WO2003043074A2 - Halbleiterbauelement und verfahren zum kontaktieren eines solchen halbleiterbauelements - Google Patents

Halbleiterbauelement und verfahren zum kontaktieren eines solchen halbleiterbauelements Download PDF

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    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Definitions

  • the invention is in the field of semiconductor electronics, in particular the power semiconductor, and relates to a semiconductor device and a method for contacting such a semiconductor device.
  • the semiconductor device which has a plurality of active cells.
  • the cells can be designed as OS cells.
  • the semiconductor component has contact surfaces or bonding surfaces, which are also referred to as bond pads or pads.
  • the bonding surfaces are applied as metal layers or metallizations on the upper side of the semiconductor component or over the active cells of the semiconductor component.
  • the bonding surfaces may be made of aluminum and have a rectangular shape.
  • Active cells can be present, for example, in so-called strip cell IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) in strip cell arrangement.
  • the active cells may also be structured two-dimensionally in the X-Y direction by scanning in the X direction and e.g. in orthogonal Y-direction regularly periodically cells are formed.
  • the active cells have a major longitudinal direction which, in the case of rectangular or elongate cells, is substantially parallel to a main boundary line of the cell.
  • a Bonding tool used with a vibrating head.
  • the oscillation head oscillates in a so-called bonding direction (hereinafter also referred to as the main oscillation direction) in order to effect a connection of a region (the so-called bond foot) of a connecting wire (bonding wire) to the bonding surface by the oscillation energy thus applied.
  • This process is also called "ultrasonic edge bonding".
  • the object of the present invention is to optimize a semiconductor component or a method for contacting such a semiconductor component such that loads on the semiconductor component during the bonding process are minimized.
  • the present invention addresses the problem that the introduction of mechanical energy during the bonding process can lead to impairment or damage to the semiconductor device.
  • the invention is based on the recognition that, in the case of a strip-shaped cell structure or net-shaped cell arrangement, there is a considerable risk of destruction if the main oscillation direction is in the "critical direction", i.e. perpendicular to the extent of the extension
  • the alignment of the strip cells or, in the case of a two-dimensional arrangement of active cells, one of the arrangement directions runs transversely (ie at an angle of 90 °) to the longitudinal direction of the bonding surface and thus transversely to the main oscillation direction of the bonding tool.
  • An essential aspect of the present invention is thus to optimize the bonding direction in relation to the orientation of the active cells in the sense of a reduced mechanical stress on the semiconductor component.
  • the force component exerted in the main oscillation direction (bonding direction) of the bonding tool is not completely in the critical - i. the right-angled direction to the main boundary line of the active cell.
  • Each bond direction deviating from the critical direction improves the load situation and thus increases the yield.
  • the chip or semiconductor component structure is selected such that the (strip) cells are aligned longitudinally to the longitudinal side of the bonding surface.
  • the bonding surface is in turn preferably aligned parallel to an edge of the semiconductor device. So that's the Main boundary lines parallel to an outer edge of the semiconductor device.
  • the bonding surface is dimensioned and oriented in such a way that the main oscillation direction relative to the main boundary lines can be adjusted at an angle other than 90 °.
  • an orientation of the bonding surfaces and thus of the main oscillation direction of 45 ° to the two critical directions is particularly preferred.
  • the active cells rectangular and arranged rotated relative to a rectangular outer contour of the semiconductor device by 45 °.
  • the bonding surface is rectangular and preferably extends with its longer rectangle side parallel to an outer edge of the outer contour.
  • a further preferred variant of the invention relates to a semiconductor component in which the active cells are arranged network-like not in orthogonal directions to each other, but for example along at an angle of 45 ° to each other extending axes.
  • the main boundary lines of the cells are oriented at 45 ° to the outer edge of the semiconductor device and the bonding surfaces along the outer edge to be aligned.
  • the cell structure is preferably aligned with a rhombus diagonal parallel to an outer edge of the semiconductor device and the bonding surfaces are formed parallel to the larger rhombic diagonal.
