WO1999043061A1

WO1999043061A1 - Amortisseur de surtension

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Publication number: WO1999043061A1
Application number: PCT/JP1998/000719
Authority: WO
Inventors: Masahiko Nakamura
Original assignee: Mitsubishi Materials Corporation
Priority date: 1998-02-23
Filing date: 1998-02-23
Publication date: 1999-08-26
Also published as: CN1244304A; KR20000064522A; US6285535B1

Description

明細サージアブソ一バ技術分野

本発明は、電子機器に印加されるサージノイズを吸収するサージアブソ一バに関する。背景技術

特公昭 6 3 - 5 7 9 1 8号公報には、円筒形の絶縁部材の表面に導電性セラミック薄膜が形成され、その導電性セラミック薄膜を分断するように円周方向にマイクロギャップが形成され、その全体を、内部にガスが充填された状態に円筒ガラスに密封した構造のサージアブソ一バが開示されている。また、実開昭 4 9— 8 0 3 5 1公報には、平板の絶縁基板上に、マイクロギャップに向かって先が尖った尖塔形の電極が形成さされたサージァブソーバが提案されている。

第 1 7図、 1 8図は、従来のサージアブソ一バの断面図である。第 1 7図は円筒形のサージアブソ一バである。本サージアブソ一バの動作原理を説明すると、円筒形サージアブソ一バ 4 0にサージが印加されると、マイクロギャップ 4 1間にアーク放電が起こり、次いで封入ガスが放電によってイオン化してコロナ放電が起こりサージが吸収されるのである。

第 1 8図は、平板形のサージアブソ一バ 4 2であるが、この動作原理も、円筒形サージァブソ一バと基本的には同じである。

しかしながら、従来のサージアブソ一バのうち円筒形のものは、円筒の両端中央からリード線が延びているので、表面実装や自動実装が困難であるとの問題点があった。また、外径が円筒であるためにガラス以外の気密性被覆材を用いることが困難であった。

また、平板形のものは、マイクロギャップの先端が尖っているためにサージが印加されたときの放電により先端が欠損しやすく寿命が短いとの問題点があった。発明の開示本発明は、上記事情に鑑み、表面実装が容易であって、かつ繰り返し放電に対する信頼性が高いサージァブソーバを提供することを目的とする。

この目的を達成するための本発明の第 1の形態は、

( 1 ) 平板状の絶縁性基板

( 2 ) 絶縁性基板上に、円環状のギャップを有し該ギャップと同心の円板状に形成された導電膜

( 3 ) 導電膜の中心部に配置された第 1の電極

( 4 ) 導電膜の周縁部に配置された、前記ギャップと同心円をなす円環状の第 2の電極

( 5 ) 上記絶縁性基板と協同して、導電膜、第 1の電極及び第 2の電極を、内部に所定のガスが充填された状態に密封する気密性被冠材

( 6 ) 気密性被冠材の外部に配置された、第 1の電極に電気的に接続された第 1の端子

( 7 ) 気密性被冠材の外部に配置された、第 2の電極に電気的に接続されてなる第 2の端子

を備えたことを特徴とする。

ここで、上記本発明のサージァブソーバにおいて、第 1の電極と第 1 の端子は、絶縁性基板の、第 1の電極が配置された部分に形成された、その絶縁性基板の表裏面間に貫通するとともに、内部に、第 1の電極に電気的に接続された導体が充填されてなるスルーホールと、その絶縁性基板の裏面に形成された、スルーホール内の導体と第 1の端子とを電気的に接続する導体膜とにより電気的に接続されていてもよく、あるいは第 1の電極と第 1の端子は、絶縁性基板の、第 1の電極が配置された部分に形成された、内部に、第 1の電極に電気的に接続された導体が充填されてなるビアホールと、その絶縁性基板の内部に形成され第 1の端子に電気的に接続されるとともにビアホールの底部においてビアホール内部の導体に電気的に接続された導体層とにより電気的に接続されていてもよく、あるいは本発明のサージアブソ一バが、絶縁性基板上に形成された絶縁膜を有し、上記導電膜、第 1の電極及び第 2の電極がその絶縁膜上に形成ないし配置されたものであって、第 1の電極と第 1の端子が、その絶縁膜の第 1の電極が配置された部分に形成された、内部に、第 1の電極に電気的に接続された導体が充填されてなるビヤホールと、絶縁性基板と絶縁膜との間に形成され、ビヤホール内の導体と第 1の端子とを電気的に接続する導体膜とにより電気的に接続されていてもよい。本発明のサージァブソーバは、第 1の電極、第 2の電極、導電膜、およびマイクロギヤップの全てが、平板上の絶縁性基板上の同一平面上に配置されているため、その外形を、表面実装が容易な平板上に構成することができる。

