CN115372665A - 射频器件测试装置和测试系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种射频器件测试装置和测试系统，包括电路板、传输线和同轴接头，同轴接头包括第一同轴接头和第二同轴接头，第一同轴接头和第二同轴接头分别焊接在电路板两端，且均用于连接矢量网络分析仪；传输线包括第一传输线和第二传输线，第一传输线一端连接第一同轴接头，另一端连接待测射频器件，第二传输线一端连接第二同轴接头，另一端连接待测射频器件，电路板为陶瓷电路板。可以实现高低温情况下对射频器件的可靠性测试。

Description

射频器件测试装置和测试系统

技术领域

本申请涉及射频微波器件测试技术领域，特别是涉及一种射频器件测试装置和测试系统。

背景技术

随着5G移动通信技术的发展，无线通信向更高频段扩展，基于BAW(Bulk AcousticWave,体声波)技术的射频器件在当前无线通信向更高频段发展中起着举足轻重的作用。但是在高输入功率水平下，由于材料固有的非线性特性、几何非线性和接触面非线性等因素，通常会导致声学器件中的谐波和互调失真等非线性效应，射频器件的自热导致的温度升高也会使射频器件产生非线性特性，对系统的工作的可靠性产生影响。因此，为了保证射频器件在一定工况下能够长期稳定工作，在器件正式商用前对射频器件进行一系列可靠性测试是必要的。

传统的对射频器件进行可靠性测试的方法是，采用射频探针台连接射频器件和矢量网络分析仪来测试射频器件的可靠性，但是，射频探针台的探针正常工作的温度范围较小，在高低温情况下射频探针台的探针功率无法达到射频器件工作频率，导致在高低温情况下无法对射频器件进行可靠性测试。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够在高低温情况下对射频器件进行可靠性测试的射频器件测试装置和测试系统。

第一方面，提供一种射频器件测试装置，包括电路板、传输线和同轴接头，同轴接头包括第一同轴接头和第二同轴接头，第一同轴接头和所述第二同轴接头分别焊接在所述电路板两端，且均用于连接矢量网络分析仪；传输线包括第一传输线和第二传输线，第一传输线一端连接第一同轴接头，另一端连接待测射频器件，第二传输线一端连接所述第二同轴接头，另一端连接待测射频器件，电路板为陶瓷电路板。

在其中一个实施例中，所述传输线为微带传输线。

在其中一个实施例中，所述同轴接头的插针的直径小于所述微带传输线的宽度。

在其中一个实施例中，所述第一传输线和所述第二传输线的长度相匹配。在其中一个实施例中，射频器件测试装置还包括校准装置，所述校准装置用于连接矢量网络分析仪。

在其中一个实施例中，所述校准装置包括校准电路板、校准传输线和校准同轴接头，所述校准传输线的两端分别连接不同的校准同轴接头，所述校准同轴接头焊接于所述校准电路板，并用于连接矢量网络分析仪。

在其中一个实施例中，所述校准装置包括直通校准件、反射校准件和延迟线校准件，所述直通校准件的两端、所述反射校准件的两端和所述延迟线校准件的两端分别通过不同的通道连接所述矢量网络分析仪。

在其中一个实施例中，所述延迟线校准件的数量为两个以上。

第二方面，提供一种射频器件测试系统，包括矢量网络分析仪和如上述的射频器件测试装置。

在其中一个实施例中，所述射频器件测试装置的阻抗与所述矢量网络分析仪的阻抗相匹配。

上述射频器件测试装置和测试系统，射频器件测试装置包括电路板、传输线和同轴接头，同轴接头包括第一同轴接头和第二同轴接头，第一同轴接头和第二同轴接头分别焊接在电路板两端，且均用于连接矢量网络分析仪；传输线包括第一传输线和第二传输线，第一传输线一端连接第一同轴接头，另一端连接待测射频器件，第二传输线一端连接第二同轴接头，另一端连接待测射频器件，电路板为陶瓷电路板。通过将待测射频器件连接在传输线远离同轴接头的一端，来自待测射频器件的信号通过不同的传输线和同轴接头传输到矢量网络分析仪，实现对待测射频器件可靠性的检测，由于陶瓷电路板的基板材质为陶瓷，在温度高和低的环境下性能均比较稳定，可以保证测试过程中检测数据的稳定性，从而实现高低温情况下对射频器件的可靠性测试。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中射频器件测试装置的结构示意图；

