WO2005101035A1

WO2005101035A1 - 電子部品の高周波電気特性測定方法および装置、高周波電気特性測定装置の校正方法

Info

Publication number: WO2005101035A1
Application number: PCT/JP2004/019087
Authority: WO
Inventors: Gaku Kamitani
Original assignee: Murata Manufacturing Co.,Ltd.
Priority date: 2004-04-02
Filing date: 2004-12-21
Publication date: 2005-10-27
Also published as: DE112004002808B4; DE112004002805B4; JP3912429B2; JPWO2005101034A1; WO2005101034A1; WO2005101037A1; DE112004002808T5; JPWO2005101035A1; JP3912428B2; DE112004002805T5

Abstract

一端が開放端である信号導体１２ａと接地導体１２ｂとを測定器２０の測定ポートにそれぞれ接続し、信号導体１２ａの長さ方向の少なくとも３箇所において短絡基準１０を信号導体１２ａと接地導体１２ｂとの間に接続して電気特性を測定し、伝送路を含む測定系の誤差要因を計算する。次に、信号導体１２ａと接地導体１２ｂとの間に被測定電子部品１７を接続して電気特性を測定し、被測定電子部品１７の測定値から測定系の誤差要因を除去し、被測定電子部品１７の電気特性の真値を求める。そのため、接続ばらつきの影響を受けない高精度な反射法による高周波電気特性測定方法を実現できる。

Description

電子部品の高周波電気特性測定方法および装置、高周波電気特性測定装置の校正方法

技術分野

[0001] 本発明は、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等の 2端子電子部品、ァンテナなどの高周波電気特性の測定方法、より詳しくは、ネットワークアナライザなどの測定器によって電子部品のインピーダンス値や Q値等を反射法で測定する際の測定誤差の補正方法に関する。

背景技術

[0002] ネットワークアナライザを用いて、表面実装タイプのチップインダクタやチップコンデンサ等のインピーダンス素子の高周波電気特性を測定する場合、これらの電子部品に直接同軸ケーブル等を接続することは不可能であるため、ネットワークアナライザに同軸ケーブルを介して平面伝送路（マイクロストリップラインゃコプレーナウエーブガイドなど)を接続し、この平面伝送路上に電子部品を接触させて測定する方法がある。この場合、被検体であるインピーダンス素子の散乱係数行列の真値を得るためには、測定系の誤差要因を同定して測定結果力も誤差要因の影響を取り除力なければならな!ヽ。これを補正または校正（キャリブレーション） t ヽぅ。

[0003] ネットワークアナライザによる測定において、測定系の誤差を除去する従来技術として、非特許文献 1に示されるように、 TRL(Through- Reflection- Load)補正や SOLT (Short-Open-Load-Through)補正が知られて、る。

[0004] 図 1,図 2に、ネットワークアナライザを用いた測定系と、 SOLUTE, TRL補正で使用される各誤差モデルとを示す。

被検体である電子部品 1は、測定治具 2の上面に形成された伝送路上に接続される。測定治具 2の伝送路の両端は同軸ケーブル 3を介して図示しな、ネットワークアナライザの測定ポートに接続されている。

SOLT補正の誤差モデルにおいて、 S — S は被検体を含む伝送路の散乱係数

11A 22A

、 E E E は一方の測定ポート側の散乱係数、 E E は他方の測定ポート側の散乱係数である。

TRL補正の誤差モデルにおいて、 S

11A— S は被検体の散乱係数、 e — e は一

22 A 00 11 方の測定ポート側の散乱係数、 f

00一 f

11は他方の測定ポート側の散乱係数である。

[0005] 誤差要因を同定するためには、被検体測定面に少なくとも 3種類の散乱係数が既知のデバイス (標準器)を取りつけて測定を行わなければならな、。伝統的に開放（ OPEN)、短絡（SHORT )、終端 (LOAD=50 Q )が使用されることが多ぐ同軸環境であればこのような標準器を実現できるため、この方法は広く使用されており、 SOLT補正と呼ばれる。 SOLT補正では、図 3に示すように、短絡 (0 Ω )と開放（∞Ω )と終端（ 50 Ω )の 3種類のコネクタ 4を使用するとともに、ポート間を直結してスルー（Through ) 状態としている。

[0006] しかし、 SOLT補正の場合、同軸環境以外ではこのような標準器の実現は極めて困難であり、補正に必要な標準器をチップデバイス形状で実現することができない。例えば表面実装部品を測定する際に用いられる平面伝送路は、導波管や同軸伝送路とは異なり、良好な「開放」や「終端」を得ることができず、現実的に SOLT補正を実施することができない。また、一般的に測定によって得られる測定値は、被検体 1そのものではなぐ被検体 1と被検体を接続した測定治具 2とを合成した特性となり、被検体単体の特性を測定することができな、。

[0007] TRL補正とは、実現の難しいデバイス形状の標準器に代えて、図 4に示すように、ポート間直結状態（Through )の伝送路 5a、全反射 (Reflection:通常短絡）の伝送路 5b 、及び長さが異なる数種類の伝送路 (Line ) 5c, 5dを標準器として使用するものである。伝送路 5a— 5dは、比較的散乱係数が既知のものを製作しやすぐまた全反射も短絡であれば、比較的簡単にその特性を予想できることから、伝送路のみで補正を可能としたものである。そのため、原理的には被検体 1単体の特性を測定することができる。

この例では、スルー伝送路 5aはいわゆる Zero-throughである。被検体の測定時には、スルー伝送路 5aより被検体の大きさだけ長さを長くした測定治具 2に被検体をシリーズ接続して測定する。

[0008] ところが、被検体である表面実装型デバイスに TRL補正を適用しょうとすると、以下のような課題を生じる。

1)標準器である伝送路 (Line数種類と Reflectionと Through)5a— 5dにおいて、同軸コネクタ 3と伝送路 5a— 5dとの接続部に生じる誤差要因が全て等しくなければならない。しかし、たとえ各標準器で同じ種類のコネクタを使用しても、各標準器を測定器に接続する際に特性バラツキが非常に大きくなり、補正誤差を生じ、ミリ波帯に近づくと事実上実施不可能となる。

2)前記課題を解決するため、同軸コネクタ 3を共通とし、その同軸ピンを標準器である伝送路と接触接続することでコネクタ測定のバラツキの影響を回避しょうという工夫もされている。しかし、同軸ピンが破損するなど、構造上接触部に十分な押しつけ荷重を確保することが難しく、接触が安定しな、ために補正が不安定になることが多ヽ。また、測定周波数が高くなると一般に伝送路も同軸ピンも細くなるので、これらの位置決め再現性による測定バラツキが大きくなつてしまう。

