WO2004007191A1 - バリア性透明積層フィルムおよびその製造方法 - Google Patents

バリア性透明積層フィルムおよびその製造方法 Download PDF

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WO2004007191A1
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sputtering
silicon nitride
substrate
transparent
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PCT/JP2003/007853
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French (fr)
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Tomoyuki Hidaka
Hisaaki Terashima
Masamichi Akatsu
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Kureha Chemical Industry Company, Limited
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641Nitrides
    • C23C14/0652Silicon nitride

Definitions

  • the present invention relates to a transparent transparent laminated film having high water vapor barrier properties and transparency, which is suitable as a packaging or sealing material for foods or contents such as electric and electronic parts, and further as a film substrate for forming a transparent conductive film. It relates to a manufacturing method. Background art
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-123534 discloses that a silicon nitride thin film mainly formed in a container but coated with a silicon nitride thin film formed by reactive sputtering in an atmosphere containing metal silicon ammonia.
  • a plastic packaging member is disclosed.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-283645 also discloses that silicon oxide is formed on a transparent resin film substrate as a substrate for forming a transparent conductive thin film such as tin-doped indium oxide in a liquid crystal display device, a light conversion device for a solar cell, or the like.
  • a transparent resin film substrate as a substrate for forming a transparent conductive thin film such as tin-doped indium oxide in a liquid crystal display device, a light conversion device for a solar cell, or the like.
  • resulting water vapor transmission rate of the multilayer film substrates 0. 5 g m about 2 Z date, light transmittance 79 to It is about 80%, which is still not a satisfactory level.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-58585 discloses that at least polymer molded article (A), silicon oxide, or silicon nitride, or silicon oxide can be suitably used as a substrate for a transparent electrode of a liquid crystal display device.
  • the film (B) was further subjected to DC sputtering under Ar atmosphere at a pressure of 2 mTorr.
  • the water vapor permeability of the obtained laminate was 0.7 ⁇ / ⁇ 2 days, and the light transmittance was 78%, which did not reach a satisfactory level. Disclosure of the invention
  • the main object of the present invention is to provide a water vapor barrier property that is suitable for use as a packaging or sealing material for various contents, and particularly suitable for use as a substrate for forming a transparent conductive thin film.
  • An object of the present invention is to provide a transparent laminated film, and an efficient production method thereof.
  • the above-mentioned object was achieved by forming a silicon nitride film on a transparent resin film substrate by sputtering in a nitrogen-containing atmosphere in which the silicon nitride itself was a target, not a silicon nitride target itself. It has been found that by forming a base film, this can be achieved effectively.
  • the barrier transparent laminate film of the present invention is formed by forming a silicon nitride sputtering film on a transparent resin film substrate, and has a water vapor transmission rate of 0.05 g / m 2 Z days or less and a parallel light transmission. The rate is 80% or more.
  • the method for producing a barrier transparent laminated film of the present invention is characterized in that a silicon nitride film is formed on a transparent resin film substrate by sputtering in a nitrogen-containing atmosphere of a silicon simple target. It is.
  • the present invention provides a method for forming a silicon nitride film on a substrate by sputtering a silicon simple target in a nitrogen-containing atmosphere in a nitrogen-containing atmosphere. It is understood that it also provides.
  • Keimoto silicon element symbol: S i
  • S i N x nitrogen-containing atmosphere
  • the thickness of the film is significantly smaller than that of a silicon nitride film. It is not always clear why barriers and higher transparency can be obtained.
  • the Si atoms migrate to the vicinity of the substrate to be sputtered as Si atoms smaller than the Si 3 N 4 molecules composing the silicon nitride target, and bond with the nitrogen (N) atoms under homogeneous conditions. It is understood that a uniform and dense silicon nitride film was formed in order to form the silicon nitride film. On the other hand, silicon nitride in an inert gas atmosphere was considered.
  • silicon nitride (S i N x ) film is not completely separated into Si and N atoms and migrates to the substrate, but is homogeneous both stoichiometrically and non-stoichiometrically. It is possible that the homogeneity of the composition of the silicon nitride film to be formed may be reduced because it is not deposited as such. In any case, it has been confirmed that a transparent resin film having good surface flatness should be used as a substrate to be sputtered in order to form a silicon nitride film having good barrier properties and transparency. Preferred embodiment
  • the barrier transparent laminated film of the present invention is obtained by forming a silicon nitride sputtering film on a transparent resin film substrate, and preferably comprises a silicon simple target according to the present invention. It is formed by sputtering in a nitrogen-containing atmosphere.