图2为一个实施例中射频器件测试装置工作时的信号流示意图；

图3为一个实施例中直通校准件的信号流示意图；

图4为一个实施例中反射校准件的信号流示意图；

图5为一个实施例中延迟线校准件的信号流示意图；

图6为一个实施例中校准装置的结构示意图；

图7为一个实施例中电路板与传输线的设置关系示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请提供的射频器件测试装置和测试系统，可对射频器件在高低温情况下进行可靠性测试。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种射频器件测试装置，包括电路板210、传输线300和同轴接头100，同轴接头100包括第一同轴接头110和第二同轴接头120，第一同轴接头110和第二同轴接头120分别焊接在电路板210两端，且均用于连接矢量网络分析仪。传输线300包括第一传输线310和第二传输线320，第一传输线310一端连接第一同轴接头110，另一端连接待测射频器件，第二传输线320一端连接第二同轴接头120，另一端连接待测射频器件。

具体地，本实施例中，电路板210为陶瓷电路板，陶瓷电路板是一种利用导热陶瓷粉末和有机粘合剂制备的电路板，具有热导率高、化学稳定性和热稳定性优良的特点，陶瓷电路板可以是单双面陶瓷电路板或多层陶瓷电路板等。

同轴接头100包括第一同轴接头110和第二同轴接头120，第一同轴接头110和第二同轴接头120分别焊接在电路板210两端，且均用于连接矢量网络分析仪。同轴接头100用于传输射频信号，主要用于仪器的输出输入接口和一些校准件上，其基本结构包括中心导体、介电材料和体外导体。第一同轴接头110和第二同轴接头120可以是结构相同、尺寸相等的同轴接头，例如可以是包括直径相同的柱状中心导体的同轴接头。第一同轴接头110和第二同轴接头120结构相同或尺寸相等可以保障检测数据的准确性。第一同轴接头110和第二同轴接头120分别焊接在电路板210两端，电路板210两端是指电路板210的两个相对的位置上。例如，当电路板的形状为矩形时，同轴接头分别焊接在电路板210的两条相对的边上。

矢量网络分析仪是一种电磁波能量的测试设备，用于测试待测射频器件传输、反射特性与工作频率和功率的关系，其结构包括信号源、信号分离装置、接收机和处理显示单元。矢量网络分析仪提供待测射频器件的激励信号，待测射频器件通过传输和反射对激励信号作出响应，信号分离装置完成待测射频器件输入信号和反射信号的提取，接收机完成对提取后的信号的幅度和相位参数的分析，处理显示单元完成对测试结果的处理并按照需要的方式显示测试结果。

传输线300一般为金属导体，形状为长条形，用于把载有信息的电磁波从一点输送到另一点。传输线300包括平行双导线、同轴线、带状线等。在本实施例中，第一传输线310和第二传输线320都是长条形，便于传输信号。并且，第一传输线310的长度和第二传输线320的长度相等，第一传输线310的宽度和第二传输线320的宽度相等，第一传输线310和第二传输线320都与待测射频器件之间的距离相等，以减少检测误差，保障检测数据的准确性。

第一传输线310一端连接第一同轴接头110，另一端连接待测射频器件，第二传输线320一端连接第二同轴接头120，另一端连接待测射频器件。具体地，本实施例中，对待测射频器件进行可靠性测试的具体步骤包括，先将待测射频器件固定在射频器件测试装置上，再通过射频器件测试装置对矢量网络分析仪进行仪器校准，然后将固定有待测射频器件的射频器件测试装置两端的同轴接头接入矢量网络分析仪，测试待测射频器件。

