CN1221510A - 磁光记录媒体及其再生方法和再生装置 - Google Patents

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山口淳
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Abstract

向光磁记录媒体(11)照射再生光(13),用选通(gate)层(17)仅仅识别记录到记录层(18)上的比再生光(13)光斑直径的1/2还小的微小磁区(313b)并复制到磁区扩大再生层(3)上,用交变磁场的扩大再生磁场(411)扩大已复制到磁区扩大再生层(3)上的磁区。从扩大后的磁区(419)可以得到大的再生信号输出,可以用高分辨率且高S/N对微小磁区进行再生。扩大后的磁区(419)用交变磁场的缩小再生磁场(415)进行缩小。选通层(17)的厚度大于选通层(17)的磁区的磁畴壁的厚度。可以不用选通层(17)而代之以使用非磁性层。

Description

磁光记录媒体及其再生 方法和再生装置
技术领域
本发明涉及可以以高分辨率和高S/N再生已记录在微小磁区上的信息的磁光记录媒体，更为详细地说，涉及在再生微小磁区已被记录的磁光记录媒体之际，可以个别地且可扩大再生存在于再生用激光光斑内的多个微小磁区的磁光记录媒体及其再生方法以及适合于此的再生装置。
技术背景
光磁盘等的磁光记录媒体，作为信息可以改写且具有大记录容量的光存储器广为人知。为了使该磁光记录媒体高密度化，人们考虑使记录磁区微小化来进行记录。使记录磁区微小化来进行记录，虽然借助于用光磁场调制方式是可以实现的，但为了独立地再生这样的微小磁区希望缩小再生光斑的直径。但是，由于光斑径因光头的NA而有限界，所以渴望一种在维持光斑径现状不变的情况下再生微小磁区的技术。在想把再生激光的光斑径维持为现状的大小不变来再生极其微小的记录磁区的情况下，必须解决下述问题。
(1)由于再生光的光斑径与记录磁区(记录标记)的尺寸比过大，故存在于再生光斑内的多个磁区不可能个别地检测。就是说，由于再生分辨率不够，不能进行每一磁区的再生。
(2)由于各个记录磁区的面积小，故再生信号小。为此，再生信号的S/N低。
作为用于解决上述(1)的问题的一个方法，例如，在Journal ofMagnetic of Japan No.S1,pp.201(1993)中，提出了磁超析象技术。磁超析象用磁光记录媒体通常用磁超析象用再生层、交换力控制层、信息记录层构成。用再生用激光再生磁超析象用磁光记录媒体的情况下，在记录有想再生的信息的磁盘上的某一区域变成为光斑之外的情况下，信息记录层中所记录的磁区已全部被复制到磁超析象用再生层中。而在该区域在光斑之内的情况下，2个磁区处于同一光斑内，再生信号将变成各个磁区所形成的信号的和，所以，不能从该和信号中分离再生分别来自一个磁区的信号。于是，采用进行掩蔽使得看不到一方的磁区的办法，就可以仅仅再生另一方的磁区。象这样地采用缩小光斑的实效视野的办法使再生分辨率提高的方法，就是磁超析象技术。但是，即便是使用磁超析象技术，来自各个磁区的再生信号强度仍然不变，所以不能解决上述(2)的问题。
此外，还提出了用来再生以高密度记录下来的记录磁畴的再生装置。作为其例子，有在光路中插入遮光物，用光学性超析象得到超过激光的衍射界限的聚光光斑的光学性磁超析象技术。关于该技术，在Yamanaka et a1.,“High Density Optical Recording by Super Resolution”,Jan.J.Appl.Phys.,28,Supplement 28-3,1989,pp.197-200中进行了详细的讨论。此外，人们还知道下述方法：采用使由用通常的激光束或者光学性超析象手法产生的主光瓣和一对子光瓣构成的激光束脉冲化的办法，减小温度上升区域，实现高密度的记录/再生。
然而，本发明者在日本特开平8-7350号公报中，公开了一种在基板上具有再生层和记录层，采用在再生时把记录层的磁区复制到再生层上的同时加上再生磁场的办法，可以扩大再生复制到再生层上的磁区的磁光记录媒体。作为再生磁场使用交变磁场，并采用交互加上扩大磁区的方向的磁场和逆方向的磁场的办法在各个磁区中进行磁区的扩大和缩小。若使用该磁光记录媒体，则可以解决上述(2)的问题，且可以放大磁区的再生信号。但是，用来使再生层的磁区扩大的再生磁场的控制是不容易的，还需要进一步改进。
此外，如在日本特开平8-7350号公报中所公开的那样，在用交换耦合力进行磁区复制的情况下，结果将变成为在磁区被复制的再生层中的磁区扩大被记录层的磁区的大小所限制。即，在再生层的记录一侧的部分中，不能从记录层的磁区进行扩大，随着偏离记录层磁区将变大。因此，也存在着下述问题：在想再生的记录层的磁区的正上方的再生层中，在深度方向上将变成为全部与记录层的磁化相同的方向，但是，在从想再生的磁区向面内方向偏离开来的区域中，在深度方向上易于混合存在着与和记录层的磁化方向相同的磁区的部分方向不同的磁区的部分。
为了与近些年来的信息机器的多媒体化进行应对，要求能够以更高的记录密度进行记录的磁光记录媒体，而且，需要一种以更高的分辨率，高灵敏度，和高可靠性进行再生的技术。
本发明的第1个目的是：提供一种解决上述问题(1)和(2)，的同时，由再生磁场进行的磁区扩大的控制容易进行的磁光记录媒体。
本发明的第2个目的是：提供一种同时解决上述问题(1)和(2)，且可以记录微小磁区，并能够以高分辨率和高可靠性从微小磁区得到再生信号的新的磁光记录媒体。
本发明的第3个目的是：提供一种同时解决上述问题(1)和(2)，且可以以高分辨率高灵敏度再生已进行了记录的微小磁区的新的磁光记录媒体的再生方法。
本发明的第4个目的是：提供一种对于实现上述第1和第2目的磁光记录媒体的再生适用的再生装置。
发明的公开
若根据本发明的第1方案，则在基板上具备有信息记录层，和可以采用加上与从该信息记录层复制下来的磁区同一极性的外部磁场的办法，扩大再生该磁区的磁区扩大再生层的磁光记录媒体中，
提供特征如下的上述磁光记录媒体：上述信息记录层的厚度h，是对于上述已经进行了记录的最小磁区的半径d满足h/d＞0.5的厚度。本发明人之一的粟野，在日本特开平8-7350号中，公开了一种磁光记录媒体：具有再生层和记录层，在信息再生时，采用加上与从记录层已复制到再生层上的磁区同一极性的外部磁场的办法，可以把该磁区扩大为比记录层的磁区还大之后进行再生。在本发明的第1方案中，在日本特开平8-7350号公报所公开的磁光记录媒体中，示出了对扩大加以外部磁场而复制到再生层上的磁区更为合适的构造的磁光记录媒体。就是说，如果用构成为使信息记录层的厚度满足h/d＞0.5的本发明的磁光记录媒体，则可以实现良好的磁区扩大，且可以容易地控制对于磁场的磁区扩大再生层的磁区的大小的变化。
在本发明的第1方案的磁光记录媒体中，可以用补偿温度处于-100～50℃的范围内的稀土族过渡金属构成磁区扩大再生层。这样一来，采用扩大再生已经从信息记录层复制到磁区扩大再生层上的磁区的办法，就可以得到高分辨率且高S/N的磁光记录媒体。
若根据本发明的第2方案，则在在基板上至少具有信息记录层，并采用照射再生光斑的办法再生信息的磁光记录媒体中，
提供特征如下的磁光记录媒体：
在上述基板上，以如下顺序具备磁区扩大再生层、选通(gate)层和信息记录层，
上述选通层是在把再生光照射到上述磁光记录媒体上的时候，根据在该再生光斑内产生的选通层的温度分布，从该信息记录层仅仅复制记录于上述信息记录层中且存在于再生光斑内的多个磁区之内的一个磁区的层，
上述磁区扩大再生层是可以采用加上与从上述选通层复制的磁区同一极性的外部磁场的办法，扩大再生该磁区的层。在本发明的第2方案中，把含于再生用光斑直径中的信息记录层的多个记录磁区之内的一个记录磁区，利用选通层的温度分布特性复制到磁区扩大再生层中，再用再生磁场扩大并检测已复制到该磁区扩大再生层中的一个磁区，用磁区扩大再生技术增大再生信号强度，以提高S/N。
首先，用图1～5对遵从本发明的第2方案的磁光记录媒体及其再生方法的原理进行说明。在图1A中，示出了采用边向本发明的磁光记录媒体11照射记录用激光13，边加记录磁场15的办法，作为微小区域记录信息的概念图。磁光记录媒体由磁区扩大再生层3，中间层4，选通层16，交换耦合力控制层17和信息记录层18构成。向这样的磁光记录媒体11中进行的信息的记录，可以使用光磁场调制方式，采用边加与记录信号相对应的极性的磁场，边照射与记录时钟同步的激光脉冲的办法进行。对于记录用激光13，由于磁光记录媒体11向图中箭头所示的方向移动，故可以把偏离到光斑中心的后方的区域19加热到更高的温度。由于信息记录层18的区域19的顽磁力因加热而下降，故在其冷却过程中，可以形成磁化朝向记录磁场15的方向的微小区域。此外，在该原理说明中，磁光记录媒体，假定例如使用图2中概念性地示出的那样的磁光记录再生装置200进行记录再生。图2中，磁光记录媒体210由主轴电动机217对于光头213和飞行(flying)磁头215进行旋转移动，在再生时，则用初始化磁铁211加上初始化磁场。
如图1B所示，把初始化磁场12与记录磁场方向相反地加到磁光记录媒体11上。在选通层16上的顽磁力由于比初始化磁场小，故已记录到选通层16上的磁区反转后完全朝向初始化磁场12的方向。对此，信息记录层18的顽磁力的记录磁区313b的磁化则保持原样不变。选通层16和信息记录层18的磁区313b由于互相反平行，所以，其界面将变成为不稳定。
如上所述，在选通层16初始化后，磁光记录媒体11如图3所示，在再生光的下边再生。在再生时照射比记录光还低的功率的再生光，与记录光的情况一样，可以把已经偏离到光斑中心的后方的区域加热到更高的温度，在高温加热后的区域314中，选通层16的顽磁力下降并通过交换力控制层17，用信息记录层18和选通层16之间的交换耦合力把信息记录层18的磁区313b复制到选通层16上，此外还复制到磁区扩大再生层3上。另一方面，信息记录层18的另一记录磁区313a，由于与磁区13a对应的选通层16的区域是比较低温的区域，其顽磁力不下降，故不复制到选通层16上。因此，在扩大之后从上方来看磁光记录媒体的情况下，如图3的下方所示，在激光光斑311中，只有已经达到高温的区域315才会使磁能降低，所以在选通层16上作为记录标记出现信息记录层18的记录磁区313b，此外该标记还出现在磁区扩大再生层3上。另一方面，在光斑311中的区域315以外的区域中，由于磁区313的复制被选通层16阻止，故保持没有信息记录层的磁区313b的原样不变。因此，采用在图3所示的那样的原理之下照射再生光的办法，就可以独立地仅仅再生存在于多个微小磁区内的一个微小磁区。
在本发明中，采用向上述那样地用选通层16的办法，就可以把选中的一个微小磁区复制到扩大再生层3上后再在再生用激光光斑内进行扩大。这种扩大在磁区扩大再生层3中进行，用图4A说明其原理。其中，磁区扩大再生层3是可以从选通层16复制微小磁区且将之用再生磁场进行扩大的磁性层。磁区扩大再生层3是具有在再生光照射时比再生磁场还小的磁畴壁抗磁力，使得可以借助于加上再生磁场使磁畴壁移动来扩大磁区的垂直磁化膜。在图3所示的再生状态，即在已经从信息记录层18把微小磁区313b复制到选通层16和磁区扩大再生层3中的状态下，如果在与微小磁区313b的磁化同一方向上加上扩大再生磁场411，则由于在磁区扩大再生层3中磁畴壁抗磁力小，故磁畴壁向扩大磁区的方向移动，形成扩大磁区419。结果如图4A的下方所示，可以观察到在再生光斑311内扩大后的标记(在磁区扩大再生层中扩大后的磁区419)413。由于微小磁区象这样地扩大出现在磁光记录媒体的表面上，故可以从这样扩大后的磁区得到具有充分的强度的再生信号。
在信息记录层18的扩大磁区419再生后，如图4B所示，当在与扩大再生磁场411相反方向的方向上加上缩小再生磁场时，磁区扩大再生层3的扩大磁区419缩小，具有与缩小再生磁场415的磁场方向相同的磁化方向的区域将变成为占优势。可以用交变磁场加上这样的缩小再生磁场415和扩大再生磁场414，采用使交变磁场的周期与记录时钟同步的办法，可以在每一微小磁区上得到放大后的再生信号。
在这里，对再生时所加再生磁场的大小和这样的磁场与在磁区扩大再生层3上出现的标记的大小的关系，用图5A的磁滞回线进行说明。图5A的磁滞回线，表示边照射与再生时相同的功率的再生光，边把种种的磁场H加到磁光记录媒体上时，对所观察的磁区扩大再生层3的克尔旋转角θK相对的磁场H的变化。但是，该磁滞回线，在图3～6的构造的磁光记录媒体中，表示用再生光照射已经复制了其下层的信息记录层的记录磁区后的状态的磁区扩大再生层的磁滞回线。由于信息记录层的记录磁区已经复制，故磁场H即便是为零，也表示规定的克尔旋转角θ(图中点a)。这样一来，当慢慢地加上与这样的磁记录区的磁化的极性相同的极性的磁场H时，初始磁化曲线往上升，其最初的上升用点b表示。初始磁化曲线上升，相当于根据磁场H的大小磁区扩大再生层3的磁畴壁从磁区的中心向外侧移动，磁区在层内扩大(图4A的磁区419)。这样，初始磁化曲线借助于磁化的饱和使克尔旋转角不再增加。此外，在含有磁滞回线的初始磁化曲线的a,b在内的各个点上，示出了从上方看磁区扩大再生层3的磁区图形的显微镜照片的概念图。点a处的磁区图形(黑圆图形)是用通过选通层16照射再生光把信息记录层18的磁区复制到磁区扩大再生层3上后的磁区，从各点的图形可知，从这一状态开始随着在曲线上磁场变大磁区扩大的情况。在克尔旋转角θ已经饱和时，在磁区扩大再生层3的整个面上磁区反转。
在图5A的磁滞回线中，把与在扩大磁区扩大再生层的方向上所加的磁场为同一极性且磁滞回线的主环(表示初始磁化曲线一旦饱和后的轨迹的外侧的环)的上升点c处的磁场叫做新建磁场，用Hn表示其绝对值，把通过选通层16，把磁场加到与扩展从信息记录层5复制的磁区扩大再生层3的记录磁区的方向上的初始磁化曲线的最初的上升点b处的磁场，叫做磁畴壁扩大磁场，如果用He表示其绝对值，则理想的是再生磁场绝对值Hr在He＜Hr＜Hn的范围内加再生磁场。因为，如果Hr比He小，则不会扩大已经复制到磁区扩大再生层3上的记录磁区，如果Hr变得比Hn还大，则即便是在信息记录18中不存在记录磁区(种子磁区)，也会使其上方的磁区扩大再生层3的磁区反转并作为信号读出。
图5B在图5A的磁滞回线中，示出了通过选通层16把磁场加到使从信息记录层18复制下来的磁区扩大再生层3的记录磁区进行收缩的方向上情况下的初始化曲线。若把与这样的初始化曲线处于同一极性一侧，且磁滞回线的主环(表示初始化曲线一旦饱和后的轨迹的外侧的环)的最初的下降点c′处的磁场当作新建磁场，其绝对值用Hn表示，把初始化曲线的下降点d处的磁场叫做磁畴壁收缩磁场，其绝对值用Hs表示，则若在Hs＜Hr的范围内加上磁场，则可以测定再生后的磁区的缩小。在图5B中，也示出了从上方看磁区扩大再生层3的磁区图形的显微镜照片的概念图。在点e，由于缩小方向的磁场过大，复制到扩大再生层上的记录磁化已经完全消失。因此，在确实地想消去记录磁化的情况下，可以把磁场调整为Hs＜Hn＜Hr。另外，在图5A和5B中所画的磁滞回线和在说明书中所提到的磁滞回线是遵从本发明的磁光记录媒体的再生方法，在进行磁光再生的条件下的磁滞回线，示出了对实际上用磁光记录媒体用的记录再生装置在照射再生光升温后的种种的磁场的克尔旋转角(或者磁化)的特性。因此，磁滞回线和Hs,Hn和Hr是边用实际的磁光记录再生装置照射再生用功率的再生光边进行测量的。
