WO2005091346A1 - スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置 - Google Patents

スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2005091346A1
WO2005091346A1 PCT/JP2004/003817 JP2004003817W WO2005091346A1 WO 2005091346 A1 WO2005091346 A1 WO 2005091346A1 JP 2004003817 W JP2004003817 W JP 2004003817W WO 2005091346 A1 WO2005091346 A1 WO 2005091346A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
etching
wafer
weight
solution
rate
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/003817
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masato Tsuchiya
Syunichi Ogasawara
Original Assignee
Mimasu Semiconductor Industry Co. Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mimasu Semiconductor Industry Co. Ltd. filed Critical Mimasu Semiconductor Industry Co. Ltd.
Priority to KR1020067011345A priority Critical patent/KR101010532B1/ko
Priority to PCT/JP2004/003817 priority patent/WO2005091346A1/ja
Priority to EP04722390.4A priority patent/EP1729332B1/en
Priority to US10/586,873 priority patent/US7659212B2/en
Priority to JP2006511101A priority patent/JP4364242B2/ja
Priority to CNB2004800414707A priority patent/CN100508133C/zh
Priority to TW094108480A priority patent/TW200539267A/zh
Publication of WO2005091346A1 publication Critical patent/WO2005091346A1/ja
Priority to US12/628,603 priority patent/US20100101726A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching

Definitions

  • the present invention relates to a process in spin etching, for example, a novel method of managing an etching amount and a chemical solution, and a spin-etching apparatus.
  • the chemical solution is usually circulated and used, and as the number of processed wafers increases, the etching rate decreases.
  • the most important management item is the thickness control of the wafer after the etching process. Since the thickness is controlled, it is preferable to measure the thickness of the wafer directly.
  • pattern processing and electrodes are formed on most wafers, and there are also cases where tapes or glass substrates are attached to protect the pattern surface. Under such various conditions, the method of measuring the thickness accurately is very difficult or requires an extremely expensive measuring instrument. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made in view of such a situation of the prior art, and it is possible to realize a uniform etching amount in an etching process even under various conditions of the wafer and to make the thickness between the wafers after the etching uniform.
  • Process control method in spin-etching and spin-etching It is an object to provide a chucking device.
  • An object of the present invention is to carry out weight control of the wafer as a method of controlling the etching amount of the wafer to be constant when spin etching the wafer.
  • the first aspect of the process control method in spin etching according to the present invention ( ⁇ a method for controlling the amount of wafer removed by etching) at a constant rate is as follows:
  • Etching time by T The third step of calculating [In the formula (1), ⁇ . : Etching time (mi ⁇ ), V. : Target etching amount (g), R: Initial value R of etching rate of etching solution to be used.
  • Etch rate of the etchant after etching by R! calculate the [equation (2), R i: etchant the etching rate after etching (g / min), W l : Weno before etching weight ⁇ (g), W 2: Uweha Etchingu of After weight (g), T. : Etching time]
  • etching rate R t of the etching solution after etching consists of a eighth step of determining whether it is within the allowable range
  • the above-described first to seventh steps are performed for the next wafer, while the etching rate is out of the allowable range in the eighth step. If it is determined that, after pouring the poured liquid chemical etchant, was performed a ninth step of returning the etching rate Ichito Ri in etching rate 1 2 near the initial value Ro, The first step to the seventh step are performed for the next wafer.
  • spin-etching can be continuously performed while controlling the etching amount V to be constant.
  • the second aspect of the process control method in spin etching of the present invention (method for controlling the finished weight of a wafer constant) is as follows.
  • the first to eighth steps are performed for the next wafer, while the etching rate in the ninth step is! If ⁇ is out of the permissible range, a pouring solution is added to the etching solution, and its etching rate 1 ⁇ is set to the initial value R. After performing the first 0 step of returning to the etching rate R 2 in the vicinity, characterized in that the so that to implement the first step to the eighth step for the next Ueha.
  • spin-etching can be continuously performed while controlling the finished weight of the wafer to be constant.
  • the etching time T is determined by the equation (1).
  • the initial value R of the etching rate of the etching solution to be used is used as the etching rate R when obtaining the etching time T by the equation (4).
  • Etching rate R after etching or Etching rate R Etching rate of liquid after injection. Is used. Etching of the etchant at the start of use Great initial value R.
  • the confirmation processing of the etching rate R 2 of the pouring liquid chemical to the etching solution poured to etchant returns the etch rate in the vicinity of their initial values after use, dummy as described below It is preferable to perform confirmation measurement by separately providing a measurement step using a wafer.
  • the weight management of the wafer is performed.
  • the method is roughly performed in the following procedure.
  • the weight of the wafer is measured in l / 100 g units, and then a predetermined etching process is performed in the spin-etching section.
  • the weight was measured again in units of 1Z1000g, and the actual etching amount was calculated from the weight subtracted before and after the etching of the wafer, and the etching rate of the etching solution was checked each time. And control the etching time.
  • the first wafer After pouring a new etchant or pouring solution, the first wafer is a dummy wafer. Perform an etching process with a fixed time and check the etching rate. In the processing of the second and subsequent sheets, the change in the etching rate of the etching solution is calculated from the change in the post-etching weight of the wafer, and time control is performed to correct the insufficient etching due to the reduction in the etching rate. The correction of only the extension of the etching time extends the processing time and reduces the productivity, so the maximum correction time or the limit value of the etching rate If it becomes more than that, add a chemical to the chemical circulation system to recover the etching rate.
  • a spin etching apparatus includes a spin etching section for etching a wafer, a chemical liquid circulation tank for storing and circulating an etching liquid, and a chemical liquid supply for supplying an etching liquid from the chemical liquid circulation tank to the spin etching section.
  • a chemical solution recovery line for collecting the etching liquid used in the spin etching section into the chemical solution circulation tank; and a weight measuring section for measuring the weight before and after the etching performed by the spin etching section.
  • the wafer to be etched is transferred to the weight measuring section, the weight of the wafer is measured and then supplied to the spin-etching section, and the etched wafer is transferred from the spin-etching section to the weight measuring section. After measuring its weight, a hand that removes the wafer from the weight measurement unit Characterized in that a ring mechanism.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a process order of the first embodiment of the method of the present invention.
  • FIG. 2 is a flowchart showing another example of the process order of the second embodiment of the method of the present invention.
  • FIG. 3 is a flowchart showing an example of the process sequence of the etching rate confirmation process.
  • FIG. 4 is a block diagram showing one embodiment of the spin-etching apparatus of the present invention.
  • FIG. 5 is a graph showing the etching change characteristics with respect to the number of processed wafers in Example 1.
  • FIG. 6 shows the amount of etching with respect to the number of processed wafers in Example 1, 5 is a graph showing changes in an etching rate and an etching time.
  • FIG. 7 is a graph showing changes in the amount of etching, the etching rate, and the etching time with respect to the number of processed wafers in Example 2.
  • FIG. 8 is a graph showing changes in the post-etching weight and the etching rate with respect to the number of processed wafers in Example 3.
  • a spin etching apparatus 10 has a spin etching section 12 for performing spin etching of wafers.
  • Numeral 14 is a chemical circulation tank for storing and circulating the etching liquid.
  • the etching liquid is supplied from the chemical liquid circulation tank to the spin etching section 12 via a chemical liquid supply line 16, and the etching liquid used in the spin etching section 12 is supplied via a chemical liquid recovery line 18.
  • the liquid is collected in the chemical circulation tank 14.
  • Reference numeral 20 denotes a chemical circulation pump provided in the chemical supply line 16, which is used when the etching liquid is supplied from the chemical circulation tank 14 to the spin-etching unit 12.
  • Reference numeral 2 denotes a chemical storage tank for storing a new etching liquid, which is connected to the chemical circulation tank 14 via a chemical injection pump 24, and injects a new etching liquid into the chemical circulation tank 14 as necessary.
  • Reference numeral 26 denotes a weight measuring unit which measures the weight of the wafer etched by the spin etching unit before and after etching.
  • Reference numeral 28 denotes a handle provided adjacent to the spin-etching section and having a robot hand section 28a.
  • the wafer stored and etched in the load cassette 30 is transferred to the weight measuring section 26 in the loading mechanism section, the weight is measured, and the wafer whose weight before etching is measured is transferred to the spin-etching section.
  • the etched wafer is transferred from the spin-etching section to the weight measuring section 26, and the weight is measured. Moves to load cassette 32 and removes it.
  • Reference numeral 34 denotes a control unit composed of a computer or the like, which is electrically connected to the spin etching unit 12, the weight measurement unit 26, the handling mechanism unit 28, and the chemical solution injection pump 24. The necessary control of each member is performed by exchanging signals.
  • the control section 34 exchanges signals with the handling mechanism section 28 to transfer the weight from the load cassette 30 to the weight measurement section.
  • the robot hand unit 28 a of 28 is driven to perform the operation.
  • the control unit 34 controls the work of measuring the weight of the wafer in the weight measurement unit 26 by exchanging signals with the weight measurement unit 26, and transmits the weight data signal from the weight measurement unit 26. Receive.
  • control section 34 controls the etching operation (etching time, rinsing time, drying time, etc.) by exchanging signals with the spin etching section 12.
  • the control unit 34 calculates the etching rate from the difference between the etching time and the wafer weight before and after the etching.
  • etching rate 34 has a function of comparing the calculated etching rate with a predetermined initial value of the etching rate to determine whether or not the etching rate is within an allowable range. Has an etching rate In order to return the value to near the initial value, a chemical solution injection signal is issued to the chemical solution injection pump 24 to cause a predetermined amount of chemical solution to be injected into the chemical solution circulation tank 14. In addition,
  • the dummy wafer is etched.
  • the above-described load cassette 30 or unload cassette 32 is replaced with a dummy wafer platform, and other members are the same.
  • the etching process can be performed similarly.
  • the first embodiment is a method for controlling the amount of wafer removed by etching (FIG. 1)
  • the second embodiment is a method for uniformly controlling the finished weight of wafer (FIG. 2).
  • the first embodiment of the process control method in the spin-etching of the present invention using the above-described spin-etching apparatus of the present invention (method of controlling the wafer etching amount to be constant) will be described with reference to FIG.
  • a process for confirming the etching rate R of the etchant to be used is performed (preliminary step, step 100).
  • This etching rate confirmation process will be described in detail later.
  • Force S initial value R of etching solution used.
  • NOTE etching rate R 2 of the pressurizing liquid chemical Etsu quenching liquid was poured measuring confirmation.
  • a wafer to be spin-etched is prepared and set on the load cassette 30. As shown in FIG. 1, one wafer is taken out from the load cassette 30 (first step, step 102). The wafer is transferred to the weight measuring section 26 by the robot hand section 28a, and the weight before etching is measured (second step, step 104).
  • T. Etching time (mi ⁇ ), V. : Target etching amount (g), R: etching rate of etching solution to be used (g / min)].
  • this etching rate R is the initial value R of the etching solution used.
  • a etching rate Ichito 1 2 was poured etch Ngureto R or poured for chemical etching solution after etching the etching solution.
  • the etching time T calculated by transferring the wafer to the spin etching unit 12 by the robot hand unit 28a is calculated. Only the wafer is subjected to spin etching, and predetermined rinsing and drying are performed.
  • the spin-etching process (the fourth step, step 108) including the spin-etching, rinsing, and drying processes is shown.
  • Step 1 1 Measure the weight W 2 after etching to transfer the Ueha making this Supinetsuchingu process the weight measurement unit 2 6 by robot Tohando 2 8 a (fifth step, Step 1 1 0).
  • the control unit 34 calculates the etching rate of the etching solution after the etching process by the following equation (2) (the sixth step, step 112).
  • etching rate (g / min) of the etching solution after etching W l : weight before etching (g) of the wafer, W 2 : weight (g) after etching of the wafer, TQ: etching time].
  • the etched wafer is housed in the unloading cassette 32 by means of the robot and the handle 28a (the seventh step, step 114).
  • the control unit 34 determines whether or not the calculated etching rate is within a predetermined allowable range of the etching rate (eighth step, step 118). In the eighth step, when it is determined that the calculated etching rate RE is within the allowable range (YES), the first to seventh steps are performed for a new next wafer.
  • the etching liquid stored in the chemical circulation tank 14 is poured into the etching liquid (new etching liquid). ) And set the etching rate R to the initial value R. Back to the etching rate R 2 in the vicinity (the ninth step, Step 1 2 0). Then, the first to seventh steps described above are performed for the new next wafer.
  • the etching rate R 2 is, as described above, is determined by the etching rate confirmation treatment, the etching rate R 2 is used as the etching rate R which in formula (1). As shown in FIG.
  • step 116 when an end determination step (step 116) is provided between the seventh step (step 114) and the eighth step (step 118), and the next etching is performed. In this case, it is preferable to move to the eighth step (step 118) and to terminate the operation if the next etching is not performed.
  • a second embodiment (a method for controlling the finished weight of wafers) at a constant level in the process of spinning according to the present invention using the spinjetting apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.
  • a process of confirming the etching rate R of the etchant to be used is performed (preliminary process, step 100).
  • a wafer to be spin-etched is prepared and set on the load cassette 30.
  • one wafer is taken out of the load cassette 30 (first step, step 102).
  • the wafer is transferred to the weight measuring section 26 by the robot hand section 28a, and the weight before etching is obtained.
  • Measure 3 (second step, step 104).
  • the controller 34 calculates the etching amount V for the wafer by the following equation (3) (third step, step 105).
  • V W X — W 0 (3)
  • V etching amount (g)
  • W 1 Etsu quenching before the weight of Uweha (g)
  • W Q Finishing weight Ueha, i.e. weight after E Tsuchingu a target].
  • the control unit 34 calculates the etching time T for the wafer from the etching rate R of the etching solution to be used and the etching amount V by the following formula (4) (fourth step, step 106).
  • T etching time (min)
  • V etching amount (g)
  • R etching rate of the used etching solution (g / min)].
  • the etching rate R is the initial value R of the etching solution used.
  • the etching rate of the etching solution after etching 1, R! Or pouring drug solution is an etching rate R 2 of the pouring the etchant.
  • the wafer is transferred to the spin etching section 12 by the robot node section 28a, and spin etching is performed on the wafer for the calculated etching time T, and a predetermined rinsing and drying process is performed. I do.
  • the spin-etching process (the fifth step, step 108) including the spin-etching, rinsing, and drying processes is shown.
  • the control unit 34 determines whether the calculated etching rate is within a predetermined allowable range of the etching rate (ninth step, step 118). In the ninth step, when it is determined that the calculated etching rate Ri is within the allowable range (YES), the first to eighth steps are performed for a new next wafer. On the other hand, if it is determined in the ninth step that the etching rate R is out of the permissible range (NO), the etching liquid stored in the chemical circulation tank 14 is added to the etching liquid (new etching liquid). Solution) and set the etching rate R i to the initial value R. Back to the etching rate R 2 in the vicinity (the first 0 step, Step 1 2 0).
  • the etching rate R 2 is, as described above, is determined by the etching rate over preparative confirmation process (Step 1 0 0), the etching rate one sheet 1 2 is an etching rate R in the formula (4) Used.
  • an end judgment step step 116) is provided between the eighth step (step 114) and the ninth step (step 118), and the next etching is performed. If so, it is preferable to move to the ninth step (step 118), and to end the work if the next etching is not performed. is there.
  • the process of confirming the etching rate of the etching solution used (the initial value R of the etching solution used; and the etching rate R 2 of the etching solution into which the injection chemical solution is injected) will be described with reference to FIG.
  • the dummy wafer is transferred to the spin-etching section 12 by the robot node section 28a and has a predetermined etching time t. Only this wafer is subjected to spin etching, and a predetermined rinse and drying treatment are performed.
  • the above prescribed etching time t. May be appropriately set within a range of about 10 seconds to 100 seconds.
  • the spin etching process (the third step, step 204) including the spin etching, rinsing, and drying processes is shown.
  • the wafer having been subjected to the spin-etching process is transferred to the weight measuring section 26 by the mouth bob node section 28a (the fourth step, step 206), and the weight after the etching is performed.
  • W 2 is measured (step 5, step 2 0 8).
  • the etching rate r of the etching solution is obtained. Is calculated by the following equation (6) (the sixth process, step 2 1 0).
  • ro etching rate of the etching solution (g / min), D: weight of the dummy wafer before etching (g), D 2 : weight of the dummy wafer after etching (g), t. : Etching time].
  • the jetted enemy is transferred to the dummy pedestal by the robot node part 28a (the seventh step, step 211).
  • the etching rate confirmation processing ends.
  • the weight D 2 of Damiuweha is determined to be out of the specified value (NO) in the eighth step, to generate an exchange request signal Damiu Doha used (the ninth step, Step 2 1 6).
  • the calculated etching rate r Is the initial value of the etching rate R if the etchant is at the start of use. The initial value is R when the injection liquid is added. It may be used as Etchingureto R 2 in the vicinity.
  • the target etching amount was 20 ⁇ (1.444 g).
  • the etching time was fixed to 64 seconds for 10 silicon wafers one by one, and spin-etching was performed.
  • the amount (g) and the etching rate (g / min) were measured for each processing wafer, and the results are shown in Table 1 and FIG. As is clear from the results of Table 1 and FIG. 5, the etching rate decreases as the number of wafers processed increases (the etching rate after the 10th wafer processing is 1.356 (g / min)). ), It was confirmed that the etching amount also decreased in proportion to the decrease of the etching rate.
  • the wafer N 0.0 in Table 1 is a dummy wafer.
  • the etching rate R ⁇ in the eighth step (step 118) was determined to be within the allowable range, and no injection liquid was injected.
  • An etching amount (g), an etching rate (g / min) and an etching time (sec) were measured for each of the treated wafers, and the results are shown in Table 2 and FIG. As shown in Table 2 and FIG. 6, it was found that when the etching rate was lowered, the etching time was automatically extended and the etching amount could be controlled to be substantially constant.
  • the etching rate after spin-etching of the tenth wafer in this example was 1.229 (g / min).
  • step 100 the process of confirming the etching rate (step 100) in FIG. 1 was performed using a dummy wafer. did.
  • the etching rate of this chemical replenishment etching solution was increased to 1.668 (g / min).
  • step 102 the first step (step 102) to the seventh step (step 114) of the flowchart of FIG. 1 were repeated 10 times to etch 10 wafers. Replenishment injection of the injection solution was not performed during the 10 etching treatments.
  • the etching amount (g), the etching rate (g / min) and the etching time (sec) were measured for each of the treated wafers, and the results are shown in Table 3 and FIG. As shown in Table 3 and FIG. 7, it has been found that when the etching rate is lowered, the etching time is automatically extended and the etching amount can be controlled to be substantially constant.
  • the etching rate after spin etching of the tenth wafer in this example was 1.523 (g / min).
  • “No. A No. 0” is a dummy No. Table 3
  • the etching amount can be made uniform in the etching process even when wafers under various conditions are used, and the thickness between the wafers after etching can be made uniform.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本発明は、さまざまな条件のウェーハでもエッチング処理でのエッチング量の均一化を実現できるとともにエッチング後のウェーハ間の厚さを均一にすることができるようにしたスピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置を提供する。本発明は、まずエッチング処理する前にウェーハの重量測定を１／１０００ｇ単位で測定し、次にスピンエッチング部で所定のエッチング処理を行う。次いでウェーハのリンス乾燥処理の後に再度１／１０００ｇ単位での重量測定を行い、ウェーハのエッチング前後の差し引き重量から実際のエッチング量を算出しエッチング液のエッチングレートを毎回確認しエッチング時間を制御するようにした。

