Beschreibung
Verlustarmes Sendemodul
Die Erfindung betrifft ein Sendemodul, insbesondere ein Sendemodul für Endgeräte der mobilen Telekommunikation.
Mobilfunkgeräte bedienen ein oder mehrere Mobilfunksysteme, die ein oder mehrere Frequenzbänder (oder Mobilfunkstandards) benutzen. Die Signalübertragung erfolgt in einem Frequenzband, das einem Mobilfunkstandard zugeordnet ist und einen Sendebereich und einen Empfangsbereich umfaßt.
Die Sendekette eines Mobilfunkgeräts umfaßt in der Regel ei- nen Chipsatz, einen Leistungsverstärker, einen zur Regelung der Leistung dienenden Koppler, einen Antennenschalter und/oder eine Frequenzweiche und eine Antenne.
Unter einem Chipsatz versteht man eine oder mehrere zusammen- geschaltete integrierte Schaltungen (HF-IC, High Frequency Integrated Circuits) , die ein Trägersignal generieren und dieses mit einem Nutzsignal mischen.
Ein Leistungsverstärker weist in der Regel zumindest zwei Stufen auf, die einen Spannungsverstärker und einen Stromverstärker umfassen.
Eine Frequenzweiche kann ein Diplexer zur Trennung der Signale verschiedener Frequenzbänder oder ein Duplexer zur Tren- nung der Sende- und Ξmpfangssignale eines Frequenzbandes • sein.
Ein Koppler ist im Regelkreis des Leistungsverstärkers geschaltet und dient zur Regelung der Leistungsstärke des Leis- tungsverstärkers .
Es ist bekannt, die genannten Funktionsblöcke als Einzel- elemente mit dazwischen angeordneten Anpassungsnetzwerken zur Impedanzanpassung auszubilden. Eine solche Schaltung hat den Nachteil, daß wegen vieler Schnittstellen entsprechend viele Signalverluste zustande kommen.
Es ist auch bekannt, daß man einen Leistungsverstärker, einen Koppler und ein Anpassungsnetzwerk in einem Bauelement integrieren kann. Diese Lösung hat den Nachteil, daß zum Ausgleich der Phasendrehung des Signals durch die Verbindungsleitung auf der Platine des Telefons an der Schnittstelle zum Tiefpaßfilter Anpassungselemente nötig sind, die zur Erhöhung der Einfügedämpfung der Schaltung beitragen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Sendemodul anzugeben, das geringe Signalverluste aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Sendemodul nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung gibt ein Sendemodul für die Hochfrequenzstufe eines drahtlosen KommunikationsSystems an. Das Sendemodul hat eine Eingangsimpedanz Z0ι und eine AusgangsImpedanz Z02. Das Sendemodul weist einen als Sendepfad ausgebildeten Signalpfad auf, der zwischen einem Signaleingang und einem mit einer Antenne verschaltbaren Signalausgang angeordnet ist. Das Sendemodul umfaßt einen im Signalpfad eingangsseitig angeordneten Leistungsverstärker, dessen Ausgangsimpedanz ZPA kleiner als Zoi ist, ein im Signalpfad ausgangsseitig angeordnetes Tiefpaßfilter, dessen Eingangsimpedanz z'0ι und Ausgangsimpedanz z'02 ist, wobei die Eingangsimpedanz z'0ι größer als ZPA und kleiner als Z02 ist. Für die Ausgangsimpedanz z'02 gilt das Verhältnis z'oi < z' 02 < Z02 • Im Signalpfad zwischen dem Leis- tungsverstarker und dem Tiefpaßfilter ist ein Impedanzwandler angeordnet, der eine Impedanztransformation von ZPA auf z'oi durchführt. Der Leistungsverstärker ist auf der Oberseite ei-
nes Trägersubstrats angeordnet . Das Trägersubstrat weist auf seiner Oberseite, Unterseite und zwischen dielektrischen Schichten Metallisierungsebenen auf, wobei die Metallisierungsebenen mittels Durchkontaktierungen verbunden sind. Der Impedanzwandler und/oder das Tiefpaßfilter weisen jeweils passive Komponenten auf, die zumindest teilweise als Leiterbahnabschnitte in zumindest einer der Metallisierungsebenen und/oder durch Leiterbahnabschnitte und dazwischen liegende Schichtbereiche der dielektrischen Schicht ausgebildet sind.
