JP2000271764A - イオンビームエッチングによる光学素子表面の処理方法 - Google Patents
イオンビームエッチングによる光学素子表面の処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学素子のレーザー損傷を抑え、素子表面の
高レーザー耐力化、そして長寿命化を図り、信頼性の高
い光学素子を提供する。 【解決手段】 機械的に研磨された結晶光学素子の表面
にイオンビームを照射して残留砥粒を有する表層を除去
する。
高レーザー耐力化、そして長寿命化を図り、信頼性の高
い光学素子を提供する。 【解決手段】 機械的に研磨された結晶光学素子の表面
にイオンビームを照射して残留砥粒を有する表層を除去
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、イオンビ
ームエッチングによる光学素子表面の処理方法に関する
ものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、結晶
光学素子の表面レーザー損傷の発生を抑え、素子表面の
高レーザー耐力化、長寿命化等を図ることのできる、光
学素子表面の新しい処理方法に関するものである。
ームエッチングによる光学素子表面の処理方法に関する
ものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、結晶
光学素子の表面レーザー損傷の発生を抑え、素子表面の
高レーザー耐力化、長寿命化等を図ることのできる、光
学素子表面の新しい処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】レーザー光は、その波長の選
択によって、光通信、光コンピューター、さらにはレー
ザー加工等に利用されるものとして近年の先端技術の中
核を占めている手段の一つである。たとえばレーザー光
の波長は短波長ほどフォトン・エネルギーが大きいこと
から、集光性や物質との反応性に優れ、精密加工等に適
している。このような紫外レーザー光の発生技術並びに
これを利用した計測・加工技術は、製品の信頼性やエネ
ルギー利用の効率を高めることが可能な、２１世紀の産
業基盤技術として大きな期待が寄せられている。
択によって、光通信、光コンピューター、さらにはレー
ザー加工等に利用されるものとして近年の先端技術の中
核を占めている手段の一つである。たとえばレーザー光
の波長は短波長ほどフォトン・エネルギーが大きいこと
から、集光性や物質との反応性に優れ、精密加工等に適
している。このような紫外レーザー光の発生技術並びに
これを利用した計測・加工技術は、製品の信頼性やエネ
ルギー利用の効率を高めることが可能な、２１世紀の産
業基盤技術として大きな期待が寄せられている。
【０００３】このようなレーザー光の利用において、非
線形光学結晶からなる波長変換素子が重要な役割を果た
すものとして知られており、たとえばこの出願の発明者
らが開発したＣｓＬｉＢ6 Ｏ10（ＣＬＢＯ）やＧｄｘＹ
1-x Ｃａ4 Ｏ（ＢＯ3 ）3 （ＧｄＹＣＯＢ）は、優れた
波長変換特性を示す非線形光学結晶として注目されてい
る。
線形光学結晶からなる波長変換素子が重要な役割を果た
すものとして知られており、たとえばこの出願の発明者
らが開発したＣｓＬｉＢ6 Ｏ10（ＣＬＢＯ）やＧｄｘＹ
1-x Ｃａ4 Ｏ（ＢＯ3 ）3 （ＧｄＹＣＯＢ）は、優れた
波長変換特性を示す非線形光学結晶として注目されてい
る。
【０００４】また、紫外レーザー光の高効率利用を可能
とするためには、ミラーやレンズなどのために、酸化
物、フッ化物をはじめとする新しい光学素子用の単結晶
が重要となってくる。しかしながら、従来、光学結晶の
素子の加工においては、結晶の表面に対して砥粒を用い
た機械的研磨を行っているため、研磨工程において砥粒
が表面から内部に埋め込まれ、それが原因でレーザー損
傷が発生し、その結果、光学素子の寿命が短くなるとい
う問題があった。このため、信頼性が重要視される産業
利用のためには、波長変換素子をはじめとする光学結晶
素子の表面の高レーザー耐力化、長寿命化を図るため
に、このような残留砥粒の存在に起因する問題を解決す
ることが強く求められていた。
とするためには、ミラーやレンズなどのために、酸化
物、フッ化物をはじめとする新しい光学素子用の単結晶
が重要となってくる。しかしながら、従来、光学結晶の
