WO2005087697A1 - β−ジケトナトを配位子とする金属錯体 - Google Patents

β−ジケトナトを配位子とする金属錯体 Download PDF

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Takumi Kadota
Chihiro Hasegawa
Kouhei Watanuki
Hiroyuki Sakurai
Hiroki Kanato
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    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds

Definitions

  • the present invention relates to a metal oxide film or a metal complex that is advantageously used for producing a metal thin film by a chemical vapor deposition method (CVD method).
  • CVD method chemical vapor deposition method
  • complexes of Group III metals of the periodic table eg, strontium, norium and magnesium
  • Complexes of Group III metals eg, zinc
  • complexes of Group III metals eg, indium, aluminum, and gallium
  • It is used as a material for the production of films and semiconductor memory gate dielectrics, and is being studied.
  • Complexes of Group IVA metals can be used as materials for the manufacture of ferroelectric (PZT) and semiconductor memory gate dielectrics, as well as for Group VIA metals.
  • Complexes eg, chromium
  • Complexes of Group VIIA metals have been used and studied as materials for the manufacture of thermistor devices utilizing electrochromic devices and the high resistance to temperature change and high temperature resolution. ing.
  • Complexes of Group VIII metals are used as materials for forming thin films to improve the density of copper nucleation in copper wiring used in silicon semiconductors and to improve the adhesion between copper wiring and its base.
  • Group IB metals eg, copper, silver, and gold
  • complexes of Group IB metals are used as materials for forming electrical wiring because of their low electrical resistance.
  • copper thin films since they can be used for wiring of silicon semiconductors.
  • metal oxide thin films containing copper oxide as a component have attracted attention as a material for high-temperature superconductors! / Puru.
  • rare earth metal eg, scandium, yttrium, and lanthanoid
  • rare earth metals are attracting attention as high-temperature superconductors, high dielectric materials as gate insulating films, and ferroelectric materials as PLZT thin films. , Useful as materials for their manufacture.
  • a metal complex having ⁇ -diketonate as a ligand has been widely used as a raw material for producing a metal atom-containing thin film by a CVD method.
  • 8-diketonate as a ligand has excellent stability and sublimability, and is useful as a metal source in CVD.
  • Specific examples of the j8-diketonato ligand include, for example, acetylacetonato (acac) and 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato (dpm). ing.
  • the metal complex represented by is known (Patent Document 1 and Non-Patent Document 1).
  • the strontium complex of formula (a) has improved stability, but has a problem of low vapor pressure
  • the strontium complex of formula (b) has stability and sublimability.
  • it has a problem that it has a high melting point (235 ° C), which is a problem as a raw material for producing strontium thin films by CVD.
  • the zinc complex belonging to Group III is represented by the following formula:
  • Non-Patent Document 2 A metal complex represented by the following formula is known (Non-Patent Document 2).
  • the above-mentioned zinc complex has a drawback that it is difficult to stably supply the zinc complex because the thermal stability is low and thermal deterioration is apt to occur.
  • Patent Document 2 A metal complex of a ligand having an ether group represented by the following formula is known (Patent Document 2).
  • Patent Document 2 the above-mentioned aluminum complex has a drawback that V is difficult to stably supply the aluminum complex because thermal stability is low and thermal deterioration is apt to occur.
  • Sn (dpm) is known as a tin complex belonging to Group IVB (Patent Document 3)
  • V (dpm) is known as a vanadium complex belonging to Group VA (Patent Document
  • this complex is also a high melting point metal complex, and has problems as a raw material for producing vanadium thin films by the CVD method.
  • a metal complex represented by is known (Non-Patent Document 2 and Patent Document 7).
  • the nickel complex of the formula (c) has a low thermal stability, which causes thermal degradation immediately, and the nickel complex of the formula (d) has a problem that the vapor pressure is low due to its large molecular weight. .
  • Patent Document 8 A metal complex represented by the following formula is known (Patent Document 8).
  • the above-mentioned cobalt complex has a disadvantage that thermal degradation occurs due to low thermal stability and stable supply of the cobalt complex is difficult to obtain immediately.
  • the rare earth metal complex is represented by the following formula:
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 9 136857
  • Patent document 2 German published patent application No. 2207866
  • Patent Document 3 JP-A-6-234779
  • Patent document 4 JP 2002-155008 A
  • Patent Document 5 JP-A-2003-226664
  • Patent Document 6 JP-A-2003-49269
  • Patent Document 7 International Patent Publication No. 01/48130
  • Patent Document 8 JP-A-2-121944
  • Patent Document 9 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-181840
  • Patent Document 10 JP-A-2003-321475
  • Patent Document 11 JP-A-4-72066
  • Patent Document 12 JP-A-9-228049
  • Non-patent literature l Zhurnal Neorganicheskoi Khimii, 36 (9), 2279 (1991)
  • Non-Patent Document 2 Inorg.Chem., 1 (2), 404 (1962)
  • An object of the present invention is to provide a metal complex having a low melting point, excellent stability against moisture, air and heat, and suitable for forming a metal thin film by a CVD method.
  • the present invention resides in a metal complex having ⁇ -diketonate having an alkoxyalkylmethyl group as a ligand.
  • the 13-diketonato ligand having an alkoxyalkylmethyl group of the metal complex of the present invention has the following formula (1): [0040] [Formula 8]
  • [X] is an alkoxyalkylmethyl group represented by the above formula (2) (wherein, R a and R b are each independently a straight-chain or branched chain having 115 carbon atoms.
  • Y represents a group of the above formula (2) or a linear or branched alkyl group having 18 carbon atoms, and Z represents a hydrogen atom or a carbon atom number. And represents a 1-4 alkyl group].
  • the metal complex of the present invention has the following formula (3):
  • N represents an integer of 14
  • M represents a metal atom
  • X, Y and Z have the same meanings as above.
  • N represents an integer of 14
  • M represents a metal atom
  • X, Y and Z have the same meanings as above.
  • N represents an integer of 14
  • N is preferably a metal complex represented by the following formula:
  • M is preferably a metal atom of Group I, II, III, IVB or VA of the periodic table, particularly a magnesium atom, a calcium atom, a strontium atom, or a metal atom. It is preferably a metal atom selected from the group consisting of palladium atom, zinc atom, boron atom, aluminum atom, gallium atom, indium atom, germanium atom, tin atom, lead atom, vanadium atom, niobium atom and tantalum atomic force. .
  • M is also a metal atom of Group IVA, VIA, VIIA or VIII of the Periodic Table.
  • the metal atom is selected from the group consisting of titanium, zirconium, hafnium, chromium, manganese, nickel, cobalt, iron, ruthenium, and iridium. .
  • M is also a metal atom of Group IB of the periodic table (particularly, a metal atom selected from the group consisting of a copper atom, a silver atom and a gold atom), and n may be 1 or 2.
  • U preferred.
  • M is also a rare earth metal atom (particularly, a metal atom selected from the group consisting of yttrium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, erbium, yttrium, and lutetium nuclear). ), And n is preferably 3 or 4! / ,.
  • the present invention also provides a step of heating a metal complex having a / 3 diketonate having an alkoxyalkylmethyl group as a ligand to form a metal complex vapor and supplying it to a reaction vessel equipped with a substrate. Is produced by contacting with oxygen or water vapor under heating in a reaction vessel to thermally decompose and convert the metal oxide vapor into a metal oxide vapor, and depositing the metal oxide vapor on the substrate surface. There is also a method.
  • the present invention also provides a step of heating a metal complex having 13 diketonato having an alkoxyalkylmethyl group as a ligand to form a metal complex vapor, and supplying the metal complex vapor into a reaction vessel equipped with a substrate.
  • a method for producing a metal thin film which comprises a step of contacting with hydrogen while being heated in a reaction vessel, thermally decomposing the hydrogen into metal vapor, and depositing the metal vapor on a substrate surface.
  • the metal complex When heating the metal complex in the method for producing a metal thin film, it is preferable to heat the metal complex as a solution in which the metal complex is dissolved in an organic solvent (particularly, an aliphatic hydrocarbon solvent, an aromatic hydrocarbon solvent or an ether solvent). ,.
  • an organic solvent particularly, an aliphatic hydrocarbon solvent, an aromatic hydrocarbon solvent or an ether solvent.
  • the metal complex having a ligand of 13 diketonato having an alkoxyalkylmethyl group used in the present invention is represented by the above formula (1), and the metal complex of the present invention is represented by the above formula (3). It is.
  • X is an alkoxyalkylmethyl group represented by the above formula (2)
  • R a and R b are linear or branched having 115 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t -butyl group and pentyl group.
  • Y represents a group represented by the formula (2) or a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, A straight-chain or branched alkyl group having 18 carbon atoms such as pentyl, hexyl, heptyl and octyl; Z is a hydrogen atom or a methyl, ethyl or n-propyl Represents a straight-chain or branched alkyl group having 14 to 14 carbon atoms such as a group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group and the like.
  • n represents an integer of 1 to 4.
  • the 13-diketonato ligand having an alkoxyalkylmethyl group which is a ligand of the metal complex of the present invention, can be easily synthesized by a method according to a known method for producing
  • M represents a rare earth metal atom.
  • a known CVD method can be used as a method for depositing a metal-containing compound on a substrate.
  • a metal complex can be converted to oxygen, water vapor, ozone, nitrogen oxide (eg, under normal pressure or reduced pressure). , NO) and a reducing gas such as hydrogen together with an oxidizing gas such as hydrogen.
  • a method of depositing and depositing a metal oxide thin film or a metal thin film, or a method of depositing a metal complex together with a nitrogen-containing basic gas such as an ammonia gas on a heated substrate to deposit a metal nitride thin film can be used. Also, a method of depositing a metal-containing thin film by a plasma CVD method can be used.
  • a step of heating the metal complex of the present invention to form a metal complex vapor supplying the vapor to a reaction vessel equipped with a substrate, and reacting the metal complex vapor
  • a method comprising a step of bringing into contact with oxygen or water vapor under heating in a vessel to thermally decompose it into a metal oxide vapor and depositing the metal oxide vapor on the substrate surface.
  • a step of heating the metal complex of the present invention to form a metal complex vapor supplying the vapor to a reaction vessel equipped with a substrate, and then introducing the metal complex vapor into the reaction vessel Heat and come into contact with a reducing gas such as hydrogen to decompose and convert to metal vapor.
  • a reducing gas such as hydrogen to decompose and convert to metal vapor.
  • a powerful method for depositing the metal vapor on the substrate surface can be used.
  • a metal complex itself is filled in a vaporization chamber.
  • the metal complex which can be transported and vaporized alone can be converted to a suitable solvent (for example, aliphatic hydrocarbons such as hexane and octane, aromatic hydrocarbons such as toluene, and ethers such as tetrahydrofuran and dibutyl ether).
  • a suitable solvent for example, aliphatic hydrocarbons such as hexane and octane, aromatic hydrocarbons such as toluene, and ethers such as tetrahydrofuran and dibutyl ether.
  • the deposition conditions are, for example, the pressure in the reactor is preferably 1 to 200 kPa, more preferably 10 1 lOkPa,
  • the substrate temperature is preferably 50-700 ° C, more preferably 100-500 ° C, and the temperature at which the metal complex is vaporized is preferably 50-250 ° C, more preferably 90-200 ° C. C.
  • the content ratio of the oxidizing gas with respect to the total gas amount when depositing the metal oxide thin film with an oxidizing gas such as oxygen is preferably 10 to 90% by volume, more preferably 20 to 90% by volume.
  • the content of water vapor with respect to the total gas amount when the metal oxide film is deposited by water vapor is preferably 70 to 90% by volume, more preferably 5 to 90% by volume, and still more preferably 10 to 70% by volume.
  • the content ratio of the reducing gas with respect to the total gas amount when depositing a metal film with a reducing gas such as hydrogen is preferably 10 to 95% by volume, and more preferably 30 to 90% by volume. .
  • the content ratio of the nitrogen-containing basic gas to the total gas amount when depositing the metal nitride film or the metal film with the nitrogen-containing basic gas such as ammonia is preferably 10 to 95% by volume, more preferably. Is 20-90% by volume.
  • IR (neat (cm -1 )): 2972, 2936, 1602 (br), 1461, 1366, 1200, 1059, 886, 809 (The peak at 1602cm- 1 is a characteristic peak of ⁇ -diketone)
  • Tris (2-methoxy-6-methinolay 3,5-heptanedionato) indium (III) is a novel compound having the following physical data.
  • IR (neat (cm -1 )): 2975, 2933, 1571, 1539, 1515, 1429, 1402, 1363, 1331, 1230, 1120, 952, 914, 809, 554 (j8—peak unique to diketone) (1607 cm— disappeared, peak unique to ⁇ -diketonate (1571 cm observed)
  • Tris (2-methoxy-6,6-dimethyl-3,5-heptanedionato) indium (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) strontium (II) is a novel compound having the following physical properties.
  • Bis (2-methoxy-6,6-dimethyl-3,5-heptanedionato) strontium (II) is a novel compound having the following physical properties.
  • IR (KBr method (cm- 1 )): 3430, 2970, 2903, 1609, 1502, 1473, 1434, 1344, 1206, 1151, 1104, 1055, 1018, 884, 839, 784, 751, 474
  • Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) zinc ( ⁇ ) is a novel compound having the following physical properties.
  • Example A-6 (Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) tin ( ⁇ ) (Sn (m opd)))
  • a 70% methanol solution of sodium methoxide (4.70 g, 24.4 mmol) was added to a 100 mL flask equipped with a stirrer, a thermometer, and a dropping funnel, and was synthesized by the method of Reference Example 2 under ice-cooling.
  • 4-Methoxy-6-methyl-3,5-heptanedione 4.30 g (25.0 mmol) was slowly added dropwise, and the mixture was stirred for 5 minutes.
  • a solution of 2.25 g (11.9 mmol) of tin chloride (11) dissolved in 10 mL of methanol was slowly added dropwise, and the mixture was reacted for 30 minutes while stirring under ice-cooling.
  • Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) tin ( ⁇ ) is a novel compound having the following physical properties.
  • Tris (2-methoxy-6-methinolay 3,5-heptanedionato) vanadium (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • Tris (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) aluminum (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • the concentrate was distilled under reduced pressure (210 ° C., 25 Pa) to obtain 3.75 g of bis (2-methoxy-6-dimethyl-3,5 heptadionato) magnesium ( ⁇ ) as a pale yellow glassy solid (isolation yield: 90 %).
  • Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5 heptanedionato) magnesium (II) is a novel compound having the following physical properties.
  • Tris (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) gallium (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • IR (neat (cm -1 )): 2970, 2936, 1604 (br), 1465, 1365, 1280, 1201, 1118, 990, 941, 800 (Note that 1604cm- 1 peak peak, j8-diketone specific Is the peak)
  • Tris (1-methoxy-5,5-dimethyl-2,4-hexanedionato) indium (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • Tris (2-methoxy-2,6,6-trimethinolate 3,5-heptanedionato) indium (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • Example A-1 0.50 g of the indium complex synthesized in Example A-1, Comparative Examples A-1 and A-2 was placed in a 25 mL flask, heated at 190 ° C. for 15 minutes under an argon atmosphere, and the appearances were compared. Table 1 shows the results.
  • Example 1 In comparison with the above, it can be seen that In (mopd) of Example 1 has excellent thermal stability and a low melting point.
  • Example A-4 0.30 g of the strontium complex synthesized in Example A-4 and Comparative Examples A-3 and A-4 was placed in a 25 mL flask, heated at 235 ° C for 15 minutes under reduced pressure (40 Pa), and the appearances were compared. . Table 2 shows the results.
  • Sr (mopd) of Example 4 has excellent thermal stability and a low melting point.
  • Examples A-1, A-4-1 The metal complexes (indium complex (In (mopd))) obtained in A-12,
  • V (mopd) vanadium complex
  • Al (mopd) aluminum complex
  • magnesium complex magnesium complex
  • the apparatus shown in Fig. 1 was used for the evaluation test.
  • the metal complex 20 in the vaporizer 3 (glass ampoule) is heated by the heater 10B and vaporized, passes through the mass flow controller 1A, and exits the vaporizer 3 with the helium gas introduced after being preheated by the preheater 10A.
  • the gas exiting the vaporizer 3 is combined with the oxygen gas introduced via the mass flow controller 1B and the stop valve 2. Both are introduced into the reactor 4.
  • the pressure in the reaction system is controlled to a predetermined pressure by opening and closing a valve 6 in front of a vacuum pump, and monitored by a pressure gauge 5.
  • the central part of the glass reactor has a structure that can be heated by a heater 10C.
  • the metal complex introduced into the reactor is set in the center of the reactor, and is oxidized and thermally decomposed on the surface of the substrate to be evaporated 21 heated to a predetermined temperature by the heater 10C. Precipitates.
  • the gas exiting the reactor 4 is exhausted to the atmosphere through a trap 7 and a vacuum pump.
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm)
  • Table 3 shows the results of the vapor deposition (the film characteristics and the products were analyzed by XPS analysis).
  • IR (neat (cm -1 )): 2967, 2936, 2977, 2827, 1608 (br), 1458, 1332, 1210, 1119, 802 (The peak at 1608 cm- 1 is a peak specific to j8-diketone. .)
  • Tris (2-methoxy-3,5-octanedionato) indium (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • Bis (2-methoxy-3,5-octanedionato) zinc ( ⁇ ) is a new compound with the following physical properties.
  • Bis (2-methoxy-3,5-octanedionato) tin ( ⁇ ) is a new compound with the following physical properties.
  • IR (neat (cm -1 )): 2974, 2932, 2873, 2823, 1573, 1511, 1411, 1327, 12 10, 1119, 953, 912, 808, 545 (j8—peak unique to diketone (1608 cm — Force S disappears, peak unique to ⁇ -diketonate (1573cm observed)
  • Tris (2-methoxy-3,5-octanedionato) aluminum (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • Bis (2-methoxy-3,5-octanedionato) magnesium ( ⁇ ) is a novel compound having the following physical properties.