Description

スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置
技術分野
明
本発明は、 ス ピンエッチングにおける工程、 例えば、 エッチング量 と薬液の新規な管理方法及びスピンェツチング装置に関する。
田 背景技術
近年のディパイス加工においてチップの機械的強度向上や電気的熱 的特性の向上を目的と したスピンエツチング装置によるゥヱーハのゥェ ッ トエッチング処理が多用される状況となって来ている。 また、 ゥエツ トエッチングでは薬液の循環利用が通例でゥエーハの処理枚数が増加す るに従いエッチングレートの低減が発生してしまう。 この際の管理項目 としてエッチング処理後のゥヱーハの厚み管理が最も重要な管理項目と なる。 厚み管理であるので直接ゥエーハの厚みを計測する方法が良い。 しかし、 この工程ではほとんどのゥエーハにパターン処理や電極が形成 されており更にパターン面保護の為テープやガラス基板が貼られている ケースも有る。 この様なさまざまな条件の中で厚みを精度良く計測する 方法は非常に難しく又は非常に高価な計測器を必要とする事となる。 発明の開示
本発明は、 この様な従来技術の状況に鑑みなされたもので、 さまざま な条件のゥエーハでもエッチング処理でのエッチング量の均一ィ匕を実現 できるとともにエッチング後のゥエーハ間の厚さを均一にすることがで きるようにしたスピンェツチングにおける工程管理方法及びス ピンェッ チング装置を提供することを目的とする。
本発明の眼目は、 ゥエーハのスピンエッチングを行うに際して、 ゥヱ ーハのエッチング量を一定に管理する手法としてゥエーハの重量管理を 実施する点にある。 このゥヱーハのエッチング量の管理方法と しては、 ェツチングで取り去る量を一定に管理する方法とゥヱーハの仕上がり重 量を一定に管理する方法との 2種類がある。
本発明のスピンェツチングにおける工程管理方法の第 1の態様 （ゥ エーハのエッチングで取り去る量を一定に管理する方法） は、
( a ) ロードカセッ トからゥエーハを 1枚取り出す第 1工程と、
( b ) ゥエーハのエッチング前重量 を測定する第 2工程と、
( c ) T。= V 0 ÷ R ( 1 )
によってエッチング時間 T。を算出する第 3工程 〔式 （ 1 ) において、 Τ。： エッチング時間 （m i η ) 、 V。： 目標とするエッチング量 （ g ) 、 R ： 使用するエッチング液のエッチングレートの初期値 R。、 エッチ ング後のエッチング液のエッチングレート R 又は注加用薬液を注加し たエッチング液のエッチングレート R 2 ( g / m i n ) 〕 と、
( d ) 当該ゥエーハのエッチング処理を上記算出された T。時間行う第 4工程と、
( e ) 当該ゥヱーハのエッチング後重量 W2を測定する第 5工程と、 ( f ) R : = ( W「W2) ÷ T。 （ 2 )
によってエッチング後のエッチング液のエッチングレー ト R！を算出す る第 6工程 〔式 （ 2 ) において、 R i： エッチング後のエッチング液の エッチングレート ( g / m i n ) 、 W l ： ゥェーノヽのエッチング前重量 ( g ) 、 W2： ゥヱーハのェッチング後重量 （ g ) 、 T。： エツチング時 間〕 と、
( g ) ェツチングされたゥ ーハを収納する第 7工程と、 ( h ) エッチング後のエッチング液のエッチングレート Rtが許容範囲 内であるか否かを判定する第 8工程とからなり、
第 8工程においてエッチングレート Riが許容範囲内であると判定された 場合には、 次のゥエーハについて前記第 1工程〜第 7工程を実施し、 ― 方、 第 8工程においてエッチングレート が許容範囲外であると判定さ れた場合には、 エッチング液に注加用薬液を注加し、 そのエッチングレ 一ト Riを初期値 Ro近傍のエッチングレート1 2に戻す第 9工程を実施し た後、 次のゥエーハについて前記第 1工程〜第 7工程を実施するように したことを特徴とする。 本発明方法の第 1の態様によれば、 エッチング 量 Vを一定に管理してスピンェツチングを連続的に実施する ことができ る。
本発明のスピンエッチングにおける工程管理方法の第 2の態様 （ゥェ ーハの仕上がり重量を一定に管理する方法） は、
( a ) ロードカセッ トからゥヱーハを 1枚取り出す第 1工程と、
( b ) ゥヱーハのエッチング前の重量 を測定する第 2工程と、
( c ) V =W「 W。 （ 3 )
によってエッチング量 Vを決定する第 3工程 〔式 （ 3 ) において、 V ： エッチング量 （ g ) 、 Wx： ゥエーハのエッチング前重量 （ g ) 、 W。 ： ゥエーハの仕上げ重量、 即ち目標とするエッチング後重量 （ g ) 〕 と、 ( d ) T = V÷R (4)
によってエッチング時間 Tを算出する第 4工程 〔 （式 （ 1 ) において、 Τ ： エッチング時間 （ m i η ) 、 V ： 目標とするエッチング量 （ g ) 、 R ：使用するエッチング液の初期値 R。、エッチング後のェッチング液の エッチングレート R i又は注カロ用薬液を注加したエツチング液のエッチ ングレー ト R 2 ( ( g/m i n) ) と、
( e ) 当該ゥエーハのエツチング処理を上記算出された T 時間行う第 5工程と、
( f ) 当該ゥエーハのエッチング後の重量 W2を測定する第 6工程と、
( g ) (W「W2) ÷T ( 5 )
によってエッチング後のエッチング液のエッチングレート R iを算出す る第 7工程 〔式 （ 2 ) において、 R,： エッチング後のエツチング液の エッチングレート ( g Zm i n ) 、 W1 ： ゥエーノヽのエッチング前重量
( g ) 、 W2： ゥエーハのエッチング後重量 （ g ) 、 T ： エツチング時 間〕 と、
(h) エッチングされたゥヱーハを収納する第 8工程と、
( i ) エッチング後のエッチング液のエッチングレー ト Riが許容範囲 内であるか否かを判定する第 9工程とからなり、
第 9工程においてエッチングレー ト が許容範囲内であると判定され た場合には、 次のゥヱーハについて前記第 1工程〜第 8工程を実施し、 一方、 第 9工程においてエッチングレー ト！^が許容範囲外であると判 定された場合には、 エッチング液に注加用薬液を注加し、 そのエツチン グレー ト 1^を初期値 R。近傍のエッチングレート R 2に戻す第 1 0工程 を実施した後、 次のゥエーハについて前記第 1工程〜第 8工程を実施す るようにしたことを特徴とする。 本発明方法の第 2の態様によれば、 ゥ エーハの仕上がり重量を一定に管理してスピンェツチングを連続的に実 施することができる。
本発明方法の第 1の態様の第 3工程において、 式 （ 1 ) によってエツ チング時間 T。を求める際、 又は第 2の態様の第 4工程において式 （4 ) によってエッチング時間 Tを求める際のエッチングレート Rと しては 、 使用するエッチング液のエッチングレー トの初期値 R。、 エッチング 後のエッチングレー ト R 又は注加薬液を注加したエツチング、液のエツ チングレー ト R。を用いる。 この使用開始時のエッチング液のエツチン グレートの初期値 R。及び/又は使用後のエッチング液に対して注加用 薬液を注加してそのエッチングレー トを初期値近傍に戻したエッチング 液のエッチングレート R 2の確認処理については、 後述するようにダミ ーゥ ーハを用いる測定工程を別途設けることによつて確認測定するの が好ましい。
前記した使用開始時のエッチング液のエッチングレー トの初期値 R。 及び/又は使用後のエッチング液に対して注加用薬液を注加してそのェ ッチングレートを初期値近傍に戻したエッチング液のエッチングレ一ト R 2の確認処理としては、
( a ) ダミーゥエーハ乗台からダミーゥエーハを 1枚取り出す第 1工程 と、
( b ) ダミーゥヱーハのエッチング前重量 を測定する第 2工程と、 ( c ) 当該ダミーゥエーハのエッチング処理を所定時間 t。行う第 3ェ 程と、
( d ) 当該ダミーゥ ーハのエッチング後重量 D 2を測定する第 4工程 と、
r o = ( D「 D 2) ÷ t。 （ 6 )
によってエッチング後のエッチング液のエッチングレート r。を算出す る第 5工程 〔式 （ 2 ) において、 r。： エッチング後のエッチング液の エッチングレート （ g / m i n ) 、 D t： ダミーゥエーハのエッチング 前重量 （ g ) 、 D 2： ダミーゥエーハのエッチング後重量 （ g ) 、 t 0 : エッチング時間〕 と、
( g ) エッチングされたダミーゥヱ ^ハをダミ一ゥヱーハ乗台に移載す る第 7工程と、
( h ) エッチング後のダミーゥヱーハの重量が規定値内であるか否かを 判定する第 8工程とからなり、 第 8工程においてダミーゥエーハの重量が規定値内であると判定された 場合には、 エッチングレート確認処理を終了し、 一方、 第 8工程におい てダミーゥ ーハ重量が規定値外であると判定された場合には、 使用し たダミーゥエーハの交換要求信号を発生する第 9工程を実施した後、 ェ ツチングレート確認処理を終了するように構成すれば、 後述する本発明 のスピンエッチング装置にダミーゥエーハを適用することによって必要 なエッチングレートを求めることが可能となる。 なお、 使用したダミー ゥエーハの交換要求信号が出された場合は、 使用したダミーゥ ーハは 使用に適さなくなっているので、 次の測定時には別のダミーゥエーハを 使用することとなる。
本発明方法においては、 ゥエーハのエッチング量を一定に管理する 方法としてゥエーハの重量管理を実施するものであり、 概略的にいえば、 次のような手順で行われる。
