WO2004052804A1

WO2004052804A1 - 高強度低温焼成セラミック組成物及びその製造方法、並びにこれを用いた積層電子部品

Info

Publication number: WO2004052804A1
Application number: PCT/JP2003/015664
Authority: WO
Inventors: Tsuyoshi Fukuta; Hiroyuki Itoh; Osamu Yamada
Original assignee: Hitachi Metals, Ltd.
Priority date: 2002-12-06
Filing date: 2003-12-08
Publication date: 2004-06-24
Also published as: EP1568668A1; CN1720205A; CN100475738C; US20060100087A1; EP1568668A4; EP1568668B1; US7285507B2

Abstract

組織中にSrAl2Si2O8結晶及びAl2O3結晶を有し、SrAl2Si2O8結晶は六方晶SrAl2Si2O8単独又は六方晶SrAl2Si2O8及び単斜晶SrAl2Si2O8からなり、Cu-Kα線によるX線回折測定において、六方晶SrAl2Si2O8の（101）面のピーク強度をI101、単斜晶SrAl2Si2O8の（002）面のピーク強度をI002としたとき、I101 / (I101 + I002) x 100で表わされるピーク強度比が5％以上である高強度低温焼成セラミック組成物。

Description

明細書

高強度低温焼成セラミック組成物及ぴその製造方法、

並びにこれを用いた積層電子部品発明の分野

本発明は、積層回路基板用の高強度低温焼成セラミック組成物に関し、特に機械的強度が高く、銀、金、銅等の低融点金属からなる電極との同時焼成が可能な高強度低温焼成セラミック組成物、及びその製造方法、並びにこれを用いた主に携帯電話等に使用する積層電子部品に関する。背景技術

従来から IC等の半導体素子や各種電子部品を搭載し、内層回路を配したセラミック積層回路基板が知られている。このような積層回路基板には、これまで放熱性、電気的特性、機械的強度等が総合的に優れたアルミナ基板が用いられて来た。アルミナ基板は焼成温度が 1300〜： 1600°Cと高いため、電極材料には W, Mo等の高融点金属が使用されている。し力し、これらの電極材料は電気抵抗率が高く、携帯電話等の数百 MHzを超える高周波回路では信号の伝送損失の増大を招く問題があった。

携帯電話等の移動体通信分野においては、特に、信号の伝送損失が小さいことが求められている。このため、 W, Mo等の高融点金属の代わりに、電気抵抗率の小さい銀、金、銅等の電極材料が用いられるようになり、またセラミック積層回路基板には、前記電極材料と同時焼成が可能なガラスセラミックスや、低温焼成セラミック組成物が多く使用されるようになった（米国特許第 6121174号）。

し力しながら、前記積層回路基板は、アルミナ基板に比べて機械的強度が著しく劣っていた。例えばアルミナ基板の抗折強度は 400 MPa程度であるが、前記積層回路基板の抗折強度は 150 MPa程度である。従来の携帯電話等では積層回路基板の抗折強度が 150 MPa以上あれば実用的に十分であつたが、携帯電話等に用いる電子部品の薄型化にともない、その中に用いられる積層回路基板も 1 mm以下にまで薄型化し、従来のセラミック積層回路基板では機械的強度が不十分となった。

このように携帯電話等に用いる積層回路基板には、例えば、実装基板のねじれゃ曲がり等の変形や、落下時の衝撃に対して、クラックや破損が生じないような高強度が求められる。発明の目的

従って本発明の目的は、低融点金属との同時焼成が可能であり、クラックや破損が生じにくい回路基板を形成し得る高強度の低温焼成セラミック組成物を提供することである。

本発明のもう一つの目的は、かかる低温焼成セラミック組成物を製造する方法を提供することである。

本発明のさらにもう一つの目的は、かかる低温焼成セラミック組成物からなる誘電体層を有する積層電子部品を提供することである。発明の開示

低温焼成セラミック組成物からなる積層回路基板の機械的強度を向上させるために、低温焼成セラミック組成物を構成する結晶相の強度を調べた結果、 SrAl₂Si₂O₈結晶（ストロンチウム長石）の機械的強度がその結晶構造により著しく異なることが分かった。

Al, Si及び Srの酸化物からなる SrAl₂Si₂0₈の化学量論的組成物について、焼成過程で析出する結晶系を X線回折法により詳細に調べた。その結果、 SrAl₂Si₂0₈組成物の組織は、（a) 950°C〜1050°Cの温度領域では僅かに単斜晶 SrAl₂Si₂O₈を有するが、大部分は六方晶 SrAl₂Si₂0₈と未反応の A1₂0₃結晶及ぴ SrSi0₃結晶であり、（b) 1050°C超乃至 1100°C以下の温度領域では、六方晶 SrAl₂Si₂O₈が単斜晶（b 軸） SrAl₂Si₂0₈に変化し、（c) 1100°C超では六方晶 SrAl₂Si₂O₈はなく、単斜晶 SrAl₂Si₂0₈、 A1₂0₃結晶及ぴ SrSi0₃結晶からなることが分かった。

組織中に六方晶 SrAl₂Si₂0₈を有する場合、 SrAl₂Si₂0₈の化学量論的組成物の抗折強度は 300 MPa以上となるが、組織中の Si'Al₂Si₂0₈結晶が単斜晶であると、 150 MPa程度に低下してしまう。六方晶 SrAl₂Si₂0₈と単斜晶 SrAl₂Si₂O₈ とで、機械的強度に著しい差がある理由は明らかではないが、主結晶相である

SrAl₂Si₂0₈結晶が Α1₂Ο₃結晶と同じ六方晶系として存在することにより、両結晶相の結び付きが強化され、機械的強度が高まるためであると考えられる。低温焼成セラミック組成物を六方晶 SrAl₂Si₂O₈と Α1₂Ο₃結晶が混在する組織とすることにより、電子部品に用いるのに必要な比誘電率、 2 THzを超える実用的な fQ等の誘電特性を確保しながら、機械的強度を向上できることが分かった。本発明はこのような知見に基づき完成したものである。

本発明の第一の実施形態による高強度低温焼成セラミック組成物は、組織中に六方晶 SrAl₂Si₂O₈及ぴ Α1₂Ο₃結晶を有することを特徴とする。

本発明の第二の実施形態による高強度低温焼成セラミック組成物は、 Al₂0₃-SiO₂-SrO を主体とする基地に六方晶 SrAl₂Si₂0₈を含み、前記基地に A1₂0₃結晶粒が析出していることを特徴とする。

