WO2005029695A1 - 増幅器 - Google Patents

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Kazumi Shiikuma
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Definitions

  • the present invention relates to an amplifier, and more particularly to an amplifier that performs amplification by using a linear amplifier and a nonlinear amplifier together.
  • Power amplifiers used in wireless communication systems require linearity and high efficiency.
  • recent multi-level digital modulation communication systems often handle signals whose average amplitude and maximum amplitude differ greatly from each other.
  • the amplifier When amplifying such a signal with a conventional power amplifier, the amplifier is set to an operating point that can amplify the signal to the maximum amplitude without distorting the signal. For this reason, there was little time to operate near the saturation output where relatively high efficiency could be maintained, and the efficiency of the amplifier was generally low.
  • Doherty amplifier The basic configuration of a Doherty amplifier is already known to those skilled in the art (WH Doherty, A New Hih Efficiency Power Amplifier for Modulated Waves ", 1936 Proc. Of IRE, Vol. 24. , No. 9, pp1163-1182 and Steve's C. Cripps (Steve G. Cnpps), Advanced Techniques in RF Power Amp I ifers, Artech House 2002, pp33-56).
  • FIG. 4 is a configuration diagram of an example of a conventional Doherty amplifier.
  • a conventional Doherty amplifier includes a carrier amplifier 21 that constantly performs signal amplification and a peak amplifier 22 that operates only at high power output (sometimes referred to as an “auxiliary amplifier, In the present invention, “the peak amplifier J is unified”, a combiner 23 that combines and outputs the outputs of the carrier amplifier 21 and the peak amplifier 22, and an input signal that is the carrier amplifier 21 side and the peak amplifier 22. And a splitter 24.
  • the carrier amplifier 21 is housed in one package 25, and the peak amplifier 22 is housed in a different package 26. ing.
  • the carrier amplifier 21 an amplifier which is normally biased to class AB or class B is used.
  • the beak amplifier 22 is normally used with a class C bias so that it operates only when the signal power is high.
  • the combiner 23 that combines the outputs of the carrier amplifier 21 and the peak amplifier 22 is composed of a transformer, an impedance converter, and the like.When handling signals in the microwave band or the like, a transmission line of 14 wavelengths is usually used. It is composed of The input splitter 24 is a transmission line of 14 wavelengths so that the phase relationship between the output signals of the peak amplifier 22 and the carrier amplifier 21 can be combined in phase at the signal combining point of the combiner 23. And 90 ° hybrid circuit.
  • the carrier amplifier 21 and the peak amplifier 22 which are the components of such a Doherty amplifier are amplifying elements that have been packaged separately.
  • each of the carrier amplifier 21 and the peak amplifier 22 was configured using two MOS type FET semiconductor devices called MRF183 (field effect transistor of Motor Low Line Corporation).
  • each amplifier output is connected to the signal synthesis point.
  • the length of the transmission line is long, the transmission loss increases, and the efficiency of the entire amplifier is reduced.
  • the configuration was disadvantageous for reducing equipment costs.
  • an object of the present invention is to provide an amplifier capable of reducing the size of a device, reducing transmission loss, and increasing efficiency. Disclosure of the invention
  • the present invention provides a splitter for splitting an input signal into two, one or more linear amplifiers to which one signal from the splitter is input, and the other from the splitter.
  • An amplifier including one or a plurality of nonlinear amplifiers to which the signal of the above is input, and a combiner that combines the output signals from the linear amplifier and the nonlinear amplifier, wherein the amplifier is built in one package.
  • Each of a predetermined number of transistors among the plurality of transistors is used as the linear amplifier, and each of the other transistors is used as the non-linear amplifier.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of an example of the amplifier according to the present invention.
  • FIG. 2 is an external view of a field-effect transistor (MRF5P2111800).
  • FIG. 3 is an external view of a field-effect transistor (MRF2190).
  • FIG. 4 is a configuration diagram of an example of a conventional Doherty amplifier. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a configuration diagram of an example of the ⁇ device according to the present invention.
  • an amplifier according to the present invention includes a carrier amplifier 21 that constantly performs a signal amplification operation, a peak amplifier 22 that operates only at the time of high power output, a carrier amplifier 21, and a peak amplifier.
