JPH1069960A - サージアブソーバ - Google Patents

サージアブソーバ

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Publication number
JPH1069960A
JPH1069960A JP22559896A JP22559896A JPH1069960A JP H1069960 A JPH1069960 A JP H1069960A JP 22559896 A JP22559896 A JP 22559896A JP 22559896 A JP22559896 A JP 22559896A JP H1069960 A JPH1069960 A JP H1069960A
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JP
Japan
Prior art keywords
electrode
conductive film
surge absorber
conductor
insulating substrate
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP22559896A
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English (en)
Inventor
Masahiko Nakamura
雅彦 中村
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
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Publication of JPH1069960A publication Critical patent/JPH1069960A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、電子機器に印加されるサージ電圧
を吸収するサージアブソーバに関し、表面実装が容易で
あって、かつ繰り返し放電に対する信頼性の高いサージ
アブソーバを提供する。 【解決手段】 第1の内部電極2と、マイクロギャップ
3を有する導電膜5と、第2の内部電極3を、平板状の
絶縁性基板1上に同心円状に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器に印加さ
れるサージ電圧を吸収するサージアブソーバに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、電子機器の保護のために用い
られる、電子機器に印加されるサージ電圧を吸収するサ
ージアブソーバが知られている。例えば、特公昭63−
57918号公報には、円柱形の絶縁部材の表面に導電
性セラミックス薄膜が形成され、その導電性セラミック
ス薄膜を分断するように円周方向にマイクロギャップが
形成され、その全体を、内部にガスが充填された状態に
円筒ガラスに密封した構造のサージアブソーバが開示さ
れている。また、特公平7−107867号公報、実開
昭49−80351号公報には、平板の絶縁性基板上
に、マイクロギャップに向かって先が尖った尖塔形の電
極が形成されたサージアブソーバが提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来提
案されたサージアブソーバのうち、円筒ガラスに密封し
た構造のものは、外形が円筒形であってその円筒の両方
向からリード線が延びているため、表面実装や自動実装
が困難であるという問題がある。また、この構造のもの
は、外形が円筒形であるためガラス以外の材料を気密被
覆材として使用することは困難である。
【0004】また、従来提案されたサージアブソーバの
うち平板の絶縁性基板上に電極およびマイクロギャップ
を形成する構造のものは、マイクロギャップ部分の電極
の形状が尖塔形であるため、サージ吸収のための放電に
よりその尖塔形電極の先端が欠損しやすく、繰り返し放
電に対する寿命が短いという問題がある。本発明は、上
記事情に鑑み、表面実装が容易であって、かつ繰り返し
放電に対する信頼性が高いサージアブソーバを提供する
ことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のサージアブソーバは、 (1)平板状の絶縁性基板 (2)絶縁性基板上に、円環状のギャップを有し該ギャ
ップと同心の円板状に形成された導電膜 (3)導電膜の中心部に配置された第1の電極 (4)導電膜の周縁部に配置された、前記ギャップと同
心円をなす円環状の第2の電極 (5)上記絶縁性基板と協同して、導電膜、第1の電極
および第2の電極を、内部に所定のガスが充填された状
態に密封する気密性被冠材 (6)気密性被冠材の外部に配置された、第1の電極に
電気的に接続されてなる第1の端子 (7)気密性被冠材の外部に配置された、第2の内部電
極に電気的に接続されてなる第2の端子 を備えたことを特徴とする。
【0006】ここで、上記本発明のサージアブソーバに
おいて、第1の電極と第1の端子は、絶縁性基板の、第
1の電極が配置された部分に形成された、その絶縁性基
板の表裏面間に貫通するとともに、内部に、第1の電極
に電気的に接続された導体が充填されてなるスルーホー
ルと、その絶縁性基板の裏面に形成された、スルーホー
ル内の導体と第1の端子とを電気的に接続する導体膜と
により電気的に接続されていてもよく、あるいは、第1
