WO2000033369A1 - Appareil de gravure au plasma - Google Patents

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WO2000033369A1 PCT/JP1999/006619 JP9906619W WO0033369A1 WO 2000033369 A1 WO2000033369 A1 WO 2000033369A1 JP 9906619 W JP9906619 W JP 9906619W WO 0033369 A1 WO0033369 A1 WO 0033369A1
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Kazunori Nagahata
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    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge

Definitions

  • harmonics which are always generated when a high frequency is applied, form a standing wave in the plane of the upper electrode 80.
  • the standing wave since the standing wave has a large amplitude at the center of the electrode, the standing wave contributes to the plasma near the upper electrode. It becomes thinner in comparison.
  • the frequency of indicia pressure to the upper electrode relatively low cormorants good conventional, for example in the case of less than 5 0 MH Z is plasmas density rather Do rather high, since a thick plug Zumashi Ichisu follow , Standing waves affect plasma uniformity Impact is small. At less than 50 MHz, the effect of the standing wave is small because the wavelength of the harmonic is larger than the diameter of the upper electrode.
  • First high-frequency applying means for applying a high-frequency power of 50 MHz or more to the first electrode
  • Exhaust means for maintaining the inside of the chamber at a predetermined reduced pressure; and processing gas introduction means for introducing a processing gas into the chamber.
  • a high-frequency electric field is formed between the first and second electrodes to form a plasma of the processing gas, and the plasma is formed. Subjecting the substrate to be etched to
  • Exhaust means for maintaining the inside of the chamber at a predetermined reduced pressure; and processing gas introduction means for introducing a processing gas into the chamber.
  • FIG. 2 is a sectional view schematically showing an etching apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view schematically showing an etching apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • the etching apparatus 1 is configured as a capacitive parallel-plate etching apparatus in which electrode plates are vertically opposed to each other and one side is connected to a power supply for plasma formation.
  • the A gas passage 14 for supply is formed, and the cooling heat of the susceptor 5 is transmitted to the wafer W via this heat transfer medium, so that the wafer W is maintained at a predetermined temperature. I have.
  • the peripheral edge of the upper end of the susceptor 5 has an electrostatic chuck 11 on it.
  • An annular focus ring 15 is arranged so as to surround the placed wafer W.
  • the focus ring 15 is made of a conductive material such as silicon and has a function of improving the uniformity of etching.
  • FIG. 3 shows a case corresponding to the present invention in which high frequency power of 60 MHz is applied to the upper electrode, and high frequency power of 2 MHz is applied to the upper electrode and the lower electrode at a distribution ratio of 4: 6. Apply high frequency power of 60 MHz to the upper electrode ⁇ High frequency lightning power of 2 MHz to the lower electrode