3)補正時の測定が正常であるかどうかを補正作業中に判断することが困難であるので、手間の力かる補正作業を終えて実際に被検体を測定して初めて、補正時の接触不良などの事故に気づくといった無駄を生じる。

[0009] 特許文献 1には、ストリップ線路を経由して被検体に接続される 2つの試験端子を有するネットワークアナライザを校正する方法が開示されている。すなわち、最初の校正測定においては、伝送と反射のパラメータを、伝搬定数が未知の線路上で、前記 2 つの試験端子間で無反射の仕方で接続されたストリップ線路上で測定し、同じ線路を使用してさらなる 3回の校正測定を、前記線路上の 3つの異なる位置において挿入された反射対称でかつ相反的な不連続部により実現された 3つの校正標準器で実施するものである。

つまり、伝送路の状態を 3つの状態に変化させることで、 3種類の標準器を実現し、標準器の接続を 1回のみとするものである。この方法であれば、 TRL補正に比べて、標準器の接続回数を減らすことができ、校正作業における測定誤差を少なくできる。

[0010] しかし、実際に被検体の測定を行う場合には、標準器として使用したストリップ線路を取り外し、被検体を接続できるストリップ線路 (治具)を再度接続しなければならなヽ。当然、再接続した際の接続部の特性は変化するので、測定誤差になってしまう。また、 2つの試験端子間にストリップ線路を無反射の仕方で接続することは、実際上難しぐ試験端子とストリップ線路との接続部での反射係数が誤差要因となる。

さら〖こ、被検体を接続して得られる測定値は、被検体だけでなぐ被検体と被検体を接続したストリップ線路とを合成した特性となり、被検体単体の特性を測定することができない。

特許文献 1：特開平 6— 34686号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0011] そこで、本発明の目的は、 TRL補正や SOLT補正における問題点を解消するとともに、接続部の特性ばらつきの影響を受けな、高精度な電子部品の高周波電気特性測定方法を提供することにある。

また、高精度な電子部品の高周波電気特性測定装置を提供することにある。

さらに、高精度な高周波電気特性測定装置の校正方法を提供することにある。課題を解決するための手段

[0012] 前記目的を達成するため、請求項 1に記載の発明は、電子部品の高周波電気特性を測定する方法において、一端が開放端である信号導体と接地導体とを有し、単位長さ当たりの電気特性が既知の伝送路を準備するステップと、前記信号導体の他端と前記接地導体とを測定器の測定ポートにそれぞれ接続するステップと、前記信号導体の長さ方向の少なくとも 3箇所において、信号導体と接地導体とを接続状態にして電気特性を測定するステップと、前記接続状態での測定値および前記伝送路の電気特性から、前記伝送路を含む測定系の誤差要因を求めるステップと、前記信号導体の前記開放端と前記接地導体との間に被測定電子部品を接続して電気特性を測定するステップと、前記被測定電子部品の測定値力前記測定系の誤差要因を除去し、被測定電子部品の電気特性の真値を求めるステップと、を含むことを特徴とする電子部品の高周波電気特性測定方法を提供する。

[0013] 本発明は、測定治具である伝送路の信号導体と接地導体との間に被検体を接続して、その反射係数を測定し、これからインピーダンス値や品質係数等の電気特性を求める反射法において、伝送路その他の測定系の誤差を除去する手法である。本発明は、測定系の誤差を測定する際、伝送路の反射状態は良質なものを容易に実現できる、という知見に基づいてなされたものである。

本発明にかかる補正方法 (以下、 RRR校正と呼ぶ)の好ましい例では、校正基準 (標準器）として短絡基準を用いる。これは、短絡状態であればほぼ全反射状態になるので、信号導体の終端側の影響を受けないこと、及び、対象とする伝送路が TEM単一モード動作する周波数範囲では短絡状態の特性には誘電体の影響が実質的に無く、電磁界シミュレーションで非常に精度良くその電気特性を予想できること等の理由による。

一般的に、伝送路特性のシミュレーション時の精度を制限するパラメータは誘電率であるが、短絡状態の反射特性では誘電率を変化させてもほとんど計算結果に変化が見られな!/ヽことを確認しており、シミュレーション結果を物理的真値と仮定して校正時に使用して差し支えないといえる。なお、伝送路の幅が測定信号の波長よりも十分に小さい場合は、短絡特性として 1 (理想短絡の反射係数)を使用しても大きな誤差にはならないと考えられる。

ここで、本発明に力かる RRR校正の概略について説明する。

校正工程：短絡状態での測定

RRR校正では、長さ方向に一様な電気特性を有し、一端が開放端である信号導体を持つ伝送路上の少なくとも 3箇所において、伝送路を短絡状態とすることで、測定系の誤差要因を同定する。短絡状態とするため、例えば短絡基準を信号導体と接地導体との間に接続する。具体的には、伝送路の被検体測定位置に短絡基準を接続して測定を行い、次に被検体測定位置から L だけ離れた点に短絡基準を接続して

1

測定を行い、さらに被検体測定位置カゝら L だけ離れた点に短絡基準を接続して測

2

定を行う。なお、伝送路特性が未知の場合には、さらに異なる 1点での測定が必要である。

ここで短絡基準とは、電気的に短絡状態の部品一般を指し、チップ部品に限らず、金属片や工具などでもよい。望ましくは、ナイフエッジのような伝送路の長さ方向の接触長さが短いものがよい。短絡基準が理想的であれば、反射係数がー 1 (全反射)の値になるが、実際には短絡基準といえどもある程度のインダクタンスを持つので、インダクタンス値が既知である必要があるということである。通常、マイクロ波帯では、ォープン状態と比較して短絡状態は比較的容易に理想に近、状態を得られる。高、測定精度が要求される場合には、簡単なシミュレーション等によって短絡基準のインダクタンスを求めれば良い。

伝送路の電気特性が既知の場合、短絡状態での測定を 3箇所以上で実施すれば、測定系の誤差要因を求めることができる。

一方、伝送路の電気特性が未知の場合には、短絡状態での測定を 4箇所以上で実施することで、測定系の誤差要因に加えて、伝送路の電気特性も求めることができる実測工程:被検体の測定

伝送路の信号導体と接地導体との間に被測定電子部品を接続し、その電気特性を測定する。

測定した被検体の電気特性と校正工程で求めた誤差要因とを用いて、計算により被検体の電気特性の真値を求めることができる。

[0015] 前記説明では、校正工程において、短絡基準を用いて信号導体と接地導体とを短絡させたが、必ずしも短絡させる必要はなぐ何らかの反射状態が得られるように信号導体と接地導体とを接続すればょヽ。