如上所述，在本发明中，由于具有选通层，故即便是在信息记录层中存在着多个磁区也可以仅仅使一个磁区浮出(复制)到选通层16上，此外，还可以在使已复制到该选通层16上的一个微小磁区复制到扩大再生层3上的同时，用再生磁场扩大检测(再生)。因此，可以用高分辨率S/N再生用磁光调制方式形成的微小磁区。
此外，在上述原理说明中，虽然举出了在再生光斑内产生的选通层的温度分布内，在比规定的温度更高的温度区域中，把信息记录层的磁区复制到选通层内的磁性层的例子对选通层进行了说明，但是，也可以用在再生光斑内产生的选通层的温度分布内，在比规定的温度更低的温度区域中，把信息记录层的磁区复制到选通层内的那样的磁性层，或者，在再生光斑内产生的选通层的温度分布内，规定的温度范围内，把信息记录层的磁区复制到选通层内的那样的磁性层上。
若根据本发明的第3方案，则在具备记录信息的记录层，非磁性层和再生层的磁光记录媒体中，
提供特征如下的磁光记录媒体：其中通过把上述磁光记录媒体加热到规定的温度的办法，用静磁耦合把磁化从上述记录层复制到再生层上，具有被复制的磁化的磁区，比在再生用外部磁场下被复制到记录层上的磁区进一步扩大而被再生。
在日本特开平8-7350号公报的磁区扩大再生技术中，采用在记录层和再生层之间存在有中间磁性层的办法，虽然使中间磁性层和再生层进行磁耦合，但是，在本发明的第3方案的磁光记录媒体中，采用使得在记录层和再生层之间存在非磁性层的办法，并采用使记录层和再生层进行静磁耦合的办法，进行从记录层向再生层的复制。
在遵从本发明的第3方案的磁光记录媒体中，可以把再生层作成为既是在室温下面内磁化膜，又是在上述规定的温度以上的温度下变成为垂直磁化膜的磁性层，在这种情况下，从面内磁化膜向垂直磁化膜变化的温度系数可以定为大于8.0。记录在上述再生层内的磁区的磁道方向的最小长度可以定为小于再生光斑直径的1/2。
若根据本发明的第4方案，则在具备记录信息的记录层，中间层和再生层的，并采用检测已从该记录层复制到该再生层上的磁区的磁化状态的办法再生信息的磁光记录媒体中，
提供特征如下的磁光记录媒体：上述再生层的最小稳定磁区直径比上述记录层中所记录的磁区的大小还大。
在遵从本发明的第4方案的磁光记录媒体中，再生层的最小稳定磁区直径比上述记录层中所记录的磁区的大小还大。因此，已复制到再生层中的磁区进一步扩大，采用从这样扩大后的磁区读取磁化信息的办法，就可以得到高S/N的再生信号。在该方案的磁光记录媒体中，与第1～3的方案的磁光记录媒体不同，即便是不加再生用磁场，也可以扩大已从记录层复制到再生层上的磁区。因此，可以用与现有技术相同的再生装置进行再生。此外，所谓‘最小稳定磁区直径’，意味着在磁性薄膜中可以稳定地存在的最小磁区的直径，可用下式给出。
dmin=σw/(2McHc)    ………(1)
其中，σw表示磁畴壁能量密度，Mc表示磁化方向，Hc表示顽磁力。
遵从本发明的第4方案的磁光记录媒体的中间层可以作成为磁性层或者非磁性层。就是说，在中间层是磁性层的情况下，记录层的记录磁区通过记录层，中间层和再生层的交换耦合复制到再生层上，在中间层是非磁性层的情况下，记录层的记录磁区用记录层和再生层之间的静磁耦合复制到再生层上。
在遵从本发明的第1、2、4的方案的磁光记录媒体中，在再生层(扩大再生层)和记录层(信息记录层)之间插入的中间层(中间磁性层或选通层)是磁性层的情况下，中间层的厚度理想的是大于中间层的磁区的磁畴壁厚度。这是因为，例如，在使用在中间层内在室温下显示面内磁化，在规定温度(临界温度)以上的温度下从面内磁化向垂直磁化转移的磁性薄膜的情况下，要使该转移成为可能的话，就必须在发生转移的磁区和与该磁区相邻的面内磁化的磁区之间的磁畴壁(以下，叫做中间层的磁畴壁)之内，磁自旋弯曲90度。磁畴壁的厚度，例如可用霍尔效应按照以下的操作来测定。使中间层、再生层、记录层在一个方向上磁化，测定这时的霍尔电压(V2)。此外如设中间层、再生层、记录层的霍尔电阻和膜(层)厚分别ρ1、ρ2、ρ3、t1、t2、t3，则在没有磁畴壁的情况下，霍尔电压V3变成V3=I×(t1ρ1+t2ρ2+t3ρ3)/(t1+t2+t3)(式中，I是流入膜(层)内的电流)。因此，包括界面磁畴壁在内的电压的绝对值|V1-V2|和2V3之差(V4)表示界面磁畴壁的厚度。此外，还可以用各层的交换稳定性(stiffness)系数、垂直磁各向异性能量系数、和饱和磁化估计表示上述霍尔电压V4的磁自旋状态。这样的界面磁畴壁的计算方法，已登载在R.maimhall,et al.,Proceedings of OpticalData Strang 1993 p204～213中，可以参阅该文献。在本发明中，中间层的厚度理想的是要大于由用霍尔效应的测定法测定的磁畴壁的厚度。例如，在中间层的磁性材料是GdFeCo系，例如是由GdxFyCoz(20≤X≤35,50≤Y≤100,0≤Z≤50)构成的情况下，根据上述计算方法可以算出磁畴壁的厚度约为50nm。因此，在中间层由GdxFyCoz(20≤X≤35,50≤Y≤100,0≤Z≤50)构成的情况下，要求磁性层的厚度大于50nm。
如上所述，虽然磁畴壁的厚度因中间层(或选通层)的磁性材料和组成而异，但是，如果是在磁光记录媒体的磁性层中所用的磁性材料的话，一般说来，最低也需要10nm。因此，中间层的厚度理想的是做成为超过10nm的厚度。作为中间层厚度的上限，理想的是由于半导体激光器功率的限制而不到100nm。为此，作为中间层的厚度，理想的是10＜t＜100nm。
在遵从本发明的第1、2、4的方案的磁光记录媒体中，在该中间层是磁性层的情况下，为了使从记录层复制到中间层(选通层)的磁区稳定化，理想的是使从记录层磁复制到中间层(选通层)的磁区比所记录的磁区还大。
若根据本发明的第5方案，这是一种再生本发明的第1方案的磁光记录媒体中所记录的信息的方法，则这种方法可以提供特征如下的磁光记录媒体的再生方法：采用向该磁光记录媒体照射再生光的办法，把在信息记录层上记录的磁区复制到磁区扩大再生层上，再采用加上与该复制后的磁区的磁化同一极性的再生磁场的办法，就可以比信息记录层中所记录的磁区的尺寸扩大地再生该复制后的磁区。在这里，作为上述再生磁场，理想的是使用与再生时钟同步的交变磁场，用与在信息记录层中所记录的磁区的磁化同一极性的磁场扩大上述复制下来的磁区，并用相反极性的磁场缩小扩大后的磁区。
在上述本发明的方法中，在信息再生时，把可以含于再生光斑内的上述信息记录层的多个记录磁区个别地复制到磁区扩大再生层内，并采用加上与复制后的磁化同一极性的再生磁场的办法，就可以比磁区信息记录层中记录的磁区的尺寸扩大地再生复制后的磁区。
此外，若根据本发明的第6方案，这是一种再生本发明的第2方案的磁光记录媒体中所记录的信息的方法，则这种方法可以提供特征如下的磁光记录媒体的再生方法：采用把再生光照射到该磁光记录媒体上的办法，通过控制磁性层把信息记录层中所记录的磁区复制到扩大再生层上，再采用加上与该复制后的磁区的磁化同一方向的再生磁场的办法，比信息记录层上记录的磁区的尺寸扩大地再生该复制后的磁区。倘采用该方法，在上述再生时，就可以通过选通层使上述信息记录层的多个记录磁区聚焦到一个磁区上，把所产生的一个磁区复制到上述磁区扩大再生层上，再采用加上与该复制后的磁区的磁化同一方向的再生磁场的办法，比信息记录层中所记录的磁区的尺寸扩大地再生所复制的磁区。
若根据本发明的第7方案，则在用磁光效应再生在磁光记录媒体中记录的信息的磁光记录媒体的再生方法中，
可以提供特征如下的磁光记录媒体的再生方法：
作为磁光记录媒体，应用在基板上具备信息记录层，和该信息记录层的磁区可以复制，且复制后的磁区可以用外部磁场扩大的磁区扩大再生层的磁光记录媒体，
在再生时，采用把根据再生时钟进行了调制的再生磁场和根据再生时钟进行了调制的再生光之内的至少一方应用到上述磁光记录媒体中去的办法，比上述信息记录层中记录的磁区的尺寸扩大地再生已从上述信息记录层复制到磁区扩大再生层中的磁区。在再生时，采用同时调制再生磁场和再生光的办法，可以进一步降低再生信号的出错率。
在遵从上述本发明的第5～7的方案的再生方法中，如在图5中说明过的那样，要加上再生磁场，其绝对值Hr在与磁区扩大再生层的磁滞回线的新建磁场的绝对值Hn、磁畴壁扩大磁场的绝对值He以及磁畴壁收缩磁场的绝对值Hs之间的关系中，在用记录再生装置的再生功率测定这些时使得在扩大方向上满足Hs＜Hr＜Hn，在消除方向上满足Hs＜Hr的关系。如加上大于Hn的扩大磁场则由于即便是在在信息记录层上未记录信息的部分再生磁场的磁化也会反转，记录信号的检测将变成为不可能故是不希望的。此外，在加上比Hs还大的收缩磁场时，再生层的磁区将被消去。即便是再生层的磁区没完全消去，扩大再生在原理上虽然没什么问题，但是可以完全消去时将提高信号效率。
若根据本发明的第8方案，则在再生已记录在磁光记录媒体上的信息的再生装置中，磁光记录媒体的再生装置具备：
磁头，用于给上述磁光记录媒体加再生磁场；
光头，用于向上述磁光记录媒体照射再生光；
时钟产生装置，用于产生再生时钟；
控制装置，用于为了根据上述再生时钟对上述再生磁场和再生光中的至少一方进行调制，对上述磁头和光头中的至少一方进行控制。借助于该装置，可以扩大已经复制到本发明的磁光记录媒体的再生层上的磁区并对信息进行再生。该再生装置，采用根据信号控制磁头和光头的办法还可以用做记录装置。
在本发明的再生装置中，需要对提供再生时的磁区扩大再生磁场的定时进行控制。就是说，在出现已从信息记录层复制到磁区扩大再生层上的磁区时，需要把磁场加到扩大磁区的方向上，之后，使磁场的极性反转缩小已经扩大了的磁区。此外，该磁场理想的是用与再生磁场同一周期或者根据再生时钟，用由第2同步信号产生电路(再生磁场脉冲宽度/相位调整电路131)产生的第2同步信号调制的交变磁场。采用进行这样同步的办法，就可以不仅扩大再生存在种子磁区(在记录方向上记录的磁区)的部分，还可以识别没有种子磁区(在消去方向上记录的磁区)的部分。在连续照射再生光的情况下，由于沿着磁道使磁区扩大再生层的磁道的中心部分的温度上升，所以在信息记录层上没有种子磁区的部分变得易于反转。这是因为磁区扩大再生层的中心部分的顽磁力在高温时变小的缘故。为避免这种现象，在本发明中，采用用与再生时钟同步或根据再生时钟由第1同步信号产生电路(再生光脉冲宽度/相位调整电路53)产生的第1同步信号进行调制的办法，使磁道中心温度下降。或者，作为另一方法，例如，在磁区扩大再生层为稀土族过渡金属的情况下，也可以是把补偿温度设为看作是再生光照射下的磁道中心温度的80～200℃来增加顽磁力。或者，用短波长进行信息的记录，为了使再生时的磁道中心温度下降，也可以用长波长进行再生。
上述再生时钟可以用内部时钟或外部时钟。外部时钟，例如，可以用来自在磁光记录媒体上形成的坑或已形成了微细(fine)时钟标记的检测信号或波动状的凹槽(或脊)的磁光记录媒体的波动周期产生。
倘采用本发明的磁光再生装置，则可以扩大再生0.1微米的记录磁区。因此，由于可以不仅装满线密度而且可以装满磁道密度，所以，达到面记录密度为50Gbit/inch2的记录再生密度也是可能的。在这种情况下，可以考虑作为动画编辑或所谓的电子冰箱的应用，具有使信息处理系统也变得小型紧凑的优点。
若根据本发明的第9方案，则在再生已记录在磁光记录媒体上的信息的再生装置中，
可以提供具有如下特征的磁光记录媒体的再生装置，该装置具备：
光头，用于向上述磁光记录媒体照射再生光；
光头驱动装置，用于驱动上述光头；
时钟产生装置，用于产生再生时钟；
控制装置，用于根据上述再生时钟，脉冲调制上述再生光，对上述光头进行控制，
上述磁光记录媒体，是具备记录信息的记录层、中间层和再生层，该再生层的最小稳定磁区直径比在上述记录层中记录的磁区的尺寸还大的磁光记录媒体，采用检测已从该记录层扩大复制到该再生层上的磁区的磁化状态的办法，再生信息。该再生装置对本发明的第4方案的磁光记录媒体的再生是合适的。
附图的简单说明
图1A,B是说明本发明的磁光记录媒体的再生原理的说明图，图1A是信息记录的原理图，图1B是扩大再生层的初始化的原理图。
图2示出了本发明的磁光记录媒体的记录再生中所用的记录再生装置的示意构成图。
图3是说明在选通层中仅仅选择本发明的磁光记录媒体的再生中所用的再生光斑内存在的信息记录层的多个记录磁区中的一个磁区进行磁复制的原理的说明图。
图4A,B是说明本发明的磁光记录媒体的再生时微小磁区的扩大再生的原理的说明图，图4A示出了用扩大再生磁场对磁区进行扩大的情况，图4B示出了用缩小再生磁场缩小磁区的情况。
图5A,B是本发明的磁光记录媒体的扩大再生层的磁滞回线的曲线图，图5A示出了加上扩大磁场时的初始化曲线，图5B示出了加上缩小磁场时的初始化曲线。
图6是遵从本发明的第2方案的磁光记录媒体的一个具体例子的剖面图。
图7A,B分别是遵从本发明的实施例1A和实施例1B的磁光记录媒体的一个具体例的剖面图。
图8A～D是本发明的实施例1的磁光记录媒体的再生信号的曲线，图8A,B,C和D分别表示再生磁场强度H=0(Oe)、H=130(Oe)、H=215(Oe)、和H=260(Oe)的情况。
图9是遵从本发明的实施例2的磁光记录媒体的一个具体例的剖面图。
图10是遵从本发明的实施例3的磁光记录装置的构成示意图。
图11是本发明的实施例3和4中的光磁场调制记录方法的记录激光脉冲、记录外部磁场和记录磁区的关系的时序图。
图12是本发明的实施例3中的再生方法的再生时钟、再生外部磁场、磁场所产生的再生信号和采样保持后的再生信号波形的时序图。
图13是本发明的实施例3中的再生方法的1-7调制中的出错率和记录标记长度之间的关系曲线。
图14是遵从本发明的实施例4的磁光记录再生装置的构成示意图。
图15是本发明的实施例4中的再生方法的再生时钟、再生外部磁场、由脉冲光/脉冲磁场产生的再生信号波形和采样保持后的再生信号波形的时序图。
图16是本发明的实施例4中的再生方法的1-7调制中的出错率和记录标记长度之间的关系曲线。
图17是对于再生用激光光斑的磁盘位置的温度分布图。
图18A,B是图1B的磁光记录媒体的再生原理的说明图，图18A示出了从记录层向再生层进行的磁化的复制，图18B示出了扩大已复制磁区的样子。
图19示出了用实施例1B的磁光记录媒体测定的Hs和Hn的再生光功率依赖性。
图20对于温度示出了可以稳定地存在的磁区的最小稳定磁区半径rmin。
图21说明在实施例1B的磁光记录媒体中，给扩大后的磁区加上缩小磁场使之消灭的原理。
图22说明把在再生光斑的后方部分的高温区域中产生复制的方式和在再生光斑的前方区域中产生复制的方式组合起来的再生方式。
图23是说明实施例3和4的装置中用来产生可以使用的时钟信号的自同步的说明图。
图24是说明在实施例3和实施例4中使用脊槽(land groove)式磁光记录媒体产生可以使用的时钟信号的外部同步的说明图。
图25是说明在实施例3和实施例4中使用波动形状的脊槽式磁光记录媒体产生可以使用的时钟信号的外部同步的说明图。
