CN112759280A - 一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法 - Google Patents

一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112759280A
CN112759280A CN202011568122.2A CN202011568122A CN112759280A CN 112759280 A CN112759280 A CN 112759280A CN 202011568122 A CN202011568122 A CN 202011568122A CN 112759280 A CN112759280 A CN 112759280A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sol
antireflection film
cleaned
film layer
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011568122.2A
Other languages
English (en)
Inventor
宋辞
石峰
钟曜宇
田野
张坤
铁贵鹏
薛帅
林之凡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National University of Defense Technology
Original Assignee
National University of Defense Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National University of Defense Technology filed Critical National University of Defense Technology
Priority to CN202011568122.2A priority Critical patent/CN112759280A/zh
Publication of CN112759280A publication Critical patent/CN112759280A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/006Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by plasma or corona discharge
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical means
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical means for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical means for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical means for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0683Measuring arrangements characterised by the use of optical means for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating measurement during deposition or removal of the layer
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00Measuring arrangements or details thereof in so far as they are not adapted to particular types of measuring means of the preceding groups
    • G01B21/30Measuring arrangements or details thereof in so far as they are not adapted to particular types of measuring means of the preceding groups for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/59Transmissivity
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/65Raman scattering
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q60/00Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
    • G01Q60/24AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes

Abstract

本发明涉及强激光光学元件加工技术,公开了一种熔石英光学元件表面Sol‑gel减反射膜层清洗方法,实施步骤包括:测量待清洗样品表面Sol‑gel减反射膜的膜层厚度h;使用玻璃夹具对待清洗样品进行装夹;将待清洗元件连同玻璃夹具装入离子束机床工作腔内;将离子束机床工作腔抽真空,然后通入惰性气体;对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺去除待清洗样品表面膜层厚度h的Sol‑gel减反射膜层。本发明工艺流程简单、可操作性强、能保证清除熔石英表面Sol‑gel减反射膜层,并确保在清洗的过程中改善表面质量,不产生含放射性污染的含氚废液。