高強度低温焼成セラミック組成物の基地は、（a) アモルファス相で、その中に六方晶 SrAl2Si₂0₈が析出している力 \ (b) 実質的に SrAl₂Si₂0₈結晶からなり、その少なくとも一部が六方晶 SrAl2Si₂0₈であるのが好ましい。前記基地は単斜晶 Si'Al₂Si₂O₈を含んでいても良い。

本発明の第三の実施形態による高強度低温焼成セラミック組成物は、組織中に SrAl₂Si₂0₈結晶及ぴ A1₂0₃結晶を有し、前記 SrAl₂Si₂0₈結晶は六方晶 SrAl₂Si₂O₈単独又は六方晶 SrAl₂Si₂0₈及ぴ単斜晶 SrAl₂Si₂0₈からなり、 CirKa 線による X線回折測定において、六方晶 SrAl₂Si₂O₈の（101) 面のピーク強度を 1₁₀₁、単斜晶 SrAl₂Si₂O₈の (002)面のピーク強度を 1₀₀₂としたとき、 Ιιοι / (Ιιοι + Ioo2) x 100で表わされるピーク強度比が 5%以上であることを特徴とする。前記ピーク強度比は 10%以上であるのが好ましく、 50%以上であるのがより好ましい。

本発明の高強度低温焼成セラミック組成物は、実質的に SrAl₂Si₂0₈結晶からなる基地と、前記基地に A1₂0₃結晶粒とを有する組織を有し、前記 SrAl2Si₂O₈ 結晶は六方晶 SrAl₂Si₂0₈単独又は六方晶 Si'Al₂Si₂O₈及ぴ単斜晶 SrAl₂Si₂O₈からなり、前記 SrAl₂Si₂0₈結晶における前記六方晶 SrAl₂Si₂0₈の割合は 60%以上であり、かつ 400 MPa以上の抗折強度を有するのが好ましい。本発明の高強度低温焼成セラミック組成物の好ましい第一の組成は、（a) 10〜 60質量⁰ /₀ (A1₂0₃換算）の A1, 25〜60質量％ (Si0₂換算）の Si及ぴ 7.5〜50 質量％ (SrO換算）の Srからなる主成分 100質量％と、 (b) 0.1-10質量％ (Bi₂0₃ 換算）の Bi, 0.1〜5質量⁰ /₀ (Na₂0換算）の Na, 0.1〜5質量。 /。（ 0換算）の K及び 0.1〜5質量％ (CoO換算）の Coからなる群から選ばれた少なくとも 1 種と、 0.01〜5質量％ (CuO換算）の Cu、 0.01〜5質量％ (Mn0₂換算）の Mn、 0.01-5質量⁰ /oの Ag及び 0.01〜2質量％ (Zr0₂換算）の Zrからなる群から選ばれた少なくとも 1種とからなる副成分と、（c)不可避的不純物とを含有する。

本発明の高強度低温焼成セラミツク組成物の好ましい第二の組成は、（a) 10〜 60質量⁰ /₀ (Α1₂Ο₃換算）の Al， 25〜60質量％ (SiO₂換算）の Si， 7·5〜50質量。 /。（SrO換算）の Sr及び 20質量％以下（Ti0₂換算）の Tiからなる主成分 100質量％と、（b) 0.1-10質量⁰ /₀ (Bi₂0₃換算）の Bi, 0.1-5質量⁰ /₀ (Na₂0換算）の Na, 0.1〜5質量％ (K₂O換算）の Κ及び 0.1〜5質量％ (CoO換算）の Coからなる群から選ばれた少なくとも 1種と、 0.01〜5質量％ (CuO換算）の Cu、 0.01〜5質量％ (Mn0₂換算）の Μη、 0.01〜5質量％の Ag及び 0.01〜2 質量％ (Zr0₂換算）の Zrからなる群から選ばれた少なくとも 1種とからなる副成分と、（c) 不可避的不純物とを含有する。

前記 A1₂0₃結晶粒の平均結晶粒径は 1 μπι以下であるのが好ましい。

上記高強度低温焼成セラミック組成物を製造する方法は、アルミニウム酸化物，珪素酸化物及ぴストロンチウム酸化物、又はアルミニウム酸化物，珪素酸化物，ストロンチウム酸化物及びチタン酸化物を主原料とするセラミック成形体を焼成する際、セラミック組織中に形成される SrAl₂Si₂O₈結晶のうち、六方晶 SrAl₂Si₂0₈の比率が 5%以上となるように温度及ぴ時間を設定することを特徴とする。焼成温度及ぴ時間は、六方晶 SrAl2Si₂0₈の比率が 10%以上となるように設定するのが好ましく、 50%以上となるように設定するのがより好ましく、 60%以上となるように設定するのが特に好まし！/、。

本発明の積層電子部品は、上記高強度低温焼成セラミック組成物からなる複数の誘電体層を積層してなり、前記誘電体層の各々に低融点金属からなる導体パターンが形成されていることを特徴とする。前記低融点金属は銀、銅、金又はこれらの合金であるのが好ましい。

前記導体パターンはィンダクタンス素子及び/又はキャパシタンス素子を構成しているのが好ましい。前記積層電子部品にインダクタンス素子、キャパシタンス素子、スイッチング素子及びフィルタ素子からなる群から選ばれた少なくとも 1つを実装するのが好ましい。図面の簡単な説明

