WO2004097945A1 - Procede de realisation d'un dispositif semi-conducteur a metallisations auto-alignees. - Google Patents

Procede de realisation d'un dispositif semi-conducteur a metallisations auto-alignees. Download PDF

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WO2004097945A1
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conductivity
type
substrate
doped region
layer
Prior art date
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PCT/FR2004/050173
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Pierre-Jean Ribeyron
Marc Pirot
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Commissariat A L'energie Atomique
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a semiconductor device with self-aligned metallizations placed on the same face of a semiconductor substrate.
  • a semiconductor device can be, for example, a solar cell having interlocking comb metallization sets, and the method is particularly suitable for producing solar cells on monocrystalline silicon in a thin layer.
  • the method can of course be applied to other semiconductor devices having nested metallizations in particular with a comb.
  • FIG. 1A shows an example of a solar cell conforming to that described in this document. In this figure the reference
  • Substrate 1 represents a substrate of semiconductor material of a first type of conductivity, for example of the p type, comprising on the surface a layer 3 doped with a second type of conductivity (of n + type).
  • Substrate 1 by example in silicon, will serve as anode while layer 3 will serve as cathode. The layer 3 is partially removed in certain places to expose the substrate 1.
  • At least one layer 4 of oxide is then deposited on the layer 3 and the substrate 1 exposed and openings are made in this oxide layer 4 to reach, on the one hand the substrate 1 and on the other hand the layer 3, in order to be able to delimit semiconductor regions having opposite types of conductivities, corresponding to the anode and to the cathode, having to be connected respectively to a first set of metallizations 5 in comb and to a second set of metallizations 6 in comb. These two sets of comb metallizations 5, 6 are intersecting.
  • the first set of comb metallizations 5 corresponds to the anode of the cell and the second set of comb metallizations 6 corresponds to the cathode of the cell.
  • the two sets of metallizations 5, 6 in comb extend above the dielectric layer 4 but of course must not come into contact with each other which would create a short circuit.
  • the production of these comb metallizations is generally done by screen printing. It is necessary to limit to a minimum the distance separating two successive metallizations belonging to different sets so that the largest possible surface is provided with metallizations, in fact these metallizations also have a role of light reflector since they are placed on the back of the cell. This distance is typically between around ten or even a hundred micrometers to obtain efficient solar cells. With such distances, the risk of short circuit between the two sets of comb metallizations is great.
  • a final step consists in fixing an electrical insulating support above the sets of comb metallizations so as to be able to separate a thin film from the substrate, if a weakened layer has been provided beforehand. Fixing by gluing is not easy since the surface which is to receive the support has a certain number of reliefs due to the play of metallizations and the thickness of glue is not uniform.
  • FIG. 1B schematically shows such a solar cell.
  • a semiconductor substrate 10 covered with a surface layer 11 of a first type of conductivity (of type n + )
  • a first set of metallizations 12 is deposited in comb, for example in aluminum.
  • a succession of teeth of the comb In the section of FIG. 1B, one sees only a succession of teeth of the comb.
  • This set of metallizations 12 in comb is subjected to an appropriate heat treatment so that it diffuses into the substrate through the layer of the first type of conductivity to form a pattern 13 corresponding to a second type of conductivity (of the type p +), the pattern 13 has teeth spaced apart others by regions 14 of layer 11 of the first type of conductivity.
  • An oxide layer 15 is deposited on the surface, it covers the first set of comb metallizations 12 and the regions 14 of the layer 11 of the first type of conductivity. The oxide layer 15 is removed locally to expose the regions 14.
  • a conductive layer 16 is deposited on the surface. This layer 16 surmounts the oxide layer 15 on the conductive strips 12 and the regions 14 of the layer 11 of the first type of conductivity.
  • This conductive layer 16 contributes to forming a second set of metallizations which cooperates with the zones 14 of the first type of conductivity.
  • the two sets of metallizations 12, 16 in comb are electrically isolated from each other by the dielectric layer 15.
  • the disadvantage of this type of solar cell is that risks of short-circuit exist between the regions 14 of the first type of conductivity and the pattern 13 of the second type of conductivity because they are joined.
  • the object of the present invention is precisely to propose a method for producing a semiconductor device which does not have the drawbacks mentioned above, namely these risks of short circuit between the two sets of metallizations and between the regions of conductivity of opposite types and which is moreover inexpensive.
  • a method for producing a semiconductor device comprising the following steps: -realization on a first main face of a semiconductor substrate of a doped region of a first type of conductivity and of at least one window delimiting said region, - deposition of a first metallization zone on the region doped with the first type of conductivity,
  • the semiconductor device obtained is inexpensive because no lithography step is used during its production, unlike the prior art, these lithography steps being expensive and incompatible industrially with a preferential application of solar cells.
  • the doped region of the first conductivity type can be produced by depositing a doped layer of the first conductivity type on the face principal of the substrate and etching in the doped layer of the first type of conductivity of the window exposing the substrate.
  • the doped region of the first type of conductivity can be produced by forming a dielectric layer on the main face of the substrate, by etching part of the dielectric using an etching paste by screen printing forming an area pickled at the contour of the future doped region of the first type of conductivity, by doping the pickled area, by removing the remaining dielectric to form the window.
  • the doped region of the first type of conductivity can be produced by forming a dielectric layer on the main face of the substrate, by etching part of the dielectric using a stripping paste by screen printing forming a pickled area around the future doped region of the first type of conductivity, by doping the pickled area, the remaining dielectric forming the window.
  • At least one engraving can be a laser engraving, which makes it possible to obtain a fine engraving.
  • the etching can be an etching by screen printing using a paste capable of pickling dielectric material.
  • the deposition of at least one metallization zone is done by screen printing.
  • the doped region of the first type of conductivity and the doped region of the second type of conductivity can be nested one inside the other.
  • the first opening is smaller in area than the window, which makes it possible to arrange the undoped portion of the substrate.
  • the deposition of the first metallization zone on the doped region of the first type of conductivity can be done before or after the etching step of the window. It is preferable for the etching of the doped layer of the first type of conductivity to attack the semiconductor substrate to avoid any short circuit between the doped regions.
  • the step of depositing a second metallization zone can precede that of doping the substrate leading to the doped region of the second type of conductivity, the material of the second metallization zone being annealed so as to diffuse in the substrate at the level of the first opening.
  • the substrate can be formed of a stack with a weakened layer and a thin layer, the weakened layer being in depth, the main face of the substrate on which the doped layer of the first type of conductivity is deposited, being a face of the thin layer. .
  • the method may include a step of fixing the second metallization zone on an electrical insulating support.
  • This step can be followed by a step of dissociation of the thin layer of the substrate at the level of the weakened layer.
  • the method may include a step of protecting the thin layer on the side where it has been dissociated.
  • the step of etching the first opening may include etching a second opening at the first metallization zone exposing a metallization area which is provided with the first metallization zone.
  • the step of depositing the second metallization zone spares the second opening.
  • the device can be formed from one or more solar cells. Solar cells can be connected in series and / or in parallel.
  • FIGS 1A, 1B show in section solar cells of the prior art
  • FIG. 2A shows in section a device obtained by the method of the invention and FIG. 2B a module of solar cells obtained by the method of the invention;
  • 6A, 6B, 7A1, 7A2, 7B, 8A, 8B, 9A, 9B, 10 illustrate different process steps according to the invention for the production of a semiconductor device according to
  • FIG. 2A shows in section a semiconductor device obtained by a method according to the invention.
  • Example it is a solar cell, but it could be another semiconductor device.
  • This solar cell comprises a semiconductor substrate 20 which is assumed in this thick example.
  • This semiconductor substrate 20 can for example be made of silicon. In a variant which will be described later in FIGS. 3 to 10, the semiconductor substrate is thin.
