WO1998056045A1 - Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver photodetektor - Google Patents

Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver photodetektor Download PDF

Info

Publication number
WO1998056045A1
WO1998056045A1 PCT/EP1998/003089 EP9803089W WO9856045A1 WO 1998056045 A1 WO1998056045 A1 WO 1998056045A1 EP 9803089 W EP9803089 W EP 9803089W WO 9856045 A1 WO9856045 A1 WO 9856045A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
voltage
wavelength
detector
diode
selective photodetector
Prior art date
Application number
PCT/EP1998/003089
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hartmut Presting
Lorenzo Colace
Gianlorenzo Masini
Thomas Pearsall
Original Assignee
Daimlerchrysler Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daimlerchrysler Ag filed Critical Daimlerchrysler Ag
Priority to US09/445,172 priority Critical patent/US6342720B1/en
Priority to EP98928319A priority patent/EP0986827A1/de
Publication of WO1998056045A1 publication Critical patent/WO1998056045A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
    • H01L31/035254—Superlattices; Multiple quantum well structures including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table, e.g. Si-SiGe superlattices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Definitions

  • the invention relates to a voltage-controlled wavelength-selective photodetector according to the preamble of patent claim 1 and a method for its use according to the preamble of patent claim 11.
  • Voltage-controlled wavelength-selective photodetectors can be used in optoelectronic converters, in signal processing and for logic switching networks. From a publication (Friedmann et al. In compound semiconductor, page 27, Nov. / Dec. 1996) photodetectors made of compound semiconductors are known which are used in two wavelength operation. In addition, a photodetector is described in a patent application (AZ 197 14 054) filed before the filing date but subsequently published, which is constructed from at least two stacked photodiodes made of the semiconductor material silicon / silicon germanium (Si / SiGe). These detectors are used, for example, in solar cells with the aim of generating the highest possible photocurrent by adding the charges generated in the individual detectors. The use of different bears
  • Semiconductor materials help to achieve high spectral sensitivity in addition to high efficiency.
  • the individual photocurrents generated in the detectors always overlap additively.
  • the detection of light signals with several photodetectors is thus used, but not the possibility of signal processing by subtracting the photocurrents.
  • the invention is therefore based on the object of specifying an inexpensive, monolithically highly integrable photodetector which opens up a broad spectrum for signal conversion through wavelength selectivity and can be used in particular to improve the signal / noise ratio of an optical signal.
  • the invention is represented by the features of claims 1 and 11. The further claims contain advantageous refinements and developments of the invention.
  • the photodetector according to the invention is constructed from a double diode which consists of an Si Schottky diode which is polarized against one another and of an SiGe PIN diode.
  • the short-wave portion ( ⁇ ⁇ 0.9 ⁇ m) of light entering the detector through a window preferably generates electron-hole pairs in the Si Schottky detector, while the longer-wave portion (l ⁇ m ⁇ ⁇ 2 ⁇ m) passes through the substrate and in the epitaxially deposited SiGe Superlattice or the quantum well diode is preferably absorbed.
  • the photocurrents of both detectors flow physically in opposite directions and subtract, so that this leads to a wavelength-dependent sign of the photocurrent.
  • the level of the applied bias voltage decides whether the photocurrent of the Si Schottky diode or the photocurrent of the Si / Ge PIN diode determines the spectrum.
  • the layer structure shown is deposited on a lightly p-doped Si semiconductor substrate 1, for example by means of molecular beam epitaxy.
  • the layer structure consists of a graded SiGe buffer 2, a thickness of approximately 650 nm, with a final Ge concentration of, for example, 60 atom percent, a constant SiGe buffer 3, a thickness of approximately 500 nm, preferably with a final Ge concentration of the graded buffer 2 corresponding Ge concentration of 60 atom percent an n-doped Si-Ge superlattice 4 with a thickness of approximately 200 nm, consisting of a periodically repeating
  • the detector areas are electrically isolated from the surrounding semiconductor material, for example by silicon dioxide or trench etching.
  • the metallization of the substrate-side first contact 6, including the window 8, and the second metal contact 7 on the epitaxial layer, which acts as a Schottky contact, is also structured using standard semiconductor process technology.
  • the second metal contact 7 forms an ohmic contact due to the high doping of the thin cover layer 5.
  • Curve course of the photocurrent as a function of the incident light wavelength Depending on the bias bias of the detector, either one results Photocurrent 10 from the silicon diode or a photocurrent 11 from the PIN SiGe diode in the event that the voltage is chosen to be so high, for example ⁇ 1 V, that one of the two diodes always switches through and the other is operated in the blocking region.
  • the dynamic behavior of the detector used in the operating state arises for bias voltages that lie between the limits ⁇ 1 V.
  • the curves are entered in Fig. 4 for some intermediate values. With a suitably selected bias voltage, for example for 0.2V, the curve has both positive and negative values depending on the wavelength. For example, this can be used in an application to decode signals as follows.
  • the useful signal S can thus be separated from the noise level very easily.
  • 5 shows the signal / noise ratio (S / N) of a useful signal S which has been processed by decoding.
  • the course of the curve proves in this example that the signal / noise ratio is considerably increased by this method by superimposing the signals in the range of the selected wavelengths ⁇ and ⁇ 2 .