Zoi und Z0 können Standardimpedanzen, z. B. 50 Ohm sein, wobei vorzugsweise Z0ι = Z02 ist.
In bevorzugten Variante der Erfindung ist zumindest ein Teil der passiven Komponenten als Leiterbahnabschnitte in zumindest einer der innen liegenden Metallisierungsebenen oder durch im Inneren des Trägersubstrats verborgene Leiterbahnabschnitte und dazwischen liegende Schichtbereiche der dielektrischen Schicht realisiert . Vorzugsweise sind alle passiven Komponenten des Impedanzwandlers und des Tiefpaßfilters komplett im Substratinneren verborgen. Es ist aber auch möglich, daß ein Teil der passiven Komponenten aus diskreten Komponenten wie z. B. ein Chip-Kondensator oder eine Spule ausgewählt, z. B. auf der Oberseite des Trägersubstrats angeordnet und elektrisch z.'B. mittels Durchkontaktierungen mit den im Trägersubstrat ausgebildeten bzw. verborgenen passiven Komponenten derselben Schaltung (Tiefpaß) verbunden ist.
Unter einer passiven Komponente des Tiefpaßfilters versteht man im Sinne der Erfindung ein konzentriertes Schaltungselement, insbesondere eine Induktivität oder eine Kapazität.
Unter einer passiven Komponente des Impedanzwandlers versteht man eine Induktivität, eine Kapazität oder einen Leitungsab- schnitt.
Unter einer Impedanztransformation (im Gegensatz etwa zu einer Impedanzanpassung) wird in dieser Schrift eine Änderung von einer Impedanz Zi auf eine Impedanz Z2- verstanden, wobei sich Zi und Z2 um mindestens Faktor zwei unterscheiden.
Ein Impedanzwandler führt eine Impedanztransformation von einer Impedanz Zi (Eingangsimpedanz des Impedanzwandlers, hier
Zι=ZPA) auf Z2 (Ausgangsimpedanz des Impedanzwandlers, hier Z2=Z[)1), also bei erfindungsgemäßer Anordnung die Anpassung der Ausgangsimpedanz des Verstärkers an die Eingangsimpedanz des Tiefpaßfilters durch.
Ein Impedanzwandler kann z. B. aus einem Leitungsabschnitt bestehen, dessen Länge der erforderlichen Phasendrehung des Signals im Smith-Diagramm (z. B. um 180 Grad) entspricht. Die Phasendrehung des Signals um 180 Grad entspricht einer λ/4- Leitung, wobei λ eine der Signalfrequenz (hier Sendefrequenz) korrespondierende Wellenlänge ist. Durch eine λ/4-Leitung wird ein an einem Ende auftretender Kurzschluß in ein offenes Ende am gegenüberliegenden Ende der λ/4-Leitung umgewandelt. Daher ist es möglich, den Ausgang des Leistungsverstärkers durch einen als λ/4-Leitung ausgebildeten, zwischen dem Ausgang des Leistungsyerstärkers und Antenne angeordneten Impedanzwandler gegen einen antennenseitigen Kurzschluß zu schüt- zen.
Möglich ist es auch, daß der Impedanzwandler aus mehreren Stufen besteht und z. B. durch im Signalpfad angeordnete Leitungsabschnitte und/oder Induktivitäten und parallel dazu ge- schaltete Kapazitäten gebildet ist, was hintereinander, geschalteten Gliedern eines Tiefpaßfilters n-er Ordnung (n > 1) entspricht.
Die Impedanztransformation von Zi auf Z2 kann im Hochfre- quenzbereich nur bei einer Frequenz f0 genau durchgeführt werden, da Zx und Z2 in diesem Frequenzbereich in der Regel frequenzabhängig sind. Bei von f0 abweichenden Frequenzen ist
der Ausgang des Impedanzwandlers daher fehlangepaßt . Daher rührt das Bandpaßverhalten des Impedanzwandlers, wobei man unter Bandbreite des Impedanzwandlers die Frequenzdifferenz zweier Frequenzen versteht, bei denen das Signal z. B. um 3dB von dem bei f0 erreichbaren Maximalwert abfällt. Eine im Vergleich zur Bandbreite des modulierten Signals (die typischerweise einige bis hunderte kHz beträgt) geringe Bandbreite des Impedanzwandlers kann das Signal also beeinflussen bzw. verzerren, wodurch Signalverluste entstehen.