  • FIG. 7 is a diagram showing a potential distribution of a space above the center of a wafer in the comparative example where the voltage is applied and in the comparative example.
  • the horizontal axis indicates the distance in the direction perpendicular to the electrodes
  • the vertical axis indicates the time for one cycle of 2 MHz high frequency.
  • the first high-frequency applying means for applying a high frequency of 5 0 MH Z frequencies above the first electrodes, the first electrode and the second electrode, the frequency is 2 MH z or
  • a second high-frequency applying means for applying the same high-frequency with the opposite phase to each other and lower than the first high-frequency applying means.
  • the high frequency having a relatively low frequency by the second high frequency applying means is applied. Therefore, the plasma quality of the upper electrode depends on the frequency of the first high-frequency applying means.
  • the portion corresponding to the frequency of the second high-frequency applying means which has a lower frequency, is superimposed on the corresponding portion and becomes thicker, and even if the plasma sheet is affected by the standing wave, the plasma becomes uniform.
  • the property is hardly deteriorated, and the plasma sheath of the lower electrode becomes almost uniform. Accordingly, it is possible to cope with miniaturization by using high-density plasma, and it is possible to confirm the uniformity of plasma processing by using uniform plasma.

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Description

明 細 書
プラズマエ ッチング装置 技術分野
本発明は、 半導体基板等の基板にプラ ズマ処理を施すブラ ズマエ ッチング装置に関する。 背景技術
半導体デバイ スの製造プロセス においては、 被処理基板で ある半導体ウェハに対 して、 プラ ズマによ り エ ッチングを施 すプラズマエ ッチングが多用 されている。 プラ ズマェ ッチン グ装置と しては、 種々 のものが用レ、 られているが、 その中で も容量結合型平行平板プラズマ処理装置が主流である。
容量結合型平行平板プラ ズマエ ッチング装置は、 チャ ンバ 一内に一対の平行平板電極 （上部お よび下部電極） を配置 し、 処理ガスをチャ ンバ一内に導入する と と も に、 電極の一方に 高周波を印加 して電極間に高周波電界を形成 し、 この高周波 電界によ り 処理ガスのプラ ズマを形成 して半導体 ウェハに対 してプラ ズマ処理を施す。
このよ う な容量結合型平行平板プラ ズマエ ッチング装置に よ り 半導体ウェハ上の膜、 例えば酸化膜をエ ツチングする場 合には、 チャ ンバ一内を中圧に して、 中密度プラ ズマを形成 する こ と によ り 、 最適ラ ジカル制御が可能であ り 、 それによ つ て適切なプラ ズマ状態を得る こ と ができ 、 高い選択比で、 安定性および再現性の高いエ ッチングを実現 している。
具体的には、 上部電極にプラ ズマ形成用の 2 7 . 1 2 M H z の高周波を印力 Π してプラ ズマを形成 し、 下部電極に 8 0 0 k H z の高周波を印加 して、 プラ ズマによ り 発生 されたィ ォ ンを下部電極に引 き込み、 2 0 〜 1 0 0 mTorr の圧力にて良 好なエ ッ チングが実現可能な こ と が 1997 DRY PROCESS SYMPOSIUM ( P385 ~ 390) に開示 されてレ、る。
し力、 しな力 S ら、 近年、 U S L I におけるデザイ ンルールの 微細化がますます進み、 ホール形状のァスぺク ト比も よ り 高 いものが要求 されてお り 、 従来の条件では必ず し も十分と は レ、えな く な り つつある。
ま た、 エ ッチングの際には、 図 7 に示すよ う に、 プラ ズマ シース S 近傍の レジス ト層 1 1 1 の部分はマイ ナスに帯電 し ているため、 プラズマ P か らの電子は横方向の運動量のほ う が大き く な り 、 ァ スぺク ト 比が大き レ、 コ ン タ ク ト ホールが形 成されている部分では電子はコ ンタ ク ト ホール 1 0 1 内に到 達しに く く なる が、 プラ ス のイ オンはプラ ズマシース に よ つ て加速されて コ ンタ ク ト ホールに到達する ため、 コ ンタ ク ト ホール 1 0 1 内の底部 1 0 3 がプラ ス に帯電する よ う になる。 一方、 コ ンタ ク ト ホールが形成 されていないスペース部分 1 0 5 には、 困難性を伴 う こ と な く 電子 と イ オン と が到達する。 こ の結果、 ゲー ト電極 1 1 6 の下方の薄い絶縁膜 1 1 7 に強 い電界がかか り 、 いわゆる シエーディ ングダメ ージと称され る絶縁破壊が生 じて しま う 。 なお、 図 7 中、 符号 1 1 2 ， 1 1 4 は絶縁膜 （ S i O 2 ) であ り 、 1 1 3 はアル ミ ニ ウ ム配 線、 1 1 5 はゲー ト配線である。
