WO2000073773A1 - Appareil de diffraction a rayons x combinatoire - Google Patents

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WO2000073773A1
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Masashi Kawasaki
Kazuhiko Omote
Tetsuo Kikuchi
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Definitions

  • the present invention relates to a combinatorial X-ray diffractometer, and more particularly to an X-ray diffractometer for evaluating a combinatorial epitaxy thin film that can simultaneously measure one row of a plurality of samples arranged in a matrix by X-ray diffraction.
  • FIG. 1 is a diagram showing the principle of combinatorial chemistry. For example, a method called parallel synthesis will be briefly described.
  • Fig. 1 (a) a large number of reaction vessels are prepared, and substances and their concentrations differing in each row and column are reacted simultaneously, as shown in Fig. 1 (b). As shown, many systematically different combinations can be obtained simultaneously. In other words, if this method is used, material search can be performed much more efficiently compared to a method in which each combination is generated separately. Also, the fact that many combinations can be tried under the same conditions is an extremely excellent point in that other manufacturing conditions can be adjusted.
  • a thin film material in which the composition of the two elements is gradually changed can be produced on one substrate.
  • Three targets, Z no. 90, are prepared, and the amount of each deposited is controlled by a mask to change the composition X and y. Zn, -x - y0 thin films can be made on one substrate. It is also possible to make superlattices with different lamination periods.
  • the evaluation method using a conventional X-ray diffractometer presupposes that the region irradiated with X-rays has a uniform structure. Therefore, when the composition and structure are changing one after another in a narrow area, it is necessary to limit the irradiation of the X-ray beam only to the area having a uniform structure.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a combinatorial method capable of using X-rays from an X-ray source as efficiently as possible and performing quick and accurate measurement and evaluation of an epitaxial thin film disposed at many different positions. It is intended to provide an X-ray diffraction device.
  • an X-ray source that emits X-rays from a point focus
  • a curved monochromator that splits and reflects the X-rays emitted from the X-ray source
  • a curved monochromator A slit arranged to define the X-rays reflected by the slit in the measurement area, a knife slit defining only a desired range of X-rays passing through the slit, and a knife edge slit X-rays regulated by Mounting a combinatorial epitaxial thin film, a two-dimensional detector for receiving diffracted X-rays reflected from the epitaxial thin film held by the epitaxial thin film holding portion, and a holding portion for the epitaxial thin film
  • a goniometer having a ⁇ -axis and a two-axis mounting a detector for receiving the diffraction X-rays, a moving device capable of moving a position at which the
  • an X-ray source that emits X-rays from a linear focus
  • a curved monochromator that monochromatically reflects the X-rays emitted from the X-ray source
  • a curved monochromator A slit arranged to delineate the X-rays reflected by the slit in the measurement area, a knife edge slit delimiting only a desired range of the X-rays passing through the slit, and a knife edge slit delineating the knife edge slit
  • a two-dimensional detector for receiving the diffracted X-rays reflected from the epitaxy thin film held in the A goniometer having a 20-axis mounting a detector
  • a cell array of at least two or more cells of an epitaxy thin film formed in a matrix by a combinatorial method Simultaneously receive the diffracted X-rays diffracted by the X-ray detector, measure the positional information in the direction of the diffraction angle 0 and the direction orthogonal to it, and calculate the diffracted X-ray intensity of each pixel of the 2D detector in each cell of the epitaxy thin film The integration is performed for each cell, and the diffraction X-ray intensity from each cell is obtained separately.
  • the X-ray diffraction data obtained by the combinatorial X-ray diffractometer according to (8) or (9) above can be used as it is or as X-ray intensity correction, knock ground removal correction, peak intensity calculation, peak position calculation, It has a function to calculate the half width and store or display it as diffraction X-rays from each cell.
  • FIG. 1 is a diagram showing the principle of combinatorial chemistry.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view of an X-ray diffractometer showing an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a view showing an arrangement of parts of an X-ray diffraction apparatus showing an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of an X-ray diffractometer showing an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram of a movement of a sample stage of an X-ray diffraction apparatus showing an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a view showing a process of irradiating a combinatorial sample with an X-ray diffractometer showing an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of a data processing method for evaluating a sample using the X-ray diffraction apparatus of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing an anti Izo (Part 1) of the superlattice of the first experimental example of the present invention (S r T i 0 3 / B a T i 0 3).
  • FIG. 9 is a view showing a profile of the X-ray intensity in FIG.
  • First 0 is a diagram showing a reflection image of the superlattice of the first experimental example of the present invention (S r T i 0 3 / B a T i 0 3) ( Part 2).
  • FIG. 11 is a diagram showing a profile of the X-ray intensity in FIG.
  • FIG. 12 is a diagram showing a 100 reflection image (No. 1) of the first experimental example of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram showing a profile of the X-ray intensity in FIG.
  • FIG. 14 is a diagram showing a 100 reflection image (No. 2) of the first experimental example of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram showing a profile of the X-ray intensity in FIG.
  • FIG. 16 is a diagram showing an image of the sample of FIG. 14 taken upside down.
  • FIG. 17 is a diagram showing a reflection image of ZnOO 02 in the second experimental example of the present invention.
  • FIG. 18 is a view showing a profile of the X-ray intensity in FIG.
  • FIG. 19 is a view showing a reflected image of 06 on the sapphire substrate of the third experimental example of the present invention.
  • FIG. 20 is a diagram showing a profile of the X-ray intensity in FIG.
  • FIG. 21 is a view showing a profile showing the results of measuring the Z ⁇ ⁇ film thickness for each independent cell with a film thickness meter.
  • FIG. 22 is a schematic view of an X-ray diffraction apparatus using the point light source of the present invention.
  • FIG. 23 is a schematic view of an X-ray diffractometer using the line light source of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view of an X-ray diffraction apparatus showing an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a view showing the arrangement of its components
  • FIG. 4 is a schematic plan view of the X-ray diffraction apparatus
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of movement of a sample stage of the X-ray diffraction apparatus.
  • 1 is an X-ray source that emits divergent X-rays
  • 2 is a monochromator having a curved crystal
  • 3 is an X-ray irradiation area limiting slit
  • 5 is a ( ⁇ 20) goniometer.
  • the goniometer 5 has a sample rotating shaft 5 mm on which the sample 4 and the sample stage 9 are mounted, and a two-dimensional detector shaft 5 B to which a 20-counter arm 5 C provided with a two-dimensional detector at the tip is fixed.
