TW202427609A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的在於可在使用包含磷酸水溶液之蝕刻液蝕刻基板的技術中，減少蝕刻液的使用量。
依本發明之一態樣的基板處理裝置包含基板處理部及控制部。基板處理部係將表面形成有氮化矽膜及氧化矽膜的一個或是複數個基板，以包含磷酸水溶液及矽酸化合物的處理液進行蝕刻處理。控制部係控制各部。又，控制部包含修正部。修正部係修正處理液的磷酸濃度，以使得從蝕刻處理開始到完成的期間，氮化矽膜相對於氧化矽膜的蝕刻選擇比會固定在指定之值。
Description
本發明揭露之實施態樣係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
以往，在基板處理系統中，藉由使用包含磷酸水溶液的蝕刻液，在形成於基板的氮化矽膜及氧化矽膜中，選擇性地對氮化矽膜進行蝕刻處理的技術已為人所知（參照專利文獻1）。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4966223號公報
﹝發明所欲解決之問題﹞
本發明係提供一種技術，可在使用包含磷酸水溶液之蝕刻液蝕刻基板的技術中，減少蝕刻液的使用量。
﹝解決問題之技術手段﹞
依本發明之一態樣的基板處理裝置包含基板處理部及控制部。基板處理部，係以包含磷酸水溶液及矽酸化合物的處理液，對表面形成有氮化矽膜及氧化矽膜的一個或是複數個基板進行蝕刻處理。控制部係控制各部。又，該控制部包含修正部。修正部係修正該處理液的磷酸濃度，以使得從該蝕刻處理開始到完成的期間，氮化矽膜相對於氧化矽膜的蝕刻選擇比固定在指定之值。
[發明效果]
依本發明，可在使用包含磷酸水溶液之蝕刻液蝕刻基板的技術中，減少蝕刻液的使用量。
以下，參照附加圖式詳細說明本案所揭露之基板處理裝置及基板處理方法的實施態樣。又，本發明並非由以下所示之實施態樣所限定。又，圖式僅為示意，必須留意各元件的尺寸關係、各元件的比例等，有時會與實際狀況不同。再者，圖式彼此間有時亦包含彼此之尺寸關係或比例不同的部分。
以往，在基板處理系統中，藉由使用包含磷酸水溶液之蝕刻液，而在形成於基板的氮化矽膜及氧化矽膜中，選擇性地對氮化矽膜進行蝕刻處理的技術已為人所知。在此以往技術中，例如，係使複數基板集中浸漬於貯存於處理槽的蝕刻液，藉此將複數基板一次進行蝕刻處理。
另一方面，在上述以往技術中，為了使蝕刻液所包含之矽酸化合物的濃度（以下，亦稱為「矽酸濃度」）固定，必須經常性地對處理槽供給低矽酸濃度的蝕刻液。因此，會產生在蝕刻處理中蝕刻液之使用量增加的問題。
因此，期待實現一種可克服上述問題點的技術，並在使用包含磷酸水溶液之蝕刻液蝕刻基板的技術中，減少蝕刻液的使用量。
＜基板處理系統之構成＞
首先，參照圖1並說明依實施態樣之基板處理系統1之構成。圖1係顯示依實施態樣之基板處理系統1之構成的概略方塊圖。基板處理系統1為基板處理裝置之一例。
如圖1所示，依實施態樣之基板處理系統1包含：載具搬入搬出部2、批次形成部3、批次載置部4、批次搬運部5、批次處理部6及控制裝置7。
載具搬入搬出部2包含：載具平台20、載具搬運機構21、載具存放區22、23及載具載置台24。
載具平台20係載置從外部搬運而來之複數前開式晶圓盒H。前開式晶圓盒H係將複數（例如25片）晶圓W以水平姿態上下並列而收納的容器。載具搬運機構21係在載具平台20、載具存放區22、23及載具載置台24之間，進行前開式晶圓盒H的搬運。
從載置於載具載置台24的前開式晶圓盒H，將處理前的複數晶圓W藉由後述基板搬運機構30搬出至批次處理部6。又，處理完的複數晶圓W係藉由基板搬運機構30從批次處理部6搬入載置於載具載置台24的前開式晶圓盒H。
批次形成部3包含基板搬運機構30，並形成批次。批次係由「組合一個或是複數個前開式晶圓盒H所收納之晶圓W，同時進行處理的複數（例如50片）晶圓W」所構成。形成一個批次的複數晶圓W係在彼此之板面成對向的狀態下，隔著一定的間隔配置。
基板搬運機構30係在載置於載具載置台24的前開式晶圓盒H與批次載置部4之間，搬運複數晶圓W。
批次載置部4包含批次搬運台40，並暫時載置（待命）由批次搬運部5在批次形成部3與批次處理部6之間搬運的批次。批次搬運台40包含：搬入側載置台41，載置以批次形成部3形成之處理前的批次；及搬出側載置台42，載置以批次處理部6處理過的批次。在搬入側載置台41及搬出側載置台42中，一批次量的複數晶圓W係以豎立姿態前後排列載置。
批次搬運部5包含批次搬運機構50，並在批次載置部4與批次處理部6之間，及在批次處理部6之內部，進行批次的搬運。批次搬運機構50包含軌道51、移動體52及基板固持體53。
軌道51係跨過批次載置部4及批次處理部6而沿著X軸方向配置。移動體52可一邊固持複數晶圓W，一邊沿著軌道51移動。基板固持體53係配置於移動體52，並固持以豎立姿態前後排列的複數晶圓W。
批次處理部6係對於一批次量的複數晶圓W總括地進行蝕刻處理及清洗處理、乾燥處理等。在批次處理部6中係沿著軌道51排列配置蝕刻處理裝置60兩台、清洗處理裝置70、清洗處理裝置80及乾燥處理裝置90。