図 1は本発明の一実施例の低温焼成セラミック組成物（試料 8) の X線回折パターンを示すグラフであり、

図 2は本発明の他の実施例の低温焼成セラミック組成物（試料 12) の X線回折パターンを示すグラフであり、

図 3は本発明の他の実施例の低温焼成セラミック組成物（試料 13) の X線回折パターンを示すグラフであり、

図 4は本発明の範囲外である低温焼成セラミック組成物（試料 14) の X線回折パターンを示すグラフであり、

図 5 は本発明の一実施例の低温焼成セラミック組成物の透過型電子顕微鏡 (TEM) 写真であり、

図 6は図 5の TEM写真に対応する組織を示す模式図であり、

図 7は実施例 2における種々の低温焼成セラミック組成物について、焼成温度と抗折強度との関係を示すグラフであり、

図 8は実施例 2における種々の低温焼成セラミック組成物について、焼成温度での保持時間と抗折強度との関係を示すグラフであり、

図 9は実施例 4の積層回路基板を示す分解斜視図であり、

図 10は実施例 4の積層電子部品を示す斜視図であり、

図 11は実施例 4の積層電子部品の等価回路を示す図である。発明を実施するための最良の形態

本発明の高強度低温焼成セラミック組成物の主成分は、 Al， Si及び Sr、又は Al, Si, Sr及びであり、 1050°C以下、好ましくは 1000°C以下の温度で焼成し、組織中に少なくとも六方晶 SrAl₂Si₂08及ぴ A1₂0₃結晶粒を有する。このような低温焼成セラミック組成物からなる誘電体層上に高導電率を有する低融点金属（銀、銅、金又はこれらの合金）からなる内部電極を形成し、積層後に焼成することにより一体ィ匕すると、機械的強度に優れ、高い Q値により極めて損失の小さい高周波電子部品を形成することができる。このため、誘電体共振器、フィルタ、積層インダクタ又は積層コンデンサ、及びこれらを複合化した高周波積層基板等に応用して、機械的強度、マイクロ波特性に優れ、低損失な回路デバイスが得られる。

A1は A1₂0₃換算で 10〜60質量％とするのが好ましく、 Siは Si0₂換算で 25 〜60質量％とするのが好ましく、 Srは Si'O換算で 7.5〜50質量。 /₀とするのが好ましい。これらの金属の含有量がこれらの範囲外であると、 1000°C以下の低温焼成では十分な焼成密度が得られないために、低温焼成セラミック組成物は多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。

Ti は低温焼成セラミック組成物の共振周波数の温度係数て f を増加させる作用を有する。 Tiは、 Ti0₂換算で 0〜20質量％とするのが好ましい。 Tiの含有量が増加するとともに低温焼成セラミック組成物の共振周波数の温度係数は増大する。低温焼成セラミック組成物の共振周波数の温度係数て f 力〜- 40 ppm/°C程度のマイナス側にある場合、 Tiの含有量を多くしてて fを 0 ppm/°Cに容易に調整することができる。し力しながら、 Tiの添加量が Ti0₂換算で 20質量％より多いと、 1000°C以下の低温焼成では十分な焼成密度が得られないために、低温焼成セラミック組成物が多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。

またこの低温焼成セラミック組成物に更に、副成分として、 Bi、 Na、 K及び Coからなる群から選ばれた少なくとも 1種、及び Cu、 Mn、 Ag及ぴ Zrからなる群から選ばれた少なくとも 1種を含有させるのが好ましい。これらの金属の添加量は、特に断りがない限り、主成分の合計 100質量。/。に対して、酸化物換算値で示す。これらの金属は酸ィヒ物又は炭酸塩の状態で添加するのが好ましレ、。

Bi、 Na、 K及び Coは、仮焼工程において A1₂0₃以外の成分がガラス化する際、得られるガラスの軟化点を低下させる作用を有するので、より低温での焼成を可能にし、 1000°C以下の焼成温度でも <¾値の高い誘電特性を有する低温焼成セラミック組成物を得ることを可能にする。

Biは、 Bi₂O₃換算で 0.1〜： L0質量⁰ /₀とするのが好ましい。 Biが 10質量％ょり多いと、 Q値が小さくなる。 Biのより好ましい添加量は 5質量％以下である。また Biの添加量が 0.1質量％より少なヽと、焼成温度の低下効果が不十分である。 Biのより好ましい添加量は 0.2質量％以上である。

Naは、 Na₂0換算で 0.1〜5質量％とするのが好ましい。 Naが 0.1質量。 /₀未満の場合、焼成温度の低下効果が不十分である。また Naが 5質量％を超えると、得られる低温焼成セラミック組成物の誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性がなくなる。

Kは、 K₂0換算で 0.1〜5質量％とするのが好ましい。 Κが 0.1質量％未満の場合、焼成温度の低下効果が不十分である。また Κが 5質量％を超えると、得られる低温焼成セラミック組成物の誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性がなくなる。

焼成温度が上がると、 Na及ぴ Kは、 A1及ぴ Siとともに NaAlSi₃O₈結晶、 KAlSi₃O₈結晶等の長石を形成し、低温焼成セラミック組成物の fQを向上させる。

Coは、 CoO換算で 0.1〜5質量％とするのが好ましい。 Coが 0.1質量％未満の場合、焼成温度の低下効果が不十分であり、 900°C以下の焼成で緻密な低温焼成セラミック組成物を得ることが困難である。また Coが 5質量％を超えると、低温焼成セラミック組成物の結晶化温度が 1000°C超となり、 1000°C以下で誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性が無くなる。

Cu, Mn, Ag及ぴ Zrは、主に焼成工程において誘電体セラミック組成物の結晶化を促進する作用があり、低温焼成を達成するために添加する。

Cuは、 CuO換算で 0.01〜5質量％とするのが好ましい。 Cuが 0.01質量⁰ /。未満の場合、その添加効果は小さく、 900°C以下での焼成で Q値の高い低温焼成セラミック組成物を得ることが困難である。また Cuが 5質量⁰ /₀を超えると、低温焼成性が損なわれる。 Mnは、 MnO₂換算で 0.01〜5質量⁰ /₀とするのが好ましい。 Mnが 0.01質量％未満の場合、その添加効果は小さく、 900°C以下での焼成で Q値の高い低温焼成セラミック組成物を得ることが困難である。また Mnが 5質量％を超えると、低温焼成性が損なわれる。

Agは、 0.01〜5質量％とするのが好ましい。 Agが 5質量％を超えると、誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性がない。 Agのより好ましい添加量は 2質量％以下である。

Zrは ZrO₂換算で 0.01〜2質量％とするのが好ましい。 Zrが 0.01質量％未満では、低温焼成セラミック組成物の機械的強度の向上効果が不十分であり、また 2質量％を超えると、が低下する。 ZrO₂添加による機械的強度の向上効果をより期待するためには、 0.3質量。/。〜 1.5質量％とするのがより好ましい。不可避的不純物としては、例えば Y, Fe， Ca， Ga, Cr等が挙げられる。不可避的不純物の含有量は、低温焼成セラミック組成物の特性を劣化させない範囲内としなければならない。