また、外形を容易に平板上にすることができるため、気密性被冠材の材料としてアルミナ等のセラミックス材料を使用することができる。さらに、本発明のサージァブソーバは、第 1の電極、第 2の電極、導電膜、およびマイクロギャップの全てが、同一平面上であって、しかも同心円状に形成されているため、マイクロギヤップの全域で放電が均一に起こり、また放電によって導電膜の一部が欠損しても放電開始電圧が変化しにくく、繰り返し放電に対する信頼性が高い。

さらに、本発明のサージァブソーバでは、中心部に配置される第 1の電極と、外部との接続を担う第 1の端子を接続する手段として、例えば、絶縁性基板に設けられたスルーホールと基板裏面の導体膜、または、絶縁性基板に設けられたビアホールと基板内部に形成された導体層、または、絶縁層に設けられたビアホールと絶縁層下部の導体層を採用することができ、部品点数が少なく、しかも、信頼性が高い構造のサージブソーバを実現することができる。

尚、本発明のサージアブソ一バの基本原理は、前掲の特公昭 6 3— 5 7 9 1 8号公報に開示されたものと同じであるため、そこに開示されたサージァブソーバが有している優れたサージ吸収特性と高い信頼性がそのまま踏襲されている。

本発明の第 2の形態は、

上記第 1の形態において

第 2の電極が、気密性被冠材を兼ねた構造を有するサージアブソ一バである。

この場合、第 2の電極が、気密性被冠材の一部であることができるし、全部であることもできる。

このようにサージァブソーバを構成することによって第 1の形態の場合より、小型化することができ電気回路などへ実装するときの面積を小さくすることができる。

さらに、本発明の第 3の形態は、

上記第 1若しくは第 2の発明の形態において、

第 1の端子が、絶縁性基板の互いに離れた 2つの側面にそれそれ形成されるとともに、第 2の端子が、絶縁牲基板の、他の 2つの側面にそれそれ形成されてなる構造を有するサージァブソーバである。

このように、サージアブソ一バを構成することにより、図面を参照して後述するように、信号線あるいは接地線を跨ぐように、ないしは、信号線あるいは接地線の上にサージアブソ一バを配置することができ、回路基板上の配線の密度を上げることができる。

本発明の第 4の形態は

上記第 1ないし第 3の形態において、

絶縁牲基板の裏面に、少なくとも一部が膜状のヒューズで形成されてなる膜状の電気的接続経路を経由して、前記第 1の端子と前記第 2の端子のうちの一方の端子に接続されてなる、気密性被冠材の外部に配置された第 3の端子とを備えたサージァブソーバである。

従来のサージアブソ一バには、タイプの別を問わず、過電圧過電流の防止のためにヒューズを組み合わせて使用することがあった。サージ電流が長時間継続するときのサージァブソーバ自体の過熱による回路の焼損を防止するためである。この場合、サ一ジァブソーバとは別にヒユーズを取り付けなければならないので、実装面積の増大、実装コストの増大などの問題が生じていた。この問題を解決するための手段が従来より開示されているが（例えば、特閧昭 3— 2 3 0 4 8 5公報）、ヒューズを別個に組み込む構造であるために、製造工程が複雑となり、結果としてコストが高かった。

しかし、本形態のサージァブソーバはヒューズが、絶縁性基板の導電膜が形成されている面の裏面に形成されるために、形成が容易で、かつ製品自体が大型になることもない。また、機械的な振動によりヒューズが切断されることもなく、信頼性が高い。