例えば、特性インピーダンスに近い終端抵抗を信号導体の開放端と接地導体との間に接続しておき、この状態で適当な校正基準を伝送路上の少なくとも 3箇所に接続することで校正作業を行うこともできる。この場合、殆どの信号は開放端で跳ね返らずに吸収されるため、校正基準として少々伝達係数の大き、チップ部品などを使用しても、誤差は小さぐ校正に必要な精度が得られる。

[0016] 以上のようにして実施される本 RRR校正法は、次のような特徴を有する。

( 1)補正'測定は全て同一の 1つの伝送路上で行う。

TRL補正では、いくつもの長さの伝送路が標準器として必要で、かつこれらと同軸ケ一ブルとの接続部の電気特性が全て等ヽ必要があるが、 RRR校正では補正作業だけでなぐ測定作業でも全て同一の 1つの伝送路を使用するので、伝送路を付け替える必要がなぐ伝送路やコネクタ、接続部などの特性バラツキの影響を受けない

(2)反射を利用した測定方法であるため、測定器が 1ポートで済み、安価であり、補正手順を 1ポートについてのみ行えば良いので、補正の手間が少なくて済む。

(3)被検体の電気特性は伝送路の特性インピーダンスに近、ほど、高精度に測定できる。

(4) 2端子の電子部品は勿論、従来の測定方法では測定が困難であったアンテナのような高周波部品でも、その電気特性を高精度に測定可能である。

(5)測定治具に必要な伝送路の長さは、測定したい周波数の下限によって決まる。低周波数に対応するには長い伝送路が必要である力高周波数に対応するには短い伝送路で足りる。

(6)補正のための測定は、伝送路上の数力所で校正基準 (例えば短絡基準)を接続して測定する。

被検体の測定位置カゝらどれだけ離れた位置で何ケ所の校正基準による測定をすベきかは、測定周波数帯域幅と周波数上限によって決定する。

(7)校正基準での測定を伝送路の 4箇所以上で実施すれば、伝送路の特性も知ることがでさる。

伝送路の特性が既知である場合には、 3箇所で校正基準を接続すれば、測定系の誤差要因を求めることができるが、 4箇所以上で校正基準を接続すれば、測定系の誤差要因だけでなく伝送路自体の特性 (誘電率，損失係数など)を求めることが可能になる。したがって、伝送路治具に使用する誘電体材料の誘電率や損失係数が未知の場合や、誘電体材料がロット毎に特性バラツキを有する場合であっても、使用する伝送路治具そのものの特性を正確に求めることができ、誤差のな、高精度な校正が可能になる。

一般に、テフロン (登録商標)やアルミナなどの基材で構成された伝送路治具は、電気特性のバラツキが小さぐその物理的真値を求めやすいが、高価である。これに対し、エポキシ榭脂などの汎用樹脂よりなる基材で構成された伝送路治具は、安価であるが、材料特性のばらつきが大きぐ誘電率や損失係数にもばらつきがある。このような場合には、 4箇所以上で校正基準を接続して伝送路特性を求めれば、伝送路特性のばらつきの影響を受けず、被検体の電気特性を高精度に測定できる。

[0017] 伝送路の信号導体と接地導体とを短絡状態にするため、短絡基準を伝送路に接続したが、周波数が高いために短絡基準の残留インダクタンスの影響が大きぐ十分に短絡に近くならなヽ場合 (全反射が得られな、場合)がある。

この場合には、校正基準を伝送路に対して近接 (非接触)させ、伝送路と校正基準との間に発生する浮遊容量と校正基準の残留インダクタンスを直列共振状態とするのがよい。

直列共振状態では、校正基準接続部のインピーダンスは Ο Ω、つまり理想の短絡状態になる。つまり、良好な短絡基準が得られない高い周波数においても、良好な短絡基準を使用したのと同じ効果が得られる。

なお、校正基準として微小容量のコンデンサを用いた場合には、このコンデンサを伝送路に接触 (完全接続)させて直列共振させることもできる。

[0018] 本発明の伝送路としては、信号導体と接地導体とが同一平面上に形成された伝送路を用いるのがよ!/、。校正基準を用いた補正作業や被検体を用いた測定作業にお!ヽて、校正基準や被検体を信号導体と接地導体とに同時に接続しやすいからである。しかも、補正測定時の校正基準や被検体の押し付けを伝送路に対して垂直に行えるので、十分な押しつけ荷重を確保することが容易で、接触が安定しやすい。

具体的な伝送路としては、コプレーナウエーブガイドやスロット線路を用いることができる。コプレーナウエーブガイドは信号導体とこの信号導体を間にしてその両側に接地導体を有し、前記信号導体と接地導体とが同一平面上に形成されたものであり、 1 OGHzまでの高周波特性の測定に適して、る。

一方、スロット線路は、信号導体と接地導体とが同一平面上に間隔をあけて設けられたものであり、 10GHz以上の高周波特性の測定に適している。

[0019] 校正基準を接続する位置は、各位置間の位相差が 70° — 145° となる位置とするのが望ましい。

補正を高精度に行うためには、補正データが相互にできるだけ離れていることが望ましぐ校正基準の反射の位相によって異なる補正データを得る RRR校正では、補正に必要な校正基準の接続位置間の位相差を 70° — 145° とするのが、校正精度を高める上で望ましい。但し、接続位置間の位相差を前記のように設定すれば、校正精度は高、が、 1組の校正基準で対応できる周波数範囲が力なり狭くなつてしまう。しかし、校正基準接続位置の設定が非常に簡単で、かつ、校正時の測定データをうまく使いまわせば、広帯域測定であっても実用上問題になるほどは校正基準測定回数が増えるわけでも無い。