图26是说明在实施例3和实施例4中使用具有微细(fine)时钟标记的脊槽式磁光记录媒体产生可以使用的时钟信号的外部同步的说明图。
图27是说明实施例3或4的装置中产生可以使用的外部同步的说明图。
图28A,B示出了脉冲化了的激光或磁场的使用周期，图28A示出了扩大或缩小磁场的周期的关系，图28B示出了对于交变磁场的激光脉冲的周期。
图29示出了可以用作扩大或缩小磁区的磁场的三角形的磁场的例子。
图30示出了用来产生可以用作扩大或缩小磁区的磁场的三角形的磁场的电路的一个例子。
图31示出了对实施例1B的磁光记录媒体用种种大小加上扩大缩小磁场时的再生信号。
图32是图10的磁光记录再生装置的变形例的构成示意图。
图33示出了对用图32的磁光记录再生装置进行记录再生合适的磁光记录媒体的叠层构造。
图34A,B示出了对磁区扩大再生合适的记录磁区的最短磁区形状。
图35示出了实施9的磁光记录媒体的叠层构造。
图36说明了再生实施9的磁光记录媒体的原理。
图37说明了实施9的另一磁光记录媒体的磁区构造。
图38说明了的具有图37的磁区构造的媒体的再生原理。
图39A,B说明把已复制到中间磁区层或者选通层上的磁区复制得比记录层中记录的磁区还小的时候的优点。
实施发明的最佳方案
参照附图说明本发明的第1和第2方案的磁光记录媒体的实施形态。图6是遵从本发明的的第2方案的磁光记录媒体的构成的一个例子。另外，在本图中，把选通层16、交换耦合力控制层17和信息记录层18置换为信息记录层(图7的信息记录层75)，采用按照本发明限定该信息记录层的厚度的办法，就将变成遵从本发明的第1方案的磁光记录媒体。因此，以下的媒体构造的说明，虽然基本上涉及遵从本发明的第2方案的磁光记录媒体的构成，但是在信息记录层不限定于选通层16，交换耦合力控制层17和信息记录层18的叠层构造的范围内，也适用于遵从第1方案的磁光记录媒体。
磁光记录媒体61是可以根据上述那样原理仅仅把信息记录层的多个微小磁区中的一个磁区复制到磁区扩大再生层3中的同时，把所复制的磁区扩大再生的记录媒体。磁光记录媒体61的构成是：在透明基片1上边，顺次叠层电介质层2，磁区扩大再生层3，非磁性层4，选通层16，交换耦合力控制层17，信息记录层18和透明电介质层6。扩大再生层3，如上所述，可以使用在再生光照射时磁畴壁抗磁力比再生磁场小的垂直磁化膜，例如，可以作成为GdFe,GdFeCo,GdCo等的稀土族过渡金属合金，或Pd或者Pt层Co层的合金或者交互叠层体或碳酸脂系氧化物磁性体等。
磁区扩大再生层3，理想的是如果使其补偿温度处于这样的范围内的话，则在室温附近饱和磁化(Ms)将变小，仅仅在高温部分Ms才变大(在室温附近顽磁力变大，在高温顽磁力下降)。就是说，在激光光斑内的中心部分温度已变高的磁区扩大再生层3的区域中，由于Ms变大，故顽磁力下降，存在于磁区扩大再生层的下方的信息记录层中的仅仅一个记录区被复制到再生层中，仅仅复制后的磁区扩大再生层3的磁区才可以用再生磁场扩大。因此，采用使磁区扩大再生层3的补偿温度为-100～50℃的办法，就可以实现用简单的构造进行的磁区扩大再生。
仅仅把用激光光斑照射过的信息记录层内的多个磁区中的一个磁区复制到选通层16中去，有若干个方法。即有(1)把再生用的激光光斑内的选通层16和信息记录层18的温度分布中的比规定温度高的区域的信息复制到选通层的方法，(2)把再生用的激光光斑内的选通层16和信息记录层18的温度分布中的比规定温度低的区域的信息复制到选通层的方法，和(3)把再生用的激光光斑内的选通层16和信息记录层18的温度分布中的规定温度范围内的区域的信息复制到选通层的方法。
(1)的方法是在本发明的原理说明中用图3所说明过的方法，仅仅用再生的激光光斑照射后的选通层的高温区域顽磁力下降，仅仅该部分受到来自信息记录层的交换耦合力。(2)的方法与(1)的方法一样，用再生的激光光斑照射后的选通层的高温区域顽磁力下降，在作为扩大再生用而加上的外部磁场下，高温部分的磁化完全被外部磁场俘获。另一方面，在低温部分，借助于信息记录层18和选通层16的交换耦合力，信息记录层18的磁区被复制到选通层16上。作为这种类型的膜构造理想的是在选通层和信息记录层之间设置中间层，例如，可以用Gd-Fe-Co(选通层)/Tb-Fe-Co-Al(中间层)/Tb-Fe-Co(信息记录层)。作为(3)的方法，对显示上述(1)和(2)的特性的选通层进行叠层即可，例如，作为上层设置仅仅复制高温区域的信息记录层的磁区的磁性层，作为下层设置仅仅复制低温区域的信息记录层的磁区的磁性层。即便不采用叠层构造，用单一的磁性层也可以构成仅仅复制在规定的温度范围内的信息记录层的磁区的磁性层。例如，如果用在室温附近存在着补偿温度TCOM，且在规定的TCR温度易于磁化轴朝向膜面内那样的磁性体，则相应于磁性层材料仅仅发生源于比补偿温度某种程度地高的温度(TCOM+AT)～TCR的复制。
一般地说，由于信息记录层的居里温度，通常，如考虑作为产品可以买到的半导体激光的功率，是250℃前后，故因再生光光斑而升温的记录膜的温度上限为170℃前后。这是因为在超过上限的高温下，由于信息记录层的顽磁力变小，记录区有可能变化的原故。因此，在上述(2)的方法中，理想的是把各个磁性层设计为使比170℃还低的低温的区域的信息记录层18的磁区复制到选通层16上。此外，一般地说，磁光记录再生装置的装置内的温度将变成50℃前后，故在选通层16中，为了表示与用于仅仅识别在选通层16中信息记录层18的一个磁区的(1)的方法的临界温度的差别，需要最低30℃。因此，在(1)的方法中，理想的是把各磁性层设计为使得把80℃以上的高温区域的信息记录层18的磁区复制到选通层16中去。出于同样的理由，在(3)的方法中，理想的是把磁光记录媒体的各磁性层设计为使得把在80℃～170℃的温度范围内的信息记录层18的磁区复制到选通层中去。
作为信息记录层，一般要求在再生时的光斑中心温度下顽磁力Hc也要比再生磁场大数倍，例如，可以用TbFeCo,GdTbFeCo,DyFeCo,GdDyFeCo,GdDyFeCo和/或作为添加剂已添加上Cr,Ti等的非磁性元素的稀土族过渡金属合金，Pt-Co合金，Pt/Co 2层膜，碳酸脂材料。此外，选通层一般需要顽磁力Hc比信息记录层要相当小，例如可以用GdFeCo,GdFe,GdW之类的稀土族过渡金属合金，Pd-Co合金，Pt-Co合金，Pd/Co 2层膜，Pt-Co 2层膜，碳酸脂等。选通层+交换耦合力控制层+信息记录层的厚度(h)，为了容易进行磁区扩大再生层的磁区的扩大缩小的控制，故对于已记录在信息记录层中的最小磁区半径(r)使之为(h/r)≥0.5是理想的。这样一来，由于可以确实地进行由从信息记录层向着磁区扩大再生层的漏泄磁场进行的磁区复制，同时，还可以使在漏泄磁场的层的面内方向上的分布变得比较平，所以磁区扩大再生层的磁区的扩大缩小的控制会变得容易。
在本发明的磁光记录媒体中，如图6所示，选通层16(在遵从第1方案的磁光记录媒体中，是信息记录层)和磁区扩大再生层3之间可以插入非磁性层4。作为非磁性层材料，可以使用SiO2,AlN,SiN等的电介质，Al,AlTi,Au,Ag,Cu,AuAl,AgAl等的金属，或电介质和金属的叠层构造。当该非磁性层4存在于磁区扩大再生层3和选通层或信息记录层5之间时，具有由再生磁场扩大、缩小已复制到磁区扩大再生层3上的磁区的优点，介以来自选通层+交换耦合力控制层+信息记录层(或仅仅信息记录层)的漏泄磁场，通过选通层把信息记录层5的磁区静磁式地复制到磁区扩大再生层3上。非磁性层4也可以由单层或多层膜构成。在本发明的磁光记录媒体中，采用使在磁区扩大再生层3和选通层16之间存在有非磁性层4的情况下，由已写入到信息记录层18中的磁区和已复制到选通层16中的磁区的漏泄磁场合成的合成磁场与磁区扩大再生层3进行静磁耦合的办法，进行磁区复制，在不存在非磁性层4的情况下，就用选通层16和磁区扩大再生层3之间的交换耦合磁场从信息记录层18把已复制到选通层16上的磁区磁复制到磁区扩大再生层3上。
在图6的磁光记录媒体61中，电介质层2,6例如可以由氮化物、氧化物等构成。可以用电介质层内的再生光的干涉效应放大视在克尔旋转角。由于除示于图6的层之外，在非磁性层4的磁区扩大再生层3的一侧(或作为非磁性层)，使磁区扩大再生层3的温度分布均一地形成，故也可以形成例如Al合金、Au合金、银合金、铜合金等的金属反射层。在已加上了再生磁场的时候，在磁区扩大再生层3的磁道中心变得比其外侧温度还高的情况下，直到与记录在信息记录层中的磁道不对应的区域为止，变得易于在再生磁场下进行反转。所以，采用备有金属反射层使热散掉的办法，可以防止仅仅磁道的中心变成高温，可以防止在加上再生磁场时再生层的不必要的部分的磁区的反转。
如上所述，也可以把图6中的(选通层16+交换耦合力控制层17+信息记录层18)的部分置换成信息记录层。在这种情况下，磁区扩大再生层3或信息记录层的补偿温度可以调整为-100～50℃。例如，作为信息记录层的磁性材料用稀土族过渡金属，并采用与磁区扩大再生层一样把补偿温度定为-100～50℃，使得仅仅在高温部分的漏泄磁场变大的办法，把0.3微米的磁区扩大到3倍进行再生。
此外，在仅用信息记录层置换(选通层16+交换耦合力控制层17+信息记录层18)的部分置换成信息记录层的情况下，在磁区扩大再生层3和选通层16的中间，可以设置在室温下是面内磁化膜，在从80到150℃的温度范围内从面内磁化膜向垂直磁化迁移，在更高的温度下将变成垂直磁化膜的磁性层。用该中间层，即便是在再生光斑内存在多个磁区，借助于选通层产生的聚焦效果，也可以浮出(复制)比再生光斑还小的一个微小磁区。
实施例1A
首先，参照附图具体地说明的遵从本发明的第1方案的磁光记录媒体的实施例，但本发明并不受限于这些实施例。
在图7中示出了本发明的磁光记录媒体71的剖面构造的一个例子。磁光记录媒体71在透明基片1上边，依次叠层具有电介质层2，扩大再生层3，非磁性层，信息记录层75，电介质层6。作为透明基片使用1.2nm厚的聚碳酸脂基片。作为电介质层2,6使用膜厚70nm的氮化硅。作为扩大再生层3使用膜厚为20nm，补偿温度为-10℃，居里温度为350℃的GdFeCo合金。作为非磁性层4，使用膜厚为15nm的Al合金。作为信息记录层75，使用膜厚为200nm，补偿温度为-50℃，居里温度为270℃的TbFeCo合金。这些层，分别用磁控管溅射装置用溅射法形成膜。
在图7的磁光记录媒体71中，用图2的记录再生装置，用光磁场调制方式记录规定的数据。用光磁调制方式进行的记录和再生的详情在后边要讲的实施例3和4详细讲述。或者，还可以如在别的实施例中说明的那样，用磁场调制方式，在信息记录层中形成磁道宽度方向的磁区的长度比线方向的长度还短的的记录磁区。图2的光头的激光波长680微米，用孔径数为0.55的光学系统。有效光斑半径为1.2微米。因此，若在磁光记录媒体71上记录0.4微米的连续磁区，则结果变成为在再生光斑内同时存在2个磁区。在本发明中，可以用磁光记录媒体的选通层分离这2个磁区后进行再生。
虽然首先把再生功率设定1.0mW进行再生，但是，记录磁区不复制到扩大再生层3中，在再生信号中并不出现。这是因为磁光记录媒体71的扩大再生层3的补偿温度在室温以下，用1.0mW的再生功率的话，不能把扩大再生层3加热到把记录磁区复制到扩大再生层3中足够的温度的原故。即便是使再生功率变成为1.8W，也同样不出现再生波形。
接着，若把再生功率定2.0W，则在扩大再生层3上边的光斑的中心附近，直径约0.7微米被加热到80℃以上，在扩大再生层3的这样的加热后的区域上仅仅复制0.4微米的大小的一个磁区。就是说，可以把存在于光斑中的信息记录层5的2个磁区区别开来再生。这是因为由于信息记录层5和扩大再生层3在室温下的饱和磁化不论哪一个都比100emu/cc还小，信息记录层5的磁区不能复制到光斑内的80℃以下的低温部分中的原故。就是说，仅仅对已加热到超过80℃的温度的扩大再生层3的区域才可以复制0.4微米的记录磁区。这种情况下的再生波形示于图8A。此外，在该再生之际，未加再生磁场(H=0)。在图8A的下方还同时示出了交变磁场的信号。
其次，在磁光记录媒体71上，在与上述相同的条件下，作为再生磁场与记录时钟同步地进行调制的H=±215(Oe)的交变磁场加到磁头上进行记录再生时，就可得到图8C所示的那样的波形。图8C的再生信号与没有再生磁场的时候比再生信号幅度增大到3倍。如果用再生磁场仅使磁区的可复制的区域增加的话，则振幅虽然理应不增大，但是，振幅增加到高达3倍，表明已经形成了复制到扩大再生层3中的磁区的扩大(和缩小)。在图8B中示出了与记录时钟同步地加上H=±130(Oe)的交变磁场的情形。可知，在这种情况下，与不加再生磁场时比再生信号幅度也增加了。在图8D中示出了与记录时钟同步地加上H=±260(Oe)的交变磁场的情形。在这种情况下，与H=±215(Oe)时比再生信号幅度仅仅稍有减小。这被认为是由于再生磁场过大，与不存在记录磁区的区域对应的扩大再生层5的区域也反转而不能用缩小再生磁场消除净尽的原故。就是说，由于在加上缩小磁场时的信号电平的基线上升看起来信号的振幅似乎减小了。
在与加上H=±215(Oe)的交变磁场的情况同样的再生条件下，把磁光记录媒体71的TbFeCo信息记录层5的膜厚变更为从200nm到70nm进行再生。在这种情况下，虽然用交变再生磁场一瞬间再生波形会变大，但是，立即与相邻的磁区相连，使得不能检测每一个记录磁区。这被认为是信息记录层3的TbFeCo的膜厚与记录磁区的尺寸比薄，其漏泄磁场不够充分的原故。由本发明人等的实验可知，为了扩大再生0.4微米的磁区，信息记录层的膜厚至少要大于100nm，因此，理想的是，记录层的厚度(h)与最小记录磁区的线方向(磁道方向)的长度半径(r)的比(h/r)大于0.5。
实施例1B
在本实施例中，示出了与图7A的磁光记录媒体具有同样的构造的磁光记录媒体的另一具体的实施例。该磁光记录媒体的具体例，对应于本发明的第3方案。参照图7B，本磁光记录媒体的构造是：在玻璃、聚碳酸脂等的透光性的基片1上边，顺次淀积有由SiN构成的电介质层2，由GdFeCo构成的扩大再生层(以下，简称为再生层)3，由SiN/AlTi构成的非磁性层4，由TbFeCo构成的信息记录层(以下，简称为记录层)75，由SiN构成的保护层76。各个膜厚可以调整为下述，电介质层2的膜厚为600～800埃(在本文中，用A表示)，再生层3的膜厚为50～1000A，非磁性层4的膜厚为50～300A，记录层75的膜厚为500～3000A，保护层1的膜厚为500～1000A。各层可以用Ar用做溅射气体的磁控管溅射法形成。
在图7A的构造中，再生层3不限于GdFeCo，也可以是由GdFe,GdCo,TbCo或Ho,Gd,Tb,Dy之内选出的一种元素与从Fe,Co,Ni之内选出的一种元素构成的磁性膜。此外，非磁性层4可以不用SiN/AlTi，而代之以用AlN,TiN,SiO2,Al2O3,SiC,TiC,ZnO,SiAlON,ITO，或SnO2。此外，记录层75TbFeCo合金，也可以是从Tb,Dy,Nd中选出的元素和从Fe,Co,Ni中选出的元素构成的单层的磁性膜或多层的磁性膜。还可以是由Pt,Pd之内的一种元素和从Fe,Co,Ni中选出的元素构成的单层的磁性膜或多层的磁性膜。再者，还可以使用本说明书中所公开的、作为再生层、记录层、和非磁性层可使用的其他的材料。
