WO1998054618A1 - Affichage a cristaux liquides, son procede de production, et appareil electronique comportant ledit affichage - Google Patents

Affichage a cristaux liquides, son procede de production, et appareil electronique comportant ledit affichage Download PDF

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WO1998054618A1
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liquid crystal
crystal display
semiconductor chip
display device
transparent substrate
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PCT/JP1997/001842
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French (fr)
Inventor
Ltd. Hitachi
Ltd. Hitachi Tohbu Semiconductor
Ltd. Hitachi Semiconductor And Devices Sales Co.
Original Assignee
Yokobori, Kouichi
Matudaira, Takeharu
Shigehara, Atsushi
Tomonaga, Manabu
Hirohata, Yoshiharu
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives

Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal display device, in particular, a liquid crystal display panel having a pair of transparent substrates, and a liquid crystal display panel mounted on one surface of one of the pair of transparent substrates with an anisotropic conductive film interposed therebetween.
  • the present invention relates to a technology that is effective when applied to a liquid crystal display device having a semiconductor chip. Background art
  • the liquid crystal display device adopting the COG method includes a liquid crystal display panel in which liquid crystal is injected and sealed between a pair of transparent glass substrates, and a semiconductor chip on which a drive circuit system for driving and controlling the liquid crystal display panel is mounted. It has.
  • the semiconductor chip has a structure mainly including a semiconductor substrate and a wiring layer formed on an element forming surface of the semiconductor substrate.
  • Transistor elements constituting a drive circuit system are formed on the element formation surface of the semiconductor substrate.
  • a plurality of protruding electrodes electrically connected to the drive circuit system are arranged on the element formation surface of the semiconductor substrate, that is, on the element formation surface of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip has an element formation surface facing one surface of one of a pair of transparent glass substrates constituting a liquid crystal display panel. In this state, it is mounted on one surface of the one transparent glass substrate. Further, the semiconductor chip is bonded and fixed to one surface of one of the transparent glass substrates with an anisotropic conductive film (ACF: ⁇ Anisotropic C_onductive_ilm) interposed therebetween. Further, the projection electrode arranged on the element formation surface of the semiconductor chip is electrically connected to wiring arranged on one surface of one of the transparent glass substrates via conductive particles of an anisotropic conductive film. I have.
  • the anisotropic conductive film is based on, for example, an adhesive resin made of a thermosetting epoxy resin, and a number of resin particles whose surfaces are coated with a metal such as gold (Au) in the adhesive resin. Conductive particles are mixed.
  • the wiring is formed of a transparent conductive film, for example, an ITO (J_ndium in 0_xide) film.
  • a liquid crystal display device employing the COG method is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Hei 6-118433 and 63-191130.
  • An object of the present invention is to propagate a light through a transparent substrate to a device forming surface of a semiconductor chip.
  • An object of the present invention is to provide a technology capable of blocking incident light.
  • Another object of the present invention is to provide a technique that achieves the above object and can increase the reliability of a liquid crystal display device against light.
  • a liquid crystal display panel having a pair of transparent substrates;
  • a liquid crystal display device provided with a semiconductor chip mounted on an intervening conductive film, wherein silicone resin particles are mixed in the anisotropic conductive film.
  • the silicone resin particles are colored black or white.
  • the silicone resin particles have a function of absorbing light, it is possible to block light that propagates through the transparent substrate and enters the element formation surface of the semiconductor chip.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a schematic configuration of a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view of a main part of FIG.
  • FIG. 4 is a plan view of a semiconductor chip mounted on the liquid crystal display device.
  • FIG. 5 is a block diagram of a drive circuit system mounted on the semiconductor chip.
  • FIG. 6 is a diagram showing the rate of change of current consumption.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a main part showing a state where the liquid crystal display device is incorporated in a mobile phone.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a main part for describing a method of manufacturing the liquid crystal display device.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a main part for describing a method of manufacturing the liquid crystal display device.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a main part for describing a method of manufacturing the liquid crystal display device.
  • FIG. 11 is a schematic sectional view of a main part showing a modification of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic sectional view of a main part showing another modification of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic sectional view of a main part showing another modification of the present invention.
  • FIG. 14 is a plan view showing a schematic configuration of a mobile phone.
  • FIG. 15 is a plan view showing a schematic configuration of the pager.
  • FIG. 16 is a perspective view showing a schematic configuration of a notebook personal computer.
  • FIG. 17 is a perspective view showing a schematic configuration of a portable information terminal.
  • FIG. 18 is a perspective view showing a schematic configuration of a copying machine. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a schematic configuration of a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention.
  • the liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel 10, a semiconductor chip 20, and a heat seal connector 30.
  • a drive circuit system for driving and controlling the liquid crystal display panel 10 is mounted on the semiconductor chip 20.
  • the liquid crystal display panel 10 includes a transparent substrate 1 and a transparent substrate 2 each of which has a sealing material 3.
  • the liquid crystal 4 is injected and sealed in the areas defined by the transparent substrate 1, the transparent substrate 2, and the sealing material 3, respectively.
  • Each of the transparent substrate 1 and the transparent substrate 2 is formed of, for example, a glass material.
  • a plurality of strip-shaped common electrodes 6 extending in the X direction are arranged at predetermined intervals in the Y direction on one surface of the transparent substrate 2,
  • a plurality of band-shaped segment electrodes 5 extending in the Y direction are arranged at predetermined intervals in the X direction.
  • the segment electrode 5 and the common electrode 6 are orthogonal to each other and The intersection between the electrode 5 and the common electrode 6 is a pixel area.
  • Each of the segment electrode 5 and the common electrode 6 is formed of a transparent conductive film, for example, an ITO film.
  • One surface of the transparent substrate 1 is connected to a liquid crystal output terminal of a semiconductor chip 20, and is connected to a segment electrode 5 and a common electrode of a liquid crystal display panel 10 by a driving circuit system mounted on the semiconductor chip 20.
  • a plurality of liquid crystal output wirings 9 A for outputting a segment voltage and a common voltage are arranged.
  • one surface of the transparent substrate 1 is electrically connected to input / output terminals of the semiconductor chip 10, and inputs various signals and a power supply voltage to a drive circuit system mounted on the semiconductor chip 10, A plurality of input / output wirings 9B for outputting various signals from the drive circuit system are arranged.
