WO2004110957A1 - 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム接合体及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2004110957A1
WO2004110957A1 PCT/JP2004/008584 JP2004008584W WO2004110957A1 WO 2004110957 A1 WO2004110957 A1 WO 2004110957A1 JP 2004008584 W JP2004008584 W JP 2004008584W WO 2004110957 A1 WO2004110957 A1 WO 2004110957A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
aluminum nitride
conjugate
metal layer
plate
interface
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/008584
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tatsuo Esaki
Original Assignee
Tokuyama Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokuyama Corporation filed Critical Tokuyama Corporation
Priority to EP04746090A priority Critical patent/EP1642876A4/en
Priority to US10/560,159 priority patent/US7488543B2/en
Publication of WO2004110957A1 publication Critical patent/WO2004110957A1/ja

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C04B37/006Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of metals or metal salts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/6303Inorganic additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632Organic additives
    • C04B35/634Polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64Burning or sintering processes
    • C04B35/645Pressure sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/001Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating directly with other burned ceramic articles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/68Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
    • H05B3/74Non-metallic plates, e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2315/00Other materials containing non-metallic inorganic compounds not provided for in groups B32B2311/00 - B32B2313/04
    • B32B2315/02Ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567Treatment time
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661Multi-step sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/95Products characterised by their size, e.g. microceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/963Surface properties, e.g. surface roughness
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/963Surface properties, e.g. surface roughness
    • C04B2235/9638Tolerance; Dimensional accuracy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12Metallic interlayers
    • C04B2237/122Metallic interlayers based on refractory metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12Metallic interlayers
    • C04B2237/124Metallic interlayers based on copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12Metallic interlayers
    • C04B2237/125Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/36Non-oxidic
    • C04B2237/366Aluminium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/708Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the interlayers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00Chucks or sockets
    • Y10T279/23Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining
    • Y10T29/49947Assembling or joining by applying separate fastener
    • Y10T29/49966Assembling or joining by applying separate fastener with supplemental joining
    • Y10T29/49968Metal fusion joining
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining
    • Y10T29/49947Assembling or joining by applying separate fastener
    • Y10T29/49966Assembling or joining by applying separate fastener with supplemental joining
    • Y10T29/4997At least one part nonmetallic
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12347Plural layers discontinuously bonded [e.g., spot-weld, mechanical fastener, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]

