WO1998002878A1

WO1998002878A1 - Support d'enregistrement magneto-optique, procede de reproduction et dispositif de reproduction

Info

Publication number: WO1998002878A1
Application number: PCT/JP1997/002420
Authority: WO
Inventors: Hiroyuki Awano; Hiroshi Shirai; Masafumi Yoshihiro; Satoru Oonuki; Norio Ohta; Katsusuke Shimazaki; Nobuyuki Nagai; Satoshi Sumi; Atsushi Yamaguchi
Original assignee: Hitachi Maxell, Ltd.; Sanyo Electric Co., Ltd.
Priority date: 1996-07-12
Filing date: 1997-07-11
Publication date: 1998-01-22
Also published as: EP0915462A4; AU3460097A; EP0915462A1; KR20000023634A; CN1221510A

Description

明細書光磁気記録媒体、その再生方法及び再生装置技術分野

本発明は、微小磁区に記録された情報を高分解能且つ高 S / Nで再生することができる光磁気記録媒体に関し、より詳細には、微小磁区が記録された光磁気記録媒体を再生する際に、再生用レーザスポッ卜内に存在する複数の微小磁区を個別に且つ拡大して再生することができる光磁気記録媒体及びその再生方法並びにそれらに好適な再生装置に関する。背景技術

光磁気ディスク等の光磁気記録媒体は情報の書換えが可能であり大記録容量を持つ光メモリとして知られている。かかる光磁気記録媒体を高密度化するために記録磁区を微小化して記録することが考えられる。記録磁区を微小化して記録することは光磁界変調方式を用いることによつて可能であるが、かかる微小磁区を独立して再生するためには再生光スポット径を小さくすることが望まれる。しかしながら、スポット ί圣は光へッドの Ν Αにより限界があるため、スポッ卜 ί圣を現状のままで微小磁区を再生する技術が要望される。再生レーザ光のスポット径を現状の大きさに維持したまま極めて微小な記録磁区を再生しょうとする場合、次のような問題を解決しなければならない。

( I ) 再生光のスポット ί圣が記録磁区（記録マーク）のサイズに比べて大きすぎるため、再生光スポッ卜内に存在する複数の磁区を別個に検出することができない。すなわち、再生分解能が足らないため、個々の記録磁区の再生ができない。

(2) 各記録磁区の面積が小さいため、再生信号出力が小さい。このため、再生信号の S/Nが低い。前記（1) の問題を解決する為の一つの方法として、例えば、 journal 0 Magnetic Society of Japan, Vol.17 Supplement No. SI, . 201 (1993)において磁気超解像技術が提案されている。磁気超解像用光磁気記録媒体は、通常、磁気超解像用再生層、交換力制御層、情報記録層で構成されている。磁気超解像用光磁気記録媒体が再生用レーザ光を用いて再生される場合、再生したい情報が記録されているディスク上のある領域が光スポッ卜の外になる場合、情報記録屑に記録されている磁区はすべて磁気超解像用再生層に転写されている。そしてこの領域が光スポッ卜内に入った場合、 2個の磁区が同一光スポット内にあり、再生信号はそれそれの磁区が作る信号の和となるので、この和信号から一個ずつの磁区からの信号を分離して再生することはできない。そこで、一方の磁区を見えないようにマスクすることによって他方の磁区のみを再生することが可能となる。このように光スポット佳の実効的視野を狭めることで、再生分解能を向上させる方法が磁気超解像技術である。しかしながら、磁気超解像技術を用いても各磁区からの再生信号強度は変わらないため、前記（2) の問題は解決できない。また、高密度で記録された記録ドメィンを再生するための再生装置も考案されている。この例として、光路中に遮光物を挿入して光学的超解像によりレーザー光の回折限界を超える集光スポッ卜を得る光学的超解像技術がある。この技術については「Yamanaka et al. , "High Density Optical Recording by Su er Re so 1 u s i on" , Jan. J. A p 1. Phys. , 28, S u p p l e m e n t 2 8 - 3 , 1 9 8 9 , p p . 1 9 7 - 2 0 0」に詳細に議論されている。また通常のレーザビーム又は光学的超解像手法により生成したメインローブと 1 対のサイドロ一ブとからなるレーザビームをパルス化することにより媒体上で温度が上昇する領域を小さくし、高密度の記録/再生を実現する方法も知られている。ところで、本発明者は、特開平 8— 7 3 5 0号において、基板上に再生層と記録層とを有し、再生時に記録層の磁区を再生層に転写するとともに再生磁界を印加することによって再生層に転写された磁区を拡大して再生することができる光磁気記録媒体を開示した。再生磁界として交番磁界を用い、磁区を拡大する方向の磁界と逆方向の磁界を交互に印加することによって各磁区で磁区の拡大及び縮小を行わせる。この光磁気記録媒体を用いると前記（2 ) の問題を解決し、磁区の再生信号を増幅することが可能となる。しかしながら、再生層の磁区を拡大させるための再生磁界の制御は容易ではなく、さらなる改良が必要である。また、特開平 8 - 7 3 5 0号公報に関示されているように交換結合力により磁区の転写を行う場合には、磁区が転写される再生層での磁区拡大は記録層の磁区の大きさで制限を受けることになる。即ち、再生層の記録層側の部分では記録層の磁区より拡大することはできず、記録層から離れるに伴って磁区が大きくなる。従って、再生しょうとしている記録層の磁区の直上の再生層では深さ方向に全て記録層の磁化と同じ方向となるが、再生しょうとしている磁区から面内方向にずれた領域では、深さ方向に記録層の磁化と同じ方向の磁区の部分と違う方向の磁区の部分とが混在し易くなるという問題もある。近年の情報機器のマルチメディァ化に対応するためには、より高い記録密度で記録することができる光磁気記録媒体が要望されており、しかもかかる高密度記録媒体に記録された微小磁区を一層高い分解能で、高い感度で且つ高い信頼性で再生することができる技術が必要となっている本発明の第 1 の目的は、上述した問題（1 ) を解決するとともに再生磁界による磁区拡大の制御が容易である光磁気記録媒体を提供することに ft) o 本発明の第 2の目的は、上述した問題（1 ) 及び（2 ) を同時に解決し、微小磁区を記録でき、記録された微小磁区から再生信号を高分解能で且つ高感度で得ることができる新規な光磁気記録媒体を提供することにある。本発明の第 3の目的は、上述した問題（1 ) 及び（2 ) を同時に解決し、記録された微小磁区を高分解能で且つ萬感度で再生することができる新規な光磁気記録媒体の再生方法を提供することにある。本発明の第 4の目的は、上記第 1 及び第 2の目的を達成する光磁気記録媒体の再生に好適な再生装置を提供することにある。発明の開示

本発明の第 1 の態様に従えば、情報記録層と、該倩報記録層から転写された磁区を該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによつて拡大して再生することができる磁区拡大再生層とを基板上に備えた光磁気記録媒体において、

上記情報記録層の厚さ hが、上記記録された最小磁区の半 f圣 dに対して h / d > 0 . 5を満たす厚さであることを特徴とする上記光磁気記録媒体が提供される。本発明者の一人である粟野は、特開平 8— 7 3 5 0 号において再生層と記録層とを有し、情報再生時に記録層から再生層に転写した磁区を該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによつて再生層の磁区を記録層の磁区の寸法より大きく拡大して再生できる光磁気記録媒体を関示した。本発明の第 1 の態様では、特開平 8— 7 3 5 0号で開示した光磁気記録媒体において、外部磁界を印加して再生層に転写した磁区を拡大するのに一屠好適な構造の光磁気記録媒体を示している。すなわち、情報記録層の厚みが h / d〉 0 . 5を満たすように構成された本発明の光磁気記録媒体を用いれば、良好な磁区拡大が実現し、再生磁界に対する磁区拡大再生層の磁区の大きさの変化を容易に制御することができる。本発明の第 1 の態様の光磁気記録媒体において、磁区拡大再生層を補償温度が一 1 0 0〜 5 0 ^aCの範囲内にある希土類遷移金属から構成することができる。これにより情報記録層から磁区拡大再生層に転写した磁区を拡大再生することで、高分解能且つ高 S / Nの光磁気記録媒体が得られる。本発明の第 2の態様に従えば、基板上に少なくとも情報記録層を有し、再生光スポットを照射することによって情報を再生する光磁気記録媒体において、

上記基板上に磁区拡大再生層、ゲート層及び情報記録層をこの順に備、上記ゲー卜層が、再生光スポッ卜を上記光磁気記録媒体に照射したときに、該再生光スポッ卜内に生じるゲー卜層の温度分布に基づいて、上記情報記録層に記録され且つ再生光スポッ卜内に存在する複数の磁区のうち一つの磁区だけが該情報記録層から転写される層であり、

上記磁区拡大再生層が、上記ゲー卜層から転写される磁区を該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大することができる層であることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。本発明の第

2の態様では、再生用スポッ卜怪中に含まれる情報記録層の複数の記録磁区のうち一つの記録磁区をゲー卜層の温度分布特性を利用してゲー卜層に転写させ、ゲー卜磁性層に転写された磁区を磁区拡大再生層に転写させ、この磁区拡大再生層に転写した一つの磁区を再生磁界で拡大させて検出する。このため、ゲート磁性層で再生分解能を向上させるとともに、磁区拡大再生技術で再生信号強度を増大し、それにより S / Nを向上することができる。最初に、本発明の第 2の態様に従う光磁気記録媒体及びその再生方法の原理について図 1 〜 5を用いて説明する。図 1 Aに、本発明の光磁気記録媒体 1 1 に記録用レーザ光 1 3を照射しながら記録磁界 1 5を印加することによって情報を微小磁区として記録する概念図を示す。光磁気記録媒体 1 1 は、磁区拡大再生層 3 , 中間層 4 , ゲー卜層 1 6，交換結合力制御層 1 7及び情報記録層 1 8とから構成されている。かかる光磁気記録媒体 1 1 への情報の記録は光磁界変調方式を用い、記録信号に応じた極性の磁界を印加しながら記録クロックに同期したレーザパルスを照射することによって行うことができる。記録用レーザ光 1 3に対して光磁気記録媒体 1 1 は図中矢印に示した進行方向に移動するために、スポッ卜中心の後方にずれた領域 1 9がより高温に加熱される。加熱により、情報記録層 1 8の領域 1 9の保磁力が低下するため、その冷却過程において記録磁界 1 5の方向に磁化が向いた微小磁区が形成される。なお、この原理説明において、光磁気記録媒体は、例えば、図 2に概念的に示したような光磁気記録再生装置 2 0 0を用いて記録再生が行われるものとする。図 2中、光磁気記録媒体 2 1 0はスピンドルモ一夕 2 1 7 により光へッド 2 1 3とフライング磁気へッド 2 1 5に対して回転移動し、再生時に初期化磁石 2 1 1 により初期化磁界が印加される。図 1 Bに示したように、初期化磁界 1 2が光磁気記録媒体 1 1 に記録磁界 1 5と反対方向に印加される。ゲート層 1 6の室温での保磁力は初期化磁界よりも小さいために、ゲート層 1 6 .に記録された磁区は反転して全て初期化磁界 1 2の方向を向く。これに対して情報記録層 1 8の保磁力はゲート層 1 6の保磁力よりも著し〈大きいために情報記録層 1 8 の記録磁区 3 1 3 bの磁化はそのままである。ゲート層 1 6と情報記録層 1 8の磁区 3 1 3 bは互いに反平行であるため、その界面は不安定な磁化状態となる。上記のようにゲ— ト層 1 6が初期化された後、光磁気記録媒体 1 1 は図 3に示したように再生光の下で再生される。再生時には記録光よりも低いパワーの再生光が照射され、記録光の場合と同様にスポッ卜中心の後方にずれた領域 3 1 4がー層高温に加熱され、高温加熱された領域 3 1 4において、ゲート層 1 6の保磁力が低下して情報記録層 1 8の磁区 3 1 3 bが交換力制御層 1 Ίを介して情報記録層 1 8とゲ一卜層 1 6 との交換結合力によりゲート層 1 6に転写され、さらに磁区拡大再生層 3 にも転写される。一方、情報記録層 1 8の別の記録磁区 3 1 3 aは、磁区 3 1 3 aに対応するゲート層 1 6の領域が比較的低溫でありその保磁力が低下しないために、ゲート層 1 6に転写されない。従って、光磁気記録媒体 1 1 を上方から拡大して見た場合、図 3の下方に示したようにレーザスポッ卜 3 1 1 内で高温に達した領域 3 1 5のみが磁気的ェネルギ一を低下するために情報記録層 1 8の記録磁区 3 1 3 bがゲー卜層 1 6に記録マーク 3 1 6として現れ、さらにこれが磁区拡大再生層 3に現れる。一方、スポット 3 1 1 中の領域 3 1 5以外の領域では、ゲート層 1 6によって磁区 3 1 3の転写が阻止されているために情報記録層 1 8 の記録磁区 3 1 3 aは見えないままである。それゆえ、図 3に示したような原理の下で再生光を照射することでスポッ卜サイズ内に存在する複数の微小磁区のうち一つの微小磁区だけを独立に再生することができる, 本発明では、上記のようにしてゲート層 1 6を用いることで絞り込まれた 1 つの微小磁区を、磁区拡大再生層 3に転写してさらに再生用レーザスポッ卜内で拡大させることができる。これは、光磁気記録媒体 1 1 の磁区拡大再生層 3において行われ、この原理を図 4 Aを用いて説明する。ここで、磁区拡大再生層 3は、ゲ— 卜層 1 6から微小磁区が転写され且つそれを再生磁界によって拡大することができる磁性層である。磁区拡大再生層 3は、再生磁界の印加により磁壁が移動して磁区を拡大することができるように、再生光照射時に再生磁界よりも小さい磁壁抗磁力を有する垂直磁化膜である。図 3に示した再生状態、すなわち、情報記録層 1 8から微小磁区 3 1 3 bがゲ— 卜層 1 6及び磁区拡大再生層 3 に転写された状態で、拡大再生用磁界 4 1 1 を微小磁区 3 1 3 bの磁化と同一方向に印加すると、磁区拡大再生層 3では磁壁抗磁力が小さいために磁壁が磁区を拡大する方向に移動し、拡大磁区 4 1 9を形成する。この結果、図 4 Aの下方に示したように再生スポット 3 1 1 内で拡大されたマーク（磁区拡大再生層で拡大された磁区 4 1 9 ) 4 1 3が観測される。このように微小磁区が光磁気記録媒体の表面にて拡大されて現れるので、かかる拡大された磁区からは充分な強度の再生信号が得られる, 情報記録層 1 8の拡大磁区 4 1 9が再生された後、図 4 Bに示したように、拡大再生磁界 4 1 1 と逆方向に縮小再生磁界 4 1 5を印加すると, 磁区拡大再生層 3の拡大磁区 4 1 9は縮小し、縮小再生磁界 4 1 5の磁界の方向と同じ磁化の向きを持つ領域が優勢となる。かかる縮小再生磁界 4 1 5及び拡大再生磁界 4 1 1 は交番磁界を用いて印加することができ、交番磁界の周期を記録クロックと同期させることにより、微小磁区毎に増幅された再生信号を得ることができる。ここで、再生時に印加する拡大再生用磁界の大きさ及びかかる磁界と磁区拡大再生層 3上に現れるマークの大きさの関係について図 5 Aのヒステリシスカーブを用いて説明する。図 5 Aのヒステリシスカーブは、再生時と同じパワーの再生光を照射しながら、種々の磁界 Hを光磁気記録媒体に印加した場合において観測される磁区拡大再生層 3のカー回転角 0 k の磁界 Hに対する変化を示す。但し、このヒステリシスカーブは、図 3〜 6に示した構造の光磁気記録媒体において、再生光で照射されてその下層の情報記録層の記録磁区が転写された状態の磁区拡大再生層のヒステリシスカーブを示している。情報記録層の記録磁区がすでに転写されているためため、磁界 Hがゼロであっても所定のカー回転角 Θを示す（図中、点 a ) 。そして、かかる記録磁区の磁化の極性と同一極性の磁界 Hを徐々にかけてゆ〈と、初磁化曲線は立ち上がり、この最初の立ち上がり点を bで示す。初磁化曲線が立ち上がるのは磁界 Hの大きさに応じて磁区拡大再生層 3の磁壁が磁区の中心から外側に移動して磁区が層内で拡大することに相当する（図 4 Aの磁区 4 1 9 ) 。そして、初磁化曲線は磁化の飽和により、力一回転角は増加しなくなる。なお、ヒステリシスカーブの初磁化曲線の a , bを含む各点において磁区拡大再生層 3を上方からみた磁区パターンの顕微鏡写真の概念図を示した。点 a における磁区パターン（黒丸パターン）は情報記録層 1 8の磁区（種磁区）がゲート層 1 6を通じて再生光照射により磁区拡大再生層 3に転写された磁区であり、この状態から初磁化曲線上で磁界が大きくなるに従つて磁区が拡大される様子が各点のパターンからわかる。そして力一回転角 Θが飽和したときには磁区拡大再生層 3の全面で磁区が反転する。図 5 Aのヒステリシスカーブにおいて、磁区拡大再生層の磁化を拡大する方向に印加した磁界と同一極性であつて耳つヒステリシスカーブのメジャーループ（初磁化曲線が一旦飽和した後の軌跡を示す外側のループ）の立ち上がり点 cにおける磁界をニュークリエ一ション磁界と称し. その絶対値を H nで表し、ゲート層 1 6を通じて情報記録層 5から転写された磁区拡大再生層 3の記録磁区を広げる方向に磁界を印加した初磁化曲線の最初の立ち上がり点 bにおける磁界を磁壁拡大磁界と称し、その絶対値を H eで表すと、再生磁界はその絶対値 H rが H e < H r < H nの範囲で印加するのが望ましい。 H rが H eよりと小さいと磁区拡大再生層 3に転写された記録磁区が拡大されず、 H rが H nよりも大きくなると情報記録 1 8に記録磁区（種磁区）が存在してなくてもその上方の磁区拡大再生層 3の磁区が反転して信号として読み出されてしまうからである。図 5 Bは、図 5 Aのヒステリシスカーブにおいて、ゲート層 1 6を通じて情報記録層 1 8から転写された磁区拡大再生層 3の記録磁区を収縮する方向に磁界を印加した場合の初磁化曲線を示す。かかる初磁化曲線と同一極性側にあり且つヒステリシスカーブのメジャーループ（初磁化曲線が一旦飽和した後の軌跡を示す外側のループ）の最初の降下点 c ' における磁界をニュークリエーション磁界とし、その絶対値を H nで表し、初磁化曲線の降下点 dにおける磁界を磁壁収縮磁界と称し、その絶対値を H sで表すと、 H s < H rの範囲で印加すると、拡大再生を行つた磁区の縮小をはかることができる。図 5 Bにおいても、ヒステリシスカーブの初磁化曲線の a， dを含む各点における磁区拡大再生層の上方からみた磁区パターンの顕微鏡写真の概念図を示した。点 eでは縮小方向の磁界が大きすぎるために、磁区拡大再生層に転写された記録磁化が完全に消失している。従って、確実に記録磁化を消去したい場合には H s < H n < H rに磁界を調整するのがよい。なお、図 5 A及び Bに描いたヒステリシスカーブ及び本明細書で言及するヒステリシスカーブは、本発明の光磁気記録媒体の再生方法に従って光磁気再生される条件におけるヒステリシスカーブであり、実際に光磁気記録媒体用の記録再生装置を用いて再生光が照射されて昇温したときの種々の磁界に対するカー回転角（または磁化）の特性を示す。従って、ヒステリシスカーブ及び H s , H n及び印加する H rは、実際の光磁気記録再生装置を用いて再生用パワーの再生光を照射しながら観測される。上記のように本発明では、ゲ一卜層を有するために複数の磁区が情報記録層に存在しても 1 つの磁区のみをゲート層 1 6に浮き出す（転写する）ことができ、さらに、このゲート層 1 6に転写された一つの微小磁区を磁区拡大再生層 3に転写するとともに再生磁界で拡大して検出（再生）することができる。従って、光磁界変調方式で形成した微小磁区を高分解能で且つ高 S / Nで再生することができる。なお、上記原理説明ではゲ一ト層は再生光スポッ卜内に生じるゲート層の溫度分布のうち所定の溫度より高温領域でゲー卜層に情報記録層の磁区が転写される磁性層を例に挙げて説明したが、再生光スポット内に生じるゲート層の溫度分布のうち所定の温度より低温領域でゲ一卜層に情報記録層の磁区が転写されるような磁性層、あるいは再生光スポッ卜内に生じるゲ— 卜層の温度分布のうち所定の温度範囲の領域でゲ一卜層に情報記録層の磁区が転写されるような磁性層を用いることもできる。本発明の第 3の態様に従えば、情報が記録される記録層、非磁性層及び再生層を備える光磁気記録媒体において、

