WO2004034040A1

WO2004034040A1 - 分析方法、分析装置およびこれの製造方法

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Publication number: WO2004034040A1
Application number: PCT/JP2003/012849
Authority: WO
Inventors: Hideki Tanji
Original assignee: Arkray, Inc.
Priority date: 2002-10-08
Filing date: 2003-10-07
Publication date: 2004-04-22
Also published as: US7815861B2; US20060153738A1; JP2004132706A; EP1550859B1; EP1550859A1; CN100487434C; CN1703616A; EP1550859A4; DE60334472D1; JP3991267B2; ATE483964T1; AU2003272932A1; US20110002813A1

Abstract

　本発明は、試料液中の特定成分の濃度を分析するための技術に関するものであり、試料の分析方法を含んでいる。この分析方法は、試料液および試薬によって構築される反応系に対して光源(50)からの光を照射し、そのときの反応系(56)における応答状態を第１検知結果として検知するための第１検知ステップと、光照射時の応答状態に波長依存性がある基準板(54)に対して光を照射し、そのときの基準板における応答状態を第２検知結果として検知するための第２検知ステップと、第１および第２検知ステップでの検知結果に基づいて、試料液中の特定成分の濃度を演算する演算ステップと、を含んでいる。

Description

明細書分析方法、分析装置およびこれの製造方法技術分野

本発明は、試料液中の特定成分の濃度を分析するための技術に関する。背景技術

尿や血液などの試料液中の特定成分を定量するには、光学的手法が利用されている。この手法では、試料液と発色物質を含む反応系に対して光を照射し、そのときの反応系における応答状態が、反射光、通光あるいは散乱光の光量として測定される。その上で、測定された光量を予め定められた検 ft線に当てはめることにより、特定成分の濃度が演算される。

光学的手法においては、試料液相互の特定成分の濃度差を、比較的に大きな測定光量の差として反映させ、高い能を確保する必要がある。このため、反応系に照射すべき光としては、反応系 (より正確には特定成分と発色試薬との反応生成物)における光吸収量が大きな波長のものを選択し、その波長の光を照射する必要がある。たとえば、発色物質としては、 p—二トロア二リンや _P—二トロフエノールが用レヽられることがあるが、これらの発色物質を使用する^には、 405nmの光を照射して、その応答状態に基づいて、 GGT (ガンマグノレタミルトランスぺプチターゼ)、 ALP (アルカリフォスファタ一ゼ)、 Amy (アミラーゼ)の濃度が測定される。このようなことから、光源から出射された光を波長選択フィルタに入射させ、この波長選択フィルタにおレヽて特定波長の光を取り出してから反応系に光を照射する方法力 S採用されている。

波長選択フィルタとしては、たとえば干渉フィルタが用いられている。この干渉フィルタは、光の波長 a¾の厚さの透明薄膜で生じる干渉を利用して、目的とする波長領域の光を 3Siiまたは反射させるものである。透明薄膜は、たとえば蒸着などの手法により成膜される力同一波長を選択するために製造されたものであっても、製品毎の膜厚のバラツキなどに起因して、選択できる波長範囲にも若干バラツキが生じる。測定精度を向上させるためには、干渉フィルタの波長選択性のバラツキを抑える必要がある。そのため、誤差の大きな干渉フィルタを使用することができず、干渉フィルタ製造時の歩留まりが低下し、コストが高くなるといった問題が生じ得る。

一方、光照射用の光源として LED力 S使用されることがあるが、 LEDは、出射光の波長に依存性がある。そのため、測定纖の雰囲気 «や LEDを liftしたの LED自体の fi¾上昇によって、出射光の波長が変化する。このような出射光の波長変化は、ピーク波長を基準とすれば、 ±10nmmSに針る。

このようなピーク波長のバラツキや変化は、測定時における反応系から得られる光量に反映される。たとえば図 9に GGTの例を模式的に示したように、反応系での吸光度が同じであっても、測定波長が異なれば演算結果として得られる値は大きく異なったものとなる。その結果、測定波長の不均一さによって測定精度が低下してしまう。このような事実は、図 10に示したシミュレーション結果のダラフからも伺える。

