WO2000058783A1 - Procede de traitement de surface d'un dispositif optique au moyen d'une attaque par faisceau d'ions - Google Patents

Procede de traitement de surface d'un dispositif optique au moyen d'une attaque par faisceau d'ions Download PDF

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WO2000058783A1
WO2000058783A1 PCT/JP1999/005013 JP9905013W WO0058783A1 WO 2000058783 A1 WO2000058783 A1 WO 2000058783A1 JP 9905013 W JP9905013 W JP 9905013W WO 0058783 A1 WO0058783 A1 WO 0058783A1
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laser
crystal
optical element
etching
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Takatomo Sasaki
Yusuke Mori
Mitsuhiro Tanaka
Original Assignee
Japan Science And Technology Corporation
Kogakugiken Co., Ltd.
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    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
    • G—PHYSICS
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    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/3525—Optical damage

Definitions

  • the invention of this application relates to a method for treating the surface of an optical element by ion beam etching. More specifically, the invention of the present application can suppress the occurrence of laser-induced damage to the surface of a crystal optical element, and can achieve high laser resistance and long life of the element surface. It relates to a new treatment method for the optical element surface.
  • laser light can be used for optical communications, optical computers, and even laser processing. It is one of the means to divulge the.
  • the wavelength of the laser beam is short and the photon energy is large, so it is excellent in condensing properties and reactivity with materials, and is suitable for precision processing. are doing .
  • the technology of generating such an ultraviolet laser beam and the measurement using the technology ⁇ The processing technology can improve the reliability of products and the efficiency of energy use in the 21st century. There is a great expectation for industrial basic technology.
  • the invention of this application has been made in view of the above circumstances, and it is intended to suppress the laser damage of the crystal optical element, increase the laser surface resistance of the element, and improve the laser surface resistance. It is an object of the present invention to provide a new method for treating the surface of an optical element, which can achieve a longer service life.
  • the surface of a mechanically polished crystal optical element is irradiated with an ion beam to remove residual abrasive grains.
  • a method for treating the surface of an optical element by ion beam etching which is characterized by removing a surface layer of the optical element.
  • the invention of this application relates to the above-mentioned processing method in which the crystal optical element is a non-linear optical crystal, and thirdly, the crystal optical element is made of quartz or inorganic fluorine. It is intended to provide the above-mentioned treatment method which is a compound.
  • FIG. 1 is a SIMS spectrum diagram illustrating the residual depth of Zr abrasive grains on the CLBO polished surface.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the relationship between the ion beam voltage and the etching speed.
  • FIG. 4 is a diagram exemplifying, as an AFM image, the surface state before and after ion beam etching of CLBO.
  • FIG. 5 is a diagram exemplifying, as an AFM image, a surface state before and after ion beam etching of SiO 2 .
  • FIG. 6 is a system diagram for evaluating the high repetition laser proof stress of CLBO.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating the results of evaluation by the system in FIG. 6 as a relationship between the life and the etching depth.
  • FIG. 8 is a system diagram for evaluating a single shot laser damage threshold of CLB ⁇ .
  • FIG. 9 is a diagram exemplifying a result of evaluation by the system in FIG. 8 as a relationship between an etching depth and a damage threshold.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of the results of improving the laser resistance against CLBO by removing the residual abrasive grains by using an ion beam.
  • the optical element may be of various types, but a wavelength conversion element such as the aforementioned CLBO or GdYCOB as a non-linear optical crystal which is a core of optical technology, or an ultraviolet laser.
  • a wavelength conversion element such as the aforementioned CLBO or GdYCOB as a non-linear optical crystal which is a core of optical technology, or an ultraviolet laser.
  • other Me of Mi La one or les emission's such as to useful quartz utilization, inorganic off Tsu compound (C a F 2, etc.), etc. is Ru are illustrated with as also typical.
  • those crystal optical elements having a surface polished mechanically (physically) using abrasive grains are also targeted.
  • the crystal optical element that have a polishing surface of this are found in, Ri Z r 0 2 and C e 0 2 various particulate materials such as of the abrasive grains adhering to the surface, the interior of the crystal For example, it is embedded about 60 nm from the surface.