の電極と第1の端子は、絶縁性基板の、第1の電極が配
置された部分に形成された、内部に、第1の電極に電気
的に接続された導体が充填されてなるビアホールと、そ
の絶縁性基板の内部に形成され第1の端子に電気的に接
続されるとともにビアホールの底部においてビアホール
内部の導体に電気的に接続された導体層とにより電気的
に接続されていてもよく、あるいは、本発明のサージア
ブソーバが、絶縁性基板上に形成された絶縁膜を有し、
上記導電膜、第1の電極および第2の電極がその絶縁膜
上に形成ないし配置されたものであって、第1の電極と
第1の端子が、その絶縁膜の、第1の電極が配置された
部分に形成された、内部に、第1の電極に電気的に接続
された導体が充填されてなるビアホールと、絶縁性基板
と絶縁膜との間に形成され、ビアホール内の導体と第1
の端子とを電気的に接続する導体膜とにより電気的に接
続されていてもよい。
【0007】本発明のサージアブソーバは、第1の電
極、第2の電極、導電膜、およびマイクロギャップの全
てが、平板状の絶縁性基板上の同一平面状に配置されて
いるため、その外形を、表面実装が容易な平板状に構成
することができる。また、外形を容易に平板状にするこ
とができるため、気密性被冠材の材料としてアルミナ等
のセラミックス材料を使用することができる。
【0008】さらに、本発明のサージアブソーバは、第
1の電極、第2の電極、導電膜およびマイクロギャップ
の全てが、同一平面上であって、しかも同心円状に形成
されているため、マイクロギャップの全域で放電が均一
に起こり、また放電によって導電膜の一部が欠損しても
放電開始電圧が変化しにくく、繰り返し放電に対する信
頼性が高い。
【0009】さらに、本発明のサージアブソーバでは、
中心部に配置される第1の電極と、外部との接続を担う
第1の端子とを接続する手段として、例えば、絶縁性基
板に設けられたスルーホールと基板裏面の導体膜、また
は絶縁性基板に設けられたビアホールと基板内部に形成
された導体層、または、絶縁層に設けられたビアホール
と絶縁層下部の導体膜を採用することができ、部品点数
が少なく、しかも信頼性が高い構造のサージアブソーバ
を実現することができる。
【0010】尚、本発明のサージアブソーバの基本構
造、原理は、前掲の特公昭63−57918号公報に開
示されたものと同じであるため、そこに開示されたサー
ジアブソーバが有している優れたサージ吸収特性と高い
信頼性がそのまま踏襲されている。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図1〜図3は、本発明のサージアブソーバ
の一実施形態を示す。それぞれ、キャップを一部破断し
て内部構造を示す斜視図、キャップを透視して示す平面
図、および、図1、図2に矢印A−Aで示す方向に見た
断面図である。
【0012】絶縁性基板としての平板状のアルミナ基板
1に、従来公知の技術によりスルーホール11(図3参
照)を形成し、そのスルーホール11内に導体を充填す
るとともに、アルミナ基板1の表面に導体膜10、裏面
に導体膜12を形成し、さらにアルミナ基板1の側面に
第1の端子8および第2の端子9を形成し、アルミナ基
板1の表面に導電膜5としてTiNをスパッタリングに
より付着させた後、フォトエッチングによって幅約50
μmの円形のマイロクギャップ3を形成するとともに導
電膜5を所望の円形に成形し、第1の電極2と第2の電
極3を、マイクロギャップ3と同心円状に導電膜5と接
するように取り付ける。さらに、アルミナセラミック製
のキャップ6をフリットガラス7にて溶着することによ
り、マイクロギャップ3、第1の電極2、第2の電極4
を、Arガス中に封じ込める。これにより、外形が平板
状であって表面実装に適し、かつ繰り返し放電に対する
信頼性の高いサージアブソーバが実現する。
【0013】図4は、本発明のサージアブソーバの第2
実施形態の断面図である。この第2実施形態には、絶縁
性基板として、内部に導体層14とビアホール16が形
成された低温焼成多層基板15を用い、この基板15の
表面に導体10を、基板15の側面に端子8,9を形成
し、基板15の表面に導電膜5としてTiNをスパッタ
リングによって付着させた後、フォトエッチングによっ
て幅約50μmの円形マイクロギャップ3を形成すると
ともに、導電膜5を所望の円形状に成形し、第1の電極
2及び第2の電極4をマイクロギャップ3と同心円状に
導電膜5に取りつける。アルミナセラック製のキャップ
6をフリットガラス7にて溶着することによりマクイロ
キャップをArガス中に封じ込める。
【0014】この第2実施形態によっても、上述の第1
実施形態と同様、外形が平板状であっても表面実装適性
に優れ、かつ繰り返し放電に対する信頼性の高いサージ
アブソーバが実現する。図5は、本発明のサージアブソ
ーバの第3実施形態の断面図である。絶縁性基板として
のアルミナ基板19上に厚膜多層法によって形成された
絶縁層20、ビアホール21、内層導体膜22を有する
多層構造の基板を用い、さらに、この基板19の表面に
導体10を、基板19の側面に端子8,9を形成し、基
板19の表面に導電膜5としてTiNをスパッタリング
によって付着させた後、フォトエッチングによって幅約
50μmの円形マイクロギャップ3を形成するととも
に、導電膜5を所望の円形状に成形し、第1の電極2及
び第2の電極4をマイクロギャップ3と同心円状に導電
膜5に取りつける。アルミナセラミック製のキャップ6
をフリットガラス7にて溶着することによりマイクロギ