在一个实施例中，传输线300为微带传输线。微带传输线一般包括介质基片、介质基片上的导体条以及介质底部的金属底板，可以有效传输高频信号。

此外，微带传输线的类型并不唯一，可以是对称微带传输线或不对称微带传输线。对称微带传输线又称为带状线，是一种以空气或者固体介质材料做基板的双接地板传输线，不对称微带传输线又称为标准微带线，是一种介质基板和底下覆铜层接地，通过表面金属条传输信号的传输线。对称微带传输线几乎不往外辐射能量，可以保障信号的完整传输。

当传输线300为微带传输线时，第一传输线310和第二传输线320均为微带传输线。第一微带传输线一端连接第一同轴接头110，另一端连接待测射频器件，第二微带传输线一端连接第二同轴接头120，另一端连接待测射频器件，以通过不同的线路将待测射频器件的高频信号传输到矢量网络分析仪。第一微带传输线和第二微带传输线可以均为对称微带传输线或者均为不对称微带传输线。当第一微带传输线和第二微带传输线都为对称微带传输线时，可以保障信号传输的完整性和有效性。

在对待测射频器件进行测试时，微带传输线可以通过引线键合的方式电连接待测射频器件。引线键合是使用细金属线，利用热、压力、超声波能量使金属引线与基板焊盘紧密焊合的一种方式，可以实现待测射频器件与电路板210间的电气互连。

在一个实施例中，同轴接头100的插针的直径小于微带传输线的宽度。具体地，微带传输线的宽度方向是指与待测射频器件和第一同轴接头之间的信号传输方向垂直的方向。

同轴接头100的插针是同轴接头100的中心导体结构，可以传输高频信号。一般焊接同轴接头100时，同轴接头100的插针需与传输线300接触，待测射频器件的信号通过传输线300传输到同轴接头100的插针，同轴接头100的插针再将信号传输给矢量网络分析仪。同轴接头100的插针为柱状，横截面一般为圆形，同轴接头100的插针的直径为同轴接头100的中心导体的圆形横截面的直径。

同轴接头100的插针的直径小于微带传输线的宽度，可以保障同轴接头100的插针与微带传输线充分接触，提高信号传输的有效性。

可扩展地，为了提高射频器件测试装置测试结果的准确性，可以对微带传输线的长度进行比较精确的设计。具体地，微带传输线的长度方向是指与待测射频器件和第一同轴接头110之间的信号传输方向平行的方向。微带传输线的长度是根据微带传输线的宽度、电路板210的板材参数和待测射频器件的工作频率得到的。具体地，首先选择电路板210的板材，电路板210的板材参数包括介质基片厚度、介质基片的相对介电常数等，再根据简单经验公式得到微带传输线的宽度，要求为同轴接头100的插针直径小于微带传输线的宽度，然后通过ADS(Advanced Design System，先进设计系统)的LineCacl工具设置待测射频器件的工作频率等参数获取微带传输线的长度。

进一步地，同轴接头100的插针的直径可以为微带传输线的宽度的一半，宽度方向是指与待测射频器件和第一同轴接头110之间的信号传输方向垂直的方向。可以保障同轴接头100的插针与微带传输线充分接触，使信号完整的传输到矢量网络分析仪。

在一个实施例中，第一传输线310和第二传输线320的长度相匹配。其中，第一传输线310和第二传输线320的长度相匹配，可以是第一传输线310和第二传输线320的长度相等，或第一传输线310和第二传输线320的长度之间的差异值在允许误差范围内。差异值可以是差值或比值等。第一传输线310和第二传输线320的长度方向是指与待测射频器件和第一同轴接头110之间信号传输方向平行的方向。

本实施例中，通过设置第一传输线310和第二传输线320的长度相匹配，可以方便误差模型中参数的计算，获得更精准的测试结果。例如，如图2所示，根据图中射频器件测试装置工作时的信号流得到8项误差模型，由于第一传输线310和第二传输线320的长度相等，根据传输网络的性质，可以得出参数S11＝S22，方便求解误差模型中的参数。

