste Strahlversatzelement SV1 erreichte Strahlversatz durch das zweite Strahlversatzelement SV2 wieder rückgängig gemacht wird, kann dieser Wellenlangenselektor einfach in einen bereits bestehenden Strahlengang, beispielsweise eines Laborgeräts, eingefügt werden.
Durch die Verschwenkung der Reflektoren Ml bis M4 wird dann erreicht, dass sich der Einfallswinkel der Strahlen auf dem jeweiligen Reflektor Ml bis M4 ändert und dementsprechend eine andere Wellenlänge selektiert wird, die dann von dem letzten Reflektor M4 wieder in den bestehenden Strahlengang eingespeist wird. In Figur 2 ist die Reflektivität eines Multilagenspiegels , der hier beispielsweise als Mo/Si-Multilagenstapel mit 40 Doppellagen und einer Optimierung für 45 ° Einfallswinkel bei einer Doppellagendicke von ca. 9.8 nm ausgebildet ist, gezeigt. Es ist zu sehen, dass die Reflektivität in den jeweiligen Maxima der einzelnen Reflektivitätskurven, die hier für Einfallswinkel von 40° bis 55° in Schritten von 1° variiert wurden, in einem Wellenlängenbereich von ca. 12,5 nm bis 15,5 nm nur geringfügig variiert. Innerhalb dieses Bereiches von ca. 3 nm kann daher mit dem entsprechenden Multilagenspiegel die jeweilige Wellenlänge eingestellt werden, ohne dass hier unverhältnismäßig große Intensitätsverluste auftreten.
In der Figur 2 wird dabei die Reflektion für einen Spiegel unter unterschiedlichen Einfallswinkeln gezeigt. Ist ein anderer Wellenlängenbereich von Interesse, so kann ein entsprechender Multilagenspiegel entweder durch Änderung der Doppellagendicke oder durch Wahl einer anderen Materialkombination, beispielsweise Mo/Be, erzeugt werden.
In Figur 3 ist wiederum die Reflektivität über die Wellenlänge aufgetragen, wobei hier eine Anordnung gemäß der Figur 1 mit vier wellenlängenselektiven Reflektoren gezeigt ist, wobei jeder einzelne der Reflektoren die Eigenschaften des in Figur 2 gezeigten Multilagenspiegels aufweist. Hier ist wiederum eine Wellenl ngenselektion durch Variation des jeweiligen Einfallswinkels im Bereich von 40° bis 55° gezeigt .
Die in der Figur 1 gezeigte Anordnung gestattet also die Durchstimmung der Wellenlänge in einem Wellenlängenbereich von ca. 12,5 nm bis 15,5 nm, also über einen Bereich von 3 nm mit jeweils einer Linienbreite von ca. 1 nm.
Zur Verringerung der Linienbreite kann durch gezielte Verstimmung der Spiegel, also durch eine gezielte Optimierung der Spiegel für unterschiedliche Wellenlängenbereiche, eine Verringerung der Linienbereiche erreicht werden. In der Anordnung der Figur 1 werden dabei beispielsweise die Reflektoren M2 und M3 als Doppellagenspiegel mit einer Doppellagendicke eines geringfügig anderen Wertes ausgebildet .
In Figur 4 ist die Reflektivität einer entsprechenden Anordnung gezeigt . Hierbei sind zwei der vier Spiegel mit einer Doppelschichtdicke von 9 , 8 nm und zwei der Spiegel mit einer Doppelschichtdicke von 9,4 nm ausgebildet. Die resultierenden Linienbreiten sind bei dieser Anordnung deutlich geringer, als die in der Figur 3 gezeigten.
Die in der Figur 4 genannte Verstimmung von zwei der vier
Reflektoren kann bei Verwendung eines Bragg-Gitters oder bei Verwendung eines Reflektionsgitters auch durch die Veränderung der Gitterkonstanten von jeweils zwei der vier Reflektoren erreicht werden.
Eine zweite Möglichkeit zur Reduktion der Linienbreite ist in Figur 6 gezeigt. Hier ist zunächst wiederum die Anordnung der Figur 1 gezeigt. Allerdings sind die Reflektoren M2 und M3 jeweils um einen Winkel ε gegeneinander verstimmt. Bei der Verschwenkung der Reflektoren ist daher bei einer
Verschwenkung des Reflektors Ml und M4 um einen Winkel θ die Verschwenkung der Reflektoren M2 und M3 jeweils um einen Winkel θ - ε bzw. θ + ε vorgesehen.