Definitions

  • the present invention relates to an aluminum nitride bonded body useful as a plate heater and an electrostatic chuck for mounting and processing a semiconductor wafer in a semiconductor manufacturing apparatus. Specifically, it has a joint structure in which two aluminum nitride sintered plates are joined with a metal layer interposed therebetween, and in particular, it is possible to uniformly process semiconductor wafers and has good durability.
  • Aluminum nitride bonded article
  • a ceramic plate having a metal layer acting as a heater or an electrode embedded therein is used as a table on which the semiconductor wafer is mounted.
  • a sintered body is used.
  • heaters with embedded metal layers are used as plate heaters, and those with embedded electrodes are used as electrostatic chucks.
  • a metal layer that functions as a heater together with an electrode may be embedded.
  • the plate-shaped sintered body of aluminum nitride obtained by this method is a bonded body in which two aluminum nitride sintered plates are bonded with a metal layer interposed therebetween, and the dimensional change during sintering causes The above problem has been effectively avoided.
  • an adhesive is used for bonding two sintered body plates.
  • conventionally used plate adhesives have a problem that the bonding temperature is high and the sintered body plate is deformed by heating at the time of joining, and the metal layer is warped accordingly.
  • Patent Document 1 a method of improving warpage by using an adhesive whose bonding temperature has been lowered has been proposed.
  • the warpage of the metal layer in the joined body can be improved to some extent, but there is room for improvement.
  • the bonding strength at the part where the aluminum nitride sintered plates directly face each other increases over time due to the thermal history. There was a problem of lowering.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-2005-2005 Disclosure of the Invention
  • an object of the present invention is to provide an aluminum nitride joined body in which two aluminum nitride sintered plates are joined with a metal layer interposed therebetween, in which the warpage of the internal metal layer is extremely low and high joining is achieved.
  • the purpose is to obtain a joined body having strength.
  • the present inventors have intensively studied to solve the above problems.
  • the joint of the aluminum nitride sintered body plate is heated in two stages under a specific temperature control while applying a specific pressure, thereby having a high bonding strength without using an adhesive and having a high internal strength.
  • To obtain an aluminum nitride joined body in which the warpage of the metal layer is extremely low succeeded in.
  • finely sized pores derived from such a method were characteristically left at the joining interface of the aluminum nitride sintered body.
  • the present invention has been completed. That is, according to the present invention, in an aluminum nitride joined body composed of two aluminum nitride sintered bodies joined together without using an adhesive and a metal layer formed at a part of the joint interface,
  • Non-bonding rate Q ( ⁇ ) X 1 00-(1)
  • X is a length of the non-bonded portion in a bonding interface direction represented by a total value of a length L of the vacancy present in the direct bonding region
  • Y is the length of the direct bonding region where the vacancy exists, and the non-bonding rate Q calculated by the following equation is in the range of 0.1 to 0.5% on average.
  • An aluminum nitride bonded body (hereinafter, also referred to as an AIN plate-shaped bonded body) is provided.
  • a method for manufacturing an aluminum nitride joined body characterized by comprising:
  • the AIN plate-like joined body of the present invention is characterized in that, due to the characteristic joint interface structure formed based on the specific joining method described above, the warpage of the metal layer is suppressed to a small value.
  • a uniform electric field can be formed anywhere on the metal layer, such as when an electric field is formed in a dielectric by applying a voltage to the layer.
  • the AIN plate-like joined body of the present invention is extremely effectively used as an electrostatic chuck and a plate heater used in a semiconductor manufacturing apparatus.
  • FIG. 1 is a partially broken perspective view showing a typical embodiment of the AIN plate-like joined body of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing a main part of a side cross section passing through the center O of the AIN plate-like joined body of FIG.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining the warpage of the metal layer generated in the AIN plate-like joined body.
  • the AIN plate-like joined body of the present invention has a joint structure in which two aluminum nitride sintered plates 11 a and 11 b are joined without using an adhesive.
  • the metal layer 2 exists at a part of the bonding interface P (see FIG. 2).
  • a through hole is formed in the sintered body plate 11a or 11b, and the inside of the through hole is filled with a conductive paste or the like, so that the metal layer 2 can be energized. It has such a structure.
  • the planar shape of the AIN plate-like joined body is usually a rectangular shape such as a circle or a square, and the metal layer 2 is a circuit pattern of an electrode, a heater, etc. in an application of a heater / plate / electrostatic chuck. Form In some cases, as shown in Fig. 1, it may exist simply in a solid pattern, and in other cases it may exist in a linear pattern.
  • the metal layer 2 is made of, but not limited to, tungsten, molybdenum, platinum, titanium, copper, etc., and has a thickness of 20 or less, especially 5 to 15 m. It is better to be in the range. Further, the ratio of the metal layer 2 to the joint surface of the sintered compacts 11a and 11b is generally 50 to 90%, preferably about 60 to 80 o / o.
  • the thickness of each of the sintered aluminum nitride plates 11a and "Ib" before joining is appropriately determined so that an AIN plate-like joined body having an intended thickness is obtained after joining.
  • the sintered body plates 11a and 1b may have the same thickness or may have different thicknesses.In general, the thickness of the sintered body plate on which the semiconductor wafer is mounted is larger than that of the other side.
  • the depth of the metal layer 2 from the surface of one of the sintered plates (the surface on which the wafer is placed) is 0.1 to 0.1% of the total thickness of the plate-like joined body.
  • the thicknesses of the sintered plates 11a and 1-b it is preferable to determine the thicknesses of the sintered plates 11a and 1-b so that 50 ⁇
  • the total thickness of the AIN plate-like joined body slightly varies depending on the application, but is preferably 1 to 10 Omm.
  • the AIN plate-like joined body of the present invention includes the above-described aluminum nitride sintered body 1-1a, 1-b and the metal layer 2 interposed therebetween without using an adhesive. Interposed therebetween, which were joined Te cowpea two stage heating, which will be described later, because it is manufactured in this way has the following characteristics.
  • the joining strength of the AINl plate-like joined body of the present invention can be evaluated based on the shear strength measured by Dicci X-star, and the 9.5 to 11.0 kgZmm 2 , especially 10.0 to 11.0 k gZmm 2 , between the sintered plate and the metal layer, 2.5 to 4.O g gZmm 2 , especially 3.0 to 4. is a gZmm 2.
  • the bonded body is formed with such a high bonding strength, the number of interfaces with different materials is smaller than that of the bonded body manufactured using an adhesive (there is no adhesive layer). ) Therefore, it has the characteristic that the decrease in bonding strength due to the repetition history of heat is extremely small.
  • the AIN plate-like joined body of the present invention has a joint surface between the metal layer 2 and the aluminum nitride sintered body after repeating the heat history by heating and cooling from 25 ° C. to 350 ° C. 100 times.
  • the greatest feature of the AIN plate-like joined body of the present invention is that the warpage of the metal layer 2 is extremely small. As shown in FIG. 3, such a warp (W) of the metal layer 2 is caused by a line Z (—dashed line) connecting the end points of the metal layer 2 and a cut line perpendicular to the metal layer 2. And the maximum distance (R: m) between the end points and the distance between the end points (T; mm) is calculated by the following equation (2):
  • the AIN plate-like joined body of the present invention exhibits such physical properties that such warpage is 5 to 25 / m / 1 Omm, particularly 10 to 20 ⁇ m10 mm.
  • the joined body of the present invention since the warpage is reduced by a special joining technique described later, as shown in FIG. 2, the joined body is viewed from a side cross-section passing through the center O of the joined body.
  • the direct bonding region where the sintered compact plates directly face each other at the interface P there are a plurality of pores having an average length L along the bonding interface of 0.5 to 4 m. It has a unique joint structure. That is, such pores are distributed throughout the direct bonding region, the length L does not have a size of 5 im or more, and the pores have a nearly spherical shape.
  • the ratio (LZLp) of the length L along the bonding interface direction to the length Lp perpendicular to the bonding interface (LZLp) is 0.8 to 2, on average, especially 1.0. It is in the range of ⁇ 1.5.
  • the sintered body plates 11 a and 11 b are partially non-joined, and For the side section, the following equation (1):
  • Non-bonding rate Q (XZY) X 1 00 "-(1)
  • X is a length of the non-bonded portion in a bonding interface direction represented by a total value of a length L of the vacancy present in the direct bonding region
  • Y is the length of the direct bond region where the vacant L exists, and the non-junction rate Q is calculated as follows.
  • the value is 0.1 to 0.5% on average, and is particularly preferable. Preferably it is in the range of 0.2 to 0.40 / 0.
  • the size of the pores and the non-bonding rate can be measured by cutting the plate-like bonded body so that the side cross section appears, and observing the cut surface with an electron microscope.
  • an AIN sintered plate is prepared in advance, and two AIN sintered plates are heated and joined without using an adhesive with a metal layer interposed therebetween. It is a remarkable feature that bonding is performed by heating in two stages. That is, the first-stage heat bonding is performed in a low-temperature region where the thermal expansion of the sintered body is relatively small, and in this case, partial co-sintering occurs between the sintered plates, and two sheets are formed. Is temporarily fixed. In addition, the subsequent second-stage heat bonding is performed in a higher temperature region than the first-stage heat bonding, and co-sintering proceeds further while the fixed state by the first-stage heat bonding is maintained. To form a firm joint.
  • the joining interface has a degree of freedom during joining.
  • the bonding interface is fixed at a relatively high temperature during the cooling process. Therefore, the joined body after cooling is easily distorted, and warpage occurs.
  • the bonding interface has a degree of freedom at the time of bonding, it is easy for holes to move and deform, and large holes are unevenly distributed or collapsed in the plane direction (the length in the bonding interface direction). Large pores), the non-bonding rate Q described above becomes a fairly large value, and the bonding strength and the heat resistance hysteresis characteristics decrease.
  • the AIN sintered body plate to be heat-bonded can be produced by a method known per se, for example, by mixing a firing powder composed of AIN powder with an organic binder and forming a granulated powder.
  • a firing powder composed of AIN powder with an organic binder
  • it can be produced by preparing a molding material such as a paste, molding this molding material into a sheet shape, removing the binder from the obtained green sheet, and firing it.
  • an oxide of an alkaline earth metal such as Mg, Ca, or Sr or an oxide of a rare earth element such as Y may be added to the above-mentioned firing powder as a sintering aid. It can.