図面の簡単な説明

[図 1]従来のネットワークアナライザを用いた測定系および SOLT補正の誤差モデルを示す図である。

[図 2]従来のネットワークアナライザを用いた測定系および TRL補正の誤差モデルを示す図である。

[図 3]SOLT校正法を示す図である。

[図 4]TRL校正法を示す図である。

[図 5]本発明にかかる RRR校正法の第 1実施例を示す高周波電気特性測定装置の平面図である。

[図 6]図 5に示す校正時における高周波電気特性測定装置の正面図である。

[図 7]RRR校正法で使用される誤差モデル図である。

[図 8]本発明にかかる高周波電気特性測定装置の被検体測定時における平面図である。

[図 9]本発明に力かる RRR校正法の一例のフローチャート図である。

[図 10]RRR校正法を用いて測定したチップインダクタの高周波特性図である。

[図 11]本発明にかかる RRR校正法の第 2実施例を示す高周波電気特性測定装置の平面図である。

[図 12]開放 ·短絡補正のモデル図である。

[図 13]校正基準と伝送路との間で直列共振させる例を示す図である。

[図 14]本発明にかかる高周波電気特性測定方法で使用可能な他の伝送路の例の平面図である。発明を実施するための最良の形態

[0021] 以下に、本発明による RRR校正について、実施例を参照しながら具体的に説明する実施例 1

[0022] 図 5—図 8は本発明にかかる第 1実施例を示す。

RRR校正の校正基準

RRR校正では、測定すべき校正基準は全て同じ短絡基準 10であり、使用する測定治具 11 (伝送路 12)も同じ治具である。

[0023] 測定治具 11として、ここではコプレーナウエーブガイド（以下、 CPWと呼ぶ）を例にして説明する。測定治具 11は、図 5,図 6に示すように、治具基板 11aの上面に信号導体 12aと接地導体 12bとからなる伝送路 12が形成されている。なお、この測定治具 1 1では、治具基板 11aの裏面にも接地導体 12cが形成されている。信号導体 12aの一端は開放端であり、他端はコネクタ l ibに接続されている。接地導体 12bは信号導体 12aの幅方向両側および開放端を隙間をあけて取り囲むように、略コ字形に形成されている。コネクタ l ibには同軸ケーブル 14が接続され、測定器の一例であるネットワークアナライザ 20の測定ポート 21, 22に接続されている。同軸ケーブル 14の信号線 14aは、接続ばらつきを解消するため信号導体 12aに半田付けや溶接等によつて固定されている。測定ポート 21, 22は同軸ケーブル 14を介して信号導体 12aと接地導体 12bとにそれぞれ接続されている。

[0024] 測定治具 11の上方には、図 6に示すように短絡基準 10を伝送路 12に押し付けるプッシャ 15と、プッシャ 15を伝送路 12に沿って自由に移動できる機構 16とが設けられている。ここでは、短絡基準 10として、絶縁性のプッシャ 15の先端に取り付けたナイフエッジ状の導体を用いた。

伝送路の特性インピーダンスを基準とする散乱係数測定のみが必要な場合には、伝送路の特性インピーダンスは未知で良、が、インピーダンス測定を行、た、場合等には、伝送路の特性インピーダンスが既知である必要がある。これには、シミュレーシヨンで計算したり、タイムドメインリフレクトリー法で実測するなど、公知の方法で求めればよい。 [0025] 短絡基準の接続'測定

まず、被検体の測定時に電極を接続する箇所 (図 5中の測定点 1 : P1、以下「被検体測定箇所」という）に短絡基準 10を接続して測定を行い、この時の測定結果を S と

11 1 する。この際、測定箇所における反射係数の真値を Γ とする。 Γ は短絡基準の真

Al A1

値であるが、これは短絡基準 10の伝送路 12の長さ方向の大きさが測定信号波長と比較して十分に小さければ 1とすればよぐそうでなければその真値の予想値をシミユレーシヨン等で求めておくべきものである。

[0026] 次に、被検体測定箇所よりポート 1側に L だけ離れた信号導体 12a上の位置 (測定

1

点 2 : P2)に短絡基準 10を接続して測定を行い、この時の測定結果を S とする。こ

11 2 の際、測定点 2における短絡基準 10の反射係数の真値はもちろん Γ であるが、被

A1

検体測定箇所を基準面にとると、反射係数の真値は数式 1のように変換される。ポート 1側より入射した電磁波は、短絡基準 10で全反射するため、被検体測定箇所に短絡基準 10を接続した場合と比較して往復分 2L だけ伝送路を伝達する距離が短！、

1

力もである。ここで、 αは単位長さ当たりの伝送路の伝達度 [U/mm]、 j8は伝送路の位相定数 [rad/mm]であり、 Γ は被検体測定箇所を基準面とした場合の測定点 2〖こ

A2

接続された短絡基準 10の真値である。

[数 1] A₂ = _Ma ^2L^ _V ji L_x) [0027] 続けて、被検体測定箇所よりポート 1側に L だけ離れた信号導体 12a上の位置 (測

2

定点 3 : P3)に短絡基準 10を接続して測定を行い、この時の測定結果を S とする。

11 3 測定点 2の場合と同様に被検体測定箇所を基準面に取ると、反射係数の真値は数式 2のようになる。

[数 2]

T_A3 = r_Ma-^2L' cxp(j2fiL₂)

[0028] なお、数式 1、数式 2は伝送路の伝達度の負の冪になっていることから明らかなように、 Γ 、 Γ はその大きさが 1を越えることがある。通常であれば、反射係数の大きさが 1を超える短絡基準など存在し得ないが、これはあくまでも数式 1、数式 2が基準面を被検体測定箇所に取って、るために発生して、る状態であり、異常ではな、。

[0029] 伝送路の特性 a , j8が未知の場合には、さらに測定点 1よりポート 1側に距離 L だけ

3 離れた伝送路上の位置 (測定点 4 : P4)に短絡基準 10を接続して測定を行い、この時の測定結果を S とする。測定点 2の場合と同様に測定点 1を基準面に取ると、測

11 4

定点 4における反射係数の真値 Γ は数式 3のようになる。

A4

[数 3] = "- _exp( s

[0030] ここで、次式の通り a , j8を含む式を ξとおく。 ξは、物理的には単位長さ当たりの伝送路の伝達係数を表してヽる。

画 ξ = α ² ^2β)

[0031] 数式 4を用いると、数式 1一数式 3はそれぞれ数式 5—数式 7のように書き直すことが出来る。

[数 5]

Γ =厂

[数 6]

Γ,3 = ²

[数 7]

[0032] 前述のとおり、伝送路特性 ξが未知の場合には、短絡基準を伝送路の 4箇所で短絡させることで、誤差係数だけでなぐ伝送路特性 ξをも求めることができる。

伝送路特性 6には伝達度 aと位相係数 βの 2つの未知数が含まれるが、伝送路特性は、実数部が伝達度 aに関係し、虚数部が位相係数 13に関係する複素数である力、 1つの未知数として求めることができる。