素子の加工においては、結晶の表面に対して砥粒を用い
た機械的研磨を行っているため、研磨工程において砥粒
が表面から内部に埋め込まれ、それが原因でレーザー損
傷が発生し、その結果、光学素子の寿命が短くなるとい
う問題があった。このため、信頼性が重要視される産業
利用のためには、波長変換素子をはじめとする光学結晶
素子の表面の高レーザー耐力化、長寿命化を図るため
に、このような残留砥粒の存在に起因する問題を解決す
ることが強く求められていた。
【０００５】だが、砥粒を用いる光学素子の製造加工に
おいては、砥粒が研磨表面から結晶内部に埋め込まれて
しまうことが避けられないため、高いレーザー耐力・長
寿命化を図るためには、結晶表面を平坦かつ清浄に保ち
ながら、しかも残留砥粒を効果的に除去することが必要
となる。そこで、このような課題に対し、この出願の発
明者らは、プラズマスパッタリング法により結晶の研磨
表面をエッチングし、残留砥粒を除去することを試みて
きた。だが、この方法では、エッチング速度が遅く、し
かもより重大なことは、プラズマエッチング中に表面に
不純物が付着し、かえってレーザー損傷の原因になると
いう不都合が生じることである。
おいては、砥粒が研磨表面から結晶内部に埋め込まれて
しまうことが避けられないため、高いレーザー耐力・長
寿命化を図るためには、結晶表面を平坦かつ清浄に保ち
ながら、しかも残留砥粒を効果的に除去することが必要
となる。そこで、このような課題に対し、この出願の発
明者らは、プラズマスパッタリング法により結晶の研磨
表面をエッチングし、残留砥粒を除去することを試みて
きた。だが、この方法では、エッチング速度が遅く、し
かもより重大なことは、プラズマエッチング中に表面に
不純物が付着し、かえってレーザー損傷の原因になると
いう不都合が生じることである。
【０００６】この出願の発明は、以上のとおりの事情を
踏まえてなされたものであって、結晶光学素子のレーザ
ー損傷を抑え、素子表面の高レーザー耐力化、そして長
寿命化を図ることのできる、新しい光学素子表面の処理
方法を提供することを課題としている。
踏まえてなされたものであって、結晶光学素子のレーザ
ー損傷を抑え、素子表面の高レーザー耐力化、そして長
寿命化を図ることのできる、新しい光学素子表面の処理
方法を提供することを課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この出願の発明は、上記
の課題を解決するものとして、第１には、機械的に研磨
された結晶光学素子の表面にイオンビームを照射し、残
留砥粒を有する表層を除去することを特徴とするイオン
ビームエッチングによる光学素子表面の処理方法を提供
する。
の課題を解決するものとして、第１には、機械的に研磨
された結晶光学素子の表面にイオンビームを照射し、残
留砥粒を有する表層を除去することを特徴とするイオン
ビームエッチングによる光学素子表面の処理方法を提供
する。
【０００８】また、この出願の発明は、第２には、結晶
光学素子が非線形光学結晶である前記の処理方法を、第
３には、結晶光学素子が、石英または無機フッ化物であ
る前記の処理方法を提供する。
光学素子が非線形光学結晶である前記の処理方法を、第
３には、結晶光学素子が、石英または無機フッ化物であ
る前記の処理方法を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】この出願の発明は上記のとおりの
特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態につい
て説明する。まず、この発明の方法において処理の対象
となる結晶光学素子は各種のものであってよいが、光技
術の中核となる非線形光学結晶としての前記ＣＬＢＯや
ＧｄＹＣＯＢ等の波長変換素子、あるいは紫外レーザー
光の利用のためのミラーやレンズ等として有用な石英、
無機フッ化物（ＣａＦ2 等）などが代表的なものとして
例示される。そして、この発明においては、これらの結
晶光学素子が砥粒を用いて機械的（物理的）に研磨され
た表面を持つものが対象となる。
特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態につい
て説明する。まず、この発明の方法において処理の対象
となる結晶光学素子は各種のものであってよいが、光技