  • a plurality of the samples (epitaxial thin films) 4 are arranged at different positions in a matrix.
  • 6 is a knife slit arranged so that only one row of the matrix sample 4 is irradiated with X-rays
  • 7 is a two-dimensional detector (for example, IP: imaging plate or CCD camera)
  • 8 is This is a sample position setting device.
  • the movement of the sample stage 9 of the X-ray diffractometer is parallel movement in the X and Y directions, parallel movement axis in the sample thickness direction Z, and in-plane rotation of the sample.
  • the operation of the X-ray diffraction device of the present invention will be described.
  • monochromatization is performed using a monochromator 2 composed of a J 0 hanss 0 n-type curved crystal.
  • the divergence angle can be increased to about 4 °.
  • the X-ray beam size at the sample 4 position is determined by the X-ray f 0 cussize and the processing accuracy of the Johansson-type curved crystal, and can be reduced to about 0.1 to 0.2 mm.
  • the curved crystal is not limited to the J 0 hanss 0 n type, but it is possible to use the J ohann type.
  • the beam size can be further reduced by the knife edge slit 6 disposed immediately before the sample 4.
  • the knife edge slit 6 has an effect of reducing the background caused by scattered radiation.
  • the X-ray diffracted by one row of the sample 4 detects a plurality of samples in a different row of a two-dimensional detector (imaging plate) 7 according to each scattering angle.
  • a plurality of samples 10 arranged in a matrix form are initially arranged in a matrix form as shown in FIG. 6 (b). Only the plurality of samples 11 in the first row of the plurality of samples 10 are subjected to X-ray diffraction at one time.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of a data processing method for evaluating a sample using the X-ray diffraction apparatus of the present invention.
  • 10 is a plurality of samples arranged in a matrix
  • 11 is a plurality of samples in the first column (a plurality of samples in row X)
  • 12 is a plurality of samples in the row X 2
  • 1 3 is multiple samples in X 3 rows
  • 14 is multiple samples in X 4 rows
  • 15 is 2D detector
  • 20 is information processing unit
  • 21 is CPU (central processing unit)
  • 2, 2, 2 5, 2 and 6 are interfaces (I / F)
  • 23 is a storage device
  • 2 is an editing device
  • 27 is a display device.
  • the storage device 23 includes a ROM in which a program is stored in advance and a RAM in which data generated as needed is stored.
  • a plurality of samples in each row of a plurality of samples 10 arranged in a matrix are simultaneously subjected to X-ray diffraction. That is, at a certain time t, a plurality of samples 11 in the X, row are simultaneously X-ray diffracted as shown in FIG. 7 (a). Next, at time t z , the sample stage 9 is driven, and the position where the X-ray irradiates the sample is shown in FIG. 7 (b). Sea urchin to move to the X 2 line. As a result, a plurality of samples 12 in X 2 rows are simultaneously X-ray diffracted.
  • Figure 7 a plurality of samples 1 to 3 X 3 rows as shown in (c) is X-ray diffraction at the same time. Then, at time t 4, Figure 7 a plurality of samples 1 4 X 4 rows as shown in (d) is X-ray diffraction at the same time, is measured by the two-dimensional detector 1 5. Then, the collected measurement information from the two-dimensional detector 15 is taken into the information processing device 20. In other words, under the overall control of the CPU (central processing unit) 21, the information is fetched from the interface 22 in a time series to the storage device 23, and the information edited by the editing device 24 is displayed in a time series through the interface 26 via the display device 26. It can be displayed on 27.
  • the goniometer 5 is controlled via the interface 25.
  • the sample 4 mounted on the sample stage 9 is preset by the goniometer 5, and the position, posture, and location of the sample 4 (manually) are set by the sample position setting device 8 using the moving mechanism of the sample stage 9.
  • the two-dimensional detector 15 is accurately set by the two-dimensional detector axis 5B (step S1).
  • step S2 measurement is performed by X-ray diffraction of the X and row of the sample, measured by the two-dimensional detector 15, and the measured data is processed for information processing.
  • the data is loaded into the device 20 (step S2).
  • the sample is measured by X-ray diffraction for two rows, measured by the two-dimensional detector 15, and the measured data is taken into the information processing device 20 (step S4).
  • This combinatorial X-ray diffractometer can have the following functions.
  • the information processing device 20 has a function to normalize the X-ray intensity distribution and calculate the true X-ray diffraction intensity corresponding to each pixel. To have. In other words, the positional intensity distribution of the X-ray and the positional sensitivity distribution of the two-dimensional detector 15 are normalized, and the two-dimensionally collected diffraction) (the position of each pixel or block of pixels in the line X-ray intensity correction is performed.
  • the information processing device 20 automatically calculates the peak position, the peak intensity, and the half width from the profile data obtained in the above (4), and stores them in the storage device (RAM) 23.
  • the measurement conditions are as follows: 1 X-ray: CuKorl, 40 kV-30 mA, 0.1 mm mx 0.1 mm focus, 2 Monochromator: o Quartz (10 1) 3. , Off, Joann, type Convergence ⁇ 2 °, 3 Distance between X-ray source and monochromator: 240 mm, Distance between monochromator and sample: 153 mm, Camera length: 300 mm, 4 Exposure time: Kicking curve: 30 Seconds, 5Detector conditions: Blue IP (imaging plate) used, 50 m read, Rigaku / DS3.
  • FIG. 8 Figure showing a reflection image of the superlattice of the first experimental example of the present invention (S rT i 0 3 / B a T i 0 3) ( Part 1), FIG. 9 is the profile of the X-ray intensity, Figure 10 shows the Reflected image of the superlattice (S r T i 0 3 / B a T i 0 3) shows a (part 2), first FIG. 1 is a profiles of the X-ray intensity.
  • Fig. 8 ⁇ Fig. 9 and Fig. 10 * Fig. 11 is a diagram showing the mouthing curve near the 200 reflection, measured at different locations in the X direction shown in Fig. 6.
  • FIG. 16 is a diagram showing an image of the sample taken upside down.
  • the diffraction line image is bent due to the twist (orientation change) of the substrate crystal.
  • the direction of tilt was the same, indicating that the crystal was twisted.
  • the X-ray irradiation field on the sample was squeezed to measure the map.
  • the vertical twist is 0.2. Is over.