図 10 A〜図 10 Cは、 GGT、 ALP, Amyについて、測定波長を 405nmに設定したにおける設定波長からのずれと測 ¾m差との関係をシミュレーションし結果を示したものである。これらの図からは、測定成分の濃度が高レヽか低レヽ力 ^拘わらず、設定波長からのずれが大きいほど誤差が大きくなることが伺える。発明の開示

本発明は、光学的手法により試料液の特定成分を定量するにおいて、反応系に照射される光の波長が目的とするものからずれていたとしても、精度良く特定成分の定量を行えるようにすることを删としている。

本発明の第 1の側面により提供される分析方法は、試料液およひ薬によって構築される反応系に対して光を照射し、そのときの反応系における応答状態を第 1検知結果として検知するための第 1検知ステップと、光照射時の応答状態に波長依存性がある基 ¾δに対して光を照射し、そのときの上記基,における応答状態を第 2検知結果として検知するための第 2検知ステップと、上記第 1および第 2検知結果に基づレ、て、試料液中の特定成分の濃度を演算する演算を含んでいる。

演算ステップにおレヽては、たとえば第 2検知結果に基づレヽて、予め «|された複数の検 41泉の中から最適な検 ft線を選択した上で、当該検 ft線および第 1検知結果に基づいて、特定成分の濃度が演算される。演算ステップにおいては、第 2 検知結果に基づいて、第 1検知結果の補正を行った上で、この補正値と検 ft線により演算を行うようにしてもよく、また第 1検知結果と検量線に基づレヽて特定成分の濃度を第 1次的に演算した上でこの演算値を補正して最終的な演算値を算出第 1および第 2検知ステップのうちの少なくとも一方の応答状態は、たとえば正反射光量、 ¾1光量、散乱反射光量として検知される。

本発明の第 2の側面においては、光照射手段と、試料液およひ薬によって構築される反応系に対して、上記光照射手段から出射された光を照射したときの第 1応答状態、および光照射時の応答状態に波長依存性がある基準板に対して、上記光照射手段から出射された光を照射したときの第 2応答状態を検知するための検知手段と、上記第 1および第 2応答状態に基づいて、試料液中の特定成分の濃度を演算する演算手段と、を備える、分析装置が共される。

本発明の分析装置は、たとえば第 1応答状態に対応する第 1検知結果と特定成分の濃度との関係を表す複数の検 ¾镍を記憶した記憶手段と、第 2応答状態に対応する第 2検知結果に基づレ、て、複数の検 *泉の中から演算にな検唐泉を選択するための選択手段と、をさらに備えたものとして構成される。この：^、演算手段は、選択手段により選択された検 ft線および第 1検知結果に基づいて、特定成分の濃度を演算するように構成される。

演算手段は、第 2検知結果に基づいて第 1検知結果を補正した後に、この補正値と検 4ϋに基づレ、て特定成分の濃度を演算するように構成してもよい。演算手段は、第 1検知結果およぴ検置線に基づレ、て特定成分の濃度を第 1次的に演算した後、この演算値を補正して最終的な演算値を算出するように構成してもよい。本発明の分析装置は、検知手段にぉレ、て第 2応答状態を検知するタイミングを制御するための制徒 Ρ手段をさらに備えたものとしてネ冓成するのが好ましレヽ。制御手段は、たとえば検知手段における第 2応答状態の検知を、第 1応答状態の検知と相前後して行うように制御する。もちろん、制御手段は、第 1応答状態の検知と第 2応答状態の検知とをして行うように検知手段を制御するように構成してもよい。制御手段は、検知手段における第 2応答状態の検知を、装置の立ち上げ時に行うように構成することもできる。

光照射手段は、光源を備えたものとして構成される力光源としては、たとえは! ^EDやハロゲンランプ力 s使用される。光照射手段は、出射光の波長を選択するためのフィルタ、たとえば干渉フィルタや色フィルタをさらに備えたものとして構成してもよい。