上記光磁気記録媒体が所定の温度に加熱されることによって上記記録層から再生層に静磁結合により磁化が転写され、該転写された磁化を有する磁区が再生用外部磁界の下で記録層に記録された磁区よりも拡大されて再生されることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。特開平 8 - 7 3 5 0号の磁区拡大再生技術では、記錄層と再生層との間に中間磁性層を介在させることによって記録層、中間磁性層及び再生層を磁気的に結合させていたが、本発明の第 3の態様に従う光磁気記録媒体では、記録層と再生層との間に非磁性層を介在させることによって記録層と再生層を静磁結合させることによって記録層から再生層への転写を行わせている。本発明の第 3の態様に従う光磁気記録媒体において、再生層は、室温で面内磁化膜であり且つ上記所定の温度以上の温度で垂直磁化膜となる磁性層にし得、この場合、面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度係数が 8 . 0以上にし得る。上記再生層に記録された磁区のトラック方向の最小長さが再生光スポッ卜 ί圣の 1 / 2以下にし得る。本発明の第 4の態様に従えば、情報が記録される記録層、中間層及び再生層を備え、該記録層から該再生層に転写された磁区の磁化状態を検出することによって情報を再生する光磁気記録媒体において、

上記再生層の最小安定磁区径が、上記記録層に記録された磁区の大きさよりも大きいことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。本発明の第 4の態様に従う光磁気記録媒体では、再生層の最小安定磁区径が上記記録層に記録された磁区の大きさよりも大きい。それゆえ、再生層に転写された磁区は記録磁区より拡大され、かかる拡大された磁区から磁化情報を読みとることにより、高 C / Nの再生信号が得られる < この態様の光磁気記録媒体では第 1 ~ 3の態様の光磁気記録媒体とは異なり、再生用磁界を印加しなくても記録層から再生層に転写された磁区は拡大されることができる。このため、従来と同様の再生装置を用いて再生が可能である。なお、「最小安定磁区径」とは、磁性薄膜において、安定に存在し得る最小磁区の半怪を意味し、下記式（I ) で与えられる。

ここで、は磁壁エネルギー密度、 M s は飽和磁化、 H e は保磁力を示す。本発明の第 4の態様に従う光磁気記録媒体の中間層は、磁性層または非磁性層にし得る。すなわち、中間層が磁性層の場合には、記録層の記録磁区は、記録層、中間層及び再生層の交換結合を介して再生層に転写され、中間層が非磁性層の場合には、記録層の記録磁区は、記録層と再生層との間の静磁結合により再生層に転写される。本発明の第 1 、 2、 4の態様に従う光磁気記録媒体において、再生層（拡大再生層）と記録屑（情報記録層）との間に挿入される中間層（中間磁性層またはゲート層）が磁性層である場合には、中間層の厚みは、中間層の磁区の磁壁の厚み以上であることが望ましい。例えば、中間層に室温で面内磁化を示し、所定の温度（臨界温度）以上の温度で面内磁化から垂直磁化に転移する磁性膜を使用している場合、この転移を可能にするには、転移が起こる磁区とその磁区に隣接する面内磁化の磁区との間の磁壁（以下、中間層の磁壁という）の中で磁気スピンが 9 0度ねじれる必要があるからである。磁壁の厚みは、例えば、ホール効果を用いて以下の操作に従って測定することができる。中間層、再生層、記録層を一方向に磁化させ、この時のホール電圧（ V ₂ ) を測定する。更に中間層、再生層、記録層のホール抵抗及び膜（層）厚をそれそれ o，、

P 2 、 P 3 、 t , 、 t 2 、 t 3 とすると、界面磁壁がない場合のホール電圧 V ₃ は、 V 3 = I ( t , /0 , + t 2 β 2 + t 3 3 ) / ( t - + t 2 + t 3 ) ² となる（式中、 Iは膜（層）に流し込む電流）。したがつて、界面磁壁を含む電圧の絶対値 I V , — V ₂ | と 2 V ₃ の差（ V ₄ ) が界面磁壁の厚みを示す。また、各層の交換スティフネス定数、垂直磁気異方性エネルギー定数、飽和磁化を用いて上記ホール電圧 V ₄ を示す磁性スピン状態を見積もることができる。このような界面磁壁の算出法は、 R. Mai mhall , e t al. , Proceedings of Optical Data Strange 1 993 p 204〜2U に掲載されており、この文献を参照することができる。本発明においては、中間層の厚みは上記のようなホール効果を用いた測定法により測定された磁壁の厚み以上であることが望ましい。例えば、中間層の磁性材料が、 G d F e C o系、例えば、 G d F e v C o z ( 2 0 ≤ X≤ 3 5 , 5 0≤ Y ≤ 1 0 0 , 0 Z≤ 5 0 ) からなる場合は、上記計算法に基づいて磁壁の厚みは 5 0 n m程度であると算出される。従って、中間層が、 G d _x F e y C o z ( 2 0≤ X≤ 3 5 , 5 0≤ Y≤ 1 00、 0≤ Z ^ 5 0 ) からなる場合には、磁性層の厚みは 5 0 n m以上であることが要求される。上記のように磁壁の厚みは中間層（またはゲート層）の磁性材料の種類及び組成によって異なるが、光磁気記録媒体の磁性層に用いられるような磁性材料であるならば、一般的には、最低でも 1 O n mは必要である。従って、中間層の厚みは 1 O n mを超える厚みにするのが好ましい, 中間層の厚みの上限として、半導体レーザ—パワーの制限により 1 00 n m未満が好ましい。それゆえ、中間層の厚み tとして、 1 0 < t < 1 00 n mが好ましい。本発明の第 1 、 2、 4の態様に従う光磁気記録媒体において、この中間層が磁性層である場合には、記録層から中間層（ゲート層）に転写された磁区を安定化させるために、記録層から中間層（ゲート）に磁気的に転写される磁区の大きさが記録された磁区の大きさよりも小さくなるようにすることが好ましい。本発明の第 5の態様に従えば、本発明の第 1 の態様の光磁気記録媒体に記録された情報を再生する方法であって、再生光を該光磁気記録媒体に照射することによって情報記録層に記録された磁区を磁区拡大再生層に転写し、該転写された磁区の磁化と同一極性の再生磁界を印加することによって該転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法が提供される。ここで、前記再生磁界として再生クロックに同期した交番磁界を用い、情報記録層に記録された磁区の磁化と同一極性の磁界によって前記転写された磁区を拡大し、逆極性の磁界によって拡大された磁区を縮小することが好ましい。上記本発明の方法において、情報再生時に、再生光のスポッ卜内に含まれ得る前記情報記録層の複数の記録磁区を磁区拡大再生層に個別に転写させ、転写された磁区の磁化と同一極性の再生磁界を印加することによって転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することができる。また、本発明の第 6の態様に従えば、本発明の第 2の態様の光磁気記録媒体の記録領域に記録された情報を再生する方法であって、再生光を該光磁気記録媒体に光照射することによって情報記録層に記録された磁区をゲー卜磁性層を通じて拡大再生層に転写させ、該転写された磁区の磁化と同一方向の再生磁界を印加することによつて該転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法が提供される。この方法によれば、前記再生時に、再生光のスポット内に含まれる前記情報記録層の複数の記録磁区をゲート層を通じて 1 つの磁区に絞り、発生した一つの磁区を前記磁区拡大再生層に転写させ、該転写した磁区の磁化と同一方向の再生磁界を印加することによって転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することができる。本発明の第 7の態様に従えば、光磁気記録媒体に記録された情報を磁気光学効果によって再生する光磁気記録媒体の再生方法において、光磁気記録媒体として、情報記録層と、該情報記録層の磁区が転写され且つ転写された磁区を外部磁界によって拡大することができる磁区拡大再生層とを基板上に備えた光磁気記録媒体を用い、

再生時に、再生クロックに基づいて変調された再生磁界と再生ク口ックに基づいて変調された再生光との少なくとも一方を上記光磁気記録媒体に適用することによって、上記情報記録層から磁区拡大再生層に転写された磁区を、上記情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法が提供される。再生時に再生磁界と再生光の強度を同時に変調することにより再生信号のェラーレー卜を一層低〈することができる。上記本発明の第 5〜7の態様に従う再生方法において、再生磁界はその絶対値 H 「が、図 5で説明したように磁区拡大再生層のヒステリシスカーブのニュークリエ一ション磁界の絶対値 H nと、磁壁拡大磁界の絶対値 H eと、磁壁収縮磁界の絶対値 H s との関係において、それらを記録再生装置の再生パワーで測定したとき拡大方向に H e < H r < H n、消去方向に H s < H rを満たすように印加する。 H n以上の拡大磁界を印加すると情報記録層に情報が記録されていない部分でも再生層の磁化が反転して記録信号の検出が不可能になるため好ましくない。また、 H sより大きい收縮磁界を印加した場合、再生層の磁区は消去される。再生層の磁区は完全に消去されなくても拡大再生に原理的には支障はないが、完全に消去することができた方が信号効率が向上する。本発明の第 8の態様に従えば、光磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生装置において、

上記光磁気記録媒体に再生用磁界を印加する磁気へッドと、

上記光磁気記録媒体に再生光を照射する光へッドと、再生クロックを発生させるためのクロック発生装置と、

上記再生用磁界及び再生光の少なくとも一方を上記再生ク口ックに基づいてパルス変調するために上記磁気へッド及び光へッドの少なくとも一方を制御する制御装置を備えることを特徴とする光磁気記録媒体の再生装置。この装置により、記本発明の光磁気記録媒体の再生層に転写された磁区を拡大して情報を再生することができる。この再生装置は、磁気へッドと光へッドを記録信号に応じて制御することにより記録装置として機能させることもできる。本発明の再生装置では再生時の磁区拡大用磁界を与えるタイミングを制御する必要がある。すなわち、情報記録層から磁区拡大再生層に転写された磁区が現れる際にその磁区を拡大する方向に磁界を印加し、その後、磁界極性を反転して拡大した磁区を縮小する必要がある。また、この磁界は再生クロックと同一周期または再生クロックに基づいて第 2同期信号発生回路（再生磁界パルス幅/位相調整回路 1 3 1 ) から発生した第 2同期信号で変調された交番磁界を用いることが好ましい。かかる周期にすることにより、種磁区（記録方向に記録された磁区）の存在する部分を拡大再生するのみならず、種磁区のない部分（消去方向に記録された磁区）も認識することが可能になる。再生光が連続照射される場合にはトラックに沿って磁区拡大再生層のトラックの中心部分の温度が上昇するため、情報記録層に種磁区のない部分が反転しやすくなる。これは磁区拡大再生層の中心部分の保磁力が高温時に小さくなるためである。これを回避するために、本発明では再生光強度を再生クロックに同期してまたは再生ク口ックに基づいて第 1 同期信号発生回路（再生光パルス幅/位相調整回路 5 3 ) から発生した第 1 同期信号により変調することによってトラック中心温度を下げている。あるいは、別法として、例えば、磁区拡大再生層に希土類遷移金属を用いる場合には、補償温度を再生光でのトラック中心温度と考えられる 8 0〜 2 0 0 ^eC程度にして保磁力を増加してもよい。または、情報の記録は短波長レーザで記録し再生時のトラック中心温度を下げるために再生は長波長レーザで行うこともできる。上記再生クロックは、内部クロックまたは外部クロックを用いることができる。外部クロックは、例えば、光磁気記録媒体に形成されたピッ卜やファインクロックマ一クからの検出信号ゃゥォブル形状の溝（ランド）が形成された光磁気記録媒体のゥ才ブル周期から発生させることができる。本発明の光磁気再生装置を用いれば 0 . 1 ミクロンの記録磁区も拡大して再生することが可能になる。従って、線密度のみならずトラック密度も詰めることができるため、面記録密度 5 0 G b "i t / i n c h ² の記録再生を達成することも可能である。この場合、動画編集やいわゆる電子冷蔵庫としての応用が考えられ、情報処理システムもコンパク卜になるという利点がある。本発明の第 9の態様に従えば、光磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生装瑟において、

上記光磁気記録媒体に再生光を照射する光へッドと、

上記光へッドを駆動する光へッド駆動装置と、

再生クロックを発生させるためのクロック発生装置と、

上記再生クロックに基づいて、上記再生光をパルス変調するために上記光へッド駆動装置を制御する制御装置を備え、上記光磁気記録媒体が、情報が記録される記録層、中間層及び再生層を備え、該再生層の最小安定磁区径が上記記録層に記録された磁区の大きさよりも大きい光磁気記録媒体であり、該記録層から該再生層に拡大されて転写された磁区の磁化状態を検出することによって情報を再生する光磁気記録媒体の再生装置が提供される。この再生装置は、本発明の第 4の態様の光磁気記錄媒体の再生に好適である。図面の簡単な説明

図 1 A , Bは、本発明の光磁気記録媒体の記録再生原理を説明する図であり、図 1 Aは情報記録の原理を示す図であり、図 1 Bは拡大再生層の初期化の原理を示す図である。

図 2は、本発明の光磁気記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の概略構成を示す図である。

図 3は、本発明の光磁気記録媒体の再生時における再生光スポット内に存在する情報記録層の複数の記録磁区のうち一つの磁区のみをゲー卜層で選別して磁気転写する原理を説明する図である。

図 4 A , Bは、本発明の光磁気記録媒体の再生時における微小磁区の拡大再生の原理を説明する図であり、図 4 Aは拡大再生磁界により磁区を拡大する様子を示し、図 4 Bは縮小再生磁界により磁区を縮小する様子を示す。

図 5 A， Bは、本発明の光磁気記録媒体の拡大再生層のヒステリシス力—ブを示すグラフであり、図 5 Aは拡大磁界印加時の初磁化曲線を示し、図 5 Bは縮小磁界印加時の初磁化曲線を示す。

図 6は、本発明の第 2の態様に従う光磁気記録媒体の一具体例の断面図である。

H 7 A , Bは、それぞれ、本発明の実施例 1 A及び実施例 1 Bに従う光磁気記録媒体の一具体例の断面図である。

図 8 A〜Dは、本発明の実施例 1 の光磁気記錄媒体の再生信号を示すグラフであり、図 8 A , B , C , 及び Dはそれぞれ再生磁界強度 H = 0 ( 0 e ) 、 H = 1 3 0 ( 0 e ) 、 H = 2 1 5 ( O e ) 及び H = 2 6 0 ( 0 e ) の場合を示す。

図 9は、本発明の実施例 2に従う光磁気記録媒体の一具体例の断面図め o

図 1 0は、本発明の実施例 3に従う光磁気記録再生装置の構成概略図 o

図 1 1 は、本発明の実施例 3及び 4における光磁界変調記録方法の記録レーザパルス、記録外部磁界及び記録磁区 CD関係を示すタイミングチヤー卜である。

図 1 2は、本発明の実施例 3における再生方法の再生クロック、再生外部磁界、パルス磁界による再生信号波形及びサンプルホールド後の再生信号波形を示すタイミングチャートである。

図 1 3は、本発明の実施例 3における再生方法の 1 一 7変調におけるエラーレ一卜と記録マーク長との関係を示すグラフである。

図 1 4は、本発明の実施例 4に従う光磁気記録再生装置の構成概略図である。

図 1 5は、本発明の実施例 4における再生方法の再生クロック、再生外部磁界、パルス光/パルス磁界による再生信号波形及びサンプルホ— ルド後の再生信号波形を示すタイミングチヤ一卜である。