  • the appearance position of the peak of the superlattice differs depending on the period of the superlattice. Even in the same area, changes depending on the location can be seen.
  • the profile display is represented by the integral value of the adjacent 5 pixels. The location was almost in the center of the area, avoiding steps.
  • FIG. 17 is a diagram showing the reflection image of the Zn.sub.002
  • FIG. 18 is a profile of the X-ray intensity
  • FIG. Fig. 18 (b) shows a row of X-ray intensity aperture files from top to bottom of the reflected image.
  • the distance between the ZnO thin films corresponding to the stripe-shaped pixels is 0.8 mm
  • the width of the stripe is about 0.5 mm. This confirms that the resolution between pixels in this method is less than 0.5 mm.
  • the sapphire substrate of the third experimental example of the present invention which is a 01 substrate, will be described.
  • FIG. 19 is a diagram showing a reflection image of 06 on the sapphire substrate
  • FIG. 20 is a profile of the X-ray intensity thereof, showing a cross-sectional view of the reflection image taken along line A—A in FIG. ing. From this, it is confirmed that the substrate is a uniform single crystal without twist or the like.
  • FIG. 21 is a profile showing the results of measuring the film thickness of Zn 0 for each independent cell with a film thickness meter.
  • a stylus type film thickness meter a stylus type film thickness meter: Dektak 3 ST Surfaceprofiler (trade name) Model No. 173003-R, manufactured by Solantecnology Division, Inc.) was used.
  • Fig. 21 does not have the same correspondence as Fig. 17.
  • FIG. 18 (a) shows an X-ray diffraction intensity profile for the sixth cell from the top of the Zn0 thin film recorded on the two-dimensional detector shown in FIG.
  • FIG. 17 has information for 12 such profiles.
  • such a profile can be stored in the storage device 23 shown in FIG. The power of a profile, as many as 120, can take a lot of time just to display it and see it.
  • the film thickness of each pixel can be set in a table.
  • the peak half width has information on the crystallinity of the thin film sample, a table for evaluating the quality of the crystallinity can be created.
  • Fig. 22 shows a schematic view from the horizontal direction when a point (point) light source is used
  • Fig. 23 shows a case where a line (linear) light source is used.
  • a light source with high luminance can be used, and the apparatus configuration is simplified, but the tilt of the crystal (ti 1 t) If there is any disturbance, the measurement will not work.
  • the B r a g g angle increases, the effect of the vertical divergence of X-rays cannot be ignored.
  • 32 is a monometer having a curved product
  • 33 is a slit
  • 34 is a sample
  • 35 is a ( ⁇ / 20) goniometer
  • 36 is a two-dimensional detector.
  • an apparatus capable of measuring a sample using either light source can be provided.
  • the combinatorial X-ray diffractometer of the present invention is capable of rapidly and accurately measuring a row of a plurality of samples arranged in a matrix form simultaneously by X-ray diffraction, It is suitable as an apparatus for evaluating an epitaxial thin film.