  • a combiner 23 for combining and outputting the outputs of 2 and a divider 24 for distributing an input signal to the carrier amplifier 21 and the peak amplifier 22 c also includes a carrier amplifier 21 and a peak amplifier 22 is contained in one package 1 (one package transistor). This amplifier amplifies the signal to be amplified input from the input terminal to a desired power.
  • the carrier amplifier 21 an amplifier biased to class AB or class B is usually used.
  • the peak amplifier 22 is normally used with a class C bias so that it operates only when the signal power is high.
  • the combiner 23 that combines the outputs of the carrier amplifier 21 and the peak amplifier 22 is composed of a transformer, an impedance converter, and the like. It is composed of railway tracks.
  • the input distributor 24 is a 1Z4 wavelength transmission line for allowing the phase relationship between the output signals of the peak amplifier 22 and the carrier amplifier 21 to be combined in phase at the signal combining point of the combiner 23. And 90 ° hybrid circuit.
  • a field-effect transistor is described as a transistor, but the transistor is not limited to this, and may be constituted by another element having the same function such as a bipolar transistor. Further, other embodiments such as the distributor 24 and the synthesizer 23 in the above-mentioned embodiment are well known, and since they are not directly related to the present invention, detailed description thereof will be omitted.
  • the carrier amplifier and the peak amplifier in the conventional duty amplifier have been composed of transistors in separate packages.
  • an equivalent amplifier can be constituted by a transistor in one package, so that when a donation amplifier having an equivalent saturation output is constituted, a reduction in mounting area and cost can be achieved. It has the effect of being able to.
  • the Doherty amplifier has an effect that higher efficiency can be obtained as compared with a normal class A or class AB linear amplifier. For this reason, when the Doherty amplifier of the present invention is compared with the case where a push-pull amplifier or a balance amplifier is configured with a class A, class AB, class B, or other linear amplifier using the same transistor, the same performance is obtained. Another advantage is that a high-efficiency amplifier can be obtained without increasing the size.
  • Fig. 2 is an external view of a field-effect transistor (MRF5P21180), and Fig. 3 is an external view of a field-effect transistor (MRF21090).
  • Figure 2 shows a field-effect transistor having two gate electrodes 12a and 12b and two drain electrodes 13a and 13b on a package (flange) 11.
  • FIG. 3 shows a field effect transistor having one gate electrode 15 and one drain electrode 16 in a package (flange) 14.
  • the external dimensions of the field-effect transistor (MRF 21 090) shown in Fig. 3 excluding the electrodes are approximately 34 mm x 13.8 mm per element, and the minimum mounting area of the transistor is two pieces of this size. A minute, about 9.4 square centimeters is needed.
  • an 18 OW Doherty amplifier is Consider the case of using an effect transistor.
  • MRF5P2118180 manufactured by Motoguchi One Line Corporation (see Fig. 2).
  • the external dimensions of the transistor excluding the electrode portion are about 41 mm ⁇ 10 mm, and the mounting area is about 4.1 cm 2.
  • the circuit mounting area can be reduced, the line length of the circuit that combines the output of the carrier amplifier and the output of the peak amplifier can be particularly reduced. That is, the signal transmission loss can be reduced, and as a result, the efficiency as a Doherty amplifier can be improved.
  • the transmission line length could be reduced sufficiently by about 70% (1 Z ⁇ ), and the corresponding loss could be reduced.
  • the line length can be reduced by about 2 O mm in the 2 GHz band. This is equivalent to a reduction of about 0.1 dB (2%) in the transmission loss of a general glass epoxy board, and in particular, about 4 W when trying to obtain 180 W of power at the amplifier output. Can be reduced.
  • the present invention uses the same element as a Doherty amplifier even when compared with the case where the same 180 W amplifier is configured by a general push-pull type or balanced linear amplifier such as class A or B. Therefore, it is possible to greatly improve the efficiency of the amplifier.
  • the basic configuration is as described above, but the peak amplifier and the carrier are formed by using an element having three or more transistors in one package. It is also possible to construct a so-called extended Doherty amplifier in which the power distribution ratios of the amplifiers are not equal.
  • extended Doherty amplifier composed of a total of N carrier amplifiers and peak amplifiers is described in the aforementioned literature (Youngoo Yang).
  • the Yo I Do dilated Doherty further course c it can also easily apply the present invention to an amplifier, a peak amplifier and a carrier amplifier the present invention is also applicable to modification, such as Doherty amplifiers made up of multi-stage amplifier Obviously, it is easily applicable. Industrial applicability
  • the carrier amplifier and the peak amplifier are constituted by a single package transistor, so that the Doherty amplifier can be miniaturized.