蝕刻處理裝置60係對於一批次量的複數晶圓W總括地進行蝕刻處理。清洗處理裝置70係對於一批次量的複數晶圓W總括地進行清洗處理。清洗處理裝置80係進行基板固持體53的清洗處理。乾燥處理裝置90係對於一批次量的複數晶圓W總括地進行乾燥處理。又，蝕刻處理裝置60、清洗處理裝置70、清洗處理裝置80及乾燥處理裝置90的台數並不限定於圖1的例子。
蝕刻處理裝置60包含：蝕刻處理用的處理槽61、沖洗處理用的處理槽62及基板升降機構63、64。
處理槽61可收納以豎立姿態排列的一批次量的晶圓W，並貯存蝕刻處理用的化學液（以下，亦稱為「蝕刻液」）。處理槽61的細節會在之後敘述。
在處理槽62中貯存沖洗處理用的處理液（去離子水等）。在基板升降機構63、64中，形成批次的複數晶圓W係以豎立姿態前後排列而被固持。
蝕刻處理裝置60係以基板升降機構63固持由批次搬運部5搬運的批次，並使其浸漬於處理槽61的蝕刻液L而進行蝕刻處理。蝕刻處理例如進行1小時~3小時左右。
在處理槽61中進行完蝕刻處理的批次，由批次搬運部5搬運至處理槽62。又，蝕刻處理裝置60係以基板升降機構64固持被搬運的批次，並藉由使其浸漬於處理槽62的沖洗液而進行沖洗處理。在處理槽62中進行完沖洗處理的批次，由批次搬運部5搬運至清洗處理裝置70的處理槽71。
清洗處理裝置70包含：清洗用的處理槽71、沖洗處理用的處理槽72及基板升降機構73、74。在清洗用的處理槽71貯存清洗用的化學液（以下，亦稱為「清洗化學液」）。清洗化學液例如為SC1（氨、過氧化氫及水的混合液）等。
在沖洗處理用的處理槽72貯存沖洗處理用的處理液（去離子水等）。在基板升降機構73、74中，一批次量的複數晶圓W係以豎立姿態前後排列而被固持。
清洗處理裝置70係以基板升降機構73固持由批次搬運部5搬運的批次，並使其浸漬於處理槽71的清洗液而進行清洗處理。
在處理槽71中進行完清洗處理的批次，由批次搬運部5搬運至處理槽72。又，清洗處理裝置70係以基板升降機構74固持被搬運的批次，並藉由使其浸漬於處理槽72的沖洗液而進行沖洗處理。在處理槽72中進行完沖洗處理的批次，由批次搬運部5搬運至乾燥處理裝置90的處理槽91。
乾燥處理裝置90包含處理槽91及基板升降機構92。在處理槽91中，供給有乾燥處理用的處理氣體。在基板升降機構92中，一批次量的複數晶圓W係以豎立姿態前後排列而被固持。
乾燥處理裝置90係以基板升降機構92固持由批次搬運部5搬運的批次，並使用供給至處理槽91內的乾燥處理用之處理氣體進行乾燥處理。在處理槽91進行完乾燥處理的批次，由批次搬運部5搬運至批次載置部4。
清洗處理裝置80對於批次搬運機構50的基板固持體53供給清洗用的處理液，並藉由進一步供給乾燥氣體，而進行基板固持體53的清洗處理。
控制裝置7係控制基板處理系統1之各部（載具搬入搬出部2、批次形成部3、批次載置部4、批次搬運部5及批次處理部6等）的動作。控制裝置7係基於來自開關及各種感測器等的訊號，而控制基板處理系統1之各部的動作。
控制裝置7包含具有CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）、ROM（Read Only Memory，唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory，隨機存取記憶體）及輸入輸出埠等的微電腦及各種電路。控制裝置7例如係藉由讀取儲存於儲存部8（參照圖3）的程式並執行，而控制基板處理系統1的動作。此控制裝置7的細節會在之後敘述。
＜蝕刻處理裝置之構成＞
接著，參照圖2說明實施晶圓W之蝕刻處理的蝕刻處理裝置60之構成。圖2係顯示依實施態樣之蝕刻處理裝置60之構成的概略方塊圖。
蝕刻處理裝置60包含：蝕刻液供給部100、超純水供給部105及基板處理部110。蝕刻液供給部100係將蝕刻液L供給至基板處理部110。蝕刻液L為處理液之一例。
蝕刻液供給部100包含：蝕刻液供給源101、蝕刻液供給路徑102及流量調整器103。
蝕刻液供給源101例如係儲存蝕刻液L的槽。依實施態樣之蝕刻液L包含磷酸（H
3PO
4）水溶液。又，在本發明中，亦將磷酸水溶液僅稱為「磷酸」。又，依實施態樣之蝕刻液L亦可包含矽酸化合物（以下，亦僅稱為「矽酸」）。
在依實施態樣之蝕刻液L中，矽酸化合物例如係可藉由分散有膠態矽的溶液而添加。
蝕刻液供給路徑102係將蝕刻液供給源101與處理槽61的外槽112之間加以連接，並從蝕刻液供給源101對外槽112供給蝕刻液L。
流量調整器103係配置於蝕刻液供給路徑102，並調整供給至外槽112的蝕刻液L之流量。流量調整器103包含開閉閥、流量控制閥及流量計等。
超純水供給部105係將超純水（DeIonized Water：去離子水）供給至基板處理部110。藉此，可調整貯存於處理槽61的蝕刻液L之磷酸水溶液的濃度（以下，亦稱為「磷酸濃度」）。
超純水供給部105包含：超純水供給源106、超純水供給路徑107及流量調整器108。
超純水供給源106例如係儲存超純水的槽。超純水供給路徑107係將超純水供給源106與處理槽61的外槽112之間加以連接，並從超純水供給源106對外槽112供給超純水。
流量調整器108係配置於超純水供給路徑107，並調整供給至外槽112的超純水之流量。流量調整器108包含開閉閥、流量控制閥及流量計等。
