WO2003009366A1 - Procede d'amelioration de l'etat de surface d'une plaquette semiconductrice - Google Patents

Procede d'amelioration de l'etat de surface d'une plaquette semiconductrice Download PDF

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WO2003009366A1
WO2003009366A1 PCT/FR2002/002543 FR0202543W WO03009366A1 WO 2003009366 A1 WO2003009366 A1 WO 2003009366A1 FR 0202543 W FR0202543 W FR 0202543W WO 03009366 A1 WO03009366 A1 WO 03009366A1
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annealing
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thermal annealing
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Christophe Maleville
Eric Neyret
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S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies
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    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond

Definitions

  • the present invention relates generally to the surface treatment of materials, and in particular the treatment of substrates intended for the manufacture of components for applications in microelectronics and / or optoelectronics. More specifically, the invention relates to a method for improving the state of the free surface of a wafer of semiconductor material, said method comprising a step of rapid thermal annealing in order to smooth said free surface.
  • free surface is meant the surface of a wafer which is exposed to the external environment (as opposed to an interface surface which is in contact with the surface of another wafer or other element ).
  • rapid thermal annealing is meant rapid annealing in a controlled atmosphere, according to a mode commonly known as RTA 15 (corresponding to the acronym of the English expression Rapid Thermal Annealing).
  • this mode of annealing will be denoted indifferently by the acronym RTA, or by the French-speaking designation of "rapid thermal annealing".
  • RTA rapid thermal annealing
  • the slice is annealed at a high temperature, which can be of the order of 1100 ° C. to 1300 ° C., for 1 to 60 seconds.
  • RTA annealing is carried out under a controlled atmosphere.
  • this atmosphere may for example be an atmosphere comprising a mixture of hydrogen and argon, or an atmosphere of pure argon.
  • the invention is implemented in a particularly advantageous manner in combination with a process for manufacturing thin films or layers of semiconductor material of the type described in patent FR 2 681 472.
  • a process reproducing the teachings of the document cited above is known as the SMARTCUT ® process.
  • implantation of atoms means any bombardment of atomic or ionic species capable of introducing these species into the material of the wafer with a maximum concentration of the implanted species located at a determined depth of the wafer relative to the surface. bombarded so as to define a zone of weakness. The depth of the embrittlement zone depends on the nature of the species implanted, and the energy associated with them for implantation.
  • the wafer (which is made of semiconductor material) can thus be associated with a stiffener, and possibly with other intermediate layers.
  • wafer also covers in this text any wafer, layer or film of semiconductor material such as silicon, whether the wafer was produced by a process of the type SMARTCUT ® or not, the objective being in all cases to improve the state of the free surface of the wafer.
  • the roughness specifications associated with the free surface of the wafers are indeed very strict, and the roughness of the free surface of the wafers is a parameter which determines to some extent the quality of the components which will be carried out on the edge.
  • the roughness is measured on surfaces scanned by the tip of the AFM microscope, ranging from 1x1 ⁇ m 2 to 10x10 ⁇ m 2 and more rarely 50x50 ⁇ m 2 , even 100x100 ⁇ m 2 .
  • Roughness can be characterized, in particular, in two ways.
  • the roughness is said to be at high frequencies and corresponds to swept surfaces of the order of 1x1 ⁇ m 2 .
  • the roughness is said to be at low frequencies and corresponds to swept surfaces of the order of 10 ⁇ 10 ⁇ m 2 , or more.
  • the specification of 5 Angstroms given above as an indication is thus a roughness corresponding to a swept surface of 10 ⁇ 10 ⁇ m 2 .
  • SMARTCUT ® or other have surface roughness values greater than specifications of the order of those mentioned above, in the absence of the application to the surface of the wafer of a specific treatment such as '' a polishing.
  • a first type of known method for reducing the surface roughness of the wafers consists in subjecting the wafer to a “conventional” heat treatment (sacrificial oxidation for example).
  • a second type of process known for reducing roughness consists in carrying out a chemical mechanical polishing of the free surface of the wafer.
  • This type of process can effectively reduce the roughness of the free surface of the wafer.
  • this second type of known method can moreover make it possible to abrade said wafer up to an area having an acceptable concentration of defects.
  • this second type of known method has the disadvantage of compromising the uniformity of the thickness of the useful layer of the wafer, that is to say of the layer which will be effectively used for the creation of components.
  • the section is subjected to an RTA annealing under a controlled atmosphere.
  • This third type of process makes it possible to generally satisfactorily reduce the surface roughness of the wafers (in particular without degrading the uniformity of the thickness of the useful layer), and thus constitutes an advantageous solution.
  • this third type of process can indeed make it possible to obtain roughly high and low frequency roughness overall, the Applicant has observed that the fact of subjecting the wafer to an RTA annealing can induce a drawback. Indeed, by finely analyzing the state of the surface of wafers (in particular silicon wafers) having undergone such treatment, the Applicant has determined that very small holes are superimposed on a surface whose general roughness was otherwise satisfactory. Such an analysis can be carried out from an observation with an atomic force microscope.
  • These small holes typically have dimensions of the order of a few nm in depth, and a few tens of nm in diameter.