なお、後の計算の都合により、短絡基準を測定する被検体測定位置からの距離 L ,

1

L , L は +、次のいづれかの関係を満たすことが望ましい。

L ： L ： L :2:3

1

L ： L ： L :2:4

前記関係を満たしていれば、以下に示す数式を用いて伝送路特性を陽に計算することができる。前記関係を満たしていない場合、下記数式では伝送路特性を計算できないので、反復計算等によって求める必要がある。

[0033] 短絡基準を測定する位置 L , L , L 力 L ： L ： L 【：2:3の関係を満足している場合は、数式 8によって ξを求めることができる。

[数 8]

^ ― [{( 1 11Μ1^— ^ ° 11M2 1 +4 1 U 2— " 1 1

+ 1_1Μ2— 4 _ηΜ ) ι_Μ3 + l ο _{α 1Μ2} ^— 4 J _1Μ1 ! 1M2+ _ljV 11 3

^_ 4 J _1Μ1 j Γ 2 Ο〗 _1Μ1 J _1Μ2 ) ι\¼+ (4 J _1Μ1 3 _{Ί 1Μί} ) 1

Q ) 1

' ^ ° 11 1 ° 11M2 ° 11M2

ζ ((2 ! 2 _11Μ1 ) S_{I 1M4}+ (2 j _1Μ]— 2 _Ι1Μ2 ) !

[0034] 一方、 L ： L ： L :2 :4の関係を満足している場合は、数式 9によって ξを求める

1

ことができる。

[数 9] ξ [i(s, 4

1

^— 2 ο ] _{1 1} Q

° 11M2 S (-4S 8 ¾ j

― ^ 1 ° 11M3+ ° 1 ° 11M2 ->

1/L1

/ {(2 1 1 11 + (2S

L ： L ： L の比が前記の条件を満たさない場合については、 ξを求める式を陽に導いていないので、必要に応じて同様の式を誘導しておくか、あるいは反復計算によつて ξを求めるかすれば良い。

[0035] 数式 8または数式 9によってが求まれば、数式 5、数式 6によって Γ 、 Γ の値が

Α2 A3 計算できるので、後述の誤差係数を順次求めることが可能になる。

[0036] RRR校正の誤差モデルの誤差係数の計算

RRR校正の誤差モデルを図 7に示す。反射法とは、一方のポート（コネクタ l ib)力被検体 17に入射した電磁波のどれだけの割合が反射するかを観測して、これからィンピーダンス等を求める手法で、 1ポートであるから、図 7に示すように誤差要因も E

11

、E 、E 、E の 4個しかない。散乱係数測定は比測定であるので、 E = 1とおけば

21 12 22 21

、誤差要因は E 、E 、E の 3つである。図中の S は反射係数の測定値であり、 S

11 12 22 11

11Aは被検体の散乱係数の真値である。

[0037] さて、前述の短絡基準 10の接続による測定結果から、図 7中の各誤差係数 E 、E 、

11 12

E は数式 10で求められる。なお、 D は中間変数である。

22 1

[数 10]

^ ¹ ~ 0_UM3 「 Γ_Α3 Γ_Α1

Ell " ( ΑΙ _{Α3 llM2} O_UM3 - Γ_Α1 ^UMI S_11M3

+ Γ_Α1 S_11M1 kJ_11M3 + ΓΑ Γ_Α3 ΰ_11Μ1 ΰ_11Μ2 " Γ_Α1 Γ_Α3 S_11M1 S_11M2) / D i π ( ΓΑ ΓΑΙ) ( ΓΑ Γ_ΑΙ ) ( Γ_Α3 ^_Γ_Α2) (S_11M2-S_UM1) (S_11M3-S_11M1) (S

2

[0038] 被検体の測定と RRR校正の実施

誤差係数が求まれば、図 8に示すように、被検体 17を信号導体 12aと接地導体 12b 間に接続し、その電気特性を測定する。例えばチップマウンタなどを用いて被検体 1 7を吸着し、この被検体 17を測定治具 11の被検体測定位置へ接触させて反射係数 (S )を測定すればよ!ヽ。 RRR校正の誤差モデルは TRL補正の誤差モデルと同じ

11

ものであるから、実際の被検体測定結果力誤差の影響を除去するには TRL補正と同様の計算を行えば良ぐ誤差の影響を除去して被検体の反射係数 S の真値を求める数式を以下に記載しておく。なお、誤差要因の影響を除去する計算式は以下の数式に限らず、どのような公知技術を用いてもょ、。

[数 11]

図 9は、 RRR校正方法の一例のフローチャート図である。

補正を開始すると、まず測定器と測定治具とを同軸ケーブルを介して接続する (ステップ S l)。次に、信号導体 12aの開放端である第 1の位置で短絡基準 10により信号導体 12aと接地導体 12bとを短絡する (ステップ S2)。第 1の位置とは被検体測定位置近傍でもよいし、他の位置でもよい。短絡基準 10を接続した状態で、ポート 1側の反射係数 (S )を測定する (ステップ S 3)。

11 1

次に、第 2の位置で短絡基準 10により信号導体 12aと接地導体 12bとを短絡し (ステップ S4)、ポート 1側の反射係数 (S )を測定する (ステップ S5)。続、て、第 3の位

11 2

置で短絡基準 10により信号導体 12aと接地導体 12bとを短絡し (ステップ S6)、ポート 1側の反射係数 (S )を測定する (ステップ S 7)。

11 3

伝送路特性が未知の場合には、さらに第 4の位置で短絡基準 10により信号導体 12a と接地導体 12bとを短絡し (ステップ S8)、ポート 1側の反射係数 (S )を測定する（

11 4

ステップ S9)。そして、これら反射係数からポート 1側の伝送路特性 ξを計算で求める (ステップ S 10)。伝送路特性が既知の場合には、ステップ S8— S 10の工程は不要である。

その後、測定した反射係数および伝送路特性 ξを用いて、数式 10により誤差係数を計算する (ステップ S 1 1)。

誤差係数を計算した後、測定治具に被検体を接続し (ステップ S 12)、被検体の反射係数）を測定する (ステップ S 13)。次に、数式 1 1で測定値から誤差の影響を

11

除去し (ステップ S 14)、誤差除去結果 (被検体の真値)のディスプレーなどへの表示や被検体の選別等を実施する (ステップ S 15)。その後、全ての被検体の測定が完了するまでステップ S 12— 15を繰り返し (ステップ S 16)、全ての被検体の測定が完了すれば、 RRR校正を終了する。

[0040] 図 10は RRR校正を用いて、 1mm X 0.5mmサイズで ΙΟηΗのチップインダクタ（積層タイプチップインダクタ）を 1GHz— 3GHzの範囲で測定した結果を示す。