基板處理部110係將晶圓W浸漬於從蝕刻液供給部100供給的蝕刻液L，而對此晶圓W實施蝕刻處理。晶圓W為基板之一例。在實施態樣中，例如，可在形成於晶圓W上的氮化矽膜及氧化矽膜中，選擇性蝕刻氮化矽膜。
基板處理部110包含：處理槽61、基板升降機構63、蝕刻液循環部120及氣體供給部140。處理槽61包含內槽111及外槽112。
內槽111係用於使晶圓W浸漬於蝕刻液L中的槽，並儲存浸漬用的蝕刻液L。內槽111在頂部具有開口部111a，並可貯存蝕刻液L至開口部111a附近。
在內槽111中，係使用基板升降機構63將複數晶圓W浸漬於蝕刻液L，以對晶圓W進行蝕刻處理。此基板升降機構63可升降，並將複數晶圓W以垂直姿態前後排列固持。
外槽112在俯視觀察下係以包圍內槽111周圍的方式配置於內槽111的外側，並接收從內槽111之開口部111a流出的蝕刻液L。如圖2所示，外槽112的液位係維持得比內槽111之液位低。
蝕刻液循環部120係使蝕刻液L在內槽111與外槽112之間循環。蝕刻液循環部120包含：循環路徑121、泵浦122、加熱器123、過濾器124、濃度感測器125及複數（圖中為三個）處理液噴嘴126。
循環路徑121係將外槽112與內槽111之間加以連接。循環路徑121之一端係連接於外槽112的底部，循環路徑121的另一端係連接於位在內槽111內的處理液噴嘴126。在循環路徑121上係從外槽112側依序設有泵浦122、加熱器123、過濾器124及濃度感測器125。
泵浦122係形成從外槽112經由循環路徑121而輸送至內槽111的蝕刻液L之循環流動。又，蝕刻液L係藉由從內槽111的開口部111a溢流，而再度流出至外槽112。如此，在基板處理部110內形成蝕刻液L的循環流動。亦即，此循環流動係在外槽112、循環路徑121及內槽111中形成。
加熱器123係調整在循環路徑121循環的蝕刻液L之溫度。過濾器124係過濾在循環路徑121循環的蝕刻液L。濃度感測器125係測量在循環路徑121循環的蝕刻液L中之磷酸濃度，藉此測量貯存於處理槽61的蝕刻液L之磷酸濃度。濃度感測器125所產生的訊號係傳輸至控制部9。
處理液噴嘴126係將在循環路徑121循環的蝕刻液L向上噴吐至內槽111的內部，並在內槽111的內部形成上升流動。
氣體供給部140係對貯存蝕刻液L之內槽111的底部及外槽112的底部，分別供給惰性氣體（例如氮氣）。藉此，在內槽111的底部及外槽112的底部噴吐惰性氣體的氣泡。
氣體供給部140包含：氣體供給源141、氣體供給路徑142、流量調整器143、複數氣體噴嘴144、氣體供給路徑145、流量調整器146及複數氣體噴嘴147。
氣體供給路徑142係將氣體供給源141與複數氣體噴嘴144之間加以連接，並從氣體供給源141對複數氣體噴嘴144供給惰性氣體。
流量調整器143係配置於氣體供給路徑142，並調整供給至複數氣體噴嘴144的惰性氣體之供給量。流量調整器143包含開閉閥、流量控制閥及流量計等。
複數氣體噴嘴144例如在內槽111內的晶圓W及處理液噴嘴126下方，排列配置成複數行（圖中為六行）。複數氣體噴嘴144係將惰性氣體之氣泡向上噴吐至貯存於內槽111的蝕刻液L，並在內槽111內部形成上升流動。
氣體供給路徑145係將氣體供給源141與複數氣體噴嘴147之間加以連接，並從氣體供給源141對複數氣體噴嘴147供給惰性氣體。
流量調整器146係配置於氣體供給路徑145，並調整供給至複數氣體噴嘴147的惰性氣體之供給量。流量調整器146包含開閉閥、流量控制閥及流量計等。
複數氣體噴嘴147例如在俯視觀察下，在外槽112的底部沿著內槽111的四邊排列配置成複數行（圖中為二行）。複數氣體噴嘴147例如係將惰性氣體之氣泡向上噴吐至貯存於外槽112的蝕刻液L，並在外槽112的內部形成上升流動。
依實施態樣之蝕刻處理裝置60藉由從複數氣體噴嘴144噴吐惰性氣體之氣泡，可對在內槽111內排列設置的複數晶圓W之間的間隙供給流動較快的蝕刻液L。從而，依實施態樣，可效率良好且均等地對複數晶圓W進行蝕刻處理。
又，依實施態樣之蝕刻處理裝置60藉由從複數氣體噴嘴144噴吐惰性氣體之氣泡，可促進貯存於內槽111的蝕刻液L之蒸發。
又，依實施態樣之蝕刻處理裝置60藉由從複數氣體噴嘴147噴吐惰性氣體之氣泡，可促進貯存於外槽112的蝕刻液L之蒸發。
＜實施態樣＞
接著，參照圖3~圖11並說明依實施態樣之蝕刻處理之細節。圖3係顯示依實施態樣之控制裝置7之構成的方塊圖。如圖3所示，控制裝置7包含儲存部8及控制部9。
又，控制裝置7除了圖3所示之功能部以外，亦可包含已知電腦所具有之各種功能部，例如包含各種輸入元件及語音輸出元件等功能部。
儲存部8例如藉由RAM、快閃記憶體等半導體記憶體元件、硬碟或光碟等儲存裝置而實現。儲存部8包含蝕刻資訊儲存部8a。又，儲存部8係儲存用於控制部9之處理的資訊。
在蝕刻資訊儲存部8a中，儲存有表示蝕刻液L之磷酸濃度及矽酸濃度，與以具有該等濃度之蝕刻液L進行的氧化矽膜及氮化矽膜之蝕刻速率之關係的各種資料。參照圖4~圖7並說明儲存於此蝕刻資訊儲存部8a的資料之細節。
圖4係顯示複數磷酸濃度中的矽酸濃度與氧化矽膜之蝕刻速率之關係之一例的圖式。如圖4所示，依實施態樣之蝕刻處理中，在所有磷酸濃度中，蝕刻液L的矽酸濃度越低，氧化矽膜的蝕刻速率越高。