  • the addition amount of such a sintering aid is usually 1% by weight or less, particularly 0.5% by weight or less.
  • organic binder examples include, but are not limited to, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, carboxymethyl cellulose, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene glycol, polyethylene oxide, polyethylene, polypropylene, and ethylene glycol. Vinyl acetate copolymer, polystyrene, polyacrylic acid, etc. are used. Such an organic binder varies depending on the type thereof, but is generally used in an amount of 0.1 to 30 parts by weight per 100 parts by weight of the above-mentioned firing powder.
  • a dispersant such as a long-chain hydrocarbon ether, a solvent such as toluene and ethanol, and a plasticizer such as phthalic acid can be used in appropriate amounts, if necessary.
  • Production of a molding sheet (green sheet) using the molding material is performed by a known molding method such as an extrusion molding method, a doctor blade method, and a press molding method.
  • Debinding is generally performed by heating the green sheet to about 300 to 900 ° C. in air, and firing is performed by removing the green sheet after debinding.
  • the heating is performed in an active atmosphere (eg, in a nitrogen atmosphere) by heating to a temperature of 100 to 1900 ° C.
  • the calcination time is usually such that the relative density by the Archimedes method is 980/0 or more. Just fine.
  • the AIN sintered body plate obtained as described above enhances the adhesion between the metal layer 2 and the sintered plate, and has sufficient bonding strength by heat bonding performed without using an adhesive.
  • the metal layer 2 is formed on one of the AIN1 sintered body plates 1-a and 1-1b produced as described above.
  • the metal layer 2 can be formed, for example, from the above-described metal material to a predetermined thickness (20 m or less, particularly 5 to 15 / m) by means such as plating through a predetermined mask. Also, the metal layer 2 can be formed by applying a conductor paste in which a metal material is dispersed in an appropriate organic binder or an organic solvent in a predetermined pattern shape to the surface of the sintered body plate and baking the same.
  • the two A 1 N sintered body plates (the one on which the metal layer 2 is formed) produced as described above are overlapped so that the metal layer 2 exists therebetween.
  • the two-stage heat bonding is performed while pressing at a pressure of 5 to 00 kg / mm 2 , preferably 10 to 30 kcm 2 .
  • This heat bonding can be performed in the air or in an inert atmosphere (nitrogen atmosphere), but is preferably performed in an inert atmosphere to prevent oxidation of the metal material.
  • the first-stage heating bonding is performed at a temperature of 1650-1700 ° C, preferably 1650-1680 ° C, for 0.5-4 hours, preferably 1-2 hours.
  • the heat bonding at this stage is performed in a low temperature region where the thermal expansion of the AIN sintered body is relatively small, and partial co-sintering between the sintered body plates is not performed. Then, the two sintered plates are temporarily fixed. Therefore, when the heat bonding is stopped at this stage, the shear strength in the region where the two sintered body plates are bonded to each other is usually quite low, about 1.0 to 4.0 O kg Zmm 2 .
  • the intended AIN plate-like joined body can be obtained.
  • the heating temperature at this time is more than 170 ° C. and not more than 180 ° C., preferably in the range of 170 ° C. to 179 ° C., and the heating time is 2 to 8 ° C. Hours, preferably 4 to 6 hours. That is, in the second-stage heating, co-sintering further proceeds to form a joint while the fixed state by the first-stage heat joining is maintained. For this reason, pores are distributed in a region where the two sintered compact plates are directly joined, and non-joined portions are generated by such pores.
  • the heating temperature of the first stage is lower than the above range or the heating time is shorter than the above range, the temporary fixing becomes insufficient, so that many large vacancies are generated, and the non-bonding rate Q becomes low. It will increase the size, decrease the bonding strength and cause warpage.
  • the heating time of the first step is longer than the above range, the metal forming the metal layer 2 diffuses into the sintered body plate, and the distribution of the metal layer 2 in the bonding plate becomes uneven. This makes it extremely unsuitable for use as an electrostatic chuck or plate heater used in semiconductor manufacturing equipment.
  • the metal forming the metal layer 2 diffuses into the sintered body plate, and the distribution of the metal layer 2 becomes uneven.
  • the second-stage heating temperature is lower than the above range, the growth of the co-sintered portion will be insufficient, and sufficient bonding strength will not be obtained. That is, in this case, naturally, the above-described non-bonding rate Q becomes an extremely large value.
  • the heating time of the second stage is shorter than the above range, the growth of the co-sintered portion is insufficient.
  • the heating time is longer than the above range, the warpage becomes large.
  • the AIN plate-shaped joint plate of the present invention obtained by the two-stage joining as described above has no warpage, the metal layer is evenly distributed in the joint plate, and has a high joint strength and a high heat resistance history. Because it is excellent, it is extremely useful as an electrostatic chuck plate heater used in semiconductor manufacturing equipment.
  • Non-bonding rate Q (%) ⁇ xl O O
  • the distance (R: jU m) of the metal layer farthest from the line Z (dash-dotted line) connecting the end points of the metal layer was measured for each of the two cross sections of the AIN plate-like joint as shown in Fig. 3. This is obtained by the following equation (2) from the length between the end points (cutter: mm), The value was expressed as the reversal of the metal layer.
  • a metal layer (thickness: 1.2 im) was formed in the order of Ti: 0.2 m and W: 1 m.
  • the AIN sintered plate (SH-50) without the metal layer was stacked on the sintered plate with the metal layer formed above, so that the metal layer was on the inside, and the carbon sample jig was used. And fixed in a hot press furnace. Then, while applying a load of 300 kgf (pressure 23.9 kg / cm 2 ), hold in a nitrogen stream at 1650 ° C for 2 hours, and then raise the temperature to 1750 ° C in 10 ° CZ minutes. Hold for 4 hours. After cooling to room temperature, it was taken out of the furnace to obtain an AIN plate-like joined body.
  • Tables 1 and 2 show the manufacturing conditions and various characteristics of the AIN plate-like joined body.
  • the warp W of the metal layer for this AIN plate assembly is 1 2 imZ1 Omm
  • shear strength of the bonding interface is 3. 8 k gfZmm 2 at an interface containing a metal layer, metal free layer
  • the value was 100 kgf mm 2
  • the heat resistance hysteresis characteristic was 100 ⁇ 1 ⁇ 2.
  • non-bonded ratio Q is 0. 2 ⁇ 1 ⁇ 2
  • bonding average length of the interface direction of the holes is 1. 8 m
  • the average of the length ratio LZL P of the pores is 1.1 Met.
  • the AIN sintered plate on which the metal layer is not formed is stacked on the above AIN sintered plate so that the metal layer is on the inside, fixed with a carbon sample jig, and placed in a hot press furnace. I put it. Then, while applying a load of 20 tf (pressure 24.0 kgXcm 2 ) and maintaining the temperature at 1690 ° C for 2 hours in a nitrogen stream, the temperature was raised to 1790 ° C with a heating rate of 3 ° CZ for 4 hours. Hold for hours. After cooling to room temperature, it was taken out of the furnace to obtain an AIN plate-like joined body.
  • Tables 1 and 2 show the manufacturing conditions and various characteristics of the AIN plate-like joined body.
  • the warp W of the metal layer for this AIN plate assembly is 1 7 jUmZ1 Omm, shear strength of the bonding interface, 3.
  • the interface including a metal layer is 5 k gfZmm 2, not including the metal layer 1 O k gf at the interface (the interface where the sintered plates are directly bonded)
  • the non-bonding rate Q is 0.2%, and the average length of the pores in the direction of the bonding interface is 2.
  • a 4 ⁇ M, average length ratio LZL P of the pores is 1 was 2. Examples 3 to 5
  • AIN plate-shaped joining was performed in the same manner as in Example 1, except that the AIN sintered plate having the same diameter and thickness as in Example 1 was used, and the heating joining conditions (holding temperature, holding time, load) were changed. Got a body.
  • Tables 1 and 2 show the manufacturing conditions and various characteristics of the AIN plate-like joined body.
  • Example 2 On one side of the same AIN sintered plate as in Example 1, in the same manner as in Example 1,
  • a metal layer composed of Ti (0.2 m) and W (9 m) was formed, and was the same as in Example 1. Heat bonding was performed under the conditions to obtain an AIN plate-like bonded body.
  • Tables 1 and 2 show the manufacturing conditions and various characteristics of the AIN plate-like joined body.
  • the warp of the metal layer for this AIN plate bonded body, 1 9 ⁇ MZ1 Omm der Li, shear strength of the bonding interface is 3.
  • 1 k gZmm 2 at an interface containing a metal layer include the metal layer At the non-existent interface (the interface where the sintered plates were directly bonded), the lO kgZ mm 2 was obtained, and the heat resistance hysteresis was 99 ⁇ 1 ⁇ 2.
  • the non-bonding rate Q is 0.2%
  • the average length of the holes in the direction of the bonding interface is 3.8 j «m
  • the average value of the hole length ratio LZ and p is 1.
  • An AIN sintered plate having a metal layer (TiZW) formed on one surface was produced in exactly the same manner as in Example 1.
  • AIN- Y 2 0 3 slurry (AI New: 1 00 parts by weight, Upsilon 2 0 3 5 parts by weight of acrylic binder: 4 parts by weight, long-chain hydrocarbons (Hydrogen ether-based dispersant: 0.5 parts by weight) was applied as an adhesive, and the resultant was overlaid on the above-mentioned sintered plate on which the metal layer had been formed so that the metal layer was on the inside, and the product was made by Honbon It was fixed with a sample jig and placed in a hot press furnace.
  • AI New 1 00 parts by weight
  • Upsilon 2 0 3 5 parts by weight of acrylic binder 4 parts by weight
  • long-chain hydrocarbons Hydrogen ether-based dispersant: 0.5 parts by weight
  • the N-plate joint was clearly warped in a bowl shape visually.
  • the measured warpage of the metal layer was 297 im / 1 Omm.
  • the heat resistance history was 680/0.
  • the non-bonding rate Q was calculated, it was 21.1%, the average of the lengths of the holes toward the bonding interface was 6.5 j «m, and the length ratio of the holes LZL P The average of was 4.8. Comparative Example 2
  • AIN plate-like joining was performed in the same manner as in Comparative Example 1, except that the AIN sintered plate having the same diameter and thickness as in Example 1 was used, and the heating joining conditions (holding temperature, holding time, load) were changed. Got a body.
  • Tables 1 and 2 show the manufacturing conditions and various characteristics of the AIN plate-like joined body. Comparative Examples 3 to 9
  • AIN plate-shaped joining was performed in the same manner as in Example 1, except that the AIN sintered plate having the same diameter and thickness as in Example 1 was used, and the heating joining conditions (holding temperature, holding time, and load) were changed. Got a body.
  • Tables 1 and 2 show the manufacturing conditions and various characteristics of the AIN plate-like joined body.
  • Example 1 0.02 ⁇ 40 ⁇ 6 0.4 1.2 57 1650 2 1750 4 0.3 23.9 Male 2 0.02 ⁇ 326 ⁇ 10 0.4 1.2 80 1690 2 1790 4 20 24.0
  • Example 3 0.02 ⁇ 40 ⁇ 6 0.4 1.2 5f 1650 1 1750 2 0.3 23.9
  • Example 4 0.02 ⁇ 40 ⁇ 6 0.4 1.2 57 1650 1 1750 8 0.3 23.9
  • Example 5 0.02 ⁇ 40 ⁇ 6 0.4 1.2 57 1650 2 1750 4 1 79.6
  • Example 6 0.02 ⁇ 40 ⁇ 6 0.4 9.2 57 1650 2 1750 4 0.3 23.9 Comparative example 1 0.02 ⁇ 40 ⁇ 6 0.4 1.2 57 Yes * 1 1650 2 1750 4 0.3 23.9 Comparative example 2 0.02 ⁇ 40 ⁇ 6 0.4 1.257 Yes * 1 1850 6 0.3 23.9 Comparative example 3 0.02 ⁇ 40 ⁇ 6 0.4 1.2 57 1750 6 0.3 23.9