  • the semiconductor substrate 20 comprises, at a first main face 20.1 which in this example is on the side of the rear face of the solar cell, a doped region 21 of a first type of conductivity. It is assumed that this doped region 21 is of the n + type.
  • This doped region 21 of the first conductivity type is connected to a first metallization zone 22, this first metallization zone 22 is the closest to the semiconductor substrate.
  • the first metallization zone 22 is digitiform with a single finger ending in a metallization area 29.
  • the metallization area 29 is only visible in FIG. 2B, to which reference is also made, and which represents a module of solar cells conforming to that of FIG. 2A.
  • the first metallization zone 22 could be provided with several fingers connected together by a metallization pad and thus take the form of a comb as will be seen later.
  • the first metallization zone 22 only partially covers the doped region 21 of the first type of conductivity, a portion 24 is spared.
  • a dielectric layer 23 covers both the first metallization zone 22, the part 24 as well as the region 25 of the substrate 20 located on either side of the doped region 21 of the first type of conductivity.
  • the dielectric layer 23 has first fine openings 26 on either side of the doped region 21 of the first type of conductivity. These openings 26 substantially delimit a doped region 27 having a second type of conductivity opposite to the first type (in the example of p + type). This doped region 27 of the second type of conductivity is separated from the doped region 21 of the first type of conductivity.
  • This undoped portion 25.1 has a barrier role between the two. doped regions 21, 27 having opposite conductivity types.
  • the dielectric layer 23 also includes a second opening 30 which allows the metallization area 29 of the first metallization zone 22 to appear completely or partially, as shown in FIG. 2B.
  • the dielectric layer 23 as well as the first openings 26 with the exception of the second opening 30 are covered with an electrically conductive layer 28 which forms a second metallization zone 28 connected to the doped region 27 of the second type of conductivity, at the level first openings 26.
  • This second metallization zone 28 has metallizations spaced apart from each other and forms an ohmic contact with the doped region 27.
  • the second metallization zone 28 is the most distant from the semiconductor substrate 20.
  • the risk of short circuit between a doped region 21 of the first type of conductivity and a doped region 27 of the second type of conductivity is eliminated even if the places of connection of a region doped with one type of conductivity with its metallization zone and those of the other doped region with its metallization zone are very close to each other.
  • the first metallization zone 22 and the second metallization zone 28 are stacked and separated by dielectric 23, so they are easily self-aligned. There is thus no risk of a short circuit between the first and the second metallization zone.
  • the dielectric 23 and the metallization zone 22 furthest from the substrate 20 reveal a part of the metallization zone 27 that is the least distant from the substrate.
  • the electrically conductive layer 28 will advantageously have a substantially planar free face, it thus bridges the differences in relief due in particular to the stacking of the doped region 21 of the first type of conductivity, of the first metallization zone 22 and of the dielectric layer 23 on the substrate 20. This flatness is also advantageous for the encapsulation in module of massive substrates.
  • the second main face 20.2 of the semiconductor substrate 20 can be covered with a layer 31 of electrical protection insulator, for example made of silicon nitride, this layer 31 being transparent for the illuminance received since it is on the front face of the solar cell.
  • the arrow materializes the illumination that the solar cell receives.
  • This layer 31 also has the role of passivation of the surface of the substrate 20 and of an antireflective layer to allow a maximum amount of light to penetrate into the substrate.
  • the second metallization zone 28 reveals the metallization area 29 exposed by the second opening 30. It is thus possible to group, by batch production, on the same substrate 20, into a module 36, several of these solar cells 35 in a series and / or parallel arrangement.
  • This module 36 comprises nine cells 35 mounted in three groups 36.1, 36.2, 36.3 of three cells in series arranged in lines, the three series groups 36.1, 36.2, 36.3 being mounted in parallel.
  • the doped region 27 of the second type of conductivity extended on either side of the doped region 21 of the first type of conductivity we can consider that the opposite is possible as we will show later. More generally, the doped region of the first conductivity type and the doped region of the second conductivity type are nested one inside the other, while remaining separated laterally from each other by the undoped portion 25.1 of the substrate.
  • the metallizations of the second metallization zone 28 define at least one space 37 (in which the doped region 21 of the first conductivity type extends) and the connection of the first metallization zone 22 with the doped region 21 with which it cooperates takes place in space 37.
  • a semiconductor substrate 40 for example based on monocrystalline silicon having at a given depth a weakened layer 41 so as to subsequently allow the detachment of a thin layer 43, located on one side of the weakened layer 41 , from the rest of the substrate 40.
  • This weakened layer 41 can for example be formed on the surface of a base substrate 42 of solid monocrystalline silicon by an anodization treatment, or by ion implantation of gaseous species, for example hydrogen in the base substrate 42 or by any other embrittlement process.
  • the thin layer 43 which is located above the weakened layer 41 can be formed in whole or in part by epitaxy.
  • Epitaxial growth of silicon is carried out on the surface in order to obtain a thickness of a few tens of micrometers above the weakened layer 41 (FIG. 3).
  • the epitaxy can be an epitaxy in the gas phase or in the liquid phase for example.
  • a doped region 44.1 of a first type of conductivity for example n +.
  • a first metallization zone 46 will then be deposited on the doped region 44.1 of the first type of conductivity.
  • a doped layer 44 is produced over the entire surface 40.2 of the substrate 40.
  • This doped layer 44 can be produced by diffusion of phosphorus atoms or implantation of phosphorus ions in the substrate 40 (in fact in the thin layer 43 of the substrate 40) or by adding an appropriate dopant (for example phosphine PH3) at the end of epitaxial growth of the epitaxial layer forming the thin layer.
  • This doped layer 44 is shown in Figures 4A, 4B.
  • the doped layer 44 we will then delimit the doped layer 44 to obtain the doped region 44.1 of the first type of conductivity.
  • at least one window 45 is produced in the doped layer 44 in order to expose the substrate 40 which is located below.
  • the term substrate was used, but it is the thin layer of the substrate if there is a thin layer.
  • the window 45 is visible in FIGS. 5A, 5B.
  • This step can be carried out by laser engraving.
  • Laser engraving is a precise and fast method, which is advantageous. This lowers the manufacturing cost of the device according to the invention.
  • the pattern of the window 45 is such that it will help to delimit the doped region 44.1 of the first type of conductivity and to house the future doped region of the second type of conductivity, including laterally, the non-doped portion 40.1 of substrate 40 separating the doped region 44.1 of the first type of conductivity of the future doped region of the second type of conductivity.
  • the window 45 is in the shape of a T, but it is only an example, in no way limiting, window 45 could of course have several fingers instead of just one.
  • the thickness etched to make the window 45 is greater than that of the doped layer 44.
  • the etching attacks the substrate 40. The reason is that this further reduces the risk of short circuit between the doped region 44.1 of the first type of conductivity and the future doped region of the second type of conductivity.
  • the doped region 44.1 of the first type of conductivity is produced by screen printing.
  • a dielectric layer 55 is formed, for example made of silicon oxide or nitride (FIG. 4C). A layer of silicon oxide can be produced by thermal oxidation. In this dielectric 55, an area is scoured whose contour corresponds to that of the future doped region of the first type of conductivity.
  • This pickling is done by screen printing using a pickling paste through a screen printing screen (not shown). Screen printing techniques are known in microelectronics.
  • the pickling paste is adapted to the nature of the dielectric 55 to be removed. Doping can be done as described above, for example by diffusion of phosphorus atoms at the level of the pickled zone or by implantation of phosphorus ions (FIG. 4D).
  • the remaining dielectric 55.1 provides protection of the substrate against doping.
  • the dielectric that remains after the pickling step can be kept
  • a first metallization zone 46 is connected to the doped region 44.1 of the first type of conductivity.
  • the production of this first metallization zone 46 is a metallization step, for example by screen printing or printing by metallic jet.
  • the metallization can be based on a noble metal such as silver or gold.