用图17和图18A,B说明本发明的磁光记录媒体的原理。在本具体例的磁光记录媒体72中，采用照射再生用激光的办法，首先，用静磁耦合把记录层75的微小磁区7复制到再生层3上，接着，扩大再生复制的磁区。当把再生用激光光束照射到磁光记录媒体上时，通常，在媒体上边如图7所示产生温度分布。图17是表示把再生光光斑状地照射到光盘上时的对磁道方向位置的温度的关系的曲线，在再生光的光斑中心的后方存在高温区域。利用该温度分布可以仅仅把特定的温度区域的记录层75的磁化复制到再生层3上。
参照图18A，对仅仅在再生光光斑的中央部分(高温部分)处的记录层75的磁化复制到再生层3上的情况进行说明。在图18A中，为便于说明仅仅示出了记录层75，非磁性层4和再生层3a，在其上方，同时示出了在照射再生光斑时的温度分布。当再生光斑照射到磁光记录媒体上时，仅仅超过规定温度的高温区域的记录层75的磁区7通过非磁性层4被复制到再生层3上，将出现和再生层3a具有相同的磁化的磁区8。在这种情况下，从记录层75向再生层3的复制由于通过非磁性层4复制，故不是用交换耦合力而是用静磁耦合进行。要想进行该类型的复制，作为再生层3a，用在室温下是面内磁化膜，在超过规定的温度(临界温度)下则变成垂直磁化膜的磁性膜是合适的。该临界温度，通常，处于100～170℃的温度范围内，当到达该范围的温度后，陡峻地从面内磁化膜变化为垂直磁化膜是理想的。作为表示从该面内磁化膜如何陡峻地向垂直磁化膜变化的一个指标有克尔旋转角的温度系数C，在本实施例的磁光记录媒体中，用的是温度系数C大于8.0的磁性膜。在遵从本实施例的种种的方案的(第1～第4方案)的磁光记录媒体中，作为再生层，在在室温下是面内磁化膜，在临界温度以上时变成垂直磁化膜的的磁性膜的情况下，理想的是用该温度系数C大于8.0的磁性膜。至于计算温度系数的详情可以参照“鹫见等，第4回应用物理学关系连合讲演会预稿集27p-PD-26(1996)”。
为了执行图18A的那种类型的复制，作为在再生层3a中应用的磁性膜，使用GdFeCo,GdFe,GdCo。作为构成非磁性层4，记录层75的材料，可以使用本实施例中所述的材料。
在作为磁区8把磁区7的磁化复制到再生层3a中之后，如图18B所示，为扩大磁区8，加上外部磁场Hep。作为所加外部磁场Hep，使用交变磁场。交变磁场的极性，在已变成为与复制到再生层3a中的磁区的磁化相同方向的情况下，在磁区8的两个相邻的区域也产生与磁区8的磁化方向相同的磁区8a、8b，扩大复制后的磁区8。接着，在扩大复制后的磁区8的瞬间，作为再生信号用后述再生装置进行检测。至于在再生时加上的再生磁场的Hep和这样的磁场与在再生层3a上边出现的标记(磁区)的大小的关系，是在上述的原理说明的栏目中，用图5A的磁滞回线说明过的那样的情况。
在图19中，示出了用图27的磁光记录媒体72测定的He和Hn对再生功率的依赖性。再生用激光光束的波长定为830nm。由于在再生激光功率1.0～2.2mW的范围内He和Hn没有明显的差别，故可以在根据各个再生功率决定的Hs和Hn之间决定外部磁场Hep。例如，在再生激光功率为1.4mW的情况下，可以在200～250(Oe)之间设定外部磁场Hep。此外，根据用图19，外部磁场还可以随着再生激光功率的增加而减小。此外，交变磁场的频率可以定为在0.5～2MHZ的范围内。
在把磁区复制到再生层3a中，用外部磁场扩大再生磁区之后，为了复制扩大再生其次的记录磁区，需要把已扩大的磁区暂时消去。有2种消去方法。一种是用根据磁性膜的种类决定的最小稳定磁区的方法。记录下来的磁区的大小根据气氛温度其稳定性也不同，在低温下微小磁区变得难于稳定地存在。在图20中，对于温度示出了用上述式(1)定义的可以稳定地存在的磁区的最小稳定磁区半径rmin。最小稳定磁区半径rmin随着磁性膜的温度上升而变小，在上述再生层3中所用的GdFeCo的情况下，在室温下的rmin是0.5～0.6微米，在120℃下是0.1微米。即，在120℃下0.1微米以上的磁区可以稳定地存在，但是在室温下0.1微米的大小的磁区却仍然不能稳定地存在，结果变成为消灭。因此，用该原理，在再生光斑中央部分(高温区域)中，在记录层的磁区复制到再生层中并用扩大再生磁场扩大之后，若进入再生光斑的低温部分中去，则对于复制扩大后的磁区，由于最小稳定磁区半径变大，故结果磁区变成为消灭。对该扩大后的磁区的消去方法，不仅对本实施例，对遵从本发明的所有的方案的磁光记录媒体及其再生方法都是可以应用的。
消去已复制到再生层3中并扩大后的磁区的方法，如在上述的原理说明中用与图5B之间的关系说明过的那样，是加上与磁区扩大时所加的Hep方向相反的Hsr。图21示出了图18的再生层3a的磁区8近旁的扩大示意图，采用在与外部磁场Hep相反方向上加磁场Hsr使扩大后的磁区缩小的样子。用来缩小磁区的Hsr可以用图4B的磁滞回线决定。至于缩小该磁区的原理，由于在和图5B之间的关系中已说明过了，故略去不讲。
在上述复制及磁区扩大中，就是说在再生中用的激光光束的波长为300～830nm是恰当的，使激光光束聚光的物镜的孔径数可以作成0.55(容许误差±0.05)，激光光束的光斑半径可以作成1.0(容许误差±0.1)。
在本具体例中，虽然说明的是在再生光光斑的中央部分的高温区域存在的记录层75的微小磁区被复制到再生层3上的情况，但是除此之外，还可以用复制在再生光斑的后方的高温区域或前方的低温区域中存在的磁区的方法。在前者的类型的磁光记录媒体中，对再生层用垂直磁化膜，在照射再生用激光光束之前，为了使再生层3的磁化方向一致需要加初始化磁场。已向媒体照射激光光束，且温度已上升到规定温度以上的磁区的磁化通过非磁性层4用静磁耦合复制到再生层3的磁区上。之后，进行图18所示那样的磁区扩大(和消去)动作。作为对于通过再生光斑的后方部分的高温区域进行复制的方式合适的再生层，可以用稀土族金属.例如，Tb,Dy,Gd和过渡金属，例如，可以用分别含有Fe,Co,Ni一种以上的的合金磁性膜，例如，GdFeCo,GdFe,GdCo,TbCo是理想的。作为非磁性层4和记录层75可以从上述的物质中选择。
在对存在于再生光斑的前方的低温区域中的磁区进行复制的方法中，再生层用垂直磁化膜。该垂直磁化膜使用当被激光光束照射上升到规定温度(居里温度)以上时磁化消失这种性质的磁性层。在这种情况下，在已经记录下信号的状态下，结果将变成为记录层75和再生层3的磁化方向一致。若照射再生用激光光束，再生层3的温度上升到规定的温度以上时，该区域的磁化将消去。因此，规定温度以上的区域将变成为没有记录信号的状态，只有在温度低的激光光束的前方进行复制使信号再生。之后，进行图18A所示的那种磁区扩大(消去)动作。作为使用该方法的再生层3，可以使用从TbCo,Dy和Fe,Co,Ni之内选出的一种元素构成的磁性膜。作为非磁性膜4和记录层75可以从上述的物质中选择。
此外，参照图22，还可以在把再生光斑的后方部分的高温区域中进行复制的方式和在再生光斑的前方部分的低温区域中进行复制的方式进行组合。在图2中，示出了这种类型的磁光记录媒体的记录层75，非磁性层4，再生层3d及其温度分布。这种类型的磁光记录媒体在再生之前用初始化磁场(没有画出来)使再生层3d磁化为一定方向。之后，向磁光记录媒体照射激光光束，则在再生层3d的高温部分19中磁化消去，由于高温部分19往前侧(盘行进的前方)的磁区20已经在与记录层5的磁区21相同的方向上磁化，故可以用扩大磁区20的办法进行再生。作为在再生层3d中使用的磁性膜的特性，存在复制磁化的温度和在该温度以上消去磁化的温度，作为复制磁化的温度理想的是80～120℃的范围，作为消去磁化的温度，理想的是130～170℃的范围。进入再生动作之前的初始化磁场的大小以1k(Oe)以下为好。作为再生层3d可以用由从TbCo,Dy和Fe,Co,Ni中选出的一种元素构成的磁性膜。作为非磁性层4和记录层75可以从上述的物质中选择。
实施例2
在实施例1中，是一种由扩大再生层3和信息记录层构成的简单的构造，可以从信息记录层向磁区扩大再生层复制微小磁区的同时，还可以扩大或缩小已复制的磁区。在本实施例中，示出了设有可以仅仅选择再生光斑内存在的信息记录层的多个磁区之一的选通层的磁光记录媒体。该磁光记录媒体相当于本发明的第2方案的磁光记录媒体。
如图9所示，本实施例的磁光记录媒体91具有把实施例1A的磁光记录媒体71的信息记录层5置换为选通层93+交换耦合力控制层95、97+信息记录层99的构造。作为选通层93，使用补偿温度为-50℃，居里温度为350℃，膜厚为100nmGdFeCo磁性膜。作为第1交换耦合力控制层95，使用补偿温度为-80℃，居里温度为160℃，膜厚为20nmTbFeCo磁性膜。作为第2交换耦合力控制层97，使用补偿温度为90℃，居里温度为200℃，膜厚为10nm的GdFeCo磁性膜。作为信息记录层99使用补偿温度为-50℃，居里温度为270℃，膜厚为70nmTbFeCo磁性膜。第1交换耦合力控制层95是用于对把70℃以上的区域的信息记录层99的磁区复制到选通层93上进行控制的层，第2交换耦合力控制层97是用于对把160℃以下的区域的信息记录层99的磁区复制到选通层93上进行控制的层。用这样的构成可以把处于70℃以上160℃以下的温度范围的信息记录层99的记录磁区复制到扩大再生层3上。这些层的成膜与实施例1一样用磁控管溅射装置进行。
在与实施例相同的条件下，记录和再生磁光记录媒体91。复制到扩大再层3上的磁区用再生磁场(交变磁场)H=±200(Oe)扩大，确认再生信号已增大到4倍。若用该磁光记录媒体91，则可知确实可复制0.3微米的磁区。
作为选通层93，由于用的是100nm的GdFeCo磁性层，故厚度比在GdFeCo磁性层上形成的磁区的磁畴壁的厚度还厚，在从信息记录层99复制到选通层93上的磁化的反转时，允许磁畴壁中的磁自旋的弯曲。
实施例3
在本实施例中，对在实施例1A,1B及2中具体地说明过的磁光记录媒体的记录和再生合适的装置的构成例以及再生方法进行说明。示于图10的装置101，主要由下述部分构成：激光照射部分，用于以与代码数据同步的恒定周期向光盘100上照射脉冲化的光；磁场施加部分，用于在记录再生时向光盘1施加受到控制的磁场；信号处理系统，用于检测和处理来自光盘100的信号。在激光照射部分中，激光器22连接到激光驱动电路32和记录脉冲宽度/相位调整电路51(RC-PPA)上，激光驱动电路32接受来自记录脉冲宽度相位电路51的信号，控制激光器22的激光脉冲宽度和相位。记录脉冲宽度/相位调整电路51从PLL电路39接受后述时钟信号，产生用于调整记录光的相位和脉冲宽度的第1同步信号。
在磁场施加部分中，施加磁场的磁线圈29与磁线圈驱动电路(M-DRIVE)34相连，在记录时磁线圈驱动电路34从输入数据的编码器30通过相位调整电路(RE-PA)31接受输入数据来控制磁线圈29。另一方面，在再生时，从PLL电路39接受后述时钟信号并通过再生脉冲宽度相位调整电路(PR-PPA)131产生用于调整相位和脉冲宽度的第2同步信号，再根据第2同步信号控制磁线圈29。为了在记录时和再生时切换输入到磁线圈驱动电路34中的信号，记录再生切换器(RC/RP-SW)134连接到磁线圈驱动电路34上。
在信号处理系统中，在激光器22和光盘100之间，配置有第1偏光棱镜25，在其侧方配置有第2偏光棱镜251和检测器28和281。检测器28和281分别通过I/V变换器311和312一起连接到减法器302和加法器301上。加法器301通过和时钟抽出电路(CSS)37连接到PLL电路39上。减法器302，介以与时钟同步起来保持信号的采样保持(S/H)电路41，同样，介以与时钟同步起来进行模数转换的A/D转换电路42、二值化信号处理电路(BSS)43，连接到译码器38上。
在上述装置构成中，从激光器22中射出来的光用准直透镜23变成平行光，再通过偏光棱镜25用物镜4聚光到光盘100上。来自盘21的反射用偏光棱镜25偏向偏光棱镜251的方向，在透过了1/2波长板26后，在偏光棱镜251中被分割成2个方向。分割后的光分别用检测透镜27聚光后被导向光检测器28和281。在这里，光盘100上边已经预先形成了跟踪出错信号和时钟信号产生用的坑。表示来自时钟信号产生用坑的反射光的信号在用检测器28和281检测后，在时钟抽出电路37中抽出。接着，在已连接到时钟抽出电路37上PLL电路39中，产生数据通道时钟。
在进行数据记录之际，激光器22用恒定频率调制使得用激光器驱动电路32与数据通道时钟同步，发射宽度窄的连续的脉冲光，等间隔地局部地加热旋转着的光盘100的数据记录区。此外，数据通道时钟控制磁场施加部分的编码器30，产生基准时钟周期的信号。数据信号经由相位调整电路31送往磁线圈驱动装置34。磁线圈驱动装置34控制磁线圈29，把与数据信号对应的极性的磁场加到光盘100的数据记录区的加热部分上。
用磁光记录再生装置101测定在实施例中制成的磁光记录媒体的记录再生时的特性。此外，装置101的光头的激光波长是685nm，物镜的孔径数NA为0.55。数据的记录采用用线速度5.0m/sec，边用恒定周期的脉冲照射激光光束，边用±300(Oe)调制外部磁场进行记录的磁场调制记录方式，在激光脉冲的占空比为50％下进行。在图11中，示出了对记录时钟的记录激光脉冲和记录外部磁场的时序图。在图11的上方，示出了由这样的记录形成的微小磁区的图形。微小磁区由直径0.4微米形成。
接着，已记录了微小磁区的磁光记录媒体用图10所示的装置经如下处理进行再生。令再生激光功率为2.0W，对于一个一个的已进行了记录的磁区同步再生时钟的同时，调制成脉冲状后加上磁场，使得与再生时钟同步。在图12中，示出了对于再生时钟的再生外部磁场和再生后的信号的时序图。脉冲状磁场的强度在中心部分附近，在记录方向上，定为150(Oe)(HE)，在消去方向上定为250(Oe)(HS)，记录方向的磁场的占空比25％。此外，再生信号的采样保持定时与磁场的调制定时一致。
就如从图12的再生波形(脉冲磁场再生波形)看到的那样，从微小磁区得到了各个独立的再生信号。为进行比较，在同图中示出了在不调制磁场的情况下，就是说，在记录方向上加上200(Oe)的磁场，同时，与上述同样地进行再生的情况下的再生信号(DC磁场再生信号)。在DC磁场中，来自相邻磁区的再生信号波形相连，各微小磁区不可能分离开来再生。在图12的最下边，示出了与时钟同步的采样保持脉冲和采样保持后的脉冲磁场所产生的再生信号。可知采样保持后的模拟再生信号振幅比不加再生磁场时已大幅度地增加。此外，在图3中，对作为再生磁场使用脉冲状磁场的情况和用DC磁场的情况进行比较后示出了1-7调制记录时的记录标记长度的出错率的关系。由此可知，若根据图13的结果用脉冲状的磁场进行再生，则出错率得以改善，即便是在记录标记长度为0.25微米时也可以充分地进行数据的再生。因此，采用对本发明的磁光记录媒体加上脉冲状磁场的办法，就可以实现高密度记录及其再生。