術の中核となる非線形光学結晶としての前記ＣＬＢＯや
ＧｄＹＣＯＢ等の波長変換素子、あるいは紫外レーザー
光の利用のためのミラーやレンズ等として有用な石英、
無機フッ化物（ＣａＦ2 等）などが代表的なものとして
例示される。そして、この発明においては、これらの結
晶光学素子が砥粒を用いて機械的（物理的）に研磨され
た表面を持つものが対象となる。
【００１０】通常、これらの研磨表面を有する結晶光学
素子は、砥粒としてのＺｒＯ2 やＣｅＯ2 等の各種の粒
子物質が表面に付着したり、結晶の内部に、たとえば表
面から６０ｎｍ程度埋め込まれた状態にある。そこで、
この出願の発明は、結晶光学素子の表面に対してイオン
ビームを照射して、砥粒物質が付着ないし埋め込まれて
いる結晶の表層をエッチングし、これらの砥粒物質を除
去することを特徴としている。
素子は、砥粒としてのＺｒＯ2 やＣｅＯ2 等の各種の粒
子物質が表面に付着したり、結晶の内部に、たとえば表
面から６０ｎｍ程度埋め込まれた状態にある。そこで、
この出願の発明は、結晶光学素子の表面に対してイオン
ビームを照射して、砥粒物質が付着ないし埋め込まれて
いる結晶の表層をエッチングし、これらの砥粒物質を除
去することを特徴としている。
【００１１】イオンビーム照射の操作条件については、
対象とする結晶の種類とその研磨された表面状態を考慮
して定めればよいが、たとえばイオンビームについて
は、一般的に例示すれば、真空室（１×１０-4Ｔｏｒｒ
以上の真空度が適当とされる）において、アルゴン（Ａ
ｒ）等の不活性ガスをスパッタリングイオンとして用い
ることが考慮される。ガス圧は１×１０-5Ｔｏｒｒ〜１
×１０-4Ｔｏｒｒ程度でよい。また、イオンビーム電圧
も、たとえば２００〜４００Ｖ程度が考慮される。もち
ろん、これら例示に限定されることはない。具体的には
後述の実施例をも参照して条件設定することができる。
対象とする結晶の種類とその研磨された表面状態を考慮
して定めればよいが、たとえばイオンビームについて
は、一般的に例示すれば、真空室（１×１０-4Ｔｏｒｒ
以上の真空度が適当とされる）において、アルゴン（Ａ
ｒ）等の不活性ガスをスパッタリングイオンとして用い
ることが考慮される。ガス圧は１×１０-5Ｔｏｒｒ〜１
×１０-4Ｔｏｒｒ程度でよい。また、イオンビーム電圧
も、たとえば２００〜４００Ｖ程度が考慮される。もち
ろん、これら例示に限定されることはない。具体的には
後述の実施例をも参照して条件設定することができる。
【００１２】イオンビームエッチングによって、研磨表
面の砥粒は効果的に除去されることになる。しかも、こ
のイオンビームエッチングにおいては、結晶表面の平坦
性、そして清浄性が確保される。これによって、光学素
子の高レーザー耐力と長寿命化が図られることになる。
そこで以下に実施例を示し、さらに詳しくこの出願の発
明について説明する。もちろんこの発明は以下の例に限
定されることはない。
面の砥粒は効果的に除去されることになる。しかも、こ
のイオンビームエッチングにおいては、結晶表面の平坦
性、そして清浄性が確保される。これによって、光学素
子の高レーザー耐力と長寿命化が図られることになる。
そこで以下に実施例を示し、さらに詳しくこの出願の発
明について説明する。もちろんこの発明は以下の例に限
定されることはない。
【００１３】
【実施例】（被処理試料）次の２種の試料を用意した。 ＣＬＢＯ（ＣｓＬｉＢ6 Ｏ10）； １０×１０×３ｍｍ3 の大きさの結晶の（１００）面を
ＺｒＯ2 砥粒を用いて研磨して、表面粗さ０．２〜０．
６ｎｍ ｒｍｓを有する研磨表面とした。 ＳｉＯ2 (fused silica glass)； ４０φ×３ｍｍの大きさの結晶を、ＣｅＯ2 砥粒により
研磨し、表面粗さを０．４〜０．６ｎｍ ｒｍｓの研磨
表面とした。
ＺｒＯ2 砥粒を用いて研磨して、表面粗さ０．２〜０．
６ｎｍ ｒｍｓを有する研磨表面とした。 ＳｉＯ2 (fused silica glass)； ４０φ×３ｍｍの大きさの結晶を、ＣｅＯ2 砥粒により
研磨し、表面粗さを０．４〜０．６ｎｍ ｒｍｓの研磨
表面とした。
【００１４】以上の２種の結晶の研磨表面には、各々、
図１および図２に示したように、表面から深さ６０ｎｍ
までの間に砥粒が埋め込まれていることがＳＩＭＳのＺ
ｒおよびＣｅ検出データにより確認された。（イオンビ
ームエッチング）次の条件において、前記の２種の試料
表面に対してイオンビームエッチングを行った。