Description

一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法
技术领域
本发明涉及强激光光学元件加工技术,具体涉及一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,用于去除熔石英表面Sol-gel凝胶减反射膜层。
背景技术
熔石英是高功率激光装置中应用最普遍的光学材料。在光学系统中,熔石英材料被广泛应用于制备透镜、窗口和屏蔽片等光学元件,并镀Sol-gel减反射膜增强光学性能。但是熔石英元件常处于高通量强激光辐射下,元件表面及材料内部会发生一系列不可逆的、灾难性的激光诱导损伤,当元件损伤点面积总和超过一定比例后,元件将视为彻底损坏而下架。
下架后的熔石英光学元件进入返修阶段首先就要去除表面Sol-gel减反射膜层,目前去除熔石英元件表面Sol-gel减反射膜层的方法主要以化学湿刻蚀这类膜层清洗方式为主。由于长期运用于高功率激光装置,下架后熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜内含大量氚等放射性污染,一片下架的窗口元件在一个化学湿法刻蚀去除放射性膜层过程中会产生将近500L含氚废液。这些含氚废液环境危害大,处理成本高,难度大。因此,急需要引入新型的不产生含氚废液的Sol-gel凝胶减反射膜层清洗工艺来解决这些技术问题。
惰性气体离子束干法清洗是利用一定能量的惰性气体离子束流轰击样品表面,通过与样品表面的原子或分子发生碰撞进行能量交换,当原子或分子获得的能量足以脱离表面时就实现了元件表面材料的原子量级去除。惰性气体离子束干法清洗是一种可控的,高稳定性的,干法清洗工艺,去除待清洗元件表面反射性污染物的同时,不会产生难处理的含氚废液。这种方法不仅可以保持光学元件表面面形精度,改善表面粗糙度,还不会在清洗过程中破坏基体材料,是一种无损清洗方式,有望成为下架后熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜清洗的新方法。目前,惰性气体离子束干法清洗技术用于下架后熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜清洗尚未见相关报道。
发明内容
本发明要解决的技术问题:针对现有技术的上述问题,提供一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,本发明为能满足下架后熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜清洗的干法刻蚀工艺,能去除表面减反射膜的同时不恶化元件表面粗糙度,保持熔石英表面面形精度,具有工艺流程简单、可操作性强的优点。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,实施步骤包括:
1)测量待清洗样品表面Sol-gel减反射膜层的膜层厚度h;
2)使用玻璃夹具对待清洗样品进行装夹;
3)将待清洗元件连同玻璃夹具装入离子束机床工作腔内;
4)将离子束机床工作腔抽真空,然后通入惰性气体;
5)对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺,去除待清洗样品表面膜层厚度h的Sol-gel减反射膜层。
优选地,步骤1)的详细步骤包括:
1.1)采用分光光度计对待清洗样品表面透射率进行测量得到透射率光谱;
1.2)根据透射率光谱确定最高透射率所在的波长λmax
1.3)根据h=5λmax/24计算得到待清洗样品表面Sol-gel减反射膜的膜层厚度h,其中λmax为最高透射率所在的波长。
优选地,步骤1.1)中采用分光光度计对待清洗样品表面透射率进行测量得到透射率光谱时,检测波段为240nm~800nm,测量过程中采样间隔为0.5nm,扫描速度300nm/min。
优选地,步骤4)将离子束机床工作腔抽真空时真空度不小于1×10-5MPa。
优选地,步骤4)通入惰性气体时,通入惰性气体为Ar气。
优选地,步骤4)通入惰性气体时,通入惰性气体的持续时间为30分钟。
优选地,步骤5)对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺时采用的工艺参数为:入射离子能量ε=600eV,峰值束流密度J=20mA/cm2,等离子体加工效率1.82×10-3mm3/min,等离子体入射角度θ=0°,清洗轨迹为光栅式扫描,整个过程中的材料去除量δ大于膜层厚度h。
优选地,步骤5)之后还包括下述步骤:将离子束机床工作腔内惰性气体至回收气体罐,通入新的惰性气体,等待清洗后的样品在离子束机床工作腔内自然冷却后取出。
优选地,所述通入新的惰性气体的持续时间为30分钟,通入新的惰性气体为Ar气。
优选地,所述在离子束机床工作腔内自然冷却的时间为3小时。
和现有技术相比,本发明具有下述优点:
1.本发明工艺流程简单,可操作性强,环境友好。首先确认待清洗样品的膜层厚度,然后利用惰性气体清洗Sol-gel减反射膜层,去除深度精确可控,且不会产生含放射性污染的含氚废液。
2、本发明可以保证不破坏表面质量,由于熔石英元件在高精度的强光光学系统中广泛应用,系统对元件的表面质量和表面精度有极高的要求,惰性气体离子束干法清洗在处理过程中,能够保持下架熔石英元件的高精度高表面质量,不会破坏熔石英光学元件基体原有光学性能,大大提高了下架元件返修的效率。
附图说明
图1为本发明实施例方法的基本流程示意图。
图2为本发明实施例中对熔石英元件基底和Sol-gel减反射膜两种材料在不同清洗参数下清洗效率对比表。
图3为本发明实施例中优选工艺参数去除函数图像。
图4为本发明实施例中离子束在元件上的清洗轨迹。
图5为本发明实施例中逐层清洗后的下架熔石英元件样品的表面形貌。
图6为本发明实施例中干法清洗后的表面透射率变化情况。
图7为本发明实施例中清洗后的表面拉曼光谱变化情况。
具体实施方式
下文将以一块50mm×50mm×3mm的方形下架熔石英元件(表面双面镀Sol-gel减反射膜)为例,对本发明熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法进行进一步的详细说明。
如图1所示,本实施例熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法的实施步骤包括:
1)测量待清洗样品表面Sol-gel减反射膜层的膜层厚度h;
2)使用玻璃夹具对待清洗样品进行装夹;
3)将待清洗元件连同玻璃夹具装入离子束机床工作腔内,可避免离子溅射引入新的污染;
4)将离子束机床工作腔抽真空,然后通入惰性气体;
5)对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺,去除待清洗样品表面膜层厚度h的Sol-gel减反射膜层。
本实施例中,步骤1)的详细步骤包括:
1.1)采用分光光度计对待清洗样品表面透射率进行测量得到透射率光谱;本实施例中采用的分光光度计具体为日立公司的U4100分光光度计。
1.2)根据透射率光谱确定最高透射率所在的波长λmax
1.3)根据h=5λmax/24计算得到待清洗样品表面Sol-gel减反射膜的膜层厚度h,其中λmax为最高透射率所在的波长。本实施例中,最终计算得到待清洗样品表面Sol-gel减反射膜的膜层厚度h约为73nm。
本实施例中,步骤1.1)中采用分光光度计对待清洗样品表面透射率进行测量得到透射率光谱时,检测波段为240nm~800nm,测量过程中采样间隔为0.5nm,扫描速度300nm/min。