本発の 目 的は、 適切なプラ ズマ状態を得る こ と ができ 、 力 つ微細化に対応可能であ り 、 しかも シヱ一ディ ングダメ ージ が生 じ難いプラ ズマエ ッチング装置を提供する こ と である。 発明の開示
本発明者は、 要求 されている微細化に対応可能なプラ ズマ エ ッチングについて検討を重ねた結果、 上部電極および下部 電極にに印加する高周波の周波数を上昇させ、 例えば上部電 極に 6 0 M H z 、 下部電極に 2 M H z の周波数の高周波を印 加する こ と によ り 、 よ り 低圧の条件でプラ ズマを形成する こ と ができ 、 従来の容量結合型平行平板プラ ズマ処理装置 と 同 等の ラ ジカル解離制御性を維持 しつつ、 よ り 高密度のプラ ズ マを形成する こ と ができ 、 よ り 微細化に対応可能な こ と を見 出 した。
しか しなが ら、 この よ う に上部電極に印加する 高周波の周 波数を上昇 させる と 、 エ ッ チ ン グの均一性が劣る と い う 新た な問題が生 じる こ と が判明 した。 すなわち、 図 1 Aに示すよ う に、 上部電極 8 0 のプラ ズマシース が電極中央部で極めて 薄く な り 、 下部電極 8 1 のプラ ズマシースが電極中央部で厚 く なっ てプラズマの不均一が生 じる。
これは、 高周波を印加 した際に必ず生 じ る 高調波が上部電 極 8 0 の面内に定在波を形成する こ と に起因する。 つま り 、 定在波は電極の中央で振幅が大き く なるか ら 、 定在波が上部 電極近傍のプラ ズマに寄与する こ と に よ り 、 上部電極中央部 のシ一スが端部に比較 して薄 く な る。 しか し 、 上部電極に印 加する周波数が従来の よ う に比較的低い場合、 例えば 5 0 M H Z 未満の場合には、 プラ ズマ密度が高 く な く 、 したがっ て プラ ズマシ一スが厚いので、 定在波がプラ ズマの均一性に与 える影響は小 さ い。 ま た、 5 0 M H z 未満では、 高調波の波 長が上部電極の径に比べて大き いの で、 定在波の影響は小 さ く なる。
上部電極に印加する 高周波の周波数が高 く なっ てプラ ズマ 密度が上昇する と 、 プラ ズマシース の厚さ が全体的に薄 く な るか ら、 電極の中央部のプラ ズマシース が定在波の影響を受 ける と 、 極端な場合には図示する よ う に電極中央部のブラ ズ マシースが極めて薄 く な り 、 プラズマの均一性が悪く なる。
一方、 下部電極 8 1 のプラ ズマシース に関 しては、 上部電 極の中央部においてプラズマシース が薄く なる こ と 力ゝ ら、 そ の部分のキヤ ノ、。シタ ンス が大き く なっ て集中 して電流が 2 M H z フ ィ ルターに流れ、 結果と してプラズマシースが厚 く な る。 このため、 中央部のプラ ズマ中のイ オンが一層加速 され、 ウ エノ、中央部でのエ ッ チングレ一 ト が ウェハ周辺部よ り 高 く な り 、 エ ッ チ ン グの均一性が低下する。
そ こで、 この よ う な新たな欠点を解決する ために さ ら に検 討した結果、 両電極に特定の高周波を印加する こ と に よ り プ ラ ズマシース厚を厚 く する こ と ができ 、 プラ ズマシース厚の 変動を小 さ く する こ と が可能な こ と を見出 した。 そ して、 こ の よ う にプラズマシース厚を厚 く してその変動を小 さ く する ためには、 両電極に特定の周波数でかつ同周波数の高周波電 力を実質的に逆位相で、 ある いはその近傍の位相で印加すれ ばよい こ と を見出 し た。
ま た、 この よ う に両電極に特定の周波数でかつ同周波数の 高周波電力を実質的に逆位相で、 ある いはその近傍の位相で 印加すればシェーディ ングダメ ージも生 じ難 く な る こ と を見 出 した。
尚、 特開平 7 — 3 0 2 7 8 6 及び特開平 8 — 3 1 5 9 6 に おいて も 、 相互に逆位相の低周波を上部電極及び下部電極に 印加する と 共に上部電極に高周波を印加するプラ ズマ処理装 置が開示 されている。 しか し、 かかる装置は、 本発明の課題 を解決する ものではない。
本発明は、 これらの知見に基づレヽてな された も のであっ て、 本発明の第 1 の観点によれば、 被処理基板が収容 されるチ ヤ ンノく一 と 、
このチャ ンバ一内に所定間隔を有 して相対向する よ う に設 け られた第 1 お よび第 2 の電極 と 、
前記第 1 の電極に 5 0 M H z 以上の高周波電力 を印加する 第 1 の高周波印加手段 と 、
前記第 2 の電極に高周波電力を印加する第 2 の高周波印加 手段 と 、
前記チャ ンバ一内を所定の減圧状態に維持する排気手段と 、 前記チヤ ンバー内に処理ガス を導入する処理ガス導入手段 と
を具備 し、
前記第 2 の電極に被処理基板を支持 させた状態で、 前記第 1 お よび第 2 の電極間に高周波電界を形成する こ と によ り 処 理ガスのプラ ズマを形成 し、 こ のプラ ズマに よ り 被処理基板 にエ ッチング処理を施すこ と を特徴 とする プラ ズマエ ツチン グ装置であって、 前記第 2 の高周波印加手段は、 前記第 1 の電極に形成 され るプラズマシース の厚 さが厚く なる よ う に前記第 1 の電極に も高周波電力を印加する こ と を特徴 と する プラズマエ ツチ ン グ装置が提供される。
本発明の第 2 の観点によれば、 被処理基板が収容 されるチ ヤ ンノ 一 と 、
こ のチャ ンバ一内に所定間隔を有 して相対向する よ う に設 け られた第 1 お よび第 2 の電極 と 、
前記第 1 の電極に 5 O M H z 以上の高周波電力を印加する 第 1 の高周波印加手段 と 、
前記第 1 の電極お よび第 2 の電極に、 周波数が 2 M H Z 以 上でかつ前記第 1 の高周波印加手段よ り も低 く 、 互いに実質 的に逆位相で同周波数の高周波電力 を印加する第 2 の高周波 印加手段 と 、
前記チャ ンバ一内を所定の減圧状態に維持する排気手段と 前記チ ャ ンバ一内に処理ガス を導入する処理ガス導入手段 と
を具備 し、
前記第 2 の電極に被処理基板を支持 させた状態で、 前記第 1 および第 2 の電極間に高周波電界を形成する こ と に よ り 処 理ガスのプラ ズマを形成 し、 こ のプラ ズマに よ り 被処理基板 にェ ツチング処理を施 し、
前記第 2 の高周波印加手段か ら前記第 1 の電極に印加 され る高周波電力に よ り 、 前記第 1 の電極に形成 されるプラ ズマ シー ス の厚 さ が厚 く なる こ と を特徴 と する プラ ズマエ ツ チン グ装置が提供される。
本発明の第 3 の観点によれば、 被処理基板が収容 されるチ ヤ ンノ 一 と 、
このチャ ンバ一内に所定間隔を有 して相対向する よ う に設 け られた第 1 お よび第 2 の電極 と 、
前記第 1 の電極に 5 O M H z 以上の高周波電力 を印加する 第 1 の高周波印加手段 と 、