在本实施例的再生动作中所用的再生磁场中的记录方向的磁场的占空比是5％，但是在5％～90％的范围内，理想的是在15％～60％的范围内可以适当地变更。就是说，理想的是根据构成磁光记录媒体的磁性层的材料，调整再生磁场的记录方向的磁场的占空比，使得再生层中的磁区的扩大得以最良好地进行。
实施例4
在本实施例中，对实施例3的记录再生装置的变形例进行说明。图14的记录再生装置103，在图10所示的装置构成中，还具备有用来与PLL时钟同步地对再生光进行脉冲调制的再生脉冲宽度和相位调整电路(RP-PPA)53，和在记录再生时切换记录脉冲和再生脉冲用的记录再生切换器(RC/PR-SW)55。至于其他的各个部分，由于和在实施例3中说明过的记录再生装置101相同，故对对应的部分赋予同一标号而略去说明。
用磁光记录再生装置103测定在实施例3中作成的磁光记录媒体的记录再生时的特性。装置103的光头的激光波长是685nm，物镜24的孔径数NA为0.55。数据的记录采用用线速度5.0m/sec，边用恒定周期的脉冲照射激光光束，边用±300(Oe)调制外部磁场进行记录的磁场调制记录方式，在激光脉冲的占空比为50％下进行。对记录时钟的记录激光脉冲和记录外部磁场的定时与图11所示的时序图是一样的。微小磁区用直径0.4微米形成。
已记录了微小磁区的磁光记录媒体用图14所示的装置经如下处理进行再生。与记录时钟同步地用恒定周期对再生激光的强度进行调制。使再生激光的峰值功率(PR)为4.5W，最低功率(bottom power)PB为0.5W，把峰的占空比设定为33％。再生磁场与实施例3的情况同样，使得对于一个一个的已进行了记录的磁区与再生时钟同步地进行调制。脉冲状磁场的强度在中心部分附近，在记录方向上，定为150(Oe)(HE)，在消去方向上定为250(Oe)(Hs)，记录方向的磁场的占空比25％。此外，再生信号的采样保持定时与磁场的调制定时一致。对再生时钟的再生外部磁场和再生后的信号的时序图示于图15。如图15所示，使再生激光脉冲的下降沿和再生磁场脉冲的下降沿一致地进行再生。
就如从图15的再生波形(脉冲光，脉冲磁场再生波形)可以知道的那样，从微小磁区得到了各自独立的再生信号。为了进行比较，，在该图中示出了加上激光功率1.5W的DC光和在记录方向上200(Oe)的磁场的同时，与上述同样地进行再生时的信号(DC光，DC磁场再生信号)。在DC磁场中，来自相邻磁区的再生信号波形相连，各微小磁区不可能分离开来再生。在图15的最下边，示出了与时钟同步的采样保持脉冲和采样保持后的脉冲磁场所产生的再生信号。在本实施例中，采用对再生光进行调制的办法，可以有效地防止不存在复制磁区的磁区扩大再生层的部分的磁化反转。此外，在图16中，对作为再生光使用脉冲状激光的情况和用连续(DC)光的情况进行比较后示出了1-7调制记录时的记录标记长度的出错率的关系。从图16的结果可知，用脉冲激光进行再生，则出错率得以改善。
此外，再生光脉冲的定时和占空比，再生磁场脉冲的定时和占空比，再生脉冲磁场的极性，也可以根据媒体构成和组成变更。例如，如在后述的实施例中所述，可以把再生交变磁场的记录方向的磁场的占空比调节到15％～90％的范围内。
实施例5
在实施例3中，从PLL电路39向磁线圈驱动用的相位调整电路31和再生脉冲宽度/相位调整电路131以及激光器驱动用的记录脉冲宽度/相位调整电路51输出的时钟信号，检测来自在磁光记录媒体10(100)的基片上的形成的坑的反射光，用埋入时钟抽出电路37产生。此外，在实施例4中，从PLL电路39向磁线圈驱动用的相位调整电路31和再生脉冲宽度/相位调整电路131以及激光器驱动用的记录脉冲宽度/相位调整电路51和再生脉冲宽度/相位调整电路53输出的时钟信号，检测来自在磁光记录媒体10(100)的基片上的形成的坑的反射光，用埋入时钟抽出电路37产生(外部时钟)。在本实施例中，在本发明的再生装置(记录再生装置)中，特别示出了对脉冲调制再生用外部磁场和再生光有效的种种的时钟产生方法。
有以下3种再生时钟产生方法。第1方法是自我PLL同步，第2方法是外部同步，第3方法是2周期采样法。作为装置构成，要想实现第1和第3方法，在图10和图14的装置中，可以用省略了埋入时钟抽出电路的信号处理系统。另一方面，要想实现第2方法，则可以原封不动地使用图10和图14的装置的信号处理系统。
图23是用来说明作为第1方法的PLL自我同步的概念图。在图23中，检测记录后的磁区(磁标记)81、83，用图10(或图14)的加法器301,PLL39进行处理，产生时钟85。
用图24～图26说明作为第2方法的外部PLL同步法。图24是把磁光记录媒体构成为脊槽构造时的磁光记录媒体10的局部扩大图。在磁光记录媒体10的脊(land)部分10R(或者在凹槽(groove)部分)上以恒定的周期设有坑10p，用光学方式检测坑10p，并与所检测的周期同步地产生时钟。在这种情况下，以恒定的周期设置于脊10R上的不限于坑10p，只要是结晶状态的材质的变化或突出部分等可以用光学方法检测的就行。图25是把磁光记录媒体构成为波动型的脊槽构造时的磁光记录媒体10′的局部扩大图。若是波动型的脊槽构造，则采用检测波动周期的办法，就可以根据该周期产生再生信号。
图26是把磁光记录媒体构成为脊槽型，不设置坑而代之以设置微细时钟标记10F的磁光记录媒体10″的局部扩大图。微细时钟标记10F可以以与图24的形成坑10的间隔大体上相同的间隔设置，在把一个微细时钟标记10F看作是一个波形的情况下，可以分别把其波长(磁道方向的长度)调整为微细时钟标记10F的上述间隔的1/300～1/50，把振幅(磁道宽度方向的变化量)分别调整为从100到300nm。在图26中，微细时钟标记10F虽然仅仅在脊10R的一侧的壁上形成，但是，也可以在脊10R的两侧的壁上形成。在用把检测部分进行4分割的光检测器检测微细时钟标记的情况下，若观察来自各个检测部分的和信号，则可以得到图26的微细时钟标记10F的形状那样的波形。把这样得到的再生波形与规定的基准值比较后进行2值化，使之与2值信号的上升沿的定时同步，就可以产生外部同步用时钟信号。此外，还可以在图25的波动型的脊槽构造的磁光记录媒体上，设置图26的那样的微细时钟标记10F，并从微细时钟标记10F中取出用来调整再生用外部磁场和/或再生光的时钟信号，从波动周期中检测记录用的数据通道信号。
图27是的说明作为第3方法的2周期采样法的概念图。在图27中，再生已进行记录的单位磁区(最短记录磁区或单位坑)87，用图10(或图14)的加法器301、PLL 39进行处理，产生时钟85。这时，PLL电路39被构成为在单位记录磁区87中产生一个周期以上的时钟85，可以产生比单位记录磁区87的重复周期还高的频率的时钟。
在本发明中在脉冲调制再生光和/或再生用外部磁场的情况下，根据用上述3种方法中的任何一种方法产生的再生时钟产生第1同步信号和/或第2同步信号都行。此外，在对记录用外部磁场和/或记录光进行脉冲调制的情况下，也可以用上述3种方法中的任何一种方法产生的再生时钟。
实施例6
如在上述实施例中所说明的那样，在磁光记录媒体10(100,101)的再生时，用图10或图14所示的装置加上外部磁场的同时照射再生用激光光束。在本实施例中，研究对磁区扩大再生最为合适的磁场施加条件。
在本发明的磁光记录媒体的再生方法中，因为每一个磁场和激光光束都可以选择“连续(DC)”或“脉冲”之一，故其组合有以下4种情况。
(1)激光光束：连续光，磁场：连续磁场
(2)激光光束：连续光，磁场：脉冲
(3)激光光束：脉冲，磁场：连续磁场
(4)激光光束：脉冲，磁场：脉冲
上述4种情况之内，对于(2)～(4)需要调整脉冲化的激光或磁场或者两方的大小以及适合的定时。在上述(2)的情况下，参照图28A，大小与在磁区扩大的工艺中施加的外部磁场Hep和在磁区消灭的工艺中施加的外部磁场Hsr是不同的。这是因为如果设磁区扩大再生层的顽磁力为Hcl，记录层的记录磁区施加的漏泄磁场为Hst，则要想消灭复制磁区就需要H=Hcl+Hst的磁场，另一方面，使复制磁区扩大的磁场为Hcl就足够了的原故。此外，从使得不在相邻的磁区的再生中留下扩大再生的影响的理由出发，用于磁区扩大的时间T1(记录方向的磁场的工作状态)理想的是比用于磁区消灭的T2时间短，为0.15≤T1/(T1+T2)≤0.9的范围内。该范围从防止后述的再生磁场的波形中的过冲的观点来看也是理想的。更为理想的是0.15≤T1/(T1+T2)≤0.6。该时间T1可以根据构成磁光记录媒体的磁性膜的磁化特性等的种种的要因选定最佳值。
在上述(3)的情况下，由于为了把记录层的磁区复制到再生层上，提供广泛的温度分布整顿磁区扩大的条件要花时间，故激光光束的脉冲的占空比理想的是20～70％的范围。在图28B中，示出了上述(4)的情况下的施加磁场(Hex,Hsr)和激光脉冲的周期的关系。如图28B所示，用于磁区扩大的时间T1，用于磁区消灭的时间T2的每一时间中，理想的是照射激光光束(图中，用Pr表示激光功率)，使得激光光束ON/OFF可以进行一次。在本发明中，可以应用上述(1)～(4)中任何一种方法。但是，要想最确实地进行磁区扩大的话，就必须使在位于记录磁区尚未被记录的记录层部分的正上方的再生层部分中不产生磁区扩大的变化，为此，必须先局部地降低该位置的再生层的膜温度。根据这一要求，用脉冲光照射是理想的，此外可以确实地进行磁区扩大缩小的脉冲磁场再生是理想的。由于这些情况，故用条件(4)进行的再生是最合适的。
在图28A和图28B中，虽然要施加的交变磁场用的是矩形波形的磁场，但是，只要是实质上没有过冲的波形可以应用任意的波形。这是因为在磁场波形中存在着过冲，即存在着磁场波形的陡峻的上升沿而且其上升沿的最大(峰值)磁场强度是超过了例如图5A的磁滞回线中的Hn之类的值时，即便是在信息记录层在不存在记录磁区，其上方的再生层的磁区也会在反转后作为信号读出的原故。为了防止这一过冲，可以用图9的那样的三角波的波形。采用用这样的波形的磁场的办法，可以容易地使扩大时的磁场变化变得平缓进行磁区扩大。波形不限于三角波，只要是正弦波等的慢慢地增加磁场之类的波形，用任意的波形都行。此外，只要是以不发生过冲为条件，即便是矩形波也没问题。在图30中，示出了用来产生对再生磁场波形合适的波形的正弦波的电路的一个例子。采用把示于图30的那种电路组装到图10(图14)的记录再生装置101(103)的磁线圈驱动电路34中去的办法，就可以产生具有正弦波的波形的再生用磁场。
在图31(a)～(d)中，示出了在上述(2)的情况下，就是说，在设激光光束为连续光，已使磁场脉冲化来进行再生的情况下的再生信号(振幅)对所加磁场的依赖性。作为磁光记录媒体用图7B中所示的磁光记录媒体，激光光束波长为30nm，功率为1.65mW，线速度为1.7m/sec。记录采用以等间隔记录0.4微米的磁畴的办法进行。外部磁场，在图31(a)中为H=0，在图31(b)中为H=130(Oe)，在图31(c)中，H=215(Oe)，在图231(d)中，H=260(Oe)。磁场的脉冲的工作周期比为T1/T2=1。但是，作为磁场波形用的是具有与正弦波相近的波形的交变磁场。外部磁场变大时，被检测的信号强度变大，H=260(Oe)时就会达到饱和程度。采用施加外部磁场的办法，再生信号变大，表示从记录层复制到再生层上的磁区已经扩大。
实施例7
图32示出了图10的记录再生装置101的变形例。在图10的记录再生装置101中，在从磁光记录媒体100的上方施加外部磁场的同时，从磁光记录媒体100的下方，即从基片一侧照射记录光和再生光。在图32的磁光记录媒体的记录再生装置中，可以从同一方向施加外部磁场和记录及再生光。为了实现这一目的，在记录再生装置105中，给再生光聚光用的物镜24绕上了磁线圈。
在图33中，示出了对于该记录再生装置合适的磁光记录媒体79的媒体构成。该磁光记录媒体79与图7B的媒体构造不同，在基片1上边，具有信息记录层75，非磁性层4，扩大再生层3，电介质层2和保护层76的叠层构造。要想记录再生该磁光记录媒体79，光不是从基片一侧，而是从保护层76一侧(扩大再生层一侧)入射，同时还要加磁场。为此，基片不需要用透明材料，可以用铝等的金属材料等的不透明的材料构成。此外，还可以采用把图33的叠层构造叠层为使得在基片1的外侧也变成为对基片对称的办法，构成可以两面记录的磁光记录媒体。这种可以两面记录的磁光记录媒体与现有的磁光记录媒体比记录密度增加一倍。特别是在想用图32的构造的记录再生装置记录再生该可以两面记录的磁光记录媒体时，每进行一面的记录或再生把磁光记录媒体翻个面即可。因此，本记录再生装置105使得可以增大磁光记录媒体的记录容量。另外，从同一方向应用该磁场和光的光头的构成也可以用图14的记录再生装置。
实施例8
在上述实施例中，虽然用光磁场调制方式把记录信号记录到磁光记录媒体上，但也可以用磁场调制方式进行记录。不论在用哪一种方式记录的情况下，理想的也是把记录磁区形成为最短磁区(线方向的长度最短的磁区或磁标记)的形状，使得磁区的磁道方向的长度比线方向的长度还长。更为理想的是磁区后方部分的形状在磁区的内侧凹了进去。作为这样的最短磁区的例子，象图34A所示的那样的月牙形或图34B所示的矩形的磁区是合适的。除此之外，作为最短磁区的形状，箭翎型(箭头向着与盘的旋转方向相反的方向)的磁区也是理想的。要想记录把磁区形成为使磁区的磁道宽度方向的长度比线方向(磁道方向)的长度还长的磁区的话，用磁场调制记录方式是有效的。至于箭翎型等的磁区的形状，可以采用使基片的凹槽或脊部分的形状变化的办法进行调整。这样的记录磁区的形状，由于以下的理由，使从再生层复制的磁区的扩大变得容易进行。设本发明的磁光记录媒体的记录层上已经记录了图34A的月牙形的磁区。在磁光记录媒体的再生时，磁光记录媒体被再生光加热月牙形的磁区用静磁耦合或交换耦合复制到再生层上。在再生层中，相当于再生光斑中心的部分(或其后方)为高温。此外，磁畴壁的高温一方在热力学上是稳定的，故高温部分使月牙形的磁区的凹部向其后方(使月牙的圆弧变成为公用的圆的中心部分)的高温部分移动的一方是稳定的。此外，由于磁畴壁的长度短时稳定，因为月牙形的磁区的凹部鼓起来变成半月形的磁区时磁畴壁变短，故是稳定的。因此，在再生层上边根据这样的温度分布和磁区形状磁区变得易于扩大。此外，出于下边的理由，可以说上述月牙形等是理想的。如果考虑从记录磁区向再生层漏泄的漏泄磁场，则来自月牙形的磁区的漏泄磁场在月牙形的磁区的上方的再生层中的月牙的中心(使月牙的圆弧变成为公用的圆的中心部分)处最大。为此，已复制到再生层上的磁区变得易于用该漏泄磁场进行扩大。
实施例9
在本实施例中，说明遵从本发明的第4方案的磁光记录媒体。在实施例1A,B和2中，示出了采用施加外部磁场的办法，扩大再生已从记录层复制到再生层上的磁区的磁光记录媒体的例子，而在本实施例中，对不加外部磁场就可以扩大再生从记录层复制到再生层上的磁区的磁光记录媒体的例子进行说明。
