WO2001063015A1

WO2001063015A1 - Procede servant a fabriquer une matrice de pressage et substrat obtenu

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Publication number: WO2001063015A1
Application number: PCT/JP2001/000692
Authority: WO
Inventors: Masatoshi Hayashi; Seiji Morita
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2000-02-22
Filing date: 2001-02-01
Publication date: 2001-08-30
Also published as: JP2001234383A

Description

明細スタンパーの製造方法、及び成^基板の製造方法技術分野

本発明は、ファザ一スタンパーやサンスタンパ一等のスタンパーの製造方法、及びそれらのス夕ンパーを用いた成形基板の製造方法に関するものである。背景技術

光ディスク、ハードディスク等の情報記録媒体は、大きな容量の情報を記録することができ、かつ、高速でアクセス、再生、記録及び（場合により消去）することができる。このため、これらの媒体は、 C D ( compact disc) 、 L D (laser disc) 、 D v D (digital video disc, digital versatile disc)等と呼ばれ、音楽や映像ソフト、ゲ一ムソフト等を収納する媒体として使われ、その需要が増大している。コンピュータのメモリーとしても、これらの媒体は使用され、その需要が増大している。光ディスクやハードディスクは、マルチメディア時代のメインメモリーとして大きく発展すると期待されている。

光デイスクについて言えば、記録層の有無及びその種類により、 ( 1 ) 再生専用タイプ（ C D、 L D、 C D - R OM, photo- C D, D V D— R OM、再生専用型 MD等）、

( 2 ) 一度だけ記録可能なライトワンスタイプ write-once type ( C D · R、 D VD -R, D VD— WO等）、

( 3 ) 記録した後、消去することができ、何度でも書き替え可能な (rewritable) タイプ（光磁気ディスク magneto-optical disk 、相変化 ( phase-change ) 型ディスク、 M D、 C D— E、 D V D— R A M、 D V D一 R W等）

がある。さらに、将来使用される媒体として、高密度の H D—D V Dも提唱されている。

これらの光ディスクを製造する工程は、まず、成形基板を原料樹脂で成形するところから始まる。最初にス夕ンパーと呼ばれる成形型が用意される。この成形型に原料樹脂（例えば、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン等）を加熱流動化した後、押しつけることにより、成形基板が成形（製造）される。成形方法は、加圧成形の他、ほとんどは射出成形方法である。

成形基板を製造する理由は、基板表面に細かな凹凸が必要であるからである。凹凸のある基板を大量に短時間で製造するには、樹脂成形が最も適している。凹凸の種類には、

( 1 ) 情報単位を表すピット pit や

( 2 ) 記録へヅド（ピックアップ）のトラッキングのためのガイド溝、 guiae groove)

がある。ピットや溝は、円形の基板上に同心円状または渦卷き状に設けられる。成形基板を半径方向に見たとき、溝と溝との間はランド land と呼ばれる。当初は、ランドをトラックとして、そこに記録するランド記録方式であった。続いて、逆に溝に記録するグループ記録方式も使用されるようになった。

その後、記録密度を向上させるために、溝とランドの双方に記録するランド/グループ記録方式が開発された。この場合、両者がトラックであり、溝の幅とランドの幅はほぼ等しい。ただし、理由があって他方を意図的に広くする場合もある。光は袅面（平滑な而）から基板に入射し、この ¾合には基板 ¾而側から見て奥にある方をランドと呼び、手前にある方を溝と呼ぶ。

溝、ランドおよびピットの幅は、密度記録の向上に伴い、例えば、 1 〃m以下、 0. 8〃m以下、 0. 7〃m以下、 0. 6 /m以下、 0. 5 〃m以下、 0. 4〃m以下、 0. 3〃 m以下と狭くなつてきている。溝、ランドおよびピットの深さも、高密度記録化に伴い、例えば、 4 O nm以上、 5 0 nm以上、 8 0 nm以上、 l O O nm以上、 1 2 0 η m以上、 1 3 0 nm以上、 1 5 O nm以上、 1 8 0 nm以上、 2 0 0 η m以上、 2 2 O nm以上、 2 5 0 n m以上と段々深くなつてきている。幅が狭くなつたり、深さが深くなると、つまり、高精度になると、成形基板の成形はますます難しくなり、良品の歩留りは低下する。

なお、成形された成形基板の上には、最終の製品に応じて、反射層や記録層、保護層等が形成される。

また、ハードディスクは、通常、アルミニウム基板又はガラス基板に磁気記録層を形成したものであり、記録は磁気へッドで実施される。上記の高密度化に伴い、記録層の表面は極めて平滑となっている。そのため、磁気ヘッドが相対的に停止すると、ヘッドと記録層が密着して離れなくなる現象が発生する。これを避けるため、ハードディスクには、磁気ヘッドを相対的に停止させたとき、これを置くガレージ領域（ C S S 領域 = contact stop and start) を設けてある。この領域の表面は、レ一ザ一テクスチャ一 laser texture により意図的に凹凸に仕上げてある。該凹凸により密着が防止される。また、高密度化に伴い、ヘッドのトラッキングが困難になるため、そこで、光ディスクと同じように、ディスクに溝を設けることが提案されている。

このように、凹凸や溝が要求されることから、ディスクの生産性を上げるため、成形基板が提案されている。つまり、ハードディスクにおいても、成形基板を用いて、基板の成形時に凹凸や溝を形成するのであり、前記成形基板は軽くなるという利点もある。

従来、成形型は一般に以下のようなプロセスで製造されている（図 3 の（ 1 ) 参照、（ 2 ) は先願発明（特願平 1 1 — 7 6 8 3 9号）の実施例である）。古い従来技術としては、米国特許第 4，211，617号（対応日本特許：特公昭 S 5 9 - 1 6 3 3 2号公報）がある。

まず、光学的面精度にまで研磨されたガラス基板 1を用意する。この基板を洗浄したあと、密着性を向上させるプライマ一（例えば、シランカップリング剤 silane-coupling agent ) を塗布する。それからフォトレジスト（photoresist) 2をスピンコートし、プリべ一ク（pre-bake) する。フォトレジストはポジ型（光が照射された部分が現像で除去されるタイプ）が多く使用されている。次にレーザービームレコーダ laser -beam -recorder またほレーサー刀ッティンク装置 ( laser cutting machine ) を使って、ピットゃ溝のパターンに従ってフォトレジストを露光する。一般に、ピットゃ溝の幅はレーザービームの径により決まり、また、ピットゃ溝の深さはフォトレジスト膜の厚さによって決定される。次に所定の現像処理を施すとガラス板表面にピットゃグループのパ夕ーンを持ったレジストパ夕一ン（resist p attern ) 3が得られる。現像の後、場合により、レジストパターン 3は、 8 0〜： 1 2 0 °Cで 2 0〜 6 0 分のボストベーク post-bake される。ポストベ一クをした場合には、前記レジストパターンが室温程度に冷えるまで約 1 0時間待つ。このようにして表面にレジストパターン 3が形成されたガラス基板 1 を図 3の ( 1 一 1 ) に示す。

レジストノターン 3 は、ガラス基板 1 を含め原盤（MASTER SUBSTRATEor MASTER)と呼ばれる。本明細書ではこの原盤を原盤 I と称する。原盤 Iは、前記米国特許第 4, 2 11 ,6 17号の Fig. 4に示されるレプリカ replica 4 6 に相当する。ここで、例えば、 C D用のレジストパターンを製造する場合を考えると、この場合、露光が完了するのに 7 4分かかり、ポストべ一クを施した場合には、結局、原盤 I を完成させるのに、約 1 0時間以上かかってしまっている。

加えて、レーザ一ビームレコーダまたはレーザーカッティング装置は 1台約 2億円と高価である。そのため、原盤 Iは高価なものとなり、かつ、大量生産が難しいという問題点がある。

次に原盤 Iは導電化処理される。導電化処理は、一般にスパッ夕リング（乾式）あるいは場合により、無電解メツキ（湿式）で行われる。導電化処理された原盤 Iの上にはメツキ層が厚く形成される。メツキ層の種類は一般に二ッケル（Ni) である。主にこの Ni メツキ層で形成されたものがスタンパ一 4である。この様子は図 3の（ 1— 2 ) に示される。このスタンパ一 4は原盤 I の第 1複製であり、特にファザ一 (FATHER) - スタンパーまたは単にファザ一と呼ばれる。実際には、ファザ一をレジストパターン（原盤 I ) から剥がすことで、自由なファザ一が得られる。得られたファザ一の形状を図 3の（ 1— 3 ) に示す。ファザー 4は、前記米国特許の Fig. 6のマザ一メンバ一（mother member ) 5 2に相当する。