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Ein spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor ist aus einer Doppeldiode aufgebaut, die aus einer gegeneinander gepolten Si-Schottkydiode und aus einer SiGe PIN-Diode besteht. Der kurzwellige Anteil (μ < 0,9νm) des durch ein Fenster in den Detektor eintretenden Lichts erzeugt bevorzugt Elektron-Lochpaare im Si-Schottky-Detektor, während der längerwellige Anteil (1νm < μ < 2νm) das Substrat passiert und im epitaktisch abgeschiedenen SiGe Übergitter bzw. der Quantum Well Diode bevorzugt absorbiert wird. Die Photoströme beider Detektoren fließen dabei physikalisch in entgegengesetzte Richtungen und subtrahieren sich, so daß dies zu einem wellenlängenabhängigen Vorzeichen des Photostroms führt. Die Höhe der angelegten Bias-Spannung entscheidet, ob der Photostrom der Si-Schottkydiode oder der Photostrom der Si/Ge PIN-Diode das Spektrum bestimmt. Dies kann beispielsweise in einer Anwendung zum Decodieren von Signalen genutzt werden, indem durch eine Umwandlung des Lichtsignals in ein elektrisches Ausgangssignal und durch Subtraktion der Photoströme der beiden Detektoren gerade der Rauschanteil herausgefiltert wird und damit das Signal/Rauschverhältnis eines Lichsignals erhöht wird.