  • the inventive method for contacting a semiconductor device with a plurality of regularly arranged active cells, each having at least one main boundary line, and with at least one bonding surface provides that a bonding wire is connected by bonding in a main vibration direction with the bonding surface, wherein the main vibration direction in a from 90 ° different angle to the main boundary line is set.
  • FIG. 1 shows a plan view of a first exemplary embodiment of a semiconductor component according to the invention
  • Figure 2 shows another embodiment of a semiconductor device according to the invention in supervision
  • FIG. 3 is a plan view of a third exemplary embodiment of a semiconductor component according to the invention.
  • the semiconductor device shown in FIG. 1 has a multiplicity of active cells 1 in the form of stripe cells which are regularly formed along a repeating direction R. on.
  • the stripe cells 1 are formed in a common semiconductor body 2.
  • the semiconductor body or semiconductor chip has a rectangular shape and outer boundary edges 4.
  • the strip cells 1 have a longitudinal extent in the direction of the double arrow 6 and parallel to the longitudinal extent of the main boundary lines 8.
  • the main boundary lines 8 are particularly sensitive to force components transversely, ie in theforementionedsbeii- game perpendicular to the main boundary lines 8 in the direction of the double arrow ("critical direction") 10 act on the strip cells 1.
  • metallic pads 14, 16 are provided for electrical contacting by means of bonding wires 18, 20.
  • the pads 14, 16 are also referred to as bond pads or bond pads.
  • bond pads or bond pads By bonding, the end regions of the bonding wires are conductively connected to the bonding surfaces 14, 16.
  • the bonding tool can be positioned such that whose main vibration direction 24 is parallel to the main boundary lines 8 and no force component transversely to the main boundary lines 8 is formed.
  • the main boundary line and thus the main oscillation direction are advantageously parallel to the outer boundary edge 4 of the semiconductor component in terms of manufacturing technology.
  • FIG. 2 shows a further exemplary embodiment of a semiconductor component according to the invention, in which a multiplicity of active cells 30 having a substantially square basic shape are arranged in a net-like pattern.
  • the active cells 30 thus each have two mutually perpendicular pairs of main boundary lines 34, 35.
  • the active cells 30 are offset by 45 ° relative to the outer contour 40 or their outer edges 40a, 40b. Die-s is illustrated by correspondingly at an angle of 45 ° to the edges 40a, 40b extending dashed auxiliary lines 46, 48.
  • a bonding pad 50 is applied on top of the semiconductor device. With this as described above, a bonding wire 52 is connected by bonding electrically conductive for contacting the semiconductor device.
  • the bonding wire 52 has been bonded by means of a bonding tool whose main oscillation direction 54 extends in each case at an angle of 45 ° to the main boundary lines 34, 35 or the auxiliary lines 46, 48.
  • the orientation of the bonding surface 50 also allows, in this exemplary embodiment, a minimization of the bond forces acting on the main boundary lines of the active cells, since the bonding forces do not act perpendicular to any of the main boundary lines, but only with the component reduced by the corresponding angular function cos (45 °). A complete relief of the main boundary lines is practically impossible with this configuration, since this would mean a full load on the other main boundary line.
  • the main vibratory gear 54 is parallel to the edges 40a, 40b and the active cells are formed rotated by 45 ° so that the main vibrating direction 54 is parallel to the respective diagonal D of the rhombic active cells 30.
  • FIG. 3 shows a variant of the further exemplary embodiment of a semiconductor component according to the invention according to FIG. 2, a multiplicity of active cells 60 having a substantially diamond-shaped basic shape being arranged in a net-like pattern here.
  • the diamond shape of these active cells is asymmetrical insofar as the diamonds have different internal angles and thus a small 62 and a large diagonal 63.
  • a bonding surface 64 formed on the upper side of the semiconductor component is dimensioned and oriented so that the main oscillation direction 66 of the bonding tool can be adjusted at an angle different from 90 °, in the optimal case parallel to the large diagonal 63.
  • This embodiment and design rule is advantageous if the active cells are not arranged in a rectangular grid or mesh as indicated in FIG. 3 by auxiliary lines, but rather along two directions R1, R2 which enclose an angle of, for example, 45 °.