  • Each of the liquid crystal output wiring 9A and the input / output wiring 9B is formed of a transparent conductive film, for example, an ITO film.
  • a deflecting plate 7 is arranged on the back surface facing one surface of the transparent substrate 1.
  • a deflecting plate 8 is arranged on the back surface facing one surface of the transparent substrate 2.
  • One end of the heat seal connector 30 is electrically and mechanically connected to the input / output wiring 9 B at the end of the transparent substrate 1.
  • the other end of the heat seal connector 30 is connected to a printed wiring board or the like on which a central processing unit (CPU) or the like is mounted.
  • CPU central processing unit
  • the semiconductor chip 20 is formed of a pair of transparent substrates (1, 2) constituting the liquid crystal display panel 10, with one of the transparent substrates 1 facing one element of the transparent substrate 1. It is mounted on one surface. That is, the liquid crystal display device of the present embodiment is configured by the COG system.
  • the semiconductor chip 20 is shown in FIG. 3 (an enlarged schematic cross-sectional view of a main part of FIG. 2).
  • a semiconductor substrate 11 made of, for example, single crystal silicon is mainly used.
  • Transistor elements constituting a drive circuit system are formed on the element formation surface of semiconductor substrate 11 (the lower surface in FIG. 3), and a plurality of external terminals 13 are arranged on the element formation surface of semiconductor substrate 11. ing.
  • Each of the plurality of external terminals 13 is formed on the uppermost wiring layer of the wiring layers formed on the element formation surface of the semiconductor substrate 11 with the insulating layer 12 interposed therebetween.
  • Each of the plurality of external terminals 13 is electrically connected to a transistor element constituting a drive circuit system via a wiring formed in a wiring layer.
  • a final protective film 14 is formed on the uppermost wiring layer.
  • This final protective film 14 is made of, for example, polyimide / isoindolo / quinazolinedione (PIQ) resin.
  • a ground metal film 15 is electrically and mechanically connected to the external terminal 13 through an opening formed in the final protective film 14, and the underlying metal film 15 is connected to the final protective film 14.
  • the protruding electrode 16 protruding upward is electrically and mechanically connected. That is, a plurality of projecting electrodes 16 are arranged on the element formation surface of the semiconductor chip 20.
  • the protruding electrode 16 is formed of, for example, a gold (Au) film. In this case, the protruding electrodes 16 are formed by the plating method.
  • the semiconductor chip 20 is bonded and fixed to one surface of one transparent substrate 1 with an anisotropic conductive film (ACF) 21 interposed therebetween.
  • ACF anisotropic conductive film
  • the anisotropic conductive film 21 is formed based on an adhesive resin for adhering the semiconductor chip 20 to the transparent substrate 1, and the wiring substrate 1 is contained in the adhesive resin.
  • a large number of conductive particles 21 A for electrically connecting the wiring (9 A, 9 B) of the semiconductor chip 20 to the protruding electrode 16 of the semiconductor chip 20 are mixed.
  • a large number of non-conductive particles 21B that absorb or reflect light in a wavelength band from visible light to infrared light that causes malfunction of the silicon-based semiconductor element are mixed.
  • the semiconductor chip 20 contains a large number of conductive particles 21 A for electrically connecting the wirings (9 A, 9 B) of the wiring board 1 and the protruding electrodes 16 of the semiconductor chip 20.
  • the transparent resin is interposed through a bonding resin mixed with a large number of non-conductive particles 21 B that absorb or reflect light in a wavelength range of visible light to infrared light that causes malfunction of the silicon-based semiconductor element. It is adhesively fixed to one surface of the substrate 1.
  • the bonding resin for example, a thermosetting epoxy resin is used.
  • the conductive particles 21A for example, those obtained by coating the surfaces of resin particles with a metal such as gold (Au) are used.
  • non-conductive particles 21 B silicon resin particles, which are the same material as the silicon chip, and particles obtained by mixing or coating a black or white paint with the silicone resin particles are used.
  • silicone resin particles colored black are used.
  • the conductive particles 21 A are formed, for example, in a size of about 5 ⁇ m.
  • the non-conductive particles 21B are smaller than the conductive particles 21A, and are formed, for example, in a size of about several tens to several hundreds [nm].
  • Each of the plurality of protruding electrodes 16 arranged on the element formation surface of the semiconductor chip 20 is a part of the conductive particles 21 A mixed in a large amount in the adhesive resin of the anisotropic conductive film 21. Electrically connected to each of a plurality of wirings (9A, 9B) arranged on one surface of one of the transparent substrates 1 constituting the liquid crystal display panel 10 with the conductive particles 21A interposed therebetween. Have been.
  • the protruding electrode 16 is formed in a plane size of, for example, 70 C ⁇ m] ⁇ 70 [ ⁇ m], and the height thereof is set to, for example, about 20 [ ⁇ m].
  • the semiconductor chip 20 has a rectangular flat surface.
  • Each of the plurality of bump electrodes 16 is arranged along each side of the semiconductor chip 20. In FIG. 4, terminal names are given near the protruding electrodes 16.
  • the drive circuit system mounted on the semiconductor chip 10 includes a common shift register 41, a common signal driver 42, a segment shift register 43, and a latch, as shown in FIG. Circuit 44, segment signal driver 45, LCD drive voltage selection circuit 46, parallel conversion circuit 47, announcer driver 48, timing generation circuit 50, booster circuit 51, clock signal generation Circuit 52, System interface 53, Integration decoder 54, Address counter 55, Cursor printer control circuit 56, Five resistors (61 to 65) and one variable A series resistor circuit in which resistors 66 are connected in series, five voltage follower circuits (71 to 75) connected to the connection point of this series resistor circuit, a segment RAM 81, and a character generator RAM 8 2, Catcher lactamide generator ROM 8 3, Viewing data R A M 8 4, the data register 8 5, and a busy flag 8 6 and fin scan Torakushiyo Nrejisuta 8 7.
  • the surfaces of the wiring 9A and the wiring 9B are covered with a resin film 31 as shown in FIGS. 1 and 2.
  • the resin film 31 is formed of, for example, a room temperature curable silicone resin.
