一定数の実装によれば、本開示は、無線周波数(RF)入力信号を受信するべく構成された第1端子と、増幅されたRF信号を送信のため第1アンテナへと与えるべく構成された第2端子と、当該RF入力信号を増幅するべく構成された増幅器回路、及び当該第1端子に電気的に接続された入力パッドを含む電力増幅器ダイであって、出力整合ネットワークが除外された電力増幅器ダイと、当該電力増幅器の出力インピーダンスの、当該アンテナの入力インピーダンスへの変換と、当該第1アンテナが当該第1アンテナの送信中に受信する信号のブロックとを並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体を含むフィルタダイと、当該出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体の入力を当該増幅器回路の出力に電気的に接続し、かつ、当該出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体の出力を当該第2端子に電気的に接続するべく構成された複数の相互接続部とを含むモジュールに関する。
いくつかの実施形態において、RF入力信号は第1基本周波数を有し、被ブロック信号は第2基本周波数を有する。他実施形態において、被ブロック信号は、第1アンテナに物理的に密に近接する第2アンテナによって送信される。さらなる実施形態において、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体は、第2基本周波数を有する信号が増幅器回路へと進行するのをブロックすることにより、第1アンテナからの再放射による第1及び第2基本周波数の相互変調積を防止するべく構成される。一実施形態において、無線携帯デバイスが当該モジュールを含む。
いくつかの実装において、本開示は、無線周波数(RF)信号を受信及び送信するべく構成されたアンテナと、RF入力信号を増幅するべく構成された電力増幅器であって、当該RF入力信号を受信するべく構成された入力、及び増幅されたRF信号を与えるべく構成された出力を含む電力増幅器と、当該増幅されたRF信号を送信のため当該アンテナへと通過させるべく構成された送信/受信スイッチと、当該電力増幅器の出力と当該アンテナとの間に電気的に接続されて並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタ回路とを含む無線携帯デバイスに関する。ここで、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路は、送信/受信スイッチが送信に構成された場合、電力増幅器の出力インピーダンスをアンテナの入力インピーダンスへと変換し、それと並列して当該アンテナが受信した信号をブロックするべく構成される。
いくつかの実施形態において、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路は第1ダイに実装され、電力増幅器は第2ダイに実装される。他実施形態において、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の受動コンポーネントは、集積受動デバイス(IPD)技術を使用して実装される。さらなる実施形態において、インピーダンス整合機能は、電力増幅器ダイ上の回路から除外される。なおもさらなる実施形態において、第2ダイは、シリコンゲルマニウム(SiGe)技術を使用して作製される。
いくつかの実装によれば、本開示は、並列に接続されて第1端子及び共通端子を含む第1並列結合体を形成する第1インダクタ及び第1キャパシタと、並列に接続されて第2端子及び当該共通端子を含む第2並列結合体を形成する第2インダクタ及び第2キャパシタとを含む装置に関する。ここで、第1並列結合体は、共通端子において第2並列結合体と直列に接続される。装置はさらに、第3インダクタと直列に接続された第3キャパシタと、第1並列結合体の第1端子と接地との間に接続された第4インダクタと、第2並列結合体の第2端子と接地との間に接続された第5インダクタとを含む。ここで、第3キャパシタと第3インダクタとの直列結合体は、共通端子と接地との間に結合される。
いくつかの実施形態において、第1及び第2キャパシタと、第1、第2、第3、第4及び第5インダクタとが、並列機能を有するインピーダンス整合ネットワーク及びフィルタの結合体を形成する。他実施形態において、インピーダンス整合ネットワーク及びフィルタの結合体は、第1端子における出力インピーダンスを第2端子における入力インピーダンスへと変換し、それと並列して当該第2端子から当該第1端子へと伝播する第2信号をフィルタリングするべく構成される。さらなる実施形態において、インピーダンス整合ネットワーク及びフィルタの結合体は、電力増幅器の出力インピーダンスを、増幅された無線周波数信号を送信するべく構成されたアンテナの入力インピーダンスに整合させるべく変換する。
いくつかの実施形態において、無線周波数信号は第1基本周波数を有し、第2信号は、第2基本周波数を有し、アンテナによって、当該アンテナの当該無線周波数信号の送信中に受信される。他実施形態において、第1及び第2キャパシタと、第1、第2、第3、第4及び第5インダクタとが、集積受動デバイス(IPD)技術を使用して実装される。一実施形態において、無線携帯デバイスが当該装置を含む。
一定数の教示において、本開示は、無線周波数(RF)出力信号における相互変調積を低減する方法に関する。方法は、動作周波数帯域に第1基本周波数を有するRF信号を、無線周波数(RF)経路に沿って電力増幅器回路への入力において受信することと、当該RF信号を増幅し、増幅されたRF信号を当該RF経路においてアンテナによる送信のために与えることと、当該電力増幅器のインピーダンスを当該アンテナのインピーダンスに整合させるのと並列して、当該アンテナが当該アンテナの送信時に受信する第2基本周波数を有する信号をブロックし、当該アンテナからの再放射による当該第1及び第2基本周波数の相互変調積を抑制することとを含む。ここで、整合及びブロックは、結合された整合及びブロック機能を有する単一の回路によって並列して行われる。いくつかの実施形態において、インピーダンスを整合させることは、電力増幅器の出力インピーダンスをアンテナの入力インピーダンスに変換することを含み、信号をブロックすることは、当該アンテナから当該電力増幅器へのRF経路に沿って伝播する信号をフィルタリングすることを含む。
いくつかの実装において、本開示は、無線周波数(RF)入力信号を受信するべく構成された第1端子と、増幅されたRF信号を送信のためアンテナへと与えるべく構成された第2端子と、当該RF入力信号を増幅するべく構成された増幅器回路、及び当該第1端子に電気的に接続された入力パッドを含む第1ダイと、当該増幅器回路の出力インピーダンスを変換するべく構成された出力整合ネットワークを含む第2ダイと、当該出力整合ネットワークの入力を当該増幅器回路の出力に電気的に接続し、当該出力整合ネットワークの出力を当該第2端子に電気的に接続するべく構成された複数の相互接続部とを含むモジュールに関する。
いくつかの実施形態において、出力整合ネットワークは、増幅器回路の出力インピーダンス変換と、アンテナが当該アンテナの送信中に受信する信号のブロックとを並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体を含む。他実施形態において、増幅器回路は電力増幅器回路を含む。さらなる実施形態において、出力整合ネットワークの受動コンポーネントは、集積受動デバイス(IPD)技術を使用して実装される。なおもさらなる実施形態において、第1ダイは、シリコンゲルマニウム(SiGe)技術を使用して作製される。
いくつかの実装によれば、本開示は、無線周波数(RF)信号を受信及び送信するべく構成されたアンテナと、増幅されたRF信号を送信のため当該アンテナへと通過させるべく構成された送信/受信スイッチと、RF入力信号を受信するべく構成された第1端子、当該RF入力信号を増幅するべく構成された増幅器回路と当該第1端子に電気的に接続された入力パッドとを含む第1ダイ、当該増幅器回路の出力インピーダンスを変換するべく構成された出力整合ネットワークを含む第2ダイ、増幅されたRF信号を当該送信/受信スイッチに与えるべく構成された第2端子、及び、当該出力整合ネットワークの入力を当該増幅器回路の出力に電気的に接続し、当該出力整合ネットワークの出力を当該第2端子に電気的に接続するべく構成された複数の相互接続部を含むモジュールとを含む無線携帯デバイスに関する。
いくつかの実施形態において、出力整合ネットワークは、送信/受信スイッチが送信に構成された場合、増幅器回路の出力インピーダンスの変換とアンテナが受信する信号のブロックとを並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体を含む。他実施形態において、増幅器回路は電力増幅器回路を含む。さらなる実施形態において、出力整合ネットワークの受動コンポーネントは、集積受動デバイス(IPD)技術を使用して実装される。なおもさらなる実施形態において、第1ダイは、シリコンゲルマニウム(SiGe)技術を使用して作製される。