Description

Beschreibung
Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor
Die Erfindung betrifft einen spannungsgesteuerten wellenlängenselektiven Photodetektor nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren zu dessen Verwendung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 11.
Spannungsgesteuerte wellenlängenselektiven Photodetektoren können bei optoelektronischen Wandlern, bei der Signalaufbereitung und für logische Schaltnetze eingesetzt werden. Aus einer Schrift (Friedmann et al. in compound semiconductor, Seite 27, Nov./Dez. 1996) bekannt sind Photodetektoren aus Verbindungshalbleiter, die im zwei Wellenlängenbetrieb verwendet werden. Außerdem ist in einer vor dem Anmeldetag eingereichten, jedoch nachveröffentlichten Patentanmeldung (AZ 197 14 054) ein Photodetektor beschrieben, der aus zumindest zwei übereinander angeordneten Photodioden aus dem Halbleitermaterial Silicium/Silicium-Germanium (Si/SiGe) aufgebaut ist. Verwendung finden diese Detektoren beispielsweise in Solarzellen mit dem Ziel, durch eine Addition der in den einzelnen Detektoren entstehenden Ladungen einen möglichst hohen Photostrom zu erzeugen. Dabei trägt die Verwendung unterschiedlicher
Halbleitermaterialien dazu bei, neben einem hohen Wirkungsgrad eine hohe spektrale Empfindlichkeit zu erzielen. Die einzelnen in den Detektoren entstehenden Photoströme überlagern sich immer additiv. Damit wird zwar das detektieren von Lichtsignalen mit mehreren Photodetektoren angewandt, jedoch nicht die Möglichkeit einer Signalaufbereitung durch eine Subtraktion der Photoströme.
Zur Trennung eines Nutzsignals S vom Rauschen N und zur Verbesserung des Signal/Rauschverhältnisses (S/N) werden zur Signaldecodierung aufwendige Anordnungen und Verfahren, die aus mehreren Detektoren, Strahlteilern, Filtern und zusätzlicher Elektronik bestehen angewandt.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen kostengünstigen, monolithisch hochintergrierbaren Photodetektor anzugeben, der durch Wellenlängenselektivität ein breites Spektrum zur Signalumwandlung eröffnet und insbesondere zur Verbesserung des Signal/Rauschverhältnisses eines optischen Signals verwendbar ist. Die Erfindung wird durch die Merkmale der Patentansprüche 1 und 11 wiedergegeben. Die weiteren Ansprüche enthalten vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung.
Der erfindungsgemäße Photodetektor ist aus einer Doppeldiode aufgebaut, die aus einer gegeneinander gepolten Si-Schottkydiode und aus einer SiGe PIN- Diode besteht. Der kurzwellige Anteil (λ<0,9μm) des durch ein Fenster in den Detektor eintretenden Lichts erzeugt bevorzugt Elektron - Lochpaare im Si Schottky-Detektor, während der längerwellige Anteil (l μm<λ<2μm) das Substrat passiert und im epitaktisch abgeschiedenen SiGe Übergitter bzw. der Quantum Well Diode bevorzugt absorbiert wird. Die Photoströme beider Detektoren fließen dabei physikalisch in entgegengesetzte Richtungen und subtrahieren sich, so daß dies zu einem wellenlängenabhängigen Vorzeichen des Photostroms führt. Die Höhe der angelegten Bias-Spannung entscheidet, ob der Photostrom der Si- Schottkydiode oder der Photostrom der Si/Ge PIN-Diode das Spektrum bestimmt.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von vorteilhaften Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf schematische Zeichnungen in den folgenden Figuren näher erläutert. Es zeigen:
FigJ Aufbau eines Photodetektors,
Fig.2 Ersatzschaltbild der Doppeldiode eines Photodetektors,
Fig.3 Photostrom eines Detektors bei höherer positiver und negativer