Die absolute Fehlanpassung der Ausgangsimpedanz Z
2 wird bei einem geringeren Transformationsverhältnis
2/Zi entsprechend kleiner bzw. die Signalübertragung durch den Impedanzwandler wird breitbandiger. Gleichzeitig sinkt die Impedanz Z
L der Leitung, Z
L
was bei Signalübertragung durch die Leitung eine geringere Einfügedämpfung gewährleistet.
Auf dieser Überlegung beruht die dieser Erfindung zugrμnde liegende Idee, die Impedanztransformation von der Ausgangsim- pedanz ZPA des Leistungsverstärkers auf die Eingangsimpedanz der Antenne in mehreren Stufen durchzuführen. Eine solche Impedanztransformation ist durch die erfindungsgemäße Integration eines Leistungsverstärkers und eines Tiefpaßfilters in einem Sendemodul möglich und hat den Vorteil, daß die Impe- ' danztransförmation von der Ausgangsimpedanz ZPA des Leistungsverstärkers auf die Eingangsimpedanz der Antenne einerseits zum Teil (z. B. von 2 auf 20 Ohm) durch den Impedanz- wandler und andererseits teilweise (z. B. von 20 auf 50 Ohm) durch das Tiefpaßfilter oder durch Tiefpaßfilter und die nachgeschalteten Stufen, z. B. Antennenschalter übernommen wird. Dabei ist die Fehlanpassung an jeweiligen Schnittstellen vom Betrag her geringer und das Übertragungsverhalten des entsprechenden Schaltungsabschnittes breitbandiger.
Dadurch, daß der Leistungsverstärker und das Tiefpaßfilter erfindungsgemäß in einem Modul realisiert sind, entfallen außerdem die später anzupassenden Schnittstellen dazwischen,
wodurch die Signalverluste in Zwischenstufen reduziert werden.
In einer vorteilhaften Variante der Erfindung ist im Signal- pfad zwischen dem Tiefpaßfilter und dem Signalausgang ein An- tennenschalter und/oder eine Frequenzweiche angeordnet . Der Antennenschalter ist vorzugsweise zwischen dem Tiefpaßfilter und der Frequenzweiche geschaltet. Alternativ dazu kann die Frequenzweiche zwischen dem Tiefpaßfilter und dem Antennen- Schalter geschaltet sein. Die Frequenzweiche kann als ein Diplexer oder ein Duplexer ausgebildet sein.
Im Signalpfad zwischen dem Signaleingang und dem Leistungsverstärker kann ein Anpassungsnetzwerk geschaltet sein. Das Anpassungsnetzwerk kann in zumindest einer Metallisierungsebene angeordnet sein.
In einer weiteren vorteilhaften Variante der Erfindung kann ein teilweise im Modul angeordneter Koppler vorgesehen sein, der in einem galvanisch vom Signalpfad des Moduls getrennten Stromkreis ist. Der Koppler, insbesondere ein Richtkoppler, dient beispielsweise zum Monitoring der Sendeleistung des Verstärkers .
Ein Koppler kann beispielsweise zwei kapazitiv gekoppelte Leitungsabschnitte (Koppelleitungen), umfassen. Alternativ kann ein Koppler auch als eine Transformatorschaltung zweier Induktivitäten ausgebildet sein. Eine der Koppelinduktivitäten oder Koppelleitungen (erstes Koppelelement) ist dabei im Signalpfad nach dem Leistungsverstärker angeordnet. Die andere, mit ihr gekoppelte Koppelinduktivität oder Koppelleitung (zweites Koppelelement) ist vorzugsweise in Serie mit einem Leistungsdetektor (z.B. einer Diode) in den Regelkreis des Leistungsverstärkers geschaltet. Dieser Leistungsdetektor kann im Chipsatz oder im Sendemodul angeordnet sein.
Die erste und die zweite Koppelinduktivität oder Koppellei-
tung können nebeneinander in der selben Metallisierungsebene oder übereinander in zumindest zwei benachbarten Metallisierungsebenen ausgebildet sein. Das erste Koppelelement kann im Tiefpaßfilter oder Impedanzwandler angeordnet sein. Eine wei- tere Möglichkeit besteht darin, daß das erste Koppelelement zwischen dem Impedanzwandler und dem Tiefpaßfilter angeordnet ist . Das erste Koppelelement kann auch dem Tiefpaßfilter nachgeschaltet sein. Bei der Ausführung des Koppelelements als Koppelleitung kann die zweite Koppelleitung gleich lang oder kürzer als die erste Koppelleitung ausgeführt sein. Die erste Koppelleitung ist vorzugsweise als eine λ/4-Leitung ausgebildet .