  • the silicon constituting the target may be single crystal, polycrystal, amorphous or a mixture thereof, but for more stable sputtering of silicon alone, silicon single crystal or polycrystal may be used. It is preferable to use
  • the transparent resin film substrate needs to have transparency itself, and as described above, the surface flatness and the heat resistance to withstand sputtering are required.
  • any material can be used as the material of the transparent film plate.
  • Preferred examples thereof include polyarylate (PAR), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (polyethylene terephthalate). PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polysulfone, polyamide, cellulose triacetate, etc. are used, and from the viewpoint of providing a transparent resin film with particularly good surface flatness, A (co) polymer (COC) (for example, those described in JP-A-11-216175 or JP-A-8-142263) is also preferably used.
  • COC co polymer
  • the degree of surface flatness required for the transparent resin film substrate one having an arithmetic average roughness Ra of 10 nm or less, particularly 1 nm or less according to JIS-B0601, is preferably used. Further, the degree of transparency is naturally required to be higher than that of the obtained laminated film, and those having a parallel light transmittance of 85% or more, particularly 88% or more according to JIS K7361 are preferably used. Further, from the viewpoint of heat resistance, those having a Tg of 80 ° C or more, particularly 100 ° C or more are preferably used.
  • the thickness of the transparent resin film substrate is determined by the balance between the flexibility (or conversely, the hardness) of the obtained laminated film and the heat deformation resistance required during sputtering. In general, a force in the range of 10 to 500 ⁇ , particularly 10 to 300 / zm is preferably used.
  • a silicon nitride sputtering film is formed on such a transparent resin film by sputtering a silicon simple target in a nitrogen-containing atmosphere.
  • the sputtering method can be any sputtering method such as two-pole DC glow discharge sputtering, three-pole DC glow discharge sputtering, two-pole RF glow discharge sputtering, or magnetron sputtering.
  • magnetron sputtering in the RF region such as magnetron sputtering in the RF region
  • magnetron sputtering in the RF region is possible, since a uniform and dense film of silicon nitride can be formed with good productivity on a transparent resin film substrate with good adhesion.
  • Magnetron sputtering with a planar method is particularly preferably used.
  • N 2 / Ar nitrogen-containing atmosphere
  • a diluted atmosphere having a flow rate ratio of about 0.2 to 3.5, particularly about 0.25 to 3. If this ratio is too low, the transparency of the formed laminated film tends to decrease, and if it is too high, the barrier properties tend to decrease.
  • the total gas pressure during sputtering is preferably in the range of 0.05 to 5 Pa, and particularly preferably in the range of about 0.1 to 2 Pa.
  • the higher the temperature the denser the nitrided silicon film tends to be and the better the water vapor barrier property.However, the melting point Tm of the resin constituting the substrate or the glass transition If the temperature exceeds 10 ° C. lower than the point T g, the film-like substrate is deformed, and on the contrary, the water vapor barrier property and the transparency are lowered.
  • the RF output of a sputtering device such as a magnetron was adjusted so that the film deposition rate was about 10 to 100 nm / min, and finally the thickness was 8 nm or more, especially 10 to 100 nm / min. It is preferable to form a silicon nitride film in a range of 300 nm. If the thickness is less than 8 nm, the desired water vapor barrier property may not be obtained, the transparency exceeding 300 nm may be reduced, and the occurrence of cracks may lower the water vapor barrier property.
  • a silicon nitride film having the composition represented by the expression x and having a composition controlled in the range of x 0.8 to 2.0 is formed.
  • the light-barrier transparent laminated film can have the following properties: water vapor transmission rate (40 ° C using PERMATRAN 3 / 31J manufactured by Modern Control Co., USA, in accordance with JISK 7129 B) , 100% RH), 0.05 g / m 2 Z days (no air pressure) or less, preferably 0.02 g / m 2 / day (/ atm pressure) ) Or less;
  • the parallel light transmittance (measured using a Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. NDH 2000J opacity meter according to JISK7361) is 80% or more, preferably 85% or more.