第 1および第 2応答状態のうちの少なくとも一方は、たとえば正反射光量、透過光量または散乱反射光量として検知される。

本発明の第 3の側面にぉレヽては、試料液およひ試薬によって構築される反応系に対して光を照射するための光照射手段と、光照射時における上記反応系での応答状態を検知するための検知手段と、この検知手段での検知結果に基づいて、試料液中の特定成分の濃度を演算するための演算手段と、特定成分の演算に必要な情報を記憶するための記憶手段と、を備えた分析装置を製造する方法であって、 '光照射時の応答状態に波長依存性がある基準板に上記光照射手段からの光を照射し、そのときの上記基準板での応答状態から、上記光照射手段から出射される光の出射状態を検知する検知ステップと、上記出射状態を上記演算手段における演算結果に反映できる情報として上記記憶手段に記憶させる記憶ステツプと、を含む、分析装置の製造方法が »される。

上記製造方法は、検知ステップでの検知結果に基づいて、検知手段での検知結果と特定成分の濃度との関係を表す複数の検線の中から、上記出射状態に応じた検 ¾線を選択する検 *1泉選択ステップをさらに含んでレヽてもよい。この、記憶ステップにおいては、検 ¾線選択ステップにおいて選択された検量線力 s、演算手段における演算用の検 4；線として記憶手段に記憶させられる。

検知ステップでは、上記出射状態は、たとえば出射光のピーク波長として把握される。出射状態をピーク波長として把握するには、記憶ステップにおいて、そのピーク波長を記憶手段に記憶させるようにしてもよレヽ。このには、記憶手段に予め複数の検嶽泉を記憶させておき、演算手段における演算実行時に、記憶手段に記憶されたピーク波長を参照して、な検 ¾線を選択するように構成してもよレ、。演算手段はまた、ピーク波長に基づいて、濃度演算結果を補正し、あるレヽは検知手段での検知結果を補正した上でこの補正 {直に基づレ、て濃度演算を行うように構成することもできる。

検知ステップにおいて使用される基職は、予め分析装置に組み込んでおいたものであってもよレ、し、検知ステツプを行うために別途 βされたものであってあよい。図面の簡単な説明

図 1は、本発明に係る分析装置のブロック図である。

図 2は、濃度と吸光度との関係を複数の測定波長に関して示したグラフである。図 3は、図 1に示した分析装置における検知ュニットの模式図である。

図 4は、基職反における照射波長と反射率との関係の一例を模式的に示すダラフである。

図 5は、分析装置の立ち上げ時における測定波長 ¾Ε動作を説明するためのフローチャートである。

図 6は、測定波長確認、処理を説明するためのフローチヤ一トである。

図 7は、分析装置における濃度測定動作を説明するためのフローチヤ一トである。

図 8 Α〜図 8 Cは、分析装置における濃度測定動作を説明するためのフローチヤートである。

図 9は、特定成分 (GGT)につレ、ての測定波長と吸光度との関係を複数の濃度に関して示したグラフである。

図 10A〜図 10Cは、測定波長と測 ¾1差との関係を示すグラフである。発明を実施するための最良の形態

図 1に示した分析装置 Xは、制御部 1、記憶部 2、選択部 3、演算部 4および検知ュニット 5を備えている。

制御部 1は、記憶部 2に記憶された制御用プログラムに基づいて、各部 2〜5 の動作制御をするためのものである。

記憶部 2は、各種のプログラムゃ測定波長に応じた複数の検量線に関する情報の他、必要に応じて、測定値や演算値を補正するために必要な情報を記憶している。検 ¾镍は、図 2に示したように吸光度と特定成分の濃度との関係を示すものである。検锒に関する情報は、数式や対応表として記憶されている力 S、本実施の形態では、記憶部 2には、測定波長のずれを考慮して、そのずれ量に応じた複数の検 *ϋが記憶されている。

図 1に示した選択部 3は、検知ュ二ット 5での検知結果に基づレ、て、記憶部 2 に記憶された複数の検量線から実際の測定波長に最も適合する検 ¾線を選択するためのものである。