  • IR (neat (cm -1 )): 2962, 2932, 2873, 2822, 1610, 1521, 1436, 1336, 12 12, 1117, 964, 792, 532
  • Tris (2-methoxy-3,5-octanedionato) gallium (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • Example A-25 Metal complex obtained in A-31 (indium complex (In (mood)), zinc complex
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm)
  • Table 4 shows the results of the vapor deposition (the film properties and the products were analyzed by XPS analysis).
  • IR (neat (cm -1 )): 2987, 2937, 2828, 1611 (br), 1451, 1368, 1211, 1119, 801 (Note that the peak at 1611 cm- 1 is a peak specific to j8-diketone.)
  • IR (neat (cm -1 )): 2984, 2939, 2828, 1610 (br), 1458, 1328, 1210, 1119, 1063, 882, 814 (The peak at 1610 cm- 1 is the peak specific to j8-diketone. Is.)
  • Tris (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) chromium (III) is a novel compound with the following physical properties.
  • IR (neat (cm -1 )): 2975, 2933, 1568, 1530, 1415, 1333, 1239, 1120, 914, 800, 571 (j8—The peak specific to diketone (1607 cm— disappears, j8 —Diketonato specific peak (1568cm was observed)
  • Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) manganese (II) is a novel compound having the following physical properties.
  • IR (neat (cm -1 )): 3375 (br), 2971, 2932, 1601, 1510, 1431, 1332, 1211, 1150, 1118, 1020, 955, 911, 804, 546
  • Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) nickel (II) is a novel compound having the following physical properties.
  • Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) cobalt (II) has the following physical properties: It is a novel compound indicated by a value.
  • Tetrakis (2-methoxy-3,5-octanedionato) zirconium (IV) is a novel compound having the following physical properties.
  • a methanol solution of 28% sodium methoxide (4.88 g, 25.3 mmol) was added to a 100 mL flask equipped with a stirrer, a thermometer and a dropping funnel, and was synthesized by the method of Reference Example 6 under ice cooling.
  • 2-Methoxy-3,5-octanedione (4.41 g, 25.6 mmol) was slowly added dropwise, and the mixture was stirred for 5 minutes.
  • a solution of 2.00 g (6.24 mmol) of Shifani Hafnium (IV) dissolved in 10 mL of methanol was slowly added dropwise, and the mixture was reacted for 1 hour at room temperature with stirring.
  • Tetrakis (2-methoxy-3,5-octanedionato) hafnium (IV) is a novel compound having the following physical properties.
  • Tetrakis (2-methoxy-3,5-hexandionato) hafnium (IV) is a novel compound having the following physical properties.
  • Tetrakis (2-methoxy-3,5-heptanedionato) hafnium (IV) is a novel compound having the following physical properties.
  • the properties were evaluated.
  • the apparatus shown in FIG. 1 was used for producing a metal oxide thin film using oxygen
  • the apparatus shown in FIG. 2 was used for producing a metal oxide film using water vapor.
  • the metal complex 20 in the vaporizer 3 (glass ampoule) is heated by the heater 10B and vaporized, passes through the mass flow controller 1A, and exits the vaporizer 3 with the helium gas introduced after being preheated by the preheater 10A. .
  • the gas exiting the vaporizer 3 was introduced via the mass flow controller 1B, oxygen gas introduced via the stop valve 2 (Fig. 1), or via the mass flow controller 1B, water 8 cooled to 2 ° C.
  • the pressure in the reaction system is controlled to a predetermined pressure by opening and closing a valve 6 in front of a vacuum pump, and monitored by a pressure gauge 5.
  • the center of the glass reactor has a structure that can be heated by a heater 10C.
  • the metal complex introduced into the reactor is set in the center of the reactor, and is oxidized and thermally decomposed on the surface of the substrate 21 heated to a predetermined temperature by the heater 10C. A dangling film is deposited.
  • the gas leaving the reactor 4 is exhausted to the atmosphere via a trap 7 and a vacuum pump.
  • Example B—10—B—16 (using the vapor deposition apparatus in FIG. 1)
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm)
  • Example B—17—B—18 (Using the vapor deposition apparatus in FIG. 1)
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm)
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm)
  • Tables 5 and 6 show the results of the vapor deposition (the film properties and the products were analyzed by XPS analysis).
  • Example B 10 C r (m op d) 3 170 ° C. Chromium oxide
  • Example B Zirconium oxide with 20 Zr (mo od) 4 140
  • Example B 2 1 Ti (mo pd) 4 120 ° C Titanium oxide
  • Bis (2-methoxy-3,5-octanedionato) copper ( ⁇ ) is a novel compound having the following physical properties.
  • Bis (2-methoxy-3,5 heptanedionato) copper (II) is a novel compound having the following physical properties.
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm) Substrate temperature: 250 ° C
  • Table 7 shows the results of the vapor deposition (film characteristics and products are analyzed by XPS analysis).
  • the concentrate was distilled under reduced pressure (230 ° C, 26.6 Pa) to obtain 0.93 g of tris (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) lanthanum (111) as a viscous colorless liquid (isolation yield) : 45%).
  • Tris (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) lanthanum (III) is a novel compound having the following physical properties. [0199] Melting point: 21 ° C
  • IR (neat (cm -1 )): 3477 (br), 2968, 2931, 2870, 2827, 1603, 1525, 1483, 1371, 1331, 1209, 1151, 1114, 1060, 1019, 955, 910, 865, 811 , 782 ⁇ 553
  • the concentrate was distilled under reduced pressure (230 ° C, 26.6 Pa) to obtain 0.58 g of tris (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) samarium (III) as a viscous yellow liquid (isolated) Yield: 35%).
  • Tris (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) samarium (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • IR (neat (cm -1 )): 2968, 2931, 2870, 2825, 1605, 1525, 1495, 1371, 13 31, 1210, 1113, 1020, 910, 804, 783
  • Tris (2-methoxy-3,5-octanedionato) lanthanum (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • IR (neat (cm -1 )): 2961, 2931, 2873, 2826, 1600, 1518, 1479, 1338, 1209, 1116, 1019, 960, 789
  • Example D-1 Using the lanthanum complex (La (mopd)) obtained in Example D-1, vapor deposition by the CVD method
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm) Substrate temperature: 450 ° C
  • Table 8 shows the results of the vapor deposition (film characteristics and products were analyzed by XPS analysis).
  • Bis (2-methoxy-3,5-heptanedionato) lead (II) is a novel compound having the following physical properties.
  • IR (neat (cm -1 )): 2976, 2934, 2877, 2822, 1594, 1516, 1420, 1371, 1335, 1302, 1210, 1117, 1068, 1016, 944, 882, 821, 515 ( j8—Diketone specific peak (1610 cm disappeared, ⁇ -diketonate specific peak (1594 cm observed)
  • Tris (2-methoxy-3,5-hexanedionato) indium (III) is a novel compound having the following physical properties.
  • Tetrakis (2-methoxy-3,5-hexanedionato) zirconium (IV) is a novel compound having the following physical properties.
  • Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) hafnium (IV) is a novel compound having the following physical properties.
  • a 70% methanol solution of sodium methoxide (4.70 g, 24.4 mmol) and 10 mL of methanol were placed in a lOOmL flask equipped with a stirrer, thermometer, and dropping funnel. Then, 4.20 g (24.4 mmol) of 2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedione synthesized in the above was slowly added dropwise, and the mixture was stirred for 5 minutes. Then, a solution prepared by dissolving 1.38 g (5.92 mmol) of zirconium-pium (IV) chloride in 4 mL of methanol was added dropwise under ice-cooling, and the mixture was reacted at room temperature with stirring for 1 hour.
  • Bis (2-methoxy-6-methyl-3,5-heptanedionato) zirconium (IV) is a novel compound having the following physical properties.
  • Tris (2-methoxy-6-methinolay 3,5-heptanedionato) yttrium (III) is a novel compound having the following physical data.
  • IR (neat (cm -1 )): 3435 (br), 2973, 2932, 2871, 2822, 1608, 1531, 1432, 1331, 1211, 1152, 1118, 1022, 912, 787, 559
  • Example E-11 A vapor deposition experiment was performed by a CVD method using each of the metal complexes obtained in E-7 to evaluate film formation characteristics. The apparatus shown in Fig. 1 was used for the evaluation test.
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm)
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm)
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm) Substrate temperature: 400 ° C
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm)
  • Substrate SiO / Si (Size: 7mm X 40mm)
  • Table 9 shows the results of the vapor deposition (the film properties and the products were analyzed by XPS analysis).
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a vapor deposition device.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a vapor deposition apparatus for producing a metal oxide film using water vapor.

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Abstract

【課題】　ＣＶＤ法による金属含有薄膜の製造に好適に使用できる金属錯体及び金属含有薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体、及びこの金属錯体を用いてＣＶＤ法により金属含有薄膜を製造する方法。                                                                         

Description

β -ジケトナトを配位子とする金属錯体
技術分野
[0001] 本発明は、化学気相蒸着法（Chemical Vapor Deposition法： CVD法）により金属酸 化物薄膜あるいは金属薄膜を製造するために有利に用いられる金属錯体に関する。 背景技術
[0002] 近年、半導体、電子部品、及び光学部品等の分野の材料として、金属錯体化合物 に関しては、多くの研究と開発がなされている。例えば、周期律表第 ΠΑ族の金属 (例 、ストロンチウム、ノ リウム及びマグネシウム）の錯体は、強誘電体や超伝導体あるい はプラズマディスプレイの保護膜の製造のための材料として、また、第 ΠΒ族の金属（ 例、亜鉛)の錯体は、透明導電性膜や発光素子の製造のための材料として、そして 第 ΠΙΒ族の金属 (例、インジウム、アルミニウム及びガリウム)の錯体は、透明導電性膜 や半導体メモリーゲート絶縁膜の製造のための材料として使用され、また研究がなさ れている。
[0003] 第 IVB族の金属 (例、スズ及び鉛)の錯体は、透明導電性薄膜や強誘電体薄膜の 製造に使用され、そして第 VA族の金属 (例、バナジウム)の錯体については、強誘電 体薄膜やシリコン半導体の銅配線におけるのバリア膜の製造を目的としての研究が 行われている。
[0004] 第 IVA族の金属（例、チタン、ジルコニウム及びノヽフニゥム）の錯体は、強誘電体 (P ZT)や半導体メモリゲート絶縁膜の製造のための材料として、また、第 VIA族の金属（ 例、クロム）の錯体は、光ファイバレーザ用のガラスの製造や鋼板表面の被膜の形成 のための材料として使用されている。第 VIIA族の金属（例、マンガン）の錯体は、エレ タトロクロミズムデバイスや温度に対する抵抗値変化及び温度分解能が大きいことを 利用してのサーミスタ素子の製造のための材料としての使用や研究がなされている。 第 VIII族の金属（例、ニッケル及びコバルト）の錯体は、シリコン半導体で使用される 銅配線における銅核発生の密度向上や銅配線とその下地との密着性を向上させる ための薄膜の形成材料としての研究が行われて 、る。 [0005] 第 IB族の金属 (例、銅、銀及び金)の錯体は、それらの金属の電気抵抗が小さ 、こ とから、電気配線の形成材料として使用されている。特に、銅薄膜は、シリコン半導体 の配線に利用され得ることから、多くの研究開発がなされている。また、酸化銅を構 成成分とする金属酸化物薄膜は、高温超伝導体の材料として注目されて！/ヽる。
[0006] 希土類金属（例、スカンジウム、イットリウム及びランタノイド）の錯体は、希土類金属 が高温超伝導体、ゲート絶縁膜としての高誘電体や PLZT薄膜としての強誘電体の 材料として注目されているため、それらの製造のための材料として有用である。
[0007] 上記のような金属薄膜または金属酸ィ匕物薄膜の製法としては、均一な薄膜を製造 し易い CVD法による成膜が一般的に採用されており、それに適した原料ィ匕合物が求 められている。
[0008] 近年、 CVD法による金属原子含有薄膜の製造用原料としては、例えば、 β ジケト ナトを配位子とする金属錯体が幅広く使用されている。この |8—ジケトナトを配位子と する金属錯体は、安定性や昇華性に優れており、 CVD法における金属源としては有 用である。なお、 j8—ジケトナト配位子の具体例としては、例えば、ァセチルァセトナト (acac)や 2, 2, 6, 6—テトラメチル -3, 5—ヘプタンジォナト（dpm)が一般的に知ら れている。
[0009] し力しながら、公知の 13 ジケトナトを配位子とする金属錯体のほとんど力 常温で は固体であって、高い融点を有することから、 CVD法による成膜の際、 CVD装置内 の原料供給系における配管閉塞が発生しやすぐ工業的な CVD法による薄膜製造 のための原料としては問題であつた。
[0010] そこで、金属錯体の安定ィ匕ゃ低融点化をは力る試みが盛んに行われて 、る。その 中でも、）8 -ジケトナトを配位子に、エーテル結合を有する置換基を導入することによ つて、金属錯体の安定化や低融点化をはかる検討がなされて!/ヽる。
[0011] 例えば、第 ΠΑ族に属するストロンチウムの錯体に関しては、下記式 (a)および (b)： [0012] [化 1]
Figure imgf000004_0001
[0013] で表される金属錯体が知られている (特許文献 1及び非特許文献 1)。し力しながら、 式 (a)のストロンチウム錯体は、安定性こそ向上はしているものの、蒸気圧が低いとい う問題があり、式 (b)のストロンチウム錯体は、安定性及び昇華性を有するが、高融点 (235°C)であるという問題があり、 CVD法によるストロンチウム薄膜製造原料としては 問題がある。
[0014] 第 ΠΒ族に属する亜鉛の錯体に関しては、下記式：
[0015] [化 2]
Figure imgf000004_0002
[0016] で表される金属錯体が知られて ヽる (非特許文献 2)。しカゝしながら、上記の亜鉛錯体 は、熱安定性が低ぐ熱劣化が起きやすいため、亜鉛錯体の安定供給が出きにくい という欠点がある。
[0017] 第 ΠΙΒ族に属するアルミニウムの錯体に関しては、下記式： [0018] [化 3]
Figure imgf000005_0001
[0019] で表されるエーテル基を有する配位子の金属錯体が知られて!/ヽる（特許文献 2)。し 力しながら、上記のアルミニウム錯体は、熱安定性が低ぐ熱劣化が起きやすいため 、アルミニウム錯体の安定供給が出きにく V、と 、う欠点がある。
[0020] なお、ガリウム錯体ゃインジウム錯体に関しては、何ら研究がなされて ヽな 、。
[0021] 第 IVB族に属するスズの錯体に関しては、 Sn(dpm) が知られている（特許文献 3)
2
。し力しながら、このスズ錯体は、水分に対して極めて敏感であって、取り扱いが繁雑 となるという問題があった。
