WO2004032590A1 - Electromagnetic shielding material provided with shielding layer - Google Patents

Electromagnetic shielding material provided with shielding layer Download PDF

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WO2004032590A1
WO2004032590A1 PCT/JP2003/012293 JP0312293W WO2004032590A1 WO 2004032590 A1 WO2004032590 A1 WO 2004032590A1 JP 0312293 W JP0312293 W JP 0312293W WO 2004032590 A1 WO2004032590 A1 WO 2004032590A1
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metals
shielding material
electromagnetic wave
polymer film
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PCT/JP2003/012293
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Shigeki Miura
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Fcm Co., Ltd.
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20Metallic material, boron or silicon on organic substrates

Definitions

  • Electromagnetic wave shielding material with shield layer is Electromagnetic wave shielding material with shield layer
  • the present invention relates to an electromagnetic wave shielding material. More specifically, it can be attached to various communication devices, computers, home appliances, automobiles, electric vehicles, etc. to effectively shield electromagnetic waves such as noise generated from them from being emitted outside, etc.
  • the present invention relates to an electromagnetic shielding material that effectively shields the electromagnetic wave emitted to the inside from the source of Background art
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-215 discloses an electromagnetic wave shielding material in which a shielding layer made of metal is formed on a polymer film by a vacuum evaporation method. This is because the shield layer is formed by vacuum evaporation. It was difficult to form a thick shield layer, and a sufficient shield effect could not be achieved.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 20-1464 describes an electromagnetic wave shielding material in which an electrode film is formed on the outermost layer of a multilayer structure consisting of a conductive layer and a low conductive layer.
  • the electrode film of the outermost layer is formed only by sputtering or the like utilizing vacuum processing, so that it is difficult to form a thick shield layer, and achieving a sufficient serialode effect. I could not
  • JP-A-2001-2006 there is described an electromagnetic wave shielding material in which a first metal layer is formed by physical vapor deposition and a second metal layer is electroplated thereon. ing.
  • the first metal layer does not have a sufficient antioxidative effect, and the second metal layer may be deteriorated due to oxidation and peeled off, so that a sufficient shielding effect could not be achieved.
  • JP-A-2002-6861 describes an electromagnetic wave shielding material in which a plating film is formed on the surface of a base material made of a resin or the like.
  • this is a direct plating film formed on the base material, the adhesion between the base material and the plating film is weak, and it is possible to achieve a sufficient shielding effect by peeling off or the like. I could't. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned present conditions, and the purpose thereof is to make it flexible by making its thickness thin so as to be compatible with various products which are reduced in thickness and size.
  • Another object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding material having the following characteristics.
  • Another object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding material capable of shielding simultaneously both low frequency and high frequency electromagnetic waves as desired.
  • the inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above problems. It is difficult to solve the above problems by the conventional method of forming a shield layer, and it is necessary to form a shield layer by a completely new forming method. The present invention was finally accomplished by continuing the research based on this finding.
  • the thickness is 1 to 8; um, and a shield selected from the group consisting of Ni, Fe, Co, Ti, Zn, Cr, Sn, Cu and an alloy containing at least one of these metals.
  • the layer is characterized in that one or two or more layers are formed by any of sputtering, vapor deposition, and plating.
  • the electromagnetic wave shielding material of the present invention has a thickness of 1 ⁇ or less between the surface of the polymer film and the shielding layer, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr,
  • the underlayer consisting of one selected from the group consisting of oxides, nitrides of these metals and alloys containing at least one of these metals is either a single layer or a double layer by either a sputtering method or an evaporation method. The above can be formed.
  • the electromagnetic wave shielding material of the present invention has a thickness of 1 m or less between the surface of the polymer film and the shielding layer, and Ni, Co, Zn, Ti, Cr, and the metals thereof.
  • Underlying layers that function as electrodes formed by either the sputtering method or the vapor deposition method may be formed in this order, respectively.
  • the shielding layer can be made of one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals.
  • the shielding layer may be made of Cu.
  • the shielding layer is divided into two layers, one of which is made of Cu, and the other of which is Ni, Co, Fe and at least one of these metals. It can be made of one selected from the group consisting of alloys containing seeds.
  • the shielding layer is divided into three layers and formed.
  • a layer consisting of Cu is formed as an intermediate layer of the three layers, and a layer consisting of Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals is formed on the upper and lower sides of the layer. It is possible to form one selected layer.
  • the electromagnetic wave shielding material of the present invention has a thickness of 1 ⁇ m or less on any one surface of the polymer film, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, and these.
  • the underlayer consisting of at least one selected from the group consisting of oxides, nitrides and alloys containing at least one of these metals is one or two or more layers by a sputtering method or a vapor deposition method.
  • a first shield layer formed of one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals is formed thereon;
  • a second shield layer is formed, and the other surface of the polymer film has a thickness of 1 m or less, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, , These metals oxides, nitrides and these metals less
  • One or two or more underlayers formed of one or more layers selected from the group consisting of one or more alloys are formed by sputtering or vapor deposition, and Ni, Co, and F are formed thereon.
  • the third shield layer may be formed of one selected from the group consisting of e and an alloy containing at least one of these metals.
  • the electromagnetic wave shielding material of the present invention has a thickness of 1 or less on any one surface of the polymer film, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, and these.
  • the underlayer consisting of at least one selected from the group consisting of oxides, nitrides and alloys containing at least one of these metals is one or two or more layers by a sputtering method or a vapor deposition method.
  • One or two or more underlayers formed of one or more layers selected from the group consisting of one or more alloys are formed by sputtering or vapor deposition, and Ni, Co, and F are formed thereon.
  • the third shield layer may be formed of one selected from the group consisting of an alloy containing at least one of the metals listed above.
  • a discoloration prevention layer made of Sn, Ni, Co, Ti, Zn or Cr should be formed on the shield layer made of Cu.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding material in which a base layer is formed on the surface of a polymer film and a shield layer is formed thereon.
  • FIG. 2 shows a schematic cross section of an electromagnetic wave shielding material in which an undercoating layer having an antioxidative effect is formed on the surface of a polymer film, a second undercoating layer acting as an electrode is formed thereon, and a shield layer is formed thereon.
  • FIG. ' shows a schematic cross section of an electromagnetic wave shielding material in which an undercoating layer having an antioxidative effect is formed on the surface of a polymer film, a second undercoating layer acting as an electrode is formed thereon, and a shield layer is formed thereon.
  • FIG. 3 an undercoat layer having an antioxidant effect is formed on the surface of the polymer film, a second undercoat layer acting as an electrode is formed thereon, a shield layer is formed thereon, and a color change is further formed thereon
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding material in which an undercoat layer having an antioxidant effect is formed on the surface of a polymer film, and three shield layers are formed thereon.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding material in which shield layers are formed on both sides of a polymer film.
  • the electromagnetic wave shielding material of the present invention basically has a configuration in which a shielding layer is formed on the surface of a polymer film. Each configuration will be described below.
  • thermoplastic elastomer 1 film As a polymer film used for this invention, a synthetic resin film, a thermoplastic elastomer 1 film, a rubber film etc. can be mentioned, for example.
  • synthetic resin films include synthetics of PET, PEN, acrylic, nylon, polyethylene, polypropylene, polypropylene chloride, polyimide, liquid crystal polymer, epoxy, etc.
  • the film which consists of synthetic resin can be mentioned.
  • the thermoplastic elastomer film include films made of a thermoplastic elastomer such as styrene-based, polyvinyl chloride-based, lefenic-based, urethane-based, ester-based, and amide-based.
  • the rubber film for example, in addition to natural rubber, synthesis of butadiene rubber, isopropyl rubber, chloroprene rubber, styrene-butadiene rubber, etoril rubber, petryl rubber, ethylene-propylene rubber, atalinole rubber, urethane rubber, fluororubber, silicone rubber, etc.
  • a film made of rubber can be mentioned.
  • the types of synthetic resin, thermoplastic elastomer or rubber listed here are merely illustrative and are not limited thereto.
  • a film as used in the field of this invention what has a sheet-like shape with a thickness of 2 to 200 / im, preferably 4 to 30 ⁇ is included.
  • the type and thickness of the above-mentioned synthetic resin, thermoplastic elastomer or rubber can be selected according to the application.
  • the type and thickness of the above-mentioned synthetic resin, thermoplastic elastomer or rubber can be selected according to the application.
  • polyimide or liquid crystal polymer as a synthetic resin, and when heat resistance is not required, PET etc. should be selected in consideration of cost etc.
  • thermoplastic elastomer or rubber it is preferable to select a thermoplastic elastomer or rubber.
  • various fillers such as glass fibers can be added to such a polymer film for the purpose of improving the strength and imparting a flame retardant effect and the like.
  • the polymer film used in the present invention is preferably subjected to a drying treatment so as to have a water content of less than approximately 0.01% before forming each layer described later. This is to improve the adhesion to the later-described layers, in particular, the cenote red layer.
  • the said drying method can be performed according to a conventional method, for example, 40 to 200 ° C, preferably rather is 40 to 1 20 ° C vacuum (1 X 10 one 3, which is heated to a temperature of ⁇ 1. can be mentioned a method of bombardment treatment with 5 X 10- 1 P a).
  • the conditions for the pompard treatment are: Ar gas: 60 to 300 cc / min, preferably 100 to 200 cc Z min, power: 0.5 to 2 kW, preferably 0.8 to 1.3 kW; This can be done by using a hooking device or the like.
  • the polymer film used in the present invention it is preferable to use, as a pretreatment, one which has been irradiated with at least one type of ion using an ion gun which irradiates ions to an object.
  • ions include rare gas ions such as argon, oxygen ions or nitrogen ions, mixed ions of these, and the like.
  • Ion irradiation of such a polymer film is preferably carried out before the formation of the below-described seed layer or underlayer as a pretreatment.
  • the shield layer of the present invention has the function of shielding, that is, shielding, electromagnetic waves having various frequencies, and on the surface of the polymer film, or in the case where an underlayer described later is formed, It is formed.
  • a shield layer has a thickness of 1 to 8 ⁇ and contains at least one of Ni, Fe, Co, Ti, Zn, Cr, Sn, Cu, and these metals. It consists of one kind selected from the group consisting of alloys, and is characterized in that it is formed to be divided into one or two or more layers by any method of sputtering method, vapor deposition method or plating method. .
  • the thickness is limited to 1 to 8 ⁇ m ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • the constituent component is limited to the above-mentioned metals if it is excellent in shielding property against electromagnetic waves, and it should be possible to adopt sputtering, vapor deposition or plating as a forming means. It is because it does not.
  • sputtering, vapor deposition or plating is employed as the forming means because, as described above, these metals can not be used as metal foils, and in terms of their performance, polymer films This is because it is necessary to have sufficient adhesion with the like, and to freely set the thickness if desired.
  • the kind of metal to be configured according to the frequency of the electromagnetic wave to be shielded.
  • the frequency of the electromagnetic wave to be shielded For example, for low frequency electromagnetic waves having a frequency of approximately 5000 Hz or less, it is preferable to select one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe and alloys containing at least one of these metals. It is preferable to select Cu for high frequency electromagnetic waves having a frequency of approximately 5000 Hz or more.
  • the shield layer is made of such Cu
  • an undercoat layer having the below-described antioxidant effect is formed on the surface of the polymer film, preferably on the surface thereof.
  • the composition of the solution (copper sulfate 50 to 300 g / l, preferably 80 to: L 50 g / 1, sulfuric acid 50 to 300 g / l, preferably 90 to 160 g / l).
  • the shield layer of the present invention can be divided into two or more layers.
  • the shield layer when the shield layer is divided into two layers by one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals, and Cu, the low frequency and The shield layer can exhibit shielding properties against both high frequency electromagnetic waves, which is one of the particularly preferred embodiments of the present invention.
  • plating solution Nikkol sulfate 50 to 350 g / l, preferably 200 to 250 g / 1, nickel chloride 10 to: L 00 gZ 1, preferably 40 to 50 g / 1, boric acid 10 to 60 g / l , Preferably 30 to 50 g / l, and optionally a small amount of additives, and adjusted to pH 5 to 6.0, preferably pH 3.0 to 4.5
  • current density 1 to L It consists of Ni with a thickness of 1 to 8 m by electroplating under the conditions of 0 AZdm 2 , preferably 2 to 4 AZ dm 2 , solution temperature 30 to 70 ° C., preferably 45 to 55 ° C.
  • a first shield layer can be formed, and a second shield layer made of Cu with a thickness of 1 to 8 ⁇ can be formed thereon under the same conditions as described above.
  • the order of forming these two shield layers can, of course, be reversed as described above, and in this case also, both low frequency and high frequency electromagnetic waves can be shielded.
  • the shield layer is made of, for example, an alloy of Fe and Ni instead of the Ni described above, the composition of the plating solution (nickel sulfate 40 to 400 g / 1, preferably 80 to 320 g / l).
  • the shield layer of the present invention can be formed in three or more layers.
  • a first shield layer is formed of one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals, and Cu to Forming a second shield layer, and further forming thereon a third shield layer selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals.
  • an electromagnetic wave shielding material of such a configuration is attached to an electric product, for example, the electromagnetic wave generated from the inside of the electric product can be shielded against low frequency electromagnetic waves, and some materials are intended to penetrate from the outside to the inside. It will be possible to shield effectively.
  • the shield layer of the present invention can be formed on both sides of the polymer film.
  • thickness force S l ⁇ m on either surface of a polymer film And selected from the group consisting of Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, oxides and nitrides of these metals, and alloys containing at least one of these metals.
  • One or two or more underlayers (described later) consisting of Ni are formed by sputtering or evaporation, and Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals are formed thereon.
  • a second shield layer of Cu is further formed thereon, and a thickness is formed on the other surface of the polymer film.
  • the below-mentioned base layer which consists of Or one or more layers formed by any of vapor deposition methods, and one or more selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals.
  • An embodiment in which the third panoramic layer is formed can be mentioned.
  • the thickness is less than or equal to ⁇ on any one surface of the polymer film, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, or these
  • the below-mentioned base layer which consists of 1 type chosen from the group which consists of a metal oxide, nitride, and an alloy which contains at least 1 sort of these metals forms one or two or more layers by the method of sputtering method or a vapor deposition method.
  • a first shield layer of Cu is formed thereon, and further, a second shield layer is selected from the group consisting of Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals.
  • a thickness of 1 m or less on the other surface of the polymer film and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, and the like.
  • Oxides, nitrides of these metals and At least one underlayer selected from the group consisting of at least one alloy is formed of one or more layers by a sputtering method or a vapor deposition method, and Ni, Co,
  • a third shield layer composed of one selected from the group consisting of Fe and an alloy containing at least one of these metals is formed.
  • the underlayer according to the present invention functions as a kind of electrode in forming the shield layer. It is particularly useful when the shield layer is formed by a plating method.
  • the base layer has a function as an anti-oxidation layer that prevents oxidation of the layer formed above the layer, that is, the seed layer, the other base layer, and the like. It can also be done.
  • the shield layer or the like is oxidized over time by the action of oxygen in the air or oxygen dissolved in water contained in the polymer film, and once these layers are oxidized in this way, adhesion with the polymer film is caused. The force is significantly reduced, and inconveniences such as peeling easily occur.
  • an undercoating layer having an antioxidative effect is present between these layers and the polymer film, it effectively captures the oxygen diffused from the polymer film in the direction of these layers. The oxygen is effectively removed before reaching the layers.
  • the underlayer having such an antioxidant effect is particularly effective when the shield layer or the other underlayer is composed of Fe or Cu, and is composed of other metals. There is no need to form it.
  • Such an underlayer is formed between the surface of the polymer film and the shield layer, has a thickness of 1 ⁇ or less, and N i, C o, Z n, F e, C u, T i , C r, oxides, nitrides of these metals, and alloys comprising at least one of these metals, and one selected from the group consisting of sputtering and vapor deposition. 1 'layer or two or more layers are formed. The thickness is limited to 1 ⁇ or less because 1 ⁇ is sufficient to act as an electrode and / or an antioxidant layer, and it is not necessary to make it thicker.