亦即，依實施態樣之蝕刻處理中，在所有磷酸濃度中，氧化矽膜的蝕刻速率會隨著蝕刻液L的矽酸濃度變高而逐漸降低，並在超過某臨限值時，蝕刻速率會成為負的值。
如此，所謂氧化矽膜的蝕刻速率成為負的值，係表示在蝕刻處理中晶圓W的氧化矽膜並不會受到蝕刻，反而會堆積氧化矽膜。
再者，依實施態樣之蝕刻處理中，隨著蝕刻液L的磷酸濃度變高，蝕刻速率之降低相對於矽酸濃度之上升的比例會逐漸緩和，同時蝕刻速率成為負的值的矽酸濃度之臨限值會逐漸上升。
又，基於圖4所示之測量結果，控制部9（參照圖3）可計算如圖5所示的資料。圖5係顯示複數磷酸濃度中的矽酸濃度之上限值及下限值的示意圖。
如圖5所示，依實施態樣之蝕刻處理中，在蝕刻液L中的各磷酸濃度中，存在矽酸濃度的上限值及下限值。矽酸濃度的下限值例如在圖4所示的結果中，係對應氧化矽膜之蝕刻速率為指定的正的值的情況。
當氧化矽膜的蝕刻速率超過指定的正的值時，由於氮化矽膜相對於氧化矽膜的蝕刻選擇比會無法維持在所期望的比例（例如，1000：1或2000：1等），因此會難以進行所期望的蝕刻處理。
因此，依實施態樣之蝕刻處理中，係在各磷酸濃度中設定矽酸濃度的下限值。
又，矽酸濃度的上限值例如在圖4所示的結果中，係對應氧化矽膜的蝕刻速率小於零的情況。當氧化矽膜的蝕刻速率為負的值時，由於在蝕刻處理時氧化矽膜會堆積在晶圓W，因此難以進行所期望的蝕刻處理。
因此，依實施態樣之蝕刻處理中，係在各磷酸濃度中設定矽酸濃度的上限值。
又，如圖5所示，依實施態樣之蝕刻處理中，隨著蝕刻液L的磷酸濃度變高，矽酸濃度的下限值與上限值之間的邊限（以下，亦稱為「再生長(regrowth)邊限」）會逐漸變寬。
這表示在依實施態樣之蝕刻處理中，隨著蝕刻液L的磷酸濃度變高，矽酸濃度的容許範圍會逐漸變寬。
圖6係顯示複數磷酸濃度中的矽酸濃度與蝕刻選擇比之關係的示意圖。又，以下圖式等中，所謂「蝕刻選擇比的值」係指將氧化矽膜之蝕刻速率設為1時的氮化矽膜之蝕刻速率的值。
如圖6所示，依實施態樣之蝕刻處理中，在所有磷酸濃度中，隨著蝕刻液L的矽酸濃度上升，蝕刻選擇比亦會逐漸上升。
又，依實施態樣之蝕刻處理中，隨著蝕刻液L的磷酸濃度變高，蝕刻選擇比之上升相對於矽酸濃度之上升的比例會逐漸緩和。
藉此，如圖6所示，依實施態樣之蝕刻處理中，獲得所期望的蝕刻選擇比之值A（例如，1000或2000等）的矽酸濃度之值，會隨著蝕刻液L的磷酸濃度變高而逐漸上升。
圖7係顯示磷酸濃度與氮化矽膜之蝕刻速率之關係之一例的圖式。如圖7所示，依實施態樣之蝕刻處理中，隨著蝕刻液L的磷酸濃度上升，氮化矽膜的蝕刻速率會逐漸減少。
這表示在依實施態樣之蝕刻處理中，隨著蝕刻液L的磷酸濃度越高，至所期望之蝕刻處理完成為止的處理時間越長。
圖4~圖7所示的資料，例如可在分別具有複數磷酸濃度及複數矽酸濃度的複數種類之蝕刻液L中，藉由分別測量氧化矽膜及氮化矽膜的蝕刻速率而取得。又，取得到的各種資料係預先儲存於儲存部8的蝕刻資訊儲存部8a。
回到圖3的說明。控制部9例如透過藉由CPU、MPU（Micro Processing Unit，微處理單元）、GPU（Graphics Processing Unit，圖形處理單元）等，將RAM作為作業區域而執行儲存於儲存部8的程式而實現。
又，控制部9例如亦可藉由ASIC（Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路）或FPGA（Field Programmable Gate Array，現場可程式邏輯閘陣列）等積體電路而實現。
控制部9包含：取得部9a、計算部9b、判斷部9c、修正部9d及設定部9e，並實現或執行以下說明之控制處理的功能或作用。又，控制部9的內部構成並不限於圖3所示之構成，只要係可進行後述控制處理的構成，亦可為其他構成。
取得部9a係取得預定進行蝕刻處理之複數晶圓W中的氮化矽膜及氧化矽膜的形成狀態。取得部9a例如基於前開式晶圓盒H（參照圖1）的批次ID，而取得接下來預定進行蝕刻處理之複數晶圓W中的氮化矽膜及氧化矽膜之形成狀態。
此前開式晶圓盒H的批次ID例如預先儲存於儲存部8或外部的儲存裝置（未圖示）等。
例如，取得部9a係取得形成於複數晶圓W的氮化矽膜及氧化矽膜之膜厚及積層數等，作為複數晶圓W中的氮化矽膜及氧化矽膜之形成狀態。又，取得部9a例如基於前開式晶圓盒H的批次ID，而取得接下來預定進行蝕刻處理之晶圓W的片數。
計算部9b進行各種計算處理。參照圖8~圖10並說明此計算處理的細節。圖8係用於說明藉由計算部9b所計算之蝕刻液L的濃度相關曲線L1的圖式。
如圖8所示，此濃度相關曲線L1係顯示當氮化矽膜相對於氧化矽膜之蝕刻選擇比為所期望之值A（參照圖6）時的矽酸濃度與磷酸濃度之相關關係的曲線。
計算部9b首先基於儲存於蝕刻資訊儲存部8a的如圖6所示之資料，而取得在所期望之蝕刻選擇比之值A時的蝕刻液L之磷酸濃度的值及矽酸濃度的值。
又，如圖8所示，計算部9b係將取得到的磷酸濃度的值及矽酸濃度的值繪製在XY平面上（此處為點P1~點P4）。最後，計算部9b係將通過繪製在XY平面上之複數點（例如點P1~點P4）的近似曲線，計算為濃度相關曲線L1。
藉此，可確定蝕刻選擇比為所期望之值A時的蝕刻液L中的矽酸濃度與磷酸濃度之相關關係。