  • tapping will be used for convenience in this text to designate such holes, their depth / diameter ratio is lower than the ratios usually observed in the case of conventional tapping holes.
  • the “stitching” in question here does not have the same origins as the phenomenon of “stitching” which is generally described in the state of the art.
  • the stitching of the prior art is in fact generally due to faults buried in the thickness of the wafer of material.
  • this request only aims to improve the “long period” components of the roughness, which correspond to the low frequency roughness (swept surfaces of the order of 10 ⁇ 10 ⁇ m 2 ), while the high frequency components roughness are not treated (see in particular page 10 lines 54-55 of this request).
  • the phenomenon which is designated in this text by “stitching” also corresponds to the high frequency roughness.
  • EP 1 045448 specifies that the targeted defects are of the “COP” type, these defects being, as we have seen, buried defects whose attack is likely to generate fairly deep holes.
  • EP 1 045 448 thus specifies (column 2 lines 55 and following) that the COPs can extend to the buried oxide layer of an SOI type structure (that is to say that these defects can extend in the thickness of the material up to this buried oxide layer, which is located under a useful layer of silicon, the thickness of which can typically range up to a few thousand angstroms).
  • the corresponding “tapping” holes thus have in the case of EP 1 045 448 a depth which can go up to these values of a few thousand angstroms.
  • switching designates holes: • Generated by the attack of defects buried in the thickness of the layer of the wafer,
  • the figure shows a surface area 101 of a thickness less than 100 nm, and in which the structure of the silicon is no longer crystalline.
  • the Applicant has therefore determined that the application of an RTA annealing to a wafer (in particular of silicon) favored the appearance of this pitting phenomenon.
  • An object of the invention is to improve the methods for improving the state of the free surface of a wafer of semiconductor material by RTA annealing.
  • an object of the invention is to make it possible, in addition, to overcome such processes from the drawback associated with the stitching mentioned above.
  • the invention applies more particularly to SOI type wafer surfaces (SOA), from a transfer process with detachment (e.g., a SMARTCUT ® type process).
  • SOI SOI type wafer surfaces
  • the invention provides a method for improving the state of the free surface of a wafer of semiconductor material, said method comprising a step of rapid thermal annealing in order to smooth said surface free, characterized in that the process comprises, before rapid thermal annealing, a prior treatment of a surface area of the wafer in order to prevent the appearance of stitching during rapid thermal annealing, and rapid thermal annealing can be carried out under an atmosphere not reductive.
  • a prior treatment of a surface area of the wafer in order to prevent the appearance of stitching during rapid thermal annealing, and rapid thermal annealing can be carried out under an atmosphere not reductive.
  • said preliminary treatment is a high temperature annealing intended to reconstruct the surface area
  • said high temperature annealing is carried out under a neutral atmosphere
  • the temperature of said high temperature annealing is between 600 ° C and 1300 ° C,
  • the temperature of said high temperature annealing is between 800 ° C and 1100 ° C, • said preliminary treatment makes it possible to eliminate the disturbed part of the surface area,
  • Said preliminary treatment is a chemical attack
  • Said preliminary treatment is of wet etching or dry etching type
  • the invention also provides an SOI or SOA structure obtained by a method according to one of the preceding claims.
  • the slice can be of a different type.
  • a characteristic common to the various embodiments of the invention is that the surface of the wafer is prepared, prior to an RTA annealing step of the wafer which is intended to reduce the surface roughness of the wafer.
  • RTA annealing can be carried out in particular under an atmosphere of hydrogen / argon mixture, or of pure argon. This RTA annealing can thus be carried out under a non-reducing atmosphere.
  • EP 1 045 448 does not in any case teach a treatment aimed at preventing the appearance of a sting, but rather a curative treatment intended to cure existing defects.
  • EP 954,014 does not teach to apply to the wafer a treatment specifically intended to prevent the appearance of any stitching, before RTA annealing. This document indeed limits his teaching to the application of an RTA annealing. This also applies to the teaching of document FR 2 761 526.
  • the surface of the slice is the cleavage surface, (surface "as splitted” according to the English expression) - this surface presents irregularities, that it is desired to reduce by annealing RTA.
  • this preparation of the surface of the wafer is carried out by performing a high temperature annealing in a neutral atmosphere, prior to the RTA annealing.
  • the atmosphere of this prior annealing can thus be an atmosphere of argon or nitrogen.
  • This prior annealing is applied to the wafer, the surface of which to be treated is arranged so as to be exposed to annealing.
  • the temperature can be between 600 ° C and 1300 ° C.
  • this temperature is between 800 ° C and 1100 ° C.
  • This prior annealing can also be carried out under vacuum, the pressure however being able to have any value up to 1 atmosphere.
  • Such a preliminary annealing makes it possible to reconstruct the disturbed area of the surface of the wafer, and to eliminate the defects leading to the stitching during the RTA annealing.
  • the zone in question is a disturbed zone, with respect to the lower regions of the wafer whose crystal structure is not disturbed.
  • the cavities can have a diameter of the order of 10 to 20 nm.
  • Pre-annealing can be carried out in a conventional oven (annealing
  • RTA for surface smoothing being then performed in a specific oven), or in the same oven as annealing RTA.
  • the preliminary treatment of the wafer consists in carrying out a chemical attack on the surface of the wafer.