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Abstract

Das Halbleiterbauelement hat mehrere regelmässig angeordnete aktive Zellen (1), die jeweils zumindest eine Hauptbegrenzungslinie (8) aufweisen. Zur externen elektrischen Kontaktierung wird auf mindestens einer Bondfläche (14, 16) ein Bonddraht (18, 20) durch Bonden mit einem in einer Hauptschwingungsrichtung (22, 24) schwingenden Bondwerkzeug befestigt. Die Bondfläche (14, 16) wird so bemessen und so orientiert, dass die Hauptschwingungsrichtung (22, 24) zur Hauptbegrenzungslinie (8) in einem von 90 °C verschiedenen Winkel ( alpha ) verläuft.

Description

Halbleiterbauelement und Verfahren zum Kontaktieren eines solchen Halbleiterbauelements
Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Halbleiterelektronik, insbesondere der Leistungshalbleiter, und betrifft ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Kontaktieren eines solchen Halbleiterbauelements.
Aus der DE 41 35 411 AI geht ein Halbleiterbauelement hervor, das eine Vielzahl von aktiven Zellen aufweist. Die Zellen können als OS-Zellen ausgestaltet sein. Zur externen, elektrischen Kontaktierung weist das Halbleiterbauelement Kontakt- flächen oder Bondflächen auf, die auch als Bondpads oder Pads bezeichnet werden. Die Bondflächen sind als Metallschichten oder Metallisierungen auf der Oberseite des Halbleiterbauelements bzw. über den aktiven Zellen des Halbleiterbauelements aufgebracht. Die Bondflächen können aus Aluminium bestehen und haben eine rechteckige Gestalt.
Aktive Zellen können beispielsweise bei sogenannten Streifen- zellen-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) in Streifenzellenanordnung vorliegen. Die aktiven Zellen können auch zweidimensional in X-Y-Richtung strukturiert sein, indem in X-Richtung und z.B. in dazu orthogonaler Y-Richtung regelmäßig periodisch Zellen ausgebildet sind. Die aktiven Zellen weisen eine Hauptlängsrichtung auf, die bei rechteckförmigen oder langgestreckten Zellen im wesentlichen parallel zu einer Hauptbegrenzungslinie der Zelle verläuft.
Beim Bondvorgang, d.h. dem elektrisch leitenden Verbinden eines Bonddrahtes mit einer zugeordneten Bondfläche, wird ein Bondwerkzeug mit einem Schwingkopf verwendet . Der Schwingkopf oszilliert in einer sogenannten Bondrichtung (nachfolgend auch als HauptSchwingungsrichtung bezeichnet) , um durch die so applizierte Schwingungsenergie eine Verbindung eines Be- reichs (dem sogenannten Bondfuß) eines Anschlußdrahtes (Bonddrahtes) mit der Bondfläche zu bewirken. Diesen Vorgang bezeichnet man auch als „Ultraschall- edge-Bonding" .
Zu der Orientierung der Hauptschwingungsrichtung (Bondrich- tung) in Bezug auf die Hauptbegrenzungslinie der aktiven Zelle ist in der DE 41 35 411 AI nichts gesagt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement bzw. ein Verfahren zum Kontaktieren eines solchen Halbleiterbauelements dahingehend zu optimieren, dass Belastungen des Halbleiterbauelements während des Bondvorganges minimiert werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Halblei- terbauelement nach Anspruch 1 und 5 sowie durch ein Verfahren nach Anspruch 9.