ここでは、 RRR校正とともに、従来技術であるインピーダンスアナライザによる測定結果を併記している。なお、インピーダンスアナライザはアジレントテクノロジ一社から販売されて!、る 4991Aである。従来技術であるインピーダンスアナライザによる測定結果と RRR校正法による測定がトレースした結果が得られており、 RRR校正法による測定が精度の高、ものであることがわかる。

[0041] 次に、短絡基準 10の測定位置をどのように選択するべきかについて説明する。

伝送路 12の被検体測定箇所と、ここ力も 5mm離れた点で短絡基準 10を測定したとする。伝送路 12の損失が大きくないとすると、この 2点の測定結果の違いは位相だけである。ここで、波長が 30mm (真空中での 1GHzの電磁波の波長）であるとする。 5 mm位置の違いは、往復で 10mmの位置の違いに相当するので、測定データは（10 mm ÷ 30mm) X 360° = 120° の位相差があると期待できる。ところ力波長が 10 mm (真空中での 3GHzの電磁波の波長）であったとすると、同じく往復 10mmの位置の違いが生み出す位相差は 10mm÷ 10mm X 360° = 360° であり、結局位相の差が生じない。このため、 5mmの位置の違いでは、波長 10mmの周波数では補正を正常に行えない。

[0042] 補正を高精度に行うためには、補正データが相互にできるだけ離れていることが望ましぐ短絡基準の反射の位相によって異なる補正データを得る RRR校正では、短絡基準の接続位置間の位相差が 70° — 145° となる条件を採用するのがよい。

校正基準間の位相差を大きく確保すると校正の精度は向上するが、一組の校正基準で対応できる周波数範囲が狭くなり、広帯域の測定をする場合に多くの校正基準を測定する必要が生じる。 RRR校正と同じく校正基準間の位相差を用いて校正を行う TRL校正の場合、良好な測定精度を得るために校正基準間の位相差は 20° — 3 0° 以上程度確保するべきであるとされている。

これに対し、短絡基準の接続位置間の位相差を 70° — 145° とすると、校正精度は高いが 1組の校正基準で対応できる周波数範囲が前記の場合と比較して力なり狭くなってしまう。しかし、以下に説明するように短絡基準接続位置の設定が非常に簡単で、かつ、校正時の測定データをうまく使いまわせば、広帯域測定であっても実用上問題になるほどは短絡基準測定回数が増えるわけでも無いからである。

[0043] まず、測定上限周波数において位相が 145° 程度になる第 2の短絡基準測定位置を求める。具体的には、 j8 [rad/mm]を位相定数、 L[mm]を短絡基準測定位置として次式により求めれば良い。

[数 12]

145π

~ 180^

[0044] 次に、第 3の短絡基準測定位置を 2L[mm]に、第 4の短絡基準測定位置を 4L[mm]に設定する。同様に、第 nの短絡基準測定位置を 2ⁿ— ² L[mm]に設定する。

測定上限周波数 f 力 f

max max Z2までの周波数帯は、第 1、第 2、第 3の短絡基準測定位置の測定結果によって RRR校正を行う。 f

max Z2— f

max Z4までの周波数帯は、第 1、第 3、第 4の短絡基準測定位置の測定結果を用いる。同様に、 n番目の周波数帯、すなわち f

max Z2ⁿ— ¹— f

max Z2ⁿの周波数帯は、第 1、第 n+ l、第 n+2の短絡基準測定位置の測定結果を用いる。このようにすることで、概ね短絡基準測定位置間の位相差が 70° — 145° の範囲に保たれる。

実施例 2

[0045] 図 11は、短絡基準とは異なる校正基準を用いた校正方法の一例を示す。ここで使用する測定治具 11は第 1実施例と同じものである。

第 1実施例では、校正を実施するため、短絡基準 10を用いて信号導体 12aと接地導体 12bとの間を短絡させたが、何らかの反射状態が得られるように信号導体 12aと接地導体 12bとを接続すればよぐ短絡基準 10に代えて伝達係数のある校正基準 18 を用いることも可能である。

[0046] この場合、信号導体 12aの開放端と接地導体 12bとの間に、伝送路 12の特性インピ一ダンスに近い抵抗値を持つ終端抵抗 19を接続しておく。この終端抵抗 19によって、所謂「マッチング」した状態になり、信号導体 12aを伝わった信号が開放端で跳ね返らずに吸収される。この状態で、伝送路 12の少なくとも 3箇所に校正基準 18を接続して校正を行う。 P1— P4は校正基準 18の接続位置であり、 L 測定点 2

1一 L は、

3

一 4の測定点 1からの距離である。

[0047] ここで使用する校正基準 18としては、短絡基準 10に代えて、伝達係数のある部品（チップ抵抗など)を使用することができる。この場合、信号導体 12aに入った信号の一部は、校正基準 18との接続部を通過して、信号導体 12aの開放端に伝達される。しかし、終端抵抗 19によって信号が開放端で跳ね返らずに吸収されるため、校正基準 18として少々伝達係数の大きいチップ部品などを使用しても、誤差は小さぐ高い校正精度が得られる。

実施例 3

[0048] RRR校正においても、誤差要因が除去されるのは治具伝送路先端までであり、例えば被検体接続点間の浮遊アドミタンスや接触抵抗その他の残留インピーダンスの影響は除去されない。そこで、これらの影響が大きいと考えられる場合には、 RRR校正後に開放'短絡補正を行うことで、この影響を緩和できる。

図 12に開放'短絡補正のモデルを示す。図中、 Γπιは校正面での反射係数観測値、 Zp、 Zsはそれぞれ浮遊アドミタンス、残留インピーダンスを表す。また、 Zdは被検体インピーダンスを表し、本来これによつて生じる反射係数を測定しょうとしているものである。

[0049] ここで、被検体測定個所開放時には Zp »Zsとみなせることから、この際に観測される反射係数 Γρはほとんど Zpによって決定していると考えられる。また、被検体測定箇所短絡時には、 Zd «Ζρとみなせることから、この際に観測される反射係数 r_Sはほとんど Zsによって決定していると考えられる。これらを用いて、 Zdによって生じる反射係数は次式の通り計算される。これが開放'短絡補正を行う計算式である。

[数 13]