Der Impedanzwandler und/oder das Tiefpaßfilter kann eine oder mehrere Stufen aufweisen. Zumindest eine der Stufen kann durch einen Leitungsabschnitt oder ein Tiefpaßfilterglied realisiert sein. Die entsprechende Stufe kann alternativ durch einen Leitungsabschnitt und eine parallel dazu gegen Masse geschaltete Kapazität oder durch eine beliebige Kombination von LC-Elementen realisiert sein.
In einem weiteren erfindungsgemäßen Sendemodul kann zumindest ein mit einem zweiten Signaleingang verbundener weiterer als Sendepfad ausgebildeter Signalpfad angeordnet sein, der über den bereits genannten oder einen weiteren Antennenschalter oder über eine Frequenzweiche mit dem Signalausgang verbunden ist und im wesentlichen .die gleichem Komponenten wie der erste Signalpfad aufweist. Der erste und der zweite Sendepfad können jeweils unterschiedlichen Frequenzbändern drahtloser Kommunikationssysteme zugeordnet sein.
Die dielektrischen Schichten des Trägersubstrat sind vorzugsweise aus Keramik ausgebildet. Alternativ kann das Trägersubstrat einen gemischten Aufbau aus Keramik und Laminatschich- ten (z.B. FR4, BT, ALIVH) aufweisen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei- spielen und der dazugehörigen Figuren näher erläutert.
Figur 1 zeigt das Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen Sendemoduls mit einem Sendepfad.
Figur 2a zeigt das Blockschaltbild eines weiteren erfindungsgemäßen Sendemoduls mit zwei Sendepfaden.
Figur 2b zeigt den prinzipiellen Aufbau eines erfindungsgemäßen Sendemoduls im schematischen Querschnitt.
Figur 3 zeigt ausschnittsweise ein er indungsgemäßes Sendemodul mit einem zwischen dem Signaleingang und dem Leistungsverstärker geschalteten Anpassungsnetzwerk.
Figur 4a zeigt die Anordnung eines Kopplers mit kapazitiver Kopplung zwischen dem Impedanzwandler und dem Tiefpaßfilter.
Figur 4b zeigt die Anordnung eines Kopplers im Tiefpaßfilter.
Figur 4c zeigt die Anordnung eines Kopplers im Impedanzwandler.
Figur 5 zeigt die Anordnung eines Kopplers mit Transformatorkopplung im Tiefpaßfilter.
Figur 6 zeigt das Blockschaltbild eines weiteren erfindungs- gemäßen Sendemoduls mit drei Empfangspfaden und einem
Frontend-Teilmodul .
Figur 7 zeigt das Blockschaltbild eines weiteren erfindungsgemäßen Sendemoduls mit zwei Antennenschaltern.
Figur 1 zeigt die erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Sendemoduls SM. Das Sendemodul weist einen zwischen einem
Signaleingang IN und einem Signalausgang OUT angeordneten Signalpfad TX (Sendepfad) auf. Die Eingangsimpedanz des Sendemoduls ist Zoi. Die Ausgangsimpedanz des Sendemoduls ist Z02. Eingangsseitig ist ein Leistungsverstärker PA angeord- net. Die Ausgangsimpedanz ZPA des Leistungsverstärkers PA ist in der Regel wesentlich kleiner als seine Eingangsimpedanz, die in diesem Ausführungsbeispiel der Eingangsimpedanz des Sendemoduls Z0ι gleich ist . Ausgangsseitig ist im Sendepfad ein Tiefpaßfilter LP angeordnet. Seine Ausgangsimpedanz z'02 ist in diesem Ausführungsbeispiel gleich der Ausgangsimpedanz Z0 des Sendemoduls. Zwischen dem Ausgang des Leistungsverstärkers PA und dem Eingang des Tiefpaßfilters LP ist ein Impedanzwandler IT angeordnet, der eine Impedanztransformation von ZPA auf z'oi durchführt . ■ Der Impedanzwandler IT ist vor- zugsweise als ein Leitungsabschnitt passender Länge ausgebildet. Möglich ist es auch, den Impedanzwandler IT durch ein oder mehrere LC-Glieder auszubilden. Der Impedanzwandler führt bei einer ausgewählten Sendefrequenz eine Phasendrehung des Signals vorzugsweise um 180° durch.