上記低温焼成セラミック組成物は、 Al, Si及ぴ Sr (又は Al, Si, Sr及び Ti) からなる主成分を構成するアルミニウム酸化物，珪素酸化物及ぴストロンチウム酸化物（又はアルミニウム酸化物，珪素酸化物，ストロンチウム酸化物及ぴチタン酸化物）からなる主原料と、 Bi、 Na、 K及び Coからなる群から選ばれた少なくとも 1種、及ぴ Cu、 Mn、 Ag及ぴ Zrからなる群から選ばれた少なくとも 1種からなる副成分を構成する酸化物又は炭酸塩からなる副原料とを均一に含有してなる成形体を焼成する際に、セラミック組織中に形成される SrAl₂Si₂O₈結晶のうち、六方晶 SrAl₂Si₂O₈の比率（ピーク強度比）が 5%以上となるように、温度及び時間を調整することにより製造する。六方晶 SrAl₂Si₂0₈ のピーク強度比は好ましくは 10%以上であり、より好ましくは 50%以上であり、特に 60%以上が好ましいので、この条件を満たすように焼成温度及ぴ時間を調整するのが好ましい。

低温焼成セラミック組成物はまた 300 MPa以上の抗折強度を有するのが好ましく、 400 MPa以上の抗折強度を有するのがより好ましいので、この条件を満たすように焼成温度及び時間を調整するのが好ましレ、。六方晶 SrAl₂Si₂0₈のピーク強度比と抗折強度には相関関係があり、一般にピーク強度比が高くなるに従って抗折強度も高くなる。従って、 50%以上のピーク強度比及び 300 MPa以上の抗折強度を有するように焼成温度及ぴ時間を調整するのが好ましく、 60% 以上のピーク強度比及び 400 MPa以上の抗折強度を有するように焼成温度及び時間を調整するのがより好ましい。

最適な焼成温度及び時間は、一般に低温焼成セラミック組成物の組成に応じて異なる。従って、個々の低温焼成セラミック組成物に高いピーク強度比及ぴ抗折強度を確実に付与するためには、その糸且成に応じて最適な焼成温度及び時間を実験的に求める必要がある。一般に、焼成温度は 1000°C以下が好ましく、 950°C以下がより好ましく、 900°C以下が特に好ましい。また焼成時間は 2〜4 時間程度が好ましい。

このような方法により得られる本発明の低温焼成セラミック組成物は、さらに 6〜9程度の比誘電率 ε、及ぴ実用的な 3000 GHz (3 THz) 以上の fQ (fは共振周波数）を有するのが好ましい。

本発明の積層電子部品は、上記低温焼成セラミック組成物からなる各誘電体層に低融点金属（銀、銅、金又はこれらの合金）からなる導体パターンを形成し、得られた導体パターンを有する誘電体層を複数積層することにより得られる。導体パターン自体は公知のもので良く、例えばインダクタンス *子及び z 又はキャパシタンス素子を構成する。積層電子部品には、ィンダクタンス素子、キャパシタンス素子、スイッチング素子及びフィルタ素子の少なくとも 1つを実装しても良レ、。積層電子部品の層構成自体は公知のもので良レ、。

本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。実施例 1

A1₂0₃粉末, SiO₂粉末， Si'C0₃粉末， TiO₂粉末， Bi₂0₃粉末， CuO粉末, Mn0₂粉末， Na₂CO₃粉末及び K₂CO₃粉末を純水と一緒にボールミルで混合し、スラリーを得た。このスラリーに PVAを原料粉の乾燥重量に対して 1質量％の割合で添加した後、スプレードライヤーで乾燥し、平均粒径が約 0.1 mmの顆粒状の乾燥粉を得た。

SrAl₂Si₂0₈の化学量論的組成 (A1₂0₃： 31.30質量⁰ん Si0₂： 36.89質量⁰/。、 Sr 0： 31.81質量⁰ /₀)となるように、純度 99.9%、平均粒径 0.5 μιηの Α1₂0₃粉末、純度 99.9%以上、平均粒径 0.5 μιη以下の Si0₂粉末、及び純度 99.9%、平均粒径 0.5 μπιの SrCO₃粉末をポリエチレン製のボールミルポットに投入し、酸ィ匕ジルコニウム製のボールと純水を投入して、 20時間湿式混合を行った。得られたスラリーを加熱乾燥した後、ライカイ機で解碎した。得られた混合粉末をァルミナ製のるつぼに入れて、 850°Cで 2時間仮焼して、 Α1₂Ο₃結晶を含有するケィ酸塩系ガラス粉末とした。

この仮焼粉を上記ボールミルで 40時間湿式粉砕した後、乾燥した。得られた乾燥仮焼粉の一部を純水と一緒にボールミルに投入し、平均粒径 1.0 μιηに粉砕した。得られた粉碎粉を含有するスラリーに、ポリビニルアルコール（PVA) を粉石争粉 100質量％に対して 1.5質量％の割合で添加した後、スプレードライヤーで造粒 ·乾燥し、平均粒径が約 0.1 mmの顆粒状の造粒粉を得た。

造粒粉を 200 MPaの圧力で加圧成形し、円柱状成形体を得た。この成形体を大気中で室温から 950〜1200°Cの温度まで 200°C/hrの速度で加熱し、前記温度に 2時間保持して焼成した後、室温まで 200°C/hrの速度で冷却した。得られた焼成体の比誘電率 εを円柱共振器により 8〜15 GHzの共振周波数で求めた。試料の結晶状態は、 Cu-K a線による X線回折により確認した。

上記と同様に作製した 38 mmX 12 mm X I mmの試験片に対して、支点間距離を 30 mmとし、荷重速度を 0.5 mm/minとして、 3点曲げ試験（JIS C2141) を行い、試験片が破壊したときの最大荷重から曲げ強さ（抗折強度）を求めた。結果を表 1に示す。またアルミナのデータも表 1に併せて示す。

組織中の六方晶 SrAl₂Si₂0₈と単斜晶 SrAl₂Si20₈との比率として、両者の面回折強度の比率を求めた。面回折強度の比率は、 Cu-Κ α線による X線回折において 22.9° 付近に現れる六方晶 Si'Al₂Si₂08の（101)面のピーク強度 Ii₀₁と、 27.7° 付近に現れる単斜晶 SrAl₂Si₂0₈の（002)面のピーク強度 1₀₀₂と力、ら、 Iioi I (1₁₀₁ + Ioo₂) X 100の式により求められるピーク強度比により表される。結果を表 1に示す。表 1