一定数の実装において、本開示は、無線周波数(RF)入力信号を受信するべく構成された第1端子と、増幅されたRF信号を送信のため第1アンテナに与える第2端子と、当該RF入力信号を増幅するべく構成された増幅器回路と、当該第1端子と当該増幅器回路の入力とに電気的に接続された入力パッドと、当該第1アンテナの送信中に当該増幅器回路の出力インピーダンスの変換と当該第1アンテナが受信する信号のブロックとを並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体と、当該出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体の入力を当該増幅器回路の出力に電気的に接続し、当該出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体の出力を当該第2端子に電気的に接続するべく構成された複数の相互接続部とを含むモジュールに関する。
いくつかの実施形態において、第1ダイは増幅器回路を含むが出力整合ネットワークを含まず、第2ダイが、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体を含む。他実施形態において、増幅器回路は電力増幅器回路を含む。さらなる実施形態において、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の受動コンポーネントは、集積受動デバイス(IPD)技術を使用して実装される。なおもさらなる実施形態において、RF入力信号は第1基本周波数を有し、被ブロック信号は第2基本周波数を有する。
いくつかの実施形態において、被ブロック信号は、第1アンテナに物理的に密に近接する第2アンテナによって送信される。他実施形態において、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体は、第2基本周波数を有する信号が増幅器回路へと進行するのをブロックし、第1アンテナからの再放射による第1及び第2基本周波数の相互変調積を防止するべく構成される。
一定数の実装によれば、本開示は、RF入力信号を受信するべく構成された入力端子と、当該RF入力信号の増幅されたバージョンを与えるべく構成された出力端子と、当該RF入力信号を増幅するべく構成された増幅器回路を含む第1半導体ダイと、当該第1半導体ダイと当該出力端子との間に電気的に接続され、当該増幅器回路の出力インピーダンスの、アンテナの入力インピーダンスへの変換と、当該第2端子において受信されるアンテナ反射のブロックとを並列して行うべく構成された当該第1半導体ダイとは別個の第1回路とを含むRF電力増幅器モジュールに関する。
一実施形態において、第1回路は、共通パッケージに含まれた複数の集積受動デバイスを含む。他実施形態において、第1回路は、複数の表面搭載デバイスを含む。さらなる実施形態において、第1回路は、第1半導体ダイとは別個の第2半導体ダイに実装される。なおもさらなる実施形態において、第1半導体ダイは出力整合ネットワークを含まない。
一実施形態において、第1回路は、増幅器回路の出力インピーダンスの、近似的に6オームから近似的に50オームへの変換と、第2端子において受信されるアンテナ反射のブロックとを並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタの並列体を含む。他実施形態において、第1半導体ダイは、増幅器回路の出力インピーダンスを近似的に6オームから近似的に12オームへと変換するべく構成された第1出力整合ネットワークを含む。さらなる実施形態において、第1回路は、第1出力整合ネットワークの出力インピーダンスの、近似的に12オームから近似的に50オームへの変換と、第2端子において受信されるアンテナ反射のブロックとを並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体を含む。
一実施形態において、第1回路は、並列に接続されて当該第1回路の入力と共通端子との間に第1並列結合体を形成する第1インダクタ及び第1キャパシタと、並列に接続されて当該の第1回路の出力と当該共通端子との間に第2並列結合体を形成する第2インダクタ及び第2キャパシタとを含み、当該第1並列結合体は、当該共通端子において当該第2並列結合体と直列に接続される。他実施形態において、第1回路はさらに、第3インダクタと直列に接続された第3キャパシタを含み、当該第3キャパシタ及び第3インダクタの直列結合体が共通端子と接地との間に結合される。さらなる実施形態において、第1回路はさらに、当該第1回路の入力と接地との間に接続された第4インダクタと、当該第1回路の出力と接地との間に接続された第5インダクタとを含む。
いくつかの実装において、本開示は、RF信号を受信及び送信するべく構成されたアンテナと、RF出力信号を送信のため当該アンテナへと通過させるべく構成された送信/受信スイッチと、RF入力信号を受信するべく構成された入力端子、当該RF入力信号の増幅されたバージョンを与えるべく構成された出力端子、当該RF入力信号を増幅するべく構成された増幅器回路を含む第1半導体ダイ、及び、当該第1半導体ダイとは別個の第1回路であって、当該第1半導体ダイと当該出力端子との間に電気的に接続され、当該送信/受信スイッチが送信に構成された場合に当該増幅器回路の出力インピーダンスの変換と当該第2端子において受信されるアンテナ反射のブロックとを並列して行うべく構成された第1回路を含むRF電力増幅器モジュールとを含む無線携帯デバイスに関する。
一実施形態において、第1回路は、共通パッケージに含まれた複数の集積受動デバイスを含む。他実施形態において、第1半導体ダイは出力整合ネットワークを含まない。さらなる実施形態において、第1回路は、増幅器回路の出力インピーダンスの、近似的に6オームから近似的に50オームへの変換と、第2端子において受信されるアンテナ反射のブロックとを並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体を含む。なおもさらなる実施形態において、第1半導体ダイは、増幅器回路の出力インピーダンスを近似的に6オームから近似的に12オームへと変換するべく構成された第1出力整合ネットワークを含む。他実施形態において、第1回路は、第1出力整合ネットワークの出力インピーダンスの、近似的に12オームから近似的に50オームへの変換と、第2端子において受信されるアンテナ反射のブロックとを並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体を含む。
いくつかの実装によれば、本開示は、RF出力信号における相互変調を低減する方法に関する。方法は、動作周波数帯域に第1基本周波数を有するRF入力信号を、RF経路に沿って電力増幅器回路への入力において受信することと、当該RF信号を増幅し、当該RF入力信号の増幅されたバージョンを当該RF経路におけるアンテナによる送信のために与えることと、当該電力増幅器回路の出力インピーダンスを変換して当該アンテナの入力インピーダンスに近似させるのと並列して、当該アンテナが当該アンテナの送信時に受信する第2基本周波数を有する信号をブロックし、当該アンテナからの再放射による当該第1及び第2基本周波数の相互変調を抑制することとを含む。ここで、当該変換及びブロックは、当該RF信号を増幅するべく構成された電力増幅器回路とは別個の、並列する変換及びブロック機能を有する単一回路によって行われる。
一実施形態において、電力増幅器回路は第1半導体ダイに実装され、単一回路は当該第1半導体ダイには実装されない。他実施形態において、単一回路は、第1半導体ダイとは別個の第2半導体ダイに実装される。
一定数の実装によれば、本開示は、RF入力信号を受信するべく構成された入力端子と、当該RF入力信号の増幅されたバージョンを与えるべく構成された出力端子と、当該RF入力信号を増幅するべく構成された増幅器回路を含む第1半導体ダイと、第1部分OMN及び第2部分OMNを含むOMNとを含むRF電力増幅器モジュールに関する。ここで、第1部分OMNは、第1半導体ダイに載置されて増幅器回路の出力インピーダンスを第2部分OMNの入力インピーダンスに整合させるべく構成され、第2部分OMNは、当該第1半導体ダイと出力端子との間に電気的に接続されて当該第1部分OMNの出力インピーダンスを下流側コンポーネントの入力インピーダンスに整合させるべく構成される。
一実施形態において、第2部分OMNは、共通パッケージに含まれた複数の集積受動デバイスを含む。他実施形態において、第2部分OMNは複数の表面搭載デバイスを含む。さらなる実施形態において、第2部分OMNは、第1半導体ダイとは別個の第2半導体ダイに実装される。さらなる実施形態において、下流側コンポーネントは、携帯デバイスのアンテナである。
一実施形態において、第2部分OMNは、第1OMNの出力インピーダンスの、下流側コンポーネントの入力インピーダンスへの整合と、出力端子において受信されるアンテナ反射のフィルタリングとの双方を並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体の一部である。他実施形態において、第1部分OMNは、電力増幅器回路の出力インピーダンスを、初期値から、下流側コンポーネントの入力インピーダンスの近似的に10%から50%の間にあるステップアップ値へとステップアップするべく構成される。さらなる実施形態において、初期値は近似的に6オームであり、ステップアップ値は近似的に12オームである。なおもさらなる実施形態において、下流側コンポーネントの入力インピーダンスは近似的に50オームである。
一実施形態において、モジュールはさらに、第1ダイとは別個のフィルタ回路であって、当該第1ダイと出力端子との間に電気的に接続され、当該出力端子において受信されるアンテナ反射をブロックするべく構成されたフィルタ回路を含む。他実施形態において、第2部分OMN及びフィルタ回路は、第1半導体ダイとは別個の第2半導体ダイに実装される。
