WO1990015363A1 - Composition de resine sensible aux rayonnements uv et aux electrons - Google Patents
Composition de resine sensible aux rayonnements uv et aux electrons Download PDFInfo
- Publication number
- WO1990015363A1 WO1990015363A1 PCT/FR1990/000373 FR9000373W WO9015363A1 WO 1990015363 A1 WO1990015363 A1 WO 1990015363A1 FR 9000373 W FR9000373 W FR 9000373W WO 9015363 A1 WO9015363 A1 WO 9015363A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- representing
- composition according
- radical
- halogen
- polymer base
- Prior art date
Links
- JUBHUYPSFIAXQU-AATRIKPKSA-N CC(C)CN(C)/C=C/C Chemical compound CC(C)CN(C)/C=C/C JUBHUYPSFIAXQU-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
Definitions
- the subject of the invention is resin compositions sensitive to deep ultraviolet radiation and to electrons, involved in a process for manufacturing positive monolayer lithographic masks, usable more especially in microlithography for the production of optical or electronic components in integrated circuits.
- Micro-lithography is a technique widely used in the field of manufacturing integrated electronic components for the production on a substrate of patterns having widths of the order of a micrometer or submicron widths.
- the manufacture of a lithographic mask includes a step of depositing a "photosensitive" resin on the substrate to be treated, irradiating certain areas of the resin, generally with a light beam, to form the image. patterns to be produced over the entire thickness of the resin and finally the development by dry or wet process.
- a photosensitive resin for positive resins, it is the parts protected from irradiation which are maintained on the substrate and the irradiated parts which are eliminated.
- photosensitive resin By “photosensitive” resin, it is necessary to understand a resin sensitive to light irradiations but also to electrons.
- One of the means making it possible to obtain small resin patterns is to reduce the wavelength of the wave or the light for the exposure of the resin.
- the most used lengths in the ultraviolet range correspond to mercury vapor lamps: g line at 436nm, h line at 405nm, i line at 365 nm.
- This process for manufacturing a positive monolayer lithographic mask comprises the following steps:
- the first irradiation is an ultraviolet radiation of wavelength less than 300 nm and for example equal to 249 nm and the second irradiation is an ultraviolet radiation of wavelength longer than 320 nm , to produce 0.2 micrometer resin strips with steep sides, separated by 0.2 micrometer and having a thickness of 0.7 micrometer.
- these images can be transferred into 0.6 microns of silicon oxide or into 0.28 microns of polycrystalline silicon.
- the sensitivity of a photosensitive resin depends on its ability to crosslink during the first exposure, the predominant reaction being crosslinking between the chains of the base polymer.
- the subject of the present invention is precisely resin compositions sensitive to ultraviolet radiation and in particular to deep ultraviolet radiation as well as to electrons, having improved sensitivity. These compositions are perfectly suited to the above process.
- the subject of the invention is a photoresist composition which can be crosslinked under ultraviolet or electronic irradiation comprising a polymer base and a photosensitizer in an organic solvent, characterized in that the polymer base contains at least one polymer or copolymer comprising a basic unit of formula (I):
- A represents H or a chemical bond
- R1 represents -CH 2 -, -CH 2 -, with R
- This polymer or copolymer comprising formula (I) as a basic unit can be used alone or mixed with a polymer of the phenol-formaIdehyde, cresol-formaI deh yd e or polyvinylphenol type.
- This modified polymer or copolymer according to the invention has the following properties:
- compositions comprising a crosslinking agent of the bisarylazide type would not be suitable because of the thermal crosslinking observed for silylation temperatures above 150 ° C.
- this type of product is sensitive to near ultraviolet.
- the composition contains, by weight, from 15 to 80% of polymer base, from 0 to 10% of photosensitizer and from 20 to 80% of solvent.
- the resin composition contains, by weight, from 15 to 80% of polymer base, from 5 to 10% of photosensitizer and from 20 to 80% of organic solvent.
- Z of formula (I) represents a halogen or a logomethy ha radical Le
- the halogen used can be chlorine, bromine, iodine or fluorine.
- alkyl radicals R3 or R contain in particular from 1 to 12 carbon atoms.