本発明の第 5の形態は、

第 1から第 4の形態のサージァブソーバにおいて、少なくとも 1枚が前記絶縁性基板の内部に広がるとともに互いに平行に広がる複数枚の導体膜からなる、前記第 1の端子と前記第 2の端子との間に形成されたコンデンサを備えたことを特徴とする。

従来のサージァブソーバでは、電圧が低く、周波数の高い高周波ノィズの除去ができず、高周波ノイズを除去する必要があるときはサージァブソーバにコンデンサを組み合わせて使用していた。しかし、複数の素材を組み合わせると実装面積の増大、実装コストの増大の問題は避けられなかった。また、この問題を解決するために、コンデンサを内蔵したサージァブソーバも提案されているが（特開平 8— 8 3 6 7 0、特開平 8— 1 0 2 3 5 5 ) 、これらのサージァブソーバは、構造が複雑であり、コス卜が高いものであった。

これに対して、本形態のサージァブソーバは、コンデンサが内蔵されているため、電圧が低く周波数が高い高周波のノィズも除去することができる。この高周波除去用のコンデンサを構成する導体膜は、絶縁性基板の内部若しくは裏面に形成されるため、サージァプソ一バに高周波ノィズ除去用のコンデンサを取り付けることによる素子の大型化、表面実装面積の増大などの問題は生じない。また、この高周波ノイズ除去用のコンデンサは、従来の多層基板の製造方法を用いて形成することができ低コスト化が可能である。図面の簡単な説明第 1図は、本発明のサージアブソ一バの第 1の形態を示し、キヤヅプを一部破断して内部構造を示す斜視図である。

第 2図は、本発明のサージアブソ一バの第 1の形態を示し、キャップを透視して示す平面図である。第 3図は、本発明のサージァブソーバの第 1の形態の 1の実施の態様を示し、図 1、図 2の A— A断面図である。

第 4図は、本発明のサージアブソ一バの第 1の形態の別の 1の実施の態様を示し、図 1、図 2の A— A断面図である。

第 5図は、本発明のサージアブソ一バの第 1の形態のさらに別の 1の実施の態様を示し、図 1、図 2の A— A断面図である。

第 6図は、本発明のサージァブソーバの第 2の形態を示し、キャップを破断して内部構造を示す斜視図である。

第 7図は、本発明のサージァブソーバの第 3の形態を示し、キャップを破断して内部構造を示す斜視図である。

第 8図は、 7図の A— A断面図である。

第 9図は、 7図の B— B断面図である。

第 1 0図は、本発明のサージァブソーバの第 3の形態と、そのサージアブソ一バが実装された回路の配線図を示す。

第 1 1図は、本発明のサージァブソーバの第 4の形態を示す斜視図である。

第 1 2図は、 1 1図の A— A断面図である。

第 1 3図は、 1 1図の A— A ' 断面図である。

第 1 4図は、本発明のサージァブソーバの第 4の形態の等価回路図である。

第図 1 5は、本発明のサージアブソ一バの第 5の形態を示す断面図である。

第 1 6図は、本発明のサージァブソーバの、第 5の形態の別の態様をを示す断面図である。

第 1 7図は、従来の円筒型サージァブソーバを示す透視図である。第 1 8図は、従来の平板型サージアブソ一バを示す透視図である。発明を実施するための最良の形態以下に、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は本実施の形態に制限されるものではない。