  • the first metallization zone 46 comprises metallizations 46.2 spaced apart from one another which can take, for example, the shape of fingers 46.2. These fingers 46.2 are connected at one end in the manner of a comb so as to include a metallization area 46.1. In the example described, this metallization step takes place after the etching step of the window 45.
  • the first metallization zone 46 is visible in FIGS. 6A, 6B.
  • the first metallization zone 46 may only partially cover the doped region 44.1 of the first type of conductivity as in FIGS. 6A, 6B or on the contrary completely cover it.
  • the next step is a step of depositing a dielectric layer 47 on the structure obtained, it directly covers the first metallization zone 46, possibly the doped region 44.1 of the first type of conductivity and the substrate 40 exposed by the window. 45.
  • the dielectric layer 47 is visible in FIGS. 7A1, 7A2, 7B.
  • FIG. 7A1 is based on the configuration in which the doped region of the first type of conductivity was obtained by the first embodiment.
  • FIG. 7A2 is based on the configuration in which the doped region of the first type of conductivity was obtained by screen printing, the window 55.1 which contributes to delimiting this region being made of dielectric material.
  • Figure 7B applies to both cases.
  • the dielectric layer 47 will serve to isolate the first metallization zone 46 from the future second metallization zone produced subsequently.
  • the dielectric material can for example be a silicon oxide or a silicon nitride. It can be deposited for example by a chemical vapor deposition technique assisted by plasma (known under the Anglo-Saxon name PECVD for Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or any other suitable technique.
  • the next step is a step of etching the dielectric layer 47 to expose the substrate 40 at the level of the window 45 (or 55.1).
  • This step produces a first opening 48 with a smaller surface area than that of the window 45 (FIGS. 8A, 8B).
  • These figures relate to the first embodiment of the doped region of the first type of conductivity.
  • the outline of this first opening 48 corresponds to that desired for the future doped region of second type of conductivity which will be produced subsequently.
  • the undoped portion 40.1 of substrate 40 which laterally serves as a barrier between the doped region 44.1 of first conductivity type and the future doped region of second conductivity type.
  • This undoped portion 40.1 of substrate 40 can have a width of approximately 10 micrometers.
  • This etching step is advantageously carried out by laser when the first opening 48 is very fine. We can easily reach opening widths of the order of a few tens of micrometers. Other etching methods can be used, if they are compatible with the fineness of the desired opening. Mention may in particular be made of screen printing using an etching paste suitable for the nature of the dielectric 47.
  • the etching step can also make a second opening 49 in the dielectric layer 47 at the level of the first metallization zone 46 for expose the metallization area 46.1 ( Figures 8A, 8B). This exposure may be partial or total.
  • the doped zone 50 of the second type of conductivity and the second metallization zone 51 it is then necessary to produce these two elements at the same time by depositing above the dielectric layer 47, in the first opening 48, but not in the second opening 49 (if it exists), a metallic deposit 51 for example based aluminum or aluminum silver alloy by screen printing or metallic jet printing. This deposition is followed by thermal annealing at temperatures of the order of 400 ° C to 800 ° C. This thermal annealing allows the metal atoms to diffuse in the substrate 40, this diffusion leading to doping of the second type of conductivity of the part exposed by the first opening 48. The doped zone 50 of the second type of is thus formed conductivity. In this example, it is p + type doping. This doped area 50 is also called rear surface field.
  • the metal layer 51 forms the second metallization zone (or cathodic metallization) which cooperates with the doped region 50 of the second type of conductivity (FIGS. 9A, 9B).
  • the second metallization zone 51 is self-aligned with the first metallization zone 46 without having to use a complex lithography mask.
  • the second metallization zone 51 is perfectly electrically isolated from the first metallization zone 46 by the dielectric layer 47.
  • the metallization zone 46 the least distant from the substrate can be configured as a comb with fingers 46.2 and a metallization range 46.1 connecting the fingers, the dielectric 47 and the metallization zone 51 furthest from the substrate revealing at least partially the range metallization 46.1.
  • At least one of the metallization zones includes contacts separated by at least one space (referenced 55 in FIGS. 6A, 6B). These contacts are located at the doped region with which the metallization zone cooperates. The connection of the other metallization zone with the corresponding doped region takes place in space 55.
  • the glue is referenced 53.
  • the distribution of glue 53 can be done by full plate screen printing in an easy manner.
  • the thickness of adhesive 53 is substantially constant if the free surface of the second metallization zone 51 is substantially planar. Bonding is much easier than if it had to be done on one side with reliefs as happens in the American patent US-A-6,426,235 cited at the start. It was then necessary to carefully fill the areas between the metallizations with glue. It is then possible to separate the thin layer 43 from the base substrate 42 at the level of the weakened layer 41 (FIG. 10) by means of a heat treatment and / or the application of mechanical forces for example.
  • a protective layer 54 can be provided on the face of the thin layer 43 at the separation (FIG. 10). It is for example possible to deposit a dielectric layer, for example silicon oxide or silicon nitride, deposited for example at 350 ° C. This layer, which plays the role of an antireflective, passivation and protective layer, must be transparent to the illumination to which the device will be exposed if the device described is a solar cell.
  • a dielectric layer for example silicon oxide or silicon nitride
  • One advantage of the metallization forming the second metallization zone 51 is on the one hand that it covers practically the entire treated face of the substrate 40 and on the other hand that it is reflective of the light having penetrated into the substrate 40 without being absorbed. It allows very good optical confinement and an improved conversion efficiency compared to cells not having this reflecting element. This advantage is particularly felt in cells having a thin substrate, less than about 50 micrometers, of cell type in a thin layer of monocrystalline silicon since light can pass through the entire thickness without being absorbed.
  • Another advantage of this metallization is that it can be carried out without fine alignment. It is thus possible to overcome the problems of alignment of masks inherent in nested or inter-digested metallizations. It suffices to spare the metallization range 46.1 from the first metallization zone 46 produced.
  • Such a method can be used for producing very high efficiency solar cells with lithography steps as well as low cost solar cells produced in an industrial context with screen printing and / or the use of laser engraving.
  • the first type of conductivity is of type n + and the second of type p +. It is of course possible that it is the reverse, the skilled person having no problem in choosing appropriate materials leading to these conductivities.
  • semiconductor devices in accordance with the invention can be produced at the same time on the substrate, the unitary devices can then be dissociated or else be electrically connected to obtain a module conforming to that of FIG. 2B.

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Abstract

Il s'agit d'un procédé de réalisation d'un dispositif semi-conducteur comportant les étapes suivantes : - réalisation sur une première face principale d'un substrat semi-conducteur d'une région dopée d'un premier type de conductivité et d'au moins une fenêtre,- dépôt d'une première zone de métallisation sur la région dopée, - dépôt d'une couche diélectrique sur au moins la fenêtre et la première zone de métallisation, - gravure d'au moins une première ouverture dans la couche diélectrique au niveau de la fenêtre pour accueillir une région dopée d'un second type de conductivité tout en aménageant latéralement une portion non dopée du substrat semi-conducteur entre les régions dopées, - dopage du substrat conduisant a la région dopée du second type de conductivité, dépôt d'une seconde zone de métallisation. Application notamment aux cellules solaires en couche mince.

