UA46202A - Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву - Google Patents
Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву Download PDFInfo
- Publication number
- UA46202A UA46202A UA2000074403A UA200074403A UA46202A UA 46202 A UA46202 A UA 46202A UA 2000074403 A UA2000074403 A UA 2000074403A UA 200074403 A UA200074403 A UA 200074403A UA 46202 A UA46202 A UA 46202A
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- crucible
- melt
- growth chamber
- feeder
- level
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 230000035611 feeding Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Устройство для выращивания монокристаллов из расплава имеет ростовую камеру, расположенные в ней тигель для расплава, оборудованный боковым и донным нагревателями. Над камерой роста установлен бункер с выходным сырьем, соединенный транспортной трубкой с жидкофазным устройством запитки, имеющим тигель для расплава, которым осуществляется подпитка, автономный нагреватель и сливную трубку, введенную через дно названного тигля, шток кристаллодержателя, введенный через крышку ростовой камеры, который имеет механизм вертикального перемещения и вращения, а также систему регулирования и контроля за уровнем расплава и температурой нагревателей. Жидкофазное устройство запитки расположено над тиглем в ростовой камере и имеет внешние тепловые экраны, в тигле жидкофазного устройства запитки установлен фильтр, за которым находятся сливная трубка, высота которой соответствует уровню расплава в нем, а нижняя часть этой трубки расположена за тиглем с отводом автономного нагревателя.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2000074403A UA46202A (uk) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2000074403A UA46202A (uk) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA46202A true UA46202A (uk) | 2002-05-15 |
Family
ID=74207580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2000074403A UA46202A (uk) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA46202A (ru) |
-
2000
- 2000-07-21 UA UA2000074403A patent/UA46202A/uk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5919913B2 (ja) | 連続式半導体結晶成長装置 | |
| US4203951A (en) | Apparatus for growing single crystals from melt with additional feeding of comminuted charge | |
| US2893847A (en) | Apparatus for preparing rod-shaped, crystalline bodies, particularly semiconductor bodies | |
| US4454096A (en) | Crystal growth furnace recharge | |
| EP0537988A1 (en) | An apparatus for supplying granular raw material for a semiconductor single crystal pulling apparatus | |
| JP3115335B2 (ja) | 融液補給装置 | |
| RU2000120199A (ru) | Галлий высокой чистоты для производства сложных полупроводников, способ очистки и устройство для осуществления этого способа | |
| JP2617197B2 (ja) | 粉粒体供給装置 | |
| UA46202A (uk) | Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву | |
| US2863740A (en) | Crystal growing system | |
| JPH03252386A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPS598694A (ja) | 結晶成長装置 | |
| Patterson | Controlled atmosphere kyropoulos growth of alkali halide single crystals | |
| JP6607651B1 (ja) | 単結晶製造装置 | |
| US3493348A (en) | Buoyant device in crystal growing | |
| JPH02172885A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| RU2006121411A (ru) | Способ выращивания кристаллов и устройство для его осуществления | |
| JP2830411B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法と装置 | |
| JPH061688A (ja) | 粒状ドープ剤供給装置及び方法 | |
| JPH10101468A (ja) | 化合物半導体結晶の育成方法及びその装置 | |
| HU188743B (en) | Method and apparatus for the continuous growth of the monocrystals | |
| JP2525931B2 (ja) | ＺｎＳｅの結晶成長方法と結晶成長装置 | |
| JPH0532488A (ja) | 高解離圧成分含有化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| KR101712744B1 (ko) | 공용포트를 구비하는 잉곳 성장 장치 | |
| RU2283904C1 (ru) | Устройство для получения монокристаллов |