[0022] 鉛錯体に関しては、 Pb (dmp)やビス（1, 3—ジフエ-ルー 1, 3—プロパンジォナト）
2
鉛 (II)が知られて 、る（特許文献 4及び 5)が、これらの錯体は 、ずれも高融点の金属 錯体であって、 CVD法による鉛薄膜製造用の原料としては問題がある。
[0023] 第 VA族に属するバナジウム錯体に関しては、 V(dpm)が知られている（特許文献
3
6)が、この錯体も高融点の金属錯体であり、 CVD法によるバナジウム薄膜製造原料 としては問題がある。
[0024] 第 VIII族に属するニッケルの錯体に関しては、下記の式 (c)及び式 (d)： [0025] [化 4]
Figure imgf000006_0001
[0026] で表される金属錯体が知られている (非特許文献 2及び特許文献 7)。し力しながら、 式 (c)のニッケル錯体は、熱安定性が低いため、熱劣化が起きやすぐまた式 (d)の ニッケル錯体は、分子量が大きいため、蒸気圧が低いという問題がある。
[0027] コバルト錯体に関しては、下記式：
[0028] [化 5]
Figure imgf000006_0002
[0029] で表される金属錯体が知られて 、る（特許文献 8)。しかし、上記のコバルト錯体は、 熱安定性が低いために熱劣化が起きやすぐコバルト錯体の安定供給が出きにくい という欠点がある。
[0030] 銅錯体に関しては、下記式： [0031] [ィ匕 6]
Figure imgf000007_0001
[0032] (式中、 Rは、イソプロピル基または第三ブチル基、 R1は、メチル基またはェチル基、 R2は、プロピル基またはブチル基を示す)で表される銅錯体が知られている（特許文 献 9)。しかし、上記の銅錯体では、銅薄膜の成膜速度が改善さず、銅薄膜の生産性 の面において問題がある。
[0033] 希土類金属の錯体に関しては、下記式：
[0034] [化 7]
Figure imgf000007_0002
[0035] (式中、 REMは、希土類金属原子を示し、 Rは、イソブチル基または t ブチル基、 R 2は、イソプロピル基、イソブチル基、 t ブチル基、 1ーェチルペンチル基または 2— (2 ーメトキシェトキシ) 1, 1' ジメチルェチル基を表わす)で表される金属錯体が知ら れている（特許文献 10— 12)。しかし、上記の希土類金属錯体は、高融点で且つ有 機溶媒に不溶または難溶である上に、高い成膜温度が必要であるなどの問題がある
[0036] 特許文献 1 :特開平 9 136857号公報 特許文献 2 :独国公開特許公報第 2207866号
特許文献 3：特開平 6— 234779号公報
特許文献 4:特開 2002-155008号公報
特許文献 5：特開 2003 - 226664号公報
特許文献 6：特開 2003-49269号公報
特許文献 7 :国際特許公報第 01/48130号公報
特許文献 8：特開平 2 - 121944号公報
特許文献 9：特開 2001—181840号公報
特許文献 10：特開 2003— 321475号公報
特許文献 11：特開平 4-72066号公報
特許文献 12：特開平 9— 228049号公報
非特許文献 l :Zhurnal Neorganicheskoi Khimii, 36 (9) , 2279 (1991)
非特許文献 2 : Inorg. Chem. , 1(2), 404(1962)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0037] 本発明の目的は、低い融点を有し、水分、空気及び熱に対しての安定性に優れ、 CVD法による金属薄膜形成に適した金属錯体を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0038] 本発明は、アルコキシアルキルメチル基を有する β ジケトナトを配位子とする金属 錯体にある。
[0039] 本発明の金属錯体のアルコキシアルキルメチル基を有する 13 ジケトナト配位子は 、下記式（1) : [0040] [化 8]
Figure imgf000009_0001
[0041] [Xは、上記式（2)で表わされるアルコキシアルキルメチル基（式中、 Ra及び Rbは、そ れぞれ独立に、炭素原子数 1一 5の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を表わす)を表 わし、 Yは、上記式（2)の基または炭素原子数 1一 8の直鎖もしくは分枝状のアルキ ル基を表わし、 Zは、水素原子または炭素原子数 1一 4のアルキル基を表わす]で表 される配位子であることが好ま 、。
[0042] 本発明の金属錯体は、下記式 (3)：
[化 9]
Figure imgf000009_0002
(式中、 Mは、金属原子を示し、 X、 Y及び Zは、前記と同義である。 nは、 1一 4の整 数を表わす)で表される金属錯体であることが好ま 、。
[0043] Mは、周期律表第 ΠΑ族、第 ΠΒ族、第 ΠΙΒ族、第 IVB族または第 VA族の金属原子で あることが好ましぐ特にマグネシウム原子、カルシウム原子、ストロンチウム原子、ノ リ ゥム原子、亜鉛原子、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子、 ゲルマニウム原子、スズ原子、鉛原子、バナジウム原子、ニオブ原子及びタンタル原 子力もなる群より選ばれる金属原子であることが好ましい。
[0044] Mはまた、周期律表第 IVA族、第 VIA族、第 VIIA族または第 VIII族の金属原子であ ることも好ましぐ特に、チタン原子、ジルコニウム原子、ハフニウム原子、クロム原子、 マンガン原子、ニッケル原子、コバルト原子、鉄原子、ルテニウム原子及びイリジウム 原子力もなる群より選ばれる金属原子であることが好ましい。
[0045] Mはまた、周期律表第 IB族の金属原子 (特に、銅原子、銀原子及び金原子からな る群より選ばれる金属原子）であって、 nが 1または 2であることも好ま U、。
[0046] Mはまた、希土類金属原子 (特に、イットリウム原子、ランタン原子、セリウム原子、プ ラセオジム原子、ネオジム原子、サマリウム原子、ユーロピオム原子、エルビウム原子 、イツトリビゥム原子及びルテチウム原子力 なる群より選ばれる金属原子)であって、 nが 3もしくは 4であることも好まし!/、。
[0047] 本発明はまた、アルコキシアルキルメチル基を有する /3 ジケトナトを配位子とする 金属錯体を加熱して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程 、そして金属錯体蒸気を反応容器内にて加熱下に酸素もしくは水蒸気と接触させて 熱分解して金属酸化物蒸気に変換し、該金属酸化物蒸気を基板表面に堆積させる 工程力 なる金属酸ィ匕物薄膜の製造方法にもある。
[0048] 上記金属酸化物薄膜の製法における金属錯体の加熱に際して、金属錯体を有機 溶媒 (特に、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒もしくはエーテル溶媒)に 溶解した溶液として加熱することが好ま ヽ。
[0049] 本発明はまた、アルコキシアルキルメチル基を有する 13 ジケトナトを配位子とする 金属錯体を加熱して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程 、そして金属錯体蒸気を反応容器内にて加熱下に水素と接触させて熱分解して金属 蒸気に変換し、該金属蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる金属薄膜の製造 方法にもある。
[0050] 上記金属薄膜の製法における金属錯体の加熱に際しても、金属錯体を有機溶媒（ 特に、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒もしくはエーテル溶媒)に溶解し た溶液として加熱することが好ま 、。
発明の効果
[0051] CVD法により金属薄膜あるいは金属酸化物薄膜を製造する際に、本発明の金属 錯体を用いることにより、製造工程のトラブルが少なぐまた優れた薄膜特性を有する 金属薄膜あるいは金属酸ィ匕物薄膜を比較的短時間にて製造することができる。 発明を実施するための最良の形態
[0052] 本発明で用いるアルコキシアルキルメチル基を有する 13 ジケトナトを配位子とする 金属錯体は、前記の式（1)で表わされ、本発明の金属錯体は前記の式 (3)で表わさ れる。
[0053] 前記の式（1)にお 、て、 Xは、前記式（2)で表わされるアルコキシアルキルメチル基
(Ra及び Rbは、メチル基、ェチル基、 n プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、ィ ソブチル基、 t -ブチル基、ペンチル基等の炭素原子数 1一 5の直鎖または分枝状の アルキル基を表わす)であり、 Yは、該式（2)で表わされる基、またはメチル基、ェチ ル基、 n プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、イソブチル基、 t ブチル基、ぺ ンチル基、へキシル基、ヘプチル基、ォクチル基等の炭素原子数 1一 8の直鎖または 分枝状のアルキル基であり、 Zは、水素原子、またはメチル基、ェチル基、 n プロピ ル基、イソプロピル基、 n ブチル基、イソブチル基、 t ブチル基等の炭素原子数 1一 4の直鎖または分枝状のアルキル基を表わす。 nは、 1一 4の整数を表わす。
[0054] 本発明の金属錯体の配位子であるアルコキシアルキルメチル基を有する 13 ジケト ナト配位子は、公知の |8—ジケトンの製造法に準じた方法により容易に合成すること ができる (その代表的な製法は、後記の参考例に記載してある)。
[0055] 本発明のアルコキシアルキルメチル基を有する 13 ジケトナトを配位子とする金属 錯体の具体例を次に記載する。
Figure imgf000012_0001
[0057] [化 11]
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000013_0002
Figure imgf000013_0003
Figure imgf000014_0001
[0059] [化 13]
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000015_0002
[0060] [化 14]
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..Sl700/S00Zdf/X3d .69.80/S00Z OAV
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[0063] [化 17]
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[0064] [化 18]
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[0065] [化 19]
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[ΐ^ ] 900] ζζ
.69.80/S00Z OAV [0068] [化 22]
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[0070] [化 24]
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[0071] (式中、 Mは、希土類金属原子を示す。 )
[0072] 基板上への金属含有化合物の蒸着方法としては、公知の CVD法で行うことができ 、例えば、常圧または減圧下にて、金属錯体を酸素、水蒸気、オゾン、窒素酸化物（ 例、 N O)等の酸ィ匕性ガスあるいは水素等の還元性ガスとともに、加熱した基板上に
2
送り込んで金属酸化物薄膜あるいは金属薄膜を蒸着させる方法や金属錯体をアン モ-ァガス等の含窒素塩基性ガスとともに加熱した基板上に送り込んで窒化金属薄 膜を蒸着させる方法が使用できる。また、プラズマ CVD法で金属含有薄膜を蒸着さ せる方法も使用できる。
[0073] CVD法で金属酸化物薄膜を製造する場合には、本発明の金属錯体を加熱して金 属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯体蒸気 を反応容器内にて加熱下に酸素もしくは水蒸気と接触させて熱分解して金属酸化物 蒸気に変換し、該金属酸化物蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる方法を利 用することができる。
[0074] CVD法で金属薄膜を製造する場合には、本発明の金属錯体を加熱して金属錯体 蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯体蒸気を反応 容器内にて加熱下に水素などの還元性ガスと接触させて熱分解して金属蒸気に変 換し、該金属蒸気を基板表面に堆積させる工程力 なる方法を利用することができる
[0075] CVD法にぉ ヽては、薄膜形成のために金属錯体を気化させる必要があるが、本発 明の金属錯体を気化させる方法としては、例えば、金属錯体自体を気化室に充填ま たは搬送して気化させる方法だけでなぐ金属錯体を適当な溶媒 (例えば、へキサン 、オクタン等の脂肪族炭化水素類、トルエン等の芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラ ン、ジブチルエーテル等のエーテル類）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化 室に導入して気化させる方法 (溶液法)も使用できる。
[0076] 本発明の金属錯体を用いて金属含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件として は、例えば、反応器内圧力については、好ましくは 1一 200kPa、更に好ましくは 10 一 l lOkPaであり、基板温度については、好ましくは 50— 700°C、更に好ましくは 10 0— 500°Cであり、そして金属錯体を気化させる温度は、好ましくは 50— 250°C、更 に好ましくは 90— 200°Cである。
[0077] なお、酸素等の酸化性ガスによる金属酸化物薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対 する酸ィ匕性ガスの含有割合としては、好ましくは 10— 90容量％、更に好ましくは 20 一 70容量％であり、水蒸気による金属酸ィ匕膜を蒸着させる際の全ガス量に対する水 蒸気の含有割合としては、好ましくは 5— 90容量％、更に好ましくは 10— 70容量％ である。一方、水素等の還元性ガスによる金属膜を蒸着させる際の全ガス量に対す る還元性ガスの含有割合としては、好ましくは 10— 95容量％、更に好ましくは 30— 9 0容量％である。また、アンモニア等の含窒素塩基性ガスによる金属窒化膜または金 属膜を蒸着させる際の全ガス量に対する含窒素塩基性ガスの含有割合としては、好 ましくは 10— 95容量％、更に好ましくは 20— 90容量％である。
実施例
[0078] [参考例 1] (2—メトキシプロピオン酸メチルの合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 500mLのフラスコに、ナトリウムメ 卜キシド 100. 6g (1862ミジモノレ）及びへキサン 300mLをカロえた。次!ヽで、水冷下、 2 —ブロモプロピオン酸メチル 300. 3g (1798ミリモル）をゆるやかに滴下した後、攪拌 しながら 2時間反応させた。反応終了後、水冷下、水 300mLを添加し、有機層を分 液した。その後、有機層を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過 後、濾液を減圧蒸留（74°C、 12236Pa)し、無色液体として 2—メトキシプロピオン酸メ チル 97. Ogを得た（単離収率: 46%)。
2—メトキシプロピオン酸メチルの物性値は以下の通りであった。
[0079] NMR (CDC1 , δ (ppm) ) : l. 41 (3H, d)、 3. 40 (3H, s)、 3. 77 (3H, s)、
3
3. 90 (1H, q)
MS (m/e) : 88、 59、 31、 15
[0080] [参考例 2] (2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン（mopd)の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 200mLのフラスコに、ナトリウムァ ミド 5. 15g (132ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン 80mL を加えた。次いで、水冷下、 3—メチルー 2—ブタノン 12. 0g (139. 3ミリモル）をゆるや 力に滴下して 15分間攪拌した後、参考例 1の方法で合成した 2—メトキシプロピオン 酸メチル 5. 65g (47. 8ミリモル)を滴下して、攪拌しながら 30分間反応させた。反応 終了後、氷冷下、水 50mLを加えた後、水層を分液し、酢酸で中和した。水層をエー テルで抽出した後、エーテル抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた 。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留 (41°C、 27Pa)し、無色液体として 、 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 25gを得た（単離収率： 52%)。
2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオンの物性値は以下の通りであった。
[0081] NMR (CDC1 , δ (ppm) ) : 1. 17 (6H, d)、 1. 30 (0. 15H, d)、 1. 36 (2. 8
3
5H, d)、 2. 48—2. 57 (0. 95H, m)、 2. 59—2. 73 (0. 05H, m)、 3. 36 (0. 15 H, s)、 3. 37 (2. 85H, s)、 3. 71—3. 78 (1H, m)、 3. 78 (0. 1H, s)、 5. 81 (0 . 95H, s)、 15. 4 (0. 95H, s)
IR (neat (cm-1) ) : 2976, 2936、 1607 (br) , 1462、 1366、 1328、 1210、 1120 、 910、 805 (1607cm— 1のピークは、 j8—ジケトン特有のピークである）
MS (m/e)： 142, 113、 59、 43
[0082] [参考例 3] (2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジオン（mobd)の合成） 攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 200mLのフラスコに、ナトリウムァ ミド 8. 20g (210ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン 80mL を加えた。次いで、水冷下、 3, 3—ジメチルー 2—ブタノン 15. lg (150. 8ミリモル）を ゆるやかに滴下して 15分間攪拌した後、参考例 1の方法で合成した 2—メトキシプロ ピオン酸メチル 5. 50g (46. 6ミリモル)を滴下して、攪拌しながら 30分間反応させた 。反応終了後、氷冷下、水 50mLを加えた後、水層を分液し、酢酸で中和した。水層 をエーテルで抽出した後、エーテル抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥 させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（59°C、 492Pa)し、無色液 体として、 2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 50gを得た（単離収 率： 52%)。
2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジオンの物性値は以下の通りであった [0083] NMR (CDC1 , δ (ppm) ) : 1. 18 (0. 99H, s)、 1. 20 (8. OIH, s)、 1. 35 (
3
0. 33H, d)、 1. 37 (2. 67H, d)、 3. 35 (0. 33H, s)、 3. 37 (2. 67H, s)、 3. 73 一 3. 77 (1H, m)、 3. 79 (0. 22H, s)、 5. 91 (0. 89H, s)、 15. 7 (0. 89H, s)
IR (neat (cm-1) ) : 2972, 2936、 1602 (br) , 1461、 1366、 1200、 1059、 886、 809 (1602cm— 1のピークは、 βージケトン特有のピークである）
MS (m/e)： 186、 156、 127、 59、 43
[0084] [実施例 A— 1] (トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)インジウム（III)
(In (mopd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 26g (22. 1ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 3. 80g (22. 1ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム (III)四水和物 2. 04g (6. 96ミリモル）をメタノール 15mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、 攪拌しながら 30分間反応させた。反応終了後、反応液力も減圧下でメタノールを留 去した。その後、エーテル 40mL及び水 40mLをカ卩え、有機層を分液した後に、無水 硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（175 °C、 31Pa)し、粘性のある黄色液体として、トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプ タンジォナト)インジウム (III) 3. 27gを得た (単離収率： 74%)。 トリス（2—メトキシー 6—メチノレー 3, 5—ヘプタンジォナト）インジウム（III)は、以下の物 性値で示される新規な化合物である。
[0085] IR (neat (cm-1) ) : 2975, 2933、 1571、 1539、 1515、 1429、 1402、 1363、 13 31、 1230、 1120、 952、 914、 809、 554 ( j8—ジケトン特有のピーク（1607cm— が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1571cm が観察された）
元素分析 (C H O In) :炭素 51. 3%、水素 7. 25%、インジウム 18% (理論値:炭
27 45 9
素 51. 6%、水素 7. 22%、インジウム 18. 3%)
MS (m/e) : 628、 598、 457、 227、 115、 59
[0086] [実施例 A— 2] (トリス（2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）インジゥ ム (III) (In (mobd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 2. 12g (l l. 0ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 3の方 法で合成した 2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジオン 2. 03g (10. 9ミリモ ル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム (III)四水和物 1 . 08g (3. 68ミリモル）をメタノール 15mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷 冷下、攪拌しながら 30分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノー ルを留去した。その後、エーテル 40mL及び水 40mLをカ卩え、有機層を分液した後 に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸 留（180°C、 37Pa)し、淡黄色固体として、トリス（2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5— ヘプタンジォナト)インジウム (III) 1. 56gを得た（単離収率: 63%)。
トリス（2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)インジウム（III)は、以下 の物性値で示される新規な化合物である。
[0087] 融点： 76°C
IR(KBr法（cm—1) ) : 2975、 2932、 1565、 1516、 1420、 1383、 1359、 1214、 1163、 1117、 1057、 953、 888、 813、 553、 481 ( j8—ジケトン特有のピーク（160 2cm"1)が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1565cm が観察された）
元素分析 (C H O In) :炭素 53. 8%、水素 7. 69%、インジウム 17% (理論値:炭
30 51 9
素 53. 7%、水素 7. 67%、インジウム 17. 1%) MS (m/e) : 670、 640、 613、 485、 243、 127、 59