図１および図２に示したように、表面から深さ６０ｎｍ
までの間に砥粒が埋め込まれていることがＳＩＭＳのＺ
ｒおよびＣｅ検出データにより確認された。（イオンビ
ームエッチング）次の条件において、前記の２種の試料
表面に対してイオンビームエッチングを行った。
【００１５】 真空度（真空室）：６．４×１０-4Ｔｏｒｒ スパッタリングイオン：Ａｒ（３．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ） 照射角 ：４５度 イオンビーム電圧：２００〜４００（Ｖ） 図３は、イオンビーム電圧とエッチング速度との関係を
例示したものである。およそ１００ｎｍ程度の深さにま
で砥料残留があるとすると、この例のイオンビームエッ
チングでは、約１時間以下の処理で完全にこの残留層が
除去できることがわかる。
ｒ） 照射角 ：４５度 イオンビーム電圧：２００〜４００（Ｖ） 図３は、イオンビーム電圧とエッチング速度との関係を
例示したものである。およそ１００ｎｍ程度の深さにま
で砥料残留があるとすると、この例のイオンビームエッ
チングでは、約１時間以下の処理で完全にこの残留層が
除去できることがわかる。
【００１６】図４は、ＣＬＢＯについて、処理前後の表
面の状態をＡＦＭ像として示したものであり、図５は、
同様にＳｉＯ2 について示したものである。イオンビー
ムエッチングにより平坦清浄表面が得られていることが
わかる。また、ＣＬＢＯについては、（１００）面が、
Ｘ線回折によっても変質していないことが確認された。
面の状態をＡＦＭ像として示したものであり、図５は、
同様にＳｉＯ2 について示したものである。イオンビー
ムエッチングにより平坦清浄表面が得られていることが
わかる。また、ＣＬＢＯについては、（１００）面が、
Ｘ線回折によっても変質していないことが確認された。
【００１７】なお、比較のために、ＣＬＢＯの表面に対
し、Ａｒ（アルゴン）ガス圧２ｍＴｏｒｒにおいて、ｒ
ｆパワー１００Ｗの条件でプラズマエッチングを行った
ところ、エッチング速度は１０ｎｍ／ｈｒと極めて遅か
った。ｒｆパワーを３００Ｗに増大すると、エッチング
速度は６５ｎｍ／ｈｒに上昇したが、ＣＬＢＯ表面は平
坦なものが得られなかった。
し、Ａｒ（アルゴン）ガス圧２ｍＴｏｒｒにおいて、ｒ
ｆパワー１００Ｗの条件でプラズマエッチングを行った
ところ、エッチング速度は１０ｎｍ／ｈｒと極めて遅か
った。ｒｆパワーを３００Ｗに増大すると、エッチング
速度は６５ｎｍ／ｈｒに上昇したが、ＣＬＢＯ表面は平
坦なものが得られなかった。
【００１８】一方、ＳｉＯ2 表面の場合には、Ａｒガス
圧２ｍＴｏｒｒで、ｒｆパワー５００Ｗのプラズマエッ
チングではエッチング速度は８６．５ｎｍ／ｈｒであ
り、ＳｉＯ2 が比較的硬質であることから表面は平坦で
あった。しかし、プラズマエッチングにともなって表面
への不純物の混入が著しく、かえって、レーザー損傷を
生じさせる原因となった。（レーザー損傷の評価：ＣＬ
ＢＯ）機械的光学研磨を行ったＣＬＢＯ結晶のレーザー
入出射面のエッチング時間を変えて、図６のシステムに
より、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波（４ω）照射
実験を行った。
圧２ｍＴｏｒｒで、ｒｆパワー５００Ｗのプラズマエッ
チングではエッチング速度は８６．５ｎｍ／ｈｒであ
り、ＳｉＯ2 が比較的硬質であることから表面は平坦で
あった。しかし、プラズマエッチングにともなって表面
への不純物の混入が著しく、かえって、レーザー損傷を
生じさせる原因となった。（レーザー損傷の評価：ＣＬ
ＢＯ）機械的光学研磨を行ったＣＬＢＯ結晶のレーザー
入出射面のエッチング時間を変えて、図６のシステムに
より、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波（４ω）照射
実験を行った。
【００１９】次の表１の条件のように、高出力の４ω光
（出力３Ｗ、繰り返し３ｋＨｚ、パワー密度３０ＭＷ／
ｃｍ2 ）を照射させて表面のレーザー損傷を観察したと
ころ、図７のように、結晶表面をエッチングしていない
サンプルは２０分以内でレーザーによる損傷が発生し
た。それに対し、表面から１２０ｎｍ深さまでエッチン
グしたサンプルは３８分以上たってからやっと結晶表面
に損傷が認められた。
（出力３Ｗ、繰り返し３ｋＨｚ、パワー密度３０ＭＷ／