又，計算部9b係基於取得部9a所取得到的複數晶圓W中的氮化矽膜及氧化矽膜之形成狀態，而計算此複數晶圓W之蝕刻處理中的矽酸濃度之時間變遷。
圖9係顯示藉由計算部9b所計算之矽酸化合物的濃度變遷直線L2及磷酸的濃度變遷曲線L3之一例的圖式。又，圖9的例子係顯示收納於一個前開式晶圓盒H（參照圖1）的晶圓W之片數較少的情況，或形成於晶圓W之氮化矽膜及氧化矽膜的積層數較少的情況。
如此之情況，由於從複數晶圓W全體每單位時間溶出之氧化矽膜的量較少，故如圖9（a）所示之矽酸化合物的濃度變遷直線L2般，蝕刻處理中之蝕刻液L中的矽酸濃度之上升率較為緩和。
又，計算部9b係基於以上述方式計算出的濃度相關曲線L1（參照圖8），及矽酸化合物的濃度變遷直線L2，而計算複數晶圓W之蝕刻處理中的磷酸濃度之時間變遷。
具體而言，計算部9b係使用矽酸化合物的濃度變遷直線L2之資料，將濃度相關曲線L1的矽酸濃度轉換成時間，藉此計算磷酸濃度的時間變遷。藉此，計算如圖9（b）所示之磷酸的濃度變遷曲線L3。
圖10係顯示藉由計算部9b所計算之矽酸化合物的濃度變遷直線L2及磷酸的濃度變遷曲線L3之另一例的圖式。又，圖10的例子係顯示收納於一個前開式晶圓盒H（參照圖1）的晶圓W之片數較多的情況，或形成於晶圓W之氮化矽膜及氧化矽膜的積層數較多的情況。
如此之情況，由於從複數晶圓W全體每單位時間溶出之氧化矽膜的量較多，故如圖10（a）所示之矽酸化合物的濃度變遷直線L2般，蝕刻處理中之蝕刻液L中的矽酸濃度之上升率較大。
又，計算部9b係基於以上述方式計算出的濃度相關曲線L1（參照圖8），及矽酸化合物的濃度變遷直線L2，計算複數晶圓W之蝕刻處理中的磷酸濃度之時間變遷。藉此，計算如圖10（b）所示之磷酸的濃度變遷曲線L3。
以上述方式計算出的磷酸之濃度變遷曲線L3係顯示，可將預定進行蝕刻處理之複數晶圓W從蝕刻處理開始到完成的期間，以所期望的蝕刻選擇比之值A（參照圖6）持續進行蝕刻處理的磷酸之濃度變遷。
回到圖3的說明。判斷部9c係判斷可否進行從蝕刻處理開始到完成的期間，蝕刻選擇比會固定在指定之值A（參照圖6）這樣的蝕刻處理。具體而言，判斷部9c係判斷以上述方式計算出的磷酸之濃度變遷曲線L3（參照圖9）所示的磷酸濃度之上升，是否可在處理槽61實施。
例如，當藉由使氣體供給部140動作而促進貯存於處理槽61的蝕刻液L之蒸發，而使磷酸之濃度變遷曲線L3所示的磷酸濃度之上升可在處理槽61實施時，判斷部9c係判斷此磷酸濃度之上升為可行。
另一方面，當即使藉由使氣體供給部140動作而促進貯存於處理槽61的蝕刻液L之蒸發，仍無法使磷酸之濃度變遷曲線L3所示的磷酸濃度之上升在處理槽61實施時，判斷部9c係判斷此磷酸濃度之上升為不可行。
修正部9d係在從蝕刻處理開始到完成的期間，修正蝕刻液L的磷酸濃度，以使蝕刻選擇比固定在指定之值A。
例如，在判斷為磷酸之濃度變遷曲線L3所示的磷酸濃度之上升可在處理槽61實施的情況下，修正部9d係從蝕刻處理開始到完成的期間，沿著磷酸之濃度變遷曲線L3而修正蝕刻液L的磷酸濃度。
藉此，即使在複數晶圓W的蝕刻處理中，當蝕刻液L的矽酸濃度逐漸上升時，亦可在不用補充蝕刻液L之新液的情況下，以穩定的蝕刻選擇比實施蝕刻處理。
從而，依實施態樣，可在使用包含磷酸之蝕刻液L而蝕刻晶圓W的技術中，減少蝕刻液L的使用量。
又，在實施態樣中，當基於磷酸之濃度變遷曲線L3而進行複數晶圓W的蝕刻處理時，修正部9d宜基於濃度感測器125（參照圖2）的測量結果而修正蝕刻液L的磷酸濃度。
藉此，由於在進行蝕刻處理時可精度良好地順著磷酸之濃度變遷曲線L3，故可精度良好地實施複數晶圓W的蝕刻處理。
又，一次蝕刻處理中的從開始到完成的蝕刻時間，例如係基於蝕刻處理開始時的蝕刻液L之磷酸濃度，及圖7所示之氮化矽膜的蝕刻速率而設定。
圖11係顯示依實施態樣之蝕刻處理中的蝕刻液L之磷酸濃度及蝕刻選擇比的時間變遷之一例的圖式。
如圖11所示，在依實施態樣之蝕刻處理中，在處理槽61中會進行蝕刻液L的液更換，以將蝕刻液L的磷酸濃度設定在既定起始濃度Ca（例如，85wt％~90wt％程度）。又此時，蝕刻液L的溫度例如係設定在150℃~170℃。
又，修正部9d（參照圖3）係基於以第一批複數晶圓W之成膜狀態，及磷酸之起始濃度Ca為基準而計算出的磷酸之濃度變遷曲線L3，進行更換成新液後的此第一批複數晶圓W（參照圖1）之蝕刻處理X1。
接著，修正部9d係基於以第二批複數晶圓W之成膜狀態，及第一批蝕刻處理X1結束時的磷酸濃度Ca1為基準而計算出的磷酸之濃度變遷曲線L3，進行此第二批複數晶圓W的蝕刻處理X2。
接著，修正部9d係基於以第三批複數晶圓W之成膜狀態，及第二批蝕刻處理X2結束時的磷酸濃度Ca2為基準而計算出的磷酸之濃度變遷曲線L3，進行第三批複數晶圓W的蝕刻處理X3。
如此，在實施態樣中，可使用相同蝕刻液L，而重複進行複數晶圓W的批次處理。
又，修正部9d係基於以第n批複數晶圓W之成膜狀態，及第n－1批蝕刻處理Xn－1結束時的磷酸濃度為基準而計算出的磷酸之濃度變遷曲線L3，進行此第n批複數晶圓W的蝕刻處理Xn。
又，在實施態樣中，當第n批蝕刻處理Xn結束時，若處理槽61的蝕刻液L之磷酸濃度達到上限之濃度Cb（例如，98wt％左右）的情況下，係在處理槽61中進行蝕刻液L的液更換。