いくつかの実装において、本開示は、RF信号を受信及び送信するべく構成されたアンテナと、RF出力信号を送信のため当該アンテナへと通過させるべく構成された送信/受信スイッチと、RF入力信号を受信するべく構成された入力端子、当該RF入力信号の増幅されたバージョンを与えるべく構成された出力端子、当該RF入力信号を増幅するべく構成された増幅器回路を含む第1半導体ダイ、並びに第1部分OMN及び第2部分OMNを含むOMNを含むRF電力増幅器モジュールとを含む無線携帯デバイスに関する。ここで、第1部分OMNは、第1半導体ダイに載置されて増幅器回路の出力インピーダンスを第2部分OMNの入力インピーダンスに整合させるべく構成され、第2部分OMNは、当該第1半導体ダイと当該出力端子との間に電気的に接続されて当該第1部分OMNの出力インピーダンスを下流側コンポーネントの入力インピーダンスに整合させるべく構成される。
一実施形態において、第2部分OMNは、第1半導体ダイとは別個の第2半導体ダイに実装される。他実施形態において、第2部分OMNは、第1OMNの出力インピーダンスの、下流側コンポーネントの入力インピーダンスへの整合と、当該出力端子において受信されるアンテナ反射のフィルタリングとの双方を並列して行うべく構成された出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体の一部である。さらなる実施形態において、第1部分OMNは、電力増幅器回路の出力インピーダンスを、初期値から、下流側コンポーネントの入力インピーダンスの近似的に10%から50%の間にあるステップアップ値へとステップアップさせるべく構成される。
なおもさらなる実施形態において、RF電力増幅器モジュールはさらに、第1ダイとは別個のフィルタ回路であって、当該第1ダイと出力端子との間に電気的に接続され、当該出力端子において受信されるアンテナ反射をブロックするべく構成されたフィルタ回路を含む。一実施形態において、第2部分OMN及びフィルタ回路は、第1半導体ダイとは別個の第2半導体ダイに実装される。
いくつかの実装によれば、本開示は、RF出力信号における相互変調を低減する方法に関する。方法は、動作周波数帯域に第1基本周波数を有するRF入力信号を、RF経路に沿って電力増幅器回路への入力において受信することと、当該RF信号を増幅し、当該RF入力信号の増幅されたバージョンを当該RF経路におけるアンテナによる送信のために与えることであって、第1半導体ダイに実装された増幅回路が当該RF信号を増幅するべく構成されることと、当該電力増幅器回路の出力インピーダンスを、第1部分OMN及び第2部分OMNを含むOMNを有する下流側コンポーネントの入力インピーダンスに整合させることとを含み、当該第1部分OMNは当該第1半導体ダイに載置され、当該整合させることは、当該増幅器回路の出力インピーダンスを、当該第2部分OMNの入力インピーダンスに整合させることと、当該第1部分OMNの出力インピーダンスを当該下流側コンポーネントの入力インピーダンスに整合させることとを含む。
一実施形態において、方法はさらに、アンテナが当該アンテナの送信中に受信する第2基本周波数を有する信号をブロックし、当該アンテナからの再放射による当該第1及び第2基本周波数の相互変調を抑制することを含む。他実施形態において、ブロックすることは、第1部分OMNの出力インピーダンスを下流側コンポーネントの入力インピーダンスに整合させることと並列して行われる。
システム及び方法の特徴が、上述の要約された図面を参照して以下に説明される。図面全体にわたり、参照番号は、参照要素間の対応関係を示すべく再使用される。図面、関連記載、及び特定の実装が、本発明の実施形態を例示するべく与えられるが、本開示の範囲を限定するものではない。
図1は、デバイス100における多重送信経路の典型的なブロック図である。デバイス100は例えば、一を超える周波数帯域で動作する多重帯域携帯デバイスを含み得る。かかるデバイスは、各周波数帯域での送信のために別個の送信経路を含む。他例において、デバイス100は、そのセルラーネットワークの周波数帯域にわたる送信のための送信経路を有し、かつ、当該セルラーネットワークとは異なる周波数で動作するローカルネットワークへの送信のための別個の送信経路を有するスマートフォンのようなセルラーデバイスを含み得る。
デバイス100は、第1送信経路115及び第2送信経路125を含む。他実施形態は、2つよりも多い又は少ない送信経路115、125を含み得る。第1送信経路115は、第1送信器102、フィルタ104、第1電力増幅器106、フィルタ108及び第1アンテナ110を含み、第2送信経路125は、第2送信器112、第2電力増幅器116及び第2アンテナ120を含む。
第1送信器102は、第1周波数の又は第1周波数帯域にわたる第1送信信号を生成する。これは、フィルタ104によってフィルタリングされて第1電力増幅器106により増幅される。第1電力増幅器106からの増幅された信号は、フィルタ108によってフィルタリングされて送信のため第1アンテナ110へと送られる。
同様に、第2送信器112は、第2周波数の又は第2周波数帯域にわたる第2送信信号を生成する。これは、第2電力増幅器116によって増幅されて送信のため第2アンテナ120へと送られる。一実施形態において、第1及び第2周波数は異なり、第1及び第2周波数帯域は異なりかつ重複しない。
携帯デバイス、セル電話、スマートフォン等は典型的に、小型デバイスである。これらのデバイスのパッケージング内ではコンポーネントが互いに密に配置される場合が多い。一実施形態において、第1送信経路115及び第2送信経路125は、デバイス100内に一緒に配置され、第1アンテナ110及び第2アンテナ120はともに密に配置され得る。一実施形態において、第1及び第2アンテナ110、120は、互いに数センチメートル内に配置され得る。
アンテナ110、120が物理的に互いに密になると、第1アンテナ110が送信する第1周波数を有する信号が、所定実施形態においては第2アンテナ120へと結合される。アンテナ110及び120が互いに密に配置されるほど、その結合は強くなる。第1周波数を有する信号は、ひとたび第2アンテナ120によって受信されると、第2電力増幅器116へと進み、第2周波数を有する第2送信信号と混合される。第1及び第2信号の混合は、例えば(±f1±f2)、(±f1±2f2)、(±2f1±f2)、(±2f1±2f2)、…、(±mf1±nf2)の周波数を有する相互変調積をもたらす。相互変調信号はその後、第1アンテナ110及び第2アンテナ120の一以上を介して再放射され、他の周波数において干渉を引き起こし得る。
図2は、外部アンテナからの信号をブロックするべく構成されたフィルタ206を含むRF送信経路200の典型的なブロック図である。RF送信経路200は、電力増幅器集積回路(IC)202、入力チューニング回路204、フィルタ206、出力チューニング回路208、スイッチ/低ノイズ増幅器(LNA)回路210、及びアンテナ212を含む。一実施形態において、フロントエンドモジュールのようなモジュール201は例えば、電力増幅器集積回路(IC)202、入力チューニング回路204、フィルタ206、出力チューニング回路208及びスイッチ/低ノイズ増幅器(LNA)回路210を含む。一実施形態において、外部アンテナは、デバイス100内の一緒に配置された共通送信経路からのアンテナのような、RF送信経路200の外部にあるアンテナを含む。これは、RF送信信号の送信中にアンテナ212への信号結合を行う。一実施形態において、RF送信信号の送信中にアンテナ212に到達する外部アンテナからの信号は、外部ブロック信号を含む。
電力増幅器集積回路(IC)202は、電力増幅器ダイ上に集積された電力増幅器214及び出力整合ネットワーク(OMN)216を含む。電力増幅器214は、一以上の増幅器段を含み、RF送信信号を増幅するべく構成される。
OMN216は、電力増幅器214の出力インピーダンスを、アンテナ212の入力インピーダンスへと変換する。一実施形態において、電力増幅器214の出力インピーダンスは近似的に6オームであり、アンテナの入力インピーダンスは近似的に50オームであり、OMN216はインピーダンスを近似的に6オームから近似的に50オームへと変換する。
一実施形態において、電力増幅器IC202は、電力増幅器214のような能動デバイスと、OMN216のコンポーネントのような受動デバイスとを含む。電力増幅器214は典型的に、例えばシリコンゲルマニウム(SiGe)、相補型金属酸化物半導体(CMOS)、ガリウムヒ素(GaAs)、シリコンカーバイド(SiC)又は他の半導体材料のような損失性集積回路基板上に実装される。受動コンポーネントはまた、損失性集積回路基板上に実装される場合、損失性集積回路基板に関連する大きな損失を受ける。
図3は、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む典型的な出力整合ネットワーク300の回路図である。OMN300は、典型的には電力増幅器IC202上にOMN216として実装される出力整合ネットワークの一例である。他実施形態は、ここでの開示から当業者に知られるように、OMN300よりも多い又は少ないコンポーネントを含み得る。
図2を参照すると、フィルタ206の入力インピーダンスは近似的に50オームであり、一実施形態において、外部アンテナからアンテナ212に到達した外部ブロック信号が送信経路200を通って電力増幅器214へと逆方向に伝播するのを防止する。一実施形態において、フィルタ206は高域通過フィルタを含む。