ｃｍ2 ）を照射させて表面のレーザー損傷を観察したと
ころ、図７のように、結晶表面をエッチングしていない
サンプルは２０分以内でレーザーによる損傷が発生し
た。それに対し、表面から１２０ｎｍ深さまでエッチン
グしたサンプルは３８分以上たってからやっと結晶表面
に損傷が認められた。
【００２０】
【表１】
【００２１】この結果から、イオンビームエッチング処
理によって、高繰り返しレーザーの場合で寿命が２倍以
上向上することが確認された。また、Ｎｄ：ＹＡＧレー
ザーの第３高調波（３５５ｎｍ）による表面レーザー損
傷しきい値を、図８のシステム（シングルショット）に
より観察した。pulsedurationは０．８５ｎｓとした。
理によって、高繰り返しレーザーの場合で寿命が２倍以
上向上することが確認された。また、Ｎｄ：ＹＡＧレー
ザーの第３高調波（３５５ｎｍ）による表面レーザー損
傷しきい値を、図８のシステム（シングルショット）に
より観察した。pulsedurationは０．８５ｎｓとした。
【００２２】図９は、その結果をエッチング深さ依存性
として示したものである。シングルショットの場合で
も、１．４〜２倍程度レーザー損傷しきい値が向上する
ことが確認された。（レーザー損傷の評価：ＳｉＯ2 ）
上記ＣＬＢＯの場合と同様にして、表２の条件で、高繰
り返しレーザーの場合の寿命について評価した。また、
シングルショットのレーザー損傷しきい値についても評
価した。
として示したものである。シングルショットの場合で
も、１．４〜２倍程度レーザー損傷しきい値が向上する
ことが確認された。（レーザー損傷の評価：ＳｉＯ2 ）
上記ＣＬＢＯの場合と同様にして、表２の条件で、高繰
り返しレーザーの場合の寿命について評価した。また、
シングルショットのレーザー損傷しきい値についても評
価した。
【００２３】その結果を図１０および図１１に示した。
【００２４】
【表２】
【００２５】高出力の４ω光（出力０．５Ｗ、繰り返し
４ｋＨｚ、ビーム径１ｍｍφレンズｆ＝２５ｍｍ）を照
射させて表面のレーザー損傷を観察したところ、結晶表
面をエッチングしていないサンプルは１６０分以内でレ
ーザーによる損傷が発生した。それに対し、表面から３
００ｎｍ深さまでエッチングしたサンプルは３６０分以
上たってからやっと結晶表面に損傷が認められた。
４ｋＨｚ、ビーム径１ｍｍφレンズｆ＝２５ｍｍ）を照
射させて表面のレーザー損傷を観察したところ、結晶表
面をエッチングしていないサンプルは１６０分以内でレ
ーザーによる損傷が発生した。それに対し、表面から３
００ｎｍ深さまでエッチングしたサンプルは３６０分以
上たってからやっと結晶表面に損傷が認められた。
【００２６】イオンビームによる研磨砥粒の除去は、光
学素子の長寿命化を達成するうえで重要な技術となるこ
とがわかる。また、シングルショットの場合でも、２倍
以上レーザー損傷しきい値が向上することがわかる。
学素子の長寿命化を達成するうえで重要な技術となるこ
とがわかる。また、シングルショットの場合でも、２倍
以上レーザー損傷しきい値が向上することがわかる。
【００２７】
【発明の効果】以上詳しく説明したとおり、この出願の
発明によって、結晶光学素子のレーザー損傷を抑え、素
子表面の高レーザー耐力化、そして長寿命化を図ること
ができる。信頼性の高い光学素子を提供することができ
る。
発明によって、結晶光学素子のレーザー損傷を抑え、素
子表面の高レーザー耐力化、そして長寿命化を図ること
ができる。信頼性の高い光学素子を提供することができ
る。
【図１】ＣＬＢＯ研磨表面のＺｒ砥粒の残存深さを例示
したＳＩＭＳスペクトル図である。
したＳＩＭＳスペクトル図である。
【図２】ＳｉＯ2 研磨表面のＣｅ砥粒への残存深さを例
示したＳＩＭＳスペクトル図である。
示したＳＩＭＳスペクトル図である。
【図３】イオンビーム電圧とエッチング速度との関係を
例示した図である。
例示した図である。
【図４】ＣＬＢＯのイオンビームエッチング前後の表面
状態をＡＦＭ像として例示した図である。
状態をＡＦＭ像として例示した図である。
【図５】ＳｉＯ2 のイオンビームエッチング前後の表面
状態をＡＦＭ像として例示した図である。
状態をＡＦＭ像として例示した図である。
【図６】ＣＬＢＯの高繰り返しレーザー耐力の評価のた
めのシステム図である。
めのシステム図である。
【図７】図６のシステムによる評価の結果を、寿命とエ
