JPH10101468A - 化合物半導体結晶の育成方法及びその装置 - Google Patents
化合物半導体結晶の育成方法及びその装置Info
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- JPH10101468A JPH10101468A JP26100896A JP26100896A JPH10101468A JP H10101468 A JPH10101468 A JP H10101468A JP 26100896 A JP26100896 A JP 26100896A JP 26100896 A JP26100896 A JP 26100896A JP H10101468 A JPH10101468 A JP H10101468A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直ブリッジマン法又は垂直グラディエント
フリージング法で水平隔壁と成長界面の間のゾーン部を
狭い一定の間隔に保持しながら化合物半導体結晶を育成
する方法及びその装置を提供しようとするものである。 【解決手段】 縦型容器に原料融液を収容し、成長界面
に対向して隔壁を水平に保持し、底部より化合物半導体
結晶を育成する方法において、隔壁から超音波を発振さ
せ、成長界面で反射した超音波を隔壁で受信して隔壁と
成長界面との距離を測定し、その測定値で隔壁の昇降速
度及び／又は縦型容器の昇降速度を制御して、隔壁と成
長界面との距離を一定に保持することを特徴とする化合
物半導体結晶の育成方法、及び、その装置である。
フリージング法で水平隔壁と成長界面の間のゾーン部を
狭い一定の間隔に保持しながら化合物半導体結晶を育成
する方法及びその装置を提供しようとするものである。 【解決手段】 縦型容器に原料融液を収容し、成長界面
に対向して隔壁を水平に保持し、底部より化合物半導体
結晶を育成する方法において、隔壁から超音波を発振さ
せ、成長界面で反射した超音波を隔壁で受信して隔壁と
成長界面との距離を測定し、その測定値で隔壁の昇降速
度及び／又は縦型容器の昇降速度を制御して、隔壁と成
長界面との距離を一定に保持することを特徴とする化合
物半導体結晶の育成方法、及び、その装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光デバイス、ＩＣ
等の化合物半導体基板に用いる化合物半導体結晶を垂直
ブリッジマン法又は垂直グラディエントフリージング法
で育成する方法及びその装置に関する。
等の化合物半導体基板に用いる化合物半導体結晶を垂直
ブリッジマン法又は垂直グラディエントフリージング法
で育成する方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、化合物半導体結晶は、引上法、水
平ブリッジマン法、垂直ブリッジマン法、水平グラディ
エントフリージング法、垂直グラディエントフリージン
グ法等により育成される。しかし、多元混晶や不純物を
ドープした結晶を育成するときには、偏析現象（平衡す
る融液組成と結晶組成が異なることによる）の影響で成
長結晶の組成や不純物濃度が成長軸に沿って変化してし
まう。
平ブリッジマン法、垂直ブリッジマン法、水平グラディ
エントフリージング法、垂直グラディエントフリージン
グ法等により育成される。しかし、多元混晶や不純物を
ドープした結晶を育成するときには、偏析現象（平衡す
る融液組成と結晶組成が異なることによる）の影響で成
長結晶の組成や不純物濃度が成長軸に沿って変化してし
まう。
【０００３】本発明者等は、上記の欠点を解決するため
に、垂直ブリッジマン法又は垂直グラディエントフリー
ジング法で結晶を育成するときに、原料融液中に水平な
隔壁を浸漬し、成長界面と隔壁との距離を一定に保持す
ることにより、均一な組成又は均一な不純物濃度を有す
る結晶を育成する方法を先に提案した（特開平３−２０
５３９１号公報参照）。
に、垂直ブリッジマン法又は垂直グラディエントフリー
ジング法で結晶を育成するときに、原料融液中に水平な
隔壁を浸漬し、成長界面と隔壁との距離を一定に保持す
ることにより、均一な組成又は均一な不純物濃度を有す
る結晶を育成する方法を先に提案した（特開平３−２０
５３９１号公報参照）。
【０００４】上記の方法は原理的にはゾーンメルト法と
同じであり、図５のＩｎＧａＡｓ系の状態図を参考にし
てＩｎＧａＡｓ結晶の育成をみると、目的結晶の組成Ｘ
C と同じ組成の原料融液を用いて育成を行うと、組成Ｘ
C の結晶が成長するときには、図６のように、融液組成
は成長界面近傍でＸL （ＸC の固相に平衡する液相組