[0088] [実施例 A— 3] (ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ストロンチウム（ II) (Sr(mopd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、酸化スト口 ンチウム（11) 0. 60g (5. 79ミリモル）及びエーテル 20mLを加えた。次いで、水冷下 、水 40mg及び参考例 2の方法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジ オン 2. 00g (l l. 61ミリモル)をゆるやかに滴下し、攪拌しながら 1時間反応させた。 反応終了後、反応液を減圧下にて 180°Cまで加熱して濃縮した。濃縮物にへキサン 15mLを加えて攪拌した後、濾過した。濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（240 。C、 53Pa)し、淡黄色固体として、ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナ ト)ストロンチウム (Π) 0. 20gを得た（単離収率： 8%)。
ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ストロンチウム（II)は、以下の 物性値で示される新規な化合物である。
[0089] 融点： 130°C
IR(KBr法（cm—1) ) : 3421、 2970、 2932、 1614、 1499、 1464、 1435、 1374、 1347、 1208、 1150、 1117、 1089、 1020、 911、 809、 782、 548、 520、 480 元素分析（C H O Sr)：炭素 50. 6%、水素 7. 06%、ストロンチウム 20% (理論
18 30 6
値：炭素 50. 3%、水素 7. 03%、ストロンチウム 20. 4%)
MS (m/e) : 1119, 883、 689、 537、 474、 259、 113、 59、 43
MSの結果より、このストロンチウム錯体は三量体構造であると推定される。
[0090] [実施例 A— 4] (ビス（2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ストロンチ ゥム（II) (Sr (mobd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、酸化スト口 ンチウム（11) 0. 58g (5. 60ミリモル）及びエーテル 20mLを加えた。次いで、水冷下 、水 40mg及び参考例 3の方法で合成した 2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—へプタ ンジオン 2. 10g (l l. 28ミリモル)を順次ゆるやかに滴下し、攪拌しながら 1時間反応 させた。反応終了後、反応液を減圧下にて 180°Cまで加熱して濃縮した。濃縮物に へキサン 15mLを加えて攪拌した後、濾過した。濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸 留（275°C、 32Pa)し、淡黄色固体として、ビス（2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5— ヘプタンジォナト)ストロンチウム（11) 0. 65gを得た（単離収率： 25%)。
ビス（2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ストロンチウム（II)は、以 下の物性値で示される新規な化合物である。
[0091] 融点： 130°C
IR(KBr法（cm—1) ) : 3430、 2970、 2903、 1609、 1502、 1473、 1434、 1344、 1206、 1151、 1104、 1055、 1018、 884、 839、 784、 751、 474
元素分析 (C H O Sr) :炭素 52. 6%、水素 7. 51%、ストロンチウム 19% (理論
20 34 6
値：炭素 52. 4%、水素 7. 48%、ストロンチウム 19. 1%)
MS (mZe) : 1189、 731、 273
MSの結果より、このストロンチウム錯体は三量体構造であると推定される。
[0092] [実施例 A— 5] (ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）亜鉛 (II) (Zn ( mopd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 50mLのフラスコに、 28%ナトリウ ムメトキシドのメタノール溶液 6. 56g (34. 0ミリモル）を加え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 6. 00g (34. 8ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕亜鉛 (11) 2. 26g (16. 6ミリモル) をメタノール 20mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら 30 分間反応させた。反応終了後、反応液力 減圧下でメタノールを留去した。その後、 へキサン 20mL及び水 20mLをカ卩え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで 乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（160°C、 27Pa)し、粘 性のある黄色液体として、ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）亜鉛 (11) 4. 91gを得た (単離収率 : 73%)。
ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）亜鉛 (Π)は、以下の物性値で 示される新規な化合物である。
[0093] IR (neat (cm-1) ) : 2972, 2932、 1582、 1513、 1432、 1333、 1211、 1118、 91 2、 805、 558 ( j8—ジケトン特有のピーク（1607cm—1)が消失し、 j8—ジケトナト特有 のピーク（1582cm が観察された） 元素分析 (C H O Zn) :炭素 53. 1%、水素 7. 45%、亜鉛 16% (理論値:炭素 5
18 30 6
3. 0%、水素 7. 41%、亜鉛 16. 0%)
MS (m/e) : 641、 406
MSの結果より、この亜鉛錯体は二量体構造であると推定される。
[0094] [実施例 A— 6] (ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）スズ（Π) (Sn (m opd) ) )
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 70g (24. 4ミリモル）を加え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 30g (25. 0ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化スズ (11) 2. 25g (l l. 9ミリモル） をメタノール 10mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら 30 分間反応させた。反応終了後、反応液力 減圧下でメタノールを留去した。その後、 へキサン 30mLを加えて濾過し、濾液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（146°C、 31P a)し、黄色液体として、ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)スズ (II)
4. 36gを得た (単離収率 : 77%)。
ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)スズ（Π)は、以下の物性値で 示される新規な化合物である。
[0095] IR (neat (cm-1) ) : 2974, 2932、 1573、 1511、 1411、 1327、 1210、 1119、 95 3、 912、 808、 545 ( j8—ジケトン特有のピーク（1607cm—1)力 S消失し、 j8—ジケトナト 特有のピーク（1573cm が観察された）
元素分析 (C H O Sn) :炭素 46. 8%、水素 6. 61%、スズ 25. 6% (理論値:炭
18 30 6
素 46. 9%、水素 6. 56%、スズ 25. 7%)
MS (m/e) :462、 403、 291、 151、 113、 59
[0096] [実施例 A— 7] (トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）バナジウム（III ) (V (mopd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 3. 61g (18. 7ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 3. 20g (18. 6ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕バナジウム（III) O. 93g (5. 91ミ リモル)をメタノール 15mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しな 力 30分間反応させた。反応終了後、反応液力も減圧下でメタノールを留去した。そ の後、へキサン 30mL及び水 30mLを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリ ゥムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（180°C、 44Pa) し、粘性のある褐色液体として、トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト )バナジウム (III) 2. 65gを得た (単離収率： 79%)。
トリス（2—メトキシー 6—メチノレー 3, 5—ヘプタンジォナト）バナジウム（III)は、以下の物 性値で示される新規な化合物である。
[0097] IR (neat (cm-1) ) : 2975, 2933、 1563、 1511、 1411、 1330、 1211、 1121、 10 08、 913、 805、 561 ( j8—ジケ卜ン特有のピーク（1607cm—1)力 S消失し、 j8—ジケ卜ナ ト特有のピーク（1563cm が観察された）
元素分析 (C H O V) :炭素 57. 3%、水素 8. 05%、バナジウム 9. 0% (理論値：
27 45 9
炭素 57. 4%、水素 8. 03%、ノナジゥム 9. 02%)
MS (mZe) : 564、 393、 59
[0098] [実施例 A— 8] (トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）アルミニウム（ III) (Al (mopd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、トリエトキシ アルミニウム（III) l. 07g (6. 60ミリモル)及び参考例 2の方法で合成した 2—メトキシー 6—メチル—3, 5—ヘプタンジオン 4. 20g (24. 4ミリモル）を加え、 150。Cまで加熱して 、エタノールを留去しながら反応させた。反応終了後、へキサン 20mL及び水 20mL を加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を 濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（160°C、 27Pa)し、淡黄色液体として、トリス（2 -メト キシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）アルミニウム（III) 3. 41gを得た（単離収率： 96%) o
トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）アルミニウム（III)は、以下の 物性値で示される新規な化合物である。
[0099] IR (neat (cm-1) ) : 2975, 2933、 1583、 1536、 1457、 1420、 1247、 1211、 11 21、 915、 799、 565 ( j8—ジケトン特有のピーク（1607cm )力 S消失し、 j8—ジケ卜ナ ト特有のピーク（1583cm が観察された）
元素分析 (C H O A1)：炭素 60. 1%、水素 8. 41%、アルミニウム 5. 0% (理論
27 45 9
値：炭素 60. 0%、水素 8. 39%、アルミニウム 4. 99%)
MS (m/e)： 540, 510、 481、 369、 197、 59
[0100] [実施例 A— 9] (ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5 ヘプタンジォナト）マグネシウム（II ) (Mg (mopd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、水酸化マ グネシゥム（11) 0. 66g (l l. 3ミリモル)及び 1, 2—ジメトキシェタン 15mLをカ卩えた。次 いで、水 40mL及び参考例 3の方法で合成した 2—メトキシー 6 ジメチルー 3, 5 ヘプ タンジオン 4. 30g (25. 0ミリモル)を順次ゆるやかに滴下し、攪拌しながら 1時間反 応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて加熱して濃縮した。濃縮物を減圧蒸留 (210°C、 25Pa)し、淡黄色ガラス状固体として、ビス（2—メトキシー 6 ジメチルー 3, 5 ヘプタンジォナト）マグネシウム（Π) 3. 75gを得た（単離収率： 90%)。
ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5 ヘプタンジォナト）マグネシウム（II)は、以下の物 性値で示される新規な化合物である。
[0101] 融点： 41°C
IR(KBr法（cm—1) ) : 3421 (br)、 2972、 2933、 1613、 1526、 1437、 1334、 12 18、 1150、 1117、 912、 803、 564
元素分析（C H O Mg)：炭素 59. 0%、水素 8. 28%、マグネシウム 6. 6% (理論
18 30 6
値：炭素 59. 0%、水素 8. 25%,マグネシウム 6. 63%)
MS (m/e) : 561, 398、 366、 323、 113、 59
MSの結果より、このマグネシウム錯体は二量体構造であると推定される。
[0102] [実施例 A— 10] (ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5 ヘプタンジォナト）鉛（II) (Pb (m opd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 50g (23. 3ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 10g (23. 8ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕鉛 (11) 3. 20g (l l. 5ミリモル)を ゆるやかに添加し、室温にて、攪拌しながら 1時間反応させた。反応終了後、反応液 力 減圧下でメタノールを留去した。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカロえ、 有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した 後、濃縮物を減圧蒸留（185°C、 23Pa)し、粘性のある黄色液体として、ビス（2 -メト キシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）鉛 (Π) 5. OOgを得た（単離収率： 79%)。 ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)鉛 (Π)は、以下の物性値で示 される新規な化合物である。
[0103] IR (neat (cm-1) ) : 2970, 2930、 1595、 1504、 1423、 1327、 1208、 1151、 11 16、 1016、 947、 910、 800、 539 ( j8—ジケ卜ン特有のピーク（1607cm— 力 S消失し 、 βージケトナト特有のピーク（1595cm が観察された）
元素分析 (C H O Pb) :炭素 39. 0%、水素 5. 51%、鉛 37. 8% (理論値:炭素 3
18 30 6
9. 3%、水素 5. 50%、鉛 37. 7%)
MS (mZe) : 550、 491、 379、 59
[0104] [実施例 A— 11] (ビス（2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）バリウム
(III) (Ba (mobd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、無水水酸 ィ匕ノ リウム（11) 1. 84g (10. 7ミリモノレ）及び 1, 2—ジメ卜キシェタン 40mLをカロ免、参考 例 3の方法で合成した 2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 00g (21 . 5ミリモル)をゆるやかに滴下し、攪拌しながら、室温にて 1時間反応させた。反応終 了後、反応液を減圧下で濃縮し、濃縮物にへキサン 20mLを加え濾過した。濾液を 濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（270°C、 73Pa)し、橙色固体として、ビス（2—メトキ シ— 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ノ リウム（11) 1. 25gを得た（単離収率： 2 3%)。
ビス（2—メトキシー 6, 6—ジメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ノ リウム（II)は、以下の 物性値で示される新規な化合物である。
[0105] 融点： 105°C
IR(KBr法（cm—1) ) : 3433、 2970、 2902、 1606、 1473、 1434、 1344、 1153、 1105、 1017、 839、 783、 472
元素分析 (C H O Ba) :炭素 47. 5%、水素 6. 80%、バリウム 27% (理論値:炭
20 34 6
素 47. 3%、水素 6. 75%、 ノ リウム 27. 0%)
MS (m/e) : 831、 717、 426、 127、 59
MSの結果より、このノ リウム錯体は二量体構造であると推定される。
[0106] [実施例 A— 12] (トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)ガリウム (III) ( Ga (mopd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 63g (24. 0ミリモル）を加え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 14g (24. 0ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕ガリウム (III) l. 40g (7. 95ミリモ ル)をゆるやかに添加し、室温にて、攪拌しながら 1時間反応させた。反応終了後、反 応液力 減圧下でメタノールを留去した。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカロ え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮 した後、濃縮物を減圧蒸留（185°C、 23Pa)し、黄色液体として、トリス（2—メトキシー 6 ーメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)ガリウム（III) 4. 05gを得た（単離収率： 87%)。 トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ガリウム（III)は、以下の物性 値で示される新規な化合物である。
[0107] IR (neat (cm-1) ) : 2976, 2934、 1577、 1537、 1436、 1408、 1363、 1331、 12 40、 1211、 1121、 961、 915、 803、 562 ( j8—ジケトン特有のピーク（1607cm— が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1577cm が観察された）
元素分析 (C H O Ga) :炭素 55. 5%、水素 7. 75%、ガリウム 12% (理論値:炭
27 45 9
素 55. 6%、水素 7. 78%、ガリウム 12. 0%)
MS (m/e) : 582, 523、 411、 59
[0108] [参考例 4] (1ーメトキシー 5, 5—ジメチルー 2, 4—へキサンジオン（mbd)の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 200mLのフラスコに、ナトリウムァ ミド 9. 74g (250ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン 80mL を加えた。次いで、水冷下、 3, 3—ジメチルー 2—ブタノン 25. 0g (249. 6ミリモル）を ゆるやかに滴下して 15分間攪拌した後、メトキシ酢酸メチル 10. 4g (99. 9ミリモル） を滴下して、攪拌しながら 30分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水 50mLを加 えた後、水層を分液し、酢酸で中和した。水層をエーテルで抽出した後、エーテル抽 出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、 濃縮物を減圧蒸留（65°C、 426Pa)し、無色液体として、 1ーメトキシー 5, 5—ジメチル -2, 4一へキサンジオン 5. 90gを得た（単離収率： 34%)。
1ーメトキシー 5, 5—ジメチルー 2, 4—へキサンジオンの物性値は以下の通りであった
[0109] NMR (CDC1 , δ (ppm) ) : 1. 17 (1. 31H, s)、 1. 19 (7. 70H, s)、3. 39 (
3
0. 44H, s)、 3. 43 (2. 57H, s)、 3. 70 (0. 29H, s)、 4. 00 (1. 71H, s)、 4. 02 ( 0. 29H, s)、 5. 90 (0. 86H, s)、 15. 6 (0. 86H, s)
IR (neat (cm-1) ) : 2970, 2936、 1604 (br) , 1465、 1365、 1280、 1201、 1118 、 990、 941、 800 (なお、 1604cm— 1のピーク ίま、 j8—ジケトン特有のピークである）
MS (mZe) : 172、 127、 45
[0110] [参考例 5] (2—メトキシー 2, 6, 6—トリメチルー 3, 5—ヘプタンジオン（mmbd)の合成） 攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 200mLのフラスコに、ナトリウムァ ミド 8. 12g (208ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン 80mL を加えた。次いで、水冷下、 3, 3—ジメチルー 2—ブタノン 20. 6g (206ミリモル）をゆる やかに滴下して 15分間攪拌した後、 2-メトキシイソ酪酸メチル 14. 8g (112. 0ミリモ ル)を滴下して、攪拌しながら 30分間反応させた。反応終了後、氷冷下、水 50mLを 加えた後、水層を分液し、酢酸で中和した。水層をエーテルで抽出した後、エーテル 抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後 、濃縮物を減圧蒸留（53°C、 200Pa)し、無色液体として、 2—メトキシー 2, 6, 6—トリメ チルー 2, 4—ヘプタンジオン 10. 23gを得た（単離収率： 46%)。
2—メトキシー 2, 6, 6—トリメチルー 2, 4—ヘプタンジオンの物性値は以下の通りであ つた o
[0111] NMR (CDC1 , δ (ppm) ) : 1. 17 (0. 72H, s)、 1. 20 (8. 28H, s)、 1. 29 (
3
0. 48H, s)、 1. 36 (5. 52H, s)、 3. 23 (0. 24H, s)、 3. 24 (2. 76H, s)、 3. 82 ( 0. 16H, s)、 6. 02 (0. 92H, s)、 15. 8 (0. 92H, s)
IR (neat (cm-1) ) : 2979, 2937、 1603 (br) , 1464、 1362、 1181、 1119、 1075 、 866、 812 (なお、 1603cm— 1のピークは、 j8—ジケトン特有のピークである）
MS (mZe) : 127、 73、 43
[0112] [比較例 A— 1] (トリス（1ーメトキシー 5, 5—ジメチルー 2, 4—へキサンジォナト)インジゥ ム（III) (In (mbd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 48g (23. 2ミリモル）を加え、氷冷下、参考例 4の方 法で合成した 1ーメトキシー 5, 5—ジメチルー 2, 4—へキサンジオン 4. 00g (23. 2ミリモ ル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム (III)四水和物 2 . 18g (7. 44ミリモル）をメタノール 15mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷 冷下、攪拌しながら 30分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノー ルを留去した。その後、エーテル 40mL及び水 40mLをカ卩え、有機層を分液した後 に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸 留（190°C、 15Pa)し、粘性のある黄色液体として、トリス（1ーメトキシー 5, 5—ジメチル -2, 4一へキサンジォナト)インジウム（III) 3. 20gを得た（単離収率： 68%)。