ファザ一 4は一般に 2 0 0〜 3 0 0〃 mと薄いので、剥がす時には注意を要する。また、剥がしたときに、前記フォトレジスト 2の一部がファザー 4上に残っていることが多いので、ァセトン等の溶剤で溶解除去する。もしもレジスト 2が残っていると、前記ファザ一の凹凸形状を崩してしまうので、レジスト 2は確実に除去する必要がある。ファザ一 4 を剥がす際に、レジストパターンは破損してしまうので、 1枚の原盤 I からは 1枚のファザ一 4のみが得られる。

レジストを除去した後、ファザ一 4の凹凸面を保護コートで覆い、衷面を研磨する。ファザ一の中心に穴を打ち抜き、また、外径の外の不要な部分を打ち落とす。これによりドーナツ状のファザ一が完成する。こうして完成したファザ一は、極めて正確な凹凸パターンを有する。そして、それは高価なものである。高価な理由は、上述のとおり ( a) 原盤 Iが高価なことと、

( b ) 1枚の原盤から 1枚のファザ一しか得られないこと

によるものである。

ファザ一 4はそのままで樹脂成形するための成形型に使用することができる。むしろ、 D VD - RAM, MD、 H D · D VDその他の高密度記録媒体（溝幅 0. 8〃m以下）の場合には、極めて高精度な凹凸パ夕ーンが要求されるので、ファザ一 4がそのまま射出成形に使用されている。

しかし、上述のとおり、ファザ一は極めて高価である。そこで、ファザ一を新たに原盤の代わりに用い、同様に Ni電銪を行い、第 2複製（ファザ一とは凹凸が反転） 5を得る。この様子は図 3の（ 1— 4 ) に示される。第 2複製はマザ一（MATHER) ' スタンパ一または単にマザ一 5 と呼ばれる。実際には、マザ一 5をファザ一 4から剥がすことで I由なマザ一 5が得られる。この様子は、図 3の（ 1 — 5 ) に示される。マザ — 5は、前記米国特許の Fig.8のサブマス夕一（submaster) 6 0に相当する。

マザ一 5の剥離を容易にするため、電铸の前にファザ一 4は表面処理される。この処理には重クロム酸カリウム溶液、過マンガン酸カリウム溶液等が用いられ、この処理はパッシベーシヨン（passivation) と呼ばれる。

マザ一をファザ一から剥がすときにファザ一が少し破損するので、何度も繰り返しファザ一を使用することはできない。せいぜい 2〜 3回が限度である。そのため、 1枚のファザ一から 2〜 3枚のマザ一しか得られない。このマザ一がそのまま射出成形用に使用されることもある。さらに複製を増やすため、あるいは凹凸形状を反転させるため、マザ一 5を原盤の代わりに用い、ファザーを作製するのと同様に Ni 電錄を行い、第 3複製 6 (凹凸形状はファザ一と同じ）を得る。図 3の（ 1一 6 ) にこの様子が示される。第 3複製 6はサン（息子 SON ) · ス夕ンパーまたは単にサン 6 と呼ばれる。実際には、サン 6 をマザ一 5から剥がすことで、自由なサン 6が得られる。この様子は図 3の（ 1 — 7 ) に示される。サン 6は、前記米国特許の Fig. 9のスタンパ一メンバー vstamper member) 7 0にネ目当する。

サンの剥離を容易にするため、電銪の前にマザ一 5をパッシベ一ション処理する。この場合にも、サン 6をマザ一 5から剥がすときにマザ一が破損されるので、何度も繰り返しマザ一を使用することはできない。せいぜい 2 〜 3回が限度である。そのため 1枚のマザ一から 2 ~ 3枚のサンしか得られない。

結局、高価な 1枚のファザ一 4から、 2 X 2 ~ 3 X 3 = 4 ~ 9枚のサン 6が得られるに過ぎない。

通常はサン 6 (場合よりファザ一 4またはマザ一 5 ) を用いて、射出成形法により、大量に成形基板が成形される。この基板は光ディスクやハードディスク等の情報記録媒体の素材として使われる。 1枚のサンから約 2万〜 3万枚の成形基板を成形することができる。しかし、それ以上の成形を行うと、サンが破損して使川できなくなり、仮に使用しても、成形基板の品質が低下してしまう。

情報記録媒体は、エンドユーザ一に対し今や 1枚数百円（ C D— の場合）で売られ、益々、低価格のものが要求されている。これに伴い、ス夕ンパ一も安価に大量に供給することが求められている。なお、図 3の（ 2 )に示す先願発明におけるス夕ンパーの製造方法は、マザ一を電铸によって製造するのでなく、（ 2 — 4 )、 ( 2 - 5 ) に示し、かつ後に説明するように、樹脂類 7をファザ一 4に押し付け、その上から透明板 8を介して紫外線照射を行って樹脂類 7を硬化させる等の方法により、樹脂製のマザ一 9を製造している点が、従来技術と異なっており、このことにより 1枚のファザー 4から多数のマザ一 9が得られ、かつ製造時間も短縮されるという特長を有するが、その他の問題は従来技術と同じように残されている。発明の開示

本発明の目的は、スタンパー（ファザ一やサンなど）を安価かつ大量に製造する方法を提供すること、及びこれらのスタンパーを使用して成型基板を安価かつ大量に製造する方法を提供することにある。

本発明者らは、鋭意研究の結果、原盤ゃファザ一（場合によりマザ一）を横方向に複数個連結して一組（単体）とし、この一組について、一度に電錡を行うことを着想した。これにより、目的ス夕ンパーの集合体（単体）を得、その後、個々の目的スタンパー（複数個）に分離することで、電銪を一度で済ませば、

①一度に複数のスタンパーが得られ（現在のスピードの時代に合っている）ヽ

②後述のようにス夕ンパーの膜厚分布の均一性が向上する、

③ス夕ンパ一問の膜厚のバラツキがなくなることを

見いだし、本発明を成すに至った。

ここで、 ②スタンパーの膜厚分布の均一性について、説明する。原盤やファザ一を横方向に複数個連結して一組（準体）とし、この一組について、一度に ¾鍩を行う場合、 2通りの方法が想定される。第 1の方法は、電鎵直後の状態を見たときに、目的スタンパーの集合体（単体）ではなく、既に個々のスタンパーに分離している方法である。したがって、電銪後に個々のス夕ンパーへの分離工程が不要である。第 2の方法は、電鎢によりスタンパーの集合体（単体）を得て、その後、個々に分離する方法である。この場合、電錄後に個々のスタンパーへの分離工程が必要である。本発明は第 2の方法を採る。なぜならこれにより、 ②スタンパ一の膜厚分布の均一性が向上し、 ③ス夕ンパ一間の膜厚のバラツキがなくなるからである。

すなわち、前記目的を達成するための第 1の発明は、横方向に連なつた複数の原盤からなる原盤集合体を用意する準備工程、前記原盤集合体上に電鎵することにより横方向に連なった複数のファザ一 · スタンパーからなるファザー集合体を製造する電錶工程、および前記集合体を個々のファザ一 · スタンパ一に分離する分離工程とを有してなることを特徴とするファザー · ス夕ンパーの製造方法である。

前記目的を達成するための第 2の発明は、横方向に連なった複数の原盤からなる原盤集合体を用意する準備工程、前記原盤集合体上に電錡することにより横方向に連なった複数のファザ一スタンパーからなるファザ一集合体を製造する電鎵工程、前記ファザー集合体に樹脂を押しつけることにより凹凸の反転した樹脂製マザ一集合体を成形する成形工程、前記マザ一集合体に電銪することにより横方向に連なった複数のサンスタンパ一からなるサン集合体を製造する電銪工程、および前記サン集合体を個々のサンスタンパーに分離する分離工程とを有してなることを特徴とするサンスタンパーの製造方法である。

前記目的を達成するための第 3の発明は、前記第 1の発明又は第 2の発明であって、前記原盤が円板状で情報記録媒体用のものであることを特徴とするス夕ンパーの製造方法である。前記目的を達成するための第 4の発明は、同一基板上に載置された複数のファザ一スタンパーからなるファザー集合体を用意する準備工程、前記ファザー集合体に樹脂を押しつけることにより凹凸の反転した樹脂製マザ一集合体を成形する成形工程、前記マザ一集合体に電錡することにより横方向に連なった複数のサンスタンパーからなるサン集合体を製造する電錶工程、および前記サン集合体を個々のサンスタンパーに分離する分離工程とを有してなることを特徴とするサンス夕ンパーの製造方法である。