Die vorliegende Erfindung widmet sich dem Problem, dass die Einbringung mechanischer Energie während des Bondvorganges zu einer Beeinträchtigung oder Schädigung des Halbleiterbauelements führen kann. Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass bei einer streifenförmigen Zellenstruktur oder netzförmigen Zellenanordnung eine erhebliche Gefahr von Zerstörungen besteht, wenn die HauptSchwingungsrichtung in „kritischer Richtung" - d.h. senkrecht bzw. quer zur Erstreckung der
Streifenzellen bzw. quer zur größten Längserstreckung der aktiven Zellen - verläuft. Dies ist üblicherweise der Fall, wenn die Richtung der periodischen Zellenanordnung parallel zu den Kanten des Halbleiterbauelements bzw. des Halbleiterchips verläuft und parallel zu diesen Kanten auch die (rechteckigen) Bondflächen angeordnet sind. Beim Bondvorgang verlaufen dann die Ausrichtung der Streifenzellen bzw. bei zwei- dimensionaler Anordnung von aktiven Zellen eine der Anordnungsrichtungen quer (d.h. im Winkel von 90°) zur Längsrichtung der Bondfläche und damit quer zur Hauptschwingungsrichtung des Bondwerkzeuges .
Ein wesentlicher Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht also darin, die Bondrichtung in Bezug zur Ausrichtung der aktiven Zellen im Sinne einer verminderten mechanischen Belastung des Halbleiterbauelements zu optimieren.
Erfindungsgemäß wird dafür gesorgt, dass die in Hauptschwingungsrichtung (Bondrichtung) des Bondwerkzeugs ausgeübte Kraftkomponente nicht völlig in der kritischen - d.h. der rechtwinkligen - Richtung zur Hauptbegrenzungslinie der aktiven Zelle wirkt. Jede von der kritischen Richtung abweichende Bondrichtung verbessert die Belastungssituation und steigert damit die Ausbeute. Bereits bei einem Winkel von 30° zwischen Hauptschwingungsrichtung und Hauptbegrenzungslinie (z.B. parallel zur Längsrichtung der Streifenzelle) vermindert sich die quer zur Hauptbegrenzungslinie wirkende Kraftkomponente um 50%.
Besonders bevorzugt ist bei Streifenzellen, die Hauptschwingungsrichtung längs zur Hauptbegrenzungslinie der aktiven Zellen zu legen. Vorzugsweise wird die Chip- bzw. Halbleiter- bauelementstruktur so gewählt, dass die (Streifen) Zellen längs zu der Längsseite der Bondfläche ausgerichtet sind. Die Bondfläche ist ihrerseits bevorzugt parallel zu einer Kante des Halbleiterbauelements ausgerichtet. Damit liegen also die Hauptbegrenzungslinien parallel zu einer Außenkante des Halbleiterbauelements .
Bei einer netzförmigen Struktur oder zweidimensionalen Anordnung der aktiven Zellen existieren naturgemäß zwei kritische Richtungen, die z.B. bei orthogonaler Anordnung der aktiven Zellen rechtwinklig zueinander stehen, bei einer ringförmigen Zellanordnung aber auch andere Winkel, z.B. 45°, einschließen können.
Erfindungsgemäß ist in diesen Fällen die Bondfläche so bemessen und so orientiert, dass die Hauptschwingungsrichtung zu den Hauptbegrenzungslinien in einem von 90° verschiedenen Winkel einstellbar ist. Bei orthogonalem Verlauf der zwei kritischen Richtungen ist besonders bevorzugt eine Orientierung der Bondflächen und damit der Hauptschwingungsrichtung von je 45° zu den beiden kritischen Richtungen.
Um diese Bondausrichtung durch die Struktur des Halbleiter- bauelements zu erleichtern, werden nach einer bevorzugten
Fortbildung der Erfindung die aktiven Zellen rechteckig ausgebildet und gegenüber einer rechteckigen Außenkontur des Halbleiterbauelements um 45° gedreht angeordnet. Die Bondfläche ist dabei rechteckig ausgebildet und verläuft vorzugswei- se mit ihrer längeren Rechteckseite parallel zu einer Außenkante der Außenkontur.