図 1 6は、本発明の実施例 4における再生方法の 1 一 7変調におけるエラ一レー卜と記録マーク長との関係を示すグラフである。

図 1 7は、再生用レーザ光スポッ卜のディスク位置に対する温度分布を示す図である。図 1 8 A , Bは、実施例 1 Bの光磁気記録媒体の再生原理を説明する図であり、図 1 8 Aは記録層から再生層への磁化の転写を示し、図 1 8 Bは転写された磁区が拡大される様子を示す図である。

図 1 9は、実施例 1 Bの光磁気記録媒体を用いて測定した H s と H n の再生光パワー依存性を示すグラフである。

図 2 0は、安定に存在しうる磁区の最小安定磁区 f圣 r m i n を温度に対して表したグラフである。

図 2 1 は、実施例 1 Bの光磁気記録媒体において拡大された磁区に縮小磁界を印加して消滅させる原理を説明する図である。

図 2 2は、再生光スポッ卜の後方部の高温領域で転写が起こる方式と再生光スポッ卜の前方の低温領域で転写が起こる方式を組み合わせた再生方式を説明する図である。

図 2 3は、実施例 3及び 4の装置において使用可能なクロック信号を発生させるための自己同期を説明する図である

図 2 4は、実施例 3及び 4の装置においてランドグル一ブ型光磁気記録媒体を用いて使用可能なク口ック信号を発生させるための外部同期を説明する図である。

図 2 5は、実施例 3及び 4の装置においてゥォブル形状のランドグルーブ型光磁気記録媒体を用いて使用可能なクロック信号を発生させるための外部同期を説明する図である。

図 2 6は、実施例 3及び 4の装置においてファインクロックマークを有するランドグループ型光磁気記録媒体を用いて使用可能なクロック信号を発生させるための外部同期を説明する図である。

図 2 7は、実施例 3または 4の装置において使用可能なク口ック信号を発生させるための 2周期サンプリングを説明する図である。

図 2 8 A， Bは、パルス化したレーザ光または磁界の適用周期を示す図であり、図 2 8 Αは拡大及び縮小磁界の周期の関係を示し、図 2 8 B は、交番磁界に対するレーザ光パルスの周期を示す図である。

図 2 9は、磁区の拡大及び縮小のための磁界として用いることができる三角波の波形の磁界の例を示す図である。

図 3 0は、磁区の拡大及び縮小のための磁界として用いることができる正弦波の波形を発生するための回路の一例を示す図である。

図 3 1 は、実施例 1 Bの光磁気記録媒体に種々の大きさで拡大縮小磁界を印加した場合の再生信号を示す図である。

図 3 2は、図 1 0に示した光磁気記録再生装置の変形例を示す構成概略図である。

図 3 3は、図 3 2に示した光磁気記録再生装置を用いて記録再生するのに好適な光磁気記録媒体の積層構造を示す図である。

図 3 4 A， Bは、磁区拡大再生に好適な記録磁区の最短磁区形状を示す図である。

図 3 5は、実施例 9の光磁気記録媒体の積層構造を示す図である。図 3 6は、実施例 9の光磁気記録媒体を再生する原理を説明する図である。

図 3 7は、実施例 9の別の光磁気記録媒体の磁区構造を説明する図である。

図 3 8は、図 3 7に示した磁区構造を有する媒体の再生原理を説明する図である。

図 3 9 A , Bは、中間磁区層またはゲート層に転写された磁区が記録層に記録された磁区よりも小さくなるように転写された場合の利点を説明する図である。発明を実施するための最良の形態本発明の第 1 及び第 2の態様に従う光磁気記録媒体の実施形態を図面を参照しながら説明する。図 6は、本発明の第 2の態様に従う光磁気記録媒体の構成の一例である。なお、同図で、ゲート層 1 6、交換結合力制御層 1 7及び情報記録層 1 8を情報記録層（図 7の情報記録層 7 5 ) に置き換え、かかる情報記録層の厚みを本発明に従って限定することによって本発明の第 1 の態様に従う光磁気記録媒体となる。従って、以下の媒体構造の説明は、基本的には本発明の第 2の態様に従う光磁気記録媒体の構成に関するが、情報記録層がゲート層 1 6、交換結合力制御層 1 7及び情報記録層 1 8の積層構造に限定されない限りにおいて、第 1 の態様に従う光磁気記録媒体にも適用される。光磁気記録媒体 6 1 は、前記のような原理に従って情報記録層の複数の微小磁区を一つだけ磁区拡大再生層 3に耘写すると同時に転写された磁区を拡大再生することができる記録媒体である。光磁気記録媒体 6 1 は、透明基板 1 上に、誘電体層 2、磁区拡大再生層 3、非磁性層 4、ゲ一卜層 1 6、交換結合力制御層 1 7及び情報記録層 1 8及び透明誘電体層 6が順次積層されてなる。拡大再生層 3は、前述のように、再生光照射時に磁壁抗磁力が再生磁界より小さい垂直磁化膜を用いることができ例えば、 G d F e、 G d F e C o、 G d C o等の希土類遷移金属合金や P dまたは P t層と C o層の合金または交互積雇体やガーネッ卜系酸化物磁性体などにすることができる。磁区拡大再生層 3は、その補儻温度が一 1 0 0〜 5 0 となるように構成することが好ましい。補償温度をかかる範囲にしておけば室温付近で飽和磁化（M s ) が小さくなり、高温部でのみ M sが大きくなる（室温付近で保磁力が大きくなり、高温で保磁力が低下する）。すなわち、レーザ—スポッ卜内の中心部分で温度の高くなつた磁区拡大再生層 3の領域においては M sが大きくなるために保磁力 H cが低下し、磁区拡大再生層 3の高温領域の下方に存在する情報記録層にある 1 個の記録磁区のみが再生層に転写され、転写された磁区拡大再生層 3の磁区だけを再生磁界で拡大することができる。従って、磁区拡大再生層 3の補償温度を一 1 0 0〜 5 0 °Cとすることによって簡略な構造による磁区拡大再生が実現される。再生用のレーザ光スポッ卜で照射された情報記録層内の複数の磁区のうち一つの磁区だけをゲート層 1 6に転写させるにはいくつかの方法がある。即ち、 Π ) 再生用のレーザ光スポット内のゲート層 1 6及び情報記録層 1 8の温度分布における所定温度よりも高温の領域の情報記録層 1 8の磁区をゲ— 卜層に転写する方法、（2 ) 再生用のレーザ光スポット内のゲート層 1 6及び情報記録層 1 8の温度分布における所定温度よりも低温の領域の情報記録層 1 8の磁区をゲート層 1 6に転写する方法、及び（3 ) 再生用のレーザ光スポッ卜内のゲー卜層 1 6及び情報記録層 1 8の温度分布における所定温度範囲内の領域の情報記録層 1 8の磁区をゲ一卜層 1 6に転写する方法がある。

( 1 ) の方法は、本発明の原理説明で図 3を用いて説明した通りであり、再生用のレーザ光スポッ卜で照らされたゲ一卜層の高溫領域だけが保磁力を低下し、その部分だけが情報記録層からの交換結合力を受けることによる。即ち、ゲート層の保磁力が情報記録層からの交換結合力より小さくなる温度領域でのみ情報記録層からゲー卜層へ磁区転写が起こる。

( 2 ) の方法は、（1 ) と同様に再生用のレーザ光スポットで照らされたゲ一卜層の高温部分の保磁力が低下し、拡大再生用に印加した外部磁界の下で高溫部分の磁化が外部磁界に全て揃えられる。一方、低溫部分では情報記録層 1 8とゲー卜層 1 6の交換結合力により情報記録層 1 8の磁区がゲート層 1 6に転写されている。このタイプの膜構造としてゲート層と情報記録層との間に中間層を設けることが好ましく、例えば、 G d 一 F e— C o (ゲート層） / T b— F e— C o— A 1 (中間層） / T b 一 F e— C o (情報記録層）を用いることができる。（3) の方法として. 上記 Π) 及び（2) の特性を示すゲート層を積層すればよく、例えば上層として高温領域でのみ情報記録層の磁区が転写される磁性層を設け、下層として低温領域でのみ情報記録層の磁区が転写される磁性層を設ける, また、積層構造を採用せずとも、単一の磁性層によっても所定の温度範囲でのみ情報記録層の磁区が転写される磁性層を構成することができる, 例えば、室温付近に補償温度 T _e。_m が存在し且つ所定の温度 T _CRで磁化容易軸が膜面内を向くような磁性体を用いれば、磁性材料に応じて補憤温度よりある程度高い温度（ T e。_m + Δ Τ ) 〜T でのみ情報記録層からの転写が起こる。

一般に情報記録層のキュリー温度は、通常、製品として入手可能な半導体レーザのパワーを考慮すると 2 5 0°C前後であるから、再生光スポッ卜により昇温する記録膜の温度の上限は 1 7 0^eC前後である。なぜならば、これ以上高い温度では情報記録層の保磁力が小さくなるために記録磁区が変化してしまう可能性があるからである。従って、上記（2) の方法では 1 7 CTCよりも低温の領域の情報記録層 1 8の磁区をゲー卜層 1 6に転写するように各磁性層を設計するのが好ましい。また、一般的に光磁気記録再生装置の装置内温度は 5 0"C前後になるのでゲー卜層 1 6で情報記録層 1 8の磁区を 1 つだけ弁別するための（1) の方法の臨界温度と差をつけるためには、最低 3 0°Cは必要である。従って、（1 ) の方法において 8 0°C以上の高温領域の情報記録層 1 8の磁区をゲー卜層 1 6に転写するように各磁性層を設計するのが好ましい。また、同様の理由から（3) の方法においては、 80^eC〜 1 7 0°Cの温度範囲で情報記録層 1 8の磁区をゲー卜層に転写するように光磁気記録媒体の各磁性層を設計するのが好ましい。情報記録層としては、一般に、再生時の光スポッ卜中心温度でも保磁力 H cが再生磁界よりも数倍大きいという特性が要求され、例えば、 T b F e C o , G d T b F e C o , D y F e C o , G d D y F e C o , G d D y T b F e C o及び/または添加元素として C r， T i 等の非磁性元素を添加した希土類遷移金属合金、 P t - C o合金， P tZC o 2層膜，ガーネット材料を用いることができる。また、ゲート層は、一般に, 保磁力 H cが情報記録層に比べてかなり小さくなる必要があり、例えば, G d F e C o , G d F e , G d Wのような希土類遷移金属合金、 P d— C o合金、 P t— C o合金、 P d/C o 2層膜、 P t/C o 2層膜、ガーネッ卜等を用いることができる。ゲー卜層 +交換結合力制御層 +情報記録層の厚さ（ h ) は、磁区拡大再生層の磁区の拡大縮小の制御を容易にするために、情報記録層に記録された最小磁区の半径 ( r ) に対して ( h/ r ) ≥ 0. 5とすることが好ましい。こうすることで、情報記録層から磁区拡大再生層に向かう漏洩磁界による磁区転写を確実にするとともに漏洩磁界の層の面内方向における分布を比較的フラッ卜にすることができるため、磁区拡大再生層の磁区の拡大縮小の制御が容易となる _c 本発明の光磁気記録媒体では、図 6に示したように、ゲート層 1 6 (第 1 の態様に従う光磁気記録媒体では、情報記録展）と磁区拡大再生層 3との間に非磁性層 4を挿入することができる。非磁性層の材料として、 S i 0 ₂ 、 A l N , S i N等の誘電体， A l ， A 1 T i , A u , A g , C u , A u A 1 , A g A 1 等の金属または誘電体と金属の積層した構造を用いることができる。この非磁性層 4が磁区拡大再生層 3とゲート層あるいは情報記録層 5 との間に存在すると、磁区拡大再生層 3に転写された磁区が再生磁界によりスムーズに拡大、縮小するという利点があり、ゲート層 +交換結合力制御層 +情報記録層（または単に情報記録層）からの漏洩磁界を介して静磁的に情報記録層 5の磁区がゲート層を通して磁区拡大再生層 3に転写される。非磁性層 4は単層や多層膜から構成されていても良い。本発明の光磁気記録媒体において、磁区拡大再生層 3とゲート層 1 6との間に非磁性層 4が存在する場合には、情報記録層 1 8に書き込まれた磁区とゲート層 1 6に転写された磁区との漏洩磁界との合成磁界が磁区拡大再生層 3 と静磁結合することにより磁区が転写され、非磁性層 4が存在しない場合には、ゲート層 1 6 と磁区拡大再生層 3との交換結合磁界で情報記録層 1 8からゲート層 1 6に転写された磁区が磁区拡大再生層 3に磁気転写される。図 6に示した光磁気記録媒体 6 1 において、誘電体層 2 , 6は、例えば、窒化物、酸化物等から構成することができる。誘電体層内での再生光の干渉効果によりみかけのカー回転角を増大することができる。図 6 に示した層の他に、非磁性層 4の磁区拡大再生層 3側に（あるいは非磁性層の一部として）、磁区拡大再生層 3の温度分布を均一にするために. 例えば、 A Ί 合金、 A u合金、銀合金、銅合金等の金属反射層が形成されてもよい。再生磁界を印加したときに磁区拡大再生層 3のトラック中心がその外側よりも高溫になっていた場合、情報記録層に記録された磁区に対応しない領域までが再生磁界で反転しやすくなる。そこで、金属反射層を備えて熱を逃がすことによって卜ラック中心のみが高温になることを防止し、再生磁界を印加したときに再生層の不必要な部分の磁区の反転を防止することができる。前述のように図 6における（ゲ— 卜層 1 6 +交換結合力制御層 1 7 + 情報記録層 1 8 ) の部分を情報記録層に置き換えてもよい。この場合、磁区拡大再生層 3あるいは情報記録層の補償温度を— 1 0 0〜 5 0。Cに調整すればよい。例えば、情報記録層の磁性材料として希土類遷移金属を用い、磁区拡大再生層同様に補儻溫度を一 1 0 0 ~ 5 0 °Cとして、高溫部でのみ漏洩磁界が大きくなるようにすることで 0 . 3 ミクロンの磁区を 3倍に拡大して再生することができた。また、（ゲート層 1 6 +交換結合力制御層 1 7 +情報記録層 1 8 ) を単に情報記録層で置き換えた場合、磁区拡大再生層 3 とゲー卜層 1 6の中間に、室温で面内磁化膜であり、 8 0から 1 5 CTCの溫度範囲で面内磁化膜から垂直磁化膜に遷移し、それ以上の溫度で垂直磁化膜となる磁性層を設けることができる。この中間層により、再生光スポット内に複数の磁区が存在していてもゲー卜層による絞り込み効果により再生光スポッ卜よりも小さい 1 つの微小磁区のみを磁区拡大再生層に浮き出す (転写）することができる。実施例 1 A

最初に本発明の第 1 の態様に従う光磁気記録媒体の実施例を図面を参照してより具体的に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。図 7に本発明の光磁気記録媒体 7 1 の断面構造の一例を示す。光磁気記録媒体 7 1 は、透明基板 1 上に、誘電体層 2、拡大再生層 3、非磁性体層 4、情報記録層 7 5、誘電体層 6を順次積層して有する。透明基板 1 としては、. 1 . 2 mm 厚のポリ力一ボネ— 卜基板を用いた。誘電体層 2 , 6として、膜厚 7 0 n mの窒化珪素を用いた。拡大再生層 3として膜厚 2 0 n mであり、補償温度一 1 0°C、キュリー温度 3 50。Cの G d F e C o合金を用いた。非磁性体層 4として、膜厚 1 5 n mの窒化珪素及び膜厚 1 0 n mの A 1合金を用いた。情報記録層 7 5として、膜厚 2 0 0 n mであり、補償温度一 5 0。C、キュリー温度 2 7 0。Cの T b F e C o合金を用いた。これらの層は、それそれ、マグネ卜ロンスパッ夕装置を用いてスパッ夕リングによつて成膜した。図 7に示した光磁気記録媒体 7 1 に、図 2に示した記録再生装置を用いて所定のデ—夕を光磁界変調方式により記録した。光磁界変調方式による記録及び再生の詳細は後述する実施例 3及び 4で詳述する。あるいは、別の実施例で説明するように磁界変調方式を用いて、最小磁区の卜ラック幅方向の磁区の長さが線方向の長さよりも短くなるように情報記録層に記録磁区を形成することもできる。図 2の光へッドのレ—ザ波長は 680 n mであり、関口数が 0. 5 5の光学系を用いた。有効スポッ卜侄は 1 . 2ミクロンである。従って、光磁気記録媒体 7 1 に 0. 4ミク口ンの連続磁区を記録すると再生光スポッ卜内には同時に 2個の磁区が存在することになる。本発明では、光磁気記録媒体のゲー卜層を用いてこの 2つの磁区を分離して再生することが可能となる。最初に、再生パワーを 1 . 0 mWに設定して再生を行ったが、記録磁区は拡大再生層 3に転写せず、再生信号には現れなかった。これは、光磁気記録媒体 7 1 の拡大再生層 3の補懊温度が室温以下であり、 1 . 0 mWの再生パワーでは記録磁区を拡大再生層 3に転写させるのに充分な温度まで拡大再生層 3を加熱することができないからである。再生パヮ一を 1 . 8 m Wにしても同様に再生波形は現れなかった。次いで、再生パワーを 2. O mWにすると、拡大再生層 3上のスポッ卜の中心付近において直径 0. 7ミクロンほどが 8 0°C以上に加熱され、拡大再生層 3のかかる加熱された領域には 0. 4ミクロンの大きさの 1 個の磁区だけが転写された。すなわち、スポッ卜中に存在する情報記録層 5の 2つの磁区を区別して再生することができた。これは情報記録層 5及び拡大再生層 3の室温での飽和磁化がいずれも 1 0 0 emu/cc よりも小さいために光スポッ卜内の 8 O^eC以下の低温部分には情報記録層 5 の磁区が転写されないためである。すなわち、 8 0^eCを超える温度に加熱された拡大再生層 3の領域にのみ 0. 4ミクロンの記録磁区が転写することができた。この場合の再生波形を図 8 Aに示す。なお、この再生の際に、再生磁界はかけなかった（ H = 0 ) 。図 8 Aの下方には交番磁界の信号も同時に示した。次に、光磁気記録媒体 7 1 に、上記と同様の条件の下で、磁気へッドに再生磁界として記録クロックに同期して変調する H =± 2 1 5 ( 0 e ) の交番磁界を印加して、記録データを再生したところ、図 8 Cに示したような再生波形が得られた。図 8 Cの再生信号は、再生磁界なしの場合 (図 8 A ) に比べて再生信号振幅が 3倍に増大している。再生磁界で磁区の転写可能領域が増えただけならば振幅は増大しないはずであるが、振幅が 3倍にも増えたことは拡大再生層 3に転写された磁区の拡大（及び縮小）が起きていることを示している。図 8 Bに記録クロックに同期して H =± 1 3 0 ( 0 e ) の交番磁界を印加した場合を示す。この場合も、再生磁界を印加しなかった場合に比べて再生信号振幅が増大していることがわかる。図 8 Dに記録クロックに同期して H = ± 2 6 0 ( 0 e ) の交番磁界を印加した場合を示す。この場合は、 H = ± 2 1 5 ( 0 e ) の場合に比べて再生信号振幅がわずかに減少してる。これは、再生磁界が大きすぎることにより記録磁区が存在しない領域に対応する拡大再生層 5の磁区も反転し、それが縮小再生磁界により消しきれなかったためであると考えられる。すなわち、縮小磁界が印加された際の信号レベルのベースラインが上昇するために信号振幅が減少しているように見える。