トリス（1ーメトキシー 5, 5—ジメチルー 2, 4—へキサンジォナト）インジウム（III)は、以下 の物性値で示される新規な化合物である。
[0113] IR (neat (cm-1) ) : 2966, 2932、 1566、 1517、 1416、 1383、 1361、 1201、 11 63、 1119、 996、 806、 482 ( j8—ジケトン特有のピーク（1604cm—1)力 S消失し、 β - ジケトナト特有のピーク（1566cm が観察された）
元素分析 (C H O In) :炭素 51. 3%、水素 7. 28%、インジウム 18% (理論値:炭
27 45 9
素 51. 6%、水素 7. 22%、インジウム 18. 3%)
MS (m/e) : 628、 571、 457、 229、 115、 57
[0114] [比較例 A— 2] (トリス（2—メトキシー 2, 6, 6—トリメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）イン ジゥム（III) (In (mmbd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 2. 98g (15. 5ミリモル）を加え、氷冷下、参考例 5の方 法で合成した 2—メトキシー 2, 6, 6—トリメチルー 3, 5—ヘプタンジオン 3. 08g (15. 4ミ リモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム (III)四水和 物 1. 53g (5. 22ミリモル）をメタノール 15mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し 、氷冷下、攪拌しながら 30分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノ 一ルを留去した。その後、エーテル 40mL及び水 40mLをカ卩え、有機層を分液した 後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧 蒸留（190°C、 37Pa)し、淡黄色固体として、トリス（2—メトキシー 2, 6, 6—トリメチルー 3 , 5—ヘプタンジォナト)インジウム（III) 2. 64gを得た（単離収率： 70%)。
トリス（2—メトキシー 2, 6, 6—トリメチノレー 3, 5—ヘプタンジォナト）インジウム（III)は、 以下の物性値で示される新規な化合物である。
[0115] 融点： 114°C
IR(KBr法（cm—1) ) : 2980、 2934、 1565、 1502、 1415、 1356、 1230、 1184、 1133、 1075、 953、 866、 816、 734、 619、 535、 484 ( j8—ジケトン特有のピーク（ 1603cm が消失し、 j8—ジケトナト特有のピーク（1565cm が観察された） 元素分析 (C H O In) :炭素 55. 8%、水素 8. 11%、インジウム 16% (理論値:炭
33 57 9
素 55. 6%、水素 8. 06%、インジウム 16. 1%)
MS (m/e) : 682、 513、 449、 313、 241、 115、 73
[0116] [比較例 A— 3] (ビス（1ーメトキシー 5, 5—ジメチルー 2, 4—へキサンジォナト）ストロンチ ゥム (II) (Sr (mbd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、アルゴン雰 囲気下、水素化ストロンチウム（11) 0. 39g (4. 35ミリモル）及び 1, 2—ジメトキシェタン 20mLをカ卩えた。次いで、水冷下、参考例 4の方法で合成した 1ーメトキシー 5, 5—ジメ チルー 2, 4—へキサンジオン 1. 50g (8. 71ミリモル）をゆるやかに滴下し、攪拌しなが ら室温で 1時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて 230°Cまで加熱して 濃縮した。濃縮物にへキサン 15mLを加えて攪拌した後、濾過した。濾液を濃縮した 後、濃縮物を昇華（235°C、 53Pa)しょうと試みたが、昇華器の底に黒褐色の固体が 残っただけであった。
[0117] [比較例 A— 4] (ビス（2—メトキシー 2, 6, 6—トリメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）スト口 ンチウム（II) (Sr (mmbd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、アルゴン雰 囲気下、水素化ストロンチウム（11) 0. 45g (5. 00ミリモル）及び 1, 2—ジメトキシェタン 20mLをカ卩えた。次いで、水冷下、参考例 5の方法で合成した 2—メトキシー 2, 6, 6— トリメチルー 3, 5—ヘプタンジオン 2. OOg (9. 99ミリモル）をゆるやかに滴下し、攪拌し ながら室温で 1時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて 230°Cまで加熱 して濃縮した。濃縮物にへキサン 15mLを加えて攪拌した後、濾過した。濾液を濃縮 した後、濃縮物を昇華（235°C、 53Pa)、淡黄色固体として、ビス（2—メトキシー 2, 6, 6—トリメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)ストロンチウム（11) 1. 37gを得た（単離収率： 5 6%)。
ビス（2—メトキシー 2, 6, 6—トリメチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ストロンチウム（II)の 物性値は、以下の通りであった。
[0118] 融点： 235°C
IR(KBr法（cm—1) ) : 3426、 2970、 2867、 1607、 1500、 1461、 1426、 1386、 1361、 1226、 1178、 1121、 1078、 1052、 966、 858、 789、 723、 478 元素分析 (C H O Sr) :炭素 54. 3%、水素 7. 81%、ストロンチウム 18% (理論
22 38 6
値：炭素 54. 4%、水素 7. 88%、ストロンチウム 18. 0%)
MS (m/e)： 1259、 773、 73
MSの結果より、このストロンチウム錯体は三量体構造であると推定される。
[0119] [実施例 A— 13] (インジウム錯体の熱安定性及び融点の比較）
実施例 A— 1、比較例 A— 1及び A— 2で合成したインジウム錯体 0. 50gを 25mLのフ ラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、 190°Cで 15分間加熱し、その外観を比較した。結 果を表 1に示す。
[0120] [表 1] 表 1
金属錯体 熱安定性試験結果 外観 実施例 1 k I n (m o p d ) 3) 淡黄色のままで変化無し 淡黄色液体 比較例 1 ( I n (m b d ) J 黒褐色に変化 淡黄色液体 比較例 2 ( I n (mm b d ) ,) 淡黄色のままで変化無し 淡黄色固体
(融点 1 1 4 °C)
[0121] [化 25]
Figure imgf000042_0001
ln(mopd)3 ln(mbd)3 ln(mmbd)3
[0122] 表 1の結果より、比較例 1の In (mbd) は、融点は低いものの熱安定性が悪ぐまた
3
、比較例 2の In (mmbd) は、熱安定性は良いものの、融点が高いことが分かる。これ
3
らと比較して実施例 1の In (mopd) は、熱安定性に優れ、融点が低いことが分かる。
3
[0123] [実施例 A-14] (ストロンチウム錯体の熱安定性及び融点の比較）
実施例 A— 4、比較例 A— 3及び A— 4で合成したストロンチウム錯体 0. 30gを 25mL のフラスコに入れ、減圧下 (40Pa)、 235°Cで 15分間加熱し、その外観を比較した。 結果を表 2に示す。
[0124] [表 2] 表 2
金属錯体 熱安定性試験結果 融点 実施例 4
比較例 3
比較例 4 333
Figure imgf000043_0001
[0125] [化 26]
Figure imgf000043_0002
Sr(mobd)3 Sr(mbd)3 Sr(mmbd)3
[0126] 表 2の結果より、比較例 3の Sr(mbd) は、融点は低いものの熱安定性 O OΛ 1が悪ぐまた
3
、比較例 4の Sr(mmbd) は、熱安定性は良いものの、融点が高いことが分かる。これ
3
らと比較して、実施例 4の Sr (mopd) は、熱安定性に優れ、融点が低いことが分かる
3
[0127] [実施例 A— 15— A— 24] (蒸着実験:金属酸化物薄膜の製造）
実施例 A— 1、 A— 4一 A— 12で得られた金属錯体 (インジウム錯体 (In (mopd) )、ス
3 トロンチウム錯体（Sr (mobd) )、亜鉛錯体（Zn (mopd) )、スズ錯体（Sn (mopd) )
2 2 2、 バナジウム錯体 (V (mopd) )、アルミニウム錯体 (Al (mopd) )、マグネシウム錯体（
3 3
Mg (mopd) )、鉛錯体（Pb (mopd) )、バリウム錯体（Ba (mobd) )及びガリウム錯
2 2 2
体 (Ga (mopd) ) )を用いて、 CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
3
[0128] 評価試験には、図 1に示す装置を使用した。気化器 3 (ガラス製アンプル）にある金 属錯体 20は、ヒーター 10Bで加熱されて気化し、マスフローコントローラー 1Aを経て 予熱器 10Aで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器 3を出る。気化器 3を出 たガスは、マスフローコントローラー 1B、ストップバルブ 2を経て導入された酸素ガスと ともに反応器 4に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ 6の開閉に より、所定圧力にコントロールされ、圧力計 5によってモニターされる。ガラス製反応器 の中央部はヒーター 10Cで加熱可能な構造となっている。反応器に導入された金属 錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒータ 10Cで所定の温度に加熱された被蒸 着基板 21の表面上で酸化熱分解し、基板 21上に酸化金属薄膜が析出する。反応 器 4を出たガスは、トラップ 7、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となって いる。
[0129] 蒸着条件を次に示す。
[0130] Heキャリア流量： 30mLZ分
酸素流量： 20mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm)
2
基板温度: 400°C
反応器内圧力： 5320Pa
蒸着時間： 30分
[0131] 蒸着結果 (膜特性、生成物の分析は XPS分析による）を表 3に示す。
[表 3]
表 3
金属錯体 金属錯体気化温度 膜特性 (膜厚）
実施例 A - 1 5 I n (m o p d ) 3 140。C 酸化インジウム
(40 nm) 実施例 A - 16 S r mo b d) 2 22 Ot 酸化ストロンチウム
(30 nm) 実施例 A - 1 7 Z n (mo p d) 2 220°C 酸化亜鉛
(50 nm) 実施例 A - 18 S n (m o p d ) 2 140°C 酸化スズ
(45 nm) 実施例 A - 1 9 V (mo p d) J 16 Ot: 酸化バナジウム
(40 nm) 実施例 A -20 A 1 (mo p d) 3 14 Ot 酸化アルミニウム
(35 nm) 実施例 A - 2 1 M g (m o p d ) 2 190°C 酸化マグネシウム
(40 nm)
実施例 A -22 P b (m o p d) 2 160。C 酸化鉛
(35 nm) 実施例 A -23 B a (mo p d) 2 230°C 酸化バリウム
(30 nm) 実施例 A -24 G a (mo p d) 3 14 o 酸化ガリウム
(35 nm)
[0132] 表 3の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分力ゝる。
[0133] [参考例 6] (2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン（mood)の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 200mLのフラスコに、ナトリウムァ ミド 10. lg (259ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン 100m Lをカ卩えた。次いで、水冷下、 2—ペンタノン 14.4g (167ミリモル）をゆるやかに滴下 して 15分間攪拌した後、参考例 1の方法で合成した 2—メトキシプロピオン酸メチル 1 5. Og (127ミリモル)を滴下して、攪拌しながら 1時間反応させた。反応終了後、氷冷 下、水 50mLをカ卩えた後、水層を分液し、 2.5モル ZL硫酸で酸性ィ匕した。水層をへ キサンで抽出した後、へキサン抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ た。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（35°C、 20Pa)し、無色液体とし て、 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 14.3gを得た（単離収率： 65%)。
2—メトキシー 3, 5—オクタンジオンの物性値は以下の通りであった。
[0134] NMR(CDC1, δ (ppm)) :0.94—0.99 (3H, m)、 1.35 (3H, d)、 1.6— I. 7 (2H, m)、 2. 29—2. 34 (1. 7H, m)、 2. 51 (0. 3H, m)、 3. 36 (3H, s)、 3 . 60 (0. 3H, s)、 3. 74 (1H, q)、 5. 79 (0. 85H, s)、 15. 3 (0. 85H, s)
IR (neat (cm-1) ) : 2967, 2936、 2977、 2827、 1608 (br) , 1458、 1332、 1210 、 1119、 802 (なお、 1608cm— 1のピークは、 j8—ジケトン特有のピークである。）
MS (mZe) : 142、 113、 59、 28
[0135] [実施例 A— 25] (トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）インジウム（III) (In (moo d) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 5. 71g (29. 6ミリモル)及びメタノール 10mLを加え、 氷冷下、参考例 6の方法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 5. 18g (30. 0 ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム (III)四水 和物 2. 85g (9. 72ミリモル）をメタノール 10mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下 し、攪拌しながら室温にて 1時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタ ノールを留去した。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカ卩え、有機層を分液した 後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧 蒸留（185°C、 19Pa)し、粘性のある黄色液体として、トリス（2—メトキシー 3, 5—才クタ ンジォナト)インジウム (III) 4. Olgを得た (単離収率： 66%)。
トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)インジウム (III)は、以下の物性値で示さ れる新規な化合物である。
[0136] IR (neat (cm-1) ) : 2964, 2933、 2875、 2824、 1572、 1521、 1427、 1397、 12
I I、 1120、 957、 808、 543 ( j8—ジケトン特有のピーク（1608cm—1)力 S消失し、 β - ジケトナト特有のピーク（1572cm が観察された）
元素分析 (C H O In) :炭素 51. 5%、水素 7. 24%、インジウム 18. 2% (理論値
27 45 9
：炭素 51. 6%、水素 7. 22%、インジウム 18. 3%)
MS (m/e) : 628、 598、 457、 227、 113、 59
[0137] [実施例 A— 26] (ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）亜鉛（II) (Zn (mood) )の
2 合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 62g (24. 0ミリモル)及びメタノール 6mLを加え、 氷冷下、参考例 6の方法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 4. l lg (23. 9 ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化亜鉛 (11) 1. 60g (l l . 7ミリモル)をメタノール 4mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら 室温にて 1時間反応させた。反応終了後、反応液力 減圧下でメタノールを留去した 。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカ卩え、有機層を分液した後に、無水硫酸 ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（160°C、 1 7Pa)し、黄色液体として、ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）亜鉛 (11) 4. 02g を得た（単離収率: 84%)。
ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）亜鉛 (Π)は、以下の物性値で示される新 規な化合物である。
[0138] IR (neat (cm-1) ) : 2963, 2933、 2874、 2823、 1598、 1522、 1431、 1334、 12 11、 1119、 959、 796、 537 ( j8—ジケトン特有のピーク（1608cm—1)力 S消失し、 β - ジケトナト特有のピーク（1598cm が観察された）
元素分析 (C H O Zn) :炭素 53. 1%、水素 7. 45%、亜鉛 16% (理論値:炭素 5
18 30 6
3. 0%、水素 7. 41%、亜鉛 16. 0%)
MS (m/e) :406、 347、 113、 59
[0139] [実施例 A— 27] (ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）スズ（II) (Sn(mood) )の
2 合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 64g (24. 1ミリモル)及びメタノール 6mLを加え、 氷冷下、参考例 6の方法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 4. 21g (24. 4 ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化スズ (II) 2. 23g (l l. 8ミリモル)をメタノール 6mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室 温にて 1時間反応させた。反応終了後、反応液力 減圧下でメタノールを留去した。 その後、へキサン 30mLを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥 させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（160°C、 16Pa)し、淡黄色 液体として、ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)スズ (11) 3. 40gを得た（単離収 率： 63%)。
ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)スズ (Π)は、以下の物性値で示される新 規な化合物である。
[0140] IR (neat (cm-1) ) : 2974, 2932、 2873、 2823、 1573、 1511、 1411、 1327、 12 10、 1119、 953、 912、 808、 545 ( j8—ジケトン特有のピーク（1608cm— 力 S消失し 、 βージケトナト特有のピーク（1573cm が観察された）
元素分析（C H O Sn) :炭素 46. 8%、水素 6. 59%、スズ 25. 6% (理論値：炭
18 30 6
素 46. 9%、水素 6. 56%、スズ 25. 7%)
MS (m/e) : 403、 291、 113、 59
[0141] [実施例 A— 28] (トリス（2—メトキシ— 3, 5—オクタンジォナト）アルミニウム (III) (Al (m ood) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 56g (23. 6ミリモル)及びメタノール 6mLを加え、 氷冷下、参考例 6の方法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 4. 15g (24. 1 ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕アルミニウム (111) 1. 0 3g (7. 72ミリモル)をメタノール 10mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌し ながら室温にて 1時間反応させた。反応終了後、反応液力 減圧下でメタノールを留 去した。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカ卩え、有機層を分液した後に、無水 硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（180 。C、 13Pa)し、無色液体として、トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)アルミ-ゥ ム（III) l . 90gを得た（単離収率: 46%)。
トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）アルミニウム（III)は、以下の物性値で示 される新規な化合物である。
[0142] IR (neat (cm"1) ) : 2963, 2933、 2874、 2824、 1585、 1528、 1458、 1414、 13 30、 1212、 1121、 977、 796、 552 ( j8—ジケトン特有のピーク（1608cm—1)力 S消失 し、 j8—ジケトナト特有のピーク（1585cm が観察された）
元素分析（C H O A1)：炭素 59. 9%、水素 8. 37%、アルミニウム 5. 0% (理論
27 45 9
値：炭素 60. 0%、水素 8. 39%、アルミニウム 4. 99%) MS (m/e)： 540, 510、 481、 369、 113、 59
[0143] [実施例 A— 29] (ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）鉛（II) (Pb (mood) )の合
2 成）
攪拌装置、温度計及び粉末添力卩ロを備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナ トリウムメトキシドのメタノール溶液 4. 52g (23. 4ミリモル)及びメタノール 6mLを加え 、氷冷下、参考例 6の方法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 4. 20g (24. 4ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕鉛 (11) 3. 12g (l l. 2ミリモル)をゆるやかに添加し、攪拌しながら室温にて 1時間反応させた。反応終了 後、反応液力も減圧下でメタノールを留去した。その後、へキサン 30mL及び水 30m Lを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を 濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（205°C、 51Pa)し、粘性のある橙色液体として、ビ ス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)鉛 (II) 4. 66gを得た (単離収率： 76%)。 ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)鉛 (Π)は、以下の物性値で示される新規 な化合物である。