前記目的を達成するための第 5の発明は、前記第 4の発明であって、前記ファザース夕ンパーが円板状で情報記録媒体用のものであることを特徴とするサンス夕ンパ一の製造方法である。

前記目的を達成するための第 6の発明は、

( A ) 横方向に連なった複数の原盤からなる原盤集合体を用意する準備工程、前記原盤集合体上に電銪することにより横方向に連なった複数のファザ一スタンパーからなるファザ一集合体を製造する電銪工程、前記ファザー集合体に樹脂を押しつけることにより凹凸の反転した樹脂製マザー合体を成形する成形工程、前記マザ一集合体に電銪することにより横方向に連なった複数のサンス夕ンパーからなるサン集合体を製造する電銃工程、によってサン集合体を製造し、

( B ) その後、得られたサン集合体を前記（A ) の工程におけるファザ一集合体の代わりに用いて（A ) の工程を得て、さらにサン集合体を製し、

( C )必要に応じて（ B ) の工程を繰り返した後、前記サン集合体を個々のサンスタンパーに分離する分離工程

を有してなることを特徴とするサンスタンパーの製造方法である。前 ί ΰ Π的を達成するための第 7の発明は、 ( A ) 同一基板上に載置された複数のファザ一ス夕ンパ一からなるファザ一集合体を用意する準備工程、前記ファザー集合体に樹脂を押しつけることにより凹凸の反転した樹脂製マザ一集合体を成形する成形工程、前記マザ一集合体に電鎵することにより横方向に連なった複数のサンスタンパ一からなるサン集合体を製造する電銪工程、によってサン集合体を製造し、

( B ) その後、得られたサン集合体を前記（A ) の工程におけるファザ —集合体の代わりに用いて（A ) の工程を得て、さらにサン集合体を製造し、

( C )必要に応じて（ B )の工程を繰り返した後、前記サン集合体を個々のサンス夕ンパ一に分離する分離工程

を有してなることを特徴とするサンス夕ンパーの製造方法である。

前記目的を達成するための第 8の発明は、前記第 1の発明から第 7の発明のうちいずれか発明の方法で製造されたファザース夕ンパーまたはサンスタンパーを用いて、樹脂又はガラスを射出成形またはプレス成形することにより、樹脂製又はガラス製の成形基板を製造する方法である。本発明によれば、 1度の電鈸で複数のファザーまたはサンが製造される。そのため、短時間で大量のファザーまたはサンを得ることができる。しかも、一度の電銪で製造された各サンの膜厚のバラツキが少なく揃つており、さらに膜厚の均一性も高い。図而の簡単な説明

1 図は、本発明の ' 施例 1 と先願発明におけるスタンパーの製造過程を示す図である。（ 2 ) は先願発明におけるスタンパーの製造過程、 ( 3 ) は本発明の実施例 1のスタンパーの製造過 ί である。

2図は、本 ¾叨の实施例 2 と先願 ¾明におけるスタンパ一の製^過程を示す図である。（ 2 ) は先願発明におけるスタンパーの製造過程、 ( 4 ) は本発明の実施例 2のスタンパーの製造過程である。

第 3図は、従来技術と先願発明におけるス夕ンパーの製造過程を比較して示す図である。（ 1 ) は従来技術におけるスタンパーの製造過程、 ( 4 ) は先願発明のスタンパーの製造過程である。

第 4図は、本発明のファザ一集合体の概略図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態及び実施例のうち、最良と思われるものを、図を用いて詳細に説明する。これにより、各発明の作用効果及び有用性は、当業者にとって明らかなものとなるであろう。なお、本実施の形態は、あくまでも最良と思われる例を示すものであり、各発明の内容がこれによって制限されるものではない。

また、本発明に関する原盤（MASTER)には、後述のとおり、大きく分けて I型と II型がある力^ 本明細書及び請求の範囲において、単に「原盤」と言う場合は両者を総称したものである。

〔原盤 I ( MASTER I ) の製造方法〕

まず、基板 substrate を用意する。一般的に基板は円板状である力円板状に限定されるものではなく角形でもよい。基板材料としては主にソ一ダライムガラス（青板ガラス）、アルミノシリケートガラス（白板ガラス）、無アルカリガラス、低膨張化ガラス、結晶化ガラス等のガラス材料やセラミックス材料等が用いられ、セラミックス材料としては、溶融石英、合成石英等の石英、 Siでもよい。場合によっては、基板材料は Al、 Fe、 Cu等の金属でもよい。

基板の ¾而は、高結度な ¾而精度（平滑面）を得るために精密に研磨される。また、基板表而に表面屑を形成してもよい。 ¾丽層の材料としては、（a) Si0₂のような S i酸化物、（b) Si ₃ N ₄ のようなの Si窒化物、 (c) TiSi ₂のようなの Si金属化合物、または（d) Ti , Al , Cu , Cr , Ta , Au , Ag, Pt等の金属、あるいは（e) Ti0₂ ， TiN , Al ₂ 0 ₃ , A1N , T a 0 ₂ ， Ta ₂ 0 ₅ , Ta₃ N ₄ 等の金属酸化物や金属窒化物が挙げられる。表面層は、基板表面を酸化または窒化することで形成してもよい。

多くの場合、表面層は、薄膜の積層技術（例えば、真空蒸着、スパッ夕リング）により形成される。その場合、表面層は、前記材料を 2種以上組み合わせて積層した多層構造からできていてもよい。また、表面層は、平滑性を向上させるために C M P ( chemical mechanical polishing) やその他の手法で精密研磨してもよい。

次に基板表面にフオトレジストを塗布する。一般には、フォトレジストを塗布する前に、基板にシランカツプリング剤のようなプライマー primerを塗布する。プライマーは、基板とフォトレジストとの密着性を向上させる。しかし、表面層に Cr、 TiN等が存在する場合、プライマーは必要ないこともある。そして、フォトレジストをスピンコートなどの塗装方法で塗布する。前述のとおり、一般にフオトレジスト膜の厚さがピヅトゃ潢の深さを決定する。

フォトレジスト塗布後に、レジスト感度の調整のために低い温度でプリベ一クを行う。その後、レーザビームレコーダを使ってピットや溝その他のパターンに沿ってレ一ザビ一ムをレジス卜に照射する。これによりレジス卜を露光する。

次いで、露光したレジストを現像液に浸して現像する。現像液は、例えばリン酸ナトリウム、リン酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化力リウム等の無機アルカリ溶液があり、無機に代えて有機アルカリ溶液も使用することができる。フォトレジストがポジ型の場合、露光した部分が現像液に溶ける。また、ネガ型の場合、露光しなかった部分が現像液に溶ける。その後、超純水でレジストを洗浄する。溶けた部分では、下地の基板が露出している。

こうして、表面にフォトレジス卜のパターンを有する基板が得られる。このような基板を、本明細書では、基板を含めてレジストパターンと呼ぶ。このレジストパターンが原盤 Iである。

原盤 Iは、現像の後、やや高い温度でポストべ—ク post-bake してもよい。ポストべ—クにより、形成される溝やピットの側壁角度が急峻になる場合もある。また、レジストのエツチング抵抗性を向上させることができる。さらに、ポストべ一クはレジストと基板との密着性を向上させることもできる。ポストべ一クは、レジスト表面の硬度を上げる場合もある。硬度が上がれば、この後に導電膜を形成するときや、その上にさらに電銪法でメッキ層を形成するときに、前記レジストはそれらに耐える物性が向上する。

〔原盤 II ( MASTER II) の製造方法〕

まず、原盤 I (レジストパターン）を用意する。この原盤 Iの一部では基板が露出しているので、この露出部分をエツチングして ¾板に凹部を設ける。この凹部パターンはレジストのパターンと同一である。

エツチング方法は湿式 ( wet process )でもよい力 ^s、乾式 ( dry process; が好ましい。乾式エッチングの中で、とりわけ反応性イオンエッチング ( R I E ) が有効である。他に、マグネ卜ロン R I E、 E C R (電子サイクロトロン ' レゾナンス）、 I C P (誘導結合型ブラズマ）、ヘリコン波等を用いたエッチングも使用可能である。 R I Eは、通常の低プラズマ密度（ 1 0 ¹ 個/ c m ³程度以下）のプロセスでもよい。しかし、ェッチング部分の肌荒れや側壁の肌荒れを低減するには、高プラズマ密度 ( 1 0 ^{1 1}個/ c m ''程度以上）のプロセスが好ましい。後者には、 I C P、へリコン波を川いる R I Eが含まれる。後者はパターンがさらに微細になった場合に効果的である。