Description

PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A METALLISATIONS AUTO-ALIGNEES
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE
La présente invention est relative à un procédé de réalisation d'un dispositif semi-conducteur à métallisations auto-alignées placées sur une même face d'un substrat semi-conducteur. Un tel dispositif peut être, par exemple, une cellule solaire possédant des jeux de métallisations en peigne imbriqués, et le procédé convient particulièrement à la réalisation de cellules solaires sur silicium monocristallin en couche mince. Le procédé peut s'appliquer bien entendu à d'autres dispositifs semi-conducteurs possédant des métallisations imbriquées notamment en peigne.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE
Une description d'un procédé de réalisation de cellules solaires est donnée par exemple dans le brevet US-A-6 426 235. Dans ce document les cellules solaires ont deux jeux de métallisations en peigne inter-digités en face arrière et c'est la face avant qui est éclairée. On peut se référer à la figure 1A qui montre un exemple de cellule solaire conforme à celle décrite dans ce document. Sur cette figure la référence
1 représente un substrat en matériau semi-conducteur d'un premier type de conductivité, par exemple de type p, comportant en surface une couche 3 dopée d'un second type de conductivité (de type n+) . Le substrat 1, par exemple en silicium, va servir d'anode tandis que la couche 3 va servir de cathode. La couche 3 est partiellement ôtée à certains endroits pour mettre à nu le substrat 1. Au moins une couche 4 d'oxyde est ensuite déposée sur la couche 3 et le substrat 1 mis à nu et des ouvertures sont pratiquées dans cette couche d'oxyde 4 pour atteindre, d'une part le substrat 1 et d'autre part la couche 3, afin de pouvoir délimiter des régions semi-conductrices ayant des types de conductivités opposés, correspondant à l'anode et à la cathode, devant être connectées respectivement à un premier jeu de métallisations 5 en peigne et à un second jeu de métallisations 6 en peigne. Ces deux jeux de métallisations en peigne 5, 6 sont inter-digités . Dans l'exemple, le premier jeu de métallisations 5 en peigne correspond à l'anode de la cellule et le second jeu de métallisations en peigne 6 correspond à la cathode de la cellule .
Les deux jeux de métallisations 5, 6 en peigne s'étendent au-dessus de la couche diélectrique 4 mais bien sûr ne doivent pas venir en contact l'un avec l'autre ce qui créerait un court-circuit. Or, il est très difficile de bien positionner entre eux les jeux de métallisations 5, 6 en peigne. La réalisation de ces métallisations en peigne se fait généralement par sérigraphie. Il est nécessaire de limiter au minimum la distance séparant deux métallisations successives appartenant à des jeux différents pour que la plus grande surface possible soit pourvue de métallisations, en effet ces métallisations ont également un rôle de réflecteur de lumière puisqu'elles sont placées sur la face arrière de la cellule. Cette distance est typiquement comprise entre environ une dizaine voire une centaine de micromètres pour obtenir des cellules solaires performantes. Avec de telles distances, le risque de court-circuit entre les deux jeux de métallisations en peigne est grand.
Une étape finale consiste à fixer un support isolant électrique au-dessus des jeux de métallisations en peigne de manière à pouvoir séparer un film mince du substrat, si on a prévu au préalable dans le substrat une couche fragilisée. La fixation par collage n' est pas aisée puisque la surf ce devant recevoir le support comporte un certain nombre de reliefs dus aux jeux de métallisations et l'épaisseur de colle n'est pas uniforme.
Dans la demande de brevet EP-A-0 776 051, il est décrit également une cellule solaire ayant deux jeux de métallisations en peigne inter-digités placés sur la face arrière de la cellule . La figure 1B montre de manière schématique une telle cellule solaire. Dans un substrat semi-conducteur 10 recouvert d'une couche superficielle 11 d'un premier type de conductivité (de type n+) , on dépose un premier jeu de métallisations 12 en peigne par exemple en aluminium. Sur la coupe de la figure 1B, on ne voit qu'une succession de dents du peigne. Ce jeu de métallisations 12 en peigne est soumis à un traitement thermique approprié de manière à ce qu' il diffuse dans le substrat à travers la couche du premier type de conductivité pour former un motif 13 correspondant d'un second type de conductivité (de type p+) , le motif 13 comporte des dents espacées les unes des autres par des régions 14 de la couche 11 du premier type de conductivité. Une couche d'oxyde 15 est déposée en surface, elle recouvre le premier de jeu de métallisations 12 en peigne et les régions 14 de la couche 11 du premier type de conductivité. La couche d'oxyde 15 est ôtée localement pour mettre à nu les régions 14. Une couche conductrice 16 est déposée en surface. Cette couche 16 surmonte la couche d'oxyde 15 sur les bandes conductrices 12 et les régions 14 de la couche 11 du premier type de conductivité. Cette couche conductrice 16 contribue à former un second jeu de métallisations qui coopère avec les zones 14 du premier type de conductivité . Par rapport à la structure de la figure 1A, les deux jeux de métallisations 12, 16 en peigne sont isolés électriquement l'un de l'autre par la couche diélectrique 15. L'inconvénient de ce type de cellule solaire est que des risques de court-circuit existent entre les régions 14 du premier type de conductivité et le motif 13 du second type de conductivité car ils sont accolés.
EXPOSE DE L'INVENTION
La présente invention a justement comme but de proposer un procédé de réalisation d'un dispositif semi-conducteur qui ne présente pas les inconvénients mentionnés ci-dessus, à savoir ces risques de court- circuit entre les deux jeux de métallisations et entre les régions de conductivité de types opposés et qui de plus est bon marché . un procédé de réalisation d'un dispositif semiconducteur comportant les étapes suivantes : -réalisation sur une première face principale d'un substrat semi-conducteur d'une région dopée d'un premier type de conductivité et d'au moins une fenêtre délimitant la dite région, - dépôt d'une première zone de metallisation sur la région dopée du premier type de conductivité,
- dépôt d' une couche diélectrique sur au moins la fenêtre et la première zone de metallisation, - gravure d'au moins une première ouverture dans la couche diélectrique au niveau de la fenêtre mettant à nu le substrat, destinée à accueillir une région dopée d'un second type de conductivité tout en aménageant latéralement une portion non dopée de substrat entre la région dopée du second type de conductivité et la région dopée du premier type de conductivité,
- dopage du substrat conduisant à la région dopée du second type de conductivité, - dépôt d'une seconde zone de metallisation recouvrant la couche diélectrique et venant en contact avec la région dopée du second type de conductivité.
Ainsi, le dispositif semi-conducteur obtenu est bon marché car aucune étape de lithographie n'est utilisée lors de sa réalisation, contrairement à l'art antérieur, ces étapes de lithographie étant coûteuses et incompatibles industriellement avec une application préférentielle de cellules solaires.
La région dopée du premier type de conductivité peut être réalisée par dépôt d'une couche dopée du premier type de conductivité sur la face principale du substrat et gravure dans la couche dopée du premier type de conductivité de la fenêtre mettant à nu le substrat .
En variante, la région dopée du premier type de conductivité peut être réalisée par formation d'une couche diélectrique sur la face principale du substrat, par décapage d'une partie du diélectrique à l'aide d'une pâte décapante par sérigraphie formant une zone décapée au contour de la future région dopée du premier type de conductivité, par dopage de la zone décapée, par retrait du diélectrique restant pour former la fenêtre.
Dans une autre variante, la région dopée du premier type de conductivité peut être réalisée par formation d'une couche diélectrique sur la face principale du substrat, par décapage d'une partie du diélectrique à l'aide d'une pâte décapante par sérigraphie formant une zone décapée au contour de la future région dopée du premier type de conductivité, par dopage de la zone décapée, le diélectrique restant formant la fenêtre.
Au moins une gravure peut être une gravure laser, ce qui permet d'obtenir une gravure fine.
En variante la gravure peut être une gravure par sérigraphie à l'aide d'une pâte apte à décaper du matériau diélectrique.
Le dépôt d' au moins une zone de metallisation se fait par sérigraphie.
La région dopée du premier type de conductivité et la région dopée du second type de conductivité peuvent être imbriquées l'une dans 1' autre .
La première ouverture est plus petite en superficie que la fenêtre, ce qui permet d'aménager la portion non dopée du substrat.