  • This chemical attack can be of wet etching or dry etching type.
  • the effect of the preliminary treatment is to remove the surface area of the wafer which contains the cavities mentioned above and which are the cause of the stitching phenomenon under RTA annealing.
  • the aim of the treatment prior to annealing RTA is to treat the surface area whose structure is disturbed by the presence of the cavities.
  • This treatment of the zone can consist in reducing or eliminating the cavities in the zone (this is the case in the first embodiment), or in directly attacking this zone to reduce / eliminate it itself
  • the slice is subjected, before the RTA annealing, to sacrificial oxidation.
  • the effect of the preliminary treatment is here again to reduce or eliminate not only the cavities of the surface disturbed zone of the wafer which comprises the cavities, but to reduce or eliminate this disturbed surface zone itself .
  • the sacrificial oxidation step is broken down into an oxidation step and a deoxidation step, a heat treatment being inserted between the oxidation step and the deoxidation step .
  • the oxidation step is preferably carried out at a temperature between 700 ° C and 1100 ° C.
  • the oxidation step can be carried out dry or wet.
  • the oxidation step is, for example, carried out by heating the wafer under gaseous oxygen.
  • the oxidation step is, for example, carried out by heating the wafer in an atmosphere charged with water vapor.
  • the oxidation atmosphere can also be loaded with hydrochloric acid.
  • the oxidation step results in the formation of an oxide on the surface of the wafer.
  • the heat treatment step is carried out by any thermal operation intended to improve the qualities of the material constituting the surface area of the wafer.
  • This heat treatment can be carried out at constant temperature or at variable temperature. In the latter case, the heat treatment is carried out, for example, with a gradual increase in temperature between two values, or with a cyclic oscillation between two values, etc.
  • the heat treatment step is carried out at least in part at a temperature above 1000 ° C., and more particularly around 1100-1200 ° C.
  • the heat treatment step is carried out under a non-oxidizing atmosphere.
  • the atmosphere of the heat treatment can include argon, nitrogen, hydrogen, etc., or a mixture of these gases.
  • the heat treatment can also be carried out under vacuum.
  • the oxidation step is carried out before the heat treatment step. It will be noted that if it has already been envisaged to reduce the stitching due specifically to the heat treatment step of such sacrificial oxidation, the problem which the present invention addresses and which is that of preventing the stitching due to a step RTA annealing, was not discussed. It is also recalled in this regard that the "stitching" which can be caused by sacrificial oxidation is a "real" stitching (in which the holes are deeper than wide), while the holes which we want to prevent here onset following annealing RTAs are generally wider than deep. According to an advantageous variant, the oxidation step begins with the start of the rise in temperature of the heat treatment and ends before the end of the latter.
  • the heat treatment makes it possible to cure, at least in part, the defects generated during the preceding stages of the process for manufacturing and treating the wafer.
  • the heat treatment can be carried out for a duration and at a temperature such as is carried out by the latter. healing of crystal defects, such as stacking faults, "HF" defects, etc., generated in the surface layer of the wafer, during the oxidation step.
  • crystal defects such as stacking faults, "HF" defects, etc.
  • Called "HF” defect a defect whose presence is revealed by a decorative halo in a layer such as an oxide layer buried in the thickness of the wafer, after treatment of the wafer in an acid bath hydrofluoric.
  • the deoxidation step is preferably carried out in solution.
  • This solution is for example a hydrofluoric acid solution at 10 or 20%. A few minutes are enough to remove a thousand to a few thousand angstroms of oxide, by immersing the slice in such a solution.
  • the step of annealing RTA may be followed by a sacrificial oxidation as described above (in these cases, if the third mode is implemented embodiment of the invention, two sacrificial oxidations will thus be carried out).
  • the invention in each of its different embodiments, makes it possible to treat the surface area which has been highlighted by the Applicant (particularly in the case of an SOI or SOA structure resulting from a SMARTCUT process ® ), so as to then avoid the appearance of pitting during an RTA annealing.
  • the invention makes it possible to greatly improve the surface morphology of the slices having undergone an RTA annealing: this annealing makes it possible to improve the roughness of the slices, and on a finer scale, we add thanks to the invention the advantage of preventing stitching.

Abstract

L'invention propose un procède d'amélioration de l'etat de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur, ledit procédé comprenant une étape de recuit thermique rapide afin de lisser ladite surface libre, caractérisé en ce que le procédé comporte préalablement au recuit thermique rapide un traitement d'une zone superficielle de la tranche en vue de prévenir l'apparition du piquage lors du recuit thermique rapide, et le recuit thermique rapide peut être effectue sous atmosphère non réductrice. L'invention propose également une structure réalisée par un tel procédé.

Description

PROCEDE D AMELIORATION DE L ETAT DE SURFACE D UNE PLAQUETTE SEMICONDUCTRICE
La présente invention concerne de manière générale le traitement de surface des matériaux, et particulièrement le traitement de substrats destinés à la fabrication de composants pour des applications en microélectronique et/ou en opto-électronique. 5 Plus précisément, l'invention concerne un procédé d'amélioration de l'état de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur, ledit procédé comprenant une étape de recuit thermique rapide afin de lisser ladite surface libre.