  • Yellowness JISZ872 (Measured using a spectroscopic color difference meter “SE-2000” manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. in accordance with 2)
  • SE-2000 spectroscopic color difference meter
  • the thus obtained laminated film of the present invention has slightly higher heat resistance than the transparent resin film substrate used, and further has a tin-doped indium oxide ( ⁇ ) film on the silicon nitride film.
  • a transparent electrode plate suitable for use in various electronic devices such as a liquid crystal display device is formed by forming a transparent conductive film such as a liquid crystal display device.
  • sputtering for example, masking is performed on the periphery to form a resin-exposed portion without a silicon nitride film, or a heat-sealing layer is formed to form a transparent transparent laminated film package that can be sealed. Materials can also be formed.
  • a barrier nitride transparent coating film can be formed by forming a silicon nitride film on a substrate material having good flatness.
  • the barrier property of the laminated film of the present invention is mainly described as the steam barrier property, but it has also been confirmed that the laminated film of the present invention has a barrier property against oxygen and carbon dioxide gas.
  • a barrier to organic vapors is also expected as long as the durability of the film substrate allows.
  • an argon gas 7 cc / min while flowing sputtering re Ngugasu at a rate of N 2 2 cc Z component, the total gas Reactive sputtering was performed for 1 minute at a pressure of 0.8 Pa, a substrate temperature of 100 ° C., and an RF output of 800 W.
  • a seemingly transparent silicon nitride film was formed to a thickness of 24 nm.
  • laminated films indicates 0. 02 g / m 2 of the measurement accuracy limit of the aforesaid is of water vapor transmission "PERMTRAN 3/3 1", further It exhibited a parallel light transmittance of 85% and a yellowness of 5.6. '
  • a laminated film was formed in the same manner as in Example 1 except that the substrate type and sputtering conditions were changed as shown in Table 1, respectively. Table 1 shows the measurement results.
  • the laminated films of Examples 1 to 9 formed according to the present invention all have a water vapor permeability of not more than 0. OS gZni 2 / day (/ atm), a parallel light transmittance of 80% or more, and a yellowness. It is in the range of 110 to 110 and shows good water vapor barrier properties, transparency and color tone.
  • Comparative Example 1 since the formed silicon nitride film was as thin as 5 nm, the expected steam barrier property was not obtained.
  • Comparative Example 2 the thickness of the silicon nitride film was as large as 500 nm, and the water vapor barrier property was rather lowered due to the occurrence of cracks.
  • the laminated film of Comparative Example 3 was carried out sputtering of S i single crystal A r atmosphere without flowing the N 2 is parallel light transmittance for steam Paria properties but is good S i film was significantly reduced to 20% The yellowness is also large.
  • the laminated film of Comparative Example 4 in which the N 2 flow rate was small was improved over Comparative Example 3, but still did not show satisfactory values in terms of transparency and yellowness.
  • Comparative Examples 6 and 7 which were obtained by sputtering in an Ar gas atmosphere with a Si 3 N 4 target, showed a desired water vapor barrier property in Comparative Example 6 having a relatively low film thickness of 24 nm.
  • Comparative Example 7 having a thickness of 160 nm, the water vapor transmission rate was 0.06 g / m 2 / day (/ atm) and the parallel light transmittance was 79%, both of which were unsatisfactory values.
  • a silicon nitride film on a transparent resin film substrate by sputtering in a nitrogen-containing atmosphere of a silicon simple target, good transparency and water vapor barrier properties are obtained. Also, a laminated film suitable for various packaging materials or substrates for electronic equipment can be obtained.

