Beschreibung
Funktionsschicht eines organischen Feldeffekt Transistors, Elektrode und/oder Leiterbahn
Die Erfindung betrifft eine Funktionsschicht eines organischen Feldeffekt Transistors (OFET) , eine Elektrode und/oder eine Leiterbahn sowie eine Vorschrift zum Drucken dazu.
Bekannt sind beispielsweise aus der DE 100 33 112.2 Verfahren zum Drucken von organischen Funktionsschichten, bei denen lösliche organische Materialien, insbesondere auch lösliche Polymere, als OFETs oder als integrierte Schaltungen gedruckt werden.
Als Drucktechniken werden insbesondere Rolle-zu-Rolle Verfahren eingesetzt, die mit Prägetechnik kombiniert werden können.
Die bekannten Drucktechniken führen jedoch nicht immer zu den vorgegebenen Mustern, Designs oder Layouts, weil drucktechnisch die Übertragung aus den verschiedensten Gründen nicht immer 100% dem vorgegebenen Layout entspricht, sondern vielmehr nur mit einer gewissen Unscharfe weitergegeben werden kann.
Bislang wurde diesem Umstand, obwohl er bekannt ist, nie Rechnung getragen, das heißt die Designregeln, die bislang zum Drucken organischer Schaltungen aufgestellt wurden, gehen von dem hypothetischen Fall einer 1:1 Übertragung des Musters auf das Substrat aus.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, Muster o- der Designregeln für das Drucken organischer Schaltungen zu schaffen, die die durch das Drucken in realitas unvermeidbaren Fehler berücksichtigt und mit einbezieht.
Gegenstand der Erfindung ist daher eine Funktionsschicht, eine Leiterbahn, eine Elektrode und/oder eine Durchkontaktie- rung eines OFET, die drucktechnisch herstellbar ist und deren Ecken abgerundet sind und/oder deren breite Strukturen in hinreichend großem Abstand voneinander platziert wurden und/oder deren Leiterbahnen querverbunden sind, so dass eine Defektstelle in der Leiterbahn durch die Querverbindung ausgeglichen wird.
Als Querverbindung wird eine Unterstützungsleiterbahn bei Unterbrechungsgefahr bezeichnet, die sich wie folgt als nötig erweisen kann:
Bei der Herstellung von Elektroden oder Leiterbahnen mittels Drucktechnik werden diese nicht wie im Layout und der Druckplatte vordefiniert wiedergegeben. Die Breite der Leiterbahnen unterliegt einer gewissen statistischen Schwankung und es können vereinzelt Löcher in die Leiterbahn mit eingebaut sein. Dies führt zu einer Schwankung des Widerstandes im Ver- lauf der Leiterbahn. In extremen Fällen kann dies sogar zu einer Unterbrechung der Leiterbahn führen. Dieser Effekt kann für Leiterbahnen bestehend aus Gold, Polyanilin, Pedot, Drucktinten, welche mit einem leitfähigem Material gefüllt worden sind, oder Graphit/Carbon Black auftreten. Dabei spielt es keine Rolle, ob diese Leiterbahnen mittels einer
Drucktechnik, über ein direktes additives Verfahren oder über ein indirektes subtraktives Verfahren hergestellt wurden. Die Leiterbahnen weisen normalerweise eine Breite von bis zu 300μm, aber meistens weniger auf.
Um die Defektstellen auszugleichen wird die Breite der Leiterbahn vergrößert. An manchen Stellen innerhalb einer Schaltung ist dies jedoch aus Platzmangel nicht möglich oder aus Performancegründen auch nicht erwünscht. Deshalb ist es wich- tig, dass eine Querverbindung geschaffen wird, die die Breite der Leiterbahn unverändert schmal lässt und doch Defekte und Fehlstellen ausgleicht.
Im folgenden wird die Erfindung noch anhand von 7 Figuren näher erläutert.
Figur 1: Bei dem Design der hier gezeigten Gateelektrode (2) für einen Feldeffekt Transistor handelt es sich um ein, nach klassischen Optimierungsmethoden aus der Halbleitertechnologie optimiertes Design. Die Gateelektrode ist dabei so ange- passt, dass sie sich nur in der aktiven Zone des OFETs befin- det . Jeder Überlapp mit der nicht-aktiven Zone würde parasitäre Kapazitäten verursachen, die sich negativ auf die Schaltfrequenz auswirken. Der elektrische Anschluss 1 wird durch einen Pfeil indiziert.