まずェツチング処理する前にゥヱーハの重量測定を l / 1 0 0 0 g単 位で測定し、 次にス ピンェツチング部で所定のェツチング処理を行う。 次いでゥヱーハのリ ンス乾燥処理の後に再度 1 Z 1 0 0 0 g単位での重 量測定を行い、 ゥエーハのエッチング前後の差し引き重量から実際のェ ツチング量を算出しエッチング液のエッチングレートを毎回確認しエツ チング時間を制御する。
新しいエッチング液、 または、 注加用薬液の注加後の最初の 1枚は ダミーゥヱーハで、 時間を固定したエッチング処理を行い、 エッチング レートを確認する。 2枚目以降の処理においては、 エッチング液のエツ チングレートの変化を前記したゥエーハのエッチング後重量の変化から 算出し時間制御を行い、 エッチングレート低減分のエッチング不足を補 正する。 エッチング時間の延長のみの補正では処理時間の延長となり生 産性の低減となるため補正時間の最大値又はエッチングレー トの限界値 を決め、 それ以上になる場合には薬液循環系に注加用薬液の注加を行い エッチングレートの回復を行う。
本発明のスピンエッチング装置は、 ゥヱーハをエッチングするスピン エッチング部と、 エッチング液を貯留循環する薬液循環タンクと、 この 薬液循環タンクからのェツ ング液を前記スピンェツチング部に供給す る薬液供給ラインと、 前記スピンエッチング部において使用されたエツ チング液を前記薬液循環タンクに回収する薬液回収ラインと、 前記スピ ンェツチング部でェツチングされるゥヱ一ハのェツチング前後の重量を 測定する重量測定部と、 エッチングされるゥエーハを前記重量測定部に 移載しその重量を測定した後前記スピンェツチング部に供給しかつエツ チングされたゥヱーハをこのスピンェツチング部から前記重量測定部に 移載してその重量を測定した後この重量測定部から当該ゥエーハを取り 除く作用を行うハンドリング機構部からなることを特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明方法の第 1の態様の工程順の 1例を示すフローチヤ一 トである。
図 2は、 本発明方法の第 2の態様の工程順の他の例を示すフローチヤ ートである。
図 3は、 エッチングレー ト確認処理の工程順の 1例を示すフローチヤ 一 トである。
図 4は、 本発明のスピンェツチング装置の一つの実施の形態を示す ブロック図である。
図 5は、 実施例 1における処理ゥヱーハ枚数に対するエッチング変 化特性を示すグラフである。
図 6は、 実施例 1 における処理ゥヱーハ枚数に対するエッチング量、 エッチングレート及びェツチング時間の変化を示すグラフである。
図 7は、 実施例 2における処理ゥエーハ枚数に対するエッチング量、 エッチングレート及ぴェツチング時間の変化を示すグラフである。
図 8は、 実施例 3 における処理ゥヱーハ枚数に対するエッチング後 重量及ぴェツチングレートの変化を示すダラフである。 発明を実施するための最良の形態
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明するが、 図示例 は例示的に示されるもので、 本発明の技術思想から逸脱しない限り種々 の変形が可能なことはいうまでもない。
まず、 本発明のスピンェツチング装置について図 4を用いて説明する 。 図 4において、 本発明に係るスピンエッチング装置 1 0は、 ゥエーハ のスピンエッチングを行うス ピンエッチング部 1 2を有している。 1 4 はエツチング液を貯留循環する薬液循環タンクである。 エツチング液は 、 この薬液循環タンクから薬液供給ライン 1 6を介して前記スピンエツ チング部 1 2に供給され、 また前記スピンエッチング部 1 2において使 用されたェツチング液は薬液回収ライン 1 8を介して前記薬液循環タン ク 1 4に回収される。 2 0は薬液供給ライン 1 6に設けられた薬液循環 ポンプで、 薬液循環タンク 1 4からスピンェツチング部 1 2へェッチン グ液を供給する際に用いられる。 2 2は新しいエッチング液を貯留する 注加薬液タンクで、 薬液注加ポンプ 2 4を介して薬液循環タンク 1 4に 接続されており、 必要に応じて薬液循環タンク 1 4に新しいェツチング 液を注加する。
2 6は重量測定部で、 前記スピンェツチング部でェツチングされるゥ エーハのエッチング前後の重量を測定する。 2 8は前記スピンエツチン グ部に隣接して設けられかつロボッ トハンド部 2 8 a を有するハンドリ ング機構部で、 ロードカセッ ト 3 0に収納されかつエッチングされるゥ ヱーハを前記重量測定部 2 6に移载して重量を測定し、 そのエッチング 前の重量を測定したゥエーハを前記スピンェツチング部 1 2に供給する 作用を行う とともに、 エッチングされたゥエ ーハをこのスピンエツチン グ部から前記重量測定部 2 6に移載して重量を測定し、 そのエッチング 後の重量を測定したゥエーハをアンロードカセッ ト 3 2に移動させて取 り除く作用を行う。
3 4はコンピュータ等によつて構成される制御部で、 スピンエツチン グ部 1 2、 重量測定部 2 6、 ハンドリ ング機構部 2 8及び薬液注加ボン プ 2 4にそれぞれ電気的に接続されており、 信号のやり と りを行うこと によって各部材の必要な制御を行う。 この制御部 3 4は、 ハンドリ ング 機構部 2 8との信号のやり と りで、 ロードカセッ ト 3 0から重量測定部
2 6、 重量測定部 2 6からスピンエツチング部 1 2、 スピンエッチング 部 1 2から重量測定部 2 6及ぴ重量測定部 2 6からアンロードカセッ ト 3 2へのゥエーハの各移動をハンドリング機構部 2 8のロボッ トハンド 部 2 8 aを駆動させて行わせる。 また、 制御部 3 4は、 重量測定部 2 6 との信号のやり と りで、 重量測定部 2 6におけるゥエーハの重量測定作 業の制御を行う とともに重量測定部 2 6からの重量データ信号を受信す る。
さらに、 制御部 3 4は、 スピンエッチング部 1 2との信号のやり とり によって、 ェツチング作業 (エッチング時間、 リ ンス時間及び乾燥時間 等） の制御を行う。 この制御部 3 4において、 エッチング時間とエッチ ング前後のゥエーハ重量の差からエッチングレートを算出する。 制御部
3 4は、 この算出されたエッチングレートが予め定めされたエッチング レートの初期値と比較して許容範囲内か否かを判断する機能を備えてお り、 エッチングレートが許容範囲外となった場合にはエッチングレート を初期値近傍に戻すために薬液注加ポンプ 2 4に対して薬液注加信号を 出して薬液循環タンク 1 4に対する所定量の薬液注加を行わせる。 なお
、 後述するダミーゥエーハを用いるエッチングレート確認処理において はダミーゥエーハをエッチング処理するが、 この場合は、 上記したロー ドカセッ ト 3 0又はアンロードカセッ ト 3 2をダミーゥエーハ乗台に置 換しその他の部材は同様の構成を用いることによって同様にエッチング 処理を行うことができる。
続いて、 本発明のスピンエッチングにおける工程管理方法について説 明する。 本発明方法におけるエツチング量の管理方法としては 2つの態 様がある。 第 1の態様はゥ ーハのエッチングで取り去る量を一定に管 理する方法 （図 1 ) であり、 第 2の態様はゥエーハの仕上がり重量を一 定に管理する方法 （図 2 ) である。
上記した本発明のス ピンェツチング装置を用いた本発明のス ピンェ ツチングにおける工程管理方法の第 1の態様 （ゥヱーハのエッチング量 を一定に管理する方法） について図 1を用いて説明する。 まず、 使用す るエッチング液のエッチングレート Rの確認処理を行う （予備工程、 ス テツプ 1 0 0 ) 。 このエッチングレー ト確認処理は後に詳細に説明する 力 S、 使用するエッチング液の初期値 R。又は注加用薬液を注加したエツ チング液のエッチングレー ト R 2を測定確認する。 一方、 スピンエッチ ングの対象となるゥエーハを準備し、 ロードカセッ ト 3 0にセッ トして おく。 図 1に示されるように、 このロードカセッ ト 3 0力 らゥエーハを 1枚取り出す （第 1工程、 ステップ 1 0 2 ) 。 このゥエーハをロボッ ト ハンド部 2 8 aによって重量測定部 2 6に移載してエッチング前の重量 を測定する （第 2工程、 ステップ 1 0 4 ) 。
使用するエッチング液のエッチングレー ト R及び目標とするエッチ ング量 V。から制御部 3 4においてこのゥエ ーハに対するェツチング時 間 T。を下記式 （ 1 ) によって算出する （第 3工程、 ステップ 1 0 6 )
T0 = V。÷R ( 1 )
〔式 （ 1 ) において、 T。 ： エッチング時間 （m i η ) 、 V。 ： 目標と するエッチング量 （ g ) 、 R ： 使用するエッチング液のエッチングレー ト （ g /m i n) 〕 。 このエッチングレー ト Rを具体的に言えば、 使用 するエッチング液の初期値 R。、 エッチング後のエッチング液のエッチ ングレート R 又は注加用薬液を注加したエッチング液のエッチングレ 一ト 1 2である。 次に、 このゥエーハをロボッ トハンド部 2 8 a によつ てスピンエッチング部 1 2に移載して算出されたエッチング時間 T。だ けこのゥエーハに対するスピンエッチングを行い、 所定のリンス及び乾 燥処理を行う。 図 1のフローチャートでは、 スピンエッチング、 リ ンス 、 及び乾燥処理を含めてスピンエッチング処理 （第 4工程、 ステップ 1 0 8) として示した。