  • the carrier amplifier and the peak amplifier are composed of one package of transistors and miniaturized, the transmission loss of the circuit that combines the outputs of the carrier amplifier and the peak amplifier can be reduced, and the efficiency as an amplifier improves.
  • the Doherty amplifier is composed of one package transistor, higher efficiency can be achieved compared to the case where a conventional class A or AB class amplifier is composed of the same one package transistor.

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Abstract

常に信号の増幅動作を行うキャリア増幅器と、高電力出力時のみに動作するピーク増幅器と、キャリア増幅器とピーク増幅器の出力を合成して出力する合成器と、入力信号をキャリア増幅器側とピーク増幅器側に分配する分配器とを含んで構成される。キャリア増幅器およびピーク増幅器は１個のパッケージ１（１パッケージトランジスタ）に内蔵される。

Description

明 細 書 増 幅 器 技 分野
本発明は増幅器に関し、 特に、 線形増幅器と非線形増幅器とを併用して増幅を 行う増幅器に関する。 背景技術
無線通信システムに利用される電力増幅器には線形性と高効率が要求されてい る。 特に、 最近の多値デジタル変調通信システム等では信号振幅の平均値と最大 振幅が大きく異なる信号を取リ扱うことが多い。 従来の電力増幅器でこのような 信号を増幅する場合には、 増幅器は信号を歪ませずに最大振幅まで増幅できるよ うな動作点に設定される。 このため、 比較的高効率を維持できる飽和出力付近で 動作している時間がほとんどなく、 一般的に増幅器の効率は低かった。
この問題を解決するために、 線形性を維持しながら増幅器の効率を高めるさま ざまな技術が開発されてきた。 その一つにドハティ増幅器がある。 ドハティ増幅 器の基本的な構成は当業者にはすでに公知となっている （W. H. ドハティ （W. H. Doherty) 著、 A New Hi h Efficiency Power Ampl ifier for Modulated Waves", 1936 Proc. of IRE, Vol.24, No.9， pp1163-1182及びスティーブ' C■クリップ ス (Steve G. Cnpps)著、 Advanced Techniques in RF Power Amp I if iers , Artech House 2002， pp33-56参照）。
また、 後述する拡張型ドハティ増幅器も公知である （Youngoo Yang, Jeonghyeon Cha, Bumjae Shin and Bumman Kim著、 A Ful ly Matched N-way Doherty Amp I if ier With Optimized Linearty", IEEE Trans. MTT, Vol.51, No.3, March 2003参照）。
ドハティ増幅器では、 飽和出力電力近傍で飽和を維持しながら動作する増幅器 を有することにより、 飽和電力からバックオフをとつた出力時においても、 通常 の A級、 A B級増幅器よリ高い効率が実現されている。 図 4は従来の ドハティ増幅器の一例の構成図である。
同図は特表平 1 0— 5 1 3 6 3 1号公報 （要約、 第 6図参照） 記載の増幅器を 簡略化して記載したものである。
同図を参照すると、 従来のドハティ増幅器は、 常に信号の増幅動作を行うキヤ リア増幅器 2 1 と、高電力出力時のみに動作するピーク増幅器 2 2 (「補助増幅器」 と呼ばれることもあるが、 本発明では 「ピーク増幅器 J で統一する） と、 キヤリ ァ増幅器 2 1とピーク増幅器 2 2の出力を合成して出力する合成器 2 3と、 入力 信号をキヤリア増幅器 2 1側とピーク増幅器 2 2側に分配する分配器 2 4とを有 する。 また、 キャリア増幅器 2 1は 1個のパッケージ 2 5に内蔵され、 ピーク増 幅器 2 2はこれとは異なる 1個のパッケージ 2 6に内蔵されている。