又，在依實施態樣之蝕刻處理中，由於所有的蝕刻處理X1~Xn均基於磷酸的濃度變遷曲線L3而進行，故如圖11所示，在所有的蝕刻處理X1~Xn中，蝕刻選擇比均固定在所期望的值A。
如此，在實施態樣中，即使在複數次的蝕刻處理X1~Xn中，當蝕刻液L的矽酸濃度逐漸上升時，亦可在不用補充蝕刻液L之新液的情況下，以穩定的蝕刻選擇比實施蝕刻處理。
從而，依實施態樣，可在使用包含磷酸之蝕刻液L而蝕刻晶圓W的技術中，減少蝕刻液L的使用量。
又，在實施態樣中，如圖11所示，修正部9d在持續使用相同蝕刻液L的情況下，宜使蝕刻液L的磷酸濃度逐漸升高，以使蝕刻選擇比成為固定。
藉此，由於可在不用補充蝕刻液L之新液的情況下，以穩定的蝕刻選擇比實施蝕刻處理，故可減少蝕刻液L的使用量。
又，在實施態樣中，作為使蝕刻液L之磷酸濃度逐漸升高的手段，宜使氣體供給部140動作而促進蝕刻液L的蒸發。藉此，能以簡便的手段使蝕刻液L的磷酸濃度逐漸升高。
又，在實施態樣中，當基於磷酸的濃度變遷曲線L3而進行磷酸濃度的修正處理時，若想抑制蝕刻液L的磷酸濃度上升，修正部9d亦可從超純水供給部105將超純水供給至處理槽61。藉此，能以簡便的手段抑制蝕刻液L的磷酸濃度上升。
回到圖3的說明。設定部9e係在判斷部9c判斷無法進行從蝕刻處理開始到完成的期間，蝕刻選擇比會固定在指定之值A這樣的蝕刻處理時，設定蝕刻液L的新的磷酸濃度。
此新的磷酸濃度係比當時的磷酸濃度高的濃度，並且係可進行從蝕刻處理開始到完成的期間，蝕刻選擇比會固定在指定之值A這樣的蝕刻處理之磷酸濃度。又，設定部9e係將貯存於處理槽61的蝕刻液L之磷酸濃度，調整至新設定的磷酸濃度之值。
如此，在實施態樣中，即使在處理槽61的蒸發促進能力不足，以目前狀態無法以所期望之蝕刻選擇比實施下次蝕刻處理之情況下，亦可藉由以設定部9e設定新的磷酸濃度，而毫無問題地實施下次蝕刻處理。
亦即，在實施態樣中，即使在處理槽61的蒸發促進能力不足，以目前狀態無法以所期望的蝕刻選擇比實施下次蝕刻處理之情況下，由於仍不需要更換處理槽61的蝕刻液L，故可減少蝕刻液L的使用量。
又，在實施態樣中，不僅在內槽111，宜在外槽112亦配置氣體噴嘴147。藉此，由於可更促進貯存於處理槽61的蝕刻液L之蒸發，故磷酸之濃度變遷曲線L3所示的磷酸濃度之上升，可在較廣的範圍實施。
從而，依實施態樣，由於可抑制磷酸濃度再設定之情形，故從蝕刻液L更換前可處理更多的晶圓W來看，可更減少蝕刻液L的使用量。
又，在實施態樣中，蝕刻選擇比的值A宜為任意的值。藉此，可配合使用者的期望而以各式各樣的蝕刻選擇比將實施態樣的蝕刻處理加以實施。
又，在至此為止所說明過的實施態樣中，係例示了將本發明之技術應用於將複數晶圓W一次處理的批次處理之例子，但本發明並不限於此例。例如，亦可將本發明之技術應用於將晶圓W逐一進行蝕刻處理的單片晶圓處理。
此情況下，例如宜在單片晶圓處理的基板處理部設置將使用於蝕刻處理的蝕刻液L再利用的再利用機構，並在此再利用機構中應用上述技術。
又，在本發明的技術中，亦可另外設置測量貯存於處理槽61之蝕刻液L之矽酸濃度的矽酸濃度感測器，並基於此矽酸濃度感測器的測量值，及圖8所示之濃度相關曲線L1，而控制蝕刻液L的磷酸濃度。
藉此，亦可在不用補充蝕刻液L之新液的情況下，以穩定的蝕刻選擇比實施蝕刻處理，故可減少蝕刻液L的使用量。
依實施態樣之基板處理裝置（基板處理系統1）包含基板處理部110及控制部9。基板處理部110係將表面形成有氮化矽膜及氧化矽膜的一個或是複數個基板（晶圓W），以包含磷酸水溶液及矽酸化合物的處理液（蝕刻液L）進行蝕刻處理。控制部9係控制各部。又，控制部9包含修正部9d。修正部9d係修正處理液（蝕刻液L）的磷酸濃度，以使得從蝕刻處理開始到完成的期間，氮化矽膜相對於氧化矽膜的蝕刻選擇比固定在指定之值A。藉此，可在使用包含磷酸水溶液之蝕刻液L而蝕刻晶圓W的技術中，減少蝕刻液L的使用量。
又，依實施態樣之基板處理裝置（基板處理系統1）更包含：濃度感測器125，測量處理液（蝕刻液L）的磷酸濃度。又，修正部9d係基於濃度感測器125的測量結果，而修正處理液（蝕刻液L）的磷酸濃度。藉此，可精度良好地實施晶圓W的蝕刻處理。
又，在依實施態樣之基板處理裝置（基板處理系統1）中，修正部9d係基於表示蝕刻選擇比為指定之值A時的處理液中之磷酸濃度與矽酸濃度之關係的資料（濃度相關曲線L1），而修正處理液的磷酸濃度。藉此，可精度良好地實施晶圓W的蝕刻處理。
又，在依實施態樣之基板處理裝置（基板處理系統1）中，指定之值A為任意的值。藉此，可配合使用者的期望而以各式各樣的蝕刻選擇比將實施態樣的蝕刻處理加以實施。
又，在依實施態樣之基板處理裝置（基板處理系統1）中，在持續使用相同處理液（蝕刻液L）的情況下，修正部9d係使處理液（蝕刻液L）的磷酸濃度逐漸升高，以使蝕刻選擇比成為固定。藉此，可減少蝕刻液L的使用量。
又，在依實施態樣之基板處理裝置（基板處理系統1）中，基板處理部110包含：內槽111、外槽112及氣體供給部140。內槽111在頂部具有開口部111a，並貯存處理液（蝕刻液L），且將複數基板（晶圓W）進行浸漬處理。外槽112配置於內槽111的外側，並接收從開口部111a流出的處理液（蝕刻液L）。氣體供給部140係對內槽111及外槽112的底部供給惰性氣體。又，修正部9d係藉由控制供給至內槽111及外槽112之至少一者的惰性氣體之量，而使處理液（蝕刻液L）的磷酸濃度逐漸升高。藉此，能以簡便的手段使蝕刻液L的磷酸濃度逐漸升高。