成）、隔壁近傍ではＸC となり、隔壁と成長界面の間
（以下、ゾーン部という）は拡散による溶質（この場合
はＧａ）の輸送と結晶の成長による溶質の取り込みが平
衡している（図５参照）。
同じであり、図５のＩｎＧａＡｓ系の状態図を参考にし
てＩｎＧａＡｓ結晶の育成をみると、目的結晶の組成Ｘ
C と同じ組成の原料融液を用いて育成を行うと、組成Ｘ
C の結晶が成長するときには、図６のように、融液組成
は成長界面近傍でＸL （ＸC の固相に平衡する液相組
成）、隔壁近傍ではＸC となり、隔壁と成長界面の間
（以下、ゾーン部という）は拡散による溶質（この場合
はＧａ）の輸送と結晶の成長による溶質の取り込みが平
衡している（図５参照）。
【０００５】このような定常状態が成り立つまでの成長
初期は組成が変化する（初期遷移領域）が、その後は均
一な組成の結晶が成長する。そして、ゾーン部の長さを
小さくする程、初期遷移領域が小さくなり、均一領域が
長くなる。この方法で、不純物濃度又は組成を均一にす
るために、育成中にゾーン部の長さの変動を無くすこと
が重要である。
初期は組成が変化する（初期遷移領域）が、その後は均
一な組成の結晶が成長する。そして、ゾーン部の長さを
小さくする程、初期遷移領域が小さくなり、均一領域が
長くなる。この方法で、不純物濃度又は組成を均一にす
るために、育成中にゾーン部の長さの変動を無くすこと
が重要である。
【０００６】垂直ブリッジマン法で結晶を育成するとき
には、縦型容器を下降させ、隔壁を固定して結晶を成長
させることができるが、結晶が成長するとともに熱環境
が変化して成長界面の位置（容器の外から見た成長界面
の位置）が変動し、ゾーン部の長さが変化するため、ゾ
ーン部の溶質又は不純物の輸送を定常状態に保てなくな
り、その結果、不純物濃度又は組成の均一な結晶を得る
ことが困難になるという問題があった。
には、縦型容器を下降させ、隔壁を固定して結晶を成長
させることができるが、結晶が成長するとともに熱環境
が変化して成長界面の位置（容器の外から見た成長界面
の位置）が変動し、ゾーン部の長さが変化するため、ゾ
ーン部の溶質又は不純物の輸送を定常状態に保てなくな
り、その結果、不純物濃度又は組成の均一な結晶を得る
ことが困難になるという問題があった。
【０００７】また、垂直グラディエントフリージング法
で結晶を育成するときには、容器及び加熱炉をを固定
し、加熱炉の出力を制御して温度勾配を移動し、結晶を
成長させる。隔壁は、成長界面位置を予測して隔壁を移
動するが、成長界面の位置を正確に予測することができ
ないため、ゾーン部の長さを一定に保持することが困難
である。その結果、ゾーン部の長さが変化するため、ゾ
ーン部の溶質又は不純物の輸送を定常状態に保てなくな
り、その結果、不純物濃度又は組成の均一な結晶を得る
ことが困難になるという問題があった。
で結晶を育成するときには、容器及び加熱炉をを固定
し、加熱炉の出力を制御して温度勾配を移動し、結晶を
成長させる。隔壁は、成長界面位置を予測して隔壁を移
動するが、成長界面の位置を正確に予測することができ
ないため、ゾーン部の長さを一定に保持することが困難
である。その結果、ゾーン部の長さが変化するため、ゾ
ーン部の溶質又は不純物の輸送を定常状態に保てなくな
り、その結果、不純物濃度又は組成の均一な結晶を得る
ことが困難になるという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、上
記の問題点を解消し、垂直ブリッジマン法又は垂直グラ
ディエントフリージング法で水平隔壁と成長界面の間の
ゾーン部を狭い一定の間隔に保持しながら化合物半導体
結晶を育成する方法及びその装置を提供しようとするも
のである。
記の問題点を解消し、垂直ブリッジマン法又は垂直グラ
ディエントフリージング法で水平隔壁と成長界面の間の
ゾーン部を狭い一定の間隔に保持しながら化合物半導体
結晶を育成する方法及びその装置を提供しようとするも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記の構成を
採用することにより、上記の課題の解決を可能にしたも
のである。 (1) 縦型容器に原料融液を収容し、成長界面に対向して
隔壁を水平に保持し、成長方向に温度勾配を形成し、上
記縦型容器の底部より原料融液を冷却固化して化合物半
導体結晶を育成する方法において、上記隔壁から超音波
を発振させ、成長界面で反射した超音波を上記隔壁で受
信して上記隔壁と成長界面との距離を測定し、その測定
値により、上記隔壁の昇降速度、上記縦型容器の昇降速
度及び／又は上記温度勾配の移動速度を制御して、上記
隔壁と成長界面との距離を一定に保持することを特徴と