Le dépôt de la première zone de metallisation sur la région dopée du premier type de conductivité peut se faire avant ou après l'étape de gravure de la fenêtre . II est préférable que la gravure de la couche dopée du premier type de conductivité attaque le substrat semi-conducteur pour éviter tout court circuit entre les régions dopées. L'étape de dépôt d'une seconde zone de metallisation peut précéder celle de dopage du substrat conduisant à la région dopée du second type de conductivité, le matériau de la seconde zone de metallisation étant recuit de manière à diffuser dans le substrat au niveau de la première ouverture . Le substrat peut être formé d'un empilement avec une couche fragilisée et une couche mince, la couche fragilisée étant en profondeur, la face principale du substrat sur laquelle la couche dopée du premier type de conductivité est déposée, étant une face de la couche mince.
Le procédé peut comporter une étape de fixation de la seconde zone de metallisation sur un support isolant électrique.
Cette étape peut être suivie d'une étape de dissociation de la couche mince du substrat au niveau de la couche fragilisée. Le procédé peut comporter une étape de protection de la couche mince du côté où elle a été dissociée.
L'étape de gravure de la première ouverture peut inclure la gravure d'une seconde ouverture au niveau de la première zone de metallisation mettant à nu une plage de metallisation dont est dotée la première zone de metallisation.
L' étape de dépôt de la seconde zone de metallisation épargne la seconde ouverture.
Le dispositif peut être formé d'une ou plusieurs cellules solaires . Les cellules solaires peuvent être connectées en série et/ou en parallèle.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels :
Les figures 1A, 1B (déjà décrites) montrent en coupe des cellules solaires de l'art antérieur ;
La figure 2A montre en coupe un dispositif obtenu par le procédé de l'invention et la figure 2B un module de cellules solaires obtenu par le procédé de l'invention ;
Les figures 3, 4A, 4B, 4C, 4D, 4E , 5A, 5B,
6A, 6B, 7A1, 7A2, 7B, 8A, 8B, 9A, 9B, 10 illustrent différentes étapes de procédés selon l'invention pour la réalisation d'un dispositif semi-conducteur selon
1' invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles .
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
On va maintenant se référer à la figure 2A qui montre en coupe un dispositif semi-conducteur obtenu par un procédé selon l'invention. Dans cet
'exemple il s'agit d'une cellule solaire, mais il pourrait s'agir d'un autre dispositif semi-conducteur. Cette cellule solaire comporte un substrat semiconducteur 20 que l'on suppose dans cet exemple épais. Ce substrat semi-conducteur 20 peut être par exemple en silicium. Dans une variante que l'on décrira par la suite aux figures 3 à 10, le substrat semi-conducteur est mince .
Le substrat semi-conducteur 20 comporte, au niveau d'une première face principale 20.1 qui dans cet exemple est du côté de la face arrière de la cellule solaire, une région dopée 21 d'un premier type de conductivité. On suppose que cette région dopée 21 est de type n+ .
Cette région dopée 21 du premier type de conductivité est connectée à une première zone 22 de metallisation, cette première zone 22 de metallisation est la plus proche du substrat semi-conducteur. Dans l'exemple, la première zone 22 de metallisation est digitiforme avec un seul doigt se terminant par une plage de metallisation 29. La plage de metallisation 29 n'est visible que sur la figure 2B, à laquelle on se réfère également, et qui représente un module de cellules solaires conformes à celle de la figure 2A.
La première zone 22 de metallisation pourrait être dotée de plusieurs doigts reliés ensemble par une plage de metallisation et ainsi prendre la forme d'un peigne comme on le verra par la suite.
La première zone 22 de metallisation ne recouvre que partiellement la région dopée 21 du premier type de conductivité, une partie 24 est épargnée. Une couche diélectrique 23 recouvre à la fois la première zone 22 de metallisation, la partie 24 ainsi que la région 25 du substrat 20 se trouvant de part et d'autre de la région dopée 21 du premier type de conductivité. La couche diélectrique 23 possède des premières ouvertures 26 fines de part et d'autre de la région dopée 21 du premier type de conductivité. Ces ouvertures 26 délimitent sensiblement une région dopée 27 ayant un second type de conductivité opposé au premier type (dans l'exemple de type p+) . Cette région dopée 27 du second type de conductivité est disjointe de la région dopée 21 du premier type de conductivité. Cela signifie qu'entre les deux régions dopées ayant des types de conductivité opposés, il subsiste latéralement une portion 25.1 non dopée du substrat 20 recouverte de la couche diélectrique 23. Cette portion 25.1 non dopée a un rôle de barrière entre les deux régions dopées 21, 27 ayant des types de conductivités opposés .
Cela n'était pas le cas dans la demande de brevet européen citée plus haut dans laquelle une région dopée du premier type de conductivité et une région dopée du second type de conductivité étaient toujours jointives latéralement, c'est à dire accolées.
La couche diélectrique 23 comporte également une seconde ouverture 30 qui laisse apparaître totalement ou partiellement la plage de metallisation 29 de la première zone 22 de metallisation comme le montre la figure 2B.
La couche diélectrique 23 ainsi que les premières ouvertures 26 à l'exception de la seconde ouverture 30 sont recouvertes d'une couche 28 électriquement conductrice qui forme une seconde zone 28 de metallisation connectée à la région dopée 27 du second type de conductivité, au niveau des premières ouvertures 26. Cette seconde zone 28 de metallisation présente des métallisations espacées les unes des autres et forme un contact ohmique avec la région dopée 27. La seconde zone 28 de metallisation est la plus éloignée du substrat semi-conducteur 20. Ainsi dans le dispositif semi-conducteur selon l'invention, le risque de court-circuit entre une région dopée 21 du premier type de conductivité et une région dopée 27 du second type de conductivité est éliminé même si les lieux de connexion d'une région dopée d'un type de conductivité avec sa zone de metallisation et ceux de l'autre région dopée avec sa zone de metallisation sont très proches les uns des autres. La première zone 22 de metallisation et la seconde zone 28 de metallisation sont empilées et séparées par du diélectrique 23, ainsi elles sont facilement auto-alignées . Il n'y a ainsi pas de risque de court-circuit entre la première et la seconde zone de metallisation.
Dans l'empilement, le diélectrique 23 et la zone de metallisation 22 la plus éloignée du substrat 20 laissent apparaître une partie de la zone de metallisation 27 la moins éloignée du substrat.
La couche électriquement conductrice 28 aura avantageusement une face libre sensiblement plane, elle comble ainsi les différences de reliefs dues notamment à l'empilement de la région dopée 21 du premier type de conductivité, de la première zone 22 de metallisation et de la couche diélectrique 23 sur le substrat 20. Cette planéité est intéressante également pour l' encapsulation en module des substrats massifs. Dans le cas d'une cellule solaire, la seconde face principale 20.2 du substrat semi-conducteur 20 peut être recouverte d'une couche 31 d'isolant électrique de protection, par exemple en nitrure de silicium, cette couche 31 étant transparente pour l' éclairement reçu puisqu'elle se trouve sur la face avant de la cellule solaire. La flèche matérialise l' éclairement que reçoit la cellule solaire. Cette couche 31 a également un rôle de passivation de surface du substrat 20 et de couche antiréflective pour permettre à une quantité maximale de lumière de pénétrer dans le substrat. Sur la figure 2B, on voit que la seconde zone 28 de metallisation laisse apparaître la plage de metallisation 29 mise à nu par la seconde ouverture 30. On peut ainsi regrouper, par une fabrication par lots, sur un même substrat 20, en un module 36, plusieurs de ces cellules solaires 35 dans un montage série et/ou parallèle. Ce module 36 comporte neuf cellules 35 montées en trois groupes 36.1, 36.2, 36.3 de trois cellules en série disposées selon des lignes, les trois groupes série 36.1, 36.2, 36.3 étant montés en parallèle.