*は本発明の範囲外の試料を示す。

Ιιοι I (Ιιοι + Ιοο2> χ 100。

HS: 六方晶 SrAl₂Si₂O₈,

MS: 単斜晶 SrAl₂Si₂0₈,

A: AI2O3結晶，

S: SrSiO₃結晶。表 1 から明らかなように、 950°C〜1050°Cの焼成温度で得られる低温焼成セラミック組成物の組織中には、 SrAl₂Si20₈結晶、 Α1₂Ο₃結晶及び SrSi0₃結晶が存在する。 A1₂0₃結晶及ぴ SrSiO₃結晶は SrAl₂Si₂O₈結晶に至らなかつた結晶である。

SrAl₂Si₂O₈結晶はほぼ全体的に六方晶であつた。ほぼ六方晶 SrAl2Si₂0₈からなる低温焼成セラミック,組成物は、 300 MPa以上の抗折強度を示し、また 6.8 〜8.0の比誘電率 ε及び 14〜； 15 THzの fQと優れた誘電特性を示した。

焼成温度が 900°C以下の場合、得られた低温焼成セラミック組成物の組織には SrAl₂Si₂0₈結晶が析出せず A1₂0₃結晶とガラス相が主であり、抗折強度及ぴ誘電特性がともに劣っていた。

1100°C以上の焼成温度で得られた低温焼成セラミック組成物の X線回折パターンから、組織中の SrAl2Si₂0₈がほぼ全て単斜晶 SrAl₂Si₂0₈であることを確認した。これ力ら、焼成温度が 1100°C以上になると、六方晶 SrAl₂Si₂0₈が単斜晶 SrAl₂Si₂08に変化することが分かる。この低温焼成セラミック組成物は高い誘電特性 (fQ) を示したが、抗折強度はたかだか 170 MPa程度であり、積層電子部品に用いるには不十分であつた。

このように、 SrAl₂Si₂0₈結晶の六方晶から単斜晶への変化を制御すれば、優れた誘電特性を有しながら、従来の低温焼成セラミック組成物より高い機械的強度を有する低温焼成セラミック組成物が得られることが分かる。実施例 2

A1₂0₃粉末， Si0₂粉末， SrCO₃粉末， Ti0₂粉末， Bi₂0₃粉末， CuO粉末， Mn0₂粉末， Na₂C0₃粉末及び K₂C0₃粉末を純水と一緒にボールミルで混合し、スラリーを得た。このスラリーに PVAを原料粉の乾燥重量に対して 1質量％の割合で添加した後、スプレードライヤーで乾燥し、平均粒径が約 0.1 mmの顆粒状の乾燥粉を得た。

顆粒粉を連続炉中で最高温度 800°Cで 2時間仮焼し、 A1₂0₃結晶及び Ti0₂結晶を含有するケィ酸塩系ガラスからなる仮焼粉を得た。仮焼粉の組成は、酸化物換算で、 49質量％の A1₂0₃、 34質量％の Si0₂、 8.2質量％の SrO、 3質量％の TiO₂、 2.5.質量⁰ /₀の Bi₂0₃、 2質量⁰ /₀の Na₂0、 0.5質量⁰ /₀の K₂O、 0.3質量⁰ /₀ の CuO、及ぴ 0.5質量⁰ /₀の MnO₂であつた。

この仮焼粉から、実施例 1 と同様にして円柱状成形体を得た。この成形体を大気中で室温から 825〜900°Cの温度まで 200°C/hrの速度で加熱し、前記温度に 2時間保持して焼成した後、室温まで 200°C/hrの速度で冷却した。

得られた焼成体の比誘電率 εを円柱共振器により 8〜： L5 GHzの共振周波数で求めた。また実施例 1と同様に各試験片に 3点曲げ試験を行い、試験片が破壌したときの最大荷重から曲げ強さ（抗折強度）を求めた。結果を表 2に示す。またアルミナのデータも表 2に併せて示す。表 2

注（1) *は本発明の範囲外の試料を示す。

(2) Ιιοι I (Ιιοι + Ioo2) x 100。

(3) HS: 六方晶 SrAl₂Si₂0₈，

MS: 単斜晶 SrAl₂Si₂0₈，

A: AI2O3結晶，

N: (Na, K)SisA10₈結晶。図 1〜4はそれぞれ 850°C X 2 hr、 860°C X 2 hr、 875°C X 2 hr及ぴ 900°C X 2 hr (試料 8、 12〜： 14に対応）で焼成した低温焼成セラミック組成物の Cu-Κα線による X線回折強度パターンを示す。図 1〜4中、〇は A1₂0₃結晶を示し、 ▲は六方晶 SrAl₂Si₂0₈を示し、 △は単斜晶 SrAl₂Si₂0₈を示す。 850°C X 2 hrの焼成条件では Α1₂Ο₃結晶、 Ti0₂結晶及び SiO₂結晶とともに六方晶 SrAl₂Si₂0₈が析出した。焼成温度が上がるにつれ、単斜晶 SrAl₂Si₂0₈が析出し、その回折ピーク強度が増大した。

表 2は、六方晶 SrAl₂Si₂0₈の（101)面のピーク強度を 1₁₀₁、単斜晶 SrAl₂Si₂O₈ の（002) 面のピーク強度を loosとしたとき、 Ιιοιバ Ιιοι + Ιοο2) χ 100で表わされるピーク強度比（組織中の六方晶 SrAl₂Si₂O₈の割合を示す）が 7.7%以上あれば、 300 MPa以上の抗折強度が得られることを示す。一般に、組織中の六方晶 SrAl₂Si₂0₈の割合を示すピーク強度比は 5%以上であるのが好ましい。なお試料 6及び 7でも 250 MPaを超える抗折強度が得られたが、これは、ガラス相に遍在する A1₂0₃結晶がフイラ一として機能して、強度が向上したものと考えられる。し力し、試料 6及び 7のいずれも緻密化せず、実用に供し得ないものであつた ₀