[0144] IR (neat (cm-1) ) : 2962, 2932、 2873、 2822、 1590、 1515、 1419、 1333、 12 11、 1117、 1016、 953、 788 ( j8—ジケ卜ン特有のピーク（1608cm—1)力 S消失し、 β -ジケトナト特有のピーク（1590cm が観察された）
元素分析 (C H O Pb) :炭素 39. 2%、水素 5. 53%、鉛 37. 5% (理論値:炭素 3
18 30 6
9. 3%、水素 5. 50%、鉛 37. 7%)
MS (m/e) : 550, 398、 339、 249、 113、 59
[0145] [実施例 A— 30] (ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）マグネシウム（II) (Mg (m ood) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び粉末添加口を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、水酸ィ匕 マグネシウム 0. 66g (l l. 3ミリモノレ）及び 1, 2—ジメトキシェタン 20mLをカ卩え、参考 例 6の方法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 4. 13g (24. 0ミリモル）をゆ るやかに滴下し、攪拌しながら室温にて 1時間反応させた。反応終了後、反応液から 減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（230°C、 32Pa)し、粘性のある黄色液体と して、ビス（2-メトキシ -3, 5-オクタンジォナト）マグネシウム (11) 3. 31gを得た (単離 収率： 80%)。
ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）マグネシウム（Π)は、以下の物性値で示さ れる新規な化合物である。
[0146] IR (neat (cm-1) ) : 2962, 2932、 2873、 2822、 1610、 1521、 1436、 1336、 12 12、 1117、 964、 792、 532
元素分析（C H O Mg) :炭素 58. 9%、水素 8. 28%、マグネシウム 6. 6% (理論
18 30 6
値：炭素 59. 0%、水素 8. 25%,マグネシウム 6. 63%)
MS (mZe) : 561、 307、 59
MSの結果より、このマグネシウム錯体は二量体構造であると推定される。
[0147] [実施例 A— 31] (トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）ガリウム（III) (Ga (mood ) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 5. 08g (26. 3ミリモル）及びメタノール 10mLを加え、 氷冷下、参考例 6の方法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 4. 56g (26. 5 ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕ガリウム（III) l. 52g ( 8. 63ミリモル)をメタノール 20mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しな 力 室温にて 1時間反応させた。反応終了後、反応液力も減圧下でメタノールを留去 した。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカ卩え、有機層を分液した後に、無水硫 酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（175°C、 17P a)し、淡黄色液体として、トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)ガリウム (III) 4. 0 7gを得た (単離収率 : 81%)。
トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)ガリウム (III)は、以下の物性値で示され る新規な化合物である。
[0148] IR (neat (cm-1) ) : 2963, 2933、 2874、 2823、 1576、 1528、 1435、 1403、 13 30、 1211、 1120、 966、 801、 550 ( j8—ジケ卜ン特有のピーク（1608cm—1)力 S消失 し、 βージケトナト特有のピーク（1576cm が観察された）
元素分析 (C H O Ga) :炭素 55. 7%、水素 7. 75%、ガリウム 12% (理論値:炭
27 45 9
素 55. 6%、水素 7. 78%、ガリウム 12. 0%) MS(mZe) :582 523 411 59
[0149] [実施例 A— 32— A— 38] (蒸着実験：酸化金属薄膜の製造）
実施例 A-25— A-31で得られた金属錯体 (インジウム錯体 (In (mood) )、亜鉛錯
3 体（Zn(mood) )、スズ錯体（Sn(mood) )、アルミニウム錯体 (Al (mood) )、鉛錯
2 2 3 体（Pb(mood) )、マグネシウム錯体（Mg (mood) )、ガリウム錯体（Ga (mood) ))
2 2 3 を用いて、前述の方法による CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
[0150] 蒸着条件を次に示す。
[0151] Heキャリア流量： 30mLZ分
酸素流量： 20mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm)
2
基板温度: 400°C
反応器内圧力： 7980Pa
蒸着時間 :60分
[0152] 蒸着結果 (膜特性、生成物の分析は XPS分析による）を表 4に示す。
[表 4] 表 4
金属錯体 金属錯体気化温度 膜特性 (膜厚） 実施例 A - 32 I n (mo od) 3 140で 酸化インジウム
(40 nm) 実施例 A - 33 Z n (mood) 2 100 C 酸化亜鉛
(35 nm) 実施例 A -34 S n (mo od) 2 120°C 酸化スズ
(35 nm) 実施例 A - 35 A 1 (mo od) 3 l 4 o 酸化アルミニウム
(40 nm) 実施例 A -36 P b (mo od) 2 1 30 C 酸化鉛
(30 nm) 実施例 A -37 Mg (mo od) 2 1701： 酸化バリウム
(40 nm) 実施例 A - 38 G a (mood) 3 140V 酸化ガリウム
(45 nm)
[0153] 表 4の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分力る
[0154] [参考例 7] (2—メトキシー 3, 5 キサンジオン（momd)の合成） 攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 200mLのフラスコに、ナトリウムァ ミド 10. lg (259ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、メチルシクロへ キサン 120mLをカロえた。次!ヽで、水冷下、アセトン 7. 40g (127ミリモノレ）をゆるや力 に滴下して 15分間攪拌した後、参考例 1と同様な方法で合成した 2—メトキシプロピオ ン酸メチル 15. Og ( 127ミリモル)を滴下し、 30分間攪拌しながら反応させた。反応終 了後、氷冷下、水 50mLを加えた後、水層を分液した。分液した水層を酢酸で酸性 化してへキサンで抽出した後、へキサン抽出液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで 乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（66°C、 1. 38kPa)し、 無色液体として、 2—メトキシー 3, 5—へキサンジオン 9. 63gを得た (単離収率： 53%)
2—メトキシー 3, 5—へキサンジオンの物性値は以下の通りであった。
[0155] NMR (CDC1 , δ (ppm) ) : l. 30 (0. 33H, d)、 1. 35 (2. 67H, d)、2. 11 (
3
2. 67H, s)、 2. 26 (0. 22H, s)、 3. 36 (2. 67H, s)、 3. 37 (0. 33H, s)、 3. 70 一 3. 81 (1. 22H, m)、 5. 80 (0. 89H, s)、 15. 27 (0. 89H, s)
IR (neat (cm-1) ) : 2987, 2937、 2828、 1611 (br) , 1451、 1368、 1211、 1119 、 801 (なお、 1611cm— 1のピークは、 j8—ジケトン特有のピークである。 )
MS (m/e) : 114, 85、 59、 43、 27
[0156] [参考例 8] (2—メトキシー 3, 5—ヘプタンジオン（mohd)の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 200mLのフラスコに、ナトリウムァ ミド 8. 00g (205ミリモル）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、トルエン 50mL を加えた。次いで、水冷下、 2—ブタノン 15. 0g (208ミリモル）をゆるやかに滴下して 10分間攪拌した後、 5°Cに冷却して、参考例 1と同様な方法で合成した 2—メトキシプ ロピオン酸メチル 8. 50g (72ミリモル)を滴下して、攪拌しながら 30分間反応させた。 反応終了後、氷冷下、水 40mLを加えた後、水層を分液した。分液した水層を 2. 5 モル/ L硫酸で酸性ィ匕してジェチルエーテルで抽出した後、ジェチルエーテル抽出 液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃 縮物を減圧蒸留（32°C、 26. 6Pa)し、無色液体として、 2—メトキシー 3, 5—ヘプタン ジオン 5. 60gを得た (単離収率: 49%)。 2—メトキシー 3, 5—ヘプタンジオンの物性値は以下の通りであった。
[0157] NMR (CDC1 , δ (ppm) ) : l. 08 (0. 48H, t)、 1. 16 (2. 52H, t)、 1. 30 (
3
0. 48H, d)、 1. 36 (2. 52H, d)、 2. 38 (1. 68H, q)、 2. 56 (0. 32H, q)、 3. 37 (3H, s)、 3. 45 (0. 32H, s)、 3. 71—2. 81 (1H, m)、 5. 80 (0. 84H, s)、 15. 3 (0. 84H, s)
IR (neat (cm-1) ) : 2984, 2939、 2828、 1610 (br) , 1458、 1328、 1210、 1119 、 1063、 882、 814 (なお、 1610cm— 1のピークは、 j8—ジケトン特有のピークである。 )
MS (m/e)： 128、 99、 59、 43、 29
[0158] [実施例 B— 1] (トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）クロム（III) (Cr
(mopd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 58g (23. 7ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 26g (22. 1ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化クロム (III)六水和物 2. 01g (7. 54ミリモル)をメタノール 10mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌 しながら 30分間反応させた。反応終了後、反応液力も減圧下でメタノールを留去した 後、メシチレン 15mLをカ卩えて 1時間還流させた。その後、室温まで冷却し、水 40mL を加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を 濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（180°C、 23Pa)し、粘性のある赤紫色液体として、ト リス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）クロム（III) 2. 54gを得た（単離 収率： 60%)。
トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）クロム（III)は、以下の物性値 で示される新規な化合物である。
[0159] IR (neat (cm-1) ) : 2975, 2933、 1568、 1530、 1415、 1333、 1239、 1120、 91 4、 800、 571 ( j8—ジケトン特有のピーク（1607cm— が消失し、 j8—ジケトナト特有 のピーク（1568cm が観察された）
元素分析 (C H O Cr)：炭素 57. 2%、水素 8. 05%、クロム 9. 2% (理論値:炭素 57. 3%、水素 8. 02%、クロム 9. 19%)
MS (mZe) : 565、 535、 394、 59
[0160] [実施例 B— 2] (ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）マンガン（Π) ( Mn (mopd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 2. 71g (14. 1ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 3. 30g (19. 2ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化マンガン (II)四水和物 1. 18g (5 . 96ミリモル)をメタノール 6mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌 しながら 1時間反応させた。反応終了後、反応液力も減圧下でメタノールを留去した 。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカ卩え、有機層を分液した後に、無水硫酸 ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（220°C、 2 3Pa)し、粘性のある褐色液体として、ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジ ォナト）マンガン (II) 1. 60gを得た (単離収率： 47%)。
ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）マンガン（II)は、以下の物性 値で示される新規な化合物である。
[0161] IR (neat (cm-1) )： 3375 (br) , 2971、 2932、 1601、 1510、 1431、 1332、 1211 、 1150、 1118、 1020、 955、 911、 804、 546
元素分析（C H O Mn) :炭素 54. 7%、水素 7. 65%、マンガン 13. 7% (理論値
18 30 6
：炭素 54. 4%、水素 7. 61%、マンガン 13. 8%)
MS (m/e) : 623、 397、 338、 168、 59
MSの結果より、このマンガン錯体は二量体構造であると推定される。
[0162] [実施例 B— 3] (ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ニッケル (II) (N i (mopd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 53g (23. 5ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 13g (24. 0ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕ニッケル (II)六水和物 2. 78g (l I. 7ミリモル)をメタノール 6mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌 しながら 1時間反応させた。反応終了後、反応液力も減圧下でメタノールを留去した
。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカ卩え、有機層を分液した後に、無水硫酸 ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（200°C、 2 5Pa)し、粘性のある緑色ガラス状固体として、ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—へ プタンジォナト）ニッケル (II) 4. 25gを得た（単離収率： 91%)。
ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ニッケル（Π)は、以下の物性 値で示される新規な化合物である。
[0163] 融点： 46°C
IR(KBr法（cm—1) ) : 3410 (br)、 2972、 2932、 1599、 1510、 1430、 1333、 12
I I、 1153、 1117、 912、 806、 566
元素分析 (C H O Ni) :炭素 53. 8%、水素 7. 57%、ニッケル 14. 5% (理論値：
18 30 6
炭素 53. 9%、水素 7. 54%、ニッケル 14. 6%)
MS (m/e) : 629、 400、 357、 59
MSの結果より、このニッケル錯体は二量体構造であると推定される。
[0164] [実施例 B— 4] (ビス（2—メトキシ— 6—メチル—3, 5—ヘプタンジォナト）コノ ルト（Π) (C o (mopd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 37g (22. 7ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 2の方 法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 00g (23. 2ミリモル）を ゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化コバルト（II)六水和物 2. 70g (l 1. 3ミリモル)をメタノール 20mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪 拌しながら 30分間反応させた。反応終了後、反応液力も減圧下でメタノールを留去 した。その後、エーテル 50mL及び水 30mLをカ卩え、有機層を分液した後に、無水硫 酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（175°C、 67Pa)し、粘性のある暗紫色液体として、ビス（2—メトキシー6—メチルー 3, 5—へプタ ンジォナト）コバルト（Π) 4. 17gを得た (単離収率： 92%)。
ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）コバルト（II)は、以下の物性 値で示される新規な化合物である。
[0165] IR (neat (cm-1) )： 3397 (br) , 2972、 2932、 1599、 1511、 1431、 1333、 1211 、 1117、 1059、 912、 803、 563 ( j8—ジケトン特有のピーク（1607cm— 力 S消失し、 βージケトナト特有のピーク（1599cm が観察された）
元素分析 (C H O Co)：炭素 53. 8%、水素 7. 56%、コバルト 14. 6% (理論値：
18 30 6
炭素 53. 9%、水素 7. 53%、コノルト 14. 7%)
MS (m/e) : 631、 401、 358、 59
MSの結果より、このコバルト錯体は二量体構造であると推定される。
[0166] [実施例 B— 5] (テトラキス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)チタン (IV ) (Ti (mopd) )の合成）
4
攪拌装置、温度計及び定量受器を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、テトラエトキ シチタン（IV) 1. 31g (5. 73ミリモル)及び参考例 2の方法で合成した 2—メトキシ— 6— メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 00g (23. 2ミリモル）を加え、エタノールを留去しな がら、 140°Cで 1時間反応させた。反応終了後、へキサン 20mL及び水 20mLを加え 、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮し た後、濃縮物を減圧蒸留（180°C、 27Pa)し、暗紫色液体として、テトラキス（2—メトキ シー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）チタン（IV) 1. 65gを得た（単離収率： 39%) テトラキス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）チタン (IV)は、以下の物 性値で示される新規な化合物である。
[0167] IR (neat (cm-1) ) : 2973, 2932、 1577、 1531、 1408、 1328、 1231、 1119、 10 65、 915、 803、 601 ( j8—ジケ卜ン特有のピーク（1607cm—1)力 S消失し、 j8—ジケ卜ナ ト特有のピーク（1577cm が観察された）
元素分析 (C H O Ti) :炭素 59. 1%、水素 8. 28%、チタン 6. 5% (理論値:炭
36 60 12
素 59. 0%、水素 8. 25%、チタン 6. 53%)
MS (m/e) : 561, 435、 309、 59
[0168] [実施例 B— 6] (テトラキス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)ジルコニウム (IV) (Zr
(mood) )の合成） 攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 72g (24. 5ミリモル）を加え、氷冷下、参考例 6の方 法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 4. 15g (24. 1ミリモル）をゆるやかに 滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕ジルコニウム (IV) 1. 39g (5. 96ミリモル)を メタノール 6mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて 1時間 反応させた。反応終了後、反応液力 減圧下でメタノールを留去した。その後、へキ サン 30mL及び水 30mLを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥 させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（220°C、 41Pa)し、粘性の ある黄色液体として、テトラキス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)ジルコニウム (IV ) 3. 47gを得た (単離収率 : 75%)。
テトラキス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）ジルコニウム（IV)は、以下の物性値 で示される新規な化合物である。
[0169] IR (neat (cm-1) ) : 2962, 2932、 2873、 2822、 1595、 1526、 1417、 1329、 12 11、 1120、 975、 794、 574、 520 ( j8—ジケトン特有のピーク（1608cm—1)力 S消失し 、 βージケトナト特有のピーク（1595cm が観察された）
元素分析（C H O Zr) :炭素 55. 8%、水素 7. 76%、ジルコニウム 11. 7% (理
36 60 12
論値：炭素 55. 7%、水素 7. 79%,ジルコニウム 11. 8%)
MS (m/e) : 603、 113、 59
[0170] [実施例 B— 7] (テトラキス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)ハフニウム (IV) (Hf ( mood) )の合成）
4
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 88g (25. 3ミリモル）を加え、氷冷下、参考例 6の方 法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 4. 41g (25. 6ミリモル）をゆるや力に 滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕ハフニウム (IV) 2. 00g (6. 24ミリモル)をメ タノール 10mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて 1時間 反応させた。反応終了後、反応液力 減圧下でメタノールを留去した。その後、へキ サン 30mL及び水 30mLを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥 させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（220°C、 23Pa)し、粘性の ある黄色液体として、テトラキス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)ハフニウム (IV) 4. 32gを得た (単離収率: 80%)。