前記第 1 の電極お よび第 2 の電極に、 周波数が 2 M H z 以 上でかつ前記第 1 の高周波印加手段よ り も低い同周波数の高 周波電力 を 1 8 0 ± 4 5 ° の位相差で夫々 印加する第 2 の高 周波印加手段と 、
前記チ ャ ンバ一内を所定の減圧状態に維持する排気手段と 、 前記チヤ ンバー内に処理ガス を導入する処理ガス導入手段 と
を具備 し、
前記第 2 の電極に被処理基板を支持 させた状態で、 前記第 1 および第 2 の電極間に高周波電界を形成する こ と に よ り 処 理ガスのプラズマを形成 し、 こ のプラ ズマに よ り 被処理基板 にェ ツチング処理を施 し、
前記第 2 の高周波印加手段か ら前記第 1 の電極に印加 され る 高周波電力に よ り 、 前記第 1 の電極に形成される プラ ズマ シース の厚 さが厚く な る こ と を特徴 と する プラ ズマエ ツチン グ装置が提供される。
本発明においては、 第 1 の電極に 5 0 M H z 以上の周波数 の高周波を印加する 第 1 の高周波印加手段 と 、 第 1 の雷極に 形成 される プラ ズマシース の厚 さ が厚 く な る よ う に、 第 2 の 電極のみな らず第 1 の電極にも高周波電力を印加する第 2 の 高周波印加手段を備えてい る の で、 プラズマシース が定在波 の影響を受けて も、 その厚 さ の変動割合が相対的に小 さ く な り 、 プラ ズマを よ り 均一にする こ と ができ る。 具体的には、 第 2 の高周波印加手段は、 第 1 の電極および第 2 の電極に、 周波数が 2 M H z 以上でかつ第 1 の高周波印加手段よ り も低 く 、 互いに実質的に逆位相で同周波数の高周波を印加するの で、 第 1 の電極には、 第 1 の高周波印加手段によ る高周波の 他、 第 2 の高周波印加手段によ る比較的周波数が低い高周波 も印加 される。 したがって、 図 1 の （ b ) に示すよ う に、 上 部電極のプラズマシースは、 第 1 の高周波印加手段の周波数 (例えば 6 0 M H z ) に対応するプラ ズマシース に、 よ り 周 波数が低い第 2 の高周波印加手段の周波数 （例え ば 2 M H z ) に対応する プラ ズマシース が重畳 されて厚く な り 、 また 2 M H z に対応する プラ ズマシース の方が 6 0 M H z に対応 する プラ ズマ シース よ り も厚いので、 プラ ズマ シース が定在 波の影響を受けて もその厚さ の変動の割合は小 さ く 、 ブラズ マの均一性が低下する度合が小 さ く なる。 ま た、 こ の よ う に 上部電極のプラ ズマシースが厚 く な る こ と か ら 、 定在波の影 響に よ る キ ャ パシタ ンス の変化は小 さ く 、 下部電極に流れる 電流が均一にな り 、 図示する よ う に下部電極のプラ ズマシ一 スはほぼ均一になる。 したがっ て、 本発明に よれば、 高密度 のプラ ズマによ り 微細化に対応可能である と と も に、 均一な プラ ズマに よ り エ ッ チ ングの均一性を確保する こ と が可能 と なる。 なお、 図 1 B は第 2 の高周波印加手段 と してパ ワ ース プ リ ッ ター 8 2 を用いて上部電極お よび下部電極に互いに逆 位相の高周波 （周波数 2 M H Z ) を印加 した状態を示すもの である。
また、 しかも 、 第 2 の高周波印加手段か ら第 1 および第 2 電極に印加 される高周波電力は実質的に逆位相である か ら、 シース部分の電界強度が常に一定値以上の高い値 と なる ため プラズマの空間電位を高 く する こ と ができ 、 かつ電離 レ一 ト が上昇 してプラ ズマ密度が高 く な り 、 イ オンおよび電子が高 エネルギー化 される。 また、 電極近傍における電離レー ト を 増加 させる こ と ができ 、 高速電子フ ラ ッ ク スが増加する。 し たがって、 プラ ズマ中の電子が コ ンタ ク ト ホールの底部に容 易に到達 しやす く な り 、 ホール内のプラ ス の電荷を中和する こ と ができ る ので、 シェ一ディ ングダメ ージを生 じ難 く する こ と が可能 と なる。
こ こ で、 上述 した よ う に第 1 および第 2 の電極に互いに実 質的に逆位相の高周波電力を印加する こ と に よ り 、 上述の よ う な効果が著 しいもの と なる が、 これらの効果は互いに逆位 相でな く て もそれに近い ものであれば奏する こ と が可能であ る。 具体的には、 両者の位相差が 1 8 0 ± 4 5 ° であれば、 所期の効果を得る こ と が可能である。
第 1 の高周波印加手段の周波数を 5 0 M H z 以上と したの は、 これよ り 低い と 、 所望の高密度プラズマ を得る こ と が困 難であ り 、 要求 されている微細化に対応する こ と ができ な く な り 、 また、 5 0 M H z 未満では本発明が解決 し よ う とする 課題 自 体が発生 しないか らである。
上記本発明の第 2 の観点において、 前記第 2 の高周波印加 手段は、 周波数が 2 M H Z 以上でかつ前記第 1 の高周波印加 手段よ り も低い高周波電源 と 、 該高周波電源の電力を前記第 1 および第 2 の電極に分配する ト ラ ンス と を有する構成 とす る こ と ができ る。
上記本発明の第 2 の観点および第 3 の観点において、 第 2 の高周波印加手段の周波数を 2 M H z 以上 と したのは、 周波 数が 2 M H z 以上になる と イ オンが追従 しに く く なる ので被 処理基板にイ オンが引 き込まれた際のダメ ージを小さ く する こ と ができ るカゝ らである。
上記本発明の第 2 の観点および第 3 の観点において、 前記 第 2 の高周波印加手段は、 周波数が 2 M H z 以上でかつ前記 第 1 の高周波印加手段よ り も低い高周波発振器と 、 こ の高周 波を増幅 して所定の高周波電力をそれぞれ前記第 1 および第 2 の電極に印加する増幅手段 と 、 前記第 1 の電極または第 2 の電極に印加 される 高周波の位相を シ フ ト させる位相シ フ ト 手段 と を有する構成 とする こ と ができ る。
また、 第 2 の観点お よび第 3 の観点において、 第 2 の高周 波印加手段の周波数は、 2 〜 2 7 M H z 以下である こ と が好 ま しい。 また、 第 1 および第 2 の高周波印加手段の周波数の 好ま しい例 と して、 第 1 の高周波印加手段の周波数が約 6 0 H z , 第 2 の高周波印加手段の周波数が約 2 M H z が挙げ られる。 さ らに、 前記第 2 の高周波印加手段は、 前記第 1 の 電極へ供給する電力 と 、 前記第 2 の電極へ供給する電力 と の 比力 6 ： 4〜 4 ： 6 である こ と が好ま しい。
図面の簡単な説明
図 1 A並びに図 1 B は、 本発明の原理を説明する ための図 であ り 、 図 1 Aは、 従来技術に係わ り 、 図 1 B は本発明に係 わる。
図 2 は、 本発明の一実施形態に係るエ ッ チング装置を概略 的示す断面図である。
図 3 は、 プラ ズマの電位分布をシ ミ ュ レーシ ョ ン した結果 を示す図である。
図 4 は、 プラ ズマの空間電位を示すグラ フ。
図 5 A並びに図 5 B は、 夫々 プラズマの電極近傍お よびバ ルク での電離レー ト を示すグラ フである。
図 6 は、 第 2 の高周波印加機構の他の例を示す図である。 図 7 は、 シエーディ ングダメ ージの概念を示す図である。 発明を実施する ための最良の形態
以下、 添付図面を参照 して本発明の実施の形態について説 明する。 図 2 は本発明の実施の形態に係るエ ツチング装置を 概略的に示す断面図である。 こ のエ ッチン グ装置 1 は、 電極 板が上下平行に対向 し、 一方にプラ ズマ形成用電源が接続さ れた容量型平行平板エ ッチング装置 と して構成 さ れている。
こ のエ ッ チ ン グ装置 1 は、 例 え ば内面がアルマイ ト 処理
(陽極酸化処理） されたアルミ ニ ゥ ムから なる 円筒形状に成 形 されたチャ ンバ一 2 を有 してお り 、 このチャ ンバ一 2 は保 安接地されている： 前記チャ ンバ一 2 内の底部にはセ ラ ミ ッ ク な どの絶縁板 3 を介 して、 被処理体、 例えば半導体 ウェハ (以下、 単に ウェハ と 記す） Wを載置する ための略円柱状の サセプタ支持台 4 が設け られている。 こ のサセプタ支持台 4 の上には、 下部電極を構成する サセプタ 5 が設け られている。 こ のサセプタ 5 は、 ノヽ イ ノ、。ス フ ィ ルタ ー （ H P F ) 6 をて介 して接地 されている。
前記サセプタ支持台 4 の内部には、 冷媒室 7 が設け られて お り 、 こ の冷媒室 7 には、 液体窒素な どの冷媒が冷媒導入管 8 を介 して導入 され冷媒排出管 9 か ら排出 されて循環 し、 そ の冷熱が前記サセプタ 5 を介 して前記支持台上に支持 された ウェハ Wに対 して伝熱 され、 これに よ り ウェハ Wの処理面が 所望の温度に制御される。
前記サセプタ 5 は円板状をな してお り 、 その上に ウェハ W と略同形の静電チャ ッ ク 1 1 が設け られている。 静電チヤ ッ ク 1 1 は、 絶縁材の間に電極 1 2 が介在する よ う に して構成 されてお り 、 電極 1 2 に接続された直流電源 1 3 から例えば 1 . 5 k V の直流電圧が印カ卩 される こ と に よ り 、 ク ー ロ ン力 またはジ ョ ンセ ン · ラーベッ ク 力に よ っ て ウ エノヽ Wを上に静 電吸着する。
前記絶縁板 3 、 サセプタ支持台 4 、 サセプタ 5 、 さ ら には 前記静電チャ ッ ク 1 1 には、 被処理体である ウェハ Wの裏面 に、 伝熱媒体、 例えば H e ガス な どを供給する ためのガス通 路 1 4 が形成されてお り 、 こ の伝熱媒体を介 してサセプタ 5 の冷熱が ウェハ Wに伝達されウェハ Wが所定の温度に維持さ れる よ う になっ ている。
前記サセプタ 5 の上端周縁部には、 静電チャ ッ ク 1 1 上に 載置 された ウェハ Wを囲むよ う に、 環状の フ ォ ーカ ス リ ング 1 5 が配置 されてレ、る。 こ の フ ォーカ ス リ ング 1 5 はシ リ コ ンな どの導電性材料か らなっ てお り 、 エ ツチングの均一性を 向上 させる機能を有する。
前記サセプタ 5 の上方には、 こ のサセプタ 5 と 平行にかつ 所定間隔を有 して対向 して上部電極 2 1 が設け られている。 この上部電極 2 1 は、 絶縁材 2 2 を介 して、 チャ ンバ一 2 の 上部に支持 されてお り 、 サセプタ 5 と の対向面を構成 し、 多 数の吐出孔 2 3 を有する電極板 2 4 と 、 こ の電極板 2 4 を支 持する電極支持体 2 5 と によ っ て構成 されている。 電極板 2 4 を構成する材料と して は、 シ リ コ ンま た はアモルフ ァ ス 力 一ボンが例示 される。 また、 電極支持体 2 5 は導電性材料に よ っ て構成されてお り 、 その材料と しては表面がアルマイ ト 処理 されたアル ミ ニ ウ ムが例示 される。 なお、 サセプタ 5 と 上部電極 2 1 と は、 1 0 〜 6 0 m m程度離間 している。
前記上部電極 2 1 における電極支持体 2 5 の中央にはガス 導入 口 2 6 が設け られ、 さ ら に こ のガス導入 口 2 6 には、 ガ ス供給管 2 7 が接続されてお り 、 さ ら に こ の ガス供給管 2 7 には、 ノくルブ 2 8 、 並びにマ ス フ ロ ー コ ン ト ロ ー ラ 2 9 を介 して、 処理ガス供給源 3 0 が接続されている。 処理ガス供給 源 3 0 か ら、 エ ッチングのための処理ガスが供給 される。 こ のよ う な処理ガス と しては C F 4ガスが例示 される。
前記チャ ンバ一 2 の底部には排気管 3 1 が接続 されてお り 、 この排気管 3 1 には排気装置 3 5 が接続されている。 排気装 置 3 5 はターボ分子ポンプな どの真空ポンプを備えてお り 、 これに よ り チャ ンノく ー 2 内 を 1 mT o rr ( 0 . 1 3 3 P a ) 程 度の減圧雰囲気まで真空引 き 可能な よ う に構成 されている。 また、 チャ ンバ一 2 の側壁にはゲー トバルブ 3 2 が設け られ てお り 、 このゲー トバルブ 3 2 を開 に した状態で ウェハ Wが 隣接する ロ ー ドロ ッ ク 室 （図示せず） と の間で搬送される よ う になっ ている。
次に、 プラ ズマを形成する ための機構について説明する。 本実施形態では相対的に高い周波数の高周波を上部電極に 印加する第 1 の高周波印加機構 1 0 0 と 、 下部電極と しての サセプタ 5 と 上部電極 2 1 の両方に対 して互いに実質的に逆 位相の相対的に低い周波数の高周波を印加する第 2 の高周波 印加機構 2 0 0 と が設け られている。 第 2 の高周波印加機構 2 0 0 は、 サセプタ 5 と 上部電極 2 1 と に同周波数の高周波 を印加する よ う になっ てレ、る。
第 1 の高周波印加機構 1 0 0 は、 第 1 の高周波電源 5 0 を 有 してお り 、 こ の第 1 の高周波電源 5 0 は整合器 5 1 お よび ハ イ ノ ス フ ィ ルタ一 （ H P F ) 5 2 を介 して上部電極 2 1 に 接続されている。 こ の第 1 の高周波電源 5 0 は、 5 0 M H z 以上の周波数を有 してお り、 こ の よ う に高い周波数を印加す る こ と に よ り チャ ンバ一 2 内に低圧条件下で高密度のプラズ マを形成する こ と ができ る。 なお、 事実上の上限周波数は 2 0 0 M H z 程度である。 こ の第 1 の高周波電源 5 0 の周波数 および出力の好ま し い例は、 6 0 M I- I z、 2 0 0 0 Wである。
第 2 の高周波印加機構 2 0 0 は、 第 2 の高周波電源 4 0 を 有 してお り 、 こ の高周波電源 4 0 は整合器 4 1 を介 してパヮ ースプ リ ッ タ一を構成する ト ラ ンス 4 2 の一次側に接続され てお り 、 こ の ト ラ ンス 4 2 の二次側には、 接地端子 4 3 が設 け られている。 こ の ト ラ ンス 4 2 の二次側は、 それぞれロ ー ノ、 °ス フ ィ ルタ （ L P F ) 4 4 ， 4 5 を介 してサセプタ 5 と 上 部電極 2 1 にそれぞれ接続されている。 したがっ て、 接地端 子 4 3 を移動させる こ と に よ り 、 高周波電源 4 0 のパワーは、 例えば 1 0 0 0 Wの出力の う ちサセプタ 5 へは 6 0 0 W、 上 部電極 2 1 には 4 0 0 Wと い う よ う に、 任意の比率で分配さ せる こ と が可能になっ ている。 またサセプタ 5 と 上部電極 2 1 には、 互いに実質的 に逆位相 の （位相が 1 8 0 ° 異な つ た） 高周波電力が印加 される。 第 2 の高周波電源 4 0 は第 1 の高周波電源 5 0 よ り も低 く 、 かつ 2 M H Z 以上の周波数を 有 してレヽる： こ のよ う に、 2 M H z 以上の周波数を有 してい れば、 サセプタ 5 に引 き込まれるイ オンが ウエノ、 Wに与える ダメ ージが小 さ い： 第 2 の高周波電源 4 0 の周波数は 2 7 M H z 以下である こ と が好ま し く 、 2 〜 ： L 3 . 5 6 M H z の範 囲が特に好ま しい。 こ の第 2 の高周波電源 4 0 の周波数の好 ま しい例 と しては 2 M H z を挙げる こ と ができ る。 後述する よ う に、 シヱ一ディ ングダメ 一ジを有効に防止する観点か ら は、 上部電極 2 1 と 下部電極であるサセプタ 5 と の分配比は 4 ： 6 〜 6 ： 4 が好ま しレヽ。
こ の よ う に構成 されるエ ッチ ング装置 1 において、 例えば、 シ リ コ ン基板を有する ウェハ W上のシ リ コ ン酸化膜 （ S i O
2 ) のエ ッ チングを実施する場合には、 まず被処理体であ る ウェハ Wは、 ゲー トバルブ 3 2 が開放 された後、 図示 しない 口一 ドロ ッ ク 室カゝらチャ ンバ一 2 内へ と搬入 され、 静電チヤ ッ ク 1 1 上に載置 される。 そ して、 高圧直流電源 1 3 か ら直 流電圧が印加 される こ と に よ っ て、 ウェハ Wが静電チヤ ッ ク 1 1 上に静電吸着される。 次いで、 ゲー トバルブ 3 2 が閉 じ られ、 排気機構 3 5 に よ っ て、 チャ ンバ一 2 内が所定の真空 度まで真空引 き される。
その後、 バルブ 2 8 が開放されて、 処理ガス供給源 3 0 か ら例えば C F 4ガス力 、 マス フ ロ ー コ ン ト ロ ー ラ 2 9 に よ つ てその流量が調整されつつ、 処理ガス供給管 2 7 、 ガス導入 口 2 6 を通って上部電極 2 1 の中空部へと 導入され、 さ らに 電極板 2 4 の吐出孔 2 3 を通っ て、 図 2 の矢印に示すよ う に、 ウェハ Wに対 して均一に吐出 される。
チャ ンノ 一 2 内の圧力が、 例えば 2 0 m T o r r ( 2 . 6 6 P a ) に維持 された後、 第 1 の高周波印加機構 1 0 0 の高 周波電源 5 0 か ら例えば 6 0 M H z の高周波を上部電極 2 1 に印加する： これに よ り 、 上部電極 2 1 と 下部電極と しての サセプタ 5 と の間に高周波電界が生 じ、 処理ガスが解離 して プラ ズマ化する。 他方、 第 2 の高周波印加機構 2 0 0 の高周 波電源 4 0 力 らは、 ト ラ ンス 4 2 を介 してサセプタ 5 と 上部 電極 2 1 と に、 互いに実質的に逆位相の （位相が 1 8 0 ° 異 なつ た） 例えば 2 M H z の高周波電力が印加 される。
この第 2 の高周波印加機構 2 0 0 か ら上部電極 2 1 に印カロ された成分は、 第 1 の高周波印加機構 1 0 0 か ら上部電極に 供給 された例えば 6 0 M H z の高周波が上部電極 2 1 側に形 成する プラ ズマ シース を厚く する機能を有 してお り 、 これに よ り 、 定在波を構成する高調波によ る 上部電極 2 1 表面での プラ ズマシース の不均一の影響を緩和 して、 均一なプラ ズマ を形成する こ と ができ る。
一方、 第 2 の高周波印加機構 2 0 0 か ら下部電極であるサ セプタ 5 に印加 された成分は、 プラ ズマ化 したガス分子中の 主にイ オンをサセプタ 5側へと積極的に引 き込む作用を有 し、 こ のイ オンア シス ト によっ て、 ウェハ Wの酸化膜に対 して、 よ り 異方性の高いエ ッチングを施すこ と が可能と なる。 こ の 場合に、 その周波数が 2 M H z 以上である こ と 力ゝ ら、 ウ エノ、 Wにダメ ージを与え る おそれは小さ い。
こ の よ う に、 上部電極 2 1 に例えば 6 0 M H z と い う 比較 的高い周波数の高周波を印加する こ と によ り 、 低圧で高密度 のプラ ズマを形成する こ と ができ 、 しかもサセプタ 5 に例え ば 2 M H z を印加する こ と によ り エ ッ チ ン グの選択性お よび 異方性を よ り 高める こ と ができ る の で、 微細加工が可能であ り 、 それにカ え、 上部電極 2 1 に例えば 6 0 M H z と い う 比 較的高い周波数の高周波を印加 した場合に生 じる プラ ズマの 不均一を解消する こ と ができ る ので、 プラ ズマ処理の均一性 を確保する こ と が可能 と なる。
第 2 の高周波印加機構 2 0 0 か ら 、 上部電極 2 1 および下 部電極であるサセプタ 5 に、 2 M H z の高周波電力を互いに 実質的に逆位相 と なる よ う に印加する こ と に よ り シース幅の 変動が小 さ く な る結果、 シース部分の電界強度が常に一定値 以上の高い値と なる ためプラ ズマの空間電位を高 く する こ と がで き 、 かつ電離レー トが上昇 してプラ ズマ密度が高 く な り 、 イ オンおよび電子が高エネルギー化 される。 また、 電極近傍 における電離レ一 ト を増加 させる こ と ができ 、 高速電子フ ラ ッ ク スが増加する： したがっ て、 プラ ズマ中の電子が コ ンタ ク ト ホールの底部に容易に到達 しやすく な り 、 ホール内のプ ラ スの電荷を中和する こ と ができ る ので、 シエーディ ングダ メ ージを生 じ難く する こ と が可能 と なる。
さ らに、 第 2 の高周波電源 4 0 の ト ラ ンス 4 2 の二次側 と 、 サセプタ 5 および上部電極 2 1 と の間の印加経路には、 それ ぞれロ ーノ、。ス フ ィ ルタ ー （ L P F ) 4 4 ， 4 5 が介在 してレヽ る ので、 この印加経路に第 1 の高周波電源 5 0 か らの高い周 波数、 例えば 6 0 M H z の高周波が侵入する おそれがない。 また、 第 1 の高周波電源 5 0 の印加経路にはハイ ノ、。ス フ ィル ター （ H P F ) 5 2 が介在 している ので、 こ の印加経路に第 2 の高周波電源 4 0 か らの低い周波数、 例えば 2 M H z の高 周波が侵入するおそれがない。 したがつ て、 安定 したプロ セ ス を実現する こ と ができ る。 なお、 こ のよ う なブロ ッ キング 機能に鑑みれば、 コ 一ノヽ。ス フ ィ ルタ 一 （ L P F ) 4 4 ， 4 5 およびハイ ノ ス フ ィ ルター （ H P F ) 5 2 に限 らず、 他のブ 口 ッ キング手段を用いて も よい。
次に、 本発明に係る プラ ズマ処理装置に よ っ て形成 される プラ ズマをシ ミ ュ ンーシ ョ ン した結果について説明する。
図 3 は、 上部電極に 6 0 M H z の高周波電力を印カロ し、 力 つ上部電極 と 下部電極に 4 ： 6 の分配比で 2 M H z の高周波 電力を印加 した本発明に対応する場合 と 、 上部電極に 6 0 M H z の高周波電力を印力 Π し下部電極に 2 M H z の高周波雷力 を印加 した比較例の場合と における ウェハ中心の上方におけ る空間の電位分布を示す図である。 なお、 こ の図において横 軸は電極に垂直な方向の距離を示 し、 縦軸は 2 M H z 高周波 の 1 周期分の時刻を示す。 こ の図に示すよ う に、 本発明の場 合には、 比較例の場合よ り も シース幅が安定 してお り 、 シー ス部分の電位の勾配で示 される電界の強度が一定以上の値を 示 している こ と がわかる。 ま た、 こ の際のプラ ズマ電位は図 4 に示すよ う に、 本発明のほ う が高 く 、 かつ変動量が少な く なっ ている。 さ らに、 こ の際の電離 レー ト は、 図 5 A並びに 図 5 B に示すよ う に、 バルタ において も電極近傍において も 本発明のほ う が高 く なつ てレヽる。 すなわち、 本発明の ほ う 力 S プラ ズマ密度が高 く なつている こ と がわかる。 ま た、 これに と も なつ てイ オンお よび電子が高エネルギー化 され、 高速電 子 フ ラ ッ ク ス が増加する こ と も シ ミ ュ レーシ ョ ン で示 された。 さ ら に、 電子がプラ ズマシースか ら ウェハに到達する 時間を シ ミ ュ レー シ ョ ン し た結果、 比較例の場合が 3 . 3 n s e c であっ たのに対 し、 本発明の場合には 3 . 2 n s e c であつ た。 すなわち、 本発明のほ う がプラ ズマシースカゝ ら ウ エノ、に 到達する時間が短く 、 電子が高速化 されている こ と がわかる。 したがっ て、 図 7 に示すコ ンタ ク ト ホール 1 0 1 内の底部 1 0 3 に到達する電子が増加 し、 その部分におけ る プラ ス の带 電が緩和 され、 シユ ーディ ングダメ 一ジが生 じに く く な る。
以上の こ と か ら、 本発明によ り 、 プラ ズマシース の厚 さ が 変動 しに く く 、 かつシェーディ ングダメ ージが生 じに く く な る こ と が確認された。 また、 実際にシェ一ディ ングダメ ージの加速実験を行っ た 結果、 比較の場合には歩留 り が 5 9 %であっ たのに対 し、 本 発明では 9 8 %であっ た。 さ ら に、 上部電極 と 下部電極の高 周波電力の分配比が 4 ： 6 〜 6 ： 4 の場合に、 特にシエーデ ィ ングダメ ージ防止効果が高い こ と が確認された。 さ ら にま た、 上部電極と 下部電極の高周波電力の分配比を 6 ： 4 に し た場合には、 比較の場合および分配比を 4 ： 6 に した場合よ り もエ ッチング選択比が高 く なつ た。 これは、 上部電極への 印加電力を高 く する こ と によ り ラ ジカル分布が ウェハ近傍で 高 く なる ため と 考え られる。
なお、 本発明 は上記実施の形態に限定 さ れる こ と な く 、 種々 変形可能である。 例えば、 上記実施の形態では第 2 の高 周波印加機構 2 0 0 にいわゆるパワ ー スプ リ ッ タ ーを用いた が、 これに限 らず、 両方の電極に互いに逆位相の高周波を印 加する こ と ができ る も のであればよい。 例えば、 図 6 に示す よ う に、 例えば 2 M H z の高周波を発振する 高周波発振機 6 0 を設け、 これを上部電極 2 1 には増幅器 6 1 、 整合器 6 2 、 および前述の口 一パス フ ィ ルタ ー 4 4 を介 して接続 し、 サセ プタ 5 には位相シフ ト 回路 6 3 、 増幅器 6 4 、 整合器 6 5 、 および上述のロ ーパ ス フ ィ ルタ ー 4 5 を介 して接続する よ う に し、 位相シフ ト回路 6 3 に よ り 位相 を 1 8 0 。 シ フ ト させ て逆位相 と して も よ い。 周波数が高 く なる と ト ラ ンス が機能 しな く なる ので、 図 6 の構成は高い周波数で特に有効である。 ま た、 上記実施形態では上部電極 と 下部電極 と で互いに逆 位相の高周波電力を印加 したが、 必ず し も逆位相でな く て も その近傍の位相であればよい。 具体的には、 1 8 0 ± 4 5 ° の位相シフ ト であれば、 所期の効果を得る こ と ができ る。 こ の よ う な構成は、 上記図 6 の位相シ フ ト回路 6 3 の シフ ト量 を調整する こ と によ り 実現する こ と ができ る。
さ らに、 上記実施の形態では、 被処理基板 と して半導体ゥ ェハを用い、 これにエ ッチングを施す場合について説明 した が、 これに限 らず、 処理対象 と して は液晶表示装置 （ L C D ) 基板等の他の基板であっ て も よ い。
産業上の利用の可能性
以上説明 した よ う に、 本発明 によれば、 第 1 の電極に 5 0 M H z 以上の高周波電力を印加する第 1 の高周波印加手段 と 、 第 2 の電極に高周波電力を印加する 第 2 の高周波印加手段と を備え、 第 2 の高周波印加手段は、 第 1 の電極に形成 される プラ ズマシース の厚 さ が大き く なる よ う に第 1 の電極に も高 周波電力を印加する ので、 プラ ズマ シ一スが定在波の影響を 受けて も 、 その厚さ の変動割合が相対的に小 さ く な り 、 ブラ ズマを よ り 均一にする こ と ができ る。 具体的には、 第 1 の電 極に 5 0 M H Z 以上の周波数の高周波を印加する第 1 の高周 波印加手段 と 、 第 1 の電極および第 2 の電極に、 周波数が 2 M H z 以上でかつ第 1 の高周波印加手段よ り も低 く 、 それぞ れ互いに逆位相で同周波数の高周波を印加する第 2 の高周波 印加手段 と を備えてい る ので、 第 1 の電極には、 第 1 の高周 波印加手段によ る高周波の他、 第 2 の高周波印加手段に よ る 比較的周波数が低い高周波も印加 さ れる。 したがって、 上部 電極のプラ ズマシー スは、 第 1 の高周波印加手段の周波数に 対応する部分に、 よ り 周波数が低い第 2 の高周波印加手段の 周波数に対応する部分が重畳さ れて厚 く な り 、 プラズマシー スが定在波の影響を受けて も、 プラ ズマの均一性がほ と んど 悪化せず、 また これに よ つ て下部電極のプラ ズマシースはほ ぼ均一になる。 したがって、 高密度のプラ ズマに よ り 微細化 に対応可能である と と も に、 均一なプラ ズマによ り プラ ズマ 処理の均一性を確 ί呆する こ と が可能 と なる。