演算部 4は、検知ュ二ット 5での検知結果と選択部 3によつて選択された検量線に基づレ、て、試料液中の特定成分の分析に必要な演算を行うためのものである。検知ュ二ット 5は、図 3に示したように光源 50、波長選択フィルタ 51、第 1および第 2受光素子 52,53、基瞬反 54およぴ検知演算部 55を備えており、試料液が供給された分析用具 56を装着できるように構成されている。

光源 50は図中の A 1および A 2方向に移動可能に構成されており、基準板 54および分析用具 56に光を照射するためのものである。光源 50は、たとえば： LEDにより構成される。光原としては、ハロゲンランプなどの他の発光媒体を利用することもできる。 .

波長選択フィルタ 51は、光源 50から出射された光から特定波長の光を取り出すためのものであり、光源 50とともに図中の A 1および A 2方向に移動可能に構成されている。波長選択フィルタ 51は、たとえば干渉フィルタや色フィルタにより構成される。

複数の項目を検査できるように分析装置 Xを構成する # ^には、波長選択フィルタは、波長選択特性の異なる複数のものを^ ϋしておいてもよレ、。光源および波長選択フィルタは、必ずしも移動可能に構成する必要はなく、たとえば光源と 1または複数の波長選択フィルタの組を複欽袓設けてもよいし、 1組の光源および 1または複数の波長選択フィルタを固定化し、光フアイバなどを用！/、て波長選択フィルタからの光を複数箇所に振り分けるように構成してもよい。また、単色光を出射可能な光源を用いるには、波長選択フィルタを省略してもよレ、。第 1受光素子 52は基嚼反 54から反射してきた光を受光するためのものであり、第 2受光素子 53は分析用具 56から反射してきた光を受光するためのものである。これらの受光素子 52， 53は、たとえばフォトダイォードなどにより構成される。基職反 54は、たとえば図 4に例示したように、その表面に照射された光の波長に対して、その表面での反射率が依存するように構成されたものである。言い換えれば、基箱 54に光を照射したときの反射率を測定すれば、基準板 54に照射された光の波長を測定することができる。

図 3に示した検知演算部 55は、第 1受光素子 52での受光量に基づレ、て基準板 54 の反射率ひレヽては照射光の波長を演算するとともに、第 2受光素子 53での受光量に基づいて分析用具 56での吸光度を演算するためのものである。ただし、検知演算部 55を省略し、検知演算部 55の役割を演算部 4などに担保させてもよレ、。制御部 1、記憶部 2、選択部 3、演算部 4および検知演算部 55のそれぞれは、たとえば CPU、 ROM, RAMを戦虫で、あるいはそれらを組み合わせて構成することができるが、これらの全てを、 1つの CPUに対して複数のメモリを接続することにより構成することもできる。

次に、分析装置 Xの動作について、図 1〜図 3にカ卩えて、図 5〜図 8に示したフローチャートを参照しつつ説明する。ただし、測定波長の ¾|¾は、本来であれば電源 ON時 (装置の立ち上げ時)および濃度測定時のうちの一方のタイミングにおいて行えばょレヽが、以下においては、説明の便宜上、暫原 ON時および濃度測定時の双方にぉレヽて、測定波長の ¾ が行われるを例にとつて説明する。図 5に示したように、分析装置 Xを立ち上げるにあたっては、分析装置 Xにおいて ®原スィツチがオンされた力否かが判断される (S10)。原がオンされた^ には (S10 : YES)、各種の電気回路などを立ち上げ、測定波長の 5織を行う (Sll)。測定波長のは、図 6に示したような手順にしたがって行われる。まず、光源 50をオン駆動し、波長選択フィルタ 51を;^させた光を基 «54に照射する (S20)。基反54からの反射光は第 1受光素子 52において受光され、その光量が測定される (S21)。反射光の光量は、検知演算部 55において認識され、この検知演算部 55では、反射光の光量に基づいて、基職 54での反射率が演算される (S22)。基 ¾S54は、表面での反射率に波長依存性があるのは上述した通りである。したがって、検知演算部 55では、基籠 54における反射率から基準板 54に照射された光の波長、ひいては分析用具 56に照射されるであろう光の波長 (測定波長)が決定される (S23)。測定波長は、たとえば反射率と波長との関係を予め記憶部 2に記憶させておいた上で、記憶部 2に記憶された関係と、測定された反射率から決定される。測定波長が決定した場合には (S23)、図 5に示したように分析装置 Xは待機状態とされ (S12)、装置の立ち上げ！]作が終了する。 ' 一方、分析装置 Xにおける濃度測定処理は、図 7および図 8 Aに示した手順にしたがって行われる。