ッチング深さとの関係として例示した図である。
ッチング深さとの関係として例示した図である。
【図８】ＣＬＢＯのシングルショットレーザー損傷しき
い値の評価のためのシステム図である。
い値の評価のためのシステム図である。
【図９】図８のシステムによる評価の結果をエッチング
深さと損傷しきい値との関係として例示した図である。
深さと損傷しきい値との関係として例示した図である。
【図１０】ＳｉＯ2 について、図７と同様の結果を例示
した図である。
した図である。
【図１１】ＳｉＯ2 について、図９と同様の結果を示し
た図である。
た図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 598058298 森 勇介 大阪府交野市私市８−16−９ (72)発明者 佐々木 孝友 大阪府吹田市山田西２−８ Ａ９−310 (72)発明者 森 勇介 大阪府交野市私市８−16−９ (72)発明者 田中 光弘 神奈川県厚木市温水135番地 株式会社光 学技研内 Ｆターム(参考） 2K002 AB12 CA02 FA20 HA20 4E066 AA03 BA13 CB16
Claims (3)
- 【請求項１】 機械的に研磨された結晶光学素子の表面
にイオンビームを照射し、残留砥粒を有する表層を除去
することを特徴とするイオンビームエッチングによる光
学素子表面の処理方法。 - 【請求項２】 結晶光学素子が非線形光学結晶である請
求項１の処理方法。 - 【請求項３】 結晶光学素子が、石英または無機フッ化
物である請求項１処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11087306A JP2000271764A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | イオンビームエッチングによる光学素子表面の処理方法 |
| PCT/JP1999/005013 WO2000058783A1 (fr) | 1999-03-29 | 1999-09-14 | Procede de traitement de surface d'un dispositif optique au moyen d'une attaque par faisceau d'ions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11087306A JP2000271764A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | イオンビームエッチングによる光学素子表面の処理方法 |
Publications (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007072121A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Okamoto Kogaku Kakosho:Kk | 光学素子の表面処理方法 |
| JP2009513995A (ja) * | 2005-07-28 | 2009-04-02 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | サブ２１３ｎｍ波長を生成するためのＣＬＢＯにおける非臨界位相整合 |
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1999
- 1999-03-29 JP JP11087306A patent/JP2000271764A/ja active Pending
- 1999-09-14 WO PCT/JP1999/005013 patent/WO2000058783A1/ja active Application Filing
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| JP2009513995A (ja) * | 2005-07-28 | 2009-04-02 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | サブ２１３ｎｍ波長を生成するためのＣＬＢＯにおける非臨界位相整合 |
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