Eine weitere bevorzugte Variante der Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, bei dem die aktiven Zellen netzartig nicht in orthogonalen Richtungen zueinander angeordnet sind, sondern z.B. entlang von im Winkel von 45° zueinander verlaufenden Achsen. Dadurch entsteht eine rautenförmige Elementarzelle in der Netzstruktur. In diesem Fall können die Hauptbe- grenzungslinien der Zellen unter 45° zu der Außenkante des Halbleiterbauelements orientiert werden und die Bondflächen entlang der Außenkante ausgerichtet sein. Auch bei Rautenformen mit größeren Winkeln wird die Zellenstruktur bevorzugt mit einer Rautendiagonalen parallel zu einer Außenkante des Halbleiterbauelements ausgerichtet und die Bondflächen parallel zur größeren Rautendiagonalen ausgebildet. Dadurch lässt sich eine optimale Verminderung der an der kritischen Zellenkante (Hauptbegrenzungslinie) wirkenden Bondkräfte erreichen.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelements mit mehreren regelmäßig angeordneten aktiven Zellen, die jeweils zumindest eine Hauptbegrenzungslinie aufweisen, und mit mindestens einer Bondfläche sieht vor, dass ein Bonddraht durch Bonden in einer HauptSchwingungsrichtung mit der Bondfläche verbunden wird, wobei die Haupt- Schwingungsrichtung in einem von 90° verschiedenen Winkel zur Hauptbegrenzungslinie eingestellt wird.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand einer Zeichnung näher erläutert; es zeigen schematisch:
Figur 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements in Aufsicht,
Figur 2 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements in Aufsicht und
Figur 3 ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsge- mäßen Halbleiterbauelements in Aufsicht.
Das in Figur 1 gezeigte Halbleiterbauelement weist eine Vielzahl von regelmäßig entlang einer Wiederholungsrichtung R ausgebildeten aktiven Zellen 1 in Form von Streifenzellen auf. Die Streifenzellen 1 sind in einem gemeinsamen Halbleiterkörper 2 ausgebildet. Der Halbleiterkörper oder Halbleiterchip hat rechteckige Gestalt und äußere Begrenzungskanten 4. Die Streifenzellen 1 haben eine Längserstreckung in Rich- tung des Doppelpfeils 6 und parallel zu der Längserstreckung Hauptbegrenzungslinien 8. Die Hauptbegrenzungslinien 8 sind hinsichtlich mechanischer Belastungen besonders empfindlich gegenüber Kraftkomponenten, die quer, d.h. im Ausführungsbei- spiel rechtwinklig zu den Hauptbegrenzungslinien 8 in Rich- tung des Doppelpfeils („kritische Richtung") 10 auf die Streifenzellen 1 einwirken.
Auf der Oberseite 12 des Halbleiterbauelements sind metallische Anschlussflächen 14, 16 zur elektrischen Kontaktierung mittels Bonddrähten 18, 20 vorgesehen. Die Anschlussflächen 14, 16 werden auch als Bondflächen oder Bond Pads bezeichnet. Durch Bonden werden die Endbereiche der Bonddrähte mit den Bondflächen 14, 16 leitend verbunden.
Eine besonders hohe mechanische Belastung der Streifenzellen 1 ergibt sich während des Bondvorgangs, wenn die Hauptschwingungsrichtung 22 des Bondwerkzeugs quer zu den Streifenzellen 1 bzw. quer zu deren Hauptbegrenzungslinien 8 - d.h. in der „kritischen Richtung" 10 des Doppelpfeils - verläuft. Bereits eine Anordnung der Bondfläche 14 in einem Winkel α von 30° zur Hauptbegrenzungslinie (parallel zur Längsrichtung der Streifenzelle) führt zu einer um 50% verminderten Kraftkomponente K in kritischer Richtung 10. Diese Komponente bemisst sich nämlich mit Kges = vom Bondwerkzeug insgesamt ausgeübte Kraft zu K = Kges * sinα = Kges * 0,5.