在一个实施例中，射频器件测试装置包括校准装置，校准装置用于连接矢量网络分析仪。校准可以是通过建立相应的误差模型，根据误差模型确定误差项，在矢量网络分析仪中通过测试得到误差模型的参数，再经过一系列计算去除误差的过程。校准装置是可以实现这一过程的一种装置。校准后，可以得到更精准的检测数据。校准装置的结构并不是限定，不同结构的校准装置对应不同的校准方法。目前，校准的方法有很多，应用最为广泛的包括SOLT(Short-Open-Load-Thru，短路-开路-负载-直通)校准和TRL(Thru-Reflect-Line，直通-反射-延迟线)校准。在本实施例中，以TRL校准和SOLT校准举例说明，如下：

TRL校准的原理是采用3个S参数已知的校准件来代替待测射频器件，得到直通、反射、延迟线信号流图，分别如图3、图4和图5所示，然后根据图3、图4和图5的信号流图得到3组10个方程，通过解方程得到射频器件测试装置中连接待测射频器件的装置的S参数，最后通过公式T_AT_DUTT_B＝T_M和公式

得到待测射频器件的传输参数T。S参数描述了传输通道的频域特性，例如信号的反射，串扰和损耗，可以直接用矢量网络分析仪测量得到，S参数与T参数之间可以相互转换，根据得到的S参数和T参数可以分析待测射频器件的可靠性。

TRL校准具体校准步骤包括，第一，开展四次测量，得到三个校准件的S参数和待测件夹具的S参数，三个校准件包括直通校准件、反射校准件和延迟线校准件，待测件夹具为射频器件测试装置中的装有待测射频器件的测试装置；第二，将三个校准件S参数转化为T参数；第三步，利用直通校准件、延迟线校准件和反射校准件的T参数进行方程求解；第四步，根据公式T_AT_DUTT_B＝T_M和公式

将T参数转化为待测件夹具的S参数。然后，可以根据得到的待测件夹具的S参数分析待测射频器件的可靠性。

TRL校准方法的优点在于其校准准确度只依赖于传输线的特性阻抗，而不依赖于其他标准，反射系数和传输线标准的长度都可以在校准中由计算获得。

SOLT校准方法要求使用短路校准件、开路校准件、负载校准件和直通校准件，SOLT校准方法使用12项误差修正模型。SOLT校准的基本流程为依次连接短路校准件、开路校准件、负载校准件和直通校准件，分别进行S参数的测量，得到相对简化的方程，通过推导化简求解系统误差项，最后将这些误差项带入误差修正公式完成对待测射频器件测量值的误差修正，得到较为准确的测量结果。SOLT校准方法适用频段范围广，应用广泛。

在一个实施例中，校准装置包括校准电路板、校准传输线和校准同轴接头，校准传输线的两端分别连接不同的校准同轴接头，校准同轴接头的数量为两个，校准同轴接头焊接于校准电路板，并用于连接矢量网络分析仪。

具体地，校准传输线的两端是指校准传输线与其他器件接触的端子。例如，当校准传输线为连续线时，校准传输线的两端包括第一端和第二端，校准传输线的第一端连接第一校准同轴接头，校准传输线的第二端连接第二校准同轴接头。当校准传输线中间断开时，校准传输线的两端是指校准传输线远离断开点的第一端和第二端，其中，远离断开点的第一端连接第一校准同轴接头，远离断开点的第二端连接第二校准同轴接头。

校准同轴接头的数量为两个，校准同轴接头焊接于校准电路板，并用于连接矢量网络分析仪。校准同轴接头焊接于校准电路板，具体可焊接于校准电路板的两端。校准电路板的两端是指校准电路板的两个相对的位置上。例如，当校准电路板的形状为矩形时，校准同轴接头分别焊接在校准电路板的两条相对的边上。第一校准同轴接头焊接于校准电路板的第一端，第二校准同轴接头焊接于校准电路板的第二端。