Par « surface libre », on entend la surface d'une tranche qui est 10 exposée à l'environnement extérieur (par opposition à une surface d'interface qui est au contact de la surface d'une autre tranche ou d'un autre élément).
Par « recuit thermique rapide » on entend un recuit rapide sous atmosphère contrôlée, selon un mode communément nommé RTA 15 (correspondant à l'acronyme de l'expression anglo-saxonne Rapid Thermal Annealing).
Dans la suite de ce texte, on désignera ainsi indifféremment ce mode de recuit par l'acronyme RTA, ou par l'appellation francophone de "recuit thermique rapide". 20 Pour réaliser un recuit RTA d'une tranche de matériau, on recuit la tranche à une température élevée, pouvant être de l'ordre de 1100°C à 1300°C, pendant 1 à 60 secondes.
Le recuit RTA est effectué sous atmosphère contrôlée. Dans l'application préférée de l'invention, cette atmosphère peut être par exemple 25 une atmosphère comprenant un mélange d'hydrogène et d'argon, ou une atmosphère d'argon pur.
Dans cette application préférée de l'invention, on met en œuvre ladite invention de manière particulièrement avantageuse en combinaison avec un procédé de fabrication de films minces ou de couches de matériau 30 semiconducteur du type décrit dans le brevet FR 2 681 472. Un procédé reproduisant les enseignements du document cité ci- dessus est connu comme le procédé SMARTCUT®. Ses étapes principales sont schématiquement les suivantes : • Une étape d'implantation d'atomes, sous une face d'un substrat de matériau semiconducteur (en particulier du silicium), dans une zone d'implantation du substrat, • Une étape de mise en contact intime du substrat implanté avec un raidisseur, et • Une étape de clivage du substrat implanté au niveau de la zone d'implantation, pour transférer la partie du substrat située entre la surface soumise à l'implantation et la zone d'implantation, sur le raidisseur et former ainsi un film mince, ou une couche, de semiconducteur sur celui-ci. Par implantation d'atomes, on entend tout bombardement d'espèces atomiques ou ioniques, susceptible d'introduire ces espèces dans le matériau de la tranche avec un maximum de concentration des espèces implantées situé à une profondeur déterminée de la tranche par rapport à la surface bombardée de manière à définir une zone de fragilisation. La profondeur de la zone de fragilisation est fonction de la nature des espèces implantées, et de l'énergie qui leur est associée pour l'implantation.
On précise qu'on désigne dans ce texte par le terme générique de « tranche » le film ou la couche transférée par un tel procédé du type SMARTCUT®.
La tranche (qui est en matériau semiconducteur) peut ainsi être associée à un raidisseur, et éventuellement à d'autres couches intermédiaires.
Et ce terme de « tranche » recouvre également dans le présent texte toute tranche, couche ou film de matériau semiconducteur tel que le silicium, que la tranche ait été produite par un procédé du type SMARTCUT® ou non, l'objectif étant dans tous les cas d'améliorer l'état de la surface libre de la tranche.
Pour les applications mentionnées au début de ce texte, les spécifications de rugosité associées à la surface libre des tranches sont en effet très sévères, et la rugosité de la surface libre des tranches est un paramètre qui conditionne dans une certaine mesure la qualité des composants qui seront réalisés sur la tranche.
Il est ainsi courant de trouver des spécifications de rugosité ne devant pas dépasser 5 Angstrôms en valeur rms (correspondant à l'acronyme anglo-saxon « root mean square »).
On précise que les mesures de rugosité sont généralement effectuées grâce à un microscope à force atomique (AFM selon l'acronyme qui correspond à l'appellation anglo-saxonne de Atomic Force Microscope).
Avec ce type d'appareil, la rugosité est mesurée sur des surfaces balayées par la pointe du microscope AFM, allant de 1x1 μm2 à 10x10 μm2 et plus rarement 50x50 μm2, voire 100x100 μm2.
La rugosité peut être caractérisée, en particulier, selon deux modalités.
Selon l'une de ces modalités, la rugosité est dite à hautes fréquences et correspond à des surfaces balayées de l'ordre de 1x1 μm2.
Selon l'autre de ces modalités, la rugosité est dite à basses fréquences et correspond à des surfaces balayées de l'ordre de 10x10 μm2, ou plus. La spécification de 5 Angstrôms donnée ci-dessus à titre indicatif est ainsi une rugosité correspondant à une surface balayée de 10x10 μm2. Et les tranches qui sont produites par les procédés connus (de type
SMARTCUT® ou autre) présentent des rugosités de surface dont les valeurs sont supérieures à des spécifications de l'ordre de celles mentionnées ci-dessus, en l'absence de l'application à la surface de la tranche d'un traitement spécifique tel qu'un polissage. Un premier type de procédé connu pour diminuer la rugosité de surface des tranches consiste à faire subir à la tranche un traitement thermique « classique » (oxydation sacrificielle par exemple).
Mais un traitement de ce type ne permet pas d'amener la rugosité des tranches au niveau des spécifications mentionnées ci-dessus.
