JP2005539341A

JP2005539341A - 光磁気記憶媒体

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Publication number: JP2005539341A
Application number: JP2004537380A
Authority: JP
Inventors: ゲイヴィンエヌフィッリップス
Original assignee: Koninklijke Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 2002-09-18
Filing date: 2003-08-08
Publication date: 2005-12-22
Also published as: CN1682300A; KR20050048634A; AU2003255916A8; WO2004027759A2; US20050266272A1; AU2003255916A1; TW200407848A; WO2004027759A3; EP1543504A2

Abstract

本発明は、光磁気記憶媒体（２００）に関し、より詳細には磁区拡大記憶媒体に関する。媒体（２００）は、長期間の情報記憶のための磁性記憶層（１０７）と、磁性記憶層（１０７）に磁気的に結合した磁性再生層即ち磁性読み出し層（１１１）とを有する。再生層（１１１）において、読み出しの間拡大された磁区が生成される。磁性層（１０７、１１）は、非金属又は金属の、非磁性層又は磁性層（１０９）によって分離され、パラジウム又は白金のような少なくとも１つの金属層（２０１、２０３）が磁性再生層（１１１）に隣接して配置される。好ましくは、この金属層（２０１、２０３）は、磁性再生層（１１１）の両側に配置される。金属層（２０１、２０３）は、増大された放熱及びカー効果を提供し、これにより光磁気記憶媒体（２００）の増大されたデータ密度を可能とする。

Description

本発明は光磁気記憶媒体に関し、より詳細にはＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ（Magnetic Amplifying Magneto-Optical System）タイプの磁区拡大媒体に関する。

近年、消費者市場における光磁気記憶媒体の浸透はかなり増大してきている。光磁気記憶手法は、高いデータ密度並びに高速なデータ読み取り及び書き込み速度という利点を提供し、それ故小さなサイズの媒体における大容量のデータ記憶のための適切な手段を提供する。

近年、増大された媒体のデータ密度を得るために、磁区拡大（DomEx）技術として知られる、幾つかの新たな光磁気記憶手法が開発されてきた。DomEx技術の２つの確立された形態は、ＭＡＭＭＯＳ（磁区拡大再生方式、Magnetic Amplifying Magneto-Optical System）及びＤＷＤＤ（磁壁移動検出方式、Domain Wall Displacement Detection）技術である。ＭＡＭＭＯＳ媒体は、２つのタイプに分類される。即ちＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ及びＺＦ−ＭＡＭＭＯＳである。前者については、リードバック（read-back）の間パルス状の（ＡＣ）磁場が必要とされ、後者についてはゼロの印加磁場（ＺＦ）が必要とされる。

ＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ媒体は、少なくとも２つの磁性層を有する。１つの磁性層は記憶層（又は記録層）であり、前記媒体の書き込みの間に情報が該記憶層に保存される。第２の磁性層は再生層（読み出し層としても知られる）である。前記情報の読み取りの間、前記再生層は、前記記憶層の磁区に対応する拡大された磁区を生成するために処理される。

具体的には、ＡＣ−ＭＡＭＭＯＳにおけるデータ取得は典型的に以下のように動作する。ＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ読み出し動作の間、低パワーのレーザスポットが前記記憶層及び前記読み出し層の両方を加熱する。このことは、前記記憶層の磁化及び前記記憶層からの漏れ磁界を増大させ、一方で前記再生層の保磁力を低下させる。同時に、パルス状の磁界が前記媒体に印加される。当該磁界が記録されたビットパターンと同期しており、ビットからの前記漏れ磁界に平行である場合、前記記憶層におけるビットと同じ磁化の方向を持つが予め磁化された読み出し層に対して反対の磁化を持つ磁区が、前記再生層において核形成され拡大される。