On vient de décrire une configuration dans laquelle la région dopée 27 du second type de conductivité s'étendait de part et d'autre de la région dopée 21 du premier type de conductivité. On peut envisager que l'inverse soit possible comme on va le montrer par la suite. De manière plus générale, la région dopée du premier type de conductivité et la région dopée du second type de conductivité sont imbriquées l'une dans l'autre, tout en restant séparées latéralement l'une de l'autre par la portion non dopée 25.1 du substrat. Les métallisations de la seconde zone 28 de metallisation définissent au moins un espace 37 (dans lequel s'étend la région dopée 21 du premier type de conductivité) et la connexion de la première zone 22 de metallisation avec la région dopée 21 avec laquelle elle coopère se fait dans l'espace 37.
On va maintenant s'intéresser au procédé de réalisation d'un dispositif semi-conducteur conforme à l'invention. On suppose que le dispositif semiconducteur ainsi réalisé est une cellule solaire en silicium monocristallin en couche mince. On se réfère aux figures 3 à 10.
On part d'un substrat 40 semi-conducteur par exemple à base silicium monocristallin présentant à une profondeur donnée une couche fragilisée 41 de manière à permettre ultérieurement le détachement d'une couche mince 43, se trouvant d'un côté de la couche fragilisée 41, du reste du substrat 40. Cette couche fragilisée 41 peut par exemple être formée à la surface d'un substrat de base 42 de silicium monocristallin massif par un traitement d' anodisation, ou par implantation ionique d' espèces gazeuses par exemple d'hydrogène dans le substrat de base 42 ou par tout autre procédé de fragilisation. La couche mince 43 qui se trouve au-dessus de la couche fragilisée 41 peut être formée en totalité ou en partie par épitaxie. On effectue en surface une croissance épitaxiale de silicium pour obtenir une épaisseur de quelques dizaines de micromètres au-dessus de la couche fragilisée 41 (figure 3) . L' épitaxie peut être une épitaxie en phase gazeuse ou en phase liquide par exemple.
On aurait toutefois pu se passer d' épitaxie pour réaliser la couche mince 43 si l'implantation ionique est suffisamment profonde.
On va ensuite réaliser une région dopée 44.1 d'un premier type de conductivité par exemple n+. On déposera ensuite une première zone de metallisation 46 sur la région dopée 44.1 du premier type de conductivité. Dans un premier mode de réalisation, on réalise une couche dopée 44 sur toute la surface 40.2 du substrat 40. Cette couche dopée 44 peut être réalisée par diffusion d'atomes de phosphore ou implantation d'ions phosphore dans le substrat 40 (en fait dans la couche mince 43 du substrat 40) ou par ajout d'un dopant approprié (par exemple de la phosphine PH3) en fin de croissance épitaxiale de la couche épitaxiée formant la couche mince. Cette couche dopée 44 est représentée sur les figures 4A, 4B.
On va ensuite délimiter la couche dopée 44 pour obtenir la région dopée 44.1 du premier type de conductivité. Pour cela, on réalise au moins une fenêtre 45 dans la couche dopée 44 afin de mettre à nu le substrat 40 qui se trouve dessous. Par la suite, on a employé le terme substrat mais il s'agit de la couche mince du substrat s'il y a une couche mince. La fenêtre 45 est visible sur les figures 5A, 5B .
Cette étape peut être réalisée par gravure laser. La gravure laser est une méthode précise et rapide, ce qui est avantageux. Cela fait baisser le coût de fabrication du dispositif selon l'invention. Le motif de la fenêtre 45 est tel qu'il va contribuer à délimiter la région dopée 44.1 du premier type de conductivité et à loger la future région dopée du second type de conductivité, en incluant latéralement, la portion 40.1 non dopée de substrat 40 séparant la région dopée 44.1 du premier type de conductivité de la future région dopée du second type de conductivité . Dans l'exemple décrit la fenêtre 45 est en forme de T mais ce n'est qu'un exemple en aucun cas limitatif, la fenêtre 45 pourrait bien sûr comporter plusieurs doigts au lieu d'un seul.
De préférence, l'épaisseur gravée pour faire la fenêtre 45 est supérieure à celle de la couche dopée 44. La gravure attaque le substrat 40. La raison en est qu'ainsi on diminue encore plus le risque court- circuit entre la région dopée 44.1 du premier type de conductivité et la future région dopée du second type de conductivité. Dans un autre mode de réalisation, la région dopée 44.1 du premier type de conductivité est réalisée par sérigraphie. Sur le substrat 40, on forme une couche diélectrique 55, par exemple en oxyde ou en nitrure de silicium (figure 4C) . Une couche en oxyde de silicium peut être réalisée par oxydation thermique. On décape dans ce diélectrique 55 une zone dont le contour correspond à celui de la future région dopée du premier type de conductivité . Ce décapage se fait par sérigraphie à l'aide d'une pâte décapante à travers un écran de sérigraphie (non représenté) . Les techniques de sérigraphie sont connues en microélectronique. La pâte décapante est adaptée à la nature du diélectrique 55 à ôter. Le dopage peut se faire comme décrit précédemment par exemple par diffusion d' atomes de phosphore au niveau de la zone décapée ou par implantation d'ions phosphore (figure 4D) . Le diélectrique restant 55.1 assure une protection du substrat vis-à-vis du dopage. On peut ensuite ôter par attaque chimique sélective, par exemple, le diélectrique restant de manière à former une fenêtre 45 qui délimite la région dopée 44.1 du premier type de conductivité (figure 4E) . Cette fenêtre laisse apparaître le substrat 40 non dopé. La gravure chimique n'attaque pas le substrat.
En variante, on peut conserver le diélectrique qui reste après l'étape de décapage
(figure 4D) . Ce diélectrique forme la fenêtre référencée 55.1, elle délimite la région dopée 44.1 du premier type de conductivité.
Une première zone de metallisation 46 est connectée à la région dopée 44.1 du premier type de conductivité. La réalisation de cette première zone de metallisation 46 (ou metallisation anodique) est une étape de metallisation par exemple par sérigraphie ou impression par jet métallique. La metallisation peut être à base d'un métal noble tel l'argent ou l'or. La première zone 46 de metallisation comporte des métallisations 46.2 espacées les unes des autres qui peuvent prendre par exemple la forme de doigts 46.2. Ces doigts 46.2 sont reliés à une extrémité à la manière d'un peigne de manière à comporter une plage de metallisation 46.1. Dans l'exemple décrit, cette étape de metallisation a lieu après l'étape de gravure de la fenêtre 45. La première zone 46 de metallisation est visible sur les figures 6A, 6B. Ces figures sont basées sur la configuration obtenue avec le premier mode de réalisation de la région dopée du premier type de conductivité. On comprend bien qu'avec les configurations dans lesquelles la région dopée a été obtenue après une étape de sérigraphie, on procéderait de manière similaire, c'est pourquoi aucune illustration n'a été faite. Il est bien entendu que cette étape de metallisation pourrait avoir lieu après l'étape d'ouverture de la fenêtre 45. La première zone 46 de metallisation peut ne recouvrir que partiellement la région dopée 44.1 du premier type de conductivité comme sur les figures 6A, 6B ou au contraire la recouvrir entièrement .
L'étape suivante est une étape de dépôt d'une couche diélectrique 47 sur la structure obtenue, elle recouvre directement la première zone 46 de metallisation, éventuellement la région dopée 44.1 du premier type de conductivité et le substrat 40 mis à nu par la fenêtre 45. La couche diélectrique 47 est visible sur les figures 7A1, 7A2, 7B. La figure 7A1 se base sur la configuration dans laquelle la région dopée du premier type de conductivité a été obtenue par le premier mode de réalisation. La figure 7A2 se base sur la configuration dans laquelle la région dopée du premier type de conductivité a été obtenue par sérigraphie, la fenêtre 55.1 qui contribue à délimiter cette région étant en matériau diélectrique. La figure 7B s'applique aux deux cas.