テトラキス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)ハフニウム（IV)は、以下の物性値で 示される新規な化合物である。
[0171] IR (neat (cm-1) ) : 2962, 2932、 2873、 2822、 1598、 1528、 1430、 1211、 11 20、 976、 795、 524 ( j8—ジケトン特有のピーク（1608cm—1)力 S消失し、 j8—ジケトナ ト特有のピーク（1598cm が観察された）
元素分析（C H O Hf) :炭素 50. 1%、水素 7. 03%、 ノヽフニゥム 20. 6% (理論
36 60 12
値：炭素 50. 1%、水素 7. 00%、 ノヽフニゥム 20. 7%)
MS (m/e) : 693、 113、 59
[0172] [実施例 B— 8] (テトラキス（2—メトキシー 3, 5—へキサンジォナト)ハフニウム (IV) (Hf ( momd) )の合成）
4
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 9. 40g (48. 7ミリモル）を加え、氷冷下、参考例 7の方 法で合成した 2—メトキシー 3, 5—へキサンジオン 7. 00g (48. 9ミリモル）をゆるや力に 滴下し、 15分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕ハフニウム (IV) 3. 90g (12. 2ミリモル)を メタノール 20mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、攪拌しながら室温にて 1時 間反応させた。反応終了後、反応液力も減圧下でメタノールを留去した。その後、へ キサン 20mL及び水 20mLをカ卩え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾 燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（190°C、 13. 3Pa)し、粘 性のある黄色液体として、テトラキス（2—メトキシー 3, 5—へキサンジォナト)ハフニウム (IV) 3. 73gを得た (単離収率 :41%)。
テトラキス（2—メトキシー 3, 5—へキサンジォナト）ハフニウム（IV)は、以下の物性値 で示される新規な化合物である。
[0173] IR (neat (cm-1) ) : 2979, 2932、 2873、 2823、 1599、 1528、 1416、 1362、 12 74、 1212、 1120、 1023、 794、 517 ( j8—ジケトン特有のピーク（161 lcm— 力 S消 失し、 β -ジケトナト特有のピーク（1599cm が観察された）
元素分析（C H O Hf) :炭素 44. 6%、水素 5. 92%、 ノヽフニゥム 23. 6% (理論 値：炭素 44. 8%、水素 5. 90%、 ノヽフニゥム 23. 8%)
MS (m/e) : 653、 609、 565、 59
[0174] [実施例 B— 9] (テトラキス（2—メトキシー 3, 5—ヘプタンジォナト)ハフニウム (IV) (Hf ( mohd) )の合成）
4
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、塩化ハフ- ゥム（IV) 5. 90g (18. 4ミリモル）及びメタノール 30mLを加えた。別途、 5モル ZL水 酸ィ匕ナトリウム水溶液 18. Og (75ミリモル）に、水冷下、参考例 8の方法で合成した 2 ーメトキシ— 3, 5—ヘプタンジオン 12. lg (76. 2ミリモル）をゆるやかに滴下した。この 溶液を塩ィ匕ハフニウムのメタノール溶液に水冷下にて滴下し、攪拌しながら室温にて 30分間反応させた。反応終了後、メチルシクロへキサン 50mL及び水 50mLをカロえ 、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮し た後、濃縮物を減圧蒸留（205°C、 18. 6Pa)し、粘性のある黄色液体として、テトラキ ス（2—メトキシー 3, 5—ヘプタンジォナト）ハフニウム（IV) 12. 6gを得た（単離収率： 85 %)。
テトラキス（2—メトキシー 3, 5—ヘプタンジォナト)ハフニウム（IV)は、以下の物性値 で示される新規な化合物である。
[0175] IR (neat (cm"1) ) : 2978, 2934、 2877、 2823、 1594、 1529、 1431、 1328、 12 11、 1120、 1072、 808、 521 ( j8—ジケ卜ン特有のピーク（1610cm—1)力 S消失し、 β -ジケトナト特有のピーク（1594cm が観察された）
元素分析（C H O Hf) :炭素 47. 4%、水素 6. 50%、ハフニウム 22. 1% (理論
32 52 12
値：炭素 47. 6%、水素 6. 49%、 ノヽフニゥム 22. 1%)
MS (m/e) : 681、 651、 621、 367、 221、 128、 99、 59
[0176] [実施例 B— 10— B— 21] (蒸着実験:金属酸化物薄膜の製造）
実施例 B— 1一 B— 9で得られた金属錯体 (クロム錯体 (Cr(mopd) )、マンガン錯体
3
(Mn (mopd) )、ニッケル錯体（Ni (mopd) )、コバルト錯体（Co (mopd) )、チタン
2 2 2 錯体 (Ti (mopd) )、ジルコニウム錯体（Zr (mood) )及びハフニウム錯体（Hf (moo
4 4
d) 、 Hf (momd)及び Hf (mohd) )を用いて、 CVD法による蒸着実験を行い、成膜
4 4 4
特性を評価した。 評価試験には、酸素による金属酸ィ匕物薄膜の製造では図 1に示す装置を、水蒸気 による金属酸化膜の製造では図 2に示す装置を使用した。気化器 3 (ガラス製アンプ ル）にある金属錯体 20は、ヒーター 10Bで加熱されて気化し、マスフローコントローラ 一 1Aを経て予熱器 10Aで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器 3を出る。 気化器 3を出たガスは、マスフローコントローラー 1B、ストップバルブ 2を経て導入さ れた酸素ガス（図 1)、またはマスフコントローラー 1B、 2°Cに冷却された水 8を経て導 入された水蒸気を含むヘリウムガス（図 2)とともに反応器 4に導入される。反応系内 圧力は真空ポンプ手前のバルブ 6の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力 計 5によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター 10Cで加熱可能な 構造となっている。反応器に導入された金属錯体は、反応器内中央部にセットされ、 ヒータ 10Cで所定の温度に加熱された被蒸着基板 21の表面上で酸化熱分解し、基 板 21上に金属酸ィ匕膜が析出する。反応器 4を出たガスは、トラップ 7、真空ポンプを 経て、大気中に排気される構造となっている。
[0177] 蒸着条件を次に示す。
[0178] [実施例 B— 10— B— 16] (図 1の蒸着装置使用）
Heキャリア流量： 30mLZ分
酸素流量： 20mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm)
2
基板温度: 400°C
反応器内圧力： 5320Pa
蒸着時間： 30分
[0179] [実施例 B— 17— B— 18] (図 1の蒸着装置使用）
Heキャリア流量： 30mLZ分
酸素流量： 80mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm)
2
基板温度: 450°C
反応器内圧力： 7980Pa
蒸着時間 : 60分 [0180] [実施例 B— 19一 B— 21] (図 2の蒸着装置使用）
金属錯体を給送する Heキャリア流量： 60mLZ分
水蒸気を給送する Heキャリア流量： 60mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm)
2
基板温度： 300°C
反応器内圧力： 2660Pa
蒸着時間 :60分
[0181] 蒸着結果 (膜特性、生成物の分析は XPS分析による）を表 5と表 6に示す。
[0182] [表 5]
金属錯体 金属錯体気化温度 膜特性 （膜厚)
実施例 B— 1 0 C r (m o p d ) 3 1 7 0°C 酸化クロム
( 40 n m) 実施例 B— 1 1 Mn (mo o d) 2 1 8 OV 酸化マンガン
(3 5 nm) 実施例 B— 1 2 N i (mo o d) 2 1 5 OV 酸化ニッケル
(3 5 nm) 実施例 B— 1 3 C o (mo p d) 2 1 5 0°C 酸化コバルト
(40 nm) 実施例 B— 1 4 T i (m o p d ) 4 1 5 or 酸化チタン
(45 nm) 実施例 B— 1 5 Z r (mo o d) 4 1 7 ot: 酸化ジルコニウム
(40 nm) 実施例 B - 1 6 H f (mo o d) 4 1 7 o°c 酸化ハフニウム
(3 5 nm) 実施例 B— 1 7 H f (momd) 4 1 4 0で 酸化ハフニウム
(40 nm) 実施例 B— 1 8 H f (m o h d ) 4 1 4 or 酸化ハフニウム
( 40 n m)
[0183] [表 6] 表 6
金属錯体 金属錯体気化温度 膜特性 （膜厚)
実施例 B_ 1 9 H f (mohd) 4 140°C 酸化ハフニウム
(30 nm)
実施例 B— 20 Z r (mo o d) 4 140で 酸化ジルコニウム
(30 nm)
実施例 B 2 1 T i (mo p d) 4 120°C 酸化チタン
(35 nm)
[0184] 表 5と表 6の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分かる。
[0185] [参考例 9] (2—メトキシー 3, 5 ヘプタンジオン（mohd)の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 200mLのフラスコに、カリウム t- ブトキシド 25. Og (223ミリモル）をカ卩え、反応系内をアルゴンで置換した後、メチルシ クロへキサン lOOmLをカ卩えた。次いで、水冷下、参考例 1の方法で合成した 2—メトキ シプロピオン酸メチル 12. 5g (106ミリモル）を滴下した後、 2—ブタノン 7. 70g(107ミ リモル)をゆるやかに滴下し、 10°Cに冷却して、攪拌しながら 30分間反応させた。反 応終了後、氷冷下、水 70mLを加えた後、水層を分液した。分液した水層を酢酸で 中和してメチルシクロへキサンで抽出した後、メチルシクロへキサン抽出液を水で洗 浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧 蒸留（77°C、 1. 26kPa)し、無色液体として、 2—メトキシー 3, 5—ヘプタンジオン 10. 4gを得た (単離収率： 62%)。
[0186] [実施例 C 1] (ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5 ヘプタンジォナト）銅（Π) (Cu (mo pd) )の合成）
2
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、水酸化銅（ 11)0. 906g(9. 29ミリモル)及び塩化メチレン 10mLを加えた後、参考例 2の方法で 合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 1. 57g(9. 12ミリモル）をゆる やかに滴下し、室温にて攪拌しながら 90分間反応させた。反応終了後、反応液を濃 縮した後、濃縮物を減圧蒸留（170°C、 63Pa)し、紫色固体として、ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5 ヘプタンジォナト)銅（11)1. 50gを得た（単離収率： 81%)。 ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5 ヘプタンジォナト)銅（Π)、以下の物性値で示さ れる新規な化合物である。
[0187] 融点： 107°C
IR (neat (cm-1) )： 3436 (br) , 2970、 2933、 2874、 2827、 1572、 1513、 1430 、 1334、 1242、 1114、 1057、 914、 811、 580 ( j8—ジケトン特有のピーク（1607c m"1)が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1572cm が観察された）
元素分析 (C H O Cu) :炭素 53. 7%、水素 7. 49%、銅 15. 6% (理論値:炭素
18 30 6
53. 3%、水素 7. 45%、銅 15. 7%)
MS (m/e) :405、 362、 287、 235、 175、 113、 59
[0188] [実施例 C 2] (ビス（2—メトキシー 3, 5 オクタンジォナト）銅（II) (Cu (mood) )の合
2 成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、参考例 3の 方法で合成した 2—メトキシー 3, 5 オクタンジオン 10. lg (58. 4ミリモル)及びトルェ ン 30mLをカ卩えた後、 5. 66質量0 /0酢酸銅（II)水溶液 24. 0g (7. 48ミリモル）をゆる やかに滴下し、室温にて 20分間反応させた。反応終了後、トルエン層を分液した。 得られたトルエン層に 5. 66質量0 /0酢酸銅（II)水溶液 24. 0g (7. 48ミリモル）をゆる やかに滴下し、室温にて 20分間反応させた後、トルエン層を分液した。その後、この 操作を 2回繰り返した。該トルエン層を水で洗浄した後に減圧下で濃縮した後、濃縮 物を減圧蒸留（170°C、 27Pa)し、紫色固体として、ビス（2—メトキシー 3, 5 オクタン ジォナト)銅 (II) 10. 6gを得た (単離収率： 87%)。
ビス（2-メトキシ -3, 5-オクタンジォナト)銅 (Π)は、以下の物性値で示される新規 な化合物である。
[0189] 融点： 78°C
IR (neat (cm-1) )： 3431 (br) , 2964、 2933、 2873、 2821、 1568、 1518、 1442 、 1366、 1206、 1127、 970、 802、 553、 480 ( j8—ジケトン特有のピーク（1608cm _1)が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1568cm が観察された）
元素分析 (C H O Cu) :炭素 53. 8%、水素 7. 43%、銅 15. 7% (理論値:炭素
18 30 6
53. 3%、水素 7. 45%、銅 15. 7%) MS (m/e) :405、 346、 287、 235、 175、 113、 59、 28
[0190] [実施例 C 3] (ビス（2—メトキシー 3, 5—ヘプタンジォナト）銅（II) (Cu (mohd) )の合
2 成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、参考例 9の 方法で合成した 2—メトキシー 3, 5 ヘプタンジオン 5. 03g (31. 8ミリモル）及びトルェ ン 40mLをカ卩えた後、 9. 09質量0 /0酢酸銅（II)水溶液 33. 0g (16. 5ミリモル）をゆる やかに滴下し、攪拌しながら室温にて 60分間反応させた。反応終了後、有機層を分 液した後に減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（160°C、 17Pa)し、紫色固体とし て、ビス（2—メトキシー 3, 5 ヘプタンジォナト)銅（11) 4. 60gを得た（単離収率： 77%
) o
ビス（2—メトキシー 3, 5 ヘプタンジォナト)銅 (Π)は、以下の物性値で示される新規 な化合物である。
[0191] 融点： 104°C
IR (neat (cm-1) )： 3432 (br) , 2978、 2935、 2879、 2826、 1569、 1518、 1443 、 1343、 1207、 1127、 1074、 808、 551、 434 ( j8—ジケトン特有のピーク（1610c m"1)が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1569cm が観察された）
元素分析 (C H O Cu)：炭素 50. 8%、水素 6. 98%、銅 16. 8% (理論値:炭素
16 26 6
50. 9%、水素 6. 93%、銅 16. 8%)
MS (m/e) : 377, 318、 259、 221、 161、 99、 59
[0192] [実施例 C - 4一 C - 6] (蒸着実験:銅薄膜の製造）
実施例 C— 1一 C— 3で得られた銅錯体（Cu(mopd)、 Cu(mood)及び Cu (mohd
2 2
) )を用いて、 CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、
2
図 1に示す装置を使用したが、酸素ガスの代わりに水素ガスを反応性ガスとして用い た。
[0193] 蒸着条件を次に示す。
[0194] Heキャリア流量： 30mLZ分
水素流量： 120mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm) 基板温度： 250°C
反応器内圧力： 7980Pa
蒸着時間： 30分
[0195] 蒸着結果 (膜特性、生成物の分析は XPS分析による）を表 7に示す。
[0196] [表 7] 表 7
金属錯体 金属錯体気化温度 膜特性 （膜厚） 比抵抗値
(poc m)
実施例 C— 4 Cu (mo p d) 2 1 4 Ot: 銅 （l l O nm) 3. 5 実施例 C一 5 C u (mo o d) 2 140°C 銅 （l O O nm) 3. 5 実施例 C一 6 Cu (mo h d) 2 140 °C 銅 （1 2 0 nm) 3. 2
注:生成した銅膜は、いずれも光沢のある金属色を示し、表面は均一な平滑面であ つた o
[0197] 表 7の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分力ゝる。
[0198] [実施例 D— 1] (トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ランタン（ΠΙ) ( La(mopd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、酢酸ランタ ン（ΠΙ)1. Og(3.16ミリモル）、テ卜ラヒドロフラン 20mL及び 10質量0 /0水酸ィ匕ナ卜リウ ム水溶液 5mg(21.7ミリモル）をカ卩えた後、参考例 2の方法で合成した 2—メトキシー 6 ーメチルー 3, 5—ヘプタンジオン 2. Og(ll.6ミリモル）をゆるやかに滴下し、室温にて 攪拌しながら 90分間反応させた。反応終了後、反応液を濾過した後に濾液を水で洗 浄し、減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（230°C、 26.6Pa)し、粘性のある無色 液体として、トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ランタン（111)0.93 gを得た (単離収率: 45%)。
トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ランタン (III)、以下の物性値 で示される新規な化合物である。 [0199] 融点： 21°C
IR (neat (cm-1) )： 3477 (br) , 2968、 2931、 2870、 2827、 1603、 1525、 1483 、 1371、 1331、 1209、 1151、 1114、 1060、 1019、 955、 910、 865、 811、 782 ゝ 553
元素分析 (C H O La):炭素 50.2%、水素 6.91%、ランタン 21.7% (理論値：
27 45 9
炭素 49.7%、水素 6.95%、ランタン 21.3%)
MS (m/e) :675、 481、 398、 310、 173、 113、 59
NMR(CDC1, δ (ppm)):l.24 (3Η, d)、 1.35 (3H, d)、2.2—2.3(1H
3
, m)、 3.33 (3H, s)、 3.58—3.65(1H, q)、 5.18(1H, s)
[0200] [実施例 D— 2] (トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）サマリウム（III)
(Sm(mopd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、酢酸サマリ ゥム（III) 1.0g(2.50ミリモル）、テ卜ラヒドロフラン 20mL及び 10質量0 /0水酸ィ匕ナトリ ゥム水溶液 5mg(21.7ミリモル)を加えた後、参考例 2の方法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 1.72g(10.0ミリモル）をゆるやかに滴下し、室温 にて攪拌しながら 90分間反応させた。反応終了後、反応液を濾過した後に濾液を水 で洗浄し、減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（230°C、 26.6Pa)し、粘性のある 黄色液体として、トリス（2-メトキシ -6-メチル -3, 5-ヘプタンジォナト）サマリウム（III )0.58gを得た (単離収率 :35%)。
トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）サマリウム（III)、以下の物性 値で示される新規な化合物である。
[0201] 融点： 25°C
IR (neat (cm-1)) :2968, 2931、 2870、 2825、 1605、 1525、 1495、 1371、 13 31、 1210、 1113、 1020、 910、 804、 783
元素分析 (C H OSm):炭素 48.5%、水素 6.87%、サマリウム 22. 1% (理論
27 45 9
値:炭素 48.8%、水素 6.83%、サマリウム 22.6%)
MS (m/e) :688、 494、 368、 324、 113、 59
NMR(CDC1, δ (ppm)) :0.87—0.99 (3Η, brd)、 1.12(6H, m)、 2.5 (1H, m)、 2. 9 (3H, brs)、 3. 29—3. 65 (1H, brs)、 5. 60—5. 77 (1H, br) [0202] [実施例 D— 3] (トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）ランタン（III) (La (mood)
3
)の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、酢酸ランタ ン（ΠΙ) 1. Og (3. 16ミリモル）、テ卜ラヒドロフラン 20mL及び 10質量0 /0水酸ィ匕ナ卜リウ ム水溶液 5mg (21. 7ミリモル）をカ卩えた後、参考例 6の方法で合成した 2—メトキシー 3 , 5—オクタンジオン 2. Og (l l. 6ミリモル）をゆるやかに滴下し、室温にて攪拌しなが ら 90分間反応させた。反応終了後、反応液を濾過した後に濾液を水で洗浄し、減圧 下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（230°C、 26. 6Pa)し、粘性のある無色液体として 、トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)ランタン (III) O. 55gを得た（単離収率： 2 7%)。
トリス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト)ランタン (III)、以下の物性値で示される 新規な化合物である。
[0203] 融点： 10°C
IR (neat (cm-1) ) : 2961, 2931、 2873、 2826、 1600、 1518、 1479、 1338、 12 09、 1116、 1019、 960、 789
元素分析 (C H O La) :炭素 49. 5%、水素 6. 99%、ランタン 20. 9% (理論値：
27 45 9
炭素 49. 7%、水素 6. 95%、ランタン 21. 3%)
MS (m/e) : 675、 481、 398、 142、 113、 59
NMR (CDC1 , δ (ppm) ) : 0. 86 (3Η, t)、 1. 23 (3H, d)、 1. 48—1. 58 (
3
2H, m)、 2. 05 (2H, t)、 3. 32 (3H, s)、 3. 57—3. 64 (1H, q)、 5. 19 (1H, s) [0204] [実施例 D— 4] (蒸着実験：酸化ランタン薄膜の製造）
実施例 D— 1で得られたランタン錯体 (La (mopd) )を用いて、 CVD法による蒸着
3
実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図 1に示す装置を使用した。
[0205] 蒸着条件を次に示す。
[0206] Heキャリア流量： 30mLZ分
酸素流量： 120mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm) 基板温度: 450°C
反応器内圧力： 7980Pa
蒸着時間： 30分
[0207] 蒸着結果 (膜特性、生成物の分析は XPS分析による）を表 8に示す。
[0208] [表 8] 表 8
金属錯体 金属錯体気化温度 膜特性 （膜厚）
実施例 D— 4 L a (m o p d ) 2 1 8 0 °C 酸化ランタン
( 3 0 n m)