図4は、キャパシタ及び抵抗器を含む典型的な高域通過フィルタ回路402の回路図である。他実施形態において、フィルタ206は、低域通過フィルタ、帯域通過フィルタ又は帯域阻止フィルタを含み得る。他実施形態において、フィルタ206は、ここでの開示から当業者に知られるように、2を超えるコンポーネント又は2未満のコンポーネントを含み得る。一実施形態において、フィルタ206、402は、低温同時焼成セラミック(LTCC)受動コンポーネントを使用する個別的なデバイス、外部の個別的な集中素子コンポーネント等、又は集積受動デバイス(IPD)等として実装される。別個の回路として実装されるフィルタ206は、有意な基板面積を使用して信号損失を導入する。これが、電力消費の増加をもたらす。
一実施形態において、フィルタ206のインピーダンスは、正確に50オームというわけではなく、インピーダンスをチューニングするべくフィルタ206の入力及び出力において整合コンポーネントが使用される。入力チューニング回路204がフィルタ206の入力における整合コンポーネントを含み、出力チューニング回路208がフィルタ206の出力における整合コンポーネントを含む。一実施形態において、入力チューニング回路206は少なくとも2つの受動コンポーネントを含み、出力チューニング回路は少なくとも2つの受動コンポーネントを含む。
スイッチ/LNA回路210は、近似的に50オームの入力インピーダンスを有し、低ノイズ増幅器(LNA)218と、デバイス100の送信モードと受信モードとを切り替えるべく構成されたスイッチ220とを含む。スイッチ220が受信モードに構成されると、アンテナ212で受信される信号は、LNA218を通って受信経路へと向かう。スイッチ220が送信モードに構成されると、送信経路200におけるRF送信信号は、増幅、フィルタリング及びチューニングが完了してから、送信のためアンテナ212へと通される。
フィルタ206は、一緒に配置された送信経路からアンテナ212に到達した信号をブロックする一方で、付加的なチューニング回路を使用するので、かさばり、回路基板上に実装するには費用がかかる可能性がある。さらに、電力増幅器及びOMN集積回路202は、電力増幅器214を実装する技術を利用するが、OMN216の受動コンポーネントを実装するべく使用されると付加的な信号損失が加わる。
図5Aは、電力増幅器IC502、入力チューニング回路504、フィルタ506、出力チューニング回路508、スイッチ/LNA回路210及びアンテナ212を含むRF送信経路500の典型的なブロック図である。電力増幅器IC502は電力増幅器514を含む。電力増幅器514は、一以上の増幅器段を含み、RF送信信号を増幅するべく構成される。
一実施形態において、フロントエンドモジュールのようなモジュール501は、電力増幅器IC502、入力チューニング回路504、フィルタ506、出力チューニング回路508及びスイッチ/LNA回路210を含む。他実施形態において、モジュール501は、電力増幅器IC502、入力チューニング回路504、フィルタ506及び出力チューニング回路508を含む。さらなる実施形態において、モジュール501は、電力増幅器IC502、入力チューニング回路504及びフィルタ506を含む。さらなる実施形態において、モジュール501は電力増幅器IC502及びフィルタ506を含む。
フィルタ506は、RF信号がRF送信経路500に沿って電力増幅器514からアンテナ212へと伝播するときにRF送信経路500のインピーダンスを変換するべく、かつ、それと並列して外部アンテナから受信された信号がアンテナ212から電力増幅器514へとRF送信経路500に沿って進むのをブロックするべく構成される。
電力増幅器IC502への入力は、RF送信器からのRF送信信号を受信する。電力増幅器IC502の出力は、入力チューニング回路504を介してフィルタ506の入力に電気的に結合される。フィルタ506の出力は、スイッチ/LNA210の入力に電気的に結合される。スイッチ220が送信モードにある場合、スイッチ/LNA210の出力がアンテナ212に電気的に結合され、増幅及びフィルタリングがされたRF送信信号が、アンテナ212によって送信される。
電力増幅器集積回路(IC)502は、電力増幅器ダイ上に集積された電力増幅器514を含む。電力増幅器514は、例えばSiGe、CMOS、GaAs、SiC又は他の半導体材料のような損失性集積回路基板上に実装される。電力増幅器IC202とは対照的に、OMNは、電力増幅器ダイから移動されてフィルタ506の中に実装される。電力増幅器IC502の出力インピーダンスは近似的に6オームである。有利なことに、OMNが取り外された電力増幅器ダイは、OMNを含む電力増幅器ダイよりも小さくかつ低コストである。
フィルタ506は、OMN及びフィルタの並列体と称され、並列機能を有する整合ネットワーク及びフィルタの結合体を含む。OMN及びフィルタの並列体506は、インピーダンス整合及びフィルタリングを並列して実装するべく構成される。なお、OMN及びフィルタの並列体506は、フィルタが後続された直列OMNではない。フィルタ及びOMNは、コンポーネントが整合コンポーネント及びフィルタリングコンポーネントとして並列して機能するように結合される。フィルタがOMNの一部となりかつOMNがフィルタの一部となることにより、全体的な信号損失は、OMN及びフィルタが別個に実装される場合に生じる損失よりも小さくなる。さらに、OMN及びフィルタの並列体506のサイズは、別個に実装されたOMN及びフィルタの結合サイズよりも小さい。
一実施形態において、OMN及びフィルタの並列体506は、6オームから50オームのインピーダンス整合及び高域通過フィルタリングを並列して実装するべく構成される。他実施形態において、OMN及びフィルタの並列体506は、近似的に6オーム未満、近似的に6オーム超過、近似的に50オーム未満、又は近似的に50オーム超過のソースインピーダンスと負荷インピーダンスとのインピーダンス整合を実装し、それと並列してフィルタリング又は信号コンディショニングを実装する。ここで、OMN及びフィルタの並列体506は、高域通過フィルタ、低域通過フィルタ、帯域通過フィルタ又は帯域阻止フィルタを含み得る。
一実施形態において、OMN及びフィルタ506は、第1段及び第2段を含む。第1段は、近似的に6オームのインピーダンスを、近似的に12オームのインピーダンスへと変換するべく構成され、低域通過フィルタの第1部分を含む。第2段は、近似的に12オームのインピーダンスを、近似的に50オームのインピーダンスへと変換するべく構成され、当該低域通過フィルタの第2部分を含む。その結果、OMN及びフィルタ506は、信号のインピーダンスを、近似的に6オームから近似的に50オームへと変換するとともに、当該信号の低域通過フィルタリングを行う。
一実施形態において、各段は、第1部分OMNが、電力増幅器回路の出力インピーダンスを、初期値から、下流側コンポーネントの入力インピーダンスの近似的に10%から50%の間にあるのが好ましいステップアップ値へとステップアップさせるべく構成される部分OMNを形成する。他実施形態において、ステップアップ値は、下流側コンポーネントの入力インピーダンスの5%〜95%、10%〜80%、15%〜75%、20%〜60%、30%〜40%等である。他実施形態において、ステップアップ値に対して他の範囲も使用できる。一実施形態において、第2部分OMNが、第1部分OMNの出力インピーダンスを、下流側コンポーネントのインピーダンスまでステップアップさせるべく構成される。一実施形態において、下流側コンポーネントはアンテナである。
一実施形態において、OMN及びフィルタ506は、集積受動デバイス(IPD)技術を使用して実装される。IPD技術は、キャパシタ、抵抗器及び高Q値インダクタのような受動デバイスを、例えばシリコンに実装することを可能にする。IPDは一般に、薄膜及びフォトリソグラフィ処理のような標準ウェハ作製技術を使用して作製される。IPDは、フリップチップマウント又はワイヤボンディングが可能なコンポーネントとして設計することができ、IPD用の基板は例えば、シリコン、アルミナ及びガラスである。IPDコンポーネントは、電力増幅器及びOMN集積回路202に集積された受動コンポーネントよりも低損失性である。
他実施形態において、OMN及びフィルタの並列体506は、LTCCコンポーネントのようなセラミックコンポーネントを使用して実装される。さらなる実施形態において、OMN及びフィルタの並列体506は、外部インダクタ及びキャパシタのような受動コンポーネントを使用して、外部の個別的なフィルタとして実装される。他実施形態において、OMN及びフィルタの並列体506は、表面搭載インダクタ及びキャパシタのような表面搭載デバイスを使用して実装される。
入力チューニング回路504は、OMN及びフィルタの並列体506への入力に整合コンポーネントを含み、出力チューニング回路508は、OMN及びフィルタの並列体506をさらにチューニングするべく、OMN及びフィルタの並列体506の出力に整合コンポーネントを含む。一実施形態において、チューニング回路504、508はそれぞれ、回路設計に大きな柔軟性を許容するべく単一の受動コンポーネントを含む。
