WO1989001221A1 - Memoire magneto-optique - Google Patents

Description

. 明 細 書

発明の名称

光磁気メ モリ装置

技術分野

5 本発明は、 光磁気デ ィ ス ク等の光磁気記録担体を用いた光磁 気メ モ リ装置に関し、 特に情報の消去/再記録機能を有する装 置に関する。

背景技術

近年、 大容量の情報の蓄積に光ディ スクを用 た再生専用型、 i o 或は追記型の情報記録装置が用いられ始めている。 また光磁気 記録媒体や相変化型の媒体を用いた情報の消去書換え可能型の 情報記録装置の開発も活発に行われている。 これらの消去書換 え可能型の記録媒体の内、 特に光磁気記録媒体は媒体寿命や再 生信号特性の点で実用化に最も近い記録媒体とな っている。

1 5 しかしながら、 光磁気記録媒体は、 磁気ディスク等で実現さ れている情報の重ね書きによる消去 Z再記録 （ ォ バ ライ ト ） が困難 状況にあ 、 磁気ディ スクを光磁気デイ スクで置き換 えるための大きな障害となっている。 これは、 光磁気記録媒体 では情報の記録 Z消去を行うためにレ ザ光スポッ トの熱と外 0 部磁界を用いてお])、 記録 Z消去の動作の切 巷えを光磁気記 録媒体から離れた位置にある外部磁界発生用のコィルの切]?替 えで行うため、 大きな磁界の高速変調ができず、 これが消去 Z 再記録ができ い大きる原因に ¾つている。

光磁気ディ スク につ ては、 例えば、 アイ イ ーィ ーィ ト 5 ラ ンザク シ ヨ ン 才 ン マク、 'ネテ イ ク ス ， — 1 8券 6号， 1 9 8 2年1 1 月 （ IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS, VOL .MAG— 18 , NO .6 , NOVEMBER 1982 )第 1 2 3 3〜

1 2 3 7ペ^ジの 「光磁気ディスク記録媒体」 （ MAGNETO— OPTICDIS STORAGE )に記載されている。

光磁気記録媒体の情報の記録消去の仕組みを、 光磁気デイ ス クを例として、 図を用いて説明する。 第¹ 図は光磁気デイ スク の従来の構成を示した図であ 、 又、 第²図は用いられる光磁 気膜の温度特性を示した図である。 光磁気デイ スク 1 は、 透明 基板 2に光磁気記録膜 3が被着され、 さらに保護膜 4で覆われ ている。 5は記録 Z再生用のレ ザ光を照射する光学系の一部 である集光レ ンズ、 6は記録用の外部磁界発生コ イ ルである。

第²図に示すように、 従来用いられている *光磁気記録膜 3の 保磁力は、 室温 ROOM では高い値を有して外部磁界で容易に 磁化反転を起こさな 特性にな つている。 第 1 図の光磁気記録 膜 3は、 情報の記録前にあらかじめ膜面に対して下向き垂直に 磁化されているとする。 集光レ ンズ 5で記録膜 3上に集光され たレ ザ光は、 情報の記録 Z消去時にはその強度が強められ、 レ一ザ光の照射されている部分の記録膜 3の温度をキュ リ ""温 度 T C 近傍まで上昇させる。 第 2図に示すよ うに、 記録膜 3は 温度がキュ リ 温度 T_C近傍まで上昇すると、 その保磁力が低 下し、 容易に外部からの磁界によ つて磁化方向を反転させるこ とができるよ うになる。 この状態の時に記録膜 3にコ イ ル 6に よ つて上向きの磁界 H RE Cを与えると、 磁化反転を起こし、 上 向きの磁化を持つ磁気ドメィ ンが情報ビッ トとして形成される _c 倩報の消去時には、 記録と同様に、 記録膜 3の温度を、 集光さ • れたレーザ光によ ってキユ リ 一温度 T _G 近傍に上昇させ、 同時 に外部磁界として情報の記録時とは逆向きの磁界 H E R A S E をコ ィ ル 6によ 与えることによ つて行われる。

情報記録消去時のコ イ ル ⁶によ つて加える磁界の強度および 磁界の向きとレ ザ光のスポ ッ トの強度の変化を図を用 て説 明する。 第 3図は光磁気デイ スク の一般的な再生、 記録、 消去 時の磁界とレ ザ光スポッ 卜 の強度の変化を示した図である。 第 3図で、 情報の再生時には磁界は無く、 レ ザ光スポ ッ 卜の 強度も弱く設定されている。 次に、 既に情報の記録されている 部分に新たに別の情報を記録する場合には、 従来は、 まず先に その部分の記録を消去し、 その後に新しい情報を記.録する方法 が用いられている。 即ち、 まず磁界を消去方向に設定し

( H E R A S E ) 、 レーザ光ス ポ ッ トの強度を高めて倩報の記録部 分の磁化を消去方向の磁化に揃える。 この後、 磁界の設定方向 を反転させて記録方向の磁界の向き （H R E C )にすると共に、 レ ザ光スポッ. 卜の強度を記録する情報信 "に従つて変調させ、 光磁気記録膜 3を部分的に磁化反転させることで情報の記録が 行われる。

しかしながら、 従来のこの記録ノ消去方式では、 あらかじめ 情報が記録された記録膜 3に新しい情報を重ね書き しょ う とす ると、 まず前の情報を消去し、 その上でも う一度消去された ト ラックに戻つて情報を記録する必要があ ]?、 1 回の情報記録の 為にレーザ光スポ ッ トを同じ場所に 2回照射するよ うに ト レ スする必要があつた。

これに対し、 磁気ディスク等の磁気記録メディアでは 1 回の ト レ スで情報の重ね書きが可能であるため、 光磁気デ ィ スク の清報転送速度が情報記録時には磁気デイ スク の半分以下に つてしま つていた。 従って、 従来磁気ディ クが使われている 応用分野を光磁気デ ィ ス ク で置き換える為には、 光磁気デイ ス クに於いて磁気ディ スクと同等以上の再記録手段を実現し、 情 報転送速度が遅いという問題を解決する必要があつた。

光磁気ディスク で再記録を行う方法とレては、 従来、 磁界変 調を行う方式や、 ディ スク の 1 周毎に記録の磁化方向を反転さ せる方式、 或は 2層膜構造の光磁気デ ィ スク媒体を用いる方式 等が提案されている。 しかしながら、 これらの方式も各々欠点 を有して ]?、 特に磁気デ ^ ス クに変わるデータ フ ァ イ ルとし ての用途を考えた場合、 いずれの方式とも実用化は困難な状況 にあった。

例えば、 磁界変調を使う方式の場合は、 情報を記録するとき に光の強度を常に高く しておき、 コ イ ルによ ]?与える磁界の向 きを情報信号に応じて記録方向と消去方向に変化させる方式で あるが、 磁界の向きを倩報信号に従つて高速で変化させるのに 限界がある。 その理由は、 変調のできる磁界の発生手段として 光磁気膜から数丽離れた位置に置かれた電磁コィ ルが用いられ 光磁気膜上に数 1 O O O e もの大きな磁界を発生させている為. 使用するコイ ルの巻数が多くな ]? 、 コ イ ルのィ ンダク タ ンスが 大き くな つて、 数 M Hzもの高い周波数の情報信号でのコィルの 変調即ち磁界の変調が困難に つているからである。 従って、 コンビュ ータ用のデータ フ ァ イ ルのような高い情報転送速度を 要求される用途には、 この方式の使用は困難であった。' • 又、 ディ スクの 1 周毎に磁化方向を反転させる方式は、 2つ のレーザ光スポッ トを用い、 電磁コイ ルによる磁界の反転をデ イ スク 1 周毎に行い、 使用する ²つのレ一ザ光スポッ 卜の内の 一方のレ一ザ光スポッ トで 1 つの記録 ト ラ ッ クの記録を消去し るがら、 同一磁界の下で隣接する記録 ト ラッ ク （既に上記の方 法で 1 周前に消去されている ）に記録する方式である。 しかし この方式の場合は、 磁界の切])替えの時間が必要であ]?、 ディ スク一周の中でこの切 替え期間中に通過したところでは情報 の記録が出来ない領域が発 ¾する。 また、 画像や音楽等の比較 的大きな情報を連続的に記録する場合は有効であるが、 デ ^ "タ フアイル等のデイ スク 1 周を数セク タ ^に分けて比較的小さな 情報単位で情報を記録する用途には使用でき 。

これに対して、 最近提案されている 2層膜構造の光磁気ディ スクを用いる方式は、 光学へッ ドと ²つの磁界を用いる方式で. 保磁力の小さな第 1 層を第 1 の磁界だけで消去し、 この消去さ れた第 1 層による消去方向の磁界と第 2の外部磁界による記録 方向の磁界とを選択し、 第 2層に情報の記録を行おう とする方 式である。 この方式は、 原理的には消去再記録が可能であるが- 記録媒体の構成が複雑にな ] 、 又非常に大き 磁界も必要であ るため、 実際の使用には困難が予想される。

このよ うに、 従来、 光磁気デイ スクは、 特にデー タ フ ァ イ ル と しての用途を考えた場合、 情報のォ バライ トが困難である という問題点を有して た。

本発明は、 上記問題点を解決し、 光磁気メモ リ装置に於て、 高速に情報の消去及び再記録が実現できる手段を提供すること を目的とするものである。

上記目的を達成するために、 本発明の光磁気メ モリ装置では、 補償温度が室温とキュリ 一温度との間にあるフ ュ リ磁性体を光 磁気記録担体と して用い、 回折限界近傍まで絞]?こんだ第 1 の 光スポッ ト と、 この第 1 の光スポッ トの径に比べ大きな光スポ ッ ト径を有しかつ中心が第¹ の光スポ ッ トと略同一の第² の光 スポッ ト とを記録担体の情報記録位置に集光させる手段と、 情 報記録時に記録担体の情報記録位置の温度をキユリ 温度近傍 にするべく第¹ の光スポッ トの強度を強くする手段と、 記録担 体の情報記録位置周辺の温度が、 室温近傍と記録担体の補償温 度以上の温度との間で、 記録する情報信号に従つて変化するよ うに第 2の光スポッ トの強度を変調する手段とを有する構成に している。

上記構成によ つて、 補償温度が室温とキユリ 温度の間にあ る光磁気記録担体を用い、 また情報の記録/消去に必要な外部 磁界として倩報を記録する位置の周辺の磁化による磁界を用 ' らに補償温度の前後で膜の磁化方向が反転することを利用し て、 記録位置周辺の記録膜の温度を室温近傍と補償温度以上の 温度で変化させることによ つて、 周辺磁化による情報記録位置 の磁界の向きを反転させ、 倩報の消去 Z再記録を行うものであ る o

この作用を実現するために、 本発明の構成では、 情報の記録 再生に用いられている第 1 の光スポッ 卜の他に、 第¹ の光スポ ッ ト と中心を略同一にし、 よ 大き ¾光スポッ ト径を、有する第

2の光スポッ トを記録膜上に集光し、 記録する情報信号によ つ • てこの第 2の光スポッ 卜の強度を変調している。 第 2の光スポ ッ トの強度が情報信号によ つて変化すると、 情報記録位置周辺 の温度が補償点以上の温度と室温近傍の間で変化して情報記録 位置の磁界の向きが反転し、 情報信^に応じて記録される磁気

5 ドメ イ ンの磁化方向が反転し、 倩報の消去 Z再記録が実現され

0

従って、 本発明では、 あらかじめ記録されている信号の上に 情報の書換えすなわち消去 Z再記録（ォーパライ ト ）が実現さ れる。

i o 図面の簡単な説明

第 1 図は従来例の光磁気メ モ リ装置の断面図、 第²図はその '光磁気記録膜の保磁力特性図、 第 3図はその外部磁界と光スポ ッ 卜の強度変化を示す特性図、 第 4図は本発明の一実施例の光 磁気メ モ リ装置の構成を示すブロ ッ ク図、 第 5図は同実施例の

1 5 レ -ザ光スポ ッ 卜の配置を説明する平面図、 第 6図はそのレ

ザ光スポ ッ 卜 の強度変化を説明する特性図、 第ァ図は本発明で 使用する光磁気記録膜の特性を説明する特性図、 第 8図はその 情報記録動作の原理を説明する嫫式図、 第 9図はその情報消去 動作の原理を説明する檁 ^図である。

0 発明を実施するための最良の形態

以下、 本発明の光磁気メ モ リ装置の一実施例について、 図面 を参照しながら説明する。 第 4図は本発明の光磁気メ モ リ装置 の一実施例の光磁気デイ スク メ モ リ装置の構成を示す図である _c 第 4図の光磁気デイ スタ メモ リ装置で用いる光磁気ディス'ク

5 4 1 は、 透明基板 4 2 ， 光磁気記録膜 4 3 ,保護膜 4 4を有す * る。 メ モ リ装置は、 集光レンズ ^{4 5} ，第¹ スポ ッ ト用光源レ ー ザ ⁴ 6 ，第 2 スポ ッ ト用光源レ ザ 4 7 ,それぞれ用のコリ メ タレ ンズ 4 8 ， 4 9 ， ビーム スプ リ ッ タ ー 5 0 ，光分離フ ィ ル タ ー 5 1 ， ダイ ク ロ イ ツ ク ミ ラ ー 5 2 ， ス 4板 5 3 ，検光 子 5 4 ,集光レンズ 5ち ，光検出器 5 6 ，第¹ ス ポ ッ ト用光源 レ ザ変調駆動回路 5 7 ，第 2 スポ ッ ト用光源レ ザ変調駆動 回路 5 Sを含んで構成されて る。 第¹ スポ ッ ト用光源レーザ 変調駆動回路 5 7には記録 Z再生の切換信^ 5 9が、 また、 第 2 スポ ッ ト用光源レーザ変調駆動回路 5 8には情報信号 6 0が 各々供給されている。

以上のように構成された光磁気ディ ス ク装置について説明す る。 第 4図に於て、 第 1 のレーザ光スポ ッ トを作る光源レーザ

^{4 6} と第² の レ一ザ光スポッ トを作る光源レ一ザ 7を出たレー ザ光は各々光学系を通]?、 集光レ ンズ 4 5で集光され、 光ディ5 ス ク 4 ¹ に作成された光磁気記録膜 4 3上に第¹ の レ ザ光ス ポッ ト 6 1 と第 2のレ ーザ光スポ ッ ト 6 2 として、 各々のレ ー ザ光スポッ トの中心を略同一にして集光される。 光源レ ^ザ 46 と光源レ ザ 4ァは例えば波長の異なる 2種類の半導体レーザ - を用いることが出来る。

0 また、 ダイク口 イ ツク ミ ラ ー 5 2は、 この例の場合、 光源レ 一ザ 4 7を出た光を反射し、 光源レ ザ 4 6を出た光は通過さ せる様に設定する。 第 1 の光スポ ッ ト用の光源レ一ザ 4 6を出 たレーザ光はコ リ メ ー トレ ンズ 4 8で平行光束になされ、 ダイ クロイ ツク ミ ラ ^ ~ 5 2に入る。 このレーザ光はダイ クロ イ ツ ク5 ミ ラ — 5 2を透過し、 ビーム スプ リ ッ タ ^ 5 Oに入射する。 ビ ーム スブリ ツ タ ー 5 Oを透過したレ ザ光が集光レ ンズ ⁴ 5で 集光されて光磁気記録膜^{4 3}上に第¹ のレ ザ光スポ ッ ト ^{6 1} を形成する。

このレ ^"ザ光ス ポ ッ ト 6 1 はレ ^"ザ変調駆動回路 5 7によ つ て、 記録 Z再生切換信 " ^{5 9}に従って、 記録消去時は強く、 再 生時は弱く るよ うに制御される。

光磁気記録膜 ⁴ 3からの記録済情報の再生時には、 光磁気記 録膜⁴ 3を反射した光がビ ^ム スプリ ツ タ ^ 5 Oで反射され、 光分離フ ィ ルタ ^" ^{5 1} で第 2のレ ^ザ 4 7からのレ ザ光と分 離され、 検光子 5 4で光磁気記録膜 4 3の偏光回転成分だけが 取]?出されて、 光検出器 5 6から情報再生信^と して取])出さ れ 0

—方、 第 2 の レーザ光スポ ッ トを形成する光源レーザ 4 7を 出たレーザ光は、 第 1 の光ス ポ ッ ト用光源レ ザ^{4 6}を出たレ 一ザ光と同様に、 コ リ メ ー トレ ンズ 4 9で平行光束にるされ、 ビ ム スプリ ッタ ー 5 Oに入射される。 ビ ーム スプリ ッ タ ー 50 はこのレ ^"ザ光を反射し、 反射した光は 4板 5 3を通って、 ダイ ク ロ イ ツ ク ミ ラ ー _{5 2} で反射され、 も う一度ス/ / 4板 5 3 を透過して偏光方向が合計 9 0°回転され、ビ ム スプリ ッ タ ー

5 Oを透過して集光レ ンズ 4 5で集光され、 光磁気記録膜^{4 3} 上に第² の レ ザ光ス ポ ッ ト 6 2を形成する。

光磁気記録膜^{4 3}上の²つのレーザ光ス ポ ッ ト ^{6 1} 、 及び

6 2の関係を第 5図を用いて説明する。

第 2図は光磁気記録膜 4 3上のレ一ザ光スポッ トと記録ビッ トの関係の一例を示した図であ ]?、 第 1 のレ ザ光スポ ッ ト 6 1 はその回折限界近傍まで絞！)込まれ、 ガイ ド溝^{6 3}で形成 される情報ト ラッ ク ^{6 4}に沿つて集光されている。 第²のレー ザ光スポッ ト 6 2は第¹ のレ ^"ザ光スポッ ト ^{6 1} とその中心を 略同一にして集光されているが、 その径は第¹ のレ ^ザ光スポ ッ ト 6 1 に比べ大き くなされている。 第 1 のレーザ光スポッ ト 6 1 と第 2のレーザ光スポッ ト 6 2の 2つのスポッ トの強度の 変化によって、 情報ト ラック ^{6 4}に沿つて記録ピッ ト ^{6 5}が形 成される o

第 1 のレーザ光スポッ ト と第 2 のレ一ザ光スポッ トの記録及 び再生状態における強度の変化を第 6図を用いて説明する。

第 3図は再生状態と記録状態における第 1 のレ ザ光スポ ッ ト ⁶ 1 の強度と第² のレ ーザ光スポッ ト ^{6 2} の強度の時,間変化 の一洌を示した図である。 再生状態では第 1 のレ ザ光スポッ ト ⁶ 1 の強度は光磁気記録膜^{4 3}上で¹ 〜² m 程度のパヮ 一 に設定され、 第 2のレ ^"ザ光スポッ ト ^{6 2}の強度は Oに設定さ れている。 これは従来の光磁気デ ィ ス ク の再生状態と同一であ る。 次に、 消去/再記録状態では、 第 1 のレーザ光スポッ ト

6 1 の強度が光磁気記録膜^{4 3}上で⁶〜¹ o mW 程度の高い値 に維持され、 第 2 のレ ザ光スポッ 卜 ^{6 2} の強度が低い強度レ ベルと高い強度レベルの間で、 情報信^に応.じて変調されてい る。 第⁶図で、 第¹ のレ ザ光スポッ 卜 ^{6 1} の強度は記録再生 切換信号 5 9で制御され、 第²のレーザ光スポ ッ ト ^{6 2}の強度 は情報: Mr- ⁶ Oによ つて制御されている。

本発明の情報消去 Z再記録方法の原理を第⁷図 ，第 8図及び 第 9図を用いて説明する。 第 7図は本発明において使用するフ リ磁性体からなる光磁 気記録膜⁴ 3の保磁力 H c と自発磁化 M Sの温度特性を示した 図である。 第⁷図で、 T ROOMは室温を示し、 T COMPは補償温度 を、 Tc はキュ リ ー温度を示す。 補償温度 T COMPでは膜面に垂 直方向の磁化で構成された光磁気記録膜^{4 3}に於て、 膜面に上 向きの磁化と下向きの磁化との大きさが釣合 、 見かけ上の自 発磁化が Oに ¾ )、 逆に保磁力は最大とな つている。 これに対 して、 補償温度 T COMPよ ])低温側或は高温側では磁化方向が上 向きまたは下向きの磁化が多くな 、 自発磁化が発生する。 従 つて、 補償温度 T COMPよ ])高温側と低温側では自発磁化の向き が各々反対に ]?、 光磁気記録膜 4 3の局部的 ¾磁化によ つて 周辺に発生する磁界の向き も反対に ¾る。 この温度による磁化 方向の反転速度、 及びこれによる周辺磁界の反転速度は膜 4 3 の温度に対する応答性で決まるが、 数 1 o n secで応答すること が十分可能である。 従って、 補償温度 T COMPよ 高温の状態と 低温の状態をレ ザ光スポッ 卜の強度を変えて作ることによ ]?、 情報の記録に使用する周辺磁界の向きを高速に変調することが 可能と ¾る。

実際の記録時における磁化の反転の様子を第 8図を用 て説 明する。 第 8図で光磁気記録膜 4 3は、 最初上向きに磁化され ているとする。

(1) 光磁気記録膜 4 3が室温 T R00M にある場合には、 情報記 録位置には周辺磁化 6 7からの磁界 6 6が磁化方向とは反対方 向の下向、き かかつているが、 室温での記録膜 4 3の保磁力が 高いために磁化方向は反転せず、 上向きの磁化方向を維持して いる。

(2) 光磁気記録膜 4 3に第 1 のレ ザ光スポッ ト 6 1 を照射し、 記録膜 4 3の温度を上昇させ、 補償温度 T G0MPに達すると、 第 ァ図の自発磁化 MS の変化曲線に従って、 レーザ光スポッ ト照 射位置の磁化が上向きの方向を保つたまま減少する。

(3) 第¹ のレーザ光スポッ ト 6 1 の強度が更に高ま ]?、 光磁気 記録膜 4 3の温度が補償温度 T COMP を越えて更に上昇すると、 レ ザ光スポッ ト照射位置の磁化の向きが補償温度 T C0MP を 境にして反転し、 下向きの磁化となる。

(4) 更に第 1 のレ一ザ光スポッ ト ^{6 1} の強度を高め、 同時に大 きなスポッ ト径を有する第 2 のレ ーザ光スポ ッ ト 6 2を第¹ の レ ザ光スボッ ト 6 1 とその中心を略同一にして照射すると、 光磁気記録膜 4 3の温度がキユリ 一温度 TC近傍まで上昇し、 第 1 の光スポッ ト照射位置の保磁力が非常に小さ くな 、 外部 磁界で磁化方向が容易に反転する状態になる。 ここで、 第 2 の レーザ光スポッ ト ^{6 2} の強度を記録膜^{4 3} の温度を補償温度

T C0MP以上にするよ うに設定しておく と、 第 2 のレ一ザ光ス ポッ ト 6 2が照射されている部分の磁化の方向が反転して、 下 向き となる。 この時、 第¹ のレ一ザ光スポッ ト ^{6 1} の照射され ている領域に及ぼされる自発磁化による周辺磁界の向きは、 近 接する自発磁化の向きが大き く寄与し、 第 2のレーザ光スポッ ト 6 2によ って下向きにな つた自発磁化による上向きの周辺外 部磁界が支配的となる。 従って、 第¹ のレ一ザ光スボッ ト ⁶ 1 の照射されている部分は、 この上向きの外部磁界によ って、 上 向きに磁化される。 (5) レ -ザ光スポッ 卜の照射が中止されて記録膜 4 3 の温度が 低下すると、 補償温度 Tc を境にして記録膜^{4 3}の磁化方向が 反転し、 上向きの磁化の中に下向きの磁化で構成された記録ピ ッ ト 6 5が形成される。

次に、 情報ピッ トの消去時における磁化の反転の様子を第 9 図を用いて説明する。 第⁹図で、 光磁気記録膜^{4 3}には、 上向 きに磁化されている中に.下向きの磁化を有する記録ピッ ト ^{6 5} が既に記録されているとする。

(1) 光磁気記録膜 4 3が室温 T R00M にある場合、 情報記録位 置には周辺磁化 6了からの磁界 6 6が磁化方向と同じ下向きに かかつてお ]? 、 車温 T ROOM での記録膜 4 3の高い保磁力と併 せて、 安定な記録ピッ ト ^{6 5}を形成している。

<¾ 光磁気記録膜⁴ 3に第¹ のレ ザ光スポッ ト 6 ¹ を照射し て記録膜 4 3の温度を上昇させ、 補償温度 T CO MPに近くすると. 第 7図の自発磁化 M Sの変化曲線に従って、 光スポッ ト照射位 置の磁化が下向きの方向を保ったまま減少する。

(3) 第 1 のレーザ光スポッ ト 6 1 の強度が更に高ま ])、 光磁気 記録膜 4 3の温度が補償温度 T C0MPを越えて更に上昇すると、 光スポッ ト照射位置の磁化の向きが補償温度で C0MPを境にして 反転し、 上向きの磁化となる。

(4) 更に第¹ のレ ーザ光スポッ 卜 ^{6 1} の強度を高めると、 記録 膜 4 3の温度がキユ リ 温度 TC 近傍まで上昇して、 第¹ の光 スポッ ト照射位置の保磁力が非常に小さ くる ] 、 容易に外部磁 界 6 6で磁化反転する状態に る。 この時、 第 1 のレ ^ザ光ス ポッ ト 6 1 の照射されている領域での周辺自発磁化 6ァによる 磁界 6 6の向きは下向き となっている。 従って、 第¹ のレーザ 光スポ ッ ト 6 ¹ の照射されて る部分はこの下向きの磁界⁶ 6 によ って下向きに磁化される。

(5) 光の照射が中止されて記録膜 4 3の温度が低下すると、 補 償温度 T C O M Pを境にして記録膜⁴ 3の磁化方向が反転して下向 きの磁化が反転し、 周辺と同じ上向きの磁気ドメ イ ンにな ]9、 消去されたピッ ト 6 8 となる。

このような記録 Z消去の動作は第 2のレ ザ光スポッ ト 6 2 の強度を変化させるだけで上向き及び下向きの磁気ドメ イ ンを 形成して行う ことができるため、 記録膜 4 3上に情報ピッ トが 形成されている場合でも全く形成されてい 場合でも同じ作 用を起こすことができる。 即ち、 本発明の方式によると、 既に 形成された情報ピッ トをあらかじめ別の動作によ j 消去するこ となく、 新し 情報を重ね書きするだけで情報の書換えが可能 で有])、 磁気デイ スクと同等の消去 Z再記録（ォ パ ライ ト ） が実現できる。

産業上の利用可能性

本発明によると、 光磁気デ ィ ス ク等の光磁気記録担体を用 る光磁気メモリ装置において、 古い情報が記録されている光磁 気記録膜の上に第¹ のレ ^ザ光スポッ ト と第²のレーザ光スポ ッ ト との 2つのレ ^ザ光スポ ッ トによ 新しい清報を重ねて記 録するだけで、 古い情報を消去して新しい情報に置き換えるこ とができ、 磁気デイ スクメモ リ装置に相当する高速の消去 Z再 記録動作を実現することができる。

従って、 本発明はコ ン ピュ ータ用のデータメ モ リ装置や、 映 • 像の記録装置として用いて有用なものである。

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Claims

• 請 求 の 範 囲

(1 ) 光磁気記録膜に情報を熱磁気的に記録し、 光磁気効果によ つ て再生する光磁気メ モ リ装置において、 前記光磁気記録膜は、 補償温度が室温とキユ リ 温度の間にあるフ ェ リ磁性体であ 、 5 第 1 の光スポ ッ ト と 、 前記第 1 の光スポッ ト径に比べて大きな 光スポ ッ ト径を有しかつ中心が前記第 1 の光スポ ッ トと略同一 である第 2の光スポ ッ ト とを前記記録膜の倩報記録位置に照射 する光源手段と、 情報記録時に前記記録膜の情報記録位置の温 度をキュ リ 一温度近傍にするように前記第 1 の光スポ ッ トの強 ! O 度を強くする変調手段と、 前記記録膜の清報記録位置周辺の温 度を室温近傍と前記記録膜の補償温度以上の温度との間で記録 する倩報信号に従つて変化させるよ うに前記第 2 の光スポ ッ ト の強度を変調する変調手段とを有することを特徵とする光磁気 メモ リ装置。

1 5 (2) 光源手段は、 第 1 ，第 2 の光スポ ッ トを照射する第 1 ，第

2 のレ ザを備えていることを特徵とする光磁気メ モ リ装置。

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