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Abstract

透明性と水蒸気バリア性を兼ね備え、各種包装ないし封止材料、あるいは電子機器用基板として適した積層フィルムを得る。すなわち、透明樹脂フィルム基板上に、ケイ素単体ターゲットの窒素含有雰囲気中スパッタリングにより、窒化ケイ素膜を形成して、水蒸気透過度が0.05g/m2/日以下且つ平行光線透過率が80%以上であるバリア性透明積層フィルムを形成する。

Description

明 細 書 バリァ性透明積層フィルムおよびその製造方法 技術分野
本発明は、 食品あるいは電気 ·電子部品等の内容物の包装あるいは封止材料、 更には透明導電膜の形成用フィルム基板として適した高い水蒸気パリア性と透明 性を有するパリア性透明積層フィルムおよびその製造方法に関する。 背景技術
上記したような包装あるいは封止材料、 更には透明導電膜をその上に形成する ためのフィルム基板として、 水蒸気パリァ性と透明性とを兼ね備えたパリァ性の 透明積層フィルムが望まれていることは周知である。 例えば、 特開昭 6 1— 1 2 3 534号公報には、 主として容器形状のものであるが、 金属シリ コンのアンモ ユア含有雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成した窒化ケィ素薄膜 で被覆されたプラスチック包装部材が開示されている。
また、 特開 200 1— 283645号公報には、 液晶表示素子、 太陽電池用光 変換素子などにおけるすずドープ酸化インジウムなどの透明導電性薄膜の形成用 基板として、 透明樹脂フィルム基板上にケィ素酸化物あるいはケィ素窒化物のス パッタリング膜を形成して、 水蒸気透過度が 1 gZm2/日以下のバリア性透明 積層フィルム基板を形成する技術が提案されている。 但し、 その実施例において は、 ケィ素酸化物膜が形成された例のみが挙げられ、 得られた積層フィルム基板 の水蒸気透過度は 0. 5 g m2Z日程度、 光線透過率は 79〜 80 %程度であ り、 未だ満足なレベルとは云い難い。
更に、 特開平 10— 58 585号公報には、 液晶表示素子の透明電極用基板と して好適に使用できる、 「少なくとも、 高分子成形体 (A) 、 酸化珪素、 または 窒化珪素、 または酸化珪素と窒化珪素との混合物からなるガスバリヤ層 (B) 、 炭化物または遷移金属窒化物からなる薄膜層 (C) を AB Cなる順序で形成した 積層体」 が提案され、 またその一実施例 (実施例 4) として、 ポリカーボネート フィルム (A) 上に、 シリ コンをターゲッ トに A r : N2 = 1 : 1の雰囲気中、 圧力 2mT o r rのもとでの直流スパッタリングにより厚さ 1 5 nmの窒化珪素 膜 (B) を、 更に A r雰囲気中、 圧力 2mT o r rのもとでの直流スパッタリン グにより厚さ 1 0 nmの炭化珪素膜 (C) を形成した積層体が開示されている。 しかし、 得られた積層体の水蒸気透過度は、 0. 7 §/^2 日、 光線透過率は 7 8 %とされ、 満足なレベルには到達していない。 発明の開示
上述の事情に鑑み、 本発明の主要な目的は、 各種内容物の包装あるいは封止材 料として適するほか、 特に透明導電性薄膜の形成用基板としての使用に好適な、 より高い水蒸気バリア性と透明性を有する積層フィルム、 ならびにその効率的な 製造方法、 を提供することにある。
本発明者らの研究によれば、 上述の目的が、 透明樹脂フィルム基板上に、 窒化 ケィ素自体のターゲッ トでなく、 ケィ素単体をターゲッ トとする窒素含有雰囲気 中でのスパッタリングによる窒化ケィ素膜を形成することにより、 効果的に達成 することが見出された。
すなわち、 本発明のバリア性透明積層フィルムは、 透明樹脂フィルム基板上に 窒化ケィ素スパッタ リ ング膜を形成してなり、 水蒸気透過度が 0. 0 5 g/m2 Z日以下且つ平行光線透過率が 8 0 %以上であることを特徴とするものである。 また本発明のバリァ性透明積層フィルムの製造方法は、 透明樹脂フィルム基板 上に、 ケィ素単体ターゲッ トの窒素含有雰囲気中スパッタ リ ングにより、 窒化ケ ィ素膜を形成することを特徴とするものである。