キャリア増幅器 2 1には、 通常 A B級や B級にバイアスされた増幅器が用いら れる。 また、 ビーク増幅器 2 2は信号電力が高出力時にのみ動作するよう、 通常 は C級にバイアスされて使用される。 キャリア増幅器 2 1とピーク増幅器 2 2の 出力を結合する合成器 2 3は、 トランスやインピーダンス変換器等で構成されて おり、 マイクロ波帯等の信号を扱う場合には通常 1 4波長の伝送線路から構成 される。 入力の分配器 2 4は、 ピーク増幅器 2 2とキャリア増幅器 2 1の出力信 号の位相関係を合成器 2 3の信号合成点で同相で合成されるようにするための 1 4波長の伝送線路や 9 0 ° ハイブリツド回路などから構成される。
前述したように、 このようなドハティ増幅器の構成要素であるキャリア増幅器 2 1とピーク増幅器 2 2は、 これまでそれぞれ別個にパッケージされた増幅素子
( 1パッケージトランジスタ） を用いて構成されていた。
一例として， キヤリア増幅器 2 1およびピーク増幅器 2 2にそれぞれ M R F 1 8 3 (モトローラインコーポレイテッド社の電界効果トランジスタ） という M O S型 F E T半導体素子を 2個用いて構成されていた。
このような構成では、 各増幅器は別々のパッケージに納められたトランジスタ を使用しているため、 2パッケージ分のトランジスタの実装面積が必要であり、 装置の小型化を進める上では不利であった。
また、 2個の増幅器が別個に配置されるため、 各増幅器出力から信号合成点に 至る伝送線路長が長くなリ、 伝送損失が増加し、 増幅器全体の効率を低下させる 要因となってし、た。 また， 装置の低コスト化にも不利な構成となっていた。
また、 プッシュプル増幅器あるいはバランス増幅器として構成された A級、 A B級、 B級等の線形増幅器では、 前述のように電力増幅器で比較的高効率を維持 できる飽和出力付近で動作している時間がほとんどない。 このため、 一般的に効 率が低く、 より高効率で動作する電力増幅器が要求されていた。
そこで、 本 明の目的は、 装置の小型化、 伝送損失の低減および高効率化を図 ることが可能な増幅器を提供することにある。 発明の開示
前記課題を角決するために、 本発明は、 入力信号を二分配する分配器と、 前記 分配器からの一方の信号が入力される 1個または複数個の線形増幅器と、 前記分 配器からの他方の信号が入力される 1個または複数個の非線形増幅器と、 前記線 形増幅器および前記非線形増幅器からの出力信号を合成する合成器とを含む増幅 器であって、 1個のパッゲージに内蔵された複数個のトランジスタのうち、 所定 個のトランジスタの各々を前記線形増幅器として用い、 他のトランジスタの各々 を前記非線形増幅器として用いることを特徴とする。
従来より、 プッシュプル増幅器用あるいはバランス増幅器用のトランジスタを 2個内蔵したノ ッケージが存在したが、 本発明ではこのパッケージの一方のトラ ンジスタを線形増幅器 （キャリア増幅器） として動作させ、 他方のトランジスタ を非線形増幅器 （ピーク増幅器） として動作させることにより、 1パッケージ構 成のドハティ: I曽幅器を実現する。 図面の簡単な 1½明
図 1は、 本 明に係る増幅器の一例の構成図である。
図 2は、 電界効果トランジスタ （M R F 5 P 2 1 1 8 0 ) の外観図である。 図 3は、 電界効果トランジスタ （M R F 2 1 0 9 0 ) の外観図である。
図 4は、 従来のドハティ増幅器の一例の構成図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本勞明の実施例について添付図面を参照しながら説明する。 図 1は本発 明に係る増 ΦΪ器の一例の構成図である。
同図を参照すると、 本発明に係る増幅器は、 常に信号の増幅動作を行うキヤリ ァ増幅器 2 1 と、 高電力出力時のみに動作するピーク増幅器 2 2と、 キャリア增 幅器 2 1とピーク増幅器 2 2の出力を合成して出力する合成器 2 3と、 入力信号 をキヤリア増幅器 2 1側とピーク増幅器 2 2側に分配する分配器 2 4とを有する c また、 キャリア増幅器 2 1およびピーク増幅器 2 2は 1個のパッケージ 1 ( 1パ ッケージトランジスタ） に内蔵されている。 この増幅器は入力端から入力された 被増幅信号を所望の電力まで増幅する。