例えば、入力及び出力チューニング回路504、508が、基板をチューニングして、電力増幅器514からスイッチ/LNA回路210への伝送線のインピーダンスに影響を与え得るプリント回路基板(PCB)非励振素子に対処するべく使用される。換言すれば、電力増幅器514の出力におけるインピーダンスは近似的に6オームなので、電力増幅器514の出力をOMN及びフィルタの並列体506へと電気的に接続する伝送線のインピーダンスもまた、近似的に6オームにする必要がある。入力チューニング回路504はまた、伝送線の6オームのインピーダンスをチューニングするべく使用することもできる。同様に、スイッチ/LNA回路210への入力におけるインピーダンスは近似的に50オームなので、OMN及びフィルタの並列体506の出力に電気的に接続する伝送線のインピーダンスは、近似的に50オームにする必要がある。例えば、スイッチ/LNA回路210への入力におけるインピーダンスが、正確には50オームではない場合、出力チューニング回路508を使用して50オームの伝送線をチューニングすることができる。
送信経路500において入力及び出力チューニング回路504、508を使用することにより、外部コンポーネントの数が、入力及び出力チューニング回路504、508を含む送信経路200よりも低減される。他実施形態において、入力及び出力チューニング回路504、508を、送信経路500から排除して外部コンポーネントの数をさらに低減してもよい。
上述のように、スイッチ/LNA回路210は、近似的に50オームの入力インピーダンスを有し、送信モードと受信モードとを切り替えるべく構成されたスイッチ220と、低ノイズ増幅器(LNA)218とを含む。スイッチ220が受信モードに構成されると、アンテナ212で受信される信号は、LNA218を通って受信経路へと向かう。スイッチ220が送信モードに構成されると、送信経路500におけるRF送信信号は、増幅、フィルタリング及びチューニングが完了してから、送信のためアンテナ212へと通される。
図6Aは、インダクタL1、L2、L3、L4、L5とキャパシタC2、C3、C4とを含む、並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタの結合体の典型的な回路600である。回路600の第1端子TERMINAL1は、入力チューニング回路504を介して電力増幅器IC502の出力に電気的に結合される。
回路600の第1端子TERMINAL1はさらに、インダクタL2の第1端、キャパシタC2の第1端、及びインダクタL1の第1端に結合される。インダクタL2及びキャパシタC2は並列に接続される。インダクタL2の第2端、及びキャパシタC2の第2端は、キャパシタC3の第1端、キャパシタC4の第1端、及びインダクタL4の第1端に電気的に結合される。キャパシタC3の第2端は、インダクタL3の第1端に電気的に結合される。キャパシタC4及びインダクタL4は並列に接続される。キャパシタC4の第2端、インダクタL4の第2端、及びインダクタL5の第1端は、回路600の第2端子TERMINAL2に電気的に結合される。インダクタL1の第2端、インダクタL3の第2端、及びインダクタL5の第2端は、接地GNDに電気的に結合される。
回路600の第2端子TERMINAL2はさらに、出力チューニング回路508を介してスイッチ/LNA回路210の入力に電気的に結合される。
回路600は、スイッチ/LNA回路210が送信モードにある場合にアンテナ212から電力増幅器502へと進むブロック信号をフィルタで除去するべく構成される。それと並列して又は同時に、回路600は、電力増幅器出力インピーダンスを、アンテナ212の入力インピーダンスへと変換し、アンテナ212へと伝送される送信信号の電力を最適化するべく構成される。一実施形態において、回路600は、近似的に6オームの電力増幅器出力インピーダンスを、近似的に50オームのアンテナ入力インピーダンスへと変換する。他実施形態において、回路600はさらに、電力増幅器514が生成したRF送信信号の、例えば、2次、3次及び/又は4次高調波のような、n次高調波をフィルタリングするべく構成される。図6Aに例示されるOMN及びフィルタの並列体600の実施形態において、コンポーネントL1〜L2及びC2〜C4は、ブロック機能、インピーダンス整合機能、及び高調波フィルタリング機能を同時に又は近似的に同時に行う。
一実施形態において、L1、L5は、主要周波数帯域におけるインピーダンス変換を行う。L2/C2、L3/C3、及びL4/C4もまた、主要周波数帯域におけるインピーダンス変換を行い、電力増幅器514が生成した高調波、又はアンテナ212を介して送信経路に入る他の周波数帯域にある干渉信号のフィルタリング/ブロックを行う。他実施形態において、L1、L5は、付加的なフィルタリング機能を行うべく適切なトポロジへの変換が可能である。
図7は、回路600の典型的なレイアウト700である。
図6Bは、インダクタL6、L7、L8、L9とキャパシタC6、C7、C8、C9、C10、C11とを含む並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタの結合体の他実施形態の典型的な回路650である。回路650の第1端子TERMINAL1は、入力チューニング回路504を介して電力増幅器IC502の出力に電気的に結合される。
回路650の第1端子TERMINAL1はさらに、インダクタL6の第1端、キャパシタC6の第1端、及びキャパシタC8の第1端にも結合される。インダクタL6及びキャパシタC6は並列に接続される。インダクタL6の第2端、及びキャパシタC6の第2端は、接地GNDに電気的に結合される。キャパシタC8の第2端は、キャパシタC10の第1端、及びインダクタL7の第1端に電気的に結合される。インダクタL7の第2端はキャパシタC7の第1端に電気的に結合され、キャパシタC7の第2端は接地GNDに電気的に結合される。キャパシタC10の第2端はインダクタL8の第1端、インダクタL9の第1端、及びキャパシタC9の第1端に電気的に結合される。キャパシタC9及びインダクタL9は並列に接続される。キャパシタC9の第2端、インダクタL9の第2端、及びキャパシタC11の第1端は、回路650の第2端子TERMINAL2に電気的に結合される。インダクタL8の第2端、及びキャパシタC11の第2端は、接地GNDに電気的に結合される。
回路650の第2端子TERMINAL2はさらに、出力チューニング回路508を介してスイッチ/LNA回路210の入力に電気的に結合される。
回路650は、スイッチ/LNA回路210が送信モードにある場合にアンテナ212から電力増幅器502へと進むブロック信号をフィルタで除去するべく構成される。それと並列して又は同時に、回路650は、電力増幅器出力インピーダンスを、アンテナ212の入力インピーダンスへと変換し、アンテナ212へと伝送される送信信号の電力を最適化するべく構成される。一実施形態において、回路650は、近似的に6オームの電力増幅器出力インピーダンスを、近似的に50オームのアンテナ入力インピーダンスへと変換する。他実施形態において、回路650はさらに、電力増幅器514が生成したRF送信信号の、例えば、2次、3次及び/又は4次高調波のような、n次高調波をフィルタリングするべく構成される。図6Bに例示されるOMN及びフィルタの並列体650の実施形態において、コンポーネントL6〜L9及びC6〜C11は、ブロック機能、インピーダンス整合機能、及び高調波フィルタリング機能を同時に又は近似的に同時に行う。
図5Bは、電力増幅器IC503、入力チューニング回路504、フィルタ507、出力チューニング回路508、スイッチ/LNA回路210、及びアンテナ212を含むRF送信経路550の典型的なブロック図である。電力増幅器IC503は、電力増幅器及び一部分出力整合ネットワーク回路515を含む。回路515の電力増幅器部分は、一以上の増幅器段を含んでRF送信信号を増幅するべく構成される。回路515の一部分出力整合ネットワーク部分は、電力増幅器のような、回路のインピーダンスを近似的に6オームから近似的に12オームへと変換するべく構成されたインピーダンス整合回路を含む。
一実施形態において、フロントエンドモジュールのようなモジュール551が、電力増幅器IC503、入力チューニング回路504、フィルタ507、出力チューニング回路508及びスイッチ/LNA回路210を含む。他実施形態において、モジュール551は、電力増幅器IC503、入力チューニング回路504、フィルタ507及び出力チューニング回路508を含む。さらなる実施形態において、モジュール551は、電力増幅器IC503、入力チューニング回路504及びフィルタ507を含む。さらなる実施形態において、モジュール551は電力増幅器IC503及びフィルタ507を含む。
上述のように、増幅器IC503は、増幅器と、近似的に6オームのインピーダンスを近似的に12オームのインピーダンスへと変換するべく構成されたインピーダンス整合回路とを含む。フィルタ507は、電力増幅器IC503からの、近似的に12オームのインピーダンスを有する信号を受信し、当該近似的に12オームのインピーダンスを近似的に50オームへと変換するべく、かつ、それと並列して、外部アンテナから受信された信号が、アンテナ212から電力増幅器回路515へとRF送信経路550に沿って進むのをブロックするべく構成される。
電力増幅器IC503への入力が、RF送信器からのRF送信信号を受信する。電力増幅器IC503の出力は、入力チューニング回路504を介してフィルタ507の入力に電気的に結合される。フィルタ507の出力は、スイッチ/LNA210の入力に電気的に結合される。スイッチ220が送信モードにある場合、スイッチ/LNA210の出力がアンテナ212に電気的に結合され、増幅、インピーダンス整合、及びフィルタリングがされたRF送信信号が、アンテナ212によって送信される。