- the polymer base according to the invention comprising the motif (I) above has the formula (II):
- the molecular weights of these polymers are of the order of 500 to 5000.
- Polymers a and b are phenol-formaldehyde resins and Polymers c are cresol-formaldehyde resins, these resins being modified by fixing a halogen or the ha logenomethyl radical.
- halogenation of these phenol-formaIdehydes or cresol-formaIdehydes resins can be performed in CCI 4 in the presence of AIBN and SO 2 Cl 2 . It is then possible to fix from 0.5 to 3 atoms of halogen and in particular of chlorine per monomer.
- the radical -CH 2 Cl can be introduced into phenol-formaIdehydes or c reso L-formaIdehyde resins in different ways:
- the polymer base has the formula (III):
- the polymer base of the invention contains one of the following polymers or mixtures of the polymers:
- X represents a halogen
- n an integer ranging from 2 to 50
- m an integer ranging from 2 to 50.
- the molecular mass of these polymers is from 1,000 to 30,000.
- These polymers d and e are polyvinyl phenols modified by fixing a halogen or the halogenomethyl radical. These modified polyvinylphenols are obtained by copolymerization of paramethoxystyne and parachlorostyrene (d) or parachloromethylstyrene (e). The methoxy function is then transformed into a hydroxyl function by reaction in the presence of Nal and (CH 3 ) 3 SiCl.
- Z represents a halogen or the halogenomethyl radical and in particular the chlorine atom or the radical -CH 2 Cl, n is an integer ranging from 2 to 50 and m an integer ranging from 2 to 50.
- Polymers f to i are derivatives of polystyrene and their molecular mass is of the order of
- the polymers f and g are obtained in particular by copolymerization of polystyrene and respectively of parachlorostyrene and parachloro- methylstyrene and the polymers h and j by simple polymerization of parahalogeno (methy l) styrene.
- the polymer base has the following formula (IV):
- r integer ranging from 2 to 20
- Z representing a halogen or a logomethyl ha
- R4 representing H or an alkyl radical having from 1 to 12 carbon atoms.
- the polymer base contains one of the following polymers j and k:
- X always represents a halogen atom and r an integer ranging from 2 to 20.
- the molecular mass of these derivatives of the creso l-benza Idehydes resins is from 500 to 5000.
- These polymers are synthesized by copolymerization of one of the cresols with an aromatic aldehyde which may contain either a halogen group X or a halogenomethyl group -CH 2 X.
- the polymer base has the formula (V):
- R5 representing H or an alkyl radical having from 1 to 12 carbon atoms.
- Y has the same meaning as that given in formula (I).
- R3 and R5 represent the radical CH 3 -.
- the molecular weight of these polymers is 500 to 5,000.
- the polymer base has the formula (VI):
- the molecular weight of these modified polyvinylphenols is from 1,000 to 30,000.
- the polymer base contains from 20 to 100% of polymers or copolymers modified according to the invention and from 0 to 80% of conventional resins.
- the polymers or copolymers described above and their mixtures are used in admixture with a photosensitizer in an organic solvent.
- a photosensitizer in an organic solvent.
- non-substituted di azonaphthoqui having the formula (VII) are used as photosensitizer:
- R6 and R7 independently representing alkyl, aryl, alkoxyl, alkenyl and sulfonyl radicals, the carbon chain of these radicals having from 1 to 12 carbon atoms.
- organic solvent which can be used in the invention, mention may be made of 2-methoxyethyl ether, diethylene glycol, derivatives of diethylene glycol. cellosolve acetate, xylene, cyclohexanone, dimethyl ether.
- compositions in accordance with the invention use halogen atoms
- the action of deep ultraviolet or electrons creates a tearing of these halogen atoms thus creating radical reactive sites.
- These halogen atoms are in turn capable of extracting hydrogens either from the main chain of the polymer or from the aromatic ring.
- the crosslinking reaction then takes place between the radical reactive sites released by the halogen and hydrogen atoms.