このスピンェツチング処理を行ったゥエーハをロボッ トハンド部 2 8 a によって重量測定部 2 6に移載してエッチング後の重量 W2を測定す る （第 5工程、 ステップ 1 1 0 ) 。 エッチング前のゥエーハ重量 、 エッチング後のゥエーハ重量 W2及び上記したエツチング時間 T。から制 御部 3 4においてエツチング処理後のェッチング液のエッチングレー ト を下記式 （ 2 ) によって算出する （第 6工程、 ステップ 1 1 2 ) 。
R！ = (W「 W2) ÷T。 ( 2 )
〔式 （ 2 ) において、 ： エッチング後のエッチング液のエッチング レー ト （ g /m i n) 、 Wl ： ゥエーハのエッチング前重量 ( g ) 、 W2 ： ゥヱ一ハのエツチング後重量 （ g ) 、 T Q ： エッチング時間〕 。 この エッチングしたゥエーハをロボッ 卜ノ、ンド部 2 8 aによってアンロード カセッ ト 3 2に収納する （第 7工程、 ステップ 1 1 4 ) 。 上記算出したエッチングレート が予め定めたエッチングレートの 許容範囲内であるか否かを制御部 3 4において判定する （第 8工程、 ス テツプ 1 1 8 ) 。 第 8工程において、 この算出したエッチングレー ト R ェが許容範囲内である （Y E S ) と判定された場合は、 新しい次のゥェ ーハについて上記第 1工程〜第 7工程を実施する。 一方、 第 8工程にお いてエッチングレート Rェが許容範囲外である （N O ) と判定された場 合は、 薬液循環タンク 1 4に貯留されたエッチング液に注加用薬液 （新 しいエッチング液） を注加し、 そのエッチングレート R を初期値 R。 近傍のエッチングレート R 2に戻す （第 9工程、 ステップ 1 2 0 ) 。 そ して、 新しい次のゥエーハについて上記第 1工程〜第 7工程を実施する 。 この場合エッチングレート R 2は、 前述したように、 エッチングレー ト確認処理によって測定され、 このエッチングレート R 2が式 （ 1 ) に おけるエッチングレート Rと して用いられる。 なお、 図 1に示したよう に、 第 7工程 （ステップ 1 1 4 ) と第 8工程 （ステップ 1 1 8 ) の間に 終了判定工程 （ステップ 1 1 6 ) を設け、 次のエッチングを行う場合に は第 8工程 （ステップ 1 1 8 ) に移行し、 次のエッチングを行わない場 合には作業を終了するように構成するのが好適である。
次に、 上記した本発明のスピンェツチング装置を用いた本発明のスピ ンェツチングにおける工程管理方法の第 2の態様 （ゥエーハの仕上がり 重量を一定に管理する方法） について図 2を用いて説明する。 まず、 図 1の工程の場合と同様に、 使用するエッチング液のエッチングレート R の確認処理を行う （予備工程、 ステップ 1 0 0 ) 。 一方、 スピンエッチ ングの対象となるゥエーハを準備し、 ロードカセッ ト 3 0にセッ トして おく。 図 2に示されるように、 このロードカセッ ト 3 0からゥエーハを 1枚取り出す （第 1工程、 ステップ 1 0 2 ) 。 このゥエーハをロボッ ト ハンド部 2 8 aによって重量測定部 2 6に移載してエッチング前の重量 3 を測定する （第 2工程、 ステップ 1 0 4 ) 。
上記ゥエ ーハのエツチング前重量 W 1及び仕上げ重量 W。から制御部 3 4においてこのゥヱーハに対するエッチング量 Vを下記式 （ 3 ) によ つて算出する （第 3工程、 ステップ 1 0 5 ) 。
V =WX— W0 ( 3 )
〔式 （ 3 ) において、 V ： エッチング量 （ g ) 、 W 1 ： ゥヱーハのエツ チング前重量 （ g ) 、 WQ ： ゥエーハの仕上げ重量、 即ち目標とするェ ツチング後重量〕 。
使用するエッチング液のエッチングレー ト R及び上記エッチング量 Vから制御部 3 4においてこのゥエーハに対するエッチング時間 Tを下 記式 （4 ) によって算出する （第 4工程、 ステップ 1 0 6 ) 。
T = V÷R ( 4 )
〔式 （ 4 ) において、 T ： エッチング時間 （ m i n ) 、 V ： エッチング 量 ( g ) 、 R : 使用するエッチング液のエッチングレー ト （ g /m i n ) 〕 。 このエッチングレー ト Rを具体的に言えば、 使用するエッチング 液の初期値 R。、 エッチング後のエッチング液のエッチングレー 1、 R！ 又は注加用薬液を注加したエッチング液のエッチングレー ト R 2である 。 次に、 このゥエーハをロボッ トノヽンド部 2 8 aによってスピンエッチ ング部 1 2に移載して算出されたエッチング時間 Tだけこのゥエーハに 対するスピンェッチングを行い、 所定のリ ンス及び乾燥処理を行う。 図 2のフローチャートでは、 スピンエッチング、 リ ンス、 及び乾燥処理を 含めてスピンェツチング処理 （第 5工程、 ステップ 1 0 8 ) と して示し た。
このスピンエツチング処理を行ったゥェ一ハをロボッ トハンド部 2 8 a によつて重量測定部 2 6に移載してェツチング後の重量 W2を測定す る （第 6工程、 ステップ 1 1 0 ) 。 エッチング前のゥエーハ重量 Wい エッチング後のゥ ーハ重量 W2及び上記したェツチング時間 Tから制 御部 3 4においてエツチング処理後のェツチング液のエッチングレート を下記式 （ 5 ) によって算出する （第 7工程、 ステップ 1 1 2 ) 。
R 1 = (W「W2) ÷T ( 5 )
〔式 （ 5 ) において、 R J ： エッチング後のエッチング液のエッチング レー ト （ g /m i n ) 、 Wi： ゥエーハのェツチング前重量 （ g ) 、 W2 ： ゥエーハのエッチング後重量 （ g ) 、 T ： エッチング時間〕 。 このェ ツチングしたゥエーハをロボッ トノヽンド部 2 8 aによってアンロード力 セッ ト 3 2に収鈉する （第 8工程、 ステップ 1 1 4 ) 。
上記算出したエッチングレート が予め定めたエッチングレー トの 許容範囲内であるか否かを制御部 3 4において判定する （第 9工程、 ス テツプ 1 1 8 ) 。 第 9工程において、 この算出したエッチングレート R iが許容範囲内である （Y E S) と判定された場合は、 新しい次のゥェ ーハについて上記第 1工程〜第 8工程を実施する。 一方、 第 9工程にお いてエッチングレー ト Rェが許容範囲外である （NO) と判定された場 合は、 薬液循環タンク 1 4に貯留されたエッチング液に注加用薬液 （新 しいエッチング液） を注加し、 そのエッチングレー ト R iを初期値 R。 近傍のエッチングレー ト R 2に戻す （第 1 0工程、 ステップ 1 2 0 ) 。 そして、 新しい次のゥエーハについて上記第 1工程〜第 8工程を実施す る。 この場合エッチングレー ト R 2は、 前述したように、 エッチングレ ー ト確認処理 （ステップ 1 0 0 ) によって測定され、 このエッチングレ 一 ト 1 2が式 （4 ) におけるエッチングレー ト Rと して用いられる。 な お、 図 2に示したよ うに、 第 8工程 （ステップ 1 1 4 ) と第 9工程 （ス テツプ 1 1 8 ) の間に終了判定工程 （ステップ 1 1 6 ) を設け、 次のェ ツチングを行う場合には第 9工程 （ステップ 1 1 8 ) に移行し、 次のェ ツチングを行わない場合には作業を終了するよ うに構成するのが好適で ある。
本発明方法において用いるエツチング液としては 4種混酸液 〔 5 0 % フッ酸 （ 1 5重量。 /0) + 6 0 %リン酸 （ 2 5重量。 /0) + 7 0 %硝酸 （ 3 5重量％) + 9 5 %硫酸 （ 2 5 %重量％) 〕 等を用いることができる。 また、 注加用薬液と しては、 5 0 %フッ酸等を用いればよい。
さらに、 使用するエッチング液のエッチングレート （使用するエッチ ング液の初期値 R。及ぴ注加用薬液を注加したエッチング液のェッチン グレート R 2) の確認処理について図 3を用いて説明する。 まず、 ダミ ーゥエ ーハを準備し、 ダミーゥエ ーハ乗台にセッ トしておく。 図 3に示 されるように、 このダミーゥヱーハ乗台からダミーゥエ ーハを 1枚取り 出す (第 1工程、 ステップ 2 0 0 ) このダミーゥエ ーハをロボッ ト ノ、 ンド部 2 8 aによって重量測定部 2 6に移載してエッチング前の重量 W を測定する (第 2工程、 ステップ 2 0 2 ) 。
このダミーゥエ ーハをロボッ ト ノヽンド部 2 8 aによってスピンエッチ ング部 1 2に移載して所定のエッチング時間 t。だけこのゥヱーハに対 するスピンエッチングを行い、 所定のリ ンス及ぴ乾燥処理を行う。 上記 所定のェツチング時間 t。は 1 0秒〜 1 0 0秒程度の範囲内で適宜設定 すればよい。 図 1のフローチャー トでは、 スピンエッチング、 リ ンス、 及び乾燥処理を含めてスピンエッチング処理 （第 3工程、 ステップ 2 0 4 ) と して示した。
このス ピンエツチング処理を ί亍ったゥエ ーハを口ボッ トノヽンド部 2 8 aによって重量測定部 2 6に移載し （第 4工程、 ステップ 2 0 6 ) 、 ェ ツチング後の重量 W2を測定する （第 5工程、 ステップ 2 0 8 ) 。 エツ チング前のゥエ ーハ重量 、 ェツチング後のゥエ ーハ重量 W2及び上記 したェッチング時間 t。から制御部 3 4においてエッチング液のエッチ ングレート r 。を下記式 （ 6 ) によって算出する （第 6工程、 ステップ 2 1 0 ) 。
r o= (D「D2) ÷ t o ( 6 )