900°C X 2 hr の焼成条件で得られた低温焼成セラミック組成物の回折パターンを示す図 4には、 31° 付近の単斜晶 SrAl₂Si₂0₈を示す回折ピークの右肩部に回折ピークが認められるが、この回折ピークは他の回折パターンを勘案すると単斜晶 SrAl₂Si₂0₈の（041) 面の回折ピークと考えられる。従って、この低温焼成セラミック組成物の組織中には実質的に六方晶' SrAl₂Si₂0₈は存在しないことが分かる。

試料 6〜 14では、実施例 1で確認された SrSi0₃結晶は組織中に認められなかつたが、試料 11, 13及ぴ 14ではサニディン及びアルバイトと考えられる Na及ぴ Z又は Kを含有するケィ酸塩結晶（長石）が確認された。試料 11, 13及ぴ 14 は優れた fQを示すが、これには長石が寄与していると考えられる。

このように組織中の六方晶 SrAl₂Si₂0₈の割合は、低温焼成セラミック組成物の組成及び焼成条件（焼成温度及ぴ時間）に応じて変化するので、組成及び焼成条件を調整することにより組織中の六方晶 SrAl₂Si₂O₈の割合を容易に制御することができる。

図 5は試料 13 (875°C X 2 hr) の研磨面の透過型電子顕微鏡 (TEM) 写真であり、図 6は図 5の TEM写真の模式図である。なお図 5に示す視野中にはケィ酸塩結晶は見られないが、 X線回折により組織中に析出していることが認められた。 ¾系酸化物も存在するが、これはボールミルの酸化ジルコニァ製のボールから混入したものと考えられる。

この組織の基地は、組成分析により Al₂O₃, Si0₂及び SrOを主体とすることが分かった。この基地の制限視野回折に回折斑が認められるので、 TEM写真では結晶粒界が判然としないが、結晶化していると考えられる。すなわち、試料

13の低温焼成セラミック組成物は、 A1₂0₃, Si0₂及び SrOを主体とする結晶化した基地に酸化物結晶粒が析出した構造を有することが分かる。この結果は、図 3の単斜晶 SrAl₂Si₂0₈及ぴ六方晶 SrAl₂Si₂0₈が存在する X線回折パターンと一致する。

試料 8 (850°C X 2 hr)及ぴ試料 12 (860°C x 2 hr)の TEM写真にぉレ、ても、酸化物結晶が析出した基地には SrAl₂Si₂O₈結晶の粒界が確認できなかった。図 1 及ぴ 2の X線回折パターンにはハローなパターンがあるので、試料 8及び 12は A1₂0₃, Si0₂及ぴ SrOを主体とするアモルファス基地に SrAl₂Si₂O₈結晶が析出した構造を有すると考えられる。

複数の TEM写真から、組織中に析出した A1₂0₃結晶の平均結晶粒径が 1 μιη 以下であり、焼成温度が変わっても Α1₂0₃結晶粒の成長が進む傾向は見られなかった。

図 7は、焼成時間が 2時間の場合の焼成温度と抗折強度との関係を示す。抗折強度は 10個の試料の平均値である。実施例 2の低温焼成セラミック組成物では、抗折強度は焼成温度が約 830°Cになると 300 MPa以上になり、約 840〜 870°Cで 400 MPa以上になるが、焼成温度が上昇するに連れて急速に低下し、約 880°Cを超えると 300 MPa未満となることが分かる。

図 8は、焼成温度が 850°Cの場合の保持時間と抗折強度との関係を示す。抗折強度は 10個の試料の平均値である。実施例 2の低温焼成セラミック組成物では、焼成温度が 850°Cと適切であっても、保持時間が長くなり過ぎると抗折強度はかえつて低下することが分かる。図 8力ら、実施例 2の場合、 850°Cの焼成温度で約 2〜4時間の焼成時間が 400 MPa以上の抗折強度を得るのに好ましいことが分かる。

以上から、（a) A1₂0₃結晶や他の酸化物結晶が析出した基地中の SrAl₂Si₂0₈結晶の存在が抗折強度に著しい影響を及ぼすこと、及び (b) SrAl₂Si₂0₈結晶の中でも六方晶 SrAl₂Si₂0₈が抗折強度の向上に大きく寄与することが分かった。

このように、 Al， Si及び Si'の酸化物を主成分とし、低温焼結性を向上させる副成分を含有する低温焼成セラミック組成物では、 900°C以下に六方晶 SrAl₂Si₂08が析出する温度領域があるので、組成に応じて焼成温度を最適化することにより高強度の低温焼成セラミック組成物を得ることができる。実施例 3

実施例 1と同様にして、質量基準で 48.7%の A1₂0₃, 34.5%の SiO₂, 9.5%の SrO, 4%の Ti0₂, 1%の Bi₂0₃， 1%の Na₂0, 0.5%の K₂0, 0.3%の CuO,及ぴ 0.5%の Mn0₂からなる仮焼粉を作製した。この仮焼粉を実施例 1と同じポールミルで 40時間湿式粉砕し、乾燥した。次に、仮焼粉の一部を純水と一緒にポールミルに投入し、 1.0 μιηの平均粒径に粉碎した。得られた粉碎粉のスラリーに PVAを粉砕粉の乾燥重量に対して 1.5質量％の割合で添加した後、スプレードライヤ一で造粒 ·乾燥し、平均粒径が約 0.1 mmの顆粒状の造粒粉を得た。得られた造粒粉を 200 MPaの圧力で加圧成形し、円柱状成形体とした。この成形体を大気中で室温から 825〜950°Cの温度まで 200°C/hrの速度で加熱し、前記温度に 2時間保持して焼成した後、室温まで 200°C/hrの速度で冷却した。得られた焼成体に対して、実施例 1 と同様に誘電特性及ぴ抗折強度を測定するとともに、 X線回折測定を行った。結果を表 3に示す。またアルミナのデータも表 3に併せて示す。表 3