乾式エッチング（ dry etching) を使えば、ピットの前端及び後端の側壁角度を急峻にすることができる。そのため、光ディスクの再生信号ジヅ夕（jitter)が低減される。セラミックス型（原盤 II ) の方が、レジストパターン（原盤 I ) に比べ、ピットや溝の側壁が荒れていない。乾式ェツチングであれば、エッチングの後も、凹部の底面や側壁の表面粗さは極めて小さい。乾式エッチングは、急峻な側壁角度を有する凹部を形成することもできる。乾式に限らず、エッチングは、より深い凹部を形成することができる。凹部が深いことや、凹部の側壁角度が急峻なことは、様々な利点を光ディスクにもたらす。この利点には、ノイズ低減や隣接トラック間の光学的クロストーク cross-talk、熱的クロストーク thermal cross-talk ( =クロスィレース、 cross-erase) の f 減力ある。

表面層を有する基板を使用した場合、表面層だけをエッチングしてもよい。この場合には、仮に表面層とその下地である基板との材質が異なれば、エッチング速度も異なるので、エッチングの終点を揃えることができると言う利点がもたらされる。この場合には、表面層の厚さが溝やその他の深さを決定する。

エッチングの後、残留したレジストを除去する。除去方法には酸素プラズマによる乾式エッチング（アツシング）が可能である。あるいは、残留したレジストを「濃い酸性溶液（例えば、濃硫酸や濃硝酸）を加熱したもの」の中に浸すことで、除去することが可能である。その溶液中に過酸化水素水を添加することは効的である。こうしてレジストを除去した後、超純水等で基板表面を洗净する。

これにより、ピッ卜や溝などに相当する凹部を有する基板が得られる。この基板が原盤 IIである。基板材料は特にセラミックスが好ましい。何故なら、セラミックスは表而（肌）が大変に滑らかであるからである。つまり、セラミックスの表面粗さ R aは極めて小さい（ R a≤ 1 0 n m、場合により R a≤ 1 n m )。このことは、光デイスクを製造した場合、光ディスクのノイズを低くする。本明細書では、原盤 IIをセラミックス型と呼ぶことがある。

〔原盤集合体の製造方法〕

本発明においては、橫方向に連なつた複数の原盤からなる原盤集合体を用意する準備工程を有する。すなわち、図 2の（ 4— 1 ) に示すように原盤 3を複数個用意し、（ 4— 2 ) に示すように、それを共通の基板 1 1上に固定することで、原盤集合体 3 Sを作製する。これに対し、先願発明では、（ 2— 1 ) に示すように 1個の原盤 3を使用する。

〔ファザー集合体の製造方法〕

まず、原盤集合体 3 Sを用意する。そして（ 4 一 3 ) に示すように、これら原 ¾g集合体 3 Sの上にメツキ層を厚膜層により形成する。このメヅキ層がファザー集合体 4 Sとなる。これに対し、先願発明では、（ 2 — 2 ) に示すように、原盤 3の上にメツキ層を厚胶層により形成する。このメツキ層がファザー 4 となる。先願発明によりファザーを製造する方法は、本突施の形態によりファザー粜合体を製造する方法と基本的には同じであるので、以下においてはその説明を省略する。

一般的に、メツキの手法には乾式と湿式とがある。湿式には、無電解メツキと電解メツキとがある。乾式は真空薄膜形成技術と呼ばれ、真空蒸着、イオンプレ一ティング、スパッタリング等がある。ここでの厚膜製造メツキ方法は、 2方法により行われ、 ¾ 1の方法は乾式と無電解メツキを含むもので、第 2の方法は; 11解メツキである。

第 2の方法（解メツキ）は ¾銥 electro-forming とも呼ばれ、電銥は短時問で厚いメツキ層を形成することができる。 VI！を行う場合、原盤集合体 3 Sは導 ¾性を持っていないので、最初に原盤 ¾合体 3 Sの表面に薄い（一般に約 5 0〜 1 0 0 n m ) 金属層を形成する。該金属層は導電層と呼ばれ、該導電層を形成する処理を導電化処理と呼ぶ。

ここで、該導電化処理は前記第 1の方法によって行われる。金属は Ni (ニッケル）が好ましく、それ以外に Au、 Pt、 Pd、 Ag、 Ti、 Ta、 Cr 等あるいは、これらの 2種以上の合金があり、その他に導電率の高い金属やその金属化合物が使用可能である。また、金属にリンを含有させてもよい。

金属として、 Niを使用する場合、あらかじめ Niに近いかまたは等しい熱膨張係数を有する他の金属や金属化合物を第 2ブライマ一層として形成しておいてもよい。つまり、該第 2プライマ一層の上に導電層を形成するのである。第 2プライマ一層は、電錡時または終了後に「電鍩層が応力で歪む現象」を軽減することができる。この現象は、場合によりピットゃ溝等の凹部を破壊する。第 2プライマー層は、場合によって、ファザ一集合体（ 4 S ) が完成した後、除去される。

その後、導電層が形成された原盤集合体 3 Sは、電銪を行うためメッキ浴に浸される。メツキ浴には、多くの場合、スルファミン酸ニッケル溶液が使用される。電銪を行うと！？電層の上にメツキ層が形成される。この Niメツキ層がファザ一集合体 4 Sである。 Niに代えて、他の金属を使用することもできる。

あるいは、 Ni に他の金属例えば Tiや元素例えばリン（ P ) を混ぜてもよい。 Tiを混ぜれば、比較的強固で耐久性の良好な型が得られる。リンを混ぜれば、表面硬度の高い型を得ることができる。導電層、その上のメツキ屑またはその両方を Ni— Pや Ti _ P、 Ni— Ti— P等の合金で構成すれば、高硬度で高耐久性のファザー集合体 4 Sを得ることが可能である。

また、 Ni メツキ層の単^ではなく、 Ni メツキ層に加えて他のメツキ層（例えば、銀や銅、クロムのような金属またはそれらの合金）を積層した多層構造でもよい。

場合によっては、電錡も用いることなしに、第 1の方法（乾式または無電解メツキ法）だけで、金属製のファザ一を製造することも可能である。乾式方法はメツキ液の廃液処理の問題がない。乾式の中でもイオンプレーティングは特に低い表面粗さを有する型を与えることができる。形成されるメツキ層の厚さが約 1 0 0 mを越えると、原盤集合体 3 Sの凹凸は表面に現れなくなる。即ち、外から見た場合、メツキ層の表面は平坦になっている。メツキ層の厚さが約 2 0 0〜約 6 0 0〃m (— 般には約 2 5 0〜約 3 0 0〃 m ) になったら、メツキを止める。ファザ —集合体 4 Sが完成する。

ファザ一集合体 4 Sは完成した直後は、原盤集合体 3 Sの上に付着しているので、ファザ一集合体 4 Sを原盤集合体 3 Sから剥がす。ファザ —集合体 4 Sは上述のとおり薄い金属膜の状態なので、剥がすのに注意を要する。剥がした後、ファザ一集合体 4 S表面にレジスト、プライマ一その他の汚れが付着している可能性があるので、ファザ一集合体 4 S を洗浄する。洗浄には、 ① 機溶剤や超純水を用いた湿式洗浄ゃ②アツシング、プラズマ処理、 U V照射、オゾン洗浄等の乾式洗浄がある。なお、ここまでのプロセスは、米国特許 5,673,250号（対応日本特許：特開平 8— 2 2 6 2 1号公報）の第 1 1欄第 5 6行〜第 1 2欄第 3 9行及び F I G . 9 にもいくらか説明されている。

製造されたファザ一集合体は、個々のファザ一スタンパーに分離し、それそれをファザ一スタンパーとして使用することもできるし、そのまま、後述のマザ一集合体を製造するために使用することもできる。

〔マザ一集合体の製造方法〕

従来のマザ一 5は、図 3の（ 1— 5 ) に示すマザースタンパ一 5 と呼ばれるものでニッケル製である。本発明におけるマザ一集合体 9 Sは樹脂製で、その元になるマザ一（樹脂製の第 2複製）は、先願発明に使用されたものである。先願発明のマザ一 9は、図 3の（ 2 — 5 ) に示されるように、基板 8 とその上の凹凸樹脂 7からなる。本発明のマザ一集合体 9 Sは、このマザ一 9 を複数個連結したものである。