Et si on peut certes imaginer de multiplier les étapes de tels traitements thermiques classiques, et/ou de les combiner avec d'autres types de procédé connus, en vue de réduire encore la rugosité, ceci conduirait à un procédé long et complexe. Un deuxième type de procédé connu pour diminuer la rugosité consiste à effectuer un polissage mécano-chimique de la surface libre de la tranche.
Ce type de procédé peut effectivement permettre de réduire la rugosité de la surface libre de la tranche. Dans le cas où il existe un gradient de concentration de défauts croissant en direction de la surface libre de la tranche, ce deuxième type de procédé connu peut en outre permettre d'abraser ladite tranche jusqu'à une zone présentant une concentration de défauts acceptable.
Cependant, ce deuxième type de procédé connu présente l'inconvénient de compromettre l'uniformité de l'épaisseur de la couche utile de la tranche, c'est à dire de la couche qui sera effectivement exploitée pour la création de composants.
Et cet inconvénient est accru dans le cas où on procède à un polissage important de la surface de la tranche, ce qui serait le cas pour arriver à des rugosités telles que mentionnées ci-dessus.
Selon un troisième type de procédé, on fait subir à la tranche un recuit RTA sous atmosphère contrôlée.
Ce troisième type de procédé permet de diminuer de manière généralement satisfaisante la rugosité de surface des tranches (en particulier sans dégrader l'uniformité de l'épaisseur de la couche utile), et constitue ainsi une solution intéressante. Cependant, si ce troisième type de procédé peut effectivement permettre d'obtenir des rugosités hautes fréquences et basses fréquences globalement satisfaisantes, la Demanderesse a observé que le fait de faire subir à la tranche un recuit RTA peut induire un inconvénient. En effet, en analysant finement l'état de la surface de tranches (en particulier de tranches de silicium) ayant subi un tel traitement, la Demanderesse a déterminé que des trous de très petites dimensions se superposaient à une surface dont la rugosité générale était par ailleurs satisfaisante. Une telle analyse peut être menée à partir d'une observation avec un microscope à force atomique.
Ces petits trous ont typiquement des dimensions de l'ordre de quelques nm de profondeur, et quelques dizaines de nm de diamètre.
Ces trous présentent des similitudes avec les trous que l'on peut parfois observer à la surface de matériaux tels que du silicium, et que l'on attribue à un phénomène dit de « piquage », connu également sous l'appellation anglo-saxonne de « pitting ».
On précise toutefois que si le terme de « piquage » sera employé par commodité dans ce texte pour désigner de tels trous, leur ratio profondeur/diamètre est inférieur aux ratios habituellement observés dans le cas de trous de piquage classiques.
Plus précisément encore, le « piquage » dont il est ici question n'a pas les mêmes origines que le phénomène de « piquage » qui est généralement décrit dans l'état de la technique. Le piquage de l'état de la technique est en effet généralement dû à des défauts enterrés dans l'épaisseur de la tranche de matériau.
Ces défauts sont effet susceptibles d'être attaqués par un traitement thermique (traitement thermique ayant par exemple pour objectif d'améliorer l'état de surface de la tranche). Le phénomène désigné par le terme de « piquage » correspond ainsi dans l'état de la technique aux trous générés par l'attaque de défauts enterrés. On pourra à cet égard se référer à la demande de brevet EP 1 158 581 , qui précise des caractéristiques ces défauts enterrés - en particulier des défauts du type « COP » pour Crystal Originated Particle selon la dénomination anglo saxonne répandue. A cet égard, on se référera par exemple au passage page 1 lignes 48 à 54 de cette demande de brevet.
On remarquera d'ailleurs que cette demande ne vise qu'à améliorer les composantes « longue période » de la rugosité, qui correspondent à la rugosité basses fréquences (surfaces balayées de l'ordre de 10x10 μm2), alors que les composantes hautes fréquences de la rugosité ne sont pas traitées (voir en particulier page 10 lignes 54-55 de cette demande). Or, le phénomène que l'on désigne dans ce texte par « piquage » correspond également à la rugosité hautes fréquences.
On retrouve dans d'autres documents, par exemple EP 1 045448, ou encore FR 2 797 713, cet objectif de traitement du « piquage » au sens de la définition de l'état de la technique.
Et dans ces documents encore, le « piquage » dont il est question ne correspond pas au « piquage » concerné par la présente invention.
EP 1 045448 précise ainsi que les défauts visés sont de type « COP », ces défauts étant comme on l'a vu des défauts enterrés dont l'attaque est susceptible de générer des trous assez profonds.
EP 1 045 448 précise ainsi (colonne 2 lignes 55 et suivantes) que les COPs peuvent s'étendre jusqu'à la couche enterrée d'oxyde d'une structure de type SOI (c'est à dire que ces défauts peuvent s'étendre dans l'épaisseur du matériau jusqu'à cette couche d'oxyde enterré, qui est située sous une couche utile de silicium dont l'épaisseur peut typiquement aller jusqu'à quelques milliers d'angstrôms).
Les trous de « piquage » correspondant ont ainsi dans le cas de EP 1 045 448 une profondeur pouvant aller jusqu'à ces valeurs de quelques milliers d'angstrôms.