  • the invention of this application discloses that the surface of a crystal optical element is irradiated with an ion beam, and the surface of the crystal on which the abrasive substance is not adhered or embedded is etched. It is characterized in that the abrasive is removed to remove these abrasive substances.
  • the operating conditions for ion beam irradiation may be determined in consideration of the type of the target crystal and its polished surface condition.
  • the inert gas of the above is used as a sputtering ring ion.
  • the gas pressure should be about 1 X 10 — 5 Torr to 1 X 1 O — 4 Torr.
  • about 200 to 400 V is considered for the ion beam voltage.
  • the condition setting is also referred to with reference to the embodiment described later. Can be specified.
  • a crystal having a size of 40 ⁇ /) X 3 mm was polished with Ce 2 abrasive grains to obtain a polished surface having a surface roughness of 0.4 to 0.6 nmrms.
  • abrasive grains are embedded in the polished surfaces of the above two types of crystals from the surface to a depth of 60 nm, respectively. This was confirmed by the SIMS Zr and Ce detection data.
  • Ion beam voltage 200 to 400 (V)
  • FIG. 3 exemplifies the relationship between the ion beam voltage and the etching speed. Assuming that there is abrasive residue up to a depth of about 100 nm, the ion beam etching in this example completely removes the abrasive in about 1 hour or less. It is clear that the residual layer can be removed.
  • FIG. 4 is have One to CLBO, process conditions before and after the surface is the AFM image Ri Oh than was also shown, FIG. 5 is similarly also been shown to have two-fold 2 S ⁇ ⁇ It is. It can be seen that a flat, clean surface was obtained by ion beam etching.
  • the surface was irradiated with high-output 4 ⁇ light (output 3 W, repetition 3 kHz, power density 30 MWZ cm 2 ).
  • output 3 W repetition 3 kHz, power density 30 MWZ cm 2
  • the sample without etching the crystal surface was damaged by the laser within 20 minutes.
  • samples etched to a depth of 120 nm from the surface showed damage on the crystal surface only after more than 38 minutes.
  • Figure 9 shows the result as an etching depth dependency. It was confirmed that even in the case of the single shot, the threshold value for laser damage was improved about 1.4 to 2 times. (Evaluation of laser resistance: CLBO)
  • the power density of the fourth harmonic is 25 MWZ cm 2 .
  • the power density of the fourth harmonic is 25 MWZ cm 2 .
  • the surface after the ion beam etching process Arlygon ion beam voltage 200 V, irradiation time 40 minutes
  • the lifetime can be improved about 10 times by ion beam etching.
  • the laser damage threshold is improved by more than twice.
  • the laser damage of the crystal optical element is suppressed, the laser surface resistance of the element is increased, and the life of the element is extended. be able to .
  • An optical element with high reliability can be provided.