在图35中，示出了本实施例的磁光记录媒体的叠层构造的例子。磁光记录媒体110是在玻璃、聚碳酸脂等的透光性的基片上，顺次叠层由SiN构成的电介质层65，由GdCo构成的再生层64，由SiN构成的非磁性层63，由TbFeCo构成的记录层75，由SiN构成的保护层76的构造。在再生层64中所用的磁性膜是在上述式(1)中定义的最小磁区直径比已记录在记录层对5中的磁区还大的材料。因此，如果记录层75的磁化通过非磁性层63向再生层64复制，则即便是不进行因加外部磁场而形成的磁区扩大也可以把记录层75的磁区作为大的磁区进行再生。此外，本实施例的磁光记录媒体的构造，也可以是在非磁性层63和上述再生层64之间插入了由GdFeCo构成的中间磁性层的构造。上述各层可以用把Ar用做溅射气体的磁控管溅射法形成。
参照图36说明使用磁光记录媒体110的再生原理。在图36中，已记录了信号的记录层75和非磁性层63虽然在室温下是面内磁化膜，但是，向由在规定的温度(临界温度)以上变成垂直磁化膜的再生层64构成的磁光记录媒体110照射激光光束时，则通过非磁性层63，向再生层64的磁区160中，复制在已升温到规定温度以上的区域中记录的磁区15的磁化。在这种情况下，从磁区150向磁区160的复制用静磁耦合进行。结果是再生层64的磁区160全体被磁化为向着下方。因此，结果变成为即便没有采用从外部施加磁场的办法进行的磁区扩大，也可以把比记录层的磁区还大的磁区复制到再生层上。磁区150再生后，当激光光束的照射位置移往下一个应当再生的磁区170的位置时，该磁区170上的磁区160的实效垂直磁性各向异性变大，朝上的磁化被复制，磁区170的信号被再生。在再生后，温度变低，磁区160的磁化朝向面内。将此反复进行就可以再生已记录到记录层75中的各个磁区。
在再生层64中所用的磁性膜只要是在室温下为面内磁化膜，在规定温度以上为垂直磁化膜，最小稳定区直径比在记录层75内记录的磁区还大的材料即可，由从Gd和Fe,Co,Ni之内选出的元素构成的磁性膜是合适的。此外，作为记录层75也可以是从TbFeCo,Tb,,Dy,Nd之内选出的元素和从Fe,Co,Ni，之内选出的元素构成的单层的磁性膜或多层的磁性膜。还可以是从Pt,Pd之内的一个元素和从Fe,Co,Ni自内选出的元素构成的单层的磁性膜或多层的磁性膜。
此外，再生层64从面内磁化膜变向垂直磁化膜的温度为140～180℃，表示从面内磁化膜变向垂直磁化膜的陡峻性的温度系数C与实施例1一样理想的是大于8.0。
上述磁光记录媒体110不限于图36所示的构造，也可以是不插入非磁性层63而代之以插入在室温下为面内磁化膜，在规定温度以上变成为垂直磁化膜的磁性膜的构造。在图37中，示出了取代图36所示的磁光记录媒体的非磁性膜63而用在室温下为面内磁化膜，在临界温度TCR1从面内磁化膜变向垂直磁化膜的中间磁性膜99的情况下的概念图。其中，再生层用64C表示。中间磁性层65的最小稳定磁区半径与记录层75大致相同。作为中间磁性层65使用GdFeCo,GdFe,GdCo。此外，再生层64虽然在临界温度以上也从面内磁化膜变向垂直磁化膜，但其温度区域为100～170℃。在本构造的磁光记录媒体中，中间磁性层65从面内磁化膜陡峻地变向垂直磁化膜决定再生特性。因此，在中间磁性层65中所用的磁性膜的温度系数C理想的在8.0以上。中间磁性层65的厚度，由于可以使中间磁性层65的磁化旋转，故理想的是使得大于中间磁性层65的磁区124和与其相邻的面内磁化的磁区之间形成的磁畴壁的厚度。
当向图37的磁光记录媒体125照射激光光束，记录层75的磁区23的区域升温后，磁区123的磁化借助于交换耦合力被复制到中间磁性层65的磁区124上。于是，结果将变成为记录层75的微小磁区123作为再生层64C的大的磁区被再生。如果用中间磁性层99则对于再生层无论用面内磁化膜或垂直磁化膜中的哪一个的情况下都没有必要加外部磁场。要再生本实施例的磁光记录媒体的话，只要仅仅照射激光光束即可，在该激光光束的照射方法中，有照射连续光的方法和照射脉冲光的方法。脉冲光的情况下的占空比为20～70％的范围。
在图37中，记录层75的记录磁区123理想的是，如图38的下边部分所示，缩小复制到中间磁性层99上。其理由用图38说明。在图38的上边一侧示出了用再生用激光光斑(LS)加热图37所示的构造的磁光记录媒体时的温度分布，在图38的中间，示出了从再生层64的上方看的磁光记录媒体对激光光斑(LS)的温度分布。当已复制到中间磁性层99上的磁区124(↑方向的磁化)的大小与记录磁区123的大小同等或更大时，中间磁性层99的磁区124受到来自与记录磁区123相邻的具有↓方向的磁化的磁区S的磁影响，磁区124变为不稳定。已复制到中间磁性层99上的磁区124由于需要起着具有使磁区扩大的功能的再生层64C传送记录磁区124的磁化信息的作用，故在磁性上必须是稳定的。为此，采用使磁区缩小后从记录磁区123复制到中间磁性层99上去的办法就可以减小来自与对中间磁性层99的磁区124的记录磁区相邻的磁区S的影响，这样一来，就可以使中间磁性层99的磁区124的磁化稳定化。特别是由于磁光记录媒体通常在旋转状态下进行再生，故如图9A,B所示，磁光记录媒体的记录层75的磁区对于再生光光斑一个接一个地移动。另一方面，对于再生光光斑，中间磁性层99的超过了TCR1的温度区域存在于恒定的位置上。在中间磁性层99的超过了TCR1的温度区域与记录磁区123的大小相同的情况下，在该温度区域内只存在正在移动着的一个记录磁区的情况仅仅是一瞬间，除此以外的时间，在该温度区域内，存在着一个记录磁区的一部分和与之相邻的记录磁区的一部分。因此，从中间磁性层99的超过了TCR1的温度区域仅仅读出单一的记录磁区的磁化信息是极其困难的。但是，如果中间磁性层99的超过了TCR1的温度区域比记录磁区123的大小还小，则该温度区域仅仅在单一的记录磁区的上方存在的时间比较长，可以从单一的记录磁区把磁化信息确实地复制到中间磁性层99上。以上的理由，即便是在中间磁性层在室温以上垂直磁化的情况下也是合适的。就是说，作为中间磁性层，在用在室温以上显示垂直磁化的磁性材料的情况下，进行复制使得已从记录层复制到中间磁性层上的磁区缩小是有效的。
要想使中间磁性层99的磁区的大小形成得比记录磁区123的大小还小，如图38所示，调整激光功率和中间磁性层99的TCR1使得中间磁性层99的超过了TCR1的温度区域变成为比记录层75的记录磁区123的大小(宽度)还小即可。此外，复制到中间磁性层9上的磁区124的大小比记录层75的记录磁区123还小，例如可以用以下的方法检验。从记录了信息的磁光记录媒体上除去基片1，并在用溅射刻蚀等除去了电介质层65和再生层64之后，用加温到再生温度的光学显微镜观察中间磁性层99的表面就行。
在示于图38的例子中，在再生时，记录层75的记录磁区123作为磁区124缩小复制到中间磁性层99上，然后把磁区124作为磁区125扩大复制到再生层64C上。
在本实施例中说明的磁光记录媒体，在信息再生时，没必要加磁场。为此，在实施例3或实施例4中说明的再生方法和记录再生装置中，也可以不加再生磁场执行再生。就是说，在本实施例中说明的再生磁光记录媒体的装置，可以构成为从图10或图14所示的装置中略去磁场施加部分和与之关联的信号处理系统(遵从本发明的第4方案的装置)。或者，在本实施例中说明的磁光记录媒体的再生时不驱动图10或图14所示的装置的磁场施加部分即可。另外，在对光进行脉冲调制的情况下，也可应用在实施例5中说明的时钟产生方法。在实施例8中说明的在最短磁区形状下进行记录的方法在本实施例的磁光记录媒体(遵从本发明的第4方案的磁光记录媒体)中也是有效的。
实施例10
本发明的磁光记录媒体可以应用到脊槽型的磁光记录媒体中去。特别是当用本发明时，那种既是脊宽度比凹槽宽度还窄的脊槽型的磁光记录媒体又是可以在脊部分上进行记录的磁光记录媒体是有效的。就是说，即便是微小的记录磁区形成于狭窄的脊上的情况下也可以通过再生层扩大读出记录磁区。为此，从记录在狭窄的脊部分上的微小磁区也可以以优良的S/N得到再生信号。本发明也可以象这样地变成构造新颖的媒体构造。
以上用实施例具体地说明了本发明，但本发明并不限于此，还可以含有它们的变形和改良。例如，构成磁光记录媒体的材料，如果是实现本发明的材料的话，则可以使用种种的材料，在磁区扩大再生层的前后或信息记录层或者选通层的前后等的任意的位置上中间存在着任意的中间层，或者对层表面进行加工也是可能的。例如，在示于实施例1B和9中的磁光记录媒体的制作中，虽然在基片上形成了由SiN构成的电介质层后形成了再生层，但是，也可以在形成再生层之前刻蚀电介质层的表面使之平坦化之后再形成再生层。作为刻蚀条件，在用使用了Ar气体的磁控管溅射法时可以把功率调整到0.05～2.0W/cm2，溅射时间为15～30分的范围内。这样一来，就可以形成各向异性的大的磁性膜，可以进一步提高磁光记录媒体的再生特性。
至于磁光记录媒体的再生层，在遵从第1～第4之内的任何一个方案的磁光记录媒体中，也可以或者是具有垂直磁化的磁性层或者是采用照射再生光的办法从面内磁化向垂直磁化转变的磁性层中的任何一种磁性层。还有，在实施例3和4中，虽然是用光磁场记录方式进行信息的记录，但是，并不限于此，应用光调制方式和磁场调制方式也是可能的。
工业上利用的可能性
本发明的磁光记录媒体，由于对磁区的大小调整了信息记录层的厚度，故可以确实地执行用再生磁场进行的磁区的扩大再生，同时，还可以容易地控制再生磁场。此外，本发明的磁光记录媒体，由于用选通层或中间层选别用再生光斑照射过的信息记录层的多个磁区中的一个磁区，即仅仅选别再生光斑直径的1/2以下的长度的单一的磁区，并对选别出来的磁区进行磁区扩大再生，故微小磁区的记录和高密度的再生变成为可能。这样一来，由于本发明的磁光记录媒体的超高密度记录和再生是可能的，所以作为面向本代和下一代的多媒体的大容量记录媒体是适宜的。
此外，倘采用遵从本发明的第3方案的磁光记录媒体，由于从记录层向再生层的磁化复制用静磁耦合进行，故在再生层中可以进行磁区扩大而不受记录层的磁区的大小的限制。在遵从本发明的第4方案的磁光记录媒体中，由于用的是由比记录层还大的磁区构成的磁性膜，故可以把记录层的磁区扩大再生到再生层上而不用外部磁场。再有，在再生层上，采用在规定的温度下从面内磁化陡峻地向垂直磁化膜变化且用磁区比记录层大的磁性膜的办法，可以得到向再生层进行的磁区复制将变得确实而且已被放大了的再生信号，因此可以使再生特性改善。
本发明的磁光记录媒体，采用对具备扩大再生层和信息记录层的磁光记录媒体应用已与再生时钟同步地调制后的再生磁场和/或再生光的办法，就可以独立地，以高S/N低出错率再生存在于再生光斑中的多个微小磁区。本发明的磁光记录再生装置是对把再生光应用到磁光记录媒体中的本发明的磁光记录再生方法极其有效的装置。另外，还可以创造产生具备有能够从同一方向应用再生光和再生磁场的光头的再生装置的新颖构造的磁光记录媒体，并且可以使磁光记录媒体的存储容量倍增。
如以上所说明的那样，用本发明的磁光记录媒体和再生装置构筑使下一代的超高密度记录成为可能的磁光记录系统是可以期待的。

Claims (120)

1、一种磁光记录媒体，在基板上具备有信息记录层，和可以采用加上与从该信息记录层复制下来的磁区同一极性的外部磁场的办法，扩大再生该磁区的磁区扩大再生层，
其特征是：上述信息记录层的厚度h，是对于上述进行了记录的最小磁区的半径d满足h/d＞0.5的厚度。
2、权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征是：上述外部磁场，其绝对值Hr对于扩大记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向上加上外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的上升点的绝对值He和与该He的磁场同一极性且磁滞回线的主环的上升点的磁场的绝对值Hn，满足He＜Hr＜Hn的关系，
复制到上述磁区扩大再生层上的磁区的尺寸根据再生时所加的外部磁场的大小进行扩大。
3、权利要求2所述的磁光记录媒体，其特征是：上述外部磁场，其绝对值Hr对于加上与扩大记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向相反的外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的下降点的绝对值Hs，满足Hs＜Hr的关系，
根据再生时所加的上述逆方向的外部磁场的大小，缩小上述扩大后的磁区的尺寸。
4、权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征是：在上述信息记录层和上述磁区扩大再生层之间，还具备用于使该信息记录层和磁区扩大再生层静磁性耦合的至少一层的非磁性层。
5、权利要求4所述的磁光记录媒体，其特征是：构成为在基片上边顺次叠层电介质层，磁区扩大再生层，非磁性层和信息记录层。
6、权利要求4所述的磁光记录媒体，其特征是：构成为在基片上边至少顺次叠层信息记录层，非磁性层和磁区扩大再生层，在再生时，从磁区扩大再生层一侧施加再生光和外部磁场。
7、权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征是：还具备用于使磁区扩大再生层和信息记录层之间进行磁耦合的中间磁性层。
8、权利要求7所述的磁光记录媒体，其特征是：构成为在基片上边顺次叠层电介质层，磁区扩大再生层，中间磁性层和信息记录层。
9、权利要求7所述的磁光记录媒体，其特征是：构成为在基片上边至少顺次叠层信息记录层，非磁性层和磁区扩大再生层，在再生时，从磁区扩大再生层一侧施加再生光和外部磁场。
10、权利要求9所述的磁光记录媒体，其特征是：上述中间磁性层设有在室温下是面内磁化膜，在80～200℃的温度范围内从面内磁化膜向垂直磁化膜转变，在超过200℃的温度下变成为垂直磁化膜的磁性层。
11、权利要求1～9中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述磁区扩大再生层在照射再生光时，磁区扩大再生层的磁畴壁抗磁力比上述再生时所加的磁场小。
12、权利要求1～9中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述磁区扩大再生层由稀土族过渡元素构成，该稀土族过渡元素的补偿温度处于-100～100℃的范围内。
13、权利要求1～9中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述信息记录层由稀土族过渡元素构成，该稀土族过渡元素的补偿温度处于-100～50℃的范围内。
14、权利要求1～9中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述磁区扩大再生层是GdFeCo合金，上述信息记录层是TbFeCo合金。
15、权利要求1～9中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：作为上述外部磁场用交变磁场，边向该磁光记录媒体上照射再生光边用该交变磁场的一方的极性的磁场扩大已从上述信息记录层复制到磁区扩大再生层上的磁区，并用交变磁场的逆方向的极性的磁场缩小再生已扩大的磁区。
16、权利要求7～10中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述中间磁性层的厚度比该中间磁性层的磁畴壁的厚度还厚。