〔式 （ 6 ) において、 r o ： エッチング液のエッチングレート ( g /m i n) 、 D ： ダミーゥエーハのエッチング前重量 （ g ) 、 D2： ダミー ゥエ ーハのエッチング後重量 （ g ) 、 t。 ： エッチング時間〕 。 このェ ツチングしたゥエ ーノ、をロボッ トノヽンド部 2 8 aによってダミーゥエ ー ハ乗台に移載する （第 7工程、 ステップ 2 1 2 ) 。
上記ェツチング後のダミーゥ ーハの重量 D 2が規定値内であるか否 かを制御部 3 4において判定する （第 8工程、 ステップ 2 1 4 ) 。 第 8 工程において、 このダミーゥヱーハの重量 D 2が規定値内である （Y E S ) と判定された場合は、 エッチングレート確認処理を終了する。 一方 、 第 8工程においてダミーゥヱーハの重量 D 2が規定値外である （NO ) と判定された場合は、 使用したダミーゥ ーハの交換要求信号を発生 する （第 9工程、 ステップ 2 1 6 ) 。 この交換要求信号が出された場合 は、 使用したダミーゥエ ーハは使用に適さなくなっているので、 次の測 定時には別のダミーゥエ ーハを使用することとなる。 なお、 算出された エッチングレート r 。は、 エッチング液が使用開始時のものであれば、 エッチングレートの初期値 R。とされ、 注加用薬液の注加を行った場合 には初期値 R。近傍のェッチングレート R 2として用いればよい。
実施例
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが、 これら の実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないこと はいうまでもなレ、。
(実験例 1 )
エッチング液のエッチングレート変化実験。 1 0枚の 8インチシリ コ ンゥエ ーハに対してスピンェツチング装置 （三益半導体工業株式会社製 、 MS E - 2 0 0 0 ) を用い 1枚ずっスピンェツチングを施した。 ェッ チング液と しては 4種混酸液 〔 5 0 %フッ酸 （ 1 5重量。/。） + 6 0 %リ ン酸 （ 2 5重量％) + 7 0 %硝酸 （ 3 5重量％) + 9 5 %硫酸 （ 2 5重 量0 /0) 〕 を 2 0 K g使用した。 このエッチング液のエッチングレートを 図 3に示したェツチングレー トの確認処理工程に従いダミ一ゥエーハを 用いて測定したところ、 1. 5 6 0 ( g /m i n) であった。 目標とす るエッチング量は 2 0 μ πι ( 1. 4 4 4 g ) と した。 上記エッチング液 (液温 ： 2 5 °C士 1 °C) を用いて 1枚ずつ 1 0枚のシリ コンゥエーハに 対-してエッチング時間を 6 4秒に固定してスピンエツチングを施し、 ェ ツチング量 ( g ) 及びエッチングレート （ g /m i n) を処理ゥエーハ 毎に測定し、 その結果を表 1及ぴ図 5に示した。 表 1及び図 5の結果か ら明らかなよ うに、 エッチングレートはゥヱーハの処理枚数が増える毎 に低下し （ 1 0枚目のゥエーハ処理後のエッチングレートは 1. 3 5 6 ( g /m i n ) であった。 ) 、 ェッチングレー トの低下に比例してェッ チング量も低下することを確認した。 表 1 におけるゥヱーハ N 0. 0は ダミーゥヱーハである。
表 1
Figure imgf000019_0001
(実施例 1 )
ゥエーハのエッチング取り代を一定に管理する実験 （注加液補充なし
) 。 1 0枚の 8ィンチシリ コンゥヱーハに対してスピンェツチング装置 (三益半導体工業株式会社製、 MS E— 2 0 0 0 ) を用い 1枚ずっスピ ンェッチングを施した。 ェツチング液と しては実験例 1で用いたエッチ ング液を引き続きそのまま使用した。 このエッチング液の当初のエッチ ングレー トは 1. 3 5 6 ( g /m i n ) であった。 ゥエーハのエツチン グ量 （エッチング取り代） を一定 （ 2 0 ^ m : 1. 4 4 4 g ) とする管 理を行ってスピンエッチングを実施した。 即ち、 図 1のフローチャー ト の第 1工程 （ステップ 1 0 2) 〜第 7工程 （ステップ 1 1 4) を 1 0回 繰り返して 1 0枚のゥヱ一ハのエッチングを行った。 この実施例では、 第 8工程 （ステップ 1 1 8) におけるエッチングレート R丄は許容範囲内 と判定し、 注加薬液の注加は行わなかった。 処理ゥエーハ毎にエツチン グ量 ( g ) 、 エッチングレート （ g /m i n ) 及びェッチング時間 ( s e c ) を測定し、 その結果を表 2及び図 6に示した。 表 2及び図 6に示 されるように、 エッチングレートが低下すると自動的にェツチング時間 を延長し、 エッチング量を略一定に管理できることがわかった。 この実 施例における 1 0枚目のゥエーハをスピンエツチング処理した後のェッ チングレートは 1 · 2 2 9 ( g /m i n) であった。
表 2
Figure imgf000020_0001
(実施例 2)
ゥエーハのエッチング取り代を一定に管理する実験 （注加液補充） 。 1 0枚の 8 インチシリ コンゥエーハに対してスピンェツチング装置 （三 益半導体工業株式会社製、 M S E— 2 0 0 0 ) を用い 1枚ずつスピンェ ツチングを施した。 ェツチング液と しては実施例 1で用いたエッチング 液 （ェッチングレー 1、が 1. 2 2 9 ( g /m i n ) に低下したもの) に 対して 5 0 %フッ酸を 0. 5 K g補充して使用した。 実施例 1の場合と 同様に、 エッチング量 （エッチング取り代） を一定 （ 2 0 w m : 1. 4 4 4 g ) とする管理を行ってス ピンェツチングを実施した。 本実施例で は、 最初に注加薬液 （ 5 0 %フッ酸） を補充注加したので、 図 1におけ るエッチングレー トの確認処理工程 （ステップ 1 0 0 ) をダミーゥエー ハを用いて実施した。 この薬液補充エッチング液のエッチングレー トは 1. 6 6 8 ( g /m i n ) に上昇していた。 その後、 図 1のフローチヤ 一トの第 1 工程 （ステップ 1 0 2 ) 〜第 7工程 （ステップ 1 1 4 ) を 1 0回繰り返して 1 0枚のゥエーハのエッチングを行った。 1 0回のエツ チング処理中には注加用薬液の補充注加は行わなかった。 処理ゥエーハ 毎にエツチング量 （ g ) 、 ェッチングレート ( g /m i n ) 及びェッチ ング時間 （ s e c ) を測定し、 その結果を表 3及び図 7に示した。 表 3 及ぴ図 7に示されるよ うに、 エッチングレートが低下すると自動的にェ ツチング時間を延長し、 ェツチング量を略一定に管理できることがわか つた。 この実施例における 1 0枚目のゥエーハをスピンエツチング処理 した後のエッチングレー トは 1. 5 2 3 ( g /m i n ) であった。 表 3 におけるゥエーハ N o . 0はダミーゥエーハである。 表 3
Figure imgf000022_0001
(実施例 3)
ゥエ ーハの仕上がり重量を一定に管理する実験 （注加液補充なし） 。 1 0枚の 8インチシリ コンゥエーハに対してスピンエッチング装置 (三 益半導体工業株式会社製、 MS E— 2 0 0 0 ) を用い 1枚ずつスピンェ ツチングを施した。 ェツチング液と しては実施例 2で用いたエッチング 液を引き続き薬液注加を行う ことなくそのまま使用した。 このエツチン グ液の当初のエッチングレートは、 1. 5 1 2 ( g Zm i n ) であった ゥエーハの仕上がり重量を一定 （ 4 7. 0 g ) とする管理を行ってスピ ンェッチングを実施した。 即ち、 図 2のフローチャー トの第 1工程 (ス テツプ 1 0 2 ) 〜第 8工程 （ステップ 1 1 4) を 1 0回繰り返して 1 0 枚のゥエーハのエッチングを行った。 1 0回のエッチング処理中には注 加用薬液の補充注加は行わなかった。 処理ゥエーハ毎にエッチング量 ( g ) 、 エッチングレー ト （ g Z m i n ) 及びエッチング時間 ( s e c ) を測定し、 その結果を表 4及び図 8 (エッチング時間のグラフ化は 省略） に示した。 表 4及び図 8に示されるよ うに、 エッチングレートが 低下しても自動的にエッチング時間を延長し、 ゥエーハのエッチング後 重量を略一定に管理できることがわかった。 この実施例における 1 0枚 目のゥエーハをスピンェツチング処理した後のェッチングレー トは 1. 3 0 5 ( g /m i n ) であった。 表 4におけるゥエーハ N o . 0はダミ ーゥエーハである。
表 4
Figure imgf000023_0001
産業上の利用可能性
本発明によれば、 さまざまな条件のゥエーハでもエッチング処理での エッチング量の均一ィヒを実現できるとともにエッチング後のゥヱーハ間 の厚さを均一にすることができるという効果が達成される。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . ( a ) ロードカセッ トからゥエーハを 1枚取り出す第 1工程と、 ( b ) ゥエーハのエッチング前重量 を測定する第 2工程と、
( c ) T 0 = V 0÷ R ( 1 )
によってエッチング時間 T。を算出する第 3工程 〔式 （ 1 ) において、 Τ。： ェツチング時間 （m i n ) 、 V。 ： 目標とするエッチング量 （ g ) 、 R ： 使用するエ ッチング液のエッチングレー トの初期値 R。、 エッチ ング後のェッチング液のェッチングレー ト R i又は注加用薬液を注加し たエッチング液のエッチングレート R 2 ( g / m i n ) 〕 と、