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Description

明 細 書 イ オ ン ビーム エ ッ チ ン グに よ る 光学素子表面 の処理方法 技術分野
こ の 出願の発明 は、 イ オ ン ビームエ ッ チ ン グに よ る光学 素子表面の処理方法に 関す る も の で あ る 。 さ ら に詳 し く は、 こ の 出願の発明 は、 結晶光学素子の表面 レーザ一損傷 の発生 を 抑 え、 素子表面の高 レーザー耐 カ 化、 長寿命化等 を 図 る こ と の で き る 、 光学素子表面の新 し い処理方法 に 関 す る も の で あ る。 技術背景
レーザー光は、 そ の 波長の選択 に よ っ て 、 光通信、 光 コ ン ピ ュ 一 タ ー、 さ ら に は レーザー加工等 に 利用 さ れ る も の と し て近年の先端技術の 中 核 を 占 め て い る 手段の一 つ で あ る 。
た と え ば レーザー光の 波長 は短波長ほ ど フ ォ ト ン · エ ネ ルギ一が大 き い こ と か ら 、 集光性や物 質 と の 反応性に優 れ、 精密加工等に適 し て い る 。 こ の よ う な紫外 レーザ一光 の発生技術並びに こ れ を 利用 し た計測 ■ 加 工技術は、 製品 の 信頼性や エ ネルギー利用 の効率 を高 め る こ と が可能な、 2 1 世紀の 産業基盤技術 と し て 大 き な期 待が寄せ ら れて い る 。
こ の よ う な レーザー光の 利用 に お い て 、 非線形光学結晶 か ら な る 波長変換素子が重要な役割 を 果 たす も の と し て 知 ら れて お り 、 た と え ば こ の 出願の発明者 ら が開発 し た C s L i B 6 O 0 ( C L B O ) や G d x Y C a 4 O ( B O 3 ) 3 ( G d Y C O B ) は、 優れた 波長変換特性 を 示す非 線形光学結晶 と し て 注 目 さ れて い る。
ま た 、 紫外 レーザ一光の高効率利用 を可能 と す る た め に は、 ミ ラ ーや レ ン ズな どの た め に、 酸化物、 フ ッ 化物 を は じ め と す る 新 し い光学素子用 の単結晶 等が重要 と な っ て く る。
し か し なが ら 、 従来、 光学結晶の素子の加工 に お いて は、 結晶 の表面 に 対 し て 砥粒 を用 いた機械的研磨 を 行 っ て い る た め、 研磨工程 に お い て砥粒が表面か ら 内部 に埋 め込 ま れ、 それが原因 で レーザー損傷が発生 し 、 そ の結果、 光 学素子の 寿命が短 く な る と い う 問題が あ っ た。 こ の た め、 信頼性が重要視 さ れ る 産業利用 の た め に は、 波長変換素子 を は じ め と す る光学結晶素子の 表面の高 レーザー耐 カ 化、 長寿命化 を 図 る た め に、 こ の よ う な残留砥粒の存在 に起因 す る 問題 を解決す る こ と が強 く 求 め ら れて いた。
だが、 砥粒 を 用 い る 光学素子の製造加 工 に お い て は、 砥 粒が研磨表面か ら 結晶 内部 に埋 め込 ま れて し ま う こ と が避 け ら れな い た め、 高 い レーザー耐 カ · 長寿命化 を 図 る た め に は、 結晶 表面 を 平坦か つ清浄 に保ち なが ら 、 し か も 残留 砥粒 を効果的 に 除去す る こ と が必要 と な る。
そ こ で 、 こ の よ う な課題 に対 し 、 こ の 出願の発 明者 ら は、 プラ ズマ ス パ ッ タ リ ン グ法 に よ リ 結晶 の研磨表面 を ェ ツ チ ン グ し 、 残留砥粒 を 除去す る こ と を試みて き た。 だ が、 こ の方法で は、 エ ッ チ ン グ速度が遅 く 、 し か も よ リ 重 大 な こ と は、 プラ ズマ エ ッ チ ン グ中 に 表面 に不純物が付着 し 、 か え っ て レーザー損傷の原因 に な る と い う 不都合が生 じ る こ と で あ る。 発明 の課題