前記拡大された磁区は、カー効果による光検出によって分解されるのに十分に大きく、読み出し信号における「ピーク」をもたらす。カー効果は、磁性物質からの反射における、入射レーザ光の偏光の回転である。前記偏光の回転のサイズ及び方向は、前記磁性物質の磁化に比例し、適切な検出器の利用により観測されることができる。

前記ビットの読み取りに続いて、前記再生層において前記拡大された磁区は、符号を反転したパルス状の磁界により崩壊させられる。逆に磁化されたビットは読み出されない。なぜなら、これらのビットの磁化は既に前記読み出し層の磁化と整合され、従ってカー信号における変化が観測されないからである。

ＡＣ−ＭＡＭＭＯＳの更なる説明は、例えばH.Awano及びN.Ohtaによる「Magnetooptical Recording Technology Toward 100 GB/in²」（IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics、1998年、Vol.4、No.5、815-820頁）において見出される。

従来の光磁気記憶媒体及び磁区拡大光磁気記憶媒体の両方について重要なパラメータは、性能指数（Figure Of Merit、ＦＯＭ）である。ＦＯＭは、反射率と、カー回転角の二乗と楕円率の二乗との和との積の平方根に略等しい（

、ここでＲは反射率であり、θはカー回転角であり、εはカー楕円率である）。ＦＯＭは、どれだけ強い光読み出し信号が得られるかの示唆である。光磁気記憶媒体のデータ密度を増大させるため、より短い波長のレーザ光を利用することが望ましい。なぜならこのことは個々のビット間のより高い解像度を可能とするからである。しかしながら、現在の光磁気媒体については、レーザ波長が６６０ｎｍ（赤色）から４１０ｎｍ（青色）へと減少させられると性能指数が低下し、従ってキャリア対ノイズ比（ＣＮＲ）を減少させ、それによりエラーレートを増大させる。加えて、青色波長においては光検出器の感度が減少し、ＣＮＲを更に減少させる。このことは、高いデータレートにおいては重大となる。なぜなら、検出器の平均時間が減少し、従って許容できない低いレベルにまでＣＮＲを低下させるからである。このことを克服する１つの選択肢は、レーザのリードバックパワーを増大させる（検出器に到達するフォトンの数を増大させる）ことであるが、このことはレーザによる望ましくない加熱を減少させるために、前記媒体のより注意深い熱的設計を必要とする。

それ故高いデータレートの媒体を実現するために、より短いレーザ波長において改善された性能指数が実現されると有利である。なぜなら、このことは、より高いデータ密度を可能とするからである。加えて、光磁気記憶媒体に対して向上させられた放熱を持ち、それによってより高いレーザパワーのレーザ光が利用されることを可能とすることは有利となる。

従って本発明は、１以上の上述の不利な点を個々に又は合わせて軽減する又は緩和する、改善された光磁気媒体を提供しようとするものである。

従って、他の層を支持する基板層と、
情報記憶のための磁性記憶層と、
前記情報の読み取りのための前記磁性記憶層の情報の再生のための磁性再生層と、
前記磁性記憶層と前記磁性再生層との間に配置された分離層と、
前記磁性再生層に隣接する少なくとも１つの金属層と、
を有する光磁気記録媒体が提供される。

付加的な金属層が、増大させられた放熱特性と増大させられたカー効果とを提供し、かくして増大させられた性能指数（ＦＯＭ）を提供する。更に、前記付加的な金属層は反射率の増大を引き起こし得、これにより前記再生層からの反射においてより多くの光を検出器に結合させ、かくしてＦＯＭを更に向上させる。増大させられたＦＯＭ及び放熱は、より高いパワーの及びより短い波長のレーザの利用を可能とし、これにより前記媒体について増大させられたデータ密度を可能とする。

前記記憶層と前記再生層との間に配置された前記分離層は、例えば非金属のものでも金属のものでも良く、非磁性のもの（例えばＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ媒体の場合）のものでも磁性のもの（例えばＺＦ−ＭＡＭＭＯＳ及びＤＷＤＤ媒体の場合）であっても良い。加えて前記分離層は、単一の層から成っても幾つかの層から成っても良い。