Die Anpassung der Impedanz zwischen dem Ausgang des Leistungsverstärkers PA und dem Ausgang des Sendemoduls erfolgt stufenweise zuerst vom Wert ZPA auf den Zwischenwert z'0ι durch den Impedanzwandler und anschießend vom Zwischenwert z'oi auf den Wert z'02 beziehungsweise Z02 durch das Tiefpaßfilter LP.
Figur 2b zeigt den prinzipiellen Aufbau des erfindungsgemäßen Moduls im schematischen Querschnitt. Die Komponenten des Sen- demoduls sind teilweise als Chipbauelemente CB, PA-CB ausgebildet und teilweise in einem Trägersubstrat TS in Metallisierungsebenen ME, ME1, ME2 integriert. Die Metallisierungsebenen ME, ME1, ME2 sind untereinander, mit auf der Oberseite des Trägersubstrats TS angeordneten Chipbauelementen CB, PA- CB sowie mit der Platine des Mobilfunkgeräts mittels Durchkontaktierungen DK bzw. elektrischer Anschlüsse AE, ÄE1 verbunden. Das Trägersubstrat TS umfaßt zwischen den Metallisie-
rungsebenen ME, ME1 und ME2 angeordnete dielektrische Schichten DS. Die dielektrischen Schichten DS sind vorzugsweise aus Keramik ausgebildet. Die Chipbauelemente CB, PA-CB sind mit dem Trägersubstrat TS mittels der elektrischen Anschlüsse AE beispielsweise mittels einer SMD-Technik (Surface Mounted Device) oder einer anderen Verbindungstechnik, z. B. Drahtbonden oder Flip Chip Technik, verbunden. Der Leistungsverstärker PA ist im Chipbauelement PA-CB angeordnet. Das Element PA-CB ist vorzugsweise ein Halbleiterchip. Der Impedanzwand- 1er IT ist in diesem Ausführungsbeispiel in einer mittleren Metallisierungsebene ME1, die zwischen zwei dielektrischen Schichten DS angeordnet ist, realisiert. Möglich ist es auch, den Impedanzwandler IT teilweise oder komplett auf der Oberseite oder Unterseite des Trägersubstrats zu realisieren. Die Elemente des ' Impedanzwandlers IT können auch in mehreren Metallisierungsebenen ME, ME1, ME2 ausgebildet sein. Die Elemente des Tiefpaßfilters LP können auch in einer oder mehreren Metallisierungsebenen des Trägersubstrats TS realisiert sein. Alternativ kann der Impedanzwandler IT und/oder das Tiefpaßfilter LP zumindest teilweise im Chipbauelement CB ausgebildet sein. In einer weiteren Variante der Erfindung können im Chipbauelement CB auch nichtlineare und/oder aktive Elemente eines Antennenschalters angeordnet sein.
Figur 2a zeigt ein Blockschaltbild eines weiteren erfindungsgemäßen Sendemoduls SM mit zwei Sendepfaden TX und TX2. Die beiden Sendepfade sind im wesentlichen gleich (gemäß Figur 1) ausgebildet . Der Leistungsverstärker PA des ersten Sendepfades TX und der Leistungsverstärker PA2 des zweiten Sendepfa- des TX2 sind in diesem Ausführungsbeispiel zusammen in einem diskreten Bauelement beziehungsweise Chipbauelement realisiert. Die beiden Sendepfade TX, TX2 sind ausgangsseitig durch einen hier nicht dargestellten Diplexer DI zusammengeführt, wie z. B. in Figur 3 gezeigt ist. Der Diplexer DI ist in Figur 2a mit einem in Figur 3 beschriebenen Antennenschalter AS in einem vorzugsweise als diskretes Bauelement ausgebildeten Funktionsblock realisiert und ausgangsseitig mit ei-
ner Antenne verbunden. Der Antennenschalter AS schaltet je nach Betriebsmode zwischen dem ersten und dem zweiten Mobil- funkstandard, wobei der erste Mobilfunkstandard den Sendepfad TX und den Empfangspfad RX und der zweite Mobilfunkstandard den Sendepfad TX2 und den Empfangspfad RX2 für die Signal- Übertragung benutzt. Die Frequenzbänder der beiden Mobilfunkstandards sind vorzugsweise um ca. eine Oktave voneinander getrennt. Die im zweiten Sendepfad TX2 angeordneten Elemente IT2, LP2 entsprechen in ihrer Funktionsweise den Elementen IT, LP des ersten Sendepfads TX.