こ の 出願の発明 は、 以上の と お り の事情 を 踏ま え て な さ れた も の で あ っ て 、 結晶光学素子の レーザー損傷 を 抑 え 、 素子表面の高 レーザー耐 カ 化、 そ し て 長寿命化 を 図 る こ と の で き る 、 新 し い光学素子表面の 処理方法 を提供す る こ と を 課題 と し て しヽ る。
こ の 出願の発明 は、 上記の課題 を解決す る も の と し て 、 第 1 に は、 機械的 に研磨 さ れた結晶光学素子の表面 に ィ ォ ン ビーム を 照射 し 、 残留砥粒 を 有す る 表層 を 除去す る こ と を 特徴 と す る イ オ ン ビームエ ッ チ ン グに よ る光学素子表面 の処理方法 を提供す る 。
ま た、 こ の 出願の発明 は、 第 2 に は、 結晶光学素子が非 線形光学結晶 で あ る前記の処理方法 を 、 第 3 に は、 結晶光 学素子が、 石英 ま た は無機 フ ッ 化物 で あ る前記の処理方法 を提供す る 。 図面 の 簡単な説明
図 1 は、 C L B O 研磨表面 の Z r 砥粒の残存深 さ を例示 し た S I M S ス ぺ ク ト ル図 で あ る 。
図 2 は、 S i ◦ 2 研磨表面の C e 砥粒への残存深 さ を例 示 し た S I M S ス ぺ ク ト ル図 で あ る 。 図 3 は、 イ オ ン ビ一厶電圧 と エ ッ チ ン グ速度 と の 関係 を 例示 し た 図 で あ る。
図 4 は、 C L B O の イ オ ン ビームエ ッ チ ン グ前後の 表面 状態 を A F M像 と し て例示 し た 図 で あ る。
図 5 は、 S i O 2 の イ オ ン ビームエ ッ チ ン グ前後の表面 状態 を A F M像 と し て例示 し た 図 で あ る 。
図 6 は、 C L B O の高繰 り 返 し レーザ一耐 力 の評価の た めの シ ス テ ム図 で あ る 。
図 7 は、 図 6 の シス テ ム に よ る 評価の結果 を 、 寿命 と ェ ツ チ ン グ深 さ と の 関係 と し て例 示 し た 図 で あ る。
図 8 は、 C L B ◦ の シ ン グル シ ョ ッ ト レ一ザ一損傷 し き い値の評価の た めの シス 亍 厶図 で あ る。
図 9 は、 図 8 の シス テ ムに よ る 評価の結果 を エ ッ チ ン グ 深 さ と 損傷 し き い値 と の 関係 と し て例示 し た 図 で あ る 。
図 1 0 は、 イ オ ン ビームに よ る 残留砥粒の除去 に と も な う C L B O 耐 レーザ一性の 向 上の結果 を例 示 し た 図 で あ る 。
図 1 1 は S i O 2 に つ いて 、 図 7 と 同様の結果 を例示 し た 図 で あ る。
図 1 2 は S i O 2 に つ いて 、 図 9 と 同様の結果 を 示 し た 図 で あ る。 発 明 を実施す る た めの最 良の 形態
こ の 出願の発明 は上記の と お り の特徴 を も つ も の で あ る が、 以下 に そ の実施の 形態 に つ い て説明す る。
まず、 こ の発明 の方法 に お い て 処理の 対象 と な る結晶光 学素子 は各種の も の で あ っ て よ いが、 光技術の 中 核 と な る 非線形光学結晶 と し て の前記 C L B O や G d Y C O B 等の 波長変換素子、 あ る い は紫外 レーザ一光の 利用 の た めの ミ ラ 一や レ ン ズ等 と し て 有用 な石英、 無機 フ ッ 化物 （ C a F 2 等） な どが代表的な も の と し て例示 さ れ る。 そ し て 、 こ の発明 に お い て は、 こ れ ら の結晶光学素子が砥粒 を用 い て 機械的 （物理的） に 研磨 さ れた表面 を 持つ も の が対象 と な る 。
通常、 こ れ ら の研磨表面 を 有す る結晶光学素子 は、 砥粒 と し て の Z r 0 2 や C e 0 2 等の 各種の粒子物質が表面 に 付着 し た り 、 結晶 の 内部に 、 た と え ば表面か ら 6 0 n m 程 度埋 め込 ま れた状態 に あ る。