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

本発明の窒化アルミニウム接合体は、接着剤を用いることなく互いに接合された2枚の窒化アルミニウム焼結体板と、その接合界面の一部分に形成されている金属層とからなり、前記接合体の中心を通る側断面でみて、前記接合界面における前記焼結体板同士が直接対面している直接接合領域には、接合界面に沿っての長さLが平均して0.5~4μmの空孔が複数存在し、且つ該空孔により非接合部が形成されており、 前記側断面について、下記式(1): 非接合率Q=(X/Y)×100   …(1)  式中、Xは、直接結合領域に存在する前記空孔の長さLの合計値で表される前記非接合部の接合界面方向長さであり、     Yは、前記空孔が存在している直接結合領域の長さである、により算出される非接合率Qが、平均して0.1~0.5%の範囲にあることを特徴とする。かかるAlN接合体は、内部の金属層の反りが有効に抑制され、接合強度が高く、且つ耐久性にも優れており、半導体製造装置において、半導体ウエハーを載置して処理するためのプレートヒーターや静電チャックとして有用である。

Description

明細書 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法 技術分野
本発明は、 半導体製造装置において、 半導体ウェハ一を載置して処理するため のプレートヒータ一ゃ静電チヤックとして有用な窒化アルミニゥム接合体に関す る。 詳しくは、 2枚の窒化アルミニウム焼結体板が金属層を間に挟んで接合され た接合構造を有し、 特に半導体ウェハーの処理を均一に行うことが可能であり、 且つ、 耐久性も良好な窒化アルミニウム接合体に関する。
背景技術
シリコンウェハー等の半導体ウェハーに膜付けやエッチング処理等を施す半導 体製造装置において、 該半導体ウェハーを載置する台として、 ヒーターあるいは 電極として作用する金属層が内部に埋め込まれたセラミックの板状焼結体が使用 される。 たとえば、 ヒーターとして金属層を埋め込んだものはプレートヒーター として、 電極を埋め込んだものは、 静電チャックとして使用される。 また、 静電 チャックにおいては、 電極と共にヒーターとして機能する金属層を埋め込む場合 もあ 。
近年、 上記用途に使用するセラミックとして、 熱伝導率が良好な窒化アルミ二 ゥム焼結体が使用されるようになった。
一方、 近年の技術革新による高集積化により益々高精度化が要求されていると 共に、 処理される半導体ウェハーも大型化し、 例えば、 表面に膜付けを行う処理 においては、 大面積の半導体ウェハ一表面に均一、 均質な薄膜を精度良く作製す ることが要求され、 また、 エッチング処理においては、 半導体ウェハー上に形成 された大面積の各種薄膜を均一にエッチングすることが要求されるようになった このような状況下において、 前記プレートヒータ一や静電チャックとして使用 される窒化アルミニウムの板状焼結体においては、 埋め込まれている金属層が該 焼結体上に載置されている半導体ウェハーから均一な厚みで存在することが必要 である。 金属層を埋め込んだ窒化アルミニウムの板状焼結体の製造法としては、 金属層 が埋め込まれた窒化アルミニウム製グリーンシートを作製し、 このグリーンシー トを焼成する方法が考えられるが、 この方法では、 焼結時の寸法変化によって、 金属層の断線や変形が生じるという問題がある。 従って、 一般的には、 先ず、 板 状或いはシート状の焼結体を作製しておき、 2つの焼結体を、 金属層を介して接 合する方法が採用されている。 即ち、 この方法で得られる窒化アルミニウムの板 状焼結体は、 2枚の窒化アルミニウム焼結板が金属層を間に挟んで接合された接 合体となっており、 焼結時の寸法変化による上記問題が有効に回避されている。 ところで、 接合法によリ窒化アルミニウム接合体を製造するときには、 2枚の 焼結体板の接合に接着剤が使用されている。 しかしながら、 従来、 用い れて板 接着剤は、 接着温度が高く、 接合時の加熱によって焼結体板の変形が起こり、 こ れに伴って金属層に反りが発生するという問題があった。
そこで、 接着温度を低下せしめた接着剤を使用することによって反りを改善す る方法が提案されている (特許文献 1参照)。
上記方法によって、 接合体内の金属層の反リはある程度改良することができる が、 改善の余地があった。 また、 窒化アルミニウム層と金属層との間には十分な 接合強度が確保されるが、 窒化アルミニウム焼結板同士が直接対面している部分 での接合強度が、 熱履歴によリ経時的に低下するという問題があつた。
特許文献 1 特開 2 0 0 0— 2 5 2 0 4 5号公報 発明の開示
したがって、 本発明の目的は、 2枚の窒化アルミニウム焼結体板を間に金属層 を挟んで接合した窒化アルミニゥム接合体において、 内部の金属層の反リが極め て低く抑えられ、 且つ高い接合強度を有する接合体を得ることを目的とするもの である。
本発明者らは、 上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた。 その結果、 窒化ァ ルミニゥム焼結体板の接合を、 特定の圧力をかけながら、 特定の温度制御下に 2 段で加熱することによって、 接着剤を用いることなく、 高い接合強度を有し且つ 内部の金属層の反リが著しく低く抑えられた窒化アルミニゥム接合体を得ること に成功した。 さらに、 上記方法によって得られた接合体を解析した結果、 窒化ァ ルミニゥム焼結体の接合界面において、 かかる方法に由来する微細な大きさの空 孔が、 特徴的に残存していることを見出し、 本発明を完成するに至った。 即ち、 本発明によれば、 接着剤を用いることなく互いに接合された 2枚の窒化 アルミニウム焼結体板と、 その接合界面の一部分に形成されている金属層とから なる窒化アルミニウム接合体において、
前記接合体の中心を通る側断面でみて、 前記接合界面における前記焼結体板同 士が直接対面している直接接合領域には、 接合界面に沿っての長さしが平均して 0. 5~4jWmの空孔が複数存在し、 且つ該空孔により非接合部が形成されてお 前記側断面について、 下記式 (1 ) :
非接合率 Q= (ΧΖΥ) X 1 00 - ( 1 )
式中、 Xは、 直接結合領域に存在する前記空孔の長さ Lの合計値で表される 前記非接合部の接合界面方向長さであり、
Yは、 前記空孔が存在している直接結合領域の長さである、 により算出される非接合率 Qが、 平均して 0. 1〜0. 5%の範囲にあることを 特徴とする窒化アルミニウム接合体 (以下、 A I N板状接合体ともいう) が提供 される。
また、 本発明によれば、
2つの窒化アルミニウム焼結体板を用意する工程、
一方の窒化アルミニウム焼結体板の表面の一部分に、 厚さ 20 m以下の金属 層を形成する工程、
他方の窒化アルミニウム焼結体板を、 前記金属層が間に位置するように、 前記 一方の窒化アルミニウム焼結体板上に重ねて積層体を形成する工程、
前記積層体を、 5〜 1 00 k gZcm2の圧力で加圧しながら、 1 650〜 1 700°Cの温度で 0. 5〜4時間加熱する工程、
次いで、 前記圧力による加圧を続けながら、 1 700°Cを越え、 1 800°C以 下の温度で、 前記積層体を 2 ~ 8時間加熱する工程、 とからなることを特徴とする窒化アルミニウム接合体の製造方法が提供される。 本発明の A I N板状接合体は、 上記の特定の接合方法に基づいて形成される特 徴的な接合界面の構造によリ、 金属層の反リが小さく抑えられていることから、 当該金属層に電圧を印加して誘電体に電界を形成する場合など、 金属層上の何れ の箇所においても均一な電界を形成することが可能である。
また、接着剤を用いずに接合されているため、熱履歴に対しても耐久性があり、 よリ信頼性の高い作動が期待できる。
本発明の A I N板状接合体は、 半導体製造装置に使用される静電チャック、 プ レートヒーターとして、 極めて有効に使用される。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の A I N板状接合体の代表的な態様を示す部分破断斜視図であ る。
図 2は、図 1の A I N板状接合体の中心 Oを通る側断面の要部を示す図である。 図 3は、 A I N板状接合体に発生する金属層の反りを説明するための概念図で あ 。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明を図面に従って詳細に説明するが本発明の態様は、 かかる図面に 示されたものに何ら限定されるものではない。
( A I N板状接合体)