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Description

明 細 書
コンビナ トリアル X線回折装置 技術分野
本発明は、 コンビナトリアル X線回折装置に係り、 特にマトリ ックス状に配置 される複数の試料の 1列を同時に X線回折によって測定可能なコンビナトリアル ェピタキシャル薄膜評価用 X線回折装置に関するものである。 背景技術
様々な元素 （元素 ·分子） を複合して新しい機能材料を作り出す場合、 最適な 組成や混合比を見つけだすことは容易なことではない。 特に、 成分元素数や分子 量が多くなつてくると、 それらの条件を少しずつ変えながら 1つ 1つ作って性質 を調べる従来の方法では、 天文学的な時間がかかってしまい非常に困難になる。 そこで提案されたのが、 可能性の高い領域を組織的にスクリ一ユングするコン ピナトリァルケミストリ一といわれるもので、 ポリぺプチドをはじめとする有機 新物質の合成効率を飛躍的に高める方法である。
第 1図はコンビナトリアルケミス トリーの原理を示す図である。 例えば、 パラ レル合成と呼ばれる方法を簡単に説明する。
まず、 第 1 ( a ) 図に示すように、 多数の反応容器を用意しておき、 各行及び 列にそれぞれ物質やその濃度の異なるものを入れ、 同時に反応させると、 第 1 ( b ) 図に示すように、 多数の系統的に異なる組み合わせのものが同時に得られ ることになる。 つまり、 この方法を使えば、 1つ 1つの組み合わせを別々に反応 生成させる方法に比して、 飛躍的に効率よく物質探索が行えることになる。 また、 多くの組み合わせを同一条件で試行できることも、 他の作製条件を揃えることが できる点で極めて優れている点である。
この方法を薄膜に応用すれば、 2つ元素の組成を徐々に変化させた薄膜物質を 1枚の基板上に作製することができる。 例えば、 Z n 0 , C 0 0. 1 Z n o. 9 〇， F e 0.！ Z n o. 9 0という 3つのターゲッ トを用意し、 マスクによってそれぞれ の蒸着量をコントロールすることにより、 組成 Xと yを変化させた F e X C 0 y Z n , - x- y 0薄膜を 1つの基板上に作ることができる。 また、 それぞれの積層周 期を変えた超格子を作ることも可能である。
このようにして作製された組成や積層周期の異なる薄膜の中で、 どれが有望な 組み合わせであるかをできるだけ効率的に評価することが次の重要なボイントに なる。
発明の開示
上述のようにして作製された組成や積層周期の異なる薄膜の結晶構造や格子定 数を評価することは非常に重要である。 しかし、 従来の X線回折装置を用いた評 価方法では、 X線が照射している領域は一様な構造を持つていることが前提とな つている。 したがって、 狭い領域で次々に組成や構造が変化している場合には、 一様な構造を持つている領域のみを X線ビームが照射するよう制限する必要があ る。
しかも、 作製された薄膜全体を評価しょうとすると多数回の測定が必要になり、 非常に時間がかかってしまう。 よって、 効率的に組成の異なる薄膜を 1つの基板 上に同時に作製できたとしても、 それを評価するのに多くの時間がかかってしま うので、 全体として効率的とは言えない。
そこで、 場所ごとに異なった構造のものをできるだけ速く評価できる X線回折 装置が求められる。
本発明は、 上記状況に鑑みて、 X線源からの X線をできるだけ効率的に利用し、 かつ多数の異なる位置に配置されるェビタキシャル薄膜を迅速かつ精密な測定と 評価を行うことができるコンビナトリアル X線回折装置を提供することを目的と する。
本発明は、 上記目的を達成するために、
〔 1〕 コンビナトリアル X線回折装置において、 点状焦点から X線を放射する X線源と、 この X線源から放射された X線を分光して反射する湾曲モノクロメー タと、 この湾曲モノクロメータにより反射された X線を測定領域に画するために 配置されるスリ ッ トと、 このスリ ツ トを通過した X線の所望範囲のみを画するナ ィフェツジスリ ツ トと、 このナイフエツジスリツ トにより規制された X線を照射 するためのコンビナトリアルエピタキシャル薄膜の保持部と、 前記ェピタキシャ ル薄膜の保持部に保持された前記ェピタキシャル薄膜から反射した回折 X線を受 ける 2次元検出器と、 前記ェピタキシャル薄膜の保持部を搭載する ω軸と前記回 折 X線を受ける検出器を搭載する 2 軸を有するゴニォメータと、 X線が前記ェ ピタキシャル薄膜を照射する位置を移勛可能な驱動装置と、 前記 2次元検出器か らの出力データを取り込み、 データ処理を行う情報処理装置と、 この情報処理装 置での処理結果を表示する表示機器とを具備するようにしたものである。
〔 2〕 コンビナトリアル X線回折装置において、 線状焦点から X線を放射する X線源と、 この X線源から放射された X線を単色化して反射する湾曲モノクロメ ータと、 この湾曲モノクロメータにより反射された X線を測定領域に画するため に配置されるスリ ッ 卜と、 このスリ ッ トを通過した X線の所望範囲のみを画する ナイフエッジスリ ッ トと、 このナイフエツジスリ ッ トにより規制された X線を照 射するためのコンビナ トリアルェビタキシャル薄膜の保持部と、 前記ナイフエツ ジスリッ トを通過後の X線に作用するソーラースリ ッ トと、 前記ェピタキシャル 薄膜の保持部に保持された前記ェピタキシャル薄膜から反射した回折 X線を受け る 2次元検出器と、 前記ェピタキシャル薄膜の保持部を搭載する ω軸と前記回折 X線を受ける検出器を搭載する 2 0軸を有するゴニォメータと、 X線が前記ェピ タキシャル薄膜を照射する位置を移動可能な,驱勛装置と、 前記 2次元検出器から の出力データを順次取り込みデータ処理を行う情報処理装置と、 この情報処理装 置での処理結果を表示する機器とを具備するようにしたものである。
〔 3 J 上記 〔 1〕 又は 〔 2〕 記載のコンビナトリアル X線回折装置において、 前記コンビナトリアルエピタキシャル薄膜は列方向に複数個のェピタキシャル薄 膜を配置するようにしたものである。
〔 4〕 上記 〔 1〕 から 〔 3〕 記載の何れか 1項に記載のコンビナトリアル X線 回折装置において、 コンビナトリアル法でマトリ ックス状に形成されたェビタキ シャル薄膜の少なくとも 2つ以上のセルによるセル列が、 回折条件を同時に満足 するように設定するようにしたものである。
〔 5〕 上記 〔 1〕 から 〔 4〕 記載の何れか 1項に記載のコンビナトリアル X線 回折装置において、 コンビナトリアル法でマトリ ックス状に形成されたェピタキ シャル薄膜の少なくとも 2つ以上のセルによるセル列を、 同時に受光できるよう に 2次元検出器を配置するようにしたものである。