La couche diélectrique 47 va servir à isoler la première zone 46 de metallisation de la future seconde zone de metallisation réalisée ultérieurement. Le matériau diélectrique peut être par exemple un oxyde de silicium ou un nitrure de silicium. Il peut être déposé par exemple par une technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (connu sous la dénomination anglo-saxonne PECVD pour Plasma Enhanced Chemical Vapor Déposition) ou tout autre technique appropriée.
L'étape suivante est une étape de gravure de la couche diélectrique 47 pour mettre à nu le substrat 40 au niveau de la fenêtre 45 (ou 55.1) . On réalise par cette étape une première ouverture 48 de superficie plus petite que celle de la fenêtre 45 (figures 8A, 8B) . Ces figures concernent le premier mode de réalisation de la région dopée du premier type de conductivité. Le contour de cette première ouverture 48 correspond à celui voulu pour la future région dopée de second type de conductivité qui va être réalisée par la suite . Autour de cette ouverture se trouve la portion 40.1 non dopée de substrat 40 qui sert latéralement de barrière entre la région dopée 44.1 de premier type de conductivité et la future région dopée de second type de conductivité. Cette portion 40.1 non dopée de substrat 40 peut avoir une largeur d'environ 10 micromètres . Cette étape de gravure est avantageusement réalisée par laser lorsque la première ouverture 48 est très fine. On peut facilement atteindre des largeurs d'ouverture de l'ordre de quelques dizaines de micromètres. D'autres méthodes de gravure peuvent être employées, si elles sont compatibles avec la finesse de l'ouverture désirée. On peut en particulier citer la sérigraphie à l'aide d'une pâte décapante appropriée à la nature du diélectrique 47.
L' étape de gravure peut également réaliser une seconde ouverture 49 dans la couche diélectrique 47 au niveau de la première zone 46 de metallisation pour mettre à nu la plage de metallisation 46.1 (figures 8A, 8B) . Cette mise à nu peut être partielle ou totale.
Il faut ensuite réaliser la zone dopée 50 du second type de conductivité et la seconde zone 51 de metallisation devant être connectée avec elle. Il est possible de réaliser ces deux éléments en même temps en déposant au-dessus de la couche de diélectrique 47, dans la première ouverture 48, mais pas dans la seconde ouverture 49 (si elle existe) , un dépôt métallique 51 par exemple à base d'aluminium ou d'un alliage aluminium argent par sérigraphie ou impression par jet métallique. Ce dépôt est suivi d'un recuit thermique à des températures de l'ordre de 400 °C à 800 °C. Ce recuit thermique permet aux atomes métalliques de diffuser dans le substrat 40, cette diffusion conduisant au dopage du second type de conductivité de la partie mise à nu par la première l'ouverture 48. On a ainsi formé la zone dopée 50 du second type de conductivité. Il s'agit dans cet exemple d'un dopage de type p+ . Cette zone dopée 50 est également appelée champ de surface arrière .
La couche métallique 51 forme la seconde zone 51 de metallisation (ou metallisation cathodique) qui coopère avec la région dopée 50 du second type de conductivité (figures 9A, 9B) . Ainsi la seconde zone 51 de metallisation est auto-alignée avec la première zone 46 de metallisation sans pour autant à avoir à utiliser un masque complexe de lithographie. La seconde zone 51 de metallisation est parfaitement isolée électriquement de la première zone 46 de metallisation par la couche diélectrique 47. Au lieu de réaliser la région dopée 50 ayant le second type de conductivité avec le matériau de la seconde zone de metallisation en tant que dopant, il est possible dans une première étape de réaliser un dopage du substrat 40 au niveau de la première ouverture 48 par diffusion ou implantation ionique avec un matériau approprié. Dans l'exemple ce matériau, qui peut être du bore, conduit à un dopage de type p+ . Ultérieurement on réalise la metallisation conduisant à la seconde zone 51 de metallisation.
La zone de metallisation 46 la moins éloignée du substrat peut être configurée en peigne avec des doigts 46.2 et une plage de metallisation 46.1 reliant les doigts, le diélectrique 47 et la zone de metallisation 51 la plus éloignée du substrat laissant apparaître au moins partiellement la plage de metallisation 46.1.
Toutes les étapes qui viennent d'être décrites peuvent être utilisées pour réaliser un dispositif semi-conducteur similaire à celui décrit aux figures 2A, 2B sur substrat épais . Ainsi dans les deux exemples présentés, une des zones de metallisation au moins comporte des contacts séparés par au moins un espace (référencé 55 sur les figures 6A, 6B) . Ces contacts se trouvent au niveau de la région dopée avec laquelle la zone de metallisation coopère. La connexion de l'autre zone de metallisation avec la région dopée correspondante se fait dans l'espace 55.
On rapporte ensuite, par exemple par collage, un support 52 isolant électrique et bas coût par exemple en verre, matière plastique supportant les températures relativement élevées (de l'ordre de 350 °C par exemple) pour être compatible avec les étapes technologiques ultérieures, céramique ou autre, sur la seconde zone 51 de metallisation la plus éloignée du substrat (figure 10). La colle est référencée 53. La distribution de colle 53 peut se faire par sérigraphie pleine plaque de manière aisée. L'épaisseur de colle 53 est sensiblement constante si la surface libre de la seconde zone 51 de metallisation est sensiblement plane. Le collage est beaucoup plus facile que s'il devait se faire sur une face avec des reliefs comme cela se passe dans le brevet américain US-A-6 426 235 cité au début. Il fallait alors remplir soigneusement de colle les zones entre les métallisations. On peut alors séparer la couche mince 43 du substrat de base 42 au niveau de la couche fragilisée 41 (figure 10) grâce à un traitement thermique et/ou l'application de forces mécaniques par exemple.
On peut prévoir une couche de protection 54 sur la face de la couche mince 43 au niveau de la séparation (figure 10) . On peut par exemple déposer une couche de diélectrique par exemple de l'oxyde de silicium ou du nitrure silicium, déposé par exemple à 350°C. Il faut que cette couche qui joue un rôle de couche antiréflective, de passivation et de protection soit transparente à l' éclairement auquel le dispositif va être exposé si le dispositif décrit est une cellule solaire .
Un intérêt de la metallisation formant la seconde zone 51 de metallisation est d'une part qu'elle recouvre pratiquement toute la face traitée du substrat 40 et d'autre part qu'elle est réfléchissante de la lumière ayant pénétré dans le substrat 40 sans être absorbée. Elle permet un très bon confinement optique et un rendement de conversion amélioré par rapport aux cellules n'ayant pas cet élément réfléchissant. Cet avantage se fait particulièrement sentir dans les cellules ayant un substrat de faible épaisseur, inférieur à environ 50 micromètres, de type cellule en couche mince de silicium monocristallin puisque de la lumière peut traverser toute l'épaisseur sans être absorbée .
Un autre avantage de cette metallisation est qu'elle peut être réalisée sans alignement fin. On peut ainsi s'affranchir des problèmes d'alignement de masques inhérents aux métallisations imbriquées ou inter-digitées . Il suffit d'épargner la plage de metallisation 46.1 de la première zone 46 de metallisation réalisée.
Un tel procédé peut aussi bien être utilisé pour réaliser des cellules solaires très haut rendement avec des étapes de lithographie que des cellules solaires bas coût réalisées dans un contexte industriel avec sérigraphie et/ou utilisation de gravure laser.