簡単に言えば、マザ一集合体 9 Sは、次のように作られる。この製造方法は、先願発明においてマザ一 9 を製造する方法と基本的に同じである。すなわち、（ 4— 5 ) に示すように、前記ファザ一集合体 4 Sの凹凸面に柔らかい樹脂 7を押し付け、その後、透明体の基板 8を通して紫外線を照射する等により、樹脂 7を固化（harden ) または硬化（cure ) させる。固化または硬化した樹脂はファザー集合体 4 Sの凹凸を転写している。その後、ファザ一集合体 4 Sから剥がす。剥がされた樹脂がマザ —集合体 9 Sである。即ち、マザ一集合体 9 Sは樹脂製の第 2複製である。これが本発明の特徴の一つである。この点で、従来技術の金属製のマザ一と異なる。

さらに、従来技術と大きく異なる点は、 1つのファザ一集合体 4 Sからマザ一集合体 9 Sを製造した後、ファザ一集合体 4 Sは繰り返し何度でも再使用可能なことである。従来技術では、ファザ一はせいぜい 3回再使用できるに過ぎない。本発明であれば、 10000回以上再使用できることが確認されている。さらに異なる点は、ファザ一集合体 4 Sから製造される複数のマザ一集合体 9力マザ一集合体 9間で比較して個体差がない。つまり、それらのマザ一集合体 9は、全く同一物（クロ一ン）であることである。そのため、それそれのマザ一を使って、それそれ金属製のサン（第 3複製）を製造した場合、得られたサン 6は互いにクロ —ンになる。

ファザ一柒合休 4 に押しっける時の樹脂は、転写性の高 Lゝ樹脂が好ましい。粘度が低いものや流動性が高いものは転写性が一般に高い。粘度を低くするには、 ①加熱して軟化させる方法がある。この場合は樹脂を冷やせば、固化する。あるいは、 ②樹脂に溶剤を混ぜてもよい。この場合は、溶剤を揮発させれば、樹脂は固化する。また、 ③低分子量の樹脂またはプレポリマー（prepolymer)または樹脂原料は、低粘度である。極端には、液体状である。これらに溶剤を混ぜてもよい。溶剤を混ぜれば、さらに低粘度になる。この場合には、マザ一集合体 9 Sの表面でそれらの高分子化（例えば硬化 cure ) を進めれば、固体の樹脂（高分子量の樹脂）が生成する。生成した樹脂ファザ一集合体 4 Sの凹凸を転写している。

樹脂の粘度を低くする方法としては、特に③の方法が好ましい。 ③の方法を用いた場合、高分子化を進める手段は、（a) 加熱または（b) 放射線照射である。あるいは、（c) 2つの樹脂液を混合し、放置するだけで互いに反応し高分子化する手段もある。放射線としては、イオンビーム、電子線、紫外線、遠紫外線、レーザ一光線、 X線、シンクロトロン放射線等が挙げられる。なかでも、紫外線が取扱いやすいだろう。

以下、マザー桀合体 9 Sを製造するのに好ましい方法を説明する。図 1の（ 3— 4 ) の場合を除き、ファザ一集合体 4 Sが薄い（一般に 2 5 0〜 3 0 0 〃m程度）ため、平面性が悪い。そこで、まずファザー集合体 4 Sを平面性の高い基板で裏打ちすることが好ましい。基板は金属またはガラスである。金属としては、例えば、鉄、銅、真鍮、アルミニゥム、ステンレス、 'ί銅等がある。基板の厚さは 1 〜 2 0 m m程度である。基板は接着剤でファザ一に接着する。

ファザ一集合体 4 Sの凹凸面を上に向けて置く。そして、上から低粘度の放射線硬化可能な樹脂液 7 を垂らす。泡が入らないように樹脂液の上に透明板（一般にガラス板） 8を置く。透明板 8を通じて放射線を照射して樹脂を硬化させる。図 1の（2— 4 ) や（3— 5 ) 、図 2の（4— 5 ) 、図 3の〔 2 — 4〕がこの状態を示す。硬化した樹脂 7を透明板 8 と共にファザ一集合体 4 Sから剥離する。こうして硬化樹脂 7 と透明板 8の 2 層からなるマザ一集合体 9 Sが得られる。

透明板 8 としてのガラス板の厚さは、 0 . 6 m m以上、好ましくは約 4 m m〜約 1 0 m mである。ガラス板の表面粗さは、原盤の基板（ 1 ) に比べて低くてよい。表面粗さ R aは 5 n m ~ 1〃mでよい。ガラス板に代えて、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリオレフイン、ァクリル樹脂等の樹脂も使用可能である。

ガラス板を使用する場合、あらかじめ洗浄を行った後、樹脂との接着性を向上させる第 3プライマーを塗布してもよい。塗布した後、加熱 bakeすることが好ましい。第 3プライマーは例えばシランカップリング剤等である。

シランカップリング剤としては、例えばビニルシラン、ァクリルシラン、エポキシシラン、アミノシラン等がある。ビニルシランとしてはビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（ ?—メトキシェトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等があり、ァクリルシランとしては、ァ一メ夕クリロキシプロビルトリメトキシシラン等があり、エポキシシランとしては/?一（ 3， 4エポキシシクロへキシル）ェチルトリメトキシシラン、ァーグリシドキシプロビルトリメトキシシラン、ァ一グリシドキシプロビルトリメチルジェトキシシラン等があり、アミノシランとしては N— /? ( アミノエチル）ァ一ァミノプロピルトリメトキシシラン、 N — ( アミノエチル）ァ一ァミノプロピルメチルジメ卜キシシラン、ァ一ァミノプロピルトリエトキシシラン、 N—フエ二ル一ァ一ァミノプロビルトリメトキシシラン等がある。その他、ァ一メルカプトプロピル卜リメトキシシラン、アークロロプロビルトリメトキ P T JP 1

22 シシラン等も使用される。

その他のプライマ一の例は、シラン（例えば、クロロシラン、アルコキシシラン）ゃシラザンゃ特殊シリル化剤である。これらのプライマ一は 2種以上混合して使用してもよい。プライマーは、トルエン、キシレン、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール等の溶媒で希釈して使用してもよい。

マザ一の樹脂としては、例えば、以下のようなものが使用可能である。大別すると（A ) 熱可塑性樹脂と（ B ) 熱硬化性樹脂がある。

( A ) 熱可塑性樹脂：

ポリカーボネート、ポリスチレン、スチレン系ポリマーァロイ、ポリォレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、アモルファス · ポリオレフィン、ァクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレ— ト系）、ポリ塩化ビニール、熱可塑性ポリウレタン、ポリエステル、ナイロンなど。

( B ) 熱硬化性樹脂：

熱硬化性ポリウレタン、エポキシ樹脂、不飽和ァクリル樹脂、ァクリルウレタン樹脂、不飽和ポリエステル、ジエチレングリコールビスァリルカ一ボネート樹脂など。主成分として、ウレタン化ポリ（メタ）ァクリレートやポリカーボネートジ（メタ）ァクリレート、ァセ夕一ルグリコールジァクリレートを含む樹脂液を硬化させた樹脂も好ましい。

熱硬化性樹脂の場合は、ファザ一に接触させる時は低分子量の樹脂液が使用される。その樹脂液には、硬化触媒または硬化剤を含めてもよい。紫外線で硬化させる場合には、硬化触媒として、光^感剤が使川される。光増感剤の代表的なものとしてはァセ卜フエノン系、ベンゾィンアルキルェ一テル系、プロピオフエノン系、ケトン系、アントラキノン系、チォキサントン系が举げられる。複数種を混合して使用してもよい。特にケ卜ン系の 1 ーヒドロキシシク口へキシルフェニルケトン等が転写性能、離型性能、品質安定性の面で有用である。紫外線で硬化する樹脂は特に紫外線硬化型（curable)樹脂と呼ばれる。これらの樹脂はマザ一の材料として好ましい。

マザ一集合体 9 Sを剥離するとき、ファザ一集合体 4 Sや後述のサン集合体 6 Sに付着しない樹脂が好ましい。

後の電銪工程ゃィオンプレーティング工程における静電気対策のために、帯電防止剤を樹脂液に混合してもよい。あるいは、マザ一集合体 9 Sが完成した後に、薄い帯電防止層（例えば、 Pt層）を形成してもよい。このような対策は焼け焦げ、変形、剥離、ゴミ付着等の問題を防止する。また、マザ一集合体 9 Sの厚さをより均一にする上でも、これらの対策は有効である。

あらかじめ裏打ちがない場合、ファザー集合体 4 Sからマザ一集合体 9 Sを剥離する前に、ファザ一は薄いので、ファザ一集合体 4 Sを金属板で ¾打ちすることが好ましい。鉄、銅、真鍮、アルミニウム、ステンレス、青銅等の金属板をファザー粜合体 4 Sの裏面に接着する。そうすると、ファザー集合体 4 Sからマザ一集合体 9 Sを剥離しやすい。