図 1及び図 2において、 本発明の A I N板状接合体は、 2枚の窒化アルミニゥ ム焼結体板 1一 a、 1一 bが、 接着剤を用いることなく接合された接合構造を有 しておリ、その接合界面 P (図 2参照)の一部分に金属層 2が存在している。尚、 図示されていないが、 焼結体板 1一 a或いは 1一 bには、 スルーホールが形成さ れており、 スルーホールの内部に導体ペーストなどが充填され、 金属層 2に通電 し得るような構造となっている。 また、 この A I N板状接合体の平面形状は、 通 常、 円形或いは正方形などの矩形状であり、 且つ金属層 2は、 ヒータ一プレート ゃ静電チャックの用途において、 電極、 ヒーターなどの回路パターンを形成する ものであリ、 図 1に示すように単純にベタのパターンで存在する場合もあるし、 線状のパターンで存在する場合もある。
また、 金属層 2は、 これに限定されるものではないが、 タングステン、 モリブ デン、 白金、 チタン、 銅等から形成されており、 その厚みは、 20 以下、 特 に、 5〜1 5〃mの範囲にあることがよい。 さらに、 金属層 2の占める割合は、 通常、焼結体板 1一 a, 1一 bの接合面に対して 50〜 90 %、特に 60〜 80 o/o 程度であるのがよい。
一方、 接合前の窒化アルミニウム焼結体板 1一 a、 "I— bは、 接合後に所期の 厚みの A I N板状接合体が得られるようにそれぞれの厚みが適宜決定される。 例 えば、 焼結体板 1一 a、 1— bが同じ厚みであってもよいし、 厚みが異なつてい てもよい。 一般には、 半導体ウェハーを載置する側の焼結体板の厚みが他方より も薄い方が好ましく、 一方の焼結体板の表面 (ウェハが載置される側の表面) か らの金属層 2の深さが、 板状接合体の全厚みに対して 0. 1〜50<½となるよう に焼結板 1一 a, 1— bの厚みを決定することが好ましい。 上記 A I N板状接合 体の総厚みは、 用途によっても多少異なるが、 1〜1 0 Ommが一般的である。 本発明の A I N板状接合体は、 接着剤を用いることなく、 上記窒化アルミニゥ ム焼結体 1一 a, 1—bを間に金属層 2を介在させて、 後述する 2段加熱によつ て接合させたものであり、 このような方法で製造されているため、 以下のような 特性を有している。
即ち、 本発明の A I Nl板状接合体の接合強度は、 ダイシ Xァ亍スターによって 測定されるシェア強度で評価することができ、 焼結体板間で 9. 5〜1 1. 0 k gZmm2、 特に、 1 0. 0~ 1 1. 0 k gZmm2であり、 焼結体板一金属層 間で、 2. 5〜4. O k gZmm2、 特に、 3. 0〜4. O k gZmm2である。 本発明では、 このような高い接合強度で、 接合体が構成されているため、 接着剤 を用いて作製された接合体に比べて、 異種材料との界面が少なく (接着剤層が存 在しない)、従って、熱の繰り返し履歴による接合強度の低下が極めて小さいとい う特性を有している。因みに、本発明の A I N板状接合体は、 25°Cから 350°C までの昇降温による熱履歴を 1 00回繰り返した後における金属層 2と窒化アル ミニゥ厶焼結体との接合面のシ: I:ァ強度が、 上記熱履歴前のシェア強度に対して 9 Oo/o以上という極めて良好な耐熱履歴特性を示す。
また、 本発明の A I N板状接合体の最大の特徴は、 金属層 2の反りが著しく少 ないという点にある。 このような金属層 2の反り (W) は、 図 3に示すように、 金属層 2に対して直角の切断面において、金属層 2の端点を結ぶ線 Z (—点鎖線) と金属層 2との最大距離 (R : m) を測定し、 これを端点間の長さ (T ; mm) により下記式 (2) :
W (U 1 Omm) = (RZT) x 1 0 … (2)
によって求めた値である。 本発明の A I N板状接合体は、 このような反りが、 5 〜25 /m/1 Omm, 特に、 1 0〜20 β m 1 0 mmという優れた物性を示 す。
このような優れた低反り特性は、 従来の接着剤を使用する A I N板状接合体で は達成できない値であり、 接着剤を使用せずに、 後述する 2段加熱による特殊な 接合技術によって初めて達成された値である。
また、 本発明の接合体は、 後述する特殊な接合技術によって反りの低減を実現 させているため、 図 2に示されているように、 接合体の中心 Oを通る側断面でみ て、接合界面 Pにおける前記焼結体板同士が直接対面している直接接合領域には、 接合界面に沿っての長さ Lが平均して 0. 5〜 4 mの空孔が複数存在している という特有の接合構造を有している。 即ち、 このような空孔は、 直接結合領域の 全体に分布しており、上記長さ Lが 5 im以上の大きさは存在しておらず、また、 該空孔は球形の近い形状を有しておリ、 その接合界面方向に沿っての長さ Lと接 合界面に対して垂直方向の長さ Lp との比 (LZLp) は、 平均して 0. 8〜2、 特に 1. 0〜1. 5の範囲にある。 本発明の A I N板状接合体では、 このような 空孔の存在によって、 焼結体板 1一 aと 1一 bとは、 部分的に非接合となってお リ、 任意の複数箇所で上記側断面について、 下記式 (1 ):
非接合率 Q= (XZY) X 1 00 "- ( 1 )
式中、 Xは、 直接結合領域に存在する前記空孔の長さ Lの合計値で表される 前記非接合部の接合界面方向長さであり、
Yは、 前記空子 Lが存在している直接結合領域の長さである、 により非接合率 Qを算出すると、 その値は、 平均して 0. 1〜0. 5%、 特に好 ましくは 0 . 2〜0. 4 0/0の範囲にある。
尚、 上述した空孔の大きさや非接合率等は、 板状接合体を上記側断面が現れる ように切断し、 この切断面を電子顕微鏡で観察することにより測定することがで きる。
( A I N板状接合体の製造方法)
以下、 上述した構造を有する本発明の A I N板状接合体の製造方法について説 明する。
この製造方法は、 予め A I N焼結板を用意し、 金属層を間に挟んで 2枚の A I N焼結板を、 接着剤を用いずに加熱接合するものであるが、 概説すると、 この加 熱接合を、 2段での加熱により行うことが顕著な特徴である。 即ち、 1段目の加 熱接合は、 上記焼結体の熱膨張が比較的に少ない低温領域で行われ、 このときに は、焼結板相互で部分的な共焼結が生じ、 2枚の焼結板は、仮固定される。また、 引き続き行われる 2段目の加熱接合は、 1段目の加熱接合よリも高温領域で行わ れ、 1段目での加熱接合による固定状態が維持されたまま、 さらに共焼結を進行 させてしっかりとした接合部を形成させるものである。
このように加熱接合を 2段で行うと、 部分的な共焼結が徐々に進行して最終的 な接合部 (図 2における直接接合領域) を形成するため、 成長した共焼結部の間 に、 微細でほぼ球状の空孔が残存することとなる。 このような空孔は、 前述した ような大きさで接合部の全体にわたってほぼ均等に分布するものであり、 該空孔 によって、 非接合部が形成され、 接合界面における前記式 (1 ) で表される非接 合率 Qが所定の範囲内となる。 このように、 接着剤を用いずに接合が行われ、 こ のような接合構造を有していることから、 本発明の A I N板状接合体は、 高い接 合強度と耐熱履歴性を有し、 しかも、 金属層の反りが有効に抑制されたものとな つている。 また、 接着剤を使用しないため、 著しい粒界移動が起こらないことに よっても反りが発生し難くなつている。
例えば、 窒化アルミニウム焼結体の焼結温度付近で、 1段で加熱接合を実施し た場合には、 接合の進行によって非接合部が残存するが、 接合時に接合界面が自 由度を持っており、 これが冷却される過程の比較的高温で接合界面の固定が起こ るため、 冷却後の接合体に歪ができ易く、 反りが発生してしまう。 また、 接合時 において接合界面が自由度を持っていることにより、 空孔の移動や変形が起こリ 易く、 大きな空孔が偏って存在したり、 平面方向に潰れた形状 (接合界面方向の 長さしが大きい) の空孔が多く存在し、 前述した非接合率 Qがかなリ大きな値と なってしまい、 接合強度や耐熱履歴特性の低下が生じてしまうのである。
A I N焼結体板 1— a, 1 - bの作製:
本発明において、 加熱接合すべき A I N焼結体板は、 それ自体公知の方法によ つて作製することができ、 例えば、 A I N粉末からなる焼成用粉末を有機バイン ダ一と混合して造粒粉末或いはペース卜などの成形用材料を調製し、 この成形材 料をシート状に成形し、 得られたグリーンシートを脱バインダーし、 焼成するこ とにより作製することができる。
上記の焼成用粉末には、 必要により、 M g , C a , S rなどのアルカリ土類金 属の酸化物や、 Y等の希土類元素の酸化物などを焼結助剤として添加することも できる。 このような焼結助剤の添加量は、通常、 1重量%以下、特に 0 . 5重量% 以下である。