図 7に示したように、まず、光源 50をオン駆動し、光源 50からの光を波長選択フィルタ 51をさせてから分析用具 56に照射する (S30)。分析用具 56からの反射光は第 2受光素子 53において受光され、反射光の光量が測定される (S31)。反射光の光量は、検知演算部 55において認識され、この検知演算部 55では、反射光の光量に基づいて、分析用具 56での吸光度が演算される (S32)。

検知ュ二ット 5ではさらに、測定波長の ¾|Sが行われる (S33)。測定波長の Itm は、図 6を参照して先に説明したのと同様な手法によつて行われる。測定波長の «、は、吸光度の測定よりも先に行ってもよいし、吸光度の測定と ¥ fして行つてもよい。

次いで、図 8 Aに示したように、測定波長の確認結果に基づいて、選択部 3によって記憶部 2に記憶された複数の検 ¾線の中から上 |S¾認結果に最も適合する検 *ϋを選択する (S34)。演算部 4では、検知演算部 55において演算された吸光度と、選択部 3によつて選択された検 41泉に基づレ、て、濃度演算が行われる (S35)。濃度測定処理においては、図 8 に示した834ぉょび835に代ぇて、図 8 Bに示した S44およぴ S45や図 8 Cに示した S54およぴ S55を実行してもよレ、。ただし、図 8 Bおよび図 8 Cに示した例では、 1つの測定項目に対して 1つの検量線しか記憶部に記憶されてレ、ないものとする。

図 8 Bに示した例では、検知ュ二ット 5におレ、て、された測定波長に基づレヽて、検知演算部 55において演算された吸光度力 S補正された後 (S44)、この補正値と記憶部 4に記憶された検 41泉に基づいて濃度演算が行われる (S45)。一方、図 8 C に示した例では、検知演算部 55にお!/、て演算された吸光度と記憶部 4に記憶された検量線に基づいて濃度演算を行った後 (S54)、この演算値が検知ュニット 5におレ、てされた測定波長に基づレヽて捕正される (S55)。

本実施の形態では、分析装置 Xの立ち上げ時および濃度測定時のうち、少なくともレ、ずれか一方において測定波長のが行われる。そのため、実際の測定波長が、たとえば波長選択フィルタや光源の劣化、製品誤差などによって、目的とする測定波長からずれていたとしてもそれの影響を是正し、精度良く濃度測定を行うことができるようになる。

分析装置 Xの立ち上げ時に測定波長を麵する:^には、濃度測定毎に測定波長の確認を行う必要がな!/ヽ分だけ、測定波長の確認動作によつて測定時間が長くなってしまうことはなレヽ。一方、濃度測定時に測定波長の ¾mを行う ¾ ^には、環境条件による測定波長の変化や光源として LEDを使用する: tj^における LED 自身の上昇による波長の変化に対応し、より精度良く濃度測定を行うこと力 S できるようになる。