剥離されたマザ一集合体 9 Sは、肌荒れがない。ファザ一集合体 4 S の表面粗さ R a が 1 0 n m以下の場合、マザ一集合体 9 Sの表面粗さ R a も 1 0 n m以下となる。ファザ一集合体 4 Sの表面粗さ R a が 1 n m 以下の場合には、マザ一集合体 9 Sの表面粗さ R a も 1 n m以下となる。これが本発明の特徴の一つである。

剥離された後のファザー集^体 4 Sは、びマザ一集合体 9 Sを製造するために繰り返し使用することができる。ある実施例ではファザ一集合体 4 Sは 1000 回使われた。本発明者の推測では、ファザ一集合体 4 Sは 10000回以上繰り返し使用することができる。これは、マザ一集合体 9 Sが樹脂でできているため、剁離時にファザー集合休 4 Sを損傷すること（特に肌を荒らすこと）がないためと推測される。損傷がないので、 10000回以上繰り返し使用されても、製造された 10000枚以上のマザ一は、互いに個体差のない（または個性が極めて似ている）。それ故、それらのマザ一はクローンに例えられよう。

したがって、高価なファザ一に比べれば、マザ一はずつと安価に速く製造される。

なお、図 2には、先願発明においてマザ一 9 を製造する過程が（ 2 — 4 )、（ 2 — 5 ) に示されているが、これは、すでに説明したマザ一集合体 9 Sを製造する過程と同じであるので説明を省略する。

〔サン集合体の製造方法〕

サン 6はファザ一 4 と同じく金属製である。サン集合体 6 Sは、複数個のサン 6が横方向に連なったものである。サン集合体 6 Sの製造方法は、ファザ一集合体 4 Sと同じである。図 2においては（ 4— 7 )、 ( 4 — 8 ) に示されている（先願発明の場合は（ 2 — 6 )、（ 2— 7 ) によりサン 6が製造される）。この場合、原盤集合体 3 Sに代えてマザ一集合体 9 Sが使用される。サン集合体 6 Sはマザ一集合体 9 Sをメツキすることにより製造される。ただし、マザ一集合体 9 Sの上にいきなり前述の導電化処理をしてメツキするのではなく、その前に、 1 〜 2 0 Aのフォトレジストを塗布してもよい。その後で導電化処理し、そしてメツキするのである。こうすると、表面粗さ R aおよびうねり W aが多少改良される。具体的な作製方法は、上述のファザ一 4またはファザ一集合体 4 Sの作製方法と同様なので、ここでは省略する。

サン集合休 6 Sはマザ一 ½合体 9 S上で作製するので、作製した後、マザー粜合休 9 Sから剥離する。剥離後、マザ一集合体 9 Sは 1 0 0回以上繰り返し使用可能である。

サン粜休 6 Sの平面性をめるために、 ①サン ίΐί合休 6 Sの剥離前または②剥離後に、サン集合体 6 Sの裏面を機械的に研磨する。 ③剥離後に研磨する場合は、サン集合体 6 Sの凹凸面を保護するため、マザ一集合体 9 Sから剥離後、サン集合体 6 Sの凹凸面に保護コートを施す。保護コートは、剥離可能型の保護塗料を塗布し、乾燥させることによつて形成される。

〔サンの製造方法〕

サン 6はサン集合体 6 Sから分離することにより得られる。一般にはサン 6をサン集合体 6 Sから機械的に外形を打ち抜くことにより分離される。一般には、個々のサン 6に分離された後、個々のサン 6の中心付近も機械的に打ち抜かれる。こうすることによりドーナツ状のサン 6が仕上がる。これでサン 6は出荷が可能となる。

本発明の特徴であるが、剥離後のサン 6の肌荒れが小さい。そのため、マザ一集合体 9 Sのマザ一 9の表面粗さ R aがで 1 0 n m以下の場合、サン 6の表面粗さ Ra も 1 0 nm以下となる。マザ一集合体 9 Sのマザ一 9の表面粗さが R aで 1 nm以下の場合、サン 6の表面粗さ Ra も 1 nm以下となる。本発明によれば、場合により、 Ra で 0. 5 nm以下 RM Sで 0. 3 nm以下の衷而粗さを有するサン 6も製造可能である。さらに、より良好な条件を選択すれば、 1 &で 0. 3 nm以下RM Sで 0. 2 nm以下または 0. 1 n m以下のサン 6も提供可能である。マザ一集合体 9 Sがクローンであることから、 1つのファザ一集合体 4 Sから製造されたサン 6もクローンである。極端に言えば、サン 6はファザ一 4 ともクローンの関係にある。したがって、高価なファザ一 4 またはファザー集合体 4 Sから多数の安価なサン 6が製造される。

なお、 R I Eで製造された原盤 IIを使用した場合、サンの肌荒れが少なく、特に高品質のサンが製造される。

〔識別〕上記説明のように多くのサンを区別するのは困難である。そこで、サンの所定位置に刻印してもよい。位置は、例えば信号領域がサンの半径 2 2 m m ~ 5 9 m mであれば、それ以外の部分例えば、半径 2 0 m m〜 2 1 m mの部分である。刻印は、単なる溝 groove や凹部またはピッ卜でもよい。刻印は、数字や記号でもよい。細かい凹部の集合により、目で見た場合、文字や数字、記号を表しているものが好ましい。刻印は、レーザー加工、ス夕ンビング加工、プレス加工によって行われる。また、刃物、やすり、研磨テープ等で直接サンに傷を付けることにより刻印してもよい。

刻印は、原盤やファザ一、マザ一に行ってもよい。

これらの刻印は成形基板に転写されるので、製造された成形基板を見れば、どの型が使用されたか判別でき、前記刻印は、成形基板の品質管理に利用することができる。

〔成形基板の成形〕

サン 6を用いて、サン表面の凹凸を転写する方法で、成形基板が製造成形される。成形方法には、射出、プレス、注型などがある。なかでも、射出成形法が高い生産性を持つ。成形基板の材質は、樹脂またはガラス特に低融点ガラスである。

成形基板に使用される樹脂は、一般に熱可塑性樹脂特に比較的硬い樹脂である。その例としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、スチレン系ポリマーァロイ、ァクリル樹脂例えば、ポリメチルメタクリレ一ト系、ポリ塩化ビニール、ポリエステル、ナイロン、エチレン一酢酸ビニール樹脂、アモルファス ' ポリオレフインなどがある。しかし、場合により熱硬化性樹)] ¾も使用可能である。その例としては、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリウレタン、不飽和ァクリル樹脂、不飽和ポリエステル、ジエチレングリコールビスァリルカーボネート樹脂などがある。樹脂基板の成形技術は先行技術と同じなので、これを省略する。

以下、本発明の実施例を示す。ここでは、 R aと W aの値は、 Wyko Corp . 社の" TOPO-SYSTEM" で測定した。

(実施例 1 )

本発明の第 1の実施例を、図 1 を用いて説明する。なお、図 1 には、比較のために先願発明によるス夕ンパーの製造過程をあわせて示しているが、図 2に示したものと同じであるので説明を省略する。

〔原盤 I〕

まず、基板材料として合成石英板を 1枚用意した。この板を外径 1 8 5 m m、内径 2 0 m m、厚み 6 m mのドーナツ状円板に加工し、基板 1 とした。その後、基板表面をそれそれ表面粗さ： R a = 1 n m以下に精密研磨した。洗浄後、基板表面に「プライマーとしてのへキサメチルジシラザン」とフォトレジストをこの順にスピンコートし、 1 0 0 °Cのクリーンオーブン内で 3 0分プリべ一クした。そして、厚さ約 2 0 0 n m のフォトレジスト層 2が基板 1上に形成された。

次にレーザ一カツティング装置を用いて、フォトレジスト 2を露光した。露光のパターンは、書き換え可能型 M Dミニディスクフォーマットに従って a ゥォヅブル（ wobble ) ガイド溝パターンおよび b T◦ C ( table of contents) ノ、。ターンとなるプリピット（prepits) である。トラックピッチは 1 . 6〃 m、溝幅は 1 . 2 〃 m、溝のゥォッブル振幅は約 3 0〜 4 0 n m、 T 0 Cパターンにおけるプリピット幅は約 0 . 4〃 mとした。

露光を終えたレジストを、それそれ無機アル力リ現像液 A Zデベロッパ一：へキスト社製で現像した。レジスト表而を、超純水を用いてスピン洗浄し、その後、 1 2 0 °Cのクリーンオーブンで 3 0分ポストべ一クした。これによりレジス卜ノ；ターンが形成された。このレジストパターンが原盤 I 3である。この様子は図 1の（ 3— 1 ) に示される。