- compositions in accordance with the invention resin strips of 0.4 micrometer with steep sides are obtained, separated by 0.4 micrometer and having a thickness of 0.6 micrometer using the method mentioned above, the first irradiation being produced with an ultraviolet radiation of 249nm and an energy of 10 to 100 mJ / cm. it is possible to replace this ultraviolet irradiation with an irradiation with electrons with an energy of 10 to 100 keV.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
La composition de l'invention comporte une base polymérique et un photosensibilisateur dissous dans un solvant organique, la base polymérique contenant au moins un polymère ou un copolymère comportant un motif de base de formule (I), où A représente H ou une liaison chimique; où R1 représente -CH2-, (a) ou (b) avec R représentant H ou un radical alkyle; où R2 représente H ou OH; où R3 représente H ou un radical alkyle et Z représente un halogène, un radical halogénométhyle, ou -O-Y avec Y représentant -CH2-CH=CH2, (c), (d), ou (e), à condition que lorsque R1 représente -CH2-, R2 représente OH et R3 représente un radical alkyle, Z soit différent d'un halogène.
Description
COMPOSITION DE RESINE SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS UV ET
AUX ELECTRONS
L'invention a pour objet des compositions de résine sensibles aux rayonnements ultraviolets profonds et aux électrons, intervenant dans un procédé de fabrication de masques lithographiques positifs monocouches, utilisables plus spécialement en microlithographie pour la réalisation de composants optiques ou électroniques dans des circuits intégrés.
La micro-lithographie est une technique largement employée dans le domaine de la fabrication des composants électroniques intégrés pour la réalisation sur un substrat de motifs ayant des largeurs de l'ordre du micromètre ou des largeurs submicroniques.
De façon générale, la fabrication d'un masque lithographique comporte une étape de dépôt d'une résine "photosensible" sur le substrat à traiter, l'irradiation de certaines zones de la résine, généralement par un faisceau lumineux, pour former l'image des motifs à réaliser sur toute l'épaisseur de la résine et enfin le développement par voie sèche ou voie humide. Pour les résines positives, ce sont les parties protégées de l'irradiation qui sont maintenues sur le substrat et les parties irradiées qui sont éliminées.
Par résine "photosensible", il faut comprendre une résine sensible aux irradiations lumineuses mais aussi aux électrons.
Afin d'augmenter le taux d'intégration des circuits, c'est-à-dire leur capacité (par exemple la taille des mémoires), on cherche à diminuer la largeur
des motifs intervenant dans la réalisation de ces circuits.
L'un des moyens permettant d'obtenir des motifs de résine petits est de diminuer la l ong u eu r d ' ond e de l a s ou r c e d e l um i è re u t i l i s ée pour l'insolation de la résine. Les longueurs les plus utilisées dans le domaine ultraviolet correspondent aux lampes à vapeur de mercure : raie g à 436nm, raie h à 405nm, raie i à 365 nm.
Parallèlement, toujours dans le but d'augmenter le taux d'intégration des circuits, le demandeur a mis au point un procédé de lithographie permettant de diminuer la taille des motifs formés dans le masque de résine, basé sur la diffusion d'un composé métallique dans une résine photosensible après son irradiation et avant son développement par un plasma gazeux. Ce procédé est un procédé monocouche et est décrit en particulier dans les documents US-A-4 715 929 et US-A-4 613 398.
Ce procédé de fabrication d'un masque lithographique positif monocouche comporte les étapes suivantes :
a) dépôt sur Le substrat d'une résine photosensible capable de réticuler et d'engendrer des hydrogènes réactifs sous irradiation,
b) première irradiation des zones de la résine photosensible devant être éliminées afin de réticuler la résine dans ces zones,
c) seconde irradiation de toute la résine photosensible afin d'engendrer des hydrogènes réactifs dans les zones de la résine non réticulées,
d) recuit éventuel de toute la résine photosensible irradiée,
e) mise en contact de la résine recuite avec un composé métallique réagissant avec les hydrogènes réactifs des zones non réticulées.
f) élimination par voie sèche des zones réticulées.
Le traitement (métallisation) de la résine par un composé métallique est fait en particulier avec un composé du silicium. Cette opération porte alors le nom de "silylation".