図 1ないし図 5は、本発明のサージアブソ一バの第 1の実施の形態を示すものである。

図 1はキヤップを一部を破断して内部構造を示す斜視図、図 2はキヤップを透視して示す平面図、図 3ないし図 5は図 1、図 2の A— A断面である。

絶縁性基板としての平板状のアルミナ基板 1に、従来公知の技術によりスル一ホ一ル 1 1 (図 3参照）を形成し、そのスルーホール 1 1内に導体を充填するとともに、アルミナ基板 1の表面に導体膜 1 0、裏面に導体膜 1 2を形成し、さらにアルミナ基板 1の側面に第 1の端子 8および第 2の端子 9を形成し、アルミナ基板の表面に導電膜 5として T i N をスパッタリングにより付着させた後、フォトエッチングによって幅約 5 0 mの円形のマイクロギャップ 3を形成するとともに導電膜 5を所望の円形に成形し、第 1の電極 2と第 2の電極 4を、マイクロギャップ 3と同心円状に導電膜 5と接するように取り付ける。さらに、アルミナセラミヅク製のキヤップ 6をフリットガラス 7にて溶着することにより、マイクロギヤヅプ 3、第 1の電極 2、第 2の電極 4を、 A rガス中に封じ込める。これにより、外形が平板状であって表面実装に適し、かつ繰り返し放電に対する信頼性の高いサージァブソーバが実現する。図 4は、本発明の第 1の実施の形態のサージァブソーバの別の 1の態様を示す断面図である。

この態様では、絶縁性基板として、内部に導体層 1 4および導体が充填されたビアホール 1 6が形成された焼成多層基板 1 5を用い、この基板 1 5の表面に導体膜 1 0を、基板の側面に端子 8、 9を形成し、基板 1 5の表面に導電膜 5として T i N膜をスパッタリングによって付着させた後、フォトエッチングによって幅約 5 0〃mの円形マイクロギヤップ 3を形成するとともに、導電膜 5を所望の円形状に成形し、第 1の電極 2および第 2の電極 4をマイクロギャップ 3と同心円状に導電膜 5に取り付ける。アルミナセラミック製のキャップ 6をフリツトガラス 7にて溶着することによりマイクロギヤヅプを A rガス中に封じ込める。この実施の形態によっても、上述の第 1の実施の形態と同様、外形が平板状であっても表面実装適性に優れ、かつ繰り返し放電に対する信頼性の高いサージアブソ一バが実現する。

図 5は、本発明の第 1の実施の形態のサージアブソ一バのさらに別の 1の態様を示す断面図である。

この態様では、絶縁性基板としてのアルミナ基板 1上に厚膜多層法によって形成された絶縁層 2 3、ビアホール 2 4、内層導体膜 2 5を有する多層構造の基板を用い、この絶縁性基板の表面に導体 1 0を、基板 1 の側面に端子 8、 9を形成し、基板 1の表面に導電膜 5として T i Nをスパッタリングによって付着させた後、フォトエッチングによって幅約 5 0 mの円形マイクロギャップ 3を形成するとともに、導電膜 5を所望に円形状に成形し、第 1の電極 2および第 2の電極 4をマイクロギヤップ 3と同心円状に導電膜 5に取り付ける。アルミナセラミック製のキヤップ 6をフリットガラス 7にて溶着することによりマイクロギヤップ 3を A rガス中に封じ込める。

この態様によっても、上述の実施の形態の 2態様と同様、良好な表面実装適性と高信頼性を有するサージアブソ一バが実現する。

図 6は、本発明のサージアブソ一バの第 2の実施の形態を示すものである。図はキヤップを一部を破断して内部構造を示す斜視図である。絶縁性基板としての平板状のアルミナ基板 1に、従来公知の技術によりスルーホール 1 1 (図 3参照）を形成し、そのスルーホール 1 1内に導体を充填するとともに、アルミナ基板 1の表面に導体膜 1 0、裏面に導体膜 1 2 (図 3同様）を形成し、さらにアルミナ基板 1の側面に第 1 の端子 8および第 2の端子 9を形成し、アルミナ基板の表面に導電膜 5 として T i Nをスパヅ夕リングにより付着させた後、フォトエッチングによって幅約 5 0〃 mの円形のマイクロギャップ 3を形成するとともに導電膜 5を所望の円形に成形し、第 1の電極 2と第 2の電極 4を、マイクロギャップ 3と同心円状に導電膜 5と接するように取り付ける。第 2 の電極 4は、第 1の電極 2と同じ高さか、あるいは第 1の電極 2よりも背の高い円環状の部材である。さらに、アルミナセラミック製の円板状のキャップ 6を、第 2の電極の上面に、フリットガラス 7にて溶着することにより、アルミナ基板 1および第 2の電極 4と協同して、マイクロギャップ 3および第 1の電極 2を、 A rガス中に封じ込める。第 1の電極 2と第 1の端子 8は、アルミナ基板 1に設けられたスルーホール 1 1 内に充填された導体と、アルミナ基板裏面の導体膜 1 2によって互いに接続されている。また、第 2の電極 4と第 2の端子 8は、アルミナ基板 1表面の導体膜 1 0によって互いに接続されている。これにより、外見が平板状であって、表面実装に適し、かつ繰り返し放電に対する信頼性の高いサージアブソ一バが実現する。