また、 観点を変えれば、 本発明は、 基板上に、 ケィ素単体ターゲットの窒素含 有雰囲気中スパッタリングにより、 窒化ケィ素膜を形成することを特徴とするバ リァ性透明スパッタリング膜の形成法をも提供するものと解される。
本発明に従い、 ケィ素 (珪素、 元素記号: S i ) の単体をターゲッ トとして窒 素含有雰囲気中でスパッタ リ ングして得られた窒化ケィ素 (S i Nx) 膜 (後記 実施例) においては、 窒化ケィ素自体をターゲットとして不活性ガス (A r) 雰 囲気中でスパッタ リ ングして得られた窒化ケィ素膜 (後記比較例) に比べて、 小 さい膜厚で著しく高い水蒸気バリァ性と、 更に高い透明性が得られる理由は必ず しも明らかでない。 おそらくは、 窒化ケィ素ターゲッ トを構成する S i 3N4分子 に比べて、 より小さい S i原子として、 被スパッタ リ ング基板近傍まで移行し、 窒素 (N) 原子と均質な条件で結合して窒化ケィ素 (S i NJ 膜を形成するた めに、 均質で且つ緻密な窒化ケィ素膜が形成されているためと解される。 これに 対し、 不活性ガス雰囲気中での窒化ケィ素 (S i 3N4) ターゲッ トのスパッタ リングによる場合は、 S i原子と N原子に完全に分離して基板まで移行するわけ でなく、 化学量論的にも非化学量論的にも均質な窒化ケィ素 (S i Nx) 膜とし て堆積しないために、 形成される窒化ケィ素膜の組成の均質度が低下している可 能性もある。 いずれにしても、 バリア性且つ透明性の良好な窒化ケィ素膜を形成 するためには、 良好な表面平坦性を有する透明樹脂フィルムを被スパッタリング 基板として用いるべきことが確認されている。 好ましい実施の形態
本発明のバリア性透明積層フィルムは、 前述したように、 透明樹脂フィルム基 板上に窒化ケィ素スパッタ リング膜を形成してなるものであり、 好ましくは本発 明法に従い、 ケィ素単体ターゲットの窒素含有雰囲気中スパッタリングにより形 成される。 ターゲッ トを構成するケィ素単体は、 単結晶、 多結晶または非晶質あ るいはこれらの混合物であり得るが、 より安定したケィ素単体のスパッタリング のためには、 ケィ素単結晶または多結晶を用いることが好ましい。
透明樹脂フィルム基板は、 当然のこととしてそれ自体が透明性を有することが 必要であり、 また前述したように表面平坦性、 更にはスパッタリングに耐える耐 熱性が要求される。 このような特性を有する限り透明フィルム墓板材料樹脂とし ては、 任意のものが用いられるが、 その好ましい例と しては、 ポリアリーレート (PAR) 、 ポリカーポネ一ト (P C) 、 ポリエチレンテレフタレート (PET ) 、 ポリエチレンナフタレート (PEN) 、 ポリエーテルスルホン (PE S) 、 ポリスルホン、 ポリアミ ド、 セルロース トリアセテートなどが用いられるほ力、、 特に表面平坦性のよい透明樹脂フィルムを与えるという観点で、 環状ォレフィン 系 (共) 重合体 (COC) (例えば特開平 1 1一 2 1 6 8 1 75号公報あるいは 特開平 8— 1 4226 3号公報に記載されるもの) も好適に用いられる。
透明樹脂フィルム基板に要求される表面平坦性の程度としては、 J I S— B 0 601による算術平均粗さ R aが 10 nm以下、 特に 1 nm以下、 のものが好ま しく用いられる。 また透明性の程度は、 得られる積層フィルムよりは当然に高い ことが要求され、 J I S K 736 1による平行光線透過率が 85 %以上、 特に 88%以上、 のものが好ましく用いられる。 更に耐熱性の観点では、 T gが 80 °C以上、 特に 1 00°C以上、 のものが好ましく用いられる。
透明樹脂フィルム基板の厚さは、 得られる積層フィルムにおける柔軟性 (ある いは逆に硬さ) とスパッタリング中に要求される耐熱変形性の兼ね合いで決めら れる力 一般に 10〜500 μπι、 特に 1 0〜 300 /z mの範囲が好ましく用い られる。