Der Diplexer DI, der Antennenschalter AS und die Tiefpaßfilter LP und LP2 sind in diesem Ausführungsbeispiel in einem modular aufgebauten Chipbauelement CB realisiert.
Figur 3 zeigt ausschnittsweise eine weitere Variante des erindungsgemäßen Sendemoduls, das zur Signalübertragung im Multibandbetrieb geeignet ist. Ein Diplexer DI trennt die Signale der sich z. B. um eine Oktave unterscheidenden Fre- quenzbander voneinander. In der Figur ist ein Sendepfad für ein Frequenzband (z. B. GSM 1800) dargestellt.
Der Diplexer DI besteht aus einem Tiefpaßfilter und einem Hochpaßfilter. Durch das Tiefpaßfilter des Diplexers werden z. B. Signale der Mobilfunkstandards GSM 850 und/oder GSM
900, übertragen. Durch das Hochpaßfilter des Diplexers werden Signale von zumindest zwei vorzugsweise nebeneinander liegenden Frequenzbändern, z. B. GSM 1800 und GSM 1900, übertragen. Die Empfangssignale des ersten Mobilfunksystems (GSM 1800) werden im Empfangspfad RX weiterverarbeitet. Die Empfangssignale des zweiten Mobilfunksystems (GSM 1900) werden im Empfangspfad RX1 weiterverarbeitet. Die Sendesignale der beiden genannten Mobilfunksysteme werden über den Sendepfad TX übertragen. Der Schalter AS schaltet je nach Schalterstellung zwischen dem Sendepfad TX und dem jeweiligen Empfangspfad RX beziehungsweise RX1.
Zwischen dem Signaleingang IN des Sendemoduls und dem Eingang des Leistungsverstärkers PA ist in dieser Variante der Erfindung ein Anpassungsnetzwerk MA angeordnet.
In diesem Ausführungsbeispiel erfolgt die Impedanztransformation (bzw. Impedanzanpassung) von ZPA auf Z02 in vier. Stufen - teilweise über den Impedänzwandler IT von ZPA auf z'oi, über das Tiefpaßfilter LP von z'0ι auf z'02, über den Antennenschalter AS vom Wert z'02 auf den Wert z"02 und den Diplexer DI vom Wert z"o2 auf den Wert Z02. Der an das Tiefpaßfilter des
Diplexers DI angeschlossene zweite Antennenschalter ist hier nicht dargestellt.
Figur 4a zeigt die Anordnung eines Koppler CO zwischen dem Impedanzwandler IT und dem Tiefpaßfilter LP. Der Koppler CO ist durch eine erste im Signalpfad angeordnete Koppelleitung KL1 und eine mit dieser kapazitiv gekoppelten zweite Koppel- leitung KL2 realisiert. Die zweite Koppelleitung KL2 ist zwischen elektrischen Anschlüssen AI und A2 angeordnet. Die An- Schlüsse AI und A2 können beispielsweise mit einem Signalprozessor eines Chipsatzes weiter verbunden werden. Der Koppler CO dient zur Leistungssteuerung des hier nicht dargestellten Leistungsverstärkers PA. Der Impedanzwandler IT weist im Signalpfad angeordnete Leitungsabschnitte LA1 und LA2 sowie in Parallelzweigen angeordnete Kapazitäten Cl, C2 und C3 auf. Die Leitungsabschnitte LA1, LA2 und die Kapazitäten Cl, C2 und C3 bilden zwei π-Glieder. Das Tiefpaßfilter LP besteht aus im Signalpfad angeordneten Induktivitäten L und Ll und in Parallelzweigen angeordneten Kapazitäten C4, C5 und C6. Die Induktivitäten L, Ll und die Kapazitäten C4, C5 und C6 bilden zwei π-Glieder bzw. ein Tiefpaßfilter zweiter Ordnung. Die Anzahl der π-Glieder im Impedanzwandler IT oder Tiefpaßfilter LP kann auch 1 (bevorzugte Variante) oder > 2 sein.