  • the reason that the constituent component is limited to the above-mentioned metals is that these metals exhibit excellent conductivity and antioxidative effect, and they are suitable for formation by sputtering or vapor deposition. It is from. Of these metals, mainly Fe and Cu have excellent action as electrodes, T i and C r have excellent effects as an antioxidant layer, and Ni, Co and Co and Z n is characterized by having both of these effects.
  • the sputtering method or the vapor deposition method is adopted as the forming means, because it is not necessary to adopt a relatively thick plating method suitable for forming a layer, and the polymer film is treated in a dry state. Because you can do it.
  • an underlayer can be formed in one or two or more layers as described above, and two or more layers can be formed.
  • Such undercoat layer if formed, for example, a sputtering method is used, the conditions are as follows, the degree of vacuum 1 X 10- 4 ⁇ 1. 5 X 1 O ⁇ P a, preferably 1 X 10_ 4 ⁇ 1. 5 X 10- 2 P a, output 0.. 5 to 1 5 kW, preferably 0. 8 ⁇ : L 0 kW, a r gas 100 to 400 cc Z component, it preferably to employ the 100 to 250 cc / min conditions Is preferred.
  • the output 10 It is preferred to adopt a condition of ⁇ 150 kW, preferably 40-90 kW. By adopting such conditions, the thickness can be set to 20 ⁇ -1 ⁇ , preferably 50 to 300 OA.
  • 0.5 to 50%, preferably 3 to 10%, of sulfuric acid is preferably added on the underlayer for 0.1 to 3 minutes.
  • it is activated by acid activation treatment for preferably 0.5 to 1.5 minutes.
  • the anti-discoloring layer of the present invention is formed when the shield layer is formed of Cu (when the shield layer is formed of two or more, the uppermost layer is formed of Cu). It exhibits an effect of effectively preventing discoloration due to oxidation and the like. Therefore, it is formed immediately on the shield layer made of Cu.
  • a color protection layer is formed of Sn, Ni, Co, Ti, Zn or Cr, and the formation method is not particularly limited, but it is usually formed by sputtering, vapor deposition or plating. it can.
  • the conditions are as follows: composition of plating solution (S nl O to 70 gZl, preferably 20 to 60 g Z 1, organic acid 70 to 200 g / l, Preferably 90 to: L 30 g / 1, In addition, if desired, a small amount of additives is blended), current density 0.5 to 10 dm 2 , preferably 1 to 2 A / dm 2 , liquid temperature 10 to 70 ° C., preferably 20 to 30 ° C., etc. The condition of can be adopted. By adopting such conditions, the thickness can be made 0.01 to 2 ⁇ , preferably 0.1 to 1 ⁇ .
  • the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto.
  • the present example relates to an electromagnetic wave shielding material in which an underlayer is formed on the surface of a polymer film, and a shield layer composed of an alloy composed of Ni and Fe is formed thereon.
  • an underlayer is formed on the surface of a polymer film, and a shield layer composed of an alloy composed of Ni and Fe is formed thereon.
  • N 1 is attached to the first target and the second target 1 in the chamber, respectively, and the Ar gas is sputtered N i using a high magnetic wave magnet of 200 cc / min each and an output of 8 kW.
  • an undercoat layer 102 having a thickness of 1800 A was formed on the surface of the vacuum-dried polymer film 101.
  • the polymer film on which the underlayer was thus formed was taken out from the sputtering apparatus and subsequently set in a continuous plating apparatus.
  • the undercoat layer was acid-activated by continuously immersing the polymer film in a plating bath filled with 5% sulfuric acid at a moving speed of 1.0 mZ for 1 minute.
  • a plating solution nickel sulfate 240 g / 1, nickel chloride was added to the plating bath of the above apparatus.
  • the above polymer is charged with 50 g of KL, 40 g of boric acid, 20 g of ferrous sulfate and 1 70 g of ferroalloy FA (manufactured by Ebara Eugelite Co., Ltd.) and having a pH of 3.8.
  • the film is continuously immersed at a moving speed of 1. O'm / min, and electroplated for 5 minutes under the conditions of a liquid temperature of 55 ° C and a current density of 4 A / dm 2 , on the underlayer 102.
  • the product was repeatedly washed with water three times, drained by a blower, and dried at 60 ° C. for 1 minute to obtain the electromagnetic shielding material of the present invention shown in FIG.
  • the electromagnetic wave shielding material thus obtained is measured with an oscilloscope while being irradiated with an electromagnetic wave of 100 to 200 Hz using a phase shift oscillator, and it is 100 to 200 hertz on the side not irradiated with the electromagnetic wave. No electromagnetic waves were detected. For this reason, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used for various applications as an electromagnetic wave shielding material for low frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be used in a wide range of various products which are light and thin and short.
  • an undercoat layer having an antioxidant effect is formed on the surface of a polymer film, a second undercoat layer acting as an electrode is formed thereon, and a shield layer made of Cu is formed thereon. It relates to a shield material. This will be described below with reference to FIG.
  • a PET film of 25 zm in thickness is slit to a width of 25 Omm and a length of 10 Om as a polymer film 201, and then it is scraped into a stainless steel core and attached to a delivery shaft in a chamber of a sputtering apparatus.
  • the cooling device with the drive drum so that the polymer film is wound in a 0. 4 m / min, delivery shaft Oyo
  • the take-off shafts were each rotated. Thereafter, the temperature is adjusted to 110 ° C. by a heater, the bombardment process is carried out under conditions of Ar gas 120 cc Z minutes and an output of 0.9 k W, and the moisture content of the polymer film is ⁇ . Vacuum dried to less than 01%.
  • a first target in the chamber is attached with C r, and the vacuum-dried polymer film 201 is formed by sputtering C r under conditions of Ar gas for 100 c cZ and power of 2.2 kW.
  • An underlayer 204 having an antioxidative effect with a thickness of 7 OA was formed on the surface.
  • Cu is attached to the second target in the chamber, and under conditions of an Ar gas of 200 ccZ and a power of 9 kW, sputtering is performed on Cu to form a thickness 210 on the underlayer 204 having the anti-oxidation effect.
  • a second underlying layer 202 was formed to act as an OA electrode.
  • the second undercoat layer 202 was acid-activated by continuously immersing the polymer film in a plating bath filled with 5% sulfuric acid at a moving speed of 1.0 m / min for 1 minute. Then, after repeating the water washing twice, plating solution (copper sulfate 90 gZl, sulfuric acid 150 g / 1, chlorine 50 ppm and Totupletina 380 H (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. product) 10 cc / l) was added to the plating bath of the above apparatus. 1), and the polymer film is immersed continuously at a moving speed of 1.
  • the shield layer 203 made of Cu and having a thickness of 3.5 ⁇ was formed on the second underlayer 202. Subsequently, washing with water was repeated three times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute to obtain the electromagnetic shielding material of the present invention shown in FIG.
  • the electromagnetic wave shielding material thus obtained is measured with an oscilloscope while being irradiated with an electromagnetic wave of 1 to 2 GHz using a phase shift oscillator. Ruth's electromagnetic wave was not detected. Therefore, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used in various applications as an electromagnetic wave shielding material for high frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be widely used for various products which are reduced in size and size.
  • Example 3 In this example, an undercoat layer having an antioxidative effect is formed on the surface of a polymer film, a second undercoat layer acting as an electrode is formed thereon, and a shield layer of Cu is formed thereon. Furthermore, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding material on which a discoloration prevention layer is formed. Hereinafter, this will be described with reference to FIG.
  • a polymer film 31 having a shield layer 303 formed was obtained in exactly the same manner as in Example 2 up to the point where the shield layer made of Cu was formed. Subsequently, in a plating bath of a continuous plating apparatus, a plating solution (Sn 5 5 g / 1, as an organic acid, Metaths AM (manufactured by Ruken Industrial Co., Ltd.) 120 g / 1 and SBS-R (Ruken Industrial (stock Made of) 60 cc / 1), the above polymer film is continuously immersed at a moving speed of 1.
  • the electromagnetic wave shielding material thus obtained is measured with an oscilloscope while being irradiated with an electromagnetic wave of 1 to 2 GHz using a phase shift oscillator. Ruth's electromagnetic waves were not detected. Therefore, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used in various applications as an electromagnetic wave shielding material for high frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be widely used for various products which are reduced in size and size.
  • the present example relates to an electromagnetic wave shielding material in which an undercoat layer having an antioxidative effect is formed on the surface of a polymer film, and three layers of a spur layer are formed thereon.
  • an undercoat layer having an antioxidative effect is formed on the surface of a polymer film, and three layers of a spur layer are formed thereon.
  • N 1 is attached to the first target and the second target in the chamber, respectively, and N 2 is sputtered by using a high magnetic wave magnet with an output of 8 kW for 200 c cZ each for Ar gas.
  • an undercoat layer 404 having an antioxidation effect with a thickness of 180 OA.
  • the plating bath was made up of plating solution (Nickel sulfate 240 g Z 1, Eckel chloride 50 g Zl, oxalic acid 40 g / l, ferrous sulfate 20 g Z 1 and Ferroalloy FA (manufactured by Ebara Eugelite Co., Ltd.) 70 cc / 1 , PH 3.8), the polymer film is continuously immersed at a moving speed of 1.0 m / min, and the liquid temperature is 55 ° C., the current density is 4 A / dm 2 .
  • plating solution Nickel sulfate 240 g Z 1, Eckel chloride 50 g Zl, oxalic acid 40 g / l, ferrous sulfate 20 g Z 1 and Ferroalloy FA (manufactured by Ebara Eugelite Co., Ltd.) 70 cc / 1 , PH 3.8
  • a first shield layer 403 a composed of an alloy of Ni and Fe having a thickness of 4.5 ⁇ was formed on the above-described underlayer 404 having an oxidation preventing effect. . Subsequently, washing with water was repeated 3 times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute.
  • a plating bath (copper sulfate 90 g Zl, sulfuric acid 150 g / l, chlorine 50 ppm and Top Noretina 380 H (manufactured by Okuno Pharmaceutical Industry Co., Ltd.) 10 cc / 1) in the plating bath of the continuous plating apparatus
  • a moving speed of 1. OmZ liquid plating at 29 ° C., current density 4 A, dm 2 for 4 minutes
  • a second shield layer 403 b made of Cu with a thickness of 3.5 ⁇ was formed on the first shield layer 403 a.
  • washing with water was repeated 3 times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute.
  • a plating solution nickel sulfate 240 gZ 1, Nickel chloride 50 g / 1, boric acid 40 g / 1 N ferrous sulfate 20 g / 1 and phaloy FA (described above) (having a pH of 3.8)
  • the second shield layer 403 is formed by continuously immersing the film at a moving speed of 1. Om / min, and electroplating for 5 minutes under the conditions of a liquid temperature of 55 ° C. and a current density of 4 A / dm 2.
  • a third shield layer 403c composed of an alloy of Ni and Fe with a thickness of 4.4 ⁇ was formed on b. Subsequently, washing with water was repeated three times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute to obtain the electromagnetic shielding material of the present invention shown in FIG.
  • the electromagnetic wave shielding material thus obtained was measured with an oscilloscope while being irradiated with an electromagnetic wave of 1 to 200 Hz and 1 to 2 gigahertz using a phase shift oscillator. In the non-irradiated side, electromagnetic waves of 100 to 200 Hz and 1 to 2 gigahertz were not detected. For this reason, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used in various applications as an electromagnetic wave shielding material for both low frequency and high frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be used in a wide range of various products which are reduced in thickness and size.
  • the present example relates to an electromagnetic wave shielding material in which shield layers are formed on both sides of a polymer film. This will be described below with reference to FIG.
  • the polymer film on which the underlayer having the antioxidative effect was formed was taken out from the sputtering apparatus and then set in a continuous plating apparatus.
  • the above-mentioned polymer film was continuously immersed in a plating bath filled with 5% sulfuric acid at a moving speed of 1. Om / min for 1 minute to acid-activate the undercoat layer having the above antioxidant effect. .
  • plating solution (copper sulfate 90 g / 1, sulfuric acid 150 g / 1, chlorine 50 ppm and Totu Pluccia 380H (manufactured by Okuno Pharmaceutical Industries Co., Ltd.) in the plating bath of the above-mentioned apparatus) )
  • the above polymer film is continuously immersed at a moving speed of 1. Om / min under the conditions of a liquid temperature of 29 ° C. and a current density of 4 A / dm 2 ).
  • a first shield layer 503 a made of 3.5 ⁇ m-thick Cu was formed on the underlayer 504 having the oxidation preventing effect.
  • washing with water was repeated 3 times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute.
  • the plating solution nickel sulfate 240 g / 1, nickel chloride 50 g / 1, oxalic acid 40 g / 1, ferrous sulfate 20 g / 1, and ferroalloy FA (Evala) was added to the plating bath of the continuous plating apparatus.
  • the first shield layer 503 a is made of an alloy comprising Ni and Fe having a thickness of 4.5 i u ⁇ l. Two shield layers 503 b were formed. Subsequently, washing was repeated three times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute.
  • N 1 is attached to the first target and the second target in the chamber of the sputtering apparatus, respectively, and 200 cc / min of Ar gas and 8 kW of high magnetic wave mag- nets of each output are provided.
  • An undercoat layer 502 of thickness 180 OA was formed on the other surface of the polymer film 501 by sputtering Ni using a net.
  • the polymer film on which the underlayer was thus formed was taken out of the sputtering apparatus again, and then set in a continuous plating apparatus.
  • the undercoat layer was acid activated by continuously immersing the polymer film in a plating bath filled with 5% sulfuric acid at a moving speed of 1.0 m / min for 1 minute. Then, after repeated washing with water twice, the plating solution (nickel sulfate 240 g / l, nickel chloride 50 g Zl, boric acid 40 g / 1, ferrous iron 20 g / 1 and ferrourea) was added to the plating bath of the above apparatus.
  • the electromagnetic wave shielding material thus obtained is measured with a phase shift oscillator while being irradiated with an electromagnetic wave of 100 to 200 Hz and 1 to 2 gigahertz, respectively, the electromagnetic wave is not irradiated. In the other side, electromagnetic waves of 100 to 200 Hz and 1 to 2 gigahertz were not detected. For this reason, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used in various applications as an electromagnetic wave shielding material for both low frequency and high frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be used in a wide range of various products which are reduced in thickness and size.
  • Examples 1, 2, 3, 4 and 5 above all these are pretreated, except that the ion bombardment with the ion gun is performed as a pretreatment in place of the bombardment treatment performed on the polymer film.
  • An electromagnetic wave shielding material was obtained in the same manner as in the above example.
  • the sputtering apparatus is The condition of argon gas 100 cc / min, power supply 0.5 k WZ dm 2 , degree of vacuum 2 X 10- a by using a sputtering apparatus with an ion gun attached instead of the heater and bombardment processing Under this, pretreatment was performed by irradiating argon ions.
  • the electromagnetic wave shielding materials thus obtained have the same shielding effect as those of Examples 1, 2, 3, 4 and 5, but the adhesion between the polymer film and the underlayer and the shielding layer is further increased. It was improved. For this reason, the scope of application to various products could be further expanded. Industrial applicability
  • the electromagnetic wave shielding material of the present invention has a property rich in flexibility by reducing its thickness, so it can cope with various products which are reduced in thickness and size.
  • the electromagnetic wave shielding material of the present invention can simultaneously shield both low frequency and high frequency electromagnetic waves, if desired.

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Abstract

An electro magnetic shielding material characterized in that a shielding layer (103) having a thickness of 1 to 8 μm and made of at lease one kind selected from the group consisting of Ni, Fe, Co, Ti, Zn, Cr, Sn, Cu and alloys containing at lease one of those metals is formed on a surface of a polymer film (101) in the form of a single layer or two or more layers by a sputtering method, a vapor deposition method or a plating method.