具体地，矢量网络分析仪通过校准同轴接头将信号发送到校准电路板上的校准传输线，信号在校准传输线中传输和反射，部分信号又通过校准同轴接头被矢量网络分析仪接收，然后矢量网络分析仪测量分析信号得到校准装置的S参数。根据校准装置的S参数可以得到误差模型的参数，再通过解方程得到射频器件测试装置中连接待测射频器件的装置的S参数，从而进一步地分析待测射频器件的可靠性。

在一个实施例中，如图6所示，校准装置包括直通校准件401、反射校准件402和延迟线校准件403，直通校准件401的两端、反射校准件402的两端和延迟线校准件403的两端分别通过不同的通道连接矢量网络分析仪。

其中，直通校准件401、反射校准件402和延迟线校准件403都包括校准电路板、校准传输线和校准同轴接头，校准传输线的两端分别连接不同的校准同轴接头，校准同轴接头焊接于校准电路板，并用于连接矢量网络分析仪。

进一步地，直通校准件401、反射校准件402和延迟线校准件403的校准传输线的长度不同，根据不同长度的校准传输线可以得到不同的误差模型，以建立不同的误差方程，从而求解出误差模型中的参数。长度方向是指与第一校准同轴接头到第二校准同轴接头之间信号传输方向平行的方向。

可以理解，直通校准件401、反射校准件402和延迟线校准件403均具有与外部器件连接的两个端。直通校准件401的两端、反射校准件402的两端和延迟线校准件403的两端分别通过不同的通道连接矢量网络分析仪是指，直通校准件401、反射校准件402和延迟线校准件403分别连接矢量网络分析仪的不同端口。例如，直通校准件401的两端分别连接矢量网络分析仪的第一端口和第二端口，反射校准件402的两端分别连接矢量网络分析仪的第三端口和第四端口，延迟线校准件403的两端分别连接矢量网络分析仪的第五端口和第六端口。

当校准装置采用的是TRL校准时，直通校准件、反射校准件和延迟线校准件具备对应的特点。具体包括：

(1)、直通校准件

直通校准件电气长度可以为0或不为0。当直通校准件电气长度为0时，直通校准件损耗小、反射少。当直通校准件电气长度不为0时，直通校准件的特性阻抗可以与延迟线校准件相同，此时无须测量或控制损耗。

(2)、反射校准件

反射校准件的相位一般在正负90度以内，反射系数接近1，所有端口的反射系数基本相同。

(3)、延迟线校准件

延迟线校准件特性阻抗作为参考阻抗时，系统阻抗定义与延迟线特性阻抗一致。延迟线校准件和直通校准件之间的插入相位差值在20度至160度之间(或-20度至-160度)，相位差值一般取1/4波长或90度。同时，当工作频率范围大于8:1时，即频率跨度与起始频率比值大于8时，可以使用1条以上的延长线，以便覆盖整个频率范围。当工作频率太高时，1/4波长的延迟线物理尺寸很短，加工难度较大。此时，可以选择非0长度的直通，利用两者差值，以增大延迟线的物理尺寸。

在本申请中，为了使矢量网络分析仪的校准端面在待测射频器件两端，采用非零长度直通校准件，直通校准件的校准传输线的长度为待测射频器件两端到同轴接头长度之和。反射校准件和延迟线校准件的长度及其它参数都以直通校准件为基准。

通过上述直通校准件、反射校准件和延迟线校准件的设置，可以设计出比较好的TRL校准装置，提高校准精度。

当校准装置采用的是SOLT校准时，校准装置包括短路校准件、开路校准件、负载校准件和直通校准件。

其中，短路校准件、开路校准件、负载校准件和直通校准件都包括校准电路板、校准传输线和校准同轴接头，校准传输线的两端分别连接不同的校准同轴接头，校准同轴接头焊接于校准电路板，并用于连接矢量网络分析仪。