H = ± 2 1 5 ( 0 e ) の交番磁界を印加した場合と同様の再生条件の下で、光磁気記録媒体 7 1 の T b F e C o情報記録層 5の膜厚を 2 0 0 n mから 7 0 n mに変更して再生を行った。この場合、交番再生磁界で —瞬再生波形は大きくなるがすぐに隣の磁区とつながつてしまい、個々の記録磁区の検出ができなかった。これは情報記録層 3の T b F e C o の膜厚が記録磁区の大きさに比べて薄いためその漏洩磁界が不十分であるからであると考えられる。本発明者らの実験より、 0 . 4 ミクロンの磁区を拡大再生するためには、情報記録層の膜厚は少なくとも 1 0 0 n m以上必要であり、従って、記録層の厚み（ h ) と最小記録磁区の線方向（卜ラック方向）の長さ半怪（ r ) の比（ h / r ) が 0 . 5以上が好ましいことがわかった。実施例 1 B

この実施例では、図 7 Aに示した光磁気記録媒体と同様の構造を有する光磁気記録媒体の別の具体例を示す。この光磁気記録媒体の具体例は本発明の第 3の態様に対応する。図 7 Bを参照して、この光磁気記録媒体 7 2は、ガラス、ポリカーボネー卜等の透光性の基板 1 上に S i Nからなる誘電体層 2、 G d F e C oからなる拡大再生層（以下、再生層と略する） 3、 S i /A 1 T i からなる非磁性層 4、 T b F e C oからなる情報記録層（以下、記録層と略する） 7 5、 S i Nからなる保護層 7 6を順次堆積した構造である。誘電体層 2の膜厚は 600〜8 00ォングス卜ローム（本文中、 Aで表す）、再生層 3の膜厚は 5 0〜 1 0 0 0 A、非磁性層 4の膜厚は 5 0 ~ 3 0 0 A、記録層 7 5の膜厚は 500 ~ 30 0 0 A、保護層 1 の膜厚は 500〜1 000 Aに調整することができる。各層は A rをスパヅタガスとして用いたマグネ卜ロンスパッタリング法により形成することができる。図 7 Aに示した積層構造において、再生層.3は G d F e C oに限らず. G d F e、 G d C o、 T b C oまたは、 H o , G d , T b , D yの中から選択された 1元素と F e、 C o、 N i の中から選択された 1 元素とからなる磁性膜であってもよい。また、非磁性層 4は、 S i N/A 1 T i の代わりに、 A 1 N、 T "i N、 S i 02 、 A 1 2 03 、 S i C、 T i C、 Z n O、 S i A l O NU I T〇、または S n 0₂ であってもよい。また、記録層 7 5は T b F e C o合金に限らず、 T b , D y , N dの中から選択した元素と F e , C o , N iの中から選択した元素とからなる単層の磁性膜または多層の磁性膜であってもよい。また、 P t， P dの内の 1 元素と F e , C o , N i の中から選択した元素とからなる単層の磁性膜または多層の磁性膜であってもよい。さらに、本明細書で開示した、再生層、記録層、及び非磁性層として使用可能な他の材料を使用することもできる。図 1 7及び図 1 8 A， Bを用いて本発明の光磁気記録媒体の原理説明を行う。この具体例の光磁気記録媒体 7 2では再生用レーザ光を照射することによって最初に記録層 7 5の微小磁区 7を静磁結合により再生層 3に転写し、次いで転写された磁区を拡大再生する。再生用レーザビームを光磁気記録媒体に照射すると、通常、媒体上には図 1 7に示すように温度分布が生じる。図 1 7は光磁気ディスクに再生光をスポッ卜状に照射した場合の卜ラック方向位置に対する温度の関係を示すグラフであり、再生光のスポッ卜中心の後方に高温領域が存在する。この温度分布を利用して特定の溫度領域の記録層 7 5の磁化のみを再生層 3へ転写することができる。図 1 8 Aを参照して、再生光スポッ卜の中央部（高温部）でのみ記録層 7 5の磁化が再生層 3 aに転写される場合を説明する。図 1 8 Aには説明上、記録層 7 5、非磁性層 4及び再生層 3 aのみを示し、その上方に再生光スポッ卜が照射されたときの温度分布を同時に示した。光磁気記録媒体に.再生光スポッ卜が照射されると所定の温度以上になつた高温領域の記録層 7 5の磁区 7のみが非磁性層 4を介して再生層 3に転写され、再生層 3 aに記録層 7 5中の磁区 7 と同じ磁化を有した磁区 8が現れる。この場合、記録層 7 5から再生層 3 aへの耘写は非磁性層 4を介して転写されるため、交換結合力ではなく静磁結合により行われる。このタイプの転写を行うには、再生層 3 aとして、室温で面内磁化膜であり、所定の温度（臨界温度）以上で垂直磁化膜となる磁性膜が好適に用いられる。この臨界温度は、通常、 1 0 0〜 1 7 0 °Cの範囲にあり、この範囲の溫度に到達すると急峻に面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する磁性膜が好ましい。この面内磁化膜から垂直磁化膜へいかに急峻に変化するかを示す 1 つの指標としてカー回転角の温度係数 Cがあり、この実施例の光磁気記録媒体では温度係数 Cが 8 . 0以上の磁性膜を用いている。本発明に従う種々の態様（第 1 〜第 4の態様）の光磁気記録媒体において、再生層として室温で面内磁化膜であり、臨界温度以上で垂直磁化膜となる磁性膜を用いる場合には、この溫度係数 Cが 8 . 0以上の磁性膜を用いるのが好ましい。温度係数 Cの算出方法の詳細については「鷲見等、第 4 3回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 7 p— P D - 2 6 ( 1 9 9 6 ) 」を参照することができる。図 1 8 Aに示したタイプの転写を実行するためには、再生層 3 aに用いる磁性膜としては、 G d F e C o、 G d F e、 6 0 0 0が適してぃる< また、非磁性層 4、記録層 7 5を構成する材料としてはこの実施例で記載した材料を使用することができる。再生層 3 aに磁区 7の磁化が磁区 8として転写された後、図 1 8 Bに示すように磁区 8を拡大するために外部磁界 H e pを印加される。印加される外部磁界 H e pとして、交番磁界を用いた。交番磁界の極性が、再生層 3 aに転写された磁区 8の磁化と同じ方向になつた場合には、磁区 8の両隣の領域にも磁区 8の磁化と同じ方向の磁区 8 a、 8 bが生じ、転写された磁区 8が拡大されることになる。そして転写された磁区 8が拡大された瞬間に後述する再生装置により再生信号として検出される。再生時に印加する拡大再生用磁界の大きさ H e p及び、かかる磁界と再生層 3 a上に現れるマーク（磁区）の大きさの関係については、前述の原理説明の櫊で図 5 Aのヒステリシスカーブを用いて説明した通りで

図 1 9に図 7 Bに示した光磁気記録媒体 7 2を用いて測定した H eと H nの再生パワー依存性を示す。再生用レーザビームの波長は 8 3 0 n mとした。再生レーザ光パワーが 1 . 0〜 2. 2 mWの範囲では、 H e と H nには明らかな差があるので、各再生パワーに応じて決定される H sと H nとの間で外部磁界 H e pを決定すればよい。例えば、再生レーザ光パヮ一が 1 . 4 m Wの場合には 2 0 0〜 2 5 0 ( 0 e ) の間に外部磁界 H e pを設定すればよい。また、図 1 9より外部磁界 H e pは再生レーザ光パワーの増加に伴い小さくできる。また、交番磁界の周波数は 0. 5〜 2 M H zの範囲にすることができる。再生層 3 aに磁区を転写し、外部磁界により磁区を拡大して再生した後は、次の記録磁区を転写 ■ 拡大して再生するために拡大された磁区を —旦消去する必要がある。この消去方法には、 2つの方法がある。 1 つは磁性膜の種類に応じて決定される最小安定磁区径を用いる方法である, 記録された磁区の大きさは雰囲気温度に応じてその安定性が異なり、低温では微小磁区は安定に存在しにくくなる。図 2 0に、前記式（1) で定義した安定に存在し得る磁区の最小安定磁区径 r min を温度に対して表した。最小安定磁区 ί圣 r min は磁性膜の溫度上昇と共に小さくなり、前記再生層 3に用いた G d F e C oの場合、室溫での r ιτη n は 0. 5〜 0 6 u m、 1 2 0°Cでの r min は 0. 1 μηηである。即ち、 1 2 0°Cでは 0. 1 At m以上の磁区が安定して存在できるが、室溫においては 0. 1 mの大きさの磁区はもはや安定に存在できなくなり、消滅することになる。従って、この原理を用いて、再生光スポッ卜中央部（高温領域）では、記録層の磁区が再生層に転写されて拡大再生磁界で拡大された後再生光スポッ卜の低温部に入ると転写拡大された磁区に対して、最小安定磁区 ί圣が大きくなるために磁区は自然に消滅することになる。この拡大された磁区の消去方法については、この実施例のみならず本発明に従う全ての態様の光磁気記録媒体及びその再生方法に適用可能である。再生層 3に転写 · 拡大した磁区を消去する他の方法は、前述の原理説明において図 5 Bとの関係で説明したように、磁区拡大する際に印加した外部磁界 H e pと反対方向の磁界 H s rを印加することである。図 2 1 は、図 1 8 Bに示した再生層 3 aの磁区 8近傍の拡大概念図であり、拡大した磁区 8 a , 8 bが磁界 H s rを外部磁界 H e pと反対方向に印加することにより縮小する様子を示す。磁区を縮小するための磁界 H s rは図 4 Bに示したヒステリシスカーブにより決定することができる。この磁区を縮小する原理については図 5 Bとの関係で既に説明したので省略する。上記転写及び磁区拡大、すなわち再生に用いられるレーザビームの波長は 3 0 0~8 3 0 n mが好適であり、レーザビームを集光する対物レンズの開口数は 0 , 5 5 (許容誤差 ± 0. 0 5 ) 、レーザビームのスポット径は 1 . 0 (許容誤差 ± 0. 1 ) xmにすることができる。この具体例においては、再生光スポッ卜の中央部の高温領域に存在する記録層 7 5の微小磁区が再生層 3に転写される場合を説明したが、これ以外に、再生光スポットの後方部の高温領域または前方の低温領域に存在する磁区を転写する方法を用いてもよい。前者のタイプの光磁気記録媒体においては、再生層には垂直磁化膜が用いられ、再生用レーザビームが照射される前に再生層 3の磁化方法を揃えるために初期化磁界を印加する必要がある。レーザビームが媒体に照射され、所定温度以上に上昇した磁区の磁化が記録層 7 5から非磁性層 4を介して静磁結合により再生層 3の磁区に転写される。その後の図 1 8 Bに示したような磁区拡大（及び消去）動作が行われる。再生光スポッ卜の後方部の高温領域を通じて転写が行われる方式に好適な再生層としては、希土類金厲、例えば、 T b , D y , G dと遷移金属、例えば、 F e , C o , N をそれそれ一種類以上含む合金磁性膜を用いることができ、例えば、 G d F e C o , G d F e , G d C o , T b C oが好ましい。また、非磁性層 4及び記録層 7 5としては前述のものから選択することができる。再生光スポッ卜の前方の低温領域に存在する磁区を転写する方法では, 再生層には垂直磁化膜が用いられる。この垂直磁化膜は再生用レーザビームが照射され所定温度（キュリー温度）以上に上昇すると磁化が消去する性質の磁性層が用いられる。また、この場合、信号が記録された状態では記録層 7 5と再生層 3との磁化の方向は一致することになる。再生用レーザビームが照射され所定の温度以上に再生層 3の温度が上昇すると、その領域の磁化は消去することになる。従って、所定温度以上の領域が信号が記録されていない状態となり、溫度の低いレーザビームの前方でのみ転写が行われて信号が再生される。その後、図 1 8 Aに示したような磁区拡大（消去）動作が行われる。この方法による再生層 3としては、 T b C o、 D yと F e , C o， N i の中から選択された 1元素とからなる磁性膜が適している。また、非磁性層 4及び記録層 7 5としては前述のものから選択することができる。また、図 2 2を参照して、再生光スポッ卜の後方部の高温領域で転写が起こる方式と再生光スポットの前方の低温領域で転写が起こる方式を組み合わせることもできる。図 2 2にこのタイプの光磁気記録媒体の記録層 7 5 , 非磁性層 4 , 再生層 3 dとその温度分布を示す。このタイプの光磁気記録媒体は再生される前に初期化磁界（図示しない）により再生層 3 dは一定方向に磁化されている。その後、光磁気記録媒体にレーザビームが照射されると再生層 3 dの高温部 1 9では磁化が消去し、高温部 1 9より前側（ディスク進行の前方）の磁区 2 0は記録層 7 5の磁区 2 1 と同じ方向に磁化されているので、磁区 2 0を拡大することにより再生することができる。再生層 3 dに用いられる磁性膜の特性としては、記録層 7 5から磁化が転写される温度と、それ以上で磁化が消去する温度とが存在し、磁化が転写される温度としては 8 0〜 1 2 0。Cの範囲であり、磁化が消去される温度としては 1 3 0〜 1 70。Cの範囲が好ましい。また、再生動作に入る前の初期化磁界の大きさは 1 k ( O e ) 以下がよい。再生層 3 dとしては T b C o、 D yと F e , C o , N i から選択した 1 元素とからなる磁性膜が適している。非磁性層 4及び記録層 7 5としては前述のものから選択することができる。実施例 2

実施例 1では拡大再生層 3と情報記録層からなる単純な構造で、情報記録層から磁区拡大再生層に微小磁区を転写するとともに転写された磁区を拡大及び縮小することができた。この実施例では再生光スポッ卜内に存在する情報記録層の複数の磁区の一つだけを選別可能なゲー卜層を設けた光磁気記録媒体を示す。この光磁気記録媒体は本発明の第 2の態様の光磁気記録媒体に相当する。

図 9に示すように、この実施例の光磁気記録媒体 9 1 は、実施例 1 A の光磁気記録媒体 7 1 の情報記録層 5を、ゲート層 9 3 +交換結合力制御層 9 5 , 9 7 +情報記録層 9 9に置き換えた構造を有する。ゲート層 9 3として、補 ί 溫度ー 5 0。 ( 、キユリ一温度 3 5 0。C、膜厚 1 00 n mの G d F e C o磁性層を用いた。第 1 交換結合力制御層 9 5として、補償温度— 8 0。C、キユリ一温度 1 60°C、膜厚 20 n mの T b F e C o磁性層を用いた。第 2交換結合力制御層 9 7として、補僂温度 9 0°C、キユリ一温度 2 00。C、膜厚 1 O n mの G d F e C o磁性層を用いた。情報記録層 9 9として、補償温度一 5 0°C、キユリ一温度 2 7 (TC、膜厚 7 0 n mの T b F e C o磁性層を用いた。第 1 交換結合力制御層 9 5 は 7 0°C以上の領域の情報記録層 9 9の磁区をゲート層 9 3に転写することを制御するための層であり、第 2交換結合力制御層 9 7は 1 6 0°C 以下の領域の情報記録層 9 9の磁区をゲー卜層 9 3に転写することを制御するための層である。このような構成で 7 0°C以上 1 6 0。C以下の温度範囲にある情報記録層 9 9の記録磁区を拡大再生層 3に転写することができる。これらの層の成膜は実施例 1 と同様にマグネ卜ロンスパッ夕装置で行った。光磁気記録媒体 9 1 を実施例 1 と同様の条件で記録及び再生した。拡大再生層 3に転写された磁区は、再生磁界（交番磁界） H =± 2 00 ( 0 e ) で拡大し、再生信号の振幅が 4倍に増大したことが確認された。この光磁気記録媒体 9 1 を用いると、 0. 3ミクロンの磁区が確実に転写されることがわかった。なお、ゲ一卜層 9 3として、 1 00 n mの G d F e C o磁性層を用いているので、この G d F e C o磁性層に形成される磁区の磁壁の厚みよりも厚く情報記録層 9 9からゲート層 9 3に転写される磁化の反転の際に、磁壁中の磁気スピンのねじれを許容している。実施例 3