本発明の第１の特徴によれば、前記少なくとも１つの金属層の１つは、前記記憶層と前記再生層との間に配置される。このことは、増大された放熱、反射率及び改善されたカー効果という利点を提供する。

本発明の第２の特徴によれば、前記少なくとも１つの金属層の１つは、前記磁性記憶層の反対側の方向において前記再生層に隣接する。このことも同様に、増大された放熱、反射率及びカー効果という利点を提供する。

本発明の第３の特徴によれば、前記磁性再生層の両側に、前記磁性再生層に隣接する２つの金属層を有する。放熱、反射率及び増大されたカー効果は、金属層を前記再生層の両側に配置することにより増加させられる。

本発明の第４の特徴によれば、前記光磁気記憶媒体は、前記基板層と前記記憶層との間に配置された反射層を更に有する。当該反射層は、増大させられた反射並びに前記記憶層及び前記再生層への光の結合を提供する。当該層は更に、書き込み又は読み取りフォーカスからの放熱を支援する。

本発明の第５の特徴によれば、前記反射層が前記基板層上に配置され、第１の誘電層が前記反射層上に配置され、前記磁性記憶層が前記第１の誘電層上に配置され、前記分離層が前記磁性記憶層上に配置され、前記金属層が前記分離層上に配置され、前記磁性再生層が前記金属層上に配置され、第２の誘電層が前記磁性再生層上に配置され、被覆層が前記第２の誘電層上に配置される。このことは、高いデータ密度を持つ、非常に効率的な光磁気記憶媒体を提供する。このことは具体的には、高いデータ密度記憶を可能とするために、適切な力学的、熱的、磁気的及び光学的特性を持つような大きさにされることができる光磁気記憶媒体を提供する。

本発明の第６の特徴によれば、前記反射層が前記基板層上に配置され、第１の誘電層が前記反射層上に配置され、前記磁性記憶層が前記第１の誘電層上に配置され、前記分離層が前記磁性記憶層上に配置され、前記磁性再生層が前記分離層上に配置され、前記金属層が前記磁性再生層上に配置され、第２の誘電層が前記金属層上に配置され、被覆層が前記第２の誘電層上に配置される。このことは、高いデータ密度を持つ、非常に効率的な光磁気記憶媒体を提供する。このことは具体的には、高いデータ密度記憶を可能とするために、適切な力学的、熱的、磁気的及び光学的特性を持つような大きさにされることができる光磁気記憶媒体を提供する。

本発明の第７の特徴によれば、前記反射層が前記基板層上に配置され、第１の誘電層が前記反射層上に配置され、前記磁性記憶層が前記第１の誘電層上に配置され、前記分離層が前記磁性記憶層上に配置され、２つの金属層のうちの第１の金属層が前記分離層上に配置され、前記磁性再生層が前記第１の金属層上に配置され、前記２つの金属層のうちの第２の金属層が前記磁性再生層上に配置され、第２の誘電層が前記第２の金属層上に配置され、被覆層が前記第２の誘電層上に配置される。

本発明の第８の特徴によれば、前記少なくとも１つの金属層の金属は遷移金属を有する。前記金属は従って遷移金属であっても良いし、又は遷移金属を含む合金であっても良い。具体的には、これらの金属のうちの１つを含む薄い層は、より多くの熱が前記層を通って伝導することを可能とし、増大された反射率を可能とする。

本発明の第９の特徴によれば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、及びＷから成る群から選択された金属を有する。具体的には、これらの金属は、カー効果を向上させ従ってＦＯＭを更に改善するために、前記再生層に隣接する金属の１つまたは数個の原子層を提供する。