Bias-Spannung als Funktion der Wellenlänge λ, Fig.4 Photostrom eines Detektors im Betriebszustand bei geringeren Bias-
Spannungen zwischen -0,3 und 0,4 Volt, Fig.5 Signal/Rauschverhältnis eines decodierten Signals. Im Ausfuhrungsbeispiel gemäß Figur 1 wird auf ein gering p-dotiertes Si- Halbleitersubstrat 1 beispielsweise mittels Molekularstrahlepitaxie die dargestellte Schichtstruktur abgeschieden. Die Schichtstruktur besteht dabei aus einem gradierten SiGe-Puffer 2, einer Dicke von ungefähr 650nm, mit einer Ge-Endkonzentration von beispielsweise 60 Atomprozent einem konstanten SiGe-Puffer 3, einer Dicke von ungefähr 500nm, bevorzugt mit einer der Ge-Endkonzentration des gradierten Puffers 2 entsprechenden Ge-Konzentration von 60 Atomprozent einem n-dotierten Si-Ge-Übergitter 4 mit einer Dicke von ungefähr 200nm, bestehend aus einer sich periodisch wiederholenden
Schichtenfolge aus beispielsweise sechs Monolagen Si und vier Monolagen Ge, mit einer Dotierstoffkonzentration (Sb) von 10I7pro cm3 einer hoch n-dotierten (1019pro cm3) Si-Deckschicht 5 einer Dicke von gefähr 2nm. Mit gängigen Verfahrensschritten der integrierten Halbleitertechnologie werden die Detektorbereiche beispielsweise durch Siliziumdioxid oder Grabenätzung elektrisch gegen das umgebende Halbleitermaterial isoliert. Ebenfalls mit Standard-Halbleiterprozeßtechnik wird die als Schottky-Kontakt wirkende Metallisierung des substratseitigen ersten Kontakts 6, einschließlich des Fensters 8, und der zweite Metallkontakt 7 auf der Epitaxieschicht strukturiert. Der zweite Metallkontakt 7 bildet durch die hohe Dotierung der dünnen Deckschicht 5 einen ohmschen Kontakt.
Das dem Schichtaufbau entsprechende Ersatzschaltbild der Doppeldiode A und B ist in Fig.2 abgebildet. Die Wirkungsweise der gegeneinandergeschalteten Dioden zeigt der
Kurververlauf des Photostroms als Funktion der eingestrahlten Lichtwellenlänge. Abhängig von der Bias-Vorspannung des Detektors ergibt sich entweder ein Photostrom 10 aus der Siliziumdiode oder ein Photostrom 11 aus der PIN-SiGe- Diode für den Fall, daß die Spannung so hoch gewählt wird, beispielsweise ±1 V, daß immer eine der beiden Dioden durchschaltet und die andere im Sperrbereich betrieben wird. Das im Betriebszustand genutzte dynamische Verhalten des Detektors stellt sich für Bias-Spannungen ein, die zwischen den Grenzen ±1 V liegen. Die Kurvenverläufe sind in Fig.4 für einige Zwischenwerte eingetragen. Bei geeignet gewählter Bias-Spannung, beispielsweise für 0,2V weist der Kurvenverlauf in Abhängigkeit der Wellenlänge sowohl positive wie auch negative Werte auf. Dies kann beispielsweise in einer Anwendung folgendermaßen zum decodieren von Signalen genutzt werden.
Bei einem einfallenden optischen Signal mit zwei Trägerfrequenzen λ, und λ2 ist die Responsivität R des Detektors gegeben durch die Beziehung: R = A, (S+N) + A2N ; wobei A, und A2 die spannungsabhängige Responsivität der einzelnen Dioden bei den Wellenlängen λ1 und λ2, S das Nutzsignal und N das Rauschsignal darstellt. Durch Anlegen einer geeigneten Bias-Spannung kann die Bedingung A, = -A2 erfüllt werden, indem so abgeglichen wird, daß die Photoströme der beiden Dioden entgegengesetzte Vorzeichen besitzen, woraus sich ergibt: R = A, S
Das Nutzsignal S kann damit sehr einfach vom Rauschpegel getrennt werden. Das Signal/Rauschverhältnis (S/N) eines Nutzsignals S, das durch Decodieren aufbereitet wurde zeigt Fig.5. Der Kurven verlauf beweist in diesem Beispiel, daß durch dieses Verfahren das Signal/Rauschverhältnis durch die Überlagerung der Signale im Bereich der ausgewählten Wellenlängen λ, und λ2 beträchtlich gesteigert wird.