  • a liquid crystal display device in which a semiconductor chip 20 is mounted using the anisotropic conductive film 21 of the present embodiment into which black silicone resin particles are mixed as non-conductive particles 21 B and a conventional liquid crystal display device
  • Fig. 6 shows the results of measuring the current change rate.
  • the display surface of the liquid crystal display panel of each liquid crystal display was irradiated with light using an incandescent lamp.
  • the current consumption I cc at 30 [LX] (when the incandescent lamp was turned off) and 230 000 [L x] was measured, and the I cc change rate was calculated using the following equation (1).
  • Ice change rate [%] ⁇ —— ⁇ -X 100— (1 formula)
  • data A is a liquid crystal display device of the present embodiment
  • data B is a conventional liquid crystal display device.
  • the black silicon resin particles (21 B) are mixed into the anisotropic conductive film 21 to propagate through the transparent substrate 1 and reach the element forming surface of the semiconductor chip 20. It is now possible to block incident light.
  • the liquid crystal display device of the present embodiment thus configured is incorporated in a liquid crystal display section 9OA of a mobile phone (electronic device) 90 shown in FIG. 14 (plan view).
  • the display surface of the liquid crystal display panel 10 is exposed to the outside as shown in FIG.
  • a method for manufacturing the liquid crystal display device will be described with reference to FIGS.
  • a liquid crystal display panel 10 is formed using a known technique.
  • an anisotropic conductive film 21 is attached to the chip mounting region on one surface of the transparent substrate 1 of the liquid crystal display panel 10.
  • the anisotropic conductive film 21 is formed based on an adhesive resin for adhering the semiconductor chip 20 to the transparent substrate 1, and the wiring of the wiring board 1 and the semiconductor chip 20 are contained in the adhesive resin.
  • a large number of conductive particles 21 A for electrically connecting to the protruding electrodes 16 of the semiconductor are mixed, and also absorb light in the visible to infrared light wavelength band that may cause malfunctions in silicon-based semiconductor devices.
  • a large number of black silicone resin particles are mixed as the non-conductive particles 21 B to be reflected.
  • the attachment of the anisotropic conductive film 21 is performed at about 50 [° C] for several seconds. Further, the anisotropic conductive film 21 is formed in a plane size that is one size larger than the plane size of the semiconductor chip 20.
  • each of the plurality of protruding electrodes 16 arranged on the element formation surface of the semiconductor chip 20 is formed of the conductive particles 21 A mixed in a large amount with the adhesive resin of the anisotropic conductive film 21.
  • the semiconductor chip 20 is attached to the transparent substrate 1 by the curing shrinkage force of the resin for bonding the anisotropic conductive film 21. Adhesively fixed.
  • thermocompression bonding is performed under the condition of 150 [° C], 5 to: 10 [seconds].
  • a silicone-based resin is applied to one surface of the transparent substrate 1 to form a resin film 31 covering the surfaces of the wiring 9A and the wiring 9B.
  • the liquid crystal display device shown in FIG. 3 is almost completed.
  • the black silicone resin particles 21 B By mixing the black silicone resin particles (21 B) into the anisotropic conductive film 21, the black silicone resin particles 21 B have the function of absorbing light. It becomes possible to block light incident on the 20 element formation surface.
  • the light propagating in the transparent substrate 1 and incident on the element forming surface of the semiconductor chip 20 is blocked, a malfunction due to the light of the driving circuit mounted on the semiconductor chip 20 can be suppressed.
  • the light can be more reliable.
  • the liquid crystal display device since it is not necessary to form a new light-shielding film on one surface of the transparent substrate 1 between the transparent substrate 1 and the semiconductor chip 20, the liquid crystal display device has a smaller size than a case where a new light-shielding film is formed. Manufacturing costs can be reduced. Actually, since the height of the protruding electrode 16 is low, it is difficult to form a light shielding film between the transparent substrate 1 and the semiconductor chip 20 by a thick film technique such as printing.
  • the entire area of the element forming surface of the semiconductor chip 20 can be covered with the anisotropic conductive film 21 without any gap, the light that has propagated in the transparent substrate 1 or penetrated from the back surface of the transparent substrate 1 Light directly irradiates the element forming surface of the semiconductor chip 20 nothing is done.
  • the example in which the black silicone resin particles 21 B are mixed in the anisotropic conductive film 21 is described, but white silicone resin may be mixed.
  • the light-shielding effect of the anisotropic conductive film is inferior to the case where the black silicone resin particles are mixed, but a higher light-shielding effect can be obtained as compared with the conventional anisotropic conductive film.
  • black silicone resin particles 21 B and white silicone resin particles may be mixed into the anisotropic conductive film 21. Also in this case, a higher light-shielding effect can be obtained as compared with the conventional anisotropic conductive film.
  • carbon particles may be mixed into the anisotropic conductive film 21 together with at least black or white silicone resin particles. Also in this case, a higher light-shielding effect can be obtained as compared with a conventional anisotropic conductive film.
  • the anisotropic conductive film 21 may be adhered on one surface of the transparent substrate 1 .
  • the anisotropic conductive film 21 may be attached to the 0 element formation surface.
  • the back surface of the semiconductor chip 20 May be covered with a light shielding film 17.
  • a region facing the semiconductor chip 20 on the back surface of the transparent substrate 1 may be covered with a light shielding film 18.
  • the present invention can be applied to a liquid crystal display device incorporated in a liquid crystal display portion 91A of a pager 91 shown in FIG. 15 (schematic plan view) as an electronic device.
  • the present invention can be applied to a liquid crystal display device incorporated in a liquid crystal display portion 92A of a notebook personal computer 92 shown in FIG. 16 (schematic perspective view) as an electronic apparatus.
  • the present invention is applied to a liquid crystal display device incorporated in the liquid crystal display portion 93A of the portable information terminal 93 shown in FIG. 17 (schematic perspective view) as an electronic device.
  • the present invention is applicable to a liquid crystal display device incorporated in a liquid crystal display portion 94A of a copying machine 94 shown in FIG. 18 (schematic perspective view) as an electronic apparatus. That is, the present invention can be applied to an apparatus having a liquid crystal display section and a light source inside, such as a copying machine.
  • Industrial applicability is applicable to a liquid crystal display device incorporated in a liquid crystal display portion 94A of a copying machine 94 shown in FIG. 18 (schematic perspective view) as an electronic apparatus. That is, the present invention can be applied to an apparatus having a liquid crystal display section and a light source inside, such as a copying machine.