进一步地，短路校准件、开路校准件、负载校准件和直通校准件的校准传输线的长度不同，长度方向是指与第一校准同轴接头到第二校准同轴接头之间信号传输方向平行的方向。

可以理解，短路校准件、开路校准件、负载校准件和直通校准件均具有与外部器件连接的两个端。短路校准件的两端、开路校准件的两端、负载校准件的两端和直通校准件的两端分别通过不同的通道连接矢量网络分析仪是指，直通校准件、反射校准件和延迟线校准件分别连接矢量网络分析仪的不同端口。例如，短路校准件的两端分别连接矢量网络分析仪的第一端口和第二端口，开路校准件的两端分别连接矢量网络分析仪的第三端口和第四端口，负载校准件的两端分别连接矢量网络分析仪的第五端口和第六端口，直通校准件的两端分别连接矢量网络分析仪的第七端口和第八端口。

进一步地，为了实现SOLT校准，短路校准件、开路校准件、负载校准件和直通校准件具有不同的设置要求，具体包括：短路校准件可以连接到上下两个地平面，以保障短路校准件的工作性能，开路标准件可以将一端的共面传输线悬空，以保障开路校准件的工作性能，负载校准件在射频波段，可以用表面贴片电阻实现良好的负载标准件，以保障负载校准件的工作性能，直通校准件通常用校准电路板与同轴接头之间的一段传输线来实现，以保障直通校准件的工作性能。

在一个实施例中，延迟线校准件数量为两个以上。当延迟线校准件数量为两个以上时，各延迟线校准件的校准传输线均设置在同一个校准电路板上，延迟线校准件的校准同轴接头焊接在校准电路板上。其中，校准同轴接头的数量并不唯一，在本实施例中，校准同轴接头的数量与延迟线校准件的数量的两倍相对应，每个延迟线校准件的校准传输线的两端分别通过不同的校准同轴接头连接矢量网络分析仪，可以减小不同延迟线校准件的校准传输线之间的相互干扰。可以理解，在其他实施例中，各延迟线校准件的校准传输线相互导通，导通后通过两个不同的校准同轴接头连接矢量网络分析仪，以简化结构。

当延迟线校准件数量为两个以上时，多个延迟线校准件的频率范围有重叠部分，从而覆盖更加完整的频率范围。

上述射频器件测试装置包括电路板、传输线和同轴接头，同轴接头包括第一同轴接头和第二同轴接头，第一同轴接头和第二同轴接头分别焊接在电路板两端，且均用于连接矢量网络分析仪，传输线包括第一传输线和第二传输线，第一传输线一端连接第一同轴接头，另一端连接待测射频器件，第二传输线一端连接第二同轴接头，另一端连接待测射频器件，电路板为陶瓷电路板。通过将待测射频器件连接在传输线远离同轴接头的一端，来自待测射频器件的信号通过不同的传输线和同轴接头传输到矢量网络分析仪，实现对待测射频器件可靠性的检测，由于陶瓷电路板的基板材质为陶瓷，在温度高的环境下性能稳定，可以保证测试过程中检测数据的稳定性，从而实现高低温情况下对射频器件进行可靠性测试。

在一个实施例中，提供了一种射频器件测试系统，包括矢量网络分析仪和如上述射频器件测试装置。射频器件测试系统可用来测试射频器件的可靠性。测试过程包括，将射频器件测试装置与待测射频器件置于高低温试验箱中进行不同温度下的射频器件可靠性测试，高低温试验箱的温度范围可以为-20℃～+150℃。例如，待测射频器件可以是BAW芯片，将待测BAW芯片置于射频器件测试装置中，再将BAW芯片和射频器件测试装置置于高低温试验箱，然后与矢量网络分析仪相连接，进行BAW芯片在不同温度下的可靠性测试。

在一个实施例中，射频器件测试装置的阻抗与矢量网络分析仪的阻抗相匹配。阻抗匹配可以有效减少或消除高频信号反射。例如，射频器件测试装置的阻抗与矢量网络分析仪的阻抗可以均为50欧姆，可以使信号在传输过程中损耗较小，减小电磁干扰，从而提高检测的测量精度。