また、この実施の形態では、第 2の電極 4と円板状のキャップ 6とにより本発明にいう気密性被冠材が形成されており、その気密性被冠材の外径は第 2の電極 4の外径と同一であり、第 2の電極 4とは別にその第 2の電極 4をも内部に密封するように気密性被冠材を構成した場合と比ベ、小型化が実現する。

また、本実施の形態では、第 2電極 4のみで気密性被冠材を構成することができる。即ち、第 2の電極として金属製のキャップを用い、絶縁性基板にロウ付けするのである。

図 7ないし図 9は本発明の第 3の実施の形態を示す。

図 7は、キャップを一部破断して内部構造を示す斜視図、図 8は図 7 の A— A断面図で、図 9は同じく B— B断面図である。

従来公知の技術によりスルーホール 1 1が形成された、絶縁基板としてのアルミナ基板 1を用意し、そのアルミナ基板 1のスルーホール 1 1 内に導体を充填するとともに、アルミナ基板 1の表面に導体膜 1 0、裏面に導体膜 1 2を形成し、さらにアルミナ基板 1の互いに離れた 2つの側面にそれぞれ第 1の端子 8を形成するとともに他の 2つの側面それそれに第 2の端子 9を形成し、アルミナ基板 1の表面に導電膜 5として T i Nをスパッ夕リングにより付着させた後、フォトエッチングにより幅約 5 0〃mの円形のマイクロギヤップ 3を形成するとともに導電膜 5を所望の円形に形成し、第 1の電極 2と第 2の電極 4をマイクロギヤップ 3と同心円状に取り付ける。

さらに、アルミナセラミックス製のキヤヅプ 6をフリツトガラス 7にて溶着することにより、マイクロギャップ 3と第 1の電極 2および第 2 の電極 4を、 A rガス中に封じ込める。

ここで、第 1の端子 8、第 2の端子 9は、第 1の端子どうしを結ぶ直線と、第 2の端子 9どうしを結ぶ直線が直交するように、アルミナ基板 1の各側面に配置されている。第 1の電極 2と 2つの第 1の端子 8は、基板 1に設けられたスルーホール 1 1及び基板 1の裏面の導体 1 2によつて相互に接続されており、第 2の電極 4と 2つの端子 9は、基板の表面に形成された導体膜によって相互に接続されている。

本実施の形態の場合も、図 4と同様にビアホールを用いる形態とすることができる。図 1 0は、第 3の実施の形態によるサージアブソ一バが実装された回路基板上の配線パターンを示す図である。

回路基板上の信号線 3 1、接地線 3 2は、サージアブソ一バ 3 0の配線位置で途切れており、信号線 3 1は、サージァブソーバ 3 0の、 2つの端子 8どうしの間を経由することにより接続されている。また、接地線 3 2は、サージアブソ一バ 3 0の、他の 2つの端子 9どうしの間を絰由するように接続されている。

このように、本発明のサージアブソ一バを用いることにより、基板上の配線の密度を上げることができ、サージアブソ一バの実装密度を上げることができる。したがって、回路の小型化が可能である。