キャリア増幅器 2 1には、 通常、 A B級や B級にバイアスされた増幅器が用い られる。 また、 ピーク増幅器 2 2は信号電力が高出力時にのみ動作するよう、 通 常は C級にバイアスされて使用される。 キャリア増幅器 2 1とピーク増幅器 2 2 の出力を結合する合成器 2 3は、 トランスやインピーダンス変換器等で構成され ており、 マイクロ波帯等の信号を扱う場合には通常 1 Z 4波長の伝送線路から構 成される。 入力の分配器 2 4は、 ピーク増幅器 2 2とキャリア増幅器 2 1の出力 信号の位相関係を合成器 2 3の信号合成点で同相で合成されるようにするための 1 Z 4波長の伝送線路や 9 0 ° ハイブリツド回路などから構成される。
なお、 図 1 ではトランジスタとして電界効果トランジスタの記号を記載してい るが、 もちろんこれに限られるものではなく、 バイポーラトランジスタ等他の同 等機能の素子で構成できる。 また、 上記実施例中の分配器 2 4や合成器 2 3等の 他の実施形態例も良く知られており、 また直接本発明とは関連がないためそれら の詳細な説明については省略する。
従来のド/ヽティ増幅器におけるキャリア増幅器とピーク増幅器は、 それぞれ別 個のパッケージのトランジスタから構成されていた。 一方、 本発明によれば 1つ のパッケージのトランジスタで同等の増幅器を構成できるため、 同等の飽和出力 を有するドノヽティ増幅器を構成した場合に実装面積の小型化や低コスト化が達成 できるという効果を有する。
また、 ドハティ増幅器は、 よく知られているように、 通常の A級、 AB級など の線形増幅器と比較して高い効率が得られるという効果がある。 このため、 同じ トランジスタを用いて、 A級、 AB級、 B級等の線形増幅器をプッシュプル増幅 器あるいはバランス増幅器を構成した場合と本発明のドハティ増幅器とを比較す ると、 同等の性能で大型化することなく、 高い効率の増幅器が得られるという効 果も有する。
次に、 本発明の実施例の動作について、 具体的な例を用いて説明する。
ここでは、 一例として 2 G H z帯で飽和出力 1 8 OWの増幅器を一般的なドハ ティ増幅器で構成することを考える。 従来の構成では、 キャリア増幅器、 ピーク 増幅器にそれぞれ同じ出力の素子を使用するのが一般的で、 すなわち各増幅器の 出力を 9 OWとし、 ドハティ増幅器として 1 8 OWの出力を得るという構成とな る。
この場合において、 具体的な 9 OW出力のトランジスタとしてはモトローライ ンコーポレイテツド社の MR F 21 090という 1パッケージに 1個の電界効果 トランジスタが納められた素子を望ましい素子として選択するとする。 これは発 明者の知る限リにおいては本願発明の時点で同出力のトランジスタの中でもかな リ小型化されている製品の一つである。
図 2は電界効果トランジスタ （MRF 5 P 21 1 80) の外観図、 図 3は電界 効果 トランジスタ （MR F 21 090) の外観図である。
図 2にはパッケージ （フランジ） 1 1に 2個のゲート電極 1 2 a、 1 2 bと 2 個の ドレイン電極 1 3 a、 1 3 bを有する電界効果トランジスタが示されている。 図 3にはパッケージ （フランジ） 1 4に 1個のゲート電極 1 5と 1個のドレイン 電極 1 6を有する電界効果トランジスタが示されている。
図 3に示す電界効果トランジスタ （MRF 21 090) の電極部を除いた外形 寸法は、 1個あたり約 34mmx 1 3. 8mmであり、 トランジスタ部の実装面 積と しては最低この寸法の 2個分、 約 9. 4平方センチメートルが必要である。 一方、 本発明にしたがって、 1 8 OWのドハティ増幅器を 1パッケージの電界 効果卜ランジスタで構成する場合を考える。 プッシュプル用として 1パッケージ に 2 II1のトランジスタを内蔵した 1 8 O W出力のデバイスとして、 同じくモト口 一ラインコーポレイテツド社の M R F 5 P 2 1 1 8 0というトランジスタを採用 したとする （図 2参照）。
この場合、 同図に示すように、 トランジスタの電極部を除いた外形寸法は約 4 1 mm x 1 O m mであり、実装面積としては約 4 . 1平方センチメートルとなる。 トランジスタ部だけの比較でも、 従来構成と比較して面積 4 3 %以下と小型化し たド /ヽティ増幅器を構成することが可能であり、 周辺回路等々を含めても従来構 成よりもほぼ半分の面積に小型化することができる。
このように、 回路実装面積を小型化することができるため、 特にキャリア増幅 器とピーク増幅器の出力を合成する回路の線路長を短く構成することができる。 すなわち、 信号の伝送損失を低減でき、 結果としてドハティ増幅器としての効率 を向上させることができる。