レジスト層の厚さは、現像でやや薄くなり、約 6 5 n mであった。ここでは、フォトレジスト材料として「残存率が 9 5 %以上のもの」を使ったので、溝の側壁、ピット側壁及びビット前後エッジがいずれもシャープに形成された。そのため、ゥォッブル信号の再生が正確である。また、 C N Rの向上、クロスィレ一ズ（cross-erase) の減少及びクロストーク（cross-talk ) の減少がもたらされる。書き込み信号および読み取り信号のドロップアウトも少なくなつた。溝の底および側壁の表面粗さ、ピットの底及び側壁の表面粗さがそれそれ小さいため、ノイズが小さくなつた。

この実施の形態とは別に原盤 I 3を反応性ィオンエッチング R I E 装置内に入れ、ドライエッチングを行い、残ったレジストを除去し、洗浄すると、原盤 Π が得られるが、本形態では実施しない。原盤 II は石英基板 1 に直接にパターンが食刻されたものである。

〔ファザ一〕

原盤 I 3をスパッ夕リング装置にセットし、表面に厚さ約 5 0〜 7 0 n mの N i層導電層を付着（dep osition ) させ、これにより導電化処理を実施した。原盤 Iの凹凸が深い場合は、 R F放電下でスパッ夕リングすることが好ましい。 R F放電下では、原盤 Iの帯電による悪影響例えばスパッタリング速度ムラを受けにくくなる。そこで本形態では、 R F 放電電力： 4 0 0 W下でスパッタリングを実施した。ここで、導電層の層が厚くなると、後工程で成膜するメツキ層が剥がれる場合があるため、 Ni層導電層の厚さを 1 0 n m〜 4 0 n m程度に薄くする。次に原盤 I をスルフアミン酸ニッケルを溶かしたメッキ浴に入れた。浴の温度は約 4 5〜 5 5 °Cにした。そして、通電することにより N i電歸を [¾!始した。始時は、電流密度を低くし、徐々に電流密度を上げた。電銪は、得られた Ni メツキ層つまりファザ一 4の厚さが 2 9 3〃mになったとき止めた。この様子は図 1の（ 3— 2 ) に示される。

次に、ファザ一 4を原盤 I 3から剥した。剥したファザ一は図 1の（ 3 一 3 ) に示される。このときファザ一 4の表面粗さ R aは 1 n m以下であった。

次に、ファザ一 4の凹凸面に保護塗料として商品名：クリンコート S ファインケミカルジャパン社製をスピンコート法により塗布した。塗布した後、塗膜を約 1 0時間自然乾燥させた。これにより凹凸面は保護コー卜で覆われた。

凹凸面が保護されたファザ一の裏面を研磨した後、その内径と外径を打ち抜いて落とした。こうして、ドーナツ状のファザ一 4が仕上がった。

この工程では、電銃の準備を開始してから仕上げまでに約 4時間を要した。

〔ファザー集合体〕

ファザ一 4を A B C 3枚用意し、これらを図 4に示すように横方向に迚結して 2 5 0 m mのステンレス基板 1 2の上にエポキシ接着剤で接着した。これによりファザー粜合体 4 Sが得られる。基板 1 2を使用することで、ファザ一の平面性が向上する効果もある。なお、図 1 においては、簡略化のために、ファザ一集合体 4 Sとして 2つのファサーのみを図示している。

〔マザ一集合体〕

紫外線硬化型樹脂液を川意する。この樹脂液は、

①化学構造式 1のァセタールグリコールジァクリレートを 7 0部、

②化学構造式 2 と化学構造式 3の混合物であるウレ夕ンァクリレー卜を 3 0部、そして、

③ 1 ーヒドロキシシクロへキシシクロへキシルフェニルケトン商品名：ィルガキュア一 1 8 4 ；チバ · ガイギ一株製を 3部

混合することで調製された。

化学構造式 1

CH₂ ―

Riは Hまたは CH3

R₂は CH₃または C₂Hs

化学構造式 2

0 0 o ' o o o

I! II i! M II

CHcCH COCH₂CH₂OC NH_R₃—NH C 0 - R「0 C NH~R「 NH C OC H₂CH₂0 C CH二 CH₂

R₃は CHi

化学構造式 3 0 0 0 0 0 0

II II II II II II

CHcCH C OC ¾ C H₂0 C NH— R₃—NH C 0— R₅— 0 C N R₃— NH C OC H₂CH₂0 C CH二 CH2

R₆は ― CH₂ CH₂ CH₂ CH2O -(— CH₂ CH₂ CH₂ CH₂0 "— CH₂ CH₂ CH₂ CH₂

20

樹脂液としては、熱や光の吸収特性、離型性、耐光性、耐久性、硬度を考えると、色数 A P HAが 3 0〜 5 0、屈折率が 2 5 °Cで 1. 4〜： L . 8程度のものが好ましい。本実施の形態では、離型性及び後の電銪を複数回数行うことを考えて、色数 4 0、屈折率 1. 4 7〜 1. 4 8の樹脂液を用いた。

樹脂液の比重は、 2 5 °Cで 0. 8〜 1. 3程度、粘度は 2 5 °Cで 1 0 〜 4 8 0 0 C P S程度のものが転写性の点で好ましい。本実施の形態では、マザ一の複製時間の短縮化および混入する泡の低減を目的として、比重が 1. 0 8程度、粘度が 4 5 0 0〜 4 7 8 0 C P S程度の樹脂液を用いた。

粘度は、低分子の成分を fflいることで可能である。つまり、ウレ夕ンァクリレート化学構造式 2および 3の分子量は、 1 0 0 0〜 2 0 0 0 程度と大きいので、別の低分子量の成分を月]いれば粘度を低くすることができる。

また、別に、外径 2 5 0 m m、内径 1 0 mm, み 6 m mの青板ガラス円板を用意した。そして、円板を洗浄し、表面にプライマーであるシランカップリング剤塗布した。シランカップリング剤は、ァ一メタクリロキシプロビルトリメトキシシランを溶媒トルエンに溶かして、 2 %程度の溶液としたものである。塗布法はスピンシャワー法である。塗布後、 1 2 0 °Cでべ一ク bake した。

そして、凹凸面を上にしたファザ一集合体 4 Sの上に前記樹脂液 7を垂らし、上から前記ガラス円板 8を押しつけ、樹脂液 7を円板 8 とファザ一集合体 4 Sで挟みこんだ。このとき、樹脂液 7に泡が入らないように注意した。さらにガラス円板 8を加圧して粘稠な樹脂液 7をファザ一集合体 4 Sの表面全体に均一に押し拡げた。

ガラス円板 8を通して、樹脂液 7に水銀ランプからの紫外線を 5〜 6 0秒程照射する。これにより樹脂液は硬化し硬い樹脂層 7が生成した。ここでは樹脂層 7 とガラス円板 8の 2層構造物がマザ一集合体 9 Sである。この様子は図 1の（ 3— 5 ) に示される。

次にマザ一集合体 9 Sをファザ一集合体 4 Sから剥離した。剥離は両者を損傷しないように注意深く実施した。マザ一集合体 9 Sのマザ一 9 表面組さ R aも、 l n m以下であった。

剥離した後に残されたファザ一集合体 4 Sは、損傷していないので繰り返し使用可能である。驚くべきことに、ファザ一集合体 4 Sには樹脂が付着しておらず、残存樹脂の除去は不要であった。そこで、再び、そのままファザ一集合体 4 Sを使用してマザ一集合体 9 Sを製造した。ファザ一集合体 4 Sは繰り返し 1000回も使用可能である。

〔サン集合体〕

マザ一集合体 9 Sからサン集合体 6 Sを電銪した。電銪方法は、上記のファザ一集合体 4 S と同じである。ただし、原盤 3の代わりにマザ一集合体 9 Sを使用する。図 1の（ 3— 7 ) に示すように、製造直後は、サン集合体 6 Sはマザ一集合体 9 Sの上にある。そこで、サン集合体 6 Sをマザ一集合体 9 Sから剥離すると、図 1の（ 3 — 8 ) に示す自由なサン集合体 6 Sが得られる。

サン集合体 6 Sを剥した後のマザ一集合体 9 Sは、損傷しておらず、マザ一集合体 9 Sは 1 0 0回以上繰り返し使用可能であった。驚くべきことに、サン集合体 6 Sには樹脂が付着しておらず、残存樹脂の除去は不要であった。