Ainsi, le « piquage » tel que compris dans l'état de la technique désigne des trous : • Générés par l'attaque de défauts enterrés dans l'épaisseur de la couche de la tranche,
• Ces trous pouvant avoir une profondeur de l'ordre de quelques milliers d'angstrôms. Le « piquage » concerné par la présente invention, au contraire, ne résulte pas d 'une attaque de défauts préexistants.
Ce piquage ne correspond qu'aux endroits de la surface de la tranche auxquels le lissage par reconstruction du recuit RTA ne s'effectue pas totalement, les petits trous tels que mentionnés plus haut apparaissant. Le « piquage » concerné par l'invention est ainsi un phénomène purement superficiel.
A cet égard, on pourra se reporter à la figure unique qui représente une vue en coupe d'une tranche 10 de silicium dont la surface 100, initialement définie par un procédé de transfert avec détachement, a ensuite subi un recuit RTA.
La figure fait apparaître une zone superficielle 101 d'une épaisseur inférieure à 100 nm, et dans laquelle la structure du silicium n'est plus cristalline.
C'est cette zone 101 de très faible épaisseur qui génère le piquage dont il est ici question.
Cette figure illustre la différence de nature des « piquages» respectifs de l'état de la technique et de l'invention.
Et dans la suite du texte, le terme de « piquage » est à comprendre comme spécifiquement défini ci-dessus, et non comme dans l'état de la technique (à moins qu'une indication contraire ne soit donnée).
La Demanderesse a donc déterminé que l'application d'un recuit RTA à une tranche (en particulier de silicium) favorisait l'apparition de ce phénomène de piquage.
Cette observation a été faite particulièrement dans le cas de tranches de SOI - acronyme de Silicon On Insulator pour silicium sur isolant (ou SOA - acronyme de Silicon On Anything pour silicium sur un matériau quelconque), issues d'un procédé de type SMARTCUT®. Et dans la mesure où le recuit RTA constitue l'étape ultime de traitement d'une tranche pour améliorer son état de surface, le piquage de la surface d'une tranche sortant d'un recuit RTA est problématique, car la surface « piquée » générée par le recuit RTA se retrouvera dans le produit final.
On pourrait bien sûr envisager de retraiter les tranches issues du recuit RTA, pour corriger ce phénomène et tenter d'éliminer le piquage, en polissant une épaisseur suffisante de la tranche piquée.
Mais on se retrouverait alors de nouveau exposé aux inconvénients du polissage mentionnés ci-dessus (comme cela est le cas avec les enseignements du document FR 2 797 713), et on perdrait dans ce cas les bénéfices liés au recuit RTA.
Un but de l'invention est de perfectionner les procédés d'amélioration de l'état de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur par recuit RTA.
Plus précisément, un but de l'invention est de permettre en outre d'affranchir de tels procédés de l'inconvénient lié au piquage mentionné ci- dessus.
Et comme on l'a dit, l'invention s'applique plus particulièrement à des surfaces de tranches de type SOI (ou SOA), issues d'un procédé de transfert avec détachement (par exemple un procédé de type SMARTCUT®).
Et un autre but de l'invention est de proposer une alternative aux procédés comprenant une étape de polissage. Afin d'atteindre les buts exposés ci-dessus, l'invention propose un procédé d'amélioration de l'état de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur, ledit procédé comprenant une étape de recuit thermique rapide afin de lisser ladite surface libre, caractérisé en ce que le procédé comporte avant le recuit thermique rapide un traitement préalable d'une zone superficielle de la tranche en vue de prévenir l'apparition du piquage lors du recuit thermique rapide, et le recuit thermique rapide peut être effectué sous atmosphère non réductrice. Des aspects préférés, mais non limitatifs du procédé selon l'invention sont les suivants :
• ledit traitement préalable est un recuit haute température destiné à reconstruire la zone superficielle, • ledit recuit haute température est effectué sous atmosphère neutre,
• la température dudit recuit à haute température est comprise entre 600°C et 1300°C,
• la température dudit recuit à haute température est comprise entre 800°C et 1100°C, • ledit traitement préalable permet d'éliminer la partie perturbée de la zone superficielle,
• ledit traitement préalable est une attaque chimique,
• ledit traitement préalable est de type gravure humide ou gravure sèche,
• ledit traitement préalable est une oxydation sacrificielle, • l'étape de recuit thermique rapide est suivie d'une oxydation sacrificielle. Et l'invention propose également une structure SOI ou SOA obtenue par un procédé selon l'une des revendications précédentes.
D'autres aspects, buts et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description suivante de formes préférées de réalisation de l'invention.
Cette description est faite en référence à l'application préférée de l'invention, qui concerne l'amélioration de l'état de surface d'une tranche de SOI ou SOA, issue d'un procédé SMARTCUT®. Toutefois, la tranche peut être d'un type différent. Une caractéristique commune aux différents modes de réalisation de l'invention est qu'on prépare la surface de la tranche, préalablement à une étape de recuit RTA de la tranche qui est destinée à réduire la rugosité de surface de la tranche.
Le recuit RTA peut être effectué en particulier sous une atmosphère de mélange hydrogène/argon, ou d'argon pur. Ce recuit RTA peut ainsi être effectué sous atmosphère non réductrice.