図 1 1ないし図 1 3は、本発明の第 4の実施の形態である。

図 1 1はキャップ 6を下向きにした場合の斜視図、図 1 2は図 1 1の A— A断面図であり、図 1 3は図 1 1の A— A ' 断面図である。

絶縁性基板としての平板状のアルミナ基板 1に、従来公知の技術によりスルーホール 1 1を形成し、そのスルーホール 1 1内に導体を充填するとともに、アルミナ基板 1の表面に導体膜 1 0、裏面に導体膜 1 2と、ヒューズ 1 9を形成する。このヒューズ 1 9は、蒸着法によって P b 合金膜を付着させることによって形成する。さらにアルミナ基板 1の表面に導電膜 5として T i Nをスパッタリングにより付着さた後、フォトエッチングによって幅約 5 0 / mの円形のマイクロギャップ 3を形成するとともに導電膜 5を所望の円形に成形し、第 1の電極 2と第 2の電極 4を、マイクロギヤップ 3と同心円状に導電膜 5と接するように取り付ける。さらに、アルミナセラミック製のキヤップ 6をフリツトガラス 7 にて溶着することにより、マイクロギャップ 3、第 1の電極 2、第 2の電極 4を、 A rガス中に封じ込め、さらに、図 1 1および図 1 2に示す形状のリード 3 3、 3 4、 2 0を取り付ける。本実施形態では、リード 3 3、 3 4がそれそれ第 1の端子、第 2の端子に相当し、本実施形態には、ヒューズ 1 9により第 1の電極 2に接続された第 3の端子 2 0が備えられている。

これにより図 1 4に示されるように、ヒューズ 1 9が配列された等価回路を有するサージアブソ一バが実現する。

この実施形態によれば、信頼性の高いヒューズが組み込まれ、実装面積が小さく、低コス卜のサージアブソ一バが実現される。

本実施の形態においても、第 4図に示す第 1の実施の形態に相当するビアホールを形成したサージァブソーバとすることができる。

図 1 5は、本発明の第 5の実施の形態である。

ここでは、絶縁性基板として、内部に、従来公知の技術により製造された導体膜 1 7、 1 8とスルーホール 1 1が形成された多層基板 1を用い、基板 1の表面および裏面にそれそれ導体膜 1 0、 1 2を形成し、基板 1の側面に第 1の電極および第 2の電極 8、 9を形成し、基板 1の表面に導電膜 5として T i Nをスパッタリングによって付着させた後、フォトエッチングによって幅約 5 0〃mの円形マイクロギヤップを形成するとともに、導電膜 5を所望の円形状に形成し、第 1の電極 2および第 2の電極 4を、マイクロギャップ 3と同心円状に導電膜 5と接するように取り付ける。

さらに、アルミナセラミックス製のキャップ 6をフリットガラス 7にて溶着することによりマイクロギヤップ 3を A rガス中に封じ込める。第 1の電極 2と基板内部の導電膜 1 8は、基板 1に設けられたスルーホール 1 1によって第 1の端子 8により接続されている。

また、基板 1内部に形成された導電膜 1 7は、スルーホール 1 1が貫通する部分に穴が開いており、また一部が第 2の端子 9側の基板端面に露出することによって第 2の端子 9と接続されており、第 2の端子 9と導体膜 1 0を経由することによって第 2の電極 4と接続している。これにより、外形が平板状であって表面実装に適し、かつ繰り返し放電に対する信頼性が高く、しかも高周波ノイズも吸収するコンデンサが付加されたサージァブソーバが実現する。

また、本発明の第 5の実施の形態は、図 1 6に示すような態様とすることができる。

本態様によると、絶縁基板内部の導体膜 2 7がビアホール 1 6と電気的に接続され、また、別の導電膜 2 8が第 2の端子電極 9と電気的に接続され、双方の導電膜でコンデンサが形成されたサージアブソ一バが実現する。

Claims

請求の範囲

1 . 平板状の絶縁性基板と、

前記絶縁性基板上に、円環状のギャップを有し該ギャップと同心の円板状に形成された導電膜と、

前記導電膜の中心部に配置された第 1の電極と、

前記導電膜の周縁部に配置された、前記ギヤップと同心円をなす円環状の第 2の電極と、

前記絶縁性基板と協同して、前記導電膜、前記第 1の電極および前記第 2の電極を、内部に所定のガスが充填された状態に密封する気密性被環材と、

前記気密性被冠材の外部に配置された、前記第 1の電極に電気的に接続されてなる第 1の端子と、

前記気密性被環材の外部に配置された、前記第 2の電極に電気的に接続されてなる第 2の端子とを備えたことを特徴とするサージアブソ一バ

2 . 前記第 1の電極と前記第 1の端子が、

前記絶縁性基板の前記第 1の電極が配置された部分に形成された、該絶縁性基板の表裏面間に貫通するとともに、内部に、該第 1の電極に電気的に接続された導体が充填されてなるスルーホールと、前記絶縁性基板の裏面に形成された、前記スルーホール内の導体と前記第 1の端子とを電気的に接続する導体膜とにより電気的に接続されてなることを特徴とする請求項 1記載のサージァブソーバ。