そ こ で 、 こ の 出願の 発 明 は、 結晶光学素子の表面 に 対 し て イ オ ン ビーム を 照射 し て 、 砥粒物質が付着な い し 埋 め込 まれて い る結晶 の表層 を エ ッ チ ン グ し 、 こ れ ら の砥粒物 質 を除去す る こ と を特徴 と し て い る 。
イ オ ン ビーム照射の 操作条件に つ い て は、 対象 と す る 結 晶 の種類 と そ の 研磨 さ れた 表面状態 を考慮 し て 定 めれば よ いが、 た と え ばイ オ ン ビームに つ いて は、 一般的 に例 示す れぱ、 真空室 （ 1 X 1 0 -4 T o r r 以上 の真空度が適 当 と さ れ る ） に お いて 、 ア ル ゴ ン （ A r ) 等の 不活性ガス を ス パ ッ タ リ ン グイ オ ン と し て 用 しヽ る こ と が考慮 さ れ る 。 ガス 圧 は 1 X 1 0 — 5 T o r r 〜 1 X 1 O — 4 T o r r 程度 で よ しヽ。 ま た 、 イ オ ン ビーム電圧 も 、 た と え ば 2 0 0 〜 4 0 0 V 程度が考慮 さ れ る。 も ち ろ ん、 こ れ ら 例 示 に 限定 さ れ る こ と は な い。 具体的 に は後述の実施例 を も 参照 し て 条件設 定す る こ と がで き る 。
イ オ ン ビームエ ッ チ ン グに よ っ て 、 研磨表面 の砥粒は効 果的 に除去 さ れ る こ と に な る。 し か も 、 こ の イ オ ン ビーム エ ッ チ ン グ に お いて は、 結晶表面の平坦性、 そ し て 清浄性 が確保 さ れ る 。
こ れに よ つ て 、 光学素子の高 レーザ一耐 力 と 長寿命化が 図 ら れ る こ と に な る 。 そ こ で 以下 に実施例 を 示 し 、 さ ら に詳 し く こ の 出願の発明 に つ い て 説明す る 。 も ち ろ ん こ の 発明 は以下の例 に限定 さ れ る こ と はな い。 実 施 例
(被処理試料）
次の 2 種の試料 を 用意 し た。
(D C L B O ( C s L i B 6 〇 1 0 ) ；
1 0 X 1 0 x 3 m m 3 の 大 き さ の結晶の （ 1 0 0 ) 面 を Z r 〇 2 砥粒 を用 し、 て 研磨 し て 、 表面粗 さ 0 . 2 〜 0 . 6 n m r m s を 有す る 研磨表面 と し た。
S i O (f used s i l i ca l ass) ；
4 0 </) X 3 m m の 大 き さ の結晶 を 、 C e 〇 2 砥粒に よ り 研磨 し 、 表面粗 さ を 0 . 4 ~ 0 . 6 n m r m s の研磨表 面 と し た。
以上の 2 種の結晶 の 研磨表面 に は、 各 々 、 図 1 お よ び図 2 に 示 し た よ う に、 表面カヽ ら 深 さ 6 0 n m ま で の 間 に砥粒 が埋め込ま れて しゝ る こ と が S I M S の Z r お よ び C e 検出 デー タ に よ り 確認 さ れた。
( イ オ ン ビームエ ッ チ ン グ） 次の条件 に お いて 、 前記の 2 種の試料表面 に対 し て ィ ォ ン ビーム エ ッ チ ン グ を行 っ た。
真空度 （真空室） ： 6 . 4 1 0 -4 T o r r
ス ノ ッ タ リ ン グイ オ ン ： A r ( 3 . 0 x 1 O — 4 T o r r )
照射角 ： 4 5 度
イ オ ン ビーム電圧 ： 2 0 0 ~ 4 0 0 ( V )
図 3 は、 イ オ ン ビーム電圧 と エ ッ チ ン グ速度 と の 関係 を 例示 し た も の で あ る 。 お よ そ 1 0 0 n m 程度の深 さ に ま で 砥料残留が あ る と す る と 、 こ の例 の イ オ ン ビームエ ツ チ ン グで は、 約 1 時間 以下の処理で 完全 に こ の 残留層 が除去 で き る こ と がわ力、 る。