又，在依實施態樣之基板處理裝置（基板處理系統1）中，控制部9包含判斷部9c。判斷部9c係判斷可否進行從蝕刻處理開始到完成的期間，蝕刻選擇比會固定在指定之值A這樣的蝕刻處理。又，判斷部9c係基於蝕刻處理開始時的內槽111內之處理液的磷酸濃度及矽酸濃度、複數基板中的氮化矽膜及氧化矽膜之形成狀態，及可從氣體供給部140供給的惰性氣體之供給量而進行判斷。藉此，即使在處理槽61的蒸發促進能力不足，以目前狀態無法以所期望的蝕刻選擇比實施下次蝕刻處理之情況下，亦可實施藉由設定部9e所進行的磷酸濃度之再設定處理，藉此毫無問題地實施下次蝕刻處理。
又，在依實施態樣之基板處理裝置（基板處理系統1）中，控制部9包含設定部9e。設定部9e係設定新的磷酸濃度，該新的磷酸濃度可進行從蝕刻處理開始到完成的期間，蝕刻選擇比會固定在指定之值A這樣的蝕刻處理。又，設定部9e係在判斷部9c判斷無法進行從蝕刻處理開始到完成的期間，蝕刻選擇比會固定在指定之值這樣的蝕刻處理時，設定新的磷酸濃度。藉此，即使在處理槽61的蒸發促進能力不足，以目前狀態無法以所期望的蝕刻選擇比實施下次蝕刻處理之情況下，亦可毫無問題地實施下次蝕刻處理。
又，在依實施態樣之基板處理裝置（基板處理系統1）中，控制部9包含取得部9a。取得部9a係基於包含基板（晶圓W）之片數，及基板（晶圓W）之製程處方的前開式晶圓盒H之批次ID，而取得複數基板（晶圓W）中的氮化矽膜及氧化矽膜之形成狀態。藉此，可精度良好地實施晶圓W的蝕刻處理。
＜控制處理之步驟＞
接著，參照圖12並說明依實施態樣之控制處理之步驟。圖12係顯示依實施態樣之基板處理系統1所執行的控制處理之步驟之一例的流程圖。
在依實施態樣之控制處理中，首先，控制部9係將更換後之處理槽61內的蝕刻液L之磷酸濃度調整至起始值（起始濃度Ca）（參照圖11）（步驟S101）。
接著，控制部9係基於前開式晶圓盒H的批次ID，而取得收納於前開式晶圓盒H，且接下來預定進行蝕刻處理的複數晶圓W之晶圓資訊（步驟S102）。在此步驟S102的處理中，係取得接下來預定進行蝕刻處理之晶圓W的片數，及複數晶圓W中的氮化矽膜及氧化矽膜之形成狀態等。
接著，控制部9係基於取得到的晶圓W之晶圓資訊，而計算下次蝕刻處理中的矽酸化合物之濃度變遷直線L2（步驟S103）。又，控制部9係基於計算出的矽酸化合物之濃度變遷直線L2，而計算下次蝕刻處理中的磷酸之濃度變遷曲線L3（步驟S104）。
接著，控制部9係判斷計算出的磷酸之濃度變遷曲線L3中，磷酸濃度是否達到指定的上限值（步驟S105）。又，在判斷為磷酸濃度未達到指定的上限值時（步驟S105，否），控制部9係判斷計算出的磷酸之濃度變遷曲線L3所示的磷酸之濃度變遷可否在處理槽61進行（步驟S106）。
又，在判斷為磷酸之濃度變遷曲線L3所示的磷酸之濃度變遷可在處理槽61進行時（步驟S106，是），控制部9係將複數晶圓W一次搬入處理槽61的內槽111（步驟S107）。又，控制部9係在處理槽61中將複數晶圓W一次進行蝕刻處理（步驟S108）。
接著，控制部9係基於藉由步驟S104之處理所計算出的磷酸之濃度變遷曲線L3，修正蝕刻處理中的蝕刻液L之磷酸濃度（步驟S109）。又，控制部9係將完成蝕刻處理的複數晶圓W從處理槽61搬出（步驟S110），並回到步驟S102的處理。
另一方面，在判斷為磷酸之濃度變遷曲線L3所示的磷酸之濃度變遷無法在處理槽61進行時（步驟S106，否），控制部9係設定處理槽61之蝕刻液L的新的磷酸濃度（步驟S111）。又，回到步驟S103的處理。
又，在上述步驟S105的處理中，當判斷為磷酸濃度達到指定的上限值時（步驟S105，是），係將處理槽61的蝕刻液L更換成新的蝕刻液（步驟S112），並完成一連串的基板處理。
依實施態樣之基板處理方法包含：蝕刻步驟（步驟S108）及修正步驟（步驟S109）。蝕刻步驟（步驟S108）係將表面形成有氮化矽膜及氧化矽膜的一個或是複數個基板（晶圓W），以包含磷酸及矽酸化合物的處理液（蝕刻液L）進行蝕刻處理。修正步驟（步驟S109）係修正處理液（蝕刻液L）的磷酸濃度，以使得從蝕刻處理開始到完成的期間，氮化矽膜相對於氧化矽膜的蝕刻選擇比固定在指定之值A。藉此，可在使用包含磷酸水溶液之蝕刻液L而蝕刻晶圓W的技術中，減少蝕刻液L的使用量。
以上，針對本發明的實施態樣進行說明，但本發明並不限定於上述實施態樣，只要在不脫離其主旨的情況下，可進行各種變更。
吾人應瞭解到本次所揭露的實施態樣其所有內容僅為例示而非限制。實際上，上述實施態樣能以多樣的態樣而具體實現。又，上述實施態樣在不脫離附加之申請專利範圍及其主旨的情況下，能以各式各樣的態樣進行省略、替換、變更。
1:基板處理系統(基板處理裝置之一例)
2:載具搬入搬出部
3:批次形成部
4:批次載置部
5:批次搬運部
6:批次處理部
7:控制裝置
8:儲存部
8a:蝕刻資訊儲存部
9:控制部
9a:取得部
9b:計算部
9c:判斷部
9d:修正部
9e:設定部
20:載具平台