また、 有機バインダーとしては、 これに限定されるものではないが、 一般に、 ポリビニルプチラール、 ポリメチルメタクリレート、 カルポキシメチルセルロー ス、 ポリビニルピロリ ドン、 ポリエチレングリコール、 酸化ポリエチレン、 ポリ エチレン、 ポリプロピレン、 エチレン一酢酸ビニル共重合体、 ポリスチレン、 ポ リアクリル酸などが使用される。 このような有機バインダーは、 その種類によつ ても異なるが、 一般に、 前述した焼成用粉末 1 0 0重量部当り、 0 . 1乃至 3 0 重量部の量で使用される。
また、 成形用材料の調製にあたっては、 必要により、 長鎖炭化水素エーテルな どの分散剤、 トルエン、 エタノールなどの溶剤、 及びフタル酸などの可塑剤を適 宜の量で用いることもできる。
上記成形用材料を用いての成形用シート (グリーンシート) の作製は、 押出成 形法、 ドクターブレード法、 プレス成形法等の公知の成形法によって行われる。 脱バインダーは、 一般に、 グリーンシートを空気中で 3 0 0乃至 9 0 0 °C程度 に加熱することにより行われ、 焼成は、 脱バインダー後のグリーンシートを、 不 活性雰囲気中(例えば窒素雰囲気中〉、 1 00乃至 1 900°Cの温度に加熱する ことにより行われる。焼成時間は、通常、アルキメデス法による相対密度が 980/0 以上となる程度の時間であればよい。
上記のようにして得られた A I N焼結体板は、 金属層 2と該焼結板との密着性 を高め、 且つ接着剤を用いずに行われる加熱接合によって十分な接合強度が得ら れるように、 表面粗さ R a ( J I S B 0601 ) が、 0. 1 ~0. 8 m、 好ましくは、 0. 2〜0. 6 jt mとなるように研削加工を施すことが好適である。 金属層 2の形成:
上記のようにして作製された A I N1焼結体板 1—a, 1一 bの一方に、 金属層 2を形成する。
かかる金属層 2は、 例えば前述した金属材料を、 所定のマスクを介してのィォ ンプレーティング等の手段で所定厚み (20 m以下、 特に 5~1 5 /m) に形 成することができる。 また、 金属材料を適当な有機バインダーや有機溶剤に分散 させた導体ペーストを所定パターン形状に焼結体板表面に塗布し、 焼き付けるこ とにより、 金属層 2を形成することも可能である。
加熱接合:
本発明においては、 上記のようにして作製された 2枚の A 1 N焼結体板 (一方 には金属層 2が形成されている) を、 間に金属層 2が存在するようにして重ね合 わせ、 5〜 00 k g/mm2,好ましくは 1 0〜30 k cm2圧力で圧接し ながら、 2段で加熱接合する。 尚、 この加熱接合は、 大気中或いは不活性雰囲気 中 (窒素雰囲気中) の何れで行うこともできるが、 金属材料の酸化を防止するた めに、 不活性雰囲気中で行うことが好ましい。
1段目の加熱接合は、 1 650〜 1 700°C、好ましくは 1 650〜 1 680°C の温度で、 0. 5〜4時間、 好ましくは 1 ~2時間、 加熱が行われる。 先に述べ たように、 この段階での加熱接合は、 A I N焼結体の熱膨張が比較的に少ない低 温領域で行われるものであり、 焼結体板相互で部分的な共焼結が生じ、 2枚の焼 結体板は仮固定される。 従って、 この段階で加熱接合を停止したとき、 2枚の焼 結体板同士が接合されている領域でのシェア強度は、 通常、 1. 0〜4. O k g Zmm2程度とかなり低い。 上記の 1段目の加熱接合の後に、 前記圧力を保持したまま、 2段目の加熱を行 うことによって、 目的とする A I N板状接合体が得られる。 このときの加熱温度 は、 1 7 0 0 °Cを越え、 1 8 0 0 °C以下、 好ましくは 1 7 5 0〜 1 7 9 0 °Cの範 囲であり、 加熱時間は、 2〜8時間、 好ましくは 4〜 6時間である。 即ち、 この 2段目の加熱では、 1段目での加熱接合による固定状態が維持されたまま、 さら に共焼結が進行して接合部が形成される。 このため、 2枚の焼結体板が直接接合 されている領域には、 空孔が分布しており、 このような空孔によって非接合部が 発生している。 しかるに、 このような空孔は、 【まぼ球状であり、 しかも全体とし てかなリ均一な微細形状であり、前述した非接合率 Qがかなリ小さい範囲にあり、 高い接合強度が確保されており、 また金属層 2の反りも有効に抑制されている。 上記の 2段での加熱接合において、 1段目の加熱温度が前記範囲よリも高いと、 得られる板状接合板においては、 金属層 2に大きな反りが発生し、 かかる接合体 自体も大きく沿ってしまう。 また、 かかる条件で得られる接合体は、 空孔の長さ の比 (L Z Lp) が本発明に比してかなり大きくなつてしまい、 接合界面の方向 の長さが大きい細長い形状の空孔が多く発生し、 非接合率 Qがかなリ大きくなつ てしまい、 接合強度が大きく低下してしまう。
また、 1段目の加熱温度が前記範囲よリも低い場合或いは加熱時間が前記範囲 よりも短い場合には、 仮固定が不十分となり、 やはり大きな空孔が多く発生し、 非接合率 Qが大きくなリ、 接合強度の低下や反リを生じてしまう。
また、 1段目の加熱時間が前記範囲より長い場合は、 金属層 2を形成している 金属が焼結体板中に拡散し、 接合板内での金属層 2の分布が不均一になってしま い、 半導体製造装置に使用される静電チャックやプレートヒーターとしての用途 に極めて不適当となってしまう。
さらに、 2段目の加熱温度が、 前記範囲より高い場合にも、 金属層 2を形成し ている金属が焼結体板中に拡散し、 金属層 2の分布が不均一になってしまう。
2段目の加熱温度が前記範囲より低い場合には、 共焼結部の成長が不十分とな つてしまい、 十分な接合強度が得られない。 即ち、 この場合には、 当然、 前述し た非接合率 Qは、 極めて大きな値となってしまう。
また、 2段目の加熱時間が上記範囲より短い場合にも、 共焼結部の成長が不十 分となって接合強度の低下を生じてしまい、加熱時間が上記範囲より長い場合は、 反りが大きくなつてしまう。
上記のような 2段接合によって得られる本発明の A I N板状接合板は、 反りが なく、 しかも金属層が接合板内に均一に分布しており、 しかも接合強度が高く、 耐熱履歴性にも優れているため、 半導体製造装置で使用される静電チャックゃプ レートヒーターとして、 極めて有用である。 実施例
以下に実施例、 比較例を挙げ本発明の効果をより詳しく説明する。 尚、 本発明 は以下に記述する実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
実施例及び比較例における各種測定は下記の方法によって行なった。
( 1 ) 非接合率 Q
A 1 N接合体の中心 Oから外側に向かって、 角度 90度間隔で 4箇所の切断面 を取り、 該切断面の焼結板同士の界面を走査型電子顕微鏡 (S EM) を用いて、 倍率 600倍で連続的に写真撮影する。 この撮影写真を基に、 焼結板同士が直接 接合されている接合界面に存在する空孔のそれぞれについて、 接合界面方向に沿 つた長さ L n = 1〜: N ;Nは界面に存在する空孔の総数) を求め、下記式を用 いて非接合率 Qをそれぞれの切断面について求め、 その平均値を示した。
∑Ln
非接合率 Q (%) = ^ xl O O
(但し、 Yは、 S EM観察を行った直接接合領域の総長さである。)
(2) 空孔の長さ比 (LZLp)
上記それぞれの切断面において、 上記空孔の接合界面方向に沿った長さ (L) 及び接合界面と垂直方向の長さ (Lp) とを測定し、 その比 (LZLp) を求め、 その平均値を示した。
(3) 金属層の反り (W) の測定
A I N板状接合体を 2分割した各断面について、 図 3に示すように、 金属層の 端点を結ぶ線 Z (—点鎖線)よリ最も離れた金属層の距離(R: jU m) を測定し、 これを端点間の長さ (丁 ; mm) により下記式 (2) によって求め、 最も大きい 値を金属層の反リとして表示した。
W ( im/1 Omm) = (RZT) x 1 0 … (2)
(4) 耐熱履歴特性
A I N板状接合体をサ一マルショックチャンバ一 (エスペック (株) 製、 型式 TS C— 1 03 (W)) に入れ、 25°Cから 350°Cまで 30分で昇温した後、 25°Cまで 30分で冷却する昇降温を 1 00回繰り返し、 このような熱履歴前後 の接合体の接合界面のシェア強度を測定し、 下記式で耐熱履歴特性を算出した。 耐熱履歴特性 (%)
= 熱履歴後のシヱァ強度 X 1 0 OZ熱履歴前のシヱァ強度
実施例 1
直径 4 Omm、 厚み 6mmの A I N焼結板 ((株) トクャマ、 SH— 50, Y 203: 0. 02重量%, 表面粗さ R a : 0. 4 /i m) の一方の面に、 外周から 5 m m幅の部分をアルミ製マスクで覆い、 イオンプレーティング法にて、
T i : 0. 2 m、 W: 1〃mの順に成膜して金属層 (厚み; 1. 2 i m) を形 成した。