Description

シールド層を形成した電磁波シールド材 技術分野  Electromagnetic wave shielding material with shield layer
本発明は、 電磁波シールド材に関する。 さらに詳しくは、 各種の通信機、 コン ピュータ、 家電製品あるいは自動車や電^^等に取付けて、 それらから発生する各 種ノィズ等の電磁波を外部に放出しないようこれを有効に遮蔽したり、 他の発生 源からそれらに対して照射される電磁波を内部に侵入しないようこれを有効に遮 蔽する電磁波シールド材に関する。 背景技術  The present invention relates to an electromagnetic wave shielding material. More specifically, it can be attached to various communication devices, computers, home appliances, automobiles, electric vehicles, etc. to effectively shield electromagnetic waves such as noise generated from them from being emitted outside, etc. The present invention relates to an electromagnetic shielding material that effectively shields the electromagnetic wave emitted to the inside from the source of Background art
従来より、 通信機、 コンピュータ、 家電製品、 自動車、 電線等から各種の周波 数を有する電磁波がノイズ等として発生することが知られている。 これらの電磁 波は、 他の電気製品の誤作動を生じる原因となったり人体に対して悪影響を及ぼ すことが知られており、 このため様々な方法によりこれを遮蔽する試みがなされ ている。 たとえば、 低周波数の電磁波の遮蔽対策としては、 古くから圧延した鉄 帯やフェライトが用いられてきたが、 これらは重くしかも嵩高いものであるため 近年の軽薄短小化した各種の製品に応用することは困難であった。 一方、 高周波 数の電磁波の遮蔽対策としては、 合成樹脂フィルムに銅箔を貼り合わせたものが 用いられてきたが、 これは上記の鉄帯等に比べるとある程度の厚みまで薄くする ことができるものの、 銅箔を薄く製造するには限界があり 9 μ πι以下の厚みのも のを安価に製造することは困難であった。 このため、 近年の軽薄短小化された製 品に用いる場合等特に可撓性が要求される用途に用いる場合にはさらにその性能 の向上が望まれていた。 またさらに、 これら従来の遮蔽対策手段においては、 低 周波数および高周波数の両者に同時に対応できるものはなかつた。  Conventionally, it is known that electromagnetic waves having various frequencies are generated as noise or the like from communication devices, computers, home appliances, automobiles, electric wires and the like. These electromagnetic waves are known to cause malfunction of other electronic products and to have an adverse effect on the human body. Therefore, various methods have been attempted to shield them. For example, rolled iron bands and ferrites have long been used as shielding measures for low frequency electromagnetic waves, but since these are heavy and bulky, they should be applied to various products that have become lighter and thinner in recent years. Was difficult. On the other hand, as a measure against shielding of high frequency electromagnetic waves, a synthetic resin film laminated with copper foil has been used, but this can be made thinner to some extent compared with the above-mentioned iron band etc. However, there is a limit in manufacturing copper foil thinly, and it is difficult to manufacture inexpensive copper foils with a thickness of 9 μπι or less. For this reason, in the case where it is used for applications that require flexibility, such as when used in recent light and thin, miniaturized products, further improvement of the performance has been desired. Furthermore, none of these conventional shielding measures can cope with both low frequency and high frequency simultaneously.
なお、 特開 2 0 0 0— 2 1 2 3 1 5号公報には、 高分子フィルム上に真空蒸着 法により金属からなるシールド層が形成された電磁波シールド材が記載きれてい る。 し力 し、 これは、 真空蒸着法によりシールド層を形成したものであるため、 厚いシールド層を形成するには困難を伴い、 十分なシールド効果を達成すること ができなかった。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-215 discloses an electromagnetic wave shielding material in which a shielding layer made of metal is formed on a polymer film by a vacuum evaporation method. This is because the shield layer is formed by vacuum evaporation. It was difficult to form a thick shield layer, and a sufficient shield effect could not be achieved.
また、 特開 2 0◦ 1 _ 1 4 3 6 4 4号公報には、 導電層や低導電層からなる多 層構造の最外層に電極膜を形成した電磁波シールド材が記載されている。 しかし、 これは、 最外層の電極膜が真空処理を利用したスパッタリング法等のみにより形 成したものであるため、 厚いシールド層を形成するには困難を伴い、 十分なシー ノレド効果を達成することができなかった。  Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 20-1464 describes an electromagnetic wave shielding material in which an electrode film is formed on the outermost layer of a multilayer structure consisting of a conductive layer and a low conductive layer. However, this is because the electrode film of the outermost layer is formed only by sputtering or the like utilizing vacuum processing, so that it is difficult to form a thick shield layer, and achieving a sufficient serialode effect. I could not
また、 特開 2 0 0 1—2 0 0 3 7 6号公報には、 物理蒸着により第 1金属層が 形成され、 その上に第 2金属層が電気めつきされた電磁波シールド材が記載され ている。 しかし、 これは、 第 1金属層による酸化防止効果が十分ではなく、 第 2 金属層が酸化により劣化して剥離する可能性があり、 十分なシールド効果を達成 することができなかった。  Moreover, in JP-A-2001-2006, there is described an electromagnetic wave shielding material in which a first metal layer is formed by physical vapor deposition and a second metal layer is electroplated thereon. ing. However, this is because the first metal layer does not have a sufficient antioxidative effect, and the second metal layer may be deteriorated due to oxidation and peeled off, so that a sufficient shielding effect could not be achieved.
また、 特開 2 0 0 2— 1 9 8 6 8 1号公報には、 樹脂等からなる素地材料の表 面にめっき皮膜を形成した電磁波シールド材が記載されている。 しかし、 これは、 該素地材料上に直接めつき皮膜を形成したものであるため、 素地材料とめっき皮 膜との密着性が弱く、 剥離するなどして十分なシールド効果を達成することがで きなかった。 発明の開示  Further, JP-A-2002-6861 describes an electromagnetic wave shielding material in which a plating film is formed on the surface of a base material made of a resin or the like. However, since this is a direct plating film formed on the base material, the adhesion between the base material and the plating film is weak, and it is possible to achieve a sufficient shielding effect by peeling off or the like. I couldn't. Disclosure of the invention
本発明は、 上記のような現状に鑑みなされたものであってその目的とするとこ ろは、 軽薄短小化した各種の製品に対応可能とするべくその厚みを薄くすること により可撓性に富んだ性状の電磁波シールド材を提供することにある。 また、 本 発明の別の目的は、 所望により低周波数および高周波数の両者の電磁波に対して 同時にこれらを遮蔽することが可能な電磁波シールド材を提供することにある。 本発明者は、 上記課題を解決するために鋭意研究を重ねたところ、 従来のシー ルド層の形成方法により上記課題を解決するのは困難であり全く新規な形成方法 でシールド層を形成する必要があるとの知見を得、 この知見に基づきさらに研究 を続けることによりついに本発明を完成するに至ったものである。  The present invention has been made in view of the above-mentioned present conditions, and the purpose thereof is to make it flexible by making its thickness thin so as to be compatible with various products which are reduced in thickness and size. Another object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding material having the following characteristics. Another object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding material capable of shielding simultaneously both low frequency and high frequency electromagnetic waves as desired. The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above problems. It is difficult to solve the above problems by the conventional method of forming a shield layer, and it is necessary to form a shield layer by a completely new forming method. The present invention was finally accomplished by continuing the research based on this finding.
すなわち、 本発明の電磁波シールド材は、 ポリマーフィルムの表面に、 厚さが l〜8 ;umであり、 かつ N i、 F e、 C o、 T i、 Zn、 C r、 Sn、 Cuおよ びこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる シールド層が、 スパッタリング法、 蒸着法またはめつき法のいずれかの方法によ り 1層または 2層以上形成されていることを特徴としている。 That is, in the electromagnetic wave shielding material of the present invention, the thickness is 1 to 8; um, and a shield selected from the group consisting of Ni, Fe, Co, Ti, Zn, Cr, Sn, Cu and an alloy containing at least one of these metals. The layer is characterized in that one or two or more layers are formed by any of sputtering, vapor deposition, and plating.
また、 本発明の電磁波シールド材は、 ポリマーフィルムの表面とシールド層と の間に、 厚さが 1 μπι以下であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む 合金からなる群から選ばれる 1種からなる下地層が、 スパッタリング法または蒸 着法のいずれかの方法により 1層または 2層以上形成されたものとすることがで きる。  Moreover, the electromagnetic wave shielding material of the present invention has a thickness of 1 μπι or less between the surface of the polymer film and the shielding layer, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, The underlayer consisting of one selected from the group consisting of oxides, nitrides of these metals and alloys containing at least one of these metals is either a single layer or a double layer by either a sputtering method or an evaporation method. The above can be formed.
また、 本発明の電磁波シールド材は、 ポリマーフィルムの表面とシールド層と の間に、 厚さが 1 m以下であり、 かつ N i、 Co、 Z n、 T i、 C r、 これら の金属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる 群から選ばれる 1種からなるものであって、 スパッタリング法または蒸着法のい ずれかの方法により形成されている酸化防止効果を有する下地層と、 厚さが 1 μ m以下であり、 かつ N i、 C o、 F e、 C uおよびこれらの金属を少なくとも 1 種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなるものであって、 スパッタリング 法または蒸着法のいずれかの方法により形成されている電極として作用する下地 層が、 それぞれこの順序で形成されたものとすることができる。  Moreover, the electromagnetic wave shielding material of the present invention has a thickness of 1 m or less between the surface of the polymer film and the shielding layer, and Ni, Co, Zn, Ti, Cr, and the metals thereof. An antioxidant, an oxide, a nitride and an alloy selected from at least one of these metals, which is selected from the group consisting of an oxide, a nitride, and an alloy containing at least one of these metals, which is formed by either sputtering or vapor deposition; A base layer having a thickness of 1 μm or less, and one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, Cu, and an alloy containing at least one of these metals Underlying layers that function as electrodes formed by either the sputtering method or the vapor deposition method may be formed in this order, respectively.
また、 本発明の電磁波シールド材は、 シールド層が、 N i、 Co、 F eおよび これらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種で構成され たものとすることができる。  Further, in the electromagnetic wave shielding material of the present invention, the shielding layer can be made of one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals.
また、 本発明の電磁波シールド材は、 シールド層が C uにより構成されたもの とすることができる。  Further, in the electromagnetic wave shielding material of the present invention, the shielding layer may be made of Cu.
また、 本発明の電磁波シールド材は、 シールド層が 2層に分かれて形成されて おり、 その一方が C uにより構成され、 もう一方が N i、 Co、 F eおよびこれ らの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種で構成されたも のとすることができる。  Further, in the electromagnetic wave shielding material of the present invention, the shielding layer is divided into two layers, one of which is made of Cu, and the other of which is Ni, Co, Fe and at least one of these metals. It can be made of one selected from the group consisting of alloys containing seeds.
また、 本発明の電磁波シールド材は、 シールド層が 3層に分かれて形成されて おり、 該 3層の中間の層として Cuからなる層が形成され、 該層を挟むようにし てその上下に N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金か らなる群から選ばれる 1種からなる層が形成されたものとすることができる。 また、 本発明の電磁波シールド材は、 ポリマーフィルムのいずれか一方の表面 に、 厚さが 1 μ m以下であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金か らなる群から選ばれる 1種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のい ずれかの方法により 1層または 2層以上形成され、 その上に N i、 C o、 F eお よびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からな る第 1のシールド層が形成され、 さらにその上に Cuからなる第 2のシールド層 が形成されているとともに、 該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、 厚さが 1 m以下であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金 属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群か ら選ばれる 1種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方 法により 1層または 2層以上形成され、 その上に N i、 C o、 F eおよびこれら の金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる第 3のシ —ルド層が形成されたものとすることができる。 Further, in the electromagnetic shielding material of the present invention, the shielding layer is divided into three layers and formed. A layer consisting of Cu is formed as an intermediate layer of the three layers, and a layer consisting of Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals is formed on the upper and lower sides of the layer. It is possible to form one selected layer. Moreover, the electromagnetic wave shielding material of the present invention has a thickness of 1 μm or less on any one surface of the polymer film, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, and these. The underlayer consisting of at least one selected from the group consisting of oxides, nitrides and alloys containing at least one of these metals is one or two or more layers by a sputtering method or a vapor deposition method. A first shield layer formed of one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals is formed thereon; A second shield layer is formed, and the other surface of the polymer film has a thickness of 1 m or less, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, , These metals oxides, nitrides and these metals less One or two or more underlayers formed of one or more layers selected from the group consisting of one or more alloys are formed by sputtering or vapor deposition, and Ni, Co, and F are formed thereon. The third shield layer may be formed of one selected from the group consisting of e and an alloy containing at least one of these metals.
また、 本発明の電磁波シールド材は、'ポリマーフィルムのいずれか一方の表面 に、 厚さが 1 以下であり、 かつ N i、 C o、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金か らなる群から選ばれる 1種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のい ずれかの方法により 1層または 2層以上形成され、 その上に Cuからなる第 1の シールド層が形成され、 さらにその上に N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を 少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる第 2のシールド層 が形成されているとともに、 該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、 厚さが 1 μΐη以下であり、 かつ N i、 C o、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金 属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群か ら選ばれる 1種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方 法により 1層または 2層以上形成され、 その上に N i、 C o、 F eおよびこれら の金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる第 3のシ ールド層が形成されたものとすることができる。 In addition, the electromagnetic wave shielding material of the present invention has a thickness of 1 or less on any one surface of the polymer film, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, and these. The underlayer consisting of at least one selected from the group consisting of oxides, nitrides and alloys containing at least one of these metals is one or two or more layers by a sputtering method or a vapor deposition method. A first shield layer formed of Cu and further comprising a first shield layer selected from the group consisting of Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals. And a thickness of 1 μΐ or less and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, on the other surface of the polymer film. Less of these metal oxides, nitrides and metals One or two or more underlayers formed of one or more layers selected from the group consisting of one or more alloys are formed by sputtering or vapor deposition, and Ni, Co, and F are formed thereon. e and these The third shield layer may be formed of one selected from the group consisting of an alloy containing at least one of the metals listed above.
また、 本発明の電磁波シールド材は、 C uからなるシールド層上に、 S n、 N i、 C o、 T i、 Z nまたは C rからなる変色防止層が形成されたものとするこ とができる。 図面の簡単な説明  Further, in the electromagnetic wave shielding material of the present invention, on the shield layer made of Cu, a discoloration prevention layer made of Sn, Ni, Co, Ti, Zn or Cr should be formed. Can. Brief description of the drawings
図 1は、 ポリマーフィルムの表面に下地層を形成し、 その上にシールド層を形 成した電磁波シールド材の概略断面図である。  FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding material in which a base layer is formed on the surface of a polymer film and a shield layer is formed thereon.
図 2は、 ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、 そ の上に電極として作用する 2層目の下地層を形成し、 その上にシールド層を形成 した電磁波シールド材の概略断面図である。 '  Fig. 2 shows a schematic cross section of an electromagnetic wave shielding material in which an undercoating layer having an antioxidative effect is formed on the surface of a polymer film, a second undercoating layer acting as an electrode is formed thereon, and a shield layer is formed thereon. FIG. '
図 3は、 ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、 そ の上に電極として作用する 2層目の下地層を形成し、 その上にシールド層を形成 し、 さらにその上に変色防止層を形成した電磁波シールド材の概略断面図である。 図 4は、 ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、 そ の上にシールド層を 3層形成した電磁波シールド材の概略断面図である。  In FIG. 3, an undercoat layer having an antioxidant effect is formed on the surface of the polymer film, a second undercoat layer acting as an electrode is formed thereon, a shield layer is formed thereon, and a color change is further formed thereon It is a schematic sectional drawing of the electromagnetic wave shielding material which formed the prevention layer. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding material in which an undercoat layer having an antioxidant effect is formed on the surface of a polymer film, and three shield layers are formed thereon.
図 5は、 ポリマーフィルムの表裏両面にシールド層を形成した電磁波シールド 材の概略断面図である。 発明を実施するための最良の形態  FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding material in which shield layers are formed on both sides of a polymer film. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
<電磁波シールド材>  <Electromagnetic wave shielding material>
本発明の電磁波シールド材は、 基本的にポリマーフィルムの表面にシールド層 'を形成した構成を有する。 以下、 各構成について説明する。  The electromagnetic wave shielding material of the present invention basically has a configuration in which a shielding layer is formed on the surface of a polymer film. Each configuration will be described below.