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Description

明 細 書 液晶表示装置及びその製造方法並びに電子機器 技術分野
本発明は、 液晶表示装置に関し、 特に、 一対の透明基板を有する液晶 表示パネルと、 前記一対の透明基板のうち、 一方の透明基板の一表面上 に異方性導電膜を介在して実装される半導体チップとを備えた液晶表示 装置に適用して有効な技術に関するものである。 背景技術
液晶表示装置と して、 C O G ( h ip _n l ass)方式を採用する液晶 表示装置が開発されている。 この C O G方式を採用する液晶表示装置は、 一対の透明ガラス基板間に液晶が注入封止された液晶表示パネルと、 こ の液晶表示パネルを駆動制御する駆動回路システムが塔載された半導体 チップとを備えている。
前記半導体チップは、 半導体基板及びこの半導体基板の素子形成面上 に形成された配線層を主体とする構造で構成されている。 半導体基板の 素子形成面には、 駆動回路システムを構成する トランジスタ素子が形成 されている。 また、 半導体基板の素子形成面上、 即ち半導体チップの素 子形成面には駆動回路システムに電気的に接続された複数の突起電極が 配置されている。
前記半導体チップは、 液晶表示パネルを構成する一対の透明ガラス基 板のうち、 一方の透明ガラス基板の一表面にその素子形成面を向い合わ せた状態で前記一方の透明ガラス基板の一表面上に塔載されている。 ま た、 前記半導体チップは、 一方の透明ガラス基板の一表面に異方性導電 膜（A C F ： ^A n i sotrop i c C_onduct i ve £_i lm)を介在して接着固定され ている。 また、 前記半導体チップの素子形成面に配置された突起電極は、 一方の透明ガラス基板の一表面に配置された配線に異方性導電膜の導電 性粒子を介在して電気的に接続されている。 異方性導電膜は、 例えば、 熱硬化性のエポキシ樹脂からなる接着用樹脂をベースと し、 この接着用 榭脂中に樹脂粒子の表面が金（A u )等の金属で被覆された多数の導電性 粒子が混入されている。配線は、透明導電膜である例えば I T O (J_ndium i n 0_x i de) 膜で形成されている。
なお、 C O G方式を採用する液晶表示装置については、 例えば、 特開 平 6— 1 1 8 4 3 3号公報並びに特開昭 6 3 — 1 9 1 1 3 0号公報に記 載されている。
ところで、 半導体チップに光が当たると、 光に起因して電流が流れ、 半導体チップに塔載された回路に誤動作が生じる。 前述の C O G方式を 採用する液晶表示装置においては、 液晶表示パネルの一方の透明ガラス 基板の一表面上に半導体チップを裸の状態で実装しているため、 光によ る影響を受けやすい。 そこで、 半導体チップの裏面側を遮光膜で被覆し たり 、 一方の透明ガラス基板の裏面を遮光膜で被覆する試みがなされて レヽる c
しかしながら、 液晶表示パネルの表示面から浸入し、 一方の透明ガラ ス基板内を伝搬して半導体チップの素子形成面に入射する光に関しては 遮光することができない。
本発明の目的は、 透明基板内を伝搬して半導体チップの素子形成面に 入射する光を遮ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、 前記目的を達成し、 液晶表示装置の光に対する 信頼性を高めることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、 本明細書の記述 及び添付図面によって明らかになるであろう。 発明の開示
本願において開示される発明のうち、 代表的なものの概要を簡単に説 明すれば、 下記のとおりである。
一対の透明基板を有する液晶表示パネルと、 前記一対の透明基板のう ち、 一方の透明基板の一表面に素子形成面を向い合わせた状態で前記一 方の透明基板の一表面上に異方性導電膜を介在して塔載される半導体チ ップを備えた液晶表示装置であって、 前記異方性導電膜にシリコーン樹 脂粒子が混入されている。 前記シリコーン樹脂粒子は黒色若しくは白色 に彩色されている。
上述した手段によれば、 シリ コーン樹脂粒子は光を吸収する作用があ るので、 透明基板内を伝搬して半導体チップの素子形成面に入射する光 を遮ることが可能となる。
また、 透明基板内を伝搬して半導体チップの素子形成面に入射する光 を遮ることにより、 半導体チップに塔載された回路の光による誤動作を 抑制できるので、 液晶表示装置の光に対する信頼性を高めることができ る。 図面の簡単な説明 第 1図は、 本発明の一実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す 模式平面図である。
第 2図は、 第 1図に示す A— A線に沿った模式断面図である。
第 3図は、 第 2図の要部拡大模式断面図である。
第 4図は、 前記液晶表示装置に搭載された半導体チップの平面図であ る。
第 5図は、 前記半導体チップに塔載された駆動回路システムのプロッ ク図である。
第 6図は、 消費電流の変化率を示す図である。
第 7図は、 前記液晶表示装置を携帯電話に組み込んだ状態を示す要部 模式断面図である。
第 8図は、 前記液晶表示装置の製造方法を説明するための要部模式断 面図である。
第 9図は、 前記液晶表示装置の製造方法を説明するための要部模式断 面図である。
第 1 0図は、 前記液晶表示装置の製造方法を説明するための要部模式 断面図である。
第 1 1図は、 本発明の変形例を示す要部模式断面図である。
第 1 2図は、 本発明の他の変形例を示す要部模式断面図である。
第 1 3図は、 本発明の他の変形例を示す要部模式断面図である。
第 1 4図は、 携帯電話の概略構成を示す平面図である。
第 1 5図は、 ページャ一の概略構成を示す平面図である。
第 1 6図は、 ノートブック型パーソナルコンピュータの概略構成を示 す斜視図である。 第 1 7図は、 携帯情報端末機の概略構成を示す斜視図である。
第 1 8図は、 複写機の概略構成を示す斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の構成について、 実施形態とともに説明する。
なお、 実施形態を説明するための全図において、 同一機能を有するも のは同一符号を付け、 その繰り返しの説明は省略する。
第 1図は、 本発明の一実施形態である液晶表示装置の概略構成を示す 模式平面図である。