〔 6〕 上記 〔 1〕 力、ら 〔 5〕 記載の何れか 1項に記載のコンビナトリアル X線 回折装置において、 コンビナ トリアル法でマトリ ックス状に形成されたェピタキ シャル薄膜の少なくとも 2つ以上のセル列を、 逐次回折条件を満足するように設 定しながら、 それぞれのセル列で回折された回折 X線を、 逐次受光できるように 2次元検出器を配置するようにしたものである。
〔 7〕 上記 〔 1〕 力、ら 〔 6〕 記載の何れか 1項に記載のコンビナトリアル X線 回折装置において、 X線の位置的強度分布および 2次元検出器の位置的感度分布 を規格化し、 2次元的に収集した回折 X線の各ピクセル、 あるいはピクセルのブ πックに対して、 位置的な X線強度補正を行うようにしたものである。
〔 8〕 上記 〔 1〕 から 〔 7〕 記載の何れか 1項に記載のコンビナトリアル X線 回折装置において、 コンビナトリアル法でマトリ ックス状に形成されたェピタキ シャル薄膜の少なくとも 2つ以上のセルによるセル列で回折された回折 X線を同 時に受光し、 回折角度 0方向とそれに直交する方向の位置情報を測定し、 2次元 検出器の各ピクセルの回折 X線強度を対応するェピタキシャル薄膜の各セル毎に 積分し、 各セルからの回折 X線強度を分離して得るようにしたものである。
〔 9〕 上記 〔 1〕 力、ら 〔 8〕 記載の何れか 1項に記載のコンビナトリアル X線 回折装置において、 コンビナトリアル法でマトリ ックス状に形成されたェピタキ シャル薄膜の少なくとも 2つ以上のセルによるセル列で回折された回折 X線を、 所望角度範囲に対して、 前記ゴニォメータ上のェピタキシャル薄膜および 2次元 検出器を移動して回折角度 の角度情報と連携した、 各セルからの回折 X線強度 を分離して得るようにしたものである。
〔 1 0〕 上記 〔 8〕 又は 〔 9〕 記載のコンビナトリアル X線回折装置で得た回 折 X線データを、 そのまま、 あるいは X線強度補正、 ノ ックグラウンド除去補正、 ピーク強度算出、 ピーク位置算出、 半値幅算出の演算をし、 各セルからの回折 X 線として、 格納、 あるいは表示する機能を有するようにしたものである。
〔 1 1〕 上記 〔 1 0〕 記載のコンビナトリアル X線回折装置で得た回折 X線デ —タを、 各セルからの回折 X線として、 データ処理、 格納、 あるいは表示を行う ことに加えて、 コンビナ トリアルのセル列、 又はマ トリ ックス条件との対比をし て、 データ処理、 格納、 表示、 あるいはデータ解折を行うようにしたものである。 図面の簡単な説明
第 1図は、 コンビナトリアルケミス トリーの原理を示す図である。
第 2図は、 本発明の実施例を示す X線回折装置の模式斜視図である。
第 3図は、 本発明の実施例を示す X線回折装置の部品の配置を示す図である。 第 4図は、 本発明の実施例を示す X線回折装置の模式平面図である。
第 5図は、 本発明の実施例を示す X線回折装置の試料ステージの移動について の説明図である。
第 6図は、 本発明の実施例を示す X線回折装置のコンビナトリアル試料の照射 過程を示す図で る。
第 7図は、 本発明の X線回折装置による試料の評価のためのデータ処理方法の 説明図である。
第 8図は、 本発明の第 1実験例の超格子 （S r T i 0 3 /B a T i 0 3 ) の反 射像 （その 1 ) を示す図である。
第 9図は、 第 8図における X線強度のプロフアイルを示す図である。
第 1 0図は、 本発明の第 1実験例の超格子 （S r T i 0 3 / B a T i 0 3 ) の 反射像 （その 2 ) を示す図である。
第 1 1図は、 第 1 0図における X線強度のプロファイルを示す図である。
第 1 2図は、 本発明の第 1実験例の 1 0 0反射反射像 （その 1 ) を示す図であ る。
第 1 3図は、 第 1 2図における X線強度のプロファイルを示す図である。
第 1 4図は、 本発明の第 1実験例の 1 0 0反射像 （その 2 ) を示す図である。 第 1 5図は、 第 1 4図における X線強度のプロファイルを示す図である。
第 1 6図は、 第 1 4図の試料の上下を逆にして撮影したイメージを示す図であ る。
第 1 7図は、 本発明の第 2実験例の Z n O O 0 2の反射像を示す図である。 第 1 8図は、 第 1 7図における X線強度のプロファイルを示す図である。 第 1 9図は、 本発明の第 3実験例のサファイア基板の 0 0 6の反射像を示す図 である。
第 2 0図は、 第 1 9図における X線強度のプロファイルを示す図である。
第 2 1図は、 Z η θ膜厚を独立したセル毎に膜厚計で測定した結果を示すプロ フアイルを示す図である。
第 2 2図は、 本発明のボイント光源を用いた X線回折装置の模式図である。 第 2 3図は、 本発明のライン光源を用いた X線回折装置の模式図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を図を参照しながら説明する。
第 2図は本発明の実施例を示す X線回折装置の模式斜視図、 第 3図はその部品 の配置を示す図、 第 4図はその X線回折装置の模式平面図、 第 5図はその X線回 折装置の試料ステージの移動についての説明図である。
これらの図において、 1は発散 X線を放射する X線源、 2は湾曲結晶を有する モノクロメータ、 3は X線照射領域制限スリ ッ ト、 5は （ωノ 2 0 ) ゴニオメ一 タであり、 このゴニォメータ 5は試料 4および試料ステージ 9を搭載する試料回 転軸 5 Αと、 先端部に 2次元検出器が設けられる 2 0カウンタアーム 5 Cが固定 される 2次元検出器軸 5 Bを有している。 その試料 （ェピタキシャル薄膜） 4は、 マトリ ックス状に位置を変えて複数配置される。 6はマトリックス状の試料 4の 1列のみに X線が照射されるように配置されるナィフェツジスリ ッ ト、 7は 2次 元検出器 （例えば、 I P ： イメージング ' プレートや C C Dカメ ラ） 、 8は試料 位置設定装置である。
なお、 X線回折装置の試料ステージ 9の移動は、 第 5図に示すように、 X及び Y方向への平行移動轴、 試料の厚さ方向 Zへの平行移動軸、 試料の面内回転蚰 ø、 およびチルト （ t i l t ) 方向蚰 χの合計 5軸が必要である。
このように構成することにより、 本発明によれば、 湾曲結晶からなるモノクロ メータ 2と 2次元検出器 Ίを組み合わせて数度の角度範囲の X線面折を行うこと により、 マトリ ックス状の複数の試料を同時に測定することができる。
次に、 本発明の X線回折装置の動作について説明する。 発散 x線を放射する X線源 1から出てきた発散 X線をできるだけ有効に利用す るため、 J 0 h a n s s 0 n型湾曲結晶からなるモノクロメータ 2を用いて単色 化する。 この場合、 発散角は 4 ° 程度まで広げることが可能である。 X線 f 0 c u s s i z eと J o h a n s s o n型湾曲結晶の加工精度によって試料 4位置 での X線ビームサイズは決まってくる力く、 0. 1〜0. 2 mm程度まで絞ること は可能である。 また、 湾曲結晶には J 0 h a n s s 0 n型に限らず、 J o h a n n型を使うことも可能である。