次に、 金属層を形成していない A I N焼結板 (SH— 50) を、 上記の金属層 が形成された焼結板に、 金属層が内側になるように重ねてカーボン製試料治具に て固定し、 ホットプレス炉に入れた。 その後、 荷重 300 k g f (圧力 23. 9 k g/cm2) をかけながら、 窒素気流中 1 650°Cで 2時間保持した後、 昇温 速度 1 0°CZ分で 1 750°Cまで昇温後、 4時間保持した。 室温まで冷却後、 炉 から取り出し、 A I N板状接合体を得た。
かかる A I N板状接合体の製造条件及び各種特性を表 1、 表 2に示した。
尚、 この A I N板状接合体について金属層の反り Wは、 1 2 imZ1 Ommで あり、接合界面のシェア強度は、金属層を含む界面で 3. 8 k gfZmm2であり、 金属層を含まない界面 (焼結板同士が直接接合されている界面) では 1 O k gf mm2であり、 さらに耐熱履歴特性は 1 00<½であった。 また、 非接合率 Qは 0. 2<½であり、 接合界面方向の空孔の長さの平均は 1. 8 mであり、 また、 空孔の長さ比 LZLPの平均は 1. 1であった。 実施例 2
直径 326mm、 厚み 1 Ommの A I N焼結板 (組成等は実施例 1と同じ) の 一方の面の全面に、 実施例 1と同様にして T i及び Wからなる金属層 (厚み: 1. 2 m) を形成した。 次に、 金属層の中心から半径 1 46 mmの範囲をマス キングして、 外周から 1 7 mm幅の金属層 (T i ZW膜) を、 5 v o I %フッ酸 /5 V o | o/o硝酸 1 : 1混合溶液を用いて除去した。
次に、 金属層が形成されていない A I N焼結板を、 上記の A I N焼結板に、 金 属層が内側になるように重ねてカーボン製試料治具にて固定し、 ホッ卜プレス炉 に入れた。 その後荷重 20 t f (圧力 24. 0 k gXcm2) をかけながら、 窒 素気流中 1 690°Cで 2時間保持した後、 昇温速度 3°CZ分で 1 790°Cまで昇 温後、 4時間保持した。 室温まで冷却後、 炉から取り出し、 A I N板状接合体を 得た。
かかる A I N板状接合体の製造条件及び各種特性を表 1、 表 2に示した。
尚、 この A I N板状接合体について金属層の反り Wは、 1 7 jUmZ1 Ommで あり、接合界面のシェア強度は、金属層を含む界面で 3. 5 k gfZmm2であり、 金属層を含まない界面 (焼結板同士が直接接合されている界面) では 1 O k gf
Zmm2であり、 さらに耐熱履歴特性は 1 00%であった。
また、 非接合率 Qは 0. 2%であり、 接合界面方向の空孔の長さの平均は 2.
4〃mであり、 空孔の長さ比 LZLPの平均は 1. 2であった。 実施例 3〜 5
実施例 1と同様の直径及び厚みを有する A I N焼結板を用い、加熱接合条件 (保 持温度、 保持時間、 荷重) を変えた以外は、 実施例 1と同様の方法で、 A I N板 状接合体を得た。
かかる A I N板状接合体の製造条件及び各種特性を表 1、 表 2に示した。 実施例 6
実施例 1と同じ A I N焼結板の一方面に、 実施例 1と同様にして、
T i (0. 2 m) 及び W (9 m) からなる金属層を形成し、 実施例 1と同じ 条件で加熱接合を行って、 A I N板状接合体を得た。
かかる A I N板状接合体の製造条件及び各種特性を表 1、 表 2に示した。
尚、 この A I N板状接合体について金属層の反りは、 1 9〃mZ1 Ommであ リ、 接合界面のシェア強度は、 金属層を含む界面で 3. 1 k gZmm2であり、 金属層を含まない界面 (焼結板同士が直接接合されている界面) では l O k gZ mm2であり、 さらに耐熱履歴特性は 99<½であった。 また、 非接合率 Qは 0. 2%であり、 接合界面方向の空孔の長さの平均は 3. 8 j«mであり、 空孔の長さ 比 LZし pの平均値は 1. 2であった。 比較例 1
実施例 1と全く同様にして、 一方の面に金属層 (T i ZW) が形成された A I N焼結板を作製した。
次に、 金属層が形成されていない A I N焼結板に、 A I N— Y203スラリー (A I Ν: 1 00重量部、 Υ2035重量部、 アクリルバインダー: 4重量部、 長 鎖炭化水素エーテル系分散剤: 0. 5重量部) を接着剤として塗布した後、 これ を、 金属層が形成されている上記の焼結板に金属層が内側になるように重ねて力 一ボン製試料治具にて固定し、 ホットプレス炉に入れた。
その後、 荷重 3 O O k g f (圧力 23. 9 k gZ cm2) をかけながら、 窒素 気流中 1 650°Cで 2時間保持した後、 昇温速度 1 0°CZ分で 1 750°Cまで昇 温後、 4時間保持した。 室温まで冷却後、 炉から取り出し、 接着剤層で接合され ている A I N板状接合体を得た。
得られた A ! N板状接合体は、 目視でも明らかに椀状に反っていた。 また、 こ の A I N板状接合体表面を研削して、平らにした後、測定される金属層の反りは、 297 im/1 Ommであった。また、接合界面のシェア強度を測定したところ、 金属層を含む界面で 2. O k gZmm2であり、 金属層を含まない界面 (焼結板 同士が直接接合されている界面) では 6 k gZmm2であり、 耐熱履歴特性は 6 80/0であった。 次に非接合率 Qを求めたところ、 21. 1 %であり、 接合界面方 向の空孔の長さの平均は 6. 5 j«mであり、 また、 空孔の長さ比 LZLPの平均 値は 4. 8であった。 比較例 2
実施例 1と同様の直径及び厚みを有する A I N焼結板を用い、加熱接合条件 (保 持温度、 保持時間、 荷重) を変えた以外は、 比較例 1と同様の方法で、 A I N板 状接合体を得た。
かかる A I N板状接合体の製造条件及び各種特性を表 1、 表 2に示した。 比較例 3〜 9
実施例 1と同様の直径及び厚みを有する A I N焼結板を用い、加熱接合条件(保 持温度、 保持時間、 荷重) を変えた以外は、 実施例 1と同様の方法で、 A I N板 状接合体を得た。
かかる A I N板状接合体の製造条件及び各種特性を表 1、 表 2に示した。
焼結 表面 金属 接合面の 接 A
枓 接合 接合 接合
助剤 粗さ 層厚
サイス 金属層の 接着剤の 温度 荷
時間 温度 時間 圧力 含有率 Ra み 割合 有 Λ 1 1 2 2 直
% mm μηι μιη % °c 時間 °c 時間 t kg cmz 実施例 1 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 57 1650 2 1750 4 0.3 23.9 雄例 2 0.02 φ326χί10 0.4 1.2 80 1690 2 1790 4 20 24.0 実施例 3 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 5フ 1650 1 1750 2 0.3 23.9 実施例 4 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 57 1650 1 1750 8 0.3 23.9 実施例 5 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 57 1650 2 1750 4 1 79.6 実施例 6 0.02 φ40Χί6 0.4 9.2 57 1650 2 1750 4 0.3 23.9 比較例 1 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 57 有※1 1650 2 1750 4 0.3 23.9 比較例 2 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 57 有※1 1850 6 0.3 23.9 比較例 3 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 57 1750 6 0.3 23.9 比較例 4 0.02 φ40Χί6 0,4 1.2 57 舞 1800 8 0.3 23.9 比較例 5 0.02 φ40Χΐ6 0.4 1.2 57 1600 2 1750 4 0.3 23.9 比較例 6 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 57 te 1650 0.2 1750 4 0.3 23.9 比較例 7 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 57 4Κ 1650 2 1680 8 0.3 23.9 比較例 8 0.02 φ40Χί 0.4 1.2 57 1650 2 1750 0.5 0.3 23.9 比較例 9 0.02 φ40Χί6 0.4 1.2 57 1650 2 1750 4 0 0
※ 1 : A1N-Y203
表 2
Figure imgf000019_0001

