WO1989001687A1

WO1989001687A1 - Photomagnetic recording medium

Info

Publication number: WO1989001687A1
Application number: PCT/JP1988/000785
Authority: WO
Inventors: Kunihiko Mizumoto; Koichi Haruta; Hirokazu Kajiura; Koichi Igarashi; Hidehiko Hashimoto
Original assignee: Mitsui Petrochemical Industries, Ltd.
Priority date: 1987-08-08
Filing date: 1988-08-08
Publication date: 1989-02-23
Also published as: DE3855347D1; DE3855347T2; EP0331737A4; EP0331737A1; ATE139052T1; EP0331737B1

Description

明細

光技術分野

本発明は、優れた耐酸化性および光磁気記録特性を有する光磁気記録媒^に閬し、さらに詳しくは、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有し、匱れた耐酸化性および光磁気記録特牲を有する光磁気記録媒俅に関する。

B SP. J支

鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウ媒ム（Tti)、力ドリニゥム（ Gd)などの希土類元素との合金からなる光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができることが知られているこの反¾磁区の有無を '「 1 」、「 G j に対応させることによって、上記のような光磁気記録膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録膜としては、たとえば特公昭 5 7 - 2 0 6 1号公報に 1 5〜3 0原子％の T を含む Tb-Fe 系光磁気記錄膜が開示されているまた丁 Pe に第 3の金属を添加してなる光磁気記録膜も ¾いられている。さらに Tb-Co 系、 Tb-Fe-Co 系などの光磁気記録膜も知られている， '

これらの光磁気記録膜は、優れた記録再生特性を有しているが、 — — o 5 使甩時にこの光磁気記録膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまうという実用上の大きな問題点があつた。

このような遷移金属と希土類元素とを含む光磁気記録膜の酸化劣化のメカニズムは、たとえば日本応用磁気学会誌第 9卷、 No.2、第 93〜96頁で検討されており、以下のような 3つのタイプがあることが報告されている。

ィ）孔食

孔食とは光磁気記録膜にピンホールが発生することを意味するが. この腐食は、主として高湿雰囲気下で進行し、たとえば Tb-Fe 系, Tb-Co 系などで著しく進行する。

π ) 表面酸化

光磁気記録膜に表面酸化層が彤成され、カー回転角が経時的に変化し、ついにはカー回転角 k が減少してしまう。

ハ》希土類金属の選択酸化

光磁気記録膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保磁力 He が経時的に大きく変化してしまう。

上記のような光磁気記錄膜の酸化劣化を防止するため、従来、種々の方法が試みられている- たとえば、光磁気記録膜を、 S i 3 、 S i 0、 S i 0₂ 、 A Nなどの酸化防止保護膜でサンド0 したような 3層構造にする方法が検討されているところがこの駿化防止屎護膜は高価であるとともに形成するのに手間がかかり、またこ ^護膜を形成しても必ずしも光磁気記録膜の酸化劣化を充分には防止することができないという問題点があつた

また、 T -Fe系、 Tb-Co系などの光磁気記録膜中に、この奪膜の耐酸化性を向上させるために、第 3の金属を添加する方法が種々試みられている。

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、 Tb-Fe あるいは Tb-Co に、 Co 、 N i 、 Pt 、 AJ! 、 C r 、 Τ ί 、 Pd などの第 3金属を 3. 5原子％までの量で添加することによって、 Ti)-Fe 系あるいは Tb-Co 系の光磁気記録膜の耐酸化性を向上させる試みがなされている。そして Tb-Fe あるいは Tb-Co に Co 、 N i 、 Pt を少量添加した場合には、表面酸化の防止および孔食の防止には有効であるが、この光磁気記録膜中の希土類金属である Tb の選択酸化の防止には効果がないと報告されている。このことは、 T Fe あるいは Tb-Co に少量の Co 、 N i 、 Pt を添加した場合には、得られる光磁気記録膜では、 Tb が選択酸化されてしまい、保磁力 He が経時的に大きく変化してしまうことを意味している。したがって Tt)-Fe あるいは Tb-Co に 3 . 5原子％までの少量の Co 、 N i 、 Ρΐ を添加しても、得られる光磁気記録膜の耐酸化性は充分には改善されていない。

また第 9回日本応^磁気学会学術講演概要集（ 1 985年 1 1月）の第 2 0 9頁には、やはり光磁気記録膜の耐酸化性を向上させる目的で、 Tb-Fe あるいは Tb-Fe-Co に、 P t 、 A Jl 、 C r 、 T i を 1 0原子％までの量で添加してなる光磁気記録膜が敎示されている。ところが Tb-Fe あるいは Tb-Fe- Co に 1 0原子 .％までの量の Pt 、 AS 、 C r -、 Τ i を添加しても .、表面酸化および孔食はかなり効果的に防止できるものの、得られる光磁気記録膜中の Tb の選択酸化に対する該化防止性は充分ではなく、やはり時間の経過と

o 5 ともに保磁力 He が大きく変化し、ついには保磁力 He が大きく低下してしまうという問題点は依然としてあった。

また特開昭 6 1 - 2 55 546号公報には、希土類元素と遷移元素とからなる充磁気記録膜に、 Pt 、 Au 、 Ag 、 Ru 、 Rh 、 Pd 、 Os 、 I r などの賁金属元素を再生に必要なカー回転角が得られる範囲内で添加してなる耐酸化性が向上された光磁気記録膜が開示されている。 ·

さらにまた、特開昭 58— 7806号公報には、 Pt Co なる組成を有し、 Pt が： ί 0〜3 0原子％の置で含まれている多結晶薄膜からなる光磁気記録膜が開示されている。

ところがこの Pt Co なる組成を有する多^晶薄膜は、多結晶であるため、成膜後にァニール処理などの熟処理が必要であり、また結晶間の粒界部分がノィズ信号として発生することがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュリ一点が高いという問題点があつた；

このように徒来 Tb-Fe あるいは Tb-Co に、 CG 、 Ν ί 、 Pt . AJ! 、 Cr 、 Ti 、 Pd などの第 3金属が添加されてなる光磁気記録膜は知られているが、従来知られている光磁気記録膜は、耐酸化性が充分でなく、 C / N比が小さく、ノイズレベルが高く、かつ大きなバイアス磁界をかけなければ高い C / N比を得ることができな0 い（バイアス磁界依存性に劣る〉などのいずれかの問題点があった本発明者らは、耐酸化性に優れ、長期間にわたって使用することができ、しかも C/N比が大きく、かつノイズレベルが低く、その上小さなバイァス磁界で充分高い C / 比が得られるというバイァス磁界依存†生に ί憂れた光磁気記録媒^を提洪することを目的として銃意研究したところ、（ ί 〉 3 d遷移金属から選ばれる少なくとも 1種と、（ ii 〉耐腐食性金属と、（ ίϋ ) 希土類から選ばれる少なくとも 1種の元素とからなり、前記耐腐食性金属の含有量が 5 〜 3 0 原子％である光磁気記録膜（ I ) と、特定の熱伝導率を有する金属^: からなる反射膜（ 2 ) とからなる光磁気記録膜が優れた諸特性を有していることを見出して、本発明を完成するに至った。

発明の開示

本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に（ I ) 光磁気記録膜と ( Π ) 反射膜とがこの順序で積層されてなる光磁気記録媒体において、

' ( I ) 光磁気記録膜が、（ i ) 3 d遷移金属から選ばれる少なくとも 1種と、（ ii ) 耐腐食性金属と、（ iii ) 希土類から選ばれる少なくとも i種の元素とからなり、前記耐腐食性金属の含有量が 5 〜 3 0原子！ ¾である、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜であり、

( I ) 反射膜が、熱伝導率 2 J / ciD ' sec ■ K以下の金属または合金からなることを特徴としている。

本発明では、特に、反射率が 5 0 %以上であり、熟伝導率が 2 J cm · sec · K以下である金属からなる反射膜（ Π ) が好ましい本発明に係る光磁気記録媒体では、基板上に、特定の組成を有する非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜（ I ) と、熱伝導率が 2 J /' cm . sec · K以下である金属からなる反射膜 ( Π ) とがこの順序で積層された構成を有しており、耐該化性に優れているため光磁気記録膜を薄くすることが可能であって、光磁気記録媒体に反りあるいは膜割れが生じにくく、しかも優れた CZN比を有し、その上優れた光磁気光学特性を有し、経時的に保持力が変化したりあるいはカー回転角が変化することがなく、さらに反射率も高い。

図面の簡単な説明

5 第 1図、第 2図および第 3図は、本発明に係る光磁気記録媒体の断面図である。

第 4図は、 Pt を含有する光磁気記録膜中の Co / ( Fe -rCo 比 [原子比] とノイズレベル（ dBm)との関係を示す図である ₄ 第 5図は、 Pd を含有する光磁気記録膜中の Co / ( Fe ÷Co ) 比 10 [原子比] とノイズレベル（ dBra)との関係を示す図である。第 6 図は、光磁気記録膜中 Co / (Fe 十 Co ) 比 [原子比] と消去劣化（AC N比（ dB) ) との関係を示す図である。

第 7図は、光磁気記録膜中の Ρΐ および Ζまたは Pd の含有量 (原子％) と耐酸化住（ΔΟ Ν比）との関係を示す図である。第 Τ5 S図は、光磁気記録膜のバイアス磁界（Oe 》と C.ZN比との関 ί系を示す図である。第 9図は、光磁気記録膜中の Pt および/または Pd の含有量（原子％) と最小バイアス磁界（Hsat. (Oe)) との関係を示す図である。

なお、第 4図〜第 9図の光磁気ディスクはすべて第 1図の構成の Z& もので、基板がエチレン■テ卜ラシクロドデセン共重合钵であり、この基板上に 300 Aの記録膜および 1000 Aの二'' ケル合金膜 (反射膜）を順次積層したものである。

. 第 i 0図は、 N卜 C r 合からなる反射膜における N i 含量と C.ZNjt ( dB ) との関係を示す図である。発明を実施するための最良の形態

以下本発明に係る光磁気記録媒体について、具体的に説明する。本発明に係る光磁気記録媒体 1は、第 1図に断面図を示すように透明基板などの基板 2上に、光磁気記録膜 3と反射膜 4とがこめ順；序で積層された構成を有している。

本発明に係る光磁気記録媒钵 1は、また第 2図に示すように、基板 2と光磁気記録膜 3との間に、ェンハンス膜 5が設けられた構造を有していてもよい。

さらにまた第 3図に示すように、本発明に係る光磁気記録媒铱 1 は、基板 2と光磁気記録膜 3との間にェンハンス膜 5が設けられるとともに光磁気記録膜 3と反射膜 4との間にェンハンス膜 5が受けられた構造を有していてもよい。

基板 2は、透明基板であることが好ましく、具钵的には、ガラスあるいはアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー卜、ポリカーボネートとボリスチレンのボリマーァロイ、米国特許 4 6 1 4 7 7 8号明細書で示されるような非晶質ポリオレフイン、ボリ 4-メチル -1 - ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、エチレン * テ卜ラシクロドデセン共重合体等の有機材料が使用できる。特に下記に示すようなエチレンとテトラシクロドデセン類との共重合体が好ましい

すなわち基板 2は、エチレンと .、下記一般式 [ I ] または [ Π ] で表わされる環^ォレフィンとク)共重合钵からなり、 1 3 5でのデ力リン中で定した極限粘度 [ " ] が G . 0 5〜 1 0 (JJ! Z gの範囲にあり、軟化温度（TMA ) が 70°C以上である環状ォレフィン系ランダム共重合体から形成されていることが好ましい。

一般式

(式屮、. nおよび mはいずれも 0 しくは正の整数であり、 J! は 3 以上の整数であり、 R¹ ないし R¹²はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を示す）。

このような環状ォレフィン系ランダム共重合体中においては、該環拔才レフイン成分は一般式 [m] または一般式 [IV] で表わされる構造を形成してい-る。

-般式

[ I]

(式中、 nおよび mはいずれも 0もしくは正の整数であり、 JJ は 3 以上の整数であり、 R¹ ないし R¹²はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を示す）。

環状ォレフィン系ランダム共重合体の構成成分の環状才レフィンは、一般式 [ I ] および一般式 [ Π ] で表わされる不飽和 1量体からなる群から選ばれた少なくとも 1種の環状ォレフィンである。一般式中 [ I ] で表わされる環状ォレフィンは、シクロペンタジェン類と相応するォレフィン類とをディールス ■ アルダー反応で縮合させることにより容易に製造することができる。また一般式 [ Π：1 で表わされる環状ォレフィンは、同様に、シクロペンタジェン類と相応する環状才レフィン類とをディールス · アルダー反応によって縮合させることにより容易に製造することができる。

—般式 [ I〗で表わされる環状ォレフインとして、具体的には、表 1に記載した化合物、あるいは 1,4, 5， 8-ジメタノ- 1,2, 3， 4, 4a, 5, 8,8a- ォクタヒドロナフタレンのほかに、 2-メチル -1,4, 5,8- ジメタノ- 1,2， 3, 4， 4a, 5, 8， 8a- ォクタヒドロナフタレン、 2-ェチル -1, 4, 5, 8-ジメタノ- 1,2,3,4，， 5, 3, 8a- ォクタヒドロナフタレン、 2- プロピル- 1,4, 5，8- ジメタノ- 1,2， 3, 4， 4a, 5, 8， 8a- ォクタヒドロナフタレン、 2-へキシル -1，4，5，8- ジメタノ- 1，2,3，4，4a，5，8，8a- ォ 0 一

クタヒドロナフタレン、 2,3-ジメチル-1，4，5,8- ジメタノ- 1，2，3， 4,48，5,8,83-ォクタヒドロナフタレン、 2-メチル -3-ェチル -1,4, 5，8-ジメタノ-1，2，3，4,43,5，8，83- ォクタヒドロナフタレン、 2-クロロ- 1,4, 5, 8- ジメタノ- 1， 2, 3， 4， 4a, 5, 8， 8a- 才クタヒドロナフタレン、 2-ブロモ -1,4,5,8- ジメタノ-1，2，3,4,48,5,8,83- ォク夕ヒドロナフタレン、 2-フルォ口- 1,4,5, 8- ジメタノ- 1,2, 3, 4, 4a, 5，8， 8a- ォクタヒドロナフタレン、 2，3-ジクロロ-1，4,5，8- ジメタノ -1,2,3,4,48,5,8,33- ォクタヒドロナフタレン、 2-シクロへキシル -1,4,5,8- ジメタノ- 1,2,3，4，4a，5，8，8a- ォクタヒドロナフタレン, 2- ブチル-1,4,5,8- ジメタノ- 1,2, 3, 4，4a, 5, 8, 8a- ォクタヒドロナフタレン、 2-イソブチル -1，4，5，8- ジメタノ-1,2,3,4，43，5,8,83 - 才クタヒドロナフタレンなどのォクタヒドロナフタレン類、および表 2に記載した化合物を例示することができる。

表 1

化学式化合物名

ビシクロ [2,2,1]ヘプト -2-ェン . 〔 or 6-メチルビシクロ [2,2,1]ヘプト -2-ェン

： (χΐ; 5,6-ジメチルビシクロ [2,2,1]ヘプ卜- 2-ェン

1-メチルビシクロ [2,2,1]ヘプ卜- 2-ェン or 6-ェチルビシクロ [2,2,1]ヘプ卜- 2-ェン

^^•■n H,

6 プチルビシクロ [2, 2,1]ヘプ卜- 2-ェン

6-イソブ'チルビシクロ [2, 2,1]ヘプ卜- 2-ェン

7-メチルビシクロ [2,2,1]ヘア卜- 2-ェン

表 2

表 2 (つづき）

化 \ 。学式化合物名ィゾブ ' レー？ 7_ ジ' 手クラシ,ク ά 0 "]2·5 ι /· 10·|-ς- ゝノ

q}： 1 I1I, 1 I9t- k Γ· IソI /"» v / rノノ、'ノノク W L Π 11*" ^J , 11 '· J O Γ^ 7'-+^ V

9-ェチノレ-" n， 12- ジメチルチ卜ラシクロ [4, 40 ΐ2·5 ' 10"|-3-ドデソ

i

9-イソブチル -11，12-ジメチノトラシクロ [4，4，0,1²'.⁵ ，1⁷'¹⁰]-3-ドデセン

TO ;; 5,8,9,10- ィ卜ラメチルテ卜ラシクロ [4,4，0，1²·⁵ '1⁷· ¹⁰]-3-ドデセン

CHa

表 2 (つづき ί ィヒ学式 - 化合物名へキサシクロ [6,6,1, 1³' ⁶ ,1¹⁰·¹³ ,0^2,7 ，'0⁹· ¹⁴]-4-ヘプタデセン

12-メチルへキサシクロ [6,6,1, 1³·⁶ ,1^10,13 ,0"⁷ ,0⁹'¹⁴]-4-ヘプタデセン

12-ェチルへキサシクロ [6,6,1, 1³' ⁶ ,1^10,13 ,0^{2, ί} ,0⁹'¹⁴]-4-ヘプタデセン

12-イソブチルへキサシクロ [6，6,1，1³'⁶ ,1¹⁰·¹³ ,0^2,7 ,Ο^{9, l4}J-4- ヘプタデセン

1,6,10- トリメチル -12-イソブチルへキサシクロ [6,6,1，1³·⁶ ,1¹⁰·¹³ , 0ム · ' ， 0⁹·¹⁴]-4 -へプタデセン

mo 才クタシクロ [8,8, 0，1²'⁹ J ' ,1¹¹'¹⁸ ,1¹³'¹⁶ 0³·⁸ ,0¹²·¹⁷ 〕 - 5-ドコセン

表 2 (つづき〉

化学式化合物名

15-メチル才クタシクロ [8,8，0,1²·⁹ ,1^4,? ,1¹¹·¹⁸ ,1^13,16 0³·⁸ , 0¹²·¹⁷ ]-5-ドコセン

15-ェチルォクタシクロ [8,8，0，1²·⁹，1⁴·⁷ ,1¹¹·¹⁸ ,1¹³·¹⁶ 0³·⁸ , 0¹²·¹⁷ト5-ドコセン

また、一般式 [ E〗で表わされる環状ォレフィンとして、具体的には、たとえば、表 3および表 4に示した化合物などを例示することができる。

表 3 Wき）

化学式化合物名

14， 15-ンメチノレヘンタンク口 [6,5,1，† ，0 ，0 J-4-ヘンタァセンベンタシクロ [6,6,1, Γ'⁰ ,0²·⁷ ,0⁹'¹³]-4-†sキサデセン

a ヘプタシクロ [8,7,0, 1²' ⁹ ,1⁴'⁷ ,1^11,17，0³·⁸ ,0¹²·¹⁶〗-5-ィコセンヘプタシクロ [8,8,0， 1²·⁹ ,1⁴' ¹ ，1¹¹·¹⁸ ,Ο³·⁰ ,Ο¹"· '⁷ ]-5-ヘンィコセン

- -■■ ■ - - »

表 4

化学式化合物名

1 リノシク / σ t~*『L4， 3リ, 0 w， 1， ^ J 1-3-デ /セン^¹

2 - 手 / t/レ- 1 リノシ Zク σWΓL4⁴， 3， 0v，

J /セしノソ

5-メチル- 卜リシクロ !"4 30 1^'^ 1-3-亍'セン

I

'■GO 卜リシクロ [4，4,0J²'^J 〗-3-ゥンデセン

10- メチル- 卜リシクロ [4,4，0，1²'⁵ ]-3-ゥンテ 'セン

この環ォレフイン系ランダム共重合体 [A] は、上記のようにエチレンおよび前記環ォレフィンを必須成分とするものであるが. 該必須の二成分の他に本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的には、たとえば生成するランダム共重合体中のェチレン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、 1-ブテン、 4-メチル -1- ペンテン、 1-へキセン、 1-ォクテン、 1-デセン、 1-ドデセン、テ卜ラデセン、 1- へキサデセン、 Ί-ォクタデセン、 1-エイコセンなどの炭素原子数が 3〜20の《- ォレフィンなどを例示することができる。

上記のような環状ォレフィン系ランダム共重合^ [A] においてエチレンに由来する繰り返し単位（a) は、 40〜85モル％、好ましくは 50〜75モル％の範囲で存在しており、また該環^ォレフィンに由来する鎳り返し単位（b) は 1 5〜60モ/レ好ましく <*. 0モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する辏り返し単位（a) および該環状ォレフィンに由来する繰り返し単位 (b) は、ランダムに実質上線状に配列している。なお、エチレン組成および環^ォレフィン組成は ^{| J}C— NMR.によって測定した。この環^ォレフィン系ランダム共重合 [ A]が実質上線^であり、ゲル祓架撟構造を有していないことは、該共重合体が 1 3 のザ力リン中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環拔ォレフィン系ランダム共重合体 [ A j の 135。C めデカリン中で測定した極限粘度 [ 7? ] は、 0. 05〜 10 / ίτ、好ましくは 0. 08〜 5 U / sの範囲にある；また環状ォレフィン系ランダム共重合侔 [ A ] のサーマル · メカ二カル · アナライザーで測定した軟化温度（TMA ) は、 7 CTC以上、好ましくは 9 0〜 2 50で、さらに好ましくは 1 0 0〜 2 0 0 。Cの範囲にある。さらに軟化温度（ TM A ) は、デュポン社製： T ermomechanica! Analyser を用いて 1麵厚さシートの熟変形挙動により測定した々すなわちシート上に石英製針をのせ、荷重 4 9 s をかけ、 5^eCZ分で昇温していき、針が 0. 6 3 5匪侵入した温度を TMAとした。また、該環状ォレフィン系ランダム共重合体 A ! のガラス転移温度（Tg)は、通常 50〜 2 3 0 、好ましくは 7 0 〜2 1 (TCの範囲にある。

また、この環状ォレフィン系ランダム共重合体 [A ] の X線回折法によって測定した結晶化度は、 0〜1 0%、好ましくは 0〜7%、とくに好まレヽ 0〜5%の範囲である。

光磁気記録膜 3は、（ i ) 3 d遷移金属から選ばれる少なくとも 1種と、（ ii ) 耐腐食性金属と、（ ) 希土類から選ばれる少なくとも 1種の元素とからなっている。

( i ) 3 d遷移金属としては、 Fe 、 Co 、 T i. 、 V、 Cr 、 Mn 、 N i 、 Cu 、 Zn などが用いられるが.、このうち Fe または Co あるいはこの両者であることが好ましい。 ·

；この 3 d遷移金属は、光磁気記録膜 3中に好ましくは 2 0〜 9 0 原子％より好ましくは 3 0〜8 5原子％とくに好ましくは 3 5〜 S 0原子％の量で存在している。

( ϋ ) 耐腐食性金属は、光磁気記録膜 3に含ませることによって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることができる。このような耐腐食性金属としては、 Pt 、 Pd 、 Ti 、 Zr 、 Ta 、 Nb などが甩いられるが、このうち Pt 、 Pd 、 Ti が好ましくとくに Pt または Pd あるいはこの両者であることが好ましい。

この耐腐食性金属は、光磁気記録膜 3中に、 5〜30原子％好ましくは 5〜25原子％、とくには 10〜25原子％さらに好ましぐは 10〜2 G原子％の量で存在している。

この耐腐食性金属の含有量が 5原子％未満であると、得られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には改善されず、経時的に保磁力 He が大きく変化したりあるいはカー回転角^ k が減少したり、また反射率 R-も Pt あるいは Pd を添加しない系に比べて劣る頜向がある < また、 30原子％を超えて存在する場合には、得られる非晶質合金薄膜のキュリ一点が室温以下となる傾向もあるため好ましくない。 ( iii ) 光磁気記録膜 3は、上記（ i ) および（ ίί ) に加えて、下記の群から選ばれる少なくとも 1種の希土類元素を含んで構成されている。

、 Tb 、、 Ho 、 Er 、 Tm 、 Yb 、 Lu 、 La 、 Ce . P !、 ·、 N d 、 P m .、 S m 、 E u

このうち (J 、 Tb 、 Dy 、： o 、 Nd 、 Sm 、 Prが好ましく m られる。

上記のような群から選ばれる少なくとも 1種の希土類元素は、光磁気記録膜 3中に、好ましくほ 5〜50原子％さらに好ましくは 8 〜45原子％とくに好ましくは 10〜40原子％の量で存在してい -© ,

本発明では、 ( I ) 光磁気記録膜が、特に、下記の記載寸るような組成を有することが好ましい。

( ί ) 3 d遷移元素

本発明に係る光璲気記録膜中には、（ i ) 3 d遷移元素として、好ましくは Fe または Co あるいはこの両者が含まれており、 Fe 5 およびまたは Co は、 40原子％以上 80原子％以下好ましくは 40原子％以上 75原子％未満さらに好ましくは 40原子％以上 59原子％以下の量で存在していることが望ましい。

さらに Fe および 'Zまたは Co は、 Co / ( Fe ÷CQ ) 比 [原子比] が 0以上 G . 3以下好ましくは 0以上 0 · 2以下さらに好ま tO しくは 0. 01以上0. 2以下であるような量で、光磁気記録膜中 - に存在していることが望ましい。

Fe およびノまたは Co の置が 40原子％以上で 80原子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優れ、かつ膜面に垂直な方向に磁化容易？をもった光磁気記録膜が得られるという利点を有する。

5 ところで光磁気記録膜中に、 Co を添加すると、（ィ）光磁気記録膜の.キュリー点が上昇し、また（口〉カー回転角（ <9k ) が大きくなるという現象が認められ、その結果、 CO の添加量により、光磁気記録膜の記録感度を調整することができ、しかも Co の添加により、再生信号のキャリアレベルを増加することができる。本発明 20 に係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、 CZN比の点から Co /

( Fe - Co ) 比 [原子比 ] は 0以上 0. 3以下好ましくは 0以上 0， 2以下さらに好ましくは 0. 01以上0. 2以下であることが望ましい。

第 4図に Ρΐ Tb Pe Co 系光磁気記録膜における Cc' / ( Co ÷ Fe ) 比 [原子比] とノイズレベル（ d Bm)との閧係を示し、また第 5図に PcJ Tb Fe Co 系光磁気記録膜における C o / ( Co - Fe ) 比 [原子比] とノイズレベル（ d Bm)との関係を示す。具体的には、 Pt ₁₃Tり ₂₈Fe ₅₀Co ₃ で示される組成を有する本発明に係る光磁気記録膜（ Co / ( Fe +Co ) 比 [原子比] ： 0 . 1 5 ) は、ノイズレベルが一 5 6 d B m であるのに対し、 Pt ₁₃Tb ₂₈Fe ₃₆Co ₂つで示される組成を有する光磁気記録腠 ( Co / ( Fe 十 Co ) 比 [原子比] ： 0. 3 9》は、ノイズレべルがー 50 d Bm であり、ノイズレベルが大きくなる傾向がある。また Pd ₁₄Tb n₇Fe ₅₂Co ₇ で示される組成を有する本発明に係る光磁気記録膜（ Co / ( Fe +Co ) 比 [原子比] ： 0. 12 ) は、ノイズレベルが一 56 d Bra であるのに対して、 Pd _Ί ,T！ "b ₂₇

Fs ₄₁Co ₁₈で示される組成を有する光磁気記録膜（ Co Z ( Fe ÷ C o ) 比 [原子比] ： 0 . 3 1 ) は、ノイズレベルが一 5 1 d Bm であり、ノイズレベルが大きくなる傾向がある

第 6図に Pt Tb Fe Co あるいは Pd Tb Fe Co で示される組成を有する光磁気記録膜における Co Z ( Fe 十 Co ) 比 [原子比] と消去劣化比（ d B ) ) との関係を示す。

具的には、本発明に Sいる Pt ,oTb ₂。Fe ₅«Co _g なる組成を有する光磁気記録膜（ C o Z ( F e + C G ) 比 [原子比] ： 0. 1 55 ) に.、一たん記録された情報を消去する際、膜に照射するエネルギーを大きくしても膜変質は全く起こらず、新たな情報も C.ZN比の値としては、消去前のと同じ値の記録ができる。

さらに本発明に用いる光磁気記録膜は、記録および消去を繞り返し行なっても、膜変質が生ずることはない。たとえば本発明に係る Pt _uTb n₈Fe _C()CG ₉ なる組成を有する光磁気記録膜は、 1 0 万回の記録および消去を繰り返し行なっても C N比の低下は認められない。

( ϋ ) 耐腐食性金属

本発明に用いる光磁気記録膜中には、（ ii ) 耐腐食性金属として好ましくは Pt または Pd あるいはこの両者が含まれており、および Zまたは Pd は、光磁気記録膜中に 5〜3 0原子％、好ましくは 1 0原子.％を超えて 3 0原子％以下、さらに好ましくは 1 0原子％を超えて 2 0原子％未満、最も好ましくは 1 1原子％以上 1 9 原子％以下の量で存在していることが望ましい。

光磁気記録膜中の Pt および Zまたは Pd の量が 5原子％以上特に ί 0原子％を超えて存在すると、光磁気記録膜の耐酸化性に優れ、長期間使用しても孔食が発生せず、 CZN比も劣化しないという利点を有する。

第 7図に光磁気記録膜中における Pt および Zまたは Pd 含有量と、光磁気記録膜を相対湿度 8 5 % . 8 (TCの環境下に 1 0 0 0時間保持した場合の Δ C / N比との関係を示す

この第 7図から、光磁気記録膜中の Pt および/または Pfi の量が 5原子％以上特に： L 0原子％を超えている場合には、光磁気記録膜の耐駿化性が向上し、長期間使 ¾しても孔食が発生せず、 C ZN 比が劣化することがないことがわかる。

たとえば Pt ,oTb ₂₈Fe 〔_GCo _g あるいは Pd ₁₂Tb ₂₈Fe ,₃

Co ₇ で示される組成を有する本発明に ί系る光磁気記録膜は、相対湿度 85%、 8 G°Cの環境下に 1 0 0 0時間保持しても、 CZN比は全く変化しない。これに対して Pt または Pd を含まない Tb ₂₅ Fe ₆₃Co ₇ で示される組成を有する光磁気記録膜は、相対湿度 85%、 8 CTCの環境下に 1 00 0時間保持すると、 C.ZN比は大きく低下する。

また光磁気記録膜中に Pt および Zまたは Pd を上記のような範匪の量で添加することにより、光磁気記録膜に情報を記録したりあるいは情報を読出す際に、小さなバイァス磁界で充分に高い CZN 比が得られる。小さなバイァス磁界で充分に高い C Z N比が得られると、バイアス磁界発生用のマグネ'、/トを小さくすることができ、しかもマグネッ卜からの発熱も押えることができため、光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素化することができる _: しかも小さなバイァス磁界で充分に大きな C Z N比が得られるため、オーバーライト可能な磁界変調記録用のマグネットの設計も容易となる。

第 8図に Pi ₁₃Tb ₂₈Fe ₅₀Co ₉ で示される組成を有する本発明に係る光磁気記録膜および Tb ₂₅Pe ₆₈Co j で示される組成を有する充磁気記録膜のバイァス磁界依存性と、 C/N比（ d B ) との関係を示す。 - この第 8図より .. 来公知の Tt) _2CFe ₆₈Co j で示される光磁気記録膜では、 2 5 0 Oe 以上のバイァス磁界を印加しないと N比は飽¾しないのに対し、本発明に係る Pt ₁₃Tb o₈Fe ₅₀ Co _s で示される光磁気記録膜では、小さなバイアス磁界でも充分に記録可能であり、 1 2 G Oe 以上で C ZN比は飽和していることがわかる。なお以下に示す実施例および比較例では、表中に各光磁気記録膜について、 CZN比が飽和するのに必要な最小バイァス磁界 Hsat の値を示す。この値 Hsat が小さいほど、小さなバイアス磁界で CZN比が飽和することになる。

また第 9図に、 Pt Tb Fe Co 系光磁気記録膜および Pd Tb Fe Co 系光磁気記録膜における Pt およびまたは Pd の含有量と、最小バイアス磁界（ Hsat. (Oe)) とめ関係を示す。

この第 9図より、 Pt および Zまたは Pd の含有量が 10原子.％を超えると、最小バイアス磁界 Hsat が充分に小さくなることがわかる。

( iii ) 希土類元素（RE〉

本発明に係る光磁気記録膜中には.、希土類元素（ RE ) が含まれており、この希土類元素としては、 Nd 、 Sfii 、 Pr 、 Ce 、 Eu 、、 Tb 、 Dy または Ho が用いられる。

これらの中では、 Nd 、 Pr 、 Gd 、 T 、 y が好ましく用いつゥ" Λし、特に Τί3 が好ましい。また希土類元素は 2種以上併用してもよく、この場合に Tb を希土類元素のうち 50原子％以上含有していることが好ましい。

この希土類元素は.、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気を得るという点から REZ (RE十 Fe 十 Co } 比 [原子比] を Xで表わした場合に、 0. 1 5≤x 0. 45好ましくは G . 20 ≤x≤ 0. 4であるような量で光磁気記録膜中に存在していることが望ましい。

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添加して . キュリー温度や補償温度あるいは保磁力 He やカー回転角^ k の改善あるいは低コスト化を計ることもできる。これらの元素は、記録膜を構成する全原子数に対してたとえば 1 0原子％未満の割合で用いることができる。

5 併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が挙げられる。

( I ) Fe . Co 以外の 3 d遷移元素

具的には、 Sc 、 Ti 、 V、 Cr 、 Mn 、 ^Ti 、 Cu 、 Zn が用いられる。

TO これらのぅち、 Ti 、 Ni 、 Cu 、 Zn などが好ましく用いられる。

( I ) Pd 以外の 4 d遷移元素

具体的には、 Y、 Zr 、 Nb 、 Mo 、 Tc 、 Ru 、 Rh 、 Ag 、 Cd が^いられる

T5 このうち Zr 、 b が好ましく用いられる。

(I / Pt 以外の 5 d遷移元素

具体的には、 Hf 、 Ta 、 W、 Re 、 Os 、 I r 、 Au 、 Hg が用いられる。

このうち Ta が好ましく用いられる。

^ ( IV ) B族元素

具体的には、 B、 A』、 Ga 、 I n 、 TJ} が招いられる。

このうち B、 AJ1 、 Ga が好ましく用いられる

( V ) IV B族元素

具的には、 C、 S 、 Ge 、 Sn 、 Pt) がいられるこのうち、 S i 、 Ge 、 Sn 、 Pb が好ましく用いられる。

(VI) VB族元素

具体的には、 N、 P、 As 、 Sb 、 B i が用いられる。このうち St) が好ましく用いられる。

5 (W) VI B族元素

具体的には、 S、 Se 、 Te 、 Po が用いられる。

このうち Te が好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜 3は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー · ヒステリシスが良好な角形ループを示 ΐひす垂直磁気および光磁気記録可能な非晶質薄膜となることが、広角 X線回析などにより確かめられる。

なお本明紲書において、カー ' ヒステリシスが良好な角形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角である飽和カー回転角 ) と外部磁場ゼロにおけるカー回転角である残蜇ヵ一回 15 転角（ k ₂ ) との比 k ₂ /6?k ₁ が 0 · 8以上であることを意味している。

この光磁気記録膜 3では、後述する反射膜 4を設けなかった場合に 5%以上の光線透過率を有するような膜厚であることが好ましく、具^的には光磁気記録膜 2の膜厚は 1 00〜600 A好ましくは3 100〜400 Aより好ましくは 1 50〜300 A程度である。

反射膜

本発明に ί系る光磁気記録媒侔 1では、上記のような光磁気記録膜 3上に、反射膜 4が設けられている。

こ、反射膜 4は、熱沄導率が 2 J . cm■ sec · K以下好ましくは 1 J 'cm · sec ■ K以下であるような金属または合金から構成されている。

さらに好ましくは、反射膜 4は、反射率が 50%以上好ましくは 70%以上であり、かつ熱伝導率が 2 J /cm · sec · K以下好まし：くは I J/cm ' sec · K以下であるような金属または合金から構成されている。

具体的には、反射膜 4は、熟伝導率が 0. 7 1 J /cm · sec ' K である Pt 、熟伝導率が 0. 76 JZcm■ sec 。 Kである Pd 、熟伝導率が 0. 22 JZcm ' sec · Κである Ti 、または熟伝導率が 0. 9 J/GIU · sec ■ Kである Co 、熱伝導率が 0 , 23 J/cm - sec · Kである Zr あるいはこれらの合金から構成されていることが好ましい。

本発明では、また、反射膜 4が、反射率が 50%以上好ましくは 70%以上であり、熱伝導率が 2 J/cm■ sec - K以下好ましくほ 1 J OD■ sec ■ K以下であるニッケル系合金であることが好ましい

本発明で反射膜を構成する二'：/ケル系合金は、特に二 ·:/ケルを主成分とし、かつシリコン、モリブデン、鉄、クロムおよび銅からなる群から選択される少なくとも 1種を含有していることが好ましいこのようなニッケル系合金では、二'、ケルは 30〜99原子％好ましくは 50〜90原子％の量で存在している。

上記のような反射膜を構成する二ブケル合金としては、具昧的にほ下記のような合金を^いることができる

N i-C r 系合金（たとえば 30〜99原子％N i 、 1〜了 0原子 % C r 、特に好ましくは 7 0〜9 5原子％N i 、 5〜3 0原子％ Cr } i-S i 系合金（たとえば 85原子％N i 、 1 0原子％S i 、 3 原子％Cu 、 2原子％A』 )

5 N i-C U 系合金（たとえば 6 3原子％N i 、 2 9〜3 0原子 C u 、 0 . 9〜 2原子％ F e 、 0 . 1 〜4原子％S i 、 0〜

2 · 7 5原子％A』 ) ―

3

1

N i-Mo-Fe 系合金（たとえば 6 0〜6 5原子％N i 、 2 5〜

3 5原子％Mo 、 5原子％Fe )

N i-Mo-Fe-er 系合金（たとえば 5 5〜6 0原子％N i 、 1 5 -2 ΟΜΨ Μο 、 6原子％Fe 、 1 2〜 1 6原子.％Cr 、 5原子 %W)

N i-Mo-Fe-C r-Cu 系合金（たとえば 6 0原子％N i 、 5原子 %Mo 、 8原子％Fe 、 2 1原子％Cr 、 3原子％Cu 、 1原子％ S！、 1原子％Μη , 1原子％W、あるいは 44〜4 7原子％N i , 5. 5〜7. 5原子％Μ0 、 2 1〜23原子％Cr 、 0. 1 5原子 % C U 、 1原子％S i 、 1〜2原子％¾^) 、 2. 5原子％C0 、 1 原子％W、 1 . 7〜2. 5原子％Nb 、残部 Fe ) i-Cr-Cu-Mo 系合金（たとえば 5 6〜57原子％N i 、 2 3 ,0' 〜24原子％C r , 8原子％Cu 、 4原子％Mo 、 2原子％W、 1 原子％ S i または Mn }

N i-C r-Fe 系合金（たとえば 7 9 . 5原子％N i , 1 3原子％ Cu . 6. 5原子％Fe 、 0. 2原子％Cu 、あるいは 3 0〜： 4 原子％Nし、 1 9〜2 2原子％C r 、 0. 5原子％C II 、 1原子 ' 2 —

S i 、 1 . 5原子％M n 、残部 F e )

このような本発明で特定されるような反射膜 4を有する光磁気記録媒は、アルミニウム、銅、金などからなる反射膜を有する光磁気記録媒と比較して、優れた C Z N比を有している。

すなわち、アルミニウムなどの熱伝導率が大きな反射膜を用いると、レーザービームを照射して光磁気記録膜にピットを形成する場合に、レーザービームから光磁気記録膜に与えられた熟エネルギーがこの反射膜を伝わって拡散するため、大きな記録レーザーパワーを必要とする。さらに、光磁気記録膜に形成されるビットの开拔はO 大きくなつたり、形状が乱れたりしてしまうその他、反射膜の膜厚に対する記録パワー依存性が大きくなりすぎてしまう。

また本発明で特定されるような反射膜 4は、光磁気記録膜の耐酸化性を向上させる効果を有しており、したがって長期信頼性に匳れた光磁気記録媒钵が得られる。

本発明では、熟伝導率が 2 J m · sec . K以下、好ましくは 1 J /cm - sec ■ K以下のニッケル系合金からなる反射膜が好ましく、特に N i- C r 合金（たとえば 3 0〜 9 9原子％N i 、 1〜7 0 原子％C r)が好ましく、さらに N i 7 0〜9 5原子％、 C r 5〜 3 0原子％の卜 C r 合金からなる反射膜が、高い C Z N比が得られるため好ましい。

また一方低い熱伝導率で高い反射率を有する金属特にニッケル系合金からなる反射膜 4を設けることによって、光磁気記録膜の膜厚を薄くしても、高いカー回転角、反射率を得ることができる。このような反射腠 4の膜厚は、 1 0 0〜4 (5 0 G A好ましくは 200〜20 G 0 A程度である。

また光磁気記録膜 3と反射膜との合計膜厚は 300〜4 6 00 A 好ましくは 3 50〜2400 A程度である ₄

本発明に ί系る光磁気記録媒体 1では、上記のように基板 2と光磁 S 気記録膜 3との間にェンハンス膜 5が設けられていてもよく、また磁気記録膜 3と反射膜 4との間にェンハンス膜 5が設けられていてもよい。このェンハンス膜 5は、本発明に係る光磁気記録媒 (Φ: 1 の感度を高める働きをするとともに光磁気記録膜 3の保護膜としても作用している。このようなェンハンス膜 5は.、基板の屈折率よりも大きな屈折率を有する透明膜であれば用いることができる。

このようなェンハンス膜としては、 Zn S、 Zn Se 、 Cd S , S i 3 ₄ 、 S i N ( 0 < xく 4 Z 3 ) 、 S i 、 A J! Nなどを用いることができる。このェンハンス膜の膜厚は.、 1 00〜 1 000 . A好ましくは 300〜 850 A程度である。この中で耐クラック性の点から、特に S i ₄ S i X ( 0 < χ < 4 / 3 ) をェンハンス膜として用いることが好ましい。

上記のようなェンハンス膜を用いる場合には、基板 2として、特に下記のような重合体を用いることが好ましい

すなわち基板 2は、エチレンと、下記一般式 [ I ] または [ E ] ：で表わされる環状才レフィンとの共重合からなり、 1 3 5°Cのデ力リン中で測定した極限粘度 [ n ] が 0. 0 5〜： L 0 dJI / gの範囲にあり、軟化温度（ TMA ) が 7 (TC以上である環«ォレフィン - 系ランダム共重合钵から形成されていることが好ましい。

一般式

(式中、 nおよび mはいずれも 0もしくは正の整数であり、は 3 以：の整数であり、 Η·¹ ないし R¹²はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を示す）。

このような環状ォレフィン系ランダム共重合体中においては、該 I _ -— 環ォレフィン成分は一般式 [ΠΠ または一般式 LIV]で表わされる構造を形成している。

一般式 Q

(R⁹-c C--R¹⁰) [IV]

(式中、 nおよび mはいずれも 0もしくは正の整数であり、 J! は 3 以上の整数であり、 R¹ ないし R¹²はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を示す）。

この環状才レフィン系ランダム共重合体 [A] は、上記のようにエチレンおよび前記環状才レフィンを必須成分とするものであるが, 該必須の二成分の他に本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的には、たとえば生成するランダム共重合体 Φのェチレン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、 1-ブテン、 4-メチル -1- ペンテン、 1-へキセン、 1-才クテン、 1-デセン、ドデセン、 1-テトラデセン、 1- へキサデセン、 1-ォクタデセン、 1-エイコセンなどの炭素原子数が 3〜 20のひ- ォレフィンなどを例示することができる。

上記のような環状ォレフィン系ランダム共重合体 [A] において、エチレンに由来する繰り返し単位（a) は、 40〜85モル％、好ましくは 50〜7 5モル％の範囲で存在しており、また該環状ォレフィンに由来する繰り返し単位（b) は 1 5〜60モル％、好ましくは 25〜50モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位（a) および該環状ォレフィンに由来する繰り返し単位 (b) は、ランダムに実質上線犹に配列している。この環状ォレフィン系ランダム共重合体 [A] が実質上線状であり、ゲル犹架撟構造を有していないことは、該共重合体が 135 Cのデカリン中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状ォレフィン系ランダム共重合体 [A] の 135 C のデカリン中で測定した極限粘度 [ ] は、 0. 05〜10 (JJ1 £、好ましくは 0. 08〜5 dJI の範囲にある。一

また環状ォレフィン系ランダム共重合体- [A]のサーマル ·メカ二カル -アナライザーで測定した軟化温度（TMA) は、 7 (TC以上、好ましくは 90〜250°C、さらに好ましくは 1 00〜200 での範囲にある。また、該環状ォレフィン系ランダム共重合体 [A; のガラス転移温度（Tg)は、通常 50〜23 (TC；、好ましくは 70 〜210 Cの範囲にある。

また、この環妆ォレフィン系ランダム共重合体 [A] の X線回析5 法によって測定した結晶化度は、 0〜10%、好ましくは 0〜7%、とくに好ましくは 0〜 5 %の範囲である。

次に、本発明に係る光磁気記録媒铱の製造方法について説明する < 基板温度を室温程度に保ち、非晶質合金薄膜を構成する各元素からなるチップを所定割合で配置した複合ターゲッ卜、または所定割ff 合の組成を有する合金ターゲトを用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法などの従来公知の成膜条件を採 , して、この基板（基板は固定していてもよく、また自転していてもよい）上に所定組成の非晶質合金薄膜を被着させ、次いでこの上に反射膜を上記と同檬にして被着させることによって、本発明に係る光磁気記録媒体を製造することができる

このように本発明に係る光磁気記録媒体は、常温での成膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるために成膜後にァニール処理などの熱処理をする必要がない。

なお必要に応じては、基板温度を 5 0〜6 0 CTCに加熱しながらまたは一 5 CTCまで冷却しながら、基板上に非晶質合金薄膜を形成することもできる。

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバイァスすることもできる，このようにすると、電界で加速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲツト物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたたくことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られることがある。

発明の効果

本発明に係る光磁気記録媒体では、基板上に、特定の組成を有する非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜（ I ) と、熱伝導率が 2 J /cm · sec · K以下である金属または合金からなる反射膜（ Ε ) とが順次積層されて構成を有しており .、耐酸化性に優れているため光磁気記録膜を薄くすることが可能であつて、光磁気記録媒体に反りあるいは膜割れが生じにくく、しかも優れた C / N比を有し、経時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が変化することがなく、さらに反射率も高い

以下本発明を実施例によって説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものではない，

実施例 1 エチレン ' テトラシクロドデセン共重合体（エチレン含量 6 0モル％、テトラシクロドデセン含量 40モル％、軟化温度（TMA) 1 55 、 [τ? ] = 0. 45 (1J1 Ζε、 χ線解析による結晶化度 0 % ) 製ディスク基板上に、スパッター法によつてェンハンス層として 6 0 0 A Z n S、光磁気記録層として 2 00 Aの Pt ₂₀ b _¾2Fe ₃₆Co ₁₂.、反射層として 20 0 Aの Τί を遂次積層形成し、光磁気ディスクを作成した。

このディスクの記録再生特性を記録周波数 1 MHz(Duty比 50%) . 線速度 ί 1 m sec にて評価した。その結果、最適記録レーザパヮ一は 3. OmW、 CZ?^±42 d B (再生レーザパワーは 1. 0 m ) であっ。

比較例 1

実施例 1と同様のエチレンテトラシクロドデセン共重合体製ディスク基板上に、スパヅター法によってェンハンス層として 6 0 0 の Zn S、光磁気記録層として 2 0 0 Aの Pt ^Tb _γ) Fe ₃₆Co 、反射層として 200 Aの AJI を（熱伝導率 2. 3 7 J /cm - sec · Κ) を遂次積層形成し、光磁気ディスクを作成した. このディスクの評価を実施洌 1と同様にして行なったところ最適記録レーザパワーは 6 , 2mW、 CZNは 42 d Bで-あった。

実施例 1と比較すると、 CZNは同レベルであるものの、記録に必要なレ一ザパワーは 2倍以上必要なことが判る

実施例 2

T i の膜厚を 4 0 0 Aとした以外は、実施^ ίΐと同檨にした。その結果、最適レーザパワーは 3. 1 mW、 C Z ^Tは 44 d Bであつ比較例 2

A J! の膜厚を 4 G 0 Aとした以外は、比較例 1と同様にした。その結果、レーザパワーを 8. OmWまで上げたが、記録できなかつた。

実施例 1， 2および比較例 1 , 2からも判るとおり、本発明の構成のディスクは、記録レーザパワーが反射膜の膜厚によって変化しないのに対し、 Α. を反射膜として使用したものは膜厚によって記録レーザパワーが大きく変動する。

実施例 3

光磁気記録層の組成を Pt ₂₀Tb ₃₂Fe ₂₆Co ₂ゥとした以外は、実施例 1と同樣に行なった。その結果、最適レーザパワーは 3. 9 mW、 CZNは 44 d Bであった。

実施例 4

光磁気記録層の組成を Pt. o_{)T 32 ₂₂Co ₂₆とした以外は、，実施例 1と同様に行なった。その結果、最適レーザパワーは 5. 8 mW、 CZNは 46 d Bであった。

実施例 5 ,

反射膜として 200 Aの Pt を用いた以外は、実施冽 1と同檨に行なった。最適レーザパワーは 3. 5mW、 CZNは 45 d Bであ

-&> »

実施例 6

反射膜として 4 G 0 λの Pt を用いた以外は、実施例 1と同様に行なった。最適レーザパワーは 3. 8mW、 CZNは 47 d Dである。

実施例 7

反射膜として 200 Αύ Ρ(1 を用いた以外ほ、実施例 1と同様に行なった。最適レーザパワーは 3 , 5mW. CZNは 45 dBである

実施例 8

実施例 1と同檨なエチレン ·テトラシクロドデセン共重合（ェチレン含置 60モル％、テトラシクロドデセン含量 40モル％ ) 製ディスク基板上に、スパッタ法によってェンハンス層として 700 Aの S i Nx ( 0く xく 4Z3、屈折率 n = 2. 3、 k (消衰係数） = 0 - 0 1 4 ) , 光磁気記録層として 3 0 0 Aの Pt ₁₈Tb ₃₄ Fe ₃₈Co _1Q、反射層として 700 Aの N i _8QC r _2Qを遂次積層形成し、光磁気デイスクを作成した

このディスクの記録再生特性を記録周波数 1 MHz(But '比 50% } 、镍速 5. 4 m./sにて評偭した。

その結果、最適記録レーザパワーは 3. 5mWであり . C/Nは 50 d B (再生レーザパワーは 1. 0 iri ) であった。

実施例 9〜 1 4 , th¾例 3〜4

実施例 1と同檨にして、表 1に示すような組成および構造を有する光磁気ディスクを作成し、実施例 1と同様にして評偭を行なった：結果を表 5に示す

― ―

実施例 15

実施例 1と同檨なエチレン ·テトラシクロドデセン共重合（ェチレン含量 60モル％、テトラシクロドデセン含量 40モル製ディスク基板上に、スパ、 :/タ法によってェンハンス層として 600 人の S i N ( 0 <x<4/3. n = 2. 3、 k (消衰係数） = 0. 014 ) . 光磁気記録層として 300 Aの Pt ₁₃Tb ₂₈Fe ₅₃ C o ₆ 、反射層として 2000 Aの N i _g3C r _? を遂次積層し、光磁気ディスクを作成した。

また N i Cr の組成を第 10図に示すように変化させて光磁気ディスクを作成した。

この光磁気ディスクの CZN ( d B ) を測定し、結果を第 10図に示す。

また、以下の実施例で作成した光磁気記録媒^を下記のようにして評価した。

( 1 ) 光弾性定数の測定

プレス成牙によって成形した 1 0 X 1 0 X 0 . 5雌の大きさの試験片に対して . 無荷重時あるいは 50 g、 100 ff 、 2 G 0 gの分銅をそれぞれつり下げて応力のかかった状態時での試験片の複屈折度を、波長 632. 8隐のヘリウム- ネオンレーザー光源の透過型エリプソメータを甩いて測定し、複屈折度と応力との関係から光弾性定数を求めた

{ 2 ) レタ一ゼーション（ダブ;レパス）

(無荷重時の複屈祈度〉-'-試験片の厚み） X 2で求めた。

ぐ参考実施例 1 > 4

ェチレン含有率 6 0モル％のエチレンとテトラシクロドデセン ( fi 3 〉〕）の共重合体（ — Ν Μ Πによって共重合体中においてテ卜ラシクロドデセンは Ί の構造を採っていることが確認された）と、従来の光ディスクの原料ポリマーであるポリメチルメタクリレー卜（協和ガス化学工業、 T1 0- 10 ) 、ポリカーボネート〈帝人化成、 AD -5503 ) の光弾性定数を測定した。

また、レーザーの照射角度を鉛直方向を 0度とし、斜めに 1 0度ずつ変化させていった時のレターゼーシヨン（ダブルパス）を円形に成形された試験片を中心から半径 r腿の距離において測定した。結果を表 6に示す。

この結果を見てもわかるとおり、エチレン ·テトラシクロドデセン共重合体は光弾性定数が小さいので、射出成形のように残留応力が発生するような成形条件で基板を成^しても光学的影響をほとんど示さないことが予測できる。またエチレン ·テトラシクロドデセン共重合からなる基板は、レーザの入射角度が変化しても複屈折がほとんど変化せず一定である。さらにエチレン .テ卜ラシクロドデセン共重合钵からなる基板は、基板とェンハンス膜との密着性が他の重合体からなる基板と比較してより優れているという利点をも有している。

<参考実施例 2 >

参考実施例 1のエチレン 'テトラシクロドデセン共重合体上にェンハンス膜を表 7に示すような種々の化合物を用いてスパツタリング法（ 5 0 W、 1分）で^成し、その製膜速度を表 7に示す。

マ

A

N

成膜速度（ 50W 1分）！屈折率

200 400 600 A

SiO 1.4b i SiO **** 1.85 j ZnO _t 2.0 j ITO j 2.0 j TiO j 2.3 j

Si N4 ！ j 2.0 ^!

！ 2.25 ί

ZnSe ！ 2.58 CdS j 2.6

この結果から、 Zn Se と Cd Sの製膜速度が著しく大きくて、生産性の面からは両化合物がとくに優れることがわかる。

実施例 1 5 2 0 参考実施例 1で便用したエチレン · テ卜ラシクロドデセン共重合体 ( 0) を用いて直径 1 3 0 のディスク基板を成形し、この基板上に表 4に示すような化合物をェンハンス層として 5 0 C Aの厚みでスパッタリング法で形成、さらにその上に Tb Fe からなる光磁気記録層をスパ' タリングで 1 0 0 0 Aの厚みで形成し、さらにその上に 5 G 0 Aの厚みのェンハンス眉をスパ /タリングで形成した、このようにして得られた光裡磁気記録体を、 70 、 85%RK の条^下に 7曰間放置および一 2 CTCを 2時間、 + 6 CTCを 2時間交互に放置するヒートサイク.レテス卜を 7日間続けた後のそれぞれの保磁力（ H(：》を測定した。

結果を表 8に示す。

この結果から、上記のような光磁気記録媒^は初期保磁力を極めて安定に維持していることがわかる。

20

Claims

請求の範囲

1. 基板上に、光磁気記録膜（ I ) と反射膜（ H ) とがこの順序で積層されてなる光磁気記録媒体において、

光磁気記録膜（ I )が、（ ί ) 3 d遷移金属から選ばれる少なくとも 1種と、（ ίί )耐腐食性金属と、（ ίίί )希土類から選ばれる少なくとも.1種の元素とからなり、前記耐腐食性金属の含有量が 5〜 30原子％である、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜であり、

反射膜（ 2 ) が、熱伝導率 2 J /cm■ sec · K以下の金属またはは合金からなることを特徴とする光磁気記録媒体。

2. 光磁気記録膜（ I ) に含まれる（ i ) 3 d遷移金属が、 Fe または CO あるいはこの両者であることを特徴とする請求項第 1項に記載の光磁気記録媒体。

3. 光磁気記録膜（ I ) に含まれる（ ίί ) 耐腐食性金属が、 Pt または Pd あるいはこの両者であることを特徴とする請求項第 1項に記載の光磁気記録媒体。

4. 光磁気記録臈 ( I ) に含まれる（ ϋί )希土類が Nci 、 Sm 、 Pr , Ce 、 Eu 、 Gd 、 Tb 、 Dy または Ho であることを特徴とする請求項第 1項に記載の光磁気記録媒体。

5. 光磁気記録膜（ I ) に含まれる（ ί ) 3 d遷移金属の量が 40 原子％以上 80原子％以下であり、（ ) 耐腐食性金属の量が 10 原子％を超えて 30原子％以下であることを特徴とする請求項第 1 項に記載の光磁気記録媒体。

6. 反射膜（ Π ) は、熟伝導率が 2 J /cm · sec ' K以下であり .、 W¾ig9/0I687 PCT/JP88/00785

4 S -

反射率が 5 0 %以上であることを特徴とする請求項第 1項に記載の光磁気記録媒钵。

7. 反射膜（ II ) は、熱伝導率が 1 J Zcm · sec ■ K以下であり、反射率が 7 0 %以上であることを特徴とする請求項第 1項に記載の

5 光磁気記録媒体

8. 反射膜（ H ) が、ニッケル合金であることを特徴とする請求項第 1項に記載の光磁気記録媒体。

9. 反射膜（ H ) が、ニッケル■ クロム合金であることを特徴とする請求項第 1項に記載の光磁気記録媒体。

tO 10. 反射膜（ H ) が、ニッケル 7 0〜9 5原子％と、クロム 5〜 3 0原子％とからなるニッケル · クロム合金であることを特徴とする請求項第 9項に記載の光磁気記録媒体。

11. 反射膜（ E ) の膜厚が、 1 0 0〜4 0 0 0 Aであり、光磁気記録膜（ I〉と反射膜（ H ) との合計膜厚が 3 0 0〜4 6 0 0 Aであ 5 ることを特徴とする請求項第 1項に記載の光磁気記録媒钵。

12. 基板と光磁気記録膜（ I ) との間および Zまたは光磁気記録膜 ( I ) と反射膜（ E ) との間にェンハンス膜が設けられていることを特徴とする請求項第 1項に記載の光磁気記録媒体。

13. ェンハンス膜が S i 3 . または S i N x ( 0く xく 4 Z 3 ) 2δ である請求項第 1 2項に記載の光磁気記録媒体。

14. 基板が、エチレンと、下記一般式 [ I ] または [ Π〗で表わされる環状ォレフィンとの共重合^であり、かつ 1 3 5。Cのテガリン中で測定した極限粘度 [ ] が 0 . 0 5〜： I 0 であり、軟化温度が 7 0で以上である環状ォレフィン系ランダム共重合体から形成され、

ェンハンス膜が、 Zn S、 Zn Se 、 Cd S、 S i ₃ N₄ 、 S NX ( 0く xく ) 、 S i 3 N₄ 、 Si または A J! Nであるとを特徴とする請求項第 12項に記載の光磁気記録媒体：

1⁰ [ Π ]

(式中、 nおよび mはいずれも 0もしくは正の整数であり、 -ί は ί - _ 3 以上の整数であり、 R¹ ない R¹²はそれぞれ水素原子、ハロゲン rln 原子または炭化水素基を示す