( d ) 当該ゥ ーハのエッチング処理を上記算出された T。時間行う第 4工程と、
( e ) 当該ゥヱーハのエッチング後重量 W2を測定する第 5工程と、
( f ) (W「 W2) ÷ T。 （ 2 )
によってエッチング後のエッチング液のエッチングレー ト R を算出す る第 6工程 〔式 ( 2 ) において、 R i ： エッチング後のエッチング液の エツチングレー ト ( g Z m i n ) 、 ： ゥェ一ノヽのェッチング前重量
( g ) 、 W2： ゥエーハのエッチング後重量 （ g ) 、 T。： ェツチング時 間〕 と、
( g ) エッチングされたゥヱーハを収納する第 7工程と、
( h ) エッチング後のエッチング液のエッチングレー ト 1^が許容範囲 内であるか否かを判定する第 8工程とからなり、
第 8工程においてエッチングレー ト R iが許容範囲内であると判定され た場合には、 次の ゥエーハについて前記第 1工程〜第 7工程を実施し、 一方、 第 8工程においてエッチングレー ト が許容範囲外であると判 定された場合には、 エッチング液に注加用薬液を注加し、 そのエツチン グレート を初期値 R。近傍のエッチングレー ト R 2に戻す第 9工程を 実施した後、 次のゥエーハについて前記第 1工程〜第 7工程を実施する ようにしたことを特徴とするスピンエッチングにおけるエッチング量と 薬液の管理方法。
2. ( a ) ロードカセッ トからゥエーハを 1枚取り出す第 1工程と、
( b ) ゥェーハのエッチング前の重量 を測定する第 2工程と、
( c ) V = Wi— W。 （ 3 )
によってエッチング量 Vを決定する第 3工程 〔式 （ 3 ) において、 V ： エッチング量 （ g ) 、 Wx ： ゥエーハのエッチング前重量 （ g ) 、 W0 ： ゥエーハの仕上げ重量、 即ち目標とするエッチング後重量 （ g ) 〕 と、
( d ) T = V ÷R ( 4 )
によってエッチング時間 Tを算出する第 4工程 〔 （式 （ 1 ) において、 Τ ： エッチング時間 （ m i η ) 、 V ： 目標とするエッチング量 （ g ) 、 R ： 使用するエッチング液の初期値 R。、 エッチング後のエッチング液の エッチングレー ト R i又は注カロ用薬液を注カロしたエツチング液のエッチ ングレ一 卜 R 2 ( ( g /m i n ) 〕 と、
( e ) 当該ゥエーハのエッチング処理を行う第 5工程と、
( f ) 当該ゥヱーハのエッチング後の重量 W2を測定する第 6工程と、
Figure imgf000025_0001
によってエッチング後のエッチング液のエッチングレー ト R tを算出す る第 7工程 〔式 （ 2 ) において、 ： エッチング後のエッチング液の エッチングレー ト （ g /m i n ) 、 Wt ： ゥエーハのエッチング前重量
( g ) 、 W ： ゥエーハのエッチング後重量 （ g ) 、 T ： エッチング時 間〕 と、
( h ) エッチングされたゥエーハを収納する第 8工程と、
( i ) エッチング後のエッチング液のエッチングレー ト R iが許容範囲 内であるか否かを判定する第 9工程とからなり、
第 9工程においてエッチングレー ト R iが許容範囲内であると判定され た場合には、 次のゥ ハについて前記第 1工程〜第 8工程を実施し、 一方、 第 9工程においてェ ッチングレート が許容範囲外であると判 定された場合には、 エッチング液に注加用薬液を注加し、 そのエツチン グレート を初期値 R。近傍のェッチングレー ト R 2に戻す第 1 0工程 を実施した後、 次のゥ について前記第 1工程〜第 8工程を実施す るようにしたことを特徴とするスピンエッチングにおけるエッチング量 と薬液の管理方法。
3 . 使用開始時のエッチング液のエッチングレー トの初期値 R。及び/ 又は使用後のェツチング液に対して注加用薬液を注加してそのエツチン グレートを初期値近傍に戻 したェツチング液のエッチングレー ト R 2の 確認処理を行うことを特徴とする請求項 1又は 2記載の方法。
4 . 前記エッチングレート の確認処理が、
( a ) ダミーゥ ハ乗台からダミーゥ ハを 1枚取り出す第 1工程 と、
( b ) ダミーゥヱーハのェ ツチング前重量 を測定する第 2工程と、 ( c ) 当該ダミ ゥ - のエッチング処理を所定時間 t。行う第 3ェ 程と、
( d ) 当該ダミーゥ のエッチング後重量 D 2を測定する第 4工程 と、
r 0 = ( D「 D 2) ÷ t。 （ 6 )
によってエッチング後のエッチング液のエッチングレート r。を算出す る第 5工程 〔式 （ 2 ) において、 r ΰ： エッチング後のエツチング液の エッチングレー ト （ g / m i η ) D i ： ダミーゥ ハのエッチング 前重量 （ g ) D 2： ダミーゥ ハのェツチング後重量 （ g ) t 0 エッチング時間〕 と、
( g ) エッチングされたダミーゥエーハをダミーゥエーハ乗台に移載す る第 7工程と、
( h ) ェツチング後のダミ一ゥエーハの重量が規定値内であるか否かを 判定する第 8工程とからなり、
第 8工程においてダミーゥエーハの重量が規定値内であると判定された 場合には、 エッチングレート確認処理を終了し、 一方、 第 8工程におい てダミーゥ ーハ重量が規定値外であると判定された場合には、 使用し たダミーゥエーハの交換要求信号を発生する第 9工程を実施した後、 ェ ッチングレート確認処理を終了するようにしたことを特徴とする請求項 3記載の方法。
5 . ゥエーハをエツチングするスピンェッチング部と、 ェツチング液を 貯留循環する薬液循環タンクと、 この薬液循環タンクからのエッチング 液を前記スピンエッチング部に供給する薬液供給ラインと、 前記スピン エッチング部において使用されたエッチング液を前記薬液循環タンクに 回収する薬液回収ラインと、 前記スピンェツチング部でェツチングされ るゥエーハのエッチング前後の重量を測定する重量測定部と、 エツチン グされるゥエーハを前記重量測定部に移載しその重量を測定した後前記 スピンエツチング部に供給しかつェツチングされたゥエーハをこのスピ ンエツチング部から前記重量測定部に移載してその重量を測定した後こ の重量測定部から当該ゥユーハを取り除く作用を行うハンドリング機構 部からなることを特徴とするスピンエッチング装置。
PCT/JP2004/003817 2004-03-22 2004-03-22 スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置 WO2005091346A1 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020067011345A KR101010532B1 (ko) 2004-03-22 2004-03-22 스핀 에칭에서의 공정 관리방법 및 스핀 에칭 장치
PCT/JP2004/003817 WO2005091346A1 (ja) 2004-03-22 2004-03-22 スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置
EP04722390.4A EP1729332B1 (en) 2004-03-22 2004-03-22 Schedule control method in spin etching
US10/586,873 US7659212B2 (en) 2004-03-22 2004-03-22 Process control method in spin etching and spin etching apparatus
JP2006511101A JP4364242B2 (ja) 2004-03-22 2004-03-22 スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置
CNB2004800414707A CN100508133C (zh) 2004-03-22 2004-03-22 旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置
TW094108480A TW200539267A (en) 2004-03-22 2005-03-18 Schedule control method in spin etching and spin etching system
US12/628,603 US20100101726A1 (en) 2004-03-22 2009-12-01 Process control method in spin etching and spin etching apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2004/003817 WO2005091346A1 (ja) 2004-03-22 2004-03-22 スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US12/628,603 Division US20100101726A1 (en) 2004-03-22 2009-12-01 Process control method in spin etching and spin etching apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005091346A1 true WO2005091346A1 (ja) 2005-09-29