本实施例中,步骤4)将离子束机床工作腔抽真空时真空度不小于1×10-5MPa。
本实施例中,步骤4)通入惰性气体时,通入惰性气体为Ar气。
本实施例中,步骤4)通入惰性气体时,通入惰性气体的持续时间为30分钟。
本实施例中,步骤5)对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺时采用的工艺参数为:入射离子能量ε=600eV,峰值束流密度J=20mA/cm2,等离子体加工效率1.82×10-3mm3/min,等离子体入射角度θ=0°,清洗轨迹为光栅式扫描,整个过程中的材料去除量δ大于膜层厚度h。一般而言,整个过程中的材料去除量δ取值为约等于膜层厚度h×130%,本实施例中最终计算得到待清洗样品表面Sol-gel减反射膜的膜层厚度h约为73nm,整个过程中的材料去除量δ为100nm。
本实施例中,步骤5)之后还包括下述步骤:将离子束机床工作腔内惰性气体至回收气体罐,通入新的惰性气体,等待清洗后的样品在离子束机床工作腔内自然冷却后取出。
本实施例中,通入新的惰性气体的持续时间为30分钟,通入新的惰性气体为Ar气。
本实施例中,在离子束机床工作腔内自然冷却的时间为3小时。
图2所示为本实施例中对熔石英元件基底和Sol-gel减反射膜两种性质的材料,在不同清洗参数下清洗效率对比表格的照片,由于Sol-gel减反射膜附着在熔石英元件基底上,为了更好的保护基底表面质量和表面面形精度,优选出一组材料去除效率比(Sol-gel减反射膜去除效率/熔石英基底去除效率)最大的一组清洗参数。图3为本实施例中的优选工艺参数去除函数图像,Sol-gel减反射膜上单位去除材料量的形状为高斯型,去除效率稳定可控。图4为本实施例中离子束在元件上的清洗轨迹,使用交错的光栅路径,避免元件上出现过高的热效应。图5为本实施例中初始以及惰性气体离子束逐层清洗后的下架熔石英元件表面形貌。利用原子力显微镜(Atom Force Microscope,AFM,测量结果使用BRUKERDimension原子力显微镜进行测量,测量模式为智能扫描ScanAnsys Mode)测量得到表面粗糙度的结果,测量区域范围为10μm×10μm,在惰性气体离子束干法清洗过程中,表面粗糙度值逐步得到改善。图6为本实施例中初始以及惰性气体离子束干法清洗后的表面透射率变化情况。惰性气体离子束清洗前,即初始的下架元件表面透射率最高达到100%,对应的波长为351nm,依据经验公式获得膜层厚度约为73nm。当下架熔石英元件单面Sol-gel减反射膜被清洗完成是,透射率下降。当下架熔石英元件两面Sol-gel减反射膜均被清洗后,透射率情况与基底相同。图7为本实施例中初始以及惰性气体离子束干法清洗后的表面拉曼光谱变化情况,利用拉曼光谱仪(使用上海复享公司nova拉曼光谱仪进行表面拉曼光谱测量,测量激光波长为785nm,光谱范围175~4000cm-1)通过对比拉曼峰可知,当下架熔石英元件表面Sol-gel减反射膜被清洗后,拉曼光谱情况与熔石英材料初始基底相同,说明当Sol-gel减反射膜去除后,暴露出的基底材料特性与熔石英材料初始基底相同。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例,凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于实施步骤包括:
1)测量待清洗样品表面Sol-gel减反射膜层的膜层厚度h;
2)使用玻璃夹具对待清洗样品进行装夹;
3)将待清洗元件连同玻璃夹具装入离子束机床工作腔内;
4)将离子束机床工作腔抽真空,然后通入惰性气体;
5)对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺,去除待清洗样品表面膜层厚度h的Sol-gel减反射膜层。
2.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于,步骤1)的详细步骤包括:
1.1)采用分光光度计对待清洗样品表面透射率进行测量得到透射率光谱;
1.2)根据透射率光谱确定最高透射率所在的波长λmax
1.3)根据h=5λmax/24计算得到待清洗样品表面Sol-gel减反射膜的膜层厚度h,其中λmax为最高透射率所在的波长。
3.根据权利要求2所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于,步骤1.1)中采用分光光度计对待清洗样品表面透射率进行测量得到透射率光谱时,检测波段为240nm~800nm,测量过程中采样间隔为0.5nm,扫描速度300nm/min。
4.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于,步骤4)将离子束机床工作腔抽真空时真空度不小于1×10-5MPa。
5.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于,步骤4)通入惰性气体时,通入惰性气体为Ar气。
6.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于,步骤4)通入惰性气体时,通入惰性气体的持续时间为30分钟。
7.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于,步骤5)对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺时采用的工艺参数为:入射离子能量ε=600eV,峰值束流密度J=20mA/cm2,等离子体加工效率1.82×10-3mm3/min,等离子体入射角度θ=0°,清洗轨迹为光栅式扫描,整个过程中的材料去除量δ大于膜层厚度h。
8.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于,步骤5)之后还包括下述步骤:将离子束机床工作腔内惰性气体至回收气体罐,通入新的惰性气体,等待清洗后的样品在离子束机床工作腔内自然冷却后取出。
9.根据权利要求8所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于,所述通入新的惰性气体的持续时间为30分钟,通入新的惰性气体为Ar气。
10.根据权利要求8所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法,其特征在于,所述在离子束机床工作腔内自然冷却的时间为3小时。
CN202011568122.2A 2020-12-25 2020-12-25 一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法 Pending CN112759280A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011568122.2A CN112759280A (zh) 2020-12-25 2020-12-25 一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011568122.2A CN112759280A (zh) 2020-12-25 2020-12-25 一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112759280A true CN112759280A (zh) 2021-05-07