<ポリマーフイノレム >  <Polymer Hino Rem>
本発明に用いられるポリマーフィルムとしては、 たとえば合成樹脂フィルム、 熱可塑性エラストマ一フィルム、 ゴムフィルム等を挙げることができる。 合成樹 月旨フィルムとしては、 たとえば P E T、 P E N、 アクリル、 ナイロン、 ポリェチ レン、 ポリプロピレン、 塩化ビュル、 ポリイミド、 液晶ポリマ、 エポキシ等の合 成樹脂からなるフィルムを挙げることができる。 熱可塑性エラストマ一フィルム としては、 たとえばスチレン系、 塩ビ系、 才レフィン系、 ウレタン系、 エステル 系、 アミ ド系等の熱可塑性エラストマ一からなるフィルムを挙げることができる。 また、 ゴムフィルムとしては、 たとえば天然ゴムの他、 ブタジエンゴム、 イソプ レンゴム、 クロロプレンゴム、 スチレン一ブタジエンゴム、 エトリルゴム、 プチ ルゴム、 エチレン一プロピレンゴム、 アタリノレゴム、 ウレタンゴム、 フッ素ゴム、 シリコーンゴム等の合成ゴムからなるフィルムを挙げることができる。 ここに挙 げた合成樹脂、 熱可塑性エラストマ一またはゴムの種類は、 あくまでも例示であ つてこれらのみに限られるものではない。 また、 本発明でいうフィルムとしては、 厚さが 2〜200 /im、 好ましくは 4〜30 μπιのシート状の形状を有するもの が含まれる。 厚さが 2 μπι未満の場合は、 後述のシールド層を支持する基体とし て十分に機能することが困難となる一方、 200 ;umを超える場合は、 可撓性に 欠けるものとなり軽薄短小化された製品への適応が困難となるため、 いずれも好 ましくない。 本発明においては、 上記合成樹脂、 熱可塑性エラストマ一またはゴ ムの種類および厚みをその用途に応じて選択することができる。 たとえば、 耐熱 性が要求される用途においては、 合成樹脂としてポリイミ ドゃ液晶ポリマを選択 することが好ましく、 耐熱性が要求されないような場合にはコスト等を考慮して P E T等を選択することが好適であり、 また弾性が要求される用途においては熱 可塑性エラストマ一やゴムを選択することが好適である。 また、 このようなポリ マーフィルムには、 強度を向上させたり難燃効果等を付与することを目的として、 たとえばガラス繊維等の各種のフィラー類を添加することができる。 As a polymer film used for this invention, a synthetic resin film, a thermoplastic elastomer 1 film, a rubber film etc. can be mentioned, for example. Examples of synthetic resin films include synthetics of PET, PEN, acrylic, nylon, polyethylene, polypropylene, polypropylene chloride, polyimide, liquid crystal polymer, epoxy, etc. The film which consists of synthetic resin can be mentioned. Examples of the thermoplastic elastomer film include films made of a thermoplastic elastomer such as styrene-based, polyvinyl chloride-based, lefenic-based, urethane-based, ester-based, and amide-based. Further, as the rubber film, for example, in addition to natural rubber, synthesis of butadiene rubber, isopropyl rubber, chloroprene rubber, styrene-butadiene rubber, etoril rubber, petryl rubber, ethylene-propylene rubber, atalinole rubber, urethane rubber, fluororubber, silicone rubber, etc. A film made of rubber can be mentioned. The types of synthetic resin, thermoplastic elastomer or rubber listed here are merely illustrative and are not limited thereto. Moreover, as a film as used in the field of this invention, what has a sheet-like shape with a thickness of 2 to 200 / im, preferably 4 to 30 μπι is included. If the thickness is less than 2 μπι, it will be difficult to function sufficiently as a substrate to support the shield layer described later, while if it exceeds 200 μm, it will lack flexibility and become lighter, thinner and smaller. It is not desirable either, as adaptation to other products is difficult. In the present invention, the type and thickness of the above-mentioned synthetic resin, thermoplastic elastomer or rubber can be selected according to the application. For example, in applications where heat resistance is required, it is preferable to select polyimide or liquid crystal polymer as a synthetic resin, and when heat resistance is not required, PET etc. should be selected in consideration of cost etc. In applications where elasticity is required, it is preferable to select a thermoplastic elastomer or rubber. In addition, various fillers such as glass fibers can be added to such a polymer film for the purpose of improving the strength and imparting a flame retardant effect and the like.
なお、 本発明に用いるポリマーフィルムは、 後述の各層を形成する前に含有水 分量が大略 0. 01%未満となるように乾燥処理することが好ましい。 後述の各 層、 とりわけシーノレド層との密着性を向上させるためである。 該乾燥処理方法と しては常法に従って実行することができるが、 たとえば 40〜200°C、 好まし くは 40〜1 20°Cの温度に加熱された真空状態 (1 X 10一3〜 1. 5 X 10— 1 P a) でボンバード処理する方法を挙げることができる。 該ポンバード処理の 条件としては、 A rガス 60〜 300 c c /分、 好ましくは 100〜 200 c c Z分、 出力 0. 5〜2 kW、 好ましくは 0. 8〜 1. 3 kWの下、 スパッタリン グ装置等を用いることにより行なうことができる。 The polymer film used in the present invention is preferably subjected to a drying treatment so as to have a water content of less than approximately 0.01% before forming each layer described later. This is to improve the adhesion to the later-described layers, in particular, the cenote red layer. Is the said drying method can be performed according to a conventional method, for example, 40 to 200 ° C, preferably rather is 40 to 1 20 ° C vacuum (1 X 10 one 3, which is heated to a temperature of ~ 1. can be mentioned a method of bombardment treatment with 5 X 10- 1 P a). The conditions for the pompard treatment are: Ar gas: 60 to 300 cc / min, preferably 100 to 200 cc Z min, power: 0.5 to 2 kW, preferably 0.8 to 1.3 kW; This can be done by using a hooking device or the like.
また、 本発明で用いるポリマーフィルムは、 前処理として、 イオンを対象物に 対して照射するイオンガンを用いて、 少なくとも一種のイオンが照射されたもの を用いることが好ましい。 そのようなイオンとしては、 アルゴン等の希ガスィォ ンゃ酸素イオンもしくは窒素イオン、 またはこれらの混合イオン等を挙げること ができる。  Further, as the polymer film used in the present invention, it is preferable to use, as a pretreatment, one which has been irradiated with at least one type of ion using an ion gun which irradiates ions to an object. Examples of such ions include rare gas ions such as argon, oxygen ions or nitrogen ions, mixed ions of these, and the like.
このようにポリマーフィルムに対して予めイオンを照射しておくと、 後述のシ ールド層ゃ下地層のポリマーフィルムに対する密着性が非常に高められたものと なる。 そのメカニズムは、 まだ詳細には解明されていないものの、 おそらくィォ ン照射によりポリマーフィルム表面が活性化されたり、 あるいは極めて微細な状 態の粗化処理 (凹凸処理) がされるためであると考えられる。  Thus, when the polymer film is previously irradiated with ions, the adhesion of the below-described shield layer to the polymer film of the base layer is greatly enhanced. Although the mechanism has not been elucidated in detail yet, it is probably due to activation of the polymer film surface by ion irradiation, or roughening treatment (concave / convex process) in an extremely fine state. Conceivable.
このようなポリマーフィルムに対するイオン照射は、 前処理として後述のシー ノレド層ゃ下地層が形成される前にされることが好ましい。  Ion irradiation of such a polymer film is preferably carried out before the formation of the below-described seed layer or underlayer as a pretreatment.
また、 イオンガンによるイオン照射の条件としては、 たとえばイオンガンを備 えた装置において 1 X 10— 3〜7 X 10—【P a、 好ましくは 5 X 10— 3〜5 X 10 -1 P aの真空下、 ィオン原料ガス 50〜500 c c Z分、 好ましくは 80〜 25 O c c/分、 ターゲット電流 (電源) 0. 01〜5 kWZdm2、 好ましくは 0. 1〜3 kW/ dm2の条件下で実行することができる。 Moreover, as conditions for ion irradiation by an ion gun, for example, in an apparatus equipped with an ion gun, a vacuum of 1 × 10 −3 to 7 × 10 − [Pa, preferably 5 × 10 −3 to 5 × 10 −1 Pa] , Ion source gas 50 to 500 cc Z min, preferably 80 to 25 O cc / min, target current (power supply) 0.01 to 5 kW Zdm 2 , preferably 0.1 to 3 kW / dm 2 can do.
くシーノレド層 >  Dyseered layer>
本発明のシールド層は、 各種の周波数を有する電磁波をシールド、 すなわち遮 蔽する作用を有するものであり、 前記ポリマーフィルムの表面に、 あるいは後述 の下地層が形成されている場合にはその上に形成されるものである。 このような シールド層は、 厚さが 1〜8 μπιであり、 かつ N i、 F e、 C o、 T i、 Z n、 C r、 S n、 C uおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から 選ばれる 1種からなるものであって、 スパッタリング法、 蒸着法またはめつき法 のいずれかの方法により 1層または 2層以上に分かれて形成されていることを特 徴としている。 その厚さが 1〜8 μιηに限定されるのは、 厚さが 未満の場 合には電磁波に対するシールド性が十分でなくなるためであり、 一方 8 μ mを超 えても .電磁波のシールド性に大差なく却って可撓性が阻害されることとなるから である。 これらの点を考慮するとその厚さは、 2〜5 μπιとすることが特に好ま しい。 また、 構成成分が上述の金属類に限定されるのは、 電磁波に対するシール ド性に優れており、 しかも形成手段としてスパッタリング法、 蒸着法またはめつ き法の採用を可能とするものでなければならないからである。 また、 形成手段と してスパッタリング法、 蒸着法またはめつき法が採用されるのは、 前述の通りこ れらの金属を金属箔として用いることができないからであり、 しかもその性能面 においてポリマーフィルム等と十分な密着性を有し、 かつ所望によりその厚みを 自由に設定することが必要とされるからである。 The shield layer of the present invention has the function of shielding, that is, shielding, electromagnetic waves having various frequencies, and on the surface of the polymer film, or in the case where an underlayer described later is formed, It is formed. Such a shield layer has a thickness of 1 to 8 μπι and contains at least one of Ni, Fe, Co, Ti, Zn, Cr, Sn, Cu, and these metals. It consists of one kind selected from the group consisting of alloys, and is characterized in that it is formed to be divided into one or two or more layers by any method of sputtering method, vapor deposition method or plating method. . The thickness is limited to 1 to 8 μm ι 、 電磁波 性 十分 未 満 未 満 未 満 未 満 未 満 未 満 シ ー ル ド シ ー ル ド シ ー ル ド シ ー ル ド シ ー ル ド 一方 一方 一方 一方 一方 一方 一方 一方 一方 一方 一方 一方 On the other hand, even if it exceeds 8 μm. On the contrary, flexibility will be impeded without much difference It is. In consideration of these points, the thickness is particularly preferably 2 to 5 μπμ. Further, the constituent component is limited to the above-mentioned metals if it is excellent in shielding property against electromagnetic waves, and it should be possible to adopt sputtering, vapor deposition or plating as a forming means. It is because it does not. In addition, sputtering, vapor deposition or plating is employed as the forming means because, as described above, these metals can not be used as metal foils, and in terms of their performance, polymer films This is because it is necessary to have sufficient adhesion with the like, and to freely set the thickness if desired.
本発明のシールド層は、 シールドしょうとする電磁波の周波数に応じて構成す る金属の種類を選択することが好ましい。 たとえば、 周波数が大略 5000Hz 以下の低周波数の電磁波に対しては、 N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を少 なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種を選択することが好ましく、 周波数が大略 5000Hz以上の高周波数の電磁波に対しては、 C uを選択する ことが好ましい。 より具体的には、 シールド層をこのような Cuにより構成する 場合、 ポリマーフィルムの表面、 好ましくはその表面に後述の酸化防止効果を有 する下地層を形成しその上に Cuからなる後述の下地層を形成させた上に、 めつ き液の組成 (硫酸銅 50〜300 g/l、 好ましくは 80〜: L 50 g/1、 硫酸 50〜300 g/l、 好ましくは 90〜160 g/l、 塩素 30〜; L 00 p pm、 好ましくは 50〜70 p pmその他所望により少量の添加剤を配合させたもの) 、 電流密度 0. 1〜2 OA/dm2、 好ましくは 0. 5〜 4 AZ d m2、 液温 10 〜70°C、 好ましくは 25〜35°Cの条件下で電気めつきすることにより 1〜8 / mの厚さとして形成することができる。 これにより、 高周波数の電磁波に対し て特に優れたシールド性を示すシールド層を形成することができる。 In the shield layer of the present invention, it is preferable to select the kind of metal to be configured according to the frequency of the electromagnetic wave to be shielded. For example, for low frequency electromagnetic waves having a frequency of approximately 5000 Hz or less, it is preferable to select one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe and alloys containing at least one of these metals. It is preferable to select Cu for high frequency electromagnetic waves having a frequency of approximately 5000 Hz or more. More specifically, when the shield layer is made of such Cu, an undercoat layer having the below-described antioxidant effect is formed on the surface of the polymer film, preferably on the surface thereof, After formation of the formation, the composition of the solution (copper sulfate 50 to 300 g / l, preferably 80 to: L 50 g / 1, sulfuric acid 50 to 300 g / l, preferably 90 to 160 g / l). L, chlorine 30 to L 00 ppm, preferably 50 to 70 ppm and others optionally mixed with a small amount of additives), current density 0.1 to 2 OA / dm 2 , preferably 0.5 to 5 It can be formed as a thickness of 1 to 8 / m by electroforming under the conditions of 4 AZ dm 2 and a solution temperature of 10 to 70 ° C., preferably 25 to 35 ° C. This makes it possible to form a shield layer that exhibits particularly excellent shieldability against high frequency electromagnetic waves.
また、 本発明のシールド層は、 2層以上に分けて形成することができる。 たと えば、 シールド層を N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む 合金からなる群から選ばれる 1種と、 Cuとの両者により 2層に分けて構成する と、 低周波数と高周波数の両者の電磁波に対してシールド性を示すシールド層と することができ、 本発明の特に好ましい態様の一つとなる。 より具体的には、 ポ リマーフィルムの表面、 好ましくはその表面に形成された後述の下地層の表面に めっき液の組成 (硫酸二ッケル 50〜350 g/l、 好ましくは 200〜 250 g/ 1、 塩化ニッケル 10〜: L 00 gZ 1、 好ましくは 40〜50 g/ 1、 硼酸 10〜60 g/l、 好ましくは 30〜50 g/l、 その他所望により少量の添加 剤を配合させ、 pHO. 5〜6. 0、 好ましくは pH3. 0〜4. 5としたも の) 、 電流密度 1〜: L 0 AZdm2、 好ましくは 2〜 4 AZ d m2、 液温 30〜 70°C、 好ましくは 45〜 55 °Cの条件下で電気めつきすることにより 1〜8 mの厚さの N iからなる第 1のシールド層を形成し、 その上に上記と同一の条件 下で 1〜8 μπιの厚さの Cuからなる第 2のシールド層を形成することができる。 なお、 これら両シールド層の形成順序は、 勿論上記の逆とすることもでき、 この 場合においても低周波数および高周波数の両者の電磁波をシールドすることがで きる。 また、 上記 N iの代わりにたとえば F eと N iからなる合金によりシール ド層を構成する場合は、 めっき液の組成 (硫酸ニッケル 40〜400 g / 1、 好 ましくは 80〜320 g/l、 塩化二ッケル 20〜: L 00 g/1、 好ましくは 4 0〜 80 g / 1、 硼酸 10〜70 g/l、 好ましくは 35〜50 g/l、 硫酸第 1鉄2〜50 §/1、 好ましくは 5〜20 gZ 1、 その他所望により少量の添加 剤を配合させ、 pH2〜5、 好ましくは pH3〜3. 8としたもの) 、 電流密度 1〜15 A/dm2 好ましくは 4〜6 AZdm2、 液温 30〜70°C、 好まし くは 50〜60°Cの条件下で電気めつきすることにより形成することができる。 さらに、 本発明のシールド層は、 3層以上形成することもできる。 たとえば、 上記のように N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金か らなる群から選ばれる 1種からなる第 1のシールド層を形成し、 その上に C uか らなる第 2のシールド層を形成し、 さらにその上に N i、 Co、 F eおよびこれ らの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる第 3の シールド層を形成させたもの等を例示することができる。 このような構成の電磁 波シールド材をたとえば電気製品に取付けると、 低周波数の電磁波に対しては該 電気製品の内部から発生するものをシールドできるとともに、 外部から内部へ浸 入しようとするものも有効にシールドすることができることとなる。 Further, the shield layer of the present invention can be divided into two or more layers. For example, when the shield layer is divided into two layers by one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals, and Cu, the low frequency and The shield layer can exhibit shielding properties against both high frequency electromagnetic waves, which is one of the particularly preferred embodiments of the present invention. More specifically, on the surface of the polymer film, preferably on the surface of the below-described underlayer formed on the surface Composition of plating solution (Nikkol sulfate 50 to 350 g / l, preferably 200 to 250 g / 1, nickel chloride 10 to: L 00 gZ 1, preferably 40 to 50 g / 1, boric acid 10 to 60 g / l , Preferably 30 to 50 g / l, and optionally a small amount of additives, and adjusted to pH 5 to 6.0, preferably pH 3.0 to 4.5), current density 1 to L It consists of Ni with a thickness of 1 to 8 m by electroplating under the conditions of 0 AZdm 2 , preferably 2 to 4 AZ dm 2 , solution temperature 30 to 70 ° C., preferably 45 to 55 ° C. A first shield layer can be formed, and a second shield layer made of Cu with a thickness of 1 to 8 μπι can be formed thereon under the same conditions as described above. The order of forming these two shield layers can, of course, be reversed as described above, and in this case also, both low frequency and high frequency electromagnetic waves can be shielded. When the shield layer is made of, for example, an alloy of Fe and Ni instead of the Ni described above, the composition of the plating solution (nickel sulfate 40 to 400 g / 1, preferably 80 to 320 g / l). l, dichloride nickel 20~: L 00 g / 1, preferably 4 0 to 80 g / 1, boric acid 10 to 70 g / l, preferably 35 to 50 g / l, ferrous 2 to 50 § sulfate / 1, preferably 5 to 20 g Z 1, and optionally a small amount of additive is added, pH 2-5, preferably pH 3 to 3.8), current density 1 to 15 A / dm 2 preferably 4 to It can be formed by electroplating under the conditions of 6 AZdm 2 , solution temperature 30 to 70 ° C., preferably 50 to 60 ° C. Furthermore, the shield layer of the present invention can be formed in three or more layers. For example, as described above, a first shield layer is formed of one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals, and Cu to Forming a second shield layer, and further forming thereon a third shield layer selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals. Can be illustrated. If an electromagnetic wave shielding material of such a configuration is attached to an electric product, for example, the electromagnetic wave generated from the inside of the electric product can be shielded against low frequency electromagnetic waves, and some materials are intended to penetrate from the outside to the inside. It will be possible to shield effectively.
一方、 本発明のシールド層は、 ポリマーフィルムの表裏両面に形成させること もできる。 たとえば、 ポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、 厚さ力 S l ^m 以下であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の 酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選 ばれる 1種からなる後述の下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの 方法により 1層または 2層以上形成され、 その上に N i、 Co、 F eおよびこれ らの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる第 1の シールド層が形成され、 さらにその上に Cuからなる第 2のシールド層が形成さ れているとともに、 該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、 厚さが l zm以下 であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の酸化 物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれ る 1種からなる後述の下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法 により 1層または 2層以上形成され、 その上に N i、 C o、 F eおよびこれらの 金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる第 3のシー ノレド層が形成されている態様を挙げることができる。 また別の態様として、 たと えば、 ポリマーフィルムのいずれか一方の表面に、 厚さが Ι μπι以下であり、 か つ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の酸化物、 窒化物 およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種から なる後述の下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により 1層 または 2層以上形成され、 その上に Cuからなる第 1のシールド層が形成され、 さらにその上に N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金 からなる群から選ばれる 1種からなる第 2のシールド層が形成されているととも に、 該ポリマーフィルムのもう一方の表面に、 厚さが 1 m以下であり、 かつ N i、 C o、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の酸化物、 窒化物およ びこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる 後述の下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により 1層また は 2層以上形成され、 その上に N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を少なくと も 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる第 3のシールド層が形成さ れている態様を挙げることができる。 On the other hand, the shield layer of the present invention can be formed on both sides of the polymer film. For example, thickness force S l ^ m on either surface of a polymer film And selected from the group consisting of Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, oxides and nitrides of these metals, and alloys containing at least one of these metals. One or two or more underlayers (described later) consisting of Ni are formed by sputtering or evaporation, and Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals are formed thereon. And a second shield layer of Cu is further formed thereon, and a thickness is formed on the other surface of the polymer film. and selected from the group consisting of Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, oxides, nitrides of these metals, and alloys containing at least one of these metals. The below-mentioned base layer which consists of Or one or more layers formed by any of vapor deposition methods, and one or more selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, and an alloy containing at least one of these metals. An embodiment in which the third panoramic layer is formed can be mentioned. In another embodiment, for example, the thickness is less than or equal to μμπι on any one surface of the polymer film, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, or these The below-mentioned base layer which consists of 1 type chosen from the group which consists of a metal oxide, nitride, and an alloy which contains at least 1 sort of these metals forms one or two or more layers by the method of sputtering method or a vapor deposition method. And a first shield layer of Cu is formed thereon, and further, a second shield layer is selected from the group consisting of Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals. And a thickness of 1 m or less on the other surface of the polymer film, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, and the like. , Oxides, nitrides of these metals and At least one underlayer selected from the group consisting of at least one alloy is formed of one or more layers by a sputtering method or a vapor deposition method, and Ni, Co, There can be mentioned an embodiment in which a third shield layer composed of one selected from the group consisting of Fe and an alloy containing at least one of these metals is formed.
<下地層 >  <Underlayer>
本発明の下地層は、 前記シールド層を形成させる際の一種の電極としての作用 を有するものであり、 特に前記シールド層をめつき法により形成する場合に有用 となる。 また、 該下地層は、 該層より上層に形成される層、 すなわち、 前記シー ノレド層ゃ他の下地層等が酸化されるのを防止する酸化防止層としての作用を有し たものとすることもできる。 該シールド層等は、 空気中の酸素やポリマーフィル ムに含まれる水分に溶存している酸素の作用により経時的に酸化され、 このよう にこれらの層が一旦酸化されるとポリマーフィルムとの密着力が著しく低減し容 易に剥離等の不都合を生じることとなる。 このような場合において、 酸化防止効 果を有する下地層がこれらの層とポリマーフィルムとの間に存在すると、 ポリマ 一フィルムからこれらの層の方向に拡散する前記酸素を有効に捕捉し、 以つて当 該酸素がこれらの層に到達するまでに有効に除去されることとなる。 このような 酸化防止効果を有する下地層は、 シールド層ゃ他の下地層が F eや C uで構成さ れている場合に特に有効であり、 それ以外の金属で構成されている場合にはあえ て形成する必要はない。 The underlayer according to the present invention functions as a kind of electrode in forming the shield layer. It is particularly useful when the shield layer is formed by a plating method. In addition, the base layer has a function as an anti-oxidation layer that prevents oxidation of the layer formed above the layer, that is, the seed layer, the other base layer, and the like. It can also be done. The shield layer or the like is oxidized over time by the action of oxygen in the air or oxygen dissolved in water contained in the polymer film, and once these layers are oxidized in this way, adhesion with the polymer film is caused. The force is significantly reduced, and inconveniences such as peeling easily occur. In such a case, if an undercoating layer having an antioxidative effect is present between these layers and the polymer film, it effectively captures the oxygen diffused from the polymer film in the direction of these layers. The oxygen is effectively removed before reaching the layers. The underlayer having such an antioxidant effect is particularly effective when the shield layer or the other underlayer is composed of Fe or Cu, and is composed of other metals. There is no need to form it.
このような下地層は、 前記ポリマーフィルムの表面とシールド層との間に形成 され、 厚さが 1 μ πι以下であり、 かつ N i、 C o、 Z n、 F e、 C u、 T i、 C r、 これらの金属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合 金からなる群から選ばれる 1種からなるものであって、 スパッタリング法または 蒸着法のいずれかの方法により 1 '層または 2層以上形成されるものである。 厚さ が 1 μ ιη以下に限定されるのは、 電極および/または酸化防止層として作用する には 1 μ πιあれば十分でありそれ以上厚くする必要がないからである。 また、 構 成成分が上記の金属類に限定されるのは、 これらの金属が優れた導電性や酸化防 止効果を示すからであり、 しかもスパッタリング法や蒸着法で形成するのに適し ているからである。 これらの金属類について、 主として F eおよび C uは電極と しての作用に優れるものであり、 T iおよび C rは酸化防止層としての効果に優 れており、 また N i、 C oおよび Z nはこれら両者の作用を併せ持つ点に特徴が ある。 一方、 形成手段としてスパッタリング法または蒸着法が採用されるのは、 比較的厚レ、層を形成するのに適するめつき法を採用する必要がなく、 しかもポリ マーフィルムを乾燥状態のままで処理することができるからである。 また、 この ような下地層は、 上述の通り 1層または 2層以上形成することができ、 2層以上 に亘つて形成される場合には、 主としてポリマーフィルムの表面に酸化防止効果 を有する下地層を形成し、 その上に電極として作用する下地層を形成することが 好ましい。 Such an underlayer is formed between the surface of the polymer film and the shield layer, has a thickness of 1 μπι or less, and N i, C o, Z n, F e, C u, T i , C r, oxides, nitrides of these metals, and alloys comprising at least one of these metals, and one selected from the group consisting of sputtering and vapor deposition. 1 'layer or two or more layers are formed. The thickness is limited to 1 μι or less because 1 μπι is sufficient to act as an electrode and / or an antioxidant layer, and it is not necessary to make it thicker. In addition, the reason that the constituent component is limited to the above-mentioned metals is that these metals exhibit excellent conductivity and antioxidative effect, and they are suitable for formation by sputtering or vapor deposition. It is from. Of these metals, mainly Fe and Cu have excellent action as electrodes, T i and C r have excellent effects as an antioxidant layer, and Ni, Co and Co and Z n is characterized by having both of these effects. On the other hand, the sputtering method or the vapor deposition method is adopted as the forming means, because it is not necessary to adopt a relatively thick plating method suitable for forming a layer, and the polymer film is treated in a dry state. Because you can do it. Also, such an underlayer can be formed in one or two or more layers as described above, and two or more layers can be formed. In the case of forming through layers, it is preferable to form an undercoat layer having an antioxidative effect mainly on the surface of the polymer film, and to form an undercoat layer acting as an electrode thereon.
このような下地層は、 たとえばスパッタリング法で形成される場合、 その条件 としては、 真空度 1 X 10— 4〜1. 5 X 1 O^P a、 好ましくは 1 X 10_4〜 1. 5 X 10— 2 P a、 出力 0. 5〜 1 5 kW、 好ましくは 0. 8〜: L 0 kW、 A rガス 100〜400 c c Z分、 好ましくは 100〜250 c c /分の条件を 採用することが好ましい。 また、 蒸着法で形成される場合、 その条件としては、 真空度 1 X 10-5〜: L X 1 0-2P a、 好ましくは 1 X 10— 4〜: L X 10— 3P a、 出力 10〜150 kW、 好ましくは 40〜90 kWの条件を採用することが好ま しい。 このような条件を採用することにより、 その厚みを 20 Α〜1 μπι、 好ま しくは 50〜 300 OAとすることができる。 Such undercoat layer, if formed, for example, a sputtering method is used, the conditions are as follows, the degree of vacuum 1 X 10- 4 ~1. 5 X 1 O ^ P a, preferably 1 X 10_ 4 ~ 1. 5 X 10- 2 P a, output 0.. 5 to 1 5 kW, preferably 0. 8~: L 0 kW, a r gas 100 to 400 cc Z component, it preferably to employ the 100 to 250 cc / min conditions Is preferred. Further, when formed by vapor deposition, as is the condition, the degree of vacuum 1 X 10 -5 ~: LX 1 0- 2 P a, preferably 1 X 10- 4 ~: LX 10- 3 P a, the output 10 It is preferred to adopt a condition of ~ 150 kW, preferably 40-90 kW. By adopting such conditions, the thickness can be set to 20Α-1 μπι, preferably 50 to 300 OA.
なお、 このような下地層の上に前記シールド層を形成するのに先立って、 該下 地層上を 0. 5〜 50 %、 好ましくは 3〜 10 %濃度の硫酸により 0. 1〜 3分 間、 好ましくは 0. 5〜1. 5分間酸活性処理することにより活性化させておく ことが好ましい。 このような酸活性処理を行なうことにより、 下地層を構成する 金属がたとえ酸化されているような場合であっても (すなわち該金属が Cuの場 合それが酸化されて酸化銅となっていても) これを効果的に還元乃至溶解除去し、 シールド層を密着性高く下地層上に形成させることが可能となる。  In addition, prior to forming the shield layer on such an underlayer, 0.5 to 50%, preferably 3 to 10%, of sulfuric acid is preferably added on the underlayer for 0.1 to 3 minutes. Preferably, it is activated by acid activation treatment for preferably 0.5 to 1.5 minutes. By performing such an acid activation treatment, even if the metal constituting the underlayer is oxidized (ie, when the metal is Cu, it is oxidized to form copper oxide). Also, it is possible to effectively reduce or dissolve and remove this, and to form a shield layer on the underlayer with high adhesion.
ぐ変色防止層〉  Discoloring prevention layer>
本発明の変色防止層は、 シールド層が Cuで構成されている場合 (シールド層 が 2以上形成される場合は最上層が C uで構成される場合) に形成されるもので あり、 Cuが酸化等されて変色するのを有効に防止する作用を示すものである。 したがって、 Cuにより構成されるシールド層のすぐ上に形成される。 このよう な変色防止層は Sn、 N i、 Co、 T i、 Z nまたは C rにより形成され、 その 形成方法は特に限定されないが、 通常スパッタリング法、 蒸着法またはめつき法 により形成することができる。 たとえば、 Snを電気めつき法により形成する場 合、 その条件としては、 めっき液の組成 (S n l O〜70 gZl、 好ましくは 2 0〜 60 g Z 1、 有機酸 70〜200 g/l、 好ましくは 90〜: L 30 g/1、 その他所望により少量の添加剤を配合させたもの) 、 電流密度 0. 5〜10 dm2、 好ましくは l〜2A/dm2、 液温 10〜70°C、 好ましくは 20〜3 0°C等の条件を採用することができる。 このような条件を採用することにより、 その厚みを 0. 01〜2 μπι、 好ましくは 0. 1〜1 μπιとすることができる。 以下、 実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、 本発明はこれらに限定 されるものではない。 The anti-discoloring layer of the present invention is formed when the shield layer is formed of Cu (when the shield layer is formed of two or more, the uppermost layer is formed of Cu). It exhibits an effect of effectively preventing discoloration due to oxidation and the like. Therefore, it is formed immediately on the shield layer made of Cu. Such a color protection layer is formed of Sn, Ni, Co, Ti, Zn or Cr, and the formation method is not particularly limited, but it is usually formed by sputtering, vapor deposition or plating. it can. For example, when forming Sn by electroplating, the conditions are as follows: composition of plating solution (S nl O to 70 gZl, preferably 20 to 60 g Z 1, organic acid 70 to 200 g / l, Preferably 90 to: L 30 g / 1, In addition, if desired, a small amount of additives is blended), current density 0.5 to 10 dm 2 , preferably 1 to 2 A / dm 2 , liquid temperature 10 to 70 ° C., preferably 20 to 30 ° C., etc. The condition of can be adopted. By adopting such conditions, the thickness can be made 0.01 to 2 μπι, preferably 0.1 to 1 μπι. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto.
<実施例 1 >  Example 1
本実施例は、 ポリマーフィルムの表面に下地層を形成し、 その上に N iと F e 力 らなる合金で構成されるシールド層を形成した電磁波シールド材に関するもの である。 以下、 図 1を参照して説明する。  The present example relates to an electromagnetic wave shielding material in which an underlayer is formed on the surface of a polymer film, and a shield layer composed of an alloy composed of Ni and Fe is formed thereon. Hereinafter, description will be made with reference to FIG.
ポリマーフィルム 101として厚さ 25 111の?£丁フィノレムを幅25 Omm, 長さ 10 Omにスリットした後、 ステンレス製のコアに卷取り、 スパッタリング 装置のチャンバ内の送出しシャフトに装着するとともに、 その先端部を接着剤付 ポリイミ ドテープにより卷取りシャフトに取付けた。 そして、 真空ポンプにより チャンバ内を 4 X 10-2P aの真空状態とした後、 ポリマーフィルムが 0. 4 分の速度で卷き取られるように冷却装置付駆動ドラム、 送出しシャフトおよ ぴ卷取りシャフトをそれぞれ回転させた。 その後、 ヒータにより温度を 110°C とし、 ボンバード処理部において A rガス 120 c c/分、 出力 0. 9 kWの条 件下でボンバード処理を行なうことによりポリマーフィルムの水分含有量が 0. 01 %未満となるように真空乾燥した。 25 111 thick as a polymer film 101? After slitting the finorem into 25 Omm wide and 10 Om long, it is scraped into a stainless steel core and attached to the delivery shaft in the chamber of the sputtering device, and its tip is scraped off with polyimide tape with adhesive. Mounted on the take-off shaft. Then, after a vacuum of 4 X 10- 2 P a in the chamber by the vacuum pump, the cooling device with the drive drum so that the polymer film is taken plated at a rate of 0.4 minutes, delivery shaft Oyo Pi The skimming shafts were each rotated. Thereafter, the temperature is adjusted to 110 ° C. by a heater, and the moisture content of the polymer film is 0.10% by performing bombardment processing under the conditions of Ar gas 120 cc / min and power of 0.9 kW in the bombarded portion. It was vacuum dried to be less than.
続いて、 上記チャンバ内の第 1ターゲットおよび第 2ターゲッ 1、にそれぞれ N iを装着し、 A rガス各 200 c c /分、 出力各 8 kWの高磁波のマグネットを 使用して N iをスパッタリングすることにより前記真空乾燥処理されたポリマー フィルム 101の表面上に厚さ 1800 Aの下地層 102を形成した。  Subsequently, N 1 is attached to the first target and the second target 1 in the chamber, respectively, and the Ar gas is sputtered N i using a high magnetic wave magnet of 200 cc / min each and an output of 8 kW. As a result, an undercoat layer 102 having a thickness of 1800 A was formed on the surface of the vacuum-dried polymer film 101.
その後、 このように下地層を形成したポリマーフィルムをスパッタリング装置 から取出し、 続いて連続めつき装置にセットした。 5%の硫酸が充填されている めっき浴に上記ポリマーフィルムを 1. 0 mZ分の移動速度で 1分間連続的に浸 漬することにより、 上記下地層を酸活性化処理した。 次いで、 2回水洗を繰り返 した後、 上記装置のめっき浴にめっき液 (硫酸ニッケル 240 g/1、 塩化ニッ ケル 50 gZl、 硼酸 40 gZl、 硫酸第 1鉄 20 g/ 1およびフエロアロイ F A (ェバラユージライト (株) 製) 70 c c/ 1からなり、 pH3. 8であるも の) を充填し、 上記ポリマーフィルムを 1. O'm/分の移動速度で連続的に浸漬 させ、 液温 55°C、 電流密度 4 A/dm2の条件下で 5分間電気めつきすること により、 前記下地層 102上に厚み 4. 3 i mの N iと F eからなる合金 (N i : F e = 70 : 30) で構成されたシールド層 103を形成した。 続いて、 水 洗を 3回繰り返し、 ブロアによる水切り後 60°Cで 1分間乾燥させることにより 図 1に示した本発明の電磁波シールド材を得た。 Thereafter, the polymer film on which the underlayer was thus formed was taken out from the sputtering apparatus and subsequently set in a continuous plating apparatus. The undercoat layer was acid-activated by continuously immersing the polymer film in a plating bath filled with 5% sulfuric acid at a moving speed of 1.0 mZ for 1 minute. Next, after repeated washing twice, a plating solution (nickel sulfate 240 g / 1, nickel chloride) was added to the plating bath of the above apparatus. The above polymer is charged with 50 g of KL, 40 g of boric acid, 20 g of ferrous sulfate and 1 70 g of ferroalloy FA (manufactured by Ebara Eugelite Co., Ltd.) and having a pH of 3.8. The film is continuously immersed at a moving speed of 1. O'm / min, and electroplated for 5 minutes under the conditions of a liquid temperature of 55 ° C and a current density of 4 A / dm 2 , on the underlayer 102. A shield layer 103 composed of an alloy (N i: F e = 70:30) consisting of N i and F e with a thickness of 4.3 im was formed. Subsequently, the product was repeatedly washed with water three times, drained by a blower, and dried at 60 ° C. for 1 minute to obtain the electromagnetic shielding material of the present invention shown in FIG.
このようにして得られた電磁波シールド材を、 移相発振器を使用して 100〜 200ヘルツの電磁波を照射させながらオシロスコープにて測定したところ、 電 磁波を照射させない方の面において 100〜200ヘルツの電磁波は検出されな かった。 このため、 上記で得られた電磁波シールド材は、 低周波数用の電磁波シ 一ルド材として各種の用途に用いることができるものであった。 また、 該電磁波 シールド材は、 可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品にも広範囲 に使用することができた。  The electromagnetic wave shielding material thus obtained is measured with an oscilloscope while being irradiated with an electromagnetic wave of 100 to 200 Hz using a phase shift oscillator, and it is 100 to 200 hertz on the side not irradiated with the electromagnetic wave. No electromagnetic waves were detected. For this reason, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used for various applications as an electromagnetic wave shielding material for low frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be used in a wide range of various products which are light and thin and short.
ぐ実施例 2 >  Example 2>
本実施例は、 ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、 その上に電極として作用する 2層目の下地層を形成し、 その上に Cuからなるシ 一ルド層を形成した電磁波シールド材に関するものである。 以下、 図 2を参照し て説明する。  In this example, an undercoat layer having an antioxidant effect is formed on the surface of a polymer film, a second undercoat layer acting as an electrode is formed thereon, and a shield layer made of Cu is formed thereon. It relates to a shield material. This will be described below with reference to FIG.
ポリマーフィルム 201として厚さ 25 zmの PETフィルムを幅 25 Omm, 長さ 10 Omにスリットした後、 ステンレス製のコアに卷取り、 スパッタリング 装置のチャンバ内の送出しシャフトに装着するとともに、 その先端部を接着剤付 ポリイミドテープにより卷取りシャフトに取付けた。 そして、 真空ポンプにより チャンバ内を 4 X 10— 2P aの真空状態とした後、 ポリマーフィルムが 0. 4 m/分の速度で巻き取られるように冷却装置付駆動ドラム、 送出しシャフトおよ び卷取りシャフトをそれぞれ回転させた。 その後、 ヒータにより温度を 1 10°C とし、 ボンバード処理部において A rガス 120 c c Z分、 出力 0. 9 k Wの条 件下でボンバード処理を行なうことによりポリマーフィルムの水分含有量が〇 . 01 %未満となるように真空乾燥した。 A PET film of 25 zm in thickness is slit to a width of 25 Omm and a length of 10 Om as a polymer film 201, and then it is scraped into a stainless steel core and attached to a delivery shaft in a chamber of a sputtering apparatus. Was attached to the take-off shaft with polyimide tape with adhesive. Then, after a vacuum of 4 X 10- 2 P a in the chamber by the vacuum pump, the cooling device with the drive drum so that the polymer film is wound in a 0. 4 m / min, delivery shaft Oyo The take-off shafts were each rotated. Thereafter, the temperature is adjusted to 110 ° C. by a heater, the bombardment process is carried out under conditions of Ar gas 120 cc Z minutes and an output of 0.9 k W, and the moisture content of the polymer film is ○. Vacuum dried to less than 01%.
続いて、 上記チャンバ内の第 1ターゲットに C rを装着し、 A rガス 100 c cZ分、 出力 2. 2 kWの条件下 C rをスパッタリングすることにより前記真空 乾燥処理されたポリマーフィルム 201の表面上に厚さ 7 OAの酸化防止効果を 有する下地層 204を形成した。  Subsequently, a first target in the chamber is attached with C r, and the vacuum-dried polymer film 201 is formed by sputtering C r under conditions of Ar gas for 100 c cZ and power of 2.2 kW. An underlayer 204 having an antioxidative effect with a thickness of 7 OA was formed on the surface.
続いて、 上記チャンバ内の第 2ターゲットに Cuを装着し、 A rガス 200 c cZ分、 出力 9 kWの条件下 Cuをスパッタリングすることにより前記酸化防止 効果を有する下地層 204上に厚さ 210 OAの電極として作用する 2層目の下 地層 202を形成した。  Subsequently, Cu is attached to the second target in the chamber, and under conditions of an Ar gas of 200 ccZ and a power of 9 kW, sputtering is performed on Cu to form a thickness 210 on the underlayer 204 having the anti-oxidation effect. A second underlying layer 202 was formed to act as an OA electrode.
その後、 このように下地層を形成したポリマーフィルムをスパッタリング装置 から取出し、 続いて連続めつき装置にセットした。 5%の硫酸が充填されている めっき浴に上記ポリマーフィルムを 1. 0 m/分の移動速度で 1分間連続的に浸 漬することにより、 上記 2層目の下地層 202を酸活性化処理した。 次いで、 2 回水洗を繰り返した後、 上記装置のめっき浴にめっき液 (硫酸銅 90 gZl、 硫 酸 150 g / 1、 塩素 50 p p mおよびトツプルチナ 380 H (奥野製薬工業 (株) 製) 10 c c/ 1からなるもの) を充填し、 上記ポリマーフィルムを 1. OmZ分の移動速度で連続的に浸漬させ、 液温 29°C、 電流密度 4 A/ dm2の 条件下で 4分間電気めつきすることにより、 前記 2層目の下地層 202上に厚み 3. 5 μπιの Cuからなるシールド層 203を形成した。 続いて、 水洗を 3回繰 り返し、 ブロアによる水切り後 60°Cで 1分間乾燥させることにより図 2に示し た本発明の電磁波シールド材を得た。 Thereafter, the polymer film on which the underlayer was thus formed was taken out from the sputtering apparatus and subsequently set in a continuous plating apparatus. The second undercoat layer 202 was acid-activated by continuously immersing the polymer film in a plating bath filled with 5% sulfuric acid at a moving speed of 1.0 m / min for 1 minute. Then, after repeating the water washing twice, plating solution (copper sulfate 90 gZl, sulfuric acid 150 g / 1, chlorine 50 ppm and Totupletina 380 H (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. product) 10 cc / l) was added to the plating bath of the above apparatus. 1), and the polymer film is immersed continuously at a moving speed of 1. OmZ minutes and electroplated for 4 minutes under the conditions of a liquid temperature of 29 ° C. and a current density of 4 A / dm 2 Thus, the shield layer 203 made of Cu and having a thickness of 3.5 μπι was formed on the second underlayer 202. Subsequently, washing with water was repeated three times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute to obtain the electromagnetic shielding material of the present invention shown in FIG.
このようにして得られた電磁波シールド材を、 移相発振器を使用して 1〜 2ギ ガヘルツの電磁波を照射させながらオシロスコープにて測定したところ、 電磁波 を照射させない方の面において 1〜 2ギガへルツの電磁波は検出されなかった。 このため、 上記で得られた電磁波シールド材は、 高周波数用の電磁波シールド材 として各種の用途に用いることができるものであった。 また、 該電磁波シールド 材は、 可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品にも広範囲に使用す ることができた。  The electromagnetic wave shielding material thus obtained is measured with an oscilloscope while being irradiated with an electromagnetic wave of 1 to 2 GHz using a phase shift oscillator. Ruth's electromagnetic wave was not detected. Therefore, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used in various applications as an electromagnetic wave shielding material for high frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be widely used for various products which are reduced in size and size.
ぐ実施例 3 > 本実施例は、 ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、 その上に電極として作用する 2層目の下地層を形成し、 その上に C uからなるシ 一ルド層を形成し、 さらにその上に変色防止層を形成した電磁波シールド材に関 するものである。 以下、 図 3を参照して説明する。 Example 3> In this example, an undercoat layer having an antioxidative effect is formed on the surface of a polymer film, a second undercoat layer acting as an electrode is formed thereon, and a shield layer of Cu is formed thereon. Furthermore, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding material on which a discoloration prevention layer is formed. Hereinafter, this will be described with reference to FIG.
まず、 C uからなるシールド層を形成するところまでは上記実施例 2と全く同 様にしてシールド層 3 0 3が形成されたポリマーフィルム 3 0 1を得た。 続いて、 連続めつき装置のめっき浴にめっき液 ( S n 5 5 g / 1、 有機酸としてメタス A M (ュケン工業 (株) 製) 1 2 0 g / 1および S B S - R (ュケン工業 (株) 製) 6 0 c c / 1からなるもの) を充填し、 上記ポリマ一フィルムを 1 . O m/ 分の移動速度で連続的に浸漬させ、 液温 3 0 °C、 電流密度 2 A/ d m 2の条件下 で 1分間電気めつきすることにより、 前記シールド層 3 0 3上に厚み 0 . 6 μ πι の S nからなる変色防止層 3 0 5を形成した。 続いて、 水洗を 3回繰り返し、 ブ ロアによる水切り後 6 0でで 1分間乾燥させることにより図 3に示した本発明の 電磁波シールド材を得た。 First, a polymer film 31 having a shield layer 303 formed was obtained in exactly the same manner as in Example 2 up to the point where the shield layer made of Cu was formed. Subsequently, in a plating bath of a continuous plating apparatus, a plating solution (Sn 5 5 g / 1, as an organic acid, Metaths AM (manufactured by Ruken Industrial Co., Ltd.) 120 g / 1 and SBS-R (Ruken Industrial (stock Made of) 60 cc / 1), the above polymer film is continuously immersed at a moving speed of 1. O m / min, liquid temperature is 30 ° C., current density is 2 A / dm By performing electric plating for 1 minute under the conditions of 2, the anti-tarnish layer 305 consisting of Sn having a thickness of 0.6 μπι was formed on the shield layer 303. Subsequently, washing with water was repeated three times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 for 1 minute to obtain the electromagnetic shielding material of the present invention shown in FIG.
このようにして得られた電磁波シールド材を、 移相発振器を使用して 1〜 2ギ ガヘルツの電磁波を照射させながらオシロスコープにて測定したところ、 電磁波 を照射させない方の面において 1〜 2ギガへルツの電磁波は検出されなかつた。 このため、 上記で得られた電磁波シールド材は、 高周波数用の電磁波シールド材 として各種の用途に用いることができるものであった。 また、 該電磁波シールド 材は、 可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品にも広範囲に使用す ることができた。  The electromagnetic wave shielding material thus obtained is measured with an oscilloscope while being irradiated with an electromagnetic wave of 1 to 2 GHz using a phase shift oscillator. Ruth's electromagnetic waves were not detected. Therefore, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used in various applications as an electromagnetic wave shielding material for high frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be widely used for various products which are reduced in size and size.
ぐ実施例 4 >  Example 4>
本実施例は、 ポリマーフィルムの表面に酸化防止効果を有する下地層を形成し、 その上にシーノレド層を 3層形成した電磁波シールド材に関するものである。 以下、 図 4を参照して説明する。  The present example relates to an electromagnetic wave shielding material in which an undercoat layer having an antioxidative effect is formed on the surface of a polymer film, and three layers of a seinored layer are formed thereon. Hereinafter, description will be made with reference to FIG.
ポリマーフイノレム 4 0 1として厚さ 2 5 μ πιの P E Tフィルムを幅 2 5 O mm、 長さ 1 0 O mにスリットした後、 ステンレス製のコアに卷取り、 スパッタリング 装置のチャンバ内の送出しシャフトに装着するとともに、 その先端部を接着剤付 ポリイミドテープにより卷取りシャフトに取付けた。 そして、 真空ポンプにより チャンバ内を 4 X 10 2P aの真空状態とした後、 ポリマーフィルムが 0. 4 m/分の速度で卷き取られるように冷却装置付駆動ドラム、 送出しシャフトおよ び巻取りシャフトをそれぞれ回転させた。 その後、 ヒータにより温度を 1 10°C とし、 ボンバード処理部において A rガス 120 c cZ分、 出力 0. 9 kWの条 件下でボンバード処理を行なうことによりポリマーフィルムの水分含有量が 0. 01 %未満となるように真空乾燥した。 After slitting a PET film of 25 μπ 2 thickness to 25 O mm wide and 10 O m long as polymer fine norem 401, it is scraped into a stainless steel core and sent out in the chamber of the sputtering apparatus It was attached to the shaft, and its tip was attached to the take-off shaft with polyimide tape with adhesive. And by the vacuum pump After the chamber is evacuated to 4 × 10 2 Pa and the polymer film is removed at a speed of 0.4 m / min, the drive drum with cooling device, the delivery shaft and the winding shaft are Each was rotated. Thereafter, the temperature is adjusted to 110 ° C. by a heater, and the moisture content of the polymer film is 0.10 by performing a bombardment process under conditions of Ar gas 120 cCZ and an output of 0.9 kW in the bombarded portion. It vacuum-dried so that it was less than%.
続いて、 上記チャンバ内の第 1ターゲットおよび第 2ターゲットにそれぞれ N iを装着し、 Arガス各 200 c cZ分、 出力各 8 kWの高磁波のマグネットを 使用して N iをスパッタリングすることにより前記真空乾燥処理されたポリマー フィルム 401の表面上に厚さ 180 OAの酸化防止効果を有する下地層 404 を形成した。  Subsequently, N 1 is attached to the first target and the second target in the chamber, respectively, and N 2 is sputtered by using a high magnetic wave magnet with an output of 8 kW for 200 c cZ each for Ar gas. On the surface of the vacuum-dried polymer film 401 was formed an undercoat layer 404 having an antioxidation effect with a thickness of 180 OA.
その後、 このように酸化防止効果を有する下地層を形成したポリマーフィルム をスパッタリング装置から取出し、 続いて連続めつき装置にセットした。 該装置 のめつき浴にめっき液 (硫酸ニッケル 240 gZ 1、 塩化エッケル 50gZl、 硼酸 40 g/ l、 硫酸第 1鉄 20 gZ 1およびフエロアロイ FA (ェバラユージ ライト (株) 製) 70 c c/1からなり、 pH3. 8であるもの) を充填し、 上 記ポリマーフィルムを 1. 0 m/分の移動速度で連続的に浸漬させ、 液温 55 °C、 電流密度 4 A/ d m 2の条件下で 5分間電気めつきすることにより、 前記酸化防 止効果を有する下地層 404上に厚み 4. 5 μπιの N iと F eからなる合金で構 成される第 1のシールド層 403 aを形成した。 続いて、 水洗を 3回繰り返し、 ブロアによる水切り後 60 °Cで 1分間乾燥させた。 Thereafter, the polymer film on which the underlayer having the antioxidative effect was formed was taken out from the sputtering apparatus and then set in a continuous plating apparatus. The plating bath was made up of plating solution (Nickel sulfate 240 g Z 1, Eckel chloride 50 g Zl, oxalic acid 40 g / l, ferrous sulfate 20 g Z 1 and Ferroalloy FA (manufactured by Ebara Eugelite Co., Ltd.) 70 cc / 1 , PH 3.8), the polymer film is continuously immersed at a moving speed of 1.0 m / min, and the liquid temperature is 55 ° C., the current density is 4 A / dm 2 . By electroplating for 5 minutes, a first shield layer 403 a composed of an alloy of Ni and Fe having a thickness of 4.5 μπι was formed on the above-described underlayer 404 having an oxidation preventing effect. . Subsequently, washing with water was repeated 3 times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute.
次いで、 該連続めつき装置のめっき浴にめっき液 (硫酸銅 90gZl、 硫酸 1 50 g/l、 塩素 50 p pmおよびトップノレチナ 380H (奥野製薬工業 (株) 製) 10 c c/ 1からなるもの) を充填し、 上記ポリマーフィルムを 1. OmZ 分の移動速度で連続的に浸漬させ、 液温 29°C、 電流密度 4 A, dm2の条件下 で 4分間電気めつきすることにより、 前記第 1のシールド層 403 a上に厚み 3. 5 μπιの C uからなる第 2のシールド層 403 bを形成した。 続いて、 水洗を 3 回繰り返し、 ブロアによる水切り後 60 °Cで 1分間乾燥させた。 Next, a plating bath (copper sulfate 90 g Zl, sulfuric acid 150 g / l, chlorine 50 ppm and Top Noretina 380 H (manufactured by Okuno Pharmaceutical Industry Co., Ltd.) 10 cc / 1) in the plating bath of the continuous plating apparatus By continuously immersing the above-mentioned polymer film at a moving speed of 1. OmZ, liquid plating at 29 ° C., current density 4 A, dm 2 for 4 minutes, A second shield layer 403 b made of Cu with a thickness of 3.5 μπι was formed on the first shield layer 403 a. Subsequently, washing with water was repeated 3 times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute.
さらに、 該連続めつき装置のめっき浴にめっき液 (硫酸ニッケル 240 gZ 1、 塩化ニッケル 50 g/ 1、 硼酸 40 g/ 1 N 硫酸第 1鉄 20 g/ 1およびフエ口 ァロイ FA (前出) 70 c cZ lからなり、 pH3. 8であるもの) を充填し、 上記ポリマーフィルムを 1. Om/分の移動速度で連続的に浸漬させ、 液温 5 5°C、 電流密度 4A/dm2の条件下で 5分間電気めつきすることにより、 前記 第 2のシールド層 403 b上に厚み 4. 4 μπιの N i と F eからなる合金で構成 される第 3のシールド層 403 cを形成した。 続いて、 水洗を 3回繰り返し、 ブ ロアによる水切り後 60 °Cで 1分間乾燥させることにより図 4に示した本発明の 電磁波シールド材を得た。 Furthermore, in the plating bath of the continuous plating apparatus, a plating solution (nickel sulfate 240 gZ 1, Nickel chloride 50 g / 1, boric acid 40 g / 1 N ferrous sulfate 20 g / 1 and phaloy FA (described above) (having a pH of 3.8) The second shield layer 403 is formed by continuously immersing the film at a moving speed of 1. Om / min, and electroplating for 5 minutes under the conditions of a liquid temperature of 55 ° C. and a current density of 4 A / dm 2. A third shield layer 403c composed of an alloy of Ni and Fe with a thickness of 4.4 μπι was formed on b. Subsequently, washing with water was repeated three times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute to obtain the electromagnetic shielding material of the present invention shown in FIG.
このようにして得られた電磁波シールド材を、 移相発振器を使用して 1◦ 0〜 200ヘルツおよび 1〜 2ギガへルツの電磁波をそれぞれ照射させながらオシ口 スコープにて測定したところ、 電磁波を照射させない方の面において 100〜2 00ヘルツおよび 1〜 2ギガへルツの電磁波は両者とも検出されなかった。 この ため、 上記で得られた電磁波シールド材は、 低周波数および高周波数の両者用の 電磁波シールド材として各種の用途に用いることができるものであった。 また、 該電磁波シールド材は、 可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品に も広範囲に使用することができた。  The electromagnetic wave shielding material thus obtained was measured with an oscilloscope while being irradiated with an electromagnetic wave of 1 to 200 Hz and 1 to 2 gigahertz using a phase shift oscillator. In the non-irradiated side, electromagnetic waves of 100 to 200 Hz and 1 to 2 gigahertz were not detected. For this reason, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used in various applications as an electromagnetic wave shielding material for both low frequency and high frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be used in a wide range of various products which are reduced in thickness and size.
ぐ実施例 5 >  Example 5>
本実施例は、 ポリマーフィルムの表裏両面にシールド層を形成した電磁波シー ノレド材に関するものである。 以下、 図 5を参照して説明する。  The present example relates to an electromagnetic wave shielding material in which shield layers are formed on both sides of a polymer film. This will be described below with reference to FIG.
ポリマーフィルム 501として厚さ 25 μ mの P ETフィルムを幅 25 Omm、 長さ 10 Omにスリ ッ トした後、 ステンレス製のコアに卷取り、 スパッタリング 装置のチャンバ内の送出しシャフトに装着するとともに、 その先端部を接着剤付 ポリイミ ドテープにより卷取りシャフトに取付けた。 そして、 真空ポンプにより チャンバ内を 4 X 10— 2P aの真空状態とした後、 ポリマーフィルムが 0. 4 m/分の速度で卷き取られるように冷却装置付駆動ドラム、 送出しシャフトおよ び巻取りシャフトをそれぞれ回転させた。 その後、 ヒータにより温度を 1 10°C とし、 ボンバード処理部において A rガス 1 20 c c/分、 出力 0. 9 kWの条 件下でボンバード処理を行なうことによりポリマーフィルムの水分含有量が 0. 01 %未満となるように真空乾燥した。 続いて、 上記チャンバ内の第 1ターゲットおよび第 2ターゲットにそれぞれ N iを装着し、 Arガス各 200 c c/分、 出力各 8 kWの高磁波のマグネットを 使用して N iをスパッタリングすることにより前記真空乾燥処理されたポリマー フィルム 501の表面上に厚さ 180 OAの酸化防止効果を有する下地層 504 を形成した。 After slitting a 25 μm thick PET film as a polymer film 501 to a width of 25 Omm and a length of 10 Om, it is scraped into a stainless steel core and attached to a delivery shaft in a chamber of a sputtering apparatus. The tip was attached to the scraping shaft with polyimide tape with adhesive. Then, after a vacuum of 4 X 10- 2 P a in the chamber by the vacuum pump, the cooling device with the drive drum so that the polymer film is taken seeded at 0. 4 m / min, delivery shaft Contact The winding shaft was rotated respectively. Thereafter, the temperature is adjusted to 110 ° C. by a heater, and the moisture content of the polymer film is 0. 0 by performing bombardment processing under the conditions of Ar gas 120 cc / min and power of 0.9 kW in the bombarded portion. Vacuum dried to less than 01%. Subsequently, N 1 is attached to the first target and the second target in the chamber, respectively, and N 2 is sputtered using a high magnetic wave magnet with an Ar gas output of 200 kW / min and an output of 8 kW each. On the surface of the vacuum-dried polymer film 501 was formed an undercoat layer 504 having an antioxidation effect with a thickness of 180 OA.
その後、 このように酸化防止効果を有する下地層を形成したポリマーフィルム をスパッタリング装置から取出し、 続いて連続めつき装置にセットした。 5%の 硫酸が充填されているめっき浴に上記ポリマーフィルムを 1. Om/分の移動速 度で 1分間連続的に浸漬することにより、 上記酸化防止効果を有する下地層を酸 活性化処理した。 次いで、 2回水洗を繰り返した後、 上記装置のめっき浴にめつ き液 (硫酸銅 90 g/ 1、 硫酸 150 g/ 1、 塩素 50 p pmおよびトツプルチ ナ 380H (奥野製薬工業 (株) 製) 10 c c/1からなるもの) を充填し、 上 記ポリマーフィルムを 1. Om/分の移動速度で連続的に浸漬させ、 液温 29°C、 電流密度 4 A/ d m 2の条件下で 4分間電気めつきすることにより、 前記酸化防 止効果を有する下地層 504上に厚み 3. 5 μι の Cuからなる第 1のシールド 層 503 aを形成した。 続いて、 水洗を 3回繰り返し、 ブロアによる水切り後 6 0°Cで 1分間乾燥させた。 Thereafter, the polymer film on which the underlayer having the antioxidative effect was formed was taken out from the sputtering apparatus and then set in a continuous plating apparatus. The above-mentioned polymer film was continuously immersed in a plating bath filled with 5% sulfuric acid at a moving speed of 1. Om / min for 1 minute to acid-activate the undercoat layer having the above antioxidant effect. . Then, after repeating the water washing twice, plating solution (copper sulfate 90 g / 1, sulfuric acid 150 g / 1, chlorine 50 ppm and Totu Pluccia 380H (manufactured by Okuno Pharmaceutical Industries Co., Ltd.) in the plating bath of the above-mentioned apparatus) )) The above polymer film is continuously immersed at a moving speed of 1. Om / min under the conditions of a liquid temperature of 29 ° C. and a current density of 4 A / dm 2 ). By electroplating for 4 minutes, a first shield layer 503 a made of 3.5 μm-thick Cu was formed on the underlayer 504 having the oxidation preventing effect. Subsequently, washing with water was repeated 3 times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute.
次いで、 該連続めつき装置のめっき浴にめっき液 (硫酸ニッケル 240 g/ 1、 塩化ニッケル 50 g/1、 硼酸 40 g/1、 硫酸第 1鉄 20 g/1およびフエ口 ァロイ FA (ェバラユージライト (株) 製) 70 c c/1からなり、 pH3. 8 であるもの) を充填し、 上記ポリマーフィルムを 1. 0 mZ分の移動速度で連続 的に浸漬させ、 液温 55°C、 電流密度 4 A/dm2の条件下で 5分間電気めつき することにより、 前記第 1のシールド層 503 a上に厚み 4. 5 iuπlのN iと F eからなる合金で構成される第 2のシールド層 503 bを形成した。 続いて、 水 洗を 3回繰り返し、 ブロアによる水切り後 60 °Cで 1分間乾燥させた。 Next, the plating solution (nickel sulfate 240 g / 1, nickel chloride 50 g / 1, oxalic acid 40 g / 1, ferrous sulfate 20 g / 1, and ferroalloy FA (Evala) was added to the plating bath of the continuous plating apparatus. (Manufactured by Eugelite Co., Ltd.) 70 cc / 1 and filled with a polymer solution having a pH of 3.8), and continuously immersing the above polymer film at a moving speed of 1.0 mZ, and the solution temperature is 55 ° C. By electroplating for 5 minutes under the conditions of current density 4 A / dm 2 , the first shield layer 503 a is made of an alloy comprising Ni and Fe having a thickness of 4.5 i uπl. Two shield layers 503 b were formed. Subsequently, washing was repeated three times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute.
さらに、 このように第 2のシールド層を形成したポリマーフィルムに対して続 いてもう一方の面を処理するべく再度スパッタリング装置にセットした。 そして、 該スパッタリング装置のチャンバ内の第 1ターゲットおよび第 2ターゲットにそ れぞれ N iを装着し、 A rガス各 200 c c /分、 出力各 8 kWの高磁波のマグ ネットを使用して N iをスパッタリングすることにより前記ポリマーフィルム 5 01のもう一方の表面上に厚さ 180 OAの下地層 502を形成した。 Furthermore, it was set again in the sputtering apparatus to treat the other side subsequently to the polymer film thus formed with the second shield layer. Then, N 1 is attached to the first target and the second target in the chamber of the sputtering apparatus, respectively, and 200 cc / min of Ar gas and 8 kW of high magnetic wave mag- nets of each output are provided. An undercoat layer 502 of thickness 180 OA was formed on the other surface of the polymer film 501 by sputtering Ni using a net.
続いて、 このように下地層を形成したポリマーフィルムをスパッタリング装置 から再度取出し、 続いて連続めつき装置にセットした。 5%の硫酸が充填されて いるめつき浴に上記ポリマーフィルムを 1. 0 m/分の移動速度で 1分間連続的 に浸漬することにより、 上記下地層を酸活性化処理した。 次いで、 2回水洗を繰 り返した後、 上記装置のめっき浴にめっき液 (硫酸ニッケル 240 g/l、 塩化 ニッケノレ 50 gZl、 硼酸 40 g/1、 硫酸第 1鉄 20 g/ 1およびフエロア口 ィ F A (ェバラユージライト (株) 製) 70 c c/ lからなり、 pH3. 8であ るもの) を充填し、 上記ポリマーフィルムを 1. Om/分の移動速度で連続的に 浸漬させ、 液温 55°C、 電流密度 4 A/dm2の条件下で 5分間電気めつきする ことにより、 前記下地層 502上に厚み 4. 3 μιηの N i と F eからなる合金 (N i : F e = 70 : 30) で構成された第 3のシールド層 503 cを形成した。 続いて、 水洗を 3回繰り返し、 ブロアによる水切り後 60°Cで 1分間乾燥させる ことにより図 5に示した本発明の電磁波シールド材を得た。 Subsequently, the polymer film on which the underlayer was thus formed was taken out of the sputtering apparatus again, and then set in a continuous plating apparatus. The undercoat layer was acid activated by continuously immersing the polymer film in a plating bath filled with 5% sulfuric acid at a moving speed of 1.0 m / min for 1 minute. Then, after repeated washing with water twice, the plating solution (nickel sulfate 240 g / l, nickel chloride 50 g Zl, boric acid 40 g / 1, ferrous iron 20 g / 1 and ferrourea) was added to the plating bath of the above apparatus. B) Fill with 70 cc / l of FA (manufactured by Ebara Egylite Co., Ltd., pH 3.8), and continuously immerse the above polymer film at a transfer speed of 1. Om / min. By electroplating for 5 minutes under the conditions of a liquid temperature of 55 ° C. and a current density of 4 A / dm 2 , an alloy consisting of Ni and Fe having a thickness of 4.3 μι on the underlayer 502 (Ni: A third shield layer 503 c composed of F e = 70: 30 was formed. Subsequently, washing with water was repeated three times, and after being drained by a blower, it was dried at 60 ° C. for 1 minute to obtain the electromagnetic shielding material of the present invention shown in FIG.