本発明に従い、 このような透明樹脂フィルム上にケィ素単体ターゲットの窒素 含有雰囲気中スパッタリングにより窒化ケィ素スパッタリング膜を形成する。 こ のような反応性スパッタリングが可能な限りにおいて、 スパッタリング方式は、 2極 DCグロ一放電スパッタリ ング、 3極 DCグロ一放電スパッタリ ング、 2極 RFグロ一放電スパッタリ ング、 マグネトロンスパッタリングなど任意のスパッ タリング方式が可能であるが、 均質かつ緻密な膜質の窒化ケィ素膜を透明樹脂フ ィルム基板上に良好な密着性が生産性よく形成し得るという観点で、 R F領域で のマグネ トロンスパッタリング、 な力 でもプレーナー方式のマグネ トロンスパッ タリング、 が特に好ましく用いられる。
スパッタリングのための窒素含有雰囲気は、 低圧の純 N2雰囲気を用いること もできないわけではないが、 成膜速度、 膜質制御等の観点で A r等の不活性ガス により、 例えば N2/A rの流量比が 0. 2〜3. 5、 特に 0. 25〜3程度の 希釈雰囲気とすることが好ましい。 この比が低過ぎると、 形成される積層フィル ムの透明性が低下する傾向にあり、 高すぎると、 バリア性が低下する傾向にある 。 また、 スパッタリ ング中の総ガス圧力としては 0. 05〜5 P a、 特に 0. 1 〜 2 P a程度の範囲が好ましく用いられる。 基板温度は、 透明樹脂フィルム基板 の耐熱性が許す範囲內では、 高い方が生成する窒化ケィ素膜が緻密化し、 水蒸気 バリア性が向上する傾向にあるが、 基板構成樹脂の融点 Tmまたはガラス転移点 T gより 1 0°C低い温度を超えるとフィルム状基板が変形して、 却って水蒸気バ リァ性ゃ透明性が低下する。
上述の条件において、 成膜速度が 10〜1 00 nm/分程度となるようにマグ ネ トロン等のスパッタリング装置の RF出力を調整し、 最終的に厚さが 8 nm以 上、 特に 1 0〜300 nmの範囲の窒化ケィ素膜を形成することが好ましい。 厚 さが 8 nm未満では所望の水蒸気バリァ性が得られなくなるおそれがあり、 30 0 nmを超える透明性が低下し、 またクラックの発生により却って水蒸気バリァ 性が低下するおそれがある。
上記した透明樹脂フィルム基板上への、 ケィ素単体の窒素含有雰囲気中スパッ タリングに際して、 上述した N2ZA r流量比、 総圧力おょぴ R F出力等を調整 することにより一般的に S i Nxの式で表わされ、 x = 0. 8〜2. 0の範囲内 で制御された組成を有する窒化ケィ素膜が形成さ る。 かく して、 得られた本発 明のバリア性透明積層フィルムは、 以下の特性を有することができる : 水蒸気透過度 ( J I S K 7 1 29 Bに準拠して、 米国モダンコントロール社 製 「PERMATRAN 3 / 3 1 J を用いて 40°C、 1 00%RHの条件で測 定) 、 0. 05 g/m2Z日 (ノ気圧) 以下、 好ましくは上記測定による測定 精度下限値である 0. 02 g/m2/日 (/気圧) と同等以下;
平行光線透過率 ( J I S K 736 1に準拠して、 日本電色工業 (株) 製曇り 度計 「NDH 2000J を用いて測定) が、 80%以上、 好ましくは 8 5%以上 黄色度 (J I S Z 8 72 2に準拠して、 日本電色工業 (株) 製分光式色差計 「S E— 2000」 を用いて測定) ί 好ましくは一 1 0〜+ 10、 特に一 7〜 十 7、 の範囲。
かく して得られた本発明の積層フィルムは、 用いた透明樹脂フィルム基板より は若干増大した耐熱性を有し、 その窒化ケィ素膜上に、 更に、 錫ドープ酸化イン ジゥム ( Ι ΤΟ) 膜などの透明導電膜を形成して、 液晶表示素子をはじめとする 各種電子機器への使用に適した透明電極板が形成される。
またスパッタリングに際して、 例えば周縁部にマスキングを行なって窒化ケィ 素膜のない樹脂露出部を形成することにより、 あるいは、 ヒートシ一ル層を形成 することによりシ一ル可能なバリア性透明積層フィルム製包装材料を形成するこ ともできる。
また、 本発明の積層フィルムの持つ水蒸気バリア性は反応性スパッタ リ ングに より形成した窒化ケィ素膜により発現することは明らかであり、 同様な反応性ス パッタリングにより、 透明樹脂フィルム以外の表面平坦性の良い基板材料上に窒 化ケィ素膜を形成して、 バリァ性透明被覆膜とすることもできる。
なお本明細書において、 本発明の積層フィルムの持つバリァ性を水蒸気バリァ 性を主として述べているが、 本発明の積層フィルムが酸素、 炭酸ガスに対するバ リァ性を有することも確認されており、 またフィルム基板の耐久性が許す範囲で 有機物質蒸気に対するバリア性も期待される。