本発明の第１０の特徴によれば、前記少なくとも１つの金属層は２ｎｍより小さい厚さを持つ。それ故、好ましくは非常に薄い層が利用され、これにより前記記憶層と前記再生層との間の磁気的結合又は光学的若しくは力学的な特性を著しく低下させず、また増大させられた放熱、反射率及びカー効果をも提供する。

本発明の第１１の特徴によれば、前記分離層は誘電層である。このことは、前記光磁気記憶媒体の積層の光学的特性を制御するために適切な層を提供する。

本発明の第１２の特徴によれば、前記少なくとも１つの金属層は、前記少なくとも１つの金属層が増大されたカー回転をもたらすように前記磁性再生層と結合される。このことは、増大させられたＦＯＭを可能とし、それにより前記光磁気記憶媒体の増大させられたデータ密度を可能とするという利点を提供する。

本発明の第１３の特徴によれば、前記少なくとも１つの金属層は、前記少なくとも１つの金属層が増大された放熱をもたらすように前記磁性再生層と結合される。このことは、増大させられたレーザパワーが利用されることを可能とし、それにより前記光磁気記憶媒体のより高いデータ密度を可能とする。加えて、前記層は好ましくは増大させられたカー効果、従って改善されたＦＯＭを提供する。

本発明の第１４の特徴によれば、前記少なくとも１つの金属層は、前記少なくとも１つの金属層が増大された反射率をもたらすように前記磁性再生層と結合される。このことは、前記再生層への光の結合を増大させ、これによりＦＯＭを改善し、従ってより高いデータ密度を可能とするという利点を提供する。

本発明の第１５の特徴によれば、前記光磁気記録媒体は、磁区拡大再生方式（Magnetic Amplifying Magneto-Optical System、ＭＡＭＭＯＳ）媒体、又は磁壁移動検出方式（Domain Wall Displacement Detection、ＤＷＤＤ）媒体のような磁区拡大媒体である。

本発明のこれらの及び他の特徴は、以下に説明される実施例を参照しながら説明され明らかとなるであろう。

本発明の実施例は、図を参照しながら、単に例として説明される。

以下において、本発明の好適な実施例が説明されるが、本発明はこの用途に限定されるものではないことは明らかであろう。特にＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ媒体への用途の好適な実施例が説明されるが、本発明は例えばＺＦ−ＭＡＭＭＯＳ及びＤＷＤＤ媒体を含む全ての磁区拡大媒体に同様に適用可能である。

図１は、典型的なＭＡＭＭＯＳ媒体１００の説明図である。

図示された媒体は、ポリカーボネート媒体でできた基板１０１を有する。前記基板は、残りの層のための力学的な基盤を提供する。前記基板の上には、反射性の熱伝導層１０３が配置される。当該層は、読み取り及び書き込み動作の間に光反射器として働き、またこれらの動作の間にレーザによって生成される熱の放散を支援する２重の機能を実行する。反射性の熱伝導層１０３は、好適な実施例においては、前記基板の上に直接配置され、薄いアルミニウムクロムの膜（ＡｌＣｒ）からつくられる。

反射性の熱伝導層１０３の上には、可能な限りの光が前記記憶層及び前記再生層に結合されるように積層の光学特性を制御するために利用される誘電層１０５がある。好適な実施例においては、前記誘電層はＳｉ_３Ｎ_４（窒化珪素）層である。

前記誘電層１０５の上には、磁気的にハードなＴｂＦｅＣｏ（テルビウム鉄コバルト）記憶層１０７がある。記憶層１０７においては、情報が磁気的に安定で半永久的な磁区に保存される。各磁区即ちビットのサイズは非常に小さく、２０乃至１００ｎｍのオーダーの長さであり、ディスク上の情報の高い密度に帰着する。典型的に、２０Ｇｂｉｔ／ｉｎ^２に達するデータ密度は現在達成可能であり、この数字は今後数年でかなり上昇することが予想される。前記記憶層は非常に薄く、典型的には２０ｎｍのオーダーである。