Et on notera que ceci constitue une différence supplémentaire avec les enseignements des documents EP 1 045 448 et EP 954 014 (que l'on cite uniquement pour mémoire, car ces documents sont concernés par le
« piquage » tel que défini dans l'état de la technique, et non par le
« piquage » tel que défini ici).
On précise d'ailleurs que EP 1 045 448 n'enseigne de toutes façons pas un traitement visant à prévenir l'apparition d'un piquage, mais plutôt d'un traitement curatif destiné à guérir des défauts existants.
On précise également que EP 954 014 n'enseigne pas d'appliquer à la tranche un traitement spécifiquement destiné à prévenir l'apparition d'un quelconque piquage, avant le recuit RTA. Ce document limite en effet son enseignement à l'application d'un recuit RTA. Ceci est également valable pour l'enseignement du document FR 2 761 526.
Dans le cas où la tranche a été créée par le clivage du procédé SMARTCUT®, la surface de la tranche est la surface de clivage, (surface « as splitted » selon l'expression anglo-saxonne) - cette surface présente des irrégularités, que l'on désire réduire par un recuit RTA. Selon un premier mode de réalisation de l'invention, on réalise cette préparation de la surface de la tranche en effectuant un recuit haute température sous atmosphère neutre, préalablement au recuit RTA.
L'atmosphère de ce recuit préalable peut ainsi être une atmosphère d'argon ou d'azote. Ce recuit préalable est appliqué à la tranche, dont la surface à traiter est disposée de manière à être exposée au recuit.
Lors de ce recuit préalable, la température peut être comprise entre 600°C et 1300°C.
De préférence, cette température est comprise entre 800°C et 1100°C.
Ce recuit préalable peut également être effectué sous vide, la pression pouvant cependant avoir toute valeur jusqu'à 1 atmosphère. Un tel recuit préalable permet de reconstruire la zone perturbée de la surface de la tranche, et d'éliminer les défauts menant au piquage lors du recuit RTA.
Ces défauts, générés en particulier lors du clivage, ont été observées par la Demanderesse en utilisant une technique de microscopie à transmission électronique qui permettent de visualiser des détails de l'ordre de grandeur de l'atome, sous la forme de cavités de la zone superficielle de la tranche, sur des surfaces de tranches issues d'un procédé SMARTCUT®.
Ces cavités se trouvent rassemblées dans une zone superficielle de la tranche d'une épaisseur de l'ordre de plusieurs dizaines de nm.
Du fait de la présence de ces cavités, la zone en question est une zone perturbée, par rapport aux régions inférieures de la tranche dont la structure cristalline n'est pas perturbée.
Les cavités peuvent avoir un diamètre de l'ordre de 10 à 20 nm. Le recuit préalable peut être réalisé dans un four classique (le recuit
RTA de lissage de surface étant quant à lui ensuite réalisé dans un four spécifique), ou dans le même four que le recuit RTA.
Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, le traitement préalable de la tranche consiste à effectuer une attaque chimique de la surface de la tranche.
Cette attaque chimique peut être de type gravure humide ou gravure sèche. Dans ce cas, l'effet du traitement préalable est de supprimer la zone superficielle de la tranche qui comporte les cavités mentionnées ci-dessus et qui sont à l'origine du phénomène de piquage sous recuit RTA. Dans tous les modes de réalisation de l'invention en effet, le but du traitement préalable au recuit RTA est de traiter la zone superficielle dont la structure est perturbée par la présence des cavités.
Ce traitement de la zone peut consister à réduire ou éliminer les cavités de la zone (c'est le cas dans le premier mode de réalisation), ou à attaquer directement cette zone pour la réduire/éliminer elle même
(deuxième mode de réalisation, et comme on va le voir troisième mode également). Selon un troisième mode de réalisation de l'invention en effet, on fait subir à la tranche, préalablement au recuit RTA, une oxydation sacrificielle.
Dans ce troisième mode de réalisation, l'effet du traitement préalable est ici encore de réduire ou éliminer non pas seulement les cavités de la zone perturbée superficielle de la tranche qui comporte les cavités, mais de réduire ou éliminer cette zone superficielle perturbée elle-même.
Ainsi, en faisant subir à la tranche une oxydation sacrificielle avant le recuit RTA, on favorise la réduction/élimination de la zone perturbée (on précise qu'il est également possible que cette oxydation sacrificielle permette en outre de réduire ou éliminer les cavités de cette zone).
Dans une variante préférée de ce troisième mode de réalisation, l'étape d'oxydation sacrificielle se décompose en une étape d'oxydation et une étape de désoxydation, un traitement thermique étant intercalé entre l'étape d'oxydation et l'étape de désoxydation. L'étape d'oxydation est préférentiellement réalisée à une température comprise entre 700°C et 1100°C.
L'étape d'oxydation peut être réalisée par voie sèche ou par voie humide.
Par voie sèche, l'étape d'oxydation est, par exemple, menée en chauffant la tranche sous oxygène gazeux.
Par voie humide, l'étape d'oxydation est, par exemple, menée en chauffant la tranche dans une atmosphère chargée en vapeur d'eau.
Par voie sèche ou par voie humide, selon des procédés classiques connus de l'homme du métier, l'atmosphère d'oxydation peut aussi être chargée en acide chlorhydrique.
L'étape d'oxydation aboutit à la formation d'un oxyde à la surface de la tranche.