*は本発明の範囲外の試料を示す, (2) I₁₀₁バ Ι₁₀ι + 1隱） x 100。

(3) HS: 六方晶 SrAl2Si₂O₈，

MS: 単斜晶 SrAl2Si₂O₈,

A: AI2O3結晶，

N: (Na, K)Si3A10₈結晶。本実施例では、 Bi及ぴ Naの添加量を減らすことで、実施例 2の場合と比較し若干 SrAl₂Si₂0₈結晶の析出温度が上昇した。し力、し、 875°C〜925°Cの温度で六方晶 SrAl₂Si₂0₈が析出しており、かつ六方晶 SrAl₂Si₂0₈の析出温度の範囲が広がっていることが分かった。このように、低温焼成セラミック組成物の組成により、六方晶 SrAl₂Si₂0₈の析出温度及びその範囲を制御できる。また試料 No. 19では Na及ぴ Kを含有するケィ酸塩結晶が析出しており、高い抗折強度と高レ、誘電特性が同時に得られた。実施例 4

本発明の高強度低温焼成セラミック組成物を用いた積層電子部品の一例として、携帯電話の高周波回路部に用いるダイオードスィッチ（アンテナ側回路、受信側回路及び送信側回路の接続を切り替える）を以下の通り作製した。

まず、実施例 2と同様にして、質量基準で 49%の Α1₂Ο₃， 34%の Si0₂, 8.2% の SrO， 3%の Ti0₂， 2.5%の Bi₂0₃， 2%の Na₂O， 0.5%の 0, 0.3%の CuO，及ぴ 0.5%の Mn0₂からなる仮焼粉を作製した。

この仮焼粉をエタノール及ぴプタノールの混合溶媒に分散させて、ポールミルで平均粒径 1.0 _μΐϊίまで粉砕した。得られたスラリ一に、パインダ一としてポリビュルプチラール及び可塑剤としてプチルフタリルプチルグリコレートを、仮焼粉 100質量％に対してそれぞれ 15質量％及び 7.5質量％の割合で分散させ、シート成形用のスラリーとした。減圧下で脱泡及び溶媒の部分的な蒸発を行つてこのスラリーの粘度を約 10000 MPa 'sにした後、ドクターブレードでシ一ト成形し、約 80 μπιの乾燥厚さを有する長尺のセラミックグリーンシートを得た。後工程のハンドリングのため、このセラミックグリーンシートを所定の大きさに裁断した。

複数枚のセラミックグリーンシートの表面に銀ペーストで伝送線路（ィンダクタンス素子）を構成する配線パターン Ll-1， Ll-2, L2-1, L2'2、ダランド電極パターン GND、及ぴスィツチング素子を実装するための電極パターンを印刷した（図 9参照)。

セラミックグリーンシートには、各層間の配線パターンの接続手段として銀ペーストを充填したビアホールが形成されている。導電パターンを印刷した各セラミックグリーンシートを位置合わせし、高精度に積層した後圧着した。圧着条件は、 14 MPaの圧力、 85°Cの温度、及ぴ 10分の保持時間であった。

得られた積層体をチップサイズに切断した後、焼成セッターに載置し、連続炉で脱パインダー及ぴ焼成を行い、 4.5 mm X 3.2 mm X 1.0 mmの焼成体を得た。焼成は大気雰囲気中 875°Cで 2時間保持することにより行つた。

焼成体のセラミック部分を粉砕して X線回折の測定をしたところ、組織中に六方晶 SrAl₂Si₂O₈、単斜晶 SrAl₂Si₂0₈、 A1₂0₃結晶、 TiO₂結晶、及ぴケィ酸塩系結晶が確認された。 SrAl₂Si₂0₈結晶全体に対する六方晶 SrAl₂Si₂0₈のピーク強度比は 15.5%であった。

焼成体から内部の配線パターンが露出している側面部分に、 Agを主成分とする外部電極用ペーストを塗布して 800°Cで焼き付けた後、銀表面にニッケル及ぴスズを電解めつきし、端子電極 GND, TX, RX, VC1, VC2とした。これらの端子電極のうち端子電極 GND, TX， RX, VC1はスィッチング素子を実装するための電極パターンと電気的に接続させた。

このようにして得られた積層回路基板の実装電極パターンに、スィツチング素子としてダイォード Dl, D2を実装し、図 10に示す積層電子部品 1を作製した。積層電子部品 1は図 11に示す等価回路の破線部を構成する。

本実施例では、インダクタンス素子を電極パターンで構成したが、チップィンダクタやコイル等を実装しても良い。また直流成分を遮断するコンデンサ素子を、電極パターンで回路基板に構成したり、チップコンデンサとして回路基板上に実装したりしても良い。ダイオードスィッチにローパスフィルタやバンドパスフィルタ等のフィルタ素子が接続されることが多レ、が、上記フィルタ素子を SAWフィルタで構成し、これを回路基板に実装しても良い。またインダクタンス素子及びキャパシタンス素子からなるフィルタ素子を、回路基板上に電極パターンで形成したり、チップ部品として回路基板上に実装しても良い。端子電極 VC1, VC2に直流電源を接続し、ダイォード Dl， D2を ON, OFFさせて、端子電極 ANT-RX間、及び端子電極 ΑΝΤ·ΤΧ間に高周波信号を通過させたところ、信号の伝送損失（挿入損失）が少なく、積層電子部品 1は優れた電気的特性を有することが確認された。

積層回路基板の端子電極を試験用プリント基板にはんだ付けし、プリント基板を撓ませたり捻じったりして、端子の剥離や積層回路基板のクラック発生に対する抵抗力を評価したところ、従来のものと比べて著しく向上していることが分かった。

本実施例から、本発明の低温焼成セラミック組成物と Ag等の低融点金属は同時焼成が可能であるので、本発明の低温焼成セラミック組成物からなる誘電体層に低融点金属の導体パターンを形成すれば、電気的特性及び機械的強度に優れた積層電子部品が得られることが分かる。産業上の利用可能性

本発明の低温焼成セラミック組成物は、組織中に六方晶 SrAl₂Si₂0₈を有するので、高強度で実用的な誘電特性を有し、かつ 1000°C以下の低温での焼成が可能である。そのため、銀、金、銅等の低融点電極材料との同時焼成が可能である。また本発明の高強度低温焼成セラミック組成物は、誘電率、 fQ等の誘電特性に優れているのみならず、従来より向上した機械的強度を有するので、積層回路基板とするときに低融点金属との同時焼成が可能であり、またクラックや破損が生じにくい。そのため、本発明の高強度低温焼成セラミック組成物を用いた積層電子部品は、優れた電気的特性及び機械的強度を有する。

Claims

請求の範囲

1. 組織中に六方晶 SrAl₂Si₂0₈及び A1₂0₃結晶を有することを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