_Γ ^,Γ^,Γ, - Γ_ρΤ + r_mr_s + 3Γ₅ -Γ„,Γ_ρ + Γ_ρ - 5T_m +1

d - 5Γ_ρΓ₅ + r_mr_s -Γ₅ +3r_mr_{p +} Γ_ρ -F_m +1

[0050] なお、数式 13では理想的な開放'短絡が実現できた場合を仮定している。実際、開放-短絡補正は比較的大ま力な補正であり、多くの場合はこの仮定による補正精度の低下が顕在化しな、のではな、かと思われるが、例えば短絡する際に用いる校正基準のインピーダンスが既知である場合にはこれを考慮に入れて rsを求め、これによって数式 13を計算することで補正精度の向上が図れる。

実施例 4

[0051] RRR校正は、単体で行えば測定系全体の誤差を補正できる。一方、治具基板を接続する同軸コネクタまでを SOLT補正等の手法で補正した上で、 RRR校正を行うと、得られる誤差係数は治具基板の誤差係数になる。つまり、 RRR校正を治具の誤差要因の同定手法として利用できる。

最近のネットワークアナライザには、治具などの誤差係数を与えれば、測定結果から与えた誤差の影響を自動的に除去してくれる機能 (デイエンべデイング機能)がある。しかし、治具の誤差を求める方法がないために、実際にはあまり使われない機能である。本発明に力かる RRR校正の手法と組み合わせると、これは非常に便利な機能になる。

なお、デイエンべデイングとは、既知の誤差要因を数学的に除去する手法であり、伝送行列を用いると簡単に実施できる。得られた治具の誤差要因の散乱係数行列を伝送行列に変換して逆行列にしたものを、 E— ¹とする。このとき、治具の誤差要因の伝送行列が Eである。さらに、デバイスの伝送行列を Aとする。この時、同軸ケーブル先端まで校正したネットワークアナライザで治具ごとデバイスを測定した測定結果は、デバイスに各ポートの誤差が重畳されたものであるから

E-A

が測定されているはずである。そこで、左右からそれぞれ E^_1、 F—¹をかけると、 Ε^_1 ·Ε·Α=Α

となり、デバイスの特性を得ることができる。

[0052] デイエンべデイング手法を用いると、高い精度での校正基準の位置決め等が必要な RRR校正手順は研究室的な環境で行、、各治具の誤差要因を高精度に定めておき、量産工程では誤差要因が既に分力つている治具を使用して量産することができる。勿論、治具の誤差は研究室で求めた誤差要因をデイエンべデイングすることで除去する。

このようにすることで、各工程で高!、精度での校正基準の位置決め手段等を準備することなく RRR法を運用でき、コスト的 ·工程管理的に有利である。

実施例 5

[0053] 測定器に計算機と専用ソフトウエアを備え、校正基準の残留インダクタンス及び伝送路のパラメータ (位相定数 [md/mm]及び伝達損失 δ [dB/Hz])と校正基準の接触位置を入力すると、各位置における校正基準特性を数式 1,数式 2に基づいて自動的に算出し、これを数式 10—数式 12の補正計算に使用することもできる。要するに、ネットワークアナライザが自動的に校正基準の値を予想して RRR校正をすることができるものである。

量産工場のデバイスの検査工程にぉ、て、校正基準の値をオペレータ等が計算する必要が無くなり、また測定器単体で RRR校正が行えるため、工程を簡素化できる。実施例 6

[0054] 周波数が高いなどのために校正基準の残留インダクタンスの影響が大きぐ短絡状態の校正基準 (短絡基準)を伝送路に接続しても、十分に短絡に近くならない場合（全反射が得られな、場合)がある。

この場合には、図 13の（a)のように校正基準 25を伝送路 12から浮力して、伝送路と校正基準の間に発生する容量 C[F]と校正基準の残留インダクタンス L[H]を直列共振状態とするのがよ、。この場合 C = 1/ (2 π f^L)となるように設定する。

なお、校正基準と伝送路の間の浮遊容量を利用する方法に代えて、図 13の (b)のように校正基準 26を伝送路 12に接触させて直列共振させることもできる。この場合の校正基準 26は微小容量のコンデンサを用いればょ、。

直列共振状態では、校正基準接続部のインピーダンスは Ο Ω、つまり理想の短絡状態になる。つまり、良い短絡基準が得られない高い周波数においても良い短絡基準を使用したのと同じ効果が得られる。

実施例 7

[0055] 前記実施例では、伝送路としてコプレーナウェーブガイドを用いた例を示したが、図 14のようなスロット線路 30を用いることもできる。スロット線路 30は、信号導体 31と接地導体 32とが治具基板 33の同一平面上に隙間をあけて設けられたものであり、治具基板 33の一端側にコネクタ 34が設けられている。この場合は、被検体を信号導体 31と接地導体 32との間に接続して電気特性を測定する。

[0056] 本発明にかかる高周波電気特性測定方法は、前記実施例に限定されるものではない。

本発明における測定器としては、ネットワークアナライザに限らず、高周波電気特性を測定できるものであれば、使用可能である。

被検体測定位置で校正基準を測定したが、被検体測定位置で校正基準を測定する必要はなぐその場合、 3回以上の校正基準測定が全て数式 1のような形で表される伝送路は、平面伝送路に限るものではなぐ校正基準を接続でき、かつ被検体を信号導体と接地導体との間に接続できるものであれば、任意の構造のものを用いることができる。

産業上の利用可能性

[0057] 以上のように、本発明にかかる高周波電気特性測定方法は次のような効果を有する

(1)補正に使用する伝送路と被検体測定に使用する伝送路は同じものであるから、伝送路のノラツキの影響を受けにくい。また、伝送路と測定器との接続も、補正および実測定において固定であり、再接続の必要がないので、伝送路の接触不良等による補正失敗等の事故も起こらな、。

(2)被検体の部品単体の特性を高精度に測定可能であり、治具等の誤差の影響を受けない。本発明は高周波電気特性測定装置によりチップインダクタ、チップコンデンサなどのような 2端子のインピーダンス素子、あるいはアンテナのような部品の散乱係数やインピーダンス値を精度よく測定するためには非常に有効な方法である。

(3)反射法を利用した校正方法であるため、測定器が 1ポートで済み、安価でかつ校正作業が簡単である。

Claims

請求の範囲

[1] 電子部品の高周波電気特性を測定する方法において、

一端が開放端である信号導体と接地導体とを有し、単位長さ当たりの電気特性が既知の伝送路を準備するステップと、

前記信号導体の他端と前記接地導体とを測定器の測定ポートにそれぞれ接続するステップと、

前記信号導体の長さ方向の少なくとも 3箇所において、信号導体と接地導体とを接続状態にして電気特性を測定するステップと、

前記接続状態での測定値および前記伝送路の電気特性から、前記伝送路を含む測定系の誤差要因を求めるステップと、

前記信号導体の前記開放端と前記接地導体との間に被測定電子部品を接続して電気特性を測定するステップと、

前記被測定電子部品の測定値力前記測定系の誤差要因を除去し、被測定電子部品の電気特性の真値を求めるステップと、を含むことを特徴とする電子部品の高周波電気特性測定方法。