本実施の形態にぉレ、ては、測定波長の ½mを基職からの反射光に基づレ、て行つていたが、基準板での散乱光や透過光に基づいて測定波長の確認を行うようにしてもよレ、。濃度演算に必要な分析用具での吸光度についても、散乱光や β光に基づレヽて演算するようにしてもよい。また、測定波長の misを基準板からの反射光に基づレ、て行うであっても、必ずしも反射率を演算してから測定波長を演算する必要はなく、反射光の光量から直接測定波長を確認するようにしてもよレ、。同様に、濃度演算においても、吸光度を必ずしも演算する必要はなく、分析用具から進行してくる光の光量 fe答状態)から濃度演算を行うようにしてもよレ、。以上にぉレヽては、分析装置にぉレヽて測定波長の mmを行う ^につレヽて説明したが、測定波長の β、は、分析装置を出荷する前に行うようにしてもよレ、。

出荷前における測定波長の麵は、少なくとも光源と受光素子を含む検知ュ二ットが組み上がった後に行われる。すなわち、測定波長の脑は、分析装置の全体が製造された後において行ってもよいし、検知ュニットが組み上がった段階において、検知ユニットを用いて行ってもよい。測定波長の確認は、先に説明したのと同様にして基準板を用いて行われるが、この基準板は、出荷後の分析装置を測定波長の!^が行えるように構成する：^には、検知ュニットに基箱を組み込んでおき、その基 ¾gを利用して行うようにしてもよい。一方、出荷後の分析装置において測定波長の麵、を行わなレヽ: ^には、另 IJ途基職反を輔し、この基聊反を用いて測定波長の ¾ を行うようにすればよい。

測定波長力 ^IISされたには、様々な測定波長に対応した複数の検 ¾線の中力、測定波長に最も適合する検 ft線を選択し、その検 *1泉を分析装置の記憶部に記憶させるようにしてもよい。この：^、複数の検線は、記憶部に予め記憶させておいたものであってもよく、その ±J ^には選択された検泉を使用して演算を行うようなプログラム力 s組み込まれる。もちろん、選択された検 ¾線のみを記憶部に記憶させるようにしてもよレ、。測定波長の適合する検 i泉の選択にぉレヽては、必ずしも測定波長を演算する必要はなく、基聯反からの反射光量などに応じて、直接的に検量線を選択するようにしてもよい。

一方、光照射時におけ δ基準板の応答状態に基づいて、測定波長に関する情報を記憶部に記憶させるようにしてもよい。この:^には、分析装置は当該情報を考慮して演算部において演算を行うように構成される。たとえば、分析装置は、検知ュ二ットにおレ、て得られた吸光度を補正してから補正値に基づレ、て濃度演算を行い、あるいは吸光度に基づいて濃度演算を行った後、この演算値を補正するように構成される。

このようにして分析装置の出荷前に測定波長の βを行うようにすれば、波長選択フィルタや光源の製品誤差の影響が予め排除され、精度良く濃度測定を行うことができる分析装置を共できるようになる。

Claims

請求の範囲

1 . 試料液およひ^:薬によって構築される反応系に対して光を照射し、そのときの反応系における応答状態を第 1検知結果として検知するための第 1検知ステツプと、

光照射時の応答状態に波長依存性がある基«に対して光を照射し、そのときの上記基¾¾における応答状態を第 2検知結果として検知するための第 2検知上記第 1およぴ第 2検知結果に基づレ、て、試料液中の特定成分の濃度を演算する演算ステップと、

を含む、分析方法。

2. 上記演算ステップにおいては、上記第 2検知結果に基づいて、予めされた複数の検 4ϋの中から最適な検 ¾泉を選択した上で、当該検 *|泉および上記第

1検知結果に基づいて、特定成分の濃度の演算を行う、請求項 1に記載の分析方法。

3. 上記演算ステップにおいては、上記第 2検知結果に基づいて、上記第 1検知結果の補正を行った上で、この補正値と検 */锒により特定成分の濃度の演算を行う、請求項 1に記載の分析方法。

4. 上記演算ステップにおいては、上記第 1検知結果および検鼂線に基づいて特定成分の濃度を第 1次的に演算した上で、この演算値を補正して最終的な演算値を算出する、請求項 1に記載の分析方法。