【実施例】
以下、 実施例、 比較例により本発明を更に具体的に説明する。
(実施例 1 )
環状ォレフィ ン樹脂フィルム (日本ゼオン (株) 製 「ゼォネックスフイルム Ζ F 1 6」 :厚さ 1 88 : m、 表面算術平均粗さ R a = 0. 8 2mm。 以下 「CO C」 と略記) を寸法 1 00 mmX 1 00 mmに切り取り、 これを透明樹脂フィル ム基板としてマグネトロンスパッタ リ ング装置 (トツキ (株) 製 「S PR— 40 3」 ) 中の、 直径 1 0 cmの S i単結晶ターゲッ ト (住友金属鉱山 (株) 製) と 対向する所定位置に配置し、 アルゴンガス 7 c c/分、 N22 c c Z分の割合で スパッタ リ ングガスを流しながら、 総ガス圧 0. 8 P a、 基板温度 100°C、 R F出力 8 00Wの条件で 1分間の反応性スパッタリングを行った。 基板上には、 一見して透明な窒化ケィ素膜が 24 nmの厚さに形成された。
かく して形成された透明積層フィルムについて、 上記した方法により測定した ところ、 積層フィルムは水蒸気透過度が前記 「PERMTRAN 3/3 1」 の 測定精度下限の 0. 02 g/m2を示し、 更に平行光線透過率 85 %、 黄色度 5 . 6を示した。 '
基板、 スパッタリ ング条件および測定結果の概容を、 以下の実施例、 比較例の 結果とともに後記表 1にまとめて記す。
(実施例 2〜 9、 比較例 1〜7)
. 基板種類、 スパッタ リ ング条件を、 それぞれ表 1に示すように変更する以外は 実施例 1と同様にして積層フィルムを形成した。 それらの測定結果を併せて表 1 に示す。
なお、 これらの例に用いた略号で示した基板の內容は以下の通りである :
COC :上記実施例 1で用いたものと同じ環状ォレフィン系透明樹脂フィルム 。 (日本ゼオン (株) 製 「ゼォネックスフィルム Z F 1 6」 、 厚さ 1 88 μιη、 R a = 0. 8 2 n m)
P C : ポリカーボネー トフイルム (帝人 (株) 製 「ピュアエース J 、 厚さ 1 8 8 M m R a = 0. 66 n m
PET : ポリエチレンテレフタレー トフィルム (三菱化学 (株) 製 「ダイァホ ィノレ T 600 E 50J 、 厚さ 50 μιη、 R a = 1 2. 8 n m) 。 表 1:積層フィルム作成条件および評価結果
基 侬 ス / ッタリンゲ条件 評 価 結 果
水蒸気透過度 平行光線, 、 厚み Ra Ar流量 N2流夏 時間 膜厚 黄色度
ターケ.ット (@40。C、爾 0RH) 透過毕
[μ ιη [nm] 「cm /mini 「cm 1 mini [min] [nm] [g/m2/日(/気圧)] [%] [-]
1 COG 188 0.82 Si単結晶 7 2 1 24 ≤0.02 85 5.6
2 COC 188 0.82 Si単結晶 3 7 1 20 ≤0.02 90 2.4
3 COC 188 0.82
Figure imgf000008_0001
7 5 0.5 10 0.04 91 1.6
4 COG 188 0.82 Si単結晶 7 5 1 22 ≤0.02 89 2.7 実
施 5 COG 188 0.82 Si単結晶 フ 5 2 34 ≤0.02 84 2.5 例
6 COC 188, 0.82 Si単結晶 7 5 . 5 101 ≤0.02 82 -6.9
7 COC 188 0.82 Si単結晶 7 5 10 258 ≤0.02 86 -0.6
8 PC 188 0.66 Si単結晶 7 5 1 22 ≤0.02 89 3.7
9 PC 188 0.66 Si単結晶 7 5 5 101 ≤0.02 82 - 5.8
1 COC 188 0.82 Si単結晶 7 5 0.25 5 0.1 1 91 1.0
2 COC 188 0.82 Si単結晶 7 5 20 500 0.07 86 0.2
3 COC 188 0.82 Si単結晶 7 0 1 20 131.2 比 25 ≤0.02
較 4 COC 188 0.82 Si単結晶 7 1 1 24 ≤0.02 48 54.9 例
5 PET 50 12.8 Si単結晶 7 5 1 22 0.52 89 2.2