図 4 は、 C L B O に つ い て 、 処理前後の表面の状態 を A F M像 と し て 示 し た も の で あ り 、 図 5 は、 同様 に S ί Ο 2 に つ い て 示 し た も の で あ る 。 イ オ ン ビームエ ッ チ ン グ に よ リ 平坦清浄表面が得 ら れて い る こ と がわか る 。
ま た、 C L Β Ο に っ しヽ て は、 （ 1 0 0 ) 面力 、 X 線回折 に よ っ て も 変質 し て いな い こ と が確認 さ れた。
な お、 比較の た め に 、 C L Β ◦ の 表面 に 対 し 、 A r ( ァ ル ゴ ン ） ガス 圧 2 m T o r r に お いて 、 r f パ ワ ー 1 0 0 W の 条件で プラ ズマ エ ッ チ ン グ を 行 っ た と こ ろ 、 エ ツ チ ン グ速度 は 1 0 n m ノ h r と 極め て 遅力、 つ た。 r f パ ワ ー を 3 0 0 W に增大す る と 、 エ ッ チ ン グ速度 は 6 5 n m Z h r に上昇 し たが、 C L B 〇 表面 は平坦な も のが得 ら れなか つ た。
—方、 S i 〇 2 表面の場合 に は、 A r ガス 圧 2 m T o r 「 で 、 r f ノ ヮ ー 5 0 0 W の プ ラ ズマ エ ッ チ ン グで は エ ツ チ ン グ速度 は 8 6 . 5 n m ノ h r で あ り 、 S ί Ο 2 が比較 的硬質で あ る こ と か ら 表面 は平坦で あ っ た。 し か し 、 ブラ ズマ エ ッ チ ン グに と も な っ て 表面への不純物の混入が著 し く 、 か え っ て 、 レーザー損傷 を 生 じ さ せ る 原 因 と な っ た。
( レーザー損傷の評価 ： C L Β ◦ )
機械的光学研磨 を行 っ た C L Β Ο 結晶 の レーザー入出射 面の エ ッ チ ン グ時間 を変 え て 、 図 6 の シス テ ムに よ り 、 Ν d ： Y A G レーザーの第 4 高調波 （ 4 ω ) 照射実験 を 行 つ た。
次の表 1 の 条件の よ う に 、 高 出 力 の 4 ω 光 （ 出 力 3 W 、 繰 り 返 し 3 k H z 、 パ ワ ー密度 3 0 M W Z c m 2 ) を 照射 さ せ て 表面の レーザー損傷 を観察 し た と こ ろ 、 図 7 の よ う に 、 結晶表面 を エ ッ チ ン グ し て いな いサ ン プルは 2 0 分以 内 で レーザ一 に よ る損傷が発生 し た。 それに対 し 、 表面か ら 1 2 0 n m 深 さ ま で エ ッ チ ン グ し たサ ン プルは 3 8 分以 上 た つ て か ら や っ と 結晶 表面 に損傷が認め ら れた。
表 1
照射条件
波長 ： 2 6 6 nm
ノ レ ス巾畐 ： 7 6 ns
パ ワ ー密度 ： 3 0 MW/cm2
平均 パ ワ ー ： 3 . 1 W
Repet it i on rate 3 kHz こ の結果か ら 、 イ オ ン ビームエ ッ チ ン グ処理に よ っ て 、 高繰 り 返 し レーザーの場合 で 寿 命が 2 倍 以上向 上す る こ と が確認 さ れた。 ま た、 N d : Y A G レーザ一の 第 3 高調波 （ 3 5 5 η m ) (こ よ る 表面 レ一ザ一損傷 し き い値 を 、 図 8 の シス テ ム ( シ ン グリレ シ ョ ッ ト ） に よ り 観察 し た。 p u l s e d u r a t i o nは 0 . 8 5 n s と し
図 9 は、 そ の結果 を エ ッ チ ン グ深 さ 依存性 と し て 示 し た も の で あ る。 シ ン グル シ ョ ッ ト の場合 で も 、 1 . 4 〜 2 倍 程度 レーザー損傷 し き い値が向上す る こ と が確認 さ れた。 (耐 レーザー性向 上の評価 ： C L B O )
上記の レーザ一損傷の評価 に 関連 し て 、 別途に、 イ オ ン ビーム に よ る 残留砥粒の除去 と 耐 レーザ一性の 向上 に つ い て評価 し た。