このようにして得られた電磁波シールド材を、 移相発振器を使用して 100〜 200ヘルツおよび 1〜2ギガへルツの電磁波をそれぞれ照射させながらオシ口 スコープにて測定したところ、 電磁波を照射させない方の面において 100〜2 00ヘルツおよび 1〜2ギガへルツの電磁波は両者とも検出されなかった。 この ため、 上記で得られた電磁波シールド材は、 低周波数および高周波数の両者用の 電磁波シールド材として各種の用途に用いることができるものであった。 また、 該電磁波シールド材は、 可撓性にも優れていたため軽薄短小化した各種の製品に も広範囲に使用することができた。  When the electromagnetic wave shielding material thus obtained is measured with a phase shift oscillator while being irradiated with an electromagnetic wave of 100 to 200 Hz and 1 to 2 gigahertz, respectively, the electromagnetic wave is not irradiated. In the other side, electromagnetic waves of 100 to 200 Hz and 1 to 2 gigahertz were not detected. For this reason, the electromagnetic wave shielding material obtained above can be used in various applications as an electromagnetic wave shielding material for both low frequency and high frequency. Further, since the electromagnetic wave shielding material was also excellent in flexibility, it could be used in a wide range of various products which are reduced in thickness and size.
ぐ実施例 6 >  Example 6>
上記の実施例 1、 2、 3、 4および 5において、 ポリマーフィルムに対して行 なわれているボンバード処理に代えて、 イオンガンによるイオン照射を前処理と して行なうことを除き、 他はすべてこれらの実施例と同様にして電磁波シールド 材を得た。  In Examples 1, 2, 3, 4 and 5 above, all these are pretreated, except that the ion bombardment with the ion gun is performed as a pretreatment in place of the bombardment treatment performed on the polymer film. An electromagnetic wave shielding material was obtained in the same manner as in the above example.
具体的には、 それぞれの実施例において、 スパッタリング装置に仕付けられて いるヒータおよびボンバード処理部に代えて、 イオンガンを取付けたスパッタリ ング装置を用いることにより、 アルゴンガス 1 0 0 c c /分、 電源 0 . 5 k WZ d m2, 真空度 2 X 1 0— aという条件の下、 アルゴンイオンを照射する前処理 を行なった。 Specifically, in each embodiment, the sputtering apparatus is The condition of argon gas 100 cc / min, power supply 0.5 k WZ dm 2 , degree of vacuum 2 X 10- a by using a sputtering apparatus with an ion gun attached instead of the heater and bombardment processing Under this, pretreatment was performed by irradiating argon ions.
このようにして得られた各電磁波シールド材は、 シールド効果については実施 例 1、 2、 3、 4および 5のものと変わらないものの、 ポリマーフィルムと、 下 地層およびシールド層との密着性がさらに向上したものであった。 このため、 各 種製品への適応範囲をさらに広範囲のものへとすることができるものであった。 産業上の利用可能性  The electromagnetic wave shielding materials thus obtained have the same shielding effect as those of Examples 1, 2, 3, 4 and 5, but the adhesion between the polymer film and the underlayer and the shielding layer is further increased. It was improved. For this reason, the scope of application to various products could be further expanded. Industrial applicability
本発明の電磁波シールド材は、 その厚みを薄くすることにより可撓性に富んだ 性状を有しているため、 軽薄短小化した各種の製品に対しても対応することがで きる。 また、 本発明の電磁波シールド材は、 所望により低周波数および高周波数 の両者の電磁波に対して同時にこれらを遮蔽することができる。  The electromagnetic wave shielding material of the present invention has a property rich in flexibility by reducing its thickness, so it can cope with various products which are reduced in thickness and size. In addition, the electromagnetic wave shielding material of the present invention can simultaneously shield both low frequency and high frequency electromagnetic waves, if desired.

Claims

請求の範囲 The scope of the claims
1. ポリマーフイノレムの表面に、 厚さが 1〜8 imであり、 かつ N i、 F e、 C o、 T i、 Z n、 C r、 S n、 C uおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む合 金からなる群から選ばれる 1種からなるシールド層が、 スパッタリング法、 蒸着 法またはめつき法のいずれかの方法により 1層または 2層以上形成されているこ とを特徴とする電磁波シールド材。 1. a thickness of 1 to 8 im, and at least N i, F e, C o, T i, Z n, C r, S n, C u and at least one of these metals on the surface of the polymer finenerem It is characterized in that one or two or more layers of a shield layer consisting of one kind of alloy containing one kind are formed by any method of sputtering method, vapor deposition method or plating method. Electromagnetic shielding material.
2. ポリマーフィルムが、 前処理としてイオンガンによりイオンが照射されたも のである請求項 1記載の電磁波シールド材。  2. The electromagnetic wave shielding material according to claim 1, wherein the polymer film is irradiated with ions by an ion gun as a pretreatment.
3. ポリマーフィルム (101) の表面とシールド層 (103) との間に、 厚さ が 以下であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これら の金属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる 群から選ばれる 1種からなる下地層 (102) 力 スパッタリング法または蒸着 法のいずれかの方法により 1層または 2層以上形成されている請求項 1記載の電 磁波シールド材。  3. Between the surface of the polymer film (101) and the shield layer (103), the thickness is less and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, of these metals Underlayer consisting of one selected from the group consisting of oxides, nitrides, and alloys containing at least one of these metals (102) Forced layer One or more layers are formed by either the sputtering method or the vapor deposition method The electromagnetic wave shielding material according to claim 1.
4. シールド層 (103) 力 N i、 C o、 F eおよびこれらの金属を少なくと も 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種で構成される請求項 3記載の電磁波 シールド材。  4. The electromagnetic shielding material according to claim 3, wherein the shield layer (103) is made of one selected from the group consisting of forces Ni, Co, Fe and alloys containing at least one of these metals.
5. シールド層 (103) が 2層に分かれて形成されており、 その一方が Cuに より構成され、 もう一方が N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を少なくとも 1 種含む合金からなる群から選ばれる 1種で構成されている請求項 3記載の電磁波 シールド材。  5. A group in which the shield layer (103) is formed in two layers, one of which is made of Cu and the other of which is Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals. The electromagnetic wave shielding material according to claim 3, wherein the electromagnetic shielding material is made of one selected from the group consisting of
6. C uからなるシールド層上に、 S n、 N i、 Co、 T i、 ∑ 11または〇 1:カ らなる変色防止層が形成されている請求項 5記載の電磁波シールド材。 6. shield layer made of C u, S n, N i , Co, T i, Σ 1 1 or 〇 1: electromagnetic wave shielding material according to claim 5, wherein the mosquito Ranaru tarnish layer is formed.
7. シーノレド層 (403 a、 403 b、 403 c) が 3層に分かれて形成されて おり、 該 3層の中間の層として Cuからなる層が形成され、 該層を挟むようにし てその上下に N i、 C o、 F eおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金か らなる群から選ばれる 1種からなる層が形成されている請求項 3記載の電磁波シ v ノレ卜材。 7. A seinoledo layer (403 a, 403 b, 403 c) is formed in three layers, and a layer consisting of Cu is formed as an intermediate layer of the three layers, and the upper and lower layers are sandwiched between the layers. N i, C o, F e and electromagnetic shea v Honoré Bokuzai according to claim 3, wherein a layer made of one selected from alloys or Ranaru group comprising at least one of these metals is formed on.
8. ポリマーフィルム (201) の表面とシールド層 (203) との間に、 厚さ が 1 m以下であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 T i、 C r、 これらの金属の酸化 物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれ る 1種からなるものであって、 スパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法 により形成されている酸化防止効果を有する下地層 (204) と、 厚さが Ι μηα 以下であり、 かつ N i、 Co、 F e、 Cuおよびこれらの金属を少なくとも 1種 含む合金からなる群から選ばれる 1種からなるものであって、 スパッタリング法 または蒸着法のいずれかの方法により形成されている電極として作用する下地層 (202) が、 それぞれこの順序で形成されている請求項 1記載の電磁波シール ド材。 8. Between the surface of the polymer film (201) and the shield layer (203), the thickness is 1 m or less, and Ni, Co, Zn, Ti, Cr, oxides of these metals, An undercoat layer having an antioxidative effect, which is formed of one selected from the group consisting of a nitride and an alloy containing at least one of these metals, which is formed by either a sputtering method or a vapor deposition method. (204) and one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, Cu, and an alloy containing at least one of these metals, having a thickness of μμηα or less, which is a sputtering The electromagnetic wave shielding material according to claim 1, wherein the underlayer (202) acting as an electrode formed by any one of the method and the vapor deposition method is formed in this order.
9. シーノレド層 (203) 力 Cuにより構成されている請求項 8記載の電磁波 シールド材。  9. The electromagnetic shield material according to claim 8, wherein the electromagnetic layer (203) is made of Cu.
10. Cuからなるシールド層 (303) 上に、 Sn、 N i、 C o、 T i、 Z n または C rからなる変色防止層 (305) が形成されている請求項 9記載の電磁 波シールド材。  10. The electromagnetic wave shield according to claim 9, wherein an anti-tarnish layer (305) comprising Sn, Ni, Co, Ti, Zn or Cr is formed on the Cu shield layer (303). Material.
1 1. シールド層 (203) が 2層に分かれて形成されており、 その一方が Cu により構成され、 もう一方が N i、 C o、 F eおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種で構成されている請求項 8記載の電磁 波シールド材。  1 1. The shield layer (203) is formed in two layers, one of which is made of Cu, and the other of which consists of Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals. The electromagnetic wave shielding material according to claim 8, wherein the electromagnetic shielding material is made of one selected from the group consisting of
12. Cuからなるシールド層 (303) 上に、 Sn、 N i、 C o、 T i、 Z n または C rからなる変色防止層 (305) が形成されている請求項 11記載の電 磁波シールド材。  12. The electromagnetic wave shield according to claim 11, wherein an anti-tarnish layer (305) comprising Sn, Ni, Co, Ti, Zn or Cr is formed on the shield layer (303) comprising Cu. Material.
1 3. シールド層が 3層に分かれて形成されており、 該 3層の中間の層として C uからなる層が形成され、 該層を挟むようにしてその上下に N i、 C o、 F eお よびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からな る層が形成されている請求項 8記載の電磁波シールド材。  1 3. The shield layer is divided into three layers, and a layer consisting of Cu is formed as an intermediate layer of the three layers, and the layers are sandwiched to form Ni, Co and Fe on the upper and lower sides thereof. The electromagnetic wave shielding material according to claim 8, wherein a layer consisting of one selected from the group consisting of an alloy containing at least one of these metals is formed.
14. ポリマーフィルム (501) のいずれか一方の表面に、 厚さが 1 μΐη以下 であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の酸化 物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれ る 1種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により 1層または 2層以上形成され、 その上に N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を 少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる第 1のシールド層 (503 a) が形成され、 さらにその上に C uからなる第 2のシールド層 (50 3 b) が形成されているとともに、 該ポリマーフィルム (501) のもう一方の 表面に、 厚さが 1 ;zm以下であり、 かつ N i、 Co、 Z n、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む 合金からなる群から選ばれる 1種からなる下地層 (502) がスパッタリング法 または蒸着法のいずれかの方法により 1層または 2層以上形成され、 その上に N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選 ばれる 1種からなる第 3のシールド層 (503 c) が形成されている電磁波シー ルド材。 14. The polymer film (501) has a thickness of 1 μΐ or less and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, an oxide of any of these metals, on one surface of the polymer film (501). It is selected from the group consisting of nitrides and alloys containing at least one of these metals One or more underlayers are formed by one or more layers by sputtering or vapor deposition, and Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals are formed thereon. A first shield layer (503 a) consisting of one kind selected from the group, and a second shield layer (503 501) has a thickness of 1; zm or less, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, oxides, nitrides of these metals, and these. An underlayer (502) consisting of one selected from the group consisting of alloys containing at least one of the metals listed above is formed by one or two or more layers by either the sputtering method or the vapor deposition method, and Ni, Co, Fe and alloys containing at least one of these metals An electromagnetic shield material having a third shield layer (503 c) of one type selected from the group consisting of
1 5, ポリマーフィルムが、 前処理としてイオンガンによりイオンが照射された ものである請求項 14記載の電磁波シールド材。  The electromagnetic wave shielding material according to claim 14, wherein the polymer film is irradiated with ions by an ion gun as a pretreatment.
16. C uからなるシールド層上に、 S n、 N i、 C o、 T i、 Znまたは C r からなる変色防止層が形成されている請求項 14記載の電磁波シールド材。  16. The electromagnetic wave shielding material according to claim 14, wherein an anti-tarnish layer comprising Sn, Ni, Co, Ti, Zn or Cr is formed on the shield layer comprising Cu.
1 7. ポリマーフィルム (501) のいずれか一方の表面に、 厚さが 1 μπι以下 であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r、 これらの金属の酸化 物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選ばれ る 1種からなる下地層がスパッタリング法または蒸着法のいずれかの方法により 1層または 2層以上形成され、 その上に C uからなる第 1のシールド層 (503 a) が形成され、 さらにその上に N i、 C o、 F eおよびこれらの金属を少なく とも 1種含む合金からなる群から選ばれる 1種からなる第 2のシールド層 (50 3 b) が形成されているとともに、 該ポリマーフィルム (501) のもう一方の 表面に、 厚さが 1 μπι以下であり、 かつ N i、 Co、 Zn、 F e、 Cu、 T i、 C r , これらの金属の酸化物、 窒化物およびこれらの金属を少なくとも 1種含む 合金からなる群から選ばれる 1種からなる下地層 (502) がスパッタリング法 または蒸着法のいずれかの方法により 1層または 2層以上形成され、 その上に N i、 Co、 F eおよびこれらの金属を少なくとも 1種含む合金からなる群から選 ばれる 1種からなる第 3のシールド層 (503 c) が形成されている電磁波シー ノレド '材。 1 7. The polymer film (501) has a thickness of 1 μπι or less, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, Ti, Cr, and oxides of these metals on one surface of the polymer film (501). An underlayer consisting of one selected from the group consisting of nitrides and alloys containing at least one of these metals is formed by one or more layers by sputtering or vapor deposition, and A first shield layer (503 a) composed of Cu is formed, and further composed of one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe and an alloy containing at least one of these metals. A second shield layer (503 b) is formed, and the other surface of the polymer film (501) has a thickness of 1 μπι or less, and Ni, Co, Zn, Fe, Cu, T i, C r, oxides, nitrides of these metals and less of these metals An underlayer (502) of one or more selected from the group consisting of an alloy of one or more is formed by one or more layers by sputtering or vapor deposition, and Ni, Co, F are formed thereon. e and an alloy comprising at least one of these metals An electromagnetic wave shielding material in which a third shield layer (503 c) made of one type is formed.
18. ポリマーフィルムが、 前処理としてイオンガンによりイオンが照射された ものである請求項 1 7記載の電磁波シールド材。  18. The electromagnetic wave shielding material according to claim 17, wherein the polymer film is irradiated with ions by an ion gun as a pretreatment.
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