Grâce à ce procédé, il est possible, lorsque la première irradiation est un rayonnement ultraviolet de longueur d'onde inférieure à 300 nm et par exemple égale à 249 nm et la seconde irradiation est un rayonnement ultraviolet de longueur d'onde supérieure à 320 nm, de réaliser des bandes de résine de 0,2 micromètre à flancs abrupts, séparées de 0,2 micromètre et ayant une épaisseur de 0,7 micromètre.
A l'aide de procédés de gravure adéquats ces images peuvent être transférées dans 0,6 micromètre d'oxyde de silicium ou dans 0,28 micromètre de silicium polycristallin.
Malheureusement les doses d'irradiation, pour la première insolation, nécessaires pour obtenir ces résultats sont trop importantes (de l'ordre de 250 mJ/cm2) entraînant des temps d'insolation trop longs, et donc un rendement trop faible.
Ces inconvénients sont essentiellement dûs au type de compositions de résines photosensibles utilisées qui sont des résines novolaques ou polyvinyIphénoliques et leurs dérivés, associés à des composés photosensibles.
La sensibilité d'une résine photosensible dépend de sa faculté à réticuler lors de La première insolation, la réaction prépondérante étant la réticulation entre Les chaînes du polymère de base.
Dans le cas de résines novolaques et des polyviny Iphénols, cette réaction de réticulation ne conduit à un blocage du traitement de la résine par un
composé métallique (silylation en particulier) que pour de fortes doses d'insolation, de l'ordre de 250 mJ/cm2.
La présente invention a justement pour objet des compositions de résines sensibles aux rayonnements ultraviolets et en particulier aux rayonnements ultraviolets profonds ainsi qu'aux électrons, ayant une sensibilité améliorée. Ces compositions sont parfaitement adaptées au procédé ci-dessus.
De façon plus précise, l'invention a pour objet une composition de résine photosensible rétîculable sous irradiation ultraviolette ou électronique comportant une base polymérique et un photosensibilisateur dans un solvant organique, caractérisée en ce que la base polymérique contient au moins un polymère ou un copolymère comportant un motif de base de formule (I) :
représentant H ou un radical alkyle ; où R2 représente
H ou OH ; où R3 représente H ou un radical alkyle et où Z représente un halogène, un radical halogéno- méthyle, ou -O-Y avec Y représentant -CH -CH=CH2,
-CH2 - ,, ou ) , à
2
condition que lorsque R1 représente — CH2 —, R2 représente OH et R3 représente un radical alkyle, Z soit différent d'un halogène.
Ce polymère ou copolymère comportant la formule (I) comme motif de base peut être utilisé seul ou mélangé à un polymère du type phénol-formaIdéhyde, crésol-formaI d é h yd e ou polyvinylphénol.
Ce polymère ou copolymère modifié selon l'invention présente les propriétés suivantes :
- réticuler pour de faibles doses (10 à 100 mJ/cm2) lors de la première insolation avec un rayonnement ultraviolet profond de longueur d'onde inférieure à 300 nm ou avec des électrons d'une énergie de 10 à 100 keV,
comporter des hydrogènes réactifs susceptibles lors de la deuxième insolation en proche U.V. de favoriser la réaction de silylation,
- ne pas réticuler thermiquement lors de l'étape de silylation,
ne pas réticuler lors de la deuxième insolation en proche ultraviolet.
Ainsi certaines compositions comportant un agent de réticulation de type bisarylazide ne pourraient convenir en raison de la réticulation thermique observée pour des températures de silylation supérieures à 150°C. D'autre part ce type de produit est sensible aux ultraviolets proches.
Les proportions relatives de la base polymérique, du photosensibilisateur et du solvant sont ajustées en fonction de leur sensibilité. De façon générale, la composition contient, en poids, de 15 à 80% de base polymérique, de 0 à 10% de photosensibilisateur et de 20 à 80% de solvant. De préférence, la composition de résine contient, en poids, de 15 à 80% de base polymérique, de 5 à 10% de photosensibilisateur et de 20 à 80% de solvant organique.
Lorsque Z de la formule (I) représente un
halogène ou un radical ha logénométhy Le, l'halogène utilisé peu être du chlore, du brome, de l'iode ou du fluor.
En outre. Les radicaux alkyle R3 ou R comportent en particulier de 1 à 12 atomes de carbone.