Claims

Patentansprüche
1. Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor, dadurch gekennzeichnet, daß der Photodetektor aus mindestens zwei übereinander angeordneten und für unterschiedliche Wellenlängenbereiche empfindliche Detektoren (A, B) aufgebaut ist, die elektrisch gegeneinander gepolt sind.
2. Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Detektor (A) aus einer Schottky-Diode besteht.
3. Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Detektor (B) aus einer Si/SiGe pn-Diode oder PIN-Diode besteht.
4. Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Detektor (B) mit integriertem Resonator ausgebildet ist.
5. Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß über dem zweiten Detektor (B) ein Bragg-Reflektor angeordnet ist.
6. Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Detektorschicht des zweiten Detektors (B) aus einer Si-Ge Vielschichtstruktur (4) besteht.
7. Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Si-Ge Vielschichtstruktur als Ge/SiGe Quantentopfpotential ausgebildet ist.
8. Spannungs gesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Si-Ge Vielschichtstruktur als Si-Ge Übergitter ausgebildet ist.
9. Spannungs gesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sich in einer am ersten Detektor (A) befindlichen ersten Kontaktschicht (6) Fenster für den Lichteintritt in den Detektor befinden.
10. Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor nach den vorangehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß die am zweiten Detektor (B) befindliche zweite Kontaktschicht (7) auf einer hoch n-dotierten Siliciumschicht einen ohmschen Kontakt bildet.
11. Verfahren zur Verwendung eines spannungsgesteuerten wellenlängenselektiven Photodetektors mit mindestens zwei übereinander angeordneten Detektoren (A, B), die elektrisch gegeneinander gepolt sind, zur Verbesserung des Signal/Rauschverhältnisses eines Lichtsignals, bestehend aus dem Lichtanteil einer ersten Wellenlänge, der den Rauschanteil enthält und dem Lichtanteil einer zweiten Wellenlänge, der den Rauschanteil und das Nutzsignal enthält, durch eine Umwandlung des Lichtsignals in ein elektrisches Ausgangssignal, dadurch gekennzeichnet, daß an den Kontakten der beiden Detektoren (A, B) eine Biasspannung angelegt wird, und die Bias-Spannung am Photodetektor so gewählt wird, daß sich durch die Subtraktion der Photoströme der beiden Detektoren gerade der Rauschanteil herausgefiltert wird.
PCT/EP1998/003089 1997-06-03 1998-05-26 Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver photodetektor WO1998056045A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/445,172 US6342720B1 (en) 1997-06-03 1998-05-26 Voltage-controlled wavelength-selective photodetector
EP98928319A EP0986827A1 (de) 1997-06-03 1998-05-26 Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver photodetektor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19723177.2 1997-06-03
DE19723177A DE19723177A1 (de) 1997-06-03 1997-06-03 Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1998056045A1 true WO1998056045A1 (de) 1998-12-10

Family

ID=7831235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP1998/003089 WO1998056045A1 (de) 1997-06-03 1998-05-26 Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver photodetektor

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6342720B1 (de)
EP (1) EP0986827A1 (de)
DE (1) DE19723177A1 (de)
WO (1) WO1998056045A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1309049A1 (de) * 2001-11-05 2003-05-07 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Wellenlängenempfindliche Vorrichtung zur Wellenlängenstabilisation