この実施例では、実施例 1 A, 1 B及び 2で具体的に説明した光磁気記録媒体の記録及び再生に好適な装置の構成例並びに記録及び再生方法について説明する。図 1 0に示した装置 1 0 1 は、光磁気ディスク 1 0 0にコードデータと同期した一定周期でパルス化された光を照射するためのレーザ光照射部と、記録再生時に光磁気ディスク 1 に制御された磁界を印加する磁界印加部と、光磁気ディスク 1 00からの信号を検出及び処理する信号処理系とから主に構成されている。レーザ光照射部において、レーザ 2 2はレーザ駆動回路 3 2及び記録パルス幅/位相調整回路 5 1 ( R C— P P A ) に接続されており、レーザ駆動回路 3 2は記録パルス幅位相調整回路 5 1 からの信号を受けてレーザ 2 2のレーザパルス幅及び位相を制御する。記録パルス幅/位相調整回路 5 1 は P L L回路 3 9から後述するク口ック信号を受けて記録光の位相及びパルス幅を調整するための第 1 同期信号を発生する。磁界印加部において、磁界を印加する磁気コィル 2 9は磁気コィル駆動回路（M— D R I V E ) 3 4と接続されており、記録時には磁気コィル駆動回路 3 4はデ—夕が入力される符号器 3 0から位相調整回路（ R E— P A ) 3 1 を通じて入力データを受けて磁気コィル 2 9を制御する _c —方、再生時には、 P L L回路 3 9から後述するク口ック信号を受けて再生パルス幅 . 位相調整回路（ R P— P P A ) 1 3 1 を通じて位相およびパルス幅を調整するための第 2同期信号を発生し、第 2同期信号に基づいて磁気コイル 2 9を制御する。磁気コイル駆動回路 34に入力される信号を記録時と再生時で切り換えるために、記録再生切換器（ R C/ R P S W) 1 34が磁気コイル駆動回路 3 4に接続されている。信号処理系において、レーザ 2 2と光磁気ディスク 1 0 0との間には第 1 の偏光プリズム 2 5が配置され、その側方には第 2の偏光プリズム 2 5 1及び検出器 2 8及び 2 8 1 が配置されている。検出器 2 8及び 2 8 1 は、それぞれ、 I /V変換器 3 1 1 及び 3 1 2を介して、共に、減算器 3 0 2及び加算器 3 0 1 に接続される。加算器 3 0 1 は及びクロック抽出回路（ C S S ) 3 7を介して P L L回路 3 9に接続されている。減算器 3 0 2はクロックに同期して信号をホールドするサンプルホールド（ S/H ) 回路 4 1 、同様にクロックと同期してアナログデジタル変換を行う A/D変換回路 4 2、 2値化信号処理回路（ B S C ) 4 3を介して復号器 3 8に接続される。上記装置構成において、レーザ 2 2から出射した光はコリメータレンズ 2 3によって平行光にされ、偏光プリズム 2 5を通って対物レンズ 2 4によつて光磁気デイスク 1 0 0上に集光される。ディスク 2 1 からの反射光は偏光プリズム 2 5によって偏光プリズ厶 2 5 1 の方向に向けられ、 1 / 2波長板 2 6を透過した後、偏光プリズム 2 5 1 で二方向に分割される。分割された光はそれぞれ検出レンズ 2 7で集光されて光検出器 2 8及び 2 8 1 に導かれる。ここで、光磁気デイスク 1 0 0上には卜ラツキングエラ一信号及びク口ック信号生成用のビットが予め形成されている。クロック信号生成用ピッ卜からの反射光を示す信号が検出器 2 8及び 2 8 1 で検出された後、クロック抽出回路 3 7において抽出される。次いでクロック抽出回路 3 7に接続された P L L回路 3 9においてデータチャネルクロックが発生される。データ記録の際に、レーザ 2 2はレーザ駆動回路 3 2によってデータチャネルクロックに同期するように一定周波数で変調され、幅の狭い連続したパルス光を放射し、回転する光磁気ディスク 1 0 0のデータ記録エリアを等間隔に局部的に加熱する。また、データチャネルクロックは. 磁界印加部の符号器 3 0を制御して、基準クロック周期のデータ信号を発生させる。データ信号は位相調整回路 3 1 を経て磁気コイル駆動装置 34に送られる。磁気コィル駆動装置 3 4は、磁界コィル 2 9を制御してデータ信号に対応した極性の磁界を光磁気ディスク 1 0 0のデータ記録ェリァの加熱部分に印加する。実施例 2で作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を光磁気記録再生装 S 1 0 1 で測定した。なお、装置 1 0 1 の光ヘッドのレーザ—波長は 68 5 n m_s 対物レンズの開口数 N Aは 0. 5 5である。データの記録は、線速度 5. O m/s e cで、レーザービームを一定周期のパルスに照射しながら、外部磁界を士 3 00 ( 0 e ) で変調させて記錄を行う光磁界変調記録方式を用い、レーザ光パルスのデューティー 5 0 %で行つた。図 1 1 に、記録クロックに対する記録レーザ光パルス及び記録外部磁界のタイミングチャートを示す。図 1 1 の上方にかかる記録により形成された微小磁区のパターンを示した。微小磁区は直径 0. 4 ミクロンで形成された。次いで、微小磁区が記録された光磁気記録媒体を図 1 0に示した装 S を用いて以下のようにして再生した。再生レーザ光パワーを 2. 0 m W とし、記録された磁区一つ一つに対して再生クロックを同期させるとともに再生クロックに同期するように磁界をパルス状に変調して印加した c 再生クロックに対する再生外部磁界及び再生された信号のタイミングチヤートを図 1 2に示す。パルス状磁界の強度は磁区中心付近で記録方向に 1 5 0 ( O e ) ( H E ) , 消去方向に 2 5 0 ( O e ) ( H _S ) とし、記録方向の磁界のデューティ一は 2 5 %である。また、再生信号のサンブルホールドタイミングは磁界の変調夕イミングと一致させた。図 1 2中に示した再生波形（パルス磁界再生波形）から明らかなように、微小磁区からそれぞれ独立した再生信号が得られている。比較のため磁界を変調しない場合、すなわち、記録方向に 2 0 0 ( 0 e ) の D C 磁界を印加しながら、上記同様に再生した場合の再生信号（ D C磁界再生信号）を同図に示した。 D C磁界では、隣接する磁区からの再生信号波形がつながり、各微小磁区を分離して再生することができない。図 1 2の最下段に、クロックに同期したサンプルホールドパルスとサンプルホールド後のパルス磁界による再生信号を示した。サンプルホールド後のアナ口グ再生信号振幅は、再生磁界を印加しないときよりも大幅に増加していることがわかった。また、図 1 3に 1一 7変調記録したときの記録マーク長に対するエラ一レートの関係を、再生磁界としてパルス状磁界を用いた場合と D C磁界を用いた場合とを比較して示す。図 1 3の結果よりパルス状磁界を用いて再生するとエラーレー卜が改善され、記録マーク長 0 . 2 5 x mにおいても、十分にデータの再生が可能であることがわかる。従って、本発明の光磁気記録媒体にパルス状磁界を印加して再生することによって高密度記録及びその再生を実現することができる。この実施例の再生動作において用いた再生磁界における記録方向の磁界のデューティー比は 2 5 %であったが、 1 5 %〜 9 0 %の範囲内で、好ましくは 1 5 %〜 6 0 %の範囲内において適宜変更することができる, すなわち、光磁気記録媒体を構成する磁性層の材料に応じて、再生層における磁区の拡大が最も良好に行われるように再生磁界の記録方向の磁界のデューティ一比を調整することが望ましい。実施例 4

この実施例では、実施例 3に示した記録再生装置の変形例について説明する。図 1 4に示した記録再生装置 1 0 3は、図 1 0に示した装置構成に、さらに、再生光を P L Lクロックに同期してパルス変調するための再生パルス幅及び位相調整回路（ R P— P P A ) 5 3と、記録再生時に記録パルスと再生パルスを切り換えるための記録再生切換器（ R C/ R P S W ) 5 5を備える。その他の各部分については、実施例 3で説明した記録再生装置 1 0 1 と同じであるので、対応する部分に同一の符号を表示して説明を省略する。実施例 3で作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を記録再生装置 1 03で測定した。記録再生装置 1 0 3のレーザ 2 2の波長は 6 8 5 n m、対物レンズ 24の開口数 N Aは 0. 5 5である。データの記録は、線速度 5. O m/s e cで、レーザビームを一定周期のパルスに照射しながら、外部磁界を土 3 00 ( 0 e ) で変調させて記録を行う光磁界変調記録方式を用い、レーザ光パルスのデュ一ティー比 5 0 %で行った。記録クロックに対する記録レーザ光パルス及び記録外部磁界のタイミングは図 1 1 に示したタイミングチャートと同様である。微小磁区は直 go . 4ミク□ンで形成された。上記のようにして微小磁区が記録された光磁気記録媒体を図 1 4に示した装置を用いて以下のようにして再生した。再生レーザ光の強度を記錄クロックに同期して一定周期で変調した。再生レ一ザ光のピークパヮ ― ( P _R ) を 4. 5 m W ボトムパワー（ P_B ) を 0. 5 mWとし、ビークのデューティー比を 3 3 %に設定した。再生用磁界は実施例 3の場合と同様に、記録された磁区 1 つ 1 つに対して再生クロックに同期させて変調した。パルス状磁界の強度は磁区中心付近で記録方向に 1 5 0 ( 0 e ) ( H _E ) 、消去方向に 2 50 ( O e ) ( H s ) とし、記録方向のデューティ一比は 2 5 %である。また、再生信号のサンプルホールドタィミングは磁界の変調タイミングと一致させた。再生クロックに対する再生外部磁界及び再生された信号のタイミングチャートを図 1 5に示す, 図 1 5に示したように、再生レーザ光パルスの立ち下がりと再生磁界パルスの立ち下がりを一致させて再生を行った。図 1 5中に示した再生波形（パルス光、パルス磁界再生波形）から明らかなように、微小磁区からそれぞれ独立した再生信号が得られている, 比較のため、レーザパワー 1 . 5 m Wの D C光及び記録方向に 2 0 0 ( 0 e ) の D C磁界を印加しながら、上記同様に再生した場合の再生信号（ D C光、 D C磁界再生信号）を同図に示した。 D C光、 D C磁界では、隣接する磁区からの再生信号波形がつながり、各微小磁区を分離して再生することができない。図 1 5の最下段に、クロックに同期したサンプルホールドパルスとサンプルホールド後のパルス磁界による再生信号を示した。本実施例では再生光を変調することにより、転写磁区が存在しない磁区拡大再生層の部分の磁化反転を有効に防止することができる。また、図 1 6に 1 一 7変調記録したときの記録マーク長に対するェラーレー卜の関係を、再生光としてパルス状レーザを用いた場合と連続光（ D C光）を用いた場合とを比較して示す。図 1 6の結果よりパルス光を用いて再生するとエラーレートが改善されることがわかる。なお、再生光パルスのタイミングおよびデューティ —比、再生磁界パルスのタイミング及びデューティ一比、再生磁界パルスの極性に関しては、媒体構成や組成に応じて変更しても良い。例えば、後述する実施例で説明するように、再生交番磁界における記録方向の磁界のデューティ一比を、 1 5 %〜 9 0 %の範囲内に調節することができる。実施例 5

実施例 3においては、磁気コイル駆動用の位相調整回路 3 1 及び再生パルス幅/位相調整回路 1 3 1 並びにレーザ駆動用の記録パルス幅/位相調整回路 5 1 に P L L回路 3 9から出力されるクロック信号は、光磁気記録媒体 1 0 ( 1 0 0 ) の基板に形成されたピッ卜からの反射光を検出し、埋め込みクロック抽出回路 3 7によって発生させていた。また、実施例 4においては、磁気コイル駆動用の位相調整回路 3 1 及び再生パルス幅/位相調整回路 1 3 1 並びにレーザ駆動用の記録パルス幅位相調整回路 5 1 及び再生パルス幅/位相調整回路 5 3に P L L回路 3 9から出力されるクロック信号は、光磁気記録媒体の基板に形成されたピッ卜からの反射光を検出し、埋め込みクロック抽出回路 3 7によって発生させていた（外部クロック）。この実施例では、本発明の再生装置（記録再生装置）において、特に再生用外部磁界及び再生光をパルス変調するのに有効な種々のク口ック発生方法について例示する。再生クロックの発生方法には以下の 3つの方法がある。第 1 の方法は自己 P L L同期、第 2の方法は外部 P L L同期及び第 3の方法は 2周期サンプリングである。装置構成として、第 1及び第 3の方法を実現するには、図 1 0および図 1 4に示した装置において埋め込みクロック抽出回路 3 7を省略した信号処理系を用いればよい。一方、第 2の方法を実現するには、図 1 0及び図 1 4に示した装置の信号処理系をそのまま用いることができる。図 2 3は、第 1 の方法である自己 P L L同期を説明するための概念図である。図 2 3において、記録された磁区（磁気マーク） 8 1 , 8 3が検出され、図 1 0 (または図 1 4 ) に示した加算器 3 0 1 、 P L L 3 9 で処理されて、クロック 8 5が発生する。図 2 4〜図 2 6を用いて第 2の方法である外部 P L L同期法を説明する。図 2 4は、光磁気記録媒体をランド ■ グループ構造に構成した場合の光磁気記録媒体 1 0の部分拡大図である。光磁気記録媒体 1 0のランド部 1 0 R (またはグループ部）に一定周期でピッ卜 1 0 pを設けておき、ピット 1 0 pを光学的に検出し、検出した周期に合わせてクロックを発生させる。この場合、一定周期でランド 1 0 Rに設けるものはピッ卜 1 0 Pに限る必要はなく、結晶状態等の材質の変化ゃ凸部等の光学的に検出できるものであればよい。図 2 5は磁気記録媒体をゥォブル型のランド · グループ構造に構成した場合の光磁気記錄媒体 1 0，の部分拡大図である。ゥォブル型のランド · グループ構造ではゥォブルの周期を検出することによりこの周期に基づいて再生クロック信号を発生させることができる。図 2 6は、光磁気記録媒体をランド · グループ型に構成し、ピッ卜の代わりに、ファインクロックマーク 1 O F を設けた光磁気記録媒体 1 0" の部分拡大図である。ファインクロックマーク 1 O Fは、図 2 4 に示したビット 1 0 pが形成される間隔とほぼ同間隔で設けることができ、一つのファインクロックマーク 1 O Fを一つの波形として見た場合に、その波長（卜ラック方向の長さ）をファインクロックマーク 1 O F の上記間隔の 1 /3 0 0〜 1 / 5 0に、振幅（卜ラック幅方向の変化量）を 1 0 0から 3 0 0 n mにそれぞれ調整することができる。図 2 6では、ファインクロックマーク 1 0 Fはランド 1 0 Rの一方の側の壁にしか形成されていないが、ランド 1 0 Rの両側の壁に形成してもよい。フアインクロックマーク 1 O Fを、検出部が 4分割された光検出器で検出した場合に、各検出部からの和信号を観察すると、図 2 6に示したファインクロックマーク 1 0 Fの形状のような波形が得られる。こうして得られた再生波形を所定の基準値で比較して 2値化し、 2値信号の立ち上がりのタイミングに同期させることで外部同期用ク口ック信号を発生させることができる。なお、図 2 5に示したゥ才ブル型のランド ' グルーブ構造の光磁気記録媒体に、図 2 6に示したようなファインクロックマーク 1 0 Fを設け、再生用外部磁界及び/または再生光を変調するためのクロック信号をファインクロックマーク 1 O Fから取り出し、記録用のデ一夕チャンネルクロックをゥ才プリング周期から検出してもよい。図 2 7は第 3の方法である 2周期サンプリング法を説明する概念図である。図 2 7において、記録された単位記録磁区（最短記録磁区あるいは単位ビッ卜） 8 7が再生され、図 1 0 (または図 1 4 ) に示した加算器 3 0 1 、 P L L 3 9で処理されて、クロック 8 5が発生する。この際、 P L L回路 3 9は単位記録磁区 8 7に 1 周期以上のクロヅク 8 5を発生するように構成されており、単位記録磁区 8 7の繰り返し周期より高い周波数のクロックを発生することができる。本発明においては、再生光及び/または再生用外部印加磁界をパルス変調する場合は上記 3つの方法のいずれの方法を用いて発生した再生クロックに基づいて第 1 同期信号及び/または第 2同期信号を発生させても良い。また、記録用外部印加磁界及び/または記録光をパルス変調する場合にも、上記 3つの方法のいずれかの方法を用いて発生した再生クロックを用いてもよい。実施例 6

前記実施例で説明したように光磁気記録媒体 1 0 ( 1 0 0， 1 0 1 ) の再生時には、図 1 0または 1 4に示した装置を用いて、外部磁界が印加されるとともに再生用レーザビームが照射される。この実施例では、磁区拡大に.よる再生に最も好適な磁界印加条件について検討した。本発明の光磁気記録媒体の再生方法において、磁界とレーザビームの各々が" 連続（ D C ) " または" パルス" のいずれかを選択できるためにその組み合わせは次の 4通りが考えられる。