電力増幅器集積回路(IC)503は、電力増幅器ダイ上に集積された電力増幅器及び一部分出力整合ネットワーク回路515を含む。電力増幅器515は、例えばSiGe、CMOS、GaAs、SiC又は他の半導体材料のような損失性集積回路基板上に実装される。電力増幅器IC202とは対照的に、OMNの一部分が電力増幅器ダイから移動され、フィルタ507の中に実装される。OMN及びフィルタの並列体506とは対照的に、OMNの一部分が電力増幅器ダイ503へと移動され、当該OMNの残りの部分がフィルタ507の中に実装される。
一実施形態において、電力増幅器及び一部分OMN回路515は、増幅、及び6オームから12オームへのインピーダンス整合を実装するべく構成される。他実施形態において、電力増幅器及び一部分OMN回路507は、増幅、及び近似的に6オーム未満、近似的に6オーム超過、近似的に12オーム未満、又は近似的に12オーム超過のソースインピーダンスと負荷インピーダンスとのインピーダンス整合を実装する。
フィルタ507は、一部分OMN及びフィルタの並列体と称され、並列機能を有する整合ネットワーク及びフィルタの結合体を含む。一部分OMN及びフィルタ507は、OMN及びフィルタの並列体506と同様、インピーダンス整合及びフィルタリングを並列して実装するべく構成される。
一実施形態において、電力増幅器及び一部分OMNの回路515は、電力増幅器回路の出力インピーダンスを、初期値から、下流側コンポーネントの入力インピーダンスの近似的に10%から50%の間にあるのが好ましいステップアップ値へとステップアップさせるべく構成される。他実施形態において、ステップアップ値は、下流側コンポーネントの入力インピーダンスの5%〜95%、10%〜80%、15%〜75%、20%〜60%、30%〜40%等である。他実施形態において、ステップアップ値に対して他の範囲も使用できる。一実施形態において、一部分OMN及びフィルタの並列体507は、電力増幅器及び一部分OMNの回路515の出力インピーダンスを、下流側コンポーネントのインピーダンスへとステップアップさせるべく構成される。一実施形態において、下流側コンポーネントはアンテナである。
なお、一部分OMN及びフィルタの並列体507は、フィルタが後続された直列OMNではない。フィルタ及びOMNは、コンポーネントが整合コンポーネント及びフィルタリングコンポーネントとして並列して機能するように結合される。フィルタがOMNの一部となりかつOMNがフィルタの一部となることにより、全体的な信号損失は、OMN及びフィルタが別個に実装される場合に生じる損失よりも小さくなる。さらに、一部分OMN及びフィルタの並列体507のサイズは、別個に実装されたOMN及びフィルタの結合サイズよりも小さい。
一実施形態において、一部分OMN及びフィルタの並列体507は、集積受動デバイス(IPD)技術を使用して実装される。他実施形態において、一部分OMN及びフィルタの並列体507は、LTCCコンポーネントのようなセラミックコンポーネントを使用して実装される。さらなる実施形態において、一部分OMN及びフィルタの並列体507は、外部インダクタ及びキャパシタのような受動コンポーネントを使用して、外部の個別的なフィルタとして実装される。他実施形態において、一部分OMN及びフィルタの並列体507は、表面搭載インダクタ及びキャパシタのような表面搭載デバイスを使用して実装される。
入力チューニング回路504は、一部分OMN及びフィルタの並列体507への入力において整合コンポーネントを含み、出力チューニング回路508は、一部分OMN及びフィルタの並列体507をさらにチューニングするべく、一部分OMN及びフィルタの並列体507の出力において整合コンポーネントを含む。一実施形態において、チューニング回路504、508はそれぞれ、上述のように回路設計に大きな柔軟性を許容する単一受動コンポーネントを含む。
図6Cは、電力増幅器ダイ503に実装するための一部分出力整合ネットワークの典型的な回路670である。回路670は、インダクタL11、L12、及びキャパシタC12を含む。回路670の第1端子TERMINAL1は、電力増幅器IC503上の電力増幅器の出力に電気的に結合される。
回路670の第1端子TERMINAL1はさらに、インダクタL12の第1端、及びキャパシタC12の第1端に結合される。インダクタL12及びキャパシタC12は並列に接続される。インダクタL12の第2端、及びキャパシタC12の第2端は、インダクタL11の第1端、及び回路670の第2端子TERMINAL2に電気的に結合される。インダクタL11の第2端は、接地GNDに電気的に結合される。
回路670の第2端子TERMINAL2はさらに、一部分OMN及びフィルタの並列体507の入力に電気的に結合される。一実施形態において、回路670の第2端子TERMINAL2は、入力チューニング回路504を介して一部分OMN及びフィルタ507の並列体の入力に電気的に結合される。
回路670は、電力増幅器出力インピーダンスを、一部分OMN及びフィルタの並列体507の入力インピーダンスへと変換するべく構成される。一実施形態において、回路670は、近似的に6オームの電力増幅器出力インピーダンスを近似的に12オームのインピーダンスへと変換する。
図6Dは、電力増幅器ダイ503から離れた実装のための、並列機能を有する一部分出力整合ネットワーク及びフィルタの典型的な回路680である。回路670は、インダクタL13、L14、L15とキャパシタC13、C14とを含む。回路680の第1端子TERMINAL1は、電力増幅器IC503上の一部分OMNの出力に電気的に結合される。一実施形態において、回路680の第1端子TERMINAL1は、入力チューニング回路504を介して回路670の第2端子TERMINAL2に電気的に結合される。
回路680の第1端子TERMINAL1はさらに、キャパシタ13の第1端子、インダクタL13の第1端子、インダクタL15の第1端子に電気的に結合される。キャパシタC13及びインダクタL13は並列に構成される。キャパシタC13の第2端、及びインダクタL13の第2端は、キャパシタC14の第1端、及び回路680の第2端子TERMINAL2に電気的に結合される。キャパシタC14の第2端は、インダクタL14の第1端に電気的に結合される。インダクタL15の第2端とインダクタL15の第2端とは、接地GNDに電気的に結合される。
回路680の第2端子TERMINAL2はさらに、出力チューニング回路508を介してスイッチ/LNA回路210の入力に電気的に結合される。
回路680は、スイッチ/LNA回路210が送信モードにある場合にアンテナ212から電力増幅器503へと進むブロック信号をフィルタで除外するべく構成される。それと並列して又は同時に、回路680は、電力増幅器IC503の出力インピーダンスを、アンテナ212の入力インピーダンスへと変換し、アンテナ212へと伝送される送信信号の電力を最適化するべく構成される。一実施形態において、回路680は、電力増幅器IC503の近似的に12オームの出力インピーダンスを、近似的に50オームのアンテナ入力インピーダンスへと変換する。他実施形態において、回路680はさらに、電力増幅器503が生成したRF送信信号の、例えば、2次、3次及び/又は4次高調波のような、n次高調波をフィルタリングするべく構成される。図6Dに例示される一部分OMN及びフィルタの並列体680の実施形態において、コンポーネントL13、L14、L15、C13及びC14は、ブロック機能、インピーダンス整合機能、及び高調波フィルタリング機能を同時に又は近似的に同時に行う。
一実施形態において、並列機能を有する一部分OMN及びフィルタの並列体507、680はIPDとして実装され、一部分OMN670は、電力増幅器とともにシリコンダイ503上に実装される。IPD上のインダクタL13、L14、L15のクォリティファクタQは、シリコンダイ503上よりもかなり高い。さらなる実施形態において、大きなインダクタが、シリコンダイ503の代わりにIPDに実装されるのが好ましい。
図5Cは、電力増幅器IC574、入力チューニング回路504、OMN576、フィルタ580、出力チューニング回路508、スイッチ/LNA回路210、及びアンテナ212を含むRF送信経路570の典型的なブロック図である。電力増幅器574は、一以上の増幅器段を含み、RF送信信号を増幅するべく構成される。
一実施形態において、フロントエンドモジュールのようなモジュール571は、電力増幅器IC574、入力チューニング回路504、OMN576、フィルタ578、出力チューニング回路508及びスイッチ/LNA回路210を含む。他実施形態において、モジュール571は、電力増幅器IC574、入力チューニング回路504、OMN576、フィルタ578及び出力チューニング回路508を含む。さらなる実施形態において、モジュール571は、電力増幅器IC574、入力チューニング回路504、OMN576及びフィルタ578を含む。さらなる実施形態において、モジュール501は、電力増幅器IC574、OMN576及びフィルタ578を含む。
OMN576は、電力増幅器514からアンテナ212へのRF送信経路570のインピーダンスを変換するべく構成される。OMN576は、電力増幅器の近似的に6オームの出力インピーダンスを、アンテナ212の近似的に50オームの入力インピーダンスへと変換する。フィルタ578は、外部アンテナから受信された信号が、アンテナ212から電力増幅器574へとRF送信経路570に沿って進むのをブロックするべく構成される。OMN576及びフィルタ580は、電力増幅器ダイ574から離れて配置される。OMN576及びフィルタ580は、IPD、個別的なコンポーネント、表面搭載コンポーネント等として実装可能である。