す なわ ち 、 N d ： Y A G レ一ザ一の第 4 高調波 （波長 ： 2 6 6 n m ) を発生 さ せ た ま ま 、 寿 叩 5式験 を行 つ た。 基本 波の パ ワ ーが 4 ヮ ッ 卜 （繰 り 返 し ： 1 k H z ) の N d ： Y A G レーザ一か ら 発生 さ せ た第 ΓΗ] ¾9； & (波長 ： 5 3 2 η m ) を レ ン ズで 集光 し 、 C L Β o 結晶 に よ り 第 4 高調波 を 発生 さ せ た。 ◦ . 8 ヮ ッ 卜 の第 4 高調波 を発生 さ せ た場合
( こ の 時の第 4 高調波の パ ワ ー密度 は 2 5 M W Z c m 2 ) 、 図 1 0 に 示 し た よ う に 、 通常の機械研磨 で は出 力 側 の表面 に お いて 、 1 時間強で損傷が確認 さ れた。 一方、 ィ オ ン ビ一厶エ ッ チ ン グ処理後 （ ァ リレ ゴ ン イ オ ン ビ一ム電圧 2 0 0 V 、 照射時間 4 0 分） の 表面 で は 1 0 時間 以上損傷 が起 こ ら な力、 つ た。 す なわ ち 、 イ オ ン ビ —厶エ ッ チ ン グ に よ り 、 寿命が 1 0 倍程度 向上 し
( レーザー損傷の 評価 ： S i 〇 2 )
上記 C L B 〇 の · ϊ) 口 と 同様 に し て 、 表 2 の条件で 、 古 rs] icSx リ 返 し レーザーの場合の 寿命 に つ い て 評価 し た。 ま た、 シ ン グル シ ョ ッ 卜 の レーザー損傷 し い値 に つ しヽ て も 評価 し た。
そ の結果 を 図 1 1 お よ び図 1 2 に示 し た。
表 2
照射条件
波長 ： 2 6 6 nm
ノ リレス ι| "畐 ： 2 0 ns
平均パ ワ ー ： 0 . 5 W
Repet i t i on rate ： 4 kHz 高出 力 の 4 ω 光 （ 出 力 0 . 5 W 、 繰 り 返 し 4 k H ビ ーム径 1 m m 0 レ ン ズ f = 2 5 m m ) を 照射 さ せ て 表面の レーザ一損傷 を観察 し た と こ ろ 、 結晶表面 を エ ッ チ ン グ し て いな いサ ン プルは 1 6 0 分以 内 で レーザ一 に よ る損傷が 発生 し た。 それに対 し 、 表面力、 ら 3 0 0 n m 深 さ ま で エ ツ チ ン グ し たサ ン プルは 3 6 0 分以上 た つ て か ら や っ と 結晶 表面 に損傷が認め ら れた。
イ オ ン ビームに よ る 研磨砥粒の除去 は、 光学素子の長寿 命化 を達成す る う え で 重要な技術 と な る こ と がわか る。
ま た、 シ ン グル シ ョ ッ ト の場合 で も 、 2 倍以上 レーザー 損傷 し き い値が向上す る こ と がわか る。
産業上の 利用可能性
以上詳 し く 説明 し た と お り 、 こ の 出願の発明 に よ っ て 、 結晶光学素子の レーザー損傷 を 抑 え、 素子表面の高 レーザ ー耐 カ 化、 そ し て 長寿命化 を 図 る こ と がで き る 。 信頼性の 高 い光学素子 を提供す る こ と がで き る。
0

Claims

請求の範囲
1 . 機械的 に研磨 さ れた結晶光学素子の 表面 に イ オ ン ビー ム を 照射 し 、 残留砥粒 を 有す る 表層 を 除去す る こ と を 特徴 と す る イ オ ン ビームエ ッ チ ン グに よ る光学素子表面 の処理 方法。 . 結晶光学素子が非線形光学結晶 で あ る 請求項 1 の処理 方法。
3 . 結晶光学素子が、 石英 ま た は無機 フ ッ 化物 で あ る 請求 項 1 処理方法。
PCT/JP1999/005013 1999-03-29 1999-09-14 Procede de traitement de surface d'un dispositif optique au moyen d'une attaque par faisceau d'ions WO2000058783A1 (fr)

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