In Figur 2 ist eine Unterbrechung 3 der Leiterbahn eingezeichnet. Dadurch wird der eine Teil 4 der Elektrode elektrisch isoliert. Dies hätte einen dramatischen Einbruch der Leistungsfähigkeit des Transistors zur Folge. Eine Verbreiterung der Elektrode ist nicht möglich, da dadurch die parasi- tären Effekte wieder zunehmen würden.
In Figur 3 ist gezeigt, wie derselbe Defekt durch die eingeführte Unterstützungsleiterbahn oder Querverbindung 5 umgangen werden kann. Je höher die Gefahr einer Unterbrechung ist, desto mehr Unterstützungsleiterbahnen 5 werden eingebaut. Der Grossteil der freien Fläche muss dabei nach Möglichkeit noch frei bleiben, da ansonsten der Geschwindigkeitsgewinn des Bauteiles nicht mehr ausreichend ist.
Figuren 4 und 5 zeigen ein Design zum geometrischen Ausgleich von Serienwiederständen:
In der herkömmlichen Halbleitertechnologie können auf grund der hohen Leitfähigkeiten der Leiterbahnmaterialien geringe Unterschiede in den Zuleitungslängen ignoriert werden. In der Polymerelektronik ist dies durch die niedrigen Leitfähigkeiten der verwendeten Materialien nicht mehr möglich. Deswegen
müssen unterschiedliche Zuleitungslängen durch eine entsprechend größere Breite ausgeglichen werden, wenn eine identische Signalfortbreitung in beiden Zuleitungen notwendig ist.
In Figur 4 sind zwei Leiterbahnen 6,7 unterschiedlicher Länge gezeigt. Die spezifische Leitfähigkeit und die Dicke der beiden Leiterbahnen soll identisch sein. Aufgrund der doppelten Länge von Leiterbahn 7 wäre ihr Serienwiederstand doppelt so hoch. In Figur 5 ist die Breite von Leiterbahn 2 verdoppelt. Ebenso gut könnte natürlich auch die Breite der Leiterbahn 6 halbiert und/oder beide Breiten beider Leiterbahnen verändert worden sein, um einen ausgeglichenen Serienwiderstand zu erreichen.
Für die Drucktechnik sind Muster mit Kanten, wie sie an Quadern auftreten, ungeeignet. Diese Kanten sind Keimstellen für Defekte und sie fördern das Verlaufen der Muster beim Drucken.
In Figur 6 sind einige ungeeignete Formen gezeigt. In Figur 7 ist die verbesserte Form mit abgerundeten Ecken dargestellt.
Ein weiterer Aspekt für das Drucken ist die Wahrung eines Ab- stands zu breiten Zuleitungen.
Extrem breite Strukturen (>300μm) können leicht Defekte in einem Umkreis von ungefähr 100-500μm verursachen. Dabei handelt es sich üblicherweise um Spritzer des Druckmediums. Diese können an ungeeigneten Stellen die Funktionalität des ge- samten Bauteiles vernichten. Es ist aus diesem Grunde notwendig, sie in einem hinreichend hohen Abstand zu den aktiven Zonen bzw kritischen Leitungen zu platzieren. Eine andere Möglichkeit bestünde darin, sie zu verjüngen, um so die effektive Defektfläche zu verringern, oder Defekte ganz zu ver- hindern. Dies kann aber nur dann geschehen, wenn dies der Serienwiederstand der Leiterbahn zulässt.
Die Erfindung kann insbesondere auch bei der Platzierung von
Vias und bei der Verwendung breiter Elektroden (gleicher
Orientierung) für niedrige Kanallängen in Transistoren einge- setzt werden.
Die Erfindung berücksichtigt erstmals im Entwurf der Layouts, Designs und/oder Muster für integrierte Schaltungen oder OFETs die drucktechnischen Schwierigkeiten und die Besonder- heiten der organischen Elektronik.
Elektroden werden vorzugsweise entlang einer Vorzugsrichtung des Druckverfahrens platziert, was in der Regel die beste Auflösung garantiert. Insbesondere können Sie parallel zu der Bahnrichtung angeordnet sein. Unter Bahnrichtung versteht man die Richtung, in der das durchgehende Band verläuft also die Bahn des durchlaufenden Bandes.