Figur 4b zeigt, daß der Koppler CO teilweise im Tiefpaßfilter LP angeordnet sein kann. Das Tiefpaßfilter LP weist in diesem Ausführungsbeispiel folgende Elemente auf : den Leitungsab-
schnitt LA1 und eine erste Koppelleitung KL1, die im Signal- pfad angeordnet sind, sowie die in Parallelzweigen angeordneten Kapazitäten C4, C5 und Cβ . Die zweite, mit der ersten verkoppelte Koppelleitung KL2 ist in diesem Ausführungsbei- spiel kürzer als die erste Koppelleitung KL1 ausgebildet. Möglich ist es auch, daß zwei gleich oder unterschiedlich lange Leitungen nur teilweise miteinander überlappen. Durch den Überlappungsbereich der beiden Koppelleitungen KL1 und KL2 läßt sich der Kopplungsfaktor einstellen.
In Figur 4c ist eine weitere mögliche Anordnung des Kopplers CO gezeigt. Der Koppler CO ist teilweise im Impedanzwandler IT angeordnet. Der Impedanzwandler IT weist unterschiedlich ausgebildete Stufen auf. In den Parallelzweigen sind die Ka^ pazitäten Cl, C2 und C3 angeordnet. Im Signalpfad sind in Serie geschalteter Leitungsabschnitt LA1 und eine erste Koppel- induktivität KI1 geschaltet . Der Koppler CO ist durch die erste Koppelinduktivität KI1 und eine Koppelinduktivität KI2 gebildet .
Figur 5 zeigt einen im Tiefpaßfilter LP angeordneten Koppler CO mit einer Transformatorkopplung der Koppelinduktivität KI1 und KI2, wobei in Serie mit der zweiten Koppelinduktivität KI2 eine Diode Dl geschaltet ist. Die Diode Dl ist in diesem Ausführungsbeispiel als diskretes Bauelement ausgebildet und auf der Oberseite des in dieser Figur nicht dargestellten Trägersubstrats TS angeordnet.
Der Impedanzwandler IT ist in diesem Ausführungsbeispiel durch im Signalpfad angeordnete Induktivitäten L2 und L3 sowie Kapazitäten Cl, C2 und C3 gebildet.
Die Breite der Streifenleitungen, die den Impedanzwandler IT oder die Koppelleitungen KL1, KL2 realisieren, hängt von der relativen Dielektrizitätskonstante εreι der entsprechenden dielektrischen Schicht (die zwischen der Streifenleitung und der Massefläche liegt) ab. Bei niedrigen Werten von εreι, z.
B. wenn εreι < 12 ist, muß die Leitungsbreite vergleichsweise groß gewählt werden, um die vorgegebene Leitungsimpedanz zu realisieren, wobei aufgrund der großen Leitungsbreite die Wellenmode (quasi-TEM-Welle) in der Streifenleitung beeinflußt werden kann. Daher haben in der bevorzugten Variante der Erfindung die dielektrischen Schichten, welche mit den Streifenleitungen direkt in Verbindung stehen, eine relative Dielektrizitätskonstante εreι > 12 (hochpermeable dielektrische Schichten) . In der Umgebung der hochpermeablen dielektrischen Schichten lassen sich im Prinzip beliebige in zwei übereinander angeordneten Metallisierungsebenen angeordnete, durch die entsprechende Schicht DS kapazitiv gekoppelte BauelementStrukturen (z. B. die Kapazitäten Cl - C6) mit kleinen Abmessungen realisieren.
Dagegen lassen sich die Induktivitäten (L, Ll - L3) oder die Elemente mit Transformatorkopplungen (KI1, KI2) am besten in der Umgebung von dielektrischen Schichten mit einer niedrigen relativen Dielektrizitätskonstante εreι < 12 realisieren.
Daher können im Aufbau des erfindungsgemäßen Moduls dielektrische Schichten DS mit unterschiedlichen dielektrischen Eigenschaften vorgesehen sein. Die hochpermeablen dielektrischen Schichten bilden vorzugsweise die oberen Schichten des erfindungsgemäßen Moduls. Möglich ist aber auch, daß die hochpermeablen dielektrischen Schichten im unteren Bereich des Moduls angeordnet sind. Möglich ist es auch, die dielektrischen Schichten mit unterschiedlichem εreι in beliebiger Folge übereinander anzuordnen.