( 1 ) レーザビーム：連続光、磁界：連続磁界

( 2 ) レーザビーム：連続光、磁界：パルス

( 3 ) レーザビーム：パルス、磁界：連続磁界

( 4 ) レーザビーム：パルス、磁界：パルス上記の 4つの場合のうち、（ 2 ) 〜（ 4 ) についてはパルス化されたレーザ光若しくは磁界またはその両方の大きさ及び適用するタイミングを調整する必要がある。上記（ 2 ) の場合は、図 2 8 Aを参照して、磁区拡大のプロセスで印加される外部磁界 H e pと磁区消減のプロセスで印加される外部磁界 H s r とは、異なる大きさである。これは、磁区拡大再生層の保磁力を H e 1 、記録層の記録磁区が再生層に及ぼす漏洩磁界を H stとすると、転写磁区を消滅させるには H = H c 1 + H stの磁界が必要となり、一方、転写磁区を拡大させる磁界は H c 1 で足りるからである。また、隣接する磁区の再生に拡大再生の影響が残らないようにするという理由から磁区拡大のための時間 T 1 (記録方向の磁界のデュ一ティ）は磁区消滅のための時間 T 2より短 <、 0. 1 5 ≤ T 1 / ( T 1 + Τ 2 ) ≤ 0. 9の範囲が好ましい。この範囲は、後述する再生磁界の波形におけるオーバ一シュートを防止するという観点からも好ましいさらに好まし〈は、 0. 1 5≤ T 1 / ( T 1 + T 2 ) ≤ 0. 6である。この時間 Τ 1 は、光磁気記録媒体を構成する磁性層の磁化特性等の種々の要因に基づいて最適値が選定される。上記（ 3 ) の場合は、記録層の磁区を再生層に転写し、広範な温度分布を与えて磁区拡大の条件を整えるために時間がかかるためレ一ザビームのパルスのデューティは 2 0〜 7 0 %の範囲が好ましい。上記（ 4 ) の場合の印加磁界（ H ex, H sr) とレーザパルスの周期の関係を図 2 8 Bに示す。図 2 8 Bに示すように、磁区拡大のための時間 T 1 、磁区消滅のための時間 T 2の各々において、レーザビームの 0 N 0 F Fが 1 回行われるようにレーザビーム（図中、レーザパワーを P rで表した）を照射するのが好ましい。本発明においては、上記（ 1 ) 〜（ 4 ) のいずれの方法を用いることが可能である。しかしながら、磁区拡大を最も確実に行わせるには記録磁区が記録されていない記録層部分の直上に位置する再生層部分において磁区拡大の変化を起こさないようにする必要があり、そのためにはかかる位置の再生層の膜温度を局部的に低くしてお〈必要がある。このような要請より、パルス光照射を用いることが好ましく、また磁区拡大縮小を確実に行えるパルス磁界再生が好ましい。これらのことより、条件（ 4 ) での再生が最適である。図 2 8 A及び 28 Bでは、印加する交番磁界は矩形の波形の磁界を用いたが、オーバーシュートが実質的にない波形ならば任意の波形の磁界を用いることができる。磁界波形にオーバ一シユー卜、すなわち、磁界波形の急峻な立ち上がりが存在し且つその立ち上がりの最大（ビーク）磁界強度が、例えば、図 5 Aのヒステリシスカーブにおける H nを超えるような値であると、情報記録層に記録磁区が存在しなくても、その上方の再生層の磁区が反転して信号として読み出されてしまうからである。このオーバーシュートを防止するため、図 2 9に示したような三角波の波形を用いることができる。このような波形の磁界を用いることによつて、拡大時の磁界変化を緩やかにして磁区拡大を容易にすることができる。波形は三角波に限らず、正弦波等の徐々に磁界が增加するような波形であれば任意のものを用いることができる。または、オーバ一シユー卜が発生しないことを条件に矩形波でもかまわない。図 3 0に、再生磁界波形に好適な正弦波を発生させるための回路の一例を示す。図 3 0に示したような回路を、図 1 0 (図 1 4 ) の記録再生装置 1 0 1 ( 1 0 3 ) の磁気コィル駆動回路 3 4に組み込むことによって、正弦波の波形を有する再生用磁界を発生させることができる。図 3 1 ( a ) 〜（ d ) に、上記（ 2 ) の場合、すなわち、レーザビームを連続光とし、磁界をパルス化して再生した場合の再生信号（振幅）の印加磁界依存性を示す。光磁気記録媒体として図 7 Bに示したものを用い、レーザビームは波長が 8 3 0 n m、ノヮ一が 1 . 6 5 m Wであり、線速度は 1 . 7 m/ s e cであった。また、記録は 0. 4 mのドメインを等間隔で記録することにより行った。外部磁界は、図 3 1 ( a ) では H = 0、図 3 1 ( b ) では H = 1 3 0 ( O e ) 、図 3 1 ( c ) では H = 2 1 5 ( O e ) 、及び図 3 1 ( d ) では H = 2 6 0 ( 0 e ) とした。磁界のパルスのデューティは T 1 /T 2 - 1 である。但し、磁界波形として正弦波に近い波形を有する交番磁界を用いた。外部印加磁界が大き <なると共に検出される信号強度が大きくなり、 H = 2 6 0 ( O e ) では飽和レベルに達している。外部磁界を印加することにより再生信号が大きくなっていることは記録層から再生層へ転写された磁区が拡大していることを示すものである。実施例 7

図 3 2に、図 1 0に示した記録再生装置 1 0 1 の変形例を示す。図 1 0に示した記録再生装置 1 0 1 においては、光磁気記録媒体 1 0 0の上方から外部磁界を印加するとともに、光磁気記録媒体 ί 0 0の下方、即ち、基板側から記録光及び再生光を照射した。図 3 2の光磁気記録媒体の記録再生装置 1 0 5において、外部磁界と記録及び再生光を同一方向から適用することが可能である。これを実現するために、記録再生装置 1 0 5では、再生光集光用の対物レンズ 2 4に磁気コイルが巻き付けられている。図 3 3に、この記録再生装置 1 0 5に好適な光磁気記録媒体 7 9の媒体構成を示す。この光磁気記録媒体 7 9は、図 7 Βに示した媒体構造と異なり、基板 1 上に情報記録層 7 5、非磁性層 4、拡大再生層 3、誘電体層 2及び保護層 7 6が積層された構造を有する。この光磁気記録媒体 7 9を記録再生するには、基板 1 側ではなく、保護層 7 6側（拡大再生層 3側）から光が入射するとともに、磁界が印加される。このため、基板 1 は透明材料を用いる必要がなく、アルミ等の金厲材料等の不透明な材料で構成することができる。また、図 3 3に示した積層構造を基板 1 の外側にも基板に対して対称になるように積層することにより両面記録可能な光磁気記録媒体を構成してもよい。この両面記録可能な光磁気記録媒体は、従来の光磁気記録媒体に比べて記録密度が 2倍になる。特に、この両面記録可能な光磁気記録媒体を、図 3 2に示した構造の記録再生装置で記録再生するには、片面の記録または再生毎に光磁気記録媒体を裏返せばよい。従って、この記録再生装置 1 0 5は光磁気記録媒体の記録容量の増大を可能とする。なお、この磁界と光を同一方向から適用する光磁気へッドの構成は、図 1 4に示した記録再生装置にも適用可能である。実施例 8

前記実施例では、光磁気記録媒体に記録信号を光磁界変調方式を用いて記録したが、磁界変調方式を用いて記録することもできる。いずれの方式で記録する場合も、記録磁区は、最短磁区（線方向の長さが最も短い磁区または磁気マーク）の形状として、磁区のトラック幅方向の長さが線方向の長さよりも長くなるように形成するのが好ましい。一層好まし〈は、磁区の後方部が磁区の内側に窪んでいる形状が好ましい。かかる最短磁区の例として、図 3 4 Aに示したような三ヶ月型や図 3 4 Bに示した矩形の磁区が好適である。この他に、最短磁区の形状として矢羽型（矢がディスクの回転と反対の方向を向く）の磁区も好ましい。磁区のトラック幅方向の長さが線方向（卜ラック方向）の長さよりも長くなるように形成する磁区を記録するには、磁界変調記録方式を用いることが有効である。矢羽根型等の磁区の形状については基板の溝ゃランド部の形状を変化することで調整可能である。このような記録磁区形状は、以下の理由により、再生層から転写された磁区の拡大を容易にする。本発明の光磁気記録媒体の記録層に、例えば、図 3 4 Aに示した三ヶ月型の磁区が記録されているとする。光磁気記録媒体の再生時に、光磁気記録媒体が再生光で加熱されて三ヶ月型の磁区が静磁結合または交換結合により再生層に転写される。再生層において、再生光スポッ卜中心に相当する部分（またはその後方）が高温である。また、磁壁は离温の方が熱力学的に安定であるため、三ヶ月型の磁区の窪み部がその後方（三ヶ月の円弧を共通とする円の中心部）の离溫部分に向かって移動した方が安定となる。また、磁壁の長さは短い方が安定であるため、三ヶ月型の磁区の窪み部が膨らんで半月型の磁区になった方が磁壁が短くなるために安定である。従って、再生層上ではかかる温度分布及び磁区形状に従って磁区が拡大し易くなる。また、次の理由からも上記三ヶ月型等が好ましいといえる。記録磁区から再生層に向かう漏洩磁界を考慮すると、三ヶ月型の記録磁区からの漏洩磁界は三ヶ月型の磁区の上方の再生層における三ヶ月の中心（三ヶ月の円弧を共通とする円の中心部）で最大となる。それゆえ、再生層に転写された磁区はこの漏洩磁界により拡大し易〈なる。実施例 9

この実施例では本発明の第 4の態様に従う光磁気記録媒体を説明する c 実施例 1 A , Β及び 2においては、記録層から再生層へ転写された磁区を外部磁界を印加することにより拡大し、再生する光磁気記録媒体の例を示したが、本実施例においては、記録層から再生層へ転写された磁区を外部磁界を印加せずに拡大して再生することができる光磁気記録媒体の例について説明する。図 3 5に、この実施例に係る光磁気記録媒体の積層構造を示す。光磁気記録媒体 1 1 0はガラス、ポリカーボネート等の透光性の基板 1 上に S i Nからなる誘電体層 6 5、 G d C oからなる再生層 6 4、 S i Nからなる非磁性層 6 3、 T b F e C oからなる記録層 7 5、 S i Nからなる保護層 7 6を順次堆積した構造である。再生層 6 4に用いられる磁性膜は、前記式い）で定義された最小安定磁区佳が記録層 7 5に記録された磁区より大きい材料である。従って、記録層 7 5の磁化が非磁性層 6 3を介して再生層 6 4に転写されると、外部磁界の印加による磁区拡大をしなくても記録層 7 5の磁区を大きな磁区として再生することができる。また、本実施例に係る光磁気記録媒体の構造は、非磁性層 6 3と前記再生層 6 4との間に G d F e C oよりなる中間磁性層を挿入した構造であっても良い。上記各層は A rをスパッ夕ガスとして用いたマグネ卜ロンスパッタリング法により形成される。図 3 6を参照して、光磁気記録媒体 1 1 0を用いた再生原理を説明する。図 3 6において、信号が記録された記録層 7 5 と、非磁性層 6 3と. 室温で面内磁化膜であるが、所定の温度（臨界温度）以上で垂直磁化膜となる再生層 6 4とからなる光磁気記録媒体 1 1 0にレーザビームが照射されると所定の温度以上に昇温した領域に記録されている磁区 1 5の磁化が非磁性層 6 3を介して再生層 6 4の磁区 1 6 0に転写される。この場合、磁区 1 5 0から磁区 1 6 0への転写は静磁結合により行われる < この結果、再生層 6 4の磁区 1 6 0は全体が下向きに磁化される。従つて、記録層 7 5から再生餍 6 4へ転写された磁区は外部から磁界を印加することによる磁区拡大のプロセスがなくても記録層の磁区より大きい磁区を再生層に転写できることになる。磁区 1 5 0が再生された後はレ一ザビームの照射位置が次に再生されるべき磁区 1 7 0の位置へ移動すると、磁区 1 6 0の実効的垂直磁気異方性が小さくなり、磁区 1 6 0の磁化は面内方向を向く。次に再生されるべき磁区 1 7 0と、該磁区 1 7 0上の磁区 1 6 0の領域が所定の溫度以上に達した場合には、磁区 1 6 0は実効的垂直磁気異方性が大きくなり、上向きの磁化が転写され、磁区 1 7 0の信号が再生される。再生後は温度が低くなり磁区 1 6 0の磁化は面内を向く。この繰り返しにより記録層 7 5に記録された各磁区が再生される。再生層 64に用いられる磁性膜は、室温で面内磁化膜、所定の温度以上で垂直磁化膜となり、最小安定磁区 ί圣が記録層 7 5に記録された磁区より大きい材料であれば良く、 G dと F e， C o , N i の中から選択した元素とから成る磁性膜が適している。また、記録層 7 5としては T b F e C o、 T b , D y , N dの中から選択した元素と F e , C o , N i の中から選択した元素とから成る単層の磁性膜若しくは多層の磁性膜であってもよい。また、更に、 P t , P dの内の 1元素と F e , C o , N iの中から選択した元素とから成る単層の磁性膜若しくは多層の磁性膜であってもよい。また、再生層 6 4が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する所定の温度は 1 4 0〜 1 80°Cの範囲であり、面内磁化膜から垂直磁化膜への変化の急峻性を示す温度係数 Cは実施例 1 Bと同様に 8. 0以上が好ましい ₍ 前記光磁気記錄媒体 1 1 0は図 3 6に示す構造に限らず、非磁性層 6 3に代えて室温で面内磁化膜、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性膜を挿入した構造でもよい。図 37に、図 3 6に示した光磁気記録媒体の非磁性層 6 3に代えて室溫で面内磁化膜であり臨界温度 T_{CR 1} にて面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する中間磁性膜 9 9を用いた場合の概念図を示す。ここで、再生層は 64 Cとして表す。中間磁性層 6 5の最小安定磁区 ί圣は記録層 7 5と同程度である。中間磁性膜 6 5としては、 G d F e C o、 G d F e、 G d C oが適している。また、再生層 64も臨界温度 T_CR2 以上で面内磁化膜から垂直磁化膜へと変化するが、その温度領域は 1 00〜1 7 0 Cの範囲である。本構造の光磁気記録媒体においては、中間磁性層 6 5が面内磁化膜から垂直磁化膜へ急峻に変化することが再生特性を決定する。従って、中間磁性層 6 5に用いられる磁性膜の温度係数 Cは 8 . 0以上が好ましい。また、中間磁性層 6 5の厚みは、中間磁性層 6 5の磁化の回転を可能にするために、中間磁性層 6 5 の磁区 1 2 4とそれに隣接する面内磁化の磁区との間に形成される磁壁の厚み以上になるようにするのが望ましい。図 3 7に示した光磁気記録媒体 1 2 5にレーザビームが照射され、記録層 7 5の磁区 1 2 3の領域が昇温されると磁区 1 2 3の磁化が交換結合力により中間磁性層 6 5の磁区 1 2 4へ転写され、更に、再生層 6 4 Cの磁区 1 2 5に転写される。これにより記録層 7 5の微小磁区 1 1 3 は再生層 6 4 Cの大きな磁区 1 2 5として再生されることになる。中間磁性層 9 9を用いると再生層には面内磁化膜、垂直磁化膜のいずれを用いた場合にも外部磁界を印加する必要はない。この実施例に示した光磁気記錄媒体を再生するにはレーザビームのみを照射すればよく、このレーザビームの照射方法には連続光を照射する方法とパルス光を照射する方法とがある。パルス光の場合のデューティは 2 0〜7 0 %の範囲である。図 3 7において、記録層 7 5の記録磁区 1 2 3は、図 3 8の下段に示すように、中間磁性層 9 9に縮小されて転写されるのが好ましい。この理由を図 3 8を用いて説明する。図 3 8の上段に、再生用レーザースポット（ L S ) によって図 3 7に示した構造の光磁気記録媒体が加熱されたときの溫度分布を示し、図 3 8の中段に、再生層 6 4 Cの上方から見た光磁気記録媒体のレーザスポッ卜（ L S ) に対する温度分布を示す。中間磁性層 9 9に転写された磁区 1 2 4 ( 个向きの磁化）の大きさが記録磁区 1 2 3の大きさと同等かそれ以上であると、中間磁性層 9 9の磁区 1 2 4は記録磁区 1 2 3 と隣接する向きの磁化を持つ磁区 Sからの磁気的な影響を受け、磁区 1 2 4が不安定になる。中間磁性層 9 9に転写された磁区 1 2 4は、磁区を拡大させる機能を持つ再生層 6 4 Cに記録磁区 1 2 4の磁化情報を転送する役割を果たす必要があるため、磁気的に安定である必要がある。それゆえ、記録磁区 1 2 3から中間磁性層 9 9に磁区を縮小させて転写することによって、中間磁性層 9 9の磁区 1 2 4に対する記録磁区 1 2 3に隣接する磁区 Sからの影響を低減させることができ、これによつて、中間磁性層 9 9の磁区 1 2 4の磁化を安定化させることができる。特に、光磁気記録媒体は、通常、回転した状態で再生されるため、図 3 9 Α及び Βに示すように、再生光スポッ卜に対して光磁気記録媒体の記録層 7 5の磁区が次々と移動する。一方、再生光スポッ卜に対して中間磁性層 9 9の T _{C R 1} を超える溫度領域は一定の位渥に存在する。中間磁性層 9 9の T _{C R}，を超える温度領域が記録磁区 1 2 3の大きさと同じである場合、この温度領域内に移動中の一つの記録磁区だけが存在するのは一瞬の間だけであり、それ以外の時間は、この温度領域内に一つの記録磁区の一部とそれに隣接する記録磁区の一部が存在することになる。このため、単一の記録磁区の磁化情報だけを中間磁性層 9 9の T _{C R} , を超える温度領域から読み出すことが極めて困難となる。しかしながら、中間磁性層 9 9の T _{C R} , を超える温度領域が記録磁区 1 2 3の大きさよりも小さいと、この溫度領域が単一の記録磁区だけの上方に存在している時間は比較的長く、単一の記録磁区から確実に磁化情報を中間磁性層 9 9に転写することができる。以上の理由は、中間磁性層が室温以上で垂直磁化膜の場合であっても当てはまる。すなわち、中間磁性層として室溫以上で垂直磁化を示す磁性材料を用いる場合にも、記録層から中間磁性層に転写される磁区が縮小されるように転写を行わせるのが有効である。中間磁性層 9 9の磁区の大きさを記録磁区 1 2 3の大きさよりも小さくするには、図 3 8に示したように、中間磁性層 9 9の T _{C R 1} を超える温度領域が記録層 7 5の記録磁区 1 2 3の大きさ（幅）よりも小さくなるように、レーザ一パワー及び中間磁性層 9 9の T _{C R} , を調整すればよい。なお、中間磁性層 9 9に転写された磁区 1 2 4の大きさが、記録層 7 5の記録磁区 1 2 3よりも小さいことは、例えば、以下の方法によつて検証することができる。情報を記録した光磁気記録媒体から基板 1 を除去し、誘電体膜 6 5及び再生層 6 4をスパッ夕エッチングなどで取り除いた後、中間磁性層 9 9の表面を再生温度まで溫めて光学顕微鰊などで観察すればよい。図 3 8に示した例では、再生時に、記録層 7 5の記録磁区 1 2 3は中間磁性層 9 9に磁区 1 2 4として縮小されて転写され、さらに磁区 1 2 4が再生層 6 4 Cに磁区 1 2 5 として拡大されて転写される。この実施例で説明した光磁気記録媒体は情報再生時に磁界を印加する必要がない。このため、実施例 3または実施例 4で説明した再生方法及び記録再生装置において、再生磁界を印加せずに再生を実行すればよい, すなわち、この実施例で説明した光磁気記録媒体を再生する装置は、図