さらに、 試料 4直前に配置されたナイフエツジスリツ ト 6によってさらにビー ムサイズを絞ることもできる。 また、 このナイフエッジスリッ ト 6は散乱線によ るバックグラウンドを低減する効果を有している。 試料 4の 1列で回折した X線 は、 それぞれの散乱角に応じて、 2次元検出器 （ィメ一ジング ·プレート） 7の 異なる 1列の複数の試料が検出される。
例えば、 第 6 ( a ) 図に示すように、 マトリ ックス状に配置された複数の試料 1 0は、 第 6 ( b ) 図に示すように、 最初の時点では、 マトリ ックス状に配置さ れた複数の試料 1 0のうちの第 1列の複数の試料 1 1のみが 1度に X線回折され ることになる。
第 7図は本発明の X線回折装置による試料の評価のためのデータ処理方法の説 明図である。
この図において、 1 0はマトリ ックス状に配置された複数の試料、 1 1は第 1 列の複数の試料 （X, 行の複数の試料） 、 1 2は X2 行の複数の試料、 1 3は X 3 行の複数の試料、 1 4は X4 行の複数の試料、 1 5は 2次元検出器、 20は情 報処理装置、 2 1は C P U (中央処理装置） 、 2 2, 2 5, 2 6はイ ンターフヱ —ス （ I / F ) 、 23は記憶装置、 2 は編集装置、 2 7は表示機器である。 な お、 記憶装置 2 3は予めプログラムが記憶される ROMと、 随時生成されるデー タが記憶される RAMから構成されている。
上記したように、 マ トリ ックス状に配置された複数の試料 1 0の各行毎の複数 の試料が同時に X線回折される。 すなわち、 ある時点 t , で、 第 7図 （ a ) に示 すように X, 行の複数の試料 1 1が同時に X線回折される。 次に、 時点 t z で、 試料ステージ 9を駆動し、 X線が試料を照射する位置を、 第 7図 （b ) に示すよ うに X2 行へ移動する。 その結果 X2 行の複数の試料 1 2が同時に X線回折され る。 同様にして、 時点 t 3 で、 第 7図 （ c ) に示すように X3 行の複数の試料 1 3が同時に X線回折される。 次いで、 時点 t 4 で、 第 7図 （d ) に示すように X 4 行の複数の試料 1 4が同時に X線回折され、 2次元検出器 1 5にて測定される。 そして、 それぞれの収集された 2次元検出器 1 5からの測定情報は情報処理装 置 2 0に取り込まれる。 つまり、 C P U (中央処理装置） 2 1の統括制御により、 ィンターフュース 22から時系列で記憶装置 23に取り込まれ、 編集装置 2 4で 編集された情報は時系列でィンターフ ース 26を介して表示機器 2 7に表示す ることができる。
また、 ィ ンタ一フェース 2 5を介してゴニォメータ 5が制御されるようになつ ている。
以下、 X線回折装置による試料の測定について説明する。
( 1 ) まず、 試料ステージ 9に搭載される試料 4はゴニォメータ 5によってプ リセッ トされ、 試料位置設定装置 8によって、 試料ステージ 9の移動機構を用い て試料 4の位置、 姿勢、 場所 （手動でも自動でもよい） 及び 2次元検出器軸 5 B によって 2次元検出器 1 5が正確に設定される （ステップ S 1 ) 。
( 2 ) 次に、 例えば、 第 7図 （a ) に示すように、 試料の X, 列の X線回折に よる測定を行い、 2次元検出器 1 5により測定し、 その測定データを情報処理装 置 2 0に取り込む （ステップ S 2 ) 。
( 3 ) 次に、 試料ステージ 9を駆動して、 次の試料の位置、 例えば第 7図 （ b ) に示すように、 試料の X2 列に変更する （ステップ S 3 ) 。
( 4 ) 次に、 試料の Χ2列の X線回折による測定を行い、 2次元検出器 1 5に より測定し、 その測定データを情報処理装置 20に取り込む （ステップ S 4 ) 。
( 5) それを、 第 7図 （c；) 、 次いで第 7図 （ d) へと試料の列を変更して、 X線回折による測定を行い、 2次元検出器 1 5により測定し、 その測定データを 情報処理装置 2 0に取り込む （ステップ S 5 ) 。
(6) 上記では、 ある限られた 〔通常 （ 3 ° 〜4 ° ) 〕 6角度の撮影であるの で、 更に、 その撮影場所を広げたい場合には、 2次元検出器軸 5 Bおよび試料回 転軸 5 Aを駆動して、 X線回折角 20および試料回転角 ωを変更させて、 広い範 囲の試料の X線回折を行わせることができる。
また、 このコンビナ トリアル X線回折装置は、 以下のような機能を持たせるこ とができる。
( 1 ) 一般に試料に照射される X線強度分布は一様でないので、 情報処理装置 2 0では、 X線強度分布を規格化し、 各ピクセルに対応する真の X線回折強度を 算出する機能を持たせる。 つまり、 X線の位置的強度分布及び 2次元検出器 1 5 の位置的感度分布を規格化し、 2次元的に収集した回折) (線の各ピクセル、 ある いはピクセルのブロックに対して、 位置的な X線強度補正を行うようにする。
(2) ω/20ゴニォメータ 5の位置に対応し、 各ピクセルが回折角の何度に 相当するかを予め補正する機能を有する。 その際、 基準となる基板のピーク位置 を用いる方法、 試料を上下反転して較正する方法などが有効である。
( 3 ) 試料 1 -ニッ 卜に対する回折強度を算出するために、 eと直行方向の任 意のピクセルの X線強度を積分する機能を有する。
( 4 ) 記憶装置 （ROM) 2 3に予めプログラムで設定しておいた 2つ以上の 角度領域を測定し、 上記 （ 1 ) 〜 （3 ) の補正を行い、 各ピクセル毎の X線回折 強度プロファイルをデータとして記憶装置 （RAM) 2 3に格納する機能を有す る。
( 5 ) 上記 （ 4 ) で得られたプロファイルデータからピーク位置、 ピーク強度、 半値幅を情報処理装置 2 0で自動的に算出し、 記憶装置 （RAM) 2 3に格納す る機能を有する。
以下、 具体的実験例について説明する。
ここで、 測定の条件は、 ① X線： C uKor l、 40 k V-30 mA、 0. 1 m mx 0. 1 mm フォーカス、 ②モノクロメータ ； oクォーツ （ 10 1 ) 3。 ， o f f , J o a n n, t y p e 収束〜 2 ° 、 ③ X線源とモノ クロメータ間距 離： 240 mm、 モノクロメータと試料間距離： 1 53 mm、 カメラ長： 300 mm、 ④露出時間：口ッキングカーブ ： 30秒、 ⑤検出器条件： ブルー I P (ィ メ一ジング · プレート） 使用、 50 m読み取り、 R i g a k u/D S 3である。 第 8図は本発明の第 1実験例の超格子 （S rT i 03 /B a T i 03 ) の反射 像 （その 1 ) を示す図、 第 9図はその X線強度のプロファイル、 第 1 0図はその 超格子 （S r T i 0 3 / B a T i 0 3 ) の反射像 （その 2 ) を示す図、 第 1 1図 はその X線強度のプロフアイルである。