[2] 電子部品の高周波電気特性を測定する方法にお!、て、

一端が開放端である信号導体と接地導体とを有し、単位長さ当たりの電気特性が未知の伝送路を準備するステップと、

前記信号導体の長さ方向の少なくとも 4箇所において、信号導体と接地導体とを接続状態にして電気特性を測定するステップと、

前記接続状態での測定値から、前記伝送路を含む測定系の誤差要因および前記伝送路の電気特性を求めるステップと、

[3] 前記信号導体と接地導体とを接続状態にするため、短絡基準を前記信号導体と接地導体とに対して接触させることを特徴とする請求項 1または 2に記載の高周波電気特性測定方法。

[4] 前記信号導体と接地導体とを接続状態にして電気特性を測定するステップを、前記信号導体と接地導体との間に伝送路の特性インピーダンスに近い抵抗値を持つ終端抵抗を接続した状態で実施することを特徴とする請求項 1または 2に記載の高周波電気特性測定方法。

[5] 前記信号導体と接地導体とを接続状態にするため、校正基準を前記信号導体と接地導体とに対して接触または近接させ、前記校正基準内の容量または前記校正基準と伝送路の間の容量と、前記校正基準の残留インダクタンスとで直列共振させることを特徴とする請求項 1または 2に記載の高周波電気特性測定方法。

[6] 前記伝送路を含む測定系の誤差要因を求めるステップは、次式により実行されることを特徴とする請求項 1な！ヽし 5のヽずれかに記載の高周波電気特性測定方法。

[数 10]

D 1 - S_11M2

En - "

( ΑΙ _Α3 S_11M2 S_UM3 - Γ_Α1 S_11M2 S_11M3 - Γ_{Α3 UM1} o_11M3

+ Γ_Α1 S_11M1 S_11M3 + Γ_Α3 S_11M1 S_nM2 " Γ_Α1 Γ_Α3 S_11M1 S_11M2) / D i π ( ΓΑ2 "ΓΑΙ) ( ΓΑ3 "Γ_ΑΙ ) ( Γ_Α3 ^_Γ_Α2) (S_11M2-S_UM1) V^llM3"°llMl) (SnM3"S_nM2)

D i ²

π Α2 _「Α1 °11Μ3 - A3 ^UM2⁺ ^_Α1 S_11M2+ A3 S_llMl " Α2 SllMl

²² D i 上式において、 Γ ：第 1の測定位置における反射係数、 Γ ：第 2の測定位置にお

Al A2

ける反射係数、 Γ ：第 3の測定位置における反射係数、 S ：第 1の測定位置にお

A3 11 1

ける測定値、 S ：第 2の測定位置における測定値、 S ：第 3の測定位置における

11 2 11 3

測定値、 E E E ：測定系の誤差要因。

11, 12, 22

[7] 前記被測定電子部品の測定値力前記測定系の誤差要因を除去し、被測定電子部品の電気特性の真値を求めるステップは、次式により実行されることを特徴とする請求項 5に記載の電子部品の高周波電気特性測定方法。

[数 11]

S 1U

^22^1 ΙΑί + 2― H 上式において、 S ：被測定電子部品の反射係数。

11A

[8] 前記伝送路は、信号導体と接地導体とが同一平面上に形成された伝送路であることを特徴とする請求項 1な！ヽし 7のヽずれかに記載の高周波電気特性測定方法。

[9] 前記伝送路は、前記信号導体とこの信号導体の両側および開放端を取り囲む接地導体とを有するコプレーナウエーブガイドであることを特徴とする請求項 8に記載の高周波電気特性測定方法。

[10] 前記伝送路は、信号導体と接地導体とが間隔をあけて設けられたスロット線路であることを特徴とする請求項 8に記載の高周波電気特性測定方法。

[11] 前記信号導体と接地導体とを短絡状態にして電気特性を測定する位置は、各位置間の位相差が 70° — 145° となる位置であることを特徴とする請求項 1ないし 10の

Vヽずれかに記載の高周波電気特性測定方法。

[12] 電子部品の高周波電気特性を測定する装置において、

一端が開放端である信号導体と接地導体とを有し、単位長さ当たりの電気特性が既知の伝送路と、

前記信号導体の他端に接続された測定ポートと、前記接地導体に接続された測定ポ一トとを有し、高周波電気特性を測定可能な測定器と、

前記信号導体の長さ方向の少なくとも 3箇所において、信号導体と接地導体とを接続状態にする手段と、

前記接続状態での測定値および前記伝送路の電気特性から、前記伝送路を含む測定系の誤差要因を求める手段と、

前記信号導体の前記開放端と前記接地導体との間に被測定電子部品を接続する手段と、

前記被測定電子部品を前記信号導体の前記開放端と前記接地導体との間に接続して測定される測定値力前記測定系の誤差要因を除去し、被測定電子部品の電気特性の真値を求める手段と、を含むことを特徴とする電子部品の高周波電気特性測定装置。

[13] 電子部品の高周波電気特性を測定する装置において、

一端が開放端である信号導体と接地導体とを有し、単位長さ当たりの電気特性が未知の伝送路と、

前記信号導体の長さ方向の少なくとも 4箇所において、信号導体と接地導体とを接続状態にする手段と、

前記接続状態での測定値から、前記伝送路を含む測定系の誤差要因および前記伝送路の電気特性を求める手段と、

[14] 電子部品の高周波電気特性測定装置の校正方法において、

前記接続状態での測定値および前記伝送路の電気特性から、前記伝送路を含む測定系の誤差要因を求めるステップと、を含むことを特徴とする校正方法。

[15] 電子部品の高周波電気特性測定装置の校正方法において、一端が開放端である信号導体と接地導体とを有し、単位長さ当たりの電気特性が未知の伝送路を準備するステップと、

前記接続状態での測定値から、前記伝送路を含む測定系の誤差要因および前記伝送路の電気特性を求めるステップと、を含むことを特徴とする校正方法。

[16] 請求項 1乃至 11のいずれかに記載の測定方法を用いて高周波電気特性が測定された電子部品。

[17] 請求項 14または 15に記載の校正方法を用いて校正された高周波電気特性測定装置。