する化合物半導体結晶の育成方法。
採用することにより、上記の課題の解決を可能にしたも
のである。 (1) 縦型容器に原料融液を収容し、成長界面に対向して
隔壁を水平に保持し、成長方向に温度勾配を形成し、上
記縦型容器の底部より原料融液を冷却固化して化合物半
導体結晶を育成する方法において、上記隔壁から超音波
を発振させ、成長界面で反射した超音波を上記隔壁で受
信して上記隔壁と成長界面との距離を測定し、その測定
値により、上記隔壁の昇降速度、上記縦型容器の昇降速
度及び／又は上記温度勾配の移動速度を制御して、上記
隔壁と成長界面との距離を一定に保持することを特徴と
する化合物半導体結晶の育成方法。
【００１０】(2) 原料融液を収容する縦型容器と、該縦
型容器の底部より原料融液を冷却固化するための、成長
方向に温度勾配を設ける炉と、ロッドの下端で保持する
水平な障壁と、該ロッドを昇降させる手段、上記縦型容
器を昇降させる手段及び／又は温度勾配を移動するため
の加熱出力を制御する手段を備えた化合物半導体結晶の
育成装置において、上記隔壁と成長界面との距離を測定
するための、超音波発振器と超音波受信器からなるセン
サーを上記ロッドに付設し、該センサーからの信号で上
記ロッドの昇降速度、上記縦型容器を昇降速度及び／又
は上記温度勾配の移動速度を制御して、上記隔壁と成長
結晶との距離を一定に保持することを可能にしたことを
特徴とする化合物半導体結晶の育成装置。
型容器の底部より原料融液を冷却固化するための、成長
方向に温度勾配を設ける炉と、ロッドの下端で保持する
水平な障壁と、該ロッドを昇降させる手段、上記縦型容
器を昇降させる手段及び／又は温度勾配を移動するため
の加熱出力を制御する手段を備えた化合物半導体結晶の
育成装置において、上記隔壁と成長界面との距離を測定
するための、超音波発振器と超音波受信器からなるセン
サーを上記ロッドに付設し、該センサーからの信号で上
記ロッドの昇降速度、上記縦型容器を昇降速度及び／又
は上記温度勾配の移動速度を制御して、上記隔壁と成長
結晶との距離を一定に保持することを可能にしたことを
特徴とする化合物半導体結晶の育成装置。
【００１１】(3) 上記縦型容器として円筒形のものを用
い、上記隔壁として該円筒形縦型容器の内壁に近接する
円板状のものを用い、上記ロッド及び／又は上記縦型容
器を回転させる手段を設けたことを特徴とする上記(2)
記載の化合物半導体結晶の育成装置。
い、上記隔壁として該円筒形縦型容器の内壁に近接する
円板状のものを用い、上記ロッド及び／又は上記縦型容
器を回転させる手段を設けたことを特徴とする上記(2)
記載の化合物半導体結晶の育成装置。
【００１２】(4) 上記円板状隔壁の下面に突起を設けた
ことを特徴とする上記(3) 記載の化合物半導体結晶の育
成装置。
ことを特徴とする上記(3) 記載の化合物半導体結晶の育
成装置。
【００１３】(5) 上記円板状隔壁から後方に向けて円筒
部を形成したことを特徴とする上記(3) 又は(4) 記載の
化合物半導体結晶の育成装置。
部を形成したことを特徴とする上記(3) 又は(4) 記載の
化合物半導体結晶の育成装置。
【００１４】(6) 上記円板状隔壁に連通孔を設けたこと
を特徴とする上記(3) 〜(5) のいずれか１つに記載の化
合物半導体結晶の育成装置。
を特徴とする上記(3) 〜(5) のいずれか１つに記載の化
合物半導体結晶の育成装置。
【００１５】
【発明の実施の態様】図１は、本発明を実施するための
具体例である垂直ブリッジマン装置の断面をである。下
軸に支持されたサセプタ６内にルツボ５を配置し、ルツ
ボ底部には種結晶４を置き、原料融液２中に水平隔壁１
を浸漬し、水平隔壁１を昇降させるロッド１１に、超音
波発振器と超音波受信器からなるセンサー１２を付設
し、ルツボ５の周囲には、温度勾配を形成するためのヒ
ータ７，８及び９が配置されている。これらの装置は外
部容器１０内に置かれている。なお、本図には示されて
いないが、ＧａＡｓ，ＩｎＰ等のIII-Ｖ族化合物半導体
結晶や、ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ等のII−VI族化合物半導体
結晶を育成する場合には、原料融液をＢ2 Ｏ3 等の液体
封止剤で封止することも可能である。
具体例である垂直ブリッジマン装置の断面をである。下
軸に支持されたサセプタ６内にルツボ５を配置し、ルツ
ボ底部には種結晶４を置き、原料融液２中に水平隔壁１
を浸漬し、水平隔壁１を昇降させるロッド１１に、超音
波発振器と超音波受信器からなるセンサー１２を付設
し、ルツボ５の周囲には、温度勾配を形成するためのヒ