第 1図に示すように、 液晶表示装置は、 液晶表示パネル 1 0、 半導体 チップ 2 0及びヒートシールコネクタ 3 0を備えている。 半導体チップ 2 0には液晶表示パネル 1 0を駆動制御する駆動回路システムが塔載さ れている。
前記液晶表示パネル 1 0は、 第 1図及び第 2図 （第 1図に示す A— A 線に沿った模式断面図） に示すように、 透明基板 1、 透明基板 2の夫々 がシール材 3を介在して互いに接着固定され、 透明基板 1、 透明基板 2 、 シール材 3 の夫々で規定された領域内に液晶 4が注入封止された構成に なっている。 透明基板 1、 透明基板 2の夫々は例えばガラス材で形成さ れている。
前記シール材 3で規定された領域内において、 前記透明基板 2の一表 面には X方向に延在する帯状のコモン電極 6が Y方向に所定の間隔を置 いて複数本配置され、 前記透明基板 1 の一表面には Y方向に延在する帯 状のセグメ ント電極 5が X方向に所定の間隔を置いて複数本配置されて いる。 セグメント電極 5 とコモン電極 6 とは互いに直交し、 セグメント 電極 5 とコモン電極 6 との交差部が画素領域となる。 セグメント電極 5、 コモン電極 6の夫々は透明導電膜である例えば I T O膜で形成されてい る。
前記透明基板 1 の一表面には、 半導体チップ 2 0の液晶出力端子に接 続され、 半導体チップ 2 0に塔載された駆動回路システムから液晶表示 パネル 1 0のセグメ ン ト電極 5及びコモン電極 6にセグメ ン ト電圧及び コモン電圧を出力する液晶出力配線 9 Aが複数本配置されている。 また、 透明基板 1の一表面には、 半導体チップ 1 0の入出力端子に電気的に接 続され、 半導体チップ 1 0に塔載された駆動回路システムに各種信号及 び電源電圧を入力し、 駆動回路システムから各種信号を出力する入出力 配線 9 Bが複数本配置されている。 液晶出力配線 9 A、 入出力配線 9 B の夫々は、 透明導電膜である例えば I T O膜で形成されている。
前記透明基板 1 の一表面と対向するその裏面には偏向板 7が配置され. 前記透明基板 2の一表面と対向するその裏面には偏向板 8が配置されて いる。
前記ヒートシールコネクタ 3 0の一端側は、 透明基板 1 の端部におい て、 入出力配線 9 Bと電気的にかつ機械的に接続されている。 このヒー トシールコネクタ 3 0 の他端側は、 中央処理装置（C P U )等が塔載され たプリント配線基板等に接続される。
前記半導体チップ 2 0は、 液晶表示パネル 1 0を構成する一対の透明 基板（1， 2 )のうち、 一方の透明基板 1の一表面に素子形成面を向い合 わせた状態で一方の透明基板 1の一表面上に塔載されている。 即ち、 本 実施形態の液晶表示装置は C O G方式で構成されている。
前記半導体チップ 2 0は、 第 3図（第 2図の要部拡大模式断面図）に示 すように、 例えば単結晶珪素からなる半導体基板 1 1 を主体に構成され ている。 半導体基板 1 1 の素子形成面（図 3において下面）には駆動回路 システムを構成する トランジスタ素子が形成され、 また、 半導体基板 1 1 の素子形成面上には複数の外部端子 1 3が配置されている。 この複数 の外部端子 1 3の夫々は、 半導体基板 1 1の素子形成面上に絶縁層 1 2 を介在して形成された配線層のうち、 最上層の配線層に形成され、 例え ばアルミニウム（A 1 )膜又はアルミニウム合金膜で形成されている。 複 数の外部端子 1 3の夫々は、 配線層に形成された配線を介して駆動回路 システムを構成する トランジスタ素子に電気的に接続されている。 最上 層の配線層上には最終保護膜 1 4が形成されている。 この最終保護膜 1 4は、 例えばポリイ ミ ド ·イソインドロ · キナゾリンジオン（ P I Q )樹 脂で形成されている。
前記外部端子 1 3には、 最終保護膜 1 4に形成された開口を通して下 地金属膜 1 5が電気的にかつ機械的に接続され、 この下地金属膜 1 5に は最終保護膜 1 4の上方に突出した突起電極 1 6が電気的にかつ機械的 に接続されている。 即ち、 半導体チップ 2 0の素子形成面には複数の突 起電極 1 6が配置されている。 突起電極 1 6は例えば金 （A u ) 膜で形 成されている。 この場合の突起電極 1 6はメ ツキ法で形成される。
前記半導体チップ 2 0は、 第 2図及び第 3図に示すように、 一方の透 明基板 1の一表面に異方性導電膜（A C F ) 2 1 を介在して接着固定され ている。 異方性導電膜 2 1は、 第 3図に示すように、 透明基板 1 に半導 体チップ 2 0を接着するための接着用樹脂をベースに形成され、 この接 着用樹脂中に配線基板 1の配線（9 A , 9 B )と半導体チップ 2 0の突起 電極 1 6 とを電気的に接続するための導電性粒子 2 1 Aが多数混入され. 更に、 シリ コン系半導体素子に誤動作を引き起こす可視光〜赤外光にお ける波長帯の光を吸収又は反射する非導電性粒子 2 1 Bが多数混入され ている。 即ち、 半導体チップ 2 0は、 配線基板 1の配線（9 A， 9 B )と 半導体チップ 2 0の突起電極 1 6 とを電気的に接続するための導電性粒 子 2 1 Aが多数混入され、 更に、 シリ コン系半導体素子に誤動作を引き 起こす可視光〜赤外光における波長帯の光を吸収又は反射する非導電性 粒子 2 1 Bが多数混入された接着用樹脂を介在して、 透明基板 1 の一表 面に接着固定されている。 接着用樹脂と しては、 例えば、 熱硬化性のェ ポキシ樹脂が用いられる。 また、 導電性粒子 2 1 Aと しては、 例えば、 樹脂粒子の表面を金（A u )等の金属で被覆したものが用いられる。 また、 非導電性粒子 2 1 Bと しては、 シリ コンチップと同じ材料であるシリコ ーン樹脂粒子、 シリコーン樹脂粒子に黒色又は白色塗料を混入又は塗装 したものが用いられる。 本実施形態においては、 黒色に彩色されたシリ コーン樹脂粒子を用いている。 導電性粒子 2 1 Aは、 例えば 5 [ μ m ] 程度の大きさで形成されている。 非導電性粒子 2 1 Bは、 導電性粒子 2 1 Aより も小さく、 例えば数十〜数百 [ n m ] 程度の大きさで形成され ている。