Family

ID=34993963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/003817 WO2005091346A1 (ja) 2004-03-22 2004-03-22 スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7659212B2 (ja)
EP (1) EP1729332B1 (ja)
JP (1) JP4364242B2 (ja)
KR (1) KR101010532B1 (ja)
CN (1) CN100508133C (ja)
TW (1) TW200539267A (ja)
WO (1) WO2005091346A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177329A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Mitsubishi Electric Corp ウエットエッチング方法
JP2009267115A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング方法及び半導体デバイス用基板の製造方法
JP2015135861A (ja) * 2014-01-16 2015-07-27 株式会社東芝 薬液処理装置及び薬液処理方法
JP2021174786A (ja) * 2020-04-18 2021-11-01 有限会社Nas技研 バルクエッチング方法とバルクエッチング装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101651098B (zh) * 2009-06-12 2012-10-17 上海宏力半导体制造有限公司 一种刻蚀方法
CN102569019B (zh) * 2010-12-17 2014-06-04 无锡华润上华半导体有限公司 浅槽隔离形成方法
TWI441272B (zh) * 2011-09-26 2014-06-11 Lextar Electronics Croportion 監測蝕刻製程的方法
US9478408B2 (en) 2014-06-06 2016-10-25 Lam Research Corporation Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using RF plasma cycling and purging
US10047438B2 (en) 2014-06-10 2018-08-14 Lam Research Corporation Defect control and stability of DC bias in RF plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas
US10081869B2 (en) 2014-06-10 2018-09-25 Lam Research Corporation Defect control in RF plasma substrate processing systems using DC bias voltage during movement of substrates
CN104332430B (zh) * 2014-09-04 2017-02-15 常州捷佳创精密机械有限公司 一种硅片在线称重控制系统及其控制方法
JP6622389B2 (ja) 2016-04-21 2019-12-18 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用非接触電力供給機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
JP6634154B2 (ja) 2016-05-24 2020-01-22 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
EP3442016B1 (en) 2016-05-26 2023-06-07 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Wafer heating and holding device and method for rotary table, and wafer rotating and holding device
CN106298573A (zh) * 2016-09-13 2017-01-04 冠礼控制科技（上海）有限公司 通过硅片自旋转及振荡机构改善蚀刻率的测试方法
US11075218B2 (en) * 2019-05-22 2021-07-27 Sandisk Technologies Llc Method of making a three-dimensional memory device using silicon nitride etching end point detection
CN113496886B (zh) * 2020-04-03 2022-10-25 重庆超硅半导体有限公司 一种集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法
CN111339693B (zh) * 2020-05-19 2020-10-13 深圳市乾行达科技有限公司 一种工件的蚀刻方法、装置及终端设备
CN115938929B (zh) * 2022-12-14 2023-11-03 湖北江城芯片中试服务有限公司 蚀刻机台及其控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61287124A (ja) * 1985-06-13 1986-12-17 Oki Electric Ind Co Ltd 基板の薬液加工方法および薬液加工装置
JPH01309332A (ja) * 1988-06-08 1989-12-13 Toyo Electric Mfg Co Ltd エッチングの自動制御装置
JP2002086084A (ja) * 2000-07-14 2002-03-26 Sony Corp 基板洗浄方法及び基板洗浄装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
JPH01236633A (ja) * 1988-03-16 1989-09-21 Rohm Co Ltd エッチング終点検出法
KR0166831B1 (ko) * 1995-12-18 1999-02-01 문정환 반도체 웨이퍼 세정장치 및 방법
KR100192489B1 (ko) * 1995-12-26 1999-06-15 구본준 용기를 갖는 습식에치 장치의 에치 종말점 측정방법
US6221171B1 (en) * 1996-06-04 2001-04-24 Ebara Corporation Method and apparatus for conveying a workpiece
DE19641070A1 (de) * 1996-10-04 1998-04-09 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Charakterisierung von Defekten
JP4486217B2 (ja) * 2000-05-01 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
TW511180B (en) * 2000-07-31 2002-11-21 Mitsubishi Chem Corp Mixed acid solution in etching process, process for producing the same, etching process using the same and process for producing semiconductor device
US20020142619A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-03 Memc Electronic Materials, Inc. Solution composition and process for etching silicon
JP2003077838A (ja) * 2001-08-30 2003-03-14 Toshiba Corp 半導体製造装置のドライクリーニング時期判定システム、半導体製造装置のドライクリーニング方法、半導体製造装置のドライクリーニングシステム及び半導体装置の製造方法
JP2003215002A (ja) * 2002-01-17 2003-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6902647B2 (en) * 2002-08-29 2005-06-07 Asm International N.V. Method of processing substrates with integrated weighing steps

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61287124A (ja) * 1985-06-13 1986-12-17 Oki Electric Ind Co Ltd 基板の薬液加工方法および薬液加工装置
JPH01309332A (ja) * 1988-06-08 1989-12-13 Toyo Electric Mfg Co Ltd エッチングの自動制御装置
JP2002086084A (ja) * 2000-07-14 2002-03-26 Sony Corp 基板洗浄方法及び基板洗浄装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1729332A4 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177329A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Mitsubishi Electric Corp ウエットエッチング方法
JP2009267115A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング方法及び半導体デバイス用基板の製造方法
JP2015135861A (ja) * 2014-01-16 2015-07-27 株式会社東芝 薬液処理装置及び薬液処理方法
US10157756B2 (en) 2014-01-16 2018-12-18 Toshiba Memory Corporation Chemical liquid treatment apparatus and chemical liquid treatment method
US10748791B2 (en) 2014-01-16 2020-08-18 Kioxia Corporation Chemical liquid treatment apparatus and chemical liquid treatment method
JP2021174786A (ja) * 2020-04-18 2021-11-01 有限会社Nas技研 バルクエッチング方法とバルクエッチング装置
JP7153361B2 (ja) 2020-04-18 2022-10-14 有限会社Nas技研 バルクエッチング方法とバルクエッチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1729332B1 (en) 2016-10-12
US20080242101A1 (en) 2008-10-02
KR20060126990A (ko) 2006-12-11
US7659212B2 (en) 2010-02-09
KR101010532B1 (ko) 2011-01-24
EP1729332A1 (en) 2006-12-06
CN100508133C (zh) 2009-07-01
JP4364242B2 (ja) 2009-11-11
JPWO2005091346A1 (ja) 2008-02-07
CN1914713A (zh) 2007-02-14
US20100101726A1 (en) 2010-04-29
EP1729332A4 (en) 2010-09-15
TW200539267A (en) 2005-12-01
TWI347631B (ja) 2011-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005091346A1 (ja) スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置
JP6087063B2 (ja) エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
TW200915424A (en) Substrate processing apparatus
US8211810B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution
JP5853382B2 (ja) 半導体装置の製造方法、及び電子機器の製造方法
JP6118689B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2013065614A (ja) シリコンウェーハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置
EP1112591B1 (en) Method and apparatus for wet-etching semiconductor wafers
CN116982416A (zh) 陶瓷电路基板的制造方法
EP1149411A1 (en) Method and apparatus for wet-etching semiconductor wafers
JP2022133947A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW202427609A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW202435333A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20240068109A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2024004725A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2012238719A (ja) シリコン基板のエッチング方法およびエッチング装置
TWI266675B (en) CMP apparatus for polishing dielectric layer and method of controlling dielectric layer thickness
JP2023006219A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2024017043A (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2005166882A (ja) エッチング方法およびエッチング装置
JP6262430B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN117836911A (zh) 基板处理方法和基板处理系统
KR20020017959A (ko) 반도체 기판으로부터 탄화규소를 제거하는 방법 및 장치
JP2004048026A (ja) シリコンウェーハのエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480041470.7

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067011345

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10586873

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006511101

Country of ref document: JP

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2004722390

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004722390

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004722390

Country of ref document: EP