2. Al₂O₃-SiO₂-SrOを主体とする基地に六方晶 SrAl₂Si₂0₈を含み、前記基地に Α1₂Ο₃結晶粒を有することを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

3. 請求項 2に記載の高強度低温焼成セラミック組成物において、前記基地がアモルファス相であり、前記アモルファス相に六方晶 SrAl₂Si₂08が析出していることを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

4. 請求項 2に記載の高強度低温焼成セラミック組成物にぉレ、て、前記基地が実質的に SrAl₂Si20₈結晶からなり、その少なくとも一部が六方晶 SrAl₂Si₂O₈ であることを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

5. 請求項 2〜4のいずれかに記載の高強度低温焼成セラミック組成物において、前記基地が単斜晶 SrAl₂Si₂0₈を含有することを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

6 . 組織中に SrAl₂Si₂0₈結晶及び Α1₂Ο₃結晶を有し、前記 SrAl₂Si₂0₈結晶は六方晶 SrAl₂Si₂0₈単独又は六方晶 SrAl₂Si2O₈及ぴ単斜晶 SrAl₂Si₂0₈からなり、 Cu-Κα線による X線回折測定において、六方晶 SrAl₂Si₂0₈の（101) 面のピーク強度を Ιιοι、単斜晶 SrAl₂Si₂0₈の（002) 面のピーク強度を 1₀₀₂としたとき、 Ιιοι I (Ιιοι + Ioo2) x 100で表わされるピーク強度比が 5%以上であることを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

7. 請求項 6に記載の高強度低温焼成セラミック組成物において、前記ピーク強度比が 50%以上であることを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

8. 請求項 6又は 7に記載の高強度低温焼成セラミック組成物において、実質的に SrAl₂Si₂0₈結晶からなる基地を有するとともに、前記基地に A1₂0₃結晶粒を有する組織を有し、前記 SrAl₂Si₂0₈結晶は六方晶 SrAl₂Si₂0₈単独又は六方晶 SrAl₂Si₂O₈及ぴ単斜晶 SrAl₂Si₂O₈からなり、前記 SrAl₂Si₂0₈結晶における前記六方晶 SrAl₂Si₂0₈の割合は 60%以上であり、かつ 400 MPa以上の抗折強度を有することを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

9. 請求項 1〜8のいずれかに記載の高強度低温焼成セラミック組成物において、前記 A1₂0₃結晶粒の平均結晶粒径が 1 μ m以下であることを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

10. 請求項 1〜9のいずれかに記載の高強度低温焼成セラミック組成物において、（ ) 10〜60質量％ (Α1₂Ο₃換算）の A1, 25〜60質量。/。（Si0₂換算）の Si 及び 7.5〜50質量％ (SrO換算）の Srからなる主成分 100質量％と、（b) 0.1 〜： L0質量⁰ /₀ (Bi₂0₃換算）の Bi, 0.1〜5質量⁰ /₀ (Na₂0換算）の Na, 0.1〜5質量％ (K₂0換算）の Κ及ぴ 0.1〜5質量％ (CoO換算）の Coからなる群から選ばれた少なくとも 1種と、 0.01〜5質量％ (CuO換算）の Cu、 0.01〜5質量％ (Mn0₂換算）の Mn、 0.01〜5質量％の Ag及ぴ 0.01〜2質量％ (Zr0₂換算）の Zrからなる群から選ばれた少なくとも 1種とからなる副成分と、（c)不可避的不純物とを含有することを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

11. 請求項 1〜9のいずれかに記載の高強度低温焼成セラミック組成物において、（a) 10〜60質量％ (A1₂0₃換算）の A1, 25〜60質量⁰/。（Si0₂換算）の Si, 7.5〜50質量％ (SrO換算）の Sr及ぴ 20質量％以下（Ti0₂換算）の iからなる主成分 100質量。 /₀と、（b) 0.1-10質量％ (Bi₂0₃換算）の Bi, 0.1-5質量％ (Na₂0換算）の Na, 0.1-5質量。/。 (K₂0換算）の Κ及び 0.1〜5質量％ (CoO換算）の Coからなる群から選ばれた少なくとも 1種と、 0.01〜5質量％ (CuO換算）の Cu、 0.01〜5質量⁰ /₀ (Mn0₂換算）の Mn、 0.01-5質量％の Ag及び 0.01〜2質量％ (Zr0₂換算）の ¾·からなる群から選ばれた少なくとも 1種とからなる副成分と、（c) 不可避的不純物とを含有することを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

12. 請求項 1〜9のいずれかに記載の高強度低温焼成セラミック組成物において、 10〜60質量％ (A1₂0₃換算）の A1, 25〜60質量⁰/。（Si0₂換算）の Si， 7.5〜50質量％ (SrO換算）の Sr、及ぴ不可避的不純物とを含有することを特徴とする高強度低温焼成セラミック組成物。

13. アルミニウム酸化物，珪素酸化物及ぴストロンチウム酸化物、又はアルミニゥム酸化物，珪素酸化物，ストロンチウム酸化物及ぴチタン酸化物を主原料とするセラミック成形体を焼成することにより請求項 1〜： 12のいずれかに記載の高強度低温焼成セラミック組成物を製造する方法であって、セラミック組織中に形成される SrAl₂Si₂0₈結晶のうち、六方晶 SrAl₂Si2〇₈の比率が 5%以上となる温度及び時間で焼成することを特徴とする方法。

14. 請求項 1〜： 12 のいずれかに記載の高強度低温焼成セラミック組成物からなる複数の誘電体層を積層してなり、前記誘電体層の各々に低融点金属からなる導体パターンが形成されていることを特徴とする積層電子部品。

15. 請求項 14に記載の積層電子部品において、前記低融点金属が銀、銅、金又はこれらの合金であることを特徴とする積層電子部品

16. 請求項 14又は 15に記載の積層電子部品において、前記導体パターンがインダクタンス素子及びノ又はキャパシタンス素子を構成していることを特徴とする積層電子部品。

17. 請求項 14〜16のいずれかに記載の積層電子部品において、前記積層電子部品にインダクタンス素子、キャパシタンス素子、スイッチング素子及ぴフィルタ素子からなる群から選ばれた少なくとも 1つを実装してなることを特徴とする積層電子部品。