Eine optimale Reduzierung (in diesem Beispiel auf 0) der quer zur kritischen Richtung wirkenden Kraftkomponente ergibt sich bei der für die Bondfläche 16 gewählten Ausrichtung. Hierbei ist die Haupterstreckung der rechteckig ausgebildeten Bondfläche parallel zu den Hauptbegrenzungslinien 8 ausgerichtet. Damit kann das Bondwerkzeug derart positioniert werden, dass dessen Hauptschwingungsrichtung 24 parallel zu den Hauptbegrenzungslinien 8 liegt und keine Kraftkomponente quer zu den Hauptbegrenzungslinien 8 entsteht. Die Hauptbegrenzungslinie und damit die Hauptschwingungsrichtung liegen in diesem Aus- fuhrungsbeispiel fertigungstechnisch vorteilhaft parallel zu der äußeren Begrenzungskante 4 des Halbleiterbauelements.
Figur 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements, bei dem eine Vielzahl ak- tiver Zellen 30 mit im wesentlichen quadratischer Grundgestalt in einem netzartigen Raster angeordnet sind. Die aktiven Zellen 30 weisen damit jeweils zwei rechtwinklig zueinander verlaufende Paare von Hauptbegrenzungslinien 34, 35 auf. In dem Ausführungsbeispiel sind die aktiven Zellen 30 gegen- über der Außenkontur 40 bzw. deren äußeren Kanten 40a, 40b um 45° versetzt ausgerichtet. Die-s ist durch entsprechend im Winkel von 45° zu den Kanten 40a, 40b verlaufenden gestrichelten Hilfslinien 46, 48 verdeutlicht. Eine Bondfläche 50 ist auf der Oberseite des Halbleiterbauelements aufgebracht. Mit dieser ist wie vorbeschrieben ein Bonddraht 52 durch Bonden elektrisch leitend zur Kontaktierung des Halbleiterbauelements verbunden. Der Bonddraht 52 ist mit einem Bondwerkzeug gebondet worden, dessen Hauptschwingungsrichtung 54 in jeweils einem Winkel von 45° zu den Hauptbegrenzungslinien 34, 35 bzw. den Hilfslinien 46, 48 verläuft. Die Orientierung er Bondfläche 50 ermöglicht auch in diesem Ausfuhrungsbeispiel eine Minimierung der auf die Hauptbegrenzungslinien der aktiven Zellen wirkenden Bondkräfte, da die Bondkräfte auf keine der Hauptbegrenzungslinien senkrecht wirken, sondern nur mit der um die entsprechende Winkelfunktion cos (45°) verminderten Komponente. Eine völlige Entlastung der Hauptbegrenzungslinien ist bei dieser Konfiguration praktisch nicht möglich, da dies eine volle Belastung der anderen Hauptbegrenzungslinie bedeuten würde.
Bevorzugt wird also eine gleichmäßige Verteilung der Kraftkomponenten angestrebt, was nach Figur 2 dadurch gelingt, dass die Hauptschwingungsriehtung 54 parallel zu den Kanten 40a, 40b verläuft und die aktiven Zellen um 45° gedreht ausgebildet sind, so dass die Hauptschwingungsrichtung 54 parallel zur jeweiligen Diagonale D der rautenförmigen aktiven Zellen 30 ist.
Figur 3 zeigt eine Variante des weiteren Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements nach Figur 2, wobei hier eine Vielzahl aktiver Zellen 60 mit im wesentli- chen rautenförmiger Grundgestalt in einem netzartigen Raster angeordnet sind. Die Rautenform dieser aktiven Zellen ist jedoch insoweit unsymmetrisch, als die Rauten verschiedene Innenwinkel und damit eine kleine 62 und eine große Diagonale 63 aufweisen. Hier ist eine auf der Oberseite des Halbleiter- bauelements ausgebildete Bondfläche 64 so bemessen und orientiert, dass die Hauptschwingungsrichtung 66 des Bondwerkzeugs in einem von 90° verschiedenen Winkel - im optimalen Fall parallel zu der großen Diagonalen 63 - eingestellt werden kann. Diese Ausgestaltung und Bemessungsregel ist vorteilhaft, wenn die aktiven Zellen wie in Figur 3 durch Hilfslinien angedeutet nicht in einem rechtwinkligen Raster oder Netz angeordnet sind, sondern z.B. entlang zweier Richtungen Rl, R2 , die einen Winkel von z.B. 45° einschließen.