1 0または図 1 4に示した装置から磁界印加部及びそれに関連する信号処理系を省略して構成することができる（本発明の第 9の態様に従う装置）。あるいは、この実施例で説明した光磁気記録媒体の再生時に、図

1 0または図 1 4に示した装置の磁界印加部を駆動させなければよい。なお、光をパルス変調する場合には、実施例 5で説明したクロック発生方法を適用することができる。また、実施例 8で説明した最短磁区形状で記録する方法は、この実施例の光磁気記録媒体（本発明の第 4の態様に従う光磁気記録媒体）においても有効である。実施例 1 0

本発明の光磁気記録媒体は、ランド ' グループ型の光磁気記録媒体に適用することができる。特に、本発明を用いると、ランド幅がグループ幅よりも狭いランド · グループ型の光磁気記録媒体であってランド部に記録が行われる光磁気記録媒体が有効となる。すなわち、微小な記録磁区が狭いランド部に形成された場合であっても、再生層を通じて記録磁区は拡大されて読み出される。このため、狭いランド部に記録された微小磁区からも優れた C / Nで再生信号が得られる。本発明はこのように新規な構造の媒体構造をも可能にする。以上、本発明を実施例により具体的に説明してきたが、本発明はそれらに限定されず、それらの変形及び改良を含み得る。例えば、光磁気記録媒体を構成する材料は本発明を実現するものであれば種々の材料を使用することができ、磁区拡大再生層の前後や情報記録層またはゲー卜層の前後等の任意の位置に任意の中間層を介在させたり、あるいは層表面を加工することも可能である。例えば、実施例 1 Β及び 9に示した光磁気記録媒体の作製においては、基板上に S i Nからなる誘電体層を形成した後に再生層を形成したが、再生層を形成する前に誘電体層の表面をエッチングして平坦化した後に、再生層を形成することもできる。エツチング条件として、 A rガスを用いたマグネトロンスパッタリング法でパワーを 0 . 0 5〜0 . 2 0 W / c m ² 、スパッタ時間を 1 5〜 3 0分の範囲に調整することができる。これにより異方性の大きな磁性膜を形成することができ、光磁気記録媒体の再生特性を一層向上させることできる。また、光磁気記録媒体の再生層については、第 1 〜第 4のいずれの態様に従う光磁気記録媒体においても、垂直磁化を有する磁性層または再生光が照射されることによって所定領域が面内磁化から垂直磁化に転移する磁性層のいずれであってもよい。また、実施例 3及び 4において情報の記録を光磁界記録方式を用いて行ったが、それに限定されず、光変調方式及び磁界変調方式を用いることも可能である。産業上の利用可能性

本発明の光磁気記録媒体は、情報記録層の厚みを磁区の大きさに対して調整したために、再生磁界による磁区の拡大再生を確実に実行するとともに再生磁界を容易に制御することができる。また、本発明の光磁気記録媒体は、再生光スポッ卜で照らされた情報記録層の複数の磁区のうち一つの磁区、すなわち再生光スポッ卜径の 1 / 2以下の長さの単一の微小磁区のみをゲート層または中間層により選別し、選別した磁区を磁区拡大再生することができるために、微小磁区の記録及び高感度な再生が可能となる。よって、本発明の光磁気記録媒体は超高密度記録及びその再生が可能であるため、現代及び次世代のマルチメディァ向けの大容量記録媒体として好適である。また、本発明の第 3の態様に従う光磁気記録媒体によれば、記録層から再生層への磁化転写は静磁結合により行うので、記録層の磁区の大きさに制限されずに再生層において磁区拡大をすることができる。本発明の第 4の態様に従う光磁気記録媒体では、再生層に記録層より大きな磁区からなる磁性膜を用いるので外部磁界を用いずに記録層の磁区を拡大して再生することができる。さらに、再生層に所定の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ急峻に変化し、磁区が記録層より大きい磁性膜を用いることにより、再生層への磁区転写が確実となり且つ増幅された再生信号が得られ、それにより再生特性を向上させることができる。本発明の光磁気記録再生方法は、拡大再生層と情報記録層を備えた光磁気記録媒体に、再生クロックに同期して変調された再生磁界及び/または再生光を適用することにより、再生スポッ卜中に存在する複数の微小磁区を、独立して、高 S Z Nで且つ低いエラ—レー卜で再生することができる。本発明の光磁気記録再生装置は、変調された再生磁界及び/ または再生光を光磁気記録媒体に適用する本発明の光磁気記録再生方法に極めて有効な装置である。また、再生光と再生磁界を同一方向から適用可能な光磁気へッドを備えた再生装置を新規な構造の光磁気記録媒体を創生し、光磁気記録媒体の記憶容量を倍増することが可能となる。以上説明してきたように、本発明の光磁気記録媒体及び再生装置は次世代の超高密度記録を可能とする光磁気記録再生システムを構築することが期待される。

Claims

請求の範囲

1 . 情報記録層と、該情報記録層から転写された磁区を該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大して再生することができる磁区拡大再生層とを基板上に備えた光磁気記録媒体において、上記情報記録層の厚さ hが、該情報記録層に記録された最小磁区の長さ dに対して h/d〉 0. 5を満たす厚さであることを特徴とする上記光磁気記録媒体。

2. 前記外部磁界は、その絶対値 H rが、前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向に外部磁界を印加した場合のヒステリシスカーブの初磁化曲線の最初の立ち上がり点の磁界の絶対値 H eと、その H e の磁界と同一極性であり且つヒステリシス力一ブのメジャ一ループの立ち上がり点の磁界の絶対値 H nに対して、 H e < H r < H nの関係を満たし、

前記磁区拡大再生層に転写された磁区の寸法が、再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて拡大することを特徴とする請求項 1記載の光磁気記録媒体。

3. 前記外部磁界は、その絶対値 H rが、前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向と逆方向の外部磁界を印加した場合のヒステリシス力一ブの初磁化曲線の最初の降下点の磁界の絶対値 H sに対して、 H s < H rを満足し、

再生時に印加した前記逆方向の外部磁界の大きさに応じて、前記拡大された磁区の寸法が縮小することを特徴とする請求項 2記載の光磁気記録媒体。

4 . 前記情報記録層と前記磁区拡大再生層との間に、該情報記録層と磁区拡大再生層を静磁気的に結合させるための少なくとも 1 層の非磁性層をさらに備えることを特徴とする請求項 1 に記載の光磁気記録媒体。

5 . 基板上に、誘電体層、磁区拡大再生層、非磁性体層及び情報記録層を順次積層してなる請求項 4に記載の光磁気記録媒体。

6 . 基板上に、少なくとも、情報記録層、非磁性体層及び磁区拡大再生層を順次積層してなり、再生時に磁区拡大再生層側から再生光及び外部磁界が印加されることを特徴とする請求項 4に記載の光磁気記録媒体。

7 . 磁区拡大再生層と情報記録層との間を磁気的に結合するための中間磁性層をさらに備える請求項 1 に記載の光磁気記録媒体。

8 . 基板上に、誘電体層、磁区拡大再生層、中間磁性層及び情報記録層を順次積層してなる請求項 7に記載の光磁気記録媒体。

9 . 基板上に、少なくとも、情報記録層、中間磁性層及び磁区拡大再生層を順次積層してなり、再生時に磁区拡大再生層側から再生光及び外部磁界が印加されることを特徴とする請求項 7に記載の光磁気記録媒体。

1 0 . 上記中間磁性層が、室温で面内磁化膜であり、 8 0〜 2 0 0 ^eCの温度範囲で面内磁化膜から垂直磁化膜に遷移し、 2 0 0 °Cを超える溫度で垂直磁化膜となる磁性層を設けたことを特徴とする請求項 9に記載の光磁気記録媒体。

1 1 . 前記磁区拡大再生層は、再生光が照射されたときに、磁区拡大再生層の磁壁抗磁力が前記再生時に印加される磁界よりも小さいことを特徴とする請求項 1 〜 9のいずれか一項記載の光磁気記録媒体。

1 2 . 前記磁区拡大再生層が希土類遷移金属から構成され、該希土類遷移金属の補憒溫度が一 1 0 0〜 1 0 o °cの範囲内にあることを特徴とする請求項 1 〜9のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

1 3 . 前記情報記録層が希土類遷移金属から構成され、該希土類遷移金属の補儐溫度が— 1 0 0〜 5 0 °Cの範囲内にあることを特徴とする請求項 1 〜 9のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

1 4 . 前記磁区拡大再生層が G d F e C o合金であり、前記情報記録層が T b F e C o合金であることを特徴とする請求項 1 〜 9のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

1 5 . 前記外部磁界として交番磁界を用い、該光磁気記録媒体に再生光を照射しつつ該交番磁界の一方の極性の磁界で前記情報記録層から磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大し、交番磁界の逆方向の極性の磁界によって拡大された磁区を縮小して再生することを特徴とする請求項 1 〜 9のいずれか一項記載の光磁気記録媒体。

1 6 . 上記中間磁性屑の厚みが、該中間磁性層の磁壁の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項 7 ~ 1 0のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。 1 7 - 上記中間磁性層が、 1 O n mを超える厚みを有することを特徴とする請求項 7〜 1 0のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

1 8 . 上記情報記録層から中間磁性層に磁区が縮小されて転写されることを特徴とする請求項 7〜 1 0のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体,

1 9 . 上記情報記録層に記録された最短記録磁区は、卜ラック幅方向の長さが線方向の長さより長いことを特徴とする請求項 7〜 1 0のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

2 0 . 上記最短記録磁区の形状が、三ヶ月、矢羽根及び長方形からなる群から選ばれた一つの形状を有することを特徴とする請求項 1 9に記載の光磁気記録媒体。

2 1 . 少なくとも情報記錄層を有し、再生光を照射することによって情報を再生する光磁気記録媒体において、

磁区拡大再生層、ゲート層及び情報記録層をこの順に備え、

上記ゲート層が、上記再生光のスポッ卜を上記光磁気記録媒体に照射したときに、該再生光スポット内に生じるゲー卜層の温度分布に基づいて、上記情報記録層に記録され且つ再生光スポッ卜内に存在する複数の磁区のうち一つの磁区だけが該情報記録層から転写される層であり、上記磁区拡大再生層が、上記ゲ一卜層から転写される磁区を該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大することができる層であることを特徴とする光磁気記録媒体。

2 2. 前記外部磁界は、その絶対値 H rが、前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向に外部磁界を印加した場合のヒステリシス力一ブの初磁化曲線の最初の立ち上がり点の磁界の絶対値 H eと、 H eの磁界と同一極性であり且つヒステリシスカーブのメジャ一ループの立ち上がり点の磁界の絶対値 H nに対して、 H e < H rく Η πを満たし、前記磁区拡大再生層に転写された磁区の寸法が、再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて拡大することを特徴とする請求項 2 1 に記載の光磁気記錄媒体。

2 3. 前記外部磁界は、その絶対値 H rが、前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向と逆方向の外部磁界を印加した場合のヒステリシスカーブの初磁化曲線の最初の降下点の磁界の絶対値 H sに対して, H s < H rを満たし、

再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて、前記拡大された磁区の寸法が縮小することを特徴とする請求項 2 2に記載の光磁気記録媒体。

24. 前記磁区拡大再生層は、再生光が照射されたときに、磁区拡大再生層の磁壁抗磁力が前記再生時に印加される外部磁界よりも小さいことを特徴とする請求項 2 1 に記載の光磁気記録媒体。

2 5. 前記磁区拡大再生層以外の磁性層の厚みの合計 hが、上記情報記録層の最小磁区の長さ dに対して h/d > 0. 5を満たす厚さであることを特徴とする請求項 2 1 に記載の光磁気記録媒体。

2 6. 基板上に、少なくとも、磁区拡大再生層、ゲート層及び情報記録層をこの順に備えることを特徴とする請求項 2 1 に記載の光磁気記録媒体 ,

2 7 . 基板上に、少なくとも、情報記録層、ゲー卜層及び磁区拡大再生層をこの順に備え、再生時に、磁区拡大再生層の側から再生光及び外部磁界が印加されることを特徴とする請求項 2 1 に記載の光磁気記録媒体 ,

2 8 . 基板の両面上に、少なくとも、情報記録層、ゲー卜層及び磁区拡大再生層を、それぞれ、この順に備え、再生時に、磁区拡大再生層の側から再生光及び外部磁界が印加されることを特徴とする請求項 2 7に記載の光磁気記録媒体。

2 9 . 前記磁区拡大再生層とゲート層を静磁気的に結合させるための少なくとも 1 層の非磁性層をさらに備えることを特徴とする請求項 2 1 〜

2 7のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

3 0 . 前記再生光スポッ卜内に生じるゲー卜層の溫度分布のうち所定の温度より高温領域でゲ一卜層に情報記録層の磁区が転写され、ゲー卜層に転写された磁区が拡大再生磁性層に転写されるとともに、該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大再生磁性層に転写された磁区が拡大され、それによつて再生信号が増大することを特徴とする請求項 2 1 〜 2 7のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

3 1 . 前記再生光スポッ卜内に生じるゲート層の溫度分布のうち所定の温度より低温領域でゲー卜層に情報記録層の磁区が転写され、ゲート層に転写された磁区が拡大再生磁性層に転写されるとともに、該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大再生磁性層に転写された磁区が拡大され、それによつて再生信号が増大することを特徴とする請求項 2 1 〜 2 7のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

3 2. 前記再生光スポット内に生じるゲー卜層の温度分布のうち所定の温度範囲内の領域でゲー卜層に情報記録層の磁区が転写され、ゲー卜層に転写された磁区が拡大再生磁性層に転写されるとともに、該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大再生磁性層に転写された磁区が拡大され、それによつて再生信号が増大することを特徴とする請求項 2 1 〜 2 7のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

3 3. 上記ゲー卜層と情報記録層との間に両磁性層の磁気的な交換結合力を制御することができる少なくとも一層の磁性層を設けたことを特徴とする請求項 2 1 〜 2 7のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

3 4. 前記磁区拡大再生層が希土類遷移金属から構成され、該希土類遷移金属の補償温度が— 1 0 0〜 1 0 0 °Cの範囲内にあることを特徴とする請求項 2 1 〜 2 7のいずれか一項記載の光磁気記録媒体。

3 5. 前記磁区拡大再生層とゲート層との間に、さらに、室温で面内磁化膜であり、 8 0〜 2 0 0^eCの溫度範囲で面内磁化膜から垂直磁化膜に遷移し、 2 0 0°Cを超える温度で垂直磁化膜となる磁性層を設けたことを特徴とする請求項 2 1 〜 2 7のいずれか一項記載の光磁気記録媒体。

3 6. 前記磁区拡大再生層が G d F e C oであり、前記情報記録層が T b F e C o層であることを特徴とする請求項 2 1 〜 2 7記載の光磁気記録媒体。

3 7. T b F e C o情報記録層、 G d F e C o第 1 交換結合力制御層、 T b F e C o第 2交換結合力制御層、 G d F e C oゲート層及び G d F e C o磁区拡大再生層を含むことを特徴とする請求項 1 9〜2 7のいずれか一項記載の光磁気記録媒体。

3 8. 前記非磁性層と前記磁区拡大再生層との間に金厲反射層をさらに有することを特徴とする請求項 2 1 〜1 7のいずれか一項記載の光磁気記録媒体。

3 9. 再生時に、外部磁界として交番磁界を用い、該光磁気記録媒体に再生光を照射しつつ該交番磁界の一方の極性の磁界で前記ゲー卜層から磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大し、他方の極性の磁界によって拡大された磁区を縮小することによって再生を行うことを特徴とする請求項 2 1〜 2 7のいずれか一項記載の光磁気記録媒体。

40. 上記ゲート層の厚みが、該ゲー卜層の磁壁の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項 2 1 〜2 7のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体 _c 4 1 . 上記ゲート層が、 1 0 n mを超える厚みを有することを特徴とする請求項 2 1 〜 2 7のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

4 2. 上記情報記録層からゲ— 卜層に区が縮小されて転写されることを特徴とする請求項 2 1 〜 2 7のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体 _c

4 3. 上記情報記録層に記録された最短記録磁区は、トラック幅方向の長さが線方向の長さより長いことを特徴とする請求項 2 1〜 2 7のいずれか一項に.記載の光磁気記録媒体。

44. 上記最短記録磁区の形状が、三ヶ月、矢羽根及び長方形からなる群から選ばれた一つの形状を有することを特徴とする請求項 43に記載の光磁気記録媒体。

45. 情報が記録される記録層、非磁性層及び再生層を備える光磁気記録媒体において、

上記光磁気記録媒体が所定の温度に加熱されることによって上記記録層から再生層に静磁結合により磁化が転写され、該転写された磁化を有する磁区が再生用外部磁界の下で記録層に記録された磁区よりも拡大されて再生されることを特徴とする光磁気記録媒体。

46. 上記再生層は、室温で面内磁化膜であり且つ上記所定の温度以上で垂直磁化膜となることを特徴とする請求項 45記載の光磁気記録媒体,

47. 上記再生層は、面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度係数が 8. 0以上であることを特徴とする請求項 46に記載の光磁気記録媒体,

48. 上記再生層は、垂直磁化膜であることを特徴とする請求項 45に記載の光磁気記録媒体。

49. 上記再生層の最小安定磁区 ί圣は、上記記録層に記録された磁区より大きいことを特徴とする請求項 45に記載の光磁気記録媒体。

50. 上記非磁性層が、 S i N、 A l N、 T "i N、 S i 0₂ 、 A l ₂0₃ S i C、 T i C、 Z n O、 S i A 1 0 N、 I T O及び S n 0₂ からなる群から選ばれた少なくとも一種から構成されていることを特徴とする請求項 4 5に記載の光磁気記録媒体。

5 1 . 上記記録層に記録された最短記録磁区の線方向の長さが再生光スポット径の 1 / 2以下であることを特徴とする請求項 4 5に記載の光磁気記録媒体。

5 2. 上記情報記録層に記録された最短記録磁区は、トラック幅方向の長さが線方向の長さより長いことを特徴とする請求項 4 5〜 5 1 のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

5 3. 上記最短記錄磁区の形状が、三ヶ月、矢羽根及び長方形からなる群から選ばれた一つの形状を有することを特徴とする請求項 5 2に記載の光磁気記録媒体。

5 . 再生時に、外部磁界として交番磁界を用い、該光磁気記録媒体に再生光を照射しつつ該交番磁界の一方の極性の磁界で上記再生層に記録層から転写された磁区を拡大し、他方の極性の磁界によって拡大された磁区を縮小することによって再生を行うことを特徴とする請求項 4 5〜

5 1 のいずれか一項記載の光磁気記録媒体。

5 5. 情報が記録される記録層、中間層及び再生層を備え、該記録層から該再生層に転写された磁区の磁化状態を検出することによつて情報を再生する光磁気記録媒体において、

上記再生層の最小安定磁区径が、上記記録層に記録された磁区の大きさよりも大きいことを特徴とする光磁気記録媒体。

5 6 . 上記記録層に記録された磁区が拡大されて上記再生層に転写されることを特徴とする請求項 5 5に記載の光磁気記録媒体。

5 7 . 上記中間層が磁性層であることを特徴とする請求項 5 5に記載の光磁気記録媒体。

5 8 . 上記磁性層である中間層は、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上の温度で垂直磁化膜となることを特徴とする請求項 5 7記載の光磁気記録媒体。

5 9 . 上記中間磁性層は、面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度係数が 8 . 0以上であることを特徴とする請求項 5 8記載の光磁気記録媒体。

6 0 . 上記磁性層である中間層の厚みが、中間層における磁壁の厚み以上であることを特徴とする請求項 5 5に記載の光磁気記録媒体。

6 1 . 上記磁性層である中間層が、 1 O n m 超える厚みを有することを特徴とする請求項 5 5に記載の光磁気記録媒体。

6 2 . 上記記録層から上記中間層に磁気的に転写される磁区の大きさが記録された磁区の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項 5 5に記載の光磁気記録媒体。

63. 上記中間層が、非磁性層であることを特徴とする請求項 55に記載の光磁気記録媒体。

64. 上記非磁性層は、 S "i N、 A 1 N、丁 i N、 S i 0₂ 、 A 1 ₂〇 ₃. S i C、 T i C、 Z n O、 S i A 1 0 N , I T O及び S n 0₂ からなる群から選ばれた少なくとも一種で構成されていることを特徴とする請求項 63に記載の光磁気記録媒体。

6 5. 上記非磁性層の膜厚は、 50〜300 Aの範囲であることを特徴とする請求項 63に記載の光磁気記録媒体。

66. 上記所定の温度は、 1 00〜 1 70°Cの範囲内の温度であることを特徴とする請求項 55に記載の光磁気記録媒体。

67. 上記記録層は、 T b, D y, N dからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素と F e, C o, N iからなる群から選ばれた少なくとも —種とから構成された単層の磁性膜もしくは多層の磁性膜、または P t , P dの内の 1元素と F e, C o, N iからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素とから構成される単層の磁性膜もしくは多層の磁性膜であることを特徴とする請求項 5 5〜 66のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

68. 上記記録層が T b F e C oから構成された磁性層であることを特徴とする請求項 55〜66のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

69. 上記再生層は、 H o， G d , T b及び D yからなる群から選択された少なくとも一種の元素と F e、 C o及び N i からなる群から選択された少なくとも一種の元素とから構成された磁性膜であることを特徴とする請求項 5 5〜6 6のいずれか一項記載の光磁気録媒体。

7 0 . 上記記録層の膜厚は 5 0 0 ~ 3 0 0 0 Aの範囲であることを特徴とする請求項 5 5〜 6 6に記載の光磁気記録媒体。

7 1 . 上記再生層の膜厚は、 5 0 ~ 1 0 0 0 Aの範囲であることを特徴とする請求項 5 5〜 6 6のいずれか一項記載の光磁気記録媒体。

7 2 . 上記再生層に記録された最短記録磁区の線方向の長さが再生光スポッ卜 ί圣の 1 / 2以下であることを特徴とする請求項 5 5〜 6 6に記載の光磁気記錄媒体。

7 3 . 上記情報記録層に記録された最短記録磁区は、トラック幅方向の長さが線方向の長さより短いことを特徴とする請求項 5 5〜6 6のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。

7 4 . 上記最短記録磁区の形状が、三ヶ月、矢羽根及び長方形からなる群から選ばれた一つの形状を有することを特徴とする請求項 1 3に記載の光磁気記録媒体。

7 5 . 請求項 1 に記載の光磁気記録媒体に記録された情報を再生する方法であって、再生光を光磁気記録媒体に光照射することによって情報記録層に記録された磁区を磁区拡大再生層に転写し、該転写された磁区の磁化と同一'極性の再生磁界を印加することによって該転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。

7 6 . 前記再生磁界として再生クロックに基づいて変調された交番磁界を用い、情報記録層に記録された磁区の磁化と同一極性の磁界によって前記転写された磁区を拡大し、逆極性の磁界によって拡大された磁区を縮小することを特徴とする請求項 7 5に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

7 7 . 前記再生光のパワーを前記再生クロックに基づいて変調させることを特徴とする請求項 7 5記載の光磁気記録媒体の再生方法。

7 8 . 前記再生光のスポッ卜内に含まれ得る前記情報記録層の複数の記錄磁区のうち一つの記録磁区を磁区拡大再生層に転写させ、転写された磁区の磁化と同一極性の再生磁界を印加することによって転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする請求項 7 5に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

7 9 . 前記再生磁界は、その絶対値 H rが、前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向に外部磁界を印加した場合のヒステリシス力 —ブの初磁化曲線の立ち上がり点の磁界の絶対値 H eと、 H eの磁界と同一極性であり且つヒステリシスカーブのメジャーループの立ち上がり点の磁界の絶対値 H nに対して、 H e < H r < H nの関係を満たし、前記磁区拡大再生層に転写された磁区の寸法を、再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて拡大させることができることを特徴とする請求項 7 5 - 7 8のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

8 0 . 前記再生磁界は、その絶対値 H rが前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向と逆方向の外部磁界を印加した場合のヒステリシスカーブの初磁化曲線の最初の降下点の磁界の絶対値 H sと、 H sの磁界と同一極性であり且つヒステリシスカーブのメジャーループの降下点の磁界の絶対値 H nに対して、 H s < H r < H nの関係を満たし、再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて、前記拡大された磁区の寸法を縮小することができることを特徴とする請求項 7 9記載の光磁気記録媒体の再生方法。

8 1 . 前記再生磁界は、その絶対値 H rが前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向と逆方向の外部磁界を印加した場合のヒステリシスカーブの初磁化曲線の最初の降下点の磁界の絶対値 H sに対して、 H s < H nの関係を満たし、

再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて、前記拡大された磁区を消去することができることを特徴とする請求項 7 9記載の光磁気記録媒体の再生方法。

8 2 . 上記情報記録層に記録された磁区が、トラック幅方向の磁区の長さが線方向の磁区の長さよりも長くなるように記録されていることを特徴とする請求項 7 5〜8 1 のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

8 3 . 請求項 2 1 に記載の光磁気記録媒体に記録された情報を再生する方法であって、再生光を該光磁気記録媒体に光照射することによって情報記録層に記録された磁区をゲー卜磁性層を通じて拡大再生層に転写させ、該転写された磁区の磁化と同一方向の再生磁界を印加することによつて該転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。

8 4 . 前記再生光のスポッ卜内に含まれる前記情報記録層の複数の記録磁区をゲー卜層に個別に発生させ、発生した一つの磁区を前記磁区拡大再生層に転写させ、該転写した磁区の磁化と同一方向の再生磁界を印加することによって転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする請求項 8 3記載の光磁気記録媒体の再生方法。

8 5 . 再生磁界として再生クロックに基づいて変調された交番磁界を用い、情報記録層に記録された磁区の磁化と同一極性の磁界によって前記転写された磁区を拡大し、逆極性の磁界によって拡大された磁区を縮小することを特徴とする請求項 8 3に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

8 6 . 前記再生光のパワーを、前記再生クロックに基づいて変調させることを特徴とする請求項 8 3に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

8 7 . 前記再生磁界は、その絶対値 H rが、前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向に外部磁界を印加した場合のヒステリシスカ —ブの初磁化曲線の最初の立ち上がり点の磁界の絶対値 H eと、 H eの磁界と同一極性であり且つヒステリシスカーブのメジャーループの立ち上がり点の磁界の絶対値 H nに対して、 H e < H r < H nの関係を満たし、

前記磁区拡大再生層に転写された磁区の寸法を、再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて拡大させることができることを特徴とする請求項 8 3〜8 6のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

8 8 . 前記再生磁界は、その絶対値 H rが、前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向と逆方向の外部磁界を印加した場合のヒステリシスカ—ブの初磁化曲線の最初の降下点の磁界の絶対値 H sに対して. H s < H rの関係を満たし、

再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて、前記拡大された磁区の寸法を縮小することができることを特徴とする請求項 8 7記載の光磁気記録媒体の再生方法。

8 9 . 前記再生磁界は、その絶対値 H rが、前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向と逆方向の外部磁界を印加した場合のヒステリシスカーブの初磁化曲線の最初の降下点の磁界の絶対値 H sに対して. H s < H nの関係を満たし、

再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて、前記拡大された磁区を消去することができることを特徴とする請求項 8 7記載の光磁気記録媒体の再生方法。

9 0 . 光磁気記録媒体に記録された情報を磁気光学効果によって再生する光磁気記録媒体の再生方法において、

上記光磁気記録媒体として、情報記録層と、該情報記録層の磁区が転写され且つ転写された磁区を外部磁界によって拡大することができる磁区拡大再生層とを基板上に備えた光磁気記録媒体を用い、

再生クロックに基づいて変調された再生磁界と再生クロックに基づいて変調された再生光の少なくとも一方を上記光磁気記録媒体に適用することによって、上記情報記録層から磁区拡大再生層に転写された磁区を上記情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。

9 1 . 再生クロックに基づいて変調された再生磁界を印加しながら、連続再生光を照射することによって情報を再生する請求項 9 0に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

9 2 . 再生ク口ックに基づいて変調された再生光を照射しながら、連続磁界を印加することによって情報を再生する請求項 9 0に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

9 3 . 再生クロックに基づいて変調された再生光を照射しながら、再生クロックに基づいて変調された再生磁界を印加することによって情報を再生する請求項 9 0に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

9 4 . 前記再生磁界として交番磁界を用い、前記情報記録層に記録された磁区の磁化と同一方向の極性の磁界により磁区拡大再生層の磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大した後、逆の極性の磁界により磁区拡大再生層の拡大された磁区を縮小することを繰り返すことによつて、拡大された各磁区から増幅された再生信号を検出することを特徴とする請求項 9 0記載の光磁気記録媒体の再生方法。

9 5 . 上記光磁気記録媒体が、上記情報記録層と上記磁区拡大再生層との間に中間磁性層を備えた光磁気記録媒体であり、再生光を該光磁気記録媒体に光照射することによって情報記録層に記録された磁区を、中間磁性層に縮小させて転写させ、該中間磁性層から磁区拡大再生層に転写させ、該磁区拡大再生層に転写された磁区の磁化と同一極性の再生磁界を印加することによって該転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする請求項 9 0に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

9 6 . 上記光磁気記録媒体が、基板上に少なくとも情報記録層、中間磁性層及び磁区拡大再生層を順次積層してなる光磁気記録媒体であり、再生光を磁区拡大再生層の側から該光磁気記録媒体に光照射することによって情報記録層に記録された磁区を磁区拡大再生層に転写し、該転写された磁区の磁化と同一極性の再生磁界を磁区拡大再生層の側から印加することによって該転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することを特徴とする請求項 9 0に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

9 7 . 前記再生磁界は、その絶対値 H rは前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向に外部磁界を印加した場合のヒステリシス力一ブの初磁化曲線の最初の立ち上がり点の磁界の絶対値 H eと、 H eの磁界と同一極性であり且つヒステリシスカーブのメジャ一ループの立ち上がり点の磁界の絶対値 H nに対して、 H e < H r < H nの関係を満たし. 前記磁区拡大再生層に転写された磁区の寸法を、再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて拡大させることができることを特徴とする請求項 9 0〜 9 6のいずれか一項に記載に記載の光磁気記録媒体の再生方法,

9 8 . 前記再生磁界は、その絶対値 H rが、前記磁区拡大再生層に転写された磁区を拡大する方向と逆方向の外部磁界を印加した場合のヒステリシスカーブの初磁化曲線の最初の降下点の磁界の絶対値 H sに対して H s < H rの関係を満たし、

再生時に印加した外部磁界の大きさに応じて、前記拡大された磁区の寸法を縮小させることができることを特徴とする請求項 9 7記載の光磁気記録媒体の再生方法。

9 9 . 前記情報記録層が、ゲ— 卜層、交換結合力制御層及び情報記録用磁性層からなることを特徴とする請求項 9 0に記載の光磁気記録媒体の再生方法。

1 0 0 . 光磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生装置において, 上記光磁気記録媒体に再生用磁界を印加する磁気へッドと、

上記光磁気記録媒体に再生光を照射する光へッドと、

再生クロックを発生させるためのクロック発生装置と、

上記再生用磁界及び再生光の少なくとも一方を上記再生クロックに基づいてパルス変調するために上記磁気へッド及び光へッドの少なくとも一方を制御する制御装置を備えることを特徴とする光磁気記録媒体の再生装置。

1 0 1 . 上記光磁気記録媒体が記録層及び該記録層からの磁化が転写される再生層を備える光磁気記録媒体であり、

上記再生装置が、再生層に転写された磁区を拡大して情報を再生することを特徴とする請求項 1 0 0に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 0 2 . さらに、光へッド駆動装置と、上記再生クロックに基づいて上記再生光をパルス変調するための第 1 同期信号を発生させる第 1 同期信号発生回路とを備え、第 1 同期信号により光へッド駆動装置が制御されることを特徴とする請求項 1 0 0に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 0 3 . 上記第 1 同期信号発生回路が、再生光のパルス周期、パルス幅及び位相を制御することを特徴とする請求項 1 0 2に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 0 4 . 上記再生装置が、光磁気記録媒体に情報を記録する機能を備えさらに、記録光のパルス周期、パルス幅及び位相と再生光のパルス周期パルス幅及び位相をそれぞれ切り換えて制御する制御回路を備えることを特徴とする請求項 1 0 0に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 0 5 . さらに、磁気へッド駆動装置と、上記再生クロックに基づいて上記再生用磁界をパルス変調するための第 2同期信号を発生させる第 2 同期信号発生回路とを備え、第 2同期信号により磁気へッド駆動装置が制御されることを特徴とする請求項 1 0 0に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 0 6 . 上記第 2同期信号発生回路が、再生磁界のパルス周期、パルス幅及び位相を制御することができることを特徴とする請求項 1 0 5に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 0 7 . 上記再生装置が、光磁気記録媒体に情報を記録する機能を備えさらに、記録磁界のパルス周期、パルス幅及び位相と再生磁界のパルス周期、パルス幅及び位相をそれぞれ切り換えて制御する制御回路を備えることを特徴とする請求項 1 0 5に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 08. さらに、光へッド駆動装置と、上記再生ク口ックに基づいて上記再生光をパルス変調するための第 1 同期信号を発生させる第 1 同期信号発生回路と、磁気へッド駆動装置と、上記再生クロックに基づいて上記再生用磁界をパルス変調するための第 2同期信号を発生させる第 2同期信号発生回路とを備え、

第 1 同期信号により光へッド駆動装置が制御され、第 2同期信号により磁気へッド駆動装置が制御されることを特徴とする請求項 1 00に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 09. 上記再生クロックは、上記光へッドにより検出された信号から発生することを特徴とする請求項 1 00〜 1 08のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 0. 上記再生ク口ックは、上記光磁気記録媒体に形成されたピッ卜、ファインクロックマーク及びゥ才ブル形状の溝からなる群から選ばれた一つから検出された信号に基づいて発生することを特徴とする請求項 1

00- 1 0 8のいずれか一項記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 1 . 上記再生ク口ックは上記光へッドにより検出された信号から発生するとともに、単位ビッ卜当たり 1周期以上の周期を有することを特徴とする請求項 1 00〜 1 0 8のいずれか一項記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 2. 上記パルス変調された磁界のデューティは、 0. 1 5〜0. 9 の範囲であることを特徴とする請求項 1 00〜 1 08のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 3. 上記パルス変調された磁界のデューティは、 0. 1 5〜0. 6 の範囲であることを特徴とする請求項 1 1 2に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 4. 上記パルス変調された再生光の周波数は、前記パルス変調された再生磁界の周波数の 2倍であることを特徴とする請求項 1 0 8に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 5. 上記光へッドと上記磁気へッドが光磁気記録媒体に対して同一の側に装着されている請求項 1 0 0〜 1 0 8のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 6. 上記光へッドを構成する対物レンズの周囲に磁気コィルが巻き付けられることによって光へッドと磁気へッドが一体化されていることを特徴とする請求項 1 0 0~ 1 0 8のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 7. 実質的にオーバーシュ— トを持たない磁界波形を磁気へッドから発生させるための制御回路を備えることを特徴とする請求項 1 0 0〜 1 0 8のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 8. 上記制御回路が、徐々に磁界強度が増大する磁界パルス波形を磁気へッドから発生させるための回路であることを特徴とする請求項 1 1 7に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 1 9 . 上記磁界パルス波形が、三角波または正弦波であることを特徴とする請求項 1 1 8に記載の光磁気記録媒体の再生装置。

1 2 0 . 光磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生装置において. 上記光磁気記録媒体に再生光を照射する光へッドと、

上記光へッドを駆動する光へッド駆動装置と、

再生クロックを発生させるためのクロック発生装置と、

上記再生クロックに基づいて、上記再生光をパルス変調するために上記光へッド駆動装置を制御する制御装置を備え、

上記光磁気記録媒体が、情報が記録される記録層、中間層及び再生層を備え、該再生層の最小安定磁区 ί圣が上記記録層に記録された磁区の大きさよりも大きい光磁気記録媒体であり、該記録層から該再生層に拡大されて転写された磁区の磁化状態を検出することによって情報を再生する光磁気記録媒体の再生装置。