前記半導体チップ 2 0の素子形成面に配置された複数の突起電極 1 6 の夫々は、 異方性導電膜 2 1の接着用樹脂に多数混入された導電性粒子 2 1 Aのうち、 一部の導電性粒子 2 1 Aを介在して、 液晶表示パネル 1 0を構成する一方の透明基板 1 の一表面に配置された複数本の配線（9 A , 9 B )の夫々に電気的に接続されている。 突起電極 1 6は例えば 7 0 C μ m ] X 7 0 [ μ m ] の平面サイズで形成され、 その高さは例えば 2 0 [ μ m ] 程度に設定されている。 前記半導体チップ 2 0は、 第 4図（平面図）に示すよ うに、 平面が長方 形状で形成されている。 前記複数個の突起電極 1 6の夫々は、 半導体チ ップ 2 0の各辺に沿って配列されている。 なお、 第 4図には、 各突起電 極 1 6の近傍に端子名が付してある。
前記半導体チップ 1 0に塔載された駆動回路システムは、第 5図（プロ ック図） に示すように、 コモンシフ ト レジスタ 4 1 、 コモン信号ドライ ノく 4 2、 セグメン トシフ トレジスタ 4 3、 ラッチ回路 4 4、 セグメン ト 信号ドライバ 4 5、 液晶駆動電圧選択回路 4 6、 並列変換回路 4 7、 ァ ナウンシェ一タ ドライバ 4 8、 タイ ミング発生回路 5 0、 昇圧回路 5 1 、 クロ ック信号発生回路 5 2、 システムイ ンターフェイス 5 3、 イ ンス ト ラクシヨ ンデコーダ 5 4、 ア ドレスカウンタ 5 5、 カーソルプリ ンタ制 御回路 5 6、 5個の抵抗（6 1〜 6 5 )と 1個の可変抵抗 6 6 とを直列に 接続した直列抵抗回路、 この直列抵抗回路の接続点に接続される 5個の ボルテージホロワ回路 （ 7 1〜 7 5 ) 、 セグメン ト RAM 8 1 、 キャラ ク タジェネレータ RAM 8 2、 キャラクタジェネレータ ROM 8 3、 表 示データ R A M 8 4、 データレジスタ 8 5、 ビジィフラグ 8 6及びィン ス トラクシヨ ンレジスタ 8 7を備えている。
前記配線 9 A、 配線 9 Bの夫々の表面は、 第 1図及び第 2図に示すよ うに、 樹脂膜 3 1で被覆されている。 樹脂膜 3 1 は、 例えば常温硬化性 のシリ コーン樹脂で形成されている。
ここで、 非導電性粒子 2 1 Bと して黒色シリ コーン樹脂粒子が混入さ れた本実施形態の異方性導電膜 2 1 を用いて半導体チップ 2 0を実装し た液晶表示装置及び従来の異方性導電膜 （黒色シリ コーン樹脂粒子以外 は同一の成分） を用いて半導体チップを実装した液晶表示装置の光に対 する電流変化率を測定した結果を第 6図に示す。 各液晶表示装置の液晶 表示パネルの表示面に白熱灯を用いて光を照射した。 3 0 [ L X ] (白熱 灯消灯時）と 2 3 0 0 0 [ L x ]時の消費電流 I ccを測定し、下記の式（ 1 ) を用いて I cc変化率を求めた。
[23 000(Lx)時の Ice測定値] -[Ice初期値]
Ice変化率 [%]= ^—— ― - X 100—（1式）
[Ice初期値] 第 6図において、 データ Aが本実施形態の液晶表示装置であり、 デー タ Bが従来の液晶表示装置である。 第 6図から明らかなように、 異方性 導電膜 2 1 に黒色シリ コーン樹脂粒子（2 1 B )を混入することにより、 透明基板 1内を伝搬して半導体チップ 2 0の素子形成面に入射する光を 遮ることが可能となった。 このよ うに構成された本実施形態の液晶表示装置は、 第 1 4図 （平面 図） に示す携帯電話（電子機器） 9 0の液晶表示部 9 O Aに組み込まれる。 携帯電話 9 0に組み込まれた液晶表示装置は、第 7図 （要部模式断面図） に示すように、 液晶表示パネル 1 0の表示面が外部に露出される。 この ため、 液晶表示パネル 1 0の表示面から外部の光が浸入し、 透明基板 1 内を伝搬する。 しかしながら、 半導体チップ 2 0の素子形成面は黒色シ リ コーン樹脂粒子（2 1 B )が混入された異方性導電膜 2 1 で被覆されて いるので、 透明基板 1内を伝搬して来た光は異方性導電膜 2 1で遮られ る。 また、 透明基板 1 の裏面側に配置されたバックライ ト 9 2等の光も 遮ることができる。 なお、 第 7図において、 符号 9 0 Bは携帯電話の筐 体である。
次に、 前記液晶表示装置の製造方法について、 第 8図乃至第 1 0図を 用いて説明する。 まず、 第 8図に示すように、 周知の技術を用いて液晶表示パネル 1 0 を形成する。
次に、 第 9図に示すように、 前記液晶表示パネル 1 0の透明基板 1の 一表面のチップ塔載領域に異方性導電膜 2 1 を貼り付ける。 異方性導電 膜 2 1は、 透明基板 1に半導体チップ 2 0を接着するための接着用榭脂 をベースに形成され、 この接着用樹脂中に配線基板 1の配線と半導体チ ップ 2 0の突起電極 1 6 とを電気的に接続するための導電性粒子 2 1 A が多数混入され、 更に、 シリ コン系半導体素子に誤動作を引き起こす可 視光〜赤外光における波長帯の光を吸収又は反射する非導電性粒子 2 1 Bと して黒色シリ コーン樹脂粒子が多数混入されている。 異方性導電膜 2 1の貼り付けは、 5 0 [°C] 前後、 数秒の条件下で行う。 また、 異方 性導電膜 2 1は、 半導体チップ 2 0の平面サイズに比べて一回り大きい 平面サイズで形成されている。
次に、 前記透明配線基板 1の一表面に半導体チップ 2 0の素子形成面 を向い合わせた状態で前記透明基板 1の一表面上に前記異方性導電膜 2 1を介在して前記半導体チップ 2 0を配置する。 その後、 前記半導体チ ップ 2 0を熱圧着し、 第 1 0図に示すように、 透明基板 1の一表面上に 半導体チップを接着固定する。 熱圧着は、 2 2 0 [°C] 〜 2 3 0 [°C] 、 5〜 2 0 [秒] の条件下で行う。 この工程において、 半導体チップ 2 0 の素子形成面に配置された複数の突起電極 1 6の夫々は、 異方性導電膜 2 1の接着用樹脂に多数混入された導電性粒子 2 1 Aのうち、 一部の導 電性粒子 2 1 Aを介在して、 透明基板 1の一表面に配置された複数の配 線（9 A， 9 B) の夫々に電気的に接続される。 また、 半導体チップ 2 0 は、 異方性導電膜 2 1の接着用樹脂の硬化収縮力によって透明基板 1 に 接着固定される。