Bezugszeichenliste :
α Winkel
D Diagonale
K Kraftkomponente R Wiederholungsrichtung
Rl/ R2 Richtungen
1 aktive Zellen (Streifenzeilen
2 Halbleiterkörper
4 Begrenzungskanten
6 Doppelpfeil
8 Hauptbegrenzungslinie
10 kritische Richtung
12 Oberseite
14,. 16 Bondflächen -(
18, 20 Bonddrähte
22, 24 HauptSchwingungsrichtung
30 aktive Zellen
34, 35 Hauptbegrenzungslinien
40 Außenkontur
40a , 40b äußere Kanten
46, 48 Hilfslinien
50 Bondfläche
52 Bonddraht 54 HauptSchwingungsrichtung
60 aktive Zellen
62 kleine Diagonale
63 große Diagonale
64 Bondfläche
66 HauptSchwingungsrichtung

Claims

Patentansprüche
1. Halbleiterbauelement mit mehreren regelmäßig angeordneten aktiven Zellen (1) , die jeweils zumindest eine Hauptbe- grenzungslinie (8) aufweisen, und mit mindestens einer Bondfläche (14, 16), auf der zumindest ein Bonddraht (18, 20) durch Bonden mit einem in einer Hauptschwingungsrichtung (22, 24) schwingenden Bondwerkzeug befestigbar ist, wobei die Bondfläche (14, 16) so bemessen und so orientiert ist, dass die Hauptschwingungsrichtung (22, 24) zur Hauptbegrenzungslinie (8) in einem von 90° verschiedenen Winkel (α) einstellbar ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die Haupt- Schwingungsrichtung (22, 24) parallel zur Hauptbegrenzungslinie (8) einstellbar ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Hauptbegrenzungslinie (8) parallel zu einer Außenkante (4) des Halbleiterbauelements liegt.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die aktiven Zellen (1) streifenförmig ausgebildet sind.
5. Halbleiterbauelement mit mehreren regelmäßig zweidimensional angeordneten aktiven Zellen (30) , die jeweils zumindest eine Hauptbegrenzungslinie (34, 35) aufweisen, und mit mindestens einer Bondfläche (50) , auf der zumindest ein Bonddraht (52) durch Bonden mit einem in einer Hauptschwin- gungsrichtung (54) schwingenden Bondwerkzeug befestigbar ist, wobei die Bondfläche (50) so bemessen und so orientiert ist, dass die HauptSchwingungsrichtung (54) zu den Hauptbegren- zungslinien (34, 35) in einem von 90° verschiedenen Winkel einstellbar ist.
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, wobei die akti- ven Zellen (30) rechteckig ausgebildet und gegenüber einer rechteckigen Außenkontur (40) des Halbleiterbauelements um 45° gedreht angeordnet sind und wobei die Bondfläche (50) rechteckig ausgebildet ist und mit ihrer längeren Rechteckseite parallel zu einer Außenkante (40b) der Außenkontur (40) verläuft.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, 2, 3 oder 5, wobei die aktiven Zellen (60) rautenförmig ausgebildet sind und wobei die Bondfläche (64) so bemessen und so orientiert ist, dass die Hauptschwingungsrichtung (66) in einem von 90° verschiedenen Winkel zu der großen Rautendiagonalen (63) einstellbar ist.
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, wobei die Bondfläche (64) so bemessen und so orientiert ist, dass die Hauptschwingungsrichtung (66) parallel zu der großen Rautendiagonalen (63) einstellbar ist.
9. Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelements mit mehreren regelmäßig angeordneten aktiven Zellen (1) , die jeweils zumindest eine Hauptbegrenzungslinie (8) aufweisen, und mit mindestens einer Bondfläche (14, 16), wobei ein Bonddraht (18, 20) durch Bonden in einer Hauptschwin- gungsrichtung (22, 24) mit der Bondfläche (14, 16) verbunden wird und wobei die Hauptschwingungsrichtung in einem von 90° verschiedenen Winkel (α) zur Hauptbegrenzungslinie (8) eingestellt wird.
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