5. 上記第 1および第 2検知ステップのうちの少なくとも一方の応答状態は、正反射光量、通光量、または散乱反射光量として検知される、請求項 1に記載の分析方法。

6. 光照射手段と、

試料液およひ^;薬によつて構築される反応系に対して、上記光照射手段から出射された光を照射したときの第 1応答状態、および光照射時の応答状態に波長依存性がある基準板に対して、上記光照射手段から出射された光を照射したときの第 2応答状態を検知するための検知手段と、

上記第 1および第 2応答状態に基づいて、試料液中の特定成分の濃度を演算する演算手段と、

を備える、分析装置。

7. 上記第 1応答状態に対応する第 1検知結果と特定成分の濃度との関係を表す複数の検 *1泉を記憶した記憶手段と、

上記第 2応答状態に対応する第 2検知結果に基づレヽて、上記複数の検線の中から演算に最適な検嶽泉を選択するための選択手段と、

をさらに備えており、

上記演算手段は、上記選択手段により選択された検镍および上記第 1検知結果に基づいて、特定成分の濃度を演算するように構成されている、請求項 6に記載の分析装置。

8. 上記演算手段は、上記第 2応答状態に対応する第 2検知結果に基づいて、上記第 1応答状態に対応する第 1検知結果を補正した後に、この補正値に基づ!/、て、特定成分の濃度を演算するように構成されている、請求項 6に記載の分析装

9. 上記演算手段は、上記第 1検知結果に基づいて特定成分の濃度を第 1次的に演算した後、この第 1次的演算値を補正して最終的な演算値を算出するように構成されている、請求項 6に記載の分析装置。

10. 上記検知手段にぉレ、て上記第 2応答状態を検知するタイミングを制御するための制御手段をさらに備えてレヽる、請求項 6に記載の分析装置。

11. 上記制御手段は、上記検知手段における上記第 2応答状態の検知を、上記第

1応答状態の検知と相前後して、あるレ、は上記第 1応答状態の検知と TOして行うように制御する、請求項 10に記載の分析装置。

12. 上記制御手段は、上記検知手段における上記第 2応答状態の検知を、装置の立ち上げ時に行うように制御する、請求項 10に記載の分析装置。

13. 上記第 1および第 2応答状態のうちの少なくとも一方は、正反射光量、通光量または散乱反射光量として検知される、請求項 6に記載の分析装置。

14. 試料液およひ ¾薬によつて構築される反応系に対して光を照射するための光照射手段と、光照射時における上記反応系での応答状態を検知するための検知手段と、この検知手段での検知結果に基づいて、試料液中の特定成分の濃度を演算するための演算手段と、特定成分の演算に必要な情報を記憶するための記憶手段と、を備えた分析装置を製造する方法であって、

光照射時の応答状態に波長依存性がある基準板に上記光照射手段からの光を照射し、そのときの上記基準板での応答状態から、上記光照射手段から出射される光の出射状態を検知する検知ステップと、

上記出射状態を上記演算手段における演算結果に反映できる情報として上記記憶手段に記憶させる記憶ステップと、

を含む、分析装置の製造方法。

15. 上記検知ステップでの検知結果に基づレ、て、上記検知手段での検知結果と特定成分の濃度との関係を表す複数の検 4ϋの中から、上記出射状態に応じた検量線を選択する検 */線選択ステップをさらに含んでおり、

上記記憶ステップでは、上記検 ft線選択ステップにおレ、て選択された検 a泉を、上記演算手段における演算用の検量線として上記記憶手段に記憶させる、請求項 14に記載の分析装置の製造方法。

16. 上記検知ステップでは、上記出射状態は、出射光のピーク波長として把握され、

上記記憶ステップでは、上記記憶手段に上記ピーク波長を記憶させる、請求項 14に記載の分析装置の製造方法。

17. 上記検知ステップにおいては、上記基準板として、予め分析装置に組み込んでおレ、たものを使用する、請求項 14に記載の分析装置の製造方法。

18. 上記検知ステップにおいては、上記基準板として、当該検知ステップのために、上記分析装置とは別に職されたものを使用する、請求項 14に記載の分析装置の製造方法。