他実施形態において、電力増幅器ICはさらに、回路670のような第1部分OMN572を含み、OMN576は、回路680のような第2部分OMNを含み、第1及び第2部分OMNの結合機能により、電力増幅器の近似的に6オームの出力インピーダンスが、アンテナ212の近似的に50オームの入力インピーダンスへと変換される。
図8は、OMN及びフィルタの並列体806の他実施形態を含むRF送信経路800の典型的なブロック図である。OMN及びフィルタの並列体806は、並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタを結合するべく構成され、さらには、入力チューニング及び出力チューニングのコンポーネントを含むべく構成される。
一実施形態において、フロントエンドモジュールのようなモジュール801は、電力増幅器IC502、OMN及びフィルタの並列体806、及びスイッチ/LNA回路210を含む。他実施形態において、モジュール501は、電力増幅器IC502、並びにOMN及びフィルタの並列体806を含む。
他実施形態において、OMN及びフィルタの並列体502、600、650、806はさらに、デバイス100の受信経路に関連する入力整合ネットワーク(IMN)を含む。さらなる実施形態において、入力IMN及びフィルタの結合体を、受信経路において使用することができる。例えば、LNAは、できる限り最低の雑音指数を達成するべく、当該入力における整合を頻繁に使用する。IMN及びフィルタの結合体は、IMN及びフィルタとして並列的に機能してLNAの入力インピーダンスの整合、及び受信信号のフィルタリングを行うべく使用することができるIPDを含む。
OMN及びフィルタの並列体506、600、650、806が、インピーダンス変換と、トーンの電力増幅器514の増幅された出力との混合のブロックとを並列して行うことについてここに説明されるが、OMN及びフィルタの並列体506、600、650、806の他実施形態は、インピーダンス整合と、フィルタリング又は信号コンディショニングとを並列して行う。一実施形態において、OMN及びフィルタの並列体506、600、650、806は、双方向に並列したインピーダンス整合及び信号コンディショニングを行う。さらなる実施形態において、OMN及びフィルタの並列体506、600、650、806は、出力整合機能と任意タイプの信号コンディショニングとを結合するべく構成することができる。並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタの結合体に影響を与えるOMN及びフィルタの並列体506、600、650、806の他実施形態は、異なるように、及び本開示から当業者に知られる異なる受動コンポーネントを有するように構成することができる。
OMN及びフィルタの並列体506、600、650は、送信経路の他構成と比較して、電力損失を低減しかつ使用空間が少ない。比較を目的として、−30dBのEVM電力が3つの構成に対して模擬された。オンダイOMN及び外部LTCCフィルタを含む電力増幅器ICが実装された送信経路に対し、−30dBのEVM電力は近似的に19.3dBmであった。OMNを除外した電力増幅器IC、オフダイの個別的なOMN、及び外部LTCCフィルタリングが実装された送信経路に対し、−30dBのEVM電力は近似的に19.3dBmであった。OMNを除外した電力増幅器IC、並びにOMN及びフィルタの並列体506、600、806が実装された送信経路に対し、−30dBのEVM電力は近似的に21.3dBMであった。OMN及びフィルタの並列体506、600、650の使用により、少なくとも2dBの改善がもたらされる。
サイズへの影響もまた有利となる。比較を目的として、プリント回路基板面積が、機能上匹敵する2つの構成に対して決定された。オンダイOMN、4つの整合コンポーネント、及び外部LTCCフィルタを含む電力増幅器ICに対する基板面積が近似的に3mm2である一方、OMNを除外した電力増幅器IC、並びにOMN及びフィルタの並列体506、600、650の基板面積は近似的に2.4mm2である。OMN及びフィルタの並列体506、600、650の使用により、近似的に20%の基板空間低減がもたらされる。
図9は、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体902の一実施形態を含む出力整合ネットワーク及びフィルタの並列半導体ダイ900の典型的なブロック図である。一実施形態において、回路902は、出力整合ネットワーク及びフィルタの並列体506を含む。他実施形態において、回路902は、入力チューニング及び出力チューニングの機能をさらに含む出力整合ネットワーク及びフィルタの並列体806を含む。他実施形態において、回路902は、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体600、650を含む。さらなる実施形態において、回路902は、一部分OMN及びフィルタの並列体507を含む。
一実施形態において、ダイ900はシリコン(Si)ダイを含む。一実施形態において、Siダイは、SiCMOSダイ、SiGeBiCMOSダイ等を含む。他実施形態において、ダイ900は、ガリウムヒ素(GaAs)ダイ、擬似格子整合高電子移動度トランジスタ(pHEMT)ダイ等を含み得る。一実施形態において、ダイ900は、OMN及びフィルタ回路の並列体506、600、650、806のコンポーネントに対してIPD技術を実装する。
図10は、図9の出力整合ネットワーク及びフィルタの並列半導体ダイ900と、電力増幅器集積回路502、503又は574とを含むモジュールの典型的なブロック図である。モジュール1000はさらに、ここでの開示に鑑み半導体作製技術の当業者にとって知られるような、信号相互接続を与える接続部1002と、回路のパッケージングのための、例えばパッケージ基板のようなパッケージング1004と、例えば増幅器、前置フィルタ、後置フィルタ、変調器、復調器、ダウンコンバータ等のような他の回路のダイ1006を含む。一実施形態において、モジュール1000はフロントエンドモジュールを含む。一実施形態において、モジュール1000はさらに、スイッチ/LNA回路210を含む。
図11は、並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタの結合体506、507、600、650、700若しくは806の一実施形態、又はOMN576及びフィルタ578の一実施形態を含む簡単な携帯送受信器1100を例示する典型的なブロック図である。
携帯送受信器1100は、スピーカ1102、ディスプレイ1104、キーボード1106及びマイクロフォン1108を含み、これらはすべて、ベース帯域サブシステム1110に接続される。直流(DC)電池又は他の電源であり得る電源1142が、携帯送受信器1100に電力を供給するべくベース帯域サブシステム1110に接続される。特定実施形態において、携帯送受信器1100は例えば、携帯セルラー型電話のような携帯通信デバイスであり得るが、これに限られない。スピーカ1102及びディスプレイ1104は、当業者に知られるように、ベース帯域サブシステム1110からの信号を受信する。同様に、キーボード1106及びマイクロフォン1108は、ベース帯域サブシステム1110への信号を供給する。
ベース帯域サブシステム1110は、バス1128を経由して通信するマイクロプロセッサ(μP)1120、メモリ1122、アナログ回路1124及びデジタル信号プロセッサ(DSP)1126を含む。バス1128は、単一バスとして示されてはいるが、ベース帯域サブシステム1110内のサブシステム同士間において必要に応じて接続される多重バスを使用して実装することもできる。ベース帯域サブシステム1110はまた、特定用途向け集積回路(ASIC)1132及びフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)1130の一以上も含み得る。
マイクロプロセッサ1120及びメモリ1122は、携帯送受信器1100に対して信号タイミング、処理及び格納の機能を与える。アナログ回路1124は、ベース帯域サブシステム1110内での信号のアナログ処理機能を与える。ベース帯域サブシステム1110は、例えば送信器1150、受信器1170及び電力増幅器1180に制御信号を与える。
なお、簡便のため、ここでは、携帯送受信器1100の基本的なコンポーネントのみが例示される。ベース帯域サブシステム1110が与える制御信号は、携帯送受信器1100内の様々なコンポーネントを制御する。さらに、送信器1150及び受信器1170の機能は、送受信器へと統合することができる。
ベース帯域サブシステム1110はまた、アナログ/デジタルコンバータ(ADC)1134、並びにデジタル/アナログコンバータ(DAC)1136及び1138も含む。この例において、DAC1136は、変調器1152に適用される同相(I)及び直交相(Q)信号1140を生成する。ADC1134、DAC1136及びDAC1138はまた、バス1128を経由してマイクロプロセッサ1120、メモリ1122、アナログ回路1124及びDSP1126と通信する。DAC1136は、ベース帯域サブシステム1110内のデジタル通信情報を、接続部1140を経由した変調器1152への送信のため、アナログ信号へと変換する。接続部1140は、2つの方向矢印として示されるが、デジタルドメインからアナログドメインへの変換後に送信器1150が送信する予定の情報を含む。