17、权利要求7～10中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述中间磁性层具有超过10nm的厚度。
18、权利要求7～10中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：从上述信息记录层向中间磁性层上缩小地复制磁区。
19、权利要求7～10中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：已记录到上述信息记录层上的最短磁区磁道方向宽度的长度比线方向的长度长。
20、权利要求19所述的磁光记录媒体，其特征是：上述最短磁区的形状具有从月牙，箭翎和长方形构成的群中选出的一种形状。
21、一种磁光记录媒体，至少具有信息记录层，并采用照射再生光的办法再生信息，其特征是：
按下述顺序具备磁区扩大再生层，选通(gate)层和信息记录层；
上述选通层，是在把上述再生光的光斑照射到上述磁光记录媒体上时，根据在该再生光斑内产生的选通层的温度分布，记录到上述信息记录层内，且从该信息记录层仅仅复制再生光光斑内存在的多个磁区之内的一个磁区的层，
上述磁区扩大再生层，是可以对从上述选通层复制的磁区采用施加与该磁区极性相同的外部磁场的办法进行扩大的层。
22、权利要求21所述的磁光记录媒体，其特征是：上述外部磁场，其绝对值Hr对于扩大已记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向上加上外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的上升点的绝对值He和与该Hr的磁场同一极性且磁滞回线的主环的上升点的磁场的绝对值Hn，满足He＜Hr＜Hn的关系，
复制到上述磁区扩大再生层上的磁区的尺寸根据再生时所加的外部磁场的大小进行扩大。
23、权利要求22所述的磁光记录媒体，其特征是：上述外部磁场，其绝对值Hr对于加上与扩大记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向相反的外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的下降点的绝对值Hs，满足Hs＜Hr的关系，
根据再生时所加的上述逆方向的外部磁场的大小，缩小上述扩大后的磁区的尺寸。
24、权利要求21所述的磁光记录媒体，其特征是：上述磁区扩大再生层，在照射再生光时，磁区扩大再生层的磁畴壁抗磁力比上述再生时所加的外部磁场小。
25、权利要求21所述的磁光记录媒体，其特征是：上述磁区扩大再生层以外的磁性层的厚度总和h，是对于上述信息记录层的最小磁区的长度d，满足h/d＞0.5的厚度。
26、权利要求21所述的磁光记录媒体，其特征是：在基片上，以下述顺序至少具备磁区扩大再生层，选通层和信息记录层。
27、权利要求21所述的磁光记录媒体，其特征是：构成为在基片上边至少以下述顺序具备信息记录层，选通层和磁区扩大再生层，在再生时，从磁区扩大再生层一侧施加再生光和外部磁场。
28、权利要求27所述的磁光记录媒体，其特征是：构成为在基片的两面上边分别以下述顺序具备信息记录层，选通层和磁区扩大再生层，在再生时，从磁区扩大再生层一侧施加再生光和外部磁场。
29、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：还具备用于使磁区扩大再生层和选通层之间进行磁耦合的一层非磁性层。
30、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：在上述再生光斑内产生的选通层的温度分布之内，在比规定的温度还高的高温区域中，信息记录层的磁区被复制到选通层上，复制到选通层上的磁区被复制到扩大再生磁性层上的同时，采用施加与该磁区的磁化同一极性的外部磁场的办法扩大已复制到扩大再生磁性层上的磁区，以放大再生信号。
31、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：在上述再生光斑内产生的选通层的温度分布之内，在比规定的温度还低的低温区域中，信息记录层的磁区被复制到选通层上，复制到选通层上的磁区被复制到扩大再生磁性层上的同时，采用施加与该磁区的磁化同一极性的外部磁场的办法扩大已复制到扩大再生磁性层上的磁区，以放大再生信号。
32、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：在上述再生光斑内产生的选通层的温度分布之内，在规定的温度范围内，信息记录层的磁区被复制到选通层上，复制到选通层上的磁区被复制到扩大再生磁性层上的同时，采用施加与该磁区的磁化同一极性的外部磁场的办法扩大已复制到扩大再生磁性层上的磁区，以放大再生信号。
33、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：在上述选通层和信息记录层之间，设有可以控制两磁性层的磁性式交换耦合力的至少一层磁性层。
34、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述磁区扩大再生层由稀土族过渡元素构成，该稀土族过渡元素的补偿温度处于-100～100℃的范围内。
35、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述在磁区扩大再生层与选通层之间还设有在室温下是面内磁化膜，在80～200℃的温度范围内从面内磁化膜向垂直磁化膜转变，在超过200℃的温度下变成为垂直磁化膜的磁性层。
36、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述磁区扩大再生层是GdFeCo，上述信息记录层是TbFeCo层。
37、权利要求19～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：含有TbFeCo信息记录层，GdFeCo第1交换耦合力控制层，TbFeCo第2交换耦合力控制层，GdFeCo选通层，以及GdFeCo磁区扩大再生层。
38、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：在上述非磁性层和上述磁区扩大再生层之间还具有金属反射层。
39、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：作为上述外部磁场用交变磁场，边向该磁光记录媒体上照射再生光边用该交变磁场的一方的极性的磁场扩大已从上述信息记录层复制到磁区扩大再生层上的磁区，并用另一方的极性的磁场缩小已扩大的磁区的办法进行再生。
40、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述选通层的厚度比该选通层的磁畴壁的厚度还厚。
41、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述选通层具有超过10nm的厚度。
42、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：磁区从上述信息记录层缩小复制到选通层上。
43、权利要求21～27中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：已记录到上述信息记录层上的最短磁区磁道宽度方向的长度比线方向的长度长。
44、权利要求43所述的磁光记录媒体，其特征是：上述最短磁区的形状具有从月牙，箭翎和长方形构成的群中选出的一种形状。
45、一种具备记录信息的记录层，非磁性层和再生层的磁光记录媒体，其特征是：采用把上述磁光记录媒体加热到规定温度的办法，用静磁耦合把磁化从上述记录层复制到再生层上，具有该复制后的磁化的磁区在再生用外部磁场之下扩大为比已记录到再生层上的磁区还大并被再生。
46、权利要求45所述的磁光记录媒体，其特征是：上述再生层在室温下为面内磁化膜，在上述规定的温度以上则变成为垂直磁化膜。
47、权利要求46所述的磁光记录媒体，其特征是：上述再生层从面内磁化膜向垂直磁化膜变化的温度系数大于8.0。
48、权利要求45所述的磁光记录媒体，其特征是：上述再生层是垂直磁化膜。
49、权利要求45所述的磁光记录媒体，其特征是：上述再生层的最小稳定磁区直径比记录到上述磁性层上的磁区还大。
50、权利要求45所述的磁光记录媒体，其特征是：上述非磁性层由从SiN,AlN,TiN,SiO2,Al2O3,SiC,TiC,ZnO,SiAlON,ITO和SnO2构成的群中选出的至少一种构成。
51、权利要求45所述的磁光记录媒体，其特征是：已记录在上述记录层中的最短记录磁区的线方向的长度小于再生光斑直径的1/2。
52、权利要求45～51中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：记录到上述信息记录层上的最短磁区磁道宽度方向的长度比线方向的长度长。
53、权利要求52所述的磁光记录媒体，其特征是：上述最短磁区的形状具有从月牙，箭翎和长方形构成的群中选出的一种形状。
54、权利要求45～51中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：作为上述外部磁场用交变磁场，边向该磁光记录媒体上照射再生光边用该交变磁场的一方的极性的磁场扩大已从上述信息记录层复制到磁区扩大再生层上的磁区，并用另一方的极性的磁场缩小已扩大的磁区的办法进行再生。
55、一种磁光记录媒体，具备记录信息的记录层，中间层和再生层，采用检测从该记录层已复制到该再生层上的磁区的磁化的办法再生信息，其特征是：
上述再生层的最小稳定磁区直径比记录在上述记录层上的磁区的大小还大。
56、权利要求55所述的磁光记录媒体，其特征是：记录在上述记录层上的磁区被扩大后再复制到上述再生层上。
57、权利要求55所述的磁光记录媒体，其特征是：上述中间层是磁性层。
58、权利要求57所述的磁光记录媒体，其特征是：上述再生层在室温下为面内磁化膜，在上述规定的温度以上则变成为垂直磁化膜。
59、权利要求58所述的磁光记录媒体，其特征是：上述再生层从面内磁化膜向垂直磁化膜变化的温度系数大于8.0。
60、权利要求55所述的磁光记录媒体，其特征是：作为上述磁性层的中间层的厚度大于中间层中的磁畴壁的厚度。
61、权利要求55所述的磁光记录媒体，其特征是：作为上述磁性层的中间层具有超过10nm的厚度。
62、权利要求55所述的磁光记录媒体，其特征是：从上述记录层磁性地复制到上述中间层上的磁区的大小比所记录的磁区的大小还小。
63、权利要求55所述的磁光记录媒体，其特征是：上述中间层是非磁性层。
64、权利要求63所述的磁光记录媒体，其特征是：上述非磁性层由从SiN,AlN,TiN,SiO2,Al2O3,SiC,TiC,ZnO,SiAlON,ITO和SnO2构成的群中选出的至少一种构成。
65、权利要求63所述的磁光记录媒体，其特征是：上述非磁性层的膜厚的范围是50～300A。
66、权利要求55所述的磁光记录媒体，其特征是：上述规定的温度是100～170℃的范围的温度。
67、权利要求55～66中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述记录层是从由Tb,Dy,Nd构成的群中选出的至少一种元素和从Fe,Co,Ni构成的群中选出的至少一种构成的单层的磁性膜或多层的磁性膜，或者是从Pt,Pd之内的一种元素和从由Fe,Co,Ni构成的群中选出的至少一种元素构成单层的磁性膜或多层的磁性膜。
68、权利要求55～66中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述记录层是由TbFeCo构成的磁性层。
69、权利要求55～66中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述再生层是从由Ho,Gd,Tb和Dy构成的群中选出的至少一种元素和从由Fe,Co和Ni构成的群中选出的至少一种元素构成的磁性膜。
70、权利要求55～66中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述记录层的膜厚的范围是500～3000A。
71、权利要求55～66中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：上述再生层的膜厚的范围是50～1000A。
72、权利要求55～66中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：记录在上述记录层中的最短记录磁区的线方向的长度小于再生光斑直径的1/2。
73、权利要求55～66中的任何一项所述的磁光记录媒体，其特征是：已记录到上述信息记录层上的最短磁区磁道宽度方向的长度比线方向的长度长。
74、权利要求73所述的磁光记录媒体，其特征是：上述最短磁区的形状具有从月牙，箭翎和长方形构成的群中选出的一种形状。
75、一种再生在权利要求1所述的磁光记录媒体上记录的信息的方法，其特征是：采用向磁光记录媒体上照射再生光的办法把已记录到信息记录层上的磁区复制到磁区扩大再生层上，采用施加与该复制后的磁区的磁化同一极性的再生磁场的办法，把该复制后的磁区扩大为比已记录到信息记录层上的磁区的尺寸还大并进行再生。
76、权利要求75所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：作为再生磁场用根据再生时钟调制的交变磁场，并用和在信息记录层中所记录的磁区的磁化同一极性的磁场扩大上述复制的磁区，用逆极性的磁场缩小已扩大了的磁区。
77、权利要求75所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：根据上述再生时钟调制上述再生光的功率。
78、权利要求75所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：采用把可以含于上述再生光的光斑内的上述信息记录层的多个记录磁区之内的一个记录磁区复制到磁区扩大再生层上，并施加与复制后的磁区的磁化同一极性的再生磁场的办法比记录层中所记录的磁区的尺寸扩大地再生已复制的磁区。
79、权利要求75～78中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述再生磁场，其绝对值Hr对于扩大记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向上加上外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的上升点的绝对值He和与该He的磁场同一极性且磁滞回线的主环的上升点的磁场的绝对值Hn，满足He＜Hr＜Hn的关系，