Selon une première variante de l'invention la base polymérique conforme à l'invention comportant le motif (I) ci-dessus, présente la formule (II) :
En particulier on utilise un polymère ou un mélange des polymères suivants :
Avec X représentant un halogène et p un entier allant de 2 à 30, les masses moléculaires de ces polymères sont de l'ordre de 500 à 5 000.
Les polymères a et b sont des résines phénol- formaIdéhydes et Les polymères c des résines crésol- formaldéhydes, ces résines étant modifiées par fixation d'un halogène ou du radical ha logénométhy le.
L'haLogénasation de ces résines phénol- formaIdéhydes ou crésol-formaIdéhydes peut être
réalisée dans CCI4 en présence de AIBN et de SO2Cl2 . On peut alors fixer de 0,5 à 3 atomes d'halogène et en particulier de chlore par monomère.
Le radical -CH2Cl peut être introduit dans les résines phénol-formaIdéhydes ou c réso L-formaIdéhyde de différentes manières :
- soit par ch lorométhylation du polymère par le ch lorométhy l-méthy léther en présence de catalyseur
SnCl4 ou de catalyseur Friedel et Craft ;
- soit par ch lorométhylation du phénol ou du crésol, utilisé pour la préparation du polymère phénol- formol ou c résol-formol.
Selon une seconde variante de l'invention la base polymérique présente la formule (III) :
(III)
avec n entier allant de 0 à 50, m entier allant de 2 à 50, Z représentant un halogène ou le radical ha logénométhy le, T représentant H ou 0H et R' représentant H ou un radical alkyle ayant de 1 à 12 atomes de carbone.
En particulier la base polymérique de l'invention contient l'un des polymères ou mélanges des polymères suivants :
Dans les formules et e, X représente un
halogène, n un entier allant de 2 à 50 et m un entier allant de 2 à 50. La masse moléculaire de ces polymères est de 1 000 à 30 000.
Ces polymères d et e sont des polyvinyl- phénols modifiés par fixation d'un halogène ou du radical halogénométhy le. Ces polyvinyIphénoIs modifiés sont obtenus par copolymérisation du paraméthoxysty rêne et du parachlorostyrène (d) ou du parachlorométhylstyrène (e). La fonction méthoxy est ensuite transformée en fonction hydroxyle par réaction en présence de Nal et de (CH3 )3 SiCl.
Comme autres polymères répondant à la formule (III), utilisables dans l'invention, on peut citer les polymères f, g, h et i suivants :
Dans ces formules Z représente un halogène ou le radical halogénométhy le et en particulier l'atome de chlore ou le radical -CH2 Cl, n est un entier allant de 2 à 50 et m un entier allant de 2 à 50.
Les polymères f à i sont des dérivés du polystyrène et leur masse moléculaire est de l'ordre de
20 000 à 300 000. Les polymères f et g sont obtenus en particulier par copolymérisation du polystyrène et respectivement du parachlorostyrène et parachloro-
methylstyrêne et les polymères h et j par simple polymérisation du parahalogéno (méthy l) styrène.
Selon une autre variante, la base polymérique présente la formule (IV) suivante :
R4
avec r entier allant de 2 à 20, Z représentant un halogène ou un ha logénométhy le et R4 représentant H ou un radical alkyle ayant de 1 à 12 atomes de carbone.
En particulier la base polymérique contient l'un des polymères j et k suivants :
Dans ces formules j et k, X représente toujours un atome d'halogène et r un nombre entier allant de 2 à 20. La masse moléculaire de ces dérivés des résines créso l-benza Idéhydes est de 500 à 5 000.
Ces polymères sont synthétisés par copo lymérisation de l'un des crésols avec un aldéhyde aromatique pouvant comporter soit un groupement halogène X, soit un groupement halogénométhyle -CH2X.
Selon une autre variante de l'invention La base polymérique présente la formule (V) :
avec s et t identiques ou différents allant de 2 à 25, R5 représentant H ou un radical alkyle ayant de 1 à 12 atomes de carbone.
Dans ces formules, Y a La même signification que celle donnée dans la formule (I).
En particulier R3 et R5 représentent Le radical CH3 -. La masse moléculaire de ces polymères est de 500 à 5 000.
Selon une autre variante de l'invention la base polymérique présente la formule (VI) :
(VI)
avec u et v identiques ou différents allant de 2 à 50.
La masse moléculaire de ces polyvinylphénols modifiés est de 1 000 à 30 000.
Lorsque Y représente -CH2 -CH=CH2 (fonction allylique), le polymère de formule (V) ou (VI) est obtenu par réaction entre CH2=CH-CH2 Cl et le polymère de base phénol- ou c résol-formaIdéhyde (V) ou le polyvinylphénol (VI).
Lorsque Y représente respectivement :
- -CH - (fonction époxyde) ;
2
2 - -CH=CH2 (fonction acrylique) ;
on fait réagir respectivement le polymère de base avec
C -CH2 Cl ; CH2 = CH-C-Cl ;
-CH=CH- -C l.
Conformément à l'invention il est possible d'utiliser comme polymère de base un ou plusieurs des polymères de formule a, b, c, d, e, f, h, i, j, k, V, VI, mélangés à une ou plusieurs résines classiques du type phénol-f ormaldéhyde, crésol-formaIdéhyde ou polyvinylphénol. En particulier la base polymérique contient de 20 à 100% de polymères ou copolymères modifiées selon l'invention et de 0 à 80% de résines classiques.
Conformément à l'invention les polymères ou copolymères décrits précédemment et leurs mélanges sont utilisés en mélange avec un photosensibilisateur dans un solvant organique. De préférence on utilise comme photosensibilisateur des di azonaphtoqui nones substitués et répondant à la formule (VII) :
avec R6 et R7 représentant indépendamment des radicaux alkyle, aryle, alcoxyle, alcényle et sulfonyle, la chaîne carbonée de ces radicaux ayant de 1 à 12 atomes de carbone.
Toutefois, d'autres composés choisis parmi la liste donnée en annexe peuvent être utilisés.
Comme solvant organique utilisable dans l'invention, on peut citer le 2-méthoxyéthy léther, le diéthylène glycol, les dérivés des diéthylène glycol.
l'acétate de cellosolve, le xylène, la cyclohexanone, le diméthyl éther.
Lorsque les compositions conformes à l'invention utilisent des atomes d'halogène, l'action des ultraviolets profonds ou des électrons crée un arrachement de ces atomes d'halogène créant ainsi des sites réactifs radicalai res. Ces atomes d'halogènes sont à leur tour capables d'arracher des hydrogènes soit de la chaîne principale du polymère, soit du cycle aromatique. La réaction de réticulation se produit alors entre les sites réactifs radicalaires libérés par les atomes d'halogène et d'hydrogène.
Avec les compositions suivantes conformes à l'invention, on obtient des bandes de résine de 0,4 micromètre à flancs abrupts, séparées de 0,4 micromètre et ayant une épaisseur de 0,6 micromètre en utilisant le procédé cité précédemment, la première irradiation étant réalisée avec un rayonnement ultraviolet de 249nm et une énergie de 10 à 100 mJ/cm . il est possible de remplacer cette irradiation ultraviolette par une irradiation avec des électrons d'une énergie de 10 à 100 keV.
Da n s l e t ab lea u c i -a p r è s , on donne c i nq e xemples de compositions de résines conformes à l'invention.
Claims
1. Composition de résine sensible réticulable sous irradiation ultraviolette ou électronique comportant une base polymérique et un photosensibilisateur dans un solvant organique, caractérisée en ce que la base polymérique contient au moins un polymère ou un copolymère comportant un motif de base de formule (I) :
(I) 
où A représente H ou une liaison chimique ; où R1 représente -CH2 , -CR-CH2 , 
\ avec R représentant H ou un radical alkyle ; où R2 représente
H ou OH ; où R3 représente H ou un radical alkyle et Z représente un halogène, un radical ha logénométhy le, ou
-O-Y avec Y représentant -CH2-CH=CH2 , -CH - 
-CH=CH2 ou - -CH=CH- } à condition que lorsque
R1 représente -CH2 -, R2 représente OH et R3 représente un radical alkyle, Z soit différent d'un halogène.
2. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle contient (en poids) de 15 à 80% de base polymérique, de 0 à 10% de photosensibilisateur et de 20 à 80% de solvant.
3. Composition selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce qu'elle contient de 15 à 80% en poids de base polymérique, de 5 à 10% en poids de photosensibilisateur et de 20% à 80% en poids de solvant.
4. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que Z représente un halogène ou le radical halogénométhyle.
5. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la base polymérique présente la formule (II) :
( 
avec p entier allant de 2 à 25 et Z représentant un halogène ou le radical ha logénométhy le et R3 représentant H ou CH3, à condition que Z représente un radical hologénométhyle quant R3=CH3 .
6. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la base polymérique présente la formule (III) :
7. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la base polymérique présente la formule (IV) :
8. Composition selon la revendication 7, caractérisée en ce que R4 représente CH .
9. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que Z représente un atome de chlore ou le radical chlorométhyle.
10. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la base polymérique présente la formule (V) :
(V)
avec s et t identiques ou différents allant de 2 à 25, R5 représentant H ou un radical alkyle.
11. Composition selon la revendication 10, caractérisée en ce que R3 et R5 représentent CH3.
12. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la base polymérique présente la formule (VI) :
(VI) 
avec u et v identiques ou différents allant de 2 à 50.
13. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la base polymérique contient en outre au moins une base Phénol-formaldéhyde, crésol-formaIdéhyde, ou polyvinyl- phénolique.
14. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le Photosensibilisateur est une di azonaphtoqui none substituée de formule (VII) :
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR89/07111 | 1989-05-30 | ||
| FR8907111A FR2648468B1 (fr) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | Composition de resine sensible aux rayonnements uv et aux electrons |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO1990015363A1 true WO1990015363A1 (fr) | 1990-12-13 |
Family
ID=9382173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/FR1990/000373 WO1990015363A1 (fr) | 1989-05-30 | 1990-05-29 | Composition de resine sensible aux rayonnements uv et aux electrons |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0474716A1 (fr) |
| JP (1) | JPH04505668A (fr) |
| FR (1) | FR2648468B1 (fr) |
| WO (1) | WO1990015363A1 (fr) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2262329A1 (fr) * | 1974-02-21 | 1975-09-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| EP0136110A2 (fr) * | 1983-08-30 | 1985-04-03 | Mitsubishi Kasei Corporation | Composition photosensible positive et emploi pour photoréserves |
| EP0164248A2 (fr) * | 1984-06-01 | 1985-12-11 | Rohm And Haas Company | Composition de revêtement photosensible, revêtement résistant à la chaleur fabriqué avec cette composition et emploi de ce revêtement pour la réalisation d'images photopolymères résistant à la chaleur |
-
1989
- 1989-05-30 FR FR8907111A patent/FR2648468B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-29 EP EP19900908560 patent/EP0474716A1/fr not_active Withdrawn
- 1990-05-29 JP JP50840390A patent/JPH04505668A/ja active Pending
- 1990-05-29 WO PCT/FR1990/000373 patent/WO1990015363A1/fr not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2262329A1 (fr) * | 1974-02-21 | 1975-09-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| EP0136110A2 (fr) * | 1983-08-30 | 1985-04-03 | Mitsubishi Kasei Corporation | Composition photosensible positive et emploi pour photoréserves |