21:載具搬運機構
22,23:載具存放區
24:載具載置台
30:基板搬運機構
40:批次搬運台
41:搬入側載置台
42:搬出側載置台
50:批次搬運機構
51:軌道
52:移動體
53:基板固持體
60:蝕刻處理裝置
61,62:處理槽
63,64:基板升降機構
70:清洗處理裝置
71,72:處理槽
73,74:基板升降機構
90:乾燥處理裝置
91:處理槽
92:基板升降機構
100:蝕刻液供給部
101:蝕刻液供給源
102:蝕刻液供給路徑
103:流量調整器
105:超純水供給部
106:超純水供給源
107:超純水供給路徑
108:流量調整器
110:基板處理部
111:內槽
111a:開口部
112:外槽
120:蝕刻液循環部
121:循環路徑
122:泵浦
123:加熱器
124:過濾器
125:濃度感測器
126:處理液噴嘴
140:氣體供給部
141:氣體供給源
142,145:氣體供給路徑
143,146:流量調整器
144,147:氣體噴嘴
A:值
Ca1,Ca2:磷酸濃度
Ca:起始濃度
Cb:磷酸濃度達到上限之濃度
H:前開式晶圓盒
L:蝕刻液(處理液之一例)
L1:濃度相關曲線
L2:濃度變遷直線
L3:濃度變遷曲線
P1~P4:點
S101~S112:步驟
W:晶圓(基板之一例)
X1~Xn:蝕刻處理
圖1係顯示依實施態樣之基板處理系統之構成的概略方塊圖。
圖2係顯示依實施態樣之蝕刻處理裝置之構成的概略方塊圖。
圖3係顯示依實施態樣之控制裝置之構成的方塊圖。
圖4係顯示複數磷酸濃度中的矽酸濃度與氧化矽膜之蝕刻速率之關係之一例的圖式。
圖5係顯示複數磷酸濃度中的矽酸濃度之上限值及下限值的示意圖。
圖6係顯示複數磷酸濃度中的矽酸濃度與蝕刻選擇比之關係的示意圖。
圖7係顯示磷酸濃度與氮化矽膜之蝕刻速率之關係之一例的圖式。
圖8係用於說明以計算部算出之蝕刻液之濃度相關曲線的圖式。
圖9(a)、(b)係顯示以計算部算出之矽酸化合物之濃度變遷直線及磷酸之濃度變遷曲線之一例的圖式。
圖10(a)、(b)係顯示以計算部算出之矽酸化合物之濃度變遷直線及磷酸之濃度變遷曲線之另一例的圖式。
圖11係顯示依實施態樣之蝕刻處理中的蝕刻液之磷酸濃度及蝕刻選擇比之時間變遷之一例的圖式。
圖12係顯示依實施態樣之基板處理系統所執行之控制處理之步驟之一例的流程圖。
A:值
Ca:起始濃度
Ca1,Ca2:磷酸濃度
Cb:磷酸濃度達到上限之濃度
L3:濃度變遷曲線
X1~Xn:蝕刻處理
Claims (10)
- 一種基板處理裝置，包含： 基板處理部，將表面形成有氮化矽膜及氧化矽膜的一個或是複數個基板，以包含磷酸及矽酸化合物的處理液進行蝕刻處理；及 控制部，控制各部； 該控制部包含： 修正部，修正該處理液的磷酸濃度，以使得從該蝕刻處理開始到完成的期間，氮化矽膜相對於氧化矽膜的蝕刻選擇比固定在指定之值。
- 如請求項1所述之基板處理裝置，更包含： 濃度感測器，測量該處理液的磷酸濃度； 該修正部係基於該濃度感測器的測量結果，而修正該處理液的磷酸濃度。
- 如請求項1或2所述之基板處理裝置，其中， 該修正部係基於表示該蝕刻選擇比為該指定之值時的該處理液中之磷酸濃度與矽酸濃度之關係的資料，而修正該處理液的磷酸濃度。
- 如請求項1或2所述之基板處理裝置，其中， 該指定之值為任意之值。
- 如請求項1或2所述之基板處理裝置，其中， 在持續使用相同該處理液的情況下，該修正部係使該處理液的磷酸濃度逐漸升高，以使該蝕刻選擇比成為固定。
- 如請求項5所述之基板處理裝置，其中， 該基板處理部包含： 內槽，於頂部具有開口部，並貯存該處理液，且將複數該基板進行浸漬處理； 外槽，配置於該內槽的外側，並接收從該開口部流出的該處理液；及 氣體供給部，對該內槽及該外槽的底部供給惰性氣體； 該修正部係藉由控制供給至該內槽及該外槽之至少一者的惰性氣體之量，而使該處理液的磷酸濃度逐漸升高。
- 如請求項6所述之基板處理裝置，其中， 該控制部包含： 判斷部，基於該蝕刻處理開始時的該內槽內之該處理液的磷酸濃度及矽酸濃度、複數該基板中的氮化矽膜及氧化矽膜之形成狀態，及可從該氣體供給部供給的惰性氣體之供給量，而判斷可否進行從該蝕刻處理開始到完成的期間，該蝕刻選擇比會固定在該指定之值這樣的蝕刻處理。
- 如請求項7所述之基板處理裝置，其中， 該控制部包含： 設定部，在該判斷部判斷為無法進行從該蝕刻處理開始到完成的期間，該蝕刻選擇比會固定在該指定之值這樣的蝕刻處理時，設定新的磷酸濃度，該新的磷酸濃度可進行從該蝕刻處理開始到完成的期間，該蝕刻選擇比會固定在該指定之值這樣的蝕刻處理。
- 如請求項7所述之基板處理裝置，其中， 該控制部包含： 取得部，基於包含該基板之片數，及該基板之製程處方的前開式晶圓盒之批次ID，而取得複數該基板中的氮化矽膜及氧化矽膜之形成狀態。
- 一種基板處理方法，包含以下步驟： 蝕刻步驟，將表面形成有氮化矽膜及氧化矽膜的一個或是複數個基板，以包含磷酸及矽酸化合物的處理液進行蝕刻處理；及 修正步驟，修正該處理液的磷酸濃度，以使得從該蝕刻處理開始到完成的期間，氮化矽膜相對於氧化矽膜的蝕刻選擇比會固定在指定之值。
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