送信器1150は変調器1152を含む。変調器1152は、接続部1140においてアナログ情報を変調して、変調信号をアップコンバータ1154へと与える。アップコンバータ1154は、変調信号を適切な送信周波数へと変換し、アップコンバートされた信号を電力増幅器1180へと与える。電力増幅器1180は、携帯送受信器1100が動作するべく設計されたシステムにとって適切な電力レベルまで当該信号を増幅する。
変調器1152及びアップコンバータ1154の詳細は、当業者により理解されるので、省略される。例えば、接続部1140におけるデータは一般に、ベース帯域サブシステム1110によって、同相(I)及び直交相(Q)コンポーネントへとフォーマットされる。I及びQコンポーネントは、異なる形態をとり、用いられる通信規格に応じて異なるようにフォーマットされ得る。
フロントエンドモジュール1162は、電力増幅器回路1180、及びスイッチ/低ノイズ増幅器回路1172を含む。一実施形態において、スイッチ/低ノイズ増幅器回路1172は、当業者に知られるような、例えば、送信信号及び受信信号双方の同時通過を許容するフィルタ対を有するダイプレクサを含み得るアンテナシステムインタフェイスを含む。
一実施形態において、フロントエンドモジュールはさらに、並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタの結合体1190を含む。これは、出力整合ネットワーク及びフィルタ回路の並列体506、507、600、650、700、806、又はOMN574及びフィルタ576の一実施形態を含む。電力増幅器1180は、増幅された送信信号を、当該信号をフィルタリングすることと、当該インピーダンスをアンテナ1160のインピーダンスへと整合又は近似的に整合することとを行う並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタの結合体1190へと供給する。加えて、並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタの結合体1190は、スイッチが送信モードにある場合に外部アンテナからアンテナ1160が受信する信号をブロックする。スイッチが送信モードにある場合、送信信号は、フロントエンドモジュール1162からアンテナ1160へと供給される。
一実施形態において、フロントエンドモジュール1162は、整合ネットワーク及びフィルタダイ900を含むモジュール1000を含む。一実施形態において、並列機能を有する出力整合ネットワーク及びフィルタの結合体1190は、整合ネットワーク及びフィルタダイ900を含むモジュール1000を含む。
アンテナ1160が受信した信号は、スイッチが受信モードにある場合にフロントエンドモジュール1162のスイッチ/低ノイズ増幅器1172から受信器1170へと向けられる。低ノイズ増幅器回路1172は受信信号を増幅する。
ダウンコンバータ1174は、ダイレクトコンバージョン受信器(DCR)を使用して実装される場合、増幅された受信信号を、RFレベルからベース帯域レベル(DC)又は近ベース帯域レベル(近似的に100kHz)へと変換する。代替的に、増幅された受信RF信号は、アプリケーションに応じて中間周波数(IF)信号へとダウンコンバートされる。ダウンコンバートされた信号は、フィルタ1176へと送信される。フィルタ1176は、当業界で知られるように、ダウンコンバートされた受信信号をフィルタリングする少なくとも一つのフィルタ段を含む。
フィルタリングされた信号は、フィルタ1176から復調器1178へと送信される。復調器1178は、送信されたアナログ情報を回復させ、この情報を代表する信号を、接続部1186を経由してADC1134へと供給する。ADC1134は、当該アナログ信号を、ベース帯域周波数にあるデジタル信号へと変換して当該信号を、さらなる処理のためバス1128を経由してDSP1126へと伝送する。
用語集
上述した実施形態のいくつかは、携帯電話に関連する例を与えている。しかしながら、当該実施形態の原理及び利点は、電力増幅器システムにとって必要とされる任意の他のシステム又は装置にも使用可能である。
かかるシステム又は装置は、様々な電子デバイスに実装可能である。電子デバイスの例は、家庭用電気製品、家庭用電気製品の部品、電子試験機器等を含み得るがこれらに限られない。電子デバイスの例は、メモリチップ、メモリモジュール、光ネットワーク又は他の通信ネットワークの回路、及びディスクドライバ回路を含むがこれらに限られない。家庭用電気製品は、スマートフォンのような携帯電話、電話、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、PCカード、電子レンジ、冷蔵庫、自動車、ステレオシステム、カセットレコーダー又はプレーヤ、DVDプレーヤ、CDプレーヤ、VCR、MP3プレーヤ、ラジオ、ビデオカメラ、カメラ、デジタルカメラ、携帯メモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯機/乾燥機、コピー機、ファクシミリ機、スキャナ、多機能周辺デバイス、腕時計、時計等を含み得るがこれらに限られない。さらに、電子デバイスは、未完成製品も含み得る。
本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが明らかでない限り、「含む」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「〜を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される用語「結合」は、直接接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る2以上の要素を言及する。同様に、ここで一般に使用される用語「接続」は、直接接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る2以上の要素を言及する。加えて、用語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の用語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の特定部分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の詳細な説明における用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。2以上の項目のリストを参照する用語「又は」及び「若しくは」について、当該用語は以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の組み合わせである。
とりわけ「できる」、「かもしれない」、「してよい」、「し得る」、「例えば」等のような、ここで使用される条件的言語は、特にそうでないことが表明されない限り、又は使用の文脈においてそうでないことが理解されない限り、一般に、所定の特徴、要素及び/又は状態を所定の実施形態が含む一方、他の実施形態が含まないことを伝えるものと解釈される。すなわち、かかる条件的言語は、特徴、要素及び/若しくは状態が任意の態様で一以上の実施形態にとって必要であること、又は一以上の実施形態が必ず、作者の入力若しくは促しあり若しくはなしで、これらの特徴、要素及び/若しくは状態が任意の特定実施形態に含まれ若しくは当該実施形態で行われるか否かを決定するロジックを含むこと、を示唆するものとは一般に意図しない。
本発明の実施形態の上記詳細な説明は、排他的であることすなわち本発明を上記開示の正確な形態に制限することを意図しない。本発明の及びその例の特定の実施形態が例示を目的として上述されたが、当業者が認識するように、本発明の範囲において様々な均等の修正も可能である。例えば、プロセス又はブロックが所与の順序で提示されるが、代替実施形態は、異なる順序でステップを有するルーチンを行うこと又はブロックを有するシステムを用いることができ、いくつかのプロセス又はブロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び/又は修正することができる。これらのプロセス又はブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。また、プロセス又はブロックが直列的に行われるように示されることがあるが、これらのプロセス又はブロックは、その代わりに、並列して行い又は異なる時に行うこともできる。
ここに与えられた本発明の教示は、必ずしも上述のシステムに限られることがなく、他のシステムにも適用することができる。上述の様々な実施形態要素及び行為は、さらなる実施形態を与えるべく組み合わせることができる。
本発明の所定の実施形態が記載されたが、これらの実施形態は、例のみとして提示されており、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載される新規な方法、装置及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱することなくなし得る。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。