Claims

請求の範囲
1. 接着剤を用いることなく互いに接合された 2枚の窒化アルミニウム焼結体 板と、 その接合界面の一部分に形成されている金属層とからなる窒化アルミニゥ 厶接合体において、
前記接合体の中心を通る側断面でみて、 前記接合界面における前記焼結体板同 土が直接対面している直接接合領域には、 接合界面に沿っての長さ Lが平均して 0. 5〜4 mの空孔が複数存在し、 且つ該空孔により非接合部が形成されてお y、
前記側断面について、 下記式 (1 ) :
非接合率 Q= (XZY) X 1 00 - ( 1 )
式中、 Xは、 直接結合領域に存在する前記空孔の長さ Lの合計値で表される 前記非接合部の接合界面方向長さであり、
Yは、 前記空孔が存在している直接結合領域の長さである、 により算出される非接合率 Qが、 平均して 0. 1〜0. 5<½の範囲にあることを 特徴とする窒化アルミニゥム接合体。
2. 前記直接結合領域には、 前記長さ Lが 5 jUm以上の空孔は、 実質上存在し ていない請求項 1に記載の窒化アルミニゥム接合体。
3. 前記空孔の接合界面方向に沿っての長さ Lと接合界面に対して垂直方向の 長さ Lpとの比(LZLp) が平均で 0. 8~2である請求項 1または 2に記載の 窒化アルミニウム接合体。
4. 前記金属層における反りが 25 jUmZ 1 Omm以下である請求項 1乃至 3 の何れかに記載の窒化アルミニウム接合体。
5. 1〜 1 0 Ommの厚みを有している請求項 1〜 4の何れかに記載の窒化ァ ルミニゥム接合体。
6. 25°Cから 350°Cまでの昇降温による熱履歴を 1 00回繰り返した後に おける前記金属層と窒化アルミニウム焼結体板との接合面のシェア強度が、 上記 熱履歴前のシ: Lァ強度に対して 90 %以上である請求項 1〜 5の何れかに記載の 窒化アルミニウム接合体。
7. 2つの窒化アルミニゥム焼結体板を用意する工程、
一方の窒化アルミニウム焼結体板の表面の一部分に、 厚さ 20 jt m以下の金属 層を形成する工程、
他方の窒化アルミニウム焼結体板を、 前記金属層が間に位置するように、 前記 一方の窒化アルミニウム焼結体板上に重ねて積層体を形成する工程、
前記積層体を、 5〜 1 00 k g/cm2の圧力で加圧しながら、 1 650〜 1 700°Cの温度で 0. 5〜4時間加熱する工程、
次いで、 前記圧力による加圧を続けながら、 1 700°Cを越え、 1 800°C以 下の温度で、 前記積層体を 2 ~ 8時間加熱する工程、
とからなることを特徴とする窒化アルミニゥ厶接合体の製造方法。
8. 窒化アルミニウム焼結体板の平均表面粗さ R a (JISB 0601)が、 0. 1〜 0. 8 mの範囲にある請求項 6に記載の窒化アルミニウム接合体の製造方法。
PCT/JP2004/008584 2003-06-13 2004-06-11 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法 WO2004110957A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04746090A EP1642876A4 (en) 2003-06-13 2004-06-11 ALUMINUM NITRIDE CONJUGATE BODY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
US10/560,159 US7488543B2 (en) 2003-06-13 2004-06-11 Aluminum nitride conjugate body and method of producing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003169795 2003-06-13
JP2003-169795 2003-06-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004110957A1 true WO2004110957A1 (ja) 2004-12-23

Family

ID=33549384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/008584 WO2004110957A1 (ja) 2003-06-13 2004-06-11 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7488543B2 (ja)
EP (1) EP1642876A4 (ja)
KR (1) KR100716100B1 (ja)
CN (1) CN100381401C (ja)
TW (1) TWI267498B (ja)
WO (1) WO2004110957A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012071995A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Taiheiyo Cement Corp アルミナセラミックス接合体及びその製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4773589B1 (ja) 2010-06-15 2011-09-14 日本碍子株式会社 燃料電池セル
JP4773588B1 (ja) 2010-06-15 2011-09-14 日本碍子株式会社 燃料電池セル
JP5669472B2 (ja) * 2010-07-27 2015-02-12 三井金属鉱業株式会社 セラミックス接合体の製造方法
US8684256B2 (en) * 2011-11-30 2014-04-01 Component Re-Engineering Company, Inc. Method for hermetically joining plate and shaft devices including ceramic materials used in semiconductor processing
CN105845613B (zh) * 2015-01-16 2019-03-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种静电吸盘及其制造方法
KR102069423B1 (ko) * 2017-12-19 2020-01-22 주식회사 티씨케이 접합 세라믹 및 이의 제조방법
US10882130B2 (en) * 2018-04-17 2021-01-05 Watlow Electric Manufacturing Company Ceramic-aluminum assembly with bonding trenches

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135906A (ja) * 1997-10-29 1999-05-21 Tokuyama Corp 基板およびその製造方法
JP2001223256A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板
WO2003008359A1 (fr) * 2001-07-19 2003-01-30 Ibiden Co., Ltd. Corps de connexion en ceramique, procede de connexion des corps en ceramique, et corps structurel en ceramique
JP2003100580A (ja) * 2002-05-27 2003-04-04 Ngk Insulators Ltd 半導体処理装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055451A (en) * 1973-08-31 1977-10-25 Alan Gray Cockbain Composite materials
JPH04324276A (ja) 1991-04-24 1992-11-13 Kawasaki Steel Corp AlNセラミックヒータ及びその製造方法
JPH07504150A (ja) * 1991-09-12 1995-05-11 ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー 共焼上げ多層基材の製造方法
JP2783980B2 (ja) 1994-09-01 1998-08-06 日本碍子株式会社 接合体およびその製造方法
JP3316167B2 (ja) * 1996-10-08 2002-08-19 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質基材の接合体の製造方法およびこれに使用する接合助剤
JP3604888B2 (ja) * 1997-01-30 2004-12-22 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質セラミックス基材の接合体、窒化アルミニウム質セラミックス基材の接合体の製造方法及び接合剤
CA2252113A1 (en) 1997-10-29 1999-04-29 Yoshihiko Numata Substrate and process for producing the same
JP4013386B2 (ja) * 1998-03-02 2007-11-28 住友電気工業株式会社 半導体製造用保持体およびその製造方法
JP3512650B2 (ja) 1998-09-30 2004-03-31 京セラ株式会社 加熱装置
US6490146B2 (en) * 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
EP1383168A1 (en) * 2000-03-15 2004-01-21 Ibiden Co., Ltd. Method of producing electrostatic chucks and method of producing ceramic heaters
CN100432024C (zh) * 2003-10-31 2008-11-12 株式会社德山 氮化铝接合体及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135906A (ja) * 1997-10-29 1999-05-21 Tokuyama Corp 基板およびその製造方法
JP2001223256A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板
WO2003008359A1 (fr) * 2001-07-19 2003-01-30 Ibiden Co., Ltd. Corps de connexion en ceramique, procede de connexion des corps en ceramique, et corps structurel en ceramique
JP2003100580A (ja) * 2002-05-27 2003-04-04 Ngk Insulators Ltd 半導体処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012071995A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Taiheiyo Cement Corp アルミナセラミックス接合体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7488543B2 (en) 2009-02-10
TW200503984A (en) 2005-02-01
EP1642876A4 (en) 2011-01-05
CN100381401C (zh) 2008-04-16
CN1805911A (zh) 2006-07-19
KR20060028407A (ko) 2006-03-29
EP1642876A1 (en) 2006-04-05
KR100716100B1 (ko) 2007-05-09
US20060156528A1 (en) 2006-07-20
TWI267498B (en) 2006-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI599554B (zh) Cooling plate, method of manufacturing the same, and device for semiconductor manufacturing apparatus
US8178455B2 (en) Alumina sintered body, method for manufacturing the same, and semiconductor manufacturing apparatus member
TWI599553B (zh) Cooling plate, method of manufacturing the same, and device for semiconductor manufacturing apparatus
JP3323135B2 (ja) 静電チャック
EP1737034A1 (en) Al/AlN JOINT MATERIAL, BASE PLATE FOR POWER MODULE, POWER MODULE AND PROCESS FOR PRODUCING Al/AlN JOINT MATERIAL
JP4189373B2 (ja) 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法
JP5487413B2 (ja) セラミックス接合体及びその製造方法
WO2004110957A1 (ja) 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法
CN113597665A (zh) 用于静电卡盘的高密度耐腐蚀层布置
JP2003101217A (ja) 回路基板及びその製造方法
JP2005022966A (ja) 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法
TWI837343B (zh) 用於靜電吸盤之高密度耐腐蝕層佈置
JP3899379B2 (ja) 静電チャックおよびその製造方法
JPH08125240A (ja) 熱電素子の製造方法
JP5284227B2 (ja) 静電チャック及び静電チャックの製造方法
JP4666960B2 (ja) 静電チャック
JP7463641B2 (ja) 接合体、その製造方法、電極埋設部材、およびその製造方法
JP2003017223A (ja) セラミックヒータ及びセラミックヒータ内臓型静電チャック
JP2004193233A (ja) 積層セラミック電子部品
JP6412886B2 (ja) AlN基板
JP2003017552A (ja) セラミックヒータ及びセラミックヒータ内臓型静電チャック
JPH1167886A (ja) 静電チャック及びその製造方法
TW200415693A (en) Wafer holder for semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing device in which it is installed
JPH11100271A (ja) セラミック抵抗体およびそれを用いた静電チャック
JP2005142352A (ja) 内部電極用シートおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004746090

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2006156528

Country of ref document: US

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10560159

Country of ref document: US

Ref document number: 1020057023850

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20048165456

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057023850

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004746090

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10560159

Country of ref document: US