第 8図 ·第 9図と第 1 0図 *第 1 1図は 2 0 0反射近傍の口ッキングカーブを 示す図であり、 第 6図で示す X方向に場所を変えて測定されている。
第 1 2図 *第 1 3図と第 1 4図 ·第 1 5図は本発明の第 1実験例の 1 0 0反射 像とそのプロファイルを示す図であり、 場所を変えて測定されている。 また、 第 1 6図はその試料の上下を逆にして撮影したイメージの図である。
ロッキングカーブのイメージを見ると、 基板結晶のねじれ （方位変化） のため 回折線像が曲がっている。 第 1 6図に示すように、 試料の上下を逆にして撮影し ても傾きの方向は同じであるので、 結晶のねじれであることが分かる。 念のため に、 試料上での X線照射野を絞りマップ測定をした。 上下のねじれは 0 . 2 。 を 越えている。
いずれの結果も、 超格子の周期の違いにより超格子のピークの出現位置が異な つている。 同じ領域でも場所による変化がわかる。 プロファイル表示は、 隣り合 つた 5画素分の積分値で表した。 場所は領域のほぼ中心であり、 段差になってい る所を避けた。
次に、 本発明の第 2実験例のサファイア基板上に作製したストライプ状の Z n 0薄膜の場合について説明する。
第 1 7図はその Z n 0 0 0 2の反射像を示す図、 第 1 8図はその X線強度のプ 口ファイルであり、 第 1 8 ( a ) 図はその反射像の上から 6番目の X線強度のプ 口ファイルを、 第 1 8 ( b ) 図はその反射像の上から下まで 1列の X線強度のプ 口ファイルをそれぞれ示している。 ここで、 ストライプ状の各ピクセルに相当す る Z n 0薄膜間の距離は 0 . 8 mm、 ストライプの幅は約 0 . 5 mmである。 こ れから、 本方法におけるピクセル間の分解能は 0 . 5 m m以下であることが確認 される。 次に、 本発明の第 3実験例のサファイア基板の 0 0 1基板の場合につ いて説明する。
第 1 9図はサファイア基板の 0 0 6の反射像を示す図、 第 2 0図はその X線強 度のプロファイルであり、 その反射像の第 1 9図の A— A線横断図を示している。 これから基板はねじれ等のない一様な単結晶であることが確認される。 第 2 1図は Z n 0の膜厚を独立したセル毎に膜厚計で測定した結果を示すプロ ファイルである。 なお、 ここで、 膜厚計としては、 触針式膜厚計： D e k t a k 3 ST S u r f a c e p r o f i l e r (商品名） 型番 173003— R、 S o l a n t e c n o l o g y D i v i s i o n 社製〕 を用いた。 た だし、 この第 2 1図は第 1 7図と一致した対応を有するものではない。
Z ηθ 002の反射像と対比すると、 両者は略符合することが分かる。 つまり、 X線回折測定により、 Z n 0の膜厚を高速に測定できることが分かる。
第 18 ( a ) 図は、 第 1 7図に示す 2次元検出器上に記録された Z n 0薄膜の 上から 6番目のセルに対する X線回折強度プロファィルを示している。 つまり、 第 1 7図は、 このようなプロファイル 12本分の情報を持っている。 さらに試料 を試料ステージ 9を用いて X方向にシフトして、 別の列からの回折プロファィル を測定することにより、 数分で、 第 1 8 ( a ) 図に示すプロファイルが 12本 X (列の数、 例えば 1 0とする） 10 = 120本得られる。 勿論、 このようなプロ ファイルを第 7図に示した記憶装置 23に記憶しておくこともできる。 し力、し、 1 20本ものプロファイルは、 それを表示して、 人が見るだけでも多くの時間を 要してしまう。
そこで、 データを自動的に整理して、 例えばピーク位置と、 ピーク強度および ピーク半値幅の情報だけを記憶あるいは表示する機能持たせておくことは、 デー タを圧縮し、 必要なデータのみを取り出すという点からきわめて有効である。 これにより、 例えば、 ピーク位置は薄膜試料の格子定数の情報を有しているた め、 各ピクセルごとの格子定数のみをテ一ブルにしておくことができる。
また、 ピーク強度は、 例えば、 上述のように薄膜試料の厚さの情報を有してい るため、 各ピクセルごとの膜厚をテ一ブルにしておくこともできる。
さらに、 ピーク半値幅は、 薄膜試料の結晶性についての情報を有しているため、 結晶性の良否を評価したテーブルを作成することができる。
以上のように、 コンビナトリアルの各ピクセルを評価する場合、 各ピクセルか らの回折プロファイルが高速で測定される。 しかし、 これを有効に利用するため には、 上記のような薄膜材料の評価に有用な情報を自動的に抽出、 整理しなけれ ば、 それを 1つ 1つ人間が行うには、 情報量が膨大すぎて、 効率的ではない。 第 2 2図にポイ ント （点状） 光源を用いた場合を、 第 2 3図にライ ン （線状） 光源を用 、た場合における水平方向からの模式図を示す。
まず、 第 2 2図に示すように、 ボイント光源 3 1の場合は輝度が高い光源を用 いることができ、 また、 装置構成が簡単になるが、 結晶の傾き （ t i 1 t ) に関 する乱れがあると測定がうまくいかない。 また、 B r a g g角が大きくなると X 線の縦発散の効果が無視できなくなる。 ここで、 3 2は湾曲結品を有するモノク 口メータ、 3 3はスリ ッ ト、 3 4は試料、 3 5は （ω / 2 0 ) ゴニォメータ、 3 6は 2次元検出器である。
また、 第 2 3図に示すように、 ライン光源 4 1の場合には、 湾曲結晶のある点 で回折した X線のみが 2次元検出器 4 7の決まった位置に来るように、 適切なソ —ラースリ ッ ト 4 6が必要になる。 なお、 4 2は湾曲結晶を有するモノクロメー タ、 4 4は試料、 4 5は （ω / 2 0 ) ゴニォメータである。
いずれにせよ、 どちらの光源を用いた試料の測定も可能な装置の構成にするこ とができる。
以上述べた装置の構成によって、 短時間に膨大なデータが測定できる。
なお、 本発明は上記実施例に限定されるものではなく、 本発明の趣旨に基づい て種々の変形が可能であり、 これらを本発明の範囲から俳除するものではない。 以上、 詳細に説明したように、 本発明によれば、 以下のような効果を奏するこ とができる。
( 1 ) X線源からの X線をできるだけ効率的に利用することにより、 多数の異 なる位置にマトリ ックス状に配置される試料を列状に同時に測定することができ る。 特に、 列状に同時に複数の試料を測定することにより、 その複数の試料間の 微妙な変化状態などを的確に測定することができる。
( 2 ) コンビナトリアル試料を高速に、 かつ的確に X線回折により評価するこ とができる。 産業上の利用可能性
本発明のコンビナトリアル X線回折装置は、 特にマトリ ックス状に配置される 複数の試料の一列を同時に X線回折によつて迅速、 かつ的確に測定可能であり、 ェピタキシャル薄膜評価用装置として好適である。

Claims

請 求 の 範 囲
1 .