次に、 前記透明基板 1 の一表面に配置された配線 9 Bにヒートシール コネクタ 3 0の一端側を熱圧着にて接続する。 熱圧着は、 1 5 0 [ °C ] 、 5〜： 1 0 [秒] の条件下で行う。
次に、 前記透明基板 1の一表面にシリ コーン系の樹脂を塗布し、 配線 9 A、 配線 9 Bの表面を被覆する樹脂膜 3 1 を形成することにより、 第 1図、 第 2図及び第 3図に示す液晶表示装置がほぼ完成する。
このように、 本実施形態によれば、 以下の効果が得られる。
異方性導電膜 2 1に黒色シリコーン樹脂粒子（2 1 B )を混入すること により、 黒色シリコーン樹脂粒子 2 1 Bは光を吸収する作用があるので、 透明基板 1内を伝搬して半導体チップ 2 0の素子形成面に入射する光を 遮ることが可能となる。
また、 透明基板 1内を伝搬して半導体チップ 2 0の素子形成面に入射 する光を遮ることにより、 半導体チップ 2 0に塔載された駆動回路の光 による誤動作を抑制できるので、 液晶表示装置の光に対する信頼性を高 めることができる。
また、 透明基板 1 と半導体チップ 2 0 との間において、 透明基板 1の 一表面に新たな遮光膜を形成する必要がないので、 新たな遮光膜を形成 する場合に比べて、 液晶表示装置の製造コス トを低減できる。 実際には 突起電極 1 6の高さが低いので、 印刷等の厚膜技術で透明基板 1 と半導 体チップ 2 0 との間に遮光膜を形成することは困難である。
また、 半導体チップ 2 0の素子形成面の全域を隙間なく異方性導電膜 2 1で覆うことができるので、 透明基板 1内を伝搬して来た光や透明基 板 1の裏面から浸入した光が半導体チップ 2 0の素子形成面に直に照射 されるようなことはない。
なお、 本実施形態は、 異方性導電膜 2 1に黒色シリ コーン樹脂粒子 2 1 Bを混入した例について説明したが、 白色シリコーン樹脂を混入して もよい。 この場合、 黒色シリ コーン樹脂粒子を混入した場合に比べて異 方性導電膜の遮光効果は劣るが、 従来の異方性導電膜に比べて高い遮光 効果が得られる。
また、 異方性導電膜 2 1に黒色シリコーン樹脂粒子 2 1 B及び白色シ リコ一ン樹脂粒子を混入してもよい。 この場合においても、 従来の異方 性導電膜に比べて高い遮光効果が得られる。
また、 異方性導電膜 2 1 に少なく とも黒色又は白色のシリ コーン樹脂 粒子と共に炭素粒子を混入してもよい。 この場合においても、 従来の異 方性導電膜に比べて高い遮光効果が得られる。
また、 本実施形態は、 透明基板 1 の一表面上に異方性導電膜 2 1 を貼 り付けた例について説明したが、 第 1 1図（模式断面図）に示すように、 半導体チップ 2 0の素子形成面に異方性導電膜 2 1 を貼り付けて行って もよい。
また、 本実施形態は、 半導体チップ 2 0の裏面を露出した例について 説明したが、 第 1 2図（模式断面図）に示すように、 半導体チップ 2 0の 側面及び裏面を炭素粒子が混入された絶縁樹脂 3 1で被覆してもよい。 この場合、 半導体チップ 2 0の側面及び裏面から半導体チップ 2 0内に 浸入する光を遮ることができるので、 半導体チップ 2 0に塔載された駆 動回路の光による誤動作を抑制し、 液晶表示装置の光に対する信頼性を 高めることができる。
また、 第 1 3図（模式断面図）に示すように、 半導体チップ 2 0 の裏面 を遮光膜 1 7で被覆してもよい。
また、 同図に示すように、 透明基板 1の裏面であって、 半導体チップ 2 0 と対向する領域に遮光膜 1 8で被覆してもよい。
以上、 本発明者によってなされた発明を、 前記実施形態に基づき具体 的に説明したが、 本発明は、 前記実施形態に限定されるものではなく、 その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ る。
例えば、 本発明は、 電子機器として第 1 5図（模式平面図）に示すぺー ジャー 9 1 の液晶表示部 9 1 Aに組み込まれる液晶表示装置に適用でき る。
また、 本発明は、 電子機器と して第 1 6図（模式斜視図）に示すノート 型パーソナルコンピュータ 9 2の液晶表示部 9 2 Aに組み込まれる液晶 表示装置に適用できる。
また、 本発明は、 電子機器として第 1 7図（模式斜視図）に示す携帯情 報端末機 9 3の液晶表示部 9 3 Aに組み込まれる液晶表示装置に適用で さる。
また、 本発明は、 電子機器と して第 1 8図 （模式斜視図） に示す複写 機 9 4の液晶表示部 9 4 Aに組み込まれる液晶表示装置に適用できる。 即ち、 複写機のように、 液晶表示部と内部に光源を有する装置にも適用 できる。 産業上の利用可能性
透明基板内を伝搬して半導体チップの素子形成面に入射する光を遮る ことが可能となる。 また、 液晶表示装置の光に対する信頼性を高めることができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 一対の透明基板を有する液晶表示パネルと、 前記一対の透明基板 のうち、 一方の透明基板の一表面に素子形成面を向い合わせた状態で前 記一方の透明基板の一表面上に異方性導電膜を介在して搭載される半導 体チップを備えた液晶表示装置であって、 前記異方性導電膜にシリ コー ン樹脂粒子が混入されていることを特徴とする液晶表示装置。
2 . 前記シリ コーン樹脂粒子は黒色若しくは白色に彩色されているこ とを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の液晶表示装置。
3 . 一対の透明基板を有する液晶表示パネルと、 前記一対の透明基板 のうち、 一方の透明基板の一表面に素子形成面を向い合わせた状態で前 記一方の透明基板の一表面上に異方性導電膜を介在して搭載される半導 体チップを備えた液晶表示装置であって、 前記異方性導電膜に黒色のシ リコーン榭脂粒子及び白色のシリ コンーン樹脂粒子が混入されているこ とを特徴とする液晶表示装置。
4 . 前記異方性導電膜に炭素粒子が混入されていることを特徴とする 請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 3項のうちいずれか 1項に記載の液 晶表不一装置。
5 . 前記半導体チップの素子形成面の全領域は、 前記異方性導電膜で 被覆されていることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 4 項のうちいずれか 1項に記載の液晶表示装置。