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19956946B8 (de) 1999-11-26 2005-01-20 Tesa Ag Verpackung für Klebfolien
DE10055942A1 (de) 2000-11-10 2002-06-06 Tesa Ag Haftklebemasse und ihre Verwendung
DE10139509A1 (de) * 2000-12-08 2002-06-27 Daimler Chrysler Ag Silizium Germanium Solarzelle mit hohem Wirkungsgrad
DE10063854A1 (de) 2000-12-21 2002-09-05 Tesa Ag Wiederablösbare Vorrichtung
DE10064160A1 (de) 2000-12-22 2002-08-14 Tesa Ag Klebfolienstreifen
DE10212049A1 (de) 2002-03-19 2003-10-02 Tesa Ag Haftklebemasse und Verfahren zur Herstellung hierzu
US6646318B1 (en) * 2002-08-15 2003-11-11 National Semiconductor Corporation Bandgap tuned vertical color imager cell
DE10252089A1 (de) 2002-11-08 2004-05-27 Tesa Ag Klebemasse und Verwendung derselben für einen Haftklebfolienstreifen aus mindestens einer Schicht, der sich durch dehnendes Verstrecken im wesentlichen in der Verklebungsebene rückstands- und zerstörungsfrei wieder ablösen lässt
DE10361540A1 (de) * 2003-12-23 2005-07-28 Tesa Ag Chemisch vernetzbare, durch Zug in Richtung der Verklebungsebene lösbare Klebestreifen
DE102006038719A1 (de) 2006-08-18 2008-02-21 Tesa Ag Haftklebestreifen für feuchtigkeitsunempfindliche wiederablösbare Verklebungen
DE102008021740A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Tesa Se Klebemasse aus Ethylenpolymer und Verwendung derselben für einen Haftklebfolienstreifen der sich durch dehnendes Verstrecken im Wesentlichen in der Verklebungsebene rückstands- und zerstörungsfrei wieder ablösen lässt
DE202013012788U1 (de) 2012-12-19 2019-08-29 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen
DE102012223670A1 (de) 2012-12-19 2014-06-26 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen
DE102013206624A1 (de) 2013-04-15 2014-10-16 Tesa Se Haftklebemasse und Verwendung derselben in einem Haftklebstreifen
DE102014208263A1 (de) 2014-04-30 2015-11-05 Tesa Se Ablösehilfe für eine wiederablösbare Klebefolie
DE102014208264A1 (de) 2014-04-30 2015-11-05 Tesa Se Hilfsklebeband für eine wiederablösbare Klebefolie
DE202015009721U1 (de) 2015-04-02 2019-08-23 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen
EP3581630B1 (de) 2015-04-02 2021-07-14 tesa SE Wiederablösbarer haftklebestreifen
DE202015009724U1 (de) 2015-04-02 2019-08-16 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen
DE202015009730U1 (de) 2015-04-02 2019-09-06 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen
DE102015206076A1 (de) 2015-04-02 2016-10-06 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen
DE102015220065A1 (de) 2015-10-15 2017-04-20 Tesa Se Klebemasse, insbesondere für stripbare Klebestreifen, und Verwendung zur Verklebung auf gestrichener Raufasertapete
DE202015009135U1 (de) 2015-10-15 2016-11-04 Tesa Se Selbstklebeartikel und dessen Verwendung zur Verklebung auf gestrichener Raufasertapete
DE102016223852A1 (de) 2016-11-30 2018-05-30 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen
DE102017203092A1 (de) 2017-02-24 2018-08-30 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen
DE102017206083A1 (de) 2017-04-10 2018-10-11 Tesa Se Verklebung in elektrochemischen Zellen und Stapeln von elektrochemischen Zellen
DE102017220998A1 (de) 2017-11-23 2019-05-23 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen
DE102019204344A1 (de) 2019-03-28 2020-10-01 Tesa Se Wiederablösbarer Haftklebestreifen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0682375A1 (de) * 1994-05-12 1995-11-15 Universita' Degli Studi Di Roma "La Sapienza" Spannungsgesteuerter Photodetektor mit veränderlichem Spektrum für 2D-Farbbildaufnahmen
WO1996039719A1 (en) * 1995-06-05 1996-12-12 The Secretary Of State For Defence Reflecting semiconductor substrates
WO1997017719A2 (de) * 1995-10-17 1997-05-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterheterostruktur-strahlungsdetektor, mit zwei spektralen empfindlichkeitsbereichen

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4633287A (en) * 1982-08-09 1986-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor photoelectric conversion device
JPS6394125A (ja) * 1986-10-08 1988-04-25 Yamatake Honeywell Co Ltd カラ−センサ
US5311047A (en) * 1988-11-16 1994-05-10 National Science Council Amorphous SI/SIC heterojunction color-sensitive phototransistor
US5329136A (en) * 1993-04-30 1994-07-12 At&T Bell Laboratories Voltage-tunable photodetector
CA2127596C (en) * 1993-07-16 2003-12-02 Hui Chun Liu Multicolour voltage tunable quantum well intersubband infrared photodetector and associated method
US5384469A (en) * 1993-07-21 1995-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Voltage-tunable, multicolor infrared detectors
US5459332A (en) * 1994-03-31 1995-10-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Semiconductor photodetector device
ES2132711T3 (es) * 1994-10-30 1999-08-16 Markus Bohm Sensor tricolor.
US5923049A (en) * 1995-08-31 1999-07-13 Cohausz & Florack Trichromatic sensor
FR2756938B1 (fr) * 1996-12-09 1999-01-08 Alsthom Cge Alcatel Dispositif, notamment a semiconducteur, pour le traitement de deux ondes, notamment lumineuses
DE19714054A1 (de) 1997-04-05 1998-10-08 Daimler Benz Ag SiGe-Photodetektor mit hohem Wirkungsgrad