( a ) 点状焦点から X線を放射する X線源と、
( b ) 該 X線源から放射された X線を分光して反射する湾曲モノ クロメータと、
( c ) 該湾曲モノクロメータにより反射された) (線を測定領域に画するために配 置されるスリ ッ 卜と、
( d ) 該スリ ッ トを通過した X線の所望範囲のみを画するナイフェツジスリ ッ ト と、
( e ) 該ナイフエッジスリ ッ トにより規制された X線を照射するためのコンビナ トリァルェピタキシャル薄膜の保持部と、
( f ) 前記ェピタキシャル薄膜の保持部に保持された前記ェピタキシャル薄膜か ら反射した回折 X線を受ける 2次元検出器と、
( g ) 前記ェピタキシャル薄膜の保持部を搭載する ω軸と前記回折 X線を受ける 検出器を搭載する 2 0蚰を有するゴニォメータと、
( h ) X線が前記ェピタキシャル薄膜を照射する位置を移動可能な駆動装置と、
( i ) 前記 2次元検出器からの出力データを取り込み、 データ処理を行う情報処 理装置と、
( j ) 該情報処理装置での処理結果を表示する表示機器とを具備することを特徴 とするコンビナトリアル X線面折装置。
2 .
( a ) 線状焦点から X線を放射する X線源と、
( b ) 該 X線源から放射された X線を単色化して反射する湾曲モノクロメータと、
( c ) 該湾曲モノ クロメータにより反射された X線を測定領域に画するために配 置されるスリ ッ トと、
( d ) 該スリ ッ トを通過した X線の所望範囲のみを画するナイフエッジスリ ッ ト と、
( e ) 該ナイフエッジスリッ トにより規制された X線を照射するためのコンビナ トリアルエピタキシャル薄膜の保持部と、 ( f ) 前記ナイフェツジスリ ッ 卜を通過後の X線に作用するソ一ラースリッ トと、
( g ) 前記ェピタキシャル薄膜の保持部に保持された前記ェピタキシャル薄膜か ら反射した回折 X線を受ける 2次元検出器と、
( ) 前記ェピタキシャル薄膜の保持部を搭¾する ω蚰と前記回折 X線を受ける 検出器を搭載する 2 0蚰を有するゴニォメータと、
( i ) X線が前記ェピタキシャル薄膜を照射する位置を移動可能な駆勤装置と、 ( j ) 前記 2次元検出器からの出力データを順次取り込みデータ処理を行う情報 処理装置と、
( k ) 該情報処理装置での処理結果を表示する機器とを具備することを特徴とす るコンビナトリアル X線回折装置。
3 . 請求項 1又は 2記載のコンビナ トリアル X線回折装置において、 前記コンビ ナトリアルエピタキシャル薄膜は列方向に複数個のェピタキシャル薄膜を配置す ることを特徴とするコンビナトリアル X線回折装置。
4 . 請求項 1から 3記載の何れか 1項に記載のコンビナトリアル X線回折装置に おいて、 コンビナ トリアル法でマトリ ックス状に形成されたェピタキシャル薄膜 の少なくとも 2つ以上のセルによるセル列が、 回折条件を同時に満足するように 設定したことを特徴とするコンビナトリアル X線回折装置。
5 . 請求項 1から 4記載の何れか 1項に記載のコンピナトリマル X線回折装置に おいて、 コンビナ トリアル法でマトリ ックス状に形成されたェピタキシャル薄膜 の少なくとも 2つ以上のセルによるセル列を、 同時に受光できるように 2次元検 出器を配置したことを特徴とするコンビナトリアル X線回折装置。
6 . 請求項 1から 5記載の何れか 1項に記載のコンビナトリアル X線回折装置に おいて、 コンビナ トリアル法でマトリ ックス状に形成されたェピタキシャル薄膜 の少なくとも 2つ以上のセル列を、 逐次回折条件を満足するように設定しながら、 それぞれのセル列で回折された回折 X線を、 逐次受光できるように 2次元検出器 を配置したことを特徴とするコンビナトリアル X線回折装置。
7 . 請求項 1力、ら 6記載の何れか 1項に記載のコンビナ トリアル X線回折装置に おいて、 X線の位置的強度分布および 2次元検出器の位置的感度分布を規格化し、 2次元的に収集した回折 X線の各ピクセル、 あるいはピクセルのブロックに対し て、 位置的な X線強度補正を行うことを特徴とするコンビナトリアル X線回折装 置。
8 . 請求項 1から 7記載の何れか 1項に記載のコンビナ トリアル X線回折装置に おいて、 コンビナトリアル法でマトリ ックス状に形成されたェピタキシャル薄膜 の少なくとも 2つ以上のセルによるセル列で回折された回折 X線を同時に受光し、 回折角度 方向とそれに直交する方向の位置情報を測定し、 2次元検出器の各ピ クセルの回折 X線強度を対応するェピタキシャル薄膜の各セル毎に積分し、 各セ ルからの回折 X線強度を分離して得ることを特徴とするコンビナトリアル X線回
9 . 請求項 1から 8記載の何れか 1項に記載のコンビナトリアル X線回折装置に おいて、 コンビナ トリアル法でマトリ ックス状に形成されたェピタキシャル薄膜 の少なくとも 2つ以上のセルによるセル列で回折された回折 X線を、 所望角度範 囲に対して、 前記ゴニォメータ上のェピタキシャル薄膜および 2次元検出器を移 動して回折角度 Θの角度情報と連携した、 各セルからの回折 X線強度を分離して 得ることを特徴とするコンビナトリアル X線回折装置。
1 0 . 請求項 8又は 9記載のコンビナトリアル X線回折装置で得た回折 X線デー タを、 そのまま、 あるいは X線強度補正、 バックグラウンド除去補正、 ピーク強 度算出、 ピーク位置算出、 半値幅算出の演算をし、 各セルからの回折 X線として、 格納、 あるいは表示する機能を有することを特徴とするコンビナトリアル X線回
1 1 . 請求項 1 0記載のコンビナトリアル X線回折装置で得た回折 X線データを、 各セルからの回折 X線として、 データ処理、 格納、 あるいは表示を行うことに加 えて、 コンビナ トリアルのセル列、 又はマトリックス条件との対比をして、 デ一 タ処理、 格納、 表示、 あるいはデータ解折を行うことを特徴とするコンビナトリ アル X線回折装置。
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