6 . 前記半導体チップの素子形成面には突起電極が設けられ、 前記突 起電極は前記異方性導電膜の導電粒子を介在して前記一方の透明基板の —表面に形成された配線に接続されていることを特徴とする請求の範囲 第 1項乃至請求の範囲第 5項のうちいずれか 1項に記載の液晶表示装置,
7 . 前記半導体チップには、 前記液晶表示パネルを駆動制御する駆動 回路が塔載されていることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至請求の範 囲第 6項のうちいずれか 1項に記載の液晶表示装置。
8 . 前記半導体チップの側面及び裏面は、 炭素粒子が混入された樹脂 膜で被覆されていることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至請求の範囲 第 7項のうちいずれか 1項に記載の液晶表示装置。
9 . 前記半導体チップの裏面は、 遮光膜で被覆されていることを特徴 とする請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 7項のうちいずれか 1項に記 載の液晶表示装置。
1 0 . 前記一方の透明基板の一表面と対向するその裏面であって、 前 記半導体チップと対向する領域は、 遮光膜で被覆されていることを特徴 とする請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 9項のうちいずれか 1項に記 載の液晶表示装置。
1 1 . 一対の透明基板を有する液晶表示パネルと、 前記一対の透明基 板のうち、 一方の透明基板の一表面に素子形成面を向い合わせた状態で 前記一方の透明基板の一表面上に搭載される半導体チップを備えた液晶 表示装置であって、 前記一方の透明基板の配線と前記半導体チップの電 極とを電気的に接続するための導電性粒子が多数混入され、 更に、 可視 光〜赤外光を吸収又は反射する非導電性粒子が多数混入された接着用樹 脂を介在して、 前記一方の透明基板に前記半導体チップが接着されてい ることを特徴とする液晶表示装置。
1 2 . —対の透明基板を有する液晶表示パネルと、 前記一対の透明基 板のうち、 一方の透明基板の一表面に素子形成面を向い合わせた状態で 前記一方の透明基板の一表面上に搭載される半導体チップを備えた液晶 表示装置であって、 前記一方の透明基板の配線と前記半導体チップの電 極とを電気的に接続するための導電性粒子が多数混入され、 更に、 可視 光〜赤外光を吸収又は反射する非導電性粒子が多数混入された接着用榭 脂を介在して、 前記一方の透明基板に前記半導体チップが接着され、 前 記多数の導電性粒子のうち、 一部の導電性粒子を介在して前記透明基板 の配線と前記半導体チップの電極とが電気的に接続されていることを特 徴とする液晶表示装置。
1 3 . 請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 1 2項のうちいずれか 1項 に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
1 4 . 一対の透明基板を有する液晶表示パネルと、 前記一対の透明基 板のうち、 一方の透明基板の一表面に素子形成面を向い合わせた状態で 前記一方の透明基板の一表面上に異方性導電膜を介在して搭載される半 導体チップを備えた液晶表示装置の製造方法であって、 前記一方の透明 基板の一表面上に、 シリ コーン樹脂粒子が混入された異方性導電膜を介 在して前記半導体チップを配置し、 その後、 前記半導体チップを熱圧着 する工程を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
1 5 . 前記シリ コーン樹脂粒子は黒色若しくは白色に彩色されている ことを特徴とする請求の範囲第 1 4項に記載の液晶表示装置の製造方法 ( 1 6 . —対の透明基板を有する液晶表示パネルと、 前記一対の透明基 板のうち、 一方の透明基板の一表面に素子形成面を向い合わせた状態で 前記一方の透明基板の一表面上に異方性導電膜を介在して搭載される半 導体チップを備えた液晶表示装置の製造方法であって、 前記一方の透明 基板の一表面上に、 黒色のシリコーン樹脂粒子及び白色のシリコンーン 樹脂粒子が混入された異方性導電膜を介在して前記半導体チップを配置 し、 その後、 前記半導体チップを熱圧着する工程を備えたことを特徴と する液晶表示装置の製造方法。
1 7 . 前記異方性導電膜に炭素粒子が混入されていることを特徴とす る請求の範囲第 1 4項乃至請求の範囲第 1 6項のうちいずれか 1項に記 載の液晶表示装置の製造方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0281529U (ja) * 1988-12-12 1990-06-22
JPH0414023A (ja) * 1990-05-08 1992-01-20 Sharp Corp 表示素子の製造方法
JPH0583730U (ja) * 1992-04-14 1993-11-12 セイコー電子工業株式会社 表示装置
JPH07225391A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Toshiba Corp 液晶表示モジュール
JPH0895074A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Kyocera Corp 液晶表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0281529U (ja) * 1988-12-12 1990-06-22
JPH0414023A (ja) * 1990-05-08 1992-01-20 Sharp Corp 表示素子の製造方法
JPH0583730U (ja) * 1992-04-14 1993-11-12 セイコー電子工業株式会社 表示装置
JPH07225391A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Toshiba Corp 液晶表示モジュール
JPH0895074A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Kyocera Corp 液晶表示装置

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