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0682375A1 (de) * 1994-05-12 1995-11-15 Universita' Degli Studi Di Roma "La Sapienza" Spannungsgesteuerter Photodetektor mit veränderlichem Spektrum für 2D-Farbbildaufnahmen
WO1996039719A1 (en) * 1995-06-05 1996-12-12 The Secretary Of State For Defence Reflecting semiconductor substrates
WO1997017719A2 (de) * 1995-10-17 1997-05-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterheterostruktur-strahlungsdetektor, mit zwei spektralen empfindlichkeitsbereichen

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FANG Y K ET AL: "A VERTICAL-TYPE A-SI:H BACK-TO-BACK SCHOTTKY DIODE FOR HIGH-SPEED COLOR IMAGE SENSOR", IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, vol. 12, no. 4, 1 April 1991 (1991-04-01), pages 172 - 174, XP000177952 *
MASINI G ET AL: "VOLTAGE TUNABLE SIGE PHOTODETECTOR: A NOVEL TOOL FOR CRYPTED OPTICAL COMMUNICATIONS THROUGH WAVELENGTH MIXING", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 70, no. 24, 16 June 1997 (1997-06-16), pages 3194 - 3196, XP000658936 *
PRESTING H: "ULTRATHIN SIMGEN STRAINED LAYER SUPERLATTICES-A STEP TOWARDS SI OPTOELECTRONICS", SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, vol. 7, no. 9, 1 September 1992 (1992-09-01), pages 1127 - 1148, XP000335234 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1309049A1 (de) * 2001-11-05 2003-05-07 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Wellenlängenempfindliche Vorrichtung zur Wellenlängenstabilisation
US6678293B2 (en) 2001-11-05 2004-01-13 Agilent Technologies, Inc. Wavelength sensitive device for wavelength stabilization

Also Published As

Publication number Publication date
DE19723177A1 (de) 1998-12-10
EP0986827A1 (de) 2000-03-22
US6342720B1 (en) 2002-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1998056045A1 (de) Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver photodetektor
DE2828195C2 (de) Lichtsende- und Lichtempfangsanordnung mit einer Halbleiterdiode
EP0771475B1 (de) Strahlungsempfindliches detektorelement
EP0387383B1 (de) Autarkes photonengetriebenes Bauelement
DE69938195T2 (de) Verbesserungen an lawinen-photodioden
DE2631744C2 (de)
DE102011075103B4 (de) Photodetektor
DE19714054A1 (de) SiGe-Photodetektor mit hohem Wirkungsgrad
EP1060541B1 (de) Bauelement mit einer laserdiode und einem lichtempfänger
DE3124238C2 (de)
DE3136528A1 (de) Halbleiter-lawinenfotodetektor
DE2456084A1 (de) Lawinen-photodiode
EP0003130B1 (de) Halbleiter-Diode mit 3-Schichten-Struktur und ihre Verwendung
DE3047188C2 (de)
DE2803203A1 (de) Phototransistor
DE2929484A1 (de) Multiphotodiode
US5652435A (en) Vertical structure schottky diode optical detector
EP1705716A1 (de) Halbleiter-Photodetektor und Verfahren zum Herstellen desselben
EP0103084B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer planaren Avalanche-Fotodiode mit langwelliger Empfindlichkeitsgrenze über 1,3 um
DE3202832C2 (de)
EP3582267B1 (de) Uv-strahlungssensor auf basis von diamant
EP0638940B1 (de) Halbleiter-Photodetektor
DE3426226A1 (de) Uv-empfindliches fotoelement und verfahren zu seiner herstellung
DE69935371T2 (de) Halbleiterphotodetektor mit erhöhter lichtempfänglicher Oberfläche und Hochgeschwindigkeitsleistung
DE2337817C3 (de) Avalanche-Photodiode

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1998928319

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1998928319

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09445172

Country of ref document: US

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 1998928319

Country of ref document: EP