ャップ3をArガス中に封じ込める。
【0015】この第3実施形態によっても、上述の第1
実施形態、第2実施形態と同様、良好な表面実装適性と
高信頼性を有するサージアブソーバが実現する。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
円板状の外形を実現し表面実装が容易であって、かつ同
一平面上に同心円状に配置したことによって繰り返し放
電に対する信頼性の高いサージアブソーバが実現する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のサージアブソーバの一実施形態を示
し、キャップを一部破断して内部構造を示す斜視図であ
る。
【図2】本発明のサージアブソーバの一実施形態を示
し、キャップを透視して示す平面図である。
【図3】本発明のサージアブソーバの一実施形態を示
し、図1、図2に矢印A−Aで示す方向に見た断面図で
ある。
【図4】本発明のサージアブソーバの第2実施形態の断
面図である。
【図5】本発明のサージアブソーバの第3実施形態の断
面図である。
【符号の説明】
1 アルミナ基板 2 電極 3 マイクロギャップ 4 電極 5 導電膜 6 アルミナセラミック製のキャップ 7 フリットガラス 8,9 端子 10 導体膜 11 スルーホール 12 導体膜 14 導体層 15 基板 16 ビアホール 19 アルミナ基板 20 絶縁層 21 ビアホール 22 内層導体膜

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平板状の絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に、円環状のギャップを有し該ギャッ
    プと同心の円板状に形成された導電膜と、 前記導電膜の中心部に配置された第1の電極と、 前記導電膜の周縁部に配置された、前記ギャップと同心
    円をなす円環状の第2の電極と、 前記絶縁性基板と協同して、前記導電膜、前記第1の電
    極および前記第2の電極を、内部に所定のガスが充填さ
    れた状態に密封する気密性被冠材と、 前記気密性被冠材の外部に配置された、前記第1の電極
    に電気的に接続されてなる第1の端子と、 前記気密性被冠材の外部に配置された、前記第2の電極
    に電気的に接続されてなる第2の端子とを備えたことを
    特徴とするサージアブソーバ。
  2. 【請求項2】 前記第1の電極と前記第1の端子が、 前記絶縁性基板の前記第1の電極が配置された部分に形
    成された、該絶縁性基板の表裏面間に貫通するととも
    に、内部に、該第1の電極に電気的に接続された導体が
    充填されてなるスルーホールと、前記絶縁性基板の裏面
    に形成された、前記スルーホール内の導体と前記第1の
    端子とを電気的に接続する導体膜とにより電気的に接続
    されてなることを特徴とする請求項1記載のサージアブ
    ソーバ。
  3. 【請求項3】 前記第1の電極と前記第1の端子が、 前記絶縁性基板の前記第1の電極が配置された部分に形
    成された、内部に、該第1の電極に電気的に接続された
    導体が充填されてなるビアホールと、前記絶縁性基板の
    内部に形成され前記第1の端子に電気的に接続されると
    ともに前記ビアホールの底部において該ビアホール内部
    の導体に電気的に接続された導体層とにより電気的に接
    続されてなることを特徴とする請求項1記載のサージア
    ブソーバ。
  4. 【請求項4】 前記絶縁性基板上に形成された絶縁膜を
    有し、前記導電膜、前記第1の電極および前記第2の電
    極が該絶縁膜上に形成ないし配置されたものであって、 前記第1の電極と前記第1の端子が、 前記絶縁膜の前記第1の電極が配置された部分に形成さ
    れた、内部に、該第1の電極に電気的に接続された導体
    が充填されてなるビアホールと、前記絶縁性基板と前記
    絶縁膜との間に形成され、前記ビアホール内の導体と前
    記第1の端子とを電気的に接続する導体膜とにより電気
    的に接続されてなることを特徴とする請求項1記載のサ
    ージアブソーバ。
JP22559896A 1996-08-27 1996-08-27 サージアブソーバ Withdrawn JPH1069960A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999043061A1 (fr) * 1998-02-23 1999-08-26 Mitsubishi Materials Corporation Amortisseur de surtension
US8503147B2 (en) 2010-05-17 2013-08-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. ESD protection device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999043061A1 (fr) * 1998-02-23 1999-08-26 Mitsubishi Materials Corporation Amortisseur de surtension
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Effective date: 20031104