〔サン〕

サン集合体 6 Sを大まかに 3枚のサン 6に切り離した。得られた各サンの凹凸面に保護コートを施した後、裏面を研磨して、均一な厚さを得た。そして、サンの内径と外径を打ち抜き、仕上げた。こうしてサン 6 が完成した。各サン 6の平均の膜厚は 2 9 3〃mで、膜厚のばらつきは ± 5〃m以内であり均一であった。サン 6の表面粗さ R aおよびうねり W aはそれそれ 1 n m以下であつた。

得られた各サン 6をそれそれ順に「専用の再生装置」にセットして、その再生信号をチェックした。信号の種類は、トラッキング信号、ノィズ、ゥォブル信号、アドレス信号、欠陥数である。その結果、信号の品質は、ファザ一 4からの再生信号と同等であった。各サン 6からの再生信号も互いに同等であった。

本実施の形態によれば、一度の電銪で 3枚のサン 6を製造することができ、後の分離工程を考えても、 3枚のサンを得るのに単時間で済み、昨今のスピ一ド経営の時代にマッチしている。

3枚のサンについて、それそれ射出成形機にセットし、試みに樹脂製の成形基板を成形した。成形条件は変えずに成形することができた。そのため、 3枚のサンは個体差がなくクローンと呼ぶことができる。

(実施例 2 ) 以下、本発明の第 1の実施例を、図 2 を用いて説明する。

〔原盤 I〕

第 1の発明の実施の形態と同じ方法で 3枚の原盤 I 3を用意した（（ 4 — 1 ) には簡略化のため 2枚のみ表示、以下同じ）。

〔原盤集合体〕

3枚の原盤 I を大きなガラス基板 1 1の上に横方向に連結して接着することにより、原盤集合体 3 Sを製作した（ 4— 2 )。

〔ファサー集合体〕

原盤 Iの代わりに原盤集合体 3 Sを用い、実施例 1の〔ファザ一〕と同様にして、ファザ一集合体 4 Sを電錶した（ 4— 3 )。

原盤集合体 3 Sからファザ一集合体 4 Sを剥がした（ 4— 4 ) 後、ァセトン等の有機溶剤で表面の残留レジストを洗い落とした。その後、ファザ一集合体をスピン洗浄した。ファザ一集合体の凹凸面に商品名：シリテク卜 SILITECTO エース産業 ACE INDUSTRIALS Co.社製をスピンコートした。こうして保護されたファザ一集合体 4 S裏面を研磨した。

これらのファザー集合体 4 Sの裏面に実施例 1 と同様にステンレス基板を接着した不図示。

〔マザ一集合体〕

実施例 1 と同様にファザ一集合体 4 Sから樹脂製マザ一集合体 9 Sを製造複製した（ 4— 5、 4— 6 )。マザ一集合体 9 Sを剥離した後のファザ一集合体 4 Sには損傷がなかった。驚くべきことに、ファザー集合体 4 Sには樹脂が付着しておらず、残存樹脂の除去は不要であった。そこで、そのまま、ファザ一集合体 4 Sを繰り返し使用することができる。繰り返しは 1000回位可能である。

〔サン集合体〕第 1の実施の形態と同様に樹脂製マザ一集合体 9 Sからサン集合体 6 Sを製造複製した（ 4一 7、 4 _ 8 )。サン集合体 6 Sを剥離した後のマザ一集合体 9 Sに損傷はなかった。驚くべきことに、サン集合体 6 Sには樹脂が付着しておらず、残存樹脂の除去は不要であった。マザ一集合体 9 Sは 1 0回位繰り返し使用することができる。

〔サン〕

サン集合体 6 Sから外形を打ち抜くことにより、 3枚のサン 6を入手した（ 4— 9 )。その後、内径も打ち抜き、内径 3 4 mm、外径 1 3 8 m mのドーナツ状のサン 6を得た。各サン 6の膜厚は、 3 04〃mで、膜厚は均一であった。各サン 6の表面粗さ R aおよびうねり Waはそれぞれ 1 nm以下であつた。

(実施例 3 )

射出成形機として、住友重機械工業株式会社 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. 製の商品名「 S D 3 0」を用意した。

成形基板用の樹脂として、帝人株式会社製のポリカーボネート ' 商品名「AD 5 5 0 3」を用意し、上記成形機のホッパーに供給しセットした。

実施例 1で作製したサンを上記成形機に取りつけ、金型温度を 1 2 5 °C、樹脂温度を 3 4 0 °C、射出圧力を 3 0 t、サイクルタイムを 1 2 秒の成形条件で樹脂基板を成形した。基板の厚さは 0. 6 mmである。その結果、 2時間で 6 0 0枚の成形基板 ø二 1 2 0 mmが製造された。産業上の利用可能性

本究明に係るスタンパ一は、微細な凹凸を持つ成形基板（樹脂製または場合によりガラス製）の成形（例えば、射出成形、プレス成形）に使用される。また、本 ¾明に係る成形¾板は、光ディスク、磁気ディスクまたはハードディスクその他の用途に使用される。

Claims

請求の範囲

1 . 横方向に連なった複数の原盤からなる原盤集合体を用意する準備ェ程、前記原盤集合体上に電錶することにより横方向に連なった複数のファザースタンパーからなるファザ一集合体を製造する電錶工程、および前記集合体を個々のファザースタンパ一に分離する分離工程とを有してなることを特徴とするファザ一スタンパーの製造方法。

2 . 横方向に連なった複数の原盤からなる原盤集合体を用意する準備ェ程、前記原盤集合体上に電銪することにより横方向に連なった複数のファザ一スタンパ一からなるファザ一集合体を製造する電錶工程、前記ファザ一集合体に樹脂を押しつけることにより凹凸の反転した樹脂製マザ一集合体を成形する成形工程、前記マザ一集合体に電錶することにより横方向に連なった複数のサンスタンパ一からなるサン集合体を製造する電銪工程、および前記サン集合体を個々のサンス夕ンパーに分離する分離工程とを有してなることを特徴とするサンスタンパーの製造方法である。

3 . 請求の範囲第 1項又は第 2項に記載のス夕ンパ一の製造方法であつて、前記原盤が円板状で情報記録媒体用のものであることを特徴とするス夕ンパーの製造方法である。

4 . 同一基板上に載置された複数のファザ一スタンパーからなるファザ一集合体を用意する準備工程、前記ファザ一集合体に樹脂を押しつけることにより凹凸の反転した樹脂製マザ一集合体を成形する成形工程、前記マザー粜合体に電铸することにより横方向に連なつた複数のサンス夕ンパーからなるサン集合体を製造する電銪工程、および前記サン集合体を個々のサンスタンパーに分離する分離工程とを有してなることを特徴とするサンスタンパーの製造方法。

5 . 請求項 4に記載のサンスタンパーの製造方法であって、前記ファザース夕ンパーが円板状で情報記録媒体用のものであることを特徴とするサンスタンパーの製造方法である。

6 . ( A )横方向に連なった複数の原盤からなる原盤集合体を用意する準備工程、前記原盤集合体上に電錡することにより横方向に連なった複数のファザ一ス夕ンパーからなるファザー集合体を製造する電錶工程、前記ファザ一集合体に樹脂を押しつけることにより凹凸の反転した樹脂製マザ一集合体を成形する成形工程、前記マザ一集合体に電錶することにより横方向に連なった複数のサンスタンパーからなるサン集合体を製造する電錶工程、によってサン集合体を製造し、

( B ) その後、得られたサン集合体を前記（A ) の工程におけるファザ一集合体の代わりに用いて（A ) の工程を得て、さらにサン集合体を製造し、

を有してなることを特徴とするサンス夕ンパーの製造方法。

7 . ( A )同一基板上に載置された複数のファザ一スタンパーからなるファザ一集合体を用意する準備工程、前記ファザ一集合体に樹脂を押しつけることにより凹凸の反転した樹脂製マザ一集合体を成形する成形工程. 前記マザ一集合体に電銪することにより横方向に連なった複数のサンスタンパ一からなるサン集合体を製造する電銬工程、によってサン集合体を製造し、

( C )必要に応じて（ B ) の工程を繰り返した後、前記サン集合体を個々のサンス夕ンパーに分離する分離工程

を有してなることを特徴とするサンスタンパーの製造方法である。

8 . 請求の範囲第 1項から第 7項のうちいずれか 1項に記載のスタンパ一の製造方法で製造されたファザース夕ンパーまたはサンスタンパーを用いて、樹脂又はガラスを射出成形またはプレス成形することにより、樹脂製又はガラス製の成形基板を製造することを特徴とする成型基板の製造方法。