3 . 前記第 1の電極と前記第 1の端子が、

前記絶縁性基板の前記第 1の電極が配置された部分に形成された、内部に、該第 1の電極に電気的に接続された導体が充填されてなるビアホ —ルと、前記絶縁性基板の内部に形成され前記第 1の端子に電気的に接続されるとともに前記ビアホールの底部において該ビアホールの内部の導体に電気的に接続された導体層とにより電気的に接続されてなることを特徴とする請求項 1記載のサージブソ一バ。

4 . 前記絶縁性基板上に形成された絶縁膜を有し、前記導電膜、前記第 1の電極および前記第 2の電極が該絶縁膜上に形成ないし配置されたものであって、

前記第 1の電極と前記第 1の端子が、

前記絶縁膜の前記第 1の電極が配置された部分に形成された、内部に、該第 1の電極に電気的に接続された導体が充填されてなるビアホールと

、前記絶縁性基板と前記絶縁膜との間に形成され、前記ビアホール内の導体を前記第 1の端子とを電気的に接続する導体膜とにより電気的に接続されてなることを特徴とする請求項 1記載のサージァブソーバ。

5 . 前記第 2の電極が気密性被冠材の一部であることを特徴とする請求項 1ないし 4記載のサージアブソ一バ。

6 . 前記第 2の電極が、前記気密性被冠材を兼ねるものであることを特徴とする請求項 1ないし 4のサージァブソーバ。

7 . 前記第 1の端子が、前記絶縁性基板の互いに離れた 2つの側面にそれそれ形成されるとともに、前記第 2の端子が、前記絶縁牲基板の、前記第 1の端子が形成されていない 2つの側面にそれそれ形成されてなることを特徴とする請求項 1ないし 6記載のサージアブソ一バ。

8 . 前記絶縁性基板の裏面に形成された、少なくとも一部が膜状のヒュ —ズで形成されてなる膜状の電気的接続経路を経由して、前記第 1の端子と前記第 2の端子とのうち一方の端子に接続されてなる、前記気密性被冠材の外部に配置された第 3の端子とを備えたことを特徴とする請求項 1ないし 7記載のサージアブソ一バ。

9 . 前記第 1の電極と前記第 1の端子が、

前記絶縁性基板の前記第 1の電極が配置された部分に形成された、該絶縁性基板の表裏面間に貫通するとともに、内部に、該第 1の電極に電気的に接続された導体が充填されてなるスルーホールと、前記絶縁性基板の裏面に形成された、前記スルーホール内の導体と前記第 1の端子とを電気的に接続する導体膜とにより電気的に接続され、

該導体膜と前記第 3の端子が、前記絶縁性基板の裏面に膜状に形成されたヒューズにより電気的に接続されてなることを特徴とする請求項 8 記載のサージアブソ一バ。

1 0 . 前記第一の電極と前記第 1の端子が、

前記絶縁性基板の前記第 1の電極が配置された部分に形成された、内部に、該第 1の電極に電極に電気的に接続された導体が充填されてなるビアホールと、前記絶縁性基板の内部に形成され前記第 1の端子に電気的に接続されるとともに前記ビアホールの底部において該ビアホール内部の導体に電気的に接続された導体層とにより電気的に接続され、前記第 1の端子と前記第 2の端子とのうちの一方の端子と前記第 3の端子が、前記絶縁性基板の裏面に膜状に形成されたヒューズにより電気的に接続されてなることを特徴とする請求項 9記載のサージァブソーバ。

1 . 少なくとも 1枚が前記絶縁性基板の内部に広がるとともに互いに平行に広がる複数枚の導体膜からなる、前記第 1の端子と前記第 2の端子との間に形成されたコンデンサとを備えたことを特徴とする請求項 1 ないし 1 0記載のサージアブソ一バ。