上述射频器件测试系统，首先，通过射频器件测试装置对矢量网络分析仪进行校准，校准后，将待测射频器件焊接于射频器件测试装置，当待测射频器件达到工作频率时，矢量网络分析仪测量分析并显示待测射频器件的信号。本系统能够测试射频器件的可靠性。

为了更好地理解上述实施例，以下结合一个具体的实施例进行详细的解释说明。在一个实施例中，射频器件测试装置包括电路板、传输线、同轴接头和校准装置，电路板为高频印制电路板，传输线为微带传输线，待测射频器件为封装好的BAW芯片。具体步骤包括，首先选用高频PCB板材，通过将板材的参数带入简单经验公式，获得微带传输线宽度和介质基片厚度初值以及两者的比值，最后通过ADS的LineCacl工具设置BAW芯片工作频率等参数获取微带传输线的长度，最终设计出射频器件测试装置的电路板，如图7所示，表示了电路板和传输线的设置关系。此射频器件测试装置为待测射频器件和矢量分析仪之间提供了低损耗的电连接。

进一步地，通过微带传输线的宽度选取同轴接头插针的直径，将同轴接头分别焊接在电路板两端。射频器件测试装置制作好之后，对BAW芯片进行测试的具体过程包括：将需要测试的BAW芯片固定在射频器件测试装置上，并用引线键合的方式电连接两侧微带传输线，之后用TRL校准装置对矢量网络分析仪进行仪器校准，最后将固定有BAW芯片的射频器件测试装置放入高低温试验箱内，两端的同轴接头分别接入矢量网络分析仪，通过调节高低温试验箱的温度，测试芯片在高低温温度下的工作性能。通过上述测试过程，可以为BAW芯片与矢量网络分析仪之间提供连接，使得BAW芯片可以放置在高低温的测试环境下进行测试。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种射频器件测试装置，其特征在于，包括电路板、传输线和同轴接头，所述同轴接头包括第一同轴接头和第二同轴接头，所述第一同轴接头和所述第二同轴接头分别焊接在所述电路板两端，且均用于连接矢量网络分析仪；所述传输线包括第一传输线和第二传输线，所述第一传输线一端连接所述第一同轴接头，另一端连接待测射频器件，所述第二传输线一端连接所述第二同轴接头，另一端连接所述待测射频器件，所述电路板为陶瓷电路板。

2.根据权利要求1所述的射频器件测试装置，其特征在于，所述传输线为微带传输线。

3.根据权利要求2所述的射频器件测试装置，其特征在于，所述同轴接头的插针的直径小于所述微带传输线的宽度。

4.根据权利要求1所述的射频器件测试装置，其特征在于，所述第一传输线的长度和所述第二传输线的长度相匹配。

5.根据权利要求1所述的射频器件测试装置，其特征在于，还包括校准装置，所述校准装置用于连接矢量网络分析仪。

6.根据权利要求5所述的射频器件测试装置，其特征在于，所述校准装置包括校准电路板、校准传输线和校准同轴接头，所述校准传输线的两端分别连接不同的校准同轴接头，所述校准同轴接头焊接于所述校准电路板，并用于连接矢量网络分析仪。

7.根据权利要求5所述的射频器件测试装置，其特征在于，所述校准装置包括直通校准件、反射校准件和延迟线校准件，所述直通校准件的两端、所述反射校准件的两端和所述延迟线校准件的两端分别通过不同的通道连接所述矢量网络分析仪。

8.根据权利要求7所述的射频器件测试装置，其特征在于，所述延迟线校准件的数量为两个以上。

9.一种射频器件测试系统，其特征在于，包括矢量网络分析仪和如权利要求1-8任一项所述的射频器件测试装置。

10.根据权利要求9所述的射频器件测试系统，其特征在于，所述射频器件测试装置的阻抗与所述矢量网络分析仪的阻抗相匹配。

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