| EP0164248A2 (fr) * | 1984-06-01 | 1985-12-11 | Rohm And Haas Company | Composition de revêtement photosensible, revêtement résistant à la chaleur fabriqué avec cette composition et emploi de ce revêtement pour la réalisation d'images photopolymères résistant à la chaleur |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| CHEMICAL ABSTRACTS, Volume 105, No. 14, Octobre 1986, (Columbus, Ohio, US), J.J. GRUNWALD et al.: "A Positive Photoresist Optimized for Both I-Line and UV-3 Exposure", voir page 603* Abrege 124118a, & Proc. Spie-Int. Soc. Opt. Eng. 1986, 631(Adv. Resist Technol. Process 3), 231-6* * |
| IBM Technical Disclosure Bulletin, Volume 23, No. 2, Juillet 1980, (New York, US), H. HIRAOKA: "Poly(p-Vinyl Phenol) and Brominated Poly(p-Vinyl Phenol) as Host Resins for Electron Beam Resists", page 773 * |
| Polymer Preprints, Volume 25, No. 1, 1984, American Chemical Society, (US), H. HIRAOKA et al.: "Functionally Substituted Novolac Resins: Lithographic Applications, Radiation Chemistry, and Photooxidation", pages 322-323 * |
| Solid State Technology, Volume 27, No. 6, Juin 1984, Cowan Publ. Corp., (Port Washington, N.Y., US), T.R. PAMPALONE: "Novolac Resins Used in Positive Resist Systems", pages 115-120 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04505668A (ja) | 1992-10-01 |
| FR2648468B1 (fr) | 1992-12-04 |
| EP0474716A1 (fr) | 1992-03-18 |
| FR2648468A1 (fr) | 1990-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5453341A (en) | Radiation-sensitive polymers and positive-working recording materials | |
| JP2848669B2 (ja) | 感放射線性重合体及びポジチブ処理記録材料 | |
| TWI401264B (zh) | 光阻下層聚合物、光阻下層組成物及使用其等之圖案化方法 | |
| US20020012875A1 (en) | Antireflective coating compositions comprising photoacid generators | |
| FR2786491A1 (fr) | Agent de reticulation pour photoresist, et composition de photoresist comprenant celui-ci | |
| JP2022521531A (ja) | 改善された貯蔵寿命を有するハードマスク及び充填材料として有用な無機酸化物成分及びアルキニルオキシ置換スピンオン炭素成分を含むスピンオン組成物 | |
| JPS61250637A (ja) | フオトレジスト及びその製造方法 | |
| JPS58187926A (ja) | 放射線ネガ型レジストの現像方法 | |
| JP5520440B2 (ja) | 有機反射防止膜形成用単量体、重合体及びこれを含む有機組成物 | |
| JP2812927B2 (ja) | アセタール基を含有するアルコキシ−スチレン重合体とその製造方法及びアルコキシ−スチレン重合体を主要成分とする化学増幅型フォトレジスト材料 | |
| FR2798130A1 (fr) | Compose, composition organique pour film anti-reflechissant et procede de formation d'un motif de film anti-reflechissant | |
| EP0093202B1 (fr) | Poly-(halostyrène) pour compositions de réserve négatives | |
| WO1990015363A1 (fr) | Composition de resine sensible aux rayonnements uv et aux electrons | |
| WO2022145365A1 (fr) | Procédé de production d'un substrat semi-conducteur et composition | |
| EP0011520B1 (fr) | Résine à cycle thiétane réticulable par irradiation électronique ou photonique, et procédé d'utilisation d'une telle résine | |
| JPS60220340A (ja) | 感光性樹脂組成物及びパタ−ン形成方法 | |
| JPH0330852B2 (fr) | ||
| JPS5953837A (ja) | パタン形成材料およびパタン形成法 | |
| FR2583534A1 (fr) | Composition pour obtenir une resine photosensible de haute resolution, developpable par plasma et procede photolithographique mettant en oeuvre cette resine. | |
| WO2023199659A1 (fr) | Matériau de réserve, procédé de production de motif de réserve et motif de réserve | |
| TW202328287A (zh) | 旋塗碳膜形成用組成物、旋塗碳膜形成用組成物之製造方法、微影用下層膜、阻劑圖型形成方法，及電路圖型形成方法 | |
| JP3479236B2 (ja) | 基板用パターン形成方法 | |
| JPH04159553A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPS60220341A (ja) | 感光性ホトレジスト組成物及びパタ−ン形成方法 | |
| JPH0686506B2 (ja) | ポリシランブロックコポリマーの新規な製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AK | Designated states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): JP US |
|
| AL | Designated countries for regional patents |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB IT LU NL SE |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 1990908560 Country of ref document: EP |
|
| WWP | Wipo information: published in national office |
Ref document number: 1990908560 Country of ref document: EP |
|
| WWW | Wipo information: withdrawn in national office |
Ref document number: 1990908560 Country of ref document: EP |