可以根据再生时所加的外部磁场的大小扩大已复制到上述磁区扩大再生层上的磁区的尺寸。
80、权利要求79所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述再生磁场，其绝对值Hr对于在加上与扩大复制在上述磁区的方向相反方向的外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的下降点的绝对值Hs和与该Hs的磁场同一极性且磁滞回线的主环的下降点的磁场的绝对值Hn，满足Hs＜Hr＜Hn的关系，
根据再生时所加的外部磁场的大小可以缩小上述扩大后的磁区的尺寸。
81、权利要求79所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述外部磁场，其绝对值Hr对于加上与扩大记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向相反的外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的点下降点的绝对值Hs，满足Hs＜Hr的关系，
根据再生时所加的外部磁场的大小，能够消除上述扩大后的磁区。
82、权利要求75～81中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：把上述信息记录层上所记录的磁区记录为使得磁道宽度方向的磁区的长度比线方向的磁区的长度还长。
83、一种再生权利要求21所述的磁光记录媒体中所记录的信息的方法，其特征是：采用向该磁光记录媒体光照射再生光的办法通过选通(gate)磁性层把信息记录层上所记录的磁区复制到扩大再生层上，再采用施加与该复制后的磁区的磁化同一方向的再生磁场的办法，比信息记录层上所记录的磁区的尺寸扩大地再生该复制后的磁区。
84、权利要求83所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：在选通层中个别地产生含于上述再生光的光斑内的上述信息记录层的多个记录磁区，并把所产生的磁区复制到上述磁区扩大再生层上，采用施加与该复制后的磁区的磁化同一方向的再生磁场的办法，比在信息记录层中所记录的磁区的尺寸扩大地再生该所产生的一个磁区。
85、权利要求83所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：作为再生磁场用根据再生时钟调制的交变磁场，并用和在信息记录层中所记录的磁区的磁化同一极性的磁场扩大上述复制的磁区，用逆极性的磁场缩小已扩大了的磁区。
86、权利要求83所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：根据上述再生时钟调制上述再生光的功率。
87、权利要求83～86中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述再生磁场，其绝对值Hr对于扩大记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向上加上外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的上升点的绝对值He和与该He的磁场同一极性且磁滞回线的主环的上升点的磁场的绝对值Hn，满足He＜Hr＜Hn的关系，
可以根据再生时所加的外部磁场的大小扩大已复制到上述磁区扩大再生层上的磁区的尺寸。
88、权利要求87所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述外部磁场，其绝对值Hr对于加上与扩大已记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向相反的外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的点下降点的绝对值Hs，满足Hs＜Hr的关系，
可以根据再生时所加的外部磁场的大小，缩小上述扩大后的磁区的尺寸。
89、权利要求87所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述外部磁场，其绝对值Hr对于加上与扩大已记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向相反的外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的点下降点的绝对值Hs，满足Hs＜Hr的关系，
可以根据再生时所加的外部磁场的大小，消去上述扩大后的磁区。
90、一种用磁光效果再生在磁光记录媒体中所记录的信息的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：
作为上述磁光记录媒体，使用在基片上具备有信息记录层，和可以复制该信息记录层的磁区且可以用外部磁场扩大复制后的磁区的磁区扩大再生层的磁光记录媒体，
采用把根据再生时钟进行了调制后的再生磁场和根据再生时钟进行了调制后的再生光中的至少一方应用到上述磁光记录媒体中去的办法，比在上述信息记录层中所记录的磁区的尺寸扩大地再生已从上述信息记录层复制到磁区扩大再生层上的磁区。
91、权利要求90所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：采用边施加根据再生时钟进行了调制后的再生磁场，边照射连续再生光的办法对信息进行再生。
92、权利要求90所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：采用边照射根据再生时钟进行了调制后的再生光，边施加连续磁场的办法对信息进行再生。
93、权利要求90所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：采用边照射根据再生时钟进行了调制后的再生光，边施加根据再生时钟进行了调制后的再生磁场的办法进行信息再生。
94、权利要求90所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：作为再生磁场用交变磁场，采用反复进行在用与在上述信息记录层中记录的磁区的磁化同一方向的极性的磁场比在信息记录层中记录的磁区的尺寸扩大磁区扩大再生层的磁区之后，用相反极性的磁场缩小磁区扩大再生层的扩大后的磁区办法，从扩大后的各个磁区中检测放大后的再生信号。
95、权利要求90所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述磁光记录媒体是在上述信息记录层与上述磁区扩大再生层之间具备中间磁性层的磁光记录媒体，采用向该磁光记录媒体照射再生光的办法把在信息记录层中记录的磁区缩小复制到中间磁性层上，再从该中间磁性层复制到磁区扩大再生层上，再采用施加与已复制到该磁区扩大再生层上的磁区的磁化同一极性的再生磁场的办法，比在信息记录层上记录的磁区的尺寸扩大地再生该复制后的磁区。
96、权利要求90所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述磁光记录媒体是在基片上边至少顺次叠层信息记录层，中间磁性层，和磁区扩大再生层构成的磁光记录媒体，
采用从磁区扩大再生层一侧向该磁光记录媒体进行光照射的办法，把信息记录层中记录的磁区复制到磁区扩大再生层上，再采用从磁区扩大再生层一侧施加与该复制后的磁区的磁化同一方向的再生磁场的办法，比在信息记录层中记录的磁区的尺寸扩大地再生该复制后的磁区。
97、权利要求90～96中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述再生磁场，其绝对值Hr对于扩大记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向上加上外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的上升点的绝对值He和与该He的磁场同一极性且磁滞回线的主环的上升点的磁场的绝对值Hn，满足He＜Hr＜Hn的关系，
可以根据再生时所加的外部磁场的大小扩大已复制到上述磁区扩大再生层上的磁区的尺寸。
98、权利要求97所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述再生磁场，其绝对值Hr对于加上与扩大记录在上述磁区扩大再生层上的磁区的方向相反的外部磁场的情况下的磁滞回线的初始磁化曲线的最初的点下降点的绝对值Hs，满足Hs＜Hr的关系，
可以根据再生时所加的外部磁场的大小，缩小上述扩大后的磁区的尺寸。
99、权利要求90所述的磁光记录媒体的再生方法，其特征是：上述信息记录层由选通层，交换耦合力控制层和信息记录用磁性层构成。
100、一种再生在磁光记录媒体中记录的信息的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：具备：
磁头，用于给上述磁光记录媒体加再生磁场；
光头，用于向上述磁光记录媒体照射再生光；
时钟产生装置，用于产生再生时钟；
控制装置，用于为了根据上述再生时钟对上述再生磁场和再生光中的至少一方进行脉冲调制，对上述磁头和光头中的至少一方进行控制。
101、权利要求100所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述磁光记录媒体是具备记录层和复制源于该记录层的磁化的再生层的磁光记录媒体，
上述记录装置扩大已复制到再生层上的磁区，对信息进行再生。
102、权利要求100所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：还具备光头驱动装置，和产生用于根据上述再生时钟脉冲调制上述再生光的第1同步信号产生电路，并用第1同步信号控制光头驱动装置。
103、权利要求102所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述第1同步信号产生电路控制再生光的脉冲周期，脉冲宽度和相位。
104、权利要求100所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述再生装置具备向磁光记录媒体上记录信息的功能，还具备分别切换控制记录光的脉冲周期，脉冲宽度和相位以及再生光的脉冲周期，脉冲宽度和相位的控制电路。
105、权利要求100所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：还具备磁头驱动装置，和根据上述时钟产生用于对上述再生磁场进行脉冲调制的第2同步信号的第2同步信号产生电路，并用第2同步信号控制磁头驱动装置。
106、权利要求105所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述第2同步信号产生电路可以控制再生磁场的脉冲周期，脉冲宽度和相位。
107、权利要求105所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述再生装置具备向磁光记录媒体上记录信息的功能，还具备分别切换控制记录磁场的脉冲周期，脉冲宽度和相位以及再生磁场的脉冲周期，脉冲宽度和相位的控制电路。
108、权利要求100所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：还具有光头驱动装置，产生用于根据上述再生时钟脉冲调制上述再生光的第1同步信号的第1同步信号产生电路，磁头驱动装置，和产生用于根据上述再生时钟脉冲调制上述再生磁场的第2同步信号的第2同步信号产生电路，
能用第1同步信号控制光头驱动装置，用第2同步信号控制磁头驱动装置。
109、权利要求100～108中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述再生时钟由被上述光头检测出来的信号产生。
110、权利要求100～108中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：根据从在上述磁光记录媒体上形成的坑，微细时钟标记和波动形状的凹槽构成的群中选出的一个产生上述再生时钟。
111、权利要求100～108中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述再生时钟由被上述光头检测出来的信号产生的同时，每一单位位(bit)具有一个周期以上的周期。
112、权利要求100～108中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述脉冲调制后的磁场的占空比的范围是0.15～0.9。
113、权利要求112所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述脉冲调制后的磁场的占空比的范围是0.15～0.6。
114、权利要求108所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述脉冲调制后的再生光的频率是上述脉冲调制后的再生磁场的频率的2倍。
115、权利要求100～108中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述光头和上述磁头对于磁光记录媒体装配于同一侧。
116、权利要求100～108中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：采用在构成上述光头的物镜的周围绕上磁线圈的办法，使光头和磁头形成一体化。
117、权利要求100～108中的任何一项所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：具有使由磁头产生实质上没有过冲的磁场波形的控制电路。
118、权利要求117所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述控制电路是用于使由磁头产生磁场强度慢慢地增大的磁场脉冲波形的电路。
119、权利要求118所述的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：上述脉冲波形是三角波或正弦波。
120、一种再生在磁光记录媒体中记录的信息的磁光记录媒体的再生装置，其特征是：具备：
光头，用于向上述磁光记录媒体照射再生光；
驱动装置，用于驱动上述光头；
时钟产生装置，用于产生再生时钟；
控制装置，用于根据上述再生时钟控制上述光头驱动装置，以对上述再生光进行脉冲调制，
上述磁光记录媒体是一种具备记录信息的记录层，中间层和再生层，该再生层的最小稳定磁区直径比在上述记录层中记录的磁区的大小还大的磁光记录媒体，采用检测从该记录层向扩大地复制到该再生层中的磁区的磁化状态的办法对信息进行再生。
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