ータ７，８及び９が配置されている。これらの装置は外
部容器１０内に置かれている。なお、本図には示されて
いないが、ＧａＡｓ，ＩｎＰ等のIII-Ｖ族化合物半導体
結晶や、ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ等のII−VI族化合物半導体
結晶を育成する場合には、原料融液をＢ2 Ｏ3 等の液体
封止剤で封止することも可能である。
【００１６】単結晶の育成は、ルツボ５に原料を収容
し、上記ヒータにより図２に示すような温度勾配を形成
し、ルツボ５を徐々に降下させることにより、種結晶４
から単結晶３を育成する。その間、センサー１２の超音
波発振器からの超音波はロッド１１を介して水平隔壁１
から発振して成長界面で反射し、水平隔壁１で受けセン
サー１２の超音波受信器で受信することにより、水平隔
壁１と成長界面の間の距離を測定し、この距離を当初設
定した値に保持するように、結晶成長とともにロッド１
１及び又はルツボ５の昇降速度を調整する。
し、上記ヒータにより図２に示すような温度勾配を形成
し、ルツボ５を徐々に降下させることにより、種結晶４
から単結晶３を育成する。その間、センサー１２の超音
波発振器からの超音波はロッド１１を介して水平隔壁１
から発振して成長界面で反射し、水平隔壁１で受けセン
サー１２の超音波受信器で受信することにより、水平隔
壁１と成長界面の間の距離を測定し、この距離を当初設
定した値に保持するように、結晶成長とともにロッド１
１及び又はルツボ５の昇降速度を調整する。
【００１７】具体的には、隔壁からの反射波と成長界面
からの反射波の時間差ΔＴを測定し、Ｌ＝（１／２）Δ
Ｔ・Ｖ（Ｖ：融液中の超音波の速度）の式より、隔壁と
成長界面との距離を算出する。この超音波を用いた距離
測定は、測定が容易であり、その精度が極めて高いた
め、水平隔壁と成長界面との間のゾーン部の長さの変化
を正確に検知することができ、その測定値によりルツボ
の移動速度、隔壁移動速度及び／又は温度勾配の移動速
度にフィードバックしてゾーン部の長さを一定になるよ
うに制御しながら結晶を育成する。その結果、ゾーン部
を狭い一定の間隔に安定して保持することができるた
め、水平隔壁と成長界面との間の原料融液量が限定さ
れ、原料融液の不純物濃度や原料融液の組成を容易に均
一に保持することができるので、不純物濃度や組成の均
一な単結晶を再現性よく高い歩留りで育成することが可
能になった。
からの反射波の時間差ΔＴを測定し、Ｌ＝（１／２）Δ
Ｔ・Ｖ（Ｖ：融液中の超音波の速度）の式より、隔壁と
成長界面との距離を算出する。この超音波を用いた距離
測定は、測定が容易であり、その精度が極めて高いた
め、水平隔壁と成長界面との間のゾーン部の長さの変化
を正確に検知することができ、その測定値によりルツボ
の移動速度、隔壁移動速度及び／又は温度勾配の移動速
度にフィードバックしてゾーン部の長さを一定になるよ
うに制御しながら結晶を育成する。その結果、ゾーン部
を狭い一定の間隔に安定して保持することができるた
め、水平隔壁と成長界面との間の原料融液量が限定さ
れ、原料融液の不純物濃度や原料融液の組成を容易に均
一に保持することができるので、不純物濃度や組成の均
一な単結晶を再現性よく高い歩留りで育成することが可
能になった。
【００１８】なお、水平隔壁を円板状となし、水平隔壁
を支持するロッドに回転機構を設け、円筒形の縦型容器
内で該隔壁を回転させ、原料融液を攪拌して不純物濃度
や組成を一層均一にすることも可能である。また、円板
状隔壁の外周後方に円筒部を形成し、ゾーン部内外の不
純物又は溶質の拡散を抑制することも可能である。
を支持するロッドに回転機構を設け、円筒形の縦型容器
内で該隔壁を回転させ、原料融液を攪拌して不純物濃度
や組成を一層均一にすることも可能である。また、円板
状隔壁の外周後方に円筒部を形成し、ゾーン部内外の不
純物又は溶質の拡散を抑制することも可能である。
【００１９】さらに、水平隔壁に連通孔を設けて、水平
隔壁と成長界面との間のゾーン部に原料融液の補給を容
易にすることも可能である。以上、垂直ブリッジマン装
置について説明したが、垂直グラディエントフリージン
グ装置においても、上記水平隔壁を同様に適用すること
ができ、同様の効果を得ることができる。
隔壁と成長界面との間のゾーン部に原料融液の補給を容
易にすることも可能である。以上、垂直ブリッジマン装
置について説明したが、垂直グラディエントフリージン
グ装置においても、上記水平隔壁を同様に適用すること
ができ、同様の効果を得ることができる。
【００２０】
〔実施例１〕図１の垂直ブリッジマン装置を用い、Ｇａ
Ａｓ多結晶と１０ｗｔｐｐｍのＳｉをルツボにチャージ