Bien que plusieurs modes de réalisation de la présente invention aient été représentés et décrits de façon détaillée, on comprendra que différents changements et modifications puissent être apportés sans sortir du cadre de l'invention. Dans les exemples décrits, le premier type de conductivité est de type n+ et le second de type p+ . Il est bien sûr possible que ce soit l'inverse, l'homme du métier n'ayant aucun problème pour choisir des matériaux appropriés conduisant à ces conductivités . Plusieurs dispositifs semi-conducteurs conformes à l'invention peuvent être réalisés en même temps sur le substrat, les dispositifs unitaires peuvent ensuite être dissociés ou bien être reliés électriquement pour obtenir un module conforme à celui de la figure 2B.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de réalisation d'un dispositif semi-conducteur comportant les étapes suivantes : , - réalisation sur une première face principale (40.2) d'un substrat semi-conducteur (40) d'une région dopée (44.1) d'un premier type de conductivité et d'au moins une fenêtre (45) délimitant la dite région, - dépôt d'une première zone (46) de metallisation sur la région dopée (44.1) du premier type de conductivité,
- dépôt d'une couche diélectrique (47) sur au moins la fenêtre (45) et la première zone (46) de metallisation,
- gravure d'au moins une première ouverture (48) dans la couche diélectrique (47) au niveau de la fenêtre (45) mettant à nu le substrat (40) , destinée à accueillir une région dopée (50) d'un second type de conductivité tout en aménageant latéralement une portion non dopée (40.1) du substrat semi-conducteur entre la région dopée (50) du second type de conductivité et la région dopée (44.1) du premier type de conductivité, - dopage du substrat (40) conduisant à la région dopée (50) du second type de conductivité, dépôt d'une seconde zone (50) de metallisation recouvrant la couche diélectrique (47) et venant en contact avec la région dopée (50) du second type de conductivité.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région dopée (44.1) du premier type de conductivité est réalisée par dépôt d'une couche dopée (44) du premier type de conductivité sur la face principale (40.2) du substrat et gravure dans la couche dopée du premier type de conductivité de la fenêtre mettant à nu le substrat .
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région dopée (44.1) du premier type de conductivité est réalisée par formation d'une couche diélectrique (55) sur la face principale (40.2) du substrat, par décapage d'une partie du diélectrique (55) à l'aide d'une pâte décapante par sérigraphie formant une zone décapée au contour de la future région dopée du premier type de conductivité, par dopage de la zone décapée, par retrait du diélectrique (55) restant pour former la fenêtre (45) .
4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région dopée (44.1) du premier type de conductivité est réalisée par formation d'une couche diélectrique (55) sur la face principale (40.2) du substrat, par décapage d'une partie du diélectrique (55) à l'aide d'une pâte décapante par sérigraphie formant une zone décapée au contour de la future région dopée du premier type de conductivité, par dopage de la zone décapée, le diélectrique (55) restant formant la fenêtre (55.1) .
5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'au moins une gravure est une gravure laser.
6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'au moins une des gravures est une gravure par sérigraphie.
7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'au moins une zone de metallisation se fait par sérigraphie.
8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la région dopée (44.1) du premier type de conductivité et la région dopée (50) du second type de conductivité sont imbriquées l'une dans 1' autre .
9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la première ouverture (48) est plus petite en superficie que la fenêtre (45) .
10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le dépôt de la première zone (46) de metallisation sur la région dopée (44.1) du premier type de conductivité se fait avant ou après l'étape de gravure de la fenêtre (45) .
11. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la gravure de la couche dopée (44) du premier type de conductivité attaque le substrat (40) semi-conducteur.
12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que l'étape de dépôt de la seconde zone (51) de metallisation précède celle de dopage du substrat (40) conduisant à la région dopée (50) du second type de conductivité, le matériau de la seconde zone (51) de metallisation étant recuit de manière à diffuser dans le substrat au niveau de la première ouverture (48) .
13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que le substrat (40) comporte un empilement avec une couche fragilisée (41) et une couche mince (43) , la couche fragilisée étant en profondeur, la face principale (40.2) du substrat sur laquelle la couche dopée (44) du premier type de conductivité est déposée étant une face de la couche mince.
14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de fixation de la seconde zone (51) de metallisation sur un support (52) électriquement isolant.
15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de dissociation de la couche mince (43) du substrat au niveau de la couche fragilisée (41) .
16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de protection et de passivation de la couche mince (43) du côté où elle a été dissociée.
17. Procédé selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que l'étape de gravure de la première ouverture (48) inclut la gravure d'une seconde ouverture (49) au niveau de la première zone (46) de metallisation mettant à nu une plage de metallisation (46.1) dont est dotée la première zone (46) de metallisation .
18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'étape de dépôt de la seconde zone (51) de metallisation épargne la seconde ouverture (49) .
19. Procédé selon l'une des revendications l à 18, caractérisé en ce que le dispositif est formé d'une ou plusieurs cellules solaires (35) .
20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que les cellules solaires sont connectées en série et/ou en parallèle.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2880989B1 (fr) * 2005-01-20 2007-03-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
FR2880986B1 (fr) * 2005-01-20 2007-03-02 Commissariat Energie Atomique Procede de metallisation d'un dispositif semi-conducteur
DE102008013446A1 (de) * 2008-02-15 2009-08-27 Ersol Solar Energy Ag Verfahren zur Herstellung monokristalliner n-Silizium-Solarzellen sowie Solarzelle, hergestellt nach einem derartigen Verfahren
US8481357B2 (en) * 2008-03-08 2013-07-09 Crystal Solar Incorporated Thin film solar cell with ceramic handling layer
JP2009253096A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Sharp Corp 太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法ならびに太陽電池モジュール
CN101958361A (zh) * 2009-07-13 2011-01-26 无锡尚德太阳能电力有限公司 透光薄膜太阳电池组件刻蚀方法
KR101948206B1 (ko) * 2012-03-02 2019-02-14 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 태양 전지와, 이의 제조 방법
TWI643351B (zh) * 2013-01-31 2018-12-01 澳洲商新南創新有限公司 太陽能電池金屬化及互連方法
US9768343B2 (en) * 2013-04-29 2017-09-19 OB Realty, LLC. Damage free laser patterning of transparent layers for forming doped regions on a solar cell substrate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4927770A (en) * 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
US6396046B1 (en) * 1999-11-02 2002-05-28 General Electric Company Imager with reduced FET photoresponse and high integrity contact via

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4234352A (en) * 1978-07-26 1980-11-18 Electric Power Research Institute, Inc. Thermophotovoltaic converter and cell for use therein
JP3032422B2 (ja) * 1994-04-28 2000-04-17 シャープ株式会社 太陽電池セルとその製造方法
US6180869B1 (en) * 1997-05-06 2001-01-30 Ebara Solar, Inc. Method and apparatus for self-doping negative and positive electrodes for silicon solar cells and other devices
JP4329183B2 (ja) * 1999-10-14 2009-09-09 ソニー株式会社 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法
US6423568B1 (en) * 1999-12-30 2002-07-23 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4927770A (en) * 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
US6396046B1 (en) * 1999-11-02 2002-05-28 General Electric Company Imager with reduced FET photoresponse and high integrity contact via

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SWANSON R M ET AL: "POINT CONTACT SILICON SOLAR CELLS", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, IEEE INC. NEW YORK, US, vol. 31, no. 5, May 1984 (1984-05-01), pages 661 - 664, XP001080038, ISSN: 0018-9383 *
TILFORD C L ET AL: "Development of a 10 kW reflective dish PV system", PROCEEDINGS OF THE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE. LOUISVILLE, MAY 10 - 14, 1993, NEW YORK, IEEE, US, vol. CONF. 23, 10 May 1993 (1993-05-10), pages 1222 - 1227, XP010113231, ISBN: 0-7803-1220-1 *
VERLINDEN P ET AL: "MULTILEVEL METALLIZATION FOR LARGE AREA POINT-CONTACT SOLAR CELLS", PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL PHOTOVOLTAIC ENERGY CONFERENCE. FLORENCE, MAY 9 - 13, 1988, DORDRECHT, KLUWER, NL, vol. 2 CONF. 8, 9 May 1988 (1988-05-09), pages 1466 - 1471, XP000044541 *

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