In Figur 6 ist eine weitere Variante des erfindungsgemäßen Sendemoduls SM vorgestellt, welches mit einem Chipsatz CS des Endgeräts verschaltet ist. Das Sendemodul SM ist für Multi- band-Betrieb (z. B. für Mobilfunk-Standards GSM900, GSM1800, GSM1900) ausgelegt und enthält neben oben schon genannten, im Sendepfaden TX (GSM900) bzw. TX2 (GSM1800/1900) geschalteten Komponenten (PA-CB, IT, LP, DI, AS) auch drei Empfangspfade
RX (GSM900) , RX1 (GSM1800) und RX2 (GSM1900) . In dem jeweiligen Empfangspfad ist ein Bandpaßfilter angeordnet, wobei alle Bandpaßfilter vorzugsweise in einem Chip-Bauelement realisiert sind, welches ein Frontend-Teilmodul FEM bildet. Das Frontend-Teilmodul FEM ist vorzugsweise auf der Oberseite des Trägersubstrats TS des Sendemoduls SM angeordnet und mit dem Trägersubstrat TS sowohl elektrisch als auch mechanisch fest verbunden. Das Frontend-Teilmodul FEM ist über den Eingang INI des Sendemoduls mit den entsprechenden rauscharmen Ver- stärkern (LNA, Low Noise Amplifier) , die im Chipsatz CS angeordnet sind, elektrisch verbunden.
Die erfindungsgemäße Verwendung eines Frontend-Teilmoduls in einem Sendemodul hat den Vorteil, daß die Länge der Zuleitun- gen zwischen den Schaltungskomponenten auf der Empfangsseite (verglichen mit einem Frontendmodul, das separat ausgebildet ist) verkürzt und besser kontrollierbar ist. Die thermische Entkopplung des Frontend-Teilmoduls insbesondere vom Leistungsverstärker-Teilmodul gelingt durch Wärmesenken oder durch eine geeignete Formgebung bei Ausbildung des Trägersubstrats TS. Die elektrische Entkopplung der beiden Teilmodule ist durch herkömmliche Abschirmelemente möglich.
Die Impedanzwaήdler IT, IT2 und die Tiefpaßfilter LP, LP2 sind wie in der Figur durch ein Rechteck angedeutet in einem Chip-Bauelement oder alternativ im Trägersubstrat TS realisiert . Die Frequenzweiche DI und der Antennenschalter AS können wie angedeutet in einem Chip-Bauelement realisiert sein. Es besteht auch die Möglichkeit, die Frequenzweiche DI zumin- dest teilweise im Trägersubstrat TS zu integrieren. Der Antennenschalter AS ist mit dem Halbleiterchip PA-CB (Leistungsverstärker-Teilmodul) über den Pfad RK rückgekoppelt (Leistungssteuerung) .
Es ist möglich, die hier vorgestellten, im Sendepfad angeordneten Komponenten in einem Chip-Bauelement zu realisieren bzw. beliebig miteinander zu kombinieren. Beispielsweise ist
es möglich, die Leistungsverstärker PA, PA2 und den Antennenschalter AS in einem gemeinsamen Chip-Bauelement zu realisieren.
Figur 7 zeigt das Blockschaltbild eines weiteren erfindungs- gemäßen Sendemoduls, das antennenseitig einen im Trägersubstrat integrierten Diplexer DI (Frequenzweiche) aufweist. Der Diplexer trennt Signale der Mobilfunk-Standrads, die sich um ca. eine Oktave unterscheiden (Z. B. GSM850/GSM900 und GSM1800/GSM1900) . Der Sende- oder Empfangspfad TX bzw. RX (o- der TX2 bzw. RX2) wird in unterschiedlichen Zeitschlitzen e- lektrisch über Antennenschalter AS1 (bzw.. AS2) mit dem Eingang des Diplexers DI verbunden.
Die Antennenschalter AS, AS1 und AS2 können jeweils CMOS-
Schalter, ein GaAs-Schalter oder ein Schalter auf der Basis der PIN-Dioden sein, die als Bare-Die oder SMD-Chipbauelemente (SMD = Surface Mounted Device) ausgebildet sind.
Der erste und/oder der zweite Sendepfad kann jeweils zumindest zwei unterschiedlichen Mobilfunk-Standards (z. B. GSM850/GSM900, oder GSM1800/GSM1900/UMTS) zugeordnet sein.
Neben den in den Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren vorgestellten Verwirklichungen umfaßt die Erfindung noch eine Reihe weiterer Kombinationen, die durch Weglassen einzelner Komponenten oder' durch Kombination einzelner Komponenten der beschriebenen Ausführungsbeispiele erhalten werden können. Die Erfindung ist auch nicht auf einen bestimmten Frequenzbereich beschränkt .