Family

ID=75694701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011568122.2A Pending CN112759280A (zh) 2020-12-25 2020-12-25 一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112759280A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459120A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 去除互连金属层表面氧化膜的方法
CN102485357A (zh) * 2010-12-03 2012-06-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种载板清洗方法、装置及基片镀膜设备
CN109055891A (zh) * 2018-08-15 2018-12-21 娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司 一种动力电池陶瓷连接器金属化层的制备方法
CN111508833A (zh) * 2020-06-18 2020-08-07 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 提高薄膜表面处理精度的方法及半导体器件的制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459120A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 去除互连金属层表面氧化膜的方法
CN102485357A (zh) * 2010-12-03 2012-06-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种载板清洗方法、装置及基片镀膜设备
CN109055891A (zh) * 2018-08-15 2018-12-21 娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司 一种动力电池陶瓷连接器金属化层的制备方法
CN111508833A (zh) * 2020-06-18 2020-08-07 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 提高薄膜表面处理精度的方法及半导体器件的制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Alessi et al. Picosecond laser damage performance assessment of multilayer dielectric gratings in vacuum
Riedel et al. Effective absorption coefficient measurements in PMMA and PTFE by clean ablation process with a coherent VUV source at 125 nm
EP0834191A1 (en) Removal of material by polarized radiation and back side application of radiation
Juškevičius et al. Argon plasma etching of fused silica substrates for manufacturing high laser damage resistance optical interference coatings
Ye et al. Post-processing of fused silica and its effects on damage resistance to nanosecond pulsed UV lasers
Qi et al. Development of high-power laser coatings
Durand et al. Excimer laser sputtering deposition of TiO2 optical coating for solar cells
Guo et al. Effects of ion beam etching of fused silica substrates on the laser-induced damage properties of antireflection coatings at 355 nm
CN103235353A (zh) 一种使深紫外光学薄膜具有光学稳定性的处理方法
Ling et al. Damage investigations of AR coating under atmospheric and vacuum conditions
JP2005507994A (ja) 耐損傷性光学部品の製造方法
CN112759280A (zh) 一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法
Yang et al. Investigation of microstructuring CuInGaSe2 thin films with ultrashort laser pulses
CN110013999B (zh) 一种基于惰性离子束刻蚀的氚污染光学膜无损去除方法
Cosar et al. Improving the laser damage resistance of oxide thin films and multilayers via tailoring ion beam sputtering parameters
Xu et al. Influence of electric field on laser damage properties of DLC films by unbalanced magnetron sputtering
CN101527336A (zh) 应用红、绿激光制备薄膜太阳能电池的方法
Jiang et al. Removal of antireflection sol-gel SiO2 coating based on Ar ion beam etching
Jiao et al. Study for Improvement of laser induced damage of 1064 nm AR coatings in nanosecond pulse
Blaschke et al. Investigation in the degradation of CaF2 outcouplers in excimer lasers operating at 193nm
Zhao et al. Research to improve the optical performance and laser-induced damage threshold of hafnium oxide/silica dichroic coatings
Sun et al. A recycling strategy of ion beam removal and recoating of sol-gel film on fused silica surface
Kerr et al. The effect of laser annealing on laser-induced damage threshold
Wei et al. Effects of CO2 laser conditioning of the antireflection Y2O3/SiO2 coatings at 351 nm
Maleki et al. Improving anti-reflection MgF2 thin films by laser shock peening and investigation of its laser damage threshold

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination