WO2000007771A1 - Procede et dispositif de polissage - Google Patents

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WO2000007771A1
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polishing
surface plate
grooves
work
receiving portion
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Kouichi Okamura
Fumio Suzuki
Hisashi Masumura
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Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
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    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Definitions

  • the present invention relates to a polishing method and a polishing apparatus for polishing (mirror polishing) a work (for example, a semiconductor wafer), and more particularly, to a polishing table receiving portion for supporting a polishing table of a polishing apparatus. is there. Background art
  • the polishing is performed by pressing the workpiece while flowing an abrasive onto a polishing cloth attached to the surface plate and rotating the work and the surface plate.
  • the polishing apparatus used for this polishing process includes a platen on which a polishing cloth is adhered, a platen receiving portion for forming a groove and supporting the platen on the groove forming surface, and supplying an abrasive to the polishing cloth.
  • Abrasive supply means for rotating the work and the surface plate.
  • polishing machines have come to be able to remove the surface plate in order to improve productivity, specifically, to shorten the equipment stop time when replacing the polishing cloth.
  • high-strength materials such as solid, stainless steel and ceramics are used for the surface plate and the surface plate receiving portion. Grooves are provided on the platen support surface of the platen support to facilitate removal of the platen from the platen receiver.
  • the surface plate receives a polishing load from the work, and the surface plate receives a reaction force from the surface plate receiving portion.
  • This reaction force is the pressing force between the polishing cloth and the peak.
  • a groove is provided in the surface plate A reaction force is received from the grooveless part of the surface plate receiving part, but no reaction force is received from the grooved part.
  • the pressing force between the polishing cloth and the work becomes non-uniform in the plane of the work, the polishing rate of the work becomes non-uniform in the plane, and minute undulations are formed on the work surface.
  • a concentric groove 9d is provided in the surface plate receiving portion 3d, and the rotation center of the surface plate receiving portion 3d and the rotation center of the workpiece are provided.
  • portions where the pressing force against the polishing cloth is strong and portions where the pressing force is weak are concentrically and alternately generated with respect to the rotation center of the workpiece.
  • the difference in the pressing force changes the polishing rate of the work. Therefore, the portion corresponding to the non-groove portion of the work is polished more, and the portion corresponding to the grooved portion is polished less, so that the work W is concentric as shown in FIG. Undulations are formed.
  • the present invention has been made in view of such a problem, and provides a polishing method and a polishing apparatus in which a pressing force between a work and a polishing cloth is substantially uniform in a plane, and a work of good quality is obtained. With the goal. Disclosure of the invention
  • the plurality of grooves are arranged in a linear direction.
  • the platen is supported on the groove forming surface of the provided platen receiving portion, and the work is pressed while flowing an abrasive on the polishing cloth attached to the platen, and the work and the platen are rotated to polish the work. It is characterized in that processing is performed.
  • the trajectory of the groove of the surface plate receiving portion with respect to each part of the rotating work shows a complicated trajectory, and The pressing force with the workpiece is substantially averaged. For this reason, the pressing force from the polishing cloth in the workpiece surface is also averaged, so that a work of good quality can be obtained.
  • a polishing apparatus of the present invention comprising: a surface plate on which a polishing cloth is stuck; a surface plate receiving portion for forming a groove and supporting the surface plate on the groove forming surface;
  • a polishing apparatus comprising: an abrasive supply unit for supplying an abrasive to the polishing cloth; and a rotating mechanism for rotating the work and the surface plate, wherein the groove is provided in the receiving portion in a linear direction. It is characterized by being.
  • the trajectory of the groove of the surface plate receiving portion with respect to each portion of the rotating work shows a complicated trajectory.
  • the pressing force of the platen receiving portion is substantially averaged. Therefore, the pressing force from the polishing cloth in the work surface is also averaged, so that a good quality peak can be obtained.
  • the grooves may be arranged in parallel.
  • the grooves can be arranged in a grid or radially. Further, it is preferable that the center of rotation of the surface plate receiving portion and the center of rotation of the work are shifted from each other. Thereby, the pressing force between the polishing cloth and the work is substantially averaged.
  • the work may be a semiconductor device.
  • a work requiring extremely high flatness such as a semiconductor wafer
  • the effect of applying the method or apparatus of the present invention is particularly remarkable.
  • the width of each groove is 3 to 15 mm
  • the interval between the grooves is 10 to 100 mm
  • the depth of the groove is 1 to 10 mm.
  • the semiconductor wafer is polished according to the present invention, if the groove is within this range, good flatness can be obtained, and the surface plate can be easily removed from the surface plate receiving portion. Become. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a plan view of a platen receiving portion of the polishing apparatus according to the first embodiment
  • FIG. It is a plan view of a surface plate receiving portion of another polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a plan view of a surface plate receiving portion of another polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining preferred groove specifications of the surface plate receiving portion of FIG. 4, and FIG. 6 is a plan view of a surface plate receiving portion of a polishing device according to a prior developed technology.
  • FIG. 7 is a view showing a polished surface of a workpiece when polished using the platen receiving portion of FIG.
  • FIG. 8 is a view showing a polished surface of a work when polishing is performed using the surface plate receiving portion of FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • the polishing apparatus 1 includes a surface plate 2, a surface plate receiving portion 3, an abrasive supply unit 4, a polishing head 5, a head rotating mechanism 6, and a surface rotating mechanism 7.
  • polishing cloth 8 is attached to the surface plate 2.
  • the surface plate 2 is detachably supported by the surface plate receiving portion 3a. Polishing cloth 8 This is because the polishing pad 8 can be easily replaced by removing it integrally with the surface plate 2 when replacing the polishing pad. In this case, the fixing of the surface plate 2 to the surface plate receiving portion 3a is performed by a special jig.
  • a lattice-shaped groove 9a is provided on the upper surface of the surface plate receiving portion 3a.
  • the grooves 9a may be wavy lines as long as they are provided in a lattice shape as a whole.
  • the reason why the grooves 9a are formed on the surface of the platen receiving portion 3a in this manner is that when the platen 2 is removed from the platen receiving portion 3a, a fluid, for example, water is supplied to the grooves 9a and the water pressure is applied. This makes it possible to easily remove the platen 2 with.
  • the shaft 10 of the surface plate receiving portion 3a is connected to a motor (not shown) via a speed reducer.
  • the reduction gear and the motor constitute a platen rotating mechanism 7.
  • the center of rotation of the platen receiving portion 3a is shifted from the center of rotation of the workpiece W. Thereby, the pressing force between the polishing pad 8 and the workpiece W is substantially averaged as much as possible.
  • the abrasive supply unit 4 has a nozzle 12 connected to an abrasive storage tank (not shown).
  • the abrasive 12 is supplied from the nozzle 12 to a sliding portion between the workpiece W and the polishing cloth 8. It is supposed to be.
  • the polishing head 5 is for pressing the workpiece W against the polishing cloth 8, but is not pressed directly, but is pressed via the plate 13.
  • the work W is attached to the plate 13 by a wax method or a waxless method.
  • the shaft 14 of the polishing head 5 is connected to a motor (not shown) via a speed reducer.
  • the reduction gear and the motor constitute a head rotation mechanism 6.
  • the plate 13 to which the work W is attached is placed under the polishing head 5, and the work W is brought into contact with the polishing cloth 8.
  • the polishing head 5 is lowered, and the work W is pressed against the polishing cloth 8 via the plate 13.
  • the abrasive is supplied from the nozzle 12 of the abrasive supply unit 4 Is supplied to polish the work W.
  • polishing apparatus 1 According to the polishing apparatus 1 and the polishing method performed by the polishing apparatus 1, the following effects can be obtained.
  • the platen 2 is formed from the grooved portion and the grooveless portion of the platen receiving portion 3a.
  • the grooves 9a are formed in a lattice pattern, so that the grooved and non-grooved portions of the platen receiving portion 3a are defined for each part of the rotating workpiece W.
  • the portion transferred to the platen 2 comes into contact with each part of the work W through the polishing pad 8 without being tight.
  • the pressing force against the platen 2 in the plane of the work W is also averaged, so that no uneven load acts on the work W, and good quality can be obtained.
  • FIG. 3 shows a surface plate receiving portion 3b of the polishing apparatus according to the second embodiment, and the grooves 9b are formed in parallel and linearly.
  • the groove 9b may be a wavy line as long as it is provided as a whole in a linear direction.
  • the groove spacing and the number of grooves are not particularly limited, but for removal of the platen 2, three or more linear grooves must be formed in parallel at almost equal intervals over the entire platen. Is preferred.
  • FIG. 4 shows a surface plate receiving portion 3c of the polishing apparatus according to the third embodiment, and the grooves 9c are provided radially.
  • the grooves 9c may be wavy lines as long as they are provided radially as a whole.
  • the groove spacing exceeds 100 mm, it will be difficult to remove the surface plate. On the other hand, if it is less than 10 mm, the surface of the platen is fine and pulsates, which affects the flatness.
  • the rotation center of the surface plate receiving portion 3c and, consequently, the rotation center of the surface plate and the rotation center of the work are deviated, and the eccentric position of the surface plate.
  • the workpiece is polished.
  • the arc length X is at least 10 mm.
  • the depth of the groove exceeds 10 mm, the rigidity of the platen receiving part decreases, which affects the flatness. On the other hand, if it is less than 1 mm, it is difficult to introduce water into the groove of the surface plate receiving part when removing the surface plate, and it becomes difficult to remove the surface plate.
  • polishing was performed using the surface plate receiving part 3a provided with the lattice-shaped grooves 9a as shown in Fig. 2, and in order to compare the effect with that, the prior art as shown in Fig. 6 was used.
  • the work (subject to be polished) was polished using the surface plate receiving part 3d provided with concentric grooves 9d by the developed technology.
  • the object to be polished was a single-crystal silicon wafer (thickness: 735 zm) grown by the Chiyoklarsky method, and was a P-type, crystal orientation ⁇ 100>, etching wafer of 20 ° ⁇ . Was prepared.
  • a non-woven type polishing cloth with a hardness of 80 (Asu-Ri-C hardness: in accordance with JI SK6301) was used.
  • the work was pressed against the polishing cloth with a polishing load of 250 g / cm 2 using a polishing head.
  • the removal amount by polishing that is, the polishing allowance was set to 12 m.
  • a plate made of SiC and having a thickness of 30 mm and a diameter of 700 mm was used.
  • the width of the groove was 10 mm, the interval was 30 mm, and the depth of the groove was 3 mm.
  • the platen was attached to the platen receiving part, and the center of the platen receiving part and the center of the work were shifted by 200 mm, and the work was polished in a single wafer type.
  • the rotation speeds of the work and the surface plate are each 4 Orpm.
  • the platen is polished by swinging ⁇ 10 mm.
  • polishing of a semiconductor wafer was mainly described, but the present invention is not limited to a semiconductor wafer other than a semiconductor wafer such as a glass substrate for a liquid crystal panel, a quartz glass substrate for a photomask, and a magnetic disk substrate. Of course, it can also be used for polishing thin plates.
  • the platen is supported on the groove forming surface of the platen receiving portion in which the groove extends in the linear direction, and the work is pressed while flowing the abrasive on the polishing cloth attached to the platen. Since the grinding process is performed by rotating the work and the surface plate, a work of good quality can be obtained. It is also easy to replace the surface plate. Therefore, the polishing method and the polishing apparatus of the present invention are particularly suitable for polishing various thin plate products such as semiconductor devices, glass substrates for liquid crystal panels, quartz glass substrates for photomasks, and magnetic disk substrates.

Description

明 細書 研磨方法および研磨装置 技術分野
本発明は、 ワーク (例えば半導体ゥエーハ等) を研磨加工 (鏡面研磨加工)す る研磨方法および研磨装置に関するもので、 さらに詳しくは、 研磨装置の定盤 を支持する定盤受け部に係わるものである。 背景技術
ワークを研磨加工する場合、 一般的に、 定盤に貼り付けられた研磨布に研磨 剤を流しながらワークを押し付け、 ワークおよび定盤を回転させることによつ て研磨加工を行っている。
この研磨加工に用いられる研磨装置は、 研磨布が貼り付けられた定盤と、 溝 が形成されその溝形成面に定盤を支持する定盤受け部と、 研磨布に対して研磨 剤を供給する研磨剤供給手段と、 ワークおよび定盤を回転させる回転手段とを 備えている。
ところで、 近年、 生産性の向上のため、 具体的には、 研磨布の交換の際の装 置停止時間短縮のため、 定盤が取外し可能となっている研磨装置が見られるよ うになつてきた。 そして、 この研磨装置にあっては、 その研磨装置の剛性を高 めるため、 定盤および定盤受け部の材質に铸物、 ステンレスおよびセラミック スという強度の高いものが使用される一方で、 定盤受け部からの定盤の取外し を容易にするため、 定盤受け部の定盤支持面に溝を設けている。
しかし、 この研磨装置では、 研磨時に、 定盤はワークから研磨荷重を受ける 一方で、 その定盤は定盤受け部からは反力を受ける。 この反力は研磨布とヮー クとの押接力となる。 この場合、 定盤受け部に溝が設けられていると、 定盤は 定盤受け部の溝無し部からは反力を受けるが、 溝有り部からは反力を受けない こととなる。 その結果、 研磨布とワークとの押接力がワークの面内において不 均一となり、 ワークの研磨レートが面内で一様でなくなり、 ワーク表面に微小 なうねりが形成されることになる。
先行開発技術においては、 図 6に示されているように、 例えば、 定盤受け部 3 dに同心円状の溝 9 dが設けられ、 その定盤受け部 3 dの回転中心とワーク の回転中心とがー致している場合、 研磨布に対する押接力が強い部分と弱い部 分がワークの回転中心を基準に同心的かつ交互に発生することになる。 この場 合、 この押接力の違いによってワークの研磨レートが変化することになる。 し たがって、 ワークにおいて、 溝無し部分に対応する部分は多く研磨され、 溝有 り部分に対応する部分は少なく研磨されるため、 図 8に示されているように、 ワーク W には同心円状のうねりが形成されることになる。 つまり、 ワークには 例えば 0 . 1 以下程度の凹凸が周期的に形成される。 このような現象は定 盤受け部 3 dの溝 9 dの形状が同心円状又はスパイラル状の場合に見られる。 また、 定盤受け部の回転中心とワークの回転中心とがー致していない場合、 つまりワークの回転中心が定盤受け部の回転中心から偏心している場合であつ ても、 定盤受け部に同心円状の溝が設けられているものでは、 ワークの回転中 心近傍は、 研磨布との押接力が常に強いか、 常に弱いかのいずれか一方となる ため、 ワークの中心部とその回りの部分とでは研磨の具合が変化してしまうと いう問題があった。
本発明は、 かかる問題点に鑑みなされたもので、 ワークと研磨布との押接力 が面内で実質的に一様となり、 良好な品質のワークが得られる研磨方法および 研磨装置を提供することを目的とする。 発明の開示
本発明の第 1の側面によれば、 本発明の研磨方法は、 複数の溝が直線方向に 設けられた定盤受け部の溝形成面に定盤を支持させ、 前記定盤に貼り付けられ た研磨布に研磨剤を流しながらワークを押し付け、 前記ワークおよび前記定盤 を回転させることによって研磨加工を行うようにしたことを特徴とする。
この研磨方法によれば、 定盤受け部の複数の溝が直線状に設けられているた め、 回転するワークの各部に対する定盤受け部の溝の軌跡は複雑な軌跡を示し、 研磨布とワークとの押接力は実質的に平均化されることになる。 このためヮー ク面内における研磨布からの押接力も平均化されるため、 良好な品質のワーク が得られる。
本発明の第 2の側面によれば、 本発明の研磨装置は、 研磨布が貼り付けられ た定盤と、 溝が形成されその溝形成面に前記定盤を支持する定盤受け部と、 前 記研磨布に対して研磨剤を供給する研磨剤供給ュニッ卜と、 ワークおよび前記 定盤を回転させる回転機構とを備えた研磨装置において、 前記溝は前記受け部 に直線方向に設けられていることを特徴とする。
この研磨装置によれば、 定盤受け部の複数の溝が直線状に設けられているた め、 回転するワークの各部に対する定盤受け部の溝の軌跡は複雑な軌跡を示し、 結果的に定盤受け部の押接力は実質的に平均化されることになる。 このためヮ —ク面内における研磨布からの押接力も平均化されるため、 良好な品質のヮ一 クが得られる。
本発明の研磨方法および研磨装置において、 前記溝は、 平行に配置すること が可能である。 この溝は、 格子状に、 もしくは放射状に配置することもできる。 また、 前記定盤受け部の回転中心とワークの回転中心とが互いにずれている ことが好ましい。 これによつて、 研磨布とワークの押接力が実質的に平均化さ れる。
また、 前記ワークは半導体ゥエー八であり得る。 半導体ゥェ一八のようにき わめて薄く、 きわめて高い平坦度を要求されるワークの場合、 本発明の方法も しくは装置を適用することによる効果は特に著しい。 前記溝は複数設けられ、 それぞれの溝の幅が 3〜1 5 mm、 溝の間隔が 1 0 〜1 0 0 mm、 溝の深さが 1〜 1 0 mmの範囲内にあることが好ましい。 特に、 本発明によって半導体ゥェ一ハを研磨する場合には、 溝がこの範囲内にあれば、 良好な平坦度を得ることができるとともに、 定盤受け部からの定盤の取り外し が容易となる。 図面の簡単な説明
図 1は本発明の第 1の実施形態に係る研磨装置の概略構成図であり、 図 2は第 1の実施形態に係る研磨装置の定盤受け部の平面図であり、 図 3は本発明の第 2の実施形態に係る他の研磨装置の定盤受け部の平面図で あり、
図 4は本発明の第 3の実施形態に係る他の研磨装置の定盤受け部の平面図で あり、
図 5は、 図 4の定盤受け部の好適な溝仕様を説明するための図であり、 図 6は先行開発技術による研磨装置の定盤受け部の平面図であり、
図 7は図 2の定盤受け部を用いて研磨した場合のワークの研磨面を示す図で あり、
図 8は図 6の定盤受け部を用いて研磨した場合のワークの研磨面を示す図で ある。 発明を実施するための最良の形態
図 1は本発明の第 1の実施形態に係る研磨装置の概略図である。 この研磨装 置 1は、 定盤 2、 定盤受け部 3、 研磨剤供給ユニット 4、 研磨ヘッド 5、 へッ ド回転機構 6および定盤回転機構 7を備えている。
ここで、 定盤 2には研磨布 8が貼り付けられている。 そして、 この定盤 2は 定盤受け部 3 aに着脱可能に支持される。 着脱可能に構成したのは、 研磨布 8 の交換時に定盤 2と一体的に取り外すことで、 研磨布 8の交換を容易にするた めである。 この場合、 定盤 2の定盤受け部 3 aへの固定は、 専用の治具によつ てなされる。
定盤受け部 3 aの上面には図 2に示すように格子状の溝 9 aが設けられてい る。 この場合の溝 9 aは全体として格子状に設けられていれば波線となってい ても良い。 このように定盤受け部 3 aの表面に溝 9 aを形成したのは、 定盤 2 を定盤受け部 3 aから取り外す際に溝 9 aに流体、 例えば水を供給し、 その水 圧で定盤 2を簡単に取り外せるようにするためである。 この定盤受け部 3 aの 軸 1 0は、 減速機を介してモータ (図示せず) に連結されている。 ここで減速 機およびモ一夕は定盤回転機構 7を構成する。
なお、 定盤受け部 3 aの回転中心はワーク Wの回転中心とはずらしてある。 これにより、 研磨布 8とワーク Wの押接力ができるだけ実質的に平均化される ようになつている。
また、 研磨剤供給ユニット 4は、 研磨剤貯留タンク (図示せず) に連結され たノズル 1 2を備えており、 このノズル 1 2からワーク Wと研磨布 8の摺接部 へ研磨剤が供給されるようになっている。
研磨へッド 5はワーク Wを研磨布 8に押圧するためのものであるが、 直接押 圧するのではなく、 プレート 1 3を介して押圧するようになつている。 この場 合、 ワーク Wはプレート 1 3にワックス方式またはワックスレス方式で貼り付 けられる。 なお、 研磨ヘッド 5の軸 1 4は、 減速機を介してモー夕 (図示せず) に連結されている。 この減速機およびモータはへッド回転機構 6を構成する。 次に、 この研磨装置 1によるワーク Wの研磨方法について説明する。
まず、 ワーク Wが貼り付けられたプレート 1 3を研磨へッド 5の下側に置き、 ワーク Wを研磨布 8に接触させる。 次いで、 研磨ヘッド 5を下げてプレート 1 3を介してワーク Wを研磨布 8に押圧させる。 ヘッド回転機構 6および定盤回 転機構 7を駆動させる一方で、 研磨剤供給ユニット 4のノズル 1 2から研磨剤 を供給してワーク Wを研磨する。 研磨が終了したならば、 研磨ヘッド 5を上げ てプレート 1 3を取り出す。
この研磨装置 1およびこの研磨装置 1によってなされる研磨方法によれば下 記の効果を得ることができる。
すなわち、 定盤受け部 3 aに溝 9 aが設けられているため、 ワーク Wが研磨 布 8に押し付けられた際に、 定盤受け部 3 aの溝有り部分と溝無し部分から定 盤 2が受ける反力が相違することになるが、 その溝 9 aが格子状となっている ため、 回転するワーク Wの各部に対して定盤受け部 3 aの溝有り部分と溝無し 部分の定盤 2への転写部分が研磨布 8を介して満逼なくワーク Wの各部に当接 することになる。 これによつてワーク Wの面内における定盤 2に対する押接力 も平均化されるため、 ワーク Wに偏荷重が作用することが無く、 良好な品質が 得られる。
図 3は第 2の実施形態に係る研磨装置の定盤受け部 3 bを示すものであり、 溝 9 bは平行に直線状に形成されている。 この場合の溝 9 bは全体として直線 方向に設けられていれば波線となっていても良い。 溝間隔、 溝本数は、 特に限 定はされないが、 定盤 2の取外しのためには、 3本以上の直線状の溝がほぼ等 間隔で平行に定盤全体に亘つて形成されていることが好ましい。
この研磨装置によれば、 第 1実施形態に係る研磨装置 1と同様の効果を得る ことができる。
図 4は第 3の実施形態に係る研磨装置の定盤受け部 3 cを示すものであり、 溝 9 cは放射状に設けられている。 この場合の溝 9 cは全体として放射状に設 けられていれば波線となっていても良い。
この研磨装置によれば、 第 1の実施形態に係る研磨装置 1と同様の効果を得 ることができる。
次に、 定盤受け部の溝の好適な仕様を説明する。
1 . 溝の幅: 3 mm〜 1 5 mm 定盤受け部の溝有り部分から定盤は応力を受けず、 溝無し部分のみから定盤 は応力を受ける。 この定盤が受ける応力の違いに起因して定盤表面にうねりが 形成される。 この場合、 溝の幅が 1 5 mmを超えると、 定盤表面に周期の大き なうねりが形成され、 これが平坦度に影響を与える。 一方、 3 mm未満の場合 には、 定盤の取外し時に定盤受け部の溝に水を導入するも、 必要な圧力が得ら れないので、 定盤受け部からの定盤の取外しが困難となる。
2 . 溝の間隔: 1 0 mm〜 1 0 0 mm
溝の間隔が 1 0 0 mmを超えると、 定盤の取外しが困難となる。 一方、 1 0 mm未満だと、 定盤表面が細かくかつ大きく脈打ち、 これが平坦度に影響を与 える。
なお、 定盤受け部 3 cの溝が放射状に設けられている場合、 定盤受け部 3 c ひいては定盤の回転中心とワークの回転中心とがずれており、 かつ、 定盤の偏 心位置でワークが研磨加工されるようになつていることが好ましい。 この場合、 図 5に示すように、 定盤受け部 3 c (正確には研磨布 8 ) に対するワーク Wの 移動軌跡中の最も内側の部分と、 隣り合う 2つの溝 9 cとの交点間の円弧長 X が少なくとも 1 0 mmとなっていることが好ましい。
3 . 溝の深さ: 1 mm〜 1 0 mm
溝の深さが 1 0 mmを超えると、 定盤受け部の剛性が低下し、 これが平坦度 に影響を与える。 一方、 1 mm未満だと、 定盤の取外し時に定盤受け部の溝に 水を導入するのが難しく、 定盤の取外しが困難となる。
(実験例)
この実験では、 図 2に示すような格子状の溝 9 aが設けられた定盤受け部 3 aを用いて研磨加工を行うと共に、 それとの効果を比較するために図 6に示す ような先行開発技術による同心円状の溝 9 dが設けられた定盤受け部 3 dを用 いてワーク (被研磨物) の研磨加工を行った。
1 . 条件 (1) 被研磨物
この第 1実施例では被研磨物としては、 チヨクラルスキー法で成長させた単 結晶シリコンゥェ一ハ (厚さ 735 zm) であって、 P型、 結晶方位 〈100〉、 20 Οπιιτιφのエッチングゥェ一ハを準備した。
(3) 研磨布
不織布タイプで硬度 80 (ァス力一 C硬度: J I SK630 1に準拠) の研 磨布を使用した。
(4) 研磨剤
コロイダルシリカ研磨剤 (pH= 10. 5) を使用した。
(5) 研磨荷重
研磨へッドにて研磨荷重 250 g/cm2 にてワークを研磨布に押圧した。
(6) 研磨代
研磨による除去量つまり研磨代を 12 mとした。
(7) 定盤
S i C製で厚さ 30mm、 直径 700 mm φの定盤を用いた。
(8) 定盤受け部
セラミック製で溝の幅を 10mm、 間隔を 30mm、 溝深さを 3 mmとした。
2. 研磨方法
定盤受け部に定盤を取り付け、 定盤受け部の中心とワークの中心とを 200 mmずらして枚葉式でワークの研磨を行なった。 ワークおよび定盤の回転速度 は、 各々 4 O r pmである。 また、 ワークは固定したまま、 定盤を ± 1 0mm 揺動させて研磨している。
3. 糸口:? i
図 2に示すような格子状の溝 9 aが設けられた定盤受け部 3 aを用いたもの では、 図 7に示すように、 研磨後の魔鏡像に特定のパターンは見当たらず、 良 好な品質が得られていることが確認された。 これに対して、 図 6に示すような 同心円状の溝 9 dが設けられた定盤受け部 3 dを用いたものでは、 研磨後の魔 鏡像に図 8に示すように同心円状のパターンが発生しているのが確認された。 以上、 本発明の実施形態について説明したが、 本発明は、 かかる実施形態に 限定されるものではなく、 その要旨を逸脱しない範囲で、 種々の変形が可能で あることはいうまでもない。 たとえば、 上記実施例においては、 主に、 半導体 ゥェ一八の研磨について説明してきたが、 本発明は、 液晶パネル用ガラス基板、 フォトマスク用石英ガラス基板、 磁気ディスク基板等、 半導体ゥエー八以外の 薄板の研磨にも用いることができることはもちろんである。
産業上の利用可能性
本発明によれば、 溝が直線方向に延設された定盤受け部の溝形成面に定盤を 支持させ、 前記定盤に貼り付けられた研磨布に研磨剤を流しながらワークを押 し付け、 前記ワークおよび前記定盤を回転させることによって研磨加工を行う ようにしたので、 良好な品質のワークが得られる。 また、 定盤の交換も容易で ある。 したがって、 本発明の研磨方法および研磨装置は、 半導体ゥエー八、 液 晶パネル用ガラス基板、 フォトマスク用石英ガラス基板、 磁気ディスク基板等、 種々の薄板製品の研磨に特に適している。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 複数の溝が直線方向に設けられた定盤受け部の溝形成面に定盤を支持させ、 前記定盤に貼り付けられた研磨布に研磨剤を流しながらワークを押し付け、 前 記ワークおよび前記定盤を回転させることによって研磨加工を行うようにした ことを特徴とする研磨方法。
2 . 前記溝が平行に設けられていることを特徴とするクレーム 1に記載の研磨 方法。
3 . 前記溝が格子状に設けられていることを特徴とするクレーム 1に記載の研 磨方法。
4 . 前記溝が放射状に設けられていることを特徴とするクレーム 1記載の研磨 方法。
5 . 定盤受け部の回転中心とワークの回転中心とが互いにずれていることを特 徴とするクレーム 1〜4のいずれかに記載の研磨方法。
6 . 前記溝のそれぞれの幅が 3〜 1 5 mm、 溝の間隔が 1 0〜 1 0 0 mm、 溝 の深さが 1〜 1 0 mmの範囲にあるクレーム 1〜 5のいずれかに記載の研磨方 法。
7 . 前記ワークが半導体ゥエーハであるクレーム 1〜6のいずれかに記載の研 磨方法。
8 . 研磨布が貼り付けられた定盤と、 溝が形成されその溝形成面に前記定盤を 支持する定盤受け部と、 前記研磨布に対して研磨剤を供給する研磨剤供給ュニ ッ卜と、 ワークおよび前記定盤を回転させる回転機構とを備えた研磨装置にお いて、 前記溝は前記受け部に直線方向に設けられていることを特徴とする研磨
9 . 前記溝が平行に設けられていることを特徴とするクレーム 8に記載の研磨
10. 前記溝が格子状に設けられていることを特徴とするクレーム 8に記載の 研磨装置。
1 1. 前記溝が放射状に設けられていることを特徴とするクレーム 8記載の研
12. 定盤受け部の回転中心とワークの回転中心とが互いにずれているクレ一 ム 8〜 1 1のいずれかに記載の研磨装置。
13. 前記溝のそれぞれの幅が 3〜 15mm、 溝の間隔が 10〜100mm、 溝の深さが 1〜10mmの範囲にあるクレーム 8〜 12のいずれかに記載の研
14. 前記ワークが半導体ゥエーハであるクレーム 8〜 13のいずれかに記載 の研磨装置。
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