L'étape de traitement thermique est réalisée par toute opération thermique destinée à améliorer les qualités du matériau constitutif de la zone superficielle de la tranche.
Ce traitement thermique peut être effectué à température constante ou à température variable. Dans ce dernier cas, le traitement thermique est réalisé, par exemple, avec une augmentation progressive de la température entre deux valeurs, ou avec une oscillation cyclique entre deux valeurs, etc.
Préférentiellement, l'étape de traitement thermique est effectuée au moins en partie à une température supérieure à 1000°C, et plus particulièrement vers 1100-1200°C.
Préférentiellement, l'étape de traitement thermique est effectuée sous atmosphère non oxydante.
L'atmosphère du traitement thermique peut comprendre de l'argon, de l'azote, de l'hydrogène, etc., ou encore un mélange de ces gaz. Le traitement thermique peut également être réalisée sous vide.
Dans cette variante préférée du troisième mode de réalisation de l'invention, l'étape d'oxydation est réalisée avant l'étape de traitement thermique. On notera que si il a déjà pu être envisagé de réduire le piquage dû spécifiquement à l'étape de traitement thermique d'une telle oxydation sacrificielle, la problématique à laquelle la présente invention répond et qui est celle de prévenir le piquage dû à une étape ultérieure de recuit RTA, n'a quant à elle pas été abordée. On rappelle d'ailleurs à cet égard que le « piquage » qui peut être provoqué par une oxydation sacrificielle est un « vrai » piquage (dans lequel les trous sont plus profonds que larges), alors que les trous dont on veut ici prévenir l'apparition suite à un recuit RTA sont généralement plus larges que profonds. Selon une variante avantageuse, l'étape d'oxydation débute avec le début de la montée en température du traitement thermique et se termine avant la fin de ce dernier.
Le traitement thermique permet de guérir, au moins en partie, les défauts générés au cours des étapes précédentes du procédé de fabrication et de traitement de la tranche.
Plus particulièrement, le traitement thermique peut être effectué pendant une durée et à une température telles que l'on réalise par celui-ci une guérison des défauts cristallins, tels que des fautes d'empilement, des défauts "HF", etc., engendrés dans la couche superficielle de la tranche, au cours de l'étape d'oxydation.
On appelle défaut "HF", un défaut dont la présence est révélée par une auréole de décoration dans une couche telle qu'une couche d'oxyde enterré dans l'épaisseur de la tranche, après traitement de la tranche dans un bain d'acide fluorhydrique.
L'étape de désoxydation est préférentiellement réalisée en solution.
Cette solution est par exemple un solution d'acide fluorhydrique à 10 ou 20%. Quelques minutes suffisent pour enlever mille à quelques milliers d'angstrôms d'oxyde, en plongeant la tranche dans une telle solution.
On précise que dans les différents modes de réalisation de l'invention, on pourra faire suivre l'étape de recuit RTA d'une oxydation sacrificielle telle que décrite ci-dessus (dans ces cas, si l'on met en œuvre le troisième mode de réalisation de l'invention, on procédera ainsi à deux oxydations sacrificielles).
L'ajout de cette oxydation sacrificielle après le recuit RTA permet d'amincir la couche utile de la tranche, pour l'amener à l'épaisseur désirée.
Et c'est principalement en jouant sur la durée de l'oxydation que l'on détermine l'épaisseur qui sera ainsi enlevée à la couche utile de la tranche.
On comprend donc que l'invention, dans chacun de ses différents modes de réalisation, permet de traiter la zone superficielle qui a été mise en évidence par la Demanderesse (particulièrement dans le cas d'une structure SOI ou SOA issue d'un procédé SMARTCUT®), de manière à éviter ensuite l'apparition du piquage lors d'un recuit RTA.
Et dans chacun de ces modes de réalisation, l'invention permet d'améliorer grandement la morphologie de surface des tranches ayant subi un recuit RTA : ce recuit permet d'améliorer la rugosité des tranches, et à une échelle plus fine, on ajoute grâce à l'invention l'avantage de prévenir le piquage.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé d'amélioration de l'état de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur, ledit procédé comprenant une étape de recuit thermique rapide afin de lisser ladite surface libre, caractérisé en ce que le procédé comporte avant le recuit thermique rapide un traitement préalable d'une zone superficielle de la tranche en vue de prévenir l'apparition du piquage lors du recuit thermique rapide, et le recuit thermique rapide peut être effectué sous atmosphère non réductrice.
2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit traitement préalable est un recuit haute température destiné à reconstruire la zone superficielle.
3. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit recuit haute température est effectué sous atmosphère neutre.
4. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que la température dudit recuit à haute température est comprise entre 600°C et 1300°C.
5. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la température dudit recuit à haute température est comprise entre 800°C et 1100°C.
6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit traitement préalable permet d'éliminer la partie perturbée de la zone superficielle.
7. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit traitement préalable est une attaque chimique.
8. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit traitement préalable est de type gravure humide ou gravure sèche.
9. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit traitement préalable est une oxydation sacrificielle.
10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de recuit thermique rapide est suivie d'une oxydation sacrificielle.
11. Structure SOI ou SOA obtenue par un procédé selon l'une des revendications précédentes.
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