また、 このよ う に第 1 および第 2 の電極に、 上述の よ う な 高周波電力を印加する こ と に よ っ てプラズマシース厚の変動 が小 さ く なる こ と か ら、 シース部分の電界強度が常に一定値 以上の高い値と なる ためプラズマの空間電位を高 く する こ と ができ 、 かつ電離レー トが上昇 してプラズマ密度が高 く な り 、 イ オンおよび電子が高エネルギー化 される。 また、 電極近傍 における電離レー ト を増加 させる こ と ができ 、 高速電子フ ラ ッ タ スが増加する： したがっ て、 プラ ズマ中の電子が コ ンタ ク ト ホールの底部に容易に到達 しやす く な り 、 ホール内のプ ラ ス の電荷を中和する こ と がで き る ので、 シエーディ ングダ メ 一ジを生 じ難 く する こ と が可能 と な る。
上述 した よ う に第 1 および第 2 の電極に互いに実質的に逆位 相の高周波電力を印加する こ と によ り 、 上述の よ う な効果が 著 しいも の と な る 、 両者の位相差が 1 8 0 ± 4 5 ° であれ ば、 所期の効果を得る こ と が可能である。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 被処理基板が収容 される チ ャ ンバ一 と 、
チ ャ ンバ一内に所定間隔を有 して相対向する よ う に設け ら れた第 1 および第 2 の電極 と 、
前記第 1 の電極に 5 0 M H z 以上の高周波電力 を印加する 第 1 の高周波印加手段 と 、
前記第 2 の電極に高周波電力 を印加する第 2 の高周波印加 手段 と 、
前記チヤ ンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段 と 、 前記チ ャ ンバ一内に処理ガス を導入する処理ガス導入手段 と
を具備 し、
前記第 2 の電極に被処理基板を支持 させた状態で、 前記第 1 お よび第 2 の電極間に高周波電界を形成する こ と に よ り 処 理ガス のプラズマを形成 し、 こ のプラ ズマに よ り 被処理基板 にエ ッチン グ処理を施すこ と を特徴 と する プラ ズマェ ッチン グ装置であって、
前記第 2 の高周波印加手段は、 前記第 1 の電極に形成 され る プラ ズマシー ス の厚 さ が厚 く なる よ う に前記第 1 の電極に も高周波電力を印加する こ と を特徴 と する プラ ズマエ ツ チ ン グ装置。
2 . 被処理基板が収容 される チ ャ ンバ一 と 、
チ ャ ンバ一内 に所定間隔を有 して相対向する よ う に設け ら れた第 1 お よび第 2 の電極 と 、
前記第 1 の電極に 5 0 M H Z 以上の高周波電力 を印加する 第 1 の高周波印加手段 と 、
前記第 1 の電極お よび第 2 の電極に、 周波数が 2 M H z 以 上でかつ前記第 1 の高周波印加手段よ り も低 く 、 互いに実質 的に逆位相で同周波数の高周波電力 を印加する第 2 の高周波 印加手段 と 、
前記チャ ンバ一内を所定の減圧状態に維持する排気手段と 、 前記チヤ ンバー内に処理ガス を導入する処理ガス導入手段 と
を具備 し、
前記第 2 の電極に被処理基板を支持 させた状態で、 前記第 1 お よび第 2 の電極間に高周波電界を形成する こ と に よ り 処 理ガス のプラ ズマを形成 し、 こ のプラ ズマに よ り 被処理基板 にエ ッチング処理を施 し、
前記第 2 の高周波印加手段か ら前記第 1 の電極に印加 され る高周波電力によ り 、 前記第 1 の電極に形成 される プラ ズマ シース の厚 さが厚く なる こ と を特徴 と する プラ ズマエ ツチン グ装置。
3 . 前記第 2 の高周波印加手段は、 周波数が 2 M H z 以上でかつ前記第 1 の高周波印加手段よ り も低い高周波電源 と 、 該高周波電源の電力を前記第 1 お よび第 2 の電極に分配 する ト ラ ンス と を有する こ と を特徴 と する請求項 2 に記載の プラ ズマエ ッチン グ装置。
4 . 被処理基板が収容 さ れる チャ ンバ一 と 、
チャ ンバ一内に所定間隔を有 して相対向する よ う に設け ら れた第 1 お よび第 2 の電極 と 、 前記第 1 の電極に 5 0 M H z 以上の高周波電力を印加する 第 1 の高周波印加手段 と 、
前記第 1 の電極および第 2 の電極に、 周波数が 2 M H z 以 上でかつ前記第 1 の高周波印加手段よ り も低い同周波数の高 周波電力 を 1 8 0 ± 4 5 ° の位相差で印加する 第 2 の高周波 印加手段 と 、
前記チ ャ ンバ一内を所定の減圧状態に維持する排気手段 と 、 前記チヤ ンバー内に処理ガス を導入する処理ガス導入手段 と
を具備 し、
前記第 2 の電極に被処理基板を支持 させた状態で、 前記第 1 および第 2 の電極間に高周波電界を形成する こ と によ り 処 理ガスのプラズマを形成 し、 こ のプラ ズマに よ り 被処理基板 にエ ツチング処理を施 し、
前記第 2 の高周波印加手段か ら前記第 1 の電極に印加 され る高周波電力に よ り 、 前記第 1 の電極に形成 される プラ ズマ シース の厚 さが厚く なる こ と を特徴 とする プラ ズマエ ツチン グ装置。
5 . 前記第 2 の高周波印加手段は、 周波数が 2 M H z 以上でかつ前記第 1 の高周波印加手段よ り も低い高周波発振 器と 、 こ の高周波を増幅 して所定の高周波電力をそれぞれ前 記第 1 お よび第 2 の電極に印加する増幅手段 と 、 前記第 1 の 電極または第 2 の電極に印加 される 高周波の位相をシフ ト さ せる位相シ フ ト手段 と を有する こ と を特徴 と する請求項 2 ま たは請求項 4 に記載のプラ ズマエ ツ チング装置。
6 . 前記第 2 の高周波印加手段の周波数が 2 〜 2 7 M H z である こ と を特徴 とする請求項 2 ない し請求項 5 のいず れか 1 項に記載のプラ ズマェ ツチング装置。
7 . 前記第 1 の高周波印加手段の周波数が約 6 0 M H z であ り 、 前記第 2 の高周波印加手段の周波数が約 2 M H z である こ と を特徴とする請求項 2 ない し請求項 6 のいずれか 1 項に記載のプラズマエ ッチング装置。
8 . 前記第 2 の高周波印加手段は、 前記第 1 の電極へ供給 する電力 と 、 前記第 2 の電極へ供給する電力 と の比が 6 ： 4 〜 4 ： 6 である こ と を特徴とする請求項 2 なレ、 し請求項 7 の いずれか 1 項に記載のプラ ズマェ ツ チング装置。
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