Durch diese Maßnahme wird eine Verstimmung der Reflektoren M2 und M3 gegenüber den Reflektoren Ml und M4 erreicht, auch hier selektieren die Reflektoren Ml und M4 dann einen geringfügig anderen Wellenlängenbereich, als die Reflektoren M2 und M3. Hierdurch wird wiederum eine Reduktion der Linienbreite erreicht. In Figur 5 ist die entsprechende Reduktion der Linienbreiten gezeigt. Der Winkel α ist dabei fest bei 45° gehalten.
Gezeigt wird eine Verstimmung der Reflektoren M2 und M3 um +ε und -ε. Die Intensitäten der einzelnen Kurven sind dabei auf das jeweilige Maximum normiert. Deutlich zu erkennen ist, dass bei einer Verstimmung der Reflektoren M2 und M3 um einen Winkel von ε = 2° bzw. ε = 3° eine wesentlich geringere Linienbreite resultiert. Allerdings nimmt die Intensität bei dieser Verstimmung ab und liegt im gezeigten Beispiel für ε = 3° bei ca. 70 % des Wertes von ε = 0.
Möchte man einen größeren Wellenlängenbereich selektieren bzw. einen anderen Wellenlängenbereich auswählen, so können die Reflektoren Ml bis M4 durch einen anderen Satz ausgetauscht werden, der für jeweils andere
Wellenlängenbereiche optimiert ist. Die Kosten für mehrere Reflektorsätze zur Abdeckung einen größeren Wellenlängenbereichs sind immer noch niedrig verglichen mit Synchrotron-Strahlzeitkosten.
Die Wellenlängenselektoren der vorgeschlagenen Art eignen sich zur In-situ Metrologie für EUV-Lithographie, insbesondere In-situ-Analyse des Wellenlängenspektrums von EUV-Lithographiequellen im weichen Rontgenbereich.
Der erfindungsgemäße Wellenlangenselektor ist nicht auf die Anwendung im Wellenlängenbereich zwischen 10 nm bis 15 nm beschränkt . Durch Auswahl der Materialien für die Multilagenspiegel sind alle Wellenlängenbereiche im weichen
Rontgenbereich und dem extremen Ultraviolettbereich für eine Wellenl ngenselektion durch einen erfindungsgemäßen Wellenlangenselektor zugänglich. Damit könnten z.B. durchstimmbare Lichtquellen für biologische Anwendungen im weichen Rontgenbereich realisiert werden.

Claims

Patentansprüche
1. Wellenlangenselektor für den weichen Rontgenbereich und/oder EUV-Bereich, wobei der Wellenlangenselektor mindestens zwei Reflektoren aufweist, die derart optisch in Reihe geschaltet sind, dass ein auf den ersten Reflektor eintreffender Einfallsstrahl in einer im Wesentlichen festen Winkelbeziehung zu dem vom letzten Reflektor reflektierten Strahl verläuft,
dadurch gekennzeichnet ,
dass mindestens einer der Reflektoren (Ml, M2 , M3 , M4) einen von dessen Einfallswinkel ( ) abhängigen, wellenlängenselektiven Bereich aufweist und der
Einfallswinkel (α, α+θ) von mindestens zwei der Reflektoren (Ml, M2, M3, M4) zur Wellenlängenselektion veränderbar ist.
2. Wellenlangenselektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der wellenlängenselektive Bereich als Vielstrahlinterferenz aufweisender Bereich ausgebildet ist .
3. Wellenlangenselektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der wellenlängenselektive Bereich ein Multilagenspiegel, ein Reflexionsgitter und/oder ein Bragg-Reflektor ist.
4. Wellenl ngenselektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der wellenlängenselektive Bereich zur Wellenl ngenselektion in einen Wellenlängenbereich von 10-15 nm dient.
5. Wellenlangenselektor nach einem der vorstehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, dass der Einfallswinkel (α, α+θ) aller Reflektoren (Ml, M2 , M3 , M4) veränderbar ist.
6. Wellenlangenselektor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Einfallswinkel (α, α+θ) der Reflektoren zur Wellenlängenselektion simultan um den gleichen Winkel (θ) veränderbar sind.
7. Wellenlangenselektor nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Einfallswinkel (α, α+θ) der Reflektoren (Ml, M2 , M3 , M4) derart veränderbar sind, dass der Einfallsstrahl (1) auf dem ersten Reflektor (Ml) stets kollinear oder parallel zum reflektierten Strahl (2) des letzten Reflektors (M4) verläuft.
8. Wellenlangenselektor nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet , dass jeder Reflektor (Ml, M2, M3, M4) mit mindestens einem Verstellmittel (Ml.l, M2.1, M3.1, M4.1) zur Verstellung seines Einfallswinkels (α, α+θ) in Wirkverbindung steht.
9. Wellenlangenselektor "nach mindestens einem der vorstehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, dass die durch Veränderung des Einfallswinkels (α, α+θ) mindestens eines ersten Reflektors (Ml, M2) bewirkte Ablenkung des Strahlengangs durch Veränderung des Einfallswinkels (α, α+θ) mindestens eines zweiten Reflektors (M3, M4) aufgehoben ist.
10. Wellenlangenselektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflektoren (Ml, M2 , M3 , M4) derart angeordnet sind, dass sie ein Strahlversatzelement (SVl, SV2) ausbilden.
11. Wellenlangenselektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vier Reflektoren (Ml, M2 , M3 , M4) derart angeordnet sind, dass sie zwei optisch in Reihe geschaltete Strahlversatzelemente (SVl, SV2) ausbilden.
12. Wellenlangenselektor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Strahlversatz der beiden Strahlversatzelemente (SVl, SV2) gegenseitig aufhebt.
13. Wellenl ngenselektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur
Veränderung der Linienbreite des vom letzten Reflektor (M4) reflektierten Strahls (2) mindestens zwei einen wellenlängenselektiven Bereich aufweisende Reflektoren (Ml, M2, M3, M4) vorgesehen sind, die für unterschiedliche Wellenlängen optimiert sind.
14. Wellenlangenselektor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die wellenlängenselektiven Bereiche durch Multilagenspiegel (Ml, M2, M3 , M4) ausgebildet sind und mindestens zwei der Multilagenspiegel sich voneinander unterscheidende Schichtdicken aufweisen.
15. Wellenlangenselektor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die wellenlängenselektiven Bereiche als Bragg-Reflektoren oder Reflexionsgitter ausgebildet sind und mindestens zwei Bragg-Reflektoren oder Reflexionsgitter sich voneinander unterscheidende Gitterkonstanten aufweisen.
16. Wellenlangenselektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Veränderung der Linienbreite des vom letzten Reflektor (M4) reflektierten Strahls (2) mindestens zwei einen wellenlängenselektiven Bereich aufweisende Reflektoren (M2 , M3) vorgesehen sind, die sich voneinander unterscheidende Einfallswinkel (α+θ+ε, α+θ-ε) aufweisen.
17. Wellenlangenselektor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass zwei im Wesentlichen identische wellenlängenselektive Reflektoren (M2 , M3) sich voneinander unterscheidende Einfallswinkel (α+θ+ε, α+θ-ε) aufweisen.
18. Wellenlangenselektor nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet , dass sich die Einfallswinkel um max. 3° unterscheiden.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015140924A1 (ja) * 2014-03-18 2015-09-24 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 多層膜反射鏡、分光装置、および高次高調波の分光方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2688958B2 (ja) * 1988-12-05 1997-12-10 三菱電機株式会社 露光装置およびその露光方法
JPH0320712A (ja) * 1989-04-25 1991-01-29 Matsushita Electric Works Ltd 色彩調整装置
JPH03152426A (ja) * 1989-11-08 1991-06-28 Fujitsu Ltd 分光器
US5173930A (en) * 1991-11-22 1992-12-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration X-ray monochromator
JPH0627298A (ja) * 1992-07-09 1994-02-04 Ricoh Co Ltd 単色同位相ｘ線集光器
JPH06174897A (ja) * 1992-12-10 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層膜ｘ線ミラーおよび多層膜ｘ線光学系
BE1007349A3 (nl) * 1993-07-19 1995-05-23 Philips Electronics Nv Asymmetrische 4-kristalmonochromator.
SK68395A3 (en) * 1995-05-23 1997-05-07 Dusan Korytar Device for x-ray beam-forming
JP2003255089A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Rigaku Industrial Co Ｘ線分光素子およびそれを用いた蛍光ｘ線分析装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015140924A1 (ja) * 2014-03-18 2015-09-24 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 多層膜反射鏡、分光装置、および高次高調波の分光方法
JPWO2015140924A1 (ja) * 2014-03-18 2017-04-06 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 多層膜反射鏡、分光装置、および高次高調波の分光方法

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