6 COC 188 0.82 Si3N4 7 0 3 24 0.16 88 2.2
7 COC 188 0.82 Si3N4 7 0 20 160 0.06 79 2.3
上表 1の結果を、 以下に若干補足説明する :
本発明に従い形成された実施例 1〜 9の積層フィルムは、 いずれも水蒸気透過 度が 0. O S gZni2/日 (/気圧) 以下であり、 平行光線透過率が 8 0%以上 、 黄色度が一 1 0〜十 1 0の範囲内にあり、 良好な水蒸気バリア性、 透明性およ び色調を示す。
これに対し、 比較例 1は形成された窒化ケィ素膜厚さが 5 nmと薄いため、 所 望め水蒸気バリァ性が得られていない。 また比較例 2は窒化ケィ素膜厚さが 50 0 nmと過大であり、 クラックの発生によりむしろ水蒸気バリア性が低下してい る。
N2を流すことなく A r雰囲気で S i単結晶のスパッタリングを行った比較例 3の積層フィルムは水蒸気パリァ性は良好であるが S i膜のため平行光線透過率 は 20%と著しく低下し、 黄色度も大である。 これに対し、 N2流量が小さい比 較例 4の積層フィルムは比較例 3よりは改善されているが、 透明性および黄色度 の点でやはり満足な値を示していない。
表面平坦性の低い PETフィルムを用いた比較例 5の積層フィルムでは、 透明 性は良好であるが、 水蒸気バリァ性は著しく低下している。
S i 3N4ターゲッ トの A rガス雰囲気中スパッタリングで得られた比較例 6 および 7の積層フィルムは、 24 nmと比較的低い膜厚の比較例 6では所望の水 蒸気バリア性が得られず、 1 60 nmと厚い比較例 7では、 水蒸気透過度が 0. 06 g/m2/日 (/気圧) および平行光線透過率 7 9 %といずれも不満な値で ある。 産業上の利用可能性
上述したように本発明によれば透明樹脂フィルム基板上に、 ケィ素単体ターゲ ットの窒素含有雰囲気中スパッタリングにより窒化ケィ素膜を形成することによ り、 良好な透明性と水蒸気バリア性を兼ね備え、 各種包装材料あるいは電子機器 用基板として適した積層フィルムが得られる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 透明樹脂フィルム基板上に窒化ケィ素スパッタ リ ング膜を形成してなり、 水 蒸気透過度が 0. 0 5 g/m2Z日以下且つ平行光線透過率が 8 0 %以上であ る、 バリア性透明積層フィルム。
2. 黄色度が一 1 0〜+ 1 0の範囲である請求の範囲 1に記載の積層フィルム。
3. 透明樹脂フィルム基板の表面粗さ R aが 1 0 nm以下である請求の範囲 1ま たは 2に記載の積層フィルム。
4. 透明樹脂フィルム基板が環状ォレフィン系重合体またはポリカーボネートか らなる請求の範囲 1〜 3のいずれかに記載の積層フィルム。
5. 窒化ケィ素スパッタ リ ング膜の厚さが 8〜 3 0 0 n mである請求の範囲 1〜 4のいずれかに記載の積層フィルム。
6. 窒化ケィ素スパッタ リ ング膜が S i Nx ( x = 0. 8〜 2. 0) の範囲内の 組成を有する窒化ケィ素からなる請求の範囲 1〜 5のいずれかに記載の積層フ イノレム。
7. 基板上に、 ケィ素単体ターゲッ トの窒素含有雰囲気中スパッタ リ ングにより 、 窒化ケィ素膜を形成することを特徴とする、 水蒸気透過度が 0. 0 5 g/m 2ノ日以下且つ平行光線透過率が 8 0 %以上であるバリァ性透明スパッタ リ ン グ膜の形成法。
8. 透明樹脂フィルム基板上に、 ケィ素単体ターゲッ トの窒素含有雰囲気中スパ ッタリングにより、 窒化ケィ素膜を形成することを特徴とする、 水蒸気透過度 が 0. 0 5 gZm2/日以下且つ平行光線透過率が 8 0 %以上であるバリア性 透明積層フィルムの製造方法。
9. 窒素含有雰囲気が N2と A rの流量比が 0. 2〜 3. 5の混合ガスによ り 0
. 0 5〜 5 P aの総ガス圧力で形成される請求の範囲 8に記載の製造方法。 0 . スパッタリングが R F領域でのマグネトロンスパッタリングである請求の 範囲 8または 9に記載の製造方法。
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