し、直径４５ｍｍの水平隔壁を原料融液中に浸漬して、
ＳｉをドープしたＧａＡｓ単結晶を育成した。水平隔壁
を支持するロッドの上端に超音波振動子と超音波検出器
を設置し、隔壁と成長界面との間のゾーン部の幅を検知
し、ゾーン部の長さが１ｃｍになるように、ルツボの下
降速度を制御しながら、結晶の育成を行った。なお、育
成中は水平隔壁は全く動かさなかった。得られた結晶
は、直径が２インチで長さが１５ｃｍあり、成長軸方向
のＳｉ濃度を調べたところ、図３のようになり、初期遷
移領域後はＳｉ濃度の均一な領域が得られた。
Ａｓ多結晶と１０ｗｔｐｐｍのＳｉをルツボにチャージ
し、直径４５ｍｍの水平隔壁を原料融液中に浸漬して、
ＳｉをドープしたＧａＡｓ単結晶を育成した。水平隔壁
を支持するロッドの上端に超音波振動子と超音波検出器
を設置し、隔壁と成長界面との間のゾーン部の幅を検知
し、ゾーン部の長さが１ｃｍになるように、ルツボの下
降速度を制御しながら、結晶の育成を行った。なお、育
成中は水平隔壁は全く動かさなかった。得られた結晶
は、直径が２インチで長さが１５ｃｍあり、成長軸方向
のＳｉ濃度を調べたところ、図３のようになり、初期遷
移領域後はＳｉ濃度の均一な領域が得られた。
【００２１】〔比較例１〕実施例１において、水平隔壁
のロッドに付設した超音波振動子を稼働させずに、水平
隔壁と成長界面との間のゾーン部の長さを１ｃｍに保持
するように水平隔壁をセットし、その後は水平隔壁は固
定し、ルツボを一定の速度で下降させ、他の条件は実施
例１と同様にしてＳｉドープＧａＡｓ単結晶を育成し
た。得られた結晶は、実施例１とほぼ同じ大きさのもの
が得られたが、成長軸方向のＳｉ濃度は、図４のよう
に、初期遷移領域は実施例１の結果とほぼ同じであった
が、その後はＳｉ濃度が均一にならず、減少傾向を示し
た。この結果より、育成途中から成長界面が下がり始
め、ゾーン部の長さが徐々に増加したものと推定され
る。
のロッドに付設した超音波振動子を稼働させずに、水平
隔壁と成長界面との間のゾーン部の長さを１ｃｍに保持
するように水平隔壁をセットし、その後は水平隔壁は固
定し、ルツボを一定の速度で下降させ、他の条件は実施
例１と同様にしてＳｉドープＧａＡｓ単結晶を育成し
た。得られた結晶は、実施例１とほぼ同じ大きさのもの
が得られたが、成長軸方向のＳｉ濃度は、図４のよう
に、初期遷移領域は実施例１の結果とほぼ同じであった
が、その後はＳｉ濃度が均一にならず、減少傾向を示し
た。この結果より、育成途中から成長界面が下がり始
め、ゾーン部の長さが徐々に増加したものと推定され
る。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、上記の構成を採用することに
より、垂直ブリッジマン法又は垂直グラディエントフリ
ージング法における、水平隔壁と成長界面の間のゾーン
部の長さを正確に測定することが可能になり、その結
果、該ゾーン部を狭い一定の間隔に保持しながら化合物
半導体結晶を育成することができるため、不純物濃度や
組成の均一な化合物半導体結晶を再現性よく育成できる
ようになった。
より、垂直ブリッジマン法又は垂直グラディエントフリ
ージング法における、水平隔壁と成長界面の間のゾーン
部の長さを正確に測定することが可能になり、その結
果、該ゾーン部を狭い一定の間隔に保持しながら化合物
半導体結晶を育成することができるため、不純物濃度や
組成の均一な化合物半導体結晶を再現性よく育成できる
ようになった。
【図１】本発明の１具体例である垂直ブリッジマン装置
の概念図である。
の概念図である。
【図２】図１の温度勾配炉の温度分布を示した図であ
る。
る。
【図３】実施例１で育成したＳｉドープＧａＡｓ単結晶
の成長軸方向のＳｉ濃度分布を示したグラフである。
の成長軸方向のＳｉ濃度分布を示したグラフである。
【図４】比較例１で育成したＳｉドープＧａＡｓ単結晶
の成長軸方向のＳｉ濃度分布を示したグラフである。
の成長軸方向のＳｉ濃度分布を示したグラフである。
【図５】ＩｎＧａＡｓ系の平衡状態図である。
【図６】垂直ブリッジマン方法に水平隔壁を適用して結
晶を成長するときの、成長軸方向の結晶組成と原料融液
の組成を示した図である。
晶を成長するときの、成長軸方向の結晶組成と原料融液
の組成を示した図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 縦型容器に原料融液を収容し、成長界面
に対向して隔壁を水平に保持し、成長方向に温度勾配を
形成し、上記縦型容器の底部より原料融液を冷却固化し
て化合物半導体結晶を育成する方法において、上記隔壁
から超音波を発振させ、成長界面で反射した超音波を上