例元ば、 上記具体例で増幅器の面積をほぼ半分で構成した場合、 伝送線路長は 7割程度 （1 Z ^ ) は十分に低減が可能であり、 それに対応した損失分を低減す ることができる。 たとえば、 上記の具体例の場合、 2 G H z帯で 2 O mm程度の 線路長を短縮することがでる。 これは一般的なガラスエポキシ基板での伝送損失 で 0 . 1 d B程度 （2 %) 低減に相当し、 特に増幅器出力で 1 8 0 Wの電力を得 ようとした場合に 4 W程度の損失を低減することができる。
また、 同じ 1 8 0 Wの増幅器を A級、 B級等の一般的なプッシュプル型やバラ ンス型線形増幅器で構成した場合と比較しても、 本発明では同じ素子をドハティ 増幅器として使用しているために、 増幅器の効率を大幅に改善することが可能で あ 。
次に、 他の実施例について説明する。
本発明の他の実施例として、 その基本的構成は上記の通りであるが、 一つのパ ッケージにさらに 3つ以上の複数のトランジスタを納めた素子を使用して、 ピー ク増畐器とキヤリア増幅器の電力分配比が均等でないいわゆる拡張型ドハティ増 幅器を構成することも可能である。 拡張型ドハティ増幅器の構成方法の一例とし ては、 前述の文献 （Youngoo Yang) などに、 キャリア増幅器とピーク増幅器で合 計 N個の増幅器から構成されるドハティ増幅器について記載されている。 このよ うな拡張型ドハティ増幅器にも本発明を容易に適用できることはいうまでもない c 更に、 ピーク増幅器やキャリア増幅器が多段の増幅器から構成されたドハティ増 幅器などの変形例にも本発明を容易に適用できることは明らかである。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 キャリア増幅器とピーク増幅器を 1パッケージのトランジス タで構成しているので、 ドハティ増幅器を小型に構成できる。
また、 キヤリア増幅器とピーク増幅器を 1パッケージのトランジスタで構成し て小型化しているので、 キャリア増幅器とピーク増幅器の出力を合成する回路の 伝送損失を低減でき、 増幅器としての効率が向上する。
さらに、 ドハティ増幅器を 1パッケージのトランジスタで構成しているので、 従来の A級、 A B級などの増幅器を同じ 1パッケージのトランジスタで構成する 場合に比較して、 高効率化できる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 入力信号を二分配する分配器と、 前記分配器からの一方の信号が入力さ れる 1個または複数個の線形増幅器と、 前記分配器からの他方の信号が入力され る 1個または複数個の非線形増幅器と、 前記線形増幅器および前記非線形増幅器 からの出力信号を合成する合成器とを含む増幅器であって、
1個のパッケージに内蔵された複数個のトランジスタのうち、 所定個のトラン ジスタの各々を前記線形増幅器として用い、 他のトランジスタの各々を前記非線 形増幅器として用いることを特徴とする増幅器。
2 . 前記線形増幅器はキヤリァ増幅器であり、 前記非線形増幅器はピーク増 幅器であることを特徴とする請求項 1記載の増幅器。
3 . 前記線形増幅器および前記非線形増幅器は各々 1個で構成され、 1個の パッケージに内蔵された 2個のトランジスタのうち、 一方のトランジスタを前記 線形増幅器として用い、 他方を前記非線形増幅器として用いることを特徴とする 請求項 1または 2記載の増幅器。
4 . 前記 1個のパッケージに内蔵されたトランジスタはプッシュプル増幅器 用あるいはバランス増幅器用であることを特徴とする請求項 1から 3いずれかに 記載の増幅器。
5 . 前記分配器は前記線形増幅器と非線形増幅器との位相関係を、 前記合成 器の信号合成点で同相で合成されるようにするためのものであることを特徴とす る請求項 1から 4いずれかに記載の増幅器。
6 . 前記分配器は 1 Z 4波長伝送線路または 9 0 ° ハイプリッド回路で構成 されることを特徴とする請求項 1から 5いずれかに記載の増幅器。
7 . 前記合成器はトランス、 インピーダンス変換器、 1 4波長伝送線路の いずれかで構成されることを特徴とする請求項 1から 6いずれかに記載の増幅器 c
8 . ドハティ増幅器であることを特徴とする請求項 1から 7いずれかに記載 の増幅器。
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