[0209] 表 8の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分力ゝる。
[0210] [実施例 E— 1] (ビス（2—メトキシ—3, 5—ヘプタンジォナト）鉛（II) (Pb (mohd) )の合
2 成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、塩化鉛 (II) 8. 04g (28. 9ミリモル）をメチルシクロへキサン 40mLに懸濁させ、室温下、その懸 濁液に参考例 8の方法で合成した 2—メトキシー 3, 5—ヘプタンジオン 10. 35g (60. 1 ミリモル)をゆるやかに滴下した。その後、氷冷下 17%の水酸ィ匕ナトリウム水溶液 14. 5g (NaOH61ミリモル)を滴下し、室温にて、攪拌しながら 1時間反応させた。反応終 了後、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃 縮した後、濃縮物を減圧蒸留（190°C、 20Pa)し、粘性のある黄色液体として、ビス（ 2-メトキシ -3, 5-ヘプタンジォナト)鉛 (Π) 7. 57gを得た (単離収率： 50%)。
ビス（2—メトキシー 3, 5—ヘプタンジォナト)鉛 (Π)は、以下の物性値で示される新規 な化合物である。
[0211] IR (neat (cm-1) ) : 2976, 2934、 2877、 2822、 1594、 1516、 1420、 1371、 13 35、 1302、 1210、 1117、 1068、 1016、 944、 882、 821、 515 ( j8—ジケトン特有 のピーク（1610cm が消失し、 β -ジケトナト特有のピーク（1594cm が観察され た）
元素分析 (C H O Pb) :炭素 36. 6%、水素 5. 03%、鉛 39. 5% (理論値:炭素 3 6. 8%、水素 5. 02%、鉛 39. 7%)
MS (m/e) : 522, 463、 311、 99、 59
[0212] [実施例 E— 2] (トリス（2—メトキシー 3, 5—へキサンジォナト）インジウム（III) (In (mom d) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 14. 8%水 酸ィ匕ナトリウム水溶液 11. 7g (NaOH43. 5ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 7の方 法で合成した 2—メトキシー 3, 5—へキサンジオン 6. 51g (45. 5ミリモル）をゆるや力に 滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化インジウム (III)四水和物 4. 04g (13. 8ミリ モル)をメタノール 30mLに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、水温下、攪拌しな 力 Sら 30分間反応させた。反応終了後、メチルシクロへキサン 50mL及び水 20mLを 加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃 縮した後、濃縮物を減圧蒸留（180°C、 15Pa)し、粘性のある淡黄色液体として、トリ ス（2—メトキシー 3, 5—へキサンジォナト)インジウム（III) 5. 9 lgを得た（単離収率： 79 %)。
トリス（2—メトキシー 3, 5—へキサンジォナト)インジウム（III)は、以下の物性値で示さ れる新規な化合物である。
[0213] IR (neat (cm-1) ) : 2981, 2933、 2882、 2824、 1574、 1523、 1412、 1387、 12 65、 1212、 1119、 1025、 909、 806、 538 ( j8—ジケトン特有のピーク（1611cm—1) が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1574cm が観察された）
元素分析（C H O In) :炭素 46. 6%、水素 6. 20%、インジウム 21. 0% (理論値
21 33 9
：炭素 46. 3%、水素 6. 11%、インジウム 21. 1%)
MS (m/e)： 544, 514、 401、 289、 199、 115、 59
[0214] [実施例 E— 3] (テトラキス（2—メトキシー 3, 5—へキサンジォナト）ジルコニウム (IV) (Zr
(momd) )の合成）
4
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 10. 8%水 酸ィ匕ナトリウム水溶液 29. 2g (NaOH 78. 8ミリモル）をカ卩え、氷冷下、参考例 7の方 法で合成した 2—メトキシー 3, 5—へキサンジオン 12. lg (83. 6ミリモル）をゆるや力に 滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕ジルコニウム (IV) 4. 33g (18. 6ミリモル)を メタノール 40mLに溶解させた溶液に、先ほど調製した水溶液を氷冷下ゆるやかに 滴下し、攪拌しながら 30分間反応させた。反応終了後、メチルシクロへキサン 40mL 及び水 50mLを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾 過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（220°C、 24Pa)し、粘性のある無色液 体として、テトラキス（2—メトキシー 3, 5—へキサンジォナト）ジルコニウム（IV) 5. 78gを 得た (単離収率: 47%)。
テトラキス（2—メトキシー 3, 5—へキサンジォナト）ジルコニウム（IV)は、以下の物性 値で示される新規な化合物である。
[0215] IR (neat (cm-1) ) : 2979, 2932、 2873、 2823、 1597、 1526、 1414、 1361、 12 72、 1211、 1120、 1023、 794、 516、 419 ( j8—ジケトン特有のピーク（161 lcm—1) が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1597cm が観察された）
元素分析（C H O Zr) :炭素 50. 9%、水素 6. 71%、ジルコニウム 13. 6% (理
28 44 12
論値：炭素 50. 7%、水素 6. 68%,ジルコニウム 13. 7%)
MS (m/e) : 519, 193、 109、 85、 59
[0216] [実施例 E— 4] (ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）ニッケル（Π) (Ni (mood) )
2 の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 14. lg (73. 1ミリモル）およびメタノール 15mLをカロ え、氷冷下、参考例 6の方法で合成した 2—メトキシー 3, 5—オクタンジオン 12. 6g (73 . 2ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩ィ匕ニッケル (II) 6水 和物 10. 0g (l l. 5ミリモル）をメタノール 30mLに溶カゝした溶液を氷冷下滴下し、室 温にて、攪拌しながら 1時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノー ルを留去した。その後、塩化メチレン 50mL及び水 50mLをカ卩え、有機層を分液した 後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧 蒸留（230°C、 40Pa)し、暗緑色固体として、ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト )ニッケル (II) 7. 20gを得た（単離収率： 43%)。
ビス（2—メトキシー 3, 5—オクタンジォナト）ニッケル (Π)は、以下の物性値で示される 新規な化合物である。 [0217] 融点： 57°C
IR (neat (cm-1) ) : 3415 (br) , 2963、 2933、 2874、 2823、 1598、 1520、 1431 、 1334、 1211、 1117、 1017、 960、 795、 558 ( j8—ジケトン特有のピーク（1608c m"1)が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1598cm が観察された）
元素分析 (C H O Ni) :炭素 53. 7%、水素 7. 59%、ニッケル 14. 5% (理論値：
18 30 6
炭素 53. 9%、水素 7. 54%、ニッケル 14. 6%)
MS (m/e) :400、 341、 113、 59
[0218] [実施例 E— 5] (テトラキス（2—メトキシー6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)ハフ-ゥ ム（IV) (Hf (mopd) )の合成）
4
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 3. 95g (20ミリモル）およびメタノール 10mLをカロえ、 氷冷下、参考例 2の方法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 21 . 2g (3. 65ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化ハフ-ゥ ム（IV) 1. 60g (5. 00ミリモル）をメタノール 6mLに溶カゝした溶液を氷冷下滴下し、室 温にて、攪拌しながら 1時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノー ルを留去した。その後、へキサン 10mLを加えて濾過後、濾液を濃縮した。濃縮物を 減圧蒸留（220°C、 24Pa)し、淡黄色固体として、ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5— ヘプタンジォナト）ハフニウム（IV) 3. OOgを得た（単離収率： 70%)。
ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ハフニウム（IV)は、以下の物 性値で示される新規な化合物である。
[0219] 融点： 160°C
IR (neat (cm"1) ) : 3414 (br) , 2974、 2932、 2871、 2823、 1582、 1534、 1433 、 1329、 1240、 1210、 1120、 1060、 969、 915、 797、 544 ( j8—ジケトン特有の ピーク（1607cm が消失し、 -ジケトナト特有のピーク（1582cm が観察された )
元素分析（C H O Hf) :炭素 50. 3%、水素 7. 10%、 ノヽフニゥム 20. 5% (理論
36 60 12
値：炭素 50. 1%、水素 7. 00%、 ノヽフニゥム 20. 7%)
MS (m/e) : 693、 113、 59 [0220] [実施例 E— 6] (テトラキス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ジルコ- ゥム（IV) (Zr (mopd) )の合成）
4
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 4. 70g (24. 4ミリモル）およびメタノール 10mLをカロえ 、氷冷下、参考例 2の方法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4 . 20g (24. 4ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化ジルコ -ゥム（IV) 1. 38g (5. 92ミリモル）をメタノール 4mLに溶力した溶液を氷冷下滴下し 、室温にて、攪拌しながら 1時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタ ノールを留去した。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカ卩え、有機層を分液した 後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧 蒸留（220°C、 25Pa)し、淡黄色固体として、ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプ タンジォナト）ジルコニウム（IV) 1. 27gを得た（単離収率： 28%)。
ビス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト）ジルコニウム（IV)は、以下の 物性値で示される新規な化合物である。
[0221] 融点： 165°C
IR (neat (cm-1) ) : 2974, 2932、 2871、 2823、 1580、 1533、 1431、 1329、 12 38、 1210、 1120、 1060、 969、 914、 797、 575、 542 ( j8—ジケトン特有のピーク（ 1607cm"1)が消失し、 βージケトナト特有のピーク（1580cm が観察された） 元素分析（C H O Zr) :炭素 55. 3%、水素 7. 72%、ジルコニウム 11. 3% (理
36 60 12
論値：炭素 55. 7%、水素 7. 79%,ジルコニウム 11. 8%)
MS (m/e) : 603、 113、 59
[0222] [実施例 E— 7] (トリス（2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジォナト)イットリウム (IV ) (Y(mopd) )の合成）
3
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 lOOmLのフラスコに、 28%ナトリ ゥムメトキシドのメタノール溶液 5. 12g (26. 5ミリモル）およびメタノール 10mLをカロ え、氷冷下、参考例 2の方法で合成した 2—メトキシー 6—メチルー 3, 5—ヘプタンジオン 4. 60g (26. 7ミリモル)をゆるやかに滴下し、 5分間攪拌させた。次いで、塩化イツトリ ゥム 6水禾ロ物（III) 2. 62g (8. 64ミリモノレ）をメタノーノレ 20mLに溶力した溶液を室温 下滴下し、室温にて、攪拌しながら 1時間反応させた。反応終了後、反応液から減圧 下でメタノールを留去した。その後、へキサン 30mL及び水 30mLをカ卩え、有機層を 分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮 物を減圧蒸留（220°C、 35Pa)し、橙色ガラス状固体として、トリス（2—メトキシー 6—メ チルー 3, 5—ヘプタンジォナト)イットリウム（III) 2. 43gを得た (単離収率: 47%)。 トリス（2—メトキシー 6—メチノレー 3, 5—ヘプタンジォナト）イットリウム（III)は、以下の物 性値で示される新規な化合物である。
[0223] 融点： 38°C
IR (neat (cm-1) )： 3435 (br) , 2973、 2932、 2871、 2822、 1608、 1531、 1432 、 1331、 1211、 1152、 1118、 1022、 912、 787、 559
元素分析 (C H O Y) :炭素 55. 3%、水素 7. 72%、イットリウム 11. 3% (理論値
27 45 9
：炭素 53. 8%、水素 7. 53%、イットリウム 14. 8%)
MS (m/e) : 625、 602、 571、 559、 543、 431、 339、 259、 113、 59 [0224] [参考例 10] (2—メトキシー 3, 5—へキサンジオン（momd)の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積 300mLのフラスコに、カリウム t- ブトキシド 29. Og (258ミリモル）をカ卩え、反応系内をアルゴンで置換した後、メチルシ クロへキサン 120mLをカ卩えた。次いで、水冷下、参考例 1の方法で合成した 2—メトキ シプロピオン酸メチル 15. Og (127ミリモル）を滴下した後、アセトン 7. 40g (127ミリ モル)をゆるやかに滴下し、 10°Cに冷却して、攪拌しながら 30分間反応させた。反応 終了後、氷冷下、水 1200mLを加えた後、水層を分液した。分液した水層を酢酸で 中和してメチルシクロへキサンで抽出した後、メチルシクロへキサン抽出液を水で洗 浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧 蒸留（66°C、 1. 38kPa)し、無色液体として、 2—メトキシー 3, 5—へキサンジオン 9. 6 3gを得た (単離収率 : 53%)。
2—メトキシー 3, 5—へキサンジオンの物性値は以下の通りであった。
[0225] NMR (CDC1 , δ (ppm) ) : 1. 29 (0. 3H, d)、 1. 35 (2. 7H, d)、 2. 11 (2.
3
7H, s)、 2. 26 (0. 3H, s)、 3. 36 (2. 7H, s)、 3. 37 (0. 3H, s)、 3. 64 (0. 2H, s)、 3. 70—3. 77 (1H, m)、 5. 80 (0. 9H, s)、 15. 3 (0. 9H, s) IR(neat (cm ) ) : 2987, 2937、 2828、 1611 (br) , 1451、 1368、 1337、 1239 、 1211、 1119、 1058、 1018、 903、 801、 814ぬお、 1611cm— 1のピークは、 β— ジケトン特有のピークである。 )
MS (m/e)： 114、 85、 59、 43
[0226] [実施例 E— 8— E— 14] (蒸着実験：金属酸化物薄膜の製造）
実施例 E— 1一 E— 7で得られた金属錯体のそれぞれを用いて、 CVD法による蒸着 実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図 1に示す装置を用いた。
[0227] 蒸着条件を次に示す。
[0228] [実施例 E— 8] (酸素と共に Heを供給して酸素を希釈した）
Heキャリア流量： 15mLZ分
酸素流量： 80mLZ分
酸素希釈用 He流量： 105mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm)
2
基板温度: 400°C
反応器内圧力： 7980Pa
蒸着時間 : 60分
[0229] [実施例 E—9、 E—12、 E—13]
Heキャリア流量： 30mLZ分
酸素流量： 20mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm)
2
基板温度: 400°C
反応器内圧力： 5320Pa
蒸着時間： 30分
[0230] [実施例 E— 10] (酸素と共に Heを供給して酸素を希釈した）
Heキャリア流量： 30mLZ分
酸素流量： 80mLZ分
酸素希釈用 He流量： 90mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm) 基板温度: 400°C
反応器内圧力： 19. 9kPa
蒸着時間 : 60分
[0231] [実施例 E— 11] (酸素と共に Heを供給して酸素を希釈した）
Heキャリア流量： 60mLZ分
酸素流量： 80mLZ分
酸素希釈用 He流量： 60mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm)
2
基板温度: 400°C
反応器内圧力： 7980Pa
蒸着時間 : 60分
[0232] [実施例 E— 14]
Heキャリア流量： 30mLZ分
酸素流量： 20mLZ分
基板： SiO /Si (サイズ： 7mm X 40mm)
2
基板温度: 450°C
反応器内圧力： 5320Pa
蒸着時間： 30分
[0233] 蒸着結果 (膜特性、生成物の分析は XPS分析による）を表 9に示す。
[0234] [表 9]
表 9
金属錯体 金属錯体気化温度 膜特性 (膜厚）
実施例 E一 8 P b (mo h cl) 2 140°C 酸化鉛
(60 nm) 実施例 E一 9 I n (momd) 3 140°C 酸化ィンジゥム
(45 nm) 実施例 E - 10 Z r (m omd ) 4 120°C 酸化ジルコニウム
(30 nm) 実施例 E - 1 1 N i (mo o d) 2 180°C 酸化ニッケル
(50 nm) 実施例 E - 12 H f (mo p d) 4 180°C 酸化ハフニウム
(30 nm) 実施例 E一 1 3 Z r (m o p d ) 4 180。C 酸化ジルコニウム
(30 nm) 実施例 E - 14 Y (m o p d ) l 8 o 酸化ィットリウム
(30 nm)
[0235] 表 9の結果より、本発明の金属錯体が、優れた成膜性を有することが分かる。
図面の簡単な説明
[0236] [図 1]蒸着装置の構成を示す図である。
[0237] [図 2]水蒸気により金属酸ィ匕膜を製造する蒸着装置の構成を示す図である。
符号の説明
[0238] 1A マスフ口一コントローラ
1B マスフロ^" -コント口 -ラ
2 ストップノ ：ルブ
3 気化器
4 反応器
5 圧力計
6 バルブ
7 卜ラップ
8 水
9 冷却器 A 予熱器
B 気化器ヒータ
C 反応器ヒータ
原料金属錯体融液もしくは溶液 基板

Claims

請求の範囲
[1] アルコキシアルキルメチル基を有する /3 ジケトナトを配位子とする金属錯体, [2] アルコキシアルキルメチル基を有する /3 ジケトナト配位子力 式（1)：
[化 1]
Figure imgf000078_0001
[Xは、上記式（2)で表わされるアルコキシアルキルメチル基 (式中、 Ra及び Rbは、そ れぞれ独立に、炭素原子数 1一 5の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を表わす)を表 わし、 Yは、上記式（2)の基または炭素原子数 1一 8の直鎖もしくは分枝状のアルキ ル基を表わし、 Zは、水素原子または炭素原子数 1一 4のアルキル基を表わす] で表される請求項 1に記載の金属錯体。
式 (3) :
[化 2]
Figure imgf000078_0002
(式中、 Mは、金属原子を示し、 X、 Y及び Zは、前記と同義である。 nは、 1一 4の整 数を表わす）
で表される請求項 1に記載の金属錯体。
Mが、周期律表第 ΠΑ族、第 ΠΒ族、第 ΠΙΒ族、第 IVB族または第 VA族の金属原子で ある請求項 3に記載の金属錯体。
[5] M力 マグネシウム原子、カルシウム原子、ストロンチウム原子、バリウム原子、亜鉛 原子、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子、ゲルマニウム原 子、スズ原子、鉛原子、バナジウム原子、ニオブ原子及びタンタル原子力 なる群より 選ばれる金属原子である請求項 3に記載の金属錯体。
[6] Mが、周期律表第 IVA族、第 VIA族、第 VIIA族または第 VIII族の金属原子である請 求項 3に記載の金属錯体。
[7] Μ力 チタン原子、ジルコニウム原子、ハフニウム原子、クロム原子、マンガン原子、 ニッケル原子、コバルト原子、鉄原子、ルテニウム原子及びイリジウム原子力 なる群 より選ばれる金属原子である請求項 3に記載の金属錯体。
[8] Μ力 周期律表第 IB族の金属原子であって、 nが 1または 2である請求項 3に記載 の金属錯体。
[9] Mが、銅原子、銀原子及び金原子力もなる群より選ばれる金属原子であって、 nが
1または 2である請求項 3に記載の金属錯体。
[10] Mが希土類金属原子であって、 nが 3もしくは 4である請求項 3に記載の金属錯体。
[11] M力 イットリウム原子、ランタン原子、セリウム原子、プラセオジム原子、ネオジム原 子、サマリウム原子、ユーロピオム原子、エルビウム原子、イツトリビゥム原子及びルテ チウム原子力 なる群より選ばれる金属原子であって、 nが 3もしくは 4である請求項 3 に記載の金属錯体。
[12] アルコキシアルキルメチル基を有する /3 ジケトナトを配位子とする金属錯体を加熱 して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯 体蒸気を反応容器内にて加熱下に酸素もしくは水蒸気と接触させて熱分解して金属 酸化物蒸気に変換し、該金属酸化物蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる金 属酸化物薄膜の製造方法。
[13] 金属錯体の加熱に際して、金属錯体を有機溶媒に溶解した溶液として加熱する請 求項 10に記載の金属酸化物薄膜の製造方法。
[14] 有機溶媒が、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒もしくはエーテル溶媒で ある請求項 11に記載の金属酸化物薄膜の製造方法。 [15] アルコキシアルキルメチル基を有する 13 ジケトナトを配位子とする金属錯体を加熱 して金属錯体蒸気とし、基板を装着した反応容器内に供給する工程、そして金属錯 体蒸気を反応容器内にて加熱下に水素と接触させて熱分解して金属蒸気に変換し 、該金属蒸気を基板表面に堆積させる工程からなる金属薄膜の製造方法。
[16] 金属錯体の加熱に際して、金属錯体を有機溶媒に溶解した溶液として加熱する請 求項 13に記載の金属薄膜の製造方法。
[17] 有機溶媒が、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒もしくはエーテル溶媒で ある請求項 14に記載の金属薄膜の製造方法。
[18] 金属供給源として請求項 1に記載の金属錯体を用いて金属含有薄膜を製造する方 法。
[19] 金属供給源として請求項 2に記載の金属錯体を用いて金属含有薄膜を製造する方 法。
[20] 金属供給源として請求項 3に記載の金属錯体を用いて金属含有薄膜を製造する方 法。
[21] 金属錯体の製造を化学気相蒸着法にて行なう請求項 18に記載の金属含有薄膜の 製造方法。
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