記隔壁で受信して上記隔壁と成長界面との距離を測定
し、その測定値により、上記隔壁の昇降速度、上記縦型
容器の昇降速度及び／又は上記温度勾配の移動速度を制
御して、上記隔壁と成長界面との距離を一定に保持する
ことを特徴とする化合物半導体結晶の育成方法。 - 【請求項２】 原料融液を収容する縦型容器と、該縦型
容器の底部より原料融液を冷却固化するための、成長方
向に温度勾配を設ける炉と、ロッドの下端で保持する水
平な障壁と、該ロッドを昇降させる手段、上記縦型容器
を昇降させる手段及び／又は温度勾配を移動するための
加熱出力を制御する手段を備えた化合物半導体結晶の育
成装置において、上記隔壁と成長界面との距離を測定す
るための、超音波発振器と超音波受信器からなるセンサ
ーを上記ロッドに付設し、該センサーからの信号で上記
ロッドの昇降速度、上記縦型容器を昇降速度及び／又は
上記温度勾配の移動速度を制御して、上記隔壁と成長結
晶との距離を一定に保持することを可能にしたことを特
徴とする化合物半導体結晶の育成装置。 - 【請求項３】 上記縦型容器として円筒形のものを用
い、上記隔壁として該円筒形縦型容器の内壁に近接する
円板状のものを用い、上記ロッド及び／又は上記縦型容
器を回転させる手段を設けたことを特徴とする請求項２
記載の化合物半導体結晶の育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26100896A JPH10101468A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 化合物半導体結晶の育成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26100896A JPH10101468A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 化合物半導体結晶の育成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10101468A true JPH10101468A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=17355781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26100896A Pending JPH10101468A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 化合物半導体結晶の育成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10101468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002053388A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-19 | Natl Space Development Agency Of Japan | 結晶成長方法 |
| CN114908424A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-08-16 | 合肥天曜新材料科技有限公司 | 一种高阻碲锌镉晶体制备装置及方法 |
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1996
- 1996-10-01 JP JP26100896A patent/JPH10101468A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002053388A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-19 | Natl Space Development Agency Of Japan | 結晶成長方法 |
| CN114908424A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-08-16 | 合肥天曜新材料科技有限公司 | 一种高阻碲锌镉晶体制备装置及方法 |
| CN114908424B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-10-20 | 合肥天曜新材料科技有限公司 | 一种高阻碲锌镉晶体制备装置及方法 |
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