記憶層１０７は、Ｓｉ_３Ｎ_４物質からできた更なる誘電層１０９に後続され、当該誘電層１０９の上には再生層１１１がある。再生層１１１は記憶層１０７に静磁的に結合し、拡大された磁区を提供し光検出を容易化することにより読み取り動作を支援する。再生層１１１は、好適な実施例においては磁気的にソフトなＧｄＦｅＣｏ（ガドリニウム鉄コバルト）物質からできている。前記再生層はかくして、磁区を生成するために、前記記憶層よりも低い磁界強度を必要とする。

再生層１１１の上には第３の誘電層１１３がある。当該第３の誘電層１１３の上には、下にある層に対して力学的な保護を提供するアクリル樹脂でできた被覆層がある。

説明された媒体についてのデータ保存は、熱磁気的な書き込み手法を利用することにより達成される。具体的には、フォーカスされたレーザスポットにより前記記憶層がキュリー温度まで加熱され、次いで磁界の存在下で冷却される。次いで前記加熱されたエリアの磁化は、前記磁界の方向に平行な方向で「凍結」させられる。前記冷却フェーズの間に印加される磁界の方向は、保存されるべきデータビットのデータ値によって制御される。このようにして、前記ビットのデータ値に対応する磁界の方向付けにより磁区が生成される。

記憶媒体１００からの読み取りは、ＭＡＭＭＯＳ処理によって実現される。ＭＡＭＭＯＳ処理においては、低パワーの加熱レーザ及び磁界の制御下で、記録層における磁区が前記再生層において拡大される。前記再生層の前記拡大された磁区の磁界の方向は、入射レーザ光のカー回転における磁化の影響を検出することにより、光学的に読み取られる。

性能を改善するため、図１の光磁気ディスクは、前記再生層に隣接する金属層を取り入れることにより修正される。それ故、好ましくは金属の層が、前記再生層の直ぐ上及び／又は直ぐ下に配置される。

かくして、図２は本発明の実施例による光磁気媒体を示す。

本好適な実施例においては、前記光磁気媒体はかくして、前記再生層に直ぐ隣接して配置された１つ又は２つの付加的な金属層の追加を伴い、図１について説明されたものと同様の層を有する。かくして前記金属層は前記再生層に直接に隣接して配置され、具体的には前記再生層と直接接触して配置される。

それ故、図示されるように、本好適な実施例による光磁気媒体２００は、誘電層１１３の隣に被覆層１１５を有し、誘電層１１３はまた第１の金属層２０１の隣にある。第１の金属層２０１は再生層１１１の直ぐ隣にあり、再生層１１１はまた第２の金属層２０３に接触している。残りの層は図１の媒体と同一であり、従って第２の金属層２０３の隣に誘電層１０９を有する。次いで記憶層１０７が後続し、ここで記憶層１０７は更なる誘電層１０５の隣にあり、更なる誘電層１０５はまた基板１０１上の反射性の熱伝導層１０３に隣接する。

前記再生層の隣に金属層を配置することにより、多くの利点が達成される。具体的には、前記金属層は、反射性の熱伝導層１０３により達成される熱分散に加えて、付加的な熱分散を提供し従って付加的なヒートシンクとして働く。このことは、より高いリードバックレーザのパワーが利用されることを可能とし、これによりより大きなキャリア対ノイズ比（ＣＮＲ）を可能とする。

加えて、付加的な金属層の導入は、短波長におけるカー回転及び楕円率における増大に帰着する。少なくともＰｔ及びＰｄの場合については、前記再生層の磁性物質に隣接して配置された場合に磁気的に極性となる金属層の最初の幾つかの原子層によって、ある程度増大されたカー効果が引き起こされることが予期される。増強されたカー効果は、光読み出し信号における強い変化に帰着する。それ故、増大されたＣＮＲを伴う向上された性能指数（ＦＯＭ）が得られ、かくして同一のレーザ波長及びパワーに対してより少ないエラーが生成される。

従って、低下させられた波長におけるＦＯＭの減少は増大されたレーザパワー及び増大されたカー効果によって補償され、これによってより低いレーザ波長が利用されることを可能とする。かくして、青色レーザ（約４０５ｎｍ）について許容可能なエラー性能が達成される。このことは、より小さな磁区が光検出によって分解されることを可能とし、かくして前記光磁気記憶媒体の増大されたデータ密度を提供する。

好ましくは、前記光磁気媒体は前記再生層の両側に金属層を有するが、他の実施例においては、これらの金属層のうちの１つだけが含まれても良い。それ故、具体的には、前記記憶層の反対側の、前記再生層の上側に配置された金属層のみが含まれても良い。このことは入射光に対する増大された反射率と、増大された熱伝導率とを提供する。

前記金属層は、好ましくは遷移金属から成る。なぜならこれらの金属層は、最も適切な力学的、光学的及び熱的特性を持つと考えられるからである。具体的には、前記金属層はパラジウム（Ｐｄ）及び／又は白金（Ｐｔ）からできたものであることが好ましい。これらの金属は、磁性物質の隣に配置された場合に、上端の幾つかの原子層が磁気的な極性を示し、これによってより短い波長においてカー効果が増強されるという付加的な利点を持つ。

好ましくは前記金属層は薄く、各前記金属層の厚さは好ましくは２ｎｍよりも小さい。このことは、適切な熱伝導性及びカー効果の増強を提供し、一方で前記媒体の全体の厚さに著しい追加をもたらさず、又は前記記憶層と前記再生層との間の磁気的な結合に著しい影響を与えない。

更に、このサイズの金属層の厚さについては、前記金属層は、前記再生層からのリードバック放射の反射を増大させる。このことは、前記リードバックレーザ光が前記記憶層に到達し、当該層によって吸収又は反射される見込みを減少させる。従って、望ましくない前記記憶層からの「ゴースト」リードバック信号（一種のプリントスルー効果）の可能性が減少させられ得る。

好適な実施例においては、誘電層１０９は前記記憶層と前記再生層との間に配置される。しかしながら、他の実施例においては、他の特性を持つ分離層が利用されても良い。従って、誘電層は前記媒体の光学特性の適切な制御を提供するが、他の物質が利用されても良い。具体的には、前記分離層は例えば金属又は他の磁性物質若しくは非磁性物質からできたものであっても良い。

別の実施例においては、前記分離層は磁性分離層又は非磁性分離層であっても良い。具体的には、ＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ媒体については、非磁性分離層が好ましい。ＤＷＤＤ媒体については、前記分離層は磁性であることが好ましく、例えば異なる組成を持つ３つまでの積層から成っても良い。ＺＦ−ＭＡＭＭＯＳ媒体については、前記分離層は好ましくは非磁性積層及び磁性積層の両方から成る。

ここで説明された好適な実施例に対して変更が為されても良く、具体的には説明された層の幾つかは前記媒体から省略され、他の説明されていない層がことによると含められ、又は説明された層の異なる順番が実施されても良いことは理解されるであろう。しかしながら、前記媒体は少なくとも磁性記憶層と磁性再生層とを有し、ここでこれら２つの磁性層の間のどこかに分離層が配置され、前記媒体はまた前記磁性再生層に隣接した少なくとも１つの金属層を有する。

前記光記憶媒体を製造するいずれの適切な方法が利用されても良いことは理解されるであろう。当業者は幾つかの適切な製造方法を認識するであろう。しかしながら好ましくは、前記光磁気媒体は、ポリカーボネートの基板と、続くステップにおいて個々にスパッタ堆積された残りの層とを持つ光磁気ディスクとして製造される。

本発明は好適な実施例に関連して説明されたが、ここで開示された特定の形態に限定されることが意図されたものではない。むしろ、本発明の範囲は、添付する請求項によってのみ限定される。

典型的なＭＡＭＭＯＳ媒体の説明図である。本発明の実施例による光磁気媒体を示す。

Claims

他の層を支持する基板層と、
情報記憶のための磁性記憶層と、
前記情報の読み取りのための前記磁性記憶層の情報の再生のための磁性再生層と、
前記磁性記憶層と前記磁性再生層との間に配置された分離層と、
前記磁性再生層に隣接する少なくとも１つの金属層と、
を有する光磁気記録媒体。
前記少なくとも１つの金属層の１つは、前記記憶層と前記再生層との間に配置される、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記少なくとも１つの金属層の１つは、前記磁性記憶層の反対側の方向において前記再生層に隣接する、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記磁性再生層の両側に、前記磁性再生層に隣接する２つの金属層を有する、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記基板層と前記記憶層との間に配置された反射層を更に有する、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記反射層が前記基板層上に配置され、
第１の誘電層が前記反射層上に配置され、
前記磁性記憶層が前記第１の誘電層上に配置され、
前記分離層が前記磁性記憶層上に配置され、
前記金属層が前記分離層上に配置され、
前記磁性再生層が前記金属層上に配置され、
第２の誘電層が前記磁性再生層上に配置され、
被覆層が前記第２の誘電層上に配置される、
請求項５に記載の光磁気記録媒体。
前記反射層が前記基板層上に配置され、
第１の誘電層が前記反射層上に配置され、
前記磁性記憶層が前記第１の誘電層上に配置され、
前記分離層が前記磁性記憶層上に配置され、
前記磁性再生層が前記分離層上に配置され、
前記金属層が前記磁性再生層上に配置され、
第２の誘電層が前記金属層上に配置され、
被覆層が前記第２の誘電層上に配置される、
請求項５に記載の光磁気記録媒体。
前記反射層が前記基板層上に配置され、
第１の誘電層が前記反射層上に配置され、
前記磁性記憶層が前記第１の誘電層上に配置され、
前記分離層が前記磁性記憶層上に配置され、
２つの金属層のうちの第１の金属層が前記分離層上に配置され、
前記磁性再生層が前記第１の金属層上に配置され、
前記２つの金属層のうちの第２の金属層が前記磁性再生層上に配置され、
第２の誘電層が前記第２の金属層上に配置され、
被覆層が前記第２の誘電層上に配置される、
請求項５に記載の光磁気記録媒体。
前記少なくとも１つの金属層の金属は遷移金属を有する、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記少なくとも１つの金属層の金属は、
白金、
パラジウム、
タンタル、
ジルコニウム、
ニオブ、
モリブデン、
ルテニウム、
ロジウム、
銅、
銀、
金、及び
タングステン、
から成る群から選択された金属を有する、請求項９に記載の光磁気記録媒体。
前記少なくとも１つの金属層は２ｎｍより小さい厚さを持つ、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記分離層は誘電層である、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記少なくとも１つの金属層は、前記少なくとも１つの金属層が増大されたカー回転をもたらすように前記磁性再生層と結合される、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記少なくとも１つの金属層は、前記少なくとも１つの金属層が増大された放熱をもたらすように前記磁性再生層と結合される、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記少なくとも１つの金属層は、前記少なくとも１つの金属層が増大された反射率をもたらすように前記磁性再生層と結合される、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記光磁気記録媒体は磁区拡大媒体である、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記光磁気記録媒体は磁区拡大再生方式（ＭＡＭＭＯＳ）媒体である、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
前記光磁気記録媒体はＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ媒体である、請求項１７に記載の光磁気記録媒体。
前記光磁気記録媒体はＺＦ−ＭＡＭＭＯＳ媒体である、請求項１７に記載の光磁気記録媒体。
前記光磁気記録媒体は磁壁移動検出方式（